專利名稱：半導(dǎo)體元件基板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體元件基板，更詳細地說，涉及具備可靠性高，各種電特性優(yōu)異(例如，低介電常數(shù)特性、低漏電流特性、高絕緣破壞電壓特性)，而且透明性高，采用顯影的圖案形成性優(yōu)異的樹脂膜的半導(dǎo)體元件基板。
背景技術(shù)：
在有機EL元件或液晶顯示元件等各種顯示元件、集成電路元件、固態(tài)成像元件、彩色濾光片、黑矩陣等電子部件中，設(shè)置有作為用于防止其劣化或損傷的保護膜、用于對元件表面或配線進行平坦化的平坦化膜、用于保持電絕緣性的電絕緣膜等各種樹脂膜。另外，在有機EL元件中，為了分離發(fā)光體部而設(shè)有作為像素分離膜的樹脂膜，另外，在薄膜晶體管型液晶用顯示元件或集成電路元件等元件中，為了使配置成層狀的配線之間絕緣而設(shè)有作為層間絕緣膜的樹脂膜。目前，作為用于形成這些樹脂膜的樹脂材料，通常使用環(huán)氧樹脂等熱固性樹脂材料。近年來，伴隨配線或器件的高密度化，對于這些樹脂材料也要求可以進行微細的圖案化，故需開發(fā)低介電常數(shù)等電特性優(yōu)異的新的放射線敏感性樹脂材料。為了對應(yīng)這些要求，己探討了以堿溶性環(huán)狀聚烯烴類樹脂組合物為主成分的放射線敏感性樹脂組合物。例如，在專利文獻I中公開了含有堿溶性脂環(huán)式烯烴樹脂、產(chǎn)酸劑、交聯(lián)劑的放射線敏感性樹脂組合物，所述堿溶性脂環(huán)式烯烴樹脂是通過使含酯基的降冰片烯類單體進行開環(huán)聚合并氫化，然后，對酯基部分進行水解而得到的鍵合有羧基的堿溶性脂環(huán)式烯烴樹脂。但是，使用該專利文獻I中所述的樹脂組合物而得到的保護膜，雖然電特性良好，但是在進行顯影時，圖案形成性低，因此，存在無法實現(xiàn)微細圖案化的問題及加工精度差的問題。現(xiàn)有技術(shù)文獻專利文獻專利文獻I :日本特開平10-307388號公報

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的技術(shù)問題本發(fā)明的目的在于提供一種半導(dǎo)體元件基板，其具備可靠性高，各種電特性良好，并且透明性高，顯影產(chǎn)生的圖案的形成性優(yōu)異的樹脂膜。解決技術(shù)問題的技術(shù)方案本發(fā)明人為了達到所述目的進行深入研究的結(jié)果發(fā)現(xiàn)，作為用于形成與半導(dǎo)體元件基板上安裝的半導(dǎo)體元件表面，或半導(dǎo)體元件中包含的半導(dǎo)體層接觸的樹脂膜的組合物，通過使用含有聚合物、交聯(lián)劑、放射線敏感化合物的放射線敏感性樹脂組合物，可以使半導(dǎo)體元件基板的可靠性以及各種電特性變得優(yōu)異，并且，可以使得到的樹脂膜的透明性變高，顯影而產(chǎn)生的圖案的形成性變得優(yōu)異，所述聚合物具有具備下述結(jié)構(gòu)的單體單元，所述結(jié)構(gòu)是在氮原子上具有特定結(jié)構(gòu)取代基的環(huán)狀酰亞胺骨架和環(huán)狀烯烴共有一個碳-碳鍵的結(jié)構(gòu)，從而完成了本發(fā)明。S卩，根據(jù)本發(fā)明，提供一種半導(dǎo)體元件基板，該基板具有由放射線敏感性樹脂組合物制成的樹脂膜，該放射線敏感性樹脂組合物包含含有下述通式(I)表示的單體單元(al)的聚合物(A)、交聯(lián)劑(B)以及放射線敏感化合物(C)，其中，形成的所述樹脂膜與安裝在所述半導(dǎo)體元件基板上的半導(dǎo)體元件表面或上述半導(dǎo)體元件中包含的半導(dǎo)體層接觸。[化學(xué)式I]
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體元件基板，其具有由放射線敏感性樹脂組合物制成的樹脂膜，所述放射線敏感性樹脂組合物包含 含有下述通式(I)表示的單體單元(al)的聚合物(A)、 交聯(lián)劑(B)、以及 放射線敏感化合物(C)，其中， 所述樹脂膜與安裝在所述半導(dǎo)體元件基板上的半導(dǎo)體元件表面或所述半導(dǎo)體元件中包含的半導(dǎo)體層相接觸而形成， [化學(xué)式5]且
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體元件基板，其中，所述通式(I)表示的單體單元(al)在所述聚合物(A)中的含量比例為1(Γ90摩爾％。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的半導(dǎo)體元件基板，其中，所述聚合物(A)進ー步包含能與所述通式(I)表示的単體共聚的單體単元(a2)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體元件基板，其中，所述可共聚的單體単元(a2)為具有質(zhì)子性極性基團的環(huán)狀烯烴單體単元。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體元件基板，其中，所述具有質(zhì)子性極性基團的環(huán)狀烯烴單體單元為含有羧基的環(huán)狀烯烴單體単元。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的半導(dǎo)體元件基板，其中，所述聚合物(A)為由所述通式(I)表示的単體和所述具有質(zhì)子性極性基團的環(huán)狀烯烴單體經(jīng)開環(huán)共聚而得到的聚合物。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體元件基板，其中，所述聚合物(A)為由所述通式(I)表示的単體和所述具有質(zhì)子性極性基團的環(huán)狀烯烴單體進行經(jīng)開環(huán)共聚而得到的聚合物的加氫物。
8.根據(jù)權(quán)利要求Γ7中任一項所述的半導(dǎo)體元件基板，其中，所述交聯(lián)劑(B)為組合使用含氨基的化合物和含環(huán)氧基的化合物而得到的交聯(lián)劑。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體元件基板，其中，所述含有環(huán)氧基的化合物為具有脂環(huán)結(jié)構(gòu)的含環(huán)氧基的化合物。
10.根據(jù)權(quán)利要求Γ9中任一項所述的半導(dǎo)體元件基板，所述半導(dǎo)體元件基板為有源矩陣基板或有機EL元件基板。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體元件基板，該半導(dǎo)體元件基板具有樹脂膜，該樹脂膜由含聚合物、交聯(lián)劑、放射線敏感化合物的放射線敏感性樹脂組合物形成，所述聚合物包含具有下述結(jié)構(gòu)的單體單元，所述結(jié)構(gòu)是在氮原子上具有特定結(jié)構(gòu)取代基的環(huán)狀酰亞胺骨架與環(huán)狀烯烴共有1個碳-碳鍵，其中，所述樹脂膜是與安裝在所述半導(dǎo)體元件基板上的半導(dǎo)體元件表面或所述半導(dǎo)體元件中包含的半導(dǎo)體層接觸而形成的。
文檔編號G03F7/023GK102668046SQ20108004342
公開日2012年9月12日 申請日期2010年9月24日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月29日
發(fā)明者磯貝幸枝 申請人:日本瑞翁株式會社