專(zhuān)利名稱(chēng)：色散補(bǔ)償器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總地涉及光通信領(lǐng)域，尤其涉及用于色散補(bǔ)償?shù)难b置。
背景技術(shù)：
色散補(bǔ)償(DC)被廣泛用于對(duì)光通信網(wǎng)中的色散的補(bǔ)償。可調(diào)色散補(bǔ)償(TDC)被 用于提供一種補(bǔ)償量可調(diào)節(jié)(即，可調(diào))的色散補(bǔ)償。已提出的TDC例如包括環(huán)形諧振 器、虛象相控陣列(VIPA)、級(jí)聯(lián)Mach-Zehnder干涉儀(MZI)、溫度調(diào)諧型標(biāo)準(zhǔn)具(etalon)、 帶熱透鏡的波導(dǎo)光柵路由器(WGR)以及帶可變形反射鏡的體光柵。級(jí)聯(lián)MZI被認(rèn)為是一種很有前途的方式，因?yàn)樗憩F(xiàn)出低損耗并且可以與標(biāo)準(zhǔn)二 氧化硅波導(dǎo)一起被制造在小型平面光波線路(PLC)中。然而，現(xiàn)有技術(shù)中的基于MZ I的 TDC 一般需要多級(jí)和多個(gè)控制電壓，難以制造，并且具有高功耗，使得它們復(fù)雜又昂貴。在圖Ia中示出了一種現(xiàn)有技術(shù)的TDC設(shè)計(jì)。該TDC由兩個(gè)M臂干涉儀(S卩，波導(dǎo) 光柵路由器WGR#1和WGR#2)組成，每個(gè)M臂干涉儀由相鄰波導(dǎo)程長(zhǎng)差為AL的M個(gè)波導(dǎo) (即，臂)和兩個(gè)星形耦合器組成。兩個(gè)WGR在它們的星形耦合器邊界中的一個(gè)帶有可調(diào)節(jié) 透鏡器件的邊界上被耦合在一起。兩個(gè)星形耦合器和透鏡的組合可以被視為一個(gè)可調(diào)節(jié)的 耦合器?？烧{(diào)節(jié)透鏡器件是一個(gè)可以提供二次相位分布-kx7(2f)的動(dòng)態(tài)2D元件，其中k 是自由空間傳播常數(shù)，χ是沿透鏡軸的距離，f是焦距。f是可控的，以便允許調(diào)諧TDC。透 鏡器件的屈光度s被定義為s = 1/f.當(dāng)透鏡焦距f等于星形耦合器的半徑時(shí)，耦合為零， 即與星形耦合器中的一個(gè)相連的每個(gè)波導(dǎo)(以對(duì)角方式)耦合到另一個(gè)星形耦合器的僅一 個(gè)波導(dǎo)。圖Ia中的TDC的操作可以如下解釋對(duì)于一個(gè)給定的輸入信號(hào)(從左側(cè)輸入)， 信號(hào)借助于WGR#1在透鏡器件處波長(zhǎng)展開(kāi)。信號(hào)的每個(gè)波譜部分投射到透鏡器件的不同部 分上。當(dāng)透鏡器件的焦距等于星形耦合器半徑的長(zhǎng)度時(shí)，信號(hào)的所有波譜部分都被引導(dǎo)，使 得波譜部分的場(chǎng)分布被集中在WGR#2的波導(dǎo)陣列中。因此，所有的波譜部分在TDC中都具 有相同的有效程長(zhǎng)。因而TDC的色散為零。如果透鏡的焦距被調(diào)節(jié)為比星形耦合器的半徑長(zhǎng)，那么信號(hào)的較長(zhǎng)波長(zhǎng)(與更加 靠近信號(hào)的中心波長(zhǎng)的那些波長(zhǎng)相比)被主要引向WGR#2的較短波導(dǎo)，而較短的波長(zhǎng)被主 要引向WGR#2的較長(zhǎng)波導(dǎo)。這導(dǎo)致較長(zhǎng)的波長(zhǎng)與較短的波長(zhǎng)相比在通過(guò)TDC時(shí)要穿過(guò)更短的距離，使TDC產(chǎn)生負(fù)色散。如果透鏡焦距被調(diào)節(jié)為比星形耦合器半徑短，那么情況正好相 反，TDC產(chǎn)生正色散。圖Ia的現(xiàn)有技術(shù)的TDC的一個(gè)問(wèn)題是較短和較長(zhǎng)的波長(zhǎng)隨色散幅度的增加而損 耗增大(即，TDC呈現(xiàn)圓形通帶)，這是因?yàn)檩^短和較長(zhǎng)的波長(zhǎng)的波譜部分的場(chǎng)分布未被集 中在WGR#2的波導(dǎo)陣列中。因此，這些波譜部分沒(méi)有高效地耦合到輸出波導(dǎo)中，產(chǎn)生圓形通
市ο示出在圖Ib中的另一個(gè)現(xiàn)有技術(shù)的TDC解決了圖Ia的TDC的通帶變圓的問(wèn)題。 圖Ib的TDC具有三個(gè)MZI以及耦合MZI的兩個(gè)可調(diào)節(jié)透鏡，其中每個(gè)MZI由兩個(gè)波導(dǎo)組成。 兩個(gè)“靠外”的MZI具有相鄰波導(dǎo)程長(zhǎng)差Δ L，中央MZI的波導(dǎo)程長(zhǎng)差為2 Δ L。這個(gè)TDC的 通帶不隨色散幅度的增大而變圓(到第一級(jí))。然而，在這樣的基于MZI的TDC下，最大可 實(shí)現(xiàn)的色散實(shí)際上是有限的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種用于色散補(bǔ)償?shù)难b置，它可被有利地實(shí)施在平面光波線路 (PLC)中，使它小型、可靠、可大批量生產(chǎn)并且是全固態(tài)的。在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施例中，DC包括 第一 IXM耦合器、被耦合到第一 IXM耦合器的第一 MXN耦合器、被耦合到第一 MXN耦合 器的第二 MXN耦合器以及被耦合到第二 MXN耦合器的第二 1 XM耦合器。M和N是大于2 的整數(shù)，以便增大最大可實(shí)現(xiàn)的DC色散。第一和第二 MXN耦合器的耦合比被選擇為使得 DC提供期望的色散補(bǔ)償量。在另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，提供的DC包括第一 IXM耦合器、被耦合到第一 IXM耦 合器的第一 MXN耦合器、被串行耦合到第一 MXN耦合器的至少一個(gè)NXN耦合器、被耦合 到所述至少一個(gè)NXN耦合器的第二 MXN耦合器以及被耦合到第二 MXN耦合器的第二 IXM耦合器。使用相鄰波導(dǎo)程長(zhǎng)差約為AL的M個(gè)波導(dǎo)的陣列將IXM耦合器分別耦合到 MXN耦合器。使用相鄰波導(dǎo)程長(zhǎng)差約為2 AL的N個(gè)波導(dǎo)的陣列分別耦合M XN耦合器和 N XN耦合器。第一 M XN耦合器、所述至少一個(gè)NXN耦合器和第二 MXN耦合器的耦合比 被選擇為使得色散補(bǔ)償器提供期望的色散補(bǔ)償量。


結(jié)合附圖將更好地理解以上發(fā)明內(nèi)容部分以及下面的具體實(shí)施方式
部分。為了圖 示說(shuō)明本發(fā)明，在附圖中示出了當(dāng)前優(yōu)選的實(shí)施例。然而，應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明不嚴(yán)格限于示 出的布局和裝備。在附圖中圖la-b是現(xiàn)有技術(shù)的TDC ；圖2是根據(jù)本發(fā)明的DC的一個(gè)實(shí)施例的示意圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的示意圖；以及圖4a_b是可被使用在根據(jù)本發(fā)明的DC中的透鏡裝置的實(shí)施方案。
具體實(shí)施例方式圖2是根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的DC 200的示意圖。DC 200與現(xiàn)有技術(shù)的DC相
4比呈現(xiàn)更寬、更平的通帶，還提供了增大的最大可實(shí)現(xiàn)的色散補(bǔ)償。DC 200優(yōu)選地包括第 一 1 XM耦合器210、被耦合到第一 1 XM耦合器210的第一 MXN耦合器220、被耦合到第一 MXN耦合器220的第二 M XN耦合器230以及被耦合到第二 MXN耦合器230的第二 IXM 耦合器240。使用相鄰波導(dǎo)程長(zhǎng)差約為Δ L的M個(gè)波導(dǎo)的陣列215來(lái)耦合第一 1 XM耦合器210 和第一MXN耦合器220。使用相鄰波導(dǎo)程長(zhǎng)差同樣約為AL的M個(gè)波導(dǎo)的陣列235來(lái)耦合 第二 M XN耦合器230和第二 IXM耦合器240。使用相鄰波導(dǎo)程長(zhǎng)差約為2 Δ L的N個(gè)波 導(dǎo)的陣列225來(lái)耦合第一 M X N耦合器220和第二 M X N耦合器230。M和N不一定相等， 但都大于2。優(yōu)選地N大于或等于Μ，以在色散不為零時(shí)減少DC 200的損耗?？梢岳斫猓?過(guò)增加波導(dǎo)陣列215、225、235中的波導(dǎo)的數(shù)量(即，增大Μ、N超過(guò)2)，就可以增大DC 200 的最大可實(shí)現(xiàn)的色散(在固定的帶寬下)。增加波導(dǎo)的數(shù)量還為DC 200提供了更寬、更平 的通帶。MXN耦合器220、230優(yōu)選地包括兩個(gè)星形耦合器，它們與用于控制穿過(guò)星形耦合 器的光的耦合的裝置有效地耦合。用于控制耦合的裝置例如可以是設(shè)在星形耦合器邊界上 的透鏡裝置，下面將參考圖4a_b來(lái)描述。第一 MXN耦合器220和第二 MXN耦合器230的耦合比被優(yōu)選地選擇為使得色散 補(bǔ)償器200提供期望的色散補(bǔ)償量(下面將討論)。在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中，第一 MX N耦合器220和第二 MX N耦合器230的耦合比 是可調(diào)節(jié)的，從而允許控制由色散補(bǔ)償器200提供的色散量(即，調(diào)諧或改變色散補(bǔ)償量)， 使得色散補(bǔ)償器200成為一個(gè)TDC。在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，第一 MX N耦合器220和第二 MX N耦合器230分別包括用于 控制它們的耦合比的可調(diào)節(jié)透鏡裝置(在圖2中未示出)。可調(diào)節(jié)透鏡裝置可以包括例如 圖4a所示的熱光透鏡或類(lèi)似的其它裝置。圖4a的熱光透鏡包括多個(gè)條帶狀的加熱器410， 它們被設(shè)計(jì)為當(dāng)電流通過(guò)加熱器410時(shí)，產(chǎn)生折射率變化的二次分布，象透鏡一樣。透鏡 的屈光度正比于驅(qū)動(dòng)透鏡的電功率?？商鎿Q地，MXN耦合器220、230和可調(diào)節(jié)透鏡裝置可以使用耦合在MXK耦合器 455、456之間的K個(gè)移相器450來(lái)實(shí)現(xiàn)，如圖4b的MXN耦合器所示。(圖4b的MXN華禹 合器也可以被實(shí)施為與下面參考圖3描述的實(shí)施例一起使用的NXN耦合器。)K個(gè)移相器 450優(yōu)選地利用二次分布來(lái)驅(qū)動(dòng)，象透鏡一樣。優(yōu)選地Κ>Μ。透鏡的屈光度受二次相位分 布的幅度的控制。在MXN耦合器220、230可調(diào)節(jié)的實(shí)施例中，可以使用控制器250 (示出在圖2中) 來(lái)調(diào)節(jié)或控制MXN耦合器220、230。控制器250優(yōu)選地向MXN耦合器220、230提供單個(gè) 驅(qū)動(dòng)信號(hào)，以控制M X N耦合器220、230的耦合比(例如控制可調(diào)節(jié)透鏡裝置)，從而調(diào)節(jié)由 色散補(bǔ)償器200提供的色散量。對(duì)于正色散補(bǔ)償，第一和第二 MXN耦合器220、230的耦合比被優(yōu)選地選擇(或 控制)為使得穿過(guò)耦合器傳播(例如，從M個(gè)波導(dǎo)的陣列(215或235)到N個(gè)波導(dǎo)的陣列 225)的光的較長(zhǎng)波長(zhǎng)被基本上耦合到N個(gè)波導(dǎo)的陣列225中的較長(zhǎng)波導(dǎo)。因此，波長(zhǎng)越長(zhǎng)， 它要穿過(guò)器件傳播所用的時(shí)間越長(zhǎng)，導(dǎo)致正色散。對(duì)于負(fù)色散補(bǔ)償，第一和第二 MXN耦合器220、230的耦合比被優(yōu)選地選擇(或控制)為使得穿過(guò)耦合器傳播(例如，從M個(gè)波導(dǎo)的陣列(215或235)到N個(gè)波導(dǎo)的陣列 225)的光的較短波長(zhǎng)被基本上耦合到N個(gè)波導(dǎo)的陣列225中的較長(zhǎng)波導(dǎo)。因此，波長(zhǎng)越短， 它要穿過(guò)器件傳播所用的時(shí)間越長(zhǎng)，導(dǎo)致負(fù)色散。在另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，色散補(bǔ)償器200還包括有效耦合在第一和第二MXN耦合 器220、230之間的半波板260，使得色散補(bǔ)償器提供基本上與極化(偏振)無(wú)關(guān)的色散補(bǔ) 償。這是因?yàn)椴ò迨沟脙蓚€(gè)本征極化在穿過(guò)器件的半路上互換。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到在耦合IXM和MXN耦合器的波導(dǎo)陣列中采用增多 數(shù)量的波導(dǎo)的DC可能由于愈加長(zhǎng)的程長(zhǎng)而呈現(xiàn)不期望發(fā)生的相位誤差。具體地說(shuō)，增加波 導(dǎo)陣列中的波導(dǎo)數(shù)量增大了 DC的分辨率。程長(zhǎng)誤差(例如由于制造問(wèn)題產(chǎn)生的)可能導(dǎo) 致隨分辨率升高呈指數(shù)上升的損耗。因此，在增加DC中的波導(dǎo)數(shù)量(S卩，為了獲得更寬、更 平的帶寬和更小的信號(hào)失真)的好處和隨DC分辨率升高而對(duì)制造瑕疵更加敏感的害處之 間存在一個(gè)折衷。在本發(fā)明的另一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，如圖3所示，提供DC 300，它解決了上面討論的 相位誤差問(wèn)題。在不增加波導(dǎo)陣列中的臂數(shù)的情況下，通過(guò)向DC中加入更多的耦合器和波 導(dǎo)陣列，可以增大最大可實(shí)現(xiàn)的色散，同時(shí)顯著降低上述對(duì)相位誤差問(wèn)題的敏感度。DC 300優(yōu)選地包括第一 1 XM耦合器310、被耦合到第一 1 XM耦合器310的第一 MXN耦合器320、被串行耦合到第一 MXN耦合器320的至少一個(gè)NXN耦合器330、340、被 耦合到所述至少一個(gè)NXN耦合器(330、340)的第二 MXN耦合器350以及被耦合到第二 MXN耦合器350的第二 IXM耦合器360。使用相鄰波導(dǎo)程長(zhǎng)差約為AL的M個(gè)波導(dǎo)的陣列315耦合第一 IXM耦合器310 和第一 M XN耦合器320。使用相鄰波導(dǎo)程長(zhǎng)差同樣約為AL的M個(gè)波導(dǎo)的陣列355耦合 第二 MXN耦合器350和第二 IXM耦合器360。第一和第二 MXN耦合器320、350被分別使用相鄰波導(dǎo)程長(zhǎng)差約為2 Δ L的N個(gè)波 導(dǎo)的陣列(例如325)耦合到所述至少一個(gè)NXN耦合器(330，340)。在具有超過(guò)一個(gè)NXN 耦合器的實(shí)施例中，使用相鄰波導(dǎo)程長(zhǎng)差約為2AL的N個(gè)波導(dǎo)的陣列(例如335)來(lái)耦合 NXN耦合器(例如330、340)。第一 MXN耦合器320、所述至少一個(gè)NXN耦合器(330，340)和第二 MXN耦合器 350的耦合比被優(yōu)選地選擇為使得色散補(bǔ)償器300提供期望的色散補(bǔ)償量(下面將討論)。在本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例中，第一 MXN耦合器320、所述至少一個(gè)NXN耦合器 (330,340)和第二 MXN耦合器350是可調(diào)節(jié)的。具體地說(shuō)，這些耦合器的耦合比是可調(diào)節(jié) 的，從而允許控制由色散補(bǔ)償器300提供的色散量(即，調(diào)諧或改變色散補(bǔ)償量)，使得色散 補(bǔ)償器300成為一個(gè)TDC。優(yōu)選地，上述控制是通過(guò)單個(gè)控制信號(hào)完成的，簡(jiǎn)化了 TDC的特 性描述和操作。在優(yōu)選實(shí)施例中，例如可以使用上面參考圖2描述的可調(diào)節(jié)透鏡裝置等來(lái)調(diào)節(jié)耦
合器(320、330、340、......350)。耦合器(320、330、340、......350)可以使用控制器 370 來(lái)
調(diào)節(jié)或控制。優(yōu)選地，第一 MXN耦合器320和第二 MXN耦合器由總信號(hào)強(qiáng)度為s+s。的驅(qū) 動(dòng)信號(hào)來(lái)驅(qū)動(dòng)，所述至少一個(gè)NXN耦合器(330，340)使用總信號(hào)強(qiáng)度為s+s。的驅(qū)動(dòng)信號(hào)來(lái) 驅(qū)動(dòng)，其中s是驅(qū)動(dòng)信號(hào)強(qiáng)度，s。是控制耦合器的耦合比，使得DC 300提供零色散補(bǔ)償?shù)尿?qū) 動(dòng)信號(hào)的強(qiáng)度。優(yōu)選地，> 1，更優(yōu)選地，約為2。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到由于MXN耦合器320、350將具有中心場(chǎng)分布的波導(dǎo)陣列(315、355)耦合到具有偏心場(chǎng)分布的波導(dǎo)陣列 (例如325)，而NXN耦合器(330，340)耦合兩個(gè)都具有偏心場(chǎng)分布的波導(dǎo)陣列(例如325、 335)，因此NXN耦合器(330,340)需要比MXN耦合器(320,350)更強(qiáng)的“透鏡屈光度”，以 準(zhǔn)確地實(shí)現(xiàn)期望的耦合。為了提供正色散補(bǔ)償，第一和第二MXN耦合器320、350的耦合比被選擇為使得穿 過(guò)MXN耦合器(例如MXN耦合器320)傳播到至少一個(gè)NXN耦合器(例如NXN耦合器 330)的光的較長(zhǎng)波長(zhǎng)基本上被耦合到與該M XN耦合器(例如MXN耦合器320)耦合的N 個(gè)波導(dǎo)的陣列(例如N個(gè)波導(dǎo)的陣列325)的較長(zhǎng)波導(dǎo)。另外，所述至少一個(gè)NXN耦合器 (330,340)的耦合比被選擇為使得穿過(guò)所述至少一個(gè)NXN耦合器(330，340)傳播的光的較 長(zhǎng)波長(zhǎng)基本上被耦合到分別與所述至少一個(gè)NXN耦合器(330，340)耦合的N個(gè)波導(dǎo)的陣 列的較長(zhǎng)波導(dǎo)。為了提供負(fù)色散補(bǔ)償，第一和第二MXN耦合器320、350的耦合比被選擇為使得穿 過(guò)MXN耦合器(例如MXN耦合器320)傳播到至少一個(gè)NXN耦合器(例如NXN耦合器 330)的光的較短波長(zhǎng)基本上被耦合到與該MXN耦合器(例如MXN耦合器320)耦合的N 個(gè)波導(dǎo)的陣列(例如N個(gè)波導(dǎo)的陣列325)的較長(zhǎng)波導(dǎo)。另外，所述至少一個(gè)NXN耦合器 (330,340)的耦合比被選擇為使得穿過(guò)所述至少一個(gè)NXN耦合器(330，340)傳播的光的較 短波長(zhǎng)基本上被耦合到分別與所述至少一個(gè)NXN耦合器(330，340)耦合的N個(gè)波導(dǎo)的陣 列的較長(zhǎng)波導(dǎo)。如上面參考圖2所述，圖3的DC 300還可以包括有效耦合在所述至少一個(gè)NXN 耦合器(330，340)之間的半波板380，使得色散補(bǔ)償器300提供基本上與極化無(wú)關(guān)的色散補(bǔ) 償。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將會(huì)認(rèn)識(shí)到為了實(shí)現(xiàn)基本上與極化無(wú)關(guān)的色散補(bǔ)償，半波板必須被 放置在DC 300的對(duì)稱(chēng)軸上。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將會(huì)認(rèn)識(shí)到圖3的DC 300可以被實(shí)施為一種簡(jiǎn)化結(jié)構(gòu)，其中 只有兩個(gè)波導(dǎo)被用于耦合每一個(gè)耦合器(310、320、330、340、……350、360)(即，M和N都 是2)。本領(lǐng)域的技術(shù)人員還將認(rèn)識(shí)到上述實(shí)施例可以被等效地實(shí)施在采用反射鏡(平 面鏡)和環(huán)形器的反射(雙向)結(jié)構(gòu)中，在平面光波線路器件中通常這樣做。本領(lǐng)域的技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到可以對(duì)上述實(shí)施例作出改變，而不偏離其廣泛的發(fā) 明構(gòu)思。因此可以理解，本發(fā)明不限于所公開(kāi)的具體實(shí)施方式
，而是旨在覆蓋在由所附權(quán)利 要求限定的本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)的全部修改方案。
權(quán)利要求
一種色散補(bǔ)償器，包括第一1×M耦合器；被耦合到第一1×M耦合器的第一M×N耦合器；被耦合到第一M×N耦合器的第二M×N耦合器；和被耦合到第二M×N耦合器的第二1×M耦合器；其中，M和N都大于2，并且其中，選擇第一M×N耦合器和第二M×N耦合器的耦合比，使得所述色散補(bǔ)償器提供期望的色散補(bǔ)償量，以及其中，分別使用相鄰波導(dǎo)程長(zhǎng)差約為ΔL的M個(gè)波導(dǎo)的陣列來(lái)耦合第一1×M耦合器和第一M×N耦合器以及耦合第二M×N耦合器和第二1×M耦合器，并且其中，使用相鄰波導(dǎo)程長(zhǎng)差約為2ΔL的N個(gè)波導(dǎo)的陣列來(lái)耦合第一M×N耦合器和第二M×N耦合器，以及第一M×N耦合器和第二M×N耦合器的耦合比是可調(diào)節(jié)的，從而控制由所述色散補(bǔ)償器提供的色散量。
2.如權(quán)利要求1所述的色散補(bǔ)償器，其中，選擇第一和第二MXN耦合器的耦合比，使得 穿過(guò)第一和第二 MXN耦合器傳播的光的較長(zhǎng)波長(zhǎng)基本上被耦合到所述N個(gè)波導(dǎo)的陣列的 較長(zhǎng)波導(dǎo)，以提供正色散補(bǔ)償。
3.如權(quán)利要求1所述的色散補(bǔ)償器，其中，選擇第一和第二MXN耦合器的耦合比，使得 穿過(guò)第一和第二 MXN耦合器傳播的光的較短波長(zhǎng)基本上被耦合到所述N個(gè)波導(dǎo)的陣列的 較長(zhǎng)波導(dǎo)，以提供負(fù)色散補(bǔ)償。
4.如權(quán)利要求1所述的色散補(bǔ)償器，其中，第一MXN耦合器和第二MXN耦合器每一個(gè) 都包括可調(diào)節(jié)透鏡裝置，用于控制該MXN耦合器的耦合比。
5.如權(quán)利要求4所述的色散補(bǔ)償器，其中，所述可調(diào)節(jié)透鏡裝置每一個(gè)都包括熱光透鏡。
6.如權(quán)利要求4所述的色散補(bǔ)償器，其中，所述可調(diào)節(jié)透鏡裝置每一個(gè)都包括多個(gè)移 相器。
7.如權(quán)利要求1所述的色散補(bǔ)償器，還包括有效耦合在第一和第二MXN耦合器之間的 半波板，使得所述色散補(bǔ)償器提供基本上與極化無(wú)關(guān)的色散補(bǔ)償。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種色散補(bǔ)償器裝置(200)，包括第一1×M耦合器(210)、被耦合到第一1×M耦合器的第一M×N耦合器(220)、被耦合到第一M×N耦合器的第二M×N耦合器(230)以及被耦合到第二M×N耦合器的第二1×M耦合器(240)。M和N都大于2，以便增大DC的最大可實(shí)現(xiàn)的色散。第一和第二M×N耦合器的耦合比被選擇為使得該DC提供期望的色散補(bǔ)償量。
文檔編號(hào)G02B6/34GK101907745SQ20101023657
公開(kāi)日2010年12月8日 申請(qǐng)日期2006年3月21日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月31日
發(fā)明者克里斯托弗·多爾 申請(qǐng)人:朗迅科技公司