專(zhuān)利名稱(chēng)：顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開(kāi)針對(duì)顯示面板，且更具體地，涉及具有在第一和第二子像素電極之間形成 的水平電場(chǎng)的顯示面板。
背景技術(shù)：
液晶顯示器(IXD)的顯示面板使用多個(gè)單元像素顯示圖像，每個(gè)單元像素包括薄 膜晶體管(TFT)和液晶電容器。液晶電容器包括像素電極、公共電極和插在像素電極和公共電極之間的液晶層。 顯示面板經(jīng)過(guò)TFT給像素電極提供外部電荷以改變?cè)谙袼仉姌O和公共電極之間形成的電 場(chǎng)。在像素電極和公共電極之間形成的電場(chǎng)的變化會(huì)改變液晶分子的方向，這會(huì)改變液晶 分子的透光率，由此顯示圖像。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的各實(shí)施例提供一種具有改進(jìn)的圖像質(zhì)量的顯示面板。本發(fā)明的各實(shí)施例的以上和其他目標(biāo)將在示范實(shí)施例的以下說(shuō)明中闡明或從中 明了。根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種顯示面板，包括彼此交替的第一子像素電極和第 二子像素電極，以形成水平電場(chǎng)；第一數(shù)據(jù)線，傳輸?shù)谝粩?shù)據(jù)電壓到第一子像素電極；以及 第二數(shù)據(jù)線，傳輸?shù)诙?shù)據(jù)電壓到第二子像素電極，其中形成第二子像素電極以與第一和 第二數(shù)據(jù)線重疊。


圖1是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的顯示設(shè)備的框圖。圖2說(shuō)明圖1說(shuō)明的顯示面板的示范像素的等效電路圖。圖3說(shuō)明取決于施加到第一和第二數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)電壓的極性的第一和第二子像 素電極之間的電壓變化。圖4說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的示范實(shí)施例的包括底層顯示面板的顯示面板的布局圖。圖5是沿圖4的線V-V，的截面圖。圖6A是圖4所示的顯示面板的詳圖；說(shuō)明第一和第二數(shù)據(jù)線與第一子像素電極的 布局圖，而圖6B是說(shuō)明第一和第二數(shù)據(jù)線與第二子像素電極的布局圖的詳圖。圖7說(shuō)明圖4所示的顯示面板的修改實(shí)施例的布局圖。圖8說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的另一示范實(shí)施例的包括底層顯示面板的顯示面板的布局 圖。圖9說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的另一示范實(shí)施例的包括底層顯示面板的顯示面板的布局 圖。圖10說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的另一示范實(shí)施例的包括底層顯示面板的顯示面板的布局
3圖。
具體實(shí)施例方式通過(guò)參考附圖及以下示范實(shí)施例的詳細(xì)描述，本發(fā)明的特征及實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的方法 將更好理解。然而本發(fā)明能夠以多種不同形式來(lái)實(shí)現(xiàn)，且不應(yīng)將本發(fā)明解讀為限制于這里 提出的示范實(shí)施例。貫穿本說(shuō)明書(shū)，相似的參考數(shù)字指代類(lèi)似的元件。應(yīng)該理解，當(dāng)元件或 層被稱(chēng)為在另一元件或?qū)印爸稀保颉斑B接”或“耦合”到另一元件時(shí)，其能夠直接處于另外 的元件或?qū)又?，直接連接或耦合到另外的元件或?qū)?，或者可以存在居間元件或?qū)印Ｏ挛闹袑⒄找壕э@示器(LCD)來(lái)充分地描述本發(fā)明的示范實(shí)施例?？墒?，應(yīng)該 理解本發(fā)明并不限于這些實(shí)施例且可以應(yīng)用于包括有機(jī)發(fā)光二級(jí)管顯示器(OLED)的平板 顯示器和等離子顯示面板(PDP)。圖1是說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的顯示設(shè)備的框圖。參考圖1，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的顯示設(shè)備包括顯示面板430、連接到顯示面板 430的柵極驅(qū)動(dòng)器440和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器450、連接到數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器450的灰度電壓產(chǎn)生器480，和 控制這些功能組件的信號(hào)控制器460?？紤]等效電路，顯示面板430包括連接到多個(gè)顯示信號(hào)線并且以矩陣排列的多個(gè) 像素PX。這里，顯示面板430包括彼此面對(duì)的底層顯示面板和上層顯示面板；和插在底層 顯示面板和上層顯示面板之間的液晶層。多個(gè)顯示信號(hào)線布置在底層顯示面板上，并且包括傳輸柵極信號(hào)的多個(gè)柵極線 Gl-Gn和傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)的多個(gè)第一數(shù)據(jù)線DAl-DAm和第二數(shù)據(jù)線DBl_DBm。柵極線Gl-Gn 大體在行的方向延伸且大體上彼此平行。第一數(shù)據(jù)線DAl-DAm和第二數(shù)據(jù)線DBl-DBm大體 上延伸以與柵極線Gl-Gn交叉且交替排列而大體上彼此平行。各個(gè)像素PX包括連接到對(duì)應(yīng)的柵極線Gl-Gn和第一數(shù)據(jù)線DAl-DAm和第二數(shù)據(jù) 線DBl-DBm的開(kāi)關(guān)元件、和被連接到開(kāi)關(guān)元件的液晶電容器。如果需要的話，存儲(chǔ)電容器可 以與液晶電容器并聯(lián)而連接到開(kāi)關(guān)元件。開(kāi)關(guān)元件包括薄膜晶體管(TFT)且是三端子元件，具有連接到柵極線Gl-Gn的對(duì) 應(yīng)一個(gè)的控制端、連接到第一數(shù)據(jù)線DAl-DAm或第二數(shù)據(jù)線DBl-DBm的對(duì)應(yīng)一個(gè)的輸入端、 以及連接到液晶電容器的輸出端。柵極驅(qū)動(dòng)器440連接到柵極線Gl-Gn并將由從外部源(未示出)接收的高電平柵 極信號(hào)(柵極導(dǎo)通電壓Von)和低電平柵極信號(hào)(柵極截止電壓Voff (未示出))的組合 構(gòu)成的柵極信號(hào)施加到柵極線Gl-Gn。圖1說(shuō)明的柵極驅(qū)動(dòng)器440位于顯示面板430的一 側(cè)并且連接到全部柵極線Gl-Gn。雖然已經(jīng)描述了柵極驅(qū)動(dòng)器440位于顯示面板430的一 側(cè)，本發(fā)明并不局限于此，一對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)單元可以分別位于顯示面板430的左側(cè)和右側(cè)，用 于同時(shí)連接到各自的柵極線Gl-Gn。例如，在大尺寸LCD僅包括單個(gè)柵極驅(qū)動(dòng)器的情況下， 可能無(wú)法保證滿意地向柵極線Gl-Gn傳輸柵極導(dǎo)通電壓Von或柵極截止電壓Voff。因此， 一對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)器可以連接到柵極線Gl-Gn的兩側(cè)。柵極驅(qū)動(dòng)器440也可以以具有至少一個(gè) TFT的集成電路的形式被并入并且布置在顯示面板430的底層顯示面板。灰度電壓產(chǎn)生器480產(chǎn)生有關(guān)像素的透光率的灰度電壓。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器450連接到顯示面板430的第一和第二數(shù)據(jù)線DAl-DAm、DBl_DBm，且對(duì)像素施加從灰度電壓產(chǎn)生器480產(chǎn)生的灰度電壓，S卩，數(shù)據(jù)電壓。這里，如果灰度電壓產(chǎn)生 器480設(shè)計(jì)為僅提供基準(zhǔn)灰度電壓，而非提供用于全部灰度的電壓，則數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器450通過(guò) 劃分基準(zhǔn)灰度并且選擇一個(gè)基準(zhǔn)電壓作為數(shù)據(jù)電壓來(lái)產(chǎn)生關(guān)于全部灰度的多個(gè)基準(zhǔn)電壓。柵極驅(qū)動(dòng)器440或數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器450可以連同顯示信號(hào)線Gl_Gn、DAl-DAm和 DBl-DBm及TFT集成到顯示面板430。在替換的示范實(shí)施例中，柵極驅(qū)動(dòng)器440或數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng) 器450可以通過(guò)安裝在柔性印刷電路薄膜(未示出)上作為帶載封裝(TCP)而直接安裝在 液晶顯示面板430上。信號(hào)控制器460控制柵極驅(qū)動(dòng)器440和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器450的操作。信號(hào)控制器460從外部圖形控制器(未示出)接收輸入圖像信號(hào)R、G和B以及控 制輸入圖像信號(hào)R、G和B的顯示的輸入控制信號(hào)。輸入控制信號(hào)可以包括，例如，垂直同步 信號(hào)Vsync、水平同步信號(hào)Hsync、主時(shí)鐘信號(hào)MCLK和數(shù)據(jù)使能信號(hào)DE。信號(hào)控制器460基 于輸入控制信號(hào)適當(dāng)?shù)靥幚磉m合于顯示面板430的操作條件的輸入圖像信號(hào)R、G和B，產(chǎn) 生柵極控制信號(hào)C0NT1、數(shù)據(jù)控制信號(hào)C0NT2和處理的圖像數(shù)據(jù)信號(hào)DAT、提供柵極控制信 號(hào)CONTl到柵極驅(qū)動(dòng)器440以及向數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器450提供數(shù)據(jù)控制信號(hào)C0NT2和處理的圖像 數(shù)據(jù)信號(hào)DAT。柵極控制信號(hào)CONTl包括啟動(dòng)?xùn)艠O驅(qū)動(dòng)器440的掃描的掃描啟動(dòng)信號(hào)STV(未示 出)以及控制何時(shí)輸出柵極導(dǎo)通電壓Von的至少一個(gè)時(shí)鐘信號(hào)。柵極控制信號(hào)CONTl也可 以包括輸出使能信號(hào)OE(未示出)以定義柵極導(dǎo)通電壓Von的持續(xù)時(shí)間。這里，包括在柵 極控制信號(hào)CONTl的時(shí)鐘信號(hào)可以用作選擇信號(hào)SE(未示出)。數(shù)據(jù)控制信號(hào)C0NT2包括水平同步開(kāi)始信號(hào)STH(未示出)以通知數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器 450關(guān)于一組像素的數(shù)據(jù)傳輸?shù)拈_(kāi)始；用于指令數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器450施加數(shù)據(jù)電壓到數(shù)據(jù)線 Dl-Dm的負(fù)荷信號(hào)LOAD (未示出)；以及數(shù)據(jù)時(shí)鐘信號(hào)HCLK (未示出)。數(shù)據(jù)控制信號(hào)C0NT2 還可以包括反轉(zhuǎn)信號(hào)RVS(未示出)以反轉(zhuǎn)簡(jiǎn)稱(chēng)為“數(shù)據(jù)電壓的極性”的數(shù)據(jù)電壓相對(duì)于接 地電壓的極性。響應(yīng)于自信號(hào)控制器460傳輸?shù)臄?shù)據(jù)控制信號(hào)C0NT2，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器450接收關(guān)于像 素PX的圖像數(shù)據(jù)DAT，從灰度電壓產(chǎn)生器480中選擇關(guān)于圖像數(shù)據(jù)DAT的灰度電壓，將圖像 數(shù)據(jù)DAT轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的數(shù)據(jù)電壓，并且施加數(shù)據(jù)電壓到對(duì)應(yīng)于像素PX的第一和第二數(shù)據(jù)線 DAl-DAm 和 DBl-DBm 之一。響應(yīng)于自信號(hào)控制器460傳輸?shù)臇艠O控制信號(hào)CONTl，柵極驅(qū)動(dòng)器440施加?xùn)艠O導(dǎo) 通電壓Von到柵極線Gl-Gn中的一個(gè)，從而導(dǎo)通連接到施加了柵極導(dǎo)通電壓Von的柵極線 的開(kāi)關(guān)元件。因此，經(jīng)由數(shù)據(jù)線施加到第一和第二數(shù)據(jù)線DAl-DAm和DBl-DBm的數(shù)據(jù)電壓 被經(jīng)由開(kāi)關(guān)元件施加到像素PX。施加到每個(gè)像素PX的數(shù)據(jù)電壓表示為跨過(guò)液晶電容器而充電的電壓，這稱(chēng)為像 素電壓。液晶層中的液晶分子的方向取決于像素電壓的幅度，且液晶分子的分子方向確定 經(jīng)過(guò)液晶層的光的偏振，從而引起光的傳輸。下文中，將參考圖2和3更詳細(xì)地描述根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的顯示面板。圖2說(shuō)明圖1說(shuō)明的顯示面板的示范像素的等效電路圖，而圖3說(shuō)明取決于施加 到第一和第二數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)電壓的極性的第一和第二子像素電極之間的電壓變化。參考圖2和3，顯示面板(圖1的430)包括傳輸柵極電壓的柵極線Gj、與柵極線
5Gj交叉形成并傳輸數(shù)據(jù)電壓的第一和第二數(shù)據(jù)線DAi和DBi。由柵極線Gj和第一和第二 數(shù)據(jù)線DAi和DBi限定的像素PX包括彼此交替并形成水平電場(chǎng)的第一和第二子像素電極 PEl 禾口 PE2。具體地，像素PX包括第一和第二開(kāi)關(guān)元件Tl和T2、第一和第二子像素電極PEl和 PE2、液晶電容器Clc以及第一和第二存儲(chǔ)電容器Cstl和Cst2。由于經(jīng)過(guò)第一和第二開(kāi)關(guān) 元件Tl和T2向液晶電容器Clc的兩個(gè)端子提供數(shù)據(jù)電壓，因此液晶電容器Clc被充電有 該像素電壓。具體地，第一開(kāi)關(guān)元件Tl形成于柵極線Gj和第一數(shù)據(jù)線DAi的交叉處，而第二開(kāi) 關(guān)元件T2形成于柵極線Gj和第二數(shù)據(jù)線DBi的交叉處。這里，第一開(kāi)關(guān)元件Tl和第二開(kāi) 關(guān)元件T2可以是TFT。第一開(kāi)關(guān)元件Tl具有連接到柵極線Gj的控制端、連接到第一數(shù)據(jù)線DAi的輸入 端、以及連接到液晶電容器Clc的一側(cè)的輸出端。此外，第一開(kāi)關(guān)元件Tl的輸出端連接到 第一子像素電極PE1。在第一開(kāi)關(guān)元件Tl的輸出端和存儲(chǔ)線SL之間形成第一存儲(chǔ)電容器 Cstl ο類(lèi)似地，第二開(kāi)關(guān)元件T2具有連接到柵極線Gj的控制端、連接到第二數(shù)據(jù)線DBi 的輸入端、以及連接到液晶電容器Clc的另一側(cè)的輸出端。此外，第二開(kāi)關(guān)元件T2的輸出 端連接到第二子像素電極PE2。在第二開(kāi)關(guān)元件T2的輸出端和存儲(chǔ)線SL之間形成第二存 儲(chǔ)電容器Cst2。這里，液晶層包含的液晶材料用作液晶電容器Clc的介電材料。第一存儲(chǔ) 電容器Cstl包括第一開(kāi)關(guān)元件Tl的輸出端(即，第一子像素電極PEl)、布置在底層顯示面 板的存儲(chǔ)線SL、以及插在第一子像素電極PEl和存儲(chǔ)線SL之間的介電材料。第二存儲(chǔ)電容 器Cst2包括第二開(kāi)關(guān)元件T2的輸出端(即，第二子像素電極PE2)、布置在底層顯示面板的 存儲(chǔ)線SL、以及插在第二子像素電極PE2和存儲(chǔ)線SL之間的介電材料。具體地，在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的顯示面板中，第一寄生電容器Cdpl布置在第一 數(shù)據(jù)線DAi和第二子像素電極PE2之間，同時(shí)在第一數(shù)據(jù)線DAi和第一子像素電極PEl之 間不存在寄生電容器，或者如果有的話，此類(lèi)電容器可以忽略。此外，第二寄生電容器Cdp2 布置在第二數(shù)據(jù)線DBi和第二子像素電極PE2之間，同時(shí)在第二數(shù)據(jù)線DBi和第一子像素 電極PEl之間不存在寄生電容器，或者如果有的話，此類(lèi)電容器可以忽略。這里，第一寄生電容器Cdpl包括第二子像素電極PE2、第一數(shù)據(jù)線DAi和在它們之 間插入的介電材料，而第二寄生電容器Cdp2包括第二子像素電極PE2、第二數(shù)據(jù)線DBi和在 它們之間插入的介電材料。如果施加到第一數(shù)據(jù)線DAi的電壓改變，也即，如果第一和第二開(kāi)關(guān)元件Tl和T2 被截止且施加到第一數(shù)據(jù)線DAi的第一數(shù)據(jù)電壓的極性改變，則由于耦合現(xiàn)象第一寄生電 容器能夠改變充電在第二子像素電極PE2中的數(shù)據(jù)電壓(或電荷的數(shù)量)。例如，如果施加 到第一數(shù)據(jù)線DAi的第一數(shù)據(jù)電壓從正極性改變?yōu)樨?fù)極性，則充電在第二子像素電極PE2 中的數(shù)據(jù)電壓會(huì)被減少。如果施加到第一數(shù)據(jù)線DAi的第一數(shù)據(jù)電壓從負(fù)極性改變?yōu)檎龢O 性，則充電在第二子像素電極PE2中的數(shù)據(jù)電壓會(huì)增加。假設(shè)Δ Vl表示施加到第一數(shù)據(jù)線DAi的第一數(shù)據(jù)電壓的變化，Ccdpl表示第一寄 生電容器的電容，而Ccstl表示第一存儲(chǔ)電容器Cstl的電容，則基于第一數(shù)據(jù)線DAi的在 第二子像素電極ΡΕ2中的電壓變化AVcdpl能夠用以下公式(1)表示
AVcdjA = AV\ ^^^^( 1 )
Ccdpl + Ccstl如果施加到第二數(shù)據(jù)線DBi的電壓改變，也即，如果第一和第二開(kāi)關(guān)元件Tl和T2 被截止且施加到第二數(shù)據(jù)線DBi的第二數(shù)據(jù)電壓的極性改變，則由于耦合現(xiàn)象第二寄生電 容器能夠改變充電在第二子像素電極PE2中的數(shù)據(jù)電壓。例如，如果施加到第二數(shù)據(jù)線DBi 的第二數(shù)據(jù)電壓從負(fù)極性改變?yōu)檎龢O性，則充電在第二子像素電極PE2中的數(shù)據(jù)電壓會(huì)被 增加。如果施加到第二數(shù)據(jù)線DBi的第二數(shù)據(jù)電壓從正極性改變?yōu)樨?fù)極性，則充電在第二 子像素電極PE2中的數(shù)據(jù)電壓會(huì)減少。假設(shè)Δ V2表示施加到第二數(shù)據(jù)線DBi的第二數(shù)據(jù)電壓的變化，Ccdp2表示第二寄 生電容器的電容，而Ccst2表示第二存儲(chǔ)電容器Cst2的電容，基于第二數(shù)據(jù)線DBi的在第 二子像素電極PE2中的電壓變化AVcdp2能夠用以下公式(2)表示AVcdp2 = AV2^^~~( 2 )
Ccdp2 + Ccstl因此，由于施加到第一和第二數(shù)據(jù)線DAi和DBi的數(shù)據(jù)電壓改變，基于第一和第二 寄生電容器Cdpl和Cdp2的第二子像素電極PE2的電壓變化ΔΥ能夠改用以下公式(3)表 示AY 二 AVcdpl + 厶 Vcdpl 二厶 Yl^^^ + AV2——__(3)
Ccdpl + CcstlCcdpl + Ccst2在公式(3)中，當(dāng)?shù)谝缓偷诙鎯?chǔ)電容器Cstl和Cst2的電容一致時(shí)，第二子像素 電極PE2的電壓變化AV可以由第一和第二寄生電容器Cdpl和Cdp2以及施加到第一和第 二數(shù)據(jù)線DAi和DBi的第一和第二數(shù)據(jù)電壓的變化Δ Vl和AV2來(lái)確定。根據(jù)本發(fā)明的示 范實(shí)施例，施加到第一和第二數(shù)據(jù)線DAi和DBi的第一和第二數(shù)據(jù)電壓可以具有不同的極 性但是具有相同的幅度。也即，取決于施加到第一數(shù)據(jù)線DAi的第一數(shù)據(jù)電壓的極性改變 的第一數(shù)據(jù)電壓中的變化Δν 可以和取決于施加到第二數(shù)據(jù)線DBi的第二數(shù)據(jù)電壓的極 性改變的第二數(shù)據(jù)電壓中的變化AV2相同。在另外的示范實(shí)施例中，第一寄生電容器Cdpl 的電容可以基本上和第二寄生電容器Cdp2的電容相同。因此，基于第一寄生電容器Cdpl的第二子像素電極PE2的電壓變化AVcdpl和基 于第二寄生電容器Cdp2的第二子像素電極PE2的電壓變化AVcdp2基本上相同，盡管具有 不同極性。因此，根據(jù)本發(fā)明的示范實(shí)施例，施加到第二子像素電極PE2的數(shù)據(jù)電壓可以基 本上不變，即便施加到第一和第二數(shù)據(jù)線DAi和DBi的第一和第二數(shù)據(jù)電壓的極性被改變。在本發(fā)明的進(jìn)一步的示范實(shí)施例中，由于在第一子像素電極PEl和第一和第二數(shù) 據(jù)線DAi和DBi的每個(gè)之間基本沒(méi)有或沒(méi)有寄生電容器存在，所以施加到第一子像素電極 PEl的數(shù)據(jù)電壓可以基本上不變，即便施加到第一和第二數(shù)據(jù)線DAi和DBi的第一和第二數(shù) 據(jù)電壓的極性被改變。此外，由于第一和第二寄生電容器Cdpl和Cdp2布置在第二子像素電極PE2以及 第一和第二數(shù)據(jù)線DAi和DBi之間，如上所述的，基于第一寄生電容器Cdpl的第二子像素 電極PE2的電壓變化AVcdpl和基于第二寄生電容器Cdp2的第二子像素電極PE2的電壓 變化Δ Vcdp2基本上相同，盡管具有不同的極性。也即，第二子像素電極PE2可以基本上不 受施加到第一和第二數(shù)據(jù)線DAi和DBi的數(shù)據(jù)電壓的影響。
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因此，在根據(jù)本發(fā)明的示范實(shí)施例的顯示面板中，即便施加到第一和第二數(shù)據(jù)線 DAi和DBi的數(shù)據(jù)電壓的極性被改變，充電在第一和第二子像素電極PEl和PE2之間的像素 電壓Vdata也可以基本上不變。這將參考圖3更詳細(xì)地描述。當(dāng)柵極導(dǎo)通電壓施加到柵極線Gj時(shí)，+7V和-7V的數(shù)據(jù)電壓可以分別從第一和第 二數(shù)據(jù)線DAi和DBi傳輸至第一和第二子像素電極PEl和PE2。也即，14V的像素電壓可以 施加在第一和第二子像素電極PEl和PE2之間。當(dāng)柵極截止電壓施加到柵極線Gj時(shí)，+7V和-7V的數(shù)據(jù)電壓可以分別從第一和第 二數(shù)據(jù)線DAi和DBi傳輸至第一和第二子像素電極PEl和PE2。由于進(jìn)行列反轉(zhuǎn)或點(diǎn)反轉(zhuǎn)， 所以在第一和第二子像素電極PEl和PE2之間充電的像素電壓可不變。具體地，由于在第 一子像素電極PEl以及第一和第二數(shù)據(jù)線DAi和DBi之間基本沒(méi)有或沒(méi)有單獨(dú)的寄生電容 器，所以第一子像素電極PEl可以不受施加到第一和第二數(shù)據(jù)線DAi和DBi的數(shù)據(jù)電壓的 影響。此外，由于第一和第二寄生電容器Cdpl和Cdp2布置在第二子像素電極PE2以及 第一和第二數(shù)據(jù)線DAi和DBi之間，如上所述的，基于第一寄生電容器Cdpl的第二子像素 電極PE2的電壓變化AVcdpl與基于第二寄生電容器Cdp2的第二子像素電極PE2的電壓 變化Δ Vcdp2基本上相同，盡管具有不同的極性。也即，第二子像素電極PE2可以基本上不 受施加到第一和第二數(shù)據(jù)線DAi和DBi的數(shù)據(jù)電壓的影響。因此，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的顯示面板能夠?qū)崿F(xiàn)圖像質(zhì)量的改進(jìn)，因?yàn)樵诮刂沟?一和第二開(kāi)關(guān)元件Tl和T2之后，即便施加到第一和第二數(shù)據(jù)線DAi和DBi的數(shù)據(jù)電壓的 極性改變，在第一和第二子像素電極PEl和PE2之間充電的像素電壓Vdata也將基本上不變。下文中，將參考圖4到7描述根據(jù)本發(fā)明的示范實(shí)施例的顯示面板。圖4說(shuō)明根 據(jù)本發(fā)明的示范實(shí)施例的包括底層顯示面板的顯示面板的布局圖，圖5是沿圖4的線V-V’ 的截面圖，圖6A是圖4所示的顯示面板的詳圖，說(shuō)明第一和第二數(shù)據(jù)線與第一子像素電極 的布局圖；而圖6B是說(shuō)明第一和第二數(shù)據(jù)線與第二子像素電極的布局圖的詳圖。圖7說(shuō)明 圖4所示的顯示面板的修改實(shí)施例的布局圖。根據(jù)該實(shí)施例的顯示面板包括具有薄膜晶體管(TFT)陣列的底層顯示面板、面對(duì) TFT陣列的上層顯示面板、和插在其中間的液晶層。參考圖4和5，首先描述底層顯示面板?；旧显谒椒较蛏涎由觳⑶覀鬏敄艠O信 號(hào)的柵極線Gj布置在可包括如透明玻璃的絕緣基底510上。柵極線Gj按照一一對(duì)應(yīng)的關(guān) 系耦合到每個(gè)像素。表現(xiàn)為突起的形式的第一和第二柵極電極526a和526b均耦合到柵極 線Gj。第一柵極電極526a形成于與第一數(shù)據(jù)線DAi的交叉處，而第二柵極電極526b形成 于與第二數(shù)據(jù)線DBi的交叉處。柵極線Gj以及第一和第二柵極電極526a和526b被總稱(chēng) 為柵極互連。存儲(chǔ)線SL布置在絕緣基底510上并且沿著和柵極線Gj基本平行的水平方向延伸 穿越像素區(qū)域。存儲(chǔ)線SL與第一和第二子像素電極610_1和620_1重疊以形成存儲(chǔ)電容 器，由此提高像素的電荷保持能力。這里，可以按照各種方式改變存儲(chǔ)線SL的形狀和排列。柵極互連和存儲(chǔ)線SL可以包括鋁(Al)或基于鋁的金屬材料(諸如鋁合金)、銀 (Ag)或基于銀的金屬材料(諸如銀合金)、銅(Cu)或基于銅的金屬材料(諸如銅合金)、鉬(Mo)或基于鉬的金屬材料(諸如鉬合金)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、或鉭(Ta)0此外，柵極互連和 存儲(chǔ)線SL可以包括多層結(jié)構(gòu)，該多層結(jié)構(gòu)包括具有不同物理屬性的兩個(gè)傳導(dǎo)層(未示出)。 在本發(fā)明的一個(gè)示范實(shí)施例中，兩個(gè)傳導(dǎo)層的一個(gè)可以包括低阻抗金屬，諸如，例如，鋁或 基于鋁的金屬材料、銀或基于銀的金屬材料、銅或基于銅的金屬材料從而能夠減少信號(hào)延 遲或電壓下降的概率。在本發(fā)明的另外的示范實(shí)施例中，另一傳導(dǎo)層可以包括具有良好接 觸特性的材料，例如，銦錫氧化物(“ΙΤ0”)或銦鋅氧化物(“ΙΖ0”)，諸如鉬或基于鉬的金 屬材料、鉻、鈦或鉭。柵極互連和存儲(chǔ)線SL的此類(lèi)組合的示例可以包括雙層，其中包括作為 底層的鉻層和作為上層的鋁層，或者包括作為底層的鋁層和作為上層的鉬層?？墒?，本發(fā)明 的實(shí)施例并不局限于此。也即，在本發(fā)明的其他示范實(shí)施例中，柵極互連和存儲(chǔ)線SL可以 包括除了這里闡述的那些之外的各種金屬和傳導(dǎo)材料。在柵極線Gj和存儲(chǔ)線SL上的柵極絕緣層530可以包括氮化硅(SiNx)。由氫化非晶硅或多晶硅組成的第一和第二半導(dǎo)體層540a和540b形成在柵極絕緣 層530上。第一半導(dǎo)體層540a與第一柵極電極526a重疊，而第二半導(dǎo)體層540b與第二柵 極電極526b重疊。第一和第二半導(dǎo)體層540a和540b可以具有不同的形狀，諸如島型形狀 或線型形狀。由硅化物或摻雜高濃度η型雜質(zhì)的η+氫化非晶硅組成的歐姆接觸層555a和556a 可以形成在第一和第二半導(dǎo)體層540a和540b上。在本發(fā)明的實(shí)施例中，歐姆接觸層555a 和556a作為一對(duì)被安置在半導(dǎo)體層540a上。對(duì)應(yīng)于第一數(shù)據(jù)線DAi的第一漏電極566a和對(duì)應(yīng)于第二數(shù)據(jù)線DBi的第二漏電 極566b形成在歐姆接觸層555a和556a以及柵極絕緣層530上。第一和第二數(shù)據(jù)線DAi和DBi沿縱向的方向延伸并且和柵極線Gj以及存儲(chǔ)線SL 交叉，以及傳輸數(shù)據(jù)電壓。分別朝第一漏電極566a延伸的第一源電極565a形成在第一數(shù)據(jù) 線DAi處。分別朝第二漏電極566b延伸的第二源電極565b形成在第二數(shù)據(jù)線DBi處。如 圖4所示，如果像素包括第一和第二子像素電極610_1和620_1，則第一和第二數(shù)據(jù)線DAi 和DBi向第一和第二子像素電極610_1和620_1傳輸具有不同極性的數(shù)據(jù)電壓。具體地， 第一和第二數(shù)據(jù)線DAi和DBi可以向第一和第二子像素電極610_1和620_1傳輸具有不同 極性但具有相同幅度的數(shù)據(jù)電壓。第一和第二數(shù)據(jù)線DAi和DBi、第一和第二源電極565a和565b、第一和第二漏電 極566a和566b被總稱(chēng)為數(shù)據(jù)互連。數(shù)據(jù)互連可以包括諸如鉻、鉬或基于鉬的金屬材料、鈦或鉭的高熔點(diǎn)金屬。在本發(fā) 明的另外示范實(shí)施例中，數(shù)據(jù)互連可以具有多層結(jié)構(gòu)，該多層結(jié)構(gòu)包括包含高熔點(diǎn)金屬的 底層(未示出)和包含低阻材料的上層(未示出)。多層結(jié)構(gòu)的示例包括具有上層Cr薄膜 和底層Al薄膜或者底層Al薄膜和上層Mo薄膜的雙層結(jié)構(gòu)，而三層結(jié)構(gòu)具有底層Mo薄膜、 中間Al薄膜和上層Mo薄膜。第一和第二源電極565a和565b至少部分與第一和第二半導(dǎo)體層540a和540b重 疊。第一和第二漏電極566a和566b相對(duì)并且相對(duì)于柵極電極526a和526b面對(duì)第一和第 二源電極565a和565b，并且至少部分與第一和第二半導(dǎo)體層540a和540b重疊。這里，歐 姆接觸層555a和556a插在下面的第一和第二半導(dǎo)體層540a和540b以及上面的第一和第 二源電極565a和565b之間，以及插在下面的第一和第二半導(dǎo)體層540a和540b以及上面的第一和第二漏電極566a和566b之間以減小它們之間的接觸阻抗。鈍化層570形成在數(shù)據(jù)互連以及第一和第二半導(dǎo)體層540a和540b的暴露部分 上。鈍化層570可以包括基于氮化硅或氧化硅的無(wú)機(jī)材料、具有良好平面屬性的光敏有機(jī) 材料、或低k介電材料，諸如可以使用等離子增強(qiáng)化學(xué)蒸汽沉淀(PECVD)方法形成的Si:C:0 或Si:0:F。鈍化層570可以具有雙層結(jié)構(gòu)，包括無(wú)機(jī)絕緣體的底層薄膜和有機(jī)絕緣體的上 層薄膜，以便具有有機(jī)絕緣體的良好絕緣特性同時(shí)阻止第一和第二半導(dǎo)體層540a和540b 的暴露部分受到有機(jī)絕緣體的破壞。在本發(fā)明的其他示范實(shí)施例中，紅、綠或藍(lán)濾色層可以 用作鈍化層570。第一和第二子像素電極610_1和620_1形成在鈍化層570上。第一和第二子像素 電極610_1和620_1經(jīng)過(guò)第一和第二接觸孔576a和576b分別電連接到第一和第二漏電極 566a和566b。在本發(fā)明的其他示范實(shí)施例中，第一和第二子像素電極610_1和620_1可以 由諸如ITO或IZO的透明導(dǎo)電材料形成或可以由諸如鋁的反射型導(dǎo)電材料形成。第一和第二子像素電極610_1和620_1可以構(gòu)成每個(gè)像素的像素電極。參考圖2和4，液晶電容器Clc具有第一子像素電極610_1和第二子像素電極 620_1作為兩個(gè)端子。在截止第一和第二開(kāi)關(guān)元件Tl和T2之后為了一致地維持電容器Clc 的電荷保持能力，可以形成第一和第二存儲(chǔ)電容器Cst 1和Cst2。這里，可以通過(guò)將存儲(chǔ)線 SL放置于第一子像素電極6101上或置于連接到第一子像素電極6101的第一漏電極566a 上來(lái)形成第一存儲(chǔ)電容器Cstl。可以通過(guò)將存儲(chǔ)線SL放置于第二子像素電極620_1上或 置于連接到第二子像素電極620_1的第二漏電極566b上來(lái)形成第二存儲(chǔ)電容器Cst2。第一和第二子像素電極610_1和620_1經(jīng)由第一和第二接觸孔576a和576b被物 理和電連接到第一和第二漏電極566a和566b以便從第一和第二漏電極566a和566b接收 數(shù)據(jù)電壓。從第一數(shù)據(jù)線DAi提供的第一數(shù)據(jù)電壓施加到第一子像素電極610_1，而從第二 數(shù)據(jù)線DBi提供的第二數(shù)據(jù)電壓施加到第二子像素電極620_1。在施加第一數(shù)據(jù)電壓的第一子像素電極610_1和施加第二數(shù)據(jù)電壓的第二子像 素電極620_1之間產(chǎn)生水平電場(chǎng)，以便確定位于第一和第二子像素電極610_1和620_1之 上的液晶分子的方向。第一子像素電極610_1包括在預(yù)定方向中彼此平行地延伸的第一條 帶611_1，以及連接到第一條帶611_1的第一連接部分612_1。第二子像素電極620_1包括 平行于第一條帶611_1延伸的第二條帶621_1，以及連接到第二條帶621_1的第二連接部分 622_1。也即，第一子像素電極610_1和第二子像素電極620_1按照預(yù)定的間隙彼此交替并 且彼此電分離。具體地，在本發(fā)明的示范實(shí)施例中，第二子像素電極620_1與第一和第二數(shù)據(jù)線 DAi和DBi重疊。具體地，如圖6A所示，第二子像素電極620_1沿第二數(shù)據(jù)線DBi、前一柵 極線(未示出)和第一數(shù)據(jù)線DAi形成并且可以與第一和第二數(shù)據(jù)線DAi和DBi重疊。雖然圖6A示出第二子像素電極620_1完全與第一和第二數(shù)據(jù)線DAi和DBi重疊， 本發(fā)明的其他實(shí)施例并不限于此。在修改的實(shí)施例中，如圖7所示，第二子像素電極620_2 可以部分與第一和第二數(shù)據(jù)線DAi和DBi重疊。除了第二子像素電極620_2部分與第一和 第二數(shù)據(jù)線DAi和DBi重疊之外，根據(jù)圖7所示的修改的實(shí)施例的第一和第二子像素電極 610_2和620_2和圖4所示的第一和第二子像素電極610_1和620_1基本上相同。因此，如 圖2所示，第一寄生電容器Cdpl存在于第二子像素電極620_1和第一數(shù)據(jù)線DAi之間，而第二寄生電容器Cdp2存在于第二子像素電極620_1和第二數(shù)據(jù)線DBi之間。這里，第二子像素電極620_1和第一數(shù)據(jù)線DAi的重疊區(qū)域可以與第二子像素電 極620_1和第二數(shù)據(jù)線DBi的重疊區(qū)域基本上相同。也即，第二子像素電極620_1和第一 數(shù)據(jù)線DAi的重疊區(qū)域與第二子像素電極620_1和第二數(shù)據(jù)線DBi的重疊區(qū)域基本上相同 從而第一寄生電容器Cdpl的電容可以和第二寄生電容器Cdp2的電容基本上相同。如圖6B所示，第一子像素電極610_1與第一和第二數(shù)據(jù)線DAi和DBi分離。具體 地，第一子像素電極610_1與重疊第一和第二數(shù)據(jù)線DAi和DBi的第二子像素電極620_1 按照預(yù)定的間隙隔開(kāi)，且與第一和第二數(shù)據(jù)線DAi和DBi分離。因此，不同于第二子像素電 極620_1的情況，在第一子像素電極610_1與第一和第二數(shù)據(jù)線DAi和DBi之間基本沒(méi)有 或沒(méi)有寄生電容。因此，在根據(jù)本發(fā)明的示范實(shí)施例的顯示面板中，第一和第二子像素電極610_1 和620_1的數(shù)據(jù)電壓可以基本上不變，即便施加到第一和第二數(shù)據(jù)線DAi和DBi的第一和 第二數(shù)據(jù)電壓的極性改變。因此，顯示面板能夠提供具有改進(jìn)畫(huà)面質(zhì)量的圖像。在根據(jù)本發(fā)明的另外實(shí)施例的顯示面板中，包括第一和第二子像素電極610_1和 620_1的像素電極，尤其是第二子像素電極，被形成以與第一和第二數(shù)據(jù)線DAi和DBi重疊， 由此改進(jìn)顯示面板的孔徑比。能夠定向液晶層的定向?qū)?alignment layer)(未示出)可以布置在第一和第二 子像素電極610_1和620_1上以及在鈍化層570上。下文中，將詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的示范實(shí)施例的上層顯示面板。上層顯示面板 (未示出)布置成面對(duì)底層顯示面板，且包括絕緣基底(未示出)、黑矩陣(未示出)、濾色 器(未示出)等。具體地，用于阻止光泄露且定義像素區(qū)域的黑矩陣形成于諸如透明玻璃的絕緣基 底上。黑矩陣可以形成在對(duì)應(yīng)于柵極線Gj和第一和第二數(shù)據(jù)線DAi和DBi以及開(kāi)關(guān)元件 的部分外。黑矩陣可以由鉻或諸如鉻氧化物的基于鉻的金屬材料、或有機(jī)黑保護(hù)層(black resist)形成。紅、綠和藍(lán)濾色器(未示出)可以順序排列在相鄰黑矩陣之間的像素區(qū)域 中。用于使濾色器的步長(zhǎng)高度平坦的外涂覆層可以形成在濾色器之上而用于定向液 晶分子的定向?qū)涌梢晕挥谕馔扛矊又?。液晶層布置在底層顯示面板和上層顯示面板之間。定向液晶層中包括的液晶分子 從而在缺少電場(chǎng)時(shí)它們的長(zhǎng)軸基本上與上層和底層面板的表面平行，并且具有正介電各向 異性。因此，如果在子像素電極之間形成水平電場(chǎng)，則液晶分子響應(yīng)于電場(chǎng)趨于改變它們的 方向從而它們的長(zhǎng)軸平行于電場(chǎng)方向的方向。圖8說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的另一示范實(shí)施例的包括底層顯示面板的顯示面板的布局 圖。為了說(shuō)明方便，在圖4到7所示的實(shí)施例中描述的具有相同功能的各組件分別由相同 或相似的參考數(shù)字識(shí)別，而省略它們各自的說(shuō)明。因此，以下說(shuō)明將側(cè)重于不同之處。參考圖4和8，除了第二子像素電極620_3不和第一和第二數(shù)據(jù)線DAi和DBi重疊 之外，根據(jù)本發(fā)明的另一示范實(shí)施例的底層顯示面板和根據(jù)圖4的示范實(shí)施例的顯示面板 基本上相同。具體地，在根據(jù)本發(fā)明的另一示范實(shí)施例的顯示面板中，第二子像素電極620_3
11沿第二數(shù)據(jù)線DBi、前一柵極線(未示出)和第一數(shù)據(jù)線DAi形成，但是不與第一和第二數(shù) 據(jù)線DAi和DBi重疊。也即，如圖8所示，可以和第一和第二數(shù)據(jù)線DAi和DBi相鄰來(lái)形成 第二子像素電極620_3。這里，第一寄生電容器通過(guò)第二子像素電極620_3、第一數(shù)據(jù)線DAi和其間插入的 介電材料形成，而第二寄生電容器通過(guò)第二子像素電極620_3、第二數(shù)據(jù)線DBi和其間插入 的介電材料形成。由于第二子像素電極620_3不與第一和第二數(shù)據(jù)線DAi和DBi重疊，所 以在圖8所示的實(shí)施例中形成的第一和第二寄生電容器的電容會(huì)比如圖4所示的實(shí)施例中 形成的第一和第二寄生電容器Cdpl和Cdp2的電容小。此外，由于第一子像素電極610_3與第一和第二數(shù)據(jù)線DAi和DBi分離，因此在第 一子像素電極610_3與第一和第二數(shù)據(jù)線DAi和DBi之間基本沒(méi)有或沒(méi)有寄生電容存在。因此，如同在圖4所示的實(shí)施例，圖8所示的實(shí)施例中，即便施加到第一和第二數(shù) 據(jù)線DAi和DBi的第一和第二數(shù)據(jù)電壓的極性改變，在第一和第二子像素電極610_3和 620_3之間充電的像素電壓也可以基本上不變。圖9說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的另一示范實(shí)施例的包括底層顯示面板的顯示面板的布局 圖。為了說(shuō)明方便，在圖4到8所示的實(shí)施例中描述的具有相同功能的各組件分別由相同 或相似的參考數(shù)字識(shí)別，而省略它們各自的說(shuō)明。因此，以下說(shuō)明將側(cè)重于不同之處。參考圖4和9，除了第一和第二數(shù)據(jù)線DAi和DBi包括彎曲部分562a、562b、563a 和563b之外，根據(jù)本發(fā)明的另一示范實(shí)施例的顯示面板和根據(jù)圖4到8的實(shí)施例的顯示面 板基本上相同。具體地，第一和第二數(shù)據(jù)線DAi和DBi并不沿縱向方向延伸，且包括一個(gè)或多個(gè)彎 曲部分562a、562b、563a和563b。具體地，第一和第二數(shù)據(jù)線DAi和DBi可以包括從第一方 向向第二方向彎曲的第一彎曲部分562a和562b、以及從第二方向向第一方向彎曲的第二 彎曲部分563a和563b。第一和第二子像素電極610_4和620_4按照它們之間的預(yù)定間隙彼此交替，且使 用從第一和第二數(shù)據(jù)線DAi和DBi傳輸?shù)臄?shù)據(jù)電壓形成水平電場(chǎng)。第一子像素電極610_4 包括在預(yù)定方向中彼此平行地延伸的第一條帶611_4、以及連接到第一條帶611_4的第 一連接部分612_4。第二子像素電極620_4包括平行于第一條帶611_4延伸的第二條帶 621_4、以及連接到第二條帶621_4的第二連接部分622_4。具體地，第二子像素電極620_4沿前一柵極線(未示出)和具有彎曲部分562a、 562b、563a和563b的第一和第二數(shù)據(jù)線DAi和DBi形成。雖然圖9示出第二子像素電極 620_4完全與第一和第二數(shù)據(jù)線DAi和DBi重疊，本發(fā)明的其他實(shí)施例并不局限于此。在圖 9所示的實(shí)施例中，第二子像素電極620_4可以部分與第一和第二數(shù)據(jù)線DAi和DBi重疊。 在另外的示范實(shí)施例中，也可以和第一和第二數(shù)據(jù)線DAi和DBi相鄰來(lái)形成第二子像素電 極620_4。圖10說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的另一示范實(shí)施例的包括底層顯示面板的顯示面板的布局 圖。為了說(shuō)明方便，在圖4到9所示的實(shí)施例中描述的具有相同功能的各組件分別由相同 或相似的參考數(shù)字識(shí)別，而省略它們各自的說(shuō)明。因此，以下說(shuō)明將側(cè)重于在之前實(shí)施例和 當(dāng)前實(shí)施例之間的不同之處。簡(jiǎn)言之，圖10的說(shuō)明側(cè)重第一和第二數(shù)據(jù)線、以及第一和第二子像素電極，且描
12述了開(kāi)關(guān)元件。參考圖10，根據(jù)本發(fā)明的當(dāng)前實(shí)施例的顯示面板包括第一像素PXl和第二像素 PX2，第二像素PX2和第一像素PXl在柵極線方向(如，水平方向)相鄰。像素PXl和PX2的 每個(gè)分別包括第一和第二數(shù)據(jù)線DAi和DBi、DAi+1和DBi+1、第一和第二子像素電極PEll 和PE12、PE21和PE22、第一和第二開(kāi)關(guān)元件Tll和T12、T21和T22，以及柵極線Gj。各個(gè)像素PXl和PX2的第一數(shù)據(jù)線DAi和DAi+Ι接收第一數(shù)據(jù)電壓，且對(duì)于每個(gè) 像素的每個(gè)第一數(shù)據(jù)線，如DAi和DAi+Ι，第一數(shù)據(jù)電壓的極性在正極性和負(fù)極性之間交替 改變。相反，第二數(shù)據(jù)線DBi和DBi+Ι接收第二數(shù)據(jù)電壓，且對(duì)于每個(gè)像素的每個(gè)第二數(shù)據(jù) 線，如DBi和DBi+Ι，第二數(shù)據(jù)電壓的極性在負(fù)極性和正極性之間交替改變。此外，施加到各 個(gè)像素PX的第一數(shù)據(jù)線DAi和DAi+Ι的第一數(shù)據(jù)電壓的極性可以不同于施加到第二數(shù)據(jù) 線DBi和DBi+Ι的第二數(shù)據(jù)電壓的極性。例如，如果正極性的第一數(shù)據(jù)電壓施加到第一像素PXl的第一數(shù)據(jù)線DAi而負(fù)極 性的第二數(shù)據(jù)電壓施加到第一像素PXl的第二數(shù)據(jù)線DBi，則負(fù)極性的第一數(shù)據(jù)電壓施加 到和第一像素PXl相鄰的第二像素PX2的第一數(shù)據(jù)線DAi+Ι而正極性的第二數(shù)據(jù)電壓施加 到第二像素PX2的第二數(shù)據(jù)線DBi+1。類(lèi)似地，如果負(fù)極性的第一數(shù)據(jù)電壓施加到第一像素PXl的第一數(shù)據(jù)線DAi而正 極性的第二數(shù)據(jù)電壓施加到第一像素PXl的第二數(shù)據(jù)線DBi，則正極性的第一數(shù)據(jù)電壓施 加到和第一像素PXl相鄰的第二像素PX2的第一數(shù)據(jù)線DAi+Ι而負(fù)極性的第二數(shù)據(jù)電壓施 加到第二像素PX2的第二數(shù)據(jù)線DBi+1。因此，由于相同極性的數(shù)據(jù)電壓施加到相鄰的數(shù)據(jù)線，如DBi和DAi+Ι，則相鄰數(shù) 據(jù)線DBi和DAi+Ι可以較少地受到耦合的影響。第一像素PXl包括第一和第二子像素電極PEll和PE12。第一和第二子像素電極 PEll和PE12按照它們之間的預(yù)定間隙彼此交替，且使用從第一和第二數(shù)據(jù)線DAi和DBi傳 輸?shù)臄?shù)據(jù)電壓來(lái)形成水平電場(chǎng)。具體地，第一子像素電極PEl 1經(jīng)過(guò)第一開(kāi)關(guān)元件Tl 1連接 到第一數(shù)據(jù)線DAi，而第二子像素電極PE12經(jīng)過(guò)第二開(kāi)關(guān)元件T12連接到第二數(shù)據(jù)線DBi， 由此使用從第一和第二數(shù)據(jù)線DAi和DBi傳輸?shù)臄?shù)據(jù)電壓來(lái)形成水平電場(chǎng)。第一子像素電極PEl 1包括在預(yù)定方向中彼此平行地延伸的第一條帶、以及連接 到第一條帶的第一連接部分。第二子像素電極PE12包括平行于第一條帶延伸的第二條帶、 以及連接到第二條帶的第二連接部分。具體地，第二子像素電極PE12和第一和第二數(shù)據(jù)線DAi和DBi重疊。具體地，如 圖10所示，第二子像素電極PE12沿第二數(shù)據(jù)線DBi、在前的柵極線(未示出)和第一數(shù)據(jù) 線DAi形成，且可與第一和第二數(shù)據(jù)線DAi和DBi重疊。另一方面，不同于第二子像素電極 PE12，第一子像素電極PEll可以和第一和第二數(shù)據(jù)線DAi和DBi分離。因此，如上所述，由于在第一子像素電極PEll與第一和第二數(shù)據(jù)線DAi和DBi之 間基本沒(méi)有或沒(méi)有單獨(dú)的寄生電容存在，所以第一子像素電極PEll可以不受施加到第一 和第二數(shù)據(jù)線DAi和DBi的數(shù)據(jù)電壓的影響。此外，由于第一和第二寄生電容器布置在第 二子像素電極PE12和第一和第二數(shù)據(jù)線DAi和DBi之間，基于第一寄生電容器的第二子像 素電極PE12的電壓變化可以和基于第二寄生電容器的第二子像素電極PE12的電壓變化的 基本相同，但是具有不同極性。也即，第二子像素電極PE12可以基本上不受施加到第一和第二數(shù)據(jù)線DAi和DBi的數(shù)據(jù)電壓的影響。第二像素PX2包括第一和第二子像素電極PE21和PE22。第一和第二子像素電極 PE21和PE22按照預(yù)定間隙彼此交替，且使用從第一和第二數(shù)據(jù)線DAi+Ι和DBi+Ι傳輸?shù)臄?shù) 據(jù)電壓來(lái)形成水平電場(chǎng)。這里，第二像素PX2的第一和第二子像素電極PE21和PE22與第 一像素PXl的第一和第二子像素電極PEll和PE12基本相同。也即，第一子像素電極PE21 可以和第一和第二數(shù)據(jù)線DAi+Ι和DBi+Ι分離，而第二子像素電極PE22可以與第一和第二 數(shù)據(jù)線DAi+Ι和DBi+Ι重疊?？墒?，不同于第一像素PXl的第一子像素電極PEl 1，第二像素PX2的第一子像素電 極PE21可以經(jīng)過(guò)第二開(kāi)關(guān)元件T22連接到第二數(shù)據(jù)線DBi+Ι。此外，不同于第一像素PXl 的第二子像素電極PE12，第二子像素電極PE22經(jīng)過(guò)第一開(kāi)關(guān)元件T21連接到第一數(shù)據(jù)線 DAi+lo因此，如果正極性的數(shù)據(jù)電壓施加到第一像素PXl的第一子像素電極PEll而負(fù)極 性的數(shù)據(jù)電壓施加到第一像素PXl的第二子像素電極PE12，則正極性的數(shù)據(jù)電壓施加到第 二像素PX2的第二子像素電極PE22而負(fù)極性的數(shù)據(jù)電壓施加到第二像素PX2的第一子像 素電極PE21。也即，在彼此相鄰的第一和第二像素PXl和PX2中，相同極性的數(shù)據(jù)電壓可 以施加到與第一和第二數(shù)據(jù)線DAi和DBi，DAi+Ι和DBi+Ι重疊的第二子像素電極PE12和 PE22。因此，即便第二子像素電極PE12和PE22與第一和第二數(shù)據(jù)線DAi和DBi，DAi+Ι和 DBi+Ι重疊，且第一像素PXl的第二子像素電極PE12相鄰于第二像素PX2的第二子像素電 極PE22形成，第一像素PXl的第二子像素電極PE12和第二像素PX2的第二子像素電極PE22 也將較少地受到它們之間的耦合影響。雖然本發(fā)明已經(jīng)參照其示范實(shí)施例被具體示出和描述，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將 理解在不脫離由下列權(quán)利要求定義的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，能夠進(jìn)行形式和細(xì)節(jié) 上的各種改變。由此期望該示范實(shí)施例在各方面被當(dāng)作說(shuō)明性的而非限制性的，對(duì)所附權(quán) 利要求而非前述說(shuō)明的引用表示本發(fā)明的范圍。對(duì)相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用本申請(qǐng)要求于2008年12月24日在韓國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)第 10-2008-0133715號(hào)的優(yōu)先權(quán)，其全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用而被合并于此。
權(quán)利要求
一種顯示面板，包括彼此交替的第一子像素電極和第二子像素電極，用于形成水平電場(chǎng)；傳輸?shù)谝粩?shù)據(jù)電壓到第一子像素電極的第一數(shù)據(jù)線；和傳輸?shù)诙?shù)據(jù)電壓到第二子像素電極的第二數(shù)據(jù)線，其中第二子像素電極與第一和第二數(shù)據(jù)線重疊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其中將第一子像素電極從第一和第二數(shù)據(jù)線中分 隔開(kāi)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其中第一數(shù)據(jù)電壓的絕對(duì)值和第二數(shù)據(jù)電壓的絕 對(duì)值相同，第一數(shù)據(jù)電壓具有第一極性，而第二數(shù)據(jù)電壓具有不同于第一極性的第二極性。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示面板，其中響應(yīng)于施加到第一和第二數(shù)據(jù)線的第一和第 二數(shù)據(jù)電壓的極性的改變，基于在第一數(shù)據(jù)線和第二子像素電極之間的第一寄生電容器的 第二子像素電極的電壓變化的絕對(duì)值和基于在第二數(shù)據(jù)線和第二子像素電極之間的第二 寄生電容器的第二子像素電極的電壓變化的絕對(duì)值相同。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的顯示面板，還包括連接第一子像素電極和第一數(shù)據(jù)線的第一 開(kāi)關(guān)元件，和連接第二子像素電極和第二數(shù)據(jù)線的第二開(kāi)關(guān)元件，其中當(dāng)?shù)谝缓偷诙_(kāi)關(guān) 元件截止且第一和第二數(shù)據(jù)電壓的極性被改變時(shí)，在第一和第二子像素電極之間不存在電 壓變化。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其中在第二子像素電極和第一數(shù)據(jù)線之間的重疊 區(qū)域與在第二子像素電極和第二數(shù)據(jù)線之間的重疊區(qū)域相同。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示面板，其中第一寄生電容器的電容和第二寄生電容器的 電容相同。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，還包括液晶電容器，對(duì)其施加第一和第二數(shù)據(jù)電壓。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其中第一子像素電極包括在預(yù)定方向上彼此平行 地延伸的第一條帶、以及連接第一條帶的第一連接部分，而第二子像素電極包括平行于第 一條帶延伸的第二條帶、以及連接第二條帶的第二連接部分。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示面板，其中第二連接部分部分地與第一和第二數(shù)據(jù)線重疊。
全文摘要
一種顯示面板，包括彼此交替的第一子像素電極和第二子像素電極，以形成水平電場(chǎng)；傳輸?shù)谝粩?shù)據(jù)電壓到第一子像素電極的第一數(shù)據(jù)線；和傳輸?shù)诙?shù)據(jù)電壓到第二子像素電極的第二數(shù)據(jù)線，其中形成第二子像素電極以與第一和第二數(shù)據(jù)線重疊。
文檔編號(hào)G02F1/1362GK101900902SQ20091025381
公開(kāi)日2010年12月1日 申請(qǐng)日期2009年12月8日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月24日
發(fā)明者蔡鐘哲, 鄭光哲, 鄭美惠 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社