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利用光電耦合器封裝長(zhǎng)度增加內(nèi)部絕緣距離的一種方法

文檔序號(hào):2756640閱讀:190來(lái)源:國(guó)知局
專(zhuān)利名稱(chēng):利用光電耦合器封裝長(zhǎng)度增加內(nèi)部絕緣距離的一種方法
技術(shù)領(lǐng)域
本技術(shù)發(fā)明涉及光電耦合器產(chǎn)品封裝結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)提供了一種增加光耦產(chǎn)品內(nèi)部絕緣距離的解決方案。(光電耦合器簡(jiǎn)稱(chēng)光耦)
背景技術(shù)
面對(duì)面結(jié)構(gòu)F是目前普遍應(yīng)用的一種光耦產(chǎn)品內(nèi)部結(jié)構(gòu),如圖1所示,輸入端芯片與輸出端芯片與產(chǎn)品長(zhǎng)度的正面平行,輸入端芯片發(fā)出的紅外光直接傳輸至對(duì)面的輸出端感光芯片。但面對(duì)面結(jié)構(gòu)F對(duì)于小型貼片封裝產(chǎn)品(SOP封裝)具有局限性。由于產(chǎn)品厚度的限制(<2.0毫米),內(nèi)部絕緣距離(產(chǎn)品內(nèi)部輸入與輸出端導(dǎo)電體之間的最短距離)如圖1中的(106)所示,僅能做到> 0. 4毫米,輸入與輸出端之間的高壓耐壓僅能達(dá)到交流3750伏(有效值)。對(duì)于高壓耐壓要求為交流5000伏(有效值)的光耦產(chǎn)品,絕緣距離必須做到>0.75毫米。面對(duì)面結(jié)構(gòu)F無(wú)法應(yīng)用于光耦耐壓要求為交流5000伏(有效值)的SOP封裝產(chǎn)品。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種利用光電耦合器封裝長(zhǎng)度增加內(nèi)部絕緣距離的解決方案,這個(gè)方案產(chǎn)生光耦產(chǎn)品的垂直結(jié)構(gòu)V。如圖2所示,與面對(duì)面結(jié)構(gòu)F相比,芯片轉(zhuǎn)了90度,與產(chǎn)品長(zhǎng)度的正面垂直,安裝在金屬支架的頂端,這樣避開(kāi)了產(chǎn)品厚度的限制,利用產(chǎn)品長(zhǎng)度提供的空間使內(nèi)部絕緣距離> 0. 75毫米。本發(fā)明產(chǎn)生的《光耦產(chǎn)品垂直結(jié)構(gòu)V》的有益效果是增加了光耦內(nèi)部絕緣距離。譬如對(duì)光耦中的小型貼片封裝產(chǎn)品(SOP封裝,產(chǎn)品厚度< 2. 0毫米)的內(nèi)部絕緣距離從僅大于0. 4毫米提高到0. 75毫米以上,從而使產(chǎn)品的耐高壓能力從交流3750伏(有效值)提高到5000伏以上(有效值)。本發(fā)明通過(guò)以下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn)在生產(chǎn)光電耦合器金屬框架時(shí),用沖壓法在其頂端形成垂直面,在不同的垂直框架的垂直面上分別安裝輸入端芯片和輸出端芯片,再焊接上金屬線(xiàn),然后通過(guò)精密模具定位使得輸入端芯片和輸出端芯片處在面對(duì)面的位置,并使內(nèi)部絕緣距離達(dá)到相應(yīng)的要求,定位是通過(guò)精密模具上的定位針和金屬框架上的定位孔達(dá)到精確定位的,然后進(jìn)行透光材料封裝,再進(jìn)行外部封裝。


圖1是面對(duì)面結(jié)構(gòu)F。圖2是本發(fā)明的光耦產(chǎn)品垂直結(jié)構(gòu)V。圖3是本發(fā)明的光耦產(chǎn)品垂直結(jié)構(gòu)V的俯視圖。圖4是芯片不在同一軸線(xiàn)上的垂直結(jié)構(gòu)V俯視圖。圖5是垂直支架裝配圖。圖6是封裝前支架及模具定位圖。
圖7是封裝前支架放大示意圖。圖8是封裝模具及定位針?lè)糯笫疽鈭D。圖9是封裝后的產(chǎn)品及支架。
具體實(shí)施例方式實(shí)施例《垂直結(jié)構(gòu)V》如圖2所示,其中(201)為產(chǎn)品厚度,(202)為產(chǎn)品長(zhǎng)度,(203)為外封裝材料,(204)為透光封裝材料,(205)為芯片,(206)為內(nèi)部絕緣距離,(207)為內(nèi)部高壓滲透距離,(208)為金屬支架。圖3和圖4為兩種封裝形式以適應(yīng)不同的輸入和輸出端的電性能引線(xiàn)要求,其中圖3芯片安裝在同一軸線(xiàn)上,圖4芯片安裝在不同的軸線(xiàn)上。這種結(jié)構(gòu)利用產(chǎn)品長(zhǎng)度提供的空間使內(nèi)部絕緣距離(206)從大于0. 4毫米提高到0. 75毫米以上。比如應(yīng)用到小型貼片封裝光耦(SOP封裝,產(chǎn)品厚度<2.0毫米)產(chǎn)品時(shí),能使耐高壓能力從交流3750伏(有效值)提高到5000伏以上(有效值)。應(yīng)用光耦產(chǎn)品垂直結(jié)構(gòu)V技術(shù),可以在封裝前用垂直支架分別裝配輸入端芯片(501)和輸出端芯片(502),如圖5所示。內(nèi)部絕緣距離(206)可以在封裝透光材料(204)時(shí)用精密模具定位來(lái)保障,如圖6所示。圖7所示是封裝前支架放大示意圖。圖8所示是封裝模具及定位針?lè)糯笫疽鈭D。圖9所示是封裝后的產(chǎn)品及支架。
權(quán)利要求
1.一種用光電耦合器封裝長(zhǎng)度增加內(nèi)部絕緣距離的方法,其特征在于芯片與產(chǎn)品長(zhǎng)度的正面垂直,安裝在金屬支架的頂端。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的封裝形式,輸入端芯片(205)與對(duì)面的輸出端芯片可以安裝在同一個(gè)軸線(xiàn)上,也可以安裝在不同的軸線(xiàn)上。
3.光電耦合器內(nèi)部絕緣距離(206)可以在封裝透光材料(204)時(shí)用精密模具定位來(lái)保障。
全文摘要
本發(fā)明涉及光電耦合器產(chǎn)品封裝結(jié)構(gòu),該垂直結(jié)構(gòu)利用產(chǎn)品長(zhǎng)度提供的空間增加內(nèi)部絕緣距離,提供了一種增加光耦產(chǎn)品內(nèi)部絕緣距離的解決方案,尤其適用于高耐壓的小型貼片封裝光電耦合器。
文檔編號(hào)G02B6/42GK102386270SQ20101027079
公開(kāi)日2012年3月21日 申請(qǐng)日期2010年8月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月29日
發(fā)明者不公告發(fā)明人 申請(qǐng)人:沈震強(qiáng)
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