專利名稱：像素單元和液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種邊緣場開關(guān)(FFS，F(xiàn)ringe Field Switching)模式的像素單元和液晶顯示裝置。
背景技術(shù)：
液晶顯示裝置，由于具有低壓、微功耗、顯示信息量大、易于彩色化等優(yōu)點，現(xiàn)已廣泛應(yīng)用于電子計算機(jī)、電子記事本、移動電話、攝像機(jī)、高清電視機(jī)等電子設(shè)備的顯示裝置。與陰極射線管或等離子體顯示裝置不同，液晶分子自身并不發(fā)光，而是通過調(diào)制外界光達(dá)到顯示目的，即依靠對外界光的不同反射或透射形成不同對比度，從而達(dá)到顯示目的。現(xiàn)有技術(shù)中，液晶分子在豎直方向上發(fā)生偏轉(zhuǎn)，以調(diào)制外界光，但是這會導(dǎo)致顯示器視角較小。當(dāng)前液晶顯示領(lǐng)域的研究熱點之一就是廣視角技術(shù)，而FFS模式的液晶顯示裝置就是廣視角技術(shù)中頗具優(yōu)勢的一種。在公開號為CN101046592A的中國專利申請中就公開了一種FFS模式的液晶顯示裝置。參考圖1，示出了所述中國專利申請中FFS模式的液晶顯示裝置的示意圖，所述液晶顯示裝置包括陣列基板AR、彩色濾光片基板CF、以及位于陣列基板AR和彩色濾光片基板 CF之間的液晶層LC，所述陣列基板AR在入射光的入射面上設(shè)置有第一偏振片61，彩色濾光片基板CF在透射光的出射面上設(shè)置有與第一偏光片61偏振方向垂直的第二偏光片62， 其中，陣列基板AR，在與液晶層LC相對的面上設(shè)置公共電極75、位于公共電極75上的絕緣層76以及位于絕緣層76上的多個條狀像素電極78，在公共電極75上加載公共電壓，在條狀像素電極78上加載像素電壓，則可以在條狀像素電極78和公共電極75之間形成電場， 所述電場可以控制液晶分子在水平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)，施加于條狀像素電極78上的像素電壓不同， 則液晶分子的偏轉(zhuǎn)角度不同。液晶顯示裝置通過水平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)的液晶分子對入射光進(jìn)行調(diào)制，同時在第一偏光片61和第二偏光片62的配合下，可以獲得不同的光強(qiáng)的透射光，從而實現(xiàn)顯示目的。FFS模式的液晶顯示裝置包括多個陣列排布的像素單元，參考圖2，示出了圖1所示FFS模式的液晶顯示裝置中一像素單元的示意圖。所述像素單元包括柵線72、與所述柵線72垂直的數(shù)據(jù)線74、位于柵線72和數(shù)據(jù)線74的交點處薄膜晶體管(TFT，Thin Film Transistor)開關(guān)79，所述TFT開關(guān)79的源極與數(shù)據(jù)線74相連，TFT開關(guān)79的柵極與柵線 72相連，TFT的漏極與像素電極78相連，其中，TFT的漏極通常通過漏極連接件80(參考圖 2中點填充部)與像素電極78相連。在顯示過程中，向柵線72提供掃描信號，使TFT開關(guān) 79的源極和漏極之間連通，之后向數(shù)據(jù)線74提供像素電壓信號，像素電壓信號通過TFT的源極輸入至漏極，施加于像素電極78上，用于產(chǎn)生控制液晶分子偏轉(zhuǎn)的平面電場。通常，像素電極78為一組按序排列的條狀電極，所述條狀電極的端部70產(chǎn)生第一電場E1，條狀電極中間部產(chǎn)生第二電場E2，所述第一電場El與第二電場E2的方向有所不同，如圖2所示，第一電場El沿水平方向，第二電場E2的方向接近豎直方向。由于條狀電
3極端部71產(chǎn)生第一電場El與第二電場E2方向不同，那么，第一電場El與第二電場E2使液晶分子的偏轉(zhuǎn)方向也有所不同，這使液晶顯示裝置在條狀電極端部71處容易發(fā)生漏光現(xiàn)象，而漏光現(xiàn)象會導(dǎo)致液晶顯示裝置對比度下降，從而使顯示效果較差。FFS模式的液晶顯示裝置還包括位于柵線、數(shù)據(jù)線及TFT開關(guān)上方的黑框87，所述黑框87通常用于遮光，以提高對比度?，F(xiàn)有技術(shù)中，采用較寬的黑框87，以遮擋條狀電極端部71造成的漏光。但是，較寬的黑框87減小了像素單元的透光區(qū)域，從而大大減小了液晶顯示裝置的開口率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的是改善液晶顯示裝置開口率較低的問題。為解決上述問題，本發(fā)明提供一種像素單元，包括數(shù)據(jù)線、柵線、TFT開關(guān)、像素電極、公共電極以及漏極連接件；所述數(shù)據(jù)線，連接于TFT開關(guān)的源極，用于提供像素電壓； 所述柵線，連接于TFT開關(guān)的柵極，用于提供導(dǎo)通TFT開關(guān)源極和漏極的掃描信號；所述像素電極，連接于TFT開關(guān)的漏極，用于和公共電極形成控制液晶分子在水平面內(nèi)偏轉(zhuǎn)的電場；所述漏極連接件，用于實現(xiàn)TFT開關(guān)的漏極與像素電極的電連接；其中，所述像素電極為條狀電極，所述漏極連接件連接于像素電極的中間部，所述像素電極的端部與數(shù)據(jù)線在透光方向上具有交疊區(qū)域?？蛇x地，還包括第一絕緣層和第二絕緣層，所述第一絕緣層覆蓋于數(shù)據(jù)線、漏極連接件上，公共電極位于所述第一絕緣層上，第二絕緣層覆蓋于公共電極上，像素電極位于第二絕緣層上，其中，所述像素電極的端部位于數(shù)據(jù)線上方。可選地，像素電極的端部位于數(shù)據(jù)線中心線的上方?？蛇x地，所述第一絕緣層的厚度大于2. 5μπι?？蛇x地，所述漏極連接件通過貫穿所述第一絕緣層、公共電極和第二絕緣層的過孔與像素電極相連?？蛇x地，所述過孔設(shè)置在像素電極的下方。可選地，所述像素電極呈彎折狀，所述漏極連接件連接于彎折狀像素電極的拐點處。可選地，所述漏極連接件為不透光的導(dǎo)電材料?？蛇x地，所述漏極連接件為透光的導(dǎo)電材料。相應(yīng)地，本發(fā)明還提供一種包括所述的像素單元的液晶顯示裝置?？蛇x地，所述液晶顯示裝置包括第一像素單元和與所述第一像素單元相鄰的第二像素單元，所述第一像素單元包括第一像素電極，所述第二像素單元包括第二像素電極，所述第一像素電極與所述第二像素電極與同一數(shù)據(jù)線有交疊區(qū)域，所述第一像素電極和第二像素電極在數(shù)據(jù)線延伸方向上交替排布。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本技術(shù)方案具有以下優(yōu)點漏極連接件連接于像素電中間部， 使像素電極的端部可以延伸至數(shù)據(jù)線的上方，使像素單元的漏光部位集中在數(shù)據(jù)線所在區(qū)域，采用較窄的黑框就可以遮擋集中于數(shù)據(jù)線附近的漏光，從而使液晶顯示器具有較大的開口率。


圖1是現(xiàn)有技術(shù)FFS模式液晶顯示裝置的示意圖；圖2是圖1所示FFS模式液晶顯示裝置一像素單元的示意圖；圖3是本發(fā)明像素單元一實施例的示意圖；圖4是圖3所示像素單元的剖面示意圖；圖5是本發(fā)明液晶顯示裝置中兩個像素單元的示意圖。
具體實施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施方式
做詳細(xì)的說明。在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明，但是本發(fā)明還可以采用其他不同于在此描述的其它方式來實施，因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施例的限制。針對背景技術(shù)中描述開口率較低的問題，本發(fā)明提供一種像素單元。參考圖3，示出了本發(fā)明像素單元一實施例的示意圖。本實施例以雙疇的FFS模式的像素單元為例，所述像素單元包括數(shù)據(jù)線201、柵線202、TFT開關(guān)203、像素電極205、公共電極204、漏極連接件206，其中，數(shù)據(jù)線201，連接于TFT開關(guān)203的源極，用于向像素單元提供像素電壓；柵線202，連接于TFT開關(guān)203的柵極，用于向像素單元提供掃描信號以打開TFT 開關(guān)203，使TFT開關(guān)203的源極和漏極導(dǎo)通；像素電極205，連接于TFT開關(guān)203的漏極，所述公共電極204連接于公共布線(圖未示)，所述像素電極205和公共電極204用于形成控制液晶分子在水平面內(nèi)偏轉(zhuǎn)的電場；漏極連接件206，用于實現(xiàn)TFT開關(guān)203的漏極與像素電極205的電連接；所述像素電極205為條狀電極，漏極連接件206連接于像素電極205的中間部，并且，像素電極205的端部212與數(shù)據(jù)線201在透光方向上具有交疊區(qū)域。下面結(jié)合像素單元的剖面圖進(jìn)一步描述本實施例，參考圖4，示出了圖3所示像素單元沿AA’剖面線的剖面示意圖。如圖4所示、所述像素單元包括基底211、位于基底211上的初始絕緣層210、位于初始絕緣層210上的數(shù)據(jù)線201和漏極連接件206、位于數(shù)據(jù)線201和漏極連接件206上的第一絕緣層209、位于第一絕緣層209上的公共電極204、位于公共電極204上的第二絕緣層208、以及位于第二絕緣層208上的像素電極205，其中，漏極連接件206通過貫穿所述第一絕緣層209、公共電極204和第二絕緣層208的過孔207連接于像素電極中間部，其中，所述過孔設(shè)置在像素電極的下方；像素電極205的端部212位于數(shù)據(jù)線201上方，并且所述像素電極205的端部212 與數(shù)據(jù)線201在透光方向上有交疊區(qū)域；所述第一絕緣層209用于減小所述交疊區(qū)域形成的寄生電容，以避免寄生電容造成的顯示效果較差的問題。較佳地，為了有效減小寄生電容，第一絕緣層209通常采用較厚的絕緣材料，例如第一絕緣層209的厚度大于2. 5 μ m。較佳地，像素電極205的端部212位于數(shù)據(jù)線201中心線的上方，這樣數(shù)據(jù)線201可以最大面積地遮擋像素電極205的端部的漏光。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實施例中，漏極連接件206連接于像素電極205中間部，那么像素電極205的端部212可以延伸至數(shù)據(jù)線201的上方，像素電極205的端部與數(shù)據(jù)線201 在透光方向上具有交疊區(qū)域。所以像素單元的漏光部位集中在數(shù)據(jù)線201的位置，而通常液晶顯示器的黑框也位于數(shù)據(jù)線的上方，所以此時液晶顯示器的采用較窄的黑框就可以遮擋集中于數(shù)據(jù)線201位置的漏光，較窄的黑框可以使像素單元的透光面積較大，從而使液晶顯示器具有較大的開口率。此外，由于數(shù)據(jù)線201通常采用不透光的金屬材料，也可以起到一定的擋光的作用，集中于數(shù)據(jù)線201的位置的漏光區(qū)域可被數(shù)據(jù)線201遮擋，則可以不再設(shè)置用于遮擋像素電極205端部漏光的黑框，從而大大提高液晶顯示裝置的開口率。具有多疇結(jié)構(gòu)的像素單元包括彎折狀像素電極，所述彎折狀像素電極的拐點為疇交界部，繼續(xù)參考圖3，由于本實施例以雙疇的FFS模式的像素單元為例，像素單元中的彎折狀像素電極為“V”形像素電極，其中“V”形像素電極拐點為雙疇之間的疇交界部，較佳地，漏極連接件206連接于像素電極的拐點處，具體地，如圖4所示，漏極連接件206位于像素電極拐點下方，通過貫穿所述第一絕緣層209、公共電極204和第二絕緣層208的過孔 207與像素電極拐點相連。雙疇的像素單元疇交界處由于疇線的存在，也會出現(xiàn)類似于像素電極端部造成的水平向電場，從而產(chǎn)生漏光現(xiàn)象。采用漏極連接件通過過孔連接于彎折狀像素電極拐點處的技術(shù)方案中，如漏極連接件采用不透光導(dǎo)電材料，一方面可以實現(xiàn)漏極和像素電極之間的電連接，另一方面，還可以遮擋疇交界處的漏光，進(jìn)一步提高顯示器的對比度。而對于漏極連接件采用透明材料的情況，例如采用納米銦錫金屬氧化物(ΙΤ0， Indium Tin Oxides)，則漏極連接件的作用只是實現(xiàn)漏極和像素電極間的電連接，則漏極連接件只需連接于像素電極的中間部即可，可以不連接于像素電極的拐點處。本發(fā)明還提供一種包括上述像素單元的液晶顯示裝置。參考圖5，示出了本發(fā)明液晶顯示裝置中像素單元的示意圖。如圖5所示，液晶顯示裝置包括，包括第一像素單元301和與所述第一像素單元301相鄰的第二像素單元302， 所述第一像素單元301包括第一像素電極303，所述第二像素單元302包括第二像素電極 304，所述第一像素電極303與所述第二像素電極304與同一數(shù)據(jù)線305有交疊區(qū)域，為了避免第一像素電極303與第二像素電極304間的電連接，所述第一像素電極303和第二像素電極304在數(shù)據(jù)線305延伸方向上交替排布；同時，相鄰兩像素電極交替排布可以使相鄰像素電極之間的距離較遠(yuǎn)，降低了像素電極之間的互電容，防止出現(xiàn)像素電極之間的串?dāng)_。如圖5所示，本發(fā)明液晶顯示裝置中可以采用寬度較小的黑框300，與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明液晶顯示裝置的開口率可以提高10%以上。需要說明的是，本發(fā)明雖然以雙疇的像素單元為例，但是并不限制于此，對于單疇或雙疇外的其它多疇像素單元，本發(fā)明同樣適用，本領(lǐng)域技術(shù)人員可根據(jù)上述實施例對本發(fā)明進(jìn)行變形、修改和替換。綜上，本發(fā)明提供一種像素單元和包括所述像素單元的液晶顯示裝置，在像素單元中，漏極連接件并不連接于像素電極端部，像素電極的端部可以延伸至數(shù)據(jù)線的上方，使像素單元的漏光部位集中在數(shù)據(jù)線所在區(qū)域，采用較窄的黑框就可以遮擋集中于數(shù)據(jù)線附
6近的漏光，從而使液晶顯示器具有較大的開口率；更進(jìn)一步地，本發(fā)明技術(shù)方案無需改動現(xiàn)有產(chǎn)線即可完成生產(chǎn)制作，從而不會增加生產(chǎn)成本。本發(fā)明雖然已以較佳實施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案做出可能的變動和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種像素單元，其特征在于，包括數(shù)據(jù)線、柵線、TFT開關(guān)、像素電極、公共電極以及漏極連接件；所述數(shù)據(jù)線，連接于TFT開關(guān)的源極，用于提供像素電壓；所述柵線，連接于TFT開關(guān)的柵極，用于提供導(dǎo)通TFT開關(guān)源極和漏極的掃描信號；所述像素電極，連接于TFT開關(guān)的漏極，用于和公共電極形成控制液晶分子在水平面內(nèi)偏轉(zhuǎn)的電場；所述漏極連接件，用于實現(xiàn)TFT開關(guān)的漏極與像素電極的電連接；其中，所述像素電極為條狀電極，所述漏極連接件連接于像素電極的中間部，所述像素電極的端部與數(shù)據(jù)線在透光方向上具有交疊區(qū)域。
2.如權(quán)利要求1所述的像素單元，其特征在于，還包括第一絕緣層和第二絕緣層，所述第一絕緣層覆蓋于數(shù)據(jù)線、漏極連接件上，公共電極位于所述第一絕緣層上，第二絕緣層覆蓋于公共電極上，像素電極位于第二絕緣層上，其中，所述像素電極的端部位于數(shù)據(jù)線上方。
3.如權(quán)利要求2所述的像素單元，其特征在于，像素電極的端部位于數(shù)據(jù)線中心線的上方。
4.如權(quán)利要求2所述的像素單元，其特征在于，所述第一絕緣層的厚度大于2.5 μ m。
5.如權(quán)利要求3所述的像素單元，其特征在于，所述漏極連接件通過貫穿所述第一絕緣層、公共電極和第二絕緣層的過孔與像素電極相連。
6.如權(quán)利要求5所述的像素單元，其特征在于，所述過孔設(shè)置在像素電極的下方。
7.如權(quán)利要求1所述的像素單元，其特征在于，所述像素電極呈彎折狀，所述漏極連接件連接于彎折狀像素電極的拐點處。
8.如權(quán)利要求7所述的像素單元，其特征在于，所述漏極連接件為不透光的導(dǎo)電材料。
9.如權(quán)利要求1所述的像素單元，其特征在于，所述漏極連接件為透光的導(dǎo)電材料。
10.一種包括權(quán)利要求1 9任一項所述的像素單元的液晶顯示裝置。
11.如權(quán)利要求10所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述液晶顯示裝置包括第一像素單元和與所述第一像素單元相鄰的第二像素單元，所述第一像素單元包括第一像素電極，所述第二像素單元包括第二像素電極，所述第一像素電極與所述第二像素電極與同一數(shù)據(jù)線有交疊區(qū)域，所述第一像素電極和第二像素電極在數(shù)據(jù)線延伸方向上交替排布。
全文摘要
本發(fā)明提供一種像素單元和包括所述像素單元的液晶顯示裝置，像素單元包括數(shù)據(jù)線、柵線、TFT開關(guān)、像素電極、公共電極以及漏極連接件；數(shù)據(jù)線，連接于TFT開關(guān)的源極，用于提供像素電壓；柵線，連接于TFT開關(guān)的柵極，用于提供導(dǎo)通TFT開關(guān)源極和漏極的掃描信號；像素電極，連接于TFT開關(guān)的漏極，用于和公共電極形成控制液晶分子在水平面內(nèi)偏轉(zhuǎn)的電場；漏極連接件，用于實現(xiàn)TFT開關(guān)的漏極與像素電極的電連接；其中，像素電極為條狀電極，漏極連接件連接于像素電極的中間部，像素電極的端部與數(shù)據(jù)線在透光方向上具有交疊區(qū)域。本發(fā)明提高了液晶顯示裝置的開口率，此外，本發(fā)明無需改動現(xiàn)有產(chǎn)線即可完成制作，不會增加生產(chǎn)成本。
文檔編號G02F1/1362GK102279493SQ20101020375
公開日2011年12月14日 申請日期2010年6月13日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月13日
發(fā)明者凌志華, 霍思濤 申請人:上海天馬微電子有限公司