專利名稱：：光學(xué)元件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及具有防反射功能的光學(xué)元件及其制造方法。具體涉及其中由凸部或凹部構(gòu)成的多個(gè)構(gòu)造體以小于等于可見光的波長(zhǎng)的細(xì)微節(jié)距在表面上配置多個(gè)的光學(xué)元件及其制造方法。
背景技術(shù)：
：目前在使用玻璃、塑料等透光性基板的光學(xué)元件上，有時(shí)為了防止光的表面反射而進(jìn)行表面處理。作為這種表面處理，有時(shí)在光學(xué)元件表面形成細(xì)微且致密的凹凸(蛾眼)(例如參考非專利文獻(xiàn)1)。一般在光學(xué)元件表面設(shè)置周期性的凹凸形狀的情況下，光透過該處時(shí)發(fā)生衍射，透過光的直進(jìn)成分大幅度減少。但是，凹凸形狀的節(jié)距在比透過光的波長(zhǎng)短的情況下不發(fā)生衍射，例如，使凹凸形狀為后述的矩形時(shí)，對(duì)與其節(jié)距或深度等對(duì)應(yīng)的單一波長(zhǎng)的光可得到有效的防止反射的效果。作為利用電子束曝光制造的蛾眼構(gòu)造體，披露了細(xì)微的帳篷狀的蛾眼構(gòu)造體(節(jié)距約300mm、深度約400mm)(例如參考非專利文獻(xiàn)2)。該蛾眼構(gòu)造體可得到反射率為以下的高性能防反射特性。作為利用光盤的原盤制造工藝和蝕刻工藝結(jié)合的方法制造的蛾眼構(gòu)造體，披露了吊鐘形和橢圓錐臺(tái)形狀的蛾眼構(gòu)造體(例如參考專利文獻(xiàn)1)。該構(gòu)造體可得到接近電子束曝光的防反射特性。非專利文獻(xiàn)1參考《光技術(shù)接觸》Vol.43，No.11(2005)，630-637非專利文獻(xiàn)2:NTT先進(jìn)技術(shù)株式會(huì)社，“無波長(zhǎng)依賴性的防反射體(蛾眼)用成型模具原盤”，[online]，[平成20年2月27日檢索]，網(wǎng)絡(luò)專利文獻(xiàn)1國(guó)際公開第08/023816號(hào)單行本上述的蛾眼構(gòu)造體由于使用通過在表面形成細(xì)微的凹凸使折射率階段性地發(fā)生變化來抑制反射的原理，因此如果指紋附著在構(gòu)造體上，則最好可通過干擦清除污漬。這是由于一旦指紋中含有的油成份等污漬填滿蛾眼構(gòu)造體的凹部，則不能抑制反射。一旦指紋附著在蛾眼構(gòu)造體上，則污漬按照指紋的模樣附著，之后附著的污漬通過毛細(xì)管現(xiàn)象滲入構(gòu)造體的凹部。如果在該狀態(tài)下進(jìn)行干擦，污漬只填滿凹部，因此凹凸形狀的反射抑制效果降低，反射率提高。利用氟等低表面能的物質(zhì)對(duì)表面進(jìn)行涂層，通過這樣可稍微抑制向構(gòu)造體凹部的滲透，但如果進(jìn)行干擦則不能防止向構(gòu)造體凹部的滲透。這是由于構(gòu)造體的凹部比干擦使用的纖維細(xì)，污漬遺留在凹部的力大于纖維吸收污漬的力。因此，本發(fā)明的目的是提供可擦拭指紋等污漬的光學(xué)元件及其制造方法。
發(fā)明內(nèi)容為了解決上述問題，本發(fā)明的第一方面提供了一種具有防反射功能的光學(xué)元件，包括具有表面的基體；以及以小于等于可見光的波長(zhǎng)的細(xì)微節(jié)距在所述基體的表面配置多個(gè)且由凸部或凹部構(gòu)成的多個(gè)構(gòu)造體，形成所述構(gòu)造體的材料的彈性模量大于等于IMPa小于等于1200MPa，所述構(gòu)造體的高寬比大于等于0.6小于等于1.5。本發(fā)明的第二方面提供了一種具有防反射特性的光學(xué)元件，包括以小于等于可見光的波長(zhǎng)的細(xì)微節(jié)距配置多個(gè)且由凸部構(gòu)成的多個(gè)構(gòu)造體，相鄰的構(gòu)造體的下部彼此接合，形成構(gòu)造體的材料的彈性模量大于等于IMPa小于等于1200MPa，構(gòu)造體的高寬比大于等于0.6小于等于1.5。本發(fā)明的第三方面提供了一種具有防反射功能的光學(xué)元件，包括具有表面的基體；以及以小于等于可見光的波長(zhǎng)的細(xì)微節(jié)距在所述基體的表面配置多個(gè)且由凸部或凹部構(gòu)成的多個(gè)構(gòu)造體，形成所述構(gòu)造體的材料的彈性模量大于等于IMPa小于等于1200MPa，所述構(gòu)造體的高寬比大于等于0.6小于等于5。在本發(fā)明中，優(yōu)選將主構(gòu)造體周期性地配置成四邊形格子狀或準(zhǔn)四邊形格子狀。這里的四邊形格子是指正四角形的格子。準(zhǔn)四邊形格子是指與正四角形的格子不同的變形了的正四角形的格子。例如，構(gòu)造體配置在直線上的情況下，準(zhǔn)四邊形格子是指使正四角形的格子在直線狀排列方向(軌跡方向)上伸展、變形后的四邊形格子。在構(gòu)造體蛇行排列的情況下，準(zhǔn)四邊形格子是指通過構(gòu)造體的蛇行排列使正四角形的格子變形后的四邊形格子。或指使正四角形的格子在直線狀排列方向(軌跡方向)上伸展、變形且通過構(gòu)造體的蛇行排列變形后的四邊形格子。在本發(fā)明中，優(yōu)選將構(gòu)造體周期性地配置成六邊形格子或準(zhǔn)六邊形格子。這里的六邊形格子是指正六角形的格子。準(zhǔn)六邊形格子是指與正六角形的格子不同的變形了的正六角形的格子。例如，構(gòu)造體配置在直線上的情況下，準(zhǔn)六邊形格子是指使正六角形的格子在直線狀排列方向(軌跡方向)上伸展、變形后的六邊形格子。構(gòu)造體蛇行排列的情況下，準(zhǔn)六邊形格子是指通過構(gòu)造體的蛇行排列使正六角形的格子變形后的六邊形格子。或指使正六角形的格子在直線狀排列方向(軌跡方向)上伸展、變形且通過構(gòu)造體的蛇行排列變形后的六邊形格子。在本發(fā)明中，橢圓不僅是數(shù)學(xué)定義的完全的橢圓，也包括稍微變形的橢圓。圓形不僅是數(shù)學(xué)定義的完全的圓形(真圓)，也包括稍微變形的圓形。在本發(fā)明中，優(yōu)選同一軌跡內(nèi)的構(gòu)造體的配置節(jié)距P1大于鄰接的兩個(gè)軌跡間的構(gòu)造體的配置節(jié)距P2。通過這樣，可提高具有橢圓錐或橢圓錐臺(tái)形狀的構(gòu)造體的填充率，因此可提高防反射特性。在本發(fā)明中，各構(gòu)造體在基體表面形成六邊形格子或準(zhǔn)六邊形格子的情況下，假設(shè)同一軌跡內(nèi)的構(gòu)造體的配置節(jié)距為P1，鄰接的兩個(gè)軌跡間的構(gòu)造體的配置節(jié)距為P2時(shí)，優(yōu)選比例P1/P2滿足1.00^P1/P2<1.1、或1.00<P1/P2^1.1的關(guān)系。通過形成在該數(shù)值范圍，可提高具有橢圓錐或橢圓錐臺(tái)形狀的構(gòu)造體的填充率，因此可提高防反射特性。在本發(fā)明中，各構(gòu)造體在基體表面形成六邊形格子或準(zhǔn)六邊形格子的情況下，優(yōu)選各構(gòu)造體是在軌跡的延伸方向具有長(zhǎng)軸方向、中央部的傾斜度大于頂端部和底部的傾斜度地形成的橢圓錐或橢圓錐臺(tái)形狀。通過形成這種形狀，可提高防反射特性和透過性能。在本發(fā)明中，各構(gòu)造體在基體表面形成六邊形格子或準(zhǔn)六邊形格子的情況下，優(yōu)選軌跡延伸方向的構(gòu)造體的高度或深度小于軌跡的列方向的構(gòu)造體的高度或深度。如果不滿足這樣的關(guān)系，必須加大軌跡延伸方向的配置節(jié)距，因此軌跡延伸方向的構(gòu)造體的填充率降低。一旦填充率降低將導(dǎo)致反射特性降低。在本發(fā)明中，各構(gòu)造體在基體表面形成四邊形格子圖案或準(zhǔn)四邊形格子圖案的情況下，優(yōu)選同一軌跡內(nèi)的構(gòu)造體的配置節(jié)距P1大于鄰接的兩個(gè)軌跡間的構(gòu)造體的配置節(jié)距P2。通過這樣，可提高具有橢圓錐或橢圓錐臺(tái)形狀的構(gòu)造體的填充率，因此可提高防反射特性。各構(gòu)造體在基體表面形成四邊形格子圖案或準(zhǔn)四邊形格子圖案的情況下，假設(shè)同一軌跡內(nèi)的構(gòu)造體的配置節(jié)距為P1，鄰接的兩個(gè)軌跡間的構(gòu)造體的配置節(jié)距為P2時(shí)，優(yōu)選比例P1/P2滿足1.4<P1/P2≤1.5的關(guān)系。通過形成在該數(shù)值范圍，可提高具有橢圓錐或橢圓錐臺(tái)形狀的構(gòu)造體的填充率，因此可提高防反射特性。各構(gòu)造體在基體表面形成四邊形格子或準(zhǔn)四邊形格子的情況下，優(yōu)選各構(gòu)造體是在軌跡的延伸方向具有長(zhǎng)軸方向、中央部的傾斜度大于頂端部和底部的傾斜度地形成的橢圓錐或橢圓錐臺(tái)形狀。通過形成這種形狀，可提高防反射特性和透過性能。構(gòu)造體在基體表面形成四邊形格子或準(zhǔn)四邊形格子的情況下，優(yōu)選相對(duì)于軌跡的45度方向或大約45度方向的構(gòu)造體的高度或深度小于軌跡的列方向的構(gòu)造體的高度或深度。如果不滿足這樣的關(guān)系，必須加大在相對(duì)于軌跡的45度方向或大約45度方向上的配置節(jié)距，因此在相對(duì)于軌跡的45度方向或大約45度方向上的構(gòu)造體的填充率降低。一旦填充率降低將導(dǎo)致反射特性降低。在本發(fā)明中，以細(xì)微的節(jié)距在基體表面設(shè)置了多個(gè)的構(gòu)造體優(yōu)選形成多列軌跡，并且在鄰接的三列軌跡間形成六邊形格子圖案、準(zhǔn)六邊形格子圖案、四邊形格子圖案或準(zhǔn)四邊形格子圖案。通過這樣可提高表面上的構(gòu)造體的填充密度，通過這樣可提高可見光的防反射效率，得到防反射特性好、透過率高的光學(xué)元件。在本發(fā)明中，優(yōu)選利用光盤的原盤制造工藝和蝕刻工藝結(jié)合的方法制造光學(xué)元件。可在短時(shí)間內(nèi)高效率地制造光學(xué)元件制造用原盤，并且可應(yīng)對(duì)基體的大型化，通過這樣可提高光學(xué)元件的生產(chǎn)效率。并且，如果不僅在光入射面而且在光出射面也設(shè)置了構(gòu)造體的細(xì)微排列，可進(jìn)一步提高透過特性。在本發(fā)明中，由于使形成構(gòu)造體的材料的彈性模量大于等于IMPa小于等于1200MPa，使構(gòu)造體的高寬比大于等于0.6小于等于1.5，因此在擦拭時(shí)構(gòu)造體變形，鄰接的構(gòu)造體彼此接觸。通過這樣擠出滲入構(gòu)造體之間的污漬。如上所述，根據(jù)本發(fā)明，可擦拭附著在光學(xué)元件表面的指紋等污漬。圖1A是本發(fā)明的第一實(shí)施方式的光學(xué)元件的構(gòu)成例的簡(jiǎn)要平面圖，圖1B是圖1A所示的光學(xué)元件的一部分的放大平面圖，圖1C是圖1B的軌跡T1、T3、…上的剖視圖，圖1D是圖1B的軌跡T2、T4、…上的剖視圖，圖1E是與圖1B的軌跡T1、T3、…對(duì)應(yīng)的潛像形成用激光的調(diào)制波形的略線圖，圖1F是與圖1B的軌跡T2、T4、…對(duì)應(yīng)的潛像形成用激光的調(diào)制波形的略線圖2是圖1A所示的光學(xué)元件的部分放大立體圖；圖3A是圖1A所示的光學(xué)元件的軌跡延伸方向的剖視圖，圖3B是圖1A所示的光學(xué)元件1的e方向的剖視圖；圖4是圖1A所示的光學(xué)元件1的部分放大立體圖；圖5是圖1A所示的光學(xué)元件1的部分放大立體圖；圖6是圖1A所示的光學(xué)元件1的部分放大立體圖；圖7是構(gòu)造體的界限不清楚時(shí)構(gòu)造體底面的設(shè)定方法的說明圖；圖8A至圖8D是使構(gòu)造體底面的橢圓率進(jìn)行變化時(shí)的底面形狀圖；圖9A是具有圓錐形或圓錐臺(tái)形的構(gòu)造體的配置例圖，圖9B是具有橢圓錐形或橢圓錐臺(tái)形的構(gòu)造體3的配置例圖；圖10A是用于制造光學(xué)元件的輥母版的結(jié)構(gòu)例的立體圖，圖10B是用于制造光學(xué)元件的輥母版的結(jié)構(gòu)例的平面圖；圖11是輥原盤曝光裝置的構(gòu)成例的簡(jiǎn)圖；圖12A至圖12C是說明本發(fā)明的第一實(shí)施方式的光學(xué)元件的制造方法的步驟圖；圖13A至圖13C是說明本發(fā)明的第一實(shí)施方式的光學(xué)元件的制造方法的步驟圖；圖14A至圖14C是說明污漬附著在光學(xué)元件的表面時(shí)進(jìn)行清除的略線圖；圖15A是本發(fā)明的第二實(shí)施方式的光學(xué)元件的構(gòu)成例的簡(jiǎn)要平面圖，圖15B是圖15A所示的光學(xué)元件的一部分的放大平面圖，圖15C是圖15B的軌跡Tl、T3、…上的剖視圖，圖15D是圖15B的軌跡T2、T4、…上的剖視圖，圖15E是與圖15B的軌跡Tl、T3、…對(duì)應(yīng)的潛像形成用激光的調(diào)制波形的略線圖，圖15F是與圖15B的軌跡T2、T4、…對(duì)應(yīng)的潛像形成用激光的調(diào)制波形的略線圖；圖16是使構(gòu)造體底面的橢圓率進(jìn)行變化時(shí)的底面形狀圖；圖17A是用于制造光學(xué)元件的輥母版的結(jié)構(gòu)例的立體圖，圖17B是用于制造光學(xué)元件的輥母版的結(jié)構(gòu)例的平面圖；圖18A是本發(fā)明的第三實(shí)施方式的光學(xué)元件的構(gòu)成例的簡(jiǎn)要平面圖，圖18B是圖18A所示的光學(xué)元件的一部分的放大平面圖，圖18C是圖18B的軌跡Tl、T3、…上的剖視圖，圖18D是圖18B的軌跡T2、T4、…上的剖視圖；圖19A是用于制造光學(xué)元件的光盤母版的結(jié)構(gòu)例的平面圖。圖19B是圖19A所示的光盤母版的部分放大平面圖；圖20是光盤原盤曝光裝置的構(gòu)成例的簡(jiǎn)圖；圖21A是本發(fā)明的第四實(shí)施方式的光學(xué)元件的構(gòu)成例的簡(jiǎn)要平面圖，圖21B是圖21A所示的光學(xué)元件的一部分的放大平面圖；圖22A是本發(fā)明的第五實(shí)施方式的光學(xué)元件的構(gòu)成例的簡(jiǎn)要平面圖，圖22B是圖22k所示的光學(xué)元件的一部分的放大平面圖，圖22C是圖22B的軌跡Tl、T3、…上的剖視圖，圖22D是圖22B的軌跡T2、T4、…上的剖視圖；圖23是圖22A所示的光學(xué)元件的部分放大立體圖；圖24是本發(fā)明的第六實(shí)施方式的光學(xué)元件的構(gòu)成例的剖視圖；圖25是本發(fā)明的第八實(shí)施方式的液晶顯示裝置的構(gòu)成例；圖26是本發(fā)明的第九實(shí)施方式的液晶顯示裝置的構(gòu)成例；圖27A是將構(gòu)造體排列成六邊形格子形時(shí)的填充率的說明圖，圖27B是將構(gòu)造體排列成四邊形格子形時(shí)的填充率的說明圖；圖28是試驗(yàn)例3的模擬試驗(yàn)結(jié)果圖；圖29是本發(fā)明的第七實(shí)施方式的光學(xué)元件的構(gòu)成例的剖視圖；圖30A是本發(fā)明的第十實(shí)施方式的光學(xué)元件1的第一例的剖視圖，圖30B是本發(fā)明的第十實(shí)施方式的光學(xué)元件1的第二例的剖視圖，圖30C是本發(fā)明的第十實(shí)施方式的光學(xué)元件1的第三例的剖視圖；圖31A至圖31C是說明柔軟性光學(xué)元件的作用的示意圖；圖32A至圖32C是說明非柔軟性光學(xué)元件的作用的示意圖；圖33A是試樣7-1至7_4的光學(xué)元件的劃痕試驗(yàn)結(jié)果圖，圖33B是試樣8_2至8_6的光學(xué)元件的劃痕試驗(yàn)結(jié)果圖；圖34A是試樣9-1至9_3的光學(xué)元件的劃痕試驗(yàn)結(jié)果圖，圖34B是試樣10_2至10-7的光學(xué)元件的劃痕試驗(yàn)的結(jié)果圖；圖35是用于說明模擬試驗(yàn)的光學(xué)薄膜設(shè)定條件的示意圖；圖36A是試驗(yàn)例3-1至3_10的模擬試驗(yàn)結(jié)果圖，圖36B是試驗(yàn)例4_1至4_4、試驗(yàn)例5-1至5-4、試驗(yàn)例6-1至6-4的模擬試驗(yàn)結(jié)果圖；圖37是用于說明模擬試驗(yàn)的光學(xué)元件設(shè)定條件的示意圖；圖38A是試驗(yàn)例8的模擬試驗(yàn)結(jié)果圖，圖38B是試驗(yàn)例9的模擬試驗(yàn)結(jié)果圖；以及圖39是試驗(yàn)例10-1至10-8的模擬試驗(yàn)結(jié)果圖。具體實(shí)施例方式為了解決上述現(xiàn)有的技術(shù)問題，經(jīng)過深入研究形成了本發(fā)明，以下就其概要進(jìn)行說明。本發(fā)明者們經(jīng)過深入研究，發(fā)現(xiàn)通過使形成構(gòu)造體的材料具有彈力，在進(jìn)行擦拭時(shí)構(gòu)造體變形，滲入構(gòu)造體之間的污漬被擠出，可清除例如平坦膜上的接觸角為90度以下的物質(zhì)。為了發(fā)生變形擠出滲入構(gòu)造體之間的污漬，鄰接的構(gòu)造體之間必須進(jìn)行接觸。為了使構(gòu)造體變形，消除構(gòu)造體之間的空間，形成構(gòu)造體的材料的彈性模量和構(gòu)造體的高寬比非常重要。因此，本發(fā)明者們利用實(shí)驗(yàn)進(jìn)行了深入研究，發(fā)現(xiàn)如果彈性模量和高寬比在規(guī)定的范圍，就可清除污漬。如果認(rèn)為使構(gòu)造體變形即可，則可認(rèn)為即使是彈性模量高的材料，如果提高擦拭時(shí)的壓力，原理上是可進(jìn)行擦拭的。但如果是無彈性的材料，如果以使構(gòu)造體變形的壓力進(jìn)行擦拭，則構(gòu)造體會(huì)折斷或塑性變形。其結(jié)果，擦拭后的反射率反而比指紋附著前的反射率高。本發(fā)明中的“可干擦”是指在利用一般的擦拭方法清除污漬時(shí)，指紋附著前與指紋附著后的反射率一致或幾乎一致。以下參照附圖按照以下順序就本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說明。1.第一實(shí)施方式(將構(gòu)造體二維排列成直線狀且六邊形格子狀的示例參考圖1)2.第二實(shí)施方式(將構(gòu)造體二維排列成直線狀且四邊形格子狀的示例參考圖15)3.第三實(shí)施方式(將構(gòu)造體二維排列成圓弧狀且六邊形格子狀的示例參考圖18)4.第四實(shí)施方式(蛇行排列構(gòu)造體的示例參考圖21)5.第五實(shí)施方式(在基體表面形成凹形構(gòu)造體的示例參考圖22)6.第六實(shí)施方式(設(shè)置表面處理層的示例參考圖24)7.第七實(shí)施方式(無基體的光學(xué)元件的示例參考圖29)8.第八實(shí)施方式(對(duì)顯示裝置的第一應(yīng)用例參考圖25)9.第九實(shí)施方式(對(duì)顯示裝置的第二應(yīng)用例參考圖26)10.第十實(shí)施方式(基體和構(gòu)造體二者具有柔軟性的示例)<1.第一實(shí)施方式>[光學(xué)元件的構(gòu)成]圖1A是本發(fā)明的第一實(shí)施方式的光學(xué)元件的構(gòu)成例的簡(jiǎn)要平面圖。圖1B是圖1A所示的光學(xué)元件的一部分的放大平面圖。圖1C是圖1B的軌跡T1、T3、…上的剖視圖。圖1D是圖1B的軌跡T2、T4、…上的剖視圖。圖1E是與圖1B的軌跡Tl、T3、…對(duì)應(yīng)的潛像形成用激光的調(diào)制波形的略線圖。圖1F是與圖1B的軌跡T2、T4、…對(duì)應(yīng)的潛像形成用激光的調(diào)制波形的略線圖。圖2、圖4至圖6是圖1A所示的光學(xué)元件1的部分放大立體圖。圖3A是圖1A所示的光學(xué)元件的軌跡延伸方向(X方向(以下也適當(dāng)?shù)胤Q為軌跡方向))的剖視圖。圖3B是圖1A所示的光學(xué)元件的0方向的剖視圖。光學(xué)元件1例如是具有相應(yīng)于入射光的入射角的防反射效果的光學(xué)片(亞波長(zhǎng)構(gòu)造體)。該光學(xué)元件1適合用于具有不同波帶的光學(xué)儀器(例如照相機(jī)等光學(xué)儀器)、顯示屏、光學(xué)電子產(chǎn)品以及望遠(yuǎn)鏡等各種光學(xué)器件。光學(xué)元件1包括具有主表面的基體2和以減少反射為目的、以小于等于光的波長(zhǎng)的細(xì)微節(jié)距設(shè)置在主表面上的凸部即多個(gè)構(gòu)造體3。該光學(xué)元件1對(duì)于向圖2的-Z方向透過基體2的光具有防止在構(gòu)造體3和其周圍的空氣的界面上的反射的功能。以下依次就光學(xué)元件1具有的基體2和構(gòu)造體3進(jìn)行說明。(基體)基體2例如是具有透明性的透明基體?；w2的材料例如是以聚碳酸酯(PC)或聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)等透明合成樹脂、玻璃等為主要成分的材料，但不局限于這些材料?；w2的形狀例如是片狀、板狀、塊狀，但不局限于這些形狀。這里將片材定義為包括薄膜。在照相機(jī)等光學(xué)儀器上，最好按照需要規(guī)定的防反射特性的部分的形狀等適當(dāng)選擇基體2的形狀。(構(gòu)造體)在基體2的表面排列多個(gè)凸部即構(gòu)造體3。以減少反射為目的的、以在光的波帶以下的短的配置節(jié)距例如與可見光的波長(zhǎng)相同的配置節(jié)距周期性地二維配置該構(gòu)造體3。這里的配置節(jié)距是指配置節(jié)距P1和配置節(jié)距P2。以減少反射為目的的光的波帶例如是紫外線的波帶、可見光的波帶或紅外線的波帶。這里的紫外線的波帶是指lOnm360nm的波帶，可見光的波帶是指360nm830nm的波帶，紅外線的波帶是指830nm1mm的波帶。具體地，配置節(jié)距優(yōu)選大于等于175nm小于等于350nm。如果配置節(jié)距不到175nm，則具有難以制造構(gòu)造體3的趨勢(shì)。而如果配置節(jié)距超過350nm，則有產(chǎn)生可見光衍射的趨勢(shì)。光學(xué)元件1的各構(gòu)造體3具有在基體2的表面形成多列軌跡Tl、T2、T3、…(以下總稱為“軌跡T”)的配置方式。在本發(fā)明中，軌跡是指構(gòu)造體3形成列，連接成直線狀的部分。并且，列方向是指在基體2的形成面上，與軌跡的延伸方向(X方向)正交的方向。構(gòu)造體3在鄰接的兩個(gè)軌跡T之間配置在錯(cuò)開半個(gè)節(jié)距的位置。具體地，在鄰接的兩個(gè)軌跡T之間，在排列在一個(gè)軌跡(例如T1)的構(gòu)造體3的中間位置(錯(cuò)開半個(gè)節(jié)距的位置)配置另一個(gè)軌跡(例如T2)的構(gòu)造體3。因此，如圖1B所示，在鄰接的三列軌跡(T1T3)之間配置構(gòu)造體3，形成構(gòu)造體3的中心位于ala7的各點(diǎn)上的六邊形格子圖案或準(zhǔn)六邊形格子圖案。在該第一實(shí)施方式中，六邊形格子圖案是指正六角形的格子圖案。并且，準(zhǔn)六邊形格子圖案是指與正六角形的格子圖案不同的、向軌跡的延伸方向(X軸方向)伸展、變形后的六邊形格子圖案。以形成準(zhǔn)六邊形格子圖案的方式配置了構(gòu)造體3的情況下，如圖1B所示，優(yōu)選同一軌跡(例如T1)內(nèi)的構(gòu)造體3的配置節(jié)距PI(ala2節(jié)距離)大于鄰接的兩個(gè)軌跡(例如T1和T2)間的構(gòu)造體3的配置節(jié)距、即相對(duì)于軌跡的延伸方向士9方向上的構(gòu)造體3的配置節(jié)距P2(例如al與a7之間的距離、a2與a7之間的距離)。通過這樣配置構(gòu)造體3，可進(jìn)一步提高構(gòu)造體3的填充密度。從成型容易的觀點(diǎn)出發(fā)，構(gòu)造體3優(yōu)選具有錐體形狀或使錐體形狀向軌跡方向延伸或收縮的錐體形狀。構(gòu)造體3優(yōu)選具有軸對(duì)稱的錐體形狀或使錐體形狀向軌跡方向延伸或收縮的錐體形狀。如果與鄰接的構(gòu)造體3接合，構(gòu)造體3除了與鄰接的構(gòu)造體3接合的下部以外優(yōu)選具有軸對(duì)稱的錐體形狀或使錐體形狀向軌跡方向延伸或收縮的錐體形狀。錐體形狀例如是圓錐形狀、圓錐臺(tái)形狀、橢圓錐形狀、橢圓錐臺(tái)形狀、多角錐形狀(例如三角錐形狀、四角錐形狀、五角錐形狀等)、多角錐臺(tái)形狀等。如上所述，這里的錐體形狀的概念除了圓錐形狀、圓錐臺(tái)形狀以及多角錐形狀以外還包括橢圓錐形狀、橢圓錐臺(tái)形狀以及多角錐臺(tái)形狀。并且，圓錐臺(tái)形狀是指切掉了圓錐形狀的頂部的形狀，橢圓錐臺(tái)形狀是指切掉了橢圓錐的頂部的形狀。多角錐臺(tái)形狀是指切掉了多角錐的頂部的形狀。并且，構(gòu)造體3的形狀不局限于上述形狀，可采用針形、圓柱形、圓頂形、帳篷狀等形狀。這里的帳篷狀是指使多角錐或多角錐臺(tái)的錐面凹陷成凹狀的形狀。如圖2和圖4所示，構(gòu)造體3優(yōu)選底面是具有長(zhǎng)軸和短軸的橢圓形、長(zhǎng)圓形或卵形的錐體結(jié)構(gòu)，頂部是曲面的橢圓錐形狀?；蛉鐖D5所示，優(yōu)選底面是具有長(zhǎng)軸和短軸的橢圓形、長(zhǎng)圓形或卵形的錐體結(jié)構(gòu)，頂部是平坦的橢圓錐臺(tái)形狀。一旦形成這樣的形狀，可提高列方向的填充率。從提高反射特性的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選是頂部的傾斜度小、從中間部起向著底部?jī)A斜度逐漸變大的錐體形狀(參考圖4)。并且，從提高反射特性和透過特性的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選形成中間部的傾斜度比底部和頂部大的錐形形狀(參考圖2)或頂部是平坦的錐體形狀(參考圖5)。如果構(gòu)造體3具有橢圓錐形狀或橢圓錐臺(tái)形狀，則優(yōu)選其底面的長(zhǎng)軸方向與軌跡的延伸方向平行。在圖2等中，各構(gòu)造體3分別具有相同的形狀，但構(gòu)造體3的形狀不局限于此，也可在基體表面形成兩種以上形狀的構(gòu)造體3。并且構(gòu)造體3也可與基體2形成一體。如圖2、圖4至圖6所示，優(yōu)選在構(gòu)造體3周圍的一部分或全部上設(shè)置突出部4。通過這樣，即使構(gòu)造體3的填充率低，也可降低反射率。具體是如圖2、圖4和圖5所示，例如在相鄰的構(gòu)造體3之間設(shè)置突出部4。并且，如圖6所示，也可將細(xì)長(zhǎng)的突出部4設(shè)置在構(gòu)造體3周圍的全部或一部分上。該細(xì)長(zhǎng)的突出部4例如從構(gòu)造體3的頂部向著下部伸長(zhǎng)。突出部4的形狀可以是截面三角形和截面四角形等，但不局限于這些形狀，可根據(jù)成形的難易程度進(jìn)行選擇。并且，也可使構(gòu)造體3周圍的一部分或全部變粗糙，形成細(xì)微的凹凸。具體是例如可使相鄰的構(gòu)造體3之間的表面變粗糙，形成細(xì)微的凹凸。并且，也可在構(gòu)造體3的表面例如頂部形成微小的孔。構(gòu)造體3不局限于圖示的凸部形狀，也可用形成在基體2表面的凹部構(gòu)成。對(duì)構(gòu)造體3的高度沒有特別限制，例如是420nm左右，具體是415nm421nm。在將構(gòu)造體3形成凹部形狀的情況下，上述高度成為構(gòu)造體3的深度。軌跡的延伸方向上的構(gòu)造體3的高度HI優(yōu)選小于列方向上的構(gòu)造體3的高度H2。即構(gòu)造體3的高度HI、H2優(yōu)選滿足HI<H2的關(guān)系。這是因?yàn)槿绻麨榱藵M足HI彡H2的關(guān)系而排列構(gòu)造體3，則需要增加軌跡的延伸方向的配置節(jié)距P1，因此軌跡的延伸方向上的構(gòu)造體3的填充率降低。如果填充率降低，將導(dǎo)致反射特性降低。另外，構(gòu)造體3的高寬比不局限于全部相同的情況，也可使各構(gòu)造體3具有一定的高度分布(例如高寬比在0.831.46的范圍)。通過設(shè)置具有高度分布的構(gòu)造體3，可降低反射特性的波長(zhǎng)依賴性。因此可實(shí)現(xiàn)具有良好的防反射特性的光學(xué)元件。這里的高度分布是指具有兩種以上高度(深度)的構(gòu)造體3設(shè)置在基體2的表面。即，是指具有作為基準(zhǔn)的高度的構(gòu)造體3和具有與該構(gòu)造體3不同高度的構(gòu)造體3設(shè)置在基體2的表面。具有與基準(zhǔn)不同高度的構(gòu)造體3例如周期性地或非周期性地(任意地)設(shè)置在基體2的表面。作為其周期性的方向例如是軌跡的延伸方向、列方向等。優(yōu)選在構(gòu)造體3的周邊部設(shè)置裙?fàn)畈?a。這是為了在光學(xué)元件的制造步驟中可容易將光學(xué)元件與模具等剝離。這里的裙?fàn)畈?a是指設(shè)置在構(gòu)造體3的底部的周邊部的突出部。從上述剝離特性的角度來看，該裙?fàn)畈?a優(yōu)選從構(gòu)造體3的頂部向著下部的方向具有高度平緩降低的曲面。另外，裙?fàn)畈?a可只設(shè)置在構(gòu)造體3的周邊部的一部分上，但為了提高上述剝離性能，優(yōu)選設(shè)置在構(gòu)造體3的整個(gè)周邊部。并且，構(gòu)造體3是凹部的情況下，裙?fàn)畈砍蔀樵O(shè)置在構(gòu)造體3即凹部的開口周邊的曲面。對(duì)構(gòu)造體3的高度(深度)沒有特別限制，可根據(jù)透過的光的波長(zhǎng)范圍適當(dāng)?shù)卦O(shè)定，例如設(shè)定在236nm450nm左右的范圍。構(gòu)造體3的高寬比(高度/配置節(jié)距)是大于等于0.6小于等于1.5，優(yōu)選大于等于0.81小于等于1.46，進(jìn)一步優(yōu)選大于等于0.94小于等于1.28的范圍。如果不到0.6，則具有反射特性和透過性能降低的趨勢(shì)，如果超過1.5，則具有在制造光學(xué)元件時(shí)構(gòu)造體3的剝離性能降低且不能漂亮地復(fù)制副本的趨勢(shì)。并且，從進(jìn)一步提高反射特性的觀點(diǎn)出發(fā)，構(gòu)造體3的高寬比優(yōu)選設(shè)定在0.941.46的范圍。為了進(jìn)一步提高透過性能，構(gòu)造體3的高寬比優(yōu)選設(shè)定在0.811.28的范圍。并且，構(gòu)造體3的高寬比(高度/配置節(jié)距)是優(yōu)選在大于等于0.6小于等于5，進(jìn)一步優(yōu)選大于等于0.6小于等于4的范圍。如果不到0.6，則具有反射特性和透過性能降低的趨勢(shì)，當(dāng)超過5時(shí)，則如果進(jìn)行提高脫模性的處理，例如在原盤上實(shí)施氟涂層等或作為轉(zhuǎn)印樹脂添加硅類添加材料或氟類添加材料等，也具有轉(zhuǎn)印性降低的趨勢(shì)。并且，如果高寬比超過4，則光反射比并沒有大的變化，因此為了提高光反射比和容易脫模，優(yōu)選使高寬比小于等于4。形成構(gòu)造體3的材料的彈性模量大于等于IMPa小于等于1200MPa。如果不到IMPa，則在轉(zhuǎn)印步驟中鄰接的構(gòu)造體彼此附著，構(gòu)造體3的形狀成為與所需形狀不同的形狀，不能得到所需要的反射特性。如果超過1200MPa，則在擦拭時(shí)鄰接的構(gòu)造體之間不容易接觸，不能擠出滲入構(gòu)造體之間的污漬等。另外，在本發(fā)明中，通過以下公式(1)定義高寬比。高寬比=H/P'"(1)其中，H:構(gòu)造體的高度，P:平均配置節(jié)距(平均周期)這里通過下式(2)定義平均配置節(jié)距P。平均配置節(jié)距P=(P1+P2+P2)/3…(2)其中，P1軌跡的延伸方向的配置節(jié)距(軌跡延伸方向周期)，P2相對(duì)于軌跡的延伸方向士e方向(其中，e=60°-s，其中，5優(yōu)選為0°<8^ii°，進(jìn)一步優(yōu)選3°^8)的配置節(jié)距(e方向周期)并且，將構(gòu)造體3的列方向的高度作為構(gòu)造體3的高度H。構(gòu)造體3的軌跡延長(zhǎng)方向(X方向)的高度小于列方向(Y方向)的高度，并且構(gòu)造體3的軌跡延長(zhǎng)方向以外的部分的高度與列方向的高度幾乎相同，因此用列方向的高度代表亞波長(zhǎng)構(gòu)造體的高度。其中，構(gòu)造體3是凹部的情況下，上述式(1)中的構(gòu)造體的高度H成為構(gòu)造體的深度H。假設(shè)同一軌跡內(nèi)的構(gòu)造體3的配置節(jié)距為P1，鄰接的兩個(gè)軌跡間的構(gòu)造體3的配置節(jié)距為P2時(shí)，比例P1/P2優(yōu)選滿足1.00≤P1/P2≤1.1或1.00≤P1/P2≤1.1的關(guān)系。通過在該數(shù)值范圍，可提高具有橢圓錐或橢圓錐臺(tái)形狀的構(gòu)造體的填充率，因此可提高防反射特性?；w表面的構(gòu)造體3的填充率以100%為上限且大于等于65%，優(yōu)選大于等于73%，進(jìn)一步優(yōu)選86%的范圍內(nèi)。通過將填充率形成在該范圍，可提高防反射特性。為了提高填充率，優(yōu)選將鄰接的構(gòu)造體3的下部彼此接合或調(diào)整構(gòu)造體底面的橢圓率等使構(gòu)造體3變形。在此，構(gòu)造體3的填充率(平均填充率)是如下求出的值。首先，使用掃描式電子顯微鏡(SEMScanningElectronMicroscope)用TopView拍攝光學(xué)元件1的表面。然后從所拍攝的SEM照片中任意抽出單位格子Uc，測(cè)量該單位格子Uc的配置節(jié)距P1和軌跡節(jié)距Tp(參考圖1B)。并且，通過圖像處理測(cè)量位于該單位格子Uc中間的構(gòu)造體3的底面面積S。然后，利用測(cè)量的配置節(jié)距P1、軌跡節(jié)距Tp以及底面面積S通過下式(3)求出填充率。填充率=(S(hex.)/S(unit))X100—(3)單位格子面積S(unit)=P2X2Tp存在于單位格子內(nèi)的構(gòu)造體的底面面積S(hex.)=2S對(duì)從拍攝的SEM照片中任意抽出的十處的單位格子進(jìn)行上述的填充率計(jì)算處理。然后簡(jiǎn)單地將測(cè)量值進(jìn)行平均(算術(shù)平均數(shù))求出填充率的平均率，將其作為基體表面的構(gòu)造體3的填充率。構(gòu)造體3重疊時(shí)或構(gòu)造體3之間具有突出部4等副構(gòu)造體時(shí)的填充率可通過以下方法求出，即將與構(gòu)造體3的高度的5%對(duì)應(yīng)的部分作為閾值來判斷面積比。圖7是構(gòu)造體3的界限不清楚時(shí)填充率的計(jì)算方法的說明圖。構(gòu)造體3的界限不清楚時(shí)，通過剖面SEM觀察，如圖7所示，將相當(dāng)于構(gòu)造體3高度h的5%(=(d/h)X100)的部分作為閾值，用該高度d換算出構(gòu)造體3的直徑求出填充率。構(gòu)造體3的底面是橢圓的情況下，利用長(zhǎng)軸和短軸進(jìn)行同樣的處理。圖8是使構(gòu)造體3的底面的橢圓率進(jìn)行變化時(shí)的底面形狀的圖。圖8A至圖8D所示橢圓的橢圓率分別為100%、110%、120%和141%。通過這樣改變橢圓率，可使基體表面的構(gòu)造體3的填充率進(jìn)行變化。如果構(gòu)造體3形成準(zhǔn)六邊形格子圖案，則構(gòu)造體底面的橢圓率e優(yōu)選為100%<e<150%。通過形成在該范圍，可提高構(gòu)造體3的填充率，得到良好的防反射特性。這里，假設(shè)構(gòu)造體底面的軌跡方向(X方向)的直徑為a，與其正交的列方向(Y方向)的直徑為b時(shí)，利用(a/b)X100定義橢圓率e。另外，構(gòu)造體3的直徑a、b是如下所述地求出的值。使用掃描式電子顯微鏡(SEM:ScanningElectronMicroscope)用TopView拍攝光學(xué)元件1的表面，從所拍攝的SEM照片中任意抽出十個(gè)構(gòu)造體3。然后測(cè)量所抽出的構(gòu)造體3的各底面直徑a、b。簡(jiǎn)單地將測(cè)量值a、b進(jìn)行平均(算術(shù)平均數(shù))，求出直徑a、b的平均值，作為構(gòu)造體3的直徑a、b。圖9A是具有圓錐形或圓錐臺(tái)形的構(gòu)造體3的配置例圖。圖9B是具有橢圓錐形或橢圓錐臺(tái)形的構(gòu)造體3的配置例圖。如圖9A和圖9B所示，構(gòu)造體3優(yōu)選以其下部彼此重疊的方式接合。具體地，構(gòu)造體3的下部?jī)?yōu)選與處于鄰接關(guān)系中的構(gòu)造體3的一部分或全部的下部接合。更具體地，優(yōu)選在軌跡方向、在e方向或在兩個(gè)方向上構(gòu)造體3的下部彼此接合。圖9A、9B示出了處于鄰接關(guān)系中的構(gòu)造體3的所有下部接合的示例。通過這樣接合構(gòu)造體3，可提高構(gòu)造體3的填充率。優(yōu)選根據(jù)考慮了折射率的光路長(zhǎng)度在使用環(huán)境下的光的波段最大值的1/4以下的部分將構(gòu)造體相互接合。這樣，得到良好的防反射特性。如圖9B所示，在具有橢圓錐形或橢圓錐臺(tái)形的構(gòu)造體3下部彼此接合的情況下，接合部的高度例如按照接合部a、b、c的順序變淺。直徑2r與配置節(jié)距P1的比例((2r/Pl)X100)大于等于85%，優(yōu)選大于等于90%，進(jìn)一步優(yōu)選大于等于95%。通過設(shè)定在這樣的范圍，可提高構(gòu)造體3的填充率，提高防反射特性。如果比例((2r/Pl)X100)增大，構(gòu)造體3的重疊過大，則具有防反射特性降低的趨勢(shì)。因此，優(yōu)選設(shè)定比例((2r/Pl)X100)的上限值，根據(jù)考慮了折射率的光路長(zhǎng)度在使用環(huán)境下的光的波段最大值的1/4以下的部分將構(gòu)造體相互接合。這里，配置節(jié)距P1是構(gòu)造體3的軌跡方向的配置節(jié)距，直徑2r是構(gòu)造體底面的軌跡方向的直徑。另外，如果構(gòu)造體底面是圓形，則直徑2r為直徑，如果構(gòu)造體底面是橢圓形，直徑2r則為長(zhǎng)徑。[輥母版的結(jié)構(gòu)]圖10是用于制造具有上述結(jié)構(gòu)的光學(xué)元件的輥母版的結(jié)構(gòu)示例。如圖10所示，輥母版11例如具有以下結(jié)構(gòu)，即，以與可見光等光的波長(zhǎng)同等程度的節(jié)距在原盤12的表面設(shè)置多個(gè)凹部即構(gòu)造體13。原盤12具有圓柱形或圓筒形的形狀。圓盤12的材料例如可使用玻璃，但不局限于該材料。利用后述的輥原盤曝光裝置，空間地連接二維圖案，在每一個(gè)軌跡使極性反轉(zhuǎn)格式器信號(hào)與記錄裝置的旋轉(zhuǎn)控制器同步產(chǎn)生信號(hào)，以CAV、以適當(dāng)?shù)倪M(jìn)給節(jié)距構(gòu)圖。通過這樣可記錄六邊形格子圖案或準(zhǔn)六邊形格子圖案。通過適當(dāng)?shù)卦O(shè)定極性反轉(zhuǎn)格式信號(hào)的頻率和輥的轉(zhuǎn)數(shù)，可在所需的記錄區(qū)域形成空間頻率統(tǒng)一的格子圖案。[光學(xué)元件的制造方法]以下參考圖11至圖13就上述結(jié)構(gòu)的光學(xué)元件1的制造方法進(jìn)行說明。第一實(shí)施方式的光學(xué)元件的制造方法包括在原盤上形成抗蝕劑層的抗蝕劑成膜步驟、利用輥原盤曝光裝置在抗蝕劑膜上形成蛾眼圖案的潛像的曝光步驟、以及將形成了潛像的抗蝕劑層進(jìn)行顯影的顯影步驟。而且還包括利用等離子體蝕刻制造輥母版的蝕刻步驟、通過紫外線硬化樹脂制造復(fù)制基板的復(fù)制步驟。(曝光裝置的結(jié)構(gòu))首先，參照?qǐng)D11對(duì)用于蛾眼圖案的曝光步驟的輥狀原盤曝光裝置的結(jié)構(gòu)進(jìn)行描述。該輥狀原盤曝光裝置是以光盤記錄裝置為基礎(chǔ)而構(gòu)成的。激光光源12是用于曝光成膜在作為記錄介質(zhì)的原盤12的表面上的抗蝕劑的光源，用于振蕩例如波長(zhǎng)\=266nm的記錄用激光15。從激光光源21射出的激光15以平行光束的狀態(tài)直線傳播，入射到光電元件(E0M:ElectroOpticalModulator)22。透過光電元件22的激光15被反射器23反射，并被導(dǎo)向調(diào)制光學(xué)系統(tǒng)25。反射器23由偏振分光器(polarizedbeamsplitter)構(gòu)成，其具有反射一部分的偏光成分且透過其它偏光成分的功能。透過反射器23的偏光成分被光電二極管24接收，根據(jù)該接收信號(hào)來控制光電元件22，并進(jìn)行激光15的相位調(diào)制。在調(diào)制光學(xué)系統(tǒng)25中，由聚光透鏡26將激光15聚光于包括石英(Si02)等的聲光元件(AOM:aC0ust0-0ptiCmodulator)27。激光15被聲光元件27強(qiáng)度調(diào)制并發(fā)散后，被透鏡28變?yōu)槠叫泄馐?。從調(diào)制光學(xué)系統(tǒng)25射出的激光15被反射器31反射，從而水平且平行地被導(dǎo)向移動(dòng)光學(xué)臺(tái)(table)32。移動(dòng)光學(xué)臺(tái)32包括光束擴(kuò)展器33以及物鏡34。導(dǎo)向移動(dòng)光學(xué)臺(tái)32的激光15被光束擴(kuò)展器33整形為希望的光束形狀后，通過物鏡34，向原盤12上的抗蝕層進(jìn)行照射。原盤12被放置在與主軸電動(dòng)機(jī)35連接的轉(zhuǎn)臺(tái)(turntable)36上。此外，使原盤12旋轉(zhuǎn)，同時(shí)，使激光15沿原盤12的高度方向移動(dòng)，并向抗蝕層間歇性地照射激光15，從而進(jìn)行抗蝕層的曝光步驟。形成的潛像為在圓周方向具有長(zhǎng)軸的大致橢圓形。通過移動(dòng)光學(xué)臺(tái)32向箭頭R方向的移動(dòng)來移動(dòng)激光15。曝光裝置包括用于對(duì)抗蝕層形成潛像的控制機(jī)構(gòu)37，其中，該潛像對(duì)應(yīng)于如圖1B所示的六邊形格子或準(zhǔn)六邊形格子的二維圖案?？刂茩C(jī)構(gòu)37包括格式器(formatter)29和驅(qū)動(dòng)器30。格式器29包括極性反轉(zhuǎn)部，該極性反轉(zhuǎn)部用于控制對(duì)抗蝕層照射激光15的定時(shí)(timing)。驅(qū)動(dòng)器30用于接收極性反轉(zhuǎn)部的輸出并控制聲光元件27。在該輥狀原盤曝光裝置中，對(duì)應(yīng)每一個(gè)軌跡使極性反轉(zhuǎn)格式器信號(hào)和記錄裝置的旋轉(zhuǎn)控制器同步地產(chǎn)生信號(hào)，以使二維圖案空間地連接，并通過聲光元件27進(jìn)行強(qiáng)度調(diào)制。通過以角速度(CAV)恒定的方式以適當(dāng)?shù)男D(zhuǎn)數(shù)和適當(dāng)?shù)恼{(diào)制頻率以及適當(dāng)?shù)妮斔凸?jié)距來形成圖案，可以記錄六邊形格子圖案或準(zhǔn)六邊形格子圖案。例如，如圖10B所示，為了將圓周方向的周期設(shè)為315nm，將相對(duì)于圓周方向約60°方向(約-60°方向)的周期設(shè)為300nm，只要將輸送節(jié)距設(shè)為251nm即可(畢達(dá)哥拉斯定理)。通過輥的轉(zhuǎn)數(shù)(例如1800rpm、900rpm、450rpm、225rpm)改變極性反轉(zhuǎn)格式器信號(hào)的頻率。例如，與輥的轉(zhuǎn)數(shù)1800rpm、900rpm、450rpm、225rpm分別對(duì)應(yīng)的極性反轉(zhuǎn)格式器信號(hào)的頻率為37.70MHz、18.85MHz、9.34MHz、4.71MHz。在希望的記錄區(qū)域上空間頻率(圓周315nm周期、圓周方向約60度方向(約-60°方向)300nm周期)一致的準(zhǔn)六邊形格子圖案通過下述方法來獲得通過移動(dòng)光學(xué)臺(tái)32上的光束擴(kuò)展器(BEX)33將遠(yuǎn)紫外線激光放大為5倍的光徑，然后通過開口數(shù)(NA)0.9的物鏡34將其照射于原盤12上的抗蝕層，形成微細(xì)的潛像。(抗蝕劑成膜步驟)首先，如圖12A所示，準(zhǔn)備一個(gè)圓柱形的原盤12。該原盤12比如為玻璃原盤。然后，如圖12B所示，在原盤12的表面形成抗蝕層14。抗蝕層14的材料比如可以采用有機(jī)類抗蝕劑和無機(jī)類抗蝕劑中的任一種。有機(jī)類抗蝕劑比如可以采用酚醛樹脂類抗蝕劑或化學(xué)增強(qiáng)型抗蝕劑。(曝光步驟)然后，如圖12C所示，用上述輥狀原盤曝光裝置使原盤12旋轉(zhuǎn)，同時(shí)將激光(曝光光束)15照射于抗蝕層14。此時(shí)，通過使激光15向原盤12的高度方向(與圓柱形或圓筒形的原盤12的中心軸平行的方向)移動(dòng)，同時(shí)間歇性地照射激光，從而使整個(gè)抗蝕層14曝光。由此，在抗蝕層14的整個(gè)面上以與可視光波長(zhǎng)同等程度的節(jié)距形成與激光15的軌跡相對(duì)應(yīng)的潛像16。潛像16比如配置成在原盤表面構(gòu)成多列軌跡，并形成六邊形格子圖案或準(zhǔn)六邊形格子圖案。潛像16比如是在軌跡延伸方向具有長(zhǎng)軸方向的橢圓形狀。(顯影步驟)然后，旋轉(zhuǎn)原盤12，同時(shí)將顯影液滴在抗蝕層14上，如圖13A所示，對(duì)抗蝕層14進(jìn)行顯影處理。如圖所示，當(dāng)抗蝕層14由正型(positive)抗蝕劑形成時(shí)，經(jīng)過激光15曝光的曝光部與非曝光部相比較，相對(duì)于顯影液的溶解速度增加，因此，與潛像(曝光部)16相對(duì)應(yīng)的圖案被形成在抗蝕層14上。(蝕刻步驟)接下來，將形成在原盤12上的抗蝕層14的圖案(抗蝕圖案)作為掩模(mask)，對(duì)原盤12的表面進(jìn)行蝕刻處理。從而，如圖13B所示，可以得到在軌跡延伸方向具有長(zhǎng)軸方向的橢圓錐形狀或橢圓錐臺(tái)形狀的凹部、即構(gòu)造體13。蝕刻方法比如通過干式蝕刻進(jìn)行。這時(shí)，通過交互進(jìn)行蝕刻處理和拋光(ashing)處理，從而可以形成比如錐體狀的構(gòu)造體13的圖案。同時(shí)可以制作抗蝕層14的三倍以上深度(選擇比為3以上)的玻璃原盤(master)，并可實(shí)現(xiàn)構(gòu)造體3的高的高寬比。根據(jù)上述處理，可以得到具有深度比如為120nm左右至350nm左右的凹形的六邊形格子圖案或準(zhǔn)六邊形格子圖案的輥狀原盤11。(復(fù)制步驟)接著，比如將輥狀原盤11緊貼于涂敷有轉(zhuǎn)印材料的片(sheet)等基體2，并在照射紫外線使其硬化的同時(shí)進(jìn)行剝離。通過這樣如圖13C所示，凸部即多個(gè)構(gòu)造體形成在基體2的第一主表面上，制造蛾眼紫外線硬化復(fù)制片等的光學(xué)元件1。轉(zhuǎn)印材料比如由紫外線硬化材料和引發(fā)劑(initiator)構(gòu)成，根據(jù)需要，可以包括填充劑或功能性添加劑等。紫外線硬化材料比如由單官能團(tuán)單體、雙官能團(tuán)單體、多官能團(tuán)單體等構(gòu)成，具體為混合有單個(gè)或多個(gè)下述材料的物質(zhì)。作為單官能團(tuán)單體，可以列舉例如羧酸類(丙烯酸)、羥基類(丙烯酸-2-羥基乙酯、丙烯酸-2-羥基丙酯、丙烯酸-4-羥基丁酯)、烷基類、脂環(huán)類(丙烯酸異丁酯、丙烯酸叔丁酯、丙烯酸異辛酯、丙烯酸十二酯、丙烯酸十八酯、丙烯酸異冰片酯(isobonylacrylate)、丙烯酸環(huán)己基酯)、其它功能性單體(2_甲氧基乙基丙烯酸酯、甲氧基乙二醇丙烯酸酯(methoxyethyleneglycolacrylate)、2_乙氧基乙基丙烯酸酯、丙烯酸四氫糠基酯、丙烯酸芐酯、乙卡必醇丙烯酸酯、苯氧基乙基丙烯酸酯、丙烯酸二甲胺基乙酯、二甲胺基丙基丙烯酰胺、N,N-二甲基丙烯酰胺、丙烯酰嗎啉、η-異丙基丙烯酰胺、N,N-二乙基丙烯酰胺、N-乙烯基吡咯烷酮、2-(全氟辛基)乙基丙烯酸酯、3-全氟己基-2-羥基丙基丙烯酸酯、3-全氟辛基-2-羥基丙基丙烯酸酯、2-全氟癸基丙烯酸乙酯、2-(全氟-3-甲基丁基)乙基丙烯酸酯、2，4，6-三溴苯酚丙烯酸酯、2，4，6-三溴苯酚甲基丙烯酸酯、2-(2,4,6-三溴苯氧基)乙基丙烯酸酯)、和丙烯酸-2-乙基己酯等。作為雙官能團(tuán)單體，可以列舉例如二縮三丙二醇二丙烯酸酯、三羥甲基丙烷二烯丙基醚、聚氨酯丙烯酸酯等。作為多官能團(tuán)單體，可以列舉例如三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、雙季戊四醇五丙烯酸酯、雙季戊四醇六丙烯酸酯以及雙三羥甲基丙烷四丙烯酸酯等。作為引發(fā)劑，可以列舉例如2，2_二甲氧基-1，2-二苯基乙-1-酮、1-羥基環(huán)己基苯基甲酮、2-羥基-2-甲基-1-苯基丙-1-酮等。作為填充劑比如可以采用無機(jī)微粒及有機(jī)微粒中的任一種。作為無機(jī)微?？梢粤信e例如，SiO2,TiO2,ZrO2,SnO2^Al2O3等金屬氧化物微粒。作為功能性添加劑，可以列舉例如勻染劑、表面調(diào)整劑、消泡劑等。作為基體2的材料，可以列舉例如，甲基丙烯酸甲酯(共)聚合物、聚碳酸酯、苯乙烯(共)聚合物、甲基丙烯酸甲酯_苯乙烯共聚物、二醋酸纖維素、三醋酸纖維素、醋酸丁酸纖維素、聚酯、聚酰胺、聚酰亞胺、聚醚砜、聚砜、聚丙烯、聚甲基戊烯、聚氯乙烯、聚乙烯醇縮乙醛、聚醚酮、聚氨酯、和玻璃等。基體2的成形方法沒有特定限定，可以是射出成形體，也可以是擠出成形體，還可以是鑄造成形體。根據(jù)需要，也可以對(duì)基體表面進(jìn)行電暈(corona)處理等表面處理。<2.第二實(shí)施方式〉[光學(xué)元件的結(jié)構(gòu)]圖15A是示出本發(fā)明的第二實(shí)施方式所涉及的光學(xué)元件的一個(gè)結(jié)構(gòu)例的概要俯視圖。圖15B是放大示出圖15A所示的光學(xué)元件的一部分的俯視圖。圖15C是圖15B中的軌跡Tl、T3…的剖面圖。圖15D是圖15B中的軌跡T2、T4…的剖面圖。圖15Ε是示出用于形成與圖15Β中的軌跡Τ1、Τ3…相對(duì)應(yīng)的潛像的激光的調(diào)制波形的略線圖。圖15F是示出用于形成與圖15Β中的軌跡Τ2、Τ4…相對(duì)應(yīng)的潛像的激光的調(diào)制波形的略線圖。第二實(shí)施方式所涉及的光學(xué)元件1與第一實(shí)施方式的光學(xué)元件的區(qū)別在于各構(gòu)造體3在鄰接的三列軌跡之間構(gòu)成四邊形格子圖案或準(zhǔn)四邊形格子圖案。在本發(fā)明中，所謂的準(zhǔn)四邊形格子圖案不同于正四邊形格子圖案，其是指沿軌跡的延伸方向(X方向)被拉伸歪曲了的四邊形格子圖案。構(gòu)造體3的高度或深度并沒有特別的限定，例如可以在159nm312nm程度(左右)。相對(duì)于軌跡(約)45°方向上的節(jié)距P2例如為275nm297nm左右。構(gòu)造體3的高寬比(高度/配置節(jié)距)例如為0.541.13左右。另外，并不僅限于各構(gòu)造體3的高寬比為全部相同的情況，也可以構(gòu)成為各構(gòu)造體3具有一定的高度分布。優(yōu)選相同軌跡內(nèi)的構(gòu)造體3的配置節(jié)距Pl大于鄰接的兩個(gè)軌跡間的構(gòu)造體3的配置節(jié)距P2。此外，當(dāng)將相同軌跡內(nèi)的構(gòu)造體3的配置節(jié)距設(shè)定為P1，并將鄰接的兩個(gè)軌跡間的構(gòu)造體3的配置節(jié)距設(shè)定為P2時(shí)，優(yōu)選P1/P2滿足1.4<P1/P2^1.5的關(guān)系。通過設(shè)定為這樣的數(shù)值范圍，從而可以提高具有橢圓錐形狀或橢圓錐臺(tái)形狀的構(gòu)造體3的填充率，因此可以提高防反射特性。另外，優(yōu)選相對(duì)于軌跡45°方向或約45°方向上的構(gòu)造體3的高度或深度小于軌跡延伸方向上的構(gòu)造體3的高度或深度。優(yōu)選相對(duì)于軌跡延伸方向傾斜的構(gòu)造體3的排列方向(θ方向)上的高度Η2小于軌跡延伸方向上的構(gòu)造體3的高度HI。即，優(yōu)選滿足構(gòu)造體3的高度Hl和H2滿足Hl>H2的關(guān)系。圖16是改變構(gòu)造體3的底面的橢圓率時(shí)的底面形狀的示意圖。橢圓率3”32、33分別為100%、163.3%和141%。通過如此改變橢圓率，從而可以改變基體表面的構(gòu)造體3的填充率。當(dāng)構(gòu)造體3形成四邊形格子或準(zhǔn)四邊形格子圖案時(shí)，優(yōu)選構(gòu)造體底面的橢圓率e為180%。這是因?yàn)橥ㄟ^將橢圓率e設(shè)定在這一范圍內(nèi)，從而可以提高構(gòu)造體3的填充率，得到卓越的防反射特性?；w表面的構(gòu)造體3的填充率以100%為上限，且為大于等于65%，優(yōu)選為大于等于73%，更優(yōu)選為大于等于86%的范圍內(nèi)。通過將填充率設(shè)定在這樣的范圍內(nèi)，從而可以提高防反射特性。這里，構(gòu)造體3的填充率(平均填充率)為如下求出的值。首先，用掃描型電子顯微鏡(SEMScanningElectronMicroscope)以頂視圖(TopView)拍攝光學(xué)元件1的表面。然后，從所拍攝的SEM照片中隨機(jī)選出單位格子Uc，測(cè)定該單位格子Uc的配置節(jié)距P1和軌跡節(jié)距Tp(參考圖15B)。然后，通過圖像處理對(duì)該單位格子Uc中所包含的四個(gè)構(gòu)造體3中的任意一個(gè)構(gòu)造體3的底面面積S進(jìn)行測(cè)定。隨后，用所測(cè)定的配置節(jié)距Ρ1、軌跡節(jié)距Tp以及底面面積S根據(jù)下面的式(4)求出填充率。填充率=(S(tetra)/S(unit))X100...(2)單位格子面積:S(unit)=2X((PlXTp)X(1/2))=PlXTp存在于單位格子中的構(gòu)造體的底面面積S(tetra)=S對(duì)從所拍攝的SEM照片中隨機(jī)選出的10處單位格子進(jìn)行上述的填充率計(jì)算處理。然后，簡(jiǎn)單地平均(算術(shù)平均)測(cè)定值，求出填充率的平均率，并將其作為基體表面的構(gòu)造體3的填充率。直徑2r與配置節(jié)距Pl的比例((2R/P1)X100)大于等于64%，優(yōu)選大于等于69%，進(jìn)一步優(yōu)選大于等于73%。這是因?yàn)橥ㄟ^設(shè)定成這樣的范圍，從而可以提高構(gòu)造體3的填充率，提高防反射特性。這里，配置節(jié)距Pl是構(gòu)造體3在軌跡方向上的配置節(jié)距，直徑2r是構(gòu)造體底面在軌跡方向上的直徑。另外，如果構(gòu)造體底面為圓形，則直徑2r為直徑，如果構(gòu)造體底面為橢圓形，則直徑2r為長(zhǎng)徑。圖17示出了用于制作具有上述結(jié)構(gòu)的光學(xué)元件的輥狀原盤的一個(gè)結(jié)構(gòu)例。該輥狀原盤與第一實(shí)施方式中的輥狀原盤的區(qū)別在于在其表面上，凹狀的構(gòu)造體13構(gòu)成了四邊形格子圖案或準(zhǔn)四邊形格子圖案。[輥母版的結(jié)構(gòu)]利用輥原盤曝光裝置，空間地連接二維圖案，在每一個(gè)軌跡使極性反轉(zhuǎn)格式器信號(hào)與記錄裝置的旋轉(zhuǎn)控制器同步產(chǎn)生信號(hào)，以CAV、以適當(dāng)?shù)倪M(jìn)給節(jié)距構(gòu)圖。通過這樣可記錄四邊形格子圖案或準(zhǔn)四邊形格子圖案。優(yōu)選通過適當(dāng)?shù)卦O(shè)定極性反轉(zhuǎn)格式器信號(hào)的頻率和輥的轉(zhuǎn)數(shù)，將在所需的記錄區(qū)域空間頻率統(tǒng)一的格子圖案通過激光的照射形成在原盤12上的抗蝕劑上。<3.第三實(shí)施方式〉[光學(xué)元件的結(jié)構(gòu)]圖18A是本發(fā)明的第三實(shí)施方式的光學(xué)元件的結(jié)構(gòu)示例的簡(jiǎn)要平面圖。圖18B是圖18A所示的光學(xué)元件的一部分的放大平面圖。圖18C是圖18B的軌跡T1、T3、…上的剖視圖。圖18D是圖18Β的軌跡Τ2、Τ4、…上的剖視圖。第三實(shí)施方式的光學(xué)元件1與第一實(shí)施方式的不同點(diǎn)在于軌跡T具有圓弧形狀，構(gòu)造體3配置成圓弧形。如圖18Β所示，在鄰接的三列軌跡(TlΤ3)之間配置構(gòu)造體3形成構(gòu)造體3的中心位于ala7的各點(diǎn)上的準(zhǔn)六邊形格子圖案。在此，準(zhǔn)六邊形格子圖案是指與正六邊形格子圖案不同，沿著軌跡T的圓弧形變形后的六邊形格子圖案?；蛘呤桥c正六邊形格子不同，沿著軌跡T的圓弧形變形且被向軌跡的延伸方向(X方向)伸展、變形后的六邊形格子圖案。除此之外的光學(xué)元件1的結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施方式相同，省略說明。[光盤母版的結(jié)構(gòu)]圖19A、圖19B是用于制造具有上述結(jié)構(gòu)的光學(xué)元件的光盤母版的結(jié)構(gòu)示例。如圖19A、圖19B所示，光盤母版41具有在圓盤形的原盤42表面排列多個(gè)凹部即構(gòu)造體43的結(jié)構(gòu)。該構(gòu)造體43是以光學(xué)元件1在使用環(huán)境下的光的波帶以下、例如以與可見光的波長(zhǎng)相同程度的節(jié)距周期性地二維排列。構(gòu)造體43被配置在例如同心圓形或螺旋狀的軌跡上。除此之外光盤母版41的結(jié)構(gòu)與第一實(shí)施方式的輥母版11相同，省略說明。[光學(xué)元件的制造方法]首先參考圖20就用于制造具有上述結(jié)構(gòu)的光盤母版41的曝光裝置進(jìn)行說明。移動(dòng)光學(xué)平臺(tái)32包括光束擴(kuò)展器33、反射鏡38和物鏡34。導(dǎo)向移動(dòng)光學(xué)平臺(tái)32的激光15通過光束擴(kuò)展器33整形成所需要的光束形狀后，通過反射鏡38和物鏡34向圓盤形的原盤42上的抗蝕劑層照射。原盤42放置在與主軸電機(jī)(spindlemotor)35連接的轉(zhuǎn)臺(tái)(省略圖示)上。然后使原盤42旋轉(zhuǎn)，同時(shí)一面使激光15向原盤42的旋轉(zhuǎn)半徑方向移動(dòng)一面間歇地向原盤42上的抗蝕劑層照射激光，通過這樣進(jìn)行抗蝕劑層的曝光步驟。形成的潛像成為在圓周方向具有長(zhǎng)軸的略橢圓形。激光15通過向移動(dòng)光學(xué)平臺(tái)32的箭頭R方向的移動(dòng)進(jìn)行移動(dòng)。圖20所示的曝光裝置包括控制機(jī)構(gòu)37，控制機(jī)構(gòu)37在抗蝕劑層上形成與圖18B所示的六邊形格子或準(zhǔn)六邊形格子的二維圖案構(gòu)成的潛像?？刂茩C(jī)構(gòu)37包括格式器29和驅(qū)動(dòng)器30。格式器29具有極性反轉(zhuǎn)部，該極性反轉(zhuǎn)部控制激光15向抗蝕劑層的照射時(shí)間。驅(qū)動(dòng)器30接受極性反轉(zhuǎn)部的輸出，控制聲光元件27。控制機(jī)構(gòu)37在每一個(gè)軌跡分別使AOM進(jìn)行的激光15的強(qiáng)度調(diào)制、主軸電機(jī)35的驅(qū)動(dòng)旋轉(zhuǎn)速度以及移動(dòng)光學(xué)平臺(tái)32的移動(dòng)速度同步，空間地連接潛像的二維圖案。原盤42被以恒定角速度(CAV)控制旋轉(zhuǎn)。并且利用主軸電機(jī)35形成的原盤42的適當(dāng)轉(zhuǎn)數(shù)、AOM進(jìn)行的激光強(qiáng)度的適當(dāng)?shù)念l率調(diào)制以及移動(dòng)光學(xué)平臺(tái)32進(jìn)行的激光15適當(dāng)?shù)倪M(jìn)給節(jié)距進(jìn)行構(gòu)圖。通過這樣在抗蝕劑層上形成六邊形格子圖案或準(zhǔn)六邊形格子圖案的潛像。而且，逐漸改變極性反轉(zhuǎn)部的控制信號(hào)，使空間頻率(潛像的圖案密度，Pl330nm、P2:300nm或Pl:315nm、P2:275nm或Pl:300nm、P2:265nm)統(tǒng)一。更具體地說，一面在每一個(gè)軌跡使向抗蝕劑層照射的激光15周期進(jìn)行變化一面曝光，控制機(jī)構(gòu)37進(jìn)行激光15的頻率調(diào)制，使Pl在各軌跡T上約為330nm(或315歷、300歷)。即，隨著軌跡位置離開圓盤形的原盤42中心，以激光的照射周期縮短的方式進(jìn)行調(diào)制控制。通過這樣可在整個(gè)基板上形成空間頻率統(tǒng)一的納米圖案。以下就本發(fā)明的第三實(shí)施方式的光學(xué)元件的制造方法的一例進(jìn)行說明。首先利用具有上述結(jié)構(gòu)的曝光裝置，除了對(duì)形成在圓盤形的原盤上的抗蝕劑層進(jìn)行曝光以外，與上述第一實(shí)施方式相同地制造光盤母版41。然后使該光盤母版41與涂敷了紫外線硬化樹脂的丙烯酸(酯)片等基體2密合，照射紫外線，使紫外線硬化樹脂硬化后，將基體2從光盤母版41剝離。通過這樣得到在表面排列了多個(gè)構(gòu)造體3的圓盤形的光學(xué)元件1。然后從該圓盤形的光學(xué)元件1切下矩形等規(guī)定形狀的光學(xué)元件1。通過這樣制造所需的光學(xué)元件1。根據(jù)第三實(shí)施方式，可以與將構(gòu)造體3排列成直線狀時(shí)同樣地得到生產(chǎn)效率高、具有良好的防反射特性的光學(xué)元件1。<4.第四實(shí)施方式〉圖21A是本發(fā)明的第四實(shí)施方式的光學(xué)元件的結(jié)構(gòu)示例的簡(jiǎn)要平面圖，圖21B是圖21A所示的光學(xué)元件的一部分的放大平面圖。第四實(shí)施方式的光學(xué)元件1與第一實(shí)施方式的不同點(diǎn)在于將構(gòu)造體3排列在蛇行的軌跡(以下稱為擺動(dòng)軌跡)上?；w2上的各軌跡的擺動(dòng)優(yōu)選同步進(jìn)行。即擺動(dòng)優(yōu)選是同步擺動(dòng)。通過使擺動(dòng)這樣同步，可保持六邊形格子或準(zhǔn)六邊形格子的單位格子形狀，保持高填充率。擺動(dòng)軌跡的波形例如可以是正弦波、三角波等。擺動(dòng)軌跡的波形不局限于周期性的波形，也可以是非周期性的波形。擺動(dòng)軌跡的擺動(dòng)振幅例如可選擇在士10μm左右。在該第四實(shí)施方式中，除了上述以外，與第一實(shí)施方式相同。根據(jù)第四實(shí)施方式，由于將構(gòu)造體排列在擺動(dòng)軌跡上，可抑制外觀的不均勻。<5.第五實(shí)施方式>圖22A是本發(fā)明的第五實(shí)施方式的光學(xué)元件的結(jié)構(gòu)示例的簡(jiǎn)要平面圖。圖22B是圖22A所示的光學(xué)元件的一部分的放大平面圖。圖22C是圖22B的軌跡T1、T3、…上的剖視圖。圖22D是圖22Β的軌跡Τ2、Τ4、…上的剖視圖。圖23是圖22Α所示的光學(xué)元件的部分放大立體圖。第五實(shí)施方式的光學(xué)元件1與第一實(shí)施方式的不同點(diǎn)在于，多個(gè)凹部即構(gòu)造體3排列在基體表面。該構(gòu)造體3的形狀是將第一實(shí)施方式的構(gòu)造體3的凸形倒過來形成凹形。如上所述地將構(gòu)造體3形成凹部的情況下，進(jìn)行以下定義，即凹部即構(gòu)造體3的開口部(凹部的入口部分)為下部，基體2深度方向的最下部(凹部的最深部分)為頂部。S卩，通過非實(shí)體空間即構(gòu)造體3定義頂部和下部。并且，在第五實(shí)施方式中，由于構(gòu)造體3是凹部，因此式(1)等中的構(gòu)造體3的高度H成為構(gòu)造體3的深度H。在該第五實(shí)施方式中，除了上述以外都與第一實(shí)施方式相同。在該第五實(shí)施方式中，將第一實(shí)施方式的凸形構(gòu)造體3的形狀倒過來形成凹形，因此可得到與第一實(shí)施方式相同的效果。<6.第六實(shí)施方式〉形成構(gòu)造體3的材料的彈性越低，擦拭時(shí)的滑動(dòng)性越差，擦拭性越低。因此，在第六實(shí)施方式中，通過使構(gòu)造體表面含有從氟類化合物和硅類化合物中選擇的至少一種化合物，來提高滑動(dòng)性、提高擦拭性。盡管構(gòu)造體表面含有這些物質(zhì)對(duì)是否能擦拭指紋并沒有影響，但可抑制附著了指紋后指紋滲入蔓延。因此，通過將彈性模量和高寬比保持在一定的范圍，并且提高油酸的接觸角，可形成防污性高的防反射構(gòu)造體3。作為使構(gòu)造體表面含有氟類化合物或硅類化合物的方法例如有以下方法，S卩，向形成構(gòu)造體的樹脂材料添加氟類化合物后硬化的方法以及在形成構(gòu)造體后在構(gòu)造體表面形成含有氟類化合物的表面處理層的方法等。圖24是本發(fā)明的第六實(shí)施方式的光學(xué)元件的結(jié)構(gòu)示例的剖視圖。如圖24所示，第六實(shí)施方式的光學(xué)元件1與第一實(shí)施方式的不同點(diǎn)在于，在形成了構(gòu)造體3的凹凸面上還具有表面處理層5。形成了表面處理層5的表面的油酸接觸角優(yōu)選大于等于30度，進(jìn)一步優(yōu)選大于等于90度。如果大于等于90，則可抑制附著在光學(xué)元件表面的指紋等污漬滲入蔓延。表面處理層5例如含有含氟化合物或硅類化合物。[硅類化合物]硅類化合物例如是硅油，硅表面活性劑等。硅油根據(jù)與硅原子結(jié)合的有機(jī)基團(tuán)的種類可大致分為直硅油(straightsiliconeoil)及改性硅油。直硅油是將甲基、苯基、氫原子作為取代基與硅原子結(jié)合。直硅油例如是二甲基硅油，甲基苯基硅油等。改性硅油例如是向二甲基硅油等直硅油中引入有機(jī)取代基后的硅油。改性硅油分成非活性硅油和活性硅油兩種。非活性硅油例如是烷基/芳烷基改性硅油、聚醚改性硅油、高級(jí)脂肪酸改性硅油、氨基改性硅油、環(huán)氧改性硅油、羧基改性硅油、醇改性硅油等。活性硅油例如是氨基改性硅油、環(huán)氧改性硅油、羧基改性硅油、醇改性硅油等。硅油具體是日本尤尼卡股份公司的L-45、L-9300、FZ-3704、FZ-3703、FZ-3720、FZ-3786、FZ-3501、FZ-3504、FZ-3508、FZ-3705、FZ-3707、FZ-3710、FZ-3750、FZ-3760、FZ-3785、Y-7499、信越化學(xué)公司的KF96L、KF96、KF96H、KF99、KF54、KF965、KF968、KF56、KF995、KF351、KF352、KF353、KF354、KF355、KF615、KF618、KF945、KF6004、FL100等。硅表面活性劑例如是將甲基硅油的一部分置換成親水性基團(tuán)。親水基團(tuán)的置換位置是硅油的側(cè)鏈、兩末端、單末端、兩末端側(cè)鏈等。親水基團(tuán)是聚醚、聚甘油、吡咯烷酮、甜菜堿、硫酸鹽、磷酸鹽、季鹽等。其中，優(yōu)選疏水基團(tuán)是二甲基聚硅氧烷，親水基團(tuán)是聚氧化烯形成的非離子表面活性劑。非離子表面活性劑是不具有在水溶液中分解成離子的基團(tuán)的表面活性劑的總稱，非離子表面活性劑除了具有疏水基團(tuán)，還具有多元醇羥基作為親水基團(tuán)，并且具有聚氧化烯(聚氧乙烯)等親水基團(tuán)。親水性是醇性羥基的數(shù)量越多并且聚氧化烯鏈(聚氧乙烯鏈)越長(zhǎng)就越強(qiáng)。這些非離子表面活性劑的具體例例如有日本尤尼卡股份公司生產(chǎn)的硅表面活性劑SILffETL-77、L-720、L-7001、L-7002、L-7604、Y-7006、FZ-2101、FZ-2104、FZ-2105、FZ-2110、FZ-2118、FZ-2120、FZ-2122、FZ-2123、FZ-2130、FZ-2154、FZ-2161、FZ-2162、FZ-2163、FZ-2164、FZ-2166、FZ-2191等。還有SUPERSILWETSS-2801、SS-2802、SS-2803、SS-2804、SS-2805等。并且，還有例如日本尤尼卡股份公司生產(chǎn)的硅表面活性劑ABNSILffETFZ-2203、FZ-2207、FZ-2208等。[含氟化合物]作為含氟化合物，可以列舉氟類樹脂。氟類樹脂例如是具有全氟聚醚基或含氟烷基的烷氧基硅烷化合物等。具有全氟聚醚基或含氟烷基的烷氧基硅烷化合物由于具有低表面能，因此發(fā)揮良好的防污、防水效果，通過含有全氟聚醚基發(fā)揮潤(rùn)滑效果。具有全氟聚醚基的烷氧基硅烷化合物例如是具有以下通式(1)或(2)所示的具有全氟聚醚基的烷氧基硅烷化合物等。[化學(xué)式1](R3O)3Si-R2-R1CO-Rf-COR1-R2-Si(OR3)3...(1)其中，Rf表示全氟聚醚基，R1表示二價(jià)原子或基團(tuán)(例如0、NH、S的任意一種)，R2表示烴基(例如亞烷基)，R3表示烷基。[化學(xué)式2]RfCOR1-R2-Si(OR3)3...(2)其中，Rf表示全氟聚醚基，R1表示0、NH、S的任意一種，R2表示亞烷基，R3表示烷基。具有含氟烷基的烷氧基硅烷化合物例如是具有以下通式(3)或⑷所示的具有含氟烷基的烷氧基硅烷化合物等。[化學(xué)式3]Rr-R1-R2-Si(OR3)3...(3)其中，Rf’表示含氟烷基，R1表示二價(jià)原子或原子團(tuán)，R2表示亞烷基，R3表示烷基。[化4]Rr-R1-Si-(OR2)3...(4)其中，Rf’表示含氟烷基，R1表示碳原子數(shù)低于7的烷基，R2表示烷基。并且，對(duì)通式(1)所示的作為Rf的全氟聚醚基的分子結(jié)構(gòu)沒有特別限制，包括各種鏈長(zhǎng)的全氟聚醚基，但優(yōu)選以下所示的分子結(jié)構(gòu)。[化學(xué)式5]-CF2-(OC2F4)p-(OCF2)r0CF2—·(5)在通式(5)所示的全氟聚醚基中，P、q優(yōu)選在150的范圍。對(duì)通式(5)所示的具有全氟聚醚基的烷氧基硅烷化合物的分子量沒有特別限制，但在穩(wěn)定性、易處理性等方面，優(yōu)選數(shù)均分子量為40010000，進(jìn)一步優(yōu)選為5004000。在通式(5)所示的具有全氟聚醚基的烷氧基硅烷化合物中，Rl表示二價(jià)原子或基團(tuán)，是R2與全氟聚醚基的結(jié)合基團(tuán)，雖然沒有特別限制，但在合成上優(yōu)選非碳的0、NH、S等原子或原子團(tuán)。R2是烴基，優(yōu)選碳原子數(shù)在210的范圍。R2例如可以是亞甲基、亞乙基、亞丙基等亞烷基、苯基等。在通式(5)所示的具有全氟聚醚基的烷氧基硅烷化合物中，R3是構(gòu)成烷氧基的烷基，通常碳原子數(shù)在3以下，即例如是異丙酯、丙基、乙基、甲基，碳原子數(shù)也可更多。并且，對(duì)通式(2)所示的作為Rf的全氟聚醚基的分子結(jié)構(gòu)沒有特別限制，包括各種鏈長(zhǎng)的全氟聚醚基，但優(yōu)選以下所示的分子結(jié)構(gòu)。Rf是烷基的氫原子被氟原子取代的例如下面的化學(xué)式(6)(8)所示的結(jié)構(gòu)。其中，無需全部烷基的氫原子都被氟原子取代，可含有部分氫。[化學(xué)式6]F(CF2CF2CF2)n-…(6)其中，η是大于等于1的整數(shù)。[化學(xué)式7]CF3(OCF(CF3)CF2)m(OCF2)丄-…(7)其中，l、m是大于等于1的整數(shù)。[化學(xué)式S]F-(CF(CF3)CF2)k-…(8)其中，k是大于等于1的整數(shù)。在化合物⑶中，m/1優(yōu)選在0.52.0的范圍。對(duì)具有全氟聚醚基的烷氧基硅烷化合物的分子量沒有特別限制，但在穩(wěn)定性、易處理性等方面，優(yōu)選數(shù)均分子量為40010000，進(jìn)一步優(yōu)選為5004000。對(duì)作為Rf’的含氟烷基的分子結(jié)構(gòu)也沒有特別限制，例如是用氟原子取代烷基的氫原子，雖然可含有各種鏈長(zhǎng)和氟取代度的含氟烷基，但優(yōu)選以下的分子結(jié)構(gòu)。[化學(xué)式9]F(CF2)s(CH2)t...(9)[化學(xué)式10]-(CH2)t(CF2)s(CH2)t_…(10)在該化學(xué)式中，s是612的整數(shù)，t是小于等于20的整數(shù)。(表面處理層的形成方法)形成表面處理層的方法例如有將硅類化合物、含氟化合物溶解在溶劑中的溶液以槽輥涂布機(jī)(Gravurecoat)、浸漬法、旋布法或噴霧等進(jìn)行涂敷的方法，將硅類化合物、含氟化合物溶解在溶劑中的溶液涂抹涂敷后進(jìn)行干燥的方法等。另外還有LB(朗繆爾-布勞吉特膜)法、PVD(物理氣相沉積)法、CVD(化學(xué)氣相沉積)法、自組織法、濺射法等。還有將硅類化合物、含氟化合物與紫外線硬化樹脂混合涂敷后照射UV硬化的方法等。<7.第七實(shí)施方式>圖29是第七實(shí)施方式的光學(xué)元件的結(jié)構(gòu)示例。如圖29所示，該光學(xué)元件1與第一實(shí)施方式的不同點(diǎn)在于具有基體2。光學(xué)元件1具有以小于可見光波長(zhǎng)的細(xì)微節(jié)距設(shè)置多個(gè)且凸部形成的多個(gè)構(gòu)造體3，相鄰的構(gòu)造體的下部彼此接合。下部彼此接合的多個(gè)構(gòu)造體整體也可具有網(wǎng)狀。根據(jù)第七實(shí)施方式，不用粘接劑就可將光學(xué)元件1粘貼在被粘體上。也可粘貼在三維曲面上。<8.第八實(shí)施方式>[液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)]圖25是本發(fā)明的第八實(shí)施方式的液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)示例。如圖25所示，該液晶顯示裝置包括發(fā)光的背光53、在時(shí)間上空間上調(diào)制從背光53發(fā)出的光并顯示圖像的液晶面板51。光學(xué)部件即偏光器51a、51b分別設(shè)置在液晶面板51的兩面。在設(shè)置于液晶面板51顯示面?zhèn)鹊钠馄?1b上設(shè)置光學(xué)元件1。這里將光學(xué)元件1設(shè)置在一個(gè)主表面上的偏光器51b稱為帶防反射功能的偏光器52，該帶防反射功能的偏光器52是帶防反射功能光學(xué)部件的一例。以下依次就構(gòu)成液晶顯示裝置的背光53、液晶面板51、偏光器51a、51b以及光學(xué)元件1進(jìn)行說明。(背光)作為背光(backlight)53，例如可以采用直下型背光、邊緣型背光以及平面光源型背光。背光53例如包括光源、反射板以及光學(xué)膜等。作為光源，例如可以采用冷陰極熒光管(ColdCathodeFluorescentLamp:CCFL)、熱陰極熒光管(HotCathodeFluorescentLamp:HCFL)、有機(jī)電致發(fā)光(OrganicElectroLuminescence:0EL)、無機(jī)電致發(fā)光(InorganicElectroLuminescence:IEL)以及發(fā)光二極管(LightEmittingDiodeLED)等。(液晶面板)作為液晶面板51，可以采用諸如扭曲向列(TwistedNematic:TN)模式、超扭曲向列(SuperTwistedNematic:STN)模式、垂直取向(VerticallyAligned:VA)模式、平面轉(zhuǎn)換(In-PlaneSwitching:IPS)模式、光學(xué)補(bǔ)償彎曲排列(OpticallyCompensatedBirefringence:0CB)模式、鐵電液晶(FerroelectricLiquidCrystal:FLC)模式、高分子分散型液晶(PolymerDispersedLiquidCrystal:PDLC)模式以及相變賓主型(PhaseChangeGuestHost:PCGH)模式等顯示模式。(偏光器)例如，偏光器51a、51b以其透過軸相互垂直的方式設(shè)置在液晶面板51的兩個(gè)面上。偏光器51a、51b是用于僅使入射光中的垂直的偏光成分中的一部分通過，并通過吸收而遮蔽另一部分的部件。偏光器51a、51b可以使用使諸如聚乙烯醇類膜、部分縮甲醛化聚乙烯醇類膜、乙烯_醋酸乙烯共聚物類部分皂化膜等的親水性高分子膜吸附碘或者二色性染料等的二色性物質(zhì)并使其單軸延伸后所得的膜。優(yōu)選在偏光器51a、51b的兩個(gè)面上設(shè)置三醋酸纖維素(TAC)膜等保護(hù)層。當(dāng)像這樣設(shè)置保護(hù)層時(shí)，優(yōu)選光學(xué)元件1的基體2為兼作保護(hù)層的結(jié)構(gòu)。這是因?yàn)橥ㄟ^設(shè)置成這樣的結(jié)構(gòu)，可以實(shí)現(xiàn)帶防反射功能偏光器52的薄型化。(光學(xué)元件)(光學(xué)元件)光學(xué)元件1與上述第一至第四實(shí)施方式中的任意一個(gè)實(shí)施方式相同，因此省略說明。根據(jù)第八實(shí)施方式，由于在液晶顯示裝置的顯示面上設(shè)置了光學(xué)元件1，因此可以提高液晶顯示裝置的顯示面的防反射功能。從而，可以提高液晶顯示裝置的可視性。<9.第九實(shí)施方式>[液晶顯示裝置的結(jié)構(gòu)]圖26示出了本發(fā)明的第九實(shí)施方式所涉及的液晶顯示裝置的一個(gè)結(jié)構(gòu)例。該液晶顯示裝置與第八實(shí)施方式中液晶顯示裝置的區(qū)別在于在液晶面板51的前面?zhèn)染哂星懊娌考?4，并且在液晶面板51的前面、前面部件54的前面以及背面的至少一個(gè)面上具有光學(xué)元件1。圖26示出了在液晶面板51的前面以及前面部件54的前面和背面的所有面上都具有光學(xué)元件1的例子。在液晶面板51和前面部件54之間例如設(shè)有空氣層。對(duì)與上述第八實(shí)施方式相同的部分標(biāo)上相同的標(biāo)記，并省略說明。此外，在本發(fā)明中，前面是指作為顯示面的一側(cè)的面、即作為觀察者側(cè)的面，背面是指與顯示面相反的一側(cè)的面。前面部件54是基于機(jī)械保護(hù)、熱保護(hù)以及耐氣候保護(hù)和外觀設(shè)計(jì)性的目的而用于液晶顯示51的前面(觀察者側(cè))的前板等。前面部件54例如具有片狀、膜狀或板狀。作為前面部件54的材料，例如可以使用玻璃、三醋酸纖維素(TAC)、聚酯(TPEE)、聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚酰亞胺(PI)、聚酰胺(PA)、芳香族聚酰胺纖維、聚乙烯(PE)、聚丙烯酸酯、聚醚砜、聚砜、聚丙烯(PP)、二醋酸纖維素、聚氯乙烯、丙烯酸樹脂(PMMA)、聚碳酸酯(PC)等，但并不僅限于這些材料，只要是具有透光性的材料，就可以使用。根據(jù)第九實(shí)施方式，與第七實(shí)施方式一樣，可以提高液晶顯示裝置的可視性。<10.第十實(shí)施方式>第十實(shí)施方式的光學(xué)元件1與第一實(shí)施方式的不同點(diǎn)在于基體2和構(gòu)造體3雙方具有柔軟性。形成構(gòu)造體2的材料的彈性模量如第一實(shí)施方式中所說明的，大于等于IMPa小于等于1200MPa?；w2例如具有單層結(jié)構(gòu)或兩層以上的多層結(jié)構(gòu)。形成構(gòu)造體3的材料的伸長(zhǎng)率優(yōu)選大于等于50%，進(jìn)一步優(yōu)選在大于等于50%小于等于150%的范圍。如果大于等于50%，則因密合或接觸形成的樹脂變形不會(huì)導(dǎo)致構(gòu)造體3的斷裂，因此可在擦拭前后抑制反射率的變化。并且，形成構(gòu)造體3的材料的伸長(zhǎng)率越高，擦拭時(shí)的滑動(dòng)性越差，雖然擦拭性有可能降低，但如果小于等于150%，則容易抑制表面滑動(dòng)性降低。形成基體2的材料的伸長(zhǎng)率優(yōu)選大于等于20%，進(jìn)一步優(yōu)選在大于等于20%小于等于800%的范圍。如果大于等于20%，可抑制塑性變形。如果小于等于800%，則比較容易選擇材料。例如，如果是聚氨酯薄膜，則可選擇非黃變等級(jí)。圖30A是第十實(shí)施方式的光學(xué)元件1的第一例的剖視圖。光學(xué)元件1具有單獨(dú)成形的構(gòu)造體3和基體2，在其之間形成界面。因此，可根據(jù)需要使用不同的形成基體2和構(gòu)造體3的材料。即，可使基體2和構(gòu)造體3的彈性模量不同。如果基體2具有單層結(jié)構(gòu)，則形成基體2的材料的彈性模量?jī)?yōu)選大于等于IMPa小于等于3000MPa，進(jìn)一步優(yōu)選大于等于IMPa小于等于1500MPa，特別優(yōu)選在大于等于IMPa小于等于1200MPa的范圍。如果小于IMPa，彈性模量低的樹脂由于一般表面粘性大的特性很難使用。并且，而如果小于等于3000MPa，則可抑制塑性變形，幾乎看不到塑性變形。并且，優(yōu)選使形成基體2和構(gòu)造體3的材料的伸長(zhǎng)率一致或幾乎一致。這是由于可抑制基體2和構(gòu)造體3之間的界面上的剝離。這里的伸長(zhǎng)率幾乎一致是指形成基體2和構(gòu)造體3的材料的伸長(zhǎng)率差在士25%的范圍內(nèi)。在此，無需一定使基體2和構(gòu)造體3的彈性模量一致，也可在上述數(shù)值范圍內(nèi)使兩者的彈性模量不同。如果形成基體2的材料的彈性模量在大于等于IMPa小于等于3000MPa的范圍，則基體2的厚度優(yōu)選大于等于60μm,更加在大于等于60μm小于等于2000μm的范圍內(nèi)。如果大于60μm，則可抑制發(fā)生塑性變形和凝聚破壞，幾乎看不到塑性變形和凝聚破壞。而如果小于2000μm,則可用輥對(duì)輥處理進(jìn)行連續(xù)轉(zhuǎn)印。圖30B是第十實(shí)施方式的光學(xué)元件1的第二例的剖視圖。光學(xué)元件1具有由與構(gòu)造體3鄰接形成的基底層6和與基底層6鄰接形成的基材5組成的雙層結(jié)構(gòu)的基體2?；讓?例如是在構(gòu)造體3的底面?zhèn)扰c構(gòu)造體3形成一體的層，在基底層6與基材5之間形成界面。基材5優(yōu)選使用具有伸縮性且具有彈性的材料，這樣的材料例如是聚氨酯、透明的硅樹脂、聚氯乙烯等。并且，基材5的材料不局限于具有透明性，也可使用黑色等有色材料?；?的形狀例如可以是片狀、板狀、塊狀，但不局限于這些形狀。這里將片定義為包括薄膜。形成基底層6的材料的彈性模量?jī)?yōu)選大于等于IMPa小于等于3000MPa，進(jìn)一步優(yōu)選大于等于IMPa小于等于1500MPa，特別優(yōu)選在大于等于IMPa小于等于1200MPa的范圍。當(dāng)同時(shí)轉(zhuǎn)印構(gòu)造體3和基底層6時(shí)，如果小于IMPa，則在轉(zhuǎn)印步驟中鄰接的構(gòu)造體彼此附著，構(gòu)造體3的形狀形成與所需形狀不同的形狀，不能得到所需要的反射特性。并且具有擦拭時(shí)滑動(dòng)性變差，擦拭性降低的趨勢(shì)。而如果小于等于3000MPa，則可抑制塑性變形，幾乎看不到塑性變形。如果形成基材5和基底層6的材料的彈性模量在大于等于IMPa小于等于3000MPa的范圍內(nèi)，則基材5和基底層6的總厚度優(yōu)選大于等于60μm，進(jìn)一步優(yōu)選在大于等于60μm小于等于2000μm的范圍內(nèi)。如果大于60μm,則可抑制發(fā)生塑性變形和凝聚破壞，幾乎看不到塑性變形和凝聚破壞。而如果小于2000μm，則可以輥對(duì)輥處理進(jìn)行連續(xù)轉(zhuǎn)印。這里無需一定使構(gòu)造體3、基材5以及基底層6的彈性模量一致，可在上述數(shù)值范圍內(nèi)使這些彈性模量不同。形成基底層6的材料的彈性模量在大于等于IMPa小于等于3000MPa的范圍內(nèi)，而形成基材5的材料的彈性模量在大于等于IMPa小于等于3000MPa的范圍以外的情況下，基底層6的厚度優(yōu)選大于等于60μm,進(jìn)一步優(yōu)選在大于等于60μm小于等于2000μm的范圍內(nèi)。如果大于等于60μm，則可不取決于基材5的材料即基材5的彈性模量而抑制發(fā)生塑性變形和凝聚破壞，幾乎看不到塑性變形和凝聚破壞。而如果小于等于2000μm，則可高效率地使紫外線硬化樹脂硬化。圖30C是第十實(shí)施方式的光學(xué)元件1的第三例的剖視圖。光學(xué)元件1具有一體成形的構(gòu)造體3和基體2。由于這樣一體成形構(gòu)造體3和基體2，因此兩者之間不存在界面。形成基體2的材料的彈性模量?jī)?yōu)選大于等于IMPa小于等于3000MPa，進(jìn)一步優(yōu)選大于等于IMPa小于等于1500MPa，更加優(yōu)選大于等于IMPa小于等于1200MPa。如果同時(shí)轉(zhuǎn)印構(gòu)造體3和基體2，如果小于IMPa，則在轉(zhuǎn)印步驟中鄰接的構(gòu)造體彼此附著，構(gòu)造體3的形狀形成與所需形狀不同的形狀，不能得到所需要的反射特性。并且具有擦拭時(shí)滑動(dòng)性變差，擦拭性降低的趨勢(shì)。而如果小于3000MPa，則可抑制塑性變形，幾乎看不到塑性變形。構(gòu)造體3和基體2—體成形的情況下，從容易生產(chǎn)的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選使兩者的材料的彈性模量形成相同的值，具體是在大于等于IMPa小于等于1200MPa的范圍內(nèi)形成相同的值。也可以是構(gòu)造體3和基體2—體成形，使兩者的彈性模量為不同的值。形成這樣的光學(xué)元件1的方法例如有以下方法。即涂敷多層彈性模量不同的樹脂。此時(shí)樹脂最好是高粘度的，具體是優(yōu)選大于等于50000mPa·S。這是因?yàn)闃渲旌仙?，可得到楊氏模量的梯?gradation)0如果形成基體2的材料的彈性模量在大于等于IMPa小于等于3000MPa的范圍內(nèi)，則基體2的厚度優(yōu)選大于等于60μm，進(jìn)一步優(yōu)選大于等于60μm小于等于2000μm。如果大于等于60μm，則可抑制發(fā)生塑性變形和凝聚破毀，幾乎看不到塑性變形和凝聚破毀。而如果小于等于2000μm，則可高效率地使紫外線硬化樹脂硬化。圖31A至圖31C是從塑性變形的角度說明柔軟性光學(xué)元件與非柔軟性光學(xué)元件的不同作用的示意圖。在這里，柔軟性光學(xué)元件是指構(gòu)造體3和基體2都具有柔軟性的光學(xué)元件，非柔軟性光學(xué)元件是指構(gòu)造體3具有柔軟性而基體2不具有柔軟性的光學(xué)元件。如圖31A所示，向柔軟性光學(xué)元件的表面施加力F，由于基體2具有柔軟性，因此如圖31B所示，施加在柔軟性光學(xué)元件表面的力F進(jìn)行分散。因此如圖31C所示，如果解除力F，則柔軟性光學(xué)元件的表面恢復(fù)到原來的平坦?fàn)顟B(tài)。而如圖32A所示，向柔軟性光學(xué)元件的表面施加力F，由于基體2硬，因此如圖32B所示，施加在柔軟性光學(xué)元件表面的力F不進(jìn)行分散。因此如圖32C所示，如果解除力F，則在柔軟性光學(xué)元件的表面發(fā)生塑性變形或凝聚剝離。[實(shí)施例](試樣1-1)首先準(zhǔn)備外徑為126mm的玻璃輥原盤，如下所述地在該玻璃原盤的表面形成抗蝕劑膜。即，用稀釋劑將光致抗蝕劑稀釋到1/10，通過浸漬將該稀釋后的抗蝕劑以130nm左右的厚度涂敷在玻璃輥原盤的圓柱面上，通過這樣形成抗蝕劑膜。然后將作為記錄介質(zhì)的玻璃原盤輸送到圖11所示的輥原盤曝光裝置，將抗蝕劑進(jìn)行曝光，通過這樣連接成一個(gè)螺旋形的同時(shí)，在鄰接的三列軌跡之間形成準(zhǔn)六邊形格子圖案的潛像在抗蝕劑上被圖案化。具體是，向應(yīng)形成六邊形格子圖案的區(qū)域照射激光，該激光是曝光到上述玻璃輥原盤表面的功率0.50mW/m的激光，形成凹狀的準(zhǔn)六邊形格子圖案。軌跡列的列方向的抗蝕劑厚度為120nm左右，軌跡的延伸方向的抗蝕劑厚度為IOOnm左右。然后，對(duì)玻璃輥原盤上的抗蝕劑進(jìn)行顯影處理，使已曝光部分的抗蝕劑溶解進(jìn)行顯影。具體地，將未顯影的玻璃輥原盤放置在未圖示的顯影機(jī)的轉(zhuǎn)臺(tái)上，一面使整個(gè)轉(zhuǎn)臺(tái)旋轉(zhuǎn)一面向玻璃輥原盤表面滴下顯影液，將其表面的抗蝕劑進(jìn)行顯影。通過這樣得到抗蝕劑層在準(zhǔn)六邊形格子圖案上開口的抗蝕劑玻璃原盤。然后通過干式蝕刻交錯(cuò)進(jìn)行蝕刻處理和灰化處理，通過這樣得到橢圓錐形狀的凹部。利用蝕刻時(shí)間使此時(shí)圖案上的蝕刻量(深度)發(fā)生變化。最后通過O2灰化充分去掉光致抗蝕劑，得到凹狀的準(zhǔn)六邊形格子圖案的蛾眼玻璃輥母版。列方向的凹部深度比軌跡的延伸方向的凹部深度更深。使上述蛾眼玻璃輥母版與以數(shù)μm的厚度涂敷了具有以下組成的紫外線硬化樹脂組合物的聚甲基丙烯酸甲酯樹脂(PMMA)片密合，一面照射紫外線使其硬化一面進(jìn)行剝離，通過這樣制造出光學(xué)元件。然后，在光學(xué)元件的形成了蛾眼圖案的表面上進(jìn)行氟類處理劑(大金化成品銷售股份公司，商品名才7^DSX)的浸漬涂敷，通過這樣進(jìn)行氟處理。如上所述地制造出試樣1-1的光學(xué)元件。<紫外線硬化樹脂組合物>聚酯丙烯酸酯低聚物80質(zhì)量份(沙多瑪公司生產(chǎn)商品名CN2271E)低粘度單丙烯酸酯低聚物20質(zhì)量份(沙多瑪公司生產(chǎn)，商品名CN152)光聚合引發(fā)劑4wt%(汽巴精化公司生產(chǎn)，商品名DAR0CUR1173)(試樣1_2)通過調(diào)整每一個(gè)軌跡的極性反轉(zhuǎn)格式器信號(hào)的頻率、輥的轉(zhuǎn)數(shù)以及適當(dāng)?shù)倪M(jìn)給節(jié)距，進(jìn)行抗蝕劑層的圖案化，將節(jié)距和高寬比與試樣1-1不同的準(zhǔn)六邊形格子圖案記錄在抗蝕劑層上。除此之外與試樣1-1相同地制造了試樣1-2的光學(xué)元件。(試樣1-3)通過調(diào)整每一個(gè)軌跡的極性反轉(zhuǎn)格式器信號(hào)的頻率、輥的轉(zhuǎn)數(shù)以及適當(dāng)?shù)倪M(jìn)給節(jié)距，進(jìn)行抗蝕劑層的圖案化，將節(jié)距和高寬比與試樣1-1不同的準(zhǔn)六邊形格子圖案記錄在抗蝕劑層上。除此之外與試樣1-1相同地制造了光學(xué)元件。(試樣2-1至試樣2-3)除了使用具有以下組成的紫外線硬化樹脂組合物以外，與試樣1-1至試樣1-3相同地制造了試樣2-1至試樣2-3的光學(xué)元件。<紫外線硬化樹脂組合物>聚酯丙烯酸酯低聚物30質(zhì)量份(沙多瑪公司生產(chǎn)，商品名CN2271E)雙官能丙烯酸酯70質(zhì)量份(大阪有機(jī)化學(xué)工業(yè)股份公司生產(chǎn)，商品名Ε^^—卜310HP)光聚合引發(fā)劑4wt%(汽巴精化公司生產(chǎn)，商品名DAR0CUR1173)(試樣3-1至試樣3-3)除了使用具有以下組成的紫外線硬化樹脂組合物以外，與試樣1-1至試樣1-3相同地制造了試樣3-1至試樣3-3的光學(xué)元件。<紫外線硬化樹脂組合物>聚酯丙烯酸酯低聚物15質(zhì)量份(沙多瑪公司生產(chǎn)，商品名CN2271E)雙官能丙烯酸酯85質(zhì)量份(大阪有機(jī)化學(xué)工業(yè)股份公司生產(chǎn)，商品名Ε7二一卜310ΗΡ)光聚合引發(fā)劑4wt%(汽巴精化公司生產(chǎn)，商品名DARO⑶Rl173)(試樣4-1至試樣4-3)除了使用具有以下組成的紫外線硬化樹脂組合物以外，與試樣1-1至試樣1-3相同地制造了試樣4-1至試樣4-3的光學(xué)元件。<紫外線硬化樹脂組合物>聚酯丙烯酸酯低聚物5質(zhì)量份(沙多瑪公司生產(chǎn)，商品名CN2271E)(汽巴精化公司生產(chǎn)，商品名DAR0CUR1173)(試樣5-1至試樣5-3)除了使用具有以下組成的紫外線硬化樹脂組合物以外，與試樣1-1至試樣1-3相同地制造了試樣5-1至試樣5-3的光學(xué)元件。<紫外線硬化樹脂組合物>雙官能丙烯酸酯80質(zhì)量份(大阪有機(jī)化學(xué)工業(yè)股份公司生產(chǎn)，商品名Ε^^—卜310HP)五官能聚氨酯丙烯酸酯(urethaneacrylate)20質(zhì)量份(共榮社化學(xué)股份公司生產(chǎn)，商品名UA510H)光聚合引發(fā)劑4wt%(汽巴精化公司生產(chǎn)，商品名DAR0CUR1173)(試樣6-1至試樣6-3)除了省略了在光學(xué)元件的形成了蛾眼圖案的表面上進(jìn)行氟處理的步驟以外，與試樣1-1至試樣1-3相同地制造了試樣6-1至試樣6-3的光學(xué)元件。(形狀評(píng)價(jià))通過原子力顯微鏡(AFM=AtomicForceMicroscope)觀察制造的試樣1-1至試樣6-3的光學(xué)元件。通過AFM的截面剖面圖求出各試樣的構(gòu)造體的節(jié)距和高寬比。其結(jié)果如表1所示。(接觸角的測(cè)量)利用接觸角測(cè)量?jī)x(協(xié)和界面化學(xué)公司生產(chǎn)，產(chǎn)品名CA-XE型)測(cè)量光學(xué)元件的蛾眼圖案形成側(cè)的表面的接觸角。測(cè)量接觸角的液體使用油酸。(擦拭性評(píng)價(jià))指紋附著在光學(xué)元件的蛾眼圖案形成側(cè)的表面上后，使用CottonCiegal(千代田制紙(股份)公司生產(chǎn))、利用ISkPa左右的壓力在5秒鐘內(nèi)進(jìn)行往返十次的干擦。通過比較指紋附著前和干擦后的反射率來評(píng)價(jià)擦拭性，將在指紋附著前和干擦后反射率是相同值的情況視為可進(jìn)行干擦。在表1中，〇表示可干擦，X表示不可干擦。反射率是利用評(píng)價(jià)裝置(日本分光公司產(chǎn)生，商品名V-550)測(cè)量波長(zhǎng)532nm的可見光的反射率。其結(jié)果如表1所示。(測(cè)量彈性模量)(通過拉伸試驗(yàn)機(jī)進(jìn)行測(cè)量)利用與用于制造光學(xué)元件的紫外線硬化樹脂組合物相同的材料制造平坦膜(UV硬化)，切成寬度為14mm、長(zhǎng)度為50nm、厚度大約為200μm形狀的薄膜樣品進(jìn)行使用。按照J(rèn)ISK7127、使用拉伸試驗(yàn)機(jī)(株式會(huì)社島津制作所生產(chǎn)，產(chǎn)品名AG-X)測(cè)量了薄膜樣品的彈性模量。其結(jié)果如表1所示。雙官能丙烯酸酯！(大阪有機(jī)化學(xué)工業(yè)股份公司生產(chǎn)，商品名Ε^-光聚合引發(fā)劑‘利用薄膜表面性能測(cè)試儀(費(fèi)希爾儀器(股份)公司生產(chǎn)，F(xiàn)ISCHERSCOPEHM-500)測(cè)量形成了蛾眼圖案的光學(xué)元件的彈性模量。其結(jié)果，利用微硬度測(cè)試儀測(cè)量的彈性模量值以及利用拉伸試驗(yàn)機(jī)測(cè)量的材料固有的彈性模量值幾乎相同。[表1]權(quán)利要求1.一種具有防反射功能的光學(xué)元件，其特征在于，包括具有表面的基體；以及以小于等于可見光的波長(zhǎng)的細(xì)微節(jié)距在所述基體的表面配置多個(gè)且由凸部或凹部構(gòu)成的多個(gè)構(gòu)造體，形成所述構(gòu)造體的材料的彈性模量大于等于IMPa小于等于1200MPa，所述構(gòu)造體的高寬比大于等于0.6小于等于1.5。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有防反射功能的光學(xué)元件，其特征在于，還包括形成在所述構(gòu)造體上的表面處理層，所述表面處理層包含含有氟和硅中的至少一種的化合物。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的具有防反射功能的光學(xué)元件，其特征在于，形成了所述表面處理層的所述基體的表面上的油酸的接觸角大于等于30度。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的具有防反射功能的光學(xué)元件，其特征在于，形成了所述表面處理層的所述基體的表面上的油酸的接觸角大于等于50度。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有防反射功能的光學(xué)元件，其特征在于，所述構(gòu)造體被配置成在所述基體的表面構(gòu)成多列軌跡，且形成六邊形格子圖案、準(zhǔn)六邊形格子圖案、四邊形格子圖案或準(zhǔn)四邊形格子圖案，所述構(gòu)造體為具有沿所述軌跡的延伸方向的長(zhǎng)軸方向的橢圓錐或橢圓錐臺(tái)形狀。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的具有防反射功能的光學(xué)元件，其特征在于，所述軌跡是直線狀或圓弧形。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的具有防反射功能的光學(xué)元件，其特征在于，所述軌跡是蛇行軌跡。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有防反射功能的光學(xué)元件，其特征在于，所述構(gòu)造體被配置成在所述基體的表面構(gòu)成多列軌跡，且形成準(zhǔn)六邊形格子圖案，所述軌跡的延伸方向上的所述構(gòu)造體的高度或深度小于所述軌跡的列方向上的所述構(gòu)造體的高度或深度。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有防反射功能的光學(xué)元件，其特征在于，所述構(gòu)造體被配置成在所述基體的表面構(gòu)成多列軌跡，且形成四邊形格子圖案或準(zhǔn)四邊形格子圖案，相對(duì)于所述軌跡的延伸方向傾斜的排列方向上的所述構(gòu)造體的高度或深度小于所述軌跡的延伸方向上的所述構(gòu)造體的高度或深度。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的具有防反射功能的光學(xué)元件，其特征在于，相同軌跡內(nèi)的所述構(gòu)造體的配置節(jié)距P1長(zhǎng)于鄰接的兩個(gè)軌跡間的所述構(gòu)造體的配置節(jié)距P2。11.一種具有防反射功能的光學(xué)元件，其特征在于，包括以小于等于可見光的波長(zhǎng)的細(xì)微節(jié)距配置多個(gè)且由凸部構(gòu)成的多個(gè)構(gòu)造體，相鄰的所述構(gòu)造體的下部彼此接合，形成所述構(gòu)造體的材料的彈性模量大于等于IMPa小于等于1200MPa，所述構(gòu)造體的高寬比大于等于0.6小于等于1.5。12.—種具有防反射功能的光學(xué)元件，其特征在于，包括具有表面的基體；以及以小于等于可見光的波長(zhǎng)的細(xì)微節(jié)距在所述基體的表面配置多個(gè)且由凸部或凹部構(gòu)成的多個(gè)構(gòu)造體，形成所述構(gòu)造體的材料的彈性模量大于等于IMPa小于等于1200MPa，所述構(gòu)造體的高寬比大于等于0.6小于等于5。13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的具有防反射功能的光學(xué)元件，其特征在于，形成所述基體的材料的彈性模量大于等于IMPa小于等于3000MPa。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的具有防反射功能的光學(xué)元件，其特征在于，所述基體的厚度大于等于60iim。15.根據(jù)權(quán)利要求12所述的具有防反射功能的光學(xué)元件，其特征在于，所述基體具有兩層以上的層結(jié)構(gòu)，在所述兩層以上的層結(jié)構(gòu)中，與所述構(gòu)造體鄰接形成的基底層的彈性模量大于等于IMPa小于等于3000Mpa。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的具有防反射功能的光學(xué)元件，其特征在于，所述基底層的厚度大于60iim。17.根據(jù)權(quán)利要求12所述的具有防反射功能的光學(xué)元件，其特征在于，所述基體包括與所述構(gòu)造體鄰接形成的基底層和與該基底層鄰接形成的基材，所述基底層和所述基材的彈性模量大于等于IMPa小于等于3000MPa。18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的具有防反射功能的光學(xué)元件，其特征在于，所述基底層和所述基材的總厚度大于60um。19.根據(jù)權(quán)利要求12所述的具有防反射功能的光學(xué)元件，其特征在于，形成所述構(gòu)造體的材料的伸長(zhǎng)率大于等于50%。20.根據(jù)權(quán)利要求12所述的具有防反射功能的光學(xué)元件，其特征在于，形成所述基體的材料的伸長(zhǎng)率大于等于20%。21.—種顯示裝置，其特征在于，包括權(quán)利要求1至20中任一項(xiàng)所述的具有防反射功能的光學(xué)元件。全文摘要本發(fā)明提供可擦拭指紋等污漬的光學(xué)元件及其制造方法。具有防反射功能的光學(xué)元件包括具有表面的基體以及以小于可見光波長(zhǎng)的細(xì)微節(jié)距在基體的表面設(shè)置多個(gè)且由凸部或凹部組成的多個(gè)構(gòu)造體，形成構(gòu)造體的材料的彈性模量大于等于1MPa小于等于1200MPa，上述構(gòu)造體的高寬比大于等于0.6小于等于1.5。文檔編號(hào)G02B1/11GK102004273SQ20101027205公開日2011年4月6日申請(qǐng)日期2010年9月2日優(yōu)先權(quán)日2009年9月2日發(fā)明者伊藤優(yōu),木曾弘之,田澤洋志,西村良,飯?zhí)镂膹?高橋秀俊申請(qǐng)人:索尼公司