專利名稱：用于熱調(diào)節(jié)光學(xué)元件的方法和系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于熱調(diào)節(jié)光學(xué)元件的方法和系統(tǒng)。
背景技術(shù)：
在許多技術(shù)領(lǐng)域中，期望熱調(diào)節(jié)光學(xué)元件，尤其是遭受高的熱負(fù)載的光學(xué)元件。在 下文中，作為示例，將會描述光刻領(lǐng)域。光刻設(shè)備是一種將所需圖案應(yīng)用到襯底上，通常是襯底的目標(biāo)部分上的機(jī)器。例 如，可以將光刻設(shè)備用在集成電路(ICs)的制造中。在這種情況下，可以將可選地稱為掩模 或掩模版的圖案形成裝置用于生成在所述IC的單層上待形成的電路圖案?？梢詫⒃搱D案 轉(zhuǎn)移到襯底(例如，硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如，包括一部分管芯、一個或多個管芯)上。 通常，圖案的轉(zhuǎn)移是通過把圖案成像到提供到襯底上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上進(jìn)行 的。通常，單獨(dú)的襯底將包含被連續(xù)形成圖案的相鄰目標(biāo)部分的網(wǎng)絡(luò)。光刻技術(shù)被廣泛地看作制造IC或其他裝置和/或結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵步驟之一。然而， 隨著使用光刻技術(shù)形成的特征的尺寸不斷變小，光刻技術(shù)變成對于實(shí)現(xiàn)要制造的最小化IC 或其他裝置和/或結(jié)構(gòu)來說更為關(guān)鍵的因素。圖案印刷的限制的理論上的估計(jì)由分辨率的瑞利準(zhǔn)則給出，如下式(1)所示(1)其中λ是所使用輻射的波長，NAps是用于印刷圖案的投影系統(tǒng)的數(shù)值孔徑，Ic1是 依賴工藝的調(diào)節(jié)因子，也稱為瑞利常數(shù)，以及CD是印刷的特征的特征尺寸(或臨界尺寸)。 由等式(1)可以知道，可以以三種方式獲得特征的最小可印刷尺寸的減小縮短曝光波長 λ、增大數(shù)值孔徑NAps或減小Ic1的值。為了縮短曝光波長并因此減小最小可印刷尺寸，已經(jīng)提出使用極紫外(EUV)輻射 源。EUV輻射源配置成輸出5nm-20nm之間輻射波長。因此，EUV輻射源可以朝向?qū)崿F(xiàn)小特 征印刷邁出重要的一步。這種輻射被稱為極紫外或軟X射線，并且可能的源包括例如激光 產(chǎn)生的等離子體源、放電等離子體源或由電子存儲環(huán)產(chǎn)生的同步加速輻射。為了提供所需的高水平的成像精確度，設(shè)備的光學(xué)元件應(yīng)該在各個襯底步驟中精 確地定位(例如在各自的靜止位置)。因此，期望盡可能實(shí)際地抑制投影光學(xué)元件的不可控 的振動。此外，期望增大源的功率以提供增大的輻射劑量，例如以改善生產(chǎn)量。然而，增大 的輻射劑量會在設(shè)備中導(dǎo)致較高的熱負(fù)載。結(jié)果，由于增大的熱膨脹以及由于熱負(fù)載帶來 的與污染相關(guān)的問題，投影系統(tǒng)的光學(xué)部件(例如反射鏡)的性能被削弱了。

發(fā)明內(nèi)容
期望地，至少部分地減少上述問題。具體地，期望提供一種有效的方法以熱調(diào)節(jié)在 其操作期間會遭受高的熱負(fù)載的光學(xué)元件，而不會削弱所述元件的操作的精確度。根據(jù)一個實(shí)施例，提供一種用于熱調(diào)節(jié)光學(xué)元件的方法。所述方法包括用輻射照 射光學(xué)元件，不用輻射照射光學(xué)元件，在所述光學(xué)元件和保持在調(diào)節(jié)流體儲存器內(nèi)的調(diào)節(jié) 流體之間實(shí)現(xiàn)熱流動，以及提供所述調(diào)節(jié)流體的流體流動，以提供被熱調(diào)節(jié)的流體至所述 儲存器。所述流體在所述光學(xué)元件的照射期間的流量低于所述光學(xué)元件不被照射時(shí)所述流 體的流量。所述流體流量在照射期間基本上為零。根據(jù)一個實(shí)施例，提供一種光刻投影方法，包括使用光學(xué)元件將圖案形成結(jié)構(gòu)的 圖案轉(zhuǎn)移到襯底上的步驟；和熱調(diào)節(jié)所述光學(xué)元件的步驟。所述調(diào)節(jié)步驟包括用輻射照射 光學(xué)元件的步驟；不用輻射照射所述光學(xué)元件的步驟；在所述光學(xué)元件和保持在調(diào)節(jié)流體 儲存器內(nèi)的調(diào)節(jié)流體之間實(shí)現(xiàn)熱流動；和提供所述調(diào)節(jié)流體的流體流動，以提供被熱調(diào)節(jié) 的流體至所述儲存器。所述流體在所述光學(xué)元件的照射期間的流量低于所述光學(xué)元件不被 照射時(shí)所述流體的流量。所述流體的流量在照射期間基本上為零。根據(jù)一個實(shí)施例，提供一種熱調(diào)節(jié)系統(tǒng)，構(gòu)造并布置成熱調(diào)節(jié)光學(xué)元件。所述系統(tǒng) 包括熱交換器，配置成允許在調(diào)節(jié)流體和所述光學(xué)元件之間實(shí)現(xiàn)熱交換；和流體流量控 制器，配置成控制調(diào)節(jié)流體的流量。流量控制器配置成在光學(xué)元件的非照射期間將流體的 流量增大為第一流量，和/或在所述光學(xué)元件的照射之前將流體的流量減小為第二流量。 所述流量控制器可以配置成在照射期間將第二流量設(shè)定為零。根據(jù)一個實(shí)施例，提供一種光刻設(shè)備，配置成將圖案形成結(jié)構(gòu)的圖案轉(zhuǎn)移至襯底 上。所述設(shè)備包括投影系統(tǒng)，配置成將賦予輻射束的圖案投影到襯底的目標(biāo)部分上。投影 系統(tǒng)包括多個光學(xué)元件。所述設(shè)備包括熱調(diào)節(jié)系統(tǒng)，配置成熱調(diào)節(jié)投影系統(tǒng)的光學(xué)元件中 的至少一個。所述熱調(diào)節(jié)系統(tǒng)包括熱交換器，配置成允許在調(diào)節(jié)流體和所述光學(xué)元件之間 實(shí)現(xiàn)熱交換；流量控制器，配置成控制調(diào)節(jié)流體的流量，并配置成在光學(xué)元件的空閑模式期 間提供第一流量，和在所述光學(xué)元件的輻射投影模式期間提供第二流量。所述第二流量低 于所述第一流量，甚至可以是零。根據(jù)一個實(shí)施例，提供一種光學(xué)元件，包括熱交換器，所述熱交換器配置成用熱調(diào) 節(jié)流體交換熱。根據(jù)一個實(shí)施例，提供一種熱交換器，配置成在調(diào)節(jié)流體和光學(xué)元件之間實(shí)現(xiàn)熱 交換。根據(jù)一個實(shí)施例，提供一種用于熱調(diào)節(jié)光學(xué)元件的方法。所述方法包括用輻射照 射光學(xué)元件；在所述光學(xué)元件和保持在調(diào)節(jié)流體儲存器內(nèi)的調(diào)節(jié)流體之間流動熱；和以一 流量供給被熱調(diào)節(jié)的流體至所述儲存器。在照射期間所述流體的流量低于所述光學(xué)元件不 被輻射照射時(shí)流體的流量。


下面將參照附圖、以示例的方式描述多個實(shí)施例，在附圖中相同的附圖標(biāo)記表示 相同或功能相似的元件，在附圖中5
圖1示出本發(fā)明的光刻設(shè)備的一個實(shí)施例。圖2A示意地示出圖1中的設(shè)備的熱調(diào)節(jié)系統(tǒng)的一個實(shí)施例，其包括在流體補(bǔ)充步 驟期間的熱交換器的一種實(shí)施方式。圖2B示出在圖2A中示出的設(shè)備的一部分的仰視圖。圖2C與圖2B相類似并示意地示出流體供給系統(tǒng)的一個實(shí)施例的一部分。圖2D示出在曝光步驟期間的圖2A中示出的所述設(shè)備的所述部分。圖3示意地示出圖1中的所述設(shè)備的一部分的第二示例。圖4A示出熱交換器的一個實(shí)施例。圖4B是圖4A沿線IV-IV的橫截面。圖5示出熱交換器的一個實(shí)施例。圖6A示出熱交換器的一個實(shí)施例。圖6B示意地示出與圖2B類似的熱交換器的一個實(shí)施例的仰視圖。圖7示出熱交換器的一個實(shí)施例。圖8A示出流體流量隨時(shí)間(包括隨后的曝光序列和熱調(diào)節(jié)序列)變化的一個示 例圖；和圖8B示出與第一序列示例相關(guān)的流體儲存器內(nèi)的流體溫度的曲線圖。
具體實(shí)施例方式圖1示意地示出光刻設(shè)備的示例。所述設(shè)備包括照射系統(tǒng)(照射器)IL，其配置 用于調(diào)節(jié)輻射束B(例如，極紫外(EUV)輻射)；第一圖案形成結(jié)構(gòu)保持裝置(例如，掩模 臺)MT，其構(gòu)造用于保持(具體地，支撐)圖案形成結(jié)構(gòu)或裝置(例如掩模或掩模版)MA，并 且期望地與配置用于精確地定位圖案形成結(jié)構(gòu)MA的第一定位裝置PM相連；第一襯底保持 裝置(例如襯底臺或晶片臺)WT，其構(gòu)造用于保持襯底(例如涂覆有抗蝕劑的晶片)W，并期 望地與配置用于精確地定位襯底W的第二定位裝置PW相連；和投影系統(tǒng)(例如折射式投影 透鏡系統(tǒng))PS，其配置用于將由通過第一圖案形成結(jié)構(gòu)保持裝置MT保持的圖案形成結(jié)構(gòu)MA 賦予輻射束B的圖案投影到通過第一襯底保持裝置WT保持的襯底W的目標(biāo)部分C (例如包 括一根或多根管芯)上。例如，所述設(shè)備可以包括包含投影系統(tǒng)PS的投影光學(xué)系統(tǒng)箱。期望地，所述系統(tǒng)包括熱調(diào)節(jié)系統(tǒng)TCS (或熱調(diào)節(jié)裝置)，構(gòu)造并布置成熱調(diào)節(jié)至 少一個光學(xué)元件2，例如投影系統(tǒng)PS的元件2。下面描述熱調(diào)節(jié)系統(tǒng)TCS的非限定的示例 和其各個部分，如圖2-7所示。照射系統(tǒng)可以包括各種類型的光學(xué)部件，例如折射型、反射型、磁性型、電磁型、靜 電型或其它類型的光學(xué)部件、或其任意組合，以引導(dǎo)、成形、或控制輻射。所述第一圖案形成結(jié)構(gòu)保持裝置MT以依賴于圖案形成結(jié)構(gòu)的方向、光刻設(shè)備的 設(shè)計(jì)以及諸如圖案形成結(jié)構(gòu)是否保持在真空環(huán)境中等其他條件的方式保持圖案形成結(jié)構(gòu)。 所述支撐結(jié)構(gòu)可以采用機(jī)械的、真空的、靜電的或其它夾持技術(shù)保持圖案形成結(jié)構(gòu)。所述支 撐結(jié)構(gòu)可以是框架或臺，例如，其可以根據(jù)需要成為固定的或可移動的。所述支撐結(jié)構(gòu)可以 確保圖案形成結(jié)構(gòu)位于所需的位置上(例如相對于投影系統(tǒng))。這里所使用的術(shù)語“圖案形成結(jié)構(gòu)”應(yīng)該被廣義地理解為表示能夠用于將圖案在 輻射束的橫截面上賦予輻射束、以便在襯底的目標(biāo)部分上形成圖案的任何裝置。被賦予輻射束的圖案將與在目標(biāo)部分上形成的器件中的特定的功能層相對應(yīng)，例如集成電路。圖案形成結(jié)構(gòu)可以是透射式的或反射式的。圖案形成結(jié)構(gòu)的示例包括掩模、可編 程反射鏡陣列以及可編程液晶顯示(LCD)面板。掩模在光刻術(shù)中是公知的，并且包括諸如 二元掩模類型、交替型相移掩模類型、衰減型相移掩模類型和各種混合掩模類型之類的掩 模類型?？删幊谭瓷溏R陣列的示例采用小反射鏡的矩陣布置，每一個小反射鏡可以獨(dú)立地 傾斜，以便沿不同方向反射入射的輻射束。所述已傾斜的反射鏡將圖案賦予由所述反射鏡 矩陣反射的輻射束。這里使用的術(shù)語“投影系統(tǒng)”可以包括任意類型的投影系統(tǒng)，包括折射型、反射型、 反射折射型、磁性型、電磁型和靜電型光學(xué)系統(tǒng)、或其任意組合，如對于所使用的曝光輻射 所適合的、或?qū)τ谥T如使用浸沒液或使用真空之類的其他因素所適合的。希望對于極紫外 或電子束輻射的情形使用真空，因?yàn)槠渌臍怏w會吸收太多的輻射或電子。因此借助于真 空壁和真空泵可以為整個束路徑提供真空環(huán)境。如這里所示的，所述設(shè)備是反射型的(例如，采用反射式掩模)。替代地，所述設(shè)備 可以是透射型的(例如，采用透射式掩模)。光刻設(shè)備可以是具有兩個(雙臺)或更多襯底臺(和/或兩個或更多的掩模臺) 的類型。在這種“多臺”機(jī)器中，可以并行地使用附加的臺，或可以在一個或更多個臺上執(zhí) 行預(yù)備步驟的同時(shí)，將一個或更多個其它臺用于曝光。參照圖1，在操作期間，所述照射器IL接收從輻射源SO發(fā)出的輻射束。該源SO和 所述光刻設(shè)備可以是分立的實(shí)體(例如當(dāng)該源為準(zhǔn)分子激光器時(shí))。在這種情況下，不會將 該源SO看成形成光刻設(shè)備的一部分，并且通過包括例如合適的定向反射鏡和/或擴(kuò)束器的 束傳遞系統(tǒng)BD的幫助，將所述輻射束從所述源SO傳到所述照射器IL。在其它情況下，所 述源SO可以是所述光刻設(shè)備的組成部分(例如當(dāng)所述源SO是汞燈時(shí))?？梢詫⑺鲈碨O 和所述照射器IL、以及如果需要時(shí)設(shè)置的所述束傳遞系統(tǒng)BD —起稱作輻射系統(tǒng)。所述照射器IL可以包括用于調(diào)整所述輻射束的角強(qiáng)度分布的調(diào)整器AD。通常，可 以對所述照射器IL的光瞳平面中的強(qiáng)度分布的至少所述外部和/或內(nèi)部徑向范圍(一般 分別稱為σ-外部和ο-內(nèi)部)進(jìn)行調(diào)整。此外，所述照射器IL可以包括各種其它部件， 例如積分器IN和聚光器CO。可以將所述照射器IL用于調(diào)節(jié)所述輻射束，以在其橫截面中 具有所需的均勻性和強(qiáng)度分布。所述輻射束B入射到保持在相應(yīng)的第一保持裝置或支撐結(jié)構(gòu)(例如，掩模臺)MT 上的所述圖案形成結(jié)構(gòu)(例如，掩模)MA上，并且通過所述圖案形成結(jié)構(gòu)形成圖案。已經(jīng)由 圖案形成結(jié)構(gòu)(例如掩模)MA反射之后，所述輻射束B通過投影系統(tǒng)PS，所述投影系統(tǒng)將所 述束聚焦到(由相應(yīng)的保持裝置WT保持的)所述襯底W的目標(biāo)部分C上。通過第二定位 裝置PW和位置傳感器IF2(例如，干涉儀器件、線性編碼器或電容傳感器)的幫助，可以精 確地移動所述第一襯底保持裝置(例如襯底臺)WT，例如以便將不同的目標(biāo)部分C定位于所 述輻射束B的路徑中。類似地，可以將所述第一定位裝置PM和另一個位置傳感器IFl用于 相對于所述輻射束B的路徑精確地定位圖案形成結(jié)構(gòu)(例如掩模)MA?？梢允褂醚谀?zhǔn) 標(biāo)記Ml、M2和襯底對準(zhǔn)標(biāo)記PI、P2來對準(zhǔn)圖案形成結(jié)構(gòu)(例如掩模)MA和襯底W?？梢詫⑺镜脑O(shè)備用于以下模式中的至少一種中1.在步進(jìn)模式中，在將掩模版保持結(jié)構(gòu)(例如掩模臺)MT和第一襯底保持裝置WT保持為基本靜止的同時(shí)，將賦予所述輻射束的整個圖案一次投影到目標(biāo)部分C上(S卩，單一 的靜態(tài)曝光)。然后將所述襯底保持裝置WT沿X和/或Y方向移動，使得可以對不同目標(biāo) 部分C曝光。2.在掃描模式中，在對掩模保持結(jié)構(gòu)(例如掩模臺)MT和第一襯底保持裝置WT同 步地進(jìn)行掃描的同時(shí)，將賦予所述輻射束B的圖案投影到目標(biāo)部分C上(即，單一的動態(tài)曝 光)。襯底保持裝置WT相對于掩模保持裝置(例如掩模臺)MT的速度和方向可以通過所述 投影系統(tǒng)PS的(縮小)放大率和圖像反轉(zhuǎn)特征來確定。3.在另一個模式中，將用于保持可編程圖案形成結(jié)構(gòu)的掩模保持裝置(例如掩模 臺)MT保持為基本靜止，并且在對所述襯底保持裝置WT進(jìn)行移動或掃描的同時(shí)，將賦予所 述輻射束的圖案投影到目標(biāo)部分C上。在這種模式中，通常采用脈沖輻射源，并且在所述襯 底保持裝置WT的每一次移動之后、或在掃描期間的連續(xù)輻射脈沖之間，根據(jù)需要更新所述 可編程圖案形成結(jié)構(gòu)。這種操作模式可易于應(yīng)用于利用可編程圖案形成結(jié)構(gòu)(例如，如上 所述類型的可編程反射鏡陣列)的無掩模光刻術(shù)中。也可以附加地或可選地采用上述使用模式的組合和/或變體或完全不同的使用 模式。正如上面所述，根據(jù)本發(fā)明的還一個實(shí)施例，光刻設(shè)備包括用于熱調(diào)節(jié)投影系統(tǒng) PS的光學(xué)元件2中的至少一個的熱調(diào)節(jié)系統(tǒng)TCS。替換地，光刻設(shè)備的一個或多個其他光 學(xué)元件(例如照射器IL的一個或多個光學(xué)部件)可以通過系統(tǒng)TCS進(jìn)行熱調(diào)節(jié)。根據(jù)另一示例，熱調(diào)節(jié)系統(tǒng)TCS可以從一個或多個光學(xué)元件2 (例如投影系統(tǒng)元 件)去除熱量，所述熱量與在光刻期間光學(xué)元件2接收光刻輻射束B的至少一部分(并且 吸收所述輻射的一部分)有關(guān)。圖2-7中示出系統(tǒng)TCS的非限制的示例。熱調(diào)節(jié)系統(tǒng)TCS還可以應(yīng)用于不同于光 刻設(shè)備應(yīng)用的其他領(lǐng)域，例如應(yīng)用于光學(xué)系統(tǒng)、顯微鏡檢測法等。例如，在一個或多個光學(xué) 元件在其操作期間接收高熱負(fù)載的情況下可以應(yīng)用熱調(diào)節(jié)系統(tǒng)。通過系統(tǒng)TCS而將被熱調(diào)節(jié)的光學(xué)元件2可以是反射鏡、透鏡、衍射光柵、濾波器 元件或不同類型的光學(xué)元件。在下面的非限制的示例中，將描述用于調(diào)節(jié)一個或多個反射 鏡2的熱調(diào)節(jié)系統(tǒng)。如圖2A-2D所示，熱調(diào)節(jié)系統(tǒng)TCS的一個實(shí)施例可以包括至少一個熱交換器3，所 述至少一個熱交換器3配置成允許調(diào)節(jié)流體和相應(yīng)的光學(xué)元件2之間的熱交換。例如，光學(xué)元件2可以包括(例如，設(shè)置有、與…協(xié)作、包括或一體具有)熱交換器 3，熱交換器3允許用基本上靜止的熱調(diào)節(jié)流體進(jìn)行熱交換。熱交換器3可以以許多不同的方式配置。熱交換器3可以包括(即至少一個)熱 調(diào)節(jié)流體儲存器7，該熱調(diào)節(jié)流體儲存器7配置成保持(例如包含、接收)熱調(diào)節(jié)流體。期 望地，熱調(diào)節(jié)流體的熱容量高于lkJ/kgK(在20°C )。流體可以是液體。期望地，所述流體是水；水具有高的熱容量(在20V為4. 2kJ/ kgK)并且是便于熱傳輸介質(zhì)。同樣，流體儲存器7可以以多種方式配置。一些儲存器的示例在附圖中示出。例 如，儲存器7可以是相應(yīng)的部件或結(jié)構(gòu)的內(nèi)部空間，所述內(nèi)部空間可以接收并保持流體。通 過單個流體接收空間或通過多個分開的流體接收空間(例如彼此通過一個或多個流體阻擋件隔開)可以提供所述儲存器7。儲存器7設(shè)置有一個或多個流體入口以允許流體流入儲存器。儲存器7可以設(shè)置 有一個或多個流體出口以允許流體流出(例如流出或離開)儲存器。儲存器7可以具有不 同的形狀，例如相對地剝皮儲存器形狀(relatively flay reservoir shape)，其中儲存器 的一個正交尺寸比兩個另外的正交儲存器尺寸小至少十倍。儲存器可以是細(xì)長的儲存器 (例如，儲存器設(shè)置有一個或多個流體管道管)。此外，在特定的實(shí)施例中，儲存器7可以 具有矩形橫截面、圓形橫截面、橢圓形橫截面、其他橫截面形狀和/或這些橫截面形狀的結(jié)合。儲存器7還可以以不同的方式配置。在一個實(shí)施例中，熱交換器3與在操作期間支撐光學(xué)元件2的支撐結(jié)構(gòu)4是一體 的。每個支持結(jié)構(gòu)4可以連接至例如光刻設(shè)備的保持框架，例如剛性安裝結(jié)構(gòu)，例如投影系 統(tǒng)的投影光學(xué)元件箱的一部分。支撐結(jié)構(gòu)4可以用作熱交換器，以交換(由其支撐的)光學(xué)元件2和流體(具體 地，流體存在于所述支撐結(jié)構(gòu)中)之間的熱。支撐結(jié)構(gòu)4可以以不同的方式配置以支撐相應(yīng)的光學(xué)元件2。例如，光學(xué)元件2可 以使用粘結(jié)劑、和/或通過使用一個或多個連接器、和/或通過夾持裝置、和/或以不同的 方式固定至相應(yīng)的支撐結(jié)構(gòu)4。根據(jù)還一實(shí)施例，支撐結(jié)構(gòu)4和光學(xué)元件2是彼此一體的。例如，光學(xué)元件2可以 自支撐(見圖6A和6B)。此外，例如，熱交換器3同樣可以是(即設(shè)置為)光學(xué)元件2的一部分。類似地， 相應(yīng)的流體儲存器7同樣可以是光學(xué)元件2的(內(nèi)部)部分(見圖6A和6B)。熱調(diào)節(jié)系統(tǒng)TCS可以配置成提供光學(xué)元件2的均勻的熱調(diào)節(jié)。例如，根據(jù)一個實(shí) 施例，光學(xué)元件2的后表面和支撐結(jié)構(gòu)4的面對光學(xué)元件的后表面的支撐表面彼此連續(xù)地 接觸，使得可以通過支撐結(jié)構(gòu)4實(shí)現(xiàn)所述元件2的均勻的熱調(diào)節(jié)。期望地，同樣地，流體儲存器7的容積或體積與光學(xué)元件2的容積或體積相比是較 大的。例如，流體儲存器的容積或體積可以包括熱容積或體積、熱質(zhì)量或兩者。例如，在儲存器7是光學(xué)元件2的支撐結(jié)構(gòu)4的一部分的情形中，儲存器的體積 可以是相應(yīng)的光學(xué)元件2的總體積的至少50%，并且更具體地是大于光學(xué)元件的總體積的 75%。在集成在支撐結(jié)構(gòu)4中的儲存器7的體積大于相應(yīng)的光學(xué)元件2的體積的情況下， 例如是光學(xué)元件2體積的至少兩倍時(shí)，可以獲得好的結(jié)果。因此，在操作期間，支撐結(jié)構(gòu)4 可以在相應(yīng)的儲存器7中保持相對大體積的熱調(diào)節(jié)流體。根據(jù)另一個實(shí)施例，流體儲存器7的體積大于50ml。例如，流體儲存器的體積可以 是IOOml或更大。根據(jù)另一實(shí)施例，流體儲存器7配置成保持至少0. Ikg的調(diào)節(jié)流體的質(zhì)量。例如， 在調(diào)節(jié)流體是水的情形中，儲存器7可以保持至少0. Ikg的水；這樣的水的質(zhì)量在溫度升高 IOK的條件下可以吸收4200J的熱量，對應(yīng)在42秒期間吸收100瓦特。替換地，在流體儲存器7集成在光學(xué)元件2中的情形中(見圖6A和6B)，儲存器7 的形狀和尺寸可以形成為給相應(yīng)的元件2提供基本上均勻的熱調(diào)節(jié)；例如，光學(xué)元件2的總 體積的基本上一部分可以由儲存器7包圍。根據(jù)另一實(shí)施例，光學(xué)元件2的總體積的至少50%，并且更具體地至少80%被儲存器7包圍。因而，在操作期間，光學(xué)元件2可以在相應(yīng) 的儲存器7內(nèi)保持相對大的體積的熱調(diào)節(jié)流體。根據(jù)一個實(shí)施例，在儲存器7 (見圖6B)是光學(xué)元件2的一部分的情形中(例如在 儲存器7集成于光學(xué)元件2中的情形中)，光學(xué)元件2同樣可以配置成在(由支撐結(jié)構(gòu)4支 撐的)光學(xué)元件2和存在于流體儲存器7內(nèi)的流體之間提供相對高的熱傳導(dǎo)。在高熱傳導(dǎo) 率為至少0. 6W/Km，尤其是至少lW/Km，更優(yōu)選為至少50W/Km的情形中可以獲得好的結(jié)果。例如，光學(xué)元件2可以包括一種或多種具有高熱傳導(dǎo)率的材料(例如上述示例性 的值)，這種材料在操作期間給保持在元件2中的流體提供相對高的傳熱速率。例如，這種 材料可以是或包括合適的金屬或合金或陶瓷，例如硅(Si)、碳化硅(SiC)、SiSiC或A1N。根據(jù)一個實(shí)施例，支撐結(jié)構(gòu)4可以配置成在(由支撐結(jié)構(gòu)4支撐的)光學(xué)元件2 和所述支撐結(jié)構(gòu)的流體儲存器7中的流體之間提供相對高的熱傳導(dǎo)率。例如，所述支撐結(jié)構(gòu)可以包括一個或多個具有高熱傳導(dǎo)率的材料，這種材料在光 學(xué)元件2和流體儲存器之間延伸。例如，這材料可以是或包括合適的金屬或合金或陶瓷，例 如硅(Si)、碳化硅(SiC)、SiSiC 或 A1N。在高熱傳導(dǎo)率是至少0. 6ff/Km,尤其是至少lW/Km，以及更尤其是至少50W/Km的情 況下，可以獲得好的結(jié)果。流體儲存器7中的流體可以用作熱緩沖器。在操作期間，熱可以在流體和光學(xué)元 件2之間轉(zhuǎn)移，以將光學(xué)元件2保持在所期望的操作溫度或附近，或例如保持在想要的操作 溫度范圍內(nèi)。這里，支撐結(jié)構(gòu)4的至少一部分可以提供傳遞元件2和儲存器7內(nèi)的流體之 間的熱的傳熱結(jié)構(gòu)。期望地，儲存器7嵌入(即由一種結(jié)構(gòu)限定)具有前述的相對高的熱 傳導(dǎo)率的材料中。期望地，系統(tǒng)TCS配置成使得在儲存器7內(nèi)的流體壓力在操作期間是恒定的，并且 尤其是在包括用輻射B照射光學(xué)元件2的照射步驟期間是恒定的。在這種方式中，光學(xué)元 件2由于壓力變化的變形可以被阻止。在一個實(shí)施例中，熱調(diào)節(jié)系統(tǒng)TCS包括流體供給管道系統(tǒng)11用以供給流體到儲存 器7，和返回管道系統(tǒng)12用于從儲存器7排出流體(參見圖1和2A)。例如，儲存器7可 以設(shè)置有從供給管道系統(tǒng)11接收流體的一個或多個流體入口 11a，和一個或多個流體出口 12a以從儲存器7排出流體到返回管道系統(tǒng)12。每個管道系統(tǒng)11、12可以以多種方式配置， 包括例如一個或多個流體通道、歧管、閥門和/或其他流體傳輸器。在本實(shí)施例中，管道系統(tǒng)11、12可以設(shè)置有壓力保持裝置20，例如膨脹容器，配置 成將管道系統(tǒng)11、12(和儲存器7)內(nèi)的流體壓力保持在特定的操作壓力下。期望地(見上 文)，壓力保持裝置20可以操作以在流體儲存器7內(nèi)實(shí)現(xiàn)恒定的流體壓力。熱調(diào)節(jié)系統(tǒng)TCS可以包括一個或多個流體溫度控制器單元18 (流體溫度控制器)， 配置成控制調(diào)節(jié)流體的溫度。例如，溫度控制器單元18可以接收來自返回管道系統(tǒng)12的流 體，熱調(diào)節(jié)所接收的流體，將熱調(diào)節(jié)后的流體供給至供給管道系統(tǒng)11。為了這個目的，例如， 溫度控制器單元18可以設(shè)置有溫度傳感器、用以冷卻流體的冷卻裝置、熱交換器、珀?duì)栙N 元件系統(tǒng)、熱抽取器和/或其他用于控制流體溫度的部件。具體地，溫度控制器單元18配置 成調(diào)節(jié)流體的溫度，使得供給至供給管道系統(tǒng)11的流體的溫度具有預(yù)定的溫度TO。預(yù)定溫 度TO可以是例如低于30°C的溫度，例如在大約15-25°C范圍內(nèi)的溫度，例如大約20°C (例如 22°C )。溫度控制器單元18可以在操作期間將排出的流體的溫度保持基本上恒定。期望 地，供給至供給系統(tǒng)11中的流體的溫度被主動地控制，以保持在預(yù)定的恒定溫度(例如 22. OO0C +/-0. 005 0C )。所述系統(tǒng)可以包括流量控制器19，所述流量控制器19配置成控制調(diào)節(jié)流體的流 量。具體地，流量控制器19配置成控制流到(流出)每個熱調(diào)節(jié)流體儲存器7的調(diào)節(jié)流體 的流量。流量控制器19可以以多種方式配置。例如，流量控制器19可以設(shè)置有一個或多 個可選的流量傳感器，配置成檢測在系統(tǒng)的一個或多個部分內(nèi)的即時(shí)流量。在本實(shí)施例中 (見圖1和2A)，流量控制器19可以包括一個或多個可控制的流體泵，配置成循環(huán)流體(在 供給管道11、儲存器7、返回管道12和流體調(diào)節(jié)裝置18之間)，并且實(shí)現(xiàn)想要的流量。在圖 2A中箭頭F示出流體的循環(huán)。在一個實(shí)施例中，流量控制器19可以設(shè)置有一個或多個可控制的閥門以調(diào)節(jié)流 到和/或流過管道系統(tǒng)11、12的流體流。在這種情形中，流量控制器19可以調(diào)節(jié)一個或多 個閥門的操作狀態(tài)，以設(shè)定上述的第一和第二流量。此外，流量控制器19可以設(shè)置有一個或多個泵和一個或多個閥門的組合，泵和/ 或閥門是可控制的。正如上面所述，可以設(shè)置輻射源S0，配置成產(chǎn)生輻射，所述輻射在照射步驟期間 (例如將圖案從圖案形成裝置MA轉(zhuǎn)移到襯底W上)至少部分地照射光學(xué)元件?？梢栽O(shè)置源 控制器LC，配置成控制輻射源SO的操作。然后，期望地，輻射源SO的控制器LC和調(diào)節(jié)流體 流量控制器19可以配置成協(xié)同操作以依賴于源操作而設(shè)定流體流量。例如，在操作期間， 流量控制器19可以由源控制單元LC控制以將熱調(diào)節(jié)流體的流量調(diào)節(jié)(例如增大、減小) 為預(yù)定的流量。例如，在另一實(shí)施例中，流量控制器19可以與源控制單元LC相關(guān)聯(lián)，例如光刻設(shè) 備的另一控制單元LC。例如，流量控制器和源控制單元LC可以彼此一體；替換地，源控制 單元LC可以配置成控制流體流量控制器19的操作。源控制器單元LC可以是光刻設(shè)備的 一般控制系統(tǒng)(或其一部分)。流量控制器19 (例如與源控制單元LC協(xié)同工作)可以配置成在相應(yīng)的光學(xué)元件2 的空閑模式期間(見圖2A)提供第一流量，并且在光學(xué)元件2的輻射投影模式期間提供第 二流量(見圖2D)，其中第二流量低于第一流量。正如前面所述，期望地，(通過控制器19) 流量的設(shè)置依賴于輻射源SO的操作；為了這個目的，流量控制器19可以通過源控制單元 LC控制，正如本實(shí)施例中描述的。在一個實(shí)施例中，可以提供一個或多個輻射傳感器(未示 出)以檢測輻射，其中流量控制器19的操作依賴于一個或多個傳感器對輻射的檢測結(jié)果。例如，流量控制器19可以配置成實(shí)現(xiàn)在光學(xué)元件(見圖2A)的非照射步驟期間 將流體的流量提高到第一流量；和就在光學(xué)元件2的照射步驟(即至少一部分輻射束B照 射該元件2的步驟，見圖2D)之前的時(shí)刻(例如一秒或幾秒之前)將流體的流量減小為第 二流量。期望地，熱調(diào)節(jié)系統(tǒng)TCS配置成在管道系統(tǒng)11、12和儲存器7內(nèi)提供相對高的第 一流量，使得每個儲存器7內(nèi)的容納物可以迅速地更新。例如，熱調(diào)節(jié)系統(tǒng)可以配置成在操作期間提供第一流量以允許在60秒內(nèi)基本上完全補(bǔ)充每個儲存器7，尤其是在10秒內(nèi)，并 且更特別是在1秒內(nèi)。根據(jù)一個實(shí)施例，系統(tǒng)TSC可以實(shí)現(xiàn)在操作期間至少1升/分鐘的 第一流體流量，尤其是至少5升/分鐘的流量(例如6升/分鐘)。由流量控制器19設(shè)定的第二流體流量可以是使得不實(shí)現(xiàn)每個儲存器7的補(bǔ)充。例 如，第二流量可以小于1升/分鐘。具體地，第二流量是零。因此，流量控制器19可以配置 成在照射步驟期間將第二流體流量設(shè)定為零。例如，熱交換器可以配置成允許基本上靜止的調(diào)節(jié)流體(即具有基本上為零的流 量)和光學(xué)元件2之間的熱交換。同樣地，流體儲存器7可以以不同的方式配置，在附圖中示出一些示例。期望地， 儲存器7是光學(xué)元件2的支撐結(jié)構(gòu)4中的空的內(nèi)部空間7，或是在光學(xué)元件內(nèi)的內(nèi)部空間 7，其中空間7與一個或多個供給口 Ila和排出口 1 是流體連通的。圖2B示出一個實(shí)施例的橫截面，其中提供單個供給口 Ila和單個排出口 12a。替 換地(見圖2C)，可以提供多個供給口 Ila以允許儲存器7的迅速補(bǔ)充。類似地，可以提供 多個排出口 12b(如圖2C所述)。例如，供給口 Ila和排出口 12b可以彼此相對地設(shè)置。更 具體地，緊湊的結(jié)構(gòu)可以包括系統(tǒng)，其中通過儲存器7的(熱調(diào)節(jié)流體的)流體流動方向基 本上平行于光學(xué)元件2的輻射接收表面加。期望地，在操作期間，尤其在應(yīng)用第一流量的時(shí)候，在儲存器7內(nèi)能夠?qū)崿F(xiàn)基本上 層狀流體流動。例如，儲存器7可以包括層狀流動誘發(fā)器。儲存器7可以配置成抑制或減 少新供給的流體與已經(jīng)存在于儲存器7中的流體的混合。在一個實(shí)施例中，例如，儲存器7 可以容納多個平行的通道(見圖4)，其位于供給和排出段IlaUlb之間，所述通道可以配置 成抑制這種混合。圖2A、2B示出儲存器7的一個示例，其在相應(yīng)的光學(xué)元件2的后面延伸(即，與光 學(xué)元件的后表面相對，所述后表面與在操作期間接收輻射B的前表面加面對且彼此離開)。 例如，沿平行于元件2的輻射接收表面加測量時(shí)，儲存器7的橫截面可以與輻射接收表面 2a的尺寸相同或更大(沿相同方向測量)。Μ 圖1-2中的實(shí)施例的操作包括用于熱調(diào)節(jié)光學(xué)元件的方法，具體地?zé)嵴{(diào)節(jié)投影系 統(tǒng)PS的一個或多個光學(xué)元件2。所述方法包括提供多個照射步驟Q (見圖2D，和圖8Α、8Β)，包括用輻射B照射光學(xué) 元件2。在本實(shí)施例中，輻射B是用于將圖案轉(zhuǎn)移到襯底W的輻射束B (的一部分)。所述方法還包括提供多個步驟，其中光學(xué)元件2不用輻射照射(見圖2Α)，和提 供調(diào)節(jié)流體的流體流動以供給熱調(diào)節(jié)后的流體至儲存器(見圖2Α)。在這些非照射步驟 (Ni)的每一個期間，例如，熱調(diào)節(jié)系統(tǒng)可以用一定量的熱調(diào)節(jié)后的具有預(yù)定溫度TO的流體 供給熱交換器3的儲存器7，所述一定量足以將光學(xué)元件2的溫度保持在預(yù)定操作范圍內(nèi)。 此外，例如，所述步驟可以包括供給具有預(yù)定溫度TO的熱調(diào)節(jié)后的流體至儲存器，以將儲 存器7的所含流體熱調(diào)節(jié)至低于光學(xué)元件2的(想要的)最小閾值溫度以下的溫度。在照射步驟和非照射步驟NI期間(見圖2Α和圖2D，以及圖8的曲線)，在光學(xué)元 件和保持在調(diào)節(jié)流體儲存器內(nèi)的調(diào)節(jié)流體之間允許熱流動。熱流動可以包括通過經(jīng)由光學(xué) 元件2和支撐結(jié)構(gòu)4的在光學(xué)元件2和儲存器7之間延伸的一部分的傳導(dǎo)實(shí)現(xiàn)的熱流動。在儲存器7是光學(xué)元件2的一部分的情況下，自然地，通過傳導(dǎo)實(shí)現(xiàn)的至流體的熱流動可以 主要地通過光學(xué)元件2本身。熱流動可以包括保持在儲存器7內(nèi)的流體內(nèi)的熱流動。流量控制器19可以控制流體的流量，使得在照射步驟期間(通過儲存器7的)流 量比在非照射步驟NI期間的流體流量低，例如為零。因此期望地，儲存器7內(nèi)的流體在每 個照射步驟期間是基本上靜止的(相對于光學(xué)元件2的輻射接收表面加)。例如(如上所 述)，在操作期間，流量控制器19可以與源控制系統(tǒng)LC協(xié)同操作，例如以就在源SO被激活 之間的時(shí)刻停止流體流動(以實(shí)現(xiàn)第二流量)，并且當(dāng)源SO已經(jīng)不起作用時(shí)或之后啟動流 動(以實(shí)現(xiàn)第一流量)。圖8A示出隨后的照射步驟Q的時(shí)間序列的示例，和使用流量Rl的液體補(bǔ)充步驟。 儲存器7內(nèi)的流體的最終的溫度在圖8B的曲線中示出。由流體溫度調(diào)節(jié)裝置18提供的流 體的初始溫度由虛線TO示出。如圖后面所示，儲存器內(nèi)的溫度將在光學(xué)元件2的照射期間 升高，此時(shí)流體是基本上靜止的，但是在每個補(bǔ)充步驟期間可以迅速地返回至初始溫度TO。 此外，期望地，通過儲存器7的流體流動期望地在每個非照射步驟NI期間被連續(xù)地保持、以 提供相應(yīng)的光學(xué)元件2的熱調(diào)節(jié)。在這種方式中，可以使用調(diào)節(jié)流體，例如水，實(shí)現(xiàn)光學(xué)元件2的精確且均勻的熱調(diào) 節(jié)，其中元件2可以保持在想要的操作溫度或附近(例如在一個相對窄的溫度范圍內(nèi))，同 時(shí)在照射步驟期間接收相對大的熱負(fù)載。隨后，剩余的熱可以在非照射步驟(即儲存器補(bǔ) 充步驟)期間去除。可以以高精確度實(shí)現(xiàn)光學(xué)元件2的操作(其可以包括與入射輻射的特 定的相互作用，例如入射輻射B的至少一部分的反射，如圖2D所述)。具體地，通過在照射 步驟期間應(yīng)用靜止的熱調(diào)節(jié)流體(而不是流動的流體)，可以消除會削弱光學(xué)元件2的想要 的操作的流體流動誘發(fā)的振動。流體儲存器7內(nèi)的流體可以用作大的且有效的熱緩沖器，由此提供相對大的熱容 量以“吸收”熱(即從光學(xué)元件2排出熱)，尤其是在源SO激活而照射光學(xué)元件2期間。對 于每個照射步驟(在儲存器7的流體期望是靜止時(shí))和每個補(bǔ)充流體的步驟(例如在照射 步驟之前和/或之后)都是這樣的。當(dāng)源SO已經(jīng)不起作用時(shí)，例如在襯底W的襯底交換期間，或在另一中間時(shí)間段 (在隨后的光刻照射步驟之間)，已經(jīng)由于接收熱而升溫的儲存器流體可以基本上由新鮮 的、較冷的(由溫度控制單元18提供的具有例如上述溫度的)經(jīng)由供給管道系統(tǒng)11供給 的流體替換。例如，在本實(shí)施例中，升溫的儲存器流體可以經(jīng)由排出系統(tǒng)12供給至將要被 冷卻至想要的熱調(diào)節(jié)溫度的溫度控制單元18。在照射步驟期間流體的流量和非照射步驟期間流體的流量之間的差值是至少 100ml/s的情形中，可以實(shí)現(xiàn)好的結(jié)果。剛好在每個照射步驟之前的時(shí)刻，或剛好每個照射步驟之后的時(shí)刻，或剛好在每 個照射步驟之前和之后的時(shí)刻用新鮮的熱調(diào)節(jié)后的調(diào)節(jié)流體基本上補(bǔ)充儲存器7中的調(diào) 節(jié)流體。此外，正如上面所述，期望地，在每個照射步驟期間不補(bǔ)充儲存器7中的調(diào)節(jié)流體。在操作期間，可選的壓力保持裝置20可以與管道系統(tǒng)11、12連通(例如經(jīng)由返回 管道系統(tǒng)12，如圖所示)以將流體壓力保持在預(yù)定的壓力水平或附近，例如保持在預(yù)定的 流體壓力范圍內(nèi)。例如，壓力保持裝置20可以消除或抵消與流體溫度變化相關(guān)的流體的壓 力變化。
圖3-7示出調(diào)節(jié)系統(tǒng)的幾個其他示例。這些示例可以與圖1和/或2A-2D中的實(shí) 施例或其一部分結(jié)合，并且可以應(yīng)用于上述的方法中。圖3示出另一實(shí)施例，其與圖2A-2D中的實(shí)施例不同，其中提供多個光學(xué)元件2和 多個相應(yīng)的熱交換器3。期望地，熱交換器3相對于相應(yīng)的流體供給管道系統(tǒng)11、12平行地 布置。每個熱交換器3包括相應(yīng)的流體儲存器7。在這種方式中，所有的流體儲存器7中的 流體可以在流體補(bǔ)充步驟中迅速地補(bǔ)充。替換地，或附加地，多個熱交換器3可以相對于相 應(yīng)的流體供給管道系統(tǒng)11、12以串聯(lián)結(jié)構(gòu)布置。圖4A、4B示出所述系統(tǒng)的一部分的實(shí)施例，其與圖1-3中的實(shí)施例不同，其中熱交 換器3的儲存器107設(shè)置有多個流體通道107a。期望地，通道107a相對于所述系統(tǒng)的流體 入口 Ila和流體出口 1 平行地布置。例如，每個通道107可以具有多種橫截面，例如方形 (如圖4B所示)、矩形、圓形、六角形和/或不同的橫截面。圖5與圖1-4中的實(shí)施例不同，其中熱交換器3包括單個的細(xì)長的流體管道207， 其在入口 Ila和出口 lib之間延伸。所述管道207嵌入在具有高熱容量(例如高于IkJ/ kgK(在20°C))的管道嵌入材料中。例如，管道嵌入材料可以是固體。在操作期間，熱調(diào)節(jié) 系統(tǒng)TCS可以通過管道207供入具有相對低溫的流體以冷卻管道嵌入材料208。例如，經(jīng)由 入口 Ila供入管道207的流體的溫度可以低于將要進(jìn)行熱調(diào)節(jié)的相應(yīng)的光學(xué)元件2的想要 的操作溫度。在這種情形中，管道嵌入材料208可以用作熱緩沖器，吸收在操作期間來自光 學(xué)元件2的熱負(fù)載，其中過量的熱可以轉(zhuǎn)移至容納在管道207內(nèi)的低溫流體。此外，流體可 以在光學(xué)元件2的照射期間保持靜止，并且可以在照射步驟之前和之后進(jìn)行補(bǔ)充(用新鮮 的冷的流體補(bǔ)充)。例如，流體可以是溫度在0-20°C范圍的水，例如0-10°C。圖6A示出光學(xué)元件302的一個實(shí)施例(在該示例中具有反射表面30 以反射輻 射)。同樣，元件302包含上述的流體儲存器307。例如，元件302可以是自支撐元件302。 在光刻設(shè)備中，元件302可以使用合適的連接方法連接至保持構(gòu)件的框架(例如投影光學(xué) 系統(tǒng)箱的一部分)。光學(xué)元件302的一體的流體儲存器307可以以多種方式配置。期望地 (與前面的一樣)，流體儲存器307可以配置成保持至少0. Ikg質(zhì)量的調(diào)節(jié)流體。期望地， 光學(xué)元件302的總體積的主要部分可以由儲存器307包圍。根據(jù)一個實(shí)施例，光學(xué)元件302 的總體積的至少50%，更具體地至少80%由儲存器307包圍。圖6B示出一個示例，其中一 體的儲存器307是細(xì)長的流體管道307。儲存器307可以具有不同的其他結(jié)構(gòu)，例如與在圖 2A-2D和/或4中的實(shí)施例示出的儲存器示例結(jié)構(gòu)相同或類似的結(jié)構(gòu)或其他結(jié)構(gòu)。圖7示出另一非限制的示例，其與圖2A中示出的實(shí)施例不同，其中熱交換器包括 具有高傳熱系數(shù)的傳熱部件404h，在光學(xué)元件2和儲存器407之間延伸。傳熱部件404h可 以包括例如一個或多個熱管(本領(lǐng)域技術(shù)人員熟知的)，配置成在光學(xué)元件2和容納在儲存 器407內(nèi)的流體之間實(shí)現(xiàn)非常低的熱阻。替換地，傳熱部件404h同樣可以由具有比熱交換 器3的另一部分4 (例如熱交換器3的主體4，其主體保持或包括傳熱部件404h)高的傳熱 系數(shù)的材料或化合物形成。雖然本申請?jiān)斒隽斯饪淘O(shè)備在制造ICs中的應(yīng)用，應(yīng)該理解到，這里描述的光刻 設(shè)備可以有其他應(yīng)用，例如制造集成光學(xué)系統(tǒng)、磁疇存儲器的引導(dǎo)和檢測圖案、平板顯示 器、液晶顯示器(LCDs)、薄膜磁頭等。雖然上面具體參考本發(fā)明的實(shí)施例用于光學(xué)光刻的情形，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員將會認(rèn)識到本發(fā)明可以用于其他應(yīng)用，例如壓印光刻，并且在情況允許的情況下，不限于光學(xué) 光刻。這里使用的術(shù)語“輻射”和“束”包含全部類型的電磁輻射，包括紫外輻射(UV) (例如具有或約為365、355、M8、193、157或126nm的波長)和極紫外輻射(EUV)(例如具有 在5-20nm范圍的波長)，以及粒子束，例如離子束或電子束。盡管以上已經(jīng)描述了本發(fā)明的具體實(shí)施例，但應(yīng)該認(rèn)識到，本發(fā)明可以以與上述 不同的方式來實(shí)現(xiàn)。例如，本發(fā)明可以采用包含用于描述一種如上面公開的方法的一個或 更多個機(jī)器可讀指令序列的計(jì)算機(jī)程序的形式，或具有存儲其中的所述計(jì)算機(jī)程序的數(shù)據(jù) 存儲介質(zhì)(例如半導(dǎo)體存儲器、磁盤或光盤)的形式。上面描述的內(nèi)容是例證性的，而不是限定的。因而，應(yīng)該認(rèn)識到，本領(lǐng)域的技術(shù)人 員在不脫離以下所述權(quán)利要求的范圍的情況下，可以對上述本發(fā)明進(jìn)行修改。可以理解，在本申請中，術(shù)語“包括”和“包含”不排除其他元件和步驟。此外，術(shù) 語“一”或“一個”不排除多個。權(quán)利要求中的任何附圖標(biāo)記不應(yīng)解釋成限制權(quán)利要求的范圍。例如，根據(jù)本發(fā)明的方法可以包括在每個照射步驟期間應(yīng)用流體的流量比在每 個非照射步驟期間的流體流量低。替換地，例如，在一個或多個非照射步驟期間流體流量與照射步驟期間的流量可 以是相同的。用輻射照射光學(xué)元件可以以多種方式實(shí)現(xiàn)，并且可以例如依賴于產(chǎn)生相應(yīng)的輻射 的輻射源的操作和/或類型。例如，每個照射步驟可以包括僅一個照射時(shí)間段以用輻射照射光學(xué)元件(例如， 源SO操作以提供連續(xù)的、非間斷的輻射束B)。替換地，(例如每個)照射步驟同樣可以包括隨后的用以照射光學(xué)元件的照射時(shí) 間段的序列，和光學(xué)元件不被照射(例如，源SO操作以提供脈沖的輻射束B)的中間時(shí)間 段。
權(quán)利要求
1.一種用于熱調(diào)節(jié)光學(xué)元件的方法，所述方法包括步驟 用輻射照射光學(xué)元件；不用輻射照射所述光學(xué)元件；在所述光學(xué)元件和保持在調(diào)節(jié)流體儲存器內(nèi)的調(diào)節(jié)流體之間實(shí)現(xiàn)熱流動；和 提供所述調(diào)節(jié)流體的流體流動，以將熱調(diào)節(jié)后的流體供給至所述儲存器， 其中所述流體在所述光學(xué)元件的照射期間的流量低于所述光學(xué)元件不被照射時(shí)所述 流體的流量，其中所述流體流量能夠在照射期間基本上為零。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中照射期間的流體流量和光學(xué)元件不被照射時(shí)流體 的流量之間的差值是至少100ml/S。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在剛好照射之前的時(shí)刻、或剛好照射之后的時(shí)刻、 或在照射之前和之后的時(shí)刻用新鮮的熱調(diào)節(jié)后的調(diào)節(jié)流體基本上補(bǔ)充儲存器內(nèi)的調(diào)節(jié)流 體。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在照射期間不補(bǔ)充儲存器內(nèi)的調(diào)節(jié)流體。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括提供具有預(yù)定溫度的熱調(diào)節(jié)后的流體至儲存 器，以將儲存器內(nèi)的容裝物熱調(diào)節(jié)至光學(xué)元件的最小閾值溫度以下的溫度。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述光學(xué)元件是光刻設(shè)備的一部分，其中所述輻 射是用于將圖案轉(zhuǎn)移至襯底的輻射束。
7.一種光刻投影方法，包括使用光學(xué)元件將圖案從圖案形成結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移到襯底上的步驟；和 熱調(diào)節(jié)所述光學(xué)元件的步驟，所述調(diào)節(jié)步驟包括 用輻射照射光學(xué)元件的步驟； 不用輻射照射所述光學(xué)元件的步驟；在所述光學(xué)元件和保持在調(diào)節(jié)流體儲存器內(nèi)的調(diào)節(jié)流體之間實(shí)現(xiàn)熱流動；和 提供所述調(diào)節(jié)流體的流體流動，以提供熱調(diào)節(jié)后的流體至所述儲存器， 其中所述流體在所述光學(xué)元件的照射期間的流量低于所述光學(xué)元件不被照射時(shí)所述 流體的流量。
8.一種熱調(diào)節(jié)系統(tǒng)，構(gòu)造并布置成熱調(diào)節(jié)光學(xué)元件，所述系統(tǒng)包括 熱交換器，配置成在調(diào)節(jié)流體和所述光學(xué)元件之間實(shí)現(xiàn)熱交換，流體流量控制器，配置成控制調(diào)節(jié)流體的流量，所述流量控制器配置成在光學(xué)元件的 非照射期間將流體的流量增大為第一流量，和/或在所述光學(xué)元件的照射之前將流體的流 量減小為第二流量。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，還包括輻射源，配置成產(chǎn)生在照射期間至少部分地照射光學(xué)元件的輻射；和 控制器，配置成控制所述輻射源的操作，其中輻射源的控制器和流體流量控制器配置 成基于輻射源的操作設(shè)定流體流量，其中所述流量控制器能夠配置成在照射期間將第二流 體流量設(shè)定為零。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其中所述熱交換器包括熱緩沖器，所述熱緩沖器包括 保持在熱調(diào)節(jié)流體儲存器內(nèi)的流體。
11.一種光刻設(shè)備，配置成將圖案從圖案形成結(jié)構(gòu)轉(zhuǎn)移至襯底上，所述設(shè)備包括投影系統(tǒng)，配置成將賦予輻射束的圖案投影到襯底的目標(biāo)部分上，所述投影系統(tǒng)包括 多個光學(xué)元件；和熱調(diào)節(jié)系統(tǒng)，配置成熱調(diào)節(jié)投影系統(tǒng)的光學(xué)元件中的至少一個，所述熱調(diào)節(jié)系統(tǒng)包括 熱交換器，配置成在調(diào)節(jié)流體和所述光學(xué)元件之間實(shí)現(xiàn)熱交換， 流量控制器，配置成控制調(diào)節(jié)流體的流量，并配置成在光學(xué)元件的空閑模式期間提供 第一流量，和在所述光學(xué)元件的輻射投影模式期間提供第二流量，其中所述第二流量低于 所述第一流量，其中所述第二流量能夠是零。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的設(shè)備，還包括多個熱交換器，配置成在調(diào)節(jié)流體和多個光 學(xué)元件之間實(shí)現(xiàn)熱交換，其中所述熱交換器相對于相應(yīng)的流體供給管道系統(tǒng)平行地布置。
13.一種光學(xué)元件，包括熱交換器，所述熱交換器配置成用基本上靜止的熱調(diào)節(jié)流體交換熱量。
14.一種熱交換器，配置成在基本上靜止的調(diào)節(jié)流體和光學(xué)元件之間實(shí)現(xiàn)熱交換。
15.一種用于熱調(diào)節(jié)光學(xué)元件的方法，所述方法包括步驟 用輻射照射光學(xué)元件；在所述光學(xué)元件和保持在調(diào)節(jié)流體儲存器內(nèi)的調(diào)節(jié)流體之間流動熱；和 以某一流量供給熱調(diào)節(jié)后的流體至所述儲存器，其中在照射期間所述流體的流量低于所述光學(xué)元件不被輻射照射時(shí)流體的流量， 其中所述流體流量在照射期間能夠大致為零。
全文摘要
提供一種用于熱調(diào)節(jié)光學(xué)元件的方法，所述方法包括用輻射照射光學(xué)元件的步驟；不用輻射照射所述光學(xué)元件的步驟；在所述光學(xué)元件和保持在調(diào)節(jié)流體儲存器內(nèi)的調(diào)節(jié)流體之間實(shí)現(xiàn)熱流動；和提供所述調(diào)節(jié)流體的流體流動，以提供熱調(diào)節(jié)后的流體至所述儲存器。所述流體在所述光學(xué)元件的照射期間的流量低于所述光學(xué)元件不被照射時(shí)所述流體的流量。
文檔編號G03F7/20GK102057332SQ200980121967
公開日2011年5月11日 申請日期2009年5月20日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月10日
發(fā)明者A·萊克斯蒙德, B·伯特斯, E·尼埃烏庫普, F·詹森, H·維爾蘇伊斯, M·姆伊特詹斯, M·德克魯恩, M·萊蒙, P·斯加里曼, R·施密特茲, R·沃思魯伊斯, R·范德格拉夫, T·范埃姆派爾, W·范海爾登, 程倫 申請人:Asml荷蘭有限公司