專利名稱：光學(xué)元件的成形方法及成形裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是關(guān)于一種通過(guò)對(duì)玻璃透鏡(glass lens)等的光學(xué)元件一邊加熱一邊成 形而制造(成形)光學(xué)元件的方法及裝置。
背景技術(shù)：
以往已有提出有一種光學(xué)元件的成形方法，在將光學(xué)元件成形為各種形狀時(shí)，對(duì) 光學(xué)元件在載置于輸送盤上的狀態(tài)下進(jìn)行加熱以使其軟化后，將該光學(xué)元件以載置于輸送 盤的狀態(tài)直接地輸送至成形室，并利用上下一對(duì)成形模來(lái)擠壓光學(xué)元件而成形。參照例如 專利文獻(xiàn)1。專利文獻(xiàn)1 日本特開(kāi)平7-267657號(hào)公報(bào)(段落
、
欄，圖1)

發(fā)明內(nèi)容
然而，該方法中，在成形光學(xué)元件之前，為了使光學(xué)元件的溫度上升至玻璃轉(zhuǎn)變點(diǎn) Tg (例如，約500 600°C)附近，有必要設(shè)立對(duì)光學(xué)元件進(jìn)行預(yù)備加熱的元件預(yù)熱步驟。在 該元件預(yù)熱步驟中，從一方面要避免因光學(xué)元件各部位的溫度不均而導(dǎo)致光學(xué)元件破裂的 事態(tài)、一方面要盡量縮短光學(xué)元件預(yù)備加熱所需的時(shí)間的觀點(diǎn)考量，強(qiáng)烈要求能使光學(xué)元 件整體均勻升溫的方法。另外，該方法中，在加熱光學(xué)元件的同時(shí)必須加熱輸送盤，故需要與輸送盤相應(yīng)的 多余的熱能，因而有節(jié)能性差的問(wèn)題。因此，有采用使用既定的輸送裝置代替輸送盤來(lái)輸送光學(xué)元件的方法的考量。在 采用該方法的情況下，在使用輸送裝置將光學(xué)元件搬入成形室中或?qū)⒐鈱W(xué)元件從成形室搬 出時(shí)，由于該光學(xué)元件為高溫(例如約500°C )，故而存在因與輸送裝置的溫度差而導(dǎo)致光 學(xué)元件破裂之虞。另外，在使用該方法成形光學(xué)元件之后，為了使光學(xué)元件的溫度下降至常溫(室 溫)，有必要設(shè)立對(duì)光學(xué)元件進(jìn)行冷卻的冷卻步驟。在該冷卻步驟中，可考量采用以既定冷 卻支撐構(gòu)件來(lái)支撐并冷卻光學(xué)元件的方法。在采用該方法的情況下，當(dāng)光學(xué)元件被冷卻支 撐構(gòu)件支撐時(shí)，該光學(xué)元件仍維持高溫，故而存在因與冷卻支撐構(gòu)件的溫度差而導(dǎo)致光學(xué) 元件破裂之虞。此外，當(dāng)光學(xué)元件被冷卻支撐構(gòu)件支撐后，若兩者的溫度差過(guò)大，則亦存在 光學(xué)元件破裂之虞。另外，作為與上述方法不同的其他的方法，提出如下的技術(shù)如圖18所示，對(duì)具備 上成形模12及下成形模13的元件成形部11供給光學(xué)元件W本身(亦即，并不帶有輸送 盤)，在該元件成形部11中，對(duì)光學(xué)元件W實(shí)施預(yù)熱、加熱、加壓、徐冷、冷卻等一連串的步 驟。參照例如專利文獻(xiàn)2。專利文獻(xiàn)2 日本特開(kāi)2005-22879號(hào)公報(bào)(特別記載于段落W025] W033]欄， 圖1)在日本特開(kāi)2005-22879號(hào)所記載的方法中，從預(yù)熱至冷卻為止的全部制造步驟在元件成形部11中進(jìn)行，故而在一個(gè)光學(xué)元件W的制造步驟結(jié)束之前無(wú)法開(kāi)始下一個(gè)光學(xué) 元件W的制造步驟，因此，作業(yè)時(shí)間(tact time)的縮短自然會(huì)受到限制，從而不大能提高 光學(xué)元件的生產(chǎn)率。在日本特開(kāi)昭61-26528號(hào)公報(bào)(專利文獻(xiàn)3)中，公開(kāi)有一種可高速且連續(xù)地制 造壓制透鏡的裝置。該裝置具有玻璃預(yù)型體的取入室、預(yù)備加熱室、加熱室、壓制室、徐冷 室、急冷室及取出室。玻璃預(yù)型體與模及保持具一并通過(guò)輸送帶輸送至各室。因此，玻璃預(yù) 型體在與模一并冷卻后、在取出室中從模取出。另外，該文獻(xiàn)的實(shí)施例3中還公開(kāi)有一種具 備托盤的裝置，該托盤用以使多個(gè)玻璃預(yù)型體以放入到模具中的狀態(tài)就此作業(yè)旋轉(zhuǎn)，但該 裝置必須具有玻璃預(yù)型體的數(shù)量的模。專利文獻(xiàn)3 日本特開(kāi)昭61-26528號(hào)公報(bào)本發(fā)明鑒于上述情形，提供一種光學(xué)元件的成形裝置及制造方法，在連續(xù)制造許 多個(gè)光學(xué)元件時(shí)，可使節(jié)能性優(yōu)異，且可縮短作業(yè)時(shí)間，提高光學(xué)元件的生產(chǎn)率。本發(fā)明的 另一目的在于提供一種具備光學(xué)元件的輸送裝置的成形裝置及制造方法，在光學(xué)元件的成 形過(guò)程中可防止輸送光學(xué)元件時(shí)光學(xué)元件破裂。另外，本發(fā)明的附屬目的在于提供一種具 備光學(xué)元件的加熱裝置的成形裝置及制造方法，在對(duì)光學(xué)元件進(jìn)行預(yù)備加熱時(shí)可使光學(xué)元 件整體均勻地升溫。本發(fā)明的另一附屬目的在于提供一種具備光學(xué)元件的冷卻裝置的成形 裝置及制造方法，可防止冷卻光學(xué)元件時(shí)光學(xué)元件破裂。根據(jù)本發(fā)明的第1方式，提供一種光學(xué)元件的成形方法，依序成形多個(gè)光學(xué)元件， 其包含在元件加熱部對(duì)光學(xué)元件進(jìn)行預(yù)備加熱的動(dòng)作(S2，S4)；將預(yù)備加熱后的光學(xué)元 件從上述元件加熱部輸送至成形模的動(dòng)作(S5)；在該成形模中，將該光學(xué)元件一邊加熱至 較玻璃轉(zhuǎn)變點(diǎn)高的溫度、一邊進(jìn)行成形的動(dòng)作(S6)；將已成形的光學(xué)元件在較玻璃轉(zhuǎn)變點(diǎn) 低且400°C以上的溫度下從成形模取出的動(dòng)作(S6‘)；將從成形模取出的光學(xué)元件，通過(guò)加 熱至較該光學(xué)元件溫度低不到200°C的溫度的構(gòu)件加以把持輸送至冷卻部的動(dòng)作(S7)；以 及在該冷卻部冷卻該光學(xué)元件的動(dòng)作(S8，S10)。在將多個(gè)光學(xué)元件依序成形時(shí)，使用將預(yù)備加熱裝置、成形模及冷卻器串行排列 的成形系統(tǒng)。在該系統(tǒng)的成形模內(nèi)使光學(xué)元件自然冷卻后的光學(xué)元件的溫度由圖7的虛擬 線CM所表示。根據(jù)虛擬線CM可知，若使光學(xué)元件在成形模內(nèi)自然冷卻，則直至收容有光學(xué) 元件的成形模冷卻至既定的溫度為止需要相當(dāng)長(zhǎng)的待機(jī)時(shí)間。如此，在使用上述成形系統(tǒng) 進(jìn)行制造時(shí)，在成形模中的處理時(shí)間會(huì)限制整個(gè)光學(xué)元件的制造過(guò)程的速度。另一方面，雖 也考慮將每一個(gè)模具強(qiáng)制冷卻，但由于模具的熱容量大，故冷卻時(shí)需要較多能量。另外，必 須具有與光學(xué)元件的數(shù)量相同的模具，因而成本變高，維護(hù)方面亦耗時(shí)耗財(cái)。本發(fā)明中，為了縮短一個(gè)光學(xué)元件的成形所需的時(shí)間，而將成形模內(nèi)經(jīng)加熱及成 形后的光學(xué)元件在較光學(xué)元件的玻璃轉(zhuǎn)變點(diǎn)低且較400°C高的溫度下從成形模取出(高溫 釋放)。為了防止在從成形模取出時(shí)或取出后元件的變形等，必須使取出溫度低于玻璃轉(zhuǎn) 變點(diǎn)。另外，若元件的溫度過(guò)低，則根據(jù)圖7的虛擬線CM可知，無(wú)法縮短光學(xué)元件的過(guò)程時(shí) 間，因此本發(fā)明中將400°C作為下限。由此而知，可將較為耗時(shí)的成形步驟縮短為與預(yù)備加 熱步驟及冷卻步驟相同程度的時(shí)間。為了將400°C以上的較高溫的光學(xué)元件從模取出并輸 送至冷卻部而使用耐熱性的輸送構(gòu)件。然而，通過(guò)本發(fā)明者的實(shí)驗(yàn)可知，若上述輸送構(gòu)件度 與被輸送的光學(xué)元件之間具有超出200°C的溫度差，則光學(xué)元件會(huì)產(chǎn)生畸變或龜裂。因此，在本發(fā)明中，為了既防止上述光學(xué)元件產(chǎn)生缺陷又實(shí)現(xiàn)高溫釋放，利用已加熱至較從成形 模取出的光學(xué)元件的溫度低不到200°C的溫度的構(gòu)件把持該光學(xué)元件并輸送至冷卻部。根據(jù)本發(fā)明的第2方式，提供一種成形裝置(1)，將光學(xué)元件成形，其具備成型 部(11)，將光學(xué)元件(W) —邊加熱至較玻璃轉(zhuǎn)變點(diǎn)(Tg)高的溫度、一邊進(jìn)行成形；冷卻部 (19，20)，將已在成型部(11)成形的光學(xué)元件(W)冷卻；輸送部(41)，具有把持光學(xué)元件的 把持部(23)，在光學(xué)元件的溫度較該玻璃轉(zhuǎn)變點(diǎn)低且為400°C以上的溫度下，通過(guò)把持部 (23)把持該光學(xué)元件并從成型部(11)取出而輸送至該冷卻部；以及加熱部(25)，將該把持 部(23)加熱至較從成型部(11)取出的光學(xué)元件(W)的溫度低不到200°C的溫度。在上述說(shuō)明中，為了易于理解地說(shuō)明本發(fā)明，對(duì)發(fā)明的構(gòu)成要素附以實(shí)施方式中 所使用的圖式符號(hào)，但各構(gòu)成要素并非限定于附有這些符號(hào)的具體物。根據(jù)本發(fā)明，在成形步驟之后，將光學(xué)元件在400°C以上的高溫下從模取出并冷 卻，因此可縮短冷卻時(shí)間而高效率地實(shí)施多個(gè)光學(xué)元件的連續(xù)制造過(guò)程。另外，可有效防止 伴隨上述高溫釋放而產(chǎn)生的光學(xué)元件破裂等的缺陷。


圖1是表示本發(fā)明實(shí)施方式1的組裝有光學(xué)元件的輸送裝置的光學(xué)元件的成形裝 置的俯視圖。圖2是圖1所示的光學(xué)元件的成形裝置的II-II線的剖面圖。圖3是本發(fā)明實(shí)施方式1的成形裝置的透視圖。圖4是表示由圖3所示的吸附墊支撐光學(xué)元件的支撐狀態(tài)的剖面圖。圖5是表示圖3所示的吸附墊的加熱方法的剖面圖。圖6是表示由圖1所示的光學(xué)元件的成形裝置制造光學(xué)元件的制造方法的示意 圖。圖7是表示由圖1所示的光學(xué)元件的成形裝置制造光學(xué)元件的制造方法中的溫度 循環(huán)的時(shí)序圖。圖8是表示圖2所示的光學(xué)元件的成形裝置的輔助臂附近的圖，其中(a)為其主 視圖，(b)為其右側(cè)視圖。圖9(a) (d)是表示由圖8所示的輔助臂來(lái)交接光學(xué)元件的交接方法的示意圖。圖10是本發(fā)明實(shí)施方式1的成形裝置所使用的吸附墊的立體圖。圖11是表示本發(fā)明實(shí)施方式1的成形裝置所使用的加熱裝置的剖面圖。圖12是表示本發(fā)明實(shí)施方式1的成形裝置所使用的冷卻裝置的立體圖。圖13是表示本發(fā)明實(shí)施方式1的成形裝置所使用的冷卻裝置的概念圖。圖14是表示本發(fā)明實(shí)施方式2的成形裝置所使用的光學(xué)元件的輸送裝置的立體 圖。圖15是圖14所示的光學(xué)元件的輸送裝置的垂直剖面圖。圖16是表示本發(fā)明實(shí)施方式2的成形裝置所使用的加熱裝置的剖面圖。圖17是表示本發(fā)明實(shí)施方式1的成形方法的步驟的流程圖。圖18是表示以往光學(xué)元件的制造方法的示意圖。主要元件符號(hào)說(shuō)明
6
45加熱器
49溫度傳感器
51加熱器電力供給部
52序列控制器
53馬達(dá)控制部
55馬達(dá)
56開(kāi)/關(guān)閥
57通氣管
58溫度控制部(溫度控制機(jī)構(gòu))
59滾珠螺桿
60元件把持具(元件輸送構(gòu)件)
61把持片
61a元件抵接部位
141輸送裝置(元件輸送機(jī)構(gòu))
241載置臺(tái)
W光學(xué)元件
具體實(shí)施例方式以下，對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。[發(fā)明的實(shí)施方式1]使用圖1 圖13說(shuō)明實(shí)施方式1的光學(xué)元件的成形裝置。如圖3的透視圖所示， 成形裝置1中，在機(jī)體框2上劃分設(shè)置有成形室3、真空室5及工件貯藏室9。在之后的說(shuō) 明中，以圖1及圖3所示的X、Y及Z方向來(lái)表示成形裝置1的朝向。成形室3內(nèi)由氮凈化 后成為氮環(huán)境。加載互鎖室等的真空室5設(shè)置成與成形室3相鄰接。在成形室3與真空室 5之間開(kāi)閉自如地設(shè)置有滑動(dòng)門6。進(jìn)而，工件貯藏室9包圍真空室5，在真空室5與工件貯 藏室9之間開(kāi)閉自如地設(shè)置有滑動(dòng)門7。如圖1 圖3所示，在成形室3設(shè)置有元件成形部11，且如圖2及圖6所示，元件 成形部11具備上成形模12、下成形模13、石英管14及成形加熱器15。上成形模12相對(duì)于 成形室3而固定，下成形模13在上成形模12的下方相對(duì)于上成形模12在Z軸方向(圖2 中箭頭C、D方向)升降自如地被支撐。另外，如圖6所示，在上成形模12周圍設(shè)置有石英 管14，石英管14內(nèi)因與成形室3內(nèi)相連通而成為被氮所凈化的狀態(tài)。進(jìn)而，在石英管14周 圍設(shè)置有成形加熱器15。作為該成形加熱器15，可使用例如紅外線加熱器。此外，作為上 成形模12、下成形模13，可使用例如模具。該模具的材料可使用表面實(shí)施有貴金屬涂敷的 陶瓷、貴金屬、碳化硅、碳化鎢等。另外，如圖1 圖3所示，在成形室3內(nèi)，在元件成形部11的后方(圖2右方)設(shè) 置有第1元件預(yù)熱部(第1加熱區(qū)域)16，且在元件成形部11的前方(圖2左方)設(shè)置有 第2元件預(yù)熱部(第2加熱區(qū)域)17。此處，如圖1所示，第1元件預(yù)熱部16具有第1加熱 器16a，第2元件預(yù)熱部17具有第2加熱器17a。并且，第2加熱器17a的加熱溫度設(shè)定為 高于第1加熱器16a的加熱溫度。作為第1加熱器16a及第2加熱器17a，優(yōu)選為能以避免因光學(xué)元件W的部位而產(chǎn)生溫度不均的方式進(jìn)行加熱的加熱器。例如，可使用一種在加 熱用載置臺(tái)上載置有光學(xué)元件W的狀態(tài)下通過(guò)放射熱(輻射熱)而加熱光學(xué)元件W的加熱 器。此處，一邊參照?qǐng)D11，一邊對(duì)第2元件預(yù)熱部17加以說(shuō)明。如圖11所示，在第2元件預(yù)熱部17中設(shè)置有加熱裝置41，加熱裝置41由工作臺(tái) 47、短圓筒狀的加熱載置臺(tái)42、圓筒狀的壁體46、石英管48、圓筒狀的紅外線加熱器(加熱 機(jī)構(gòu))43及熱電偶49所構(gòu)成。如圖11所示，在工作臺(tái)47上側(cè)，搭載有由不銹鋼SUS304等的金屬所形成的加熱 載置臺(tái)42。在加熱載置臺(tái)42的上面，設(shè)置有與光學(xué)元件W的下面形狀相對(duì)應(yīng)的球面狀、即 凹狀的散熱面42a。在散熱面42a的上方劃分出光學(xué)元件W的載置預(yù)定區(qū)域Si。進(jìn)而，在 該載置預(yù)定區(qū)域Sl與散熱面42a之間形成有散熱空間S2，該散熱空間S2在散熱方向(與 散熱面42a垂直的方向)的尺寸Ll為5mm以下。另外，在散熱面42a，以自下側(cè)接觸于光學(xué) 元件W的載置預(yù)定區(qū)域Sl的形態(tài)，呈圓環(huán)狀地立設(shè)有抵接于光學(xué)元件W的有效直徑的外側(cè) 部位(例如從光學(xué)元件W的載置預(yù)定區(qū)域Sl的外周緣起的5mm以內(nèi)的內(nèi)側(cè))而進(jìn)行支撐 的支撐凸部42b。該支撐凸部42b位于從光學(xué)元件W的載置預(yù)定區(qū)域Sl的外周緣起的半徑 方向5mm以內(nèi)的內(nèi)側(cè)。再者，在加熱載置臺(tái)42的底部，埋設(shè)有用以測(cè)定加熱載置臺(tái)42的溫 度的熱電偶49。另外，如圖11所示，在工作臺(tái)47上側(cè)，以在加熱載置臺(tái)42的周圍將加熱載置臺(tái)42 擠壓并固定的方式立設(shè)有壁體46，該壁體46的高度Hl與光學(xué)元件W的載置預(yù)定區(qū)域Sl的 上端為相同高度。壁體46由碳化鎢(WC)、碳化硅(SiC)等的金屬碳化物形成而獲得。另外，如圖11所示，在壁體46的周圍設(shè)置有石英管48，石英管48內(nèi)成為被氮凈化 的狀態(tài)。進(jìn)而，在石英管48的周圍設(shè)置有紅外線加熱器43，石英管48與紅外線加熱器43 之間的空間對(duì)大氣開(kāi)放。此外，紅外線加熱器43具備將加熱載置臺(tái)42加熱至較光學(xué)元件 W的溫度高的能力。如圖1 圖3所示，在成形室3中，在第1元件預(yù)熱部16的后方(+X側(cè)輸送方 向上游側(cè))設(shè)置有第1元件冷卻部19，在第1元件冷卻部19的后方(+X側(cè)輸送方向上游 側(cè))設(shè)置有第2元件冷卻部20。此處，如圖1所示，第1元件冷卻部19具有第1散熱裝置 19a,第2元件冷卻部20具有第2散熱裝置20a。并且，第2散熱裝置20a的冷卻溫度設(shè)定 為低于第1散熱裝置19a的冷卻溫度。作為第1散熱裝置19a及第2散熱裝置20a，優(yōu)選能以避免因光學(xué)元件W的部位而 產(chǎn)生溫度不均的方式進(jìn)行冷卻。例如，可使用一種在以等角度間隔配置于圓周上的3個(gè)支 撐片來(lái)支撐光學(xué)元件W的狀態(tài)下使光學(xué)元件W自然放冷的散熱裝置。另外，亦可使用使風(fēng) 扇旋轉(zhuǎn)來(lái)強(qiáng)制冷卻光學(xué)元件W的散熱裝置、或者噴射常溫的氮?dú)鈦?lái)強(qiáng)制冷卻光學(xué)元件W的 散熱裝置。以下，對(duì)第1元件冷卻部19的具體例加以說(shuō)明。如圖13所示，在第1元件冷卻部 19中設(shè)置有冷卻裝置40，冷卻裝置40由冷卻支撐構(gòu)件44、加熱器電力供給部51、序列控制 器52及控制部35所構(gòu)成。冷卻支撐構(gòu)件44具有由鋁等的金屬所形成的平板狀的載置臺(tái) 241，在載置臺(tái)241上，以等角度間隔(亦即，120°間隔)在圓周上配置有3個(gè)支撐片42。 各支撐片42分別由金屬(例如，不銹鋼SUS304)制的爪43、用以對(duì)該爪43進(jìn)行加熱的電氣 式加熱器45、及隔熱構(gòu)件46所構(gòu)成。此處，爪43載置在加熱器45的上側(cè)，加熱器45經(jīng)由隔熱構(gòu)件46而安裝在載置臺(tái)241的上側(cè)。并且，如圖4所示，在3個(gè)支撐片42的加熱器45 連接有加熱器電力供給部51，在加熱器電力供給部51連接有序列控制器52。進(jìn)而，在該序 列控制器52連接有控制部35。另外，對(duì)于3個(gè)支撐片42的爪43而言，其全部熱容量可與 光學(xué)元件W的熱容量為相同程度。此外，作為加熱器45，從能以短時(shí)間加熱爪43的觀點(diǎn)考慮，熱容量較小者較為理 想，可采用例如股份有限公司MISUMI制造的小型陶瓷加熱器MMCPH-20-10等。又，作為隔 熱構(gòu)件46，則能盡量抑制從加熱器45向載置臺(tái)241傳遞熱量者較為理想，可采用例如聚酰 亞胺樹(shù)脂(例如，杜邦股份有限公司制造的“VESPEL(注冊(cè)商標(biāo))”、日本P0LYPENC0股份有 限公司制造的“PBI (注冊(cè)商標(biāo))”、及NARASAKI產(chǎn)業(yè)股份有限公司制造的“UPIM0L (注冊(cè)商 標(biāo))，，)等。另外，如圖1 圖3所示，具有第2散熱裝置20a的第2元件冷卻部20具有由鋁 等的金屬所形成的工作臺(tái)47，該工作臺(tái)47與第1元件冷卻部19的載置臺(tái)241形成為一體。作為第2散熱裝置20a，與第1散熱裝置19a同樣地優(yōu)選為，能以避免因光學(xué)元件 W的部位而產(chǎn)生溫度不均的方式進(jìn)行冷卻。第2散熱裝置20a例如與第1散熱裝置19a同 樣地，可使用在以等角度間隔而配置于圓周上的3個(gè)支撐片支撐光學(xué)元件W的狀態(tài)下使光 學(xué)元件W自然放冷的散熱裝置。另外，亦可使用使風(fēng)扇旋轉(zhuǎn)來(lái)強(qiáng)制冷卻光學(xué)元件W的散熱 裝置、或者噴射常溫的氮?dú)鈦?lái)強(qiáng)制冷卻光學(xué)元件W的散熱裝置。另外，如圖1及圖2所示，在成形室3設(shè)置有輸送裝置141，該輸送裝置141由導(dǎo)軌 21、輸送臂22、以耐高溫性樹(shù)脂所形成的吸附墊(元件輸送構(gòu)件)23、以及作為吸附墊用的 加熱部的加熱盤(輸送構(gòu)件加熱機(jī)構(gòu))25所構(gòu)成。另外，在成形室3中，設(shè)置有用以在成形 室3與真空室5之間輸送光學(xué)元件W的輔助臂26。此處，導(dǎo)軌21配設(shè)于X軸方向(圖1中箭頭A、B方向)上，在導(dǎo)軌21，輸送臂22 被支撐成可沿著從第1元件預(yù)熱部16、第2元件預(yù)熱部17并經(jīng)由元件成形部11直至第1 元件冷卻部19、第2元件冷卻部20的輸送路徑而在X軸方向移動(dòng)驅(qū)動(dòng)自如。進(jìn)而，在輸送 臂22的下面，將吸附墊23支撐成可在Z軸方向(圖2中箭頭C、D方向)升降驅(qū)動(dòng)自如，可 經(jīng)由該吸附墊23減壓吸附光學(xué)元件W的上面以支撐光學(xué)元件W。即，如圖4(及圖13)所示，在成形室3設(shè)置有馬達(dá)55，在該馬達(dá)55連接有馬達(dá)控 制部53。在該馬達(dá)55的輸出軸連結(jié)有滾珠螺桿59，在該滾珠螺桿59螺合有輸送臂22。另 一方面，如圖4及圖10所示，吸附墊23具有圓盤狀的墊本體23b。在該墊本體23b，環(huán)狀的 元件抵接部位23c與墊本體23b —體地向下突設(shè)于周緣部。在元件抵接部位23c的內(nèi)周側(cè) 近處，在圓周上形成有薄壁狀的熱阻部23d。另外，在墊本體23b的中心部，以貫通墊本體 23b的方式形成有吸氣口 23a。并且，在該吸附墊23，以與吸氣口 23a連通的形式連接有與 真空線相連接的通氣管57，在通氣管57的中途安裝有開(kāi)/關(guān)閥56。進(jìn)而，在開(kāi)/關(guān)閥56 連接有序列控制器52。因此，若對(duì)馬達(dá)55通電以使?jié)L珠螺桿59向正反方向旋轉(zhuǎn)，則輸送臂22及吸附墊 23會(huì)向X軸方向(圖4中箭頭A、B方向)移動(dòng)。另外，如圖4中實(shí)線所示，在使吸附墊23 抵接于光學(xué)元件W的上部的狀態(tài)下，若打開(kāi)開(kāi)/關(guān)閥56，則光學(xué)元件W被減壓吸附到吸附墊 23的下側(cè)而受到支撐。相反地，若在該狀態(tài)下關(guān)閉上述開(kāi)/關(guān)閥56，則吸附墊23對(duì)光學(xué)元 件W的吸附狀態(tài)被解除。
另一方面，加熱盤25控制吸附墊的溫度的部位，如圖1 圖3所示，其設(shè)置于元件 成形部11與第1元件預(yù)熱部16之間。該加熱盤25如圖5所示，具有由金屬所形成的平板 狀的傳熱板43，在該傳熱板43內(nèi)安裝有電氣式加熱器45。在該加熱器45連接有加熱器電 力供給部51，在加熱器電力供給部51連接有溫度控制部58。另外，在傳熱板43的附近，設(shè) 置有測(cè)定傳熱板43的表面溫度的溫度傳感器49，該溫度傳感器49連接于溫度控制部58。 進(jìn)而，在溫度控制部58連接有控制部35。控制部35控制成形裝置1以實(shí)施下述的光學(xué)元 件的制造步驟。如上所述，由于加熱盤25是用以控制吸附墊溫度的構(gòu)件，故吸附墊本身無(wú) 需具有加熱裝置。由于吸附墊不存在加熱裝置，故而吸附墊的熱容量較少，因此應(yīng)著眼于可 對(duì)吸附墊本身急速地進(jìn)行溫度控制這一方面。此外，吸附墊23的耐高溫性樹(shù)脂只要是耐光學(xué)元件W的高溫的，則可為任意樹(shù) 脂，可采用例如聚酰亞胺樹(shù)脂(例如，杜邦股份有限公司制造的“VESPEL (注冊(cè)商標(biāo))”、日 本P0LYPENC0股份有限公司制造的“PBI (注冊(cè)商標(biāo))”、NARASAKI產(chǎn)業(yè)股份有限公司制造 的“UPIM0L(注冊(cè)商標(biāo))”)、聚苯并咪唑樹(shù)脂(例如，日本P0LYPENC0股份有限公司制造的 "P0LYPENC0PBI (注冊(cè)商標(biāo))”)、及氮化硼等。另外，輔助臂26在成形室3至真空室5的可動(dòng)區(qū)域中，如圖8(a)及圖8(b)所示， 設(shè)置成在X軸方向(箭頭A、B方向)上移動(dòng)驅(qū)動(dòng)自如且在Z軸方向(箭頭C、D方向)上升 降驅(qū)動(dòng)自如。輔助臂26具有平板狀的臂本體26a，在該臂本體26a上安裝有U字形的工件 支撐片26b。如圖8(b)所示，該輔助臂26的寬度Ll均窄于光學(xué)元件W的寬度L2。進(jìn)而，如圖8(a)所示，在真空室5內(nèi)載置有工件支撐臺(tái)27。該工件支撐臺(tái)27由相 互對(duì)向的一對(duì)L字形的工件搭載片27a、27b構(gòu)成，如圖8 (b)所示，這些工件搭載片27a、27b 的間隔L3窄于光學(xué)元件W的寬度L2、且寬于輔助臂26的寬度Li，以便可利用一對(duì)L字形 的工件搭載片27a、27b來(lái)支撐光學(xué)元件W的寬度方向的兩端部，并可使輔助臂26通過(guò)工件 搭載片27a、27b之間。另外，如圖1及圖3所示，在工件貯藏室9設(shè)置有用以保管成形前及成形后的光學(xué) 元件W的托板31。進(jìn)而，在工件貯藏室9中，沿Y軸方向(圖1中箭頭E、F方向)配設(shè)有 導(dǎo)軌32，并在該導(dǎo)軌32上，沿Y軸方向及X軸方向(圖1中箭頭G、H方向)移動(dòng)驅(qū)動(dòng)自如 地支撐有輸送臂33。更進(jìn)一步構(gòu)成為，在輸送臂33的下面沿Z軸方向升降驅(qū)動(dòng)自如地支撐 有吸附墊34，通過(guò)該吸附墊34而可減壓吸附光學(xué)元件W并進(jìn)行支撐。接著，參照?qǐng)D17的流程圖說(shuō)明光學(xué)元件的成形裝置1的動(dòng)作(作用)。由于光學(xué)元件的成形裝置1具有如上所述的構(gòu)造，故而在要使用該光學(xué)元件的成 形裝置1來(lái)成形非球面玻璃透鏡等的光學(xué)元件W時(shí)，會(huì)向控制部35發(fā)出該指令。接收到該 指令后，控制部35即進(jìn)行如下所述的控制將欲成形的光學(xué)元件W從工件貯藏室9搬入成 形室3之后，依照?qǐng)D7所示的時(shí)序圖中的預(yù)熱步驟A(第1預(yù)熱步驟Al、第2預(yù)熱步驟A2)、 成形步驟B、冷卻步驟C(第1冷卻步驟Cl、第2冷卻步驟C2)來(lái)對(duì)該光學(xué)元件W依序?qū)嵤?二階段的預(yù)熱、成形、二階段的冷卻這樣一連串的步驟，最后，將該光學(xué)元件W從成形室3搬 出至工件貯藏室9。此外，若將光學(xué)元件W的成形步驟予以細(xì)分，如圖6所示，其由加熱、加 壓、徐冷這三個(gè)步驟所構(gòu)成。亦即，在元件搬入步驟中，將光學(xué)元件W從工件貯藏室9經(jīng)由真空室5搬入成形室 3，并輸送至第1元件預(yù)熱部16 (Si)。
其中，首先關(guān)閉滑動(dòng)門6后，打開(kāi)滑動(dòng)門7，在該狀態(tài)下，使輸送臂33沿Y軸方向及 X軸方向進(jìn)行適當(dāng)移動(dòng)，同時(shí)使吸附墊34沿Z軸方向進(jìn)行適當(dāng)升降，由此，將光學(xué)元件W在 以吸附墊34來(lái)減壓吸附并支撐的狀態(tài)下從托板31輸送至真空室5，并如圖9 (a)所示載置 于工件支撐臺(tái)27上之后，將吸附墊34對(duì)光學(xué)元件W的支撐狀態(tài)解除，在使光學(xué)元件W殘留 于工件支撐臺(tái)27上的狀態(tài)下使輸送臂33及吸附墊34退避。接著，在關(guān)閉滑動(dòng)門7之后，利用真空泵(未圖示)將真空室5進(jìn)行抽真空處理， 然后向真空室5內(nèi)導(dǎo)入氮?dú)?。真空?內(nèi)被導(dǎo)入氮?dú)庵敝脸蔀榇髿鈮汉?，打開(kāi)滑動(dòng)門6，在 該狀態(tài)下，如圖9(a)所示使輔助臂26沿箭頭D方向下降既定距離，如圖9(b)所示使輔助 臂26沿箭頭B方向移動(dòng)既定距離，如圖9(c)所示使輔助臂26沿箭頭C方向上升既定距離， 如圖9(d)所示使輔助臂26沿箭頭A方向移動(dòng)既定距離，由此將光學(xué)元件W從真空室5輸 送至成形室3內(nèi)。此時(shí)，工件支撐臺(tái)27的一對(duì)L字形的工件搭載片27a、27b的間隔L3較 輔助臂26的寬度Ll寬，因此光學(xué)元件W從真空室5向成形室3的交接動(dòng)作可通過(guò)如上所 述僅驅(qū)動(dòng)輔助臂26而簡(jiǎn)單地執(zhí)行。最后，使輸送臂22沿X軸方向適當(dāng)?shù)匾苿?dòng)，同時(shí)使吸附墊23沿Z軸方向適當(dāng)?shù)厣?降，由此將光學(xué)元件W在以吸附墊23減壓吸附并支撐的狀態(tài)下從輔助臂26的工件支撐片 26b輸送至第1元件預(yù)熱部16后，將吸附墊23對(duì)光學(xué)元件W的支撐狀態(tài)解除，在使光學(xué)元 件W殘留于第1元件預(yù)熱部16的狀態(tài)下使輸送臂22及吸附墊23退避，隨后關(guān)閉滑動(dòng)門6。至此，元件搬入步驟(Si)結(jié)束。這樣，將光學(xué)元件W經(jīng)由真空室5而搬入到成形 室3，從而可避免伴隨光學(xué)元件W向成形室3的搬入而使大氣中的氧流入成形室3內(nèi)的不良 情形。此外，在該元件搬入步驟中，如圖4所示，吸附墊23在支撐光學(xué)元件W時(shí)，元件抵 接部位23c抵接于光學(xué)元件W的外周部(有效直徑的外側(cè)部位)。因此，即使因該支撐動(dòng)作 而使光學(xué)元件W略有受損，也不會(huì)有光學(xué)元件W的產(chǎn)品價(jià)值降低之虞。在將光學(xué)元件W搬入至成形室3后，即轉(zhuǎn)移至元件預(yù)熱步驟(參照?qǐng)D6的“預(yù)熱步 驟A”)，在第1元件預(yù)熱部16及第2元件預(yù)熱部17中，對(duì)光學(xué)元件W進(jìn)行階段性地預(yù)備加 熱，直至達(dá)到玻璃轉(zhuǎn)變點(diǎn)(溫度)Tg的附近為止(S2)。在將光學(xué)元件W搬入成形室3并輸 送至第1元件預(yù)熱部16之后，開(kāi)始第1階段的元件預(yù)熱步驟(參照?qǐng)D7的“第1預(yù)熱步驟 Al”及圖17的步驟S2)。在該步驟中，利用第1元件預(yù)熱部16的第1加熱器16a來(lái)對(duì)光學(xué) 元件W進(jìn)行預(yù)備加熱，直至達(dá)到某一程度的溫度(例如，200 300°C)為止。作為第1加 熱器16a，可使用例如將已加熱的氮?dú)鈬姶抵凉鈱W(xué)元件W的氣體加熱器、或者與下述加熱盤 25相同的加熱器。如上述將光學(xué)元件W預(yù)備加熱到達(dá)到第1元件預(yù)熱部16的程度的溫度后，即從第 1預(yù)熱步驟轉(zhuǎn)移至第1元件輸送步驟，并將光學(xué)元件W從第1元件預(yù)熱部16輸送至第2元 件預(yù)熱部17(S3)。其中，使輸送臂22沿X軸方向適當(dāng)移動(dòng)，同時(shí)使吸附墊23沿Z軸方向 適當(dāng)升降，由此利用吸附墊23減壓吸附光學(xué)元件W并進(jìn)行支撐。將光學(xué)元件W在以吸附墊 23支撐的狀態(tài)下從第1元件預(yù)熱部16輸送至第2元件預(yù)熱部17后，解除吸附墊23對(duì)光學(xué) 元件W的支撐狀態(tài)。接著，在使光學(xué)元件W殘留于第2元件預(yù)熱部17上的狀態(tài)下使輸送臂 22及吸附墊23退避。此外，在該第1元件輸送步驟(S3)中，亦會(huì)在吸附墊23支撐光學(xué)元件W時(shí)，元件抵接部位23c抵接于光學(xué)元件W的外周部(有效直徑的外側(cè)部位)。因此，即便因該支撐動(dòng) 作而使光學(xué)元件W略有受損，也不會(huì)有光學(xué)元件W的產(chǎn)品價(jià)值下降之虞。以上述方式將光學(xué)元件W輸送至第2元件預(yù)熱部17之后，轉(zhuǎn)移至第2階段的元件 預(yù)熱步驟(參照?qǐng)D7的“第2預(yù)熱步驟A2”及圖17的步驟S4)，利用第2元件預(yù)熱部17的 第2加熱器17a對(duì)光學(xué)元件W進(jìn)一步預(yù)備加熱，直至達(dá)到玻璃轉(zhuǎn)變點(diǎn)Tg附近的溫度(例如 400 500°C )為止(S4)。此外，所謂玻璃轉(zhuǎn)變點(diǎn)Tg，是指在對(duì)玻璃加熱時(shí)其剛性及粘度急 速下降而流動(dòng)性增加的溫度。該第2階段的元件預(yù)熱步驟中的預(yù)備加熱動(dòng)作根據(jù)來(lái)自控制 部35的指令而如下述方式執(zhí)行。亦即，如圖11所示，在將光學(xué)元件W載置于載置預(yù)定區(qū)域Sl上的狀態(tài)下，控制部 35對(duì)紅外線加熱器43通電并朝向加熱載置臺(tái)42照射紅外線。如此，該紅外線穿過(guò)石英管 48而到達(dá)加熱載置臺(tái)42。其結(jié)果為，加熱載置臺(tái)42吸收紅外線而升溫，從散熱面42a經(jīng)由 散熱空間S2而向光學(xué)元件W放射(輻射)熱。從而，光學(xué)元件W吸收該熱而升溫。此時(shí)，光學(xué)元件W的下面中，除了支撐凸部42b所抵接的狹小區(qū)域以外，整個(gè)面與 加熱載置臺(tái)42的散熱面42a相對(duì)向，因此光學(xué)元件W的整體被均勻地加熱而升溫。結(jié)果， 可一方面避免因光學(xué)元件W各部位的溫度不均而導(dǎo)致光學(xué)元件W破裂，一方面縮短光學(xué)元 件W預(yù)備加熱所需的時(shí)間。另夕卜，由于散熱空間S2的散熱方向的尺寸Ll較短，為5mm以下(例如4mm)，故而 可使從加熱載置臺(tái)42的散熱面42a所放射的熱不浪費(fèi)地到達(dá)光學(xué)元件W，從而可高效地進(jìn) 行加熱載置臺(tái)42對(duì)于光學(xué)元件W的加熱動(dòng)作。進(jìn)而，在元件預(yù)熱步驟中，光學(xué)元件W通過(guò)加熱載置臺(tái)42的支撐凸部42b而支撐 于有效直徑的外側(cè)部位。因此，即便因該支撐動(dòng)作使光學(xué)元件W略有受損，也不會(huì)有光學(xué)元 件W的產(chǎn)品價(jià)值下降之虞。而且，由于支撐凸部42b設(shè)置成圓環(huán)狀，故而可穩(wěn)定地支撐光學(xué)元件W。另外，由于 以同心圓狀傳遞熱，故與具有局部突起的形狀相比，難以產(chǎn)生光學(xué)元件W的溫度不均。進(jìn)而，如圖11所示，光學(xué)元件W在從紅外線加熱器43側(cè)觀察時(shí)隱藏于壁體46的 背側(cè)，因此可預(yù)防來(lái)自紅外線加熱器43的紅外線直接照射至光學(xué)元件W而導(dǎo)致光學(xué)元件W 破裂的事態(tài)。另外，由于加熱載置臺(tái)42由金屬所構(gòu)成，故熱傳導(dǎo)性優(yōu)異，在從紅外線加熱器43 所接收的熱的作用下，加熱載置臺(tái)42整體會(huì)快速一致地升溫。另外，由于壁體46由金屬碳化物所構(gòu)成，因此具有各種優(yōu)點(diǎn)。第一，比金屬輕，可 實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)整體的輕量化。第二，高溫下的變形少，所以不會(huì)成為光學(xué)元件W出入時(shí)的障礙。 第三，高溫下的劣化少，因而使用壽命長(zhǎng)。此外，在加熱載置臺(tái)42上設(shè)置有熱電偶49，因此控制部35能以如下方式進(jìn)行控 制利用該熱電偶49來(lái)實(shí)時(shí)測(cè)定加熱載置臺(tái)42的溫度，并將加熱載置臺(tái)42維持于既定的 溫度。如此，將放置于加熱載置臺(tái)42的光學(xué)元件W加熱到玻璃轉(zhuǎn)變點(diǎn)Tg附近的溫度(例 如 400 500 0C )。如此，光學(xué)元件W在第1元件預(yù)熱部16及第2元件預(yù)熱部17中受到階段性地預(yù) 備加熱，因而可將易于在溫度突然上升時(shí)產(chǎn)生的光學(xué)元件W各部位的溫度不均而導(dǎo)致龜裂 (裂縫)的情形防患于未然。另外，與第1元件預(yù)熱部16的第1加熱器16a的預(yù)熱開(kāi)始溫度相較，第2元件預(yù)熱部17的第2加熱器17a的預(yù)熱開(kāi)始溫度較高，故而可順利進(jìn)行光 學(xué)元件W的預(yù)備加熱動(dòng)作。進(jìn)而，吸附墊23在其可動(dòng)范圍內(nèi)，可在支撐光學(xué)元件W的支撐 狀態(tài)與該支撐狀態(tài)解除后的非支撐狀態(tài)之間進(jìn)行切換，在對(duì)光學(xué)元件W進(jìn)行預(yù)備加熱的時(shí) 刻，吸附墊23為非支撐狀態(tài)，且在第1元件預(yù)熱部16、第2元件預(yù)熱部17中僅存在光學(xué)元 件W，輸送臂22或吸附墊23已退避，故而光學(xué)元件W以單體(亦即，不帶有輸送臂22或吸 附墊23)形式進(jìn)行預(yù)備加熱。因此，加熱對(duì)象的熱容量變?yōu)樽钚∠薅龋瑥亩?jié)能性優(yōu)異。以上述方式將光學(xué)元件W預(yù)備加熱到玻璃轉(zhuǎn)變點(diǎn)Tg附近之后，轉(zhuǎn)移至第2元件輸 送步驟，將光學(xué)元件W從第2元件預(yù)熱部17輸送至元件成形部11 (S5)。其中，使輸送臂22 沿X軸方向適當(dāng)移動(dòng)，同時(shí)使吸附墊23沿Z軸方向適當(dāng)升降，由此將光學(xué)元件W在以吸附 墊23減壓吸附并支撐的狀態(tài)下從第2元件預(yù)熱部17輸送至元件成形部11，然后解除吸附 墊23對(duì)光學(xué)元件W的支撐狀態(tài)，在使光學(xué)元件W殘留于元件成形部11的狀態(tài)下使輸送臂 22及吸附墊23退避。此外，在該第2元件輸送步驟(S5)中，亦會(huì)在吸附墊23支撐光學(xué)元件W時(shí)，元件 抵接部位23c抵接于光學(xué)元件W的外周部(有效直徑的外側(cè)部位)。因此，即使因該支撐動(dòng) 作而使光學(xué)元件W略有受損，也會(huì)有光學(xué)元件W的產(chǎn)品價(jià)值下降之虞。另外，在該第2元件輸送步驟中，光學(xué)元件W的溫度變?yōu)楦邷?400°C以上)，故為 了避免在利用吸附墊23來(lái)吸附并輸送光學(xué)元件W時(shí)因兩者的溫度差而導(dǎo)致光學(xué)元件W破 裂的事態(tài)，在該第2元件輸送步驟之前，使用加熱盤25而使吸附墊23的元件抵接部位23c 升溫至既定的溫度(例如相對(duì)于光學(xué)元件W的溫度為+100°C -200°C的范圍內(nèi)的溫度，但 是為不超出Tg的溫度)。在下一個(gè)成形步驟中若使光學(xué)元件W的溫度進(jìn)一步上升，則光學(xué) 元件W的溫度越高越可縮短加熱時(shí)間，因而較為理想。該第2元件輸送步驟中的吸附墊23 的升溫動(dòng)作根據(jù)來(lái)自控制部35的指令而執(zhí)行如下。亦即，如圖4及圖5所示，控制部35對(duì)序列控制器52發(fā)出指令，以使吸附墊23的 元件抵接部位23c碰觸到加熱盤25的傳熱板43。接收到該指令后，序列控制器52使吸附 墊23沿Z軸方向(圖5中箭頭D方向)下降。其結(jié)果為，吸附墊23向加熱盤25側(cè)下降， 并如圖5中實(shí)線所示，成為元件抵接部位23c抵觸于加熱盤25的傳熱板43的狀態(tài)。如此，在吸附墊23的元件抵接部位23c抵觸于加熱盤25的傳熱板43的狀態(tài)下， 如圖5所示，控制部35對(duì)溫度控制部58發(fā)出指令，以進(jìn)行傳熱板43的升溫動(dòng)作。接收到 該指令后，溫度控制部58對(duì)加熱器電力供給部51發(fā)出指令，以進(jìn)行對(duì)加熱器45的通電動(dòng) 作。接收到該指令后，加熱器電力供給部51對(duì)加熱器45進(jìn)行通電。其結(jié)果，傳熱板43受 到加熱器45的加熱而升溫。此時(shí)，由于吸附墊23的元件抵接部位23c抵接于傳熱板43，因此伴隨傳熱板43的 升溫，吸附墊23的元件抵接部位23c也升溫。而且，傳熱板43的表面溫度經(jīng)溫度傳感器49測(cè)定后被反饋至溫度控制部58，因此 溫度控制部58以如下方式進(jìn)行控制，亦即，根據(jù)吸附墊23的元件抵接部位23c抵接于加熱 盤25的傳熱板43的狀態(tài)下的兩者溫度的對(duì)應(yīng)關(guān)系，將元件抵接部位23c限制于既定的溫 度范圍內(nèi)。如此，由于吸附墊23的元件抵接部位23c的溫度接近于經(jīng)預(yù)先加熱的光學(xué)元件W 的溫度，故而在利用吸附墊23來(lái)吸附光學(xué)元件W時(shí)，可避免因兩者的溫度差而導(dǎo)致光學(xué)元件W破裂的事態(tài)。此外，加熱盤25在吸附墊23的元件抵接部位23c接觸于傳熱板43的狀態(tài)下對(duì)元 件抵接部位23c進(jìn)行加熱，故而吸附墊23的元件抵接部位23c自下側(cè)(亦即，抵接有光學(xué) 元件W的側(cè))受到加熱。因此，加熱效率良好。另外，加熱盤25存在于成形室3內(nèi)，即存在于吸附墊23的可動(dòng)范圍內(nèi)，故而利用 加熱盤25而使吸附墊23升溫的升溫動(dòng)作可順利進(jìn)行。進(jìn)而，由于在吸附墊23上，在元件抵接部位23c的內(nèi)周側(cè)最近處設(shè)置有熱阻部 23d，故而在利用加熱盤25而使吸附墊23升溫時(shí)，可抑制從吸附墊23的元件抵接部位23c 向其它部位(較熱阻部23d更靠?jī)?nèi)側(cè)的部位)傳遞熱量。結(jié)果，可僅使元件抵接部位23c 在短時(shí)間內(nèi)高效率地升溫。進(jìn)而，相對(duì)于吸附墊23在成形室3內(nèi)沿X軸方向及Z軸方向受到驅(qū)動(dòng)的情形，由 于加熱盤25被固定于成形室3內(nèi)，因此可容易地進(jìn)行加熱盤25周圍的配線(將加熱器電 力供給部51與加熱器45進(jìn)行連接的配線、將溫度傳感器49與溫度控制部58加以連接的 配線)的處理。另外，由于吸附墊23的元件抵接部位23c受到加熱盤25的加熱，故而與在吸附墊 23側(cè)設(shè)置有加熱機(jī)構(gòu)(未圖示)的情形相較，能以短時(shí)間進(jìn)行吸附墊23的元件抵接部位 23c的溫度控制。其結(jié)果，即便在根據(jù)處理輸送步驟而使設(shè)定溫度有所不同時(shí)，亦可迅速應(yīng) 對(duì)。如上述將光學(xué)元件W輸送至元件成形部11之后，即轉(zhuǎn)移至元件成形步驟(參照?qǐng)D 7的“成形步驟B”及圖17的步驟S6)，在元件成形部11中將光學(xué)元件W成形為所希望的 形狀(例如非球面狀)(S6)。其中，首先使下成形模13從圖6所示的配置向上方、即上成 形模12側(cè)適當(dāng)上升，由此使光學(xué)元件W夾持于上成形模12與下成形模13之間。在該狀態(tài) 下，對(duì)成形加熱器15通電，以將光學(xué)元件W加熱到超出玻璃轉(zhuǎn)變點(diǎn)Tg而達(dá)到玻璃軟化(屈 伏)點(diǎn)(溫度)At為止。此外，所謂玻璃降服點(diǎn)At，是指伴隨溫度上升的玻璃膨脹停止而開(kāi) 始收縮的溫度，其大致相當(dāng)于玻璃可成形溫度。接著，使下成形模13進(jìn)一步上升，以對(duì)光學(xué) 元件W進(jìn)行加壓而使之成形。此時(shí)，由于光學(xué)元件W的溫度達(dá)到玻璃降服點(diǎn)At，因而可順 利地進(jìn)行成形動(dòng)作。最后，反復(fù)進(jìn)行對(duì)成形加熱器15的通電與停止，以使光學(xué)元件W徐冷。 然后，當(dāng)光學(xué)元件W的溫度下降至不足玻璃轉(zhuǎn)變點(diǎn)Tg的溫度而硬化時(shí)，停止對(duì)成形加熱器 15通電，使下成形模13下降而離開(kāi)上成形模12。此時(shí)，由于光學(xué)元件W已硬化，故而即便 使下成形模13下降，也不會(huì)有光學(xué)元件W變形之虞。隨后，將光學(xué)元件W從下成形模13取 出(S6')。光學(xué)元件W從下成形模13的取出在下成形模13的溫度不足400°C之前進(jìn)行。由 于下成形模13的熱容量較大，故而在使光學(xué)元件W與下成形模13 (及上成形模12) —并 冷卻時(shí)，需要較長(zhǎng)時(shí)間使光學(xué)元件W的溫度充分下降。在成形模內(nèi)使光學(xué)元件自然冷卻時(shí) 的光學(xué)元件的溫度以圖7中的虛擬線CM來(lái)表示。由該虛擬線CM可知，若使光學(xué)元件在成 形模內(nèi)自然冷卻，則在收容有光學(xué)元件的成形模冷卻至既定的溫度為止需要較長(zhǎng)的待機(jī)時(shí) 間。由此，在使用實(shí)施方式1的成形裝置1而如下所述連續(xù)地制造多個(gè)光學(xué)元件時(shí)，成形模 中的處理時(shí)間會(huì)限制整個(gè)光學(xué)元件制造過(guò)程的速度。因此，本發(fā)明中，在光學(xué)元件W的溫度 為400°C以上的溫度時(shí)，將光學(xué)元件W從下成形模13取出并輸送至第1元件冷卻部19。此外，如上所述，在成形室內(nèi)充滿有氮?dú)獾鹊亩栊詺怏w，且模具材料亦如上所述由耐氧化性高 的材料所形成，因此即使在400°C以上的溫度下打開(kāi)上下成形模，模具及光學(xué)元件亦不會(huì)產(chǎn) 生問(wèn)題。如上述地將光學(xué)元件W成形為所希望的形狀后，轉(zhuǎn)移至第3元件輸送步驟，將光學(xué) 元件W從元件成形部11輸送至第1元件冷卻部19 (S7)。其中，使輸送臂22沿X軸方向適 當(dāng)移動(dòng)，同時(shí)使吸附墊23沿Z軸方向適當(dāng)升降。接著，如圖12及圖13所示，將光學(xué)元件W 在以吸附墊23來(lái)減壓吸附并支撐的狀態(tài)下從元件成形部11輸送至第1元件冷卻部19，并 定位于冷卻支撐構(gòu)件44的正上方。接著，解除吸附墊23對(duì)光學(xué)元件W的支撐狀態(tài)，在使光 學(xué)元件W殘留于第1元件冷卻部19上的狀態(tài)下使輸送臂22及吸附墊23退避。此外，在該第3元件輸送步驟中，亦會(huì)在吸附墊23支撐光學(xué)元件W時(shí)，元件抵接部 位23c抵接于光學(xué)元件W的外周部(有效直徑的外側(cè)部位)。因此，即使因該支撐動(dòng)作而使 光學(xué)元件W略有受損，亦不會(huì)有光學(xué)元件W的產(chǎn)品價(jià)值下降之虞。另外，在該第3元件輸送步驟中，光學(xué)元件W的溫度也變?yōu)楦邷?400°C以上)，故 而在該第3元件輸送步驟之前，以與上述第2元件輸送步驟中的吸附墊23的升溫動(dòng)作相同 的順序，使用加熱盤25使吸附墊23的元件抵接部位23c升溫至既定的溫度范圍，例如相 對(duì)于光學(xué)元件W的溫度為+100°C -200°C。其結(jié)果，在以吸附墊23吸附并輸送光學(xué)元件 W時(shí)，可避免因兩者的溫度差而導(dǎo)致光學(xué)元件W破裂的事態(tài)。由于第3元件輸送步驟的下 一步驟為元件冷卻步驟，因此從縮短作業(yè)時(shí)間的觀點(diǎn)而言，優(yōu)選吸附墊23的元件抵接部位 23c的溫度低于光學(xué)元件W的溫度。因此，優(yōu)選吸附墊23的元件抵接部位23c的溫度范圍 相對(duì)于光學(xué)元件W的溫度為0°C _200°C。如上述地將光學(xué)元件W輸送至第1元件冷卻部19之后，即轉(zhuǎn)移至第1階段的元件 冷卻步驟(參照?qǐng)D7的“第1冷卻步驟Cl”及圖17的步驟S8)，利用第1元件冷卻部19的 第1散熱裝置19a對(duì)光學(xué)元件W進(jìn)行冷卻，直至達(dá)到某一程度的溫度(例如150 200°C ) 為止(S8)。該第1元件冷卻部19的冷卻動(dòng)作根據(jù)來(lái)自控制部35的指令而執(zhí)行如下。亦即，如圖13所示，控制部35對(duì)序列控制器52發(fā)出指令，以進(jìn)行光學(xué)元件W的冷 卻動(dòng)作。接收到該指令后，為了使承接并支撐處于高溫狀態(tài)的光學(xué)元件W的3個(gè)支撐片42 的爪43對(duì)應(yīng)于光學(xué)元件W的溫度而升溫，序列控制器52首先對(duì)加熱器電力供給部51發(fā)出 指令以進(jìn)行對(duì)各加熱器45的通電動(dòng)作。接收到該指令后，加熱器電力供給部51對(duì)各加熱 器45通電。其結(jié)果，各爪43受到各加熱器45的加熱而升溫。然后，在各爪43的溫度相對(duì)于光學(xué)元件W的溫度而被限制于既定的溫度范圍內(nèi)的 時(shí)刻，控制部35通過(guò)使吸附墊23沿Z軸方向適當(dāng)升降而使光學(xué)元件W靜置于載置臺(tái)241。 在該狀態(tài)下，序列控制器52為了使光學(xué)元件W載置于冷卻支撐構(gòu)件44而關(guān)閉開(kāi)/關(guān)閥56， 且向通氣管57中導(dǎo)入氮?dú)?，同時(shí)對(duì)加熱器電力供給部51發(fā)出指令以進(jìn)行對(duì)加熱器45的通 電中止動(dòng)作。此處，既定的溫度范圍優(yōu)選為+100°C -200°C (例如，當(dāng)光學(xué)元件W的溫度 為500°C時(shí)，各爪43的溫度為600°C 300°C )。接著，由于至此對(duì)光學(xué)元件W進(jìn)行減壓吸附的吸附墊23的吸引力下降而使光學(xué)元 件W的支撐狀態(tài)解除，因此光學(xué)元件W被確實(shí)地載置于載置臺(tái)41上而成為抵接于3個(gè)支撐 片42、由三點(diǎn)支撐的狀態(tài)。此時(shí)，各爪43的溫度相對(duì)于光學(xué)元件W的溫度處于既定的溫度 范圍內(nèi)，故而即使光學(xué)元件W與各爪43相抵接，亦無(wú)需擔(dān)心因兩者的溫度差導(dǎo)致光學(xué)元件W破裂。并且，在由3個(gè)支撐片42支撐光學(xué)元件W后，在使光學(xué)元件W殘留于第1元件冷卻 部19的狀態(tài)下使輸送臂22及吸附墊23退避。另外，與此同時(shí)，加熱器電力供給部51中止對(duì)各加熱器45的通電。由此，光學(xué)元 件W在由3個(gè)支撐片42所支撐的狀態(tài)下自然放冷(S8)。此時(shí)，盡量減小3個(gè)支撐片42的 爪43的熱容量，進(jìn)而使隔熱構(gòu)件46介于其中，從而可避免光學(xué)元件W的與爪43相接觸的 部分的溫度極端下降。因此，在光學(xué)元件W放冷時(shí)，各爪43的溫度相對(duì)于光學(xué)元件W的溫 度維持于既定的溫度范圍內(nèi)，因而即使光學(xué)元件W與各爪43相抵接，亦無(wú)需擔(dān)心因兩者的 溫度差導(dǎo)致光學(xué)元件W破裂。如上述，由于對(duì)加熱器45通電的中止動(dòng)作與支撐片42對(duì)光學(xué)元件W的支撐動(dòng)作 連動(dòng)地進(jìn)行，因此能以較佳時(shí)序開(kāi)始光學(xué)元件W的冷卻動(dòng)作。另外，如圖13所示，加熱器45經(jīng)由隔熱構(gòu)件46而設(shè)置于載置臺(tái)41上，故而從加 熱器45所供給的熱能的大部分流向爪43側(cè)。因此，可避免熱能向載置臺(tái)41側(cè)白白地流失 的不良情形，從而節(jié)能性優(yōu)異。進(jìn)而，光學(xué)元件W在冷卻動(dòng)作結(jié)束之前維持由三點(diǎn)所支撐的狀態(tài)，故可穩(wěn)定地進(jìn) 行冷卻動(dòng)作。以上述方式使光學(xué)元件W冷卻至達(dá)到第1元件冷卻部19的程度的溫度后，轉(zhuǎn)移至 第4元件輸送步驟，將光學(xué)元件W從第1元件冷卻部19輸送至第2元件冷卻部20 (S9)。其 中，使輸送臂22沿X軸方向適當(dāng)移動(dòng)，同時(shí)使吸附墊23沿Z軸方向適當(dāng)升降，由此將光學(xué) 元件W在以吸附墊23減壓吸附并支撐的狀態(tài)下從第1元件冷卻部19輸送至第2元件冷卻 部20，然后解除吸附墊23對(duì)光學(xué)元件W的支撐狀態(tài)，在使光學(xué)元件W殘留于第2元件冷卻 部20上的狀態(tài)下使輸送臂22及吸附墊23退避。此外，在該第4元件輸送步驟(S9)中，亦會(huì)在吸附墊23支撐光學(xué)元件W時(shí)，元件 抵接部位23c抵接于光學(xué)元件W的外周部(有效直徑的外側(cè)部位)。因此，即使因該支撐動(dòng) 作而使光學(xué)元件W略有受損，亦不會(huì)有光學(xué)元件W的產(chǎn)品價(jià)值下降之虞。以上述方式將光學(xué)元件W輸送至第2元件冷卻部20后，轉(zhuǎn)移至第2階段的元件冷 卻步驟(參照?qǐng)D7的“第2冷卻步驟C2”及圖17的步驟S10)，利用第2元件冷卻部20的 第2散熱裝置20a對(duì)光學(xué)元件W進(jìn)一步冷卻，直至達(dá)到常溫附近的溫度(例如，50°C)為止 (SlO)。此外，亦可代替該第2散熱裝置20a的冷卻方法，采用將光學(xué)元件W的外周載置于 環(huán)狀載置臺(tái)(未圖示)上并放冷的冷卻方法。如此，由于光學(xué)元件W在第1元件冷卻部19及第2元件冷卻部20受到階段性地 冷卻，因而可將易于在溫度突然下降時(shí)產(chǎn)生的光學(xué)元件W各部位的溫度不均而導(dǎo)致龜裂的 情形防患于未然。另外，與第1元件冷卻部19的第1散熱裝置19a的冷卻開(kāi)始溫度相比， 第2元件冷卻部20的第2散熱裝置20a的冷卻開(kāi)始溫度較低，故而可順利進(jìn)行光學(xué)元件W 的冷卻動(dòng)作。另外，吸附墊23在其可動(dòng)范圍內(nèi)，可在支撐光學(xué)元件W的支撐狀態(tài)與該支撐 狀態(tài)解除后的非支撐狀態(tài)之間進(jìn)行切換，在對(duì)光學(xué)元件W進(jìn)行冷卻的時(shí)刻，吸附墊23為非 支撐狀態(tài)，且第1元件冷卻部19、第2元件冷卻部20中僅存在有光學(xué)元件W，輸送臂22及 吸附墊23退避，故而光學(xué)元件W以單體(亦即，不帶有輸送臂22及吸附墊23)形式進(jìn)行冷 卻。因此，冷卻對(duì)象的熱容量變?yōu)樽钚∠薅?，從而?jié)能性優(yōu)異。以上述方式使光學(xué)元件W冷卻至常溫后，轉(zhuǎn)移至元件搬出步驟，將光學(xué)元件W從成形室3經(jīng)由真空室5而搬出至工件貯藏室9 (Sll)。其中，首先使輸送臂22沿X軸方向適當(dāng)移動(dòng)，同時(shí)使吸附墊23沿Z軸方向適當(dāng)升 降，由此將光學(xué)元件W在以吸附墊23減壓吸附并支撐的狀態(tài)下從第2元件冷卻部20輸送 至輔助臂26，并如圖9(d)所示，在載置于輔助臂26的工件支撐片26b上之后，解除吸附墊 23對(duì)光學(xué)元件W的支撐狀態(tài)，在使光學(xué)元件W殘留于工件支撐片26b上的狀態(tài)下使輸送臂 22及吸附墊23退避。接著，在滑動(dòng)門7關(guān)閉的狀態(tài)下打開(kāi)滑動(dòng)門6，在該狀態(tài)下，如圖9(d)所示使輔助 臂26沿箭頭C方向上升既定距離，如圖9(c)所示使輔助臂26沿箭頭B方向移動(dòng)既定距離， 如圖9(b)所示使輔助臂26沿箭頭D方向下降既定距離，如圖9(a)所示使輔助臂26沿箭 頭A方向移動(dòng)既定距離，由此將光學(xué)元件W從成形室3輸送至真空室5內(nèi)。此時(shí)，工件支撐 臺(tái)27的一對(duì)L字形的工件搭載片27a、27b的間隔L3相較輔助臂26的寬度Ll更寬，因此 光學(xué)元件W從成形室3向真空室5中的交接動(dòng)作可通過(guò)如上所述對(duì)輔助臂26的驅(qū)動(dòng)而簡(jiǎn) 單地進(jìn)行。最后，關(guān)閉滑動(dòng)門6之后，打開(kāi)滑動(dòng)門7，在該狀態(tài)下，使輸送臂33沿Y軸方向及X 軸方向適當(dāng)移動(dòng)，同時(shí)使吸附墊34沿Z軸方向適當(dāng)升降，將光學(xué)元件W在以吸附墊34來(lái)減 壓吸附并支撐的狀態(tài)下從真空室5輸送至托板31之后，解除吸附墊34對(duì)光學(xué)元件W的支 撐狀態(tài)，在使光學(xué)元件W殘留于托板31的狀態(tài)下使輸送臂33及吸附墊34退避，隨后關(guān)閉 滑動(dòng)門7。至此，元件搬出步驟結(jié)束。如此，將光學(xué)元件W經(jīng)由真空室5而從成形室3中搬出， 從而可避免伴隨光學(xué)元件W從成形室3中的搬出而導(dǎo)致大氣中的氧流入到成形室3內(nèi)的不 良情形。此外，在該元件搬出步驟中，亦會(huì)在吸附墊23支撐光學(xué)元件W時(shí)，元件抵接部位 23c抵接于光學(xué)元件W的外周部(有效直徑的外側(cè)部位)。因此，即使因該支撐動(dòng)作而使光 學(xué)元件W略有受損，亦不會(huì)有光學(xué)元件W的產(chǎn)品價(jià)值下降之虞。至此，利用光學(xué)元件的成形裝置1制造光學(xué)元件的制造步驟結(jié)束。將使用上述成 形裝置1并依照制造步驟而成形出實(shí)際的光學(xué)元件的實(shí)驗(yàn)例顯示如下。[元件成形實(shí)驗(yàn)例]作為光學(xué)元件W的成形前的材料，使用火石類玻璃(Tg = 5600C )。將該材料在第 1預(yù)熱步驟中加熱到250°C，進(jìn)而在第2預(yù)熱步驟中加熱到450°C。接著，使用吸附墊23將 加熱后的材料輸送至元件成形部11。此時(shí)，吸附墊23 (聚酰亞胺制)在加熱盤25上預(yù)先加 熱到300°C。在導(dǎo)入成型部11的上下成形模中時(shí)的材料的溫度為420°C。在成形模中進(jìn)行 加熱及加壓的過(guò)程中，材料的最大溫度為650°C。在加熱及加壓結(jié)束后，當(dāng)已成形的材料的 溫度下降至420°C時(shí)，將成形材料從上下成形模取出，并利用吸附墊23將其輸送至第1元件 冷卻部19，冷卻至90°C為止。此時(shí)，吸附墊23已在加熱盤25中預(yù)先加熱到300°C，并且，輸 送成形材料的第1元件冷卻部19的爪43 (不銹鋼SUS304)的溫度已被預(yù)先加熱到380°C。 接著，將成形材料從第1元件冷卻部19輸送至第2元件冷卻部20，并冷卻至55°C為止。這 樣獲得的光學(xué)元件具有與模那樣的平滑曲面，不存在龜裂及畸變。[針對(duì)吸附墊的溫度變化的實(shí)驗(yàn)]在上述實(shí)驗(yàn)中成形的材料的溫度下降到420°C時(shí)，將成形材料從上下成形模取出，并利用加熱到300°C的吸附墊23輸送，但在該追加實(shí)驗(yàn)中，使成形的材料的溫度下降 到400°C、從上下成形模取出且將吸附墊23的溫度如下變更，除此以外，進(jìn)行與上述實(shí)施例 同樣的操作。在追加實(shí)驗(yàn)1-1中，使吸附墊23的溫度為170°C (與成形材料的溫度差為 2300C )。對(duì)兩種火石類玻璃進(jìn)行該實(shí)驗(yàn)，在一種火石類玻璃的成形材料中產(chǎn)生缺陷。另外， 對(duì)一種磨砂類玻璃也進(jìn)行同樣的試驗(yàn)，在成形材料中產(chǎn)生缺陷。在追加實(shí)驗(yàn)1-2中，使吸附 墊23的溫度為220°C (與成形材料的溫度差為180°C )。對(duì)與追加實(shí)驗(yàn)1_1同樣的三種成 形材料(兩種火石類玻璃和一種磨砂類玻璃)進(jìn)行該實(shí)驗(yàn)，在獲得的成形材料中均未發(fā)現(xiàn) 龜裂等缺陷。[針對(duì)爪的溫度變化的實(shí)驗(yàn)]在上述實(shí)驗(yàn)中成形的材料的溫度下降到420°C時(shí)，將成形材料從上下成形模取出， 并利用預(yù)先加熱到380°C的第1元件冷卻部19的爪43接收已成形的材料，但在該追加實(shí)驗(yàn) 中，使成形的材料的溫度下降到400°C、從上下成形模取出且將第1元件冷卻部19的爪43 的溫度如下變更，除此以外，進(jìn)行與之前的實(shí)施例同樣的操作。在追加實(shí)驗(yàn)2-1中，使爪43 的溫度為300°C (與成形材料的溫度差為100°C )。對(duì)與在追加實(shí)驗(yàn)1-1中采用的同樣的兩 種火石類玻璃進(jìn)行該實(shí)驗(yàn)，在一種火石類玻璃的成形材料中產(chǎn)生缺陷。另外，對(duì)與在追加試 驗(yàn)2-1中采用的同樣的一種磨砂類玻璃也進(jìn)行同樣的試驗(yàn)，在成形材料中產(chǎn)生缺陷。在追 加實(shí)驗(yàn)2-2中，使爪43的溫度為400°C (與成形材料的溫度相同)。對(duì)與追加試驗(yàn)2-1同 樣的三種成形材料(兩種火石類玻璃和一種磨砂類玻璃)進(jìn)行該實(shí)驗(yàn)，在獲得的成形材料 中均未發(fā)現(xiàn)龜裂等缺陷。在上述實(shí)施方式及實(shí)驗(yàn)例中，對(duì)1個(gè)光學(xué)元件W的制造步驟(元件搬入步驟、第1 階段的元件預(yù)熱步驟、第1元件輸送步驟、第2階段的元件預(yù)熱步驟、第2元件輸送步驟、元 件成形步驟、第3元件輸送步驟、第1階段的元件冷卻步驟、第4元件輸送步驟、第2階段的 元件冷卻步驟、元件搬出步驟)依序進(jìn)行了說(shuō)明，但實(shí)際上如圖6所示，系對(duì)多個(gè)(制造個(gè) 數(shù))光學(xué)元件W依序?qū)嵤┻@些制造步驟。此時(shí)，在任意的光學(xué)元件W的元件成形步驟中，同時(shí)進(jìn)行與該光學(xué)元件W不同的另 外的光學(xué)元件W的元件預(yù)熱步驟或者元件冷卻步驟。例如，同時(shí)進(jìn)行某一個(gè)光學(xué)元件W的 元件冷卻步驟與下一個(gè)光學(xué)元件W的元件成形步驟。另外，同時(shí)進(jìn)行某一個(gè)光學(xué)元件W的 元件成形步驟與下一個(gè)光學(xué)元件W的元件預(yù)熱步驟。如此，僅將必須在元件成形部11中執(zhí) 行的制造步驟(元件成形步驟)在元件成形部11中實(shí)施，從而即使一個(gè)光學(xué)元件W的制造 步驟尚未結(jié)束，也可開(kāi)始下一個(gè)光學(xué)元件W的制造步驟。其結(jié)果為，光學(xué)元件的成形裝置1 中每單位時(shí)間可處理的個(gè)數(shù)增大。另外，形成如下構(gòu)成，即，將光學(xué)元件W—邊支撐一邊輸 送，并在執(zhí)行加工步驟時(shí)解除支撐。因此，在一個(gè)光學(xué)元件W執(zhí)行預(yù)熱、成形、冷卻的任一步 驟時(shí)，可輸送其它光學(xué)元件W。其結(jié)果，可同時(shí)對(duì)多個(gè)光學(xué)元件W進(jìn)行多個(gè)步驟的處理。因 此可縮短作業(yè)時(shí)間，提高光學(xué)元件W的生產(chǎn)率。進(jìn)而，如圖7所示，根據(jù)成形步驟B為速度控制步驟，只要成形步驟B以外的4步 驟(第1預(yù)熱步驟Al、第2預(yù)熱步驟A2、第1冷卻步驟Cl、第2冷卻步驟C2)的時(shí)間均與成 形步驟B的時(shí)間相吻合，則在對(duì)第1光學(xué)元件W執(zhí)行成形步驟B時(shí)，可使第2光學(xué)元件W的 第1預(yù)熱步驟Al、第3光學(xué)元件W的第2預(yù)熱步驟A2、第4光學(xué)元件W的第1冷卻步驟Cl、 第5光學(xué)元件W的第2冷卻步驟C2均同時(shí)執(zhí)行。然而，在本發(fā)明中，如上所述，成形步驟B中取出光學(xué)元件的溫度高于400°C，故而在成形步驟B中光學(xué)元件停留的時(shí)間縮短。因此， 可容易使成形步驟B的時(shí)間與其它步驟相一致。其結(jié)果，第1 第5這5個(gè)光學(xué)元件W分 別同時(shí)進(jìn)行成形。由此，可大幅縮短作業(yè)時(shí)間，顯著提高光學(xué)元件W的生產(chǎn)率。另外，根據(jù)該實(shí)施方式1，在輸送光學(xué)元件W時(shí)，由于直接吸附并支撐光學(xué)元件W， 故而與將光學(xué)元件W載置于輸送盤上進(jìn)行輸送的日本特開(kāi)平7-267657號(hào)公報(bào)相比，可避免 作業(yè)的復(fù)雜化。而且，無(wú)需如此的輸送盤，因而可減少光學(xué)元件的成形裝置1的零件數(shù)，削 減制造成本。另外，在成形室3內(nèi)，元件成形部11及第2元件預(yù)熱部17相較其它部位(第1元 件預(yù)熱部16、第1元件冷卻部19、第2元件冷卻部20、加熱盤25)為高溫，因此維護(hù)頻率變 高，但如圖1所示，由于這些元件成形部11、第2元件預(yù)熱部17配設(shè)于輸送臂22的輸送路 徑的一端側(cè)(圖1的左端側(cè))，故而容易維護(hù)。另外，成形室3內(nèi)已成為氮環(huán)境，氧被排除，故而可預(yù)防上成形模12及下成形模13 在高溫下氧化，因此可長(zhǎng)期使用上成形模12及下成形模13。[發(fā)明的實(shí)施方式2(元件把持具的變型例)]圖14及圖15表示本發(fā)明實(shí)施方式2中所使用的元件把持具(元件輸送構(gòu)件)60 的示圖。在實(shí)施方式2中，使用與實(shí)施方式1中所用的元件輸送構(gòu)件不同的元件輸送構(gòu)件， 除此之外，使用與實(shí)施方式1相同的成形裝置1，并以相同的操作而成形出光學(xué)元件。與實(shí) 施方式1共通的說(shuō)明將省略。在成形室3中，如圖14及圖15所示，代替吸附墊23而設(shè)置有元件把持具(元件 輸送構(gòu)件)60，元件把持具60由以等角度間隔(亦即，120°間隔)配置于圓周上的3個(gè)L 字形的把持片61所構(gòu)成。各把持片61進(jìn)退驅(qū)動(dòng)自如地支撐于光學(xué)元件W的徑方向(箭頭 M、N方向)，在前端部形成有半球狀的元件抵接部位61a。并且構(gòu)成如下若使3個(gè)把持片 61向接近光學(xué)元件W的中心CTl的向心方向(箭頭M方向)前進(jìn)，則各元件抵接部位61a 與光學(xué)元件W點(diǎn)接觸而可由三點(diǎn)確實(shí)把持光學(xué)元件W，同時(shí)若使3個(gè)把持片61向遠(yuǎn)離光學(xué) 元件W的中心CTl的離心方向(箭頭N方向)后退，則可解除這些把持片61對(duì)光學(xué)元件W 的把持狀態(tài)。而且，在成形光學(xué)元件W時(shí)，依照與上述實(shí)施方式1相同的順序。作為用以加熱3 個(gè)把持片61的元件抵接部位61a的加熱機(jī)構(gòu)，例如準(zhǔn)備與光學(xué)元件W的形狀相對(duì)應(yīng)的圓柱 狀或者圓筒狀的加熱器。另外，在第2元件輸送步驟及第3元件輸送步驟之前，使3個(gè)把持 片61的元件抵接部位61a碰觸到如上所述的加熱器?；蛘?，亦可使用非接觸式加熱器，例 如輻射熱加熱器。在該實(shí)施方式2中，除了發(fā)揮與上述實(shí)施方式1相同的效果以外，利用元件把持具 60來(lái)支撐光學(xué)元件W的側(cè)面，因此難以受到光學(xué)元件W的光學(xué)面的凹凸的影響，即使光學(xué)元 件W的曲率變大，也可發(fā)揮容易穩(wěn)定支撐光學(xué)元件W的效果。[發(fā)明的實(shí)施方式3(加熱裝置的變型例)]圖16表示本發(fā)明實(shí)施方式3中所使用的加熱裝置的示圖。在實(shí)施方式3中，如圖 16所示，在實(shí)施方式1所使用的加熱裝置41中，省略工作臺(tái)47及壁體46，將紅外線加熱器 43設(shè)置于加熱載置臺(tái)42的下方，除此不同點(diǎn)之外，使用與實(shí)施方式1相同的成形裝置1，以 相同的操作而成形出光學(xué)元件。與實(shí)施方式1共通的說(shuō)明將省略。在該實(shí)施方式中，除了發(fā)揮與上述實(shí)施方式相同的效果之外，由于在光學(xué)元件W的外周上不存在壁體46，因此還 具有光學(xué)元件W的出入較為順利、且不依存于透鏡的形狀(直徑、凹面形狀、凸面形狀)的 優(yōu)點(diǎn)。此外，在上述實(shí)施方式1 3中，對(duì)于加熱裝置41的壁體46的高度Hl與光學(xué)元 件W的載置預(yù)定區(qū)域Sl的上端為相同高度的情況進(jìn)行了說(shuō)明，但也可以使壁體46的高度 Hl高于光學(xué)元件W的載置預(yù)定區(qū)域Sl的上端。在該情形時(shí)，從紅外線加熱器43側(cè)觀察時(shí) 光學(xué)元件W隱藏于壁體46的背側(cè)，因此可將來(lái)自紅外線加熱器43的紅外線直接照射至光 學(xué)元件W而導(dǎo)致光學(xué)元件W破裂的事態(tài)防患于未然。另外，在上述實(shí)施方式所使用的加熱裝置41中，對(duì)利用支撐凸部42b將光學(xué)元件W 從其下側(cè)加以支撐的情況進(jìn)行了說(shuō)明。然而，支撐凸部42b的支撐方法并不限于此，例如， 也可以將光學(xué)元件W從其周圍包圍而支撐。進(jìn)而，在上述實(shí)施方式中，對(duì)于使用紅外線加熱器43來(lái)作為加熱機(jī)構(gòu)的情形進(jìn)行 了說(shuō)明，但也可代用或并用紅外線加熱器43以外的加熱機(jī)構(gòu)(例如，照射紅外線以外的電 磁波的加熱機(jī)構(gòu)、鹵素加熱器、電磁感應(yīng)加熱裝置、雷射加熱裝置、氮?dú)獾鹊臒犸L(fēng)加熱裝置
寸乂 O進(jìn)而，已對(duì)上述實(shí)施方式所使用的加熱裝置41中使用由金屬所形成的加熱載置 臺(tái)42的情形進(jìn)行了說(shuō)明。然而，加熱載置臺(tái)42的材質(zhì)并不限于金屬，可代用或并用金屬以 外的材質(zhì)(例如，碳化鎢(WC)、碳化硅(SiC)等的金屬碳化物；氮化硅(SiN)等的金屬氮化 物；碳、氮化硼(BN)、氧化鋁等的陶瓷等)。另外，已對(duì)上述實(shí)施方式所使用的加熱裝置41中由加熱載置臺(tái)42及其它零件所 構(gòu)成的加熱裝置41設(shè)置于第2元件預(yù)熱部17上的光學(xué)元件的成形裝置1進(jìn)行了說(shuō)明，當(dāng) 然，也可以將該加熱裝置41設(shè)置于第1元件預(yù)熱部16中。[其它變型方式]在上述實(shí)施方式中，對(duì)于以下情形、即為了對(duì)吸附墊23的元件抵接部位23c進(jìn)行 加熱而使該元件抵接部位23c碰觸到與吸附墊23不同的另外的加熱盤25的情形進(jìn)行了說(shuō) 明。然而，利用油浴或者金屬浴，也可將吸附墊23的元件抵接部位23c浸漬于高溫的液體 中進(jìn)行加熱。另外，還可利用散射熱(輻射熱)來(lái)加熱吸附墊23的元件抵接部位23c。進(jìn) 而，還可將小型輕量的輸送構(gòu)件加熱機(jī)構(gòu)(未圖示)、例如電熱加熱器、陶瓷加熱器組裝于 吸附墊23中。此時(shí)，可省略加熱盤25等的吸附墊加熱裝置。在上述實(shí)施方式中，對(duì)耐高溫性樹(shù)脂制的吸附墊23進(jìn)行了說(shuō)明。然而，作為該吸 附墊23的材質(zhì)，并不限于耐高溫性樹(shù)脂，例如可代用氧化鋯等的低熱傳導(dǎo)性陶瓷或者石英 玻璃、硼硅酸玻璃等的耐熱玻璃。在上述實(shí)施方式中，還可在光學(xué)元件W上設(shè)置溫度傳感器(未圖示)，并以如下方 式來(lái)控制加熱器45，S卩，一邊監(jiān)控光學(xué)元件W的溫度下降的速度，一邊使其在光學(xué)元件W不 破裂的溫度范圍內(nèi)盡可能地變?yōu)榭焖?。此時(shí)，無(wú)論3個(gè)支撐片42的爪43的全部熱容量與 光學(xué)元件W的熱容量的大小關(guān)系如何，均可既防止因光學(xué)元件W與爪43的溫度差而導(dǎo)致光 學(xué)元件W的破裂，又高效地實(shí)施光學(xué)元件W的冷卻作業(yè)。在上述實(shí)施方式中，對(duì)于金屬制的爪43進(jìn)行了說(shuō)明，但作為該爪43的材質(zhì)，并不 限于金屬，亦可代用耐高溫性樹(shù)脂(例如，聚酰亞胺樹(shù)脂等)。
在上述實(shí)施方式中，對(duì)于如下情形、即為了降低從加熱器45向載置臺(tái)41的傳熱性 而使隔熱構(gòu)件46夾設(shè)于載置臺(tái)41與加熱器45之間的情形進(jìn)行了說(shuō)明，進(jìn)而，通過(guò)對(duì)隔熱 構(gòu)件46的形狀進(jìn)行研究(具體而言，使垂直于傳熱方向的剖面積變小，使傳熱方向的長(zhǎng)度 變長(zhǎng))而可使熱阻變大，從而進(jìn)一步降低傳熱性。在上述實(shí)施方式中，對(duì)于如下情形進(jìn)行了說(shuō)明，S卩，在元件冷卻步驟中，當(dāng)在第1 元件冷卻部19中將光學(xué)元件W載置于冷卻支撐構(gòu)件44上時(shí)，在吸附墊23被定位于既定位 置的狀態(tài)下，關(guān)閉開(kāi)/關(guān)閥56，由此利用冷卻支撐構(gòu)件44的3個(gè)支撐片42來(lái)支撐光學(xué)元 件W的情形。然而，亦可設(shè)置一檢測(cè)光學(xué)元件W受到支撐片42支撐的傳感器(例如，光傳 感器、極限開(kāi)關(guān)(limit switch)等)，根據(jù)該傳感器的輸出信號(hào)而檢測(cè)光學(xué)元件W的支撐情 況。由此，可確實(shí)檢測(cè)出光學(xué)元件W的支撐，故而例如在因某些原因使得吸附墊23的定位 動(dòng)作及開(kāi)/關(guān)閥56的關(guān)閉動(dòng)作產(chǎn)生障礙而無(wú)法準(zhǔn)確支撐光學(xué)元件W時(shí)，可迅速應(yīng)對(duì)。在上述實(shí)施方式中，對(duì)于在三點(diǎn)將光學(xué)元件W支撐于3個(gè)支撐片42上的情形進(jìn)行 了說(shuō)明，但也可以在四個(gè)以上的點(diǎn)來(lái)支撐光學(xué)元件W。在上述實(shí)施方式中，對(duì)于將加熱盤25設(shè)置于元件成形部11與第1元件預(yù)熱部16 之間的情形進(jìn)行了說(shuō)明。然而，關(guān)于加熱盤25的設(shè)置部位，只要在吸附墊23的可動(dòng)范圍內(nèi)， 則可為任意位置，而并不限于元件成形部11與第1元件預(yù)熱部16之間。在上述實(shí)施方式中，已對(duì)如下情形進(jìn)行了說(shuō)明，S卩，在對(duì)吸附墊23的元件抵接部 位23c進(jìn)行加熱時(shí)，利用溫度傳感器49而測(cè)定傳熱板43的表面溫度，并根據(jù)該表面溫度來(lái) 計(jì)算元件抵接部位23c的溫度，由此控制加熱盤25對(duì)元件抵接部位23c的加熱動(dòng)作。然而， 未必要利用溫度傳感器49來(lái)測(cè)定傳熱板43的表面溫度。例如，亦可預(yù)先求出加熱器45的 通電時(shí)間與元件抵接部位23c的溫度間的相關(guān)關(guān)系，將表示該相關(guān)關(guān)系的相關(guān)表(未圖示) 儲(chǔ)存于存儲(chǔ)機(jī)構(gòu)(未圖示)中，當(dāng)對(duì)元件抵接部位23c進(jìn)行加熱時(shí)，從存儲(chǔ)機(jī)構(gòu)中讀出相關(guān) 表，根據(jù)該相關(guān)表而適當(dāng)設(shè)定加熱器45的通電時(shí)間，以使元件抵接部位23c達(dá)到所期望的 溫度，由此控制加熱盤25對(duì)元件抵接部位23c的加熱動(dòng)作。此時(shí)，可省略溫度傳感器49，故 而可減少輸送裝置141的零件數(shù)而削減成本。在上述實(shí)施方式中，已對(duì)采用氮來(lái)作為凈化成形室3內(nèi)的惰性氣體的情形進(jìn)行了 說(shuō)明，但亦可代用或并用除氮以外的惰性氣體(例如，氦、氬、氖、氙等的稀有氣體及其它)。在上述實(shí)施方式中，已對(duì)元件預(yù)熱步驟中以二階段來(lái)對(duì)光學(xué)元件W進(jìn)行預(yù)備加熱 的情形進(jìn)行了說(shuō)明，但也能以三個(gè)以上的階段對(duì)光學(xué)元件W進(jìn)行預(yù)備加熱。在上述實(shí)施方式中，已對(duì)元件冷卻步驟中以二階段來(lái)對(duì)光學(xué)元件W進(jìn)行冷卻的情 形進(jìn)行了說(shuō)明，但也能以三個(gè)以上的階段對(duì)光學(xué)元件W進(jìn)行冷卻。冷卻(裝置)不僅包含 積極冷卻的情形，還包含通過(guò)與熱傳導(dǎo)性高的物體接觸而散熱來(lái)進(jìn)行冷卻的情形(裝置)。在上述實(shí)施方式中，已對(duì)第2元件輸送步驟及第3元件輸送步驟中與高溫(200°C 以上)的光學(xué)元件W相對(duì)應(yīng)而加熱吸附墊23的元件抵接部位23c的情形進(jìn)行了說(shuō)明。此 時(shí)，未必要檢測(cè)光學(xué)元件W的溫度，例如，根據(jù)圖7所示的步驟，亦可設(shè)定第2元件輸送步驟 及第3元件輸送步驟中的吸附墊23的元件抵接部位23c的預(yù)熱溫度。在上述實(shí)施方式中，已對(duì)利用輸送臂22及吸附墊23來(lái)進(jìn)行真空室5與成形室3之 間的光學(xué)元件W的輸送(從真空室5向成形室3的輸送及從成形室3向真空室5的輸送) 的情形進(jìn)行了說(shuō)明，但此時(shí)的光學(xué)元件W的輸送方法并不限定于此。例如，也可將在真空室5與成形室3之間進(jìn)行光學(xué)元件W的輸送的另外的輸送裝置(未圖示)設(shè)置于成形室3內(nèi)， 在打開(kāi)滑動(dòng)門6的狀態(tài)下，使光學(xué)元件W從真空室5與成形室3的一方朝另一方移送并退 避，然后關(guān)閉滑動(dòng)門6。在此情形時(shí)，僅在成形室3內(nèi)驅(qū)動(dòng)輸送臂22即可，從而可使其機(jī)構(gòu)簡(jiǎn)化。在上述實(shí)施方式中，對(duì)于將球面狀的光學(xué)元件W成形為非球面狀的情形進(jìn)行了說(shuō) 明，但成形后的形狀并非限于非球面狀。例如，當(dāng)成形為球面狀及其它形狀時(shí)亦可同樣使用 本發(fā)明。在上述實(shí)施方式中已對(duì)本發(fā)明的具體例進(jìn)行了說(shuō)明，但本發(fā)明并非限定于這些具 體例。對(duì)于本案的權(quán)利要求書(shū)的記載以外的事項(xiàng)，未必要在本案的發(fā)明中加以實(shí)施。例如， 在本發(fā)明的成形方法中，將預(yù)備加熱步驟分成二階段而進(jìn)行，但也能以一階段而實(shí)施，冷卻 步驟也能以一階段實(shí)施。在上述實(shí)施方式的成形裝置中，預(yù)備加熱裝置及冷卻裝置(冷卻 部)分別具備二個(gè)，但也可分別具備一個(gè)?；蛘?，預(yù)備加熱裝置及冷卻裝置(冷卻部也可被 取代而使用設(shè)置有成形裝置的工廠等中既存的設(shè)備。真空室5及工件貯藏室9也可與本發(fā) 明的成形裝置分開(kāi)而另行設(shè)置。即，當(dāng)實(shí)施方式所記載的成形裝置中具備有未限定于權(quán)利 要求書(shū)的成形裝置的構(gòu)成要素時(shí)，請(qǐng)理解為它們并非為實(shí)施發(fā)明的本質(zhì)的零件等，或者可 作為成形裝置的選擇零件及在設(shè)置部位可獲得的零件而利用。另一方面，對(duì)于權(quán)利要求書(shū) 中所記載的構(gòu)成要素，它們并非限定于實(shí)施方式中所記載的具體物。[產(chǎn)業(yè)上的可利用性]本發(fā)明適合于包含在高溫下成形透鏡的步驟的透鏡制造業(yè)，利用本發(fā)明能高效率 地量產(chǎn)出更高精度的透鏡。因此，本發(fā)明有助于光學(xué)產(chǎn)業(yè)的顯著發(fā)展。
權(quán)利要求
一種光學(xué)元件的成形方法，依序成形多個(gè)光學(xué)元件，其包含在元件加熱部對(duì)光學(xué)元件進(jìn)行預(yù)備加熱的動(dòng)作；將預(yù)備加熱后的光學(xué)元件從該元件加熱部輸送至成形模的動(dòng)作；在該成形模中，將該光學(xué)元件一邊加熱至較玻璃轉(zhuǎn)變點(diǎn)高的溫度、一邊進(jìn)行成形的動(dòng)作；將已成形的光學(xué)元件在較玻璃轉(zhuǎn)變點(diǎn)低且400℃以上的溫度下從成形模取出的動(dòng)作；將從成形模取出的光學(xué)元件，利用加熱至較該光學(xué)元件溫度低不到200℃的溫度的構(gòu)件加以把持輸送至冷卻部的動(dòng)作；以及在該冷卻部冷卻該光學(xué)元件的動(dòng)作。
2.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)元件的成形方法，其中，在將上述光學(xué)元件輸送至上述成 形模時(shí)，利用加熱至較該光學(xué)元件溫度低不到200°C的溫度的上述構(gòu)件加以把持并輸送至 上述成形模。
3.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)元件的成形方法，其中，冷卻部具有與光學(xué)元件相接觸的 部位，該部位的溫度維持在較要輸送至冷卻部的光學(xué)元件的溫度低不到200°C的溫度。
4.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)元件的成形方法，其中，使上述構(gòu)件與不同于該構(gòu)件的加 熱體接觸而進(jìn)行加熱。
5.如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的光學(xué)元件的成形方法，其中，多個(gè)光學(xué)元件包含 至少第1至第3光學(xué)元件，在對(duì)第1光學(xué)元件進(jìn)行預(yù)備加熱時(shí)，成形第2光學(xué)元件且將第3 光學(xué)元件在上述冷卻部冷卻。
6.如權(quán)利要求1至5中任一項(xiàng)所述的光學(xué)元件的成形方法，其中，在對(duì)第1光學(xué)元件進(jìn) 行預(yù)備加熱的期間，加熱上述構(gòu)件。
7.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)元件的成形方法，其中，上述構(gòu)件具有抵接于光學(xué)構(gòu)件的 抵接部及減壓吸引光學(xué)元件的吸引口。
8.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)元件的成形方法，其中，在上述光學(xué)元件的加熱及冷卻時(shí)， 該構(gòu)件從光學(xué)元件脫離。
9.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)元件的成形方法，其中，上述元件加熱部具有多個(gè)加熱區(qū) 域，在這些加熱區(qū)域中光學(xué)元件受到階段性加熱。
10.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)元件的成形方法，其中，冷卻部具有多個(gè)冷卻區(qū)域，在這 些冷卻區(qū)域中光學(xué)元件受到階段性冷卻。
11.一種成形裝置，將光學(xué)元件成形，其具備成型部，將光學(xué)元件一邊加熱至較玻璃轉(zhuǎn)變點(diǎn)高的溫度、一邊進(jìn)行成形；冷卻部，將已在成型部成形的光學(xué)元件冷卻；輸送部，具有可裝卸地把持光學(xué)元件的把持部，在光學(xué)元件的溫度較該玻璃轉(zhuǎn)變點(diǎn)低 且為400°C以上的溫度下，通過(guò)把持部把持該光學(xué)元件并從成型部取出而輸送至上述冷卻 部；以及加熱部，將上述把持部加熱至較從成型部取出的光學(xué)元件的溫度低不到200°C的溫度。
12.如權(quán)利要求11所述的成形裝置，其中，上述加熱部具有傳熱板，通過(guò)使上述把持部 接觸于傳熱板來(lái)加熱該把持部。
13.如權(quán)利要求11所述的成形裝置，其中，上述把持部具有減壓吸附光學(xué)元件的吸氣2
14.如權(quán)利要求12所述的成形裝置，其中，把持部具有抵接于光學(xué)元件的抵接部，通過(guò) 使該抵接部接觸于上述傳熱板而受到加熱。
15.如權(quán)利要求14所述的成形裝置，其中，上述抵接部由選自耐高溫性樹(shù)脂、低熱傳導(dǎo) 性陶瓷及耐熱玻璃所組成的組中的一種所形成。
16.如權(quán)利要求11所述的成形裝置，其中，上述把持部在將上述光學(xué)元件輸送至冷卻 部之后，解除對(duì)該光學(xué)元件的把持，并在從把持部解除的狀態(tài)下冷卻光學(xué)元件。
17.如權(quán)利要求11所述的光學(xué)元件的成形裝置，其中，上述冷卻部具備冷卻溫度不同 的多個(gè)散熱裝置。
18.如權(quán)利要求11所述的光學(xué)元件的成形裝置，其進(jìn)一步具有對(duì)光學(xué)元件進(jìn)行預(yù)備加 熱的元件加熱部。
19.如權(quán)利要求18所述的光學(xué)元件的成形裝置，其中，上述元件加熱部具備加熱溫度 不同的多個(gè)加熱裝置。
20.如權(quán)利要求18所述的光學(xué)元件的成形裝置，其中，上述元件加熱部、上述成型部及 上述冷卻部設(shè)于惰性氣體環(huán)境的成形室，該成形室附設(shè)有真空室，在該成形室與該真空室 之間安裝有開(kāi)閉自如的門。
21.如權(quán)利要求11所述的光學(xué)元件的成形裝置，其中，上述冷卻部具有支撐上述光學(xué) 元件的支撐構(gòu)件及加熱支撐構(gòu)件的加熱裝置，且設(shè)置有溫度控制部，其用以控制加熱裝置， 以在上述支撐構(gòu)件支撐上述光學(xué)元件時(shí)，使該支撐構(gòu)件的抵接于該光學(xué)元件的部位的溫度 相對(duì)于該光學(xué)元件的溫度在較光學(xué)元件的溫度低不到200°C的溫度范圍內(nèi)。
22.如權(quán)利要求21所述的光學(xué)元件的成形裝置，其中，上述溫度控制部在上述支撐構(gòu) 件支撐上述光學(xué)元件之后，中止上述加熱裝置對(duì)該支撐構(gòu)件的加熱動(dòng)作并將該光學(xué)元件放 冷。
23.如權(quán)利要求21所述的光學(xué)元件的成形裝置，其中，上述支撐構(gòu)件具備支撐上述光 學(xué)元件的爪、加熱該爪的加熱器、以及經(jīng)由隔熱構(gòu)件支撐該加熱器的載置臺(tái)。
24.如權(quán)利要求18所述的光學(xué)元件的成形裝置，其中，上述元件加熱部具備載置臺(tái)與 加熱具，該載置臺(tái)設(shè)有對(duì)上述光學(xué)元件放射熱的散熱面及抵接于上述光學(xué)元件的外周部以 加以支撐的支撐凸部，該加熱具對(duì)上述加熱載置臺(tái)進(jìn)行加熱，在上述散熱面與上述光學(xué)元 件的載置預(yù)定區(qū)域之間形成有散熱空間。
25.如權(quán)利要求23所述的光學(xué)元件的成形裝置，其中，在上述加熱載置臺(tái)的周圍設(shè)有 壁體，上述加熱具設(shè)于上述壁體周圍。
26.如權(quán)利要求25所述的光學(xué)元件的成形裝置，其中，上述壁體由金屬碳化物形成。
全文摘要
一種光學(xué)元件的成形方法，包含對(duì)光學(xué)元件進(jìn)行預(yù)備加熱(A1，A2)，將預(yù)備加熱后的光學(xué)元件輸送至成形模，在成形模中，將上述光學(xué)元件一邊加熱至較玻璃轉(zhuǎn)變點(diǎn)高的溫度、一邊進(jìn)行成形(B)，將已成形的光學(xué)元件在較玻璃轉(zhuǎn)變點(diǎn)低且400℃以上的溫度下從成形模取出，通過(guò)已加熱至較該光學(xué)元件的溫度低不到200℃的溫度的構(gòu)件把持取出的光學(xué)元件并輸送至冷卻部的動(dòng)作。由此可將較為耗時(shí)的成形步驟縮短為與預(yù)備加熱步驟及冷卻步驟(C1，C2)相同程度的時(shí)間，并可防止光學(xué)元件產(chǎn)生龜裂。
文檔編號(hào)G02B3/00GK101959809SQ200980106870
公開(kāi)日2011年1月26日 申請(qǐng)日期2009年3月2日 優(yōu)先權(quán)日2008年2月28日
發(fā)明者三保拓也, 伊藤賢二, 境貴洋, 宇田川賢司, 早坂崇, 栗原聰, 渡部章一, 鹽澤久, 苗加裕陽(yáng) 申請(qǐng)人:株式會(huì)社尼康