專利名稱：畫素結(jié)構(gòu)的修補(bǔ)方法、修補(bǔ)后的畫素結(jié)構(gòu)以及畫素?cái)?shù)組的制作方法
畫素結(jié)構(gòu)的修補(bǔ)方法、修補(bǔ)后的畫素結(jié)構(gòu)以及畫素?cái)?shù)組
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種畫素結(jié)構(gòu)的修補(bǔ)方法、修補(bǔ)后的畫素結(jié)構(gòu)以及畫素?cái)?shù)組，且 特別是有關(guān)于一種液晶顯示器的畫素結(jié)構(gòu)的修補(bǔ)方法、修補(bǔ)后的畫素結(jié)構(gòu)以及畫素?cái)?shù)組。
背景技術(shù)：
液晶顯示器主要由薄膜晶體管數(shù)組基板、彩色濾光數(shù)組基板和液晶層所構(gòu)成，其 中薄膜晶體管數(shù)組基板是由多個(gè)數(shù)組排列的畫素結(jié)構(gòu)所構(gòu)成，每一畫素結(jié)構(gòu)是由薄膜晶體 管、畫素電極(pixel electrode)以及儲(chǔ)存電容器(storage capacitor)所組成。當(dāng)畫素結(jié) 構(gòu)中因顆?；蚪殡妼悠贫炊l(fā)生電性異常時(shí)，此畫素結(jié)構(gòu)便會(huì)成為點(diǎn)瑕疵(dot defect) 0 一般來說，若能通過修補(bǔ)方式將上述的點(diǎn)瑕疵修補(bǔ)成暗點(diǎn)，就可以不需要報(bào)廢丟棄這些有 瑕疵的液晶顯示面板。在現(xiàn)有技術(shù)中，液晶顯示面板的畫素結(jié)構(gòu)的修補(bǔ)方式通常是采用激光熔接(laser welding)及激光切割(laser cutting)的搭配來進(jìn)行。然而，傳統(tǒng)通過激光熔接及激光切 割方式進(jìn)行畫素結(jié)構(gòu)的暗點(diǎn)化需要進(jìn)行多處切割以及多處熔接，因而此種暗點(diǎn)化的修補(bǔ)方 式較為復(fù)雜且成本較高。

發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供一種畫素結(jié)構(gòu)的修補(bǔ)方法，其可以通過簡(jiǎn)單的修補(bǔ)方式即達(dá)到將瑕疵 畫素暗點(diǎn)化的目的。本發(fā)明提供一種修補(bǔ)后的畫素結(jié)構(gòu)以及畫素?cái)?shù)組，其是利用上述的修補(bǔ)方式所形 成的畫素結(jié)構(gòu)以及畫素?cái)?shù)組。本發(fā)明提出一種畫素結(jié)構(gòu)的修補(bǔ)方法，此方法包括提供位于基板上的畫素結(jié)構(gòu)， 此畫素結(jié)構(gòu)包括掃描線以及數(shù)據(jù)線、主動(dòng)組件、絕緣層以及畫素電極。掃描線以及數(shù)據(jù)線位 于基板上。主動(dòng)組件位于基板上且與掃描線以及數(shù)據(jù)線電性連接。絕緣層覆蓋主動(dòng)組件、 掃描線以及數(shù)據(jù)線，其中絕緣層中具有接觸窗開口。畫素電極位于絕緣層上，其中畫素電極 填入接觸窗開口中以與主動(dòng)組件電性連接。接著，進(jìn)行激光移除程序，以移除位于接觸窗開 口內(nèi)的至少部份畫素電極，以使畫素電極與主動(dòng)組件電性絕緣。本發(fā)明提出一種修補(bǔ)后的畫素結(jié)構(gòu)，其包括掃描線以及數(shù)據(jù)線、主動(dòng)組件、絕緣層 以及畫素電極。掃描線以及數(shù)據(jù)線位于基板上。主動(dòng)組件位于基板上且與掃描線以及數(shù)據(jù) 線電性連接。絕緣層覆蓋主動(dòng)組件、掃描線以及數(shù)據(jù)線，其中絕緣層中具有接觸窗開口。畫 素電極位于絕緣層上，其中畫素電極未覆蓋住接觸窗開口的底部以使畫素電極與主動(dòng)組件 電性絕緣。本發(fā)明提出一種畫素?cái)?shù)組，其包括多個(gè)第一畫素結(jié)構(gòu)以及至少一個(gè)第二畫素結(jié) 構(gòu)。每一個(gè)第一畫素結(jié)構(gòu)包括第一掃描線以及第一數(shù)據(jù)線、第一主動(dòng)組件、絕緣層以及第一 畫素電極。第二畫素結(jié)構(gòu)包括第二掃描線以及第二數(shù)據(jù)線、第二主動(dòng)組件、絕緣層以及第二 畫素電極。第一掃描線以及第一數(shù)據(jù)線位于基板上。第一主動(dòng)組件位于基板上且與第一掃描線以及第一數(shù)據(jù)線電性連接。絕緣層覆蓋第一主動(dòng)組件、第一掃描線以及第一數(shù)據(jù)線，其 中絕緣層中具有第一接觸窗開口。第一畫素電極位于絕緣層上，其中第一畫素電極填入第 一接觸窗開口中以與第一主動(dòng)組件電性連接。第二掃描線以及第二數(shù)據(jù)線位于基板上。第 二主動(dòng)組件位于基板上且與第二掃描線以及第二數(shù)據(jù)線電性連接。絕緣層覆蓋第二主動(dòng)組 件、第二掃描線以及第二數(shù)據(jù)線，其中絕緣層中具有第二接觸窗開口。第二畫素電極位于絕 緣層上，其中第二畫素電極未覆蓋第二接觸窗開口的底部以使第二畫素電極與第二主動(dòng)組 件電性絕緣。基于上述，本發(fā)明是利用激光移除程序移除位于接觸窗開口內(nèi)的畫素電極，以使 畫素電極與主動(dòng)組件電性絕緣，進(jìn)而使此畫素結(jié)構(gòu)暗點(diǎn)化。由于本發(fā)明僅需通過激光移除 程序移除位于接觸窗開口內(nèi)的畫素電極即可達(dá)到將瑕疵畫素結(jié)構(gòu)暗點(diǎn)化，因此本發(fā)明的修 補(bǔ)方法相較于傳統(tǒng)畫素修補(bǔ)方法較為簡(jiǎn)便。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附圖式 作詳細(xì)說明如下。
圖IA至圖IB是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的畫素結(jié)構(gòu)的修補(bǔ)方法的示意圖。圖2A是圖IA中沿著剖面線A-A’的剖面示意圖。圖2B是圖IB中沿著剖面線A-A，的剖面示意圖。圖3是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的修補(bǔ)后的畫素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖4是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的修補(bǔ)后的畫素結(jié)構(gòu)的上視示意5是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的畫素?cái)?shù)組的示意圖。主要組件符號(hào)說明100 基板IOla:前表面IOlb 后表面102:柵極絕緣層104、IO8:保護(hù)層106 平坦層/彩色濾光層110:絕緣層SL、SLl SL3 掃描線DL、DLl DL5 數(shù)據(jù)線T、T1、T2:主動(dòng)組件GT、G1、G2:柵極CH、CH1、CH2 信道S、S1、S2:源極D、D1、D2:漏極PE、PE1、PE2 畫素電極C、C1、C2 接觸窗開口B 底部
W 側(cè)表面R:開口L 激光移除程序CL:共享電極
具體實(shí)施方式
本發(fā)明所提出的修補(bǔ)方法是針對(duì)具有瑕疵的畫素結(jié)構(gòu)來進(jìn)行修補(bǔ)以達(dá)到將瑕疵 畫素暗點(diǎn)化的目的。而上述瑕疵可能是粉塵顆粒、介電層破洞或是其它瑕疵而導(dǎo)致此畫素 結(jié)構(gòu)無法正常運(yùn)作。因此，以下的修補(bǔ)方法是針對(duì)具有瑕疵的畫素結(jié)構(gòu)來進(jìn)行的。圖IA至圖IB是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的畫素結(jié)構(gòu)的修補(bǔ)方法的示意圖。圖2A是 圖IA中沿著剖面線A-A’的剖面示意圖。圖2B是圖IB中沿著剖面線A-A’的剖面示意圖。 請(qǐng)參照?qǐng)DIA以及圖2A，首先提供如圖IA所示的畫素結(jié)構(gòu)，此畫素結(jié)構(gòu)為具有瑕疵的畫素 結(jié)構(gòu)。此畫素結(jié)構(gòu)包括配置在基板100上的掃描線SL以及數(shù)據(jù)線DL、主動(dòng)組件T、絕緣層 106以及畫素電極PE。基板100的材質(zhì)可為玻璃、石英、有機(jī)聚合物、或是不透光/反射材料(例如導(dǎo)電 材料、晶圓、陶瓷、或其它可適用的材料)、或是其它可適用的材料。掃描線SL以及數(shù)據(jù)線DL位于基板100上。掃描線SL以及數(shù)據(jù)線DL彼此交錯(cuò)設(shè) 置。換言之，數(shù)據(jù)線DL的延伸方向與掃描線SL的延伸方向不平行，較佳的是，數(shù)據(jù)線DL的 延伸方向與掃描線SL的延伸方向大體上垂直。另外，于本實(shí)施例中，掃描線SL與數(shù)據(jù)線DL 屬于不同的膜層?；趯?dǎo)電性的考量，掃描線SL與數(shù)據(jù)線DL —般是使用金屬材料。然，本 發(fā)明不限于此，根據(jù)其它實(shí)施例，掃描線SL與數(shù)據(jù)線DL也可以使用其它導(dǎo)電材料，例如合 金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或是金屬材料與其它導(dǎo) 電材料的堆棧層。主動(dòng)組件T位于基板100上且與掃描線SL以及數(shù)據(jù)線DL電性連接。根據(jù)本實(shí)施 例，主動(dòng)組件T包括柵極G、信道CH、源極S以及漏極D。柵極G與掃描線SL電性連接。信 道CH位于柵極G的上方。源極S以及漏極D位于信道CH的上方，且源極S與數(shù)據(jù)線DL電 性連接。在本實(shí)施例中，在柵極G與信道CH之間包括有一層絕緣層102，其又可稱為柵極絕 緣層。絕緣層102的材質(zhì)例如是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或上述至少二種材料的堆棧層。 上述的主動(dòng)組件T是以底部柵極型薄膜晶體管為例來說明，但本發(fā)明不限于此。根據(jù)其它 實(shí)施例，上述的主動(dòng)組件T也可是以頂部柵極型薄膜晶體管。絕緣層110覆蓋主動(dòng)組件T、掃描線SL以及數(shù)據(jù)線DL，其中絕緣層110中具有接觸 窗開口 C。在此，接觸窗開口 C暴露出主動(dòng)組件T的漏極D。在本實(shí)施例中，絕緣層110包 括絕緣層104、106、108，絕緣層104又可稱為保護(hù)層，其材質(zhì)例如是氧化硅、氮化硅、氮氧化 硅、或上述至少二種材料的堆棧層。絕緣層106可為平坦層或者是彩色濾光層。倘若絕緣層 106為平坦層，其材質(zhì)可無機(jī)絕緣材料、有機(jī)材料絕緣材質(zhì)或上述的組合。倘若絕緣層106 為彩色濾光層，其材質(zhì)可為紅色濾光材料、綠色濾光材料或是藍(lán)色濾光材料。絕緣層108亦 作為保護(hù)層，其材質(zhì)例如是氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、或上述至少二種材料的堆棧層。值得一提的是，雖然本實(shí)施例的絕緣層110是由保護(hù)層104、平坦層/彩色濾光層 106以及保護(hù)層108所構(gòu)成，但本發(fā)明不限制覆蓋在主動(dòng)組件T上的絕緣層110的層數(shù)。換
6言之，根據(jù)其它實(shí)施例，絕緣層110可以單純?yōu)楸Ｗo(hù)層104。根據(jù)另一實(shí)施例，覆蓋在主動(dòng)組 件T上的絕緣層110可以為保護(hù)層104以及平坦層106。根據(jù)又一實(shí)施例，覆蓋在主動(dòng)組件 T上的絕緣層110可以為彩色濾光層106以及保護(hù)層108。畫 素電極PE位于絕緣層110上，且畫素電極PE填入接觸窗開口 C中以與主動(dòng)組 件T的漏極D電性連接。上述的畫素電極PE可為透明畫素電極、反射畫素電極或是透明畫 素電極與反射畫素電極的組合。透明畫素電極的材質(zhì)包括金屬氧化物，例如是銦錫氧化物、 銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物或者是上述至少二者的堆棧層。反射 畫素電極的材質(zhì)包括具有高反射性的金屬材料。接著，如圖2A所示，進(jìn)行激光移除程序L，以移除位于接觸窗開C內(nèi)的畫素電極 PE,以使畫素電極PE與主動(dòng)組件T電性絕緣，如圖IB以及圖2B所示。在本實(shí)施例中，進(jìn)行 激光移除程序L之后即于畫素電極PE的中形成開口 R，其中開口 R暴露出接觸窗開口 C。在本實(shí)施例中，所述激光移除程序L所使用的激光波長(zhǎng)為266ηπΓ 064ηπι。此外，根 據(jù)本實(shí)施例，所述激光移除程序L是由基板100的前方來進(jìn)行。更詳細(xì)而言，基板100具有 前表面IOla以及后表面101b，上述的畫素結(jié)構(gòu)(如圖IA所示)是位于基板100的前表面 IOla上。而上述的激光移除程序L的激光束是從基板100的前表面IOla的上方射向畫素 結(jié)構(gòu)。所述激光移除程序L可以通過精準(zhǔn)的控制激光能量以移除接觸窗開口 C內(nèi)的畫素電 極PE，藉以使此激光移除程序不容易有殘留物顆粒產(chǎn)生，且不會(huì)對(duì)絕緣層110造成損傷。以上述圖IA至圖IB的方法來進(jìn)行修補(bǔ)之后的畫素結(jié)構(gòu)如圖IB以及圖2B所示。 所述修補(bǔ)后的畫素結(jié)構(gòu)包括掃描線SL以及數(shù)據(jù)線DL、主動(dòng)組件T、絕緣層110以及畫素電 極PE。掃描線SL以及數(shù)據(jù)線DL位于基板100上。主動(dòng)組件T位于基板100上且與掃描線 SL以及數(shù)據(jù)線DL電性連接。絕緣層110覆蓋主動(dòng)組件T、掃描線SL以及數(shù)據(jù)線DL，且絕緣 層110中具有接觸窗開口 C。畫素電極PE位于絕緣層110上，且畫素電極PE未覆蓋住接觸 窗開口 C的底部B、側(cè)表面W以及接觸窗開口 C的外圍區(qū)域，以使畫素電極PE與主動(dòng)組件T 電性絕緣。在另一實(shí)施例中，畫素電極PE未覆蓋住接觸窗開口 C的底部B以及側(cè)表面W。在上述的實(shí)施例中，激光移除程序L是移除位于接觸窗開口 C內(nèi)的所有畫素電極 PE,因此在進(jìn)行激光移除程序L之后，畫素電極PE未填入接觸窗開口 C內(nèi)。換言之，在進(jìn)行 激光移除程序L之后，如圖2B所示，接觸窗開口 C的底部B以及側(cè)表面W都被暴露出來而 沒有被畫素電極PE所覆蓋。然，本發(fā)明不限于此。根據(jù)本發(fā)明的另一實(shí)施例，激光移除程 序L也可以僅移除位于接觸窗開口 C的底部的畫素電極PE，以使畫素電極PE與主動(dòng)組件T 電性絕緣，如圖3所示。圖3是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的修補(bǔ)后的畫素結(jié)構(gòu)的剖面示意圖。圖3的實(shí)施例 與圖2B的實(shí)施例相似，因此與圖2B的實(shí)施例相同的組件以相同的符號(hào)表示，且不再重復(fù)贅 述。圖3的實(shí)施例與圖2B的實(shí)施例不同的處在于，激光移除程序是移除位于接觸窗開口 C 的底部B的畫素電極PE。因此，在激光移除程序之后畫素電極PE是部分地覆蓋接觸窗開口 C的側(cè)表面W。值得一提的是，本發(fā)明主要是通過激光移除程序移除位于主動(dòng)組件的漏極上方的 畫素電極，以使主動(dòng)組件與畫素電極電性絕緣，藉以達(dá)到將瑕疵畫素結(jié)構(gòu)暗點(diǎn)化的目的。因 此，上述實(shí)施例的畫素結(jié)構(gòu)僅用于說明本發(fā)明，但并非用以限定本發(fā)明。換言之，本發(fā)明不限制畫素結(jié)構(gòu)的布局形式。舉例而言，根據(jù)一實(shí)施例，畫素結(jié)構(gòu)的主動(dòng)組件的漏極亦可以延伸至畫素結(jié)構(gòu)的中央位置，如圖4所示。在圖4的畫素結(jié)構(gòu)中， 漏極D是延伸至畫素結(jié)構(gòu)的中央位置，因此接觸窗開口 C是設(shè)置于畫素結(jié)構(gòu)的中央。此外， 根據(jù)此實(shí)施例，畫素結(jié)構(gòu)還可包括共享電極CL。在畫素電極PE中還包括設(shè)置有配向狹縫或 配向凸起。特別是，在此修補(bǔ)后的畫素結(jié)構(gòu)中，畫素電極PE中的開口 R暴露出接觸窗開口 C，因此畫素電極PE與漏極D電性絕緣圖5是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的畫素?cái)?shù)組的示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D5，畫素?cái)?shù)組是由多 個(gè)畫素結(jié)構(gòu)所構(gòu)成，且此畫素?cái)?shù)組中具有多個(gè)正常畫素結(jié)構(gòu)Ul以及至少一個(gè)修補(bǔ)后的畫 素結(jié)構(gòu)U2。換言之，本實(shí)施例所提出的畫素?cái)?shù)組中，大多數(shù)的畫素結(jié)構(gòu)Ul是正常的畫素結(jié) 構(gòu)。而少部分的(至少一個(gè))畫素結(jié)構(gòu)U2是修補(bǔ)后(暗點(diǎn)化)之后的畫素結(jié)構(gòu)，其可為如 圖IB(圖2B)、圖3或圖4所示的畫素結(jié)構(gòu)。有關(guān)本實(shí)施例的畫素?cái)?shù)組的詳細(xì)說明如下。請(qǐng)參照?qǐng)D5，此畫素?cái)?shù)組包括掃描線SLl SL3以及數(shù)據(jù)線DLf DL5、主動(dòng)組件Tl， T2、絕緣層以及畫素電極PE1，PE2。在此畫素?cái)?shù)組的畫素結(jié)構(gòu)中，與上述圖1A-1B與圖2A-2B 相同的組件以相似的符號(hào)表示。掃描線SLl SL3以及數(shù)據(jù)線DL1 DL5彼此交錯(cuò)設(shè)置。換言之，數(shù)據(jù)線DL1 DL5 的延伸方向與掃描線SLl SL3的延伸方向不平行，較佳的是，數(shù)據(jù)線DL1 DL5的延伸方向 與掃描線SLl SL3的延伸方向大體上垂直。另外，掃描線SLl SL3以及數(shù)據(jù)線DL1 DL5 屬于不同的膜層。此外，掃描線SLl SL3與數(shù)據(jù)線DLfDL5的材質(zhì)與上述圖IA與圖IB 的實(shí)施例所述的掃描線以及數(shù)據(jù)線相同或相似。對(duì)于正常的畫素結(jié)構(gòu)Ul而言，其包括主動(dòng)組件Tl以及畫素電極PE1。主動(dòng)組件 Tl與掃描線SLl SL3其中的一以及數(shù)據(jù)線DLfDL5其中的一電性連接。主動(dòng)組件Tl包 括柵極G1、信道CH1、源極Sl以及漏極D1。以圖5所標(biāo)示的畫素結(jié)構(gòu)Ul為例，柵極Gl與掃 描線SLl電性連接。信道CHl位于柵極Gl的上方。源極Sl以及漏極Dl位于信道CHl的 上方，且源極Sl與數(shù)據(jù)線DL3電性連接。畫素電極PEl與主動(dòng)組件Tl電性連接。對(duì)于修補(bǔ)后(暗點(diǎn)化)的畫素結(jié)構(gòu)U2而言，其包括主動(dòng)組件T2以及畫素電極PE2。 主動(dòng)組件T2與掃描線SLl SL3其中的一以及數(shù)據(jù)線DLfDL5其中的一電性連接。主動(dòng) 組件T2包括柵極G2、信道CH2、源極S2以及漏極Dl。以圖5所標(biāo)示的畫素結(jié)構(gòu)U2為例，柵 極G2與掃描線SLl電性連接。信道CH2位于柵極G2的上方。源極S2以及漏極D2位于信 道CH2的上方，且源極S2與數(shù)據(jù)線DLl電性連接。畫素電極PE2與主動(dòng)組件T2電性連接。類似地，在本實(shí)施例中，在主動(dòng)組件Tl，T2的柵極Gl，G2與信道CH1，CH2之間包 括有一層絕緣層(如圖2A與圖2B所示的絕緣層102)，其又可稱為柵極絕緣層。上述的主 動(dòng)組件Tl，T2是以底部柵極型薄膜晶體管為例來說明，但本發(fā)明不限于此。根據(jù)其它實(shí)施 例，上述的主動(dòng)組件Tl，T2也可是以頂部柵極型薄膜晶體管。在畫素電極PEl與主動(dòng)組件Tl之間以及在畫素電極PE2與主動(dòng)組件T2之間更設(shè) 置有絕緣層(如圖2A與圖2B所示的絕緣層110)。特別是，在正常畫素結(jié)構(gòu)Ul的絕緣層 中具有接觸窗開口 Cl，其暴露出主動(dòng)組件Tl的漏極D1，其中畫素電極PEl填入接觸窗開口 Cl中以與主動(dòng)組件Tl的漏極Dl電性連接。在修補(bǔ)后的畫素結(jié)構(gòu)U2的絕緣層中具有接觸 窗開口 C2，其暴露出主動(dòng)組件T2的漏極D2，其中畫素電極PE2未覆蓋接觸窗開口 C2的底 部，以使畫素電極PE2與主動(dòng)組件T2電性絕緣。類似地，針對(duì)修補(bǔ)后的畫素結(jié)構(gòu)U2而言，其畫素電極PE2可以是完全未填入接觸窗開口 C2中以使畫素電極PE2與主動(dòng)組件T2電性絕緣(如圖IB以及圖2B所示)。或者 是，畫素電極PE2未覆蓋接觸窗開口 C2的底部但部分地覆蓋接觸窗開口 C2的側(cè)表面，以使 畫素電極PE2與主動(dòng)組件T2電性絕緣(如圖3所示)。綜上所述，本發(fā)明是利用激光移除程序移除位于畫素結(jié)構(gòu)的接觸窗開口內(nèi)的畫素 電極，以使畫素電極與主動(dòng)組件電性絕緣，進(jìn)而使瑕疵畫素結(jié)構(gòu)暗點(diǎn)化。由于本發(fā)明僅需通 過激光移除程序移除位于接觸窗開口內(nèi)的畫素電極即可達(dá)到將瑕疵畫素結(jié)構(gòu)暗點(diǎn)化，因此 本發(fā)明的修補(bǔ)方法相較于傳統(tǒng)畫素修補(bǔ)方法較為簡(jiǎn)便。
另外，本發(fā)明的修補(bǔ)方法可通過精準(zhǔn)的控制激光能量以移除接觸窗開口內(nèi)的畫素 電極，藉以使此激光移除程序不容易有殘留物顆粒產(chǎn)生，且不會(huì)對(duì)位于畫素電極底下的絕 緣層造成損傷。雖然本發(fā)明已以實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域 中具有通常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，故本發(fā)明 的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的申請(qǐng)專利范圍所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
一種畫素結(jié)構(gòu)的修補(bǔ)方法，包括提供一畫素結(jié)構(gòu)，其位于一基板上，其中該畫素結(jié)構(gòu)包括一掃描線以及一數(shù)據(jù)線，位于該基板上；一主動(dòng)組件，位于該基板上，且與該掃描線以及該數(shù)據(jù)線電性連接；一絕緣層，覆蓋該主動(dòng)組件、該掃描線以及該數(shù)據(jù)線，其中該絕緣層中具有一接觸窗開口；一畫素電極，位于該絕緣層上，其中該畫素電極填入該接觸窗開口中以與該主動(dòng)組件電性連接；以及進(jìn)行一激光移除程序，以移除位于該接觸窗開口內(nèi)的至少部份該畫素電極，以使該畫素電極與該主動(dòng)組件電性絕緣。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的畫素結(jié)構(gòu)的修補(bǔ)方法，其特征在于，該激光移除程序所使用 的激光波長(zhǎng)為266nnTl064nm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的畫素結(jié)構(gòu)的修補(bǔ)方法，其特征在于，該基板具有一前表面以 及一后表面，該畫素結(jié)構(gòu)為該基板的該前表面上，且該激光移除程序的激光束是從該基板 的前表面上方射向該畫素結(jié)構(gòu)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的畫素結(jié)構(gòu)的修補(bǔ)方法，其特征在于，該絕緣層包括 一彩色濾光層；以及一保護(hù)層，覆蓋該彩色濾光層。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的畫素結(jié)構(gòu)的修補(bǔ)方法，其特征在于，該主動(dòng)組件具有一柵極、 一源極以及一漏極，且該接觸窗開口位于該漏極的上并暴露出該漏極。
6.一種修補(bǔ)后的畫素結(jié)構(gòu)，包括 一掃描線以及一數(shù)據(jù)線，位于一基板上；一主動(dòng)組件，位于該基板上，且與該掃描線以及該數(shù)據(jù)線電性連接； 一絕緣層，覆蓋該主動(dòng)組件、該掃描線以及該數(shù)據(jù)線，其中該絕緣層中具有一接觸窗開 口 ；以及一畫素電極，位于該絕緣層上，其中該畫素電極未覆蓋住該接觸窗開口的底部，以使該 畫素電極與該主動(dòng)組件電性絕緣。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的修補(bǔ)后的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該畫素電極未填入該接觸 窗開口內(nèi)。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的修補(bǔ)后的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該畫素電極部分地覆蓋該 接觸窗開口的側(cè)表面。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的修補(bǔ)后的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該絕緣層包括 一彩色濾光層；以及一保護(hù)層，覆蓋該彩色濾光層。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的修補(bǔ)后的畫素結(jié)構(gòu)，其特征在于，該主動(dòng)組件具有一柵極、 一源極以及一漏極，且該接觸窗開口位于該漏極的上并暴露出該漏極。
11.一種畫素?cái)?shù)組，包括多個(gè)第一畫素結(jié)構(gòu)，每一第一畫素結(jié)構(gòu)包括 一第一掃描線以及一第一數(shù)據(jù)線，位于該基板上；一第一主動(dòng)組件，位于該基板上，且與該第一掃描線以及該第一數(shù)據(jù)線電性連接； 一絕緣層，覆蓋該第一主動(dòng)組件、該第一掃描線以及該第一數(shù)據(jù)線，其中該絕緣層中具 有一第一接觸窗開口；一第一畫素電極，位于該絕緣層上，其中該第一畫素電極填入該第一接觸窗開口中以 與該第一主動(dòng)組件電性連接；至少一第二畫素結(jié)構(gòu)，該第二畫素結(jié)構(gòu)包括 一第二掃描線以及一第二數(shù)據(jù)線，位于該基板上；一第二主動(dòng)組件，位于該基板上，且與該第二掃描線以及該第二數(shù)據(jù)線電性連接； 該絕緣層覆蓋該第二主動(dòng)組件、該第二掃描線以及該第二數(shù)據(jù)線，其中該絕緣層中具 有一第二接觸窗開口 ；以及一第二畫素電極，位于該絕緣層上，其中該第二畫素電極未覆蓋該第二接觸窗開口的 底部，以使該第二畫素電極與該第二主動(dòng)組件電性絕緣。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的畫素?cái)?shù)組，其特征在于，該第二畫素電極未填入該第二接 觸窗開口內(nèi)。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的畫素?cái)?shù)組，其特征在于，該第二畫素電極部分地覆蓋該第 二接觸窗開口的側(cè)表面。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的畫素?cái)?shù)組，其特征在于，該絕緣層包括 一彩色濾光層；以及一保護(hù)層，覆蓋該彩色濾光層。
15.根據(jù)權(quán)利要求11所述的畫素?cái)?shù)組，其特征在于，該第一主動(dòng)組件具有第一柵極、第 一源極和第一漏極，該第二主動(dòng)組件具有第二柵極、第二源極和第二漏極，該第一接觸窗開 口位于該第一漏極的上并暴露出該第一漏極，且該第二接觸窗開口位于該第二漏極的上并 暴露出該第二漏極。
全文摘要
一種畫素結(jié)構(gòu)的修補(bǔ)方法，此方法包括提供位于基板上的畫素結(jié)構(gòu)，此畫素結(jié)構(gòu)包括掃描線以及數(shù)據(jù)線、主動(dòng)組件、絕緣層以及畫素電極。掃描線以及數(shù)據(jù)線位于基板上。主動(dòng)組件位于基板上且與掃描線以及數(shù)據(jù)線電性連接。絕緣層覆蓋主動(dòng)組件、掃描線以及數(shù)據(jù)線，其中絕緣層中具有接觸窗開口。畫素電極位于絕緣層上，其中畫素電極填入接觸窗開口中以與主動(dòng)組件電性連接。接著，進(jìn)行激光移除程序，以移除位于接觸窗開口內(nèi)的畫素電極，以使畫素電極與主動(dòng)組件電性絕緣。本發(fā)明還公開了一種修補(bǔ)后的畫素結(jié)構(gòu)及畫素?cái)?shù)組。
文檔編號(hào)G02F1/1343GK101969044SQ201010267630
公開日2011年2月9日 申請(qǐng)日期2010年8月25日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月25日
發(fā)明者曾文賢, 白佳蕙, 鄭為元, 陳宗凱, 黃義仁, 黃彥衡 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司