專利名稱：顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種顯示面板，且尤其涉及一種浮置電極開關(guān)(floatingelectrode switching, FES)顯示面板。
背景技術(shù)：
目前市場(chǎng)對(duì)于薄膜晶體管液晶顯示器(TFT-IXD)都朝向高對(duì)比 (contrastratio)、無(wú)灰階反轉(zhuǎn)(gray scale inversion)、高亮度(brightness)、高色飽禾口 度(color saturation)、快速反應(yīng)(response)以及廣視角(viewing angle)等方向發(fā)展。 目前常見的廣視角技術(shù)包括扭轉(zhuǎn)向列型液晶(TN)加上廣視角膜(wide viewing film)、 共平面切換式(In-Plane Switching, IPS)液晶顯示器、邊際場(chǎng)切換式(Fringe Field Switching,FFS)液晶顯示器與多域垂直配向式(Multi-domain Vertical Alignment,MVA) 液晶顯示器。除了上述幾種廣視角液晶顯示器之外，目前已經(jīng)發(fā)展出一種浮置電極開關(guān) (floating electrode switching, FES)液晶顯示器。FES液晶顯示器是在上基板上另外形 成浮置電極以及共享電極。因此，F(xiàn)ES液晶顯示器除了利用下基板的像素電極與共享電極 之間的電場(chǎng)來(lái)控制液晶分子的扭轉(zhuǎn)之外，還利用上基板的浮置電極與共享電極之間的電場(chǎng) 來(lái)控制液晶分子的扭轉(zhuǎn)。然而，F(xiàn)ES液晶顯示器中的浮置電極的電壓準(zhǔn)位是由浮置電極與 下基板的像素電極之間的電容耦合效應(yīng)(capacitance coupling)來(lái)產(chǎn)生。若浮置電極與 像素電極的距離太大將使得浮置電極與像素電極之間的電容耦合效應(yīng)不足。如此，將使得 上基板的浮置電極得不到足夠的電壓，使得浮置電極與共享電極之間的電場(chǎng)強(qiáng)度不足，進(jìn) 而使靠近上基板的液晶分子容易有轉(zhuǎn)向不足的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于提供一種顯示面板，其可以解決傳統(tǒng)FES液晶顯 示器存在浮置電極與像素電極之間的電容耦合效應(yīng)不足的問(wèn)題。本發(fā)明提出一種顯示面板，其包括第一基板、第二基板、位于第一基板與第二基板 之間的間隙物以及顯示介質(zhì)。第一基板包括第一基底、位于第一基底上掃描線以及數(shù)據(jù)線、 與掃描線及數(shù)據(jù)線電性連接的主動(dòng)元件、與主動(dòng)元件電性連接的像素電極以及與像素電極 電性絕緣并且彼此交錯(cuò)配置的第一共享電極。第二基板包括第二基底、位于第二基底上且 對(duì)應(yīng)第一基板的第一共享電極配置的第二共享電極、與第二共享電極電性絕緣并對(duì)應(yīng)第一 基板的像素電極配置的浮置電極。其中，該浮置電極覆蓋該間隙物，其中該間隙物的厚度約為3um至4um。其中，覆蓋在該間隙物上的該浮置電極與該像素電極之間具有一間隙，該間隙約 為Oum至2um，其中覆蓋在該間隙物上的該浮置電極與該像素電極之間的該間隙小于該第 一基板與該第二基板之間的一間隙。其中，覆蓋在該間隙物上的該浮置電極直接接觸該像素電極。
其中，還包括一絕緣層，設(shè)置于該像素電極與覆蓋在該間隙物上的該浮置電極之 間。其中，該間隙物位于該第一基底上，其中該像素電極覆蓋在該間隙物上，該間隙物 的厚度約為3um至4um。其中，覆蓋在該間隙物上的該像素電極與該浮置電極之間具有一間隙，該間隙約 為Oum至2um，其中覆蓋在該間隙物上的該像素電極與該浮置電極之間的該間隙小于該第 一基板與該第二基板之間的一間隙。其中，覆蓋在該間隙物上的該像素電極直接接觸該浮置電極。其中，還包括一絕緣層，設(shè)置于該浮置電極與覆蓋在該間隙物上的該像素電極之 間。其中，該像素電極與該浮置電極具有相同的圖案，其中，該像素電極與該浮置電極 分別具有一分支狀圖案。其中，該第一共享電極與該第二共享電極具有相同的圖案，其中該第一共享電極 與該第二共享電極分別具有一分支狀圖案。其中，該第一共享電極與該第二共享電極電性連接至一共同電壓。其中，該浮置電極包括一中間部；以及多個(gè)從該中間部向外延伸的分支部，其中 該間隙物與該中間部至少部分重迭而不與該些分支部重迭。其中，該間隙物與該像素電極至少部分重迭。基于上述，本發(fā)明在第一基板與第二基板之間設(shè)置間隙物，通過(guò)間隙物以縮短浮 置電極與像素電極之間的距離。如此一來(lái)，便可以增加浮置電極與像素電極之間的電容耦 合效應(yīng)，以使浮置電極得到足夠的電壓接，進(jìn)而使浮置電極與共享電極之間具有足夠強(qiáng)的 電場(chǎng)。因此，傳統(tǒng)FES液晶顯示器在靠近上基板的液晶分子容易有轉(zhuǎn)向不足的問(wèn)題便可以 獲得解決。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附附圖 作詳細(xì)說(shuō)明如下。




圖。
圖1是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的顯示面板的剖面示意圖2A是圖1的顯示面板的第一基板的上視圖2B是圖1的顯示面板的第二基板的上視圖3至圖7是根據(jù)本發(fā)明數(shù)個(gè)實(shí)施例的顯示面板的剖面示意圖8是根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的顯示面板的耦合電壓與面板穿透度的關(guān)系示意
其中，附圖標(biāo)記: 100 第一基板 104、108 絕緣層 110 像素電極 110b 分支部 120a 連接部
102 第一基底 106 上電極 110a 中間部 120 第一共享電極 120b 分支部
130 間隙物200 第二基板210:浮置電極210b 分支部220a 連接部300 顯示介質(zhì)d、D:間隙SL 掃描線T 主動(dòng)元件C:通道D 漏極
具體實(shí)施例方式圖1是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的顯示面板的剖面示意圖。圖2A是圖1的顯示面板 的第一基板的上視圖。圖2B是圖1的顯示面板的第二基板的上視圖。特別是，圖1是對(duì)應(yīng) 圖2A與圖2B的剖面線A-A’的剖面圖。此外，以下圖式僅繪示出此顯示面板的其中一個(gè)像 素結(jié)構(gòu)為例來(lái)說(shuō)明。一般而言，顯示面板是由多個(gè)陣列排列的像素結(jié)構(gòu)所構(gòu)成，此領(lǐng)域技術(shù) 人員根據(jù)本說(shuō)明書以及圖式的說(shuō)明應(yīng)當(dāng)可以了解本發(fā)明所述的顯示面板的結(jié)構(gòu)。請(qǐng)同時(shí)參 照?qǐng)D1、圖2A以及圖2B，本實(shí)施例的顯示面板包括第一基板100、第二基板200、位于第一基 板100與第二基板200之間的間隙物130以及顯示介質(zhì)300。第一基板100包括第一基底102、掃描線SL以及數(shù)據(jù)線DL、主動(dòng)元件T、像素電極 110以及第一共享電極120。第一基底102主要是用來(lái)承載第一基板100的元件之用，其材質(zhì)可為玻璃、石英、 有機(jī)聚合物、或是不透光/反射材料(例如導(dǎo)電材料、晶圓、陶瓷、或其它可適用的材料)、 或是其它可適用的材料。掃描線SL以及數(shù)據(jù)線DL設(shè)置在第一基底102上。掃描線SL與數(shù)據(jù)線DL彼此交 錯(cuò)設(shè)置。換言之，數(shù)據(jù)線DL的延伸方向與掃描線SL的延伸方向不平行，較佳的是，數(shù)據(jù)線DL 的延伸方向與掃描線SL的延伸方向垂直。另外，掃描線SL與數(shù)據(jù)線DL屬于不同的膜層。 基于導(dǎo)電性的考慮，掃描線SL與數(shù)據(jù)線DL —般是使用金屬材料。然，本發(fā)明不限于此，根 據(jù)其它實(shí)施例，掃描線SL與數(shù)據(jù)線DL也可以使用其它導(dǎo)電材料。例如合金、金屬材料的 氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或是金屬材料與其它導(dǎo)材料的堆棧層。主動(dòng)元件T與掃描線SL以及數(shù)據(jù)線DL電性連接。更詳細(xì)而言，主動(dòng)元件T包括柵 極G、通道C、源極S以及漏極D。柵極G掃描線SL電性連接。通道CH位于柵極G的上方。 源極S以及漏極D位于通道CH的上方，且源極S與數(shù)據(jù)線DL電性連接。上述的主動(dòng)元件 T是以底部柵極型薄膜晶體管為例來(lái)說(shuō)明，但本發(fā)明不限于此。根據(jù)其它實(shí)施例，上述的主 動(dòng)元件T也可是以頂部柵極型薄膜晶體管。根據(jù)本實(shí)施例，主動(dòng)元件T的柵極G上方更覆 蓋有絕緣層104，其又可稱為柵極絕緣層。另外，在主動(dòng)元件T的上方更覆蓋有另一絕緣層 108，其又可稱為保護(hù)層。絕緣層104、108的材料可為無(wú)機(jī)材料(例如氧化硅、氮化硅、氮 氧化硅、或上述至少二種材料的堆棧層)、有機(jī)材料或上述的組合。
150 絕緣層 202 第二基底 210a 中間部 220 第二共享電極 220b 分支部 CL 共享電極線 T:厚度 DL 數(shù)據(jù)線 G:柵極
S 源極
像素電極110設(shè)置在第一基底102上，且與主動(dòng)元件T的漏極D電性連接。根據(jù)本實(shí)施例，像素電極110是設(shè)置在絕緣層108上，且像素電極110是通過(guò)接觸窗140而與主 動(dòng)元件T的漏極D電性連接。像素電極110例如是透明導(dǎo)電層，其包括金屬氧化物，例如是 銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、或其它合適的氧化物、 或者是上述至少二者的堆棧層。第一共享電極120設(shè)置在第一基底102上，且與像素電極110電性絕緣。特別是， 第一共享電極120與像素電極110彼此交錯(cuò)設(shè)置。第一共享電極120例如是透明導(dǎo)電層， 其包括金屬氧化物，例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化 物、或其它合適的氧化物、或者是上述至少二者的堆棧層。根據(jù)本實(shí)施例，像素電極110與第一共享電極120分別具有分支狀圖案。更詳細(xì) 來(lái)說(shuō)，如圖2A所示，像素電極110是由設(shè)置在上電極106上方(像素結(jié)構(gòu)的中間)的中間 部IlOa與從中間部IlOa向像素結(jié)構(gòu)邊緣延伸的多個(gè)分支部IlOb所構(gòu)成。而第一共享電 極120是由位于此像素結(jié)構(gòu)邊緣的連接部120a與從連接部120a向像素結(jié)構(gòu)內(nèi)部延伸的多 個(gè)分支部120b所構(gòu)成。特別是，像素電極110的分支狀部IlOb與第一共享電極120的分 支部120b彼此平行交錯(cuò)設(shè)置。 根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，第一基板100上還包括共享電極線CL，其設(shè)置在像素電 極110的下方。共享電極線CL在此主要是作為電容器的下電極。此外，在共享電極線CL 與像素電極110之間更包括設(shè)置有上電極106，其中像素電極110與上電極層106之間也透 過(guò)接觸窗140而電性連接。因此，上電極106、共享電極線CL與位于上電極106與共享電極 線CL之間的介電層(例如是絕緣層104)即構(gòu)成儲(chǔ)存電容器。在此實(shí)施例中，由于主動(dòng)元 件T的漏極D是延伸至共享電極線CL上方而與上電極106連接，且像素電極110與上電極 層106之間又透過(guò)接觸窗140而電性連接。因此，通過(guò)主動(dòng)元件T的驅(qū)動(dòng)信號(hào)便經(jīng)由下電 極106以及接觸窗140而傳遞至整個(gè)像素電極110，并且儲(chǔ)存在下電極106與共享電極線 CL所構(gòu)成儲(chǔ)存電容器之中。第二基板200包括第二基底202、第二共享電極220以及浮置電極210。第二基底202主要是用來(lái)承載第二基板200的元件之用，其材質(zhì)可為玻璃、石英、 有機(jī)聚合物、或是不透光/反射材料(例如導(dǎo)電材料、晶圓、陶瓷、或其它可適用的材料)、 或是其它可適用的材料。第二共享電極220位于第二基底202上，其對(duì)應(yīng)第一基板100的第一共享電極120 配置。更詳細(xì)來(lái)說(shuō)，第二共享電極220與第一共享電極120對(duì)齊/重迭(overlap)設(shè)置，因 此第二共享電極220可與第一共享電極120具有相同的圖案。根據(jù)本實(shí)施例，第二共享電 極220具有分支狀圖案。更詳細(xì)來(lái)說(shuō)，如圖2B所示，第二共享電極220是由位于此像素結(jié)構(gòu) 邊緣的連接部220a與從連接部220a向像素結(jié)構(gòu)內(nèi)部延伸的多個(gè)分支部220b所構(gòu)成。此 夕卜，第二共享電極220例如是透明導(dǎo)電層，其包括金屬氧化物，例如是銦錫氧化物、銦鋅氧 化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化物、或其它合適的氧化物、或者是上述至少二者 的堆棧層。根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，第一共享電極120與第二共享電極220是電性連接至 一共同電壓。浮置電極210位于第二基底202上且與第二共享電極220電性絕緣。特別是，浮 置電極210是對(duì)應(yīng)第一基板100的像素電極110配置。更詳細(xì)來(lái)說(shuō)，浮置電極210與像素電極110對(duì)齊設(shè)置，因此，浮置電極210可與像素電極110具有相同的圖案。根據(jù)本實(shí)施 例，浮置電極210具有分支狀圖案。更詳細(xì)來(lái)說(shuō)，如圖2B所示，浮置電極210是位于像素結(jié) 構(gòu)中間的中間部210a與從中間部210a向像素結(jié)構(gòu)邊緣延伸的多個(gè)分支部210b所構(gòu)成，即 多個(gè)分支部210b是從中間部210a向外延伸。因此，浮置電極210的分支狀部210b與第二 共享電極220的分支部220b彼此平行交錯(cuò)設(shè)置。此外，浮置電極210例如是透明導(dǎo)電層， 其包括金屬氧化物，例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧化 物、或其它合適的氧化物、或者是上述至少二者的堆棧層。
顯示介質(zhì)300可包括液晶分子、電泳顯示介質(zhì)、或是其它可適用的介質(zhì)。在本發(fā)明 下列實(shí)施例中的顯示介質(zhì)是以液晶分子當(dāng)作范例，但不限于此。再者，在本發(fā)明下列實(shí)施例 中的液晶分子，較佳地，是以可被水平電場(chǎng)轉(zhuǎn)動(dòng)或切換的液晶分子或者是可被橫向電場(chǎng)轉(zhuǎn) 動(dòng)或切換的液晶分子為范例，但不限于此。間隙物130是設(shè)置在第一基板100與第二基板200之間。在圖1的實(shí)施例中，間 隙物130是設(shè)置在第二基底202上，且浮置電極210覆蓋間隙物130。間隙物130例如是 有機(jī)材質(zhì)，較佳的是有機(jī)感光材質(zhì)。根據(jù)本實(shí)施例，間隙物的厚度T約為3um至4um。特別 是，覆蓋在間隙物130上的浮置電極210與對(duì)應(yīng)的像素電極110之間的間隙d約為Oum至 2um。根據(jù)本實(shí)施例，覆蓋在間隙物130上的浮置電極210與對(duì)應(yīng)的像素電極110之間的間 隙d小于第一基板100與第二基板200之間的間隙(cell gap)D。間隙物130舉例是與該 中間部210a至少部分重迭而不與該些分支部210b重迭。間隙物130舉例是與該像素電極 110至少部分重迭。本實(shí)施例是在第二基底202上設(shè)置間隙物130，以縮短浮置電極210與像素電極 110之間的距離。由于浮置電極210與像素電極110之間的距離的縮短可以增加浮置電極 210與像素電極110之間的電容耦合效應(yīng)，因此浮置電極210便可得到足夠大的電壓準(zhǔn)位。 如此一來(lái)，浮置電極210與第二共享電極220之間便具有足夠強(qiáng)的電場(chǎng)，以控制靠近第二基 板200的液晶分子300的扭轉(zhuǎn)。上述圖1的實(shí)施例是在第二基底202上設(shè)置間隙物130以縮短浮置電極210與像 素電極110之間的距離，借以增加浮置電極210與像素電極110之間的電容耦合效應(yīng)。然， 本發(fā)明不限于此，以下更列舉其它可實(shí)施的實(shí)施例。圖3是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的顯示面板的剖面示意圖。圖3的實(shí)施例與圖1的 實(shí)施例相似，因此相同的元件以相同的符號(hào)表示，且不再重復(fù)贅述。圖3的實(shí)施例與圖1的 實(shí)施例不同之處在于，覆蓋在間隙物130上的浮置電極210是直接接觸像素電極110。換言 之，浮置電極210與像素電極110之間的沒(méi)有間隙(間隙為0)。因此，浮置電極210是直接 與像素電極110電性連接，也就是，像素電極110與浮置電極210共電位。如此一來(lái)，浮置 電極210與第二共享電極220之間便具有足夠強(qiáng)的電場(chǎng)，以控制靠近第二基板200的液晶 分子300的扭轉(zhuǎn)。圖4是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的顯示面板的剖面示意圖。圖4的實(shí)施例與圖1的 實(shí)施例相似，因此，相同的元件以相同的符號(hào)表示，且不再重復(fù)贅述。圖4的實(shí)施例與圖1的 實(shí)施例不同之處在于，圖4所示的顯示面板更包括一絕緣層150，其是設(shè)置于像素電極110 與覆蓋在間隙物130上的浮置電極210之間。根據(jù)本實(shí)施例，絕緣層150是形成在第一基 底102上，以覆蓋像素電極110。絕緣層150例如是采用具有高介電常數(shù)的介電材料。而覆蓋在間隙物130上的浮置電極210則是直接與絕緣層150接觸。在此實(shí)施例中，由于浮置 電極210與像素電極110之間具有絕緣層150，通過(guò)高介電常數(shù)介電材料的特性可以增加浮 置電極210與像素電極110之間的電容耦合效應(yīng)。換言之，浮置電極210便可得到足夠大 的電壓準(zhǔn)位。如此一來(lái)，浮置電極210與第二共享電極220之間便具有足夠強(qiáng)的電場(chǎng)，以控 制靠近第二基板200的液晶分子300的扭轉(zhuǎn)。圖5是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的顯示面板的剖面示意圖。圖5的實(shí)施例與圖1的實(shí)施例相似，因此，相同的元件以相同的符號(hào)表示，且不再重復(fù)贅述。圖5的實(shí)施例與圖1的 實(shí)施例不同之處在于間隙物130是位于第一基底102上，且像素電極110覆蓋間隙物130。 類似地，間隙物130的厚度約為3um至4um。此外，覆蓋在間隙物130上的像素電極110與 浮置電極210之間的間隙d約為Oum至2um。根據(jù)本實(shí)施例，覆蓋在間隙物130上的像素電 極110與浮置電極210之間的間隙d小于第一基板100與第二基板200之間的間隙D。圖6是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的顯示面板的剖面示意圖。圖6的實(shí)施例與圖5的 實(shí)施例相似，因此，相同的元件以相同的符號(hào)表示，且不再重復(fù)贅述。圖6的實(shí)施例與圖5 的實(shí)施例不同之處在于覆蓋在間隙物130上的像素電極110是直接接觸浮置電極210。換 言之，浮置電極210與像素電極110之間的沒(méi)有間隙(間隙為0)。因此，浮置電極210是直 接與像素電極110電性連接，也就是，像素電極110與浮置電極210共電位。如此一來(lái)，浮 置電極210與第二共享電極220之間便具有足夠強(qiáng)的電場(chǎng)，以控制靠近第二基板200的液 晶分子300的扭轉(zhuǎn)。圖7是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的顯示面板的剖面示意圖。圖7的實(shí)施例與圖5的 實(shí)施例相似，因此，相同的元件以相同的符號(hào)表示，且不再重復(fù)贅述。圖7的實(shí)施例與圖5的 實(shí)施例不同之處在于，圖7所示的顯示面板更包括一絕緣層150，其是設(shè)置于浮置電極210 與覆蓋在間隙物130上的像素電極110之間。根據(jù)本實(shí)施例，絕緣層150是形成在第二基 底202上并覆蓋浮置電極210。絕緣層150例如是采用具有高介電常數(shù)的介電材料。而覆 蓋在間隙物130上的像素電極110則是直接與絕緣層150接觸。在此實(shí)施例中，由于浮置 電極210與像素電極110之間具有絕緣層150，通過(guò)高介電常數(shù)介電材料的特性可以增加浮 置電極210與像素電極110之間的電容耦合效應(yīng)。換言之，浮置電極210可得到足夠大的 電壓準(zhǔn)位。如此一來(lái)，浮置電極210與第二共享電極220之間便具有足夠強(qiáng)的電場(chǎng)，以控制 靠近第二基板200的液晶分子300的扭轉(zhuǎn)。圖8是根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例的顯示面板的耦合電壓與面板穿透率的關(guān)系示 意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D8，圖8的顯示面板中像素電極與第一共享電極的寬度(width)與間距 (space)比為3/5，且4.5、4.8、5表示輸入像素電極的電壓值。由圖8可知，當(dāng)浮置電極的 耦合電壓為像素電極的電壓(Vp)的0.8倍時(shí)，可得到較佳的面板穿透率。綜上所述，本發(fā)明在第一基板上或是第二基板上設(shè)置間隙物，并且使浮置電極或 是像素電極覆蓋間隙物。換言之，本發(fā)明是通過(guò)間隙物以縮短浮置電極與像素電極之間的 距離。如此一來(lái)，便可以增加浮置電極與像素電極之間的電容耦合效應(yīng)，以使浮置電極具有 足夠大的電壓準(zhǔn)位，進(jìn)而使浮置電極與共享電極之間具有足夠強(qiáng)的電場(chǎng)。因此，傳統(tǒng)FES液 晶顯示器在靠近上基板的液晶分子容易有轉(zhuǎn)向不足的問(wèn)題便可以獲得解決。當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實(shí)施例，在不背離本發(fā)明精神及其實(shí)質(zhì)的情況下，熟 悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍 。
權(quán)利要求
一種顯示面板，其特征在于，包括一第一基板，包括一第一基底；一掃描線以及一數(shù)據(jù)線位于該第一基底上；一主動(dòng)元件，其與該掃描線及該數(shù)據(jù)線電性連接；一像素電極，其與該主動(dòng)元件電性連接；以及一第一共享電極，其與該像素電極電性絕緣并且彼此交錯(cuò)配置；一第二基板，包括一第二基底；一第二共享電極位于該第二基底上，其對(duì)應(yīng)該第一基板的該第一共享電極配置；以及一浮置電極，其與該第二共享電極電性絕緣且對(duì)應(yīng)該第一基板的該像素電極配置；一間隙物，位于該第一基底與該第二基底之間；以及一顯示介質(zhì)，位于該第一基板與該第二基板之間。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的所述的顯示面板，其特征在于，該浮置電極覆蓋該間隙物，其中該 間隙物的厚度約為3um至4um。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的所述的顯示面板，其特征在于，覆蓋在該間隙物上的該浮置電極 與該像素電極之間具有一間隙，該間隙約為Oum至2um，其中覆蓋在該間隙物上的該浮置電 極與該像素電極之間的該間隙小于該第一基板與該第二基板之間的一間隙。
4.根據(jù)權(quán)利要求3的所述的顯示面板，其特征在于，覆蓋在該間隙物上的該浮置電極 直接接觸該像素電極。
5.根據(jù)權(quán)利要求3的所述的顯示面板，其特征在于，還包括一絕緣層，設(shè)置于該像素電 極與覆蓋在該間隙物上的該浮置電極之間。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的所述的顯示面板，其特征在于，該間隙物位于該第一基底上，其中 該像素電極覆蓋在該間隙物上，該間隙物的厚度約為3um至4um。
7.根據(jù)權(quán)利要求6的所述的顯示面板，其特征在于，覆蓋在該間隙物上的該像素電極 與該浮置電極之間具有一間隙，該間隙約為Oum至2um，其中覆蓋在該間隙物上的該像素電 極與該浮置電極之間的該間隙小于該第一基板與該第二基板之間的一間隙。
8.根據(jù)權(quán)利要求6的所述的顯示面板，其特征在于，覆蓋在該間隙物上的該像素電極 直接接觸該浮置電極。
9.根據(jù)權(quán)利要求6的所述的顯示面板，其特征在于，還包括一絕緣層，設(shè)置于該浮置電 極與覆蓋在該間隙物上的該像素電極之間。
10.根據(jù)權(quán)利要求1的所述的顯示面板，其特征在于，該像素電極與該浮置電極具有相 同的圖案，其中，該像素電極與該浮置電極分別具有一分支狀圖案。
11.根據(jù)權(quán)利要求1的所述的顯示面板，其特征在于，該第一共享電極與該第二共享電 極具有相同的圖案，其中該第一共享電極與該第二共享電極分別具有一分支狀圖案。
12.根據(jù)權(quán)利要求1的所述的顯示面板，其特征在于，該第一共享電極與該第二共享電 極電性連接至一共同電壓。
13.根據(jù)權(quán)利要求1的所述的顯示面板，其特征在于，該浮置電極包括 一中間部；以及多個(gè)從該中間部向外延伸的分支部，其中該間隙物與該中間部至少部分重迭而不與該 些分支部重迭。
14.根據(jù)權(quán)利要求1的所述的顯示面板，其特征在于，該間隙物與該像素電極至少部分重迭。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種顯示面板，其包括第一基板、第二基板、位于第一基板與第二基板之間的間隙物以及顯示介質(zhì)。第一基板包括第一基底、位于第一基底上掃描線以及數(shù)據(jù)線、與掃描線及數(shù)據(jù)線電性連接的主動(dòng)元件、與主動(dòng)元件電性連接的像素電極以及與像素電極電性絕緣并且彼此交錯(cuò)配置的第一共享電極。第二基板包括第二基底、位于第二基底上且對(duì)應(yīng)第一基板的第一共享電極配置的第二共享電極、與第二共享電極電性絕緣并對(duì)應(yīng)第一基板的像素電極配置的浮置電極。
文檔編號(hào)G02F1/1343GK101872091SQ201010208758
公開日2010年10月27日 申請(qǐng)日期2010年6月18日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月18日
發(fā)明者李明駿, 李錫烈, 黃宏基 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司