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投影系統(tǒng)和光刻設(shè)備的制作方法

文檔序號(hào):2751534閱讀:124來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:投影系統(tǒng)和光刻設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明的實(shí)施例涉及一種投影系統(tǒng)、光刻設(shè)備、定位光學(xué)元件的方法以及將輻射束投影到目標(biāo)上的方法。
背景技術(shù)
光刻設(shè)備是一種將所需圖案應(yīng)用到襯底上,通常是襯底的目標(biāo)部分上的機(jī)器。例如,可以將光刻設(shè)備用在集成電路(IC)的制造中。在這種情況下,可以將可選地稱為掩?;蜓谀0娴膱D案形成裝置用于生成待形成在所述IC的單層上的電路圖案。可以將該圖案轉(zhuǎn)移到襯底(例如,硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如,包括一部分管芯、一個(gè)或多個(gè)管芯)上。 所述圖案的轉(zhuǎn)移通常是通過(guò)將圖案成像到提供到襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)的層上。通常,單個(gè)襯底將包含連續(xù)形成圖案的相鄰目標(biāo)部分的網(wǎng)絡(luò)。公知的光刻設(shè)備包括 所謂的步進(jìn)機(jī),在所述步進(jìn)機(jī)中,通過(guò)將整個(gè)圖案一次曝光到所述目標(biāo)部分上來(lái)輻射每一個(gè)目標(biāo)部分;以及所謂的掃描器,在所述掃描器中,通過(guò)輻射束沿給定方向(“掃描”方向) 掃描所述圖案、同時(shí)沿與該方向平行或反向平行的方向掃描所述襯底來(lái)輻射每一個(gè)目標(biāo)部分。也可能通過(guò)將圖案壓印(imprinting)到襯底的方式從圖案形成裝置將圖案轉(zhuǎn)移到襯底上。在光刻設(shè)備中,輻射束可以通過(guò)圖案形成裝置圖案化,然后通過(guò)投影系統(tǒng)投影至襯底上。以此方式,圖案可以轉(zhuǎn)移至襯底上。通過(guò)投影系統(tǒng)將圖案化輻射束投影到襯底上的精確度可以影響光刻設(shè)備的整體精確度和性能。由于例如投影系統(tǒng)的不精確帶來(lái)的圖案化束位置的任何偏離會(huì)導(dǎo)致襯底形成的圖案的誤差。這種誤差可以是例如重疊誤差,其中圖案的一部分相對(duì)于圖案的其他部分被不正確地定位。其他誤差可以包括聚焦誤差和對(duì)比度"^差ο為了最小化由投影系統(tǒng)引入的誤差,有必要確保投影系統(tǒng)(用于引導(dǎo)和/或調(diào)節(jié)圖案化輻射束)內(nèi)的光學(xué)元件被精確地定位。前面已知的是,提供安裝每個(gè)光學(xué)元件的框架,并調(diào)節(jié)光學(xué)元件中的每一個(gè)相對(duì)于該框架的位置以便定位光學(xué)元件。為了提供光學(xué)元件的精確的定位,安裝和定位光學(xué)元件的該框架必須是機(jī)械剛性的并且具有高的熱穩(wěn)定性 (即,其必須在熱負(fù)載的條件下基本上沒(méi)有變形)。為了改善光刻設(shè)備的性能(例如通過(guò)提供小的特征尺寸),可以提高光刻設(shè)備的數(shù)值孔徑。然而,提高數(shù)值孔徑意味著在投影系統(tǒng)中需要較大的光學(xué)元件。這又意味著安裝光學(xué)元件的框架必須增大尺寸。這種框架的尺寸的增大意味著形成所需的具有足以用于精確度性能的剛性和熱穩(wěn)定性的結(jié)構(gòu)更加困難。因此,隨著投影系統(tǒng)的數(shù)值孔徑的增大,以足夠的精確度定位投影系統(tǒng)的光學(xué)元件更加困難,在某些情況下是不可能的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明揭示一種性能改善的投影系統(tǒng),其例如用于光刻設(shè)備。具體地,提供一種投影系統(tǒng),其中可以以較高的精確度定位光學(xué)元件。
根據(jù)本發(fā)明的一方面,提供一種用于光刻設(shè)備的投影系統(tǒng),包括第一框架;第二框架;安裝至第一框架的光學(xué)元件;第一測(cè)量系統(tǒng),配置成確定光學(xué)元件相對(duì)于第二框架的位置;和第二測(cè)量系統(tǒng),配置成測(cè)量依賴于第二框架的變形的至少一個(gè)參數(shù)根據(jù)本發(fā)明的還一方面,提供一種光刻設(shè)備,包括支撐結(jié)構(gòu),構(gòu)造成支撐圖案形成裝置,所述圖案形成裝置能夠?qū)D案在輻射束的橫截面上賦予輻射束以形成圖案化輻射束;襯底臺(tái),構(gòu)造成保持襯底;和如上所述的投影系統(tǒng),配置成將圖案化輻射束投影到襯底的目標(biāo)部分上。根據(jù)本發(fā)明的另一方面,提供一種在投影系統(tǒng)中定位光學(xué)元件的方法,所述方法包括確定安裝至第一框架的光學(xué)元件相對(duì)于第二框架的位置;和測(cè)量依賴于第二框架的變形的至少一個(gè)參數(shù)。根據(jù)本發(fā)明的另一方面,提供一種將輻射束投影到襯底上的方法,包括使用輻射源提供輻射束;使用采用如上所述的方法定位的至少一個(gè)光學(xué)元件引導(dǎo)輻射束。


下面僅通過(guò)示例的方式,參考附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行描述,其中示意性附圖中相應(yīng)的標(biāo)記表示相應(yīng)的部件,在附圖中圖1示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的光刻設(shè)備;圖2示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的投影系統(tǒng)的布置;圖3示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的投影系統(tǒng)的一部分中的單個(gè)光學(xué)元件;圖4示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的用于投影系統(tǒng)的布置中的測(cè)量框架和驅(qū)動(dòng)框架的一部分。圖5示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)實(shí)施例的用于控制光學(xué)元件的位置的控制回路;和圖6示出已知的投影系統(tǒng)的典型布置。
具體實(shí)施例方式圖1示意地示出了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的光刻設(shè)備。所述光刻設(shè)備包括照射系統(tǒng)(照射器)IL,其配置用于調(diào)節(jié)輻射束B(niǎo) (例如,紫外(UV)輻射或極紫外 (EUV)輻射)。支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺(tái))MT,其構(gòu)造用于支撐圖案形成裝置(例如掩模)MA,并與配置用于根據(jù)確定的參數(shù)精確地定位圖案形成裝置的第一定位裝置PM相連;襯底臺(tái)(例如晶片臺(tái))WT,其構(gòu)造成用于保持襯底(例如涂覆有抗蝕劑的晶片)W, 并與配置用于根據(jù)確定的參數(shù)精確地定位襯底的第二定位裝置PW相連;和投影系統(tǒng)(例如折射式投影透鏡系統(tǒng))PS,其配置成用于將由圖案形成裝置MA賦予輻射束B(niǎo)的圖案投影到襯底W的目標(biāo)部分C (例如包括一根或多根管芯)上。照射系統(tǒng)可以包括各種類型的光學(xué)部件,例如折射型、反射型、磁性型、電磁型、靜電型或其它類型的光學(xué)部件、或其任意組合,以引導(dǎo)、成形、或控制輻射。所述支撐結(jié)構(gòu)支撐,即承載圖案形成裝置的重量。支撐結(jié)構(gòu)以依賴于圖案形成裝置的方向、光刻設(shè)備的設(shè)計(jì)以及諸如圖案形成裝置是否保持在真空環(huán)境中等其他條件的方式保持圖案形成裝置。所述支撐結(jié)構(gòu)可以采用機(jī)械的、真空的、靜電的或其它夾持技術(shù)保持圖案形成裝置。所述支撐結(jié)構(gòu)可以是框架或臺(tái),例如,其可以根據(jù)需要成為固定的或可移動(dòng)的。所述支撐結(jié)構(gòu)可以確保圖案形成裝置位于所需的位置上(例如相對(duì)于投影系統(tǒng))。在這里任何使用的術(shù)語(yǔ)“掩模版”或“掩?!倍伎梢哉J(rèn)為與更上位的術(shù)語(yǔ)“圖案形成裝置”同義。這里所使用的術(shù)語(yǔ)“圖案形成裝置”應(yīng)該被廣義地理解為表示能夠用于將圖案在輻射束的橫截面上賦予輻射束、以便在襯底的目標(biāo)部分上形成圖案的任何裝置。應(yīng)當(dāng)注意, 被賦予輻射束的圖案可能不與在襯底的目標(biāo)部分上的所需圖案完全相符(例如如果該圖案包括相移特征或所謂輔助特征)。通常,被賦予輻射束的圖案將與在目標(biāo)部分上形成的器件中的特定的功能層相對(duì)應(yīng),例如集成電路。圖案形成裝置可以是透射式的或反射式的。圖案形成裝置的示例包括掩模、可編程反射鏡陣列以及可編程液晶顯示(LCD)面板。掩模在光刻術(shù)中是公知的,并且包括諸如二元掩模類型、交替型相移掩模類型、衰減型相移掩模類型和各種混合掩模類型之類的掩模類型。可編程反射鏡陣列的示例采用小反射鏡的矩陣布置,每一個(gè)小反射鏡可以獨(dú)立地傾斜,以便沿不同方向反射入射的輻射束。所述已傾斜的反射鏡將圖案賦予由所述反射鏡矩陣反射的輻射束中。這里使用的術(shù)語(yǔ)“投影系統(tǒng)”應(yīng)該廣義地解釋為包括任意類型的投影系統(tǒng),包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、電磁型和靜電型光學(xué)系統(tǒng)、或其任意組合,如對(duì)于所使用的曝光輻射所適合的、或?qū)τ谥T如使用浸沒(méi)液或使用真空之類的其他因素所適合的。這里使用的術(shù)語(yǔ)“投影透鏡”可以認(rèn)為是與更上位的術(shù)語(yǔ)“投影系統(tǒng)”同義。如這里所示的,所述設(shè)備是反射型的(例如,采用反射式掩模)。替代地,所述設(shè)備可以是透射型的(例如,采用透射式掩模)。所述光刻設(shè)備可以是具有兩個(gè)(雙臺(tái))或更多襯底臺(tái)(和/或兩個(gè)或更多的掩模臺(tái))的類型。在這種“多臺(tái)”機(jī)器中,可以并行地使用附加的臺(tái),或可以在一個(gè)或更多個(gè)臺(tái)上執(zhí)行預(yù)備步驟的同時(shí),將一個(gè)或更多個(gè)其它臺(tái)用于曝光。所述光刻設(shè)備還可以是這種類型,其中襯底的至少一部分可以由具有相對(duì)高的折射率的液體覆蓋(例如水),以便填滿投影系統(tǒng)和襯底之間的空間。浸沒(méi)液體還可以施加到光刻設(shè)備中的其他空間,例如掩模和投影系統(tǒng)之間的空間。浸沒(méi)技術(shù)在本領(lǐng)域是熟知的,用于提高投影系統(tǒng)的數(shù)值孔徑。這里使用的術(shù)語(yǔ)“浸沒(méi)”并不意味著必須將結(jié)構(gòu)(例如襯底) 浸入到液體中,而僅意味著在曝光過(guò)程中液體位于投影系統(tǒng)和該襯底之間。參照?qǐng)D1,所述照射器IL接收從輻射源SO發(fā)出的輻射束。該源SO和所述光刻設(shè)備可以是分立的實(shí)體(例如當(dāng)該源為準(zhǔn)分子激光器時(shí))。在這種情況下,不會(huì)將該源考慮成形成光刻設(shè)備的一部分,并且通過(guò)包括例如合適的定向反射鏡和/或擴(kuò)束器的束傳遞系統(tǒng) BD的幫助,將所述輻射束從所述源SO傳到所述照射器IL。在其它情況下,所述源可以是所述光刻設(shè)備的組成部分(例如當(dāng)所述源是汞燈時(shí))??梢詫⑺鲈碨O和所述照射器IL、以及如果需要時(shí)設(shè)置的所述束傳遞系統(tǒng)BD —起稱作輻射系統(tǒng)。所述照射器IL可以包括用于調(diào)整所述輻射束的角強(qiáng)度分布的調(diào)整器AD。通常,可以對(duì)所述照射器IL的光瞳平面中的強(qiáng)度分布的至少所述外部和/或內(nèi)部徑向范圍(一般分別稱為σ-外部和ο-內(nèi)部)進(jìn)行調(diào)整。此外,所述照射器IL可以包括各種其它部件, 例如積分器IN和聚光器CO。可以將所述照射器用于調(diào)節(jié)所述輻射束,以在其橫截面中具有所需的均勻性和強(qiáng)度分布。所述輻射束B(niǎo)入射到保持在支撐結(jié)構(gòu)(例如,掩模臺(tái)MT)上的所述圖案形成裝置 (例如,掩模MA)上,并且通過(guò)所述圖案形成裝置來(lái)形成圖案。已經(jīng)穿過(guò)掩模MA之后,所述輻射束B(niǎo)通過(guò)投影系統(tǒng)PS,所述投影系統(tǒng)將輻射束聚焦到所述襯底W的目標(biāo)部分C上。通過(guò)第二定位裝置PW和位置傳感器IF2 (例如,干涉儀器件、線性編碼器或電容傳感器)的幫助,可以精確地移動(dòng)所述襯底臺(tái)WT,例如以便將不同的目標(biāo)部分C定位于所述輻射束B(niǎo)的路徑中。類似地,例如在從掩模庫(kù)的機(jī)械獲取之后,或在掃描期間,可以將第一定位裝置PM 和另一個(gè)位置傳感器IFl用于相對(duì)于所述輻射束B(niǎo)的路徑精確地定位掩模MA。通常,可以通過(guò)形成所述第一定位裝置PM的一部分的長(zhǎng)行程模塊(粗定位)和短行程模塊(精定位) 的幫助來(lái)實(shí)現(xiàn)掩模臺(tái)MT的移動(dòng)。類似地,可以采用形成所述第二定位裝置PW的一部分的長(zhǎng)行程模塊和短行程模塊來(lái)實(shí)現(xiàn)所述襯底臺(tái)WT的移動(dòng)。在步進(jìn)機(jī)的情況下(與掃描器相反),掩模臺(tái)MT可以僅與短行程致動(dòng)器相連,或可以是固定的??梢允褂醚谀?duì)準(zhǔn)標(biāo)記Ml、 M2和襯底對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記PI、P2來(lái)對(duì)準(zhǔn)掩模MA和襯底W。盡管所示的襯底對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記占據(jù)了專用目標(biāo)部分,但是它們可以位于目標(biāo)部分之間的空間(這些公知為劃線對(duì)齊標(biāo)記)中。類似地,在將多于一個(gè)的管芯設(shè)置在掩模MA上的情況下,所述掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記可以位于所述管芯之間??梢詫⑺镜脑O(shè)備用于以下模式中的至少一種中1.在步進(jìn)模式中,在將掩模臺(tái)MT和襯底臺(tái)WT保持為基本靜止的同時(shí),將賦予所述輻射束的整個(gè)圖案一次投影到目標(biāo)部分C上(即,單一的靜態(tài)曝光)。然后將所述襯底臺(tái)WT沿X和/或Y方向移動(dòng),使得可以對(duì)不同目標(biāo)部分C曝光。在步進(jìn)模式中,曝光場(chǎng)的最大尺寸限制了在單一的靜態(tài)曝光中成像的所述目標(biāo)部分C的尺寸。2.在掃描模式中,在對(duì)掩模臺(tái)MT和襯底臺(tái)WT同步地進(jìn)行掃描的同時(shí),將賦予所述輻射束的圖案投影到目標(biāo)部分C上(S卩,單一的動(dòng)態(tài)曝光)。襯底臺(tái)WT相對(duì)于掩模臺(tái)MT的速度和方向可以通過(guò)所述投影系統(tǒng)PS的(縮小)放大率和圖像反轉(zhuǎn)特征來(lái)確定。在掃描模式中,曝光場(chǎng)的最大尺寸限制了單一動(dòng)態(tài)曝光中所述目標(biāo)部分的寬度(沿非掃描方向), 而所述掃描運(yùn)動(dòng)的長(zhǎng)度確定了所述目標(biāo)部分的高度(沿所述掃描方向)。3.在另一個(gè)模式中,將用于保持可編程圖案形成裝置的掩模臺(tái)MT保持為基本靜止,并且在對(duì)所述襯底臺(tái)WT進(jìn)行移動(dòng)或掃描的同時(shí),將賦予所述輻射束的圖案投影到目標(biāo)部分C上。在這種模式中,通常采用脈沖輻射源,并且在所述襯底臺(tái)WT的每一次移動(dòng)之后、 或在掃描期間的連續(xù)輻射脈沖之間,根據(jù)需要更新所述可編程圖案形成裝置。這種操作模式可易于應(yīng)用于利用可編程圖案形成裝置(例如,如上所述類型的可編程反射鏡陣列)的無(wú)掩模光刻術(shù)中。也可以采用上述使用模式的組合和/或變體,或完全不同的使用模式。圖6中示出已知的投影系統(tǒng)PS的典型布置。如圖所示,輻射束870通過(guò)支撐框架 800內(nèi)的透射部分850進(jìn)入投影系統(tǒng)。輻射束可以在其橫截面上例如通過(guò)圖案形成裝置被賦予圖案。隨后,在通過(guò)支撐框架800中的透射部分860離開(kāi)投影系統(tǒng)之前,輻射束870通常通過(guò)光學(xué)元件810、820、830以及840而被引導(dǎo)和/調(diào)節(jié)。正如上面所述,為了確保圖案化束的位置(例如相對(duì)于被曝光的襯底W)被精確地控制,有必要精確地控制投影系統(tǒng)內(nèi)的光學(xué)元件810、820、830以及840的位置。
在如圖6所示的典型系統(tǒng)中,相對(duì)于投影系統(tǒng)的支撐框架800控制光學(xué)元件810、 820,830以及840的位置。因此,例如考慮第二光學(xué)元件820,通常使用測(cè)量光學(xué)元件820 相對(duì)于支撐框架800的位置的測(cè)量系統(tǒng)控制位置。在圖6中,用Xf標(biāo)記的箭頭示出這種測(cè)量。為了使用圖6中已知的系統(tǒng)控制光學(xué)元件810、820、830以及840的絕對(duì)位置(例如相對(duì)于具有恒定位置的參考點(diǎn)),支撐框架800本身必須相對(duì)于參考點(diǎn)具有恒定位置。同樣, 支撐框架800本身的任何運(yùn)動(dòng)和/或變形將導(dǎo)致光學(xué)元件810、820、830以及840的相應(yīng)的移動(dòng)(絕對(duì)項(xiàng)),因?yàn)橄鄬?duì)于支撐框架800測(cè)量光學(xué)元件810、820、830以及840。因此,為了精確地控制離開(kāi)如圖6中示出的投影系統(tǒng)的輻射束的位置,投影系統(tǒng)的支撐框架800必須在操作期間在尺寸和幾何結(jié)構(gòu)方面是穩(wěn)定的。通常,在如圖6中所示的已知的投影系統(tǒng)PS內(nèi)的支持框架800將需要是熱穩(wěn)定和機(jī)械穩(wěn)定的。換句話說(shuō),支撐框架800將需要抵抗由于熱負(fù)載帶來(lái)的形狀變化(例如,通過(guò)具有低熱膨脹系數(shù)的材料構(gòu)造)并且還需要抵抗由于機(jī)械負(fù)載(例如振動(dòng))帶來(lái)的形狀變化(例如具有高于框架800在操作期間經(jīng)歷的最低的典型激勵(lì)頻率的最低本征頻率)。除了用作用于測(cè)量光學(xué)元件810、820、830以及840的位置的參照框架,傳統(tǒng)的框架800還支撐用于改變光學(xué)元件810、820、830以及840的位置的致動(dòng)器880。因此,框架800經(jīng)歷來(lái)自致動(dòng)器880的反作用力。這意味著框架800必須是機(jī)械剛性的(例如在振動(dòng)負(fù)載方面)和能夠支撐和反作用于致動(dòng)器880。如這里所述,當(dāng)使用投影系統(tǒng)PS的光刻設(shè)備的數(shù)值孔徑增大時(shí),投影系統(tǒng)PS內(nèi)需要的光學(xué)元件的尺寸增大。這導(dǎo)致安裝光學(xué)元件的投影系統(tǒng)的框架的尺寸相應(yīng)地增大。因此,因?yàn)榫哂懈叩臄?shù)值孔徑在光刻設(shè)備中是有利的(例如因?yàn)槠湓试S在襯底W上曝光較小的特征尺寸),投影系統(tǒng)的框架的尺寸正變得較大。然而,當(dāng)投影系統(tǒng)的框架的尺寸變大,框架的如上所述的對(duì)熱穩(wěn)定性和機(jī)械穩(wěn)定性的要求更難實(shí)現(xiàn)。尤其地,使用目前的材料和/ 或構(gòu)造技術(shù),包括框架800 (例如圖6中示出的框架)的投影系統(tǒng)PS的熱穩(wěn)定性和機(jī)械穩(wěn)定性可能不足以提供投影系統(tǒng)的光學(xué)元件810、820、830以及840的足夠精確的定位(絕對(duì)項(xiàng))。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的投影系統(tǒng)在圖2中示出。圖2中示出的投影系統(tǒng)包括第一框架200 (這里也可以稱為驅(qū)動(dòng)框架200),和第二框架300 (這里也可以稱為測(cè)量框架 300)。如圖2所示,輻射束870(可以是圖案化的輻射束)經(jīng)由透射部分380進(jìn)入投影系統(tǒng) PS。在圖2中,透射部分380被示出在測(cè)量框架300中。在替換的實(shí)施例中,透射部分380 可以以替換的方式形成,例如以驅(qū)動(dòng)框架200的形式形成。在其他實(shí)施例中,透射部分380 可以根本不需要。例如,在某些實(shí)施例中,輻射束870可以通過(guò)結(jié)構(gòu)中的間隙通過(guò)進(jìn)入投影系統(tǒng)PS。已經(jīng)經(jīng)由透射部分380進(jìn)入投影系統(tǒng)PS之后,在投影系統(tǒng)PS內(nèi)使用光學(xué)元件 110、120、130以及140引導(dǎo)和/或調(diào)節(jié)輻射束870。光學(xué)元件110、120、130以及140可以是任何合適的光學(xué)元件,例如透射或反射光學(xué)元件。在圖2中示出的實(shí)施例中,光學(xué)元件110、 120、130以及140是反射型光學(xué)元件,例如反射鏡。在圖2中示出的實(shí)施例中,示出四個(gè)光學(xué)元件110、120、130以及140。然而,在替換的實(shí)施例中,在投影系統(tǒng)PS中可以使用任何合適數(shù)量的光學(xué)元件。例如,可以使用一個(gè)、兩個(gè)、三個(gè)、四個(gè)、五個(gè)、六個(gè)、七個(gè)、八個(gè)、九個(gè)或十個(gè)光學(xué)元件。在其他實(shí)施例中,可以使用多于10個(gè)光學(xué)元件。
一旦輻射束870已經(jīng)通過(guò)投影系統(tǒng)PS內(nèi)的光學(xué)元件110、120、130以及140被引導(dǎo)和/或調(diào)節(jié),輻射束870經(jīng)由透射部分390離開(kāi)投影系統(tǒng)PS。在示出的實(shí)施例中,透射部分390再次被示出在測(cè)量框架300中。在替換的實(shí)施例中,透射部分390可以形成在投影系統(tǒng)PS的任何其他合適的部分內(nèi),例如驅(qū)動(dòng)框架200內(nèi)。在某些實(shí)施例中,輻射束可以通過(guò)間隙而不是透射部分390離開(kāi)投影系統(tǒng)PS。如圖2所示,光學(xué)元件110、120、130以及140安裝到驅(qū)動(dòng)框架200。如下文中更詳細(xì)地描述的,光學(xué)元件110、120、130以及140可以使用一個(gè)或多個(gè)致動(dòng)器410、420、430、440 安裝到驅(qū)動(dòng)框架200。例如在控制器700的指令下(下文中描述),致動(dòng)器410、420、430、 440可以用于調(diào)整光學(xué)元件110、120、130以及140的位置。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例,使用第一測(cè)量系統(tǒng)910(如圖3和5)測(cè)量光學(xué)元件 110、120、130以及140的一個(gè)或多個(gè)相對(duì)于測(cè)量框架300的位置。在此第一測(cè)量系統(tǒng)910 還可以稱為框架測(cè)量系統(tǒng)910。隨后使用第二測(cè)量系統(tǒng)920測(cè)量依賴于或涉及測(cè)量框架300的變形的參數(shù)(例如,由于熱或機(jī)械(例如振動(dòng))負(fù)載)。第二測(cè)量系統(tǒng)920在文中還可以稱為反射鏡測(cè)量系統(tǒng)920。通過(guò)測(cè)量光學(xué)元件110、120、130以及140相對(duì)于測(cè)量框架300的位置,然后測(cè)量有關(guān)測(cè)量框架300的變形的參數(shù),可以以較高的精確度確定、計(jì)算和/或控制投影系統(tǒng)PS的光學(xué)元件110、120、130以及140的一個(gè)或多個(gè)相對(duì)于(優(yōu)選是恒定的)參照位置的位置。第一和第二測(cè)量系統(tǒng)的操作在下文中更詳細(xì)地描述。正如這里所提到的,術(shù)語(yǔ)“位置”(例如,有關(guān)光學(xué)元件與參考點(diǎn)或測(cè)量框架300和 /或驅(qū)動(dòng)框架200中一個(gè)或兩者有關(guān)的位置)可以表示在三維空間內(nèi)任一個(gè)或多個(gè)軸線上的位置或關(guān)于該軸線的取向。換句話說(shuō),這里所用的術(shù)語(yǔ)“位置”可以意味著在6-軸線系統(tǒng)內(nèi)在任何一個(gè)軸線或多個(gè)軸線上的位置或值,即在三個(gè)正交軸線中的任一個(gè)或多個(gè)上的位置和/或圍繞這三個(gè)正交軸線的任一個(gè)或多個(gè)的旋轉(zhuǎn)。通過(guò)提供具有第一和第二框架200、300的投影系統(tǒng)PS,在變化的熱負(fù)載和/或機(jī)械負(fù)載的條件下光學(xué)元件110、120、130以及140的位置的控制和/或測(cè)量可以更穩(wěn)定。提供具有第一和第二框架200、300的投影系統(tǒng)PS還意味著可以以較高的精確度相對(duì)于襯底 W和/或圖案形成裝置MA控制輻射束870的位置。通過(guò)將框架中的一個(gè)設(shè)計(jì)得比其他框架在熱負(fù)載改變(例如溫度改變)的條件下更穩(wěn)定,可以改善光學(xué)元件110、120、130以及140的位置的控制和/或測(cè)量。在熱負(fù)載改變的條件下更穩(wěn)定的框架還可以在機(jī)械負(fù)載的條件下更穩(wěn)定(例如對(duì)于由于振動(dòng)負(fù)載帶來(lái)的形狀改變更具抵抗力)。因此,框架中的一個(gè)比其他框架更加熱穩(wěn)定且機(jī)械穩(wěn)定。熱穩(wěn)定和機(jī)械穩(wěn)定較差的框架可以具有經(jīng)由致動(dòng)器410、420、430、440安裝其上的光學(xué)元件 110、120、130以及140。以此方式,熱穩(wěn)定和/或機(jī)械穩(wěn)定較好的框架將不需要支撐致動(dòng)器 410、420、430、440或提供反作用力給它們??蚣苁欠駲C(jī)械穩(wěn)定的一種測(cè)量可以是其最低本征頻率的值。應(yīng)該理解,正如這里所用的,術(shù)語(yǔ)“本征頻率”可以表示共振頻率。因此,在這種情況下被認(rèn)為足夠機(jī)械穩(wěn)定的框架將通常具有最低的本征頻率,例如大于100Hz,更典型地最低的本征頻率將例如大于 200Hz,并且更典型地,最低的本征頻率將例如大于300Hz。如果在特定負(fù)載條件下一個(gè)框架比另一框架更穩(wěn)定,可以意味著更穩(wěn)定的框架在該負(fù)載(是熱負(fù)載、機(jī)械負(fù)載或任何其他負(fù)載)條件下更能抵抗形狀、尺寸和/或幾何結(jié)構(gòu)的改變。通常,測(cè)量框架300將比驅(qū)動(dòng)框架200更加機(jī)械穩(wěn)定。此外,通常測(cè)量框架300也比驅(qū)動(dòng)框架200更加熱穩(wěn)定。因此,測(cè)量框架300將通常比驅(qū)動(dòng)框架200更加熱穩(wěn)定和機(jī)械穩(wěn)定。驅(qū)動(dòng)框架200將用于經(jīng)由致動(dòng)器410、420、430、440安裝和支撐光學(xué)元件110、120、 130 以及 140。在替換的實(shí)施例中,驅(qū)動(dòng)框架200可以構(gòu)造成比測(cè)量框架300更加熱穩(wěn)定。附加地或替換地,驅(qū)動(dòng)框架200可以構(gòu)造成比測(cè)量框架300更加機(jī)械穩(wěn)定。為了使得對(duì)于特定類型的負(fù)載、框架中的一個(gè)比其他框架更穩(wěn)定,可以使用不同的材料構(gòu)造這些框架。例如,為了使得一個(gè)框架比其他框架更加熱穩(wěn)定,可以選擇具有較小熱膨脹系數(shù)的材料。類似地,通過(guò)選擇具有較高剛性的合適的材料,可以使得框架中的一個(gè)比其他框架更加機(jī)械穩(wěn)定。例如,可以使用制造具有比使用其他框架的材料構(gòu)造的框架高的最低本征頻率的結(jié)構(gòu)的材料構(gòu)造框架中的一個(gè)。因此,測(cè)量框架300可以通過(guò)具有比構(gòu)造驅(qū)動(dòng)框架200的材料高的剛性和低的熱膨脹系數(shù)的材料構(gòu)造。框架200、300的構(gòu)造和/或幾何結(jié)構(gòu)還可以根據(jù)需要調(diào)整為使得實(shí)現(xiàn)每個(gè)框架的所需的熱穩(wěn)定性和/或機(jī)械穩(wěn)定性。正如上面所述,為了改善光學(xué)元件110、120、130以及140的位置的控制和/或測(cè)量,框架中的一個(gè)(通常是測(cè)量框架300)被設(shè)計(jì)成比其他框架對(duì)熱負(fù)載的改變更穩(wěn)定。附加地或替換地,該框架(通常是測(cè)量框架)可以設(shè)計(jì)成與熱負(fù)載隔離開(kāi)。通常,對(duì)熱負(fù)載的任何改變的更好的穩(wěn)定性來(lái)自具有高的熱時(shí)間常數(shù)的測(cè)量框架300(在這是對(duì)于熱較穩(wěn)定的框架的情況下)。如果框架具有較高的熱時(shí)間常數(shù),則該框架的溫度在周圍環(huán)境溫度波動(dòng)時(shí)保持更加穩(wěn)定。具體地,熱時(shí)間常數(shù)表征框架對(duì)環(huán)境中的溫度改變的響應(yīng)時(shí)間(第一級(jí))。熱時(shí)間常數(shù)可以表示在環(huán)境溫度改變之后(測(cè)量)框架到達(dá)其初始溫度和其最終溫度之間的差值的給定百分比(例如63%)所花費(fèi)的時(shí)間。熱時(shí)間常數(shù)可以限定為mcp/(hA) (m、cp、h和A限定在下面的關(guān)系式1和2中)。為了獲得高的熱時(shí)間常數(shù),傳遞熱至測(cè)量框架300和/或從測(cè)量框架300傳遞熱的熱傳遞系數(shù)(h)可以形成得低(即,對(duì)于框架和周圍環(huán)境之間的給定溫度差異,傳遞熱至框架和/或從框架傳遞熱的熱傳遞速率可以形成得低)。這可以從下面的關(guān)系式1中看到Δ Q/ Δ t = hA Δ Tenv (關(guān)系式 1)其中Δ Q/ Δ t =傳遞至框架和/或從框架傳遞的熱,Wh =至框架的熱傳遞系數(shù),W/ (m2K)A =框架的熱傳遞表面面積,m2ATenv =框架表面和周圍環(huán)境之間的溫度差異,K替換地或附加地,可以通過(guò)為所討論的框架選擇高的特定熱容量(Cp)來(lái)實(shí)現(xiàn)高的熱時(shí)間常數(shù)。替換地或附加地,質(zhì)量(m)增大可以導(dǎo)致較高的熱時(shí)間常數(shù)。因此,如下面的關(guān)系式2所示,mcp的值增大意味著對(duì)于傳遞至框架的給定的熱量,框架的溫度升高是低的Q = HicpATframe (關(guān)系式 2)其中
Q =傳遞至框架的熱,Jm =框架的質(zhì)量,Kgcp =框架的具體熱容量,J/(KgK)Δ Tfram =框架的溫度改變具有高的熱時(shí)間常數(shù)可以幫助確保曝光期間的精確度。例如,如果框架的溫度保持更穩(wěn)定,則框架由于溫度改變帶來(lái)的變形小,因此光學(xué)元件110、120、130以及140的位置的測(cè)量可以是高精確的。然而,當(dāng)包括驅(qū)動(dòng)框架200和測(cè)量框架300的投影系統(tǒng)(例如用于清潔和/或維修)離線時(shí),驅(qū)動(dòng)框架200和/或測(cè)量框架300的溫度會(huì)偏移離開(kāi)其在襯底曝光期間應(yīng)該保持的最佳值。當(dāng)設(shè)備返回至在線狀態(tài)時(shí)(例如,清潔和/或維修已經(jīng)完成之后)可以再次開(kāi)始襯底的曝光之前,框架200、300的溫度需要返回到想要的值。如果框架中的一個(gè)設(shè)計(jì)成具有高的熱時(shí)間常數(shù)以便熱穩(wěn)定,則如果該框架僅返回到受控制的操作環(huán)境中其花費(fèi)相當(dāng)長(zhǎng)的時(shí)間段返回至所需溫度。例如,如果采取離線措施之后,測(cè)量框架300偏離所需溫度的溫度偏離(假定是具有較高熱時(shí)間常數(shù)的框架)接近 300mK,則返回所需溫度花費(fèi)的時(shí)間可能是至少10小時(shí)。這導(dǎo)致光刻設(shè)備的停工時(shí)間延長(zhǎng), 相應(yīng)地減少曝光襯底的產(chǎn)量。為了減少測(cè)量框架300返回至所需操作溫度所花費(fèi)的時(shí)間,可以設(shè)置溫度控制系統(tǒng)。溫度控制系統(tǒng)可以配置成在測(cè)量框架例如由于停工時(shí)間段導(dǎo)致偏移離開(kāi)操作溫度之后,驅(qū)動(dòng)測(cè)量框架300的溫度朝向其操作溫度返回。同樣,溫度控制系統(tǒng)可以配置成在使用時(shí),也就是溫度控制系統(tǒng)被用于使得框架返回至操作溫度的時(shí)候,降低所討論的框架的熱時(shí)間常數(shù)。從上面對(duì)關(guān)系式1和2的解釋可以理解為,這可以通過(guò)(i)提高至框架的熱傳遞的熱傳遞系數(shù)(h);和/或(ii)減小具體熱容量(Cp)和/或框架的質(zhì)量(m)使得(mcp) 的值減小來(lái)實(shí)現(xiàn)。替換地或附加地,測(cè)量框架300返回其所需操作溫度花費(fèi)的時(shí)間可以通過(guò)適當(dāng)?shù)乜刂瓶蚣?00周圍的環(huán)境溫度來(lái)減小。例如,如果測(cè)量框架300已經(jīng)漂移至太低的溫度,則可以提供加熱器來(lái)升高周圍環(huán)境的溫度。如果測(cè)量框架已經(jīng)漂移至太高溫度,則可以提供冷卻器或制冷單元來(lái)降低周圍環(huán)境的溫度。在這樣的實(shí)施例中可以使用控制器,根據(jù)需要控制周圍環(huán)境的溫度。在一個(gè)實(shí)施例中,如圖2所示,溫度控制系統(tǒng)包括用于供給流體至測(cè)量框架300的流體供給單元780、790。通過(guò)框架300熱被傳遞至流體供給系統(tǒng)780、790中的流體和/或從流體供給系統(tǒng)780、790中的流體傳遞熱,由此改變框架300的溫度。通過(guò)供給流體至測(cè)量框架300,至測(cè)量框架300的熱傳遞/從測(cè)量框架300的熱傳遞顯著地增加。供給至測(cè)量框架300的流體可以例如通過(guò)內(nèi)部和/或外部管道。根據(jù)該實(shí)施例,控制系統(tǒng)780可以設(shè)置為溫度控制系統(tǒng)780、790的一部分??刂葡到y(tǒng)780可以設(shè)置成以便僅允許溫度控制系統(tǒng)在測(cè)量框架300是其一部分的光刻設(shè)備沒(méi)有用于曝光襯底的時(shí)候被啟動(dòng)(例如激活或操作)。這可以意味著當(dāng)光刻設(shè)備被用于曝光襯底時(shí)流體的流量設(shè)定為零。當(dāng)設(shè)備用于曝光襯底時(shí)不操作溫度控制系統(tǒng)780,790意味著,在曝光期間,測(cè)量框架300的熱時(shí)間常數(shù)保持(相對(duì))大,并因此框架保持熱穩(wěn)定。附加地, 因?yàn)樵谄毓馄陂g沒(méi)有流體在測(cè)量框架300內(nèi)流動(dòng)或圍繞測(cè)量框架300流動(dòng),因而沒(méi)有相關(guān)的動(dòng)力影響框架300,例如不想要的振動(dòng)。使用這種溫度控制系統(tǒng)780、790可以減少用于將框架300返回至所需的操作溫度所花費(fèi)的時(shí)間達(dá)到2、5、7或10倍,或更多。例如,用以返回至所需操作溫度的時(shí)間可以從 7小時(shí)減小到1小時(shí)。在該實(shí)施例中,流體控制系統(tǒng)780可以用于在操作期間控制溫度控制系統(tǒng)780, 790的操作,以提高至測(cè)量框架300的熱傳遞速率/離開(kāi)測(cè)量框架300的熱傳遞速率。例如,流體控制系統(tǒng)780可以用于控制流體流動(dòng)參數(shù),例如流體(可以是水)的溫度和/或流量,以及可選地,溫度控制系統(tǒng)780,790起作用的時(shí)間段或時(shí)間長(zhǎng)度。流體控制系統(tǒng)780可以包括溫度測(cè)量傳感器。溫度測(cè)量傳感器可以設(shè)置在其溫度被控制的框架上和/或設(shè)置在流體流內(nèi)且例如在流體流動(dòng)離開(kāi)框架的位置處。然后,測(cè)量的溫度值與想要的溫度值對(duì)比。 基于測(cè)量的和想要的溫度值之間的差異,控制器(其可以是流體控制系統(tǒng)780的一部分) 可以用于確定所需的流體的加熱和/或冷卻。所需的加熱或冷卻的計(jì)算和/或確定可以包括比例算法和/或比例/積分算法。流體控制系統(tǒng)780還可以包括與溫度控制系統(tǒng)780,790的流體接觸的加熱器或加熱元件。加熱元件可以提供熱輸入至流體。通過(guò)加熱元件至流體的熱輸入的量可以基于控制器的輸出進(jìn)行控制,以便驅(qū)使框架的溫度到想要的溫度值。替換地或附加地,流體控制系統(tǒng)780可以包括與流體接觸的冷卻元件,例如珀?duì)柼?yīng)元件。通過(guò)冷卻元件從流體去除的熱量可以基于控制器的輸出進(jìn)行控制,以便驅(qū)動(dòng)框架的溫度至想要的值。溫度控制系統(tǒng)780,790可以配置成驅(qū)動(dòng)測(cè)量框架300的溫度至目標(biāo)溫度。在襯底曝光期間目標(biāo)溫度可以是測(cè)量框架300的想要的溫度。這種想要的溫度例如是與光學(xué)元件 110、120、130、140的位置有關(guān)的測(cè)量值可以被最精確地測(cè)量時(shí)所處的已知溫度。目標(biāo)溫度還可以是測(cè)量框架300在其離線之前的溫度。在替換的實(shí)施例中,通過(guò)提高圍繞測(cè)量框架300的氣體(例如氮?dú)饣驓錃饣蚩諝? 的壓力而不是通過(guò)提供單獨(dú)的流體供給系統(tǒng),可以操作溫度控制系統(tǒng)。提高圍繞測(cè)量框架 300的氣體的壓力可以加強(qiáng)至測(cè)量框架300的熱傳遞和/或從測(cè)量框架300的熱傳遞。例如,熱傳遞可以被提高達(dá)到2、5、7或10倍或更高。這可以通過(guò)增大至框架的熱傳遞和/或從框架的熱傳遞的熱傳遞系數(shù)來(lái)提供。通常,如果測(cè)量框架300周圍的氣體壓力從3. 5Pa 增大至150Pa,熱傳遞將增大大約5倍。在上述說(shuō)明書(shū)中和圖2中,溫度控制系統(tǒng)780、790被示出為設(shè)置到測(cè)量框架300。 然而,在替換的實(shí)施例中,溫度控制系統(tǒng)780、790可以附加地或替換地設(shè)置到驅(qū)動(dòng)框架 200。因此,將驅(qū)動(dòng)框架200和/或測(cè)量框架300的溫度返回至操作水平所花費(fèi)的時(shí)間可以縮短。相同的溫度控制系統(tǒng)780,790可以用于控制驅(qū)動(dòng)框架200或測(cè)量框架300的溫度 (例如為了將兩個(gè)框架的溫度返回至操作水平)。使用相同的溫度控制系統(tǒng)780,790可以允許驅(qū)動(dòng)框架200和測(cè)量框架300之間的溫度差異盡可能地小。一旦兩個(gè)框架200、300的溫度返回到所需操作水平,則即使在襯底曝光期間,也可以使用溫度控制系統(tǒng)780、790繼續(xù)控制驅(qū)動(dòng)框架200的溫度。應(yīng)該理解,合適的溫度控制系統(tǒng)780、790(例如,上述中的一個(gè))可以應(yīng)用到這里所述的和/或這里各個(gè)方面中的任意的投影系統(tǒng)和/或光刻設(shè)備。例如,溫度控制系統(tǒng)780、790可以應(yīng)用到使用極紫外輻射(“EUV”光刻設(shè)備)的光刻設(shè)備。替換地,本發(fā)明的某些實(shí)施例可以根本不包括這種溫度控制系統(tǒng)780、790。這里將參考圖2和3詳細(xì)地描述第一和第二測(cè)量系統(tǒng)。將具體參照?qǐng)D2中的實(shí)施例中示出并在圖3中更詳細(xì)地示出的第一光學(xué)元件110 解釋第一測(cè)量系統(tǒng)。如圖2和3所示,可以使用第一測(cè)量系統(tǒng)910相對(duì)于位于測(cè)量框架300 上的點(diǎn)310測(cè)量光學(xué)元件110的位置。正如上面介紹的,光學(xué)元件110的位置的測(cè)量值可以意味著空間位置(在三個(gè)正交的軸線上)和/或旋轉(zhuǎn)位置(三個(gè)正交的旋轉(zhuǎn)軸線的任何一個(gè)或多個(gè)上)的測(cè)量值。因此,第一測(cè)量系統(tǒng)可以相對(duì)于測(cè)量框架300上的位置310讀取光學(xué)元件110上的一個(gè)或多個(gè)位置111。如圖3所示,光學(xué)元件110相對(duì)于測(cè)量框架300的位置給出為X1A。第一測(cè)量系統(tǒng)可以包括非接觸位置測(cè)量系統(tǒng)。例如,這種非接觸位置測(cè)量系統(tǒng)可以包括編碼器和/或干涉儀。此外,如圖2和3所示,測(cè)量值&由第二測(cè)量系統(tǒng)920給出。如上所述,第二測(cè)量系統(tǒng)可以配置成測(cè)量依賴于測(cè)量框架300的變形的至少一個(gè)參數(shù)。測(cè)量框架300的變形可以是由于例如熱負(fù)載和/或機(jī)械負(fù)載。因此,第二測(cè)量系統(tǒng)可以配置成測(cè)量與機(jī)械漂移和 /測(cè)量框架的變形有關(guān)的參數(shù)。這種機(jī)械偏移或變形可以是例如由于測(cè)量框架300的溫度改變帶來(lái)的熱膨脹。附加地和/或替換地,測(cè)量框架300的機(jī)械漂移和/或變形可以是由于測(cè)量框架300的振動(dòng)。在圖2和3中示出的實(shí)施例中,通過(guò)第二測(cè)量系統(tǒng)920測(cè)得的測(cè)量值是位于測(cè)量框架300上的第二點(diǎn)320相對(duì)于位于測(cè)量框架300上的第三點(diǎn)330的位置。雖然沒(méi)有示出, 第二測(cè)量系統(tǒng)920還可以測(cè)量位于測(cè)量框架300上的第二點(diǎn)320相對(duì)于與測(cè)量框架300上的第三點(diǎn)330不同的不同點(diǎn)的位置。附加地,第二點(diǎn)320和第三點(diǎn)330以外的測(cè)量框架300 上的其他兩個(gè)點(diǎn)的位置可以通過(guò)第二測(cè)量系統(tǒng)920測(cè)量。在一些實(shí)施例中,依賴于測(cè)量框架300的變形的至少一個(gè)參數(shù)的測(cè)量值可以由控制器700(下文中更詳細(xì)地描述)使用、以確定和/或計(jì)算測(cè)量框架300的實(shí)際變形。這種計(jì)算的變形可以位于特定的感興趣的點(diǎn),或是整體上對(duì)于框架。例如,至少一個(gè)參數(shù)的測(cè)量值(例如X2)可以用于確定測(cè)量框架300的振動(dòng)模型形狀。在圖2和3中示出的實(shí)施例中,由第二測(cè)量系統(tǒng)920測(cè)得的測(cè)量值是測(cè)量框架300 上的一個(gè)點(diǎn)320相對(duì)于測(cè)量框架300上的另一點(diǎn)330的相對(duì)位置。然而,在替換的實(shí)施例中,有關(guān)測(cè)量框架300的變形的不同測(cè)量值可以通過(guò)第二測(cè)量系統(tǒng)920測(cè)得。圖4中可以看到這種替換的示例。第二測(cè)量系統(tǒng)可以使用非接觸位置測(cè)量系統(tǒng),以測(cè)量一個(gè)點(diǎn)相對(duì)于另一個(gè)點(diǎn)的位置。例如,非接觸測(cè)量系統(tǒng)可以包括編碼器和/或干涉儀。在圖4中,通過(guò)第二測(cè)量系統(tǒng)920測(cè)得一個(gè)可選的測(cè)量值,如圖所示為12’。這個(gè)& 測(cè)量值在光學(xué)元件110和測(cè)量框架300上的第四位置340之間。因?yàn)閺牡谝粶y(cè)量系統(tǒng)910 已知光學(xué)元件110相對(duì)于測(cè)量框架300上的第一位置310的位置,來(lái)自第二測(cè)量系統(tǒng)920 的測(cè)量值知與測(cè)量框架300的變形相關(guān)。而且,來(lái)自第二測(cè)量系統(tǒng)920的測(cè)量值么,可以與來(lái)自第一測(cè)量系統(tǒng)的測(cè)量值Xia結(jié)合使用,以便確定測(cè)量框架300的變形實(shí)際上是什么。 這可以例如針對(duì)測(cè)量框架300作為整體進(jìn)行確定,或針對(duì)測(cè)量框架300的具體點(diǎn)(例如用于第一測(cè)量系統(tǒng)910中的第一點(diǎn)310)進(jìn)行確定??梢岳缡褂每刂破?00執(zhí)行測(cè)量框架300的變形的計(jì)算/預(yù)測(cè),下文中更詳細(xì)地描述??梢酝ㄟ^(guò)第二測(cè)量系統(tǒng)920測(cè)得的測(cè)量值的另一示例在圖4中表示為厶,,。通過(guò)第二測(cè)量系統(tǒng)920測(cè)得的可選的(或附加的)測(cè)量值與測(cè)量框架300的一個(gè)或多個(gè)部分的應(yīng)變的測(cè)量值有關(guān),或與其上的一對(duì)或多對(duì)點(diǎn)之間的應(yīng)變的測(cè)量值有關(guān)。同樣,例如使用一個(gè)或多個(gè)應(yīng)變計(jì)或使用一個(gè)或多個(gè)壓電接線可以得到測(cè)量值厶,,。上面描述的(或真正的任何其他合適的測(cè)量值)可以通過(guò)第二測(cè)量系統(tǒng)920測(cè)得的一個(gè)或多個(gè)可能的測(cè)量值的組合可以并入到第二測(cè)量系統(tǒng)920中。此外,第二測(cè)量系統(tǒng) 920可以包括多于上述的可能的測(cè)量值厶、X2,、&中的每一個(gè)中的一個(gè)。通過(guò)第一測(cè)量系統(tǒng)910和第二測(cè)量系統(tǒng)920測(cè)得的測(cè)量值可以用于確定、計(jì)算和 /或控制投影系統(tǒng)PS中的光學(xué)元件110、120、130、140的一個(gè)或多個(gè)的位置。這種確定、計(jì)算和/或控制可以是光學(xué)元件110、120、130、140相對(duì)于參考點(diǎn)的位置。通常,參考點(diǎn)可以是相對(duì)于輻射束870的目標(biāo)位置不移動(dòng)的恒定點(diǎn)。如下文所述,這種參考點(diǎn)可以是測(cè)量框架上的用于將測(cè)量框架安裝到例如光刻設(shè)備內(nèi)的另一框架上的點(diǎn)350。如圖5所示,控制器700可以用于本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例中以執(zhí)行不同的計(jì)算和/ 或確定,和/或以基于第一和第二測(cè)量系統(tǒng)、或使用第一和第二測(cè)量系統(tǒng)的測(cè)量值提供控制信號(hào)。如圖5的實(shí)施例所示,控制器700可以被分成至少兩個(gè)部分,包括第一控制部分 700A,其采用來(lái)自第一測(cè)量系統(tǒng)910和第二測(cè)量系統(tǒng)920的輸入;和第二控制部分700B,其提供控制信號(hào)以控制光學(xué)元件110、120、130、140的一個(gè)或多個(gè)的位置。在物理術(shù)語(yǔ)中,控制器700A和700B的兩個(gè)部分可以包含在信號(hào)控制單元700內(nèi)。可選地,可以計(jì)算光學(xué)元件的實(shí)際位置和期望的位置之間的差值的加法處理器700C還可以設(shè)置在單個(gè)控制單元700 中。替換地,兩個(gè)控制單元700A、700B和加法單元700C可以物理地彼此分開(kāi)。控制器700A可以用于基于來(lái)自第二測(cè)量系統(tǒng)920的輸入確定和/或計(jì)算測(cè)量框架300的變形。控制器700A還可以使用來(lái)自第一測(cè)量系統(tǒng)910的輸入,以便確定和/或計(jì)算測(cè)量框架300的變形,如上所述。此外,如上所述,可以使用位于測(cè)量框架300上任何想要的位置處的控制器700A計(jì)算測(cè)量框架300的變形。還可以例如通過(guò)計(jì)算振動(dòng)模型的模型形狀,整體上對(duì)于所述框架,計(jì)算測(cè)量框架300的變形。如圖5所示,第二測(cè)量系統(tǒng)920(輸入測(cè)量值\到控制器700A)可以與用于控制所討論的光學(xué)元件110的位置的控制回路分開(kāi)。同樣,由第二測(cè)量系統(tǒng)920測(cè)得的測(cè)量值在被輸入到控制器700A之前可以被過(guò)濾和/或平均。替換地,來(lái)自第二測(cè)量系統(tǒng)920的輸入可以通過(guò)控制器700A本身過(guò)濾和/或平均。在例如測(cè)量框架300的變形的頻率顯著低于由第二測(cè)量系統(tǒng)920所用的取樣速率時(shí),這是有利的。例如在第二測(cè)量系統(tǒng)920被用于測(cè)量測(cè)量框架300的主要熱變形的時(shí)候是這種情形。應(yīng)用這種過(guò)濾和/或平均有助于提高來(lái)自通過(guò)控制器700A進(jìn)行使用的第二測(cè)量系統(tǒng)920的測(cè)量值的精確度。在圖5的實(shí)施例中,一旦控制器700A的第一部分已經(jīng)使用第二測(cè)量系統(tǒng)920計(jì)算所討論的光學(xué)元件110的位置、以便補(bǔ)償從第一測(cè)量系統(tǒng)910讀取的測(cè)量框架300的運(yùn)動(dòng), 則使用加法單元700C對(duì)比計(jì)算的位置和光學(xué)元件110的參考位置。可以通過(guò)單個(gè)控制器 700執(zhí)行這種對(duì)比。一旦所討論的光學(xué)元件110的位置已經(jīng)與想要的參考位置Xref進(jìn)行對(duì)比,可以通過(guò)控制器(控制器700B)的第二部分得出控制信號(hào)??刂菩盘?hào)可以用于調(diào)整所討論的光學(xué)元件110的位置。這樣,可以相對(duì)于參考點(diǎn)控制所討論的光學(xué)元件110的位置。因此,可以例如相對(duì)于輻射束870投影到其上的襯底W控制所討論的光學(xué)元件110的整體位置。圖5中虛線示出附加的控制元件700D和700E。這些控制元件在下文中更詳細(xì)地描述。然而,在一些實(shí)施方式中,可以不存在圖5中虛線示出的控制元件700D和700E。在這些沒(méi)有包括元件700D和700E的實(shí)施例中,通過(guò)控制器700B產(chǎn)生的控制信號(hào)可以直接地用于控制光學(xué)元件110的位置。同樣,來(lái)自圖5中的控制器700B的輸出可以直接地提供至光學(xué)元件110。由控制器700對(duì)光學(xué)元件110、120、130、140的位置的確定、計(jì)算和/或控制可以是基于第一測(cè)量系統(tǒng)910和第二測(cè)量系統(tǒng)920的測(cè)量值。同樣,所討論的光學(xué)元件110的實(shí)際位置不需要確定。相反,可以相對(duì)于其最近已知的位置確定和/或控制所討論的光學(xué)元件110的位置。以此方式,控制器700可以用于連續(xù)地更新所討論的光學(xué)元件110的位置,而不是在每次獲取測(cè)量值時(shí)重新計(jì)算其位置(例如相對(duì)于參考點(diǎn))。從控制器700B輸出的控制信號(hào)可以被提供至與正討論的光學(xué)元件110相關(guān)的一個(gè)或多個(gè)致動(dòng)器410,以便控制正討論的光學(xué)元件110的位置。在圖2和3中示出的示例中,光學(xué)元件110具有兩個(gè)相關(guān)的致動(dòng)器單元410。這些致動(dòng)器單元410定位在光學(xué)元件和驅(qū)動(dòng)框架之間。致動(dòng)器單元410可以配置成在光學(xué)元件110和驅(qū)動(dòng)框架200之間提供作用力。以此方式,可以根據(jù)從控制器700B輸出的控制信號(hào)調(diào)整光學(xué)元件110的位置。在其他實(shí)施例中,提供至每個(gè)光學(xué)元件110的致動(dòng)器410的數(shù)量可以少于或多于兩個(gè)。例如,提供至光學(xué)元件110的致動(dòng)器410的數(shù)量可以是一個(gè)、三個(gè)、四個(gè)、五個(gè)或六個(gè)。在替換的實(shí)施例中,可以存在多于六個(gè)提供至光學(xué)元件110的致動(dòng)器410。任何合適的致動(dòng)器可以用作致動(dòng)器410,以在驅(qū)動(dòng)框架200和光學(xué)元件110之間提供作用力。例如,可以使用洛倫茲致動(dòng)器或壓電致動(dòng)器。第二測(cè)量系統(tǒng)920測(cè)得測(cè)量值(例如光學(xué)元件110相對(duì)于測(cè)量框架300的位置) 的頻率可以根據(jù)預(yù)期的測(cè)量框架300的變形類型進(jìn)行選擇。例如,如果測(cè)量框架的主要變形是由于熱變形,則第二測(cè)量系統(tǒng)920需要測(cè)得測(cè)量值的頻率小于測(cè)量框架300的主要變形是諧振的結(jié)果時(shí)所需的頻率。還可以考慮預(yù)期的驅(qū)動(dòng)框架200的變形類型。類似地,需要第一測(cè)量系統(tǒng)910測(cè)出測(cè)量值的頻率可以基于預(yù)期的驅(qū)動(dòng)框架200 的變形類型進(jìn)行確定。還可以考慮預(yù)期的測(cè)量框架300的變形類型。第一測(cè)量系統(tǒng)和第二測(cè)量系統(tǒng)測(cè)出測(cè)量值的頻率可以根據(jù)需要彼此相同,或彼此不同。在一些實(shí)施例中,可以采用前饋系統(tǒng)控制光學(xué)元件110、120、130、140的位置。這樣的實(shí)施例的示例在圖5中示出,其中還可以使用可選的控制元件700D和700E。在使用前饋系統(tǒng)的實(shí)施例中,第二測(cè)量系統(tǒng)920可以配置成測(cè)量與測(cè)量框架300 上的至少一個(gè)點(diǎn)的加速度相關(guān)的參數(shù)。這是除上述的第二測(cè)量系統(tǒng)920測(cè)出的位置測(cè)量值之外的。與加速有關(guān)的該測(cè)量值可以是例如來(lái)自加速計(jì)的直接加速測(cè)量值。替換地或附加地,可以測(cè)出在測(cè)量框架300上至少一個(gè)點(diǎn)的速度測(cè)量值或位置測(cè)量值,并使用速度(或位置)測(cè)量值例如使用控制器700A估計(jì)或計(jì)算相關(guān)的加速度。還可以使用干涉儀測(cè)出與測(cè)量框架的加速度有關(guān)的測(cè)量值。然后從加速度可以估計(jì)測(cè)量框架300的變形。例如,如果測(cè)量框架300上的特定點(diǎn)的加速度是已知的,然后假設(shè)已知力可以施加至框架的位置(例如在安裝點(diǎn)處),則可以計(jì)算或預(yù)測(cè)框架的變形。依次,這可以與控制光學(xué)元件110、120、130、140的位置時(shí)第一測(cè)量系統(tǒng)910的測(cè)量值結(jié)合使用。在圖5示出的包括前饋(例如具有所包含的由虛線示出的元件)的實(shí)施例中,校正控制單元700D可以用來(lái)估計(jì)或計(jì)算用于控制或調(diào)整正討論的光學(xué)元件110的位置的控制信號(hào)的校正值。在測(cè)量框架300上相關(guān)的位置處測(cè)量的、計(jì)算的或估計(jì)的加速度可以從控制器700A輸入至校正控制單元700D。然后校正控制單元700D可以根據(jù)加速度計(jì)算、或估計(jì)可以應(yīng)用于光學(xué)元件110的位置的校正值。然后校正控制單元700D可以輸出與該計(jì)算的或估計(jì)的校正值相關(guān)的校正控制信號(hào)。輸出的校正控制信號(hào)可以被提供至第二加法單元700E,在第二加法單元輸出的校正控制信號(hào)可以被加到由如上所述的控制器700B產(chǎn)生的控制信號(hào)。然后來(lái)自第二加法單元的輸出可以作為控制正討論的光學(xué)元件110的位置的控制信號(hào)被提供。同樣,前饋可以用于改善正討論的光學(xué)元件110的位置的控制。因此,前饋和反饋可以結(jié)合以便給出討論的光學(xué)元件110的位置的精確控制。如果將要測(cè)量和/或控制投影系統(tǒng)PS中的第二光學(xué)元件110、120、130、140的位置,則需要第三測(cè)量系統(tǒng)。第三測(cè)量系統(tǒng)例如對(duì)于將要測(cè)量和/或控制其位置的第二光學(xué)元件140執(zhí)行與第一測(cè)量系統(tǒng)910對(duì)于將要測(cè)量和/或控制其位置的第一光學(xué)元件110執(zhí)行的功能相同的功能。例如,在圖2中示出的示例中,第三測(cè)量系統(tǒng)被用于測(cè)量第二光學(xué)元件140相對(duì)于測(cè)量框架300的位置。在這種情況下,第三測(cè)量系統(tǒng)讀取第二光學(xué)元件140 相對(duì)于測(cè)量框架300上的位置360的位置的讀數(shù)Z1B。上述的第一光學(xué)元件110的位置的所有可能的測(cè)量值、計(jì)算值、確定值以及控制也可以針對(duì)光學(xué)元件110、120、130、140中的任一個(gè)實(shí)施。對(duì)于將要確定、測(cè)量和/或控制其位置的任一個(gè)光學(xué)元件110、120、130、140,可以提供等同于如這里所述的第一測(cè)量系統(tǒng)910的額外的測(cè)量系統(tǒng)。然而,可以僅具有一個(gè)測(cè)量系統(tǒng)(例如如這里所述的第二測(cè)量系統(tǒng)920),其測(cè)量至少一個(gè)依賴于測(cè)量框架300的變形的參數(shù)。然而,當(dāng)被控制的光學(xué)元件110、120、130、140的數(shù)量增大時(shí),通過(guò)第二測(cè)量系統(tǒng) 920測(cè)量的參數(shù)的數(shù)量會(huì)如期望地增大。增加通過(guò)第二測(cè)量系統(tǒng)920測(cè)量的參數(shù)的數(shù)量可以改善測(cè)量框架300的估計(jì)變形的精確度。驅(qū)動(dòng)框架200可以安裝在另一框架500上,如圖2所示。附加地,測(cè)量框架300還可以安裝在另一框架550上。通常,驅(qū)動(dòng)框架200和測(cè)量框架300可以彈性地安裝至其相應(yīng)的框架。任何合適的安裝件可以用于將驅(qū)動(dòng)框架200安裝到其相應(yīng)的框架500,和將測(cè)量框架300安裝到其相應(yīng)的框架550上。例如,可以使用隔離振動(dòng)的安裝件。通常,可以使用主動(dòng)阻尼片簧振動(dòng)隔離裝置。替換地,可以使用壓致動(dòng)器透鏡安裝件。在一個(gè)實(shí)施例中,主動(dòng)阻尼片簧振動(dòng)隔離裝置可以用于將測(cè)量框架300安裝至其相應(yīng)的框架550,并且壓致動(dòng)器透鏡安裝件可以用于將驅(qū)動(dòng)框架200安裝到其相應(yīng)的框架500。換句話說(shuō),振動(dòng)隔離系統(tǒng)或支撐系統(tǒng)可以用于將測(cè)量框架300安裝至其相應(yīng)的框架550和/或?qū)Ⅱ?qū)動(dòng)框架200安裝到其相應(yīng)的框架500??梢愿鶕?jù)需要衰減(例如主動(dòng)地衰減)或不衰減振動(dòng)隔離系統(tǒng)或支撐系統(tǒng)。正如從圖2看到的,測(cè)量框架300上用于將測(cè)量框架300安裝至另一框架550的位置350可以用作參考點(diǎn)350,相對(duì)于參考點(diǎn)350可以計(jì)算、確定和/或控制光學(xué)元件110、120、130、140 的位置。安裝驅(qū)動(dòng)框架200的框架500在某些實(shí)施例中與安裝測(cè)量框架300的框架550是相同的。這種安裝測(cè)量框架300和驅(qū)動(dòng)框架200的框架500、550可以是隨后用于將投影系統(tǒng)定位或安裝到光刻設(shè)備中的框架。替換地,安裝測(cè)量框架300和驅(qū)動(dòng)框架200的框架 500、550可以是光刻設(shè)備本身的一部分。例如,公共框架500、550可以是光刻設(shè)備的參照框架。這種參照框架可以與光刻設(shè)備中配置成測(cè)量圖案形成裝置和襯底W中的至少一個(gè)的相對(duì)于參照框架的位置的另一測(cè)量系統(tǒng)結(jié)合使用。替換地,驅(qū)動(dòng)框架200可以安裝至光刻設(shè)備中的一個(gè)框架,并且測(cè)量框架300可以安裝至光刻設(shè)備中不同的框架。同樣,驅(qū)動(dòng)框架200可以安裝至光刻設(shè)備的基部框架500, 并且測(cè)量框架300可以安裝至光刻設(shè)備的參照框架(如上限定的)。在這種情形中,基部框架可以是安裝構(gòu)造成支撐光刻設(shè)備的圖案形成裝置的支撐結(jié)構(gòu)、襯底臺(tái)和參照框架中的至少一個(gè)的框架。在一些實(shí)施例中,可以存在多于一個(gè)的驅(qū)動(dòng)框架200。例如,可以存在兩個(gè)、三個(gè)、 四個(gè)、五個(gè)或多于五個(gè)的框架。每個(gè)驅(qū)動(dòng)框架上面可以安裝一個(gè)或多個(gè)光學(xué)元件110、120、 130、140。每個(gè)驅(qū)動(dòng)框架可以安裝至另一框架。每個(gè)驅(qū)動(dòng)框架可以安裝至相同的框架,例如光刻設(shè)備的參照框架550(如上面所述的)或基部框架500。 附加地或替換地,在某些實(shí)施例中,可以存在多于一個(gè)的測(cè)量框架300。例如,可以存在兩個(gè)、三個(gè)、四個(gè)、五個(gè)或多于五個(gè)的測(cè)量框架。每個(gè)測(cè)量框架可以用于測(cè)量一個(gè)或多個(gè)(例如兩個(gè)、三個(gè)、四個(gè)、五個(gè)或多于五個(gè))光學(xué)元件的位置。然后可以測(cè)量有關(guān)每個(gè)(或至少一個(gè))測(cè)量框架的變形的參數(shù)。這個(gè)參數(shù)可以是例如與在相同測(cè)量框架上的至少兩個(gè)點(diǎn)的相對(duì)位置相關(guān)的測(cè)量值,或任何其他與測(cè)量框架的變形有關(guān)的參數(shù),如這里所述。替換地,該參數(shù)可以是測(cè)量框架的一個(gè)相對(duì)于其他測(cè)量框架的至少一個(gè)的位移。例如,可以相對(duì)于至少一個(gè)其他測(cè)量框架上的至少一個(gè)點(diǎn)測(cè)量在一個(gè)測(cè)量框架上的至少一個(gè)點(diǎn)的位置。每個(gè)測(cè)量框架可以安裝至另一框架。例如,每個(gè)測(cè)量框架可以(例如彈性地)安裝至光刻設(shè)備的參照框架550 (如上所限定)。安裝每個(gè)測(cè)量框架的框架550可以是相同的框架。應(yīng)該認(rèn)識(shí)到,這里所述的投影系統(tǒng)PS可以并入到任何光刻設(shè)備中。同樣,這里所述的投影系統(tǒng)PS或其任何部分的任何特征或通過(guò)其執(zhí)行的方法可以等同地并入光刻設(shè)備中。雖然投影系統(tǒng)PS可以并入任何光刻設(shè)備,但是應(yīng)該認(rèn)識(shí)到,當(dāng)并入到具有高的數(shù)值孔徑的上述光刻設(shè)備中時(shí)是特別有利的。還應(yīng)該認(rèn)識(shí)到,這里所述的投影系統(tǒng)在并入到用于曝光襯底W的輻射是極紫外輻射的光刻設(shè)備(即EUV光刻設(shè)備)中是特別有利的。雖然在本文中詳述了光刻設(shè)備用在制造ICs (集成電路),但是應(yīng)該理解到這里所述的光刻設(shè)備可以有其他的應(yīng)用,例如制造集成光學(xué)系統(tǒng)、磁疇存儲(chǔ)器的引導(dǎo)和檢測(cè)圖案、 平板顯示器、液晶顯示器(IXDs)、薄膜磁頭等。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該認(rèn)識(shí)到,在這種替代應(yīng)用的情況中,可以將這里使用的任何術(shù)語(yǔ)“晶片”或“管芯”分別認(rèn)為是與更上位的術(shù)語(yǔ)“襯底”或“目標(biāo)部分”同義。這里所指的襯底可以在曝光之前或之后進(jìn)行處理,例如在軌道(一種典型地將抗蝕劑層涂到襯底上,并且對(duì)已曝光的抗蝕劑進(jìn)行顯影的工具)、量測(cè)工具和/ 或檢驗(yàn)工具中。在可應(yīng)用的情況下,可以將所述公開(kāi)內(nèi)容應(yīng)用于這種和其他襯底處理工具中。另外,所述襯底可以處理一次以上,例如為產(chǎn)生多層IC,使得這里使用的所述術(shù)語(yǔ)“襯底”也可以表示已經(jīng)包含多個(gè)已處理層的襯底。
盡管上面的光刻內(nèi)容中的特定的說(shuō)明可以被用于本發(fā)明的光學(xué)光刻情況下的多個(gè)實(shí)施例中,但是它可以理解為本發(fā)明可以被用在其它的應(yīng)用中,例如壓印光刻,并且在上下文允許的情況下,并不限定為光學(xué)光刻。在壓印光刻中,圖案形成裝置中拓?fù)湎薅ㄉ稍谝r底上的圖案。圖案形成裝置的拓?fù)淇梢员挥≈圃谔峁┯谝r底上的抗蝕劑層中,在襯底上抗蝕劑通過(guò)應(yīng)用電磁輻射、熱、壓力或它們的組合而被固化。圖案形成裝置被移出抗蝕劑, 并且在抗蝕劑固化后在抗蝕劑中留下一個(gè)圖案。這里使用的術(shù)語(yǔ)“輻射”和“光束”包括所有類型的電磁輻射,包括紫外(UV)輻射(例如具有約365、355、對(duì)8、193、157或126nm的波長(zhǎng))和極紫外(EUV)輻射(例如具有 5-20nm范圍內(nèi)的波長(zhǎng)),以及粒子束,例如離子束或電子束。在上下文允許的情況下,術(shù)語(yǔ)“透鏡”可以表示各種類型的光學(xué)部件中的任何一種或它們的組合,包括折射式、反射式、磁性、電磁和靜電光學(xué)部件。雖然以上已經(jīng)描述了本發(fā)明的特定的實(shí)施例,但是應(yīng)該理解的是,本發(fā)明可以以與上述不同的形式實(shí)現(xiàn)。例如,本發(fā)明可以采用包含用于描述上述公開(kāi)的方法的一個(gè)或更多機(jī)器可讀指令序列的計(jì)算機(jī)程序的形式,或者采取具有在其中存儲(chǔ)這種計(jì)算機(jī)程序的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)(例如半導(dǎo)體存儲(chǔ)器、磁盤(pán)或光盤(pán))的形式。以上的描述是說(shuō)明性的,而不是限制性的。因此,本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解,在不背離所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍的條件下,可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行修改。
權(quán)利要求
1.一種用于光刻設(shè)備的投影系統(tǒng),包括第一框架;第二框架;安裝至第一框架的光學(xué)元件;第一測(cè)量系統(tǒng),配置成確定光學(xué)元件相對(duì)于第二框架的位置;和第二測(cè)量系統(tǒng),配置成測(cè)量依賴于第二框架的變形的至少一個(gè)參數(shù)。
2.如權(quán)利要求1所述的用于光刻設(shè)備的投影系統(tǒng),還包括控制器,所述控制器配置成基于第一測(cè)量系統(tǒng)和第二測(cè)量系統(tǒng)的測(cè)量值控制光學(xué)元件的位置。
3.如權(quán)利要求1所述的用于光刻設(shè)備的投影系統(tǒng),還包括控制器,所述控制器配置成使用第一測(cè)量系統(tǒng)和第二測(cè)量系統(tǒng)的測(cè)量值以確定光學(xué)元件相對(duì)于第二框架上的參考點(diǎn)的位置。
4.如權(quán)利要求3所述的用于光刻設(shè)備的投影系統(tǒng),其中第一測(cè)量系統(tǒng)包括配置成確定光學(xué)元件相對(duì)于第二框架上的第一位置的位置的第一傳感器;和控制器,配置成使用來(lái)自第二測(cè)量系統(tǒng)的測(cè)量值確定由于第二框架的變形帶來(lái)的第二框架上的第一位置相對(duì)于參考點(diǎn)的位置改變。
5.如權(quán)利要求3所述的用于光刻設(shè)備的投影系統(tǒng),還包括安裝至第一框架的至少第二光學(xué)元件;和第三測(cè)量系統(tǒng),配置成確定第二光學(xué)元件相對(duì)于第二框架的位置,其中控制器配置成使用第一測(cè)量系統(tǒng)和第二測(cè)量系統(tǒng)的測(cè)量值,以確定第二光學(xué)元件相對(duì)于第二框架上的參考點(diǎn)的位置。
6.如權(quán)利要求1所述的用于光刻設(shè)備的投影系統(tǒng),其中,所述第二測(cè)量系統(tǒng)配置成相對(duì)于第二框架上的至少一個(gè)其他位置測(cè)量第二框架上的至少一個(gè)位置。
7.如權(quán)利要求1所述的用于光刻設(shè)備的投影系統(tǒng),其中第一測(cè)量系統(tǒng)包括第一傳感器,所述第一傳感器配置成確定光學(xué)元件相對(duì)于第二框架上的第一位置的位置;和第二測(cè)量系統(tǒng)包括第二傳感器,所述第二傳感器配置成測(cè)量光學(xué)元件相對(duì)于與第二框架上的第一位置不同的第二框架上的第二位置的位置。
8.如權(quán)利要求1所述的用于光刻設(shè)備的投影系統(tǒng),其中,所述第二測(cè)量系統(tǒng)包括配置成測(cè)量第二框架的至少一部分的應(yīng)變的傳感器。
9.如權(quán)利要求1所述的用于光刻設(shè)備的投影系統(tǒng),還包括致動(dòng)器,所述致動(dòng)器配置成在光學(xué)元件和第一框架之間提供力。
10.如權(quán)利要求1所述的用于光刻設(shè)備的投影系統(tǒng),還包括第三框架,其中所述第一框架通過(guò)至少一個(gè)彈性支撐結(jié)構(gòu)安裝至第三框架;和所述第二框架通過(guò)至少一個(gè)彈性支撐結(jié)構(gòu)安裝至第三框架。
11.如權(quán)利要求1所述的用于光刻設(shè)備的投影系統(tǒng),還包括溫度控制系統(tǒng),所述溫度控制系統(tǒng)配置成驅(qū)使第二框架的溫度至預(yù)定值。
12.如權(quán)利要求11所述的用于光刻設(shè)備的投影系統(tǒng),其中,所述溫度控制系統(tǒng)包括控制器,所述控制器配置成僅在投影系統(tǒng)沒(méi)有用于曝光襯底的時(shí)候驅(qū)使第二框架的溫度朝向預(yù)定值。
13.如權(quán)利要求11所述的用于光刻設(shè)備的投影系統(tǒng),其中,所述溫度控制系統(tǒng)配置成在使用時(shí)通過(guò)減小第二框架的熱時(shí)間常數(shù)驅(qū)使第二框架的溫度朝向預(yù)定值。
14.如權(quán)利要求13所述的用于光刻設(shè)備的投影系統(tǒng),其中,所述溫度控制系統(tǒng)配置成通過(guò)增加至第二框架的熱傳遞速率和/或來(lái)自第二框架的熱傳遞速率減小第二框架的熱時(shí)間常數(shù)。
15.如權(quán)利要求11所述的用于光刻設(shè)備的投影系統(tǒng),其中,所述溫度控制系統(tǒng)配置成通過(guò)下面的步驟驅(qū)使第二框架的溫度至預(yù)定值使用流體流供給熱至第二框架和/或從第二框架去除熱;和使用配置成控制流體流的溫度的控制器控制流體流。
16.如權(quán)利要求11所述的用于光刻設(shè)備的投影系統(tǒng),其中,所述溫度控制系統(tǒng)配置成通過(guò)下面的步驟驅(qū)使第二框架的溫度至預(yù)定值使用氣體供給單元供給氣體至圍繞第二框架的環(huán)境;和使用氣體供給控制單元控制供給至圍繞第二框架的環(huán)境的氣體的壓力。
17.如權(quán)利要求11所述的用于光刻設(shè)備的投影系統(tǒng),其中,所述第二框架被溫度控制系統(tǒng)驅(qū)使達(dá)到的預(yù)定溫度是投影系統(tǒng)用于襯底曝光時(shí)將要保持的溫度。
18.一種光刻設(shè)備,包括支撐結(jié)構(gòu),構(gòu)造成支撐圖案形成裝置,所述圖案形成裝置能夠?qū)D案在輻射束的橫截面上賦予輻射束以形成圖案化輻射束; 襯底臺(tái),構(gòu)造成保持襯底;和如權(quán)利要求1所述的投影系統(tǒng),配置成將圖案化輻射束投影到襯底的目標(biāo)部分上。
19.如權(quán)利要求18所述的光刻設(shè)備,還包括參照框架和配置成測(cè)量圖案形成裝置和襯底中的至少一個(gè)相對(duì)于參照框架的位置的測(cè)量系統(tǒng),其中第一框架通過(guò)至少一個(gè)彈性支撐結(jié)構(gòu)安裝至參照框架;和第二框架通過(guò)至少一個(gè)彈性支撐結(jié)構(gòu)安裝至參照框架。
20.如權(quán)利要求18所述的光刻設(shè)備,還包括參照框架和配置成測(cè)量圖案形成裝置和襯底中的至少一個(gè)相對(duì)于參照框架的位置的測(cè)量系統(tǒng);和安裝構(gòu)造成支撐圖案形成裝置的支撐結(jié)構(gòu)、襯底臺(tái)以及參照框架中的至少一個(gè)的基部框架,其中第一框架通過(guò)至少一個(gè)彈性支撐結(jié)構(gòu)安裝至基部框架;和第二框架通過(guò)至少一個(gè)彈性支撐結(jié)構(gòu)安裝至基部框架。
21.一種在投影系統(tǒng)中定位光學(xué)元件的方法,所述投影系統(tǒng)包括第一和第二框架,所述方法包括步驟確定光學(xué)元件相對(duì)于第二框架的位置,其中光學(xué)元件安裝至第一框架;和測(cè)量依賴于第二框架的變形的至少一個(gè)參數(shù)。
22.如權(quán)利要求21所述的在投影系統(tǒng)中定位光學(xué)元件的方法,還包括步驟 基于確定和測(cè)量步驟的結(jié)果控制光學(xué)元件的位置。
23.一種將輻射束投影到襯底上的方法,包括步驟使用輻射源提供輻射束;和使用采用如權(quán)利要求21所述的方法定位的至少一個(gè)光學(xué)元件引導(dǎo)輻射束。
24.一種器件制造方法,包括使用如權(quán)利要求23所述的方法將圖案化輻射束投影到襯底上。
25.如權(quán)利要求21所述的定位光學(xué)元件的方法,其中,在確定光學(xué)元件相對(duì)于第二框架的位置的步驟之前,所述方法包括驅(qū)使第二框架的溫度至預(yù)定水平。
26.一種器件制造方法,包括通過(guò)下面的步驟將圖案化輻射束投影到襯底上 使用輻射源提供輻射束;使用采用如權(quán)利要求25所述的方法定位的至少一個(gè)光學(xué)元件引導(dǎo)輻射束。
全文摘要
提供一種投影系統(tǒng)(PS),在一個(gè)實(shí)施例中,所述投影系統(tǒng)包括兩個(gè)框架。投影系統(tǒng)的光學(xué)元件安裝在第一框架(200)上。使用第一測(cè)量系統(tǒng)(910)相對(duì)于第二框架(300)測(cè)量光學(xué)元件的位置。第二測(cè)量系統(tǒng)(920)用于測(cè)量與第二框架變形相關(guān)的參數(shù)。由第二測(cè)量系統(tǒng)得出的測(cè)量值可以用于補(bǔ)償通過(guò)第一測(cè)量系統(tǒng)測(cè)量時(shí)由第二框架變形帶來(lái)的光學(xué)元件的位置的任何誤差。通常,框架的變形是由于共振和熱膨脹。具有兩個(gè)框架允許投影系統(tǒng)的光學(xué)元件以高精確度定位。可選地,可以設(shè)置溫度控制系統(tǒng)(780、790)以在光刻設(shè)備已經(jīng)離線之后驅(qū)使至少一個(gè)框架的溫度回到想要的數(shù)值水平。
文檔編號(hào)G03F7/20GK102165373SQ200980138207
公開(kāi)日2011年8月24日 申請(qǐng)日期2009年7月17日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月30日
發(fā)明者E·魯普斯特拉, F·詹森, H·布特勒, J·范斯庫(kù)特, M·維基克曼斯, R·德珠, T·森吉爾斯, W·德勃伊 申請(qǐng)人:Asml荷蘭有限公司
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