專利名稱：一種對準(zhǔn)系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光刻領(lǐng)域，尤其涉及光刻裝置中使用的對準(zhǔn)系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)中的光刻裝置，主要用于集成電路IC或其它微型器件的制造。通過光刻裝置，具有不同掩模圖案的多層掩模在精確對準(zhǔn)下依次成像在涂覆有光刻膠的硅片上，例如半導(dǎo)體硅片或LCD板。光刻裝置大體上分為兩類，一類是步進(jìn)光刻裝置，掩模圖案一次曝光成像在硅片的一個曝光區(qū)域，隨后硅片相對于掩模移動，將下一個曝光區(qū)域移動到掩模圖案和投影物鏡下方，再一次將掩模圖案曝光在硅片的另一曝光區(qū)域，重復(fù)這一過程直到硅片上所有曝光區(qū)域都擁有掩模圖案的像。另一類是步進(jìn)掃描光刻裝置，在上述過程中，掩模圖案不是一次曝光成像，而是通過投影光場的掃描移動成像。在掩模圖案成像過程中，掩模與硅片同時相對于投影系統(tǒng)和投影光束移動。光刻裝置中關(guān)鍵的步驟是將掩模與硅片對準(zhǔn)。第一層掩模圖案在硅片上曝光后從裝置中移開，在硅片進(jìn)行相關(guān)的工藝處理后，進(jìn)行第二層掩模圖案的曝光，但為確保第二層掩模圖案和隨后掩模圖案的像相對于硅片上已曝光掩模圖案像的精確定位，需要將掩模和硅片進(jìn)行精確對準(zhǔn)。由光刻技術(shù)制造的IC器件需要多次曝光在硅片中形成多層電路，為此，光刻裝置中要求配置對準(zhǔn)系統(tǒng)，實現(xiàn)掩模和硅片的精確對準(zhǔn)。當(dāng)特征尺寸要求更小時， 對套刻精度的要求以及由此產(chǎn)生的對對準(zhǔn)精度的要求變得更加嚴(yán)格。光刻裝置的對準(zhǔn)系統(tǒng)，其主要功能是在套刻曝光前實現(xiàn)掩模一硅片對準(zhǔn)，即測出硅片在機(jī)器坐標(biāo)系中的坐標(biāo)(XW，YW，OWZ)，及掩模在機(jī)器坐標(biāo)系中的坐標(biāo)0(R，YR，ΦRZ), 并計算得到掩模相對于硅片的位置，以滿足套刻精度的要求?，F(xiàn)有技術(shù)有兩種對準(zhǔn)方案。 一種是透過鏡頭的TTL對準(zhǔn)技術(shù)，激光照明在硅片上設(shè)置的周期性相位光柵結(jié)構(gòu)的對準(zhǔn)標(biāo)記，由光刻裝置的投影物鏡所收集的硅片對準(zhǔn)標(biāo)記的衍射光或散射光照射在掩模對準(zhǔn)標(biāo)記上，該對準(zhǔn)標(biāo)記可以為振幅或相位光柵。在掩模標(biāo)記后設(shè)置探測器，當(dāng)在投影物鏡下掃描硅片時，探測透過掩模標(biāo)記的光強(qiáng)，探測器輸出的最大值表示正確的對準(zhǔn)位置。該對準(zhǔn)位置為用于監(jiān)測硅片臺位置移動的激光干涉儀的位置測量提供了零基準(zhǔn)。另一種是OA離軸對準(zhǔn)技術(shù)，通過離軸對準(zhǔn)系統(tǒng)測量位于硅片上的多個對準(zhǔn)標(biāo)記以及硅片臺上基準(zhǔn)板的基準(zhǔn)標(biāo)記，實現(xiàn)硅片對準(zhǔn)和硅片臺對準(zhǔn)；硅片臺上基準(zhǔn)板的基準(zhǔn)標(biāo)記與掩模對準(zhǔn)標(biāo)記對準(zhǔn)，實現(xiàn)掩模對準(zhǔn)；由此可以得到掩模和硅片的位置關(guān)系，實現(xiàn)掩模和硅片對準(zhǔn)。目前，光刻設(shè)備大多所采用的對準(zhǔn)方式為光柵對準(zhǔn)。光柵對準(zhǔn)是指均勻照明光束照射在光柵對準(zhǔn)標(biāo)記上發(fā)生衍射，衍射后的出射光攜帶有關(guān)于對準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)的全部信息。 高級衍射光以大角度從相位對準(zhǔn)光柵上散開，通過空間濾波器濾掉零級光后，采集衍射光士 1級衍射光，或者隨著CD要求的提高，同時采集多級衍射光(包括高級)在像平面干涉成像，經(jīng)光電探測器和信號處理，確定對準(zhǔn)中心位置。一種現(xiàn)有技術(shù)的情況(參見中國發(fā)明專利，公開號CN1506768A，發(fā)明名稱用于光刻系統(tǒng)的對準(zhǔn)系統(tǒng)和方法)，荷蘭ASML公司所采用的一種4f系統(tǒng)結(jié)構(gòu)的ATHENA離軸對準(zhǔn)系統(tǒng)，該對準(zhǔn)系統(tǒng)在光源部分采用紅光、綠光雙光源照射；并采用楔塊列陣或楔板組來實現(xiàn)對準(zhǔn)標(biāo)記多級衍射光的重疊和相干成像，并在像面上將成像空間分開；紅光和綠光的對準(zhǔn)信號通過一個偏振分束棱鏡來分離；通過探測對準(zhǔn)標(biāo)記像透過參考光柵的透射光強(qiáng)，得到正弦輸出的對準(zhǔn)信號。該對準(zhǔn)系統(tǒng)通過探測對準(zhǔn)標(biāo)記的(包括高級次衍射光在內(nèi))多級次衍射光以減小對準(zhǔn)標(biāo)記非對稱變形導(dǎo)致的對準(zhǔn)位置誤差。具體采用楔塊列陣或楔板組來實現(xiàn)對準(zhǔn)標(biāo)記多級衍射光的正、負(fù)級次光斑對應(yīng)重疊、相干成像，同時各級衍射光光束通過楔塊列陣或楔板組的偏折使得對準(zhǔn)標(biāo)記用于X方向?qū)?zhǔn)的光柵各級光柵像在像面沿y方向排列成像；用于y方向?qū)?zhǔn)的光柵各級光柵像在像面沿χ方向排列成像，避免了對準(zhǔn)標(biāo)記各級光柵像掃描對應(yīng)參考光柵時不同周期光柵像同時掃描一個參考光柵的情況，有效解決信號的串?dāng)_問題。但是，使用楔塊列陣時，對折射正、負(fù)相同級次的兩楔塊的面型和楔角一致性要求很高； 而楔板組的加工制造、裝配和調(diào)整的要求也很高，具體實現(xiàn)起來工程難度較大，代價昂貴。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種簡單的對準(zhǔn)系統(tǒng)和易于實現(xiàn)的對準(zhǔn)方法。本發(fā)明的對準(zhǔn)系統(tǒng)，包括光源模塊，提供對準(zhǔn)系統(tǒng)所需的對準(zhǔn)光束，所述對準(zhǔn)光束至少具有兩個傳播方向；光學(xué)條紋形成裝置，接收上述不同方向的對準(zhǔn)光束，形成第一光學(xué)條紋；光學(xué)模塊，接收第一光學(xué)條紋，形成具有和下述對準(zhǔn)標(biāo)記相同的周期和方向的第二光學(xué)條紋，并接收所述第二光學(xué)條紋照射到下述對準(zhǔn)標(biāo)標(biāo)記后形成的衍射光束；對準(zhǔn)標(biāo)記，具有一定的周期，至少向兩個方向排列，其能接收第二光學(xué)條紋，并使其發(fā)生衍射；光電探測器，設(shè)置在光學(xué)模塊和光學(xué)條紋形成裝置之間，接收并測量上述衍射光束的強(qiáng)度，利用光強(qiáng)變化反映的位相信息確定對準(zhǔn)位置。其中，所述光學(xué)模塊為具有遠(yuǎn)心光路的透鏡結(jié)構(gòu)。其中，所述光電探測器設(shè)置在所述透鏡結(jié)構(gòu)的頻譜面上。其中，所述光學(xué)條紋形成裝置為半透半反平板或振幅光柵。其中，所述半透半反平板厚度和傾斜角度滿足如下公式
d =_fA_I.xtaniarcsin^cos, 其中d為第二光學(xué)條紋周期，f為光學(xué)模塊焦距，λ為照明光束波長，N為半反半透平板的折射率，h為半反半透平板厚度，θ為半反半透平板相對照明光束所在平面的傾斜角度。 其中，所述對準(zhǔn)光束具有兩個相互垂直的傳播方向。 其中，所述對準(zhǔn)標(biāo)記具有至少一組相互垂直的相位光柵，光學(xué)條紋照射到對準(zhǔn)標(biāo)記上后在互相垂直的兩個方向上形成衍射光束，在對準(zhǔn)標(biāo)記與對準(zhǔn)系統(tǒng)相對運動的過程中，利用探測器陣列測量相互垂直的兩個方向上的衍射光束的強(qiáng)度，利用光強(qiáng)變化反映的
4位相信息確定對準(zhǔn)位置，當(dāng)光強(qiáng)最大時即為對準(zhǔn)位置。其中，所述衍射光束具有一個以上衍射級次，每個衍射級次對應(yīng)至少兩個相同的掃描信號，這兩個掃描信號相互矯正，合并形成一個矯正后的掃描信號。本發(fā)明提出的對準(zhǔn)系統(tǒng)，簡化了對準(zhǔn)系統(tǒng)，并改變了對準(zhǔn)實現(xiàn)方法。


圖1所示為使用了根據(jù)本發(fā)明的對準(zhǔn)系統(tǒng)的光刻設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2所示為根據(jù)本發(fā)明第一實施例的對準(zhǔn)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)示意圖；圖3所示為根據(jù)本發(fā)明第二實施例的對準(zhǔn)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)示意圖；圖4所示為本發(fā)明第二實施例的對準(zhǔn)系統(tǒng)中的振幅光柵結(jié)構(gòu)示意圖；圖5所示為本發(fā)明第一、第二實施例的對準(zhǔn)系統(tǒng)所用的探測器陣列示意圖；圖6所示為本發(fā)明第一、第二實施例的對準(zhǔn)系統(tǒng)所用的對準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)示意圖；圖7所示為本發(fā)明第一、第二實施例獲得的掃描信號經(jīng)過擬合后的形狀示意圖。
具體實施例方式下面，結(jié)合附圖詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實施例。為了便于描述和突出顯示本發(fā)明，附圖中省略了現(xiàn)有技術(shù)中已有的相關(guān)部件，并將省略對這些公知部件的描述。圖1所示為使用了根據(jù)本發(fā)明的對準(zhǔn)系統(tǒng)的光刻設(shè)備的結(jié)構(gòu)示意圖。光刻設(shè)備的構(gòu)成包括用于提供曝光光束的照明系統(tǒng)1 ；用于支承掩模版2的掩模支架和掩模臺3，掩模版2上有掩模圖案和具有周期性結(jié)構(gòu)的對準(zhǔn)標(biāo)記RM ；用于將掩模版2上的掩模圖案投影到硅片6的投影光學(xué)系統(tǒng)4 ；用于支承硅片6的硅片支架和硅片臺7，硅片臺7上有刻有基準(zhǔn)標(biāo)記FM的基準(zhǔn)板8，硅片6上有周期性光學(xué)結(jié)構(gòu)的對準(zhǔn)標(biāo)記；用于掩模和硅片對準(zhǔn)的離軸對準(zhǔn)系統(tǒng)5 ；用于掩模臺3和硅片臺7位置測量的反射鏡10、16和激光干涉儀11、15，以及由主控制系統(tǒng)12控制的掩模臺3和硅片臺7位移的伺服系統(tǒng)13和驅(qū)動系統(tǒng)9、14。其中，照明系統(tǒng)1包括一個光源、一個使照明均勻化的透鏡系統(tǒng)、一個反射鏡、一個聚光鏡(圖中均未示出)。作為一個光源單元，可以采用KrF準(zhǔn)分子激光器(波長M8nm)、 ArF準(zhǔn)分子激光器(波長193nm)、F2激光器(波長157nm)、Kr2激光器(波長146nm) ,Ar2 激光器(波長126nm)、或者使用超高壓汞燈(g_線、i_線)等。照明系統(tǒng)1均勻照射的曝光光束IL照射在掩模版2上，掩模版2上包含有掩模圖案和周期性結(jié)構(gòu)的標(biāo)記RM，用于掩模對準(zhǔn)。掩模臺3可以經(jīng)驅(qū)動系統(tǒng)14在垂直于照明系統(tǒng)光軸(與投影物鏡的光軸AX重合)的X-Y平面內(nèi)移動，并且在預(yù)定的掃描方向(平行于X軸方向)以特定的掃描速度移動。掩模臺3在移動平面內(nèi)的位置通過位于掩模臺3上的反射鏡16由多普勒雙頻激光干涉儀15精密測得。掩模臺3的位置信息由激光干涉儀15經(jīng)伺服系統(tǒng)13發(fā)送到主控制系統(tǒng)12，主控制系統(tǒng)12根據(jù)掩模臺3的位置信息通過驅(qū)動系統(tǒng)14驅(qū)動掩模臺3。投影光學(xué)系統(tǒng)4 (投影物鏡)位于圖1所示的掩模臺3下方，其光軸AX平行于Z 軸方向。由于采用雙遠(yuǎn)心結(jié)構(gòu)并具有預(yù)定的縮小比例如1/5或1/4的折射式或折反射式光學(xué)系統(tǒng)作為投影光學(xué)系統(tǒng)，所以當(dāng)照明系統(tǒng)1發(fā)射的曝光光束照射掩模版2上的掩模圖案時，電路掩模圖案經(jīng)過投影光學(xué)系統(tǒng)在涂覆有光刻膠的硅片6上成縮小的圖像。硅片臺7位于投影光學(xué)系統(tǒng)4的下方，硅片臺7上設(shè)置有一個硅片支架(圖中未示出)，硅片6固定在支架上。硅片臺7經(jīng)驅(qū)動系統(tǒng)9驅(qū)動可以在掃描方向(X方向)和垂直于掃描方向(Y方向)上運動，使得可以將硅片6的不同區(qū)域定位在曝光光場內(nèi)，并進(jìn)行步進(jìn)掃描操作。硅片臺7在X-Y平面內(nèi)的位置通過一個位于硅片臺上的反射鏡10由多普勒雙頻激光干涉儀11精密測得，硅片臺7的位置信息經(jīng)伺服系統(tǒng)13發(fā)送到主控制系統(tǒng)12， 主控制系統(tǒng)12根據(jù)位置信息(或速度信息)通過驅(qū)動系統(tǒng)9控制硅片臺7的運動。硅片6上設(shè)有周期性結(jié)構(gòu)的對準(zhǔn)標(biāo)記，硅片臺7上有包含基準(zhǔn)標(biāo)記FM的基準(zhǔn)板8， 對準(zhǔn)系統(tǒng)5分別通過硅片對準(zhǔn)標(biāo)記和基準(zhǔn)標(biāo)記FM實現(xiàn)硅片6對準(zhǔn)和硅片臺7對準(zhǔn)。另外， 一個同軸對準(zhǔn)單元(圖中未示出)將硅片臺上基準(zhǔn)板8的基準(zhǔn)標(biāo)記FM與掩模對準(zhǔn)標(biāo)記RM 對準(zhǔn)，實現(xiàn)掩模對準(zhǔn)。對準(zhǔn)系統(tǒng)5的對準(zhǔn)信息結(jié)合同軸對準(zhǔn)單元的對準(zhǔn)信息一起傳輸?shù)街骺刂葡到y(tǒng)12，經(jīng)數(shù)據(jù)處理后，驅(qū)動系統(tǒng)9驅(qū)動硅片臺7移動實現(xiàn)掩模和硅片6的對準(zhǔn)。圖2所示為根據(jù)本發(fā)明的對準(zhǔn)系統(tǒng)的第一實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。該對準(zhǔn)系統(tǒng)由其中的光源模塊提供對準(zhǔn)光源，對準(zhǔn)光源需要從兩個方向入射，其之間具有一定的夾角，本發(fā)明以對準(zhǔn)光源需要從兩個相互垂直方向入射為具體實施例(圖中未畫出)。對準(zhǔn)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)主要包括對準(zhǔn)光束201，半透半反平板202，光電探測器固定結(jié)構(gòu)203，光電探測器204，衍射光束收集透鏡組205，對準(zhǔn)標(biāo)記206。對準(zhǔn)系統(tǒng)原理為光源模塊輸出的對準(zhǔn)光束201 (包括相互垂直的兩個方向入射， 圖中未畫出)進(jìn)入半透半反平板(光學(xué)條紋形成裝置)202，形成第一光學(xué)條紋，經(jīng)由光學(xué)模塊，圖示為衍射光束收集透鏡組(遠(yuǎn)心光路)205后得到與對準(zhǔn)標(biāo)記206周期和方向相同的第二光學(xué)條紋，所述第二光學(xué)條紋照射對準(zhǔn)標(biāo)記206后在相互垂直的兩個方向上產(chǎn)生衍射 (圖中畫出一個方向上的1-7級衍射光)，經(jīng)過對準(zhǔn)標(biāo)記(工件臺基準(zhǔn)板或硅片)與對準(zhǔn)系統(tǒng)相對運動過程中，利用光電探測器204上的光電探測器陣列測量相互垂直的兩個方向上的衍射光束光強(qiáng)，具體地，所述光電探測器204設(shè)置在衍射光束收集透鏡組(遠(yuǎn)心光路)205 的頻譜面上。半透半反平板厚度和傾斜角度根據(jù)對準(zhǔn)標(biāo)記周期大小進(jìn)行設(shè)計，可以是幾種厚度和傾斜角的組合，以產(chǎn)生不同周期和方向的光學(xué)條紋，半透半反平板厚度和傾斜角度
滿足如下公式d =____
2h χ tan(arcsin ^ ) cos θ其中d為第二光學(xué)條紋周期，f為光學(xué)模塊焦距，λ為照明光束波長，N為半反半透平板的折射率，h為半反半透平板厚度，θ為半反半透平板相對照明光束所在平面的傾斜角度。例如當(dāng)需要產(chǎn)生周期為8um的干涉條紋時，半反半透平板傾斜角度為45度，半反半透平板折射率為1. 5，厚度為4mm (對應(yīng)透鏡組焦距為80mm，入射波長為633nm)。圖3所示為根據(jù)本發(fā)明的對準(zhǔn)系統(tǒng)的第二實施例的結(jié)構(gòu)示意圖。與圖2所示的第一實施例所用對準(zhǔn)系統(tǒng)結(jié)構(gòu)不同的是，在本方案中，所述光學(xué)條紋形成裝置為振幅光柵 302，利用振幅光柵302產(chǎn)生光學(xué)條紋，其具體結(jié)構(gòu)如圖4所示。振幅光柵302由水平向兩組不同周期的振幅光柵401、402和垂直向兩組不同周期的振幅光柵403、404組成。分別產(chǎn)生水平向光學(xué)條紋和垂直向光學(xué)條紋。圖5是本發(fā)明第一、第二實施例的對準(zhǔn)系統(tǒng)的探測器陣列示意圖，501為光電探測器固定架構(gòu)，502為光電探測器陣列，分為水平向和垂直向兩個方向排列，分別對應(yīng)對準(zhǔn)標(biāo)記兩個方向衍射光束+1、+3、+5、+7級，-1、-3、-5、-7級位置，放置在光學(xué)系統(tǒng)頻譜面位置上。圖6為本發(fā)明第一、第二實施例的對準(zhǔn)系統(tǒng)的對準(zhǔn)標(biāo)記結(jié)構(gòu)示意圖，由水平向兩組周期分別為例如17. 6um、16um的位相光柵601、602和垂直向兩組周期分別為例如 17. 6um、16um的位相光柵603、604組成。圖7為本發(fā)明第一、第二實施例的掃描信號經(jīng)過擬合后的形狀示意圖，分別對應(yīng)對準(zhǔn)標(biāo)記周期為17. 6um光柵1級衍射光掃描信號-對應(yīng)信號周期為8. Sum、周期為16um光柵1級衍射光掃描信號-對應(yīng)信號周期為8um、周期為16um光柵3級衍射光掃描信號-對應(yīng)信號周期為8. 3um、周期為16um光柵5級衍射光掃描信號-對應(yīng)信號周期為8. 5um、周期為16um光柵7級衍射光掃描信號-對應(yīng)信號周期為8. 7um。在進(jìn)行擬合后得到一個周期內(nèi)光強(qiáng)最大值時表示已經(jīng)對準(zhǔn)。需要說明的是，每個光掃描信號由對應(yīng)正負(fù)兩個光掃描信號相互矯正得到。根據(jù)本發(fā)明的對準(zhǔn)系統(tǒng)中，使光源出射的對準(zhǔn)光束相互垂直為本發(fā)明的最佳實施例，但是，本發(fā)明并不局限于這種實施方式，對準(zhǔn)光束之間可以具有不同的夾角，該夾角的大小與對準(zhǔn)標(biāo)記上的位相光柵之間的夾角相互對應(yīng)。本說明書中所述的只是本發(fā)明的幾種較佳具體實施例，以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案而非對本發(fā)明的限制。凡本領(lǐng)域技術(shù)人員依本發(fā)明的構(gòu)思通過邏輯分析、 推理或者有限的實驗可以得到的技術(shù)方案，皆應(yīng)在本發(fā)明的范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種對準(zhǔn)系統(tǒng)，包括光源模塊，提供對準(zhǔn)系統(tǒng)所需的對準(zhǔn)光束，所述對準(zhǔn)光束至少具有兩個傳播方向；光學(xué)條紋形成裝置，接收上述不同方向的對準(zhǔn)光束，形成第一光學(xué)條紋；光學(xué)模塊，接收上述第一光學(xué)條紋，形成具有和下述對準(zhǔn)標(biāo)記相同的周期和方向的第二光學(xué)條紋，并接收所述第二光學(xué)條紋照射到下述對準(zhǔn)標(biāo)標(biāo)記后形成的衍射光束；對準(zhǔn)標(biāo)記，具有一定的周期，至少向兩個方向排列，其能接收第二光學(xué)條紋，并使其發(fā)生衍射；光電探測器，設(shè)置在光學(xué)模塊和光學(xué)條紋形成裝置之間，接收并測量上述第二光學(xué)條紋經(jīng)上述對準(zhǔn)標(biāo)記衍射后的光束的強(qiáng)度，利用光強(qiáng)變化反映的位相信息確定對準(zhǔn)位置。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種對準(zhǔn)系統(tǒng)，其特征在于所述光學(xué)模塊為具有遠(yuǎn)心光路的透鏡結(jié)構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種對準(zhǔn)系統(tǒng)，其特征在于所述光電探測器設(shè)置在所述透鏡結(jié)構(gòu)的頻譜面上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種對準(zhǔn)系統(tǒng)，其特征在于所述光學(xué)條紋形成裝置為半透半反平板或振幅光柵。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種對準(zhǔn)系統(tǒng)，其特征在于所述半透半反平板厚度和傾斜角度滿足如下公式d=_L^2hx tan(arcsin —) cos θ其中d為第二光學(xué)條紋周期，f為光學(xué)模塊焦距，λ為照明光束波長，N為半反半透平板的折射率，h為半反半透平板厚度，θ為半反半透平板相對照明光束所在平面的傾斜角度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種對準(zhǔn)系統(tǒng)，其特征在于所述對準(zhǔn)光束具有兩個相互垂直的傳播方向。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種對準(zhǔn)系統(tǒng)，其特征在于所述對準(zhǔn)標(biāo)記具有至少一組相互垂直的相位光柵，光學(xué)條紋照射到對準(zhǔn)標(biāo)記上后在互相垂直的兩個方向上形成衍射光束，在對準(zhǔn)標(biāo)記與對準(zhǔn)系統(tǒng)相對運動的過程中，利用探測器陣列測量相互垂直的兩個方向上的衍射光束的強(qiáng)度，利用光強(qiáng)變化反映的位相信息確定對準(zhǔn)位置，當(dāng)光強(qiáng)最大時即為對準(zhǔn)位置。
8.根據(jù)權(quán)利要求1-7中任意一個所述的對準(zhǔn)系統(tǒng)，其特征在于所述衍射光束具有一個以上衍射級次，每個衍射級次對應(yīng)至少兩個相同的掃描信號，這兩個掃描信號相互矯正， 合并形成一個矯正后的掃描信號。
全文摘要
一種對準(zhǔn)系統(tǒng)，包括光源模塊，提供對準(zhǔn)系統(tǒng)所需的對準(zhǔn)光束，所述對準(zhǔn)光束至少具有兩個傳播方向；光學(xué)條紋形成裝置，接收上述不同方向的對準(zhǔn)光束，形成第一光學(xué)條紋；光學(xué)模塊，接收第一光學(xué)條紋，形成具有和下述對準(zhǔn)標(biāo)記相同的周期和方向的第二光學(xué)條紋，并接收所述第二光學(xué)條紋照射到下述對準(zhǔn)標(biāo)標(biāo)記后形成的衍射光束；對準(zhǔn)標(biāo)記，具有一定的周期，至少向兩個方向排列，其能接收第二光學(xué)條紋，并使其發(fā)生衍射；光電探測器，設(shè)置在光學(xué)模塊和光學(xué)條紋形成裝置之間，接收并測量上述衍射光束的強(qiáng)度，利用光強(qiáng)變化反映的位相信息確定對準(zhǔn)位置。
文檔編號G03F7/20GK102402140SQ201010286110
公開日2012年4月4日 申請日期2010年9月17日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月17日
發(fā)明者杜聚有 申請人:上海微電子裝備有限公司, 上海微高精密機(jī)械工程有限公司