專利名稱：一種可減少缺陷的顯影方法
技術領域：
本發(fā)明涉及半導體制造領域，尤其涉及一種可減少缺陷的顯影方法。
背景技術：
光刻工藝是指將掩膜圖形轉移到襯底表面光刻膠上的技術，是半導體工藝中使用 最頻繁和最關鍵的工藝之一。光刻工藝主要包括涂膠、前烘、曝光和顯影等工藝步驟，為提 高制造效率，曝光和顯影工藝均采用了掃描的方式進行。在進行顯影時，需提供如圖l和圖 2所示的顯影模塊，如圖所示，該顯影模塊包括承片臺10和顯影噴頭ll，該顯影噴頭11懸 置在承片臺10上。在如圖1和圖2所示的顯影模塊上進行顯影時，表面涂敷有光刻膠且已 完成曝光工藝的晶圓2設置在承片臺10上，驅動顯影噴頭11沿圖1和圖2所示的箭頭方 向掃描噴涂顯影液，其掃描噴涂的速度為55至85mm/s ;之后靜置預設時段使顯影液與光刻 膠反應，現(xiàn)有技術該預設時段范圍為45至55s。 通過上述現(xiàn)有顯影工藝顯影的晶圓2表面易出現(xiàn)缺陷，掃描噴涂速度分別為55和85mm/ s時顯影后的晶圓2表面的缺陷特別多，其缺陷分別如圖3和圖4所示，該掃描噴涂速度范圍已不 能滿足半導體加工對良品率的要求；當延長預設時段至72s時，顯影后的晶圓2表面的缺陷有效 降低，但延長靜置的時間會降低產(chǎn)量，會使已成為半導體制造工藝瓶頸的顯影工藝進一步影響產(chǎn) 量。通過延長靜置時間來改善掃描工藝對晶圓2表面缺陷的影響已不具有可行性。
經(jīng)綜合分析，低至55mm/s的掃描速度可能造成顯影液過多而濺污顯影噴頭進而 造成缺陷較多，高至85mm/s的掃描速度可能造成顯影液過少而導致顯影不足進而造成缺 陷較多。 因此，如何提供一種可減少缺陷的顯影方法以有效減少顯影工藝所造成的缺陷， 并有效優(yōu)化顯影工藝和確保顯影效率，已成為業(yè)界亟待解決的技術問題。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于提供一種可減少缺陷的顯影方法，通過所述顯影方法可減小因 顯影所產(chǎn)生的缺陷，并有效優(yōu)化顯影工藝和確保顯影效率。 本發(fā)明的目的是這樣實現(xiàn)的一種可減少缺陷的顯影方法，包括以下步驟a、提 供顯影模塊和表面涂敷有光刻膠且已完成曝光工藝的晶圓，該顯影模塊具有承片臺和顯影 噴頭；b、將該晶圓設置在該承片臺上且驅動顯影噴頭掃描噴涂顯影液；C、靜置預設時段使 顯影液與光刻膠反應；在步驟b中，顯影噴頭掃描噴涂顯影液的速度范圍為65至75mm/s。
在上述的可減少缺陷的顯影方法中，在步驟b中，顯影噴頭掃描噴涂顯影液的速 度為65mm/s。 在上述的可減少缺陷的顯影方法中，在步驟b中，顯影噴頭掃描噴涂顯影液的速 度為70mm/s。 在上述的可減少缺陷的顯影方法中，在步驟b中，顯影噴頭掃描噴涂顯影液的速 度為75mm/s。
在上述的可減少缺陷的顯影方法中，在步驟c中，該預設時段范圍為44至55s。 在上述的可減少缺陷的顯影方法中，在步驟c中，該預設時段為50s。 與現(xiàn)有技術中較寬范圍的顯影掃描速度易導致晶圓表面顯影所造成的缺陷較多
相比，本發(fā)明的可減少缺陷的顯影方法在不降低顯影效率的前提下優(yōu)化了顯影噴頭掃描噴
涂顯影液的速度范圍，使其從原來的55至85mm/s優(yōu)化至65至75mm/s，如此可避免掃描速
度較低所造成的顯影液過多而濺污顯影噴頭并導致缺陷較多的現(xiàn)象，也可避免掃描速度較
高所造成的顯影液過少而造成顯影不足和缺陷較多的現(xiàn)象，本發(fā)明在不降低顯影效率的情
況下有效提高顯影質量。


本發(fā)明的可減少缺陷的顯影方法由以下的實施例及附圖給出。
圖1為進行顯影時的顯影模塊的立體示意圖；
圖2為進行顯影時的顯影模塊的正視示意圖； 圖3和圖4分別為圖1和圖2中的顯影噴頭的掃描噴涂速度分別為55和85mm/S 時的顯影后晶圓的缺陷示意圖； 圖5為發(fā)明的可減少缺陷的顯影方法的流程圖； 圖6至圖8分別為圖1和圖2中的顯影噴頭的掃描噴涂速度分別為65、70和75mm/ s時的顯影后晶圓的缺陷示意圖。
具體實施例方式
以下將對本發(fā)明的可減少缺陷的顯影方法作進一步的詳細描述。 參見圖5，其顯示了本發(fā)明的可減少缺陷的顯影方法的流程圖，如圖所示，本發(fā)明
的可減少缺陷的顯影方法首先進行步驟S50，提供顯影模塊和表面涂敷有光刻膠且已完成
曝光工藝的晶圓，所述顯影模塊具有承片臺和顯影噴頭。所述顯影模塊如圖l和圖2所示，
所述顯影模塊包括承片臺10和顯影噴頭ll，所述顯影噴頭11懸置在承片臺10上。 接著繼續(xù)步驟S51，將所述晶圓設置在所述承片臺上且驅動顯影噴頭掃描噴涂顯
影液，掃描噴涂顯影液的速度范圍為65至75mm/s。 在本發(fā)明的第一、第二和第三實施例中，顯影噴頭掃描噴涂顯影液的速度范圍分
別為65、70和75mm/s。參見圖6至圖8，其分別顯示了顯影噴頭的掃描噴涂速度分別為65、
70和75mm/s時顯影后晶圓的缺陷示意圖，與圖3和圖4所示的顯影噴頭的掃描噴涂速度分
別為55和85mm/s時顯影后晶圓的缺陷相比，描噴涂速度為65、70和75mm/s時的晶圓缺陷
明顯減少，如此顯影掃描速度范圍得到明顯優(yōu)化，晶圓表面的缺陷有效減少。 接著繼續(xù)步驟S52，靜置預設時段使顯影液與光刻膠反應，所述預設時段范圍為
44至55s。在本發(fā)明的第一、第二和第三實施例中，所述預設時段均為50s。 綜上所述，本發(fā)明的可減少缺陷的顯影方法在不降低顯影效率的前提下優(yōu)化了顯
影噴頭掃描噴涂顯影液的速度范圍，使其從原來的55至85mm/s優(yōu)化至65至75mm/s，如此
可避免掃描速度較低所造成的顯影液過多而濺污顯影噴頭并導致缺陷較多的現(xiàn)象，也可避
免掃描速度較高所造成的顯影液過少而造成顯影不足和缺陷較多的現(xiàn)象，本發(fā)明在不降低
顯影效率的情況下有效提高顯影質量。
權利要求
一種可減少缺陷的顯影方法，包括以下步驟a、提供顯影模塊和表面涂敷有光刻膠且已完成曝光工藝的晶圓，該顯影模塊具有承片臺和顯影噴頭；b、將該晶圓設置在該承片臺上且驅動顯影噴頭掃描噴涂顯影液；c、靜置預設時段使顯影液與光刻膠反應；其特征在于，在步驟b中，顯影噴頭掃描噴涂顯影液的速度范圍為65至75mm/s。
2. 如權利要求1所述的可減少缺陷的顯影方法，其特征在于，在步驟b中，顯影噴頭掃 描噴涂顯影液的速度為65mm/s。
3. 如權利要求1所述的可減少缺陷的顯影方法，其特征在于，在步驟b中，顯影噴頭掃 描噴涂顯影液的速度為70mm/s。
4. 如權利要求1所述的可減少缺陷的顯影方法，其特征在于，在步驟b中，顯影噴頭掃 描噴涂顯影液的速度為75mm/s。
5. 如權利要求1所述的可減少缺陷的顯影方法，其特征在于，在步驟c中，該預設時段 范圍為44至55s。
6. 如權利要求5所述的可減少缺陷的顯影方法，其特征在于，在步驟c中，該預設時段 為50s。
全文摘要
本發(fā)明提供一種可減少缺陷的顯影方法?，F(xiàn)有技術中55至85mm/s的顯影掃描速度范圍導致在低至55mm/s和高至85mm/s的顯影掃描速度時晶圓表面缺陷較多。本發(fā)明的可減少缺陷的顯影方法先提供顯影模塊和表面涂敷有光刻膠且已完成曝光工藝的晶圓，該顯影模塊具有承片臺和顯影噴頭；然后將該晶圓設置在該承片臺上且驅動顯影噴頭掃描噴涂顯影液，掃描噴涂顯影液的速度范圍為65至75mm/s；接著靜置預設時段使顯影液與光刻膠反應。本發(fā)明可避免掃描速度較低所造成的顯影液過多而濺污顯影噴頭并導致缺陷較多的現(xiàn)象，也可避免掃描速度較高所造成的顯影液過少而造成顯影不足和缺陷較多的現(xiàn)象，本發(fā)明可有效提高顯影質量。
文檔編號G03F7/30GK101770185SQ201019063040
公開日2010年7月7日 申請日期2010年2月5日 優(yōu)先權日2010年2月5日
發(fā)明者李鋼 申請人:上海宏力半導體制造有限公司