微機電反射鏡、反射鏡掃描儀、光學掃描單元和成像裝置的制作方法

文檔序號：2743949閱讀：238來源：國知局

專利名稱：微機電反射鏡、反射鏡掃描儀、光學掃描單元和成像裝置的制作方法
技術領域：
本7>開涉及一種用作雙面鏡的樣i^L電(MEMS, micro-electro-mechanical system)反射鏡，涉及一種反射鏡掃描儀和采用該反射鏡的光學掃描單元，并涉及一種采用該光學掃描單元的成像裝置。
背景技術：
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通常而言，光學掃描單元是用于將來自光源的光掃描到曝光目標上的光學裝置，典型地其可以發(fā)現于將圖像復制到打印介質上的電子照相成像裝置 (electrophotographic image forming apparatus )，諸如照相復印才幾、打印才幾和
傳真才幾中。
在工作期間，電子照相成像裝置包括將光照射到光敏鼓的表面上并照射光跨過光敏鼓的表面的光學掃描單元，用于在鼓(drum)上形成靜電潛像。然后，靜電潛像使用顯影劑(developer)諸如墨粉(toner)被顯影，且被轉移并定影(flise)到打印介質上。
多面鏡(polygon mirror)通常用于傳統(tǒng)的電子照相成像裝置的光學掃描單元中。為了實現全色圖像，通常利用兩個多面鏡來掃描四個光束。為了使光束的掃描彼此同步，驅動這兩個多面鏡的心軸馬達(spindle motor)的旋轉速度需要彼此同步。另外，當使用多面鏡時，鏡的表面面積需要足夠大，從而使兩個平行光束入射在一個反射表面上。然而，增加的表面面積趨向于限制心軸馬達的旋轉速度。
因而，期望一種用于光學掃描單元的新結構，其能代替心軸馬達和多面鏡并因而克服與心軸馬達和多面鏡相關的缺點，諸如旋轉速度限制、高速運行時由心軸馬達產生的噪音以及光學掃描單元的放大尺寸。

發(fā)明內容
根據本公開的方案，提供一種可包括活動單元的微機電 (micro-electro-mechanical systems, MEMS )反射4竟，該活動單元可包4舌4竟
5部分和》茲鐵架部分。鏡部分可具有至少兩個面，該至少兩個面的每一個都包括在其上的一個或多個鏡表面。磁鐵架部分可構造成在其中支撐磁鐵。
MEMS反射鏡可進一步包括第一固定端、第二固定端、第一彈性構件和第二彈性構件。第一固定端和第二固定端可彼此隔開并與活動單元隔開。第一彈性構件可將活動單元彈性支撐到第一固定端。第二彈性構件可將活動單元彈性支撐到第二固定端。
鏡部分可包括多個單元鏡，每一個單元鏡可包括分別在鏡部分的至少兩個面的每一個上的一個或多個鏡表面。
-茲鐵架部分可位于多個單元鏡的至少兩個相鄰單元鏡之間。
鏡部分可包括第一單元鏡和第二單元鏡，第一單元鏡和第二單元鏡中的每一個都可包括在鏡部分的至少兩個面的每一個上的一個或多個鏡表面。
磁鐵架部分可位于第一單元鏡與第二的單元鏡之間。
鏡部分可包括單一單元鏡，該單一單元鏡具有在鏡部分的至少兩個面的每一個上的鏡表面。
磁鐵架部分可位于鏡部分與第一彈性構件和第二彈性構件之一之間。
磁鐵架部分可包括位于鏡部分與第一彈性構件之間的第一磁鐵架，以及位于鏡部分與第二彈性構件之間的第二^f茲鐵架。
MEMS反射鏡可進一步包括可位于鏡部分與第一磁鐵架之間的第三彈性構件；以及可位于鏡部分與第二磁鐵架之間的第四彈性構件。
磁鐵架部分與第一彈性構件和第二彈性構件的第一共振頻率可高于鏡部分與第三彈性構件和第四彈性構件的第二共振頻率。
MEMS反射鏡可進一步包括形成于鏡部分的至少兩個面的至少之一上的加固肋。
活動單元可構造成關于旋轉軸轉動。加固肋可沿垂直于活動單元的旋轉軸的方向延伸。
加固肋在鄰近一個或多個鏡表面的至少之一的邊界的位置處形成于至少兩個面的至少之一上。
加固肋可包4舌至少兩個加固肋，該至少兩個加固肋的每一個在鄰近一個或多個鏡表面的邊界的位置處設置在至少兩個面的相應一個上?；顒訂卧?構造成關于旋轉軸轉動。至少兩個加固肋的每一個都可沿垂直于活動單元的 :旋轉軸的方向延伸。活動單元、第一固定端和第二固定端以及第一彈性構件和第二彈性構件可由包括第一硅層和第二硅層的雙層晶片形成。該雙層晶片可以是絕緣體上硅(SOI)晶片。
鏡部分以及第一彈性構件和第二彈性構件可由第一硅層形成。磁鐵架部分以及第一固定端和第二固定端可由第一硅層和第二硅層形成。
MEMS反射鏡可進一步包括在鏡部分的至少兩個面的至少之一上由第二硅層形成的加固肋。
磁鐵架部分可包括其中容納磁鐵的開口 ?；顒訂卧獦嬙斐申P于旋轉軸轉動。磁鐵的插入深度可以被確定成使得活動單元的旋轉軸與第一彈性構件和第二彈性構件的旋轉中心軸一致。
磁鐵架部分可包括延伸到開口中用于在適當的位置支撐磁鐵的夾緊結構。
第一彈性構件和第二彈性構件可形成為Z字形。
根據本公開的另一方案，可提供一種包括微機電(MEMS)反射鏡和電磁體部分的反射鏡掃描儀。該MEMS反射鏡可包括活動單元，該活動單元可包括鏡部分和》茲鐵架部分。鏡部分可包括一個或多個鏡表面。磁鐵架部分可耦接到鏡部分，且可在其中支撐磁鐵。MEMS反射鏡還可包括彼此隔開并與活動單元隔開的第一固定端和第二固定端；以及第一彈性構件和第二彈
性構件。第一彈性構件可將活動單元彈性支撐到第一固定端。第二彈性構件可將活動單元彈性支撐到第二固定端。電磁體部分可包括軛和圍繞軛的線
圈。該軛具有彼此分隔開且面對的端部分。該端部分鄰近,茲鐵布置，從而將電磁驅動力提供到MEMS反射鏡。
磁鐵的磁極方向可垂直于鏡表面。軛的端部分可面對磁鐵的磁極之一。
磁鐵的磁極方向可平行于一個或多個鏡表面且垂直于活動單元關于其旋轉的旋轉軸。輒的端部分可以面對磁鐵的磁極之一。
鏡部分可包括第一單元鏡和第二單元鏡，第一單元鏡和第二單元鏡的每一個都包括在鏡部分的兩個面上的一個或多個4竟表面。
磁鐵架部分可位于第一單元鏡與第二單元鏡之間。
電磁體部分沿平行于一個或多個鏡表面的方向的厚度可小于第一單元鏡與第二單元鏡之間的距離。
電磁體部分可設置在反射離開第一單元鏡的第一光束與反射離開第二單元鏡的第二光束之間的空間處。
鏡部分可包括在鏡部分的兩個面的每一個上都具有鏡表面的單一單元鏡。
磁鐵架部分可位于鏡部分與第一彈性構件和第二彈性構件之一之間。電磁體部分可遠離入射在鏡部分上的光束的光路定位。軛可從端部分傾
斜延伸到線圈。
磁鐵架部分可包括可位于鏡部分與第一彈性構件之間的第一磁鐵架，以及可位于鏡部分與第二彈性構件之間的第二;茲鐵架。電磁體部分可包括相應于第一磁鐵架的第一電磁體和相應于第二磁鐵架的第二電磁體。
反射鏡掃描儀可進一步包括第三彈性構件和第四彈性構件。第三彈性構件可位于鏡部分與第一磁鐵架之間。第四彈性構件可位于鏡部分與第二磁鐵架之間。
-茲鐵架部分、第一彈性構件和第二彈性構件的第一共振頻率可高于鏡部分、第三彈性構件和第四彈性構件的第二共振頻率。電,茲體部分可以以第二共振頻率驅動^H失架部分。
反射鏡掃描儀可進一步包括形成于鏡部分的至少一個表面上的加固肋。根據另一方案，可提供一種包括多個光源和反射鏡掃描儀的光學掃描單元。反射鏡掃描儀可構造成接收來自多個光源的多個光束，并構造成朝向將被掃描的一個或多個表面偏轉所接收的多個光束。反射鏡掃描儀可包括微機
電(MEMS)反射鏡和電磁體部分。該MEMS反射鏡可包括活動單元，該活動單元可包括鏡部分和f茲鐵架部分。鏡部分可具有一個或多個鏡表面。-茲鐵架部分可耦接到鏡部分，且可在其中支撐磁鐵。MEMS反射鏡還可包括彼此隔開并與活動單元隔開的第一固定端和第二固定端；以及第一彈性構件和第二彈性構件。第一彈性構件可將活動單元彈性支撐到第一固定端。第二彈性構件可將活動單元彈性支撐到第二固定端。電》茲體部分可包括軛和圍繞軛的線圈。該軛可具有彼此分隔開且面對的端部分。該端部分可以鄰近》茲纟失布置，從而將電磁驅動力提供到MEMS反射鏡。
光學掃描單元可進一步包括聚焦光學系統(tǒng)，該聚焦光學系統(tǒng)構造成將凈皮反射鏡掃描儀偏轉的多個偏轉光束聚焦到將被掃描的一個或多個表面上。
聚焦光學系統(tǒng)可包括正弦波補償透鏡(sine wave compensation lens ),該正弦波補償透鏡可施加反正弦函數(arcsinusoidal function)到多個偏轉光束，使得被反射鏡掃描儀偏轉的光束以均勻的速度掃描。
鏡部分可包括第一單元鏡和第二單元鏡，第一單元鏡和第二單元鏡的每一個可包括在鏡部分的兩個面的每一個上的鏡表面。
入射到第一鏡表面上的多個光束中的至少兩個可以彼此平行，該第一鏡表面對應于第一單元鏡和第二單元鏡的至少一個。
鏡部分可包括在鏡部分的兩個面的每一個上都具有鏡表面的單一單元鏡。
入射在單元鏡的兩個面之一上的鏡表面上的多個光束中的至少兩個的每一個均可具有傾斜入射角。
才艮據另一方案，可提供一種成像裝置，該成像裝置包括多個光敏介質、光學掃描單元和顯影單元。光學掃描單元可包括多個光源和反射鏡掃描儀。
該反射鏡掃描儀可接收來自多個光源的多個光束，并可朝向多個光敏介質的相應的各個偏轉所接收的多個光束的每一個，從而在多個光敏介質上形成靜電潛像。顯影單元可構造成供應墨粉，以顯影形成于光敏介質上的靜電潛像。
反射鏡掃描儀可包括微機電(MEMS)反射鏡和電石茲體部分。該MEMS反射鏡可包括活動單元，該活動單元可包括鏡部分和磁鐵架部分。鏡部分可具有一個或多個鏡表面。磁鐵架部分可耦接到鏡部分，且可在其中支撐磁鐵。 MEMS反射鏡還可包括彼此隔開并與活動單元隔開的第一固定端和第二固定端。MEMS反射鏡還可包括第一彈性構件和第二彈性構件。第一彈性構件可將活動單元彈性支撐到第一固定端。第二彈性構件可將活動單元彈性支撐到第二固定端。電磁體部分可包括軛和圍繞軛的線圏。該軛可具有彼此分隔開且面對的端部分。該端部分可鄰近》茲l^布置，A^而將電^茲驅動力提供到 MEMS反射鏡。
鏡部分可包括第一單元鏡和第二單元鏡，第一單元鏡和第二單元鏡的每一個包括在鏡部分的兩個面的每一個上的一個或多個鏡表面。入射在一個或多個鏡表面的之一上的多個光束的至少兩個可彼此平行。
鏡部分可選地可包括在鏡部分的兩個面的每一個上具有鏡表面的單一單元鏡。入射到單元鏡的兩個面的之一上的鏡表面上的多個光束的至少之一可具有傾斜入射角。
根據又一方案，可提供一種光反射器件，該光反射器件用于成像裝置，用于掃描光越過一個或多個光敏表面。光反射器件可包括板構件和至少一個彈性構件。板構件可包括兩個基本平坦的相對面，這兩個相對面的至少之一面對支撐于其上的一個或多個光反射表面。至少一個彈性構件可以這樣的方
式彈性地支撐板構件允許板構件在至少兩個旋轉位置之間關于旋轉軸振蕩
運動。旋轉軸可平行于這兩個基本平坦的相對面。
光反射器件可進一步包括磁鐵架，該磁鐵架可包括開口以在其中支撐磁鐵。磁鐵架耦接到板構件，從而使板構件關于磁鐵架的運動而移動。
微機電(MEMS)結構的板構件、-茲鐵架和至少一個彈性構件中的至少之一由硅材津+構成。

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通過結合附圖，根據實施方式的以下描述，本公開的實施方式的各種方案和/或優(yōu)點將變得顯而易見且更易于理解，在附圖中圖l是根據本公開實施方式的反射鏡掃描儀的透視圖；圖2是在圖1中示出的微機電(MEMS)反射鏡的前部分的分解透視圖；圖3是在圖1中示出的MEMS反射鏡的后部分的透視圖；圖4A和圖4B是示出圖1的MEMS反射鏡的磁鐵架部分的夾緊結構 (grip structure )的示意圖5是圖1的MEMS反射鏡的側視圖6是在圖1的MEMS反射鏡中的永久磁鐵的示意圖，該永久磁鐵的插入位置可以在上下方向上調整；
圖7A至圖7C是示出將永久磁鐵插入磁鐵架部分的過程的示意圖8是示出通過電磁體部分施加到永久磁鐵的力的示意圖9示出根據鏡部分的旋轉的掃描光束的范圍；
圖IO示出入射在圖1的反射鏡掃描儀上的平行光束；
圖ll是示出通過圖1的反射鏡掃描儀掃描的光束的示意圖12是示出根據另一實施方式的反射鏡掃描儀的結構的示意圖13是在圖12中示出的MEMS反射鏡的前部分的分解透視圖14是圖12的MEMS反射鏡的后部分的透^見圖15是示出入射在圖12的反射鏡掃描儀上的平行光束的示意圖16是示出通過圖15的反射鏡掃描儀掃描的光束的示意圖17是示出根據另一實施方式的反射鏡掃描儀的結構的示意圖；圖18是示出入射在圖17的反射鏡掃描儀上的平行光束的示意圖；圖19是示出根據另一實施方式的反射鏡掃描儀的結構的示意圖；圖20是示出根據另一實施方式的反射鏡掃描儀的結構的示意圖；圖21是示出根據另一實施方式的反射鏡掃描儀的結構的示意圖；圖22是示出傾斜入射在圖21的反射鏡掃描儀上的光束的示意圖；圖23是根據本公開的一個或多個實施方式的包括光學掃描單元的成像裝置的示意圖24是更詳細示出包括于圖23的成像裝置中的光學掃描單元的示意圖；以及
圖25是包括于圖23的成像裝置中的光學掃描單元的另一實例的示意圖。
具體實施例方式
現在將參照附圖更加全面地描述幾個實施方式。在附圖中，相似的附圖標記表示相似的元件，為了清晰，可夸大層和區(qū)域的尺寸和厚度。雖然為了提供全面和完整的公開而描述了不同的實施方式，但是本發(fā)明可以具有多個不同的形式，本公開的范圍不應解釋為限于在此具體闡述的實施方式。還將理解當層被稱為在另一層或基板"上"時，該層能直接設置在其他層或基板上，或者在該層與其它層或基板之間可以存在中間的層。
根據本公開的一個或多個實施方式，光學掃描單元可采用微機電 (MEMS )反射鏡結構來替代傳統(tǒng)的多面鏡。MEMS反射鏡可用于執(zhí)行單向掃描，其可以高速進行，并且能使用半導體制造工藝被制造成具有小的尺寸。圖l是根據實施方式的反射鏡掃描儀的透視圖，圖2和圖3是分別示出在圖 1中示出的MEMS反射鏡100的前部分和后部分的透視圖。
參照圖1至圖3，根據本實施方式的反射鏡掃描儀可包括以MEMS結構形成的MEMS反射鏡100以及提供電磁驅動力到MEMS反射鏡100的電磁體部分200。
MEMS反射鏡IOO可包括活動單元110、彈性支撐活動單元110的第一彈性單元181和第二彈性單元182、分別支撐第一彈性單元181和第二彈性單元182的第一固定端191和第二固定端192。
活動單元110可通過電石茲體部分20(U是供的電石茲驅動力轉動，可包括一
ii個或多個鏡部分120、形成于鏡部分120的至少一個表面上的加固肋125，以及從鏡部分120延伸的磁鐵架(magnet frame)部分130。永久磁鐵139 可插入》茲鐵架部分130中。
鏡部分120可包括第一單元鏡(unit mirror) 121和第二單元鏡122,且可依次分別包括鏡表面121a/121b和122a/122b。鏡表面121a和121b以及 122a和122b可通過電鍍工藝或沉積工藝形成為薄金屬膜，或者可以通過將額外的反射膜附著到第一單元鏡121和第二鏡單元122而形成?？筛鶕菲濊F 架部分130的安裝空間來確定第一單元鏡121與第二單元鏡122之間的距離。根據在圖1至圖3中示出的實施方式，鏡部分120示為包括兩個單元鏡121 和122。然而，本公開這么限定，也考慮僅包括僅一個單元鏡或者包括三個或多個單元鏡的鏡部分120。
鏡部分120可關于旋轉中心軸(在圖3中的C)以振蕩周期(oscillation period)轉動或振蕩，該振蕩周期可以在例如從數百至數千Hz的范圍內，這將在以后更詳細地描述。由于振蕩的鏡部分120的慣性而產生的應力可引起鏡表面121a和121b以及122a和122b變形，該變形隨著鏡部分120的轉動速度(pivoting speed)增加而變得嚴重。鏡表面121a、 121b、 122a和122b 的變形會改變掃描光束的位置，因而，導致圖像質量退化。才艮據實施方式，加固肋125可形成于鏡表面121a、 121b、 122a和122b的邊界的至少一部分上，以減輕鏡表面的變形。加固肋125可使鏡部分120保持相對薄同時維持足夠的剛性。鏡部分120的較薄輪廓還可有助于減小活動單元110的轉動慣量(moment of inertia),這反過來可改善活動單元110的高頻性能，還可降低運轉反射鏡掃描儀所需的能量消耗。
加固肋125可形成于鏡部分120的一個表面或兩個表面上。例如，在使用具有雙層結構的絕緣體上硅(SOI)基板制造MEMS反射鏡100時，加固肋125可形成于鏡部分120的一個表面上，這將在以后更加詳細地描述。例如，當使用具有三層結構的基板制造MEMS反射鏡100時，加固肋125可通過基板接合工藝形成于鏡部分120的兩個表面上。
如在圖3中所示，加固肋125可形成于鏡部分120的兩個表面上，加固肋125可形成為垂直于活動單元110的旋轉中心軸C。由于鏡表面121a、 121b、 122a和122b的變形可沿垂直于活動單元110的旋轉中心軸C的方向發(fā)生，所以當加固肋125形成為垂直于活動單元110的旋轉中心軸C時能減
12小鏡表面的變形。
磁鐵架部分130可包括磁鐵架135和能安裝在》茲鐵架135中的永久磁鐵 139。磁鐵架135可位于例如第一單元鏡121與第二單元鏡122之間。由于磁鐵架135位于第一單元鏡121與第二單元鏡122之間，所以第一單元鏡121 與第二單元鏡122、第一彈性單元181和第二彈性單元182、第一固定端191 和第二固定端192能關于磁鐵架135對稱布置。具有以上結構的磁鐵架部分 130使第一單元鏡121與第二單元鏡122彼此分離，使得電^ 茲體部分200能位于由第一單元鏡121和第二單元鏡122掃描的光束之間的空間處。
磁鐵架135包括開口 135a，在該開口 135a中可容納永久》茲鐵139。開口 135a可形成為平行于4竟表面121a、 121b、 .122a和122b延伸，由于該結構，永久》茲鐵139的》茲極方向(M)垂直于鏡表面121a、 121b、 122a和122b。即，永久磁鐵139的磁極方向M可平行于一方向，其中永久磁鐵139沿該方向容納于^茲鐵架135中。例如，永久磁鐵139能插入，使得永久^茲鐵139 的N極面對電磁體部分200。以下將更詳細地描述永久/f茲鐵139與電磁體部分200的箱W及方向M之間的關系。
開口 135a可包括在其側壁上的夾緊結構(grip structure) 136，如在圖 4A和圖4B中所示，使得永久磁鐵139能被支撐于磁鐵架135中。參照圖 4A，當力301被施加到夾緊結構136的側部時，永久磁鐵139能在開口內移動，因而能插入磁鐵架135中或乂A^茲鐵架135移除。參照圖4B，當力沒有施加到夾緊結構136時，夾緊結構136牢固地夾持永久^茲鐵139。在圖4A 和圖4B中示出的夾緊結構136僅是實例，且能被修改為各種其它構造。
第一彈性單元181和第二彈性單元182分別連接活動單元110到第一固定端191和第二固定端192,彈性支撐活動單元110。
根據實施方式，第一彈性單元181和第二彈性單元182可形成為Z字形。 Z字形可分散活動單元110在有限的空間中轉動期間產生的應力，因而可減少應力相關的失效。另外，第一彈性單元181和第二彈性單元182的彈能 (elastic resilience)是與活動單元110的轉動慣量一起確定活動單元110的共振頻率的因素。因此，活動單元110的共振頻率能通過第一彈性單元181 和第二彈性單元182的Z字形的適當設計來調整。
第一固定端191和第二固定端192支撐第一彈性單元181和第二彈性單元182。第一固定端191和第二固定端192還可包括孔(未示出)，以促進MEMS反射鏡100與其它結構的裝配。
電》茲體部分200包括輒(yoke) 210和圍繞軛210的線圈220。電石茲體部分200被設計成具有厚度T (參見圖10 ),該厚度T小于第一單元鏡121 與第二單元鏡122之間的距離D,從而不干涉到達第一單元鏡121與第二單元鏡122的光束的路徑和來自第一單元鏡121與第二單元鏡122的光束的路徑(參見圖10的Ll和L4 )，電;茲體部分200設置在入射到第一單元鏡121 與第二單元鏡122上的平行光束L1與L4之間，如在圖IO中所示。
軛210限定磁通量的路徑(參照圖8的B)，其中該磁通量由線圈220 中的電流流動形成。軛210可由軟一磁材料形成。軛210包括彼此隔開且彼此面對的端部(參見圖8的Al和A2)， >磁通量>^人端部Al和A2兩者離開。軛 210的端部Al和A2鄰近永久-茲4失139定位，軛210的端部Al和A2的形狀可根據永久磁鐵139的形狀而改變。例如，當永久磁鐵139形成為長方體時，輒210的端部Al和A2可形成為是直的。然而，永久》茲鐵139和軛210 端部的形狀不限于以上實例。例如，當永久磁鐵139形成為圓柱體時，軛210 的端部Al和A2可形成為同軸圓柱表面。
將參照圖5、圖6和圖7A至圖7C來描述制造MEMS反射鏡100的方法。
圖5是MEMS反射鏡100的側視圖。MEMS反射鏡100的主體可由絕緣體上硅(SOI)晶片形成，其可用于形成MEMS反射鏡100的除了永久磁鐵139和/或鏡的反射表面之外的大部分。SOI晶片是在其中間部分中包括絕緣層的硅基板，是雙層晶片的實例。如在圖5中所示，MEMS反射鏡100 的主體能基于絕緣層105分為上部分和下部分。例如，第一單元鏡121和第二單元鏡122以及第一彈性單元181和第二彈性單元182可在絕緣層105上方用第一硅層形成，加固肋125可在絕緣層105下方用第二硅層形成。^茲鐵架135以及第一固定端191和第二固定端192可例如用第一硅層和第二硅層形成。如上所述，當使用雙層晶片時，包括加固肋125的MEMS反射鏡100 的主體可通過單晶片工藝形成。在如圖5中示出的實例中，MEMS反射鏡 100的主體使用SOI晶片形成，然而，本公開不限于上述實例。例如，MEMS 反射鏡100的主體可通過接合兩個基板形成。而且，加固肋125可使用三層基板形成于第一單元鏡121和第二單元鏡122的上部分和下部分上。
圖6、圖7A至圖7C示出了將永久》茲鐵139插入-茲鐵架135的過程。圖6示出了在MEMS反射鏡100的主體中的永久-茲鐵139，該永久》茲鐵139的安裝位置能沿上下方向305調整，圖7A至圖7C示出了將永久石茲4失139插入磁鐵架135的過程。
參照圖6,整個活動單元110的重心由于永久磁鐵139的重量而隨^茲鐵架135內永久》茲4失139的位置而改變。因此，通過沿上下方向305調整永久磁鐵139的位置，能使活動單元110的重心與第一彈性單元181和第二彈性單元182的旋轉中心軸C，一致。即，通過調整》茲鐵架135內永久^茲鐵139 的位置，能使活動單元110的旋轉中心軸C與第一彈性單元181和第二彈性單元182的旋轉中心軸C，4皮此一致。第一彈性單元181和第二彈性單元182 的旋轉中心軸C，是僅與第一彈性單元181和第二彈性單元182的旋轉有關的旋轉中心軸。如上所述，當活動單元110的旋轉中心軸C與第一彈性單元 181和第二彈性單元182的旋轉中心軸C，彼此一致時，在活動單元110關于旋轉中心軸C轉動期間，能減小活動單元110的振動。
參照圖7A，當力301通過卡盤(chuck) 320施加到f茲鐵架135中的夾緊結構136上時(其中磁鐵架135位于裝配架(assemblingjig) 310上)，夾緊結構136與永久磁鐵139脫離(如還在圖4A中所示)，因而，永久磁鐵 139能插入》茲鐵架135。由于夾緊結構136與永久^f茲鐵139脫離，可使用裝配架310來控制永久磁鐵139的位置，從而能使活動單元110的旋轉中心軸 C(參見圖3)與第一彈性單元181和第二彈性單元182的旋轉中心軸C，(參見圖6) —致。然后，參照圖7B,卡盤320取回(retrieve),使得夾緊結構 136與永久》茲鐵139接合，以將永久》茲鐵139支撐于適當位置處?？墒褂霉?定構件138諸如例如環(huán)氧樹脂(epoxy),將永久磁鐵139固定于》茲鐵架135 內的位置處。如上所述，通過將永久;茲體139插入^茲鐵架135中，能調整活動單元110的重心。此外，利用形成于/f茲鐵架135中的夾緊結構136，永久磁鐵139能被保持在磁鐵架135內的位置處。
圖8至圖11示出了根據實施方式的反射鏡掃描儀的運轉。圖8示出了通過電磁體部分200施加到永久磁鐵139的力，圖9示出了根據鏡部分120 的旋轉而掃描光束的范圍。另外，圖10示出了入射在反射鏡掃描儀上的光束，圖11示出了根據本實施方式的被反射鏡掃描儀掃描的光束。
參照圖8,輒210的端部分Al和A2圍繞永久;茲4失139的N極彼此面對。當電流i流經電-茲體部分200的線圏220時，在軛210中感應石茲通量B,磁通量B從扼210的端部分Al和A2退出。例如，當電流i沿圖8所示的方向流動時，磁通量B在軛210的端部分Al處退出并進入軛210的端部分 A2。即，端部分A1成為N極，端部分A2成為S極。另一方面，永久磁鐵 139的磁極方向M被設置成N極在面對軛210的一側而S極在相反側。在該情形下，排斥力通過電-茲體部分200的i茲通量B凈皮施加到端部分Al附近的永久-茲鐵139，吸引力被施加到端部分A2附近的永久》茲鐵139。因此，永久磁鐵139圍繞旋轉中心軸C沿順時針方向轉動。當電流i的流動方向改變時，端部分Al和A2的;茲極性顛倒。因此，施加到永久i茲鐵139的力也被顛倒，結果永久磁鐵139關于旋轉中心軸C沿逆時針方向轉動。如上所述，通過控制電流i在電^茲體部分200中的流動方向，能確定永久》茲鐵139的轉動方向。
另一方面，在該實例中，當鏡部分120和磁鐵架部分130彼此固定地耦接時，永久磁鐵139和磁鐵架部分130的轉動直接導致鏡部分120的轉動。如果供應到電磁體部分200的電流i的工作頻率是活動單元110的共振頻率，則活動單元110以共振模式以正弦波振動。通過活動單元110的轉動慣量與第一彈性單元181和第二彈性單元182的彈能之間的關系，可確定活動單元 110的共振頻率。
參見圖9，當第一入射光束Lli和第二入射光束L2i入射到以共振頻率振蕩的第一單元鏡121時，由第一單元鏡121反射的第一反射光束Llr和第二反射光束L2r分別在由SR1和SR2表示的掃描區(qū)域范圍內掃描越過。
反射鏡掃描儀可包括第一單元鏡121和第二單元鏡122 (例如，如在圖 2中所示)，因而能同時以四個光束第一至第四光束L1、 L2、 L3和L4掃描，如在圖10和圖11中所示。即，第一光束L1和第二光束L2可被第一單元鏡121的鏡表面121a和121b反射，從而可掃描越過掃描區(qū)域范圍SR1和 SR2，而第三光束L3和第四光束L4可被第二單元鏡122的鏡表面122a和 122b反射，因而可掃描越過掃描區(qū)域范圍SR3和SR4。
圖12是示出根據另一實施方式的反射鏡掃描儀的結構的示意圖，圖13 和圖14是示出在圖12中示出的MEMS反射鏡100-1的前部分和后部分的透視圖。
除了永久磁鐵139-1的磁極方向M之夕卜，根據該實施方式的反射鏡掃描儀與根據圖1至圖11中示出的之前的實施方式的反射鏡掃描儀基本相同。為了簡便，相似的元件由相似的附圖標記表示，將不再詳細重復對之前描述過的相似元件的描述。
參照圖12至圖14，根據實施方式的反射鏡掃描儀可包括MEMS反射鏡 100-1以及提供電磁驅動力到MEMS反射鏡100-1的電》茲體部分200。
MEMS反射鏡100-1可包括活動單元110-1、彈性支撐活動單元110-1 的第一彈性單元181和第二彈性單元182，以及分別支撐第一彈性單元181 和第二彈性單元182的第一固定端191和第二固定端192。
活動單元110-1可包括4竟部分120、形成于鏡部分120的至少一個表面部分上的加固肋125，以及從鏡部分120延伸的磁鐵架部分130-1。永久磁鐵139-1可容納于》茲鐵架部分130-1中。鏡部分120可包括第一單元鏡121 和第二單元鏡122，第一單元鏡121和第二單元鏡122的每一個在其兩個表面上可依次包括相應的鏡表面121a/121b和122a/122b。另外，鏡部分120 可包括用于改善鏡部分120的剛性的加固肋125。
磁鐵架135-1可包括開口 135a，可在開口 135a中參納永久磁鐵139-1。開口 135a可形成為平行于鏡表面121a、 121b、 122a和122b延伸。在圖13 中示出的實施方式中，如在圖中所示，永久磁鐵139-1的磁極方向M可平行于鏡表面121a、 121b、 122a和122b,且可垂直于旋轉中心軸C (參見圖3 )。即，雖然在圖1-11中示出的實施方式中從示出MEMS反射鏡IOO較寬表面的視圖觀察永久^茲鐵139的磁極(參見圖2),但是根據在圖13中示出的實施方式，當從MEMS反射鏡100-1的側部觀察永久磁鐵139-1時示出永久磁鐵139-1的》茲極。
由于永久》茲4失139-1的》茲才及方向M改變，所以MEMS反射鏡100-1和電^f茲體部分200的布置可與之前實施方式的布置不同。即，在之前的實施方式中，當MEMS反射鏡100位于圖1中所示的初始非工作位置時，軛210 的端部Al和A2面對MEMS反射鏡100的較大表面。然而，根據圖13的實施方式，當MEMS反射鏡100-1位于如圖12所示的初始非工作位置時，軛210的端部Al和A2面對MEMS反射鏡100-1的側部。
因為當從MEMS反射鏡100-1的側部觀察永久^茲鐵139-1時示出了永久磁鐵139-1的磁極之一，所以軛210的端部分面對永久》茲鐵139-1的磁極，與之前描述的實施方式類似。因此，參見圖8所述的反射鏡掃描儀的操作也應用到圖12-圖14的實施方式。
17圖15示出了入射在圖12-14的實施方式的反射鏡掃描儀上的光束，圖 16示出了通過反射鏡掃描儀掃描的光束。
參見圖15，由于反射鏡掃描儀包括四個鏡表面121a、 121b、 122a和122b, 所以可同時掃描四個光束L1、L2、L3和L4。由于電i茲體部分200位于MEMS 反射鏡100-1的側部，所以電;茲體部分200可放置成不干擾入射光束Lli和 L2i的光路或在圖16中所示的反射光束Llr和L2r的光路，因此，能容易地確保電》茲體部分200的安裝空間。
圖17是示出才艮據另一實施方式的反射鏡掃描儀的結構的示意圖，圖18 示出入射在圖17的反射鏡掃描儀上的平行光束。
在圖17中示出的實施方式的反射鏡掃描儀可與在圖l至圖11中示出的反射鏡掃描儀基本相同，除了磁鐵架部分130設置在鏡部分120-1下方。此外，為了簡便，相似的元件由相似的附圖標記表示，不重復詳細描述已經描述過的相似元件。
參見圖17和圖18,根據實施方式的反射鏡掃描儀可包括MEMS反射鏡 100-2和提供電磁驅動力到MEMS反射鏡100-2的電磁體部分200-1。
MEMS反射鏡100-2可包括活動單元110-2、彈性支撐活動單元110-2 的第一彈性單元181和第二彈性單元182，分別支撐第一彈性單元181和第二彈性單元182的第一固定端191和第二固定端192?；顒訂卧?10-2可包括鏡部分120-1 ，在該鏡部分120-1中第一單元鏡121-1和第二單元鏡122-1 經由剛性連接單元126彼此固定地耦接；以及設置成從鏡部分120-1延伸的磁鐵架部分130。剛性連接單元126設置在第一單元鏡121-1和第二單元鏡 122-1之間，并確定鏡之間的預定距離。剛性連接單元126可具有足夠的剛性，從而不扭曲(twist)，因而第一單元鏡121-1和第二單元鏡122-1可相對彼此同時轉動。
根據本實施方式，因為,茲鐵架部分130設置在鏡部分120-1的一側，例如設置在鏡部分120-1的下側，所以電磁體部分200-1也設置在鏡部分120-1 的相同側。即，與之前的實施方式相比，不需要在第一單元鏡121-1和第二單元鏡122-1之間設置電磁體部分200-1,因而能確保用于安裝電》茲體部分 200-1的充足空間。此外，如在圖18中所示，根據實施方式，軛210-1的端部分可成臺階狀或彎曲，從而鄰近磁鐵架部分130,同時電磁體部分200-1 的剩余部分(除了軛210-1的端部分之外)可以被設置成在入射或反射光束Ll、 L2、 L3和L4的光路之外且遠離入射或反射光束L1、 L2、 L3和L4的光路。根據本實施方式，因為能確保用于安裝電》茲體部分200-1的足夠空間，所以可不限制電》茲體部分200-1的厚度。
插入;茲鐵架部分130的永久磁鐵的磁極方向可垂直或者平行于鏡表面。另外，根據永久磁鐵的磁極方向，輒210-1的端部分可面對MEMS反射鏡 100-2的寬面或者面對MEMS反射鏡100-2的側部。
圖19是示出根據另一可選實施方式的反射鏡掃描^f義的結構的示意圖。
參見圖19,該實施方式的反射鏡掃描儀包括MEMS反射鏡100-3,除了不茲鐵架部分130-2的布置之外，該MEMS反射鏡100-3可與圖17和圖18中所示的MEMS反射鏡基本相同。
本實施方式的磁鐵架部分130-2包括位于鏡部分120-1與第一彈性單元 181之間的第一磁鐵架131，以及位于鏡部分120-1與第二彈性單元182之間的第二i茲鐵架132。第一磁鐵架131和第二磁鐵架132的每一個都可包括第一電磁體部分和第二電磁體部分(未示出)。因為第一磁鐵架131和第二磁鐵架132每一個都設置成從鏡部分120-1延伸，所以兩個相應的第一電磁體部分和第二電磁體部分也可遠離鏡部分120-1設置，與圖17中示出的電磁體部分200-1類似。由于上述結構，第一磁鐵架131和第二磁鐵架132可關于鏡部分120-1對稱設置，所以能改善MEMS反射鏡100-3的驅動性能。
圖20是示出根據其他可選實施方式的反射鏡掃描儀的結構的示意圖。
參照圖20，除了,茲鐵架部分130-2和鏡部分120-1關于彼此彈性支撐之外，本實施方式的反射鏡掃描儀與圖19中所示的反射鏡掃描儀基本相同。
MEMS反射鏡100-4可包括在鏡部分120-1與第一磁鐵架131之間的第一子彈性單元14i以及在鏡部分120-1與第二磁鐵架132之間的第二子彈性單元142。另外，第一磁鐵架131由第一彈性單元181-1和第一固定端191 彈性支撐，而第二磁鐵架132由第二彈性單元182-1和第二固定端192彈性支撐。
如上所述，因為第一f茲鐵架131和第二磁鐵架132被彈性支撐于鏡部分 120-1與第一固定端191及第二固定端192之間，所以^茲鐵架部分130-2和鏡部分120-1可以在彼此不同的共振模式中。即，^茲鐵架部分130-2的共振模式主要在第一共振頻率下，該第一共振頻率由磁鐵架部分130-2自身的轉動慣量以及第一彈性單元181-1和第二彈性單元181-2的彈能確定。另外，
19鏡部分120-1的共振沖莫式主要在第二共振頻率下，該第二共振頻率由鏡部分
120-1的轉動慣量以及第一子彈性單元141和第二子彈性單元142的彈能確定。根據實施方式，第一共振頻率可設置成高于第二共振頻率，同時磁鐵架部分130-2在第二共振頻率下被激發(fā)。當磁鐵架部分130-2被激發(fā)到第二共振頻率時，鏡部分120-1由于磁鐵架部分130-2的振動而在第二共振頻率下共振。由于該結構，當鏡部分120-1彈性連接到供應驅動力的磁鐵架部分 130-2時，可改善鏡部分120-1的共振性能，因此，用于均勻掃描速度的掃描光學系統(tǒng)的設計可變得更簡單。
圖21是示出根據又一可選實施方式的反射鏡掃描儀100-5的結構的示意圖，圖22示出傾斜入射在圖21的反射鏡掃描儀上的光束。
參照圖21和圖22，除了鏡部分120-2在鏡部分120-2的每一個表面中僅包括一個單元鏡之外，反射鏡掃描儀100-5可與圖1至圖11中示出的反射鏡掃描儀基本相同。
當鏡部分120-2在其每一個面中包括一個單元鏡時，為了同時掃描四個光束，使兩個光束L1和L4以及兩個光束L2和L3以圖22所示的傾斜入射角入射在形成于鏡部分120-2的各個表面上的鏡表面。當光束傾斜入射在鏡表面上時，即使鏡部分120-2的鏡表面相對小，多個光束也能以彼此不同的光掃描路徑反射。
現在將描述根據一個或多個實施方式的光學掃描單元和采用該光學掃描單元的成像裝置。
圖23示出了根據在此所述的一個或多個實施方式的包括光學掃描單元 500的成像裝置。
參見圖23，成像裝置可包括光學掃描單元500、顯影單元600、光敏鼓 700、充電輥701、中間傳送帶800、傳送輥805和定影單元(fusing unit) 900。
光學掃描單元500以根據圖像信息調制的光束L在光敏鼓700上掃描。光敏鼓700是光敏介質的實例。然而，本領域的技術人員將理解光敏帶(未示出)可以是光敏介質的另一實例。例如，光敏鼓700可通過在圓柱金屬管的外圍表面上形成預定厚度的光敏層而制成。光敏鼓700的外圍表面是來自光學掃描單元500的光束L入射在其上的掃描表面。通過施加充電偏壓Vc 同時關于光敏鼓700的外圍表面旋轉，充電輥701將光壽文鼓700的外圍表面充電至均勻電勢?？墒褂秒姇灣潆娖?corona charger)(未示出)而不是充電輥701。顯影單元600將墨粉供應到光敏鼓700,例如在施加到顯影單元 600與光敏鼓700之間的顯影偏壓下，從而將靜電潛像顯影成光敏鼓700上的可見墨粉圖像。形成于光敏鼓700上的墨粉圖像被傳送到中間傳送帶800。墨粉圖像從中間傳送帶800被傳送到打印介質P，該打印介質P例如通過施加傳送偏壓到傳送輥805而在傳送輥805與中間傳送帶800之間傳輸。通過例如從定影單元900施加的熱和/或壓力，傳送到打印介質P上的墨粉圖像被定影到打印介質P上，完成成像工作。
為了打印全色圖像，光學掃描單元500、顯影單元600和光敏鼓700可被提供為對應于幾種顏色的單元。例如，光學掃描單元500分別在四個光翁: 鼓700上掃描四個光束，從而在四個光每文鼓700上形成相應于黑色(K)、品紅色(M)、黃色(Y)和青色(C)的圖像信息。四個顯影單元600將K、 M、 Y和C顏色的墨粉提供到光敏鼓700，從而將K、 M、 Y和C靜電潛像顯影成相應的墨粉圖像。K、 M、 Y和C墨粉圖像3皮傳送到中間傳送帶800 上，從而彼此交疊，交疊的彩色墨粉圖像被依次傳送到打印介質P。
圖24更詳細地示出了用于圖23的成像裝置的光學掃描單元500的實例。
參見圖24，光學掃描單元500可包括光源520、包括MEMS反射鏡100 的反射鏡掃描儀、多個光路轉換構件530以及聚焦光學系統(tǒng)540，這些光學元件可容納于外殼(housing) 510中,該外殼510包括窗511。
包括于光學掃描單元500中的反射鏡掃描儀可包括例如，如參見圖1至圖11在之前所描述的具有四個鏡表面的MEMS反射鏡100。
每一個光源520都照射兩個平行光束L到MEMS反射鏡100的相應面的鏡表面上。光束L的光路被多個光路轉換構件530改變成朝向光敏鼓 700K、 700Y、 700M和700C引導光束L。
聚焦光學系統(tǒng)540設置在朝向光敏鼓700K、 700Y、 700M和700C前進的光束L的光^各上，并分別將光束L聚焦在光敏鼓700K、 700Y、 700M和 700C上。如果MEMS反射鏡IOO表現為正弦振蕩，則光路可需要被補償，從而被反射鏡掃描儀100偏轉的光束L能以均勻的速度在光敏鼓700K、 700Y、 700M和700C上掃描。因此，聚焦光學系統(tǒng)540可以是正弦波補償透鏡，該正弦波補償透鏡補償偏轉光束以具有反正弦形式(arcsinusoida form ),使得被反射鏡掃描儀100偏轉的光束能以均勻的速度在光敏鼓700K、700Y、 700M和700C上掃描。
圖25示出能適用于圖23的成^f象裝置的光學掃描單元500-1的另一實施方式。
參見圖25,光學掃描單元500-1可包括光源520、包括MEMS反射鏡 100-5的反射鏡掃描儀、多個光路轉換構件530和聚焦光學系統(tǒng)540，光學掃描單元500-1被支撐于包括窗511的外殼510中。
光學掃描單元500-1的反射鏡掃描儀可包括具有兩個鏡表面的MEMS 反射鏡100-5，例如在每一個面上有一個鏡表面，例如，與之前參見圖21和圖22所描述的類似。
每一個光源520可照射兩個光束L到MEMS反射鏡100-5的各個面上的鏡表面上，使得光束L以傾斜角度入射在鏡表面上。光束L的光路被多個光路轉換構件530改變成朝向光每文鼓700K、 700Y、 700M和700C引導光束 L。聚焦光學系統(tǒng)540設置在朝向光敏鼓700K、 700Y、 700M和700C前進的光束L的各個光路上，從而將在相應的光束L聚焦到光敏鼓700K、 700Y、 700M和700C中的相應一個上。聚焦光學系統(tǒng)540可補償偏轉的光束L，以具有反正弦形式，使得光束L能以均勻的速度掃描。根據實施方式，補償透鏡(未示出)，其能補償由光束L的傾斜照射引起的變形，還可設置在反射鏡掃描儀100-5與聚焦光學系統(tǒng)540之間。
根據在此公開的實施方式，由于利用被電磁力驅動的MEMS反射鏡來執(zhí)行光束的掃描，所以相對于使用多面鏡的傳統(tǒng)偏轉方法，能改善打印速度，且還能降低噪音。另外，由于MEMS反射鏡包括在其兩個表面上的鏡表面，所以即使在鏡表面相對小時，也能同時以多個光束掃描。因此，當鏡表面的尺寸增加以允許在傳統(tǒng)技術中多個光束的同時掃描時，能減輕性能退化或動態(tài)變形。
雖然已經參見本發(fā)明的特定實施方式具體示出并描述了本公開的線光源、線打印頭和成像裝置，但是本領域的普通技術人員將理解在不脫離由附屬的權利要求所限定的本公開的精神和范圍下可以對其中的形式和細節(jié)作
出各種變化。
本申請要求享有2008年8月21日提交到韓國知識產權局的韓國專利申請No. 10-2008-0081858的權益，在此結合其全部公開作為參考。
權利要求
1.一種微機電反射鏡，包括活動單元，包括鏡部分和磁鐵架部分，所述鏡部分具有至少兩個面，每一個面都包括在其上的一個或多個鏡表面，所述磁鐵架部分構造成在其中支撐磁鐵；彼此隔開并與所述活動單元隔開的第一固定端和第二固定端；以及第一彈性構件和第二彈性構件，所述第一彈性構件彈性支撐所述活動單元到所述第一固定端，所述第二彈性構件彈性支撐所述活動單元到所述第二固定端。
2. 根據權利要求1所述的微機電反射鏡，其中所述鏡部分包括多個單元鏡，每一個單元鏡包括分別在所述鏡部分的所述至少兩個面的每一個上的一個或多個鏡表面，以及所述》茲鐵架部分位于所述多個單元鏡中的至少兩個相鄰的單元鏡之間。
3. 根據權利要求1所述的微機電反射鏡，其中所述鏡部分包括單一單元鏡，所述單一單元鏡具有在所述鏡部分的所述至少兩個面的每一個上的鏡表面；以及所述磁鐵架部分位于所述鏡部分與所述第一彈性構件和所述第二彈性構件之一之間。
4. 根據權利要求1所述的微機電反射鏡，其中所述磁鐵架部分包括位于所述鏡部分與所述第一彈性構件之間的第一磁鐵架，以及位于所述鏡部分與所述第二彈性構件之間的第二^茲鐵架。
5. 根據權利要求4所述的微^L電反射鏡，進一步包括位于所述鏡部分與所述第一磁鐵架之間的第三彈性構件；位于所述鏡部分與所述第二磁鐵架之間的第四彈性構件；其中，所述》茲4失架部分與所述第一彈性構件和所述第二彈性構件的第一共振頻率高于所述鏡部分與所述第三彈性構件和所述第四彈性構件的第二共振頻率。
6. 根據權利要求1所述的拔W幾電反射鏡，進一步包括加固肋，形成于所述鏡部分的所迷至少兩個面的至少之一上。
7. 根據權利要求6所述的微機電反射鏡，其中所述活動單元構造成關于旋轉軸轉動，所述加固肋沿垂直于所述活動單元的所述旋轉軸的方向延伸。
8. 根據權利要求1所述的微機電反射鏡，其中所述活動單元、所述第一固定端和所述第二固定端以及所述第一彈性構件和所述第二彈性構件由包括第一硅層和第二硅層的雙層晶片形成，以及所述鏡部分以及所述第一彈性構件和所述第二彈性構件由所述第一硅層形成，所述磁鐵架部分以及所述第一固定端和所述第二固定端由所述第一硅層和所述第二硅層形成。
9. 根據權利要求1所述的微機電反射鏡，其中所述磁鐵架部分包括開口，在該開口中容納所述-茲鐵，所述活動單元構造成關于旋轉軸轉動，所述磁鐵的插入深度被確定成使得所述活動單元的所述旋轉軸與所述第一彈性構件和所述第二彈性構件的旋轉中心軸一致。
10. 根據權利要求9所述的微機電反射鏡，其中所述磁鐵架部分包括延伸到所述開口中用于在適當的位置支撐所述》茲鐵的夾緊結構。
11. 一種反射鏡掃描儀，包括根據權利要求1至IO任意之一所述的微機電反射鏡；以及電》茲體部分，包括軛和圍繞所述軛的線圈，所述軛具有彼此分隔開且面對的端部分，所述端部分鄰近所述磁鐵布置，從而將電磁驅動力提供到所述微機電反射鏡。
12. 根據權利要求11所述的反射鏡掃描儀，其中所述磁鐵的磁極方向垂直于所述鏡表面，所述軛的所述端部分面對所述-茲鐵的磁極之一。
13. 根據權利要求11所述的反射鏡掃描儀，其中所述磁鐵的所述磁極方向平行于所述一個或多個鏡表面且垂直于所述活動單元關于其旋轉的旋轉軸，所述軛的所述端部分面對所述》茲鐵的》茲極之一。
14. 一種光學掃描單元，包括多個光源；以及根據權利要求11所述的反射鏡掃描儀，所述反射鏡掃描儀構造成接收來自所述多個光源的多個光束，并構造成朝向將被掃描的一個或多個表面偏轉所接收的所述多個光束。
15. —種成像裝置，包括多個光敏介質；根據權利要求14所述的光學掃描單元，所述反射鏡掃描儀將所接收的所述多個光束中的每一個朝向所述多個光敏介質中相應的各自的光敏介質偏轉，從而在所述多個光敏介質上形成靜電潛像；以及顯影單元，構造成供應墨粉，以顯影形成于所述光l丈介質上的所述靜電潛像。
全文摘要
本發(fā)明公開了微機電(MEMS)反射鏡和采用該MEMS反射鏡的反射鏡掃描儀的幾個實施方式。本發(fā)明還公開了采用該反射鏡掃描儀的光學掃描單元和包括該光學掃描單元的成像裝置。MEMS反射鏡可包括活動單元，其可包括鏡部分和磁鐵架部分。鏡部分可在其面上具有鏡表面。磁鐵架部分可包括在其中容納磁鐵的開口。MEMS反射鏡還可包括第一固定端和第二固定端，通過允許活動單元的振蕩或轉動運動的一個或多個彈性構件將活動單元彈性支撐到第一固定端和第二固定端。
文檔編號G02B26/08GK101655602SQ200910167370
公開日2010年2月24日申請日期2009年8月21日優(yōu)先權日2008年8月21日
發(fā)明者崔鐘喆, 李振鎬, 鄭喜文, 金準旿申請人:三星電子株式會社

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