專利名稱：液晶顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有液晶注入口的液晶顯示面板，更具體地，涉及在完成樹脂膜的形成后形成低溫絕緣膜的液晶顯示面板。
背景技術(shù)：
液晶顯示面板與陰極射線管(CRT)相比具有諸如重量輕、厚度薄和功耗低的特點，因此液晶顯示面板用作很多電子設(shè)備中的顯示面板。液晶顯示面板是這樣的，在預(yù)定方向上排列的液晶分子的取向通過施加電場而改變，從而改變透射通過液晶層的光量，由此在液晶顯示面板上顯示圖像。關(guān)于這樣的液晶顯示面板，存在反射型、透射型以及包括反射型和透射型的半透射型的液晶顯示面板。在此情況下，在反射型液晶顯示面板中，外部光入射到液晶層并由反射板反射以再次透射通過液晶層而被發(fā)射。另外，在透射型液晶顯示面板中，從背光單元照射的入射光透射通過液晶層。已知的用于給液晶顯示面板的液晶層施加電場的方法中有縱向電場系統(tǒng)和橫向電場系統(tǒng)。關(guān)于采用縱向電場系統(tǒng)的液晶顯示面板，大約指向縱向方向的電場通過成對的電極施加給液晶分子，該成對的電極設(shè)置為在該成對的電極之間夾持液晶層。已知具有扭曲向列(TN)模式的液晶顯示面板、具有垂直取向(VA)模式的液晶顯示面板、具有多域垂直取向(MVA)模式的液晶顯示面板等為采用縱向電場系統(tǒng)的液晶顯示面板。關(guān)于采用橫向電場系統(tǒng)的液晶顯示面板，成對的電極提供在成對的基板之一的內(nèi)表面?zhèn)龋摮蓪Φ幕逶O(shè)置為在該成對的基板之間夾持液晶層，且該成對的電極彼此絕緣。另外，大約指向橫向方向的電場施加給液晶分子。已知具有在平面圖中成對的電極不重疊的平面內(nèi)轉(zhuǎn)換(ISP)模式的液晶顯示面板以及具有在平面圖中成對的電極重疊的邊緣場轉(zhuǎn)換(FFS)模式的液晶顯示面板為采用橫向電場系統(tǒng)的液晶顯示面板。對于上述液晶面板，在具有IPS模式的液晶顯示面板中，由像素電極和公共電極組成的成對的電極形成梳齒形狀，從而該成對的電極彼此嚙合，并且該成對的電極彼此電絕緣。另外，橫向電場通過像素電極和公共電極來施加。具有IPS模式的液晶顯示面板的優(yōu)點是，其視角寬于具有縱向電場的液晶顯示面板的視角。在具有FFS模式的液晶顯示面板中，成對的電極由公共電極和像素電極組成。另外，成對的公共電極和像素電極隔著絕緣膜分別設(shè)置在不同的層中。狹縫狀開口形成在液晶層側(cè)的公共電極或者像素電極中，并且大約指向橫向方向并且穿過該狹縫狀開口的電場被施加給液晶層。具有FFS模式的液晶顯示面板近來已經(jīng)用在很多情況下，這是因為具有 FFS模式的液晶顯示面板具有可獲得寬視角以及可以改善圖像對比度的效果。關(guān)于具有FFS模式的液晶顯示面板，已知日本特開2009-036800號公報(專利文件1)中所公開的液晶顯示面板，其中如圖2所示像素電極大約形成在與用作開關(guān)元件的薄膜晶體管(TFT)相同的層面上。另外，已知日本特開2009-047839(專利文件2)中公開的液晶面板，其中如圖2所示公共電極和像素電極均設(shè)置在TFT的上面。在它們當(dāng)中，在公共電極和像素電極均設(shè)置在TFT上面的具有FFS模式的液晶面板中，TFT等的表面覆蓋有由丙烯酸樹脂等制作的層間膜。由透明導(dǎo)電材料制作的下電極形成在層間膜的表面上。另外，上電極隔著無機絕緣膜形成在下電極上。下電極可以用作像素電極和公共電極中任一者。層間膜平坦了由TFT等引起的不規(guī)則形狀，并且上電極和下電極可以形成在TFT的上面，這使得開口率增加。

發(fā)明內(nèi)容
然而，在公共電極和像素電極均設(shè)置在TFT上面的具有FFS模式的液晶面板中，某些情況下在顯示區(qū)域內(nèi)產(chǎn)生微小的亮點缺陷。對產(chǎn)生微小亮點缺陷的原因的研究結(jié)果發(fā)現(xiàn)微小亮點缺陷的產(chǎn)生是由于位于顯示區(qū)域內(nèi)的外來物質(zhì)的存在。如圖10所示，顯示區(qū)域12分成九個區(qū)域(a)至(i)，長度方向上三個X寬度方向上三個，并且對外來物質(zhì)的分布進行了研究。結(jié)果發(fā)現(xiàn)最靠近液晶注入口 14的區(qū)域(b)具有最大數(shù)量的外來物質(zhì)，并且區(qū)域(a)至(c)以及(e)的每一個都具有第二大數(shù)量的外來物質(zhì)。因此，區(qū)域(a)至(c) 以及(e)具有外來物質(zhì)的數(shù)量的比率等于或大于80%。由該研究結(jié)果可見，認為幾乎所有的外來物質(zhì)都從液晶注入口 14侵入。另外，對外來物質(zhì)的樣本進行能量色散X射線光譜分析(EDS)，結(jié)果證明很多外來物質(zhì)是作為用于無機絕緣膜的材料的氮化硅。如日本特開2008-068623(專利文件3)所公開的，液晶注入口部采用劃線系統(tǒng) (scribe system)在切割工藝中形成。另外，由丙烯酸樹脂等制作的層間膜耐熱性弱。因此，層間膜上由氮化硅或氧化硅制作的無機絕緣膜形成在低于通常的形成溫度的溫度下。 因此，該無機絕緣膜也稱為“低溫絕緣膜”。關(guān)于上述微小亮點缺陷的原因，可以想到因為無機絕緣膜形成在低溫下，所以層間膜和無機絕緣膜之間的粘合強度下降，無機絕緣膜在采用劃線系統(tǒng)執(zhí)行切割液晶注入口部的階段中被剝離，并且無機絕緣膜的碎片與液晶一起從液晶注入口侵入顯示區(qū)域中。為了解決上述問題而進行本發(fā)明，因此所希望的是提供這樣的液晶面板，其中幾乎不產(chǎn)生形成在層間膜上的無機絕緣膜的碎片，從而減少了微小亮點缺陷的產(chǎn)生。為了達到上述目標(biāo)，根據(jù)本發(fā)明的實施例，提供一種液晶顯示面板，其中彼此面對設(shè)置的成對的基板的周邊以彼此間給定的距離由密封材料貼合，液晶注入口形成在密封材料的一部分中，并且液晶密封在彼此成對的基板之間限定的內(nèi)部空間中。在此情況下，樹脂膜形成在該成對的基板之一的內(nèi)部空間側(cè)，并且無機絕緣膜形成在樹脂膜的表面?zhèn)?；而且?在液晶面板中形成不存在無機絕緣膜的區(qū)域。為了防止引起樹脂膜的熱退化和特性改變的目的，當(dāng)無機絕緣膜形成在樹脂膜的表面?zhèn)葧r，無機絕緣膜在低于無機絕緣膜的通常的形成條件的溫度形成。因此，在樹脂膜的表面?zhèn)刃纬傻臒o機絕緣膜具有在樹脂膜或其他絕緣膜與該無機絕緣膜之間差的粘合性。因此，如果與樹脂膜的表面?zhèn)刃纬傻臒o機絕緣膜相同的無機絕緣膜存在于液晶注入口側(cè)，則在在切割工藝中每個液晶顯示面板與母基板分開后，在注入液晶時無機絕緣膜的碎片與液晶一起進入顯示區(qū)域。結(jié)果，增加了產(chǎn)生微小亮點缺陷的可能性。然而，根據(jù)本發(fā)明實施例的液晶顯示面板，形成了不存在與樹脂膜的表面?zhèn)刃纬傻臒o機絕緣膜相同的無機絕緣膜的區(qū)域。結(jié)果，幾乎不產(chǎn)生微小亮點缺陷，這是因為在注入液晶的階段中與樹脂膜的表面?zhèn)刃纬傻臒o機絕緣膜相同的無機絕緣膜的碎片幾乎不侵入顯示區(qū)域側(cè)。
優(yōu)選地，不存在無機絕緣膜的區(qū)域是對應(yīng)于液晶注入口的端部。在本發(fā)明實施例的液晶顯示面板中，不存在無機絕緣膜的區(qū)域形成在液晶顯示面板的對應(yīng)于液晶注入口的端部。因此，無機絕緣膜的碎片幾乎不侵入作為無機絕緣膜的碎片侵入最多的區(qū)域的最靠近液晶注入口的區(qū)域。結(jié)果，該區(qū)域中幾乎不產(chǎn)生微小亮點缺陷。優(yōu)選地，不存在無機絕緣膜的區(qū)域形成在涵蓋從液晶注入口的端部起預(yù)定的給定寬度的寬度上。研磨用于從母基板切割液晶顯示面板區(qū)域的凹槽的輪式切割機的位置偏移例如控制為最大至120μπι。在本發(fā)明實施例的液晶顯示面板中，沒有形成與樹脂膜的表面?zhèn)刃纬傻臒o機絕緣膜相同的無機絕緣膜的區(qū)域的寬度設(shè)定為大于距液晶注入口側(cè)的邊的預(yù)定的給定寬度。例如，設(shè)定為大于作為輪式切割機的位置偏移公差的最大值的120 μ m。結(jié)果， 在每個液晶顯示面板從母基板切割時，即使輪式切割機的位置偏移變?yōu)?20 μ m,也能防止產(chǎn)生無機絕緣膜的碎片，這是因為輪式切割機不會接觸無機絕緣膜。優(yōu)選地，樹脂膜沒有形成在液晶顯示面板的液晶注入口側(cè)的邊中。在樹脂膜沒有形成在液晶顯示面板的對應(yīng)于液晶注入口側(cè)的邊中的情況下，即使在與樹脂膜的表面?zhèn)刃纬傻臒o機絕緣膜相同的無機絕緣膜形成在該部分中時，對于該部分的無機絕緣膜的粘合性也更好于有樹脂膜的情況。因此，根據(jù)本發(fā)明實施例的液晶顯示面板，滿意地提供了上述效果。另外，優(yōu)選地，從液晶注入口側(cè)的邊起，沒有形成樹脂膜的部分的寬度寬于不存在無機絕緣膜的區(qū)域的寬度。在從液晶注入口側(cè)的邊起沒有形成樹脂膜的部分的寬度制作為寬于不存在無機絕緣膜區(qū)域的寬度的情況下，當(dāng)與樹脂膜的表面?zhèn)刃纬傻臒o機絕緣膜相同的無機絕緣膜形成在該部分中時，無機絕緣膜與樹脂膜之外的部分接觸。對于樹脂膜之外的部分，無機絕緣膜具有更好的粘合性。因此，當(dāng)使沒有形成樹脂膜的部分的寬度例如比不存在無機膜的區(qū)域的寬度寬80 μ m時，即使輪式切割機的位置偏移達到120 μ m,也幾乎不產(chǎn)生無機絕緣膜的碎片，這是因為輪式切割機幾乎不接觸樹脂膜上的無機絕緣膜。應(yīng)當(dāng)注意的是，在本發(fā)明實施例的液晶顯示面板中，當(dāng)沒有形成樹脂膜的部分的寬度制作為較大時，幾乎不產(chǎn)生無機絕緣膜的碎片。然而，當(dāng)沒有形成樹脂膜的部分的寬度制作為過大時，樹脂膜的形成區(qū)域變窄。因此，沒有形成樹脂膜的部分的寬度應(yīng)根據(jù)試驗設(shè)定為適當(dāng)值。另外，優(yōu)選地，下電極、無機絕緣膜和上電極依次形成在液晶顯示面板中的所述樹脂膜上，并且液晶顯示面板以FFS模式運行。結(jié)果，本發(fā)明可以應(yīng)用于具有FFS模式的液晶顯示面板，其中液晶顯示面板具有樹脂膜且開口率大。


圖1是示出通過切割獲得根據(jù)本發(fā)明實施例的液晶顯示面板前母基板的陣列基板概要的俯視平面圖；圖2是示出根據(jù)本發(fā)明第一實施例的液晶顯示面板的一個子像素的俯視平面圖；圖3是沿著圖2的III-III線剖取的截面圖；圖4是沿著圖1的IV-IV線剖取的截面5
圖5A、5B和5C分別是示出第一實施例的液晶顯示面板中陣列基板的第一變型的截面圖、第一實施例的液晶顯示面板中陣列基板的第二變型的截面圖以及第一實施例的液晶顯示面板中陣列基板的第三變型的截面圖；圖6是示出根據(jù)本發(fā)明第二實施例的液晶顯示面板的一個子像素的俯視平面圖；圖7是沿著圖6的VII-VII線剖取的截面圖；圖8是沿著圖1的IV-IV線剖取的第二實施例的液晶顯示面板中的一部分的截面圖；圖9A和9B分別是示出第二實施例的液晶顯示面板中陣列基板的第一變型的截面圖以及第二實施例的液晶顯示面板中陣列基板的第二變型的截面圖；以及圖10是示出現(xiàn)有技術(shù)的液晶顯示面板中外來物質(zhì)分布的俯視平面圖。
具體實施例方式在下文，將參考附圖詳細描述本發(fā)明的優(yōu)選實施例。然而，下面描述的實施例不意味著本發(fā)明限于這里所描述的內(nèi)容，因此本發(fā)明同樣可應(yīng)用于在不脫離權(quán)利要求所揭示的技術(shù)構(gòu)思的情況下所進行的各種變化。應(yīng)當(dāng)注意的是，這里所述的陣列基板和濾色器基板的每一個中的“表面”是指形成有各種配線的表面或者面對液晶側(cè)的表面。另外，在本說明書所用的說明書附圖中，為了使繪制的層和構(gòu)件具有在圖上可識別的尺寸的目的，層和構(gòu)件分別以不同的比例繪制，因此沒有必要與它們的實際尺寸成比例地繪制。第一實施例現(xiàn)在，將參考圖1至4描述根據(jù)本發(fā)明第一實施例的液晶顯示面板的主要部分的結(jié)構(gòu)。第一實施例的液晶顯示面板采用低溫多晶硅(LTPS)TFT以FFS模式運行。如圖1所示，長度方向上兩個X寬度方向上兩個的四個液晶顯示面板形成區(qū)域11形成在母基板10 中。盡管實際上同時形成大量的液晶顯示面板形成區(qū)域11，但是這里以易于理解的方式示出了四個液晶顯示面板形成區(qū)域11。在母基板10的四個液晶顯示面板形成區(qū)域11的每一個中，液晶注入口 14由密封材料13形成，密封材料13被涂敷為圍繞顯示區(qū)域12。另外，陣列基板AR和濾色器基板 CF(參考圖3)彼此接合，由此在陣列基板AR和濾色器基板CF之間限定空間。專利文件3 所示的輪式切割機沿著圖1所示的劃線SC移動以形成凹槽，并且給母基板10施加應(yīng)力，由此將母基板10切割成四個液晶顯示面板IlA0如圖3和4所示，在液晶面板1IA中，液晶層LC夾設(shè)在陣列基板AR和濾色器基板 CF之間。在由母基板10切割而成的液晶面板IlA中，液晶從液晶注入口 14注入該空間，然后液晶注入口 14由密封材料密封。應(yīng)當(dāng)注意的是，盡管省略了圖示，但是使液晶層LC保持具有預(yù)定厚度的柱狀間隔物形成在濾色器基板CF或陣列基板AR上。另外，液晶面板IlA具有多個像素，該多個像素沿行方向和列方向設(shè)置在顯示區(qū)域12中。一個像素例如由用于顯示紅(R)、綠(G)和藍(B)三原色的三個子像素組成。另外，相應(yīng)的一個像素的顏色分別根據(jù)R、G和B光的混合顏色決定。如圖2所示，陣列基板AR 中的子像素16包括掃描線17、信號線18和薄膜晶體管TFT。在此情況下，掃描線17由不透明的金屬制造，例如鋁或鉬，并且沿X軸方向延伸。信號線18由不透明的金屬制造，例如鋁或鉬，并且沿Y軸方向延伸。另外，薄膜晶體管TFT設(shè)置在掃描線17和信號線18之間的交叉點附近。陣列基板AR具有第一透明基板19作為基底，該第一透明基板19由玻璃、石英或塑料等制造、為透明的且具有絕緣性。緩沖膜20層疊在第一透明基板19的表面上。由低溫多晶硅制造的半導(dǎo)體層21形成在緩沖膜20的表面上，且在平面中為U字形狀。例如，由氮化硅或氧化硅等制造的透明柵極絕緣膜22層疊來覆蓋半導(dǎo)體層21和緩沖膜20。掃描線 17形成在柵極絕緣膜22的表面上，且在平面中與半導(dǎo)體層21的U字形狀的兩個臂的每一個成直角交叉。掃描線17的與半導(dǎo)體層21重疊的兩個部分成為柵極電極G。由氮化硅或者氧化硅等制造的層間絕緣膜23形成來覆蓋掃描線17和柵極絕緣膜 22。例如，由諸如鋁或鉬的金屬制造的信號線18沿圖2的Y軸方向(列方向)形成在層間絕緣膜23的表面上。源極電極S從信號線18延伸。源極電極S通過用于源極電極S的接觸孔M電連接到半導(dǎo)體層21的U字形狀的兩個臂之一，該接觸孔M完全延伸通過層間絕緣膜23和柵極絕緣膜22。另外，例如由諸如鋁或鉬的金屬制造的漏極電極D形成在層間絕緣膜23的表面上。漏極電極D通過用于漏極電極D的接觸孔25電連接到半導(dǎo)體層21的U字形狀的兩個臂的另一個，該接觸孔25完全延伸通過層間絕緣膜23和柵極絕緣膜22。例如由氮化硅或氧化硅等制造的鈍化膜沈形成來覆蓋全部的信號線18、源極電極S和漏極電極D。用作開關(guān)元件的薄膜晶體管TFT由柵極電極G、柵極絕緣膜22、半導(dǎo)體層21、源極電極S和漏極電極D構(gòu)成。另外，薄膜晶體管TFT形成在各子像素11中。由掃描線17和信號線18區(qū)劃的多個區(qū)域分別成為子像素區(qū)域。用于顯示R、G和 B的三個子像素11組成基本上為正方形形狀的一個像素(未示出)。因此，將一個像素三等分而獲得的每個子像素11都具有矩形形狀，其中掃描線17側(cè)是短邊，信號線18側(cè)是長邊。另外，例如由諸如丙烯酸樹脂或光致抗蝕劑的透明樹脂材料制成的層間樹脂膜27 層疊來覆蓋鈍化膜26。另外，由諸如銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)的透明導(dǎo)電材料制造的下電極觀形成來覆蓋層間樹脂膜27。像素電極的接觸孔四形成為完全延伸通過層間樹脂膜27和鈍化膜沈以到達漏極電極D。下電極觀和漏極電極D通過像素電極的接觸孔四彼此電連接。因此，下電極觀用作像素電極。例如，由氮化硅或氧化硅等制造的透明無機絕緣膜30層疊來覆蓋下電極觀。透明無機絕緣膜30以低于柵極絕緣膜22和層間絕緣膜23的每一個的溫度沉積，這是因為層間樹脂膜27耐熱性弱。于是，在下面的描述中，為了使透明無機絕緣膜30區(qū)別于柵極絕緣膜 22和層間絕緣膜23中每一個，透明無機絕緣膜30將稱為“低溫?zé)o機絕緣膜”。另外，由諸如ITO或IZO的透明導(dǎo)電材料制造的上電極31形成來覆蓋低溫?zé)o機絕緣膜30。上電極31連接到顯示區(qū)域12的周邊部分中的公共配線(未示出)，因此用作公共電極。如圖2所示，多個狹縫狀開口 32形成在上電極31中。在采用光刻法將涂敷在上電極31的表面上的光致抗蝕劑材料曝光并顯影后，采用得到的光致抗蝕劑材料作為蝕刻掩模進行選擇性蝕刻，由此在上電極31中形成這些狹縫狀開口 32。盡管省略了圖示，但是例如由聚酰亞胺制造的第一取向膜層疊來覆蓋上電極31和狹縫狀開口 32的內(nèi)側(cè)。對第一取向膜進行液晶方向取向處理，即在圖2的Y軸方向上(在基本上平行于信號線18的延伸方向的方向上)的摩擦處理。每一個都沿信號線18的延伸方向延伸的多個V形狹縫狀開口 32以相等的間隔形成在上電極31中。因為子像素16在垂直方向上長，所以當(dāng)狹縫狀開口 32制作為橫向延伸時，狹縫狀開口 32的兩端部數(shù)目增加。狹縫狀開口 32的端部是液晶分子不規(guī)則取向的區(qū)域。于是，在第一實施例的液晶顯示面板IOA中，如圖2所示，狹縫狀開口 32的延伸方向設(shè)定為Y軸方向，從而減少狹縫狀開口 32的端部的數(shù)目，并且減少了開口率的降低。V形狹縫狀開口 32的延伸方向相對于摩擦方向傾斜約+5°和約-5°。當(dāng)所有的狹縫狀開口 32相對于摩擦方向在順時針方向或逆時針方向上傾斜時，出現(xiàn)顏色根據(jù)視角方向而改變的現(xiàn)象，這是因為液晶分子在一個方向上被扭曲。這其中的原因是因為表觀延遲(apparent retardation)根據(jù)液晶分子被觀察的方向而變化。為了減少由于延遲的變化而引起的這種現(xiàn)象，在第一實施例的液晶顯示面板IlA中，提供狹縫狀開口 32的延伸方向相對于順時針方向傾斜約+5°的域以及狹縫狀開口 32的延伸方向相對于順時針方向傾斜約-5°的域。濾色器基板CF具有由玻璃、石英或塑料等制造的第二透明基板33作為基底，該第二透明基板33是透明的且具有絕緣性。在第二透明基板33的最下層(這里是指在制造濾色器基板或陣列基板的工藝中首先形成在透明基板上的層)且在面對掃描線17、信號線18 和薄膜晶體管TFT的位置形成具有遮光性的遮光層34。另外，分別透射不同顏色(R、G和B 或者無色)光的濾色器層35分別形成在三個子像素16中。另外，例如由諸如光致抗蝕劑的透明樹脂材料制造的外覆層36層疊來覆蓋遮光層34和濾色器層35。形成子像素16的外覆層36的目的是平坦化分別由不同顏色的濾色器層35引起的臺階部分，并且阻擋雜質(zhì)從遮光層34或從濾色器層35泄出，從而這樣的雜質(zhì)不會進入液晶層LC。另外，盡管省略了圖示，但是例如由聚酰亞胺制造的第二取向膜形成來覆蓋外覆層36。對第二取向膜進行摩擦處理，其方向與第一取向膜的方向相反。對于上述結(jié)構(gòu)，當(dāng)子像素16中的薄膜晶體管TFT導(dǎo)通時，在下電極28和上電極31 之間產(chǎn)生電場，因此改變了液晶層LC的液晶分子的取向。結(jié)果，改變了液晶層LC的光透射性，因此液晶顯示面板IlA在其上以FFS模式顯示圖像。另外，下電極觀和上電極31隔著低溫?zé)o機絕緣膜30彼此面對的區(qū)域形成輔助電容器。這樣形成的輔助電容器在薄膜晶體管TFT截止時及截止后將下電極觀和上電極31之間產(chǎn)生的電場再保持預(yù)定的時間段。接下來，將描述不存在低溫?zé)o機絕緣膜30的區(qū)域37。如上所述，在完成層間樹脂膜27的層疊后，層疊低溫?zé)o機絕緣膜30，因為低溫?zé)o機絕緣膜30粘合性弱，所以在切割階段中產(chǎn)生低溫?zé)o機絕緣膜30的碎片且這些碎片與液晶一起從液晶注入口 14侵入顯示區(qū)域 12的可能性變得很高。為了應(yīng)對這一情形，在第一實施例的液晶顯示面板IlA中，如圖1所示，不存在低溫?zé)o機絕緣膜30的區(qū)域37提供在液晶注入口 14的部分劃線SC中。液晶注入口 14的劃線SC對應(yīng)于本發(fā)明的液晶注入口側(cè)的邊。結(jié)果，因為粘合性弱的低溫?zé)o機絕緣膜30沒有形成在液晶注入口 14的部分中，所以防止低溫?zé)o機絕緣膜30的碎片從液晶注入口 14侵入顯示區(qū)域12側(cè)。通過上述結(jié)構(gòu)，變得能夠減少微小亮點缺陷的發(fā)生。應(yīng)當(dāng)注意的是，在液晶注入口 14部分的陣列基板AR中，如圖4所示，上述子像素 16的具有絕緣性的每個膜，即緩沖膜20、柵極絕緣膜22、層間絕緣膜23、鈍化膜沈、層間樹脂膜27和低溫?zé)o機絕緣膜30，依次層疊在第一透明基板19的表面上。不存在低溫?zé)o機絕緣膜30的區(qū)域37在圖1的Y軸方向上涵蓋了液晶注入口 14的寬度W，且在圖1的X軸方向上也位于如圖4所示的距劃線SC為距離Ll處。在此情況下，距離Ll設(shè)定為等于或大于約120μπι。用于研磨切割用的凹槽的輪式切割機的位置偏移可最大至120 μ m。于是，不存在低溫?zé)o機絕緣膜30的區(qū)域(去除區(qū)域)37提供為位于距劃線SC 120 μ m或更大的距離處，從而，即使在輪式切割機偏移最大至 120 μ m時，也可防止低溫?zé)o機絕緣膜30的碎片產(chǎn)生。另外，因為低溫?zé)o機絕緣膜30可防止雜質(zhì)從低溫?zé)o機絕緣膜30下面的層間樹脂膜27泄出，所以超過必要的范圍去除低溫?zé)o機絕緣膜30不是優(yōu)選的。因此，在液晶顯示面板IlA具有液晶注入口 14的特定邊的兩端的劃線SC中以及其它三個邊的劃線SC中沒有去除低溫?zé)o機絕緣膜30。應(yīng)當(dāng)注意的是，在液晶注入口 14部分的濾色器基板CF中，如圖4所示，因為遮光層34和外覆層36依次形成在第二透明基板33的表面上，而沒有層疊低溫?zé)o機絕緣膜30， 所以在濾色器基板CF中沒有低溫?zé)o機絕緣膜30的去除區(qū)域。第一實施例的變型圖5A是示出第一實施例的第一變型的截面圖。在第一實施例的第一變型中，鈍化膜沈從第一實施例的液晶顯示面板IlA的陣列基板AR去除。因為，在上述第一實施例的液晶顯示面板IlA中，層間樹脂膜27和低溫?zé)o機絕緣膜30都形成在薄膜晶體管TFT的上面，所以，即使在去除鈍化膜26時，也沒有對薄膜晶體管TFT產(chǎn)生壞的影響。在第一實施例的液晶顯示面板IlA中，鈍化膜沈可以以上述方式去除，因此本發(fā)明也可以應(yīng)用于以這樣更少的工藝制造的液晶顯示面板的情況。圖5B是示出第一實施例的第二變型的截面圖。在第一實施例的第二變型中，層間樹脂膜27在距劃線SC的距離L2范圍內(nèi)從第一實施例中的陣列基板AR去除。因為低溫?zé)o機絕緣膜30對于層間樹脂膜27粘合性弱，在劃線SC中不形成層間樹脂膜27，從而可以防止低溫?zé)o機絕緣膜30在切割階段中因為給層間樹脂膜27施加應(yīng)力而被剝離。另外，盡管低溫?zé)o機絕緣膜30對層間樹脂膜27的粘合性弱，但是低溫?zé)o機絕緣膜30對鈍化膜沈的粘合性強，這是因為低溫?zé)o機絕緣膜30由與鈍化膜沈的材料具有相同成分的材料制造。因此，低溫?zé)o機絕緣膜30的端部粘合到鈍化膜沈，從而低溫?zé)o機絕緣膜30的端部可幾乎不剝
1 O這里，優(yōu)選L2 >L1，且(L2-L1)等于或大于約80 μ m。當(dāng)(L2-L1)較大時，甚至在任何切割階段中的任何時間輪式切割機偏移時，輪式切割機和層間樹脂膜27上的低溫?zé)o機絕緣膜30也幾乎不彼此接觸，并且低溫?zé)o機絕緣膜30的粘合到層間樹脂膜27的端部也幾乎不剝離。然而，當(dāng)距離L2太大時，層間樹脂膜27的形成區(qū)域變窄。應(yīng)當(dāng)注意的是，圖 5C是示出第一實施例的第三變型的截面圖，在第一實施例的第三變型中，第一實施例的第二變型應(yīng)用于第一實施例的第一變型。第二實施例盡管第一實施例的液晶顯示面板IlA中的薄膜晶體管TFT是低溫多晶硅(LTPS) 型，但是在第二實施例的液晶面板IlB中，薄膜晶體管TFT是非晶硅(a-Si)型。在下文，將參考圖6至8詳細描述第二實施例的液晶顯示面板IlB的陣列基板AR。應(yīng)當(dāng)注意的是，在圖6至圖8中，與圖2至圖4所示第一實施例的液晶顯示面板IlA的陣列基板AR具有相同結(jié)構(gòu)的構(gòu)成元件分別分配相同的附圖標(biāo)記用于描述。
在第二實施例的液晶面板IlB中，掃描線17形成在陣列基板AR的第一透明基板 19的表面上。柵極電極G從掃描線17延伸。由氮化硅或氧化硅等制造的透明柵極絕緣膜 22層疊來覆蓋掃描線17和柵極電極G。另外，由a-Si制造的半導(dǎo)體層21形成在柵極絕緣膜22的表面上且在平面圖中與柵極電極G重疊。另外，每個都由諸如鋁或鉬的金屬制造的多個信號線18形成在柵極絕緣膜20的表面上。源極電極S從這些信號線18的每一個延伸。源極電極S部分地接觸半導(dǎo)體層21的表面。另外，漏極電極D形成在柵極絕緣膜22的表面上，該漏極電極D由與信號線18和源極電極S中每一個相同的材料制造，且與信號線18和源極電極S中每一個同時形成，并且漏極電極D設(shè)置為靠近源極電極S，以部分地接觸半導(dǎo)體膜21的表面。用作開關(guān)元件的薄膜晶體管TFT由柵極電極G、柵極絕緣膜22、半導(dǎo)體層21、源極電極S和漏極電極D組成。 薄膜晶體管TFT形成在各子像素16中。另外，例如由氮化硅或氧化硅等制造的透明鈍化膜沈?qū)盈B來覆蓋信號線18、薄膜晶體管TFT和柵極絕緣膜22的暴露部分。另外，例如由諸如光致抗蝕劑的透明樹脂材料制造的層間樹脂膜27層疊來覆蓋鈍化膜沈。另外，由諸如銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物 (IZO)的透明導(dǎo)電材料制造的下電極觀形成來覆蓋層間樹脂膜27。用于像素電極的接觸孔四形成為完全延伸通過層間樹脂膜27和鈍化膜沈以到達漏極電極D。下電極觀和漏極電極D通過用于像素電極的接觸孔四彼此電連接。因此，下電極觀用作像素電極。例如由氮化硅或氧化硅等制造的透明低溫?zé)o機絕緣膜30層疊來覆蓋下電極28。 另外，由諸如ITO或IZO的透明導(dǎo)電材料制造的上電極31形成來覆蓋低溫?zé)o機絕緣膜30。 上電極31連接到顯示區(qū)域12的周邊部分中的公共配線(未示出)，因此用作公共電極。如圖2所示，多個狹縫狀開口 32形成在上電極31中。盡管省略了圖示，但是由聚酰亞胺制造的第一取向膜層疊來覆蓋上電極31。對第一取向膜進行沿圖2的Y軸方向(沿基本上平行于信號線18的延伸方向的方向)的液晶方向取向處理，即摩擦處理。接下來，將描述沒有低溫?zé)o機絕緣膜30的區(qū)域37。與第一實施例的液晶顯示面板IlA的情況類似，第二實施例的液晶顯示面板IlB也具有沒有低溫?zé)o機絕緣膜30的區(qū)域 37，這是因為與第一實施例的液晶顯示面板IlA的情況類似，存在完成層間樹脂膜27的層疊后層疊的低溫?zé)o機絕緣膜30。在液晶注入口 14部分的陣列基板AR中，如圖8所示，上述子像素16的具有絕緣性的每個膜，即柵極絕緣膜22、鈍化膜沈、層間樹脂膜27和低溫?zé)o機絕緣膜30，依次層疊在第一透明基板19的表面上。另外，與第一實施例的第二變型的情況一樣，低溫?zé)o機絕緣膜30在距劃線SC的距離Ll范圍內(nèi)被去除，并且層間樹脂膜27在距劃線SC的距離L2范圍內(nèi)被去除。結(jié)果，在第二實施例的液晶顯示面板IlB中，與第一實施例的液晶顯示面板IlA的情況類似，可以減少微小亮點缺陷的發(fā)生。第二實施例的變型圖9A是示出第二實施例的第一變型的截面圖。在第二實施例的第一變型中，鈍化膜沈從第二實施例的液晶顯示面板IlB的如圖8所示的陣列基板AR中被去除。因為在上述的第二實施例的液晶顯示面板IlB中，層間樹脂膜27和低溫?zé)o機絕緣膜30形成在薄膜晶體管TFT的上面，所以即使在去除鈍化膜沈時，也沒有對薄膜晶體管TFT施加壞的影響。 因此，在第二實施例的液晶顯示面板IlB中，鈍化膜沈可以以上述方式去除，因此本發(fā)明也可以應(yīng)用于以如此更少的工藝制造的液晶顯示面板的情況。
圖9B是示出第二實施例的第二變型的截面圖。在第二實施例的第二變型中，層間樹脂膜27從第二實施例的如圖8所示的陣列基板AR被去除。即使在層疊于子像素16上的層間樹脂膜27以這樣的方式?jīng)]有層疊在液晶注入口上時，也可以減少微小亮點缺陷的產(chǎn)生，這是因為低溫?zé)o機絕緣膜30對柵極絕緣膜22的粘合性高于低溫?zé)o機絕緣膜30對層間樹脂膜27的粘合性。應(yīng)當(dāng)注意的是，在上述實施例的液晶顯示面板的每一個中，相對于上電極用作公共電極且下電極用作像素電極的情況進行了描述。然而，本發(fā)明也可以應(yīng)用于上電極用作像素電極且下電極用作公共電極的情況。另外，盡管在上述實施例的每一個中，層間樹脂膜平坦化薄膜晶體管等的不規(guī)則之處，并且低溫?zé)o機絕緣膜是設(shè)置在下電極和上電極之間的絕緣膜，但是對于這些應(yīng)用，本發(fā)明并不意味著限于層間樹脂膜和低溫?zé)o機絕緣膜，因此本發(fā)明可以應(yīng)用于具有在完成樹脂膜的形成后以低溫形成的低溫樹脂膜的液晶顯示面板。本申請包含2010年2月22日提交日本專利局的日本優(yōu)先權(quán)專利申請 JP2010-035758中公開的相關(guān)主題，其全部內(nèi)容通過引用結(jié)合于此。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解的是，在權(quán)利要求或其等同方案的范圍內(nèi)，根據(jù)設(shè)計需要和其他因素，可以進行各種修改、結(jié)合、部分結(jié)合和替換。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示面板，在所述液晶顯示面板中彼此面對設(shè)置的成對的基板的周邊通過密封材料以給定的距離彼此貼合，液晶注入口形成在所述密封材料的一部分中，并且液晶密封在彼此成對的所述基板之間限定的內(nèi)部空間中，所述液晶顯示面板包括形成在成對的所述基板之一的內(nèi)部空間側(cè)的樹脂膜以及形成在所述樹脂膜的表面?zhèn)鹊臒o機絕緣膜；其中在所述液晶面板中形成不存在所述無機絕緣膜的區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其中不存在所述無機絕緣膜的所述區(qū)域是對應(yīng)于所述液晶注入口的端部。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其中不存在所述無機絕緣膜的所述區(qū)域形成在涵蓋從所述液晶注入口的所述端部起預(yù)定的給定寬度的寬度上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其中所述樹脂膜沒有形成在所述液晶顯示面板的液晶注入口側(cè)的邊中。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的液晶顯示面板，其中從所述液晶注入口側(cè)的所述邊起，沒有形成所述樹脂膜的部分的寬度寬于所述不存在所述無機絕緣膜的區(qū)域的寬度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示面板，其中下電極、所述無機絕緣膜和上電極依次形成在所述樹脂膜上。
全文摘要
本發(fā)明公開一種液晶顯示面板，其中設(shè)置為彼此面對的成對的基板的周邊通過密封材料以給定的距離彼此貼合，液晶注入口形成在密封材料的一部分中，并且液晶密封在彼此成對的基板之間限定的內(nèi)部空間中，液晶顯示面板包括形成在成對的基板之一的內(nèi)部空間側(cè)的樹脂膜以及形成在樹脂膜的表面?zhèn)鹊臒o機絕緣膜。液晶面板中形成有不存在無機絕緣膜的區(qū)域。
文檔編號G02F1/1341GK102162945SQ20111003844
公開日2011年8月24日 申請日期2011年2月15日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月22日
發(fā)明者加藤隆幸, 赤井喜洋, 龜谷雅之 申請人:索尼公司