專利名稱：一種微反射鏡結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于微電子機(jī)械系統(tǒng)(MEMS)加工技術(shù)領(lǐng)域，涉及一種在硅和玻璃襯底上 通過圓片鍵合工藝、擴(kuò)散工藝與刻蝕工藝制造的微反射鏡結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)：
信息技術(shù)、光纖通信技術(shù)的發(fā)展，使得微光電機(jī)械系統(tǒng)(M0EMS)成為當(dāng)前研究的 熱點(diǎn)。M0EMS應(yīng)用遍及光通信、光顯示、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)、自適應(yīng)光學(xué)及光學(xué)傳感等多個(gè)方面。隨著 光纖到戶及全光網(wǎng)的發(fā)展，對(duì)具有損耗小、隔離度高的M0EMS器件的需求快速增長(zhǎng)，目前主 要的產(chǎn)品包括光波導(dǎo)、MEMS光開關(guān)、MEMS可調(diào)光衰減器(VOA) .MEMS波長(zhǎng)選擇開關(guān)(WSS)。 隨著全光網(wǎng)絡(luò)的普及以及我國(guó)三網(wǎng)融合戰(zhàn)略的實(shí)施，M0EMS器件的市場(chǎng)將得到快速增長(zhǎng)。在M0EMS中，改變“光線”方向的核心元件是反射鏡。微反射鏡及其陣列是構(gòu)成 MEMS光開關(guān)、光衰減器、波長(zhǎng)選擇開關(guān)以及顯示器的基礎(chǔ)與核心組成部分，因此微反射鏡及 其陣列具有廣闊的應(yīng)用前景，目前國(guó)內(nèi)僅光衰減器的市場(chǎng)每年都超過1.4億人民幣，尤其 隨著光纖通信向光纖到戶(FTTH)以及全光通信的發(fā)展，具有全光特性的MEMS反射鏡將會(huì) 發(fā)揮更重要作用。從微反射鏡的動(dòng)作方式可分為平動(dòng)、垂直動(dòng)以及扭動(dòng)，目前扭動(dòng)微鏡是一種比較 普遍形式。扭鏡又可分為一維(1D)、二維(2D)以及多維扭鏡。微反射鏡的加工工藝主要包 括精密機(jī)械加工與MEMS加工，而MEMS加工技術(shù)是主流的優(yōu)勢(shì)加工技術(shù)。MEMS加工又分為 體硅加工與表面加工，如美國(guó)Ti公司DMD (數(shù)字微鏡)投影儀采用了表面MEMS加工技術(shù)，而 國(guó)內(nèi)則多采用體硅MEMS加工技術(shù)。微反射鏡的驅(qū)動(dòng)方式形式主要包括靜電驅(qū)動(dòng)與磁驅(qū)動(dòng)， 其中靜電驅(qū)動(dòng)由于驅(qū)動(dòng)的可控性好、功耗低等優(yōu)點(diǎn)使其更具優(yōu)勢(shì)。另外，高反射率(低損 耗)、小功耗、低制造成本是微反射鏡的幾個(gè)主要指標(biāo)，在制造中需要首先考慮。利用MEMS 技術(shù)制造的新型光器件，具有插入損耗小、光路間相互串?dāng)_極低、對(duì)光的波長(zhǎng)和偏振不敏感 的特點(diǎn)，并且由于通常采用硅為主要材料，從而使器件的光學(xué)、機(jī)械以及電氣性能優(yōu)良。通常在扭動(dòng)微反射鏡的設(shè)計(jì)與加工中，將硅片與玻璃通過陽極鍵合粘貼在一起， 其中玻璃作為襯底片，并作為靜電驅(qū)動(dòng)下電極。硅片材料的厚度一般在200um左右，在硅片 的上表面形成反射鏡面，在硅片的下表面形成扭梁結(jié)構(gòu)和與玻璃襯底鍵合的鍵合錨點(diǎn)，其 中，扭梁結(jié)構(gòu)與鍵合錨點(diǎn)分離，而扭梁結(jié)構(gòu)與反射鏡面一體連接。由于是在整個(gè)硅片上加工 微反射鏡，因此，扭梁結(jié)構(gòu)的厚度與硅片材料的厚度相同。驅(qū)動(dòng)微反射鏡的電壓與扭梁的 厚度密切相關(guān)，為了達(dá)到低驅(qū)動(dòng)電壓目的，需從硅片的非鍵合面減薄來降低反射鏡的扭梁 厚度，但是經(jīng)過減薄拋光或腐蝕后的硅片表面很難恢復(fù)到硅片原始拋光面的平整度與光潔 度，因此將引入光反射損耗；另外還可采用S0I硅片轉(zhuǎn)移的加工技術(shù)來同時(shí)滿足薄梁結(jié)構(gòu) 和硅原始拋光面作為鏡面，但這種技術(shù)具有較高的加工成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)中的缺點(diǎn)與不足，提供一種能夠直接使用硅片的原始拋光面作為反射鏡面同時(shí)具有低驅(qū)動(dòng)電壓的微反射鏡結(jié)構(gòu)。同時(shí)，本發(fā)明還提供一種加工工藝簡(jiǎn)單、成本更低，且成品能夠直接使用硅片的原 始拋光面為反射鏡面而同時(shí)具有低驅(qū)動(dòng)電壓的微反射鏡制造方法。一種微反射鏡結(jié)構(gòu)，包括玻璃襯底和硅片，所述硅片具有平行的上平面層和下平 面層，一鏡面支撐柱設(shè)置在上下平面層中心并與其一體連接；所述上平面層形成反射鏡面， 所述下平面層形成硅驅(qū)動(dòng)極板、鍵合錨點(diǎn)以及扭梁，所述扭梁的一端與硅驅(qū)動(dòng)極板連接，另 一端與鍵合錨點(diǎn)連接；所述硅片與玻璃襯底通過所述鍵合錨點(diǎn)鍵合。所述微反射鏡結(jié)構(gòu)還包括一通孔，其貫穿所述鏡面支撐柱。具體的，所述硅驅(qū)動(dòng)極板沿其所在的平面層的橫向軸對(duì)稱分布，并在中間部分連 接；所述扭梁為細(xì)長(zhǎng)條形，沿著該平面層的縱向中心軸線對(duì)稱設(shè)置在兩端，扭梁的一端與硅 驅(qū)動(dòng)極板中間連接部分相連，其余邊與驅(qū)動(dòng)極板分離；鍵合錨點(diǎn)與硅驅(qū)動(dòng)極板相分離，并分 別與扭梁的另一端連接。進(jìn)一步，所述玻璃襯底與硅片鍵合的表面上具有一槽體，使得玻璃襯底與硅片之 間形成一定的間隙，作為所述扭梁的扭轉(zhuǎn)空間。進(jìn)一步，玻璃襯底上還具有靜電驅(qū)動(dòng)電極 ，其與硅片上的硅驅(qū)動(dòng)極板的位置正對(duì)。進(jìn)一步，所述扭梁厚度為10um。一種微反射鏡制造方法，包括如下步驟步驟1 在硅片上形成通孔；步驟2 對(duì)硅片進(jìn)行濃硼淺擴(kuò)散，在硅片的各表面以及通孔內(nèi)壁表面上形成一定 厚度的異性濕法腐蝕自停止層；步驟3 在所述硅片的異性濕法腐蝕自停止層上通過干法刻蝕形成反射鏡面、硅 驅(qū)動(dòng)極板、鍵合錨點(diǎn)和扭梁，以及濕法腐蝕的開口 ；步驟4:通過各向異性濕法腐蝕工藝將異性濕法腐蝕自停止層以外的硅去除掉， 形成反射鏡面支撐柱以及使反射鏡面、鍵合錨點(diǎn)、扭梁和硅驅(qū)動(dòng)電極的厚度將得到減薄。所述步驟3包括首先在硅片的一面上涂覆光刻膠，通過曝光、顯影形成鍵合錨 點(diǎn)、硅驅(qū)動(dòng)電極和扭梁的圖形；然后對(duì)硅片該面進(jìn)行干法刻蝕，將沒有光刻膠保護(hù)的硅片表 面進(jìn)行垂直腐蝕，從而形成鍵合錨點(diǎn)、硅驅(qū)動(dòng)電極和扭梁，再去除光刻膠。然后將所述硅片與一玻璃襯底進(jìn)行靜電圓片鍵合，使得硅片的鍵合錨點(diǎn)與玻璃襯 底鍵合。進(jìn)一步包括步驟首先在硅片的另一面上涂覆光刻膠，通過曝光、顯影得到反射鏡 面圖形；然后對(duì)硅片正面進(jìn)行干法刻蝕，將沒有光刻膠保護(hù)的硅片表面進(jìn)行垂直腐蝕，形成 反射鏡面和濕法腐蝕的開口，再去除光刻膠。所述步驟4包括將硅片放入氫氧化鉀(K0H)或四甲基氫氧化銨(TMAH)腐蝕液中 腐蝕。所述異性濕法腐蝕自停止層的厚度為lOum。進(jìn)一步，在所述玻璃襯底與硅片進(jìn)行靜電圓片鍵合之前，先在玻璃襯底的鍵合表 面涂覆光刻膠，通過曝光、顯影得到一槽體的圖形；然后將玻璃襯底放入玻璃腐蝕液中，在 玻璃襯底上腐蝕出槽體，再去除光刻膠。進(jìn)一步，在玻璃襯底鍵合表面上涂覆光刻膠，通過曝光、顯影得到靜電驅(qū)動(dòng)電極的圖形；然后在玻璃襯底的表面上生長(zhǎng)一層金屬，并采用剝離工藝將靜電驅(qū)動(dòng)電極圖形之外 的金屬去掉，形成靜電驅(qū)動(dòng)電極的金屬布線，再去除光刻膠。相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的微反射鏡結(jié)構(gòu)通過鏡面支撐柱以連接反射鏡面所在的 硅片層和扭梁所在的硅片層，直接使用硅片原始拋光面作為反射鏡面且同時(shí)使得扭梁的厚 度減薄，從而降低了驅(qū)動(dòng)電壓。相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，通過本發(fā)明的微反射鏡制造方法制造出的反射鏡是直接利用了 硅片原始拋光面作為反射鏡面同時(shí)達(dá)到了低驅(qū)動(dòng)電壓的目的，相比傳統(tǒng)通過硅片減薄拋光 來降低反射鏡的扭梁厚度從而降低驅(qū)動(dòng)電壓，本發(fā)明得到的反射鏡面具有高的光潔度，可 有效降低光反射損耗。同時(shí)相比通過S0I硅片轉(zhuǎn)移到玻璃片上得到硅原始拋光反射鏡面的 加工工藝更簡(jiǎn)單，成本更低。為了能更清晰的理解本發(fā)明，以下將結(jié)合


闡述本發(fā)明的具體實(shí)施方式
。

圖1是本發(fā)明微反射鏡的立體示意圖。圖2是圖1所示沿A方向的剖視圖。圖3是圖1所示沿B方向的剖視圖。
具體實(shí)施例方式請(qǐng)同時(shí)參閱圖1、圖2和圖3，其中，圖1是本發(fā)明微反射鏡的立體示意圖，圖2是 圖1所示沿A方向的剖視圖，圖3是圖1所示沿B方向的剖視圖。該微反射鏡包括玻璃襯 底21、反射鏡面11、硅驅(qū)動(dòng)極板13、鏡面支撐柱16、鍵合錨點(diǎn)14以及扭梁15。其中，反射 鏡面11、硅驅(qū)動(dòng)極板13、鏡面支撐柱16、鍵合錨點(diǎn)14和扭梁15是在硅片上形成的。硅驅(qū) 動(dòng)極板13、扭梁15和鍵合錨點(diǎn)14是設(shè)置在一個(gè)平面層上的三個(gè)結(jié)構(gòu)；硅驅(qū)動(dòng)極板13沿著 該平面層的橫向軸對(duì)稱分布，并在中間部分連接；扭梁15為細(xì)長(zhǎng)條形，沿著該平面層的縱 向中心軸線對(duì)稱設(shè)置在兩端，扭梁15的一端與硅驅(qū)動(dòng)極板13中間連接部分相連，其余邊與 驅(qū)動(dòng)極板13分離；鍵合錨點(diǎn)14與硅驅(qū)動(dòng)極板13相分離，并分別與扭梁15的另一端連接。 鏡面支撐柱16設(shè)置在硅驅(qū)動(dòng)極板13中間連接部分中心，用以支撐反射鏡面11。反射鏡面 11設(shè)置在另一個(gè)平面層上，其中心具有一貫穿鏡面支撐柱16的通孔12 ；該通孔12是用以 在制造微反射鏡的過程中形成該鏡面支撐柱16而設(shè)置的。該硅片與玻璃襯底21通過鍵合 錨點(diǎn)14鍵合。該玻璃襯底21與硅片鍵合的表面上具有一槽體22，使得玻璃襯底21與硅 片之間形成一定的間隙，作為扭梁15的扭轉(zhuǎn)空間。該玻璃襯底21上還具有靜電驅(qū)動(dòng)電極 (圖未示)，其與硅片上的硅驅(qū)動(dòng)極板13的位置正對(duì)。以下詳細(xì)說明本發(fā)明微反射鏡制造方法的步驟S1 準(zhǔn)備材料玻璃襯底21、硅片。S2 在玻璃襯底21上形成一槽體22。具體步驟為在玻璃襯底22的一表面涂覆 光刻膠，通過曝光、顯影得到槽體22的圖形；然后將玻璃襯底21放入玻璃腐蝕液中，在玻璃 襯底21上腐蝕出槽體22，再去除光刻膠。S3 在玻璃襯底21上形成靜電驅(qū)動(dòng)電極(圖未示)。具體步驟為在玻璃襯底21 表面上涂覆光刻膠，通過曝光、顯影得到靜電驅(qū)動(dòng)電極的圖形；然后在玻璃襯底21的表面上生長(zhǎng)一層金屬，并采用剝離工藝將靜電驅(qū)動(dòng)電極圖形之外的金屬去掉，形成靜電驅(qū)動(dòng)電 極的金屬布線。S4 在硅片上形成通孔12。將硅片作為反射鏡面11的表面設(shè)定為正面，則硅片的 另一與玻璃襯底21鍵合的表面設(shè)定為反面。首先在硅片的反面涂覆光刻膠，通過曝光、顯 影得到硅片上通孔12的圖形；然后對(duì)硅片的反面進(jìn)行干法刻蝕，將沒有光刻膠保護(hù)的硅片 表面進(jìn)行垂直腐蝕，形成通孔12，再去除光刻膠。S5 對(duì)硅片進(jìn)行濃硼淺擴(kuò)散。將上述硅片進(jìn)行硼擴(kuò)散工藝，其中，硼的擴(kuò)散濃度大 于硅在各向異性濕法腐蝕的自停止?jié)舛?。具體的，同時(shí)從硅片的正面和反面以及通孔12內(nèi) 壁表面進(jìn)行硼擴(kuò)散工藝，擴(kuò)散深度為自擴(kuò)散表面起10um左右，從而在硅片上的正反面以及 硅通孔12內(nèi)壁形成厚度為lOum左右的異性濕法腐蝕自停止層。S6 在硅片的反面形成鍵合錨點(diǎn)14、硅驅(qū)動(dòng)電極13和扭梁15結(jié)構(gòu)。首先在硅片 的反面上涂覆光刻膠，通過曝光、顯影形成鍵合錨點(diǎn)14、硅驅(qū)動(dòng)電極13和扭梁15的圖形； 然后對(duì)硅片反面進(jìn)行干法刻蝕，將沒有光刻膠保護(hù)的硅片表面進(jìn)行垂直腐蝕，從而形成鍵 合錨點(diǎn)14、硅驅(qū)動(dòng)電極13和扭梁15的結(jié)構(gòu)，再去除光刻膠。該鍵合錨點(diǎn)14、硅驅(qū)動(dòng)電極13 和扭梁15部分位于異性濕法腐蝕自停止層上。S7 靜電圓片鍵合。將玻璃襯底21與硅片的反面進(jìn)行靜電圓片鍵合，使得硅片的 鍵合錨點(diǎn)14與玻璃襯底21鍵合。并且使玻璃襯底21上的靜電驅(qū)動(dòng)電極(圖未示)與硅 片上的硅驅(qū)動(dòng)極板13的位置正對(duì)。S8 在硅片的正面形成反射鏡面11結(jié)構(gòu)。首先在硅片正面上涂覆光刻膠，通過曝 光、顯影得到反射鏡面圖形；然后對(duì)硅片正面進(jìn)行干法刻蝕，將沒有光刻膠保護(hù)的硅片表面 進(jìn)行垂直腐蝕，形成反射鏡面11結(jié)構(gòu)；同時(shí)在硅片的邊緣形成一濕法腐蝕的開口，使得后 續(xù)的濕法腐蝕工藝可以從該開口中進(jìn)行。該反射鏡面11部分位于異性濕法腐蝕自停止層 上。另夕卜，由于一個(gè)硅片(如大小為4英寸)上可以制造出多個(gè)微反射鏡(約3mmX3mm 大小)，因此，所述濕法腐蝕的開口可設(shè)置在硅片的正面相鄰的微反射鏡面11之間。S9 將硅片放入氫氧化鉀(KOH)或西甲基氫氧化銨(TMAH)腐蝕液中腐蝕。由于 硅片中的各表面具有一厚約lOum的異性濕法腐蝕自停止層，該層的硼擴(kuò)散濃度大于硅各 向異性濕法腐蝕的自停止?jié)舛?，而腐蝕液對(duì)于擴(kuò)散濃度大于自停止?jié)舛鹊墓璨桓g，因此， 腐蝕后在硅片上形成多個(gè)相互獨(dú)立微反射鏡，且每個(gè)微反射鏡中經(jīng)過濃硼擴(kuò)散的反射鏡面 11、鍵合錨點(diǎn)14、扭梁15、硅驅(qū)動(dòng)電極13的厚度將得到減薄，以及形成以通孔12為中心的 半徑約為lOum左右的反射鏡支撐柱16。相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明首先對(duì)硅片進(jìn)行濃硼淺擴(kuò)散，在硅片上形成異性濕法腐 蝕自停止層，然后在該異性濕法腐蝕自停止層上形成反射鏡面、硅驅(qū)動(dòng)極板、鍵合錨點(diǎn)和扭 梁結(jié)構(gòu)，最后再通過各向異性濕法腐蝕工藝將異性濕法腐蝕自停止層以外的硅去除掉，從 而使反射鏡面、硅驅(qū)動(dòng)極板、鍵合錨點(diǎn)和扭梁的厚度得到減薄，并形成了鏡面支撐柱16。通 過本發(fā)明的微反射鏡制造方法制造出的微反射鏡是直接利用了硅片原始拋光面作為反射 鏡面，具有較高鏡面反射率，可有效降低光反射損耗；同時(shí)用擴(kuò)散層厚度而不是硅片的整體 厚度作為反射鏡扭梁的厚度，因此達(dá)到了低驅(qū)動(dòng)電壓的目的。另外相比通過SOI硅片轉(zhuǎn)移 到玻璃片上得到硅原始拋光反射鏡面的加工工藝更簡(jiǎn)單，成本更低。
本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施方式，如果對(duì)本發(fā)明的各種改動(dòng)或變形不脫離本發(fā)明 的精神和范圍，倘若這些改動(dòng)和變形屬于本發(fā)明的權(quán)利要求和等同技術(shù)范圍之內(nèi)，則本發(fā) 明也意圖包含這些改動(dòng)和變形。
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權(quán)利要求
一種微反射鏡結(jié)構(gòu)，其特征在于包括玻璃襯底和硅片，所述硅片具有平行的上平面層和下平面層，一鏡面支撐柱設(shè)置在上下平面層中心并與其一體連接；所述上平面層形成反射鏡面，所述下平面層形成硅驅(qū)動(dòng)極板、鍵合錨點(diǎn)以及扭梁，所述扭梁的一端與硅驅(qū)動(dòng)極板連接，另一端與鍵合錨點(diǎn)連接；所述硅片與玻璃襯底通過所述鍵合錨點(diǎn)鍵合。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微反射鏡結(jié)構(gòu)，其特征在于還包括一通孔，其貫穿所述鏡面 支撐柱。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微反射鏡結(jié)構(gòu)，其特征在于所述硅驅(qū)動(dòng)極板沿其所在的平 面層的橫向軸對(duì)稱分布，并在中間部分連接；所述扭梁為細(xì)長(zhǎng)條形，沿著該平面層的縱向中 心軸線對(duì)稱設(shè)置在兩端，扭梁的一端與硅驅(qū)動(dòng)極板中間連接部分相連，其余邊與驅(qū)動(dòng)極板 分離；鍵合錨點(diǎn)與硅驅(qū)動(dòng)極板相分離，并分別與扭梁的另一端連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微反射鏡結(jié)構(gòu)，其特征在于所述玻璃襯底與硅片鍵合的表 面上具有一槽體，使得玻璃襯底與硅片之間形成一定的間隙，作為所述扭梁的扭轉(zhuǎn)空間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微反射鏡結(jié)構(gòu)，其特征在于玻璃襯底上還具有靜電驅(qū)動(dòng)電 極，其與硅片上的硅驅(qū)動(dòng)極板的位置正對(duì)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微反射鏡結(jié)構(gòu)，其特征在于所述扭梁厚度為lOum。
7.一種微反射鏡制造方法，其特征在于包括如下步驟步驟1 在硅片上形成通孔；步驟2:對(duì)硅片進(jìn)行濃硼淺擴(kuò)散，在硅片的各表面以及通孔內(nèi)壁表面上形成一定厚度 的異性濕法腐蝕自停止層；步驟3 在所述硅片的異性濕法腐蝕自停止層上通過干法刻蝕形成反射鏡面、硅驅(qū)動(dòng) 極板、鍵合錨點(diǎn)和扭梁，以及濕法腐蝕的開口 ；步驟4:通過各向異性濕法腐蝕工藝將異性濕法腐蝕自停止層以外的硅去除掉，形成 反射鏡面支撐柱以及使反射鏡面、鍵合錨點(diǎn)、扭梁和硅驅(qū)動(dòng)電極的厚度將得到減薄。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的微反射鏡制造方法，其特征在于所述步驟3包括首先在硅 片的一面上涂覆光刻膠，通過曝光、顯影形成鍵合錨點(diǎn)、硅驅(qū)動(dòng)電極和扭梁的圖形；然后對(duì) 硅片該面進(jìn)行干法刻蝕，將沒有光刻膠保護(hù)的硅片表面進(jìn)行垂直腐蝕，從而形成鍵合錨點(diǎn)、 硅驅(qū)動(dòng)電極和扭梁，再去除光刻膠。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的微反射鏡制造方法，其特征在于將所述硅片與一玻璃襯底 進(jìn)行靜電圓片鍵合，使得硅片的鍵合錨點(diǎn)與玻璃襯底鍵合。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的微反射鏡制造方法，其特征在于進(jìn)一步包括步驟首先在 硅片的另一面上涂覆光刻膠，通過曝光、顯影得到反射鏡面圖形；然后對(duì)硅片正面進(jìn)行干法 刻蝕，將沒有光刻膠保護(hù)的硅片表面進(jìn)行垂直腐蝕，形成反射鏡面和濕法腐蝕的開口，再去 除光刻膠。
11.根據(jù)權(quán)利要求7-10中任一權(quán)利要求所述的微反射鏡制造方法，其特征在于所述 步驟4包括將硅片放入氫氧化鉀(KOH)或四甲基氫氧化銨(TMAH)腐蝕液中腐蝕。
12.根據(jù)權(quán)利要求7所述的微反射鏡制造方法，其特征在于所述異性濕法腐蝕自停止 層的厚度為lOum。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的微反射鏡制造方法，其特征在于所述玻璃襯底與硅片進(jìn)行 靜電圓片鍵合之前，先在玻璃襯底的鍵合表面涂覆光刻膠，通過曝光、顯影得到一槽體的圖形；然后將玻璃襯底放入玻璃腐蝕液中，在玻璃襯底上腐蝕出槽體，再去除光刻膠。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的微反射鏡制造方法，其特征在于還包括步驟在玻璃襯底 鍵合表面上涂覆光刻膠，通過曝光、顯影得到靜電驅(qū)動(dòng)電極的圖形；然后在玻璃襯底的表面 上生長(zhǎng)一層金屬，并采用剝離工藝將靜電驅(qū)動(dòng)電極圖形之外的金屬去掉，形成靜電驅(qū)動(dòng)電 極的金屬布線，再去除光刻膠。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種微反射鏡結(jié)構(gòu)及其制造方法。所述微反射鏡結(jié)構(gòu)包括玻璃襯底和硅片，所述硅片具有平行的上平面層和下平面層，一鏡面支撐柱設(shè)置在上下平面層中心并與其一體連接；所述上平面層形成反射鏡面，所述下平面層形成硅驅(qū)動(dòng)極板、鍵合錨點(diǎn)以及扭梁，所述扭梁的一端與硅驅(qū)動(dòng)極板連接，另一端與鍵合錨點(diǎn)連接；所述硅片與玻璃襯底通過所述鍵合錨點(diǎn)鍵合。相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的微反射鏡制造方法制造的成品具有低驅(qū)動(dòng)電壓且微反射鏡的鏡面采用硅片原始拋光鏡面，光潔度高，同時(shí)工藝簡(jiǎn)單，成本低。
文檔編號(hào)G03F7/00GK101881880SQ20101019729
公開日2010年11月10日 申請(qǐng)日期2010年6月2日 優(yōu)先權(quán)日2010年6月2日
發(fā)明者徐永青, 楊擁軍, 陳愿勤 申請(qǐng)人:中山市張家邊企業(yè)集團(tuán)有限公司企業(yè)技術(shù)中心