專利名稱：一種用于曝光機(jī)對準(zhǔn)的光罩及光罩對準(zhǔn)標(biāo)記制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件生產(chǎn)技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種用于曝光機(jī)對準(zhǔn)的光罩及光罩對準(zhǔn)標(biāo)記制作方法。
背景技術(shù)：
曝光機(jī)臺在進(jìn)行曝光之前，需要根據(jù)用于對其進(jìn)行對準(zhǔn)的光罩上包含的對準(zhǔn)標(biāo)記進(jìn)行對準(zhǔn)，對準(zhǔn)后才可以進(jìn)行曝光。而現(xiàn)有的光罩上只包含一組對準(zhǔn)標(biāo)記，用于對一種型號的曝光機(jī)臺進(jìn)行對準(zhǔn)。由于光罩上包含的對準(zhǔn)標(biāo)記較少，因此限制了光罩的使用范圍。當(dāng)采用不同型號的曝光機(jī)臺進(jìn)行曝光時，需要在光罩在使用前更換光罩，在根據(jù)更換后的光罩進(jìn)行對準(zhǔn)。由于在更換光罩后，需要對光罩進(jìn)行對準(zhǔn)，并且當(dāng)曝光過程中需要的曝光機(jī)臺比較多時，在每個光罩對準(zhǔn)的過程中很可能存在不準(zhǔn)確的問題，即光罩之間不可能完全對準(zhǔn)。 因此當(dāng)曝光機(jī)臺根據(jù)光罩上包含的對準(zhǔn)標(biāo)記進(jìn)行對準(zhǔn)后，也是不準(zhǔn)確的，當(dāng)采用該未準(zhǔn)確對準(zhǔn)的曝光機(jī)臺進(jìn)行曝光時，也會影響曝光產(chǎn)品的精度。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明實(shí)施例提供一種用于曝光機(jī)對準(zhǔn)的光罩及光罩對準(zhǔn)標(biāo)記制作方法，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中由于光罩更換過程中由于光罩對準(zhǔn)不準(zhǔn)確，影響曝光產(chǎn)品的精度的問題。本發(fā)明實(shí)施例提供的一種用于曝光機(jī)對準(zhǔn)的光罩，包括第一組對準(zhǔn)標(biāo)記，第二組對準(zhǔn)標(biāo)記和第三組對準(zhǔn)標(biāo)記中的至少兩組，其中，所述第一組對準(zhǔn)標(biāo)記包括Rxl、Ryl和R θ 1，其中RxI位于經(jīng)過所述光罩中心點(diǎn)的縱軸的負(fù)半軸，并且距離所述中心點(diǎn)M毫米，Ryl位于經(jīng)過所述光罩中心點(diǎn)的橫軸的負(fù)半軸，距離所述中心點(diǎn)53毫米，Re 1位于經(jīng)過所述光罩中心點(diǎn)的橫軸的正半軸，距離所述中心點(diǎn)53毫米，所述第二組對準(zhǔn)標(biāo)記包括Rx2、Ry2和R θ 2，其中Rx2位于經(jīng)過所述光罩中心點(diǎn)的縱軸的負(fù)半軸，并且距離所述中心點(diǎn)52毫米，Ry2位于經(jīng)過所述光罩中心點(diǎn)的橫軸的負(fù)半軸，距離所述中心點(diǎn)43毫米，Re 2位于經(jīng)過所述光罩中心點(diǎn)的橫軸的正半軸，距離所述中心點(diǎn)43毫米，所述第三組對準(zhǔn)標(biāo)記；Rx3、Ry2、X和Y，其中Rx3位于經(jīng)過所述光罩中心點(diǎn)的縱軸的正半軸，并且距離所述中心點(diǎn)52毫米，X位于經(jīng)過所述光罩中心點(diǎn)的縱軸的負(fù)半軸，距離所述中心點(diǎn)50毫米，Y位于經(jīng)過所述光罩中心點(diǎn)的橫軸的正半軸，距離所述中心點(diǎn)40. 5毫米。本發(fā)明實(shí)施例提供的一種光罩對準(zhǔn)標(biāo)記制作方法，包括確定光罩的中心點(diǎn)，及經(jīng)過該中心點(diǎn)的橫軸和縱軸；在經(jīng)過中心點(diǎn)的橫軸和縱軸上確定至少兩組對準(zhǔn)標(biāo)記的位置，根據(jù)確定的每組對準(zhǔn)標(biāo)記的位置進(jìn)行顯影、刻蝕每組對準(zhǔn)標(biāo)記，其中，第一組對準(zhǔn)標(biāo)記包括Rxl、Ryl和R θ 1，其中RxI位于經(jīng)過所述光罩中心點(diǎn)的縱軸的負(fù)半軸，并且距離所述中心點(diǎn)M毫米，Ryl位于經(jīng)過所述光罩中心點(diǎn)的橫軸的負(fù)半軸，距離所述中心點(diǎn)53毫米，R θ 1位于經(jīng)過所述光罩中心點(diǎn)的橫軸的正半軸，距離所述中心點(diǎn)53毫米，第二組對準(zhǔn)標(biāo)記包括Rx2、Ry2和R θ 2，其中Rx2位于經(jīng)過所述光罩中心點(diǎn)的縱軸的負(fù)半軸，并且距離所述中心點(diǎn)52毫米，Ry2位于經(jīng)過所述光罩中心點(diǎn)的橫軸的負(fù)半軸，距離所述中心點(diǎn)43毫米，R θ 2位于經(jīng)過所述光罩中心點(diǎn)的橫軸的正半軸，距離所述中心點(diǎn)43 毫米，第三組對準(zhǔn)標(biāo)記包括Rx3、Ry2, X和Y，其中Rx3位于經(jīng)過所述光罩中心點(diǎn)的縱軸的正半軸，并且距離所述中心點(diǎn)52毫米，X位于經(jīng)過所述光罩中心點(diǎn)的縱軸的負(fù)半軸，距離所述中心點(diǎn)50毫米，Y位于經(jīng)過所述光罩中心點(diǎn)的橫軸的正半軸，距離所述中心點(diǎn)40. 5毫米。本發(fā)明實(shí)施例提供了一種用于曝光機(jī)對準(zhǔn)的光罩及光罩對準(zhǔn)標(biāo)記制作方法，該光罩包括第一組對準(zhǔn)標(biāo)記，第二組對準(zhǔn)標(biāo)記和第三組對準(zhǔn)標(biāo)記中的至少兩組，每組對準(zhǔn)標(biāo)記位于經(jīng)過光罩中心點(diǎn)的橫軸和縱軸上。由于在本發(fā)明實(shí)施例中該用于曝光機(jī)臺校準(zhǔn)的光罩包括至少兩組對準(zhǔn)標(biāo)記，因此擴(kuò)大了采用該光罩進(jìn)行對準(zhǔn)的曝光機(jī)臺的范圍，減小了在每次曝光過程中更換光罩的可能性，從而降低了曝光過程中產(chǎn)生的誤差，提高了曝光產(chǎn)品的精度。


圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種用于曝光機(jī)對準(zhǔn)的光罩包含的每組校準(zhǔn)標(biāo)記的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2A、圖2B、圖2C為本發(fā)明實(shí)施例提供的對準(zhǔn)標(biāo)記Ryl、Ry2及R θ 1與其對應(yīng)對準(zhǔn)區(qū)域的關(guān)系；圖3為本發(fā)明實(shí)施例提供的對準(zhǔn)標(biāo)記R θ 2與其對應(yīng)對準(zhǔn)區(qū)域的關(guān)系；圖4為本發(fā)明實(shí)施例提供的對準(zhǔn)標(biāo)記Rxl和Rx2與其對應(yīng)對準(zhǔn)區(qū)域的關(guān)系；圖5為本發(fā)明實(shí)施例提供的為對準(zhǔn)標(biāo)記X的結(jié)構(gòu)示意圖關(guān)系；圖6為本發(fā)明實(shí)施例提供的為對準(zhǔn)標(biāo)記Y的結(jié)構(gòu)示意圖關(guān)系；圖7為本發(fā)明實(shí)施例提供的對準(zhǔn)標(biāo)記Rx3與其對應(yīng)的對準(zhǔn)區(qū)域的關(guān)系；圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種光罩對準(zhǔn)標(biāo)記制作過程。
具體實(shí)施例方式本發(fā)明實(shí)施例為了擴(kuò)大光罩的使用范圍，減小在曝光過程中更換光罩的次數(shù)，提高曝光產(chǎn)品的精確性，提供了一種用于曝光機(jī)對準(zhǔn)的光罩，該光罩包括第一組對準(zhǔn)標(biāo)記，第二組對準(zhǔn)標(biāo)記和第三組對準(zhǔn)標(biāo)記中的至少兩組，因此該光罩可以用于對至少兩種曝光機(jī)臺進(jìn)行校準(zhǔn)。下面結(jié)合說明書附圖，對本發(fā)明實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說明。圖1為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種用于曝光機(jī)對準(zhǔn)的光罩包含的每組校準(zhǔn)標(biāo)記的結(jié)構(gòu)示意圖，該光罩包括第一組對準(zhǔn)標(biāo)記，第二組對準(zhǔn)標(biāo)記和第三組對準(zhǔn)標(biāo)記中的至少兩組，其中，所述第一組對準(zhǔn)標(biāo)記包括Rxl、Ryl和R θ 1，其中RxI位于經(jīng)過所述光罩中心點(diǎn)的縱軸的負(fù)半軸，并且距離所述中心點(diǎn)M毫米，Ryl位于經(jīng)過所述光罩中心點(diǎn)的橫軸的負(fù)半軸，距離所述中心點(diǎn)53毫米，Re 1位于經(jīng)過所述光罩中心點(diǎn)的橫軸的正半軸，距離所述中心點(diǎn)53毫米，所述第二組對準(zhǔn)標(biāo)記包括Rx2、Ry2和R θ 2，其中Rx2位于經(jīng)過所述光罩中心點(diǎn)的縱軸的負(fù)半軸，并且距離所述中心點(diǎn)52毫米，Ry2位于經(jīng)過所述光罩中心點(diǎn)的橫軸的負(fù)半軸，距離所述中心點(diǎn)43毫米，R θ 2位于經(jīng)過所述光罩中心點(diǎn)的橫軸的正半軸，距離所述中心點(diǎn)43毫米，所述第三組對準(zhǔn)標(biāo)記包括Rx3、Ry2、X和Y，其中Rx3位于經(jīng)過所述光罩中心點(diǎn)的縱軸的正半軸，并且距離所述中心點(diǎn)52毫米，X位于經(jīng)過所述光罩中心點(diǎn)的縱軸的負(fù)半軸，距離所述中心點(diǎn)50毫米，Y位于經(jīng)過所述光罩中心點(diǎn)的橫軸的正半軸，距離所述中心點(diǎn)40. 5毫米。具體的在本發(fā)明實(shí)施例中每個對準(zhǔn)標(biāo)記都位于一個對應(yīng)的對準(zhǔn)區(qū)域內(nèi)，該對準(zhǔn)區(qū)域是以該對準(zhǔn)標(biāo)記為中心點(diǎn)確定的，如圖1所示。該對準(zhǔn)標(biāo)記Ryl、Ry2及Re 1位于其所對應(yīng)的對準(zhǔn)區(qū)域內(nèi)，該三個對準(zhǔn)標(biāo)記對應(yīng)的對準(zhǔn)區(qū)域的尺寸為相同的，如圖2A、圖2B、圖2C所示，為對準(zhǔn)標(biāo)記Ryl、Ry2及R θ ι與其對準(zhǔn)區(qū)域的關(guān)系。該對準(zhǔn)標(biāo)記Ryl、Ry2及R θ 1位于其所對應(yīng)的對準(zhǔn)區(qū)域內(nèi)；每個對準(zhǔn)區(qū)域?yàn)橐詫?yīng)的對準(zhǔn)標(biāo)記為中心點(diǎn)的正方形區(qū)域，該正方形區(qū)域的邊長為5000微米，誤差為正負(fù)100微米；該對準(zhǔn)標(biāo)記相對中心點(diǎn)的橫向誤差和縱向誤差為20加減0. 5微米。圖3為對準(zhǔn)標(biāo)記R02與其對應(yīng)的對準(zhǔn)區(qū)域的關(guān)系，對準(zhǔn)標(biāo)記R θ 2位于其所對應(yīng)的對準(zhǔn)區(qū)域內(nèi)；該對準(zhǔn)區(qū)域?yàn)橐栽搶?zhǔn)標(biāo)記R θ 2為中心點(diǎn)的矩形區(qū)域，該矩形區(qū)域的長為 4500微米，誤差為正負(fù)100微米，寬為5000微米，誤差為正負(fù)100微米；該對準(zhǔn)標(biāo)記R θ 2相對中心點(diǎn)的橫向誤差和縱向誤差為20加減0. 5微米。圖4為對準(zhǔn)標(biāo)記Rxl和Rx2與其對應(yīng)的對準(zhǔn)區(qū)域的關(guān)系，對準(zhǔn)標(biāo)記Rxl位于其所對應(yīng)的對準(zhǔn)區(qū)域內(nèi)；該對準(zhǔn)區(qū)域?yàn)橐栽搶?zhǔn)標(biāo)記Rxl為中心點(diǎn)的正方形區(qū)域，該正方形區(qū)域的邊長為5000微米，誤差為正負(fù)100微米；該對準(zhǔn)標(biāo)記Rxl相對中心點(diǎn)的橫向誤差和縱向誤差為20加減0.5微米。對準(zhǔn)標(biāo)記Rx2位于其所對應(yīng)的對準(zhǔn)區(qū)域內(nèi)；該對準(zhǔn)區(qū)域?yàn)橐栽搶?zhǔn)標(biāo)記Rx2為中心點(diǎn)的矩形區(qū)域，該矩形區(qū)域的長為5000微米，誤差為正負(fù)100微米，寬為4000微米，誤差為正負(fù)100微米；該對準(zhǔn)標(biāo)記Rx2相對中心點(diǎn)的橫向誤差和縱向誤差為20加減0. 5微米。圖5為對準(zhǔn)標(biāo)記X的結(jié)構(gòu)示意圖關(guān)系，所述對準(zhǔn)標(biāo)記X包括以經(jīng)過中心點(diǎn)的縱軸為中心的，間距為觀微米的兩條平行于縱軸的豎線，誤差為正負(fù)0.5微米，以及以經(jīng)過中心點(diǎn)的縱軸為中心的，兩個三角形區(qū)域，兩個三角形的對應(yīng)兩條邊平行于縱軸，間距為10微米，誤差為0.5微米。圖6為對準(zhǔn)標(biāo)記Y的結(jié)構(gòu)示意圖，所述對準(zhǔn)標(biāo)記Y包括以經(jīng)過中心點(diǎn)的橫軸為中心的，間距為觀微米的兩條平行于橫軸的橫線，誤差為正負(fù)0. 5微米，以及以經(jīng)過中心點(diǎn)的橫軸為中心的，兩個三角形區(qū)域，兩個三角形的對應(yīng)兩條邊平行于橫軸，間距為10微米，誤差為0.5微米。圖7為對準(zhǔn)標(biāo)記Rx3與其對準(zhǔn)區(qū)域的關(guān)系，對準(zhǔn)標(biāo)記Rx3位于其所對應(yīng)的對準(zhǔn)區(qū)域內(nèi)；該對準(zhǔn)區(qū)域?yàn)橐栽搶?zhǔn)標(biāo)記Rx3為中心點(diǎn)的正方形區(qū)域，該正方形區(qū)域的邊長為 5000微米，誤差為正負(fù)100微米；該對準(zhǔn)標(biāo)記相對中心點(diǎn)的縱向誤差為20加減0. 5微米。由于在本發(fā)明實(shí)施例中該用于曝光機(jī)對準(zhǔn)的光罩包括至少兩組對準(zhǔn)標(biāo)記，較佳的該光罩可以包括三組對準(zhǔn)標(biāo)記，即包括第一組對準(zhǔn)標(biāo)記Rxl、Ryl和R θ 1，第二組對準(zhǔn)標(biāo)記 Rx2、Ry2和R θ 2，以及第三組對準(zhǔn)標(biāo)記Rx3、Ry2、X和Y。由于本發(fā)明實(shí)施提供的光罩包括至少兩組對準(zhǔn)標(biāo)記，因此可以采用該光罩進(jìn)行對準(zhǔn)的曝光機(jī)臺的數(shù)量增加，相應(yīng)的也就減小了更換光罩對相應(yīng)曝光機(jī)臺進(jìn)行校準(zhǔn)的可能性，因此減小了因?yàn)楣庹侄啻胃鼡Q產(chǎn)生的誤差，導(dǎo)致曝光機(jī)臺曝光的誤差，提高了曝光產(chǎn)品的精度。具體的，型號為NSR G4-1505曝光機(jī)臺可以使用Rx3、Ry2、X、Y四個對準(zhǔn)標(biāo)記進(jìn)行對準(zhǔn)，型號為NSR G6-1505的曝光機(jī)臺可以使用Rx2、Ry2、R θ 2三個對準(zhǔn)標(biāo)記進(jìn)行對準(zhǔn)，型號為NSR G7-1505的曝光機(jī)臺可以使用Rx2、Ry2、R θ 2三個對準(zhǔn)標(biāo)記進(jìn)行對準(zhǔn)，型號為NSR G7-1755的曝光機(jī)臺可以使用Rxl、Ryl、R θ 1三個對準(zhǔn)標(biāo)記進(jìn)行對準(zhǔn)。圖8為本發(fā)明實(shí)施例提供的一種光罩對準(zhǔn)標(biāo)記制作過程，該過程包括以下步驟S801 確定光罩的中心點(diǎn)，及經(jīng)過該中心點(diǎn)的橫軸和縱軸。S802 在經(jīng)過中心點(diǎn)的橫軸和縱軸上確定至少兩組對準(zhǔn)標(biāo)記的位置，根據(jù)確定的每組對準(zhǔn)標(biāo)記的位置進(jìn)行顯影、刻蝕每組對準(zhǔn)標(biāo)記，其中，第一組對準(zhǔn)標(biāo)記包括Rxl、Ryl和R θ 1，其中RxI位于經(jīng)過所述光罩中心點(diǎn)的縱軸的負(fù)半軸，并且距離所述中心點(diǎn)M毫米，Ryl位于經(jīng)過所述光罩中心點(diǎn)的橫軸的負(fù)半軸，距離所述中心點(diǎn)53毫米，R θ 1位于經(jīng)過所述光罩中心點(diǎn)的橫軸的正半軸，距離所述中心點(diǎn)53毫米，第二組對準(zhǔn)標(biāo)記包括Rx2、Ry2和R θ 2，其中Rx2位于經(jīng)過所述光罩中心點(diǎn)的縱軸的負(fù)半軸，并且距離所述中心點(diǎn)52毫米，Ry2位于經(jīng)過所述光罩中心點(diǎn)的橫軸的負(fù)半軸，距離所述中心點(diǎn)43毫米，R θ 2位于經(jīng)過所述光罩中心點(diǎn)的橫軸的正半軸，距離所述中心點(diǎn)43 毫米，第三組對準(zhǔn)標(biāo)記包括Rx3、Ry2, X和Y，其中Rx3位于經(jīng)過所述光罩中心點(diǎn)的縱軸的正半軸，并且距離所述中心點(diǎn)52毫米，X位于經(jīng)過所述光罩中心點(diǎn)的縱軸的負(fù)半軸，距離所述中心點(diǎn)50毫米，Y位于經(jīng)過所述光罩中心點(diǎn)的橫軸的正半軸，距離所述中心點(diǎn)40. 5毫米。在本發(fā)明實(shí)施例中當(dāng)刻蝕的對準(zhǔn)標(biāo)記為Ryl、Ry2或R θ 1時，所述方法還包括以該對準(zhǔn)標(biāo)記為中心點(diǎn)，刻蝕該準(zhǔn)標(biāo)記對應(yīng)的對準(zhǔn)區(qū)域，其中，每個對準(zhǔn)區(qū)域?yàn)橐詫?yīng)的對準(zhǔn)標(biāo)記為中心點(diǎn)的正方形區(qū)域，該正方形區(qū)域的邊長為5000微米，誤差為正負(fù) 100微米；該對準(zhǔn)標(biāo)記相對中心點(diǎn)的橫向誤差和縱向誤差為20加減0. 5微米。當(dāng)刻蝕的對準(zhǔn)標(biāo)記為R θ 2時，所述方法還包括 以該對準(zhǔn)標(biāo)記為中心點(diǎn)，刻蝕該準(zhǔn)標(biāo)記對應(yīng)的對準(zhǔn)區(qū)域，其中，該對準(zhǔn)區(qū)域?yàn)橐栽搶?zhǔn)標(biāo)記R θ 2為中心點(diǎn)的矩形區(qū)域，該矩形區(qū)域的長為4500微米，誤差為正負(fù)100微米， 寬為5000微米，誤差為正負(fù)100微米；該對準(zhǔn)標(biāo)記R θ 2相對中心點(diǎn)的橫向誤差和縱向誤差為20加減0.5微米。
當(dāng)刻蝕的對準(zhǔn)標(biāo)記為Rxl時，所述方法還包括以該對準(zhǔn)標(biāo)記為中心點(diǎn)，刻蝕該準(zhǔn)標(biāo)記對應(yīng)的對準(zhǔn)區(qū)域，其中，該對準(zhǔn)區(qū)域?yàn)橐栽搶?zhǔn)標(biāo)記Rxl為中心點(diǎn)的正方形區(qū)域，該正方形區(qū)域的邊長為5000微米，誤差為正負(fù)100 微米；該對準(zhǔn)標(biāo)記Rxl相對中心點(diǎn)的橫向誤差和縱向誤差為20加減0. 5微米。當(dāng)刻蝕的對準(zhǔn)標(biāo)記為Rx2時，所述方法還包括以該對準(zhǔn)標(biāo)記為中心點(diǎn)，刻蝕該準(zhǔn)標(biāo)記對應(yīng)的對準(zhǔn)區(qū)域，其中，該對準(zhǔn)區(qū)域?yàn)橐栽搶?zhǔn)標(biāo)記Rx2為中心點(diǎn)的矩形區(qū)域，該矩形區(qū)域的長為5000微米，誤差為正負(fù)100微米，寬為4000微米，誤差為正負(fù)100微米；該對準(zhǔn)標(biāo)記Rx2相對中心點(diǎn)的橫向誤差和縱向誤差為 20加減0.5微米。當(dāng)刻蝕的對準(zhǔn)標(biāo)記X時，刻蝕以經(jīng)過中心點(diǎn)的縱軸為中心的，間距為28微米的兩條平行于縱軸的豎線，誤差為正負(fù)0. 5微米；以及，以經(jīng)過中心點(diǎn)的縱軸為中心的，兩個三角形區(qū)域，兩個三角形的對應(yīng)兩條邊平行于縱軸，間距為10微米，誤差為0. 5微米。當(dāng)刻蝕的對準(zhǔn)標(biāo)記Y時，刻蝕以經(jīng)過中心點(diǎn)的橫軸為中心的，間距為28微米的兩條平行于橫軸的橫線，誤差為正負(fù)0. 5微米；以及，以經(jīng)過中心點(diǎn)的橫軸為中心的，兩個三角形區(qū)域，兩個三角形的對應(yīng)兩條邊平行于橫軸，間距為10微米，誤差為0. 5微米。當(dāng)刻蝕的對準(zhǔn)標(biāo)記Rx3時，所述方法還包括刻蝕以該對準(zhǔn)標(biāo)記Rx3為中心點(diǎn)的正方形區(qū)域，該正方形區(qū)域的邊長為5000微米，誤差為正負(fù)100微米；該對準(zhǔn)標(biāo)記相對中心點(diǎn)的縱向誤差為20加減0. 5微米。本發(fā)明實(shí)施例提供了一種用于曝光機(jī)對準(zhǔn)的光罩及光罩對準(zhǔn)標(biāo)記制作方法，該光罩包括第一組對準(zhǔn)標(biāo)記，第二組對準(zhǔn)標(biāo)記和第三組對準(zhǔn)標(biāo)記中的至少兩組，每組對準(zhǔn)標(biāo)記位于經(jīng)過光罩中心點(diǎn)的橫軸和縱軸上。由于在本發(fā)明實(shí)施例中該用于曝光機(jī)臺校準(zhǔn)的光罩包括至少兩組對準(zhǔn)標(biāo)記，因此擴(kuò)大了采用該光罩進(jìn)行對準(zhǔn)的曝光機(jī)臺的范圍，減小了在每次曝光過程中更換光罩的可能性，從而降低了曝光過程中產(chǎn)生的誤差，提高了曝光產(chǎn)品的精度。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對本發(fā)明進(jìn)行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種用于曝光機(jī)對準(zhǔn)的光罩，其特征在于，所述光罩包括第一組對準(zhǔn)標(biāo)記，第二組對準(zhǔn)標(biāo)記和第三組對準(zhǔn)標(biāo)記中的至少兩組，其中， 所述第一組對準(zhǔn)標(biāo)記包括Rxl、Ryl和R θ 1，其中Rxl位于經(jīng)過所述光罩中心點(diǎn)的縱軸的負(fù)半軸，并且距離所述中心點(diǎn)M毫米，Ryl位于經(jīng)過所述光罩中心點(diǎn)的橫軸的負(fù)半軸，距離所述中心點(diǎn)53毫米，R θ 1位于經(jīng)過所述光罩中心點(diǎn)的橫軸的正半軸，距離所述中心點(diǎn)53 毫米，所述第二組對準(zhǔn)標(biāo)記包括Rx2、Ry2和R θ 2，其中Rx2位于經(jīng)過所述光罩中心點(diǎn)的縱軸的負(fù)半軸，并且距離所述中心點(diǎn)52毫米，Ry2位于經(jīng)過所述光罩中心點(diǎn)的橫軸的負(fù)半軸，距離所述中心點(diǎn)43毫米，R θ 2位于經(jīng)過所述光罩中心點(diǎn)的橫軸的正半軸，距離所述中心點(diǎn)43 毫米，所述第三組對準(zhǔn)標(biāo)記包括Rx3、Ry2, X和Y，其中Rx3位于經(jīng)過所述光罩中心點(diǎn)的縱軸的正半軸，并且距離所述中心點(diǎn)52毫米，X位于經(jīng)過所述光罩中心點(diǎn)的縱軸的負(fù)半軸，距離所述中心點(diǎn)50毫米，Y位于經(jīng)過所述光罩中心點(diǎn)的橫軸的正半軸，距離所述中心點(diǎn)40. 5毫米。
2.如權(quán)利要求1所述的光罩，其特征在于，所述對準(zhǔn)標(biāo)記Ryl、Ry2及Rθ 1位于其所對應(yīng)的對準(zhǔn)區(qū)域內(nèi)；每個對準(zhǔn)區(qū)域?yàn)橐詫?yīng)的對準(zhǔn)標(biāo)記為中心點(diǎn)的正方形區(qū)域，該正方形區(qū)域的邊長為 5000微米，誤差為正負(fù)100微米；該對準(zhǔn)標(biāo)記相對中心點(diǎn)的橫向誤差和縱向誤差為20加減0. 5微米。
3.如權(quán)利要求1所述的光罩，其特征在于，所述對準(zhǔn)標(biāo)記Rθ 2位于其所對應(yīng)的對準(zhǔn)區(qū)域內(nèi)；該對準(zhǔn)區(qū)域?yàn)橐栽搶?zhǔn)標(biāo)記R θ 2為中心點(diǎn)的矩形區(qū)域，該矩形區(qū)域的長為4500微米， 誤差為正負(fù)100微米，寬為5000微米，誤差為正負(fù)100微米；該對準(zhǔn)標(biāo)記R θ 2相對中心點(diǎn)的橫向誤差和縱向誤差為20加減0. 5微米。
4.如權(quán)利要求1所述的光罩，其特征在于，所述對準(zhǔn)標(biāo)記Rxl位于其所對應(yīng)的對準(zhǔn)區(qū)域內(nèi)；該對準(zhǔn)區(qū)域?yàn)橐栽搶?zhǔn)標(biāo)記Rxl為中心點(diǎn)的正方形區(qū)域，該正方形區(qū)域的邊長為5000 微米，誤差為正負(fù)100微米；該對準(zhǔn)標(biāo)記Rxl相對中心點(diǎn)的橫向誤差和縱向誤差為20加減0. 5微米。
5.如權(quán)利要求1所述的光罩，其特征在于，所述對準(zhǔn)標(biāo)記Rx2位于其所對應(yīng)的對準(zhǔn)區(qū)域內(nèi)；該對準(zhǔn)區(qū)域?yàn)橐栽搶?zhǔn)標(biāo)記Rx2為中心點(diǎn)的矩形區(qū)域，該矩形區(qū)域的長為5000微米， 誤差為正負(fù)100微米，寬為4000微米，誤差為正負(fù)100微米；該對準(zhǔn)標(biāo)記Rx2相對中心點(diǎn)的橫向誤差和縱向誤差為20加減0. 5微米。
6.如權(quán)利要求1所述的光罩，其特征在于，所述對準(zhǔn)標(biāo)記Rx3位于其所對應(yīng)的對準(zhǔn)區(qū)域內(nèi)；該對準(zhǔn)區(qū)域?yàn)橐栽搶?zhǔn)標(biāo)記Rx3為中心點(diǎn)的正方形區(qū)域，該正方形區(qū)域的邊長為5000 微米，誤差為正負(fù)100微米；該對準(zhǔn)標(biāo)記相對中心點(diǎn)的縱向誤差為20加減0. 5微米。
7.如權(quán)利要求1所述的光罩，其特征在于，所述對準(zhǔn)標(biāo)記X包括以經(jīng)過中心點(diǎn)的縱軸為中心的，間距為觀微米的兩條平行于縱軸的豎線，誤差為正負(fù)0. 5微米；以及，以經(jīng)過中心點(diǎn)的縱軸為中心的，兩個三角形區(qū)域，兩個三角形的對應(yīng)兩條邊平行于縱軸，間距為10微米，誤差為0. 5微米。
8.如權(quán)利要求1所述的光罩，其特征在于，所述對準(zhǔn)標(biāo)記Y包括以經(jīng)過中心點(diǎn)的橫軸為中心的，間距為觀微米的兩條平行于橫軸的橫線，誤差為正負(fù)0. 5微米；以及，以經(jīng)過中心點(diǎn)的橫軸為中心的，兩個三角形區(qū)域，兩個三角形的對應(yīng)兩條邊平行于橫軸，間距為10微米，誤差為0. 5微米。
9.一種光罩對準(zhǔn)標(biāo)記制作方法，其特征在于，所述方法包括確定光罩的中心點(diǎn)，及經(jīng)過該中心點(diǎn)的橫軸和縱軸；在經(jīng)過中心點(diǎn)的橫軸和縱軸上確定至少兩組對準(zhǔn)標(biāo)記的位置，根據(jù)確定的每組對準(zhǔn)標(biāo)記的位置進(jìn)行顯影、刻蝕每組對準(zhǔn)標(biāo)記，其中，第一組對準(zhǔn)標(biāo)記包括Rxl、Ryl和R θ 1，其中Rxl位于經(jīng)過所述光罩中心點(diǎn)的縱軸的負(fù)半軸，并且距離所述中心點(diǎn)M毫米，Ryl位于經(jīng)過所述光罩中心點(diǎn)的橫軸的負(fù)半軸， 距離所述中心點(diǎn)53毫米，R θ 1位于經(jīng)過所述光罩中心點(diǎn)的橫軸的正半軸，距離所述中心點(diǎn) 53毫米，第二組對準(zhǔn)標(biāo)記包括Rx2、Ry2和R θ 2，其中Rx2位于經(jīng)過所述光罩中心點(diǎn)的縱軸的負(fù)半軸，并且距離所述中心點(diǎn)52毫米，Ry2位于經(jīng)過所述光罩中心點(diǎn)的橫軸的負(fù)半軸，距離所述中心點(diǎn)43毫米，R θ 2位于經(jīng)過所述光罩中心點(diǎn)的橫軸的正半軸，距離所述中心點(diǎn)43毫米，第三組對準(zhǔn)標(biāo)記包括Rx3、Ry2、X和Y，其中Rx3位于經(jīng)過所述光罩中心點(diǎn)的縱軸的正半軸，并且距離所述中心點(diǎn)52毫米，X位于經(jīng)過所述光罩中心點(diǎn)的縱軸的負(fù)半軸，距離所述中心點(diǎn)50毫米，Y位于經(jīng)過所述光罩中心點(diǎn)的橫軸的正半軸，距離所述中心點(diǎn)40. 5毫米。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，當(dāng)刻蝕的對準(zhǔn)標(biāo)記為Ryl、Ry2或Rθ 1時， 所述方法還包括以該對準(zhǔn)標(biāo)記為中心點(diǎn)，刻蝕該準(zhǔn)標(biāo)記對應(yīng)的對準(zhǔn)區(qū)域，其中，每個對準(zhǔn)區(qū)域?yàn)橐詫?yīng)的對準(zhǔn)標(biāo)記為中心點(diǎn)的正方形區(qū)域，該正方形區(qū)域的邊長為5000微米，誤差為正負(fù)100微米；該對準(zhǔn)標(biāo)記相對中心點(diǎn)的橫向誤差和縱向誤差為20加減0. 5微米。
11.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，當(dāng)刻蝕的對準(zhǔn)標(biāo)記為Rθ 2時，所述方法還包括以該對準(zhǔn)標(biāo)記為中心點(diǎn)，刻蝕該準(zhǔn)標(biāo)記對應(yīng)的對準(zhǔn)區(qū)域，其中，該對準(zhǔn)區(qū)域?yàn)橐栽搶?zhǔn)標(biāo)記R θ 2為中心點(diǎn)的矩形區(qū)域，該矩形區(qū)域的長為4500微米，誤差為正負(fù)100微米，寬為 5000微米，誤差為正負(fù)100微米；該對準(zhǔn)標(biāo)記R θ 2相對中心點(diǎn)的橫向誤差和縱向誤差為20加減0. 5微米。
12.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，當(dāng)刻蝕的對準(zhǔn)標(biāo)記為Rxl時，所述方法還包括以該對準(zhǔn)標(biāo)記為中心點(diǎn)，刻蝕該準(zhǔn)標(biāo)記對應(yīng)的對準(zhǔn)區(qū)域，其中，該對準(zhǔn)區(qū)域?yàn)橐栽搶?zhǔn)標(biāo)記Rxl為中心點(diǎn)的正方形區(qū)域，該正方形區(qū)域的邊長為5000微米，誤差為正負(fù)100微米；該對準(zhǔn)標(biāo)記Rxl相對中心點(diǎn)的橫向誤差和縱向誤差為20加減0. 5微米。
13.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，當(dāng)刻蝕的對準(zhǔn)標(biāo)記為Rx2時，所述方法還包括以該對準(zhǔn)標(biāo)記為中心點(diǎn)，刻蝕該準(zhǔn)標(biāo)記對應(yīng)的對準(zhǔn)區(qū)域，其中，該對準(zhǔn)區(qū)域?yàn)橐栽搶?zhǔn)標(biāo)記Rx2為中心點(diǎn)的矩形區(qū)域，該矩形區(qū)域的長為5000微米，誤差為正負(fù)100微米，寬為 4000微米，誤差為正負(fù)100微米；該對準(zhǔn)標(biāo)記Rx2相對中心點(diǎn)的橫向誤差和縱向誤差為20加減0. 5微米。
14.如權(quán)利要求9所述的裝置，其特征在于，當(dāng)刻蝕的對準(zhǔn)標(biāo)記X時，刻蝕以經(jīng)過中心點(diǎn)的縱軸為中心的，間距為觀微米的兩條平行于縱軸的豎線，誤差為正負(fù)0. 5微米；以及，以經(jīng)過中心點(diǎn)的縱軸為中心的，兩個三角形區(qū)域，兩個三角形的對應(yīng)兩條邊平行于縱軸，間距為10微米，誤差為0. 5微米。
15.如權(quán)利要求9所述的裝置，其特征在于，當(dāng)刻蝕的對準(zhǔn)標(biāo)記Y時，刻蝕以經(jīng)過中心點(diǎn)的橫軸為中心的，間距為觀微米的兩條平行于橫軸的橫線，誤差為正負(fù)0. 5微米；以及，以經(jīng)過中心點(diǎn)的橫軸為中心的，兩個三角形區(qū)域，兩個三角形的對應(yīng)兩條邊平行于橫軸，間距為10微米，誤差為0. 5微米。
16.如權(quán)利要求9所述的裝置，其特征在于，當(dāng)刻蝕的對準(zhǔn)標(biāo)記Rx3時，所述方法還包括刻蝕以該對準(zhǔn)標(biāo)記Rx3為中心點(diǎn)的正方形區(qū)域，該正方形區(qū)域的邊長為5000微米，誤差為正負(fù)100微米；該對準(zhǔn)標(biāo)記相對中心點(diǎn)的縱向誤差為20加減0. 5微米。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種用于曝光機(jī)對準(zhǔn)的光罩及光罩對準(zhǔn)標(biāo)記制作方法，用以解決現(xiàn)有技術(shù)中由于光罩更換過程中由于光罩對準(zhǔn)不準(zhǔn)確，影響曝光產(chǎn)品的精度的問題。該光罩包括第一組對準(zhǔn)標(biāo)記，第二組對準(zhǔn)標(biāo)記和第三組對準(zhǔn)標(biāo)記中的至少兩組，每組對準(zhǔn)標(biāo)記位于經(jīng)過光罩中心點(diǎn)的橫軸和縱軸上。由于在本發(fā)明實(shí)施例中該用于曝光機(jī)臺校準(zhǔn)的光罩包括至少兩組對準(zhǔn)標(biāo)記，因此擴(kuò)大了采用該光罩進(jìn)行對準(zhǔn)的曝光機(jī)臺的范圍，減小了在每次曝光過程中更換光罩的可能性，從而降低了曝光過程中產(chǎn)生的誤差，提高了曝光產(chǎn)品的精度。
文檔編號G03F9/00GK102566255SQ20101062180
公開日2012年7月11日 申請日期2010年12月27日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月27日
發(fā)明者徐國剛, 戴新華, 趙志敏, 馬玉玲 申請人:北大方正集團(tuán)有限公司, 深圳方正微電子有限公司