專利名稱：光刻裝置和器件制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光刻裝置和制造器件的方法。
背景技術(shù)：
光刻裝置是將期望的圖案施加到基底上通常是基底靶部上的一種裝置。光刻裝置 可以用于例如集成電路(IC)的制造。在這種情況下，構(gòu)圖裝置或者可稱為掩?；蛑虚g掩模 版，它可用于產(chǎn)生形成在IC的一個單獨層上的電路圖案。該圖案可以被傳遞給基底(例如 硅晶片)的靶部上(例如包括一部分，一個或者多個管芯)。通常這種圖案的傳遞是通過成 像在涂敷于基底的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。 一般地，單一的基底將包含被相繼構(gòu)圖 的相鄰耙部的網(wǎng)格。已知的光刻裝置包括所謂的步進器，它通過將整個圖案一次曝光到耙 部上而輻射每一靶部，已知的光刻裝置還包括所謂的掃描器，它通過在輻射光束下沿給定 的方向("掃描"方向)掃描所述圖案，并同時沿與該方向平行或者反平行的方向同步掃描 基底來輻射每一靶部。還可以通過將圖案壓印到基底上把圖案從構(gòu)圖裝置傳遞給基底上。
已經(jīng)有人提議將光刻投影裝置中的基底浸入具有相對較高折射率的液體中，如 水，從而填充投影系統(tǒng)的最后一個元件與基底之間的空間。由于曝光輻射在該液體中具有 更短的波長，從而能夠?qū)Ω〉奶卣鬟M行成像。(液體的作用也可以認為是增大了系統(tǒng)的有 效NA(數(shù)值孔徑和增加了焦深。)也有人提議其它浸液，包括其中懸浮有固體微粒(如石 英)的水。 但是，將基底或基底和基底臺浸沒在液體浴槽(例如參見U. S.專利 No. 4， 509， 853，在此將該文獻全文引入作為參考)中意味著在掃描曝光過程中必須將大量 的液體加速。這需要附加的或功率更大的電機，并且液體中的紊流可能導致不期望和不可 預料的結(jié)果。 提出的一種用于液體供給系統(tǒng)的技術(shù)方案是使用液體限制系統(tǒng)僅在基底的局部 區(qū)域上以及投影系統(tǒng)的最后一個元件和基底(通常該基底具有比投影系統(tǒng)的最后一個元 件更大的表面區(qū)域)之間提供液體。在PCT專利申請W099/49504中公開了一種已經(jīng)提出 的為該方案而布置的方式，在此將該文獻全文引入作為參考。如圖2和3所示，通過至少一 個入口 IN將液體提供到基底上，期望的是沿基底相對于最后一個元件的移動方向提供，并 且在流過投影系統(tǒng)之后通過至少一個出口 OUT去除液體。也就是說，沿-X方向在該元件下 方掃描基底，并在元件的+X方向提供液體，在-X方向接收液體。圖2示意性地示出了該布 置，其中通過入口 IN提供液體，和通過與低壓源相連接的出口 OUT在元件的另一側(cè)接收液 體。在圖2的說明中，沿基底相對于最后一個元件的移動方向提供液體，但是也可以不必這 樣。圍繞最后一個元件定位的入口和出口的各種定向和數(shù)量都是可能的，圖3示出了一個 實例，其中在圍繞最后一個元件的規(guī)則圖案中提供了四組入口以及在另一側(cè)的出口。

發(fā)明內(nèi)容
在使用浸沒式光刻裝置制造的器件中缺陷的重要因素可能是浸液中的氣泡，根據(jù)氣泡的不同尺寸和位置，可能導致劑量變化和圖像失真。因此非常期望的是防止氣泡進入 投影系統(tǒng)的光路中。氣泡的主要來源是基底臺光滑頂面(反射鏡單元)中的間隙，例如圍 繞傳感器單元、基準板和基底的間隙。當這種間隙通過液體供給系統(tǒng)(液體限制結(jié)構(gòu))時， 它們不會完全填充，而留下的氣體就可能形成氣泡。然后這些氣泡可能從間隙中上升，并進 入投影系統(tǒng)和基底之間的空間。 因此，有利的是例如提供一種或多種布置，用于防止在基底臺頂面的間隙中形成 氣泡，從而防止在器件的制造中導致成像缺陷。 根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供一種光刻裝置，其配置成將所需圖案的圖像透過液
體投影到保持于基底臺的基底上，在基底臺表面中存在位于基底臺和基底的外緣之間或者
基底臺和安裝于基底臺上的其它元件之間的間隙，在正常使用時，液體與所述間隙接觸，所
述間隙具有氣泡保持裝置，該氣泡保持裝置配置成保持在間隙中產(chǎn)生的任何氣泡。 根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供一種光刻裝置，其配置成將所需圖案的圖像透過
液體投影到保持于基底臺的基底上，在基底臺表面中存在位于基底臺和基底的外緣之間或
者基底臺和安裝于基底臺上的另一元件之間的間隙，在正常使用時，液體與所述間隙接觸，
所述間隙被分成多個段。 根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供一種光刻裝置，其配置成將所需圖案的圖像透過 液體投影到保持于基底臺的基底上，在基底臺表面中存在位于基底臺和基底的外緣之間或 者基底臺和安裝于基底臺上的其它元件之間的間隙，在正常使用時，液體與所述間隙接觸， 所述裝置包括配置成從所述間隙排出液體、氣體或兩者的裝置。 根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供一種光刻裝置，其配置成將所需圖案的圖像透過 液體投影到保持于基底臺的基底上，在基底臺表面中存在位于基底臺和基底的外緣之間或 者基底臺和安裝于基底臺上的其它元件之間的間隙，在正常使用時，液體與所述間隙接觸， 所述裝置還包括配置將液體提供到所述間隙的裝置。 根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供一種器件制造方法，其中使期望圖案的圖像透過 液體投影到保持于基底臺的基底上，在基底臺表面中存在位于基底臺和基底的外緣之間或 者在基底臺和安裝于基底臺上的其它元件之間的間隙，在正常使用時，液體與所述間隙接 觸，該方法包括從所述間隙排出液體、氣體或兩者，并使用氣泡保持裝置將所述間隙中的氣 泡保持于其中。


現(xiàn)在僅僅通過實例的方式，參考隨附的示意圖描述本發(fā)明的各個實施例，其中相 應的參考標記表示相應的裝置，其中 圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的光刻裝置； 圖2和3示出了在光刻投影裝置中使用的液體供給系統(tǒng)； 圖4示出了在光刻投影裝置中使用的另一種液體供給系統(tǒng)； 圖5示出了在光刻投影裝置中使用的又一種液體供給系統(tǒng)； 圖6示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例在基底臺和基底之間的間隙； 圖7示出了根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例在基底臺和基底之間的間隙； 圖8示出了根據(jù)本發(fā)明的另一個實施例在基底臺和基底之間的間隙；
圖9示出了根據(jù)本發(fā)明的另一 圖10示出了根據(jù)本發(fā)明的另- 圖11示出了根據(jù)本發(fā)明的另- 圖12示出了根據(jù)本發(fā)明的另- 圖13示出了根據(jù)本發(fā)明的另- 圖14示出了根據(jù)本發(fā)明的另-
個實施例在基底臺和基底之間的間隙； -個實施例在基底臺和基底之間的間隙； -個實施例在基底臺和基底之間的間隙； -個實施例在基底臺和基底之間的間隙； -個實施例在基底臺和基底之間的間隙；以及 -個實施例在基底臺和基底之間的間隙。
具體實施例方式圖1示意性地表示了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例的光刻裝置。該裝置包括
照射系統(tǒng)(照射器)IL，其配置成調(diào)節(jié)輻射光束PB (例如UV輻射或DUV輻射)；
支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺)MT，其配置成支撐構(gòu)圖裝置(例如掩模)MA，并與配置成 依照某些參數(shù)將該構(gòu)圖裝置精確定位的第一定位裝置PM連接； 基底臺(例如晶片臺)WT，其配置成保持基底(例如涂敷抗蝕劑的晶片)W，并與配 置成依照某些參數(shù)將基底精確定位的第二定位裝置PW連接；以及 投影系統(tǒng)(例如折射投影透鏡系統(tǒng))PS，其配置成利用構(gòu)圖裝置MA將賦予給輻射
光束PB的圖案投影到基底W的靶部C(例如包括一個或多個管芯)上。 照射系統(tǒng)可以包括各種類型的光學裝置，例如包括用于引導、整形或者控制輻射
的折射光學裝置、反射光學裝置、磁性光學裝置、電磁光學裝置、靜電光學裝置或其它類型
的光學裝置，或者其任意組合。 支撐結(jié)構(gòu)可以一種方式保持構(gòu)圖裝置，該方式取決于構(gòu)圖裝置的定向、光刻裝置 的設(shè)計以及其它條件，例如構(gòu)圖裝置是否保持在真空環(huán)境中。支撐結(jié)構(gòu)可以使用機械、真 空、靜電或其它夾緊技術(shù)來保持構(gòu)圖裝置。支撐結(jié)構(gòu)可以是框架或者臺，例如所述結(jié)構(gòu)根據(jù) 需要可以是固定的或者是可移動的。支撐結(jié)構(gòu)可以確保構(gòu)圖裝置例如相對于投影系統(tǒng)位于 期望的位置。這里任何術(shù)語"中間掩模版"或者"掩模"的使用可以認為與更普通的術(shù)語"構(gòu) 圖裝置"同義。 這里使用的術(shù)語"構(gòu)圖裝置"應廣義地解釋為能夠給輻射光束在其截面賦予圖案 從而在基底的靶部中形成圖案的任何裝置。應該注意，賦予給輻射光束的圖案可以不與基 底靶部中的期望圖案精確重合，例如如果該圖案包括相移特征或所謂的輔助特征。 一般地， 賦予給輻射光束的圖案與在靶部中形成的器件如集成電路的特殊功能層相對應。
構(gòu)圖裝置可以是透射型的或者反射型的。構(gòu)圖裝置的實例包括掩模，可編程反射 鏡陣列，以及可編程LCD板。掩模在光刻中是公知的，它包括如二進制型、交替相移型、和衰 減相移型的掩模類型，以及各種混合掩模類型?？删幊谭瓷溏R陣列的一個實例采用微小反 射鏡的矩陣排列，每個反射鏡能夠獨立地傾斜，從而沿不同的方向反射入射的輻射光束。傾 斜的反射鏡可以在由反射鏡矩陣反射的輻射光束中賦予圖案。 這里使用的術(shù)語"投影系統(tǒng)"應廣義地解釋為包含各種類型的投影系統(tǒng)，包括折射 光學系統(tǒng)，反射光學系統(tǒng)、反折射光學系統(tǒng)、磁性光學系統(tǒng)、電磁光學系統(tǒng)和靜電光學系統(tǒng)， 或其任何組合，如適合于所用的曝光輻射，或者適合于其他方面，如浸液的使用或真空的使 用。這里任何術(shù)語"投影透鏡"的使用可以認為與更普通的術(shù)語"投影系統(tǒng)"同義。
如這里所指出的，該裝置是透射型(例如采用透射掩模)?；蛘?，該裝置可以是反射型(例如采用上面提到的可編程反射鏡陣列，或采用反射掩模)。 光刻裝置可以具有兩個(雙工作臺)或者多個基底臺(和/或兩個或者多個掩模 臺)。在這種"多工作臺式"裝置中，可以并行使用這些附加臺，或者可以在一個或者多個臺 上進行準備步驟，而一個或者多個其它臺用于曝光。 參考圖l，照射器IL接收來自輻射源SO的輻射光束。輻射源和光刻裝置可以是獨 立的機構(gòu)，例如當輻射源是受激準分子激光器時。在這種情況下，不認為輻射源構(gòu)成了光刻 裝置的一部分，輻射光束借助于光束輸送系統(tǒng)BD從源SO傳輸?shù)秸丈淦鱅L，所述光束輸送系 統(tǒng)包括例如合適的定向反射鏡和/或擴束器。在其它情況下，輻射源可以是光刻裝置的組 成部分，例如當源是汞燈時。源SO和照射器IL，如果需要連同光束輸送系統(tǒng)BD—起可以稱 作輻射系統(tǒng)。 照射器IL可以包括調(diào)節(jié)裝置AD，用于調(diào)節(jié)輻射光束的角強度分布。 一般地，至少 可以調(diào)節(jié)在照射器光瞳平面上強度分布的外和/或內(nèi)徑向范圍(通常分別稱為o-外和 o-內(nèi))。此外，照射器IL可以包括各種其它裝置，如積分器IN和聚光器CO。照射器可以 用于調(diào)節(jié)輻射光束，從而使該光束在其橫截面上具有期望的均勻度和強度分布。
輻射光束PB入射到保持在支撐結(jié)構(gòu)(如掩模臺MT)上的構(gòu)圖裝置(如掩模MA) 上，并由構(gòu)圖裝置進行構(gòu)圖。橫向穿過掩模MA后，輻射光束PB通過投影系統(tǒng)PS，該投影系 統(tǒng)將光束聚焦在基底W的靶部C上。在第二定位裝置PW和位置傳感器IF (例如干涉測量 器件、線性編碼器或電容傳感器)的輔助下，可以精確地移動基底臺WT，從而在輻射光束PB 的光路中定位不同的靶部C。類似地，例如在從掩模庫中機械取出掩模MA后或在掃描期間， 可以使用第一定位裝置PM和另一個位置傳感器(圖1中未明確示出)來使掩模MA相對于 輻射光束PB的光路精確定位。 一般地，借助于長行程模塊(粗略定位)和短行程模塊(精 確定位)，可以實現(xiàn)掩模臺MT的移動，其中長行程模塊和短行程模塊構(gòu)成第一定位裝置PM 的一部分。類似地，利用長行程模塊和短行程模塊也可以實現(xiàn)基底臺WT的移動，其中長行 程模塊和短行程模塊構(gòu)成第二定位裝置PW的一部分。在步進器的情況下(與掃描裝置相 對)，掩模臺MT可以只與短行程致動裝置連接，或者固定?？梢允褂醚谀蕵擞汳1、M2和 基底對準標記P1、 P2對準掩模MA與基底W。盡管如所示出的基底對準標記占據(jù)了指定的 靶部，但是它們也可以設(shè)置在各個靶部(這些標記是公知的劃線對準標記)之間的空間中。 類似地，在其中在掩膜MA上提供了超過一個管芯的情況下，可以在各個管芯之間設(shè)置掩膜 對準標記。 所示的裝置可以按照下面模式中的至少一種使用 1.在步進模式中，掩模臺MT和基底臺WT基本保持不動，而賦予輻射光束的整個圖 案被一次投影到靶部C上(即單次靜態(tài)曝光)。然后沿X和/或Y方向移動基底臺WT，使 得可以曝光不同的靶部C。在步進模式中，曝光區(qū)的最大尺寸限制了在單次靜態(tài)曝光中成像 的耙部C的尺寸。 2.在掃描模式中，當賦予輻射光束的圖案被投影到靶部C時，同步掃描掩模臺MT 和基底臺WT(即單次動態(tài)曝光)?；着_WT相對于掩模臺MT的速度和方向通過投影系統(tǒng) PL的放大(縮小)和圖像反轉(zhuǎn)特性來確定。在掃描模式中，曝光區(qū)的最大尺寸限制了在單 次動態(tài)曝光中靶部的寬度(沿非掃描方向)，而掃描動作的長度確定了靶部的高度(沿掃描 方向)。
3.在其他模式中，當賦予輻射光束的圖案被投影到靶部C上時，掩模臺MT基本保 持不動地支撐可編程構(gòu)圖裝置，同時移動或掃描基底臺WT。在該模式中，一般采用脈沖輻 射源，并且在每次移動基底臺WT之后，或者在掃描期間兩個相繼的輻射脈沖之間根據(jù)需要 更新可編程構(gòu)圖裝置。這種操作模式可以容易地應用于采用可編程構(gòu)圖裝置的無掩模光刻 中，所述可編程構(gòu)圖裝置例如是上面提到的可編程反射鏡陣列型。 還可以采用上述使用模式的組合和/或變化，或者采用完全不同的使用模式。
圖4示出了另一種具有局部液體供給系統(tǒng)的浸沒式光刻方案。液體可以通過在投 影系統(tǒng)PL任一側(cè)上的兩個凹槽入口 IN提供，并通過從入口 IN徑向外側(cè)布置的多個分散的 出口 0UT去除。入口 IN和出口 OUT可以布置在其中心具有孔的平板中，投影系統(tǒng)可通過該 孔進行投影。液體可以通過在投影系統(tǒng)PL—側(cè)上的一個凹槽入口 IN提供，并通過投影系 統(tǒng)PL另一側(cè)上的多個分散的出口 OUT去除，從而在投影系統(tǒng)PL和基底W之間形成液體薄 膜的流動。所用入口 IN和出口 OUT的組合的選擇取決于基底W的移動方向(入口 IN和出 口 OUT的其他組合是無效的)。 已經(jīng)提出的另一種具有局部液體供給系統(tǒng)方案的浸沒式光刻方案是提供具有液 體限制結(jié)構(gòu)的液體供給系統(tǒng)，該液體限制結(jié)構(gòu)沿投影系統(tǒng)的最后一個元件和基底臺之間的 空間的邊界的至少一部分延伸。圖5就示出了這種技術(shù)方案。該液體限制結(jié)構(gòu)在XY平面 中基本上相對于投影系統(tǒng)靜止，但是在Z方向(光軸方向)可以有一些相對移動。在一個 實施例中，可以在液體限制結(jié)構(gòu)和基底表面之間形成密封。在一個實施例中，該密封是非接 觸密封，例如氣密封。這種系統(tǒng)公開于美國專利申請no.US2004-0207824和歐洲專利申請 no.EP1420298中，在此將上述兩篇文獻全文引入作為參考，并在圖5中示出。
如圖5所示，液體供給系統(tǒng)用于將液體供給到投影系統(tǒng)和基底之間的空間。容器 IO可以圍繞投影系統(tǒng)的成像區(qū)域?qū)仔纬煞墙佑|密封，使得液體被限制成填充基底表面 和投影系統(tǒng)的最后一個元件之間的空間。容器由定位在投影系統(tǒng)的最后一個元件下方的液 體限制結(jié)構(gòu)12形成，并圍繞投影系統(tǒng)的最后一個元件。液體被充入投影系統(tǒng)下方的空間和 所述液體限制元件內(nèi)。液體限制結(jié)構(gòu)12延伸到略微高于投影透鏡PL的最后一個元件，而 液面上升到高于最后一個元件，從而提供一液體緩沖器。液體限制結(jié)構(gòu)12具有一內(nèi)周邊， 該內(nèi)周邊在其上端緊密地配合投影系統(tǒng)的形狀或投影系統(tǒng)的最后一個元件的形狀，并且可 以例如是圓形的。而在底部，內(nèi)周邊緊密地配合成像區(qū)域的形狀，例如矩形，但是也可以不 是這種形狀。 液體可以由液體限制結(jié)構(gòu)12和基底W表面之間的氣密封16限制在容器中。該氣 密封由氣體例如空氣、人造空氣、^或惰性氣體形成，它們通過入口 15在負壓下提供到液體 限制結(jié)構(gòu)12和基底之間的間隙，然后通過出口 14引出。作用在氣體入口 15上的過壓力、 作用在第一出口 14上的真空水平和間隙的幾何尺寸布置成使得存在向內(nèi)限制液體的高速 氣流。 在光刻裝置中，基底W通常放置在基底臺WT上表面中的基底保持器上，基底保持 器也稱為突起板或突點臺，其位于稱為凹穴的凹座中。為了使基底W的尺寸和布置方面的 變化在一定的容差中，凹座略微比基底更大一些。這樣，盡管凹座、基底保持器和基底具有 確保基底上表面大體上與基底臺上表面共面的尺寸，但是圍繞基底的邊緣還會保持一間 隙。類似地，基底臺上的某些傳感器和基準點(參考標記)安裝在裝配于基底臺中相應凹座內(nèi)的平板上或單元中。凹座略微更大些，以便容納不同尺寸的單元或平板，并使得傳感器 能夠移動，用于維修或升級，因而具有間隙。 這些間隙可能是氣泡的重要來源，該氣泡可能進入光束路徑并影響成像。當移動 基底臺使得氣體通過投影系統(tǒng)下方和填充有浸液的空間時基底臺的速度可能會使得間隙 沒有充分的時間完全充滿浸液。仍然保持在間隙中的氣體就會形成氣泡，該氣泡可能離開 間隙并浮起進入投影系統(tǒng)的路徑中。在此，它們可能導致成像缺陷，例如劑量變化和圖像失真。 圖6示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實施例在基底臺和基底之間的間隙。在基底保持器 21和凹座20之間的間隙具有多個毛狀物23，其中凹座20中布置有基底W和基底臺保持器 21，所述毛狀物用作保持間隙中的氣泡的裝置。毛狀物23是疏水的(即和浸液的接觸角大 于90° ，該接觸角是固液界面和氣液界面之間的角度)，并用于捕獲可能在間隙中形成的 任何氣泡24。該氣泡當保持在間隙中時沒有危害；僅僅在如果它們脫離并上浮到光束路徑 中才可能導致成像缺陷。 圖7至14示出了根據(jù)本發(fā)明的其他實施例的各種布置。在下面的實施例中，與如 圖6所示的裝置等同的裝置用相同的標號表示，為了簡潔省略了詳細的描述。當然應該理 解，可以組合不同實施例的特征。應用于圍繞基底的間隙的布置當然同樣可以應用于圍繞 傳感器單元或基準板的間隙，實際上可以應用于位于基底臺上表面的任何其他間隙(包括 凹槽)。 在圖7的實施例中，圍繞基底W邊緣的間隙22和圍繞傳感器單元SB邊緣的間隙
25由橫向的壁26在合適的位置分割開。當氣體在液體限制系統(tǒng)下方通過時，液體會流進間
隙中，但是僅僅填充某段或多段間隙，所述部分部分地位于投影系統(tǒng)下方。因為所述部分很
小，所以它們可以迅速和完全地進行填充，從而減小或者避免了氣泡的形成。 圖8示出了用于保持間隙中的氣泡的可替換裝置。如所示出的，在間隙22中提供
一個或多個尖銳邊緣27。任何氣泡24都將優(yōu)先附著在該尖銳邊緣上，這就有效地增大了接
觸角，并且不會脫離而進入光束路徑。 圖9中示出了另一個保持氣泡的裝置。其包括一個或多個間隙22的外伸壁28，使 得其向內(nèi)和向上變尖，由此捕獲間隙中的氣泡。 在圖10的實施例中，粗糙的涂層29涂覆于間隙的一個或多個合適表面。該粗糙 的涂層具有與氣泡相同等級的變化的表面梯度，這樣就局部地增大了接觸角，即使涂層的 材料本身是親水的，也可以是使表面是疏水的。這樣可以進一步有助于保持間隙22中的氣 泡。 在如圖11所示的布置中，涂層30不必很粗糙，它是充分疏水的，以便完全防止浸 液ll進入間隙。 圖12中示出了另一種方法。該實施例包括液體供給系統(tǒng)31，其控制成當液體在投 影系統(tǒng)下方移動之前將液體提供到間隙22，使得間隙有效地被預填充?？梢栽谧銐虻臅r間 內(nèi)完成該填充，以便確保沒有或者很少的氣體存在，因此沒有或者很少的氣泡可能進入光 束路徑。在一個實施例中，填充間隙的液體是浸液，但是也可以使用其他液體代替，例如與 浸液不互溶的較稠液體。為了避免液體從間隙中吹出，當氣體在液體限制系統(tǒng)的邊緣下方 通過時，應該至少局部地減少或者切斷液體限制系統(tǒng)中的任何氣刀或氣體軸承。
圖13示出了間隙中的氣泡問題的另一種解決方案。這里使用液體和氣體排出裝 置32來確保一流動，該流動可以將可能存在于間隙22中的任何氣泡24全部清除并在其上 浮到光束路徑之前去除它們?？梢栽谂懦鲅b置32上使用可透過氣體但不可透過液體的薄 膜，使得僅僅去除氣體，從而減小浸液的消耗。 圖14示出了液體供給31和排出裝置32的組合，以便形成吸入和去除氣泡的水平 流動。通過這種方法，間隙表面可以是親水的以便促進氣泡釋放。 盡管這里可以使用與水有關(guān)的術(shù)語，例如親水的、疏水的、濕度等等，但是這些術(shù) 語應該理解成包括與其他液體的類似性質(zhì)。 在歐洲專利申請no. EP1420300和美國專利申請no. US2004-0136494中，公開了一 種二或雙工作臺式浸沒式光刻裝置的思想，在此將上述兩篇文獻全文引入作為參考。這種 裝置具有兩個支撐基底的臺?？梢圆皇褂媒涸诘谝晃恢糜靡粋€臺進行水準測量，而在其 中提供了浸液的第二位置使用一個臺進行曝光?？商鎿Q地，該裝置僅有一個臺。
盡管在本申請中可以具體參考使用該光刻裝置制造IC，但是應該理解這里描述的 光刻裝置可能具有其它應用，例如，它可用于制造集成光學系統(tǒng)、用于磁疇存儲器的引導和 檢測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等等。本領(lǐng)域技術(shù)人員應該理解，在這 種可替換的用途范圍中，這里任何術(shù)語"晶片"或者"管芯"的使用應認為分別可以與更普 通的術(shù)語"基底"或"靶部"同義。在曝光之前或之后，可以在例如涂布顯影機(通常將抗 蝕劑層施加于基底上并將已曝光的抗蝕劑顯影的一種工具)、計量工具和/或檢驗工具中 對這里提到的基底進行處理。在可應用的地方，這里的公開可應用于這種和其他基底處理 工具。另外，例如為了形成多層IC，可以對基底進行多次處理，因此這里所用的術(shù)語基底也 可以指已經(jīng)包含多個已處理的層的基底。 這里使用的術(shù)語"輻射"和"光束"包含所有類型的電磁輻射，包括紫外(UV)輻射 (例如具有大約365， 248， 193， 157或者126nm的波長)。 在本申請中術(shù)語"透鏡"可以表示任何一個各種類型的光學裝置或其組合，包括折 射光學裝置和反射光學裝置。 盡管上面已經(jīng)描述了本發(fā)明的具體實施例，但是應該理解可以不同于所描述的實 施本發(fā)明。例如，本發(fā)明可以采取計算機程序的形式，該計算機程序包含一個或多個序列的 描述了上面所公開的方法的機器可讀指令，或者包含其中存儲有這種計算機程序的數(shù)據(jù)存 儲介質(zhì)(例如半導體存儲器、磁盤或光盤)。 本發(fā)明的一個或多個實施例可以應用于任何浸沒式光刻裝置，特別地但不唯一 的，是那些上面描述的類型，而不論浸液是以浴槽的形式提供或者僅僅將其提供到基底的 局部表面區(qū)域。這里設(shè)想的液體供給系統(tǒng)應該廣義地進行解釋。在某些實施例中，其可以 是一機構(gòu)或一些結(jié)構(gòu)的組合，可將液體提供到投影系統(tǒng)和基底和/或基底臺之間的空間 中。該液體供給系統(tǒng)包括將液體提供到空間的一種或多種結(jié)構(gòu)、一個或多個液體入口、一個 或多個氣體入口 、一個或多個氣體出口 、和/或一個或多個液體出口的組合。在一個實施例 中，空間的表面可以是基底和/或基底臺的一部分，或者空間的表面可以完全覆蓋基底和/ 或基底臺的表面，或者空間可以包圍基底和/或基底臺。液體供給系統(tǒng)視需要地還包括一 個或多個元件，用于控制液體的位置、數(shù)量、質(zhì)量、形狀、流速或任何其他特征。
上面的描述是為了說明，而不是限制。因此，對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說顯而易見的是，在不脫離下面描述的權(quán)利要求的范圍的條件下，可以對所描述的發(fā)明進行各種修改c
權(quán)利要求
一種光刻裝置，用于將所需圖案的圖像透過液體投影到保持于基底臺的基底上，在基底臺的表面中以基底臺上表面中的凹槽的形式存在間隙，或者在基底臺和安裝于基底臺上的另外的傳感器單元或基準板之間存在間隙，或者在基底臺和基底的外緣之間存在間隙，在正常使用時，液體與所述間隙接觸，其中所述間隙的表面涂覆有疏水涂層。
2. 如權(quán)利要求1所述的光刻裝置，其中，在所述間隙中設(shè)有至少一個尖銳邊緣。
3. 如權(quán)利要求1或2所述的光刻裝置，其中，所述涂層具有相對于液體大于90。的接 觸角。
4. 如權(quán)利要求1或2所述的光刻裝置，其中，所述涂層是粗糙的，以便增大有效接觸角。
5. 如權(quán)利要求1或2所述的光刻裝置，其中，所述間隙具有外伸壁。
6. 如權(quán)利要求5所述的光刻裝置，其中，所述外伸壁向內(nèi)和向上變尖。
7. 如權(quán)利要求1或2所述的光刻裝置，其中，在所述間隙中設(shè)有用于排出液體、氣體或 者這兩者的裝置，所述裝置包括排出裝置。
8. 如權(quán)利要求7所述的光刻裝置，其中，用于排出液體、氣體或這兩者的裝置包括薄膜。
9. 如權(quán)利要求8所述的光刻裝置，其中，該薄膜是氣體可透過、但是液體不可透過的， 使得排出裝置僅僅排出氣體。
10. —種光刻裝置，用于將所需圖案的圖像透過液體投影到保持于基底臺的基底上，在 基底臺的表面中以基底臺上表面中的凹槽的形式存在間隙，或者在基底臺的表面中在基底 臺和安裝于基底臺上的傳感器單元或基準板之間存在間隙，或者在基底臺的表面中在基底 臺和基底的外緣之間存在間隙，在正常使用時，液體與所述間隙接觸，其中所述間隙具有外 伸壁。
全文摘要
光刻裝置和器件制造方法，一種浸沒式光刻裝置適用于通過防止氣泡從間隙逸出到光束路徑和/或排出在間隙中形成的氣泡，從而防止或減小在基底臺中一個或多個間隙中形成的氣泡。
文檔編號G03F7/20GK101794083SQ20101015086
公開日2010年8月4日 申請日期2006年5月8日 優(yōu)先權(quán)日2005年5月3日
發(fā)明者B·斯特利夫科克, C·A·霍根大姆, J·J·S·M·馬坦斯, M·H·A·李恩德斯, M·里龐, R·F·德格拉夫, S·N·L·董德斯 申請人:Asml荷蘭有限公司