專利名稱：觸控屏幕的結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種觸控裝置，尤其是指一種觸控屏幕的結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)：
在現(xiàn)今各式消費(fèi)性電子產(chǎn)品市場(chǎng)中，個(gè)人數(shù)字助理(personal digital assistant， PDA)、行動(dòng)電話(mobile Phone)及筆記型計(jì)算機(jī)(notebook)等可攜式電子產(chǎn)品乃至于個(gè) 人計(jì)算機(jī)、數(shù)字家電系統(tǒng)皆已逐漸使用觸控屏幕(touch display panel)作為使用者與電子 裝置間的數(shù)據(jù)溝通接口工具。使用觸控屏幕時(shí)，使用者可以直接透過屏幕上顯示的對(duì)象 進(jìn)行操作與下達(dá)指令，提供使用者更人性化的操作接口。此外電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)皆以輕、 薄、短、小是方向，因此在產(chǎn)品設(shè)計(jì)上希望能節(jié)省如按鍵、鍵盤、鼠標(biāo)等傳統(tǒng)輸入裝置 的設(shè)置空間，因此搭配觸控式屏幕的顯示裝置已逐漸成為各式電子產(chǎn)品的關(guān)鍵零組件之
ο觸控屏幕依據(jù)其結(jié)構(gòu)，可以分為外加式觸控屏幕以及內(nèi)嵌式觸控屏幕。外加式 觸控屏幕除了一顯示面板外，還需外加一獨(dú)立的觸控面板在顯示面板上，因此使用者在 觀看顯示面板所呈現(xiàn)的影像時(shí)，可以通過觸控面板來感測(cè)其觸控位置。而內(nèi)嵌式觸控屏 幕，則整合了觸控功能于現(xiàn)有的顯示面板內(nèi)，因此同一面板即同時(shí)具有輸入與傳輸?shù)墓?能，其操作接口較外加式觸控屏幕更為直覺。另一方面，由于無需額外的觸控層，故與 外加式觸控屏幕相比，內(nèi)嵌式觸控屏幕具有更好的顯示品質(zhì)以及較低的耗電量，且更為 輕薄短小，是目前觸控屏幕的發(fā)展趨勢(shì)?，F(xiàn)有的內(nèi)嵌式觸控屏幕技術(shù)是將一感測(cè)組件，如光感測(cè)組件，整合至薄膜晶體 管(TFT)陣列中，也就是將一光感測(cè)組件與現(xiàn)有的薄膜晶體管整合于同一個(gè)像素內(nèi)，并 通過不同的驅(qū)動(dòng)訊號(hào)以及偵測(cè)訊號(hào)，以在同一個(gè)像素之中同時(shí)達(dá)到顯示以及偵測(cè)觸控的 效果。一般光感測(cè)組件的原理是利用半導(dǎo)體材料例如非晶硅(amorphous silicon)在照光 之后會(huì)產(chǎn)生光電荷的特性，通過偵測(cè)其光電流的產(chǎn)生來偵測(cè)其觸控位置?，F(xiàn)有的光感測(cè) 組件包括非晶硅薄膜晶體管(amorphous silicon TFT)或者是PIN光二極管(p-intrinsic-n photodiode),兩者都可以成功整合于現(xiàn)有的液晶顯示面板中，但也存在著若干缺點(diǎn)。例 如，以非晶硅薄膜晶體管作為光感測(cè)組件的結(jié)構(gòu)時(shí)，由于長時(shí)間暴露于光線下，其非晶 硅材料的光電效應(yīng)會(huì)逐漸衰退而使得感光能力逐漸喪失。而若以PIN光二極管作為光感 測(cè)組件時(shí)，由于多晶硅的吸光效率不佳，且在現(xiàn)有架構(gòu)下，無法增加多晶硅的厚度來改 善其光敏感度，因此在光線不充足的環(huán)境下，其偵測(cè)敏感度并不理想。

發(fā)明內(nèi)容
為解決現(xiàn)有觸控屏幕組件衰退與組件靈敏度的問題，本發(fā)明提供一種可有效避 免組件衰退和靈敏度好的觸控屏幕的結(jié)構(gòu)，以及一種觸控屏幕結(jié)構(gòu)的制造方法。一種觸控屏幕的結(jié)構(gòu)，包括一基板、多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線、多條數(shù)據(jù)傳輸 線、多個(gè)薄膜晶體管以及多個(gè)偵測(cè)電容皆設(shè)置于基板上。各數(shù)據(jù)線與各掃描線于基板上劃分出多個(gè)呈陣列排列的像素區(qū)域。每條數(shù)據(jù)傳輸線設(shè)置于每條數(shù)據(jù)線旁。各薄膜晶體 管電性連接至其所對(duì)應(yīng)的掃描線與數(shù)據(jù)線；而各偵測(cè)電容電性連接至所對(duì)應(yīng)的掃描線與 數(shù)據(jù)傳輸線?！N觸控屏幕結(jié)構(gòu)的制造方法，包括提供一基板，并在基板上形成一柵極、一 輔助柵極以及一第一電極，接著在基板上形成一介電層，覆蓋在柵極、輔助柵極以及第 一電極上；然后在柵極上的介電層上行成一通道層，在輔助柵極上的介電層上形成一輔 助通道層，同時(shí)在第一電極上的介電層上形成一第二電極。在通道層上形成一源極與一 漏極，在輔助通道層上形成一輔助源極與一輔助漏極，其中輔助源極與第二電極電性連 接，并部份覆蓋該第二電極。最后在基板上形成一保護(hù)層，以覆蓋源極、漏極、輔助源 極、輔助漏極以及第二電極。本發(fā)明提供了一種內(nèi)嵌式觸控屏幕的結(jié)構(gòu)與結(jié)構(gòu)的制造方法，其是在現(xiàn)有的薄 膜晶體管陣列中，嵌入了一非晶硅電容結(jié)構(gòu)，利用環(huán)境光照射使得非晶硅層所產(chǎn)生的電 荷變化而造成電容值的改變，完成觸控面板的操作。非晶硅電容結(jié)構(gòu)可以改善現(xiàn)有技術(shù) 中組件衰退以及靈敏度不足的問題。


圖1是本發(fā)明的較佳實(shí)施例的觸控式屏幕結(jié)構(gòu)的等效電路示意圖。圖2至圖6是本發(fā)明的較佳實(shí)施例的觸控式屏幕結(jié)構(gòu)的制造方法示意圖。圖7是本發(fā)明的較佳實(shí)施例中的偵測(cè)電容的仰視圖。圖8是本發(fā)明的較佳實(shí)施例中的偵測(cè)電容達(dá)到多點(diǎn)觸控的示意圖。圖9是本發(fā)明的較佳實(shí)施例中的偵測(cè)電容的結(jié)構(gòu)示意圖。圖10至圖13是本發(fā)明的較佳實(shí)施例中的偵測(cè)電容的制造方法示意圖。
具體實(shí)施例方式請(qǐng)參閱圖1和圖6，圖1是本發(fā)明的一實(shí)施例中一種觸控式屏幕結(jié)構(gòu)的等效電路 示意圖，圖6則是其結(jié)構(gòu)剖面示意圖。如圖1所示，觸控屏幕結(jié)構(gòu)的基板上配置有多條 水平以及垂直交錯(cuò)的掃描線(gateline，GL) 100、數(shù)據(jù)線(dataline，DL) 102以及數(shù)據(jù)傳 輸線(outputline，OL) 119。每兩條相鄰的掃描線100以及兩條相鄰的數(shù)據(jù)線102所包圍 的區(qū)域則是單一像素，每條數(shù)據(jù)傳輸線119則設(shè)置于每條數(shù)據(jù)線102旁，并實(shí)質(zhì)上與各數(shù) 據(jù)線102平行。每個(gè)像素內(nèi)則具有一薄膜晶體管104以及一儲(chǔ)存電容106。由圖1和圖 6可以得知，薄膜晶體管104具有一與掃描線100電連接的柵極112，一與數(shù)據(jù)線102電 連接的源極124和一與一像素電極136電性連接的漏極126。存儲(chǔ)電容106則具有一與共 享配線(未顯示)電性連接的存儲(chǔ)下電極144，還具有一與像素電極136電性連接的存儲(chǔ) 上電極128。因此，通過施以適當(dāng)電壓于掃描線100上便可以開啟柵極112，數(shù)據(jù)線102 的訊號(hào)即可以通過薄膜晶體管104而導(dǎo)通于像素電極136，進(jìn)而驅(qū)動(dòng)位于像素區(qū)域的液晶 分子(未顯示)，以改變光線的偏振狀態(tài)，而達(dá)成顯示的效果，并可以通過存儲(chǔ)電容106 進(jìn)行電位的儲(chǔ)存，以維持像素電極136的驅(qū)動(dòng)效果。值得注意的是，為了能夠達(dá)成內(nèi)嵌 式觸控屏幕結(jié)構(gòu)偵測(cè)的效果，本發(fā)明的實(shí)施例在基板上還具有一偵測(cè)電容108。本發(fā)明的 實(shí)施例可以在每固定數(shù)量個(gè)的像素中設(shè)置一偵測(cè)電容108，例如每2乘2的像素區(qū)域內(nèi)即固定設(shè)置有一偵測(cè)電容108;當(dāng)然，也可以每個(gè)像素中皆設(shè)置有一偵測(cè)電容108，視不同 產(chǎn)品的偵測(cè)密度考量而做調(diào)整。請(qǐng)參考圖1和圖6，偵測(cè)電容108的結(jié)構(gòu)由下而上是一第 一電極116、一介電層118、一第二電極122以及一傳輸電極130。第一電極116會(huì)電連 接至掃描線100，而第二電極122則會(huì)電性連接至數(shù)據(jù)傳輸線119。第一電極116是一金 屬導(dǎo)電層，其材料可以是銅、鋁或其它導(dǎo)電材料。介電層118可以是一單一(single)絕 緣層或一復(fù)合(composite)絕緣層，其材料可以包括有氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNy)或 氮氧化硅(SiON)等。第二電極122具有一半導(dǎo)體層以及一重?fù)诫s半導(dǎo)體層，其材料例 如是一含氫的非晶硅層(amorphous silicon)。而傳輸電極130和第一電極116同樣可以是 金屬的導(dǎo)電層。通過兩電極以及位于其中的介電層118，即可以形成一電容結(jié)構(gòu)，請(qǐng)參考 圖7，其是本發(fā)明的一實(shí)施例的偵測(cè)電容仰視圖。如圖7所示，第一電極116與第二電 極122是電容結(jié)構(gòu)中的兩導(dǎo)電電極，中間以介電層118隔開(圖7中未顯示介電層118)。 兩電極重疊的形狀以及大小可以視產(chǎn)品需求而做調(diào)整。例如重疊的形狀是圓形、矩形或 是不規(guī)則形狀等。重疊的面積大小會(huì)影響偵測(cè)電容108在照光時(shí)與不照光時(shí)，其電容差 異的變化值。因此，通過適當(dāng)設(shè)計(jì)兩電極重疊面積或是形狀，可以使偵測(cè)電容108照光 時(shí)的電容值與不照光時(shí)的電容值，有著明顯的差異，從而增加其感光靈敏度。另外，其 第二電極122所感應(yīng)的電容變化值透過傳輸電極130而連接至數(shù)據(jù)傳輸線119。為了避 免數(shù)據(jù)傳輸線119通過傳輸電極130而和第一電極116產(chǎn)生寄生電容而影響偵測(cè)電容108 的準(zhǔn)確性，因此在設(shè)計(jì)上，傳輸電極130與第一電極116應(yīng)避免上下過多部分的重疊，例 如圖7中，傳輸電極130僅接觸第二電極122的一側(cè)部，使得傳輸電極130僅有小部分重 疊于第一電極116上。本發(fā)明的偵測(cè)電容108的原理同樣也是利用第二電極122中的半 導(dǎo)體材質(zhì)(非晶硅)會(huì)吸收光子而產(chǎn)生光電效應(yīng)來感測(cè)。例如，在一外部亮光的環(huán)境下 觸碰此像素區(qū)域時(shí)，其手指按壓處會(huì)遮住外光，因此偵測(cè)電容108的第二電極122的非晶 硅并沒有被光激發(fā)而產(chǎn)生光電效應(yīng)，偵測(cè)電容108上的電容值維持不變；而設(shè)在觸控式 屏幕結(jié)構(gòu)上未被手指觸碰處的偵測(cè)電容108，其偵測(cè)電容108的非晶硅材料便會(huì)因光照而 產(chǎn)生光電荷，并累積在非晶硅材料的表面，導(dǎo)致這些未被手指觸碰與遮蔽的偵測(cè)電容108 的電容值改變，然后再利用相對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)傳輸線119即可以用來偵測(cè)其電容改變值。因 此，通過一訊號(hào)處理器(未顯示)來接受各數(shù)據(jù)傳輸線119所傳遞的電容差異值，即可 以運(yùn)算而得知手指觸碰的位置所在。反之，若在外部環(huán)境是暗處時(shí)，其是利用顯示面板 的背光模組(backlightmodule)提供光源，而在手指觸碰處，光線會(huì)經(jīng)由手指反射而進(jìn)入 觸碰區(qū)的像素內(nèi)，使得相對(duì)應(yīng)的該等偵測(cè)電容108的非晶硅因光電效應(yīng)而產(chǎn)生電容值的 變化，而在其它沒有被手指觸碰的地方，其偵測(cè)電容108則不會(huì)有電容值的改變。同樣 的，通過各數(shù)據(jù)傳輸線119所傳輸?shù)碾娙葜担纯梢缘弥堤帟r(shí)手指的觸碰位置。由上 述操作方式可以得知，偵測(cè)電容108可以透過明暗處兩種不同模式的偵測(cè)方式，利用一 訊號(hào)處理器處理各數(shù)據(jù)傳輸線119所傳遞電容變化值的訊息，即可以得知其觸碰位置。
值得注意的是，第一電極116除了作為電容電極外，還可以擋住下方來自背光 模組(未顯示)的光線，可以避免在正常的情況下，其第二電極122的半導(dǎo)體材料直接受 到背光模組光源的照射而干擾其光偵測(cè)能力。在現(xiàn)有技術(shù)中，還需要形成額外的遮光物 才能達(dá)成這樣的效果，而偵測(cè)電容108的設(shè)計(jì)則整合了此遮光效果，可以省卻額外形成 遮光物的步驟。
本發(fā)明的偵測(cè)電容108也可以感知多點(diǎn)觸碰，請(qǐng)參考圖8。當(dāng)手指觸碰在觸控屏 幕結(jié)構(gòu)上同一行的像素時(shí)，例如同時(shí)觸碰A、B兩處，掃描線GLl進(jìn)行掃描時(shí)同時(shí)驅(qū)動(dòng) 此行的偵測(cè)電容108，而觸碰點(diǎn)A、B兩處的電容值因手指的觸碰而發(fā)生改變，其電容變 化值則分別通過數(shù)據(jù)傳輸線OL2以及OL5傳輸，并通過一訊號(hào)處理器(未顯示)即可以 感知其觸碰位置。而當(dāng)手指觸碰在觸控屏幕結(jié)構(gòu)上同一列的像素時(shí)，例如同時(shí)觸碰A、 C兩處，在掃描線GLl開啟時(shí)，數(shù)據(jù)傳輸線OL2會(huì)感知一電容變化值，而隨著掃描線依 序往下掃描，當(dāng)掃描至GL4時(shí)，數(shù)據(jù)傳輸線OL2也會(huì)感知一電容變化值，因此通過不同 的掃描時(shí)間點(diǎn)，雖然同一列的像素共享同一數(shù)據(jù)傳輸線，但在訊號(hào)處理器在不同時(shí)間點(diǎn) 接受訊息的情況下，仍可以感知多點(diǎn)觸碰的位置。本發(fā)明的實(shí)施例的偵測(cè)電容除了上述優(yōu)點(diǎn)外，還可以完全整合于現(xiàn)有制造薄膜 晶體管陣列的制程。請(qǐng)參考圖2至圖6，是本實(shí)施例中一種制造觸控式屏幕結(jié)構(gòu)的方法示 意圖，其是通過常用的五道光掩模制程，其中每一張圖即代表著一道光掩模步驟。請(qǐng)先 參考圖2，首先在一基板110上沉積一第一金屬層(未顯示)，接著利用第一道光掩模來 圖案化第一金屬層，以分別形成掃描線(未顯示)、薄膜晶體管104的一柵極112、存儲(chǔ) 電容106的一存儲(chǔ)下電極144以及偵測(cè)電容108的一第一電極116。接著如圖3所示，在基板110上全面沉積一介電層118，用來當(dāng)作柵極絕緣層， 其覆蓋在柵極112、存儲(chǔ)下電極144以及第一電極116上。接著沉積一半導(dǎo)體層以及一重 摻雜半導(dǎo)體層(未顯示)，然后以第二道光掩模來圖案化半導(dǎo)體層以及重?fù)诫s半導(dǎo)體層， 以形成薄膜晶體管104的信道層120以及偵測(cè)電容108的一第二電極122。因此可以理解 的是，偵測(cè)電容108的第二電極122會(huì)包括一半導(dǎo)體層以及一重?fù)诫s半導(dǎo)體層。接著如圖4所示，在基板110上全面沉積一第二金屬層(未顯示)，并利用第三 道光掩模來圖案化此第二金屬層，以形成數(shù)據(jù)線(未顯示)、薄膜晶體管104的一源極 124以及一漏極126、存儲(chǔ)電容106的存儲(chǔ)上電極128、數(shù)據(jù)傳輸線(未顯示)以及偵測(cè)電 容108的傳輸電極130，其中傳輸電極130會(huì)覆蓋在第二電極122上方，與第二電極122 有部分重疊，形成耦接，而另一端則會(huì)電連接于數(shù)據(jù)傳輸線119。接著如圖5所示，在基板110上全面沉積一保護(hù)層132，并利用第四道光掩模來 圖案化保護(hù)層，以在漏極126上方的保護(hù)層132中形成一接觸洞134，同樣的也在存儲(chǔ)電 容106的存儲(chǔ)上電極128的上方形成另一接觸洞134，以作為后續(xù)透明薄膜層電連接的通 孔。接著請(qǐng)參考圖6，在基板110上全面形成一透明導(dǎo)電層(未顯示)，然后以第五 道光掩模圖案化透明導(dǎo)電層，以形成一像素電極136。像素電極136會(huì)填入接觸洞134， 以電性連接漏極126以及存儲(chǔ)上電極128。通過上面步驟，即可以在現(xiàn)有五道光掩模的步驟下，在基板110上形成薄膜晶 體管104、存儲(chǔ)電容106以及偵測(cè)電容108，因此可以完全兼容于業(yè)界現(xiàn)有的薄膜晶體管 制程，而不需作額外的設(shè)計(jì)與改良。接著請(qǐng)參考圖9，是本發(fā)明的一實(shí)施例的偵測(cè)電容結(jié)構(gòu)的示意圖。如圖9所示， 偵測(cè)電容108也可以透過另一輔助晶體管109來驅(qū)動(dòng)，并以相對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線102作為訊號(hào) 傳輸端。偵測(cè)電容108的第一電極116是連接像素內(nèi)的共通線(未顯示)，而第二電極 122則連接至輔助晶體管109，透過偵測(cè)掃描線(SL) 103作為此輔助晶體管109的開關(guān)，得以把電容變化值的訊號(hào)傳遞至相對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線102作為訊號(hào)傳輸。在此實(shí)施方式中， 由于是和同一個(gè)像素中的薄膜晶體管104共享數(shù)據(jù)線102，因此為了避免訊號(hào)的干擾，其 掃描線100與偵測(cè)掃描線103的掃描必須交錯(cuò)實(shí)施，例如掃描線100先依序由上至下掃描 時(shí)，此時(shí)的數(shù)據(jù)線102用作薄膜晶體管104的訊號(hào)輸入端，使得薄膜晶體管104能根據(jù)不 同數(shù)據(jù)線102的訊號(hào)而達(dá)到顯示的效果。而當(dāng)掃描線100由上而下掃描結(jié)束后，接著換 偵測(cè)掃描線103依序由上而下掃描，并依序開通其對(duì)應(yīng)的輔助晶體管109，此時(shí)的數(shù)據(jù)線 102則作為偵測(cè)電容108的數(shù)據(jù)傳輸端，使偵測(cè)電容108上的電容值透過數(shù)據(jù)線102而進(jìn) 行傳輸，如此一來，通過不同的掃描時(shí)間，數(shù)據(jù)線102可以作為薄膜晶體管104的訊號(hào)輸 入端及偵測(cè)電容108的偵測(cè)傳輸端。關(guān)于上述輔助晶體管109與偵測(cè)電容108的制造方式，請(qǐng)參考圖10至圖13，是 本發(fā)明的一實(shí)施例中的偵測(cè)電容結(jié)構(gòu)的制造方法示意圖。請(qǐng)參考圖10，首先在一基板 110上沉積一第一金屬層(未顯示)，接著利用第一道光掩模來圖案化第一金屬層，以分 別形成掃描線(未顯示)、偵測(cè)掃描線(未顯示)、輔助晶體管109的一柵極212、存儲(chǔ)電 容106的存儲(chǔ)下電極(未顯示)以及偵測(cè)電容108的一第一電極116。接著如圖11所示，在基板110上全面沉積一介電層118，用來當(dāng)作柵極絕緣層， 并覆蓋在輔助晶體管的柵極212以及第一電極116上。接著沉積一半導(dǎo)體層以及一重?fù)?雜半導(dǎo)體層(未顯示)，然后以第二道光掩模來圖案化半導(dǎo)體層以及重?fù)诫s半導(dǎo)體層，以 形成輔助晶體管109的信道層220及偵測(cè)電容108的第二電極122。接著如圖12所示， 在基板110上全面沉積一第二金屬層(未顯示)，并利用第三道光掩模來圖案化此第二金 屬層，以形成數(shù)據(jù)線(未顯示)、薄膜晶體管104的源極與漏極(未顯示)、存儲(chǔ)電容106 的存儲(chǔ)上電極(未顯示)及輔助晶體管109的一源極224與一漏極226，其中源極224會(huì) 覆蓋在第二電極122上方，并與第二電極122的一側(cè)部重疊，形成電性連接。最后如圖13所示，在基板110上全面沉積一保護(hù)層232，覆蓋在基板110上， 如此一來即可以完成本實(shí)施例的偵測(cè)電容的結(jié)構(gòu)。值得注意的是，上述圖10至圖13的 制造步驟，主要是以形成輔助晶體管109以及偵測(cè)電容108的結(jié)構(gòu)來做說明，但孰悉該項(xiàng) 技藝與通常知識(shí)者均可以理解，本實(shí)施例于形成輔助晶體管109以及偵測(cè)電容108的結(jié)構(gòu) 時(shí)，也能同時(shí)形成所需要的薄膜晶體管104與存儲(chǔ)電容106，請(qǐng)參閱前述說明與相對(duì)應(yīng)的 圖2至圖5的步驟，因此同樣也兼容于現(xiàn)有的五道光掩模步驟。由上述可以得知，本發(fā)明的實(shí)施例所提出的偵測(cè)電容結(jié)構(gòu)，其半導(dǎo)體材料經(jīng)光 電效應(yīng)后會(huì)產(chǎn)生的一電容變化值，在透過不同的數(shù)據(jù)傳輸線(或數(shù)據(jù)線)后，即可以感知 手指的觸碰位置。在本發(fā)明的實(shí)施例的架構(gòu)中，不僅可以達(dá)到多點(diǎn)觸碰的效果，相較于 現(xiàn)有以非基硅薄膜晶體管是感光組件時(shí)，可以避免容易因長時(shí)間的照光而產(chǎn)生組件衰退 的現(xiàn)象，故具有較長的使用壽命。另外，本發(fā)明的實(shí)施例的偵測(cè)電容也毋需透過訊號(hào)放 大器來放大訊號(hào)，因此并不需要在基板上形成額外的訊號(hào)放大器，可以增加產(chǎn)品的開口 率而具有較佳的顯示品質(zhì)。此外，本發(fā)明的實(shí)施例的偵測(cè)電容的制造方法，也完全兼容 于現(xiàn)有薄膜晶體管陣列的制程，毋需額外的設(shè)計(jì)與改良。以上所述僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例，凡依本發(fā)明申請(qǐng)專利范圍所做的均等變化 與修飾，皆應(yīng)屬本發(fā)明之涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1.一種觸控屏幕的結(jié)構(gòu)，包括一基板，多條掃描線設(shè)置在該基板上，多條數(shù)據(jù)線 設(shè)置在該基板上，且這些數(shù)據(jù)線與這些掃描線相配合而在該基板上劃分出多個(gè)呈陣列排 列的像素區(qū)域，多條數(shù)據(jù)傳輸線設(shè)置在該基板上，每一薄膜晶體管分別設(shè)置在每一所述 像素區(qū)域內(nèi)，且每一所述薄膜晶體管電性連接至其所對(duì)應(yīng)的掃描線與數(shù)據(jù)線，其特征在 于觸控面板包括多個(gè)偵測(cè)電容，每一所述偵測(cè)電容分別設(shè)置在每一所述像素區(qū)域內(nèi)， 每一所述偵測(cè)電容電性連接至其所對(duì)應(yīng)的掃描線與數(shù)據(jù)傳輸線，且每一所述數(shù)據(jù)傳輸線 設(shè)置在每一所述數(shù)據(jù)線旁。
2.如權(quán)利要求1所述的觸控屏幕的結(jié)構(gòu)，其特征在于 偵測(cè)電容包括一第一電極設(shè)置在該基板上，并與對(duì)應(yīng)的掃描線電性連接； 一介電層設(shè)置在該第一電極上； 一第二電極設(shè)置在該介電層上；以及一傳輸電極，該傳輸電極與該第二電極以及相對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)傳輸線電性連接。
3.如權(quán)利要求2所述的觸控屏幕的結(jié)構(gòu)，其特征在于第二電極的一側(cè)部與該傳輸 電極電性連接。
4.如權(quán)利要求2所述的觸控屏幕的結(jié)構(gòu)，其特征在于第一電極包括金屬。
5.如權(quán)利要求2所述的觸控屏幕的結(jié)構(gòu)，其特征在于第二電極包括一半導(dǎo)體層以 及一重?fù)诫s半導(dǎo)體層。
6.如權(quán)利要求2所述的觸控屏幕的結(jié)構(gòu)，其特征在于第二電極包括非晶硅。
7.如權(quán)利要求2所述的觸控屏幕的結(jié)構(gòu)，其特征在于傳輸電極包括金屬。
8.—種觸控屏幕結(jié)構(gòu)的制造方法，其包括以下步驟提供一基板；在該基板上形成 一柵極以及一第一電極；在該基板上形成一介電層，覆蓋該柵極以及該第一電極；在該 介電層的位于該柵極上的部分形成一通道層，且在該介電層的位于該第一電極上的部分 形成一第二電極；在該通道層上形成一源極與一漏極，且在該第二電極上形成一傳輸電 極；在該基板上形成一保護(hù)層，并在該保護(hù)層中形成一通孔，該通孔對(duì)應(yīng)設(shè)置在該漏極 上；以及在該基板上形成一像素電極，其中該像素電極通過該通孔與該漏極電性連接。
9.如權(quán)利要求8所述的觸控屏幕結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于第二電極的一側(cè)部 與該傳輸電極電性連接。
10.如權(quán)利要求8所述的觸控屏幕結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于第一電極包括金屬。
11.如權(quán)利要求8所述的觸控屏幕結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于第二電極包括一半 導(dǎo)體層以及一重?fù)诫s半導(dǎo)體層。
12.如權(quán)利要求8所述的觸控屏幕結(jié)構(gòu)的制造方法，其特征在于傳輸電極包括金屬。
13.—種觸控屏幕的結(jié)構(gòu)，包括一基板；多條掃描線設(shè)置在該基板上；多條數(shù)據(jù)線設(shè) 置在該基板上，且這些數(shù)據(jù)線與這些掃描線相配合而在該基板上劃分出多個(gè)呈陣列排列 的像素區(qū)域；多條共享配線設(shè)置在該基板上；多個(gè)薄膜晶體管分別設(shè)置在這些像素區(qū)域 內(nèi)，且每一所述薄膜晶體管是電性連接至其所對(duì)應(yīng)的該掃描線與該數(shù)據(jù)線；多個(gè)輔助晶 體管分別設(shè)置在這些像素區(qū)域內(nèi)，且每一所述輔助晶體管是電性連接至其所對(duì)應(yīng)的偵測(cè)掃描線與數(shù)據(jù)線；其特征在于多條偵測(cè)掃描線設(shè)置在該基板上，其中每一所述條偵測(cè) 掃描線設(shè)置在每一所述條掃描線旁；以及多個(gè)偵測(cè)電容分別設(shè)置在這些像素區(qū)域內(nèi)，且 每一所述偵測(cè)電容是電性連接至其所對(duì)應(yīng)的共享配線與輔助晶體管。
14.如權(quán)利要求13所述的觸控屏幕的結(jié)構(gòu)，其特征在于輔助晶體管包括一柵極設(shè) 置在該基板上，并與對(duì)應(yīng)的該偵測(cè)掃描線電性連接；一介電層設(shè)置在該柵極上；一源極 與一漏極設(shè)置在該介電層上，其中該漏極與對(duì)應(yīng)的該數(shù)據(jù)線電性連接；以及一保護(hù)層設(shè) 置在該源極與該漏極上。
15.如權(quán)利要求14所述的觸控屏幕的結(jié)構(gòu)，其特征在于偵測(cè)電容包括一第一電極 設(shè)置在該基板上，并與對(duì)應(yīng)的該共享配線電性連接；該介電層設(shè)置在該第一電極上；以 及一第二電極設(shè)置在該介電層上，其中該第二電極、該介電層與該第一電極形成一電容 結(jié)構(gòu)，該輔助晶體管的該源極與該第二電極電性連接。
16.如權(quán)利要求15所述的觸控屏幕的結(jié)構(gòu)，其特征在于第二電極以其一側(cè)部與該 輔助晶體管的該源極電性連接。
17.如權(quán)利要求15所述的觸控屏幕的結(jié)構(gòu)，其特征在于第一電極包括金屬。
18.如權(quán)利要求16所述的觸控屏幕的結(jié)構(gòu)，其特征在于第二電極包括一半導(dǎo)體層 以及一重?fù)诫s半導(dǎo)體層。
19.如權(quán)利要求15所述的觸控屏幕的結(jié)構(gòu)，其特征在于傳輸電極包括金屬。
20.—種觸控屏幕結(jié)構(gòu)的制造方法，其包括以下步驟提供一基板；在該基板上形成 一柵極、一輔助柵極以及一第一電極；在該基板上形成一介電層，該介電層覆蓋在該柵 極、該輔助柵極以及該第一電極上；在該介電層的位于該柵極上的部分形成一通道層， 在該介電層的位于該輔助柵極上的部分形成一輔助通道層，且在該介電層的位于該第一 電極上的該部分形成一第二電極；在該通道層上形成一源極與一漏極，在該輔助通道層 上形成一輔助源極與一輔助漏極，其中該輔助源極與該第二電極電性連接；在該基板上 形成一保護(hù)層，覆蓋該源極、漏極、該輔助源極、該輔助漏極以及該第二電極。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種觸控屏幕結(jié)構(gòu)及其形成方法，該觸控屏幕結(jié)構(gòu)包括一基板、多條掃描線、多條數(shù)據(jù)線、多條數(shù)據(jù)傳輸線、多個(gè)薄膜晶體管以及多個(gè)偵測(cè)電容。所述掃描線、數(shù)據(jù)線、數(shù)據(jù)傳輸線、薄膜晶體管以及偵測(cè)電容皆設(shè)置在基板上。數(shù)據(jù)線與掃描線在基板上劃分出多個(gè)呈陣列排列的像素區(qū)域。每條數(shù)據(jù)傳輸線設(shè)置于對(duì)應(yīng)數(shù)據(jù)線旁。各薄膜晶體管電性連接至對(duì)應(yīng)的掃描線與數(shù)據(jù)線。各偵測(cè)電容電性連接至對(duì)應(yīng)的掃描線與數(shù)據(jù)傳輸線。當(dāng)環(huán)境光照射在偵測(cè)電容結(jié)構(gòu)時(shí)，偵測(cè)電容結(jié)構(gòu)的非晶硅層會(huì)產(chǎn)生電荷變化，偵測(cè)電容的電容值改變就可以做為訊號(hào)判讀的依據(jù)。偵測(cè)電容的結(jié)構(gòu)可以改善因光強(qiáng)弱或長時(shí)間照射組件的衰退現(xiàn)象，并提高靈敏度以及準(zhǔn)確性。
文檔編號(hào)G02F1/1362GK102023440SQ20091030703
公開日2011年4月20日 申請(qǐng)日期2009年9月15日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月15日
發(fā)明者劉佳玫, 葉冠華, 吳宏基, 廖維侖, 鄭再來 申請(qǐng)人:群創(chuàng)光電股份有限公司, 群康科技(深圳)有限公司