專利名稱：：液晶顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種可以減小液晶顯示器中Y特性的視角依賴性的結(jié)構(gòu)和/或驅(qū)動方法。
背景技術(shù)：
：液晶顯示器是一種具有良好許寺性(包括高分辨率、較小的厚度、較輕的重量和較低的功耗)的平板顯示器。隨著顯示性能和產(chǎn)量的提高以及與其它類型顯示器相比的價格優(yōu)勢，其市場份額也在,擴(kuò)張。通常常規(guī)使用的扭曲相列向(TN)液晶顯示器具有正介電各向異性的液晶分子，液晶分子以其長軸取向近似平行于基底表面且沿液晶層的厚度方向扭轉(zhuǎn)90。的方式分布在上下基底之間。當(dāng)對液晶層施加電壓時，液晶分子幵始平行于電場，釋放扭轉(zhuǎn)排列。TN液晶顯示器利用電壓造成的液晶針的取向改變導(dǎo)致的旋轉(zhuǎn)極化的改控制透光量。TN液晶顯示器允許有很寬的制造容限和高的產(chǎn)量。另一方面，它還有顯示性能、尤其是視角特性的問題。具體地說，當(dāng)斜視TN液晶顯示器的顯示表面時，顯示對比度下降得相當(dāng)厲害。因此，即使從正前方看時圖象清晰地呈現(xiàn)出從黑到白多個灰度，但在斜視時灰度之間的亮度差也顯得極不清晰。此外，還存在從正前方看時顯暗的部分在斜視時顯亮的現(xiàn)象。為了改善TN液晶顯示器的視角特性，近來開發(fā)了一些液晶顯示器，包括曰本公開專利JP63-21907中描述的共面切換(IPS)型液晶顯示器、日本待公開專利中描述的多疇垂直排列(MVA)型液晶顯示器、日本待公開專利JP10-186330中描述的軸向?qū)ΨQ微盒(ASM)型顯示器，和日本待公開專利JP2002-55343中描述的液晶顯示器。采用上述任一新穎模式(寬視角模式)的液晶顯示器解決了視角特性的具體問題。尤其是它們沒有在斜視TO液晶顯示器的顯示表面時表現(xiàn)出的對比度或顯示灰度顯著下降的問題。在液晶顯示器的顯示質(zhì)量得到改善的情況下，又面臨視角特性的新問題，即丫特性的視角依賴性，這意味著從正前方觀看顯示器和斜視顯示器時存在7#性差異。這樣在顯示圖象(例如照片)或顯示電視廣播等時就出現(xiàn)問題。Y特性的視角依賴性在MVA模式和ASM模式中比在IPS模式中更為突出。另一方面，比MVA或ASM板更難以高產(chǎn)量地制作從正前方看時具有較高對比度的IPS板。因而，希望減小MVA模式或ASM，試的討寺性的視角1繊性。鑒于上述問題產(chǎn)生了本發(fā)明。本發(fā)明的主要目的在于提供一種具有減小的Y特性視角依賴性的液晶顯示器。
發(fā)明內(nèi)容為了實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明的第一方面衝共了一種常黑模式的液晶顯示器，其包括大量象素，每個象素具有液晶層和用于給液晶層施加電壓的大量電極，其特征在于大量象素的每一個包括可以對各自的液晶層施加互不相同的電壓的第一子象素和第二子象素；并且當(dāng)大量象素的每一個顯示滿足(^gk^gn的灰度gk時(其中g(shù)k和gn為不小于零的整數(shù)，并且gk的較大值對應(yīng)于較高的亮度)，如果假i趙V12(gk)^Vl(gk)-V2(gk)，則至少在(Kgk^n-l的范圍內(nèi)滿足關(guān)系△V12(gk)X)V和AV12(gk)>AV12(gk+l)，其中，Vl(gk)和V2(gk)是分別施加至l傑一子象素和第二子象素的液晶層的方均根電壓。順便說一下，此處的"象素"代表液晶顯示器上的最小顯示單元，在彩色顯示器的情況下，其對應(yīng)于顯示斜中顏色(典型地為R、G或B)"象元(或點)"。液晶顯示器可以這樣構(gòu)造大量象素中的每一^括可以對其液晶層施加不同于第一子象素和第二子象素的電壓的第三子象素；和當(dāng)大量象素的每一個顯示灰度gk，并且/W13(gk)^Vl(gk)-V3(gk)時，如果向第三子象素的液晶層施加的方均根電壓為V3(gk)，則滿足關(guān)系0V〈AV13(gk)〈AV12(gk)。優(yōu)選施加到液晶層的方均根電壓至少在0<gk的范圍內(nèi)滿足關(guān)系△V12(gk)麼12(gk+l)。優(yōu)選當(dāng)旨象素有第三子象素時，至少在0<gk的范圍內(nèi)滿足關(guān)系△V12(gk)(gk+l)和AV13(gk)(gk+l)。在優(yōu)選實施例中，第一子象素和第二子象素每個包括由反電極和經(jīng)液晶層與反電極相對的子象素電極形成的液晶電容；以及由電連接到子象素電極的10存儲電容、絕緣層和經(jīng)絕緣層與存儲電容電極相對的存儲電容反電極形成的存儲電容；并且反電極為與第一子象素和第二子象素共享的單電極，第一子象素和第二子象素的存儲電容反電極彼此電絕緣。典型地，反電極設(shè)置在相對基底(有時稱作"公共電極")上，但在IPS模式中，反電極設(shè)置在與子象素電極相同的基底上。順便說一下，"經(jīng)液晶層與子象素電極相對的反電極"不必與子象素電極隔液晶層的厚度相對。在IPS液晶顯示器中，其放置在液晶層中與子象素電極隔液晶層相對。在優(yōu)選實施例中，液晶顯示器包括兩個分別為第一子象素和第二子象素設(shè)置的開關(guān)元件，其特征在于兩個開關(guān)元件通過供給公共掃描線的掃描線信號電壓開和關(guān)；兩個開關(guān)元件開啟時，顯示信號電壓從公共信號線施加到第一子象素和第二子象素的各個子象素電極和存儲電容電極上；兩個開關(guān)元件關(guān)閉后，第一子象素和第二子象素的各個存儲電容反電極的電壓改變；以及由變化的大小和方向限定的變化量在第一子象素和第二子象素之間不同。此處不僅關(guān)于大小(絕對值)，而且關(guān)于方向定義存儲電容反電極的變化量。例如，第一子象素和第二子象素的存儲電容反電極的電壓變化量的絕對值相等、符號相反。簡言之，如果在開關(guān)元件斷開后其中一個存儲電容反電極的電壓升高而另一個存儲電容反電極的電壓下降，則變化的鄉(xiāng)M值可以相等。^^液晶層為垂直排歹啲液晶層，且包含具有負(fù)介電各向異性的相列向液晶材料。tt^第一子象素和第二子象素每個的液晶層都包含在方位角方向上相隔大約90。的四個疇，在四個疇中當(dāng)施加電壓時液晶^T就傾斜。，第一子象素和第二子象素放置在公共信號線的相反側(cè)；第一子象素和第二子象素在反電極一側(cè)每個都有大量的凸向液晶層的肋，大量的肋包括在第-一方向上延伸的第一肋和在近似垂直于第一方向的第二方向上延伸的第二肋；并且在第一子象素和第二子象素每個中第一肋與第二肋相對于平行于公共掃描線的中心線對稱設(shè)置，并且在第一和第二子象素的之一中第一肋和第二肋的分布相對于其它子象素中第一肋和第二肋的分布對稱。t^在第一子象素和第二子象素每個中平行于公共掃描線的中心線以近似等于第一子象素和第二子象素中掃描線陣列間距一半的間隔設(shè)置。tt^第一子象素的面積等于或小于第二子象素的面積。當(dāng)大量象素的每一ii個都有三個或更多個子象素時，優(yōu)選被施加最大方均根電壓的子象素面積不大于其它子象素的面積。在根據(jù)本發(fā)明另一方面的液晶顯示器中施加到大量象素中液晶層上的電場方向在每個垂直掃描周期之間反轉(zhuǎn)；以及當(dāng)顯示中等灰度時，在任意行象素的情形中，電場方向在行方向上周期性反轉(zhuǎn)，在任一列象素的情形中，列方向上每個象素的電場方向反轉(zhuǎn)。根據(jù)一個實施例，在任意行象素的情形中，行方向上每個象素的電場方向反轉(zhuǎn)。根據(jù)一個實施例，在任意行象素的情形中，行方向上每兩個象素的電場方向反轉(zhuǎn)。根據(jù)一個實施例的液晶顯示器以常黑模式工作；其特征在于至少兩付象素包括兩個子象素SPa(p，q)和SPb(p,q);以及當(dāng)大量象素的每一個顯示滿足(Kgk^gn的灰度gk時(其中g(shù)k和gn是不小于零的整數(shù)，并且較大的gk值對應(yīng)于較高的亮度)，如果假^V12(gk)^Vl(gk)"V2(gk)，則至少在0<一-1的范圍內(nèi)滿足關(guān)系A(chǔ)V12(gk)>0V和AV12(gk)^AV12(gk+l)，其中，Vl(gk)和V2(gk)是分別施加到第一子象素和第二子象素的液晶層上的方均根電壓。根據(jù)一個實施例，至少在0<gk^n-l的范圍內(nèi)滿足關(guān)系A(chǔ)V12(gk)^AV12(gk+l)。根據(jù)一個實施例，SPa(p,q)和SPb(p，q)旨包括由反電極和經(jīng)液晶層與反電極相對的子象素電極形成的液晶電容，和由電連接至仔象素電極的存儲電容電極、絕緣層和經(jīng)絕緣層與存儲電容相對的存儲電容反電極形成的存儲電容；以及反電極為SPa(p,q)和SPb(p,q)共享的單電極，SPa(p,q)和SPb(p,q)的存儲電容反電極彼此電絕緣。根據(jù)一個實施例，液晶顯示器包括分別為SPa(p，q)禾QSPb(p,q)設(shè)置的兩個開關(guān)元件，其特征在于這兩個開關(guān)元件通過供給公共掃描線的掃描線信號電壓開和關(guān)；這兩個開關(guān)元件開啟時，顯示信號電壓從公共信號線施加到SPa(p,q)和SPb(p,q)的各個子象素電極和存儲電容電極上；這兩個開關(guān)元件關(guān)閉后，SPa(p,q)和SPb(p,q)的各個存儲電容反電極的電壓就改變；并且由變化的大小和方向限定的變化量在SPa(p,q)和SPb(p,q)之間不同。具體地說，當(dāng)這兩個開關(guān)元件開啟時，電壓就施加到VSpa(on)和VSpb(on)的各個存儲電容反電極上，從而使得當(dāng)這兩個開關(guān)元件斷開時，各個存儲電容反電極的電勢將改變，例如分別從VSpa(on)和VSpb(on)變?yōu)閂Spa(off)和VSpb(off),并且各個變化量"VSpa(off)-VSpa(on)"和"VSpb(off)-VSpb(on)"將互不相同。根據(jù)一個實施例，SPa(p,q)和SPb(p，q)存儲電容反電極的電壓變化在量上相等，方向上相反。根據(jù)一個實施例，SPa(p,q)和SPb(p,q)的存儲電容反電極的電壓是彼此有180。相位差的振蕩電壓。振蕩電壓可以是矩形波、正弦波或三角波。根據(jù)一個實施例，SPa(p，q)和SPb(p，q)的存儲電容反電極的振蕩電壓每個具有近似等于一個7jC平掃描周期的周肌根據(jù)一個實施例，SPa(p,q)和SPb(p，q)的存儲電容反電極的振蕩電壓每個具有短于一個水平掃描周期的周期。根據(jù)一個實施例，如果在周期內(nèi)平均，SPa(p，q)和SPb(p，q)的存儲電容反電極的振蕩電壓在任何7jC平掃描周期中近似相等。根據(jù)一個實施例，振蕩周期是一個水平掃描周期的一半。根據(jù)一個實施例，振蕩電壓是占空比為1:1的矩形波。根據(jù)一個實施例，SPa(p,q)和SPb(p,q)具有不同的面積，小的面積屬于具有施加到其液晶層上的較大方均根電壓的SPa(p,q)或SPb(p，q)。根據(jù)一個實施例，SPa(p,q)和SPb(p,q)的面積實際上相等。本發(fā)明的第三方面提供了一種液晶顯示器，其包括大量象素，*象素具有液晶層和大量用于給液晶層施加電壓的電極，電極呈行列矩陣分布，其特征在于大量象素的每一個具有可以給液晶層施加互不相同的電壓的第一子象素和第二子象素，在確定灰度下第一子象素具有高于第二子象素的亮度；第一子象素和第二子象素每個包括由反電極和經(jīng)液晶層與反電極相對的子象素電極形成的液晶電容，和由電連接到子象素電極上的存儲電容電極、絕緣層和經(jīng)絕緣層與存儲電容電極相對的存儲電容反電極形成的存儲電容；反電極為由第一子象素和第二子象素共享的單電極，第一子象素和第二子象素的存儲電容反電極彼此電絕緣；大量象素任一個中的第一子象素的存儲電容反電極與列方向上任何象素相鄰的一個象素的第二子象素的存儲電容反電極彼此電絕緣。根據(jù)一個實施例，任何象素的第一子象素分布成與列方向上任何象素的相13鄰象素的第二子象素相鄰。根據(jù)一個實施例，在多個象素的每個中，第一子象素分布成在列方向上與第二子象素相鄰。根據(jù)一個實施例，液晶顯示器包括彼此電絕緣的大量存儲電容柱，其特征在于每個存儲電容柱經(jīng)存儲電容線電連接到大量象素中的第一子象素和第二子象素的任意存儲電容反電極上。根據(jù)一個實施例，大量存儲電容柱(trunk)中彼此電絕緣的存儲電容柱的數(shù)量為L，由每個存儲電容柱供給的存儲電容反電壓為振蕩電壓，振蕩周期為水平掃描周期的L倍。根據(jù)一個實施例，彼此電絕緣的大量存儲電容柱為，組成成對存儲電容柱的偶數(shù)個存儲電容柱，供給彼此有180。相位差的振蕩的存儲電容反電壓。根據(jù)一個實施例，彼此電絕緣的存儲電容柱的數(shù)量比MCR時間常iC^iJ分-一個水平掃描周期獲得的份額大8倍，其中CR時間常idt3fi存儲電容線的最大負(fù)載阻抗。根據(jù)一個實施例，彼此電絕緣的存儲電容柱的數(shù)量比3IilCR時間常MU分一個水平掃描周期獲得的份額大8倍，并且為偶數(shù)，其中CR時間常數(shù)接近存儲電容線的最大負(fù)載阻抗。根據(jù)一個實施例，大量的存儲電容柱包括彼此電絕緣的第一存儲電容柱和第二存儲電容柱；以及如果連接到位于任意列與大量象素形成的行中指定行n交叉處的象素的第一子象素的存儲電容反電極的存儲電容線設(shè)為CSBL_A—n，如果連接至碟二子象素的存儲電容反電極上的存儲電容線設(shè)為CSBL—B—n，并且如果k為自然數(shù)(包括O)，貝'」CSBL—A—n+k就連接到第一存儲電容柱上，而CSBL一B一n就連接到第二存儲電容柱上。根據(jù)一個實施例，分別通過第一和第二存儲電容柱供給的第一和第二存儲電容反電壓的振蕩周期是水平掃描周期的兩倍。根據(jù)一個實施例，第二存儲電容反電壓比第一存儲電容反電壓滯后一個水平掃描周期的相位差。根據(jù)一個實施例，液晶顯示器包括兩個分別為第一子象素和第二子象素設(shè)置的開關(guān)元件，其特征在于這兩個開關(guān)元件通過供給公共掃描線的掃描線信號電壓開和關(guān)；當(dāng)這兩個開關(guān)元件開啟時，顯示信號電壓從公共信號線施加到第一子象素和第二子象素的各自子象素電極和存儲電容電極上；當(dāng)這兩個開關(guān)元件關(guān)閉后，第一子象素和第二子象素的各自存儲電容反電極的電壓就改變；以及如果Td表g兩個開關(guān)元件關(guān)閉后第一存儲電容反電壓在第一時間改變所需的時間，則Td大于0個7jC平掃描周期而小于一個7k平掃描周期。根據(jù)一個實施例，Td近似等于水平掃描周期的0.5倍。根據(jù)一個實施例，大量存儲電容柱包括彼此電絕緣的第一存儲電容柱、第二存儲電容柱、第三存儲電容柱和第四存儲電容柱；并且如果連接到位于任意列與大量象素形成的行中指定行n交叉處的象素的第一子象素存儲電容反電極的存儲電容線設(shè)為CSBL_A—n，如果連接到第二子象素存儲電容反電極的存儲電容線設(shè)為CSBL—B一n，并且如果k為自然數(shù)(包括0)，則CSBL_A—n+4*k和CSBL—B—n+2+4*k就連接到第一存儲電容柱上，CSBL—B_n+4*k和CSBL_A—n+2+4*k就連接到第二存儲電容柱上，CSBL—A__n+l+4*k和CSBL—B_n+3+4*k就連接到第三存儲電容柱上，CSBL—B_n+l+4*k和CSBL_A_n+3+4*k就連接到第四存儲電容柱上。根據(jù)一個實施例，分別通過第一至第四存儲電容柱供給的第一至第四存儲電容反電壓的振蕩周期均為水平掃描周期的4倍。根據(jù)一個實施例，第二存儲電容反電壓比第一存儲電容反電壓滯后兩個水平掃描周期的相位差，第三存儲電容反電壓比第一存儲電容反電壓滯后三個水平掃描周期的相位差，第四存儲電容反電壓比第一存儲電容反電壓滯后一個水平掃描周期的相位差。根據(jù)一個實施例，液晶顯示器包括兩個分別為第一子象素和第二子象素設(shè)置的幵關(guān)元件，其特征在于這兩個開關(guān)元件通過供給公共掃描線的掃描線信號電壓開和關(guān)；當(dāng)這兩個開關(guān)元件開啟時，顯示信號電壓從公共信號線施加到第一子象素和第二子象素的各個子象素電極以及存儲電容電極上；兩個開關(guān)元件關(guān)閉時，第一子象素和第二子象素的各個存儲電容反電極的電壓改變；以及如果Td表示兩個開^件關(guān)閉后第一存儲電容反電壓在第一時間改變所需的時間，則Td大于0個水平掃描周期而小于兩個7jC平掃描周期。根據(jù)一個實施例，Td近似等于一個7K平掃描周期。根據(jù)一個實施例，大量存儲電容柱包括彼此電絕緣的第一存儲電容柱、第二存儲電容柱、第三存儲電容柱、第四存儲電容柱、第五存儲電容柱和第六存15儲電容柱；并且如皿接到位于任意列與大量象素形成的行中指定行n交叉處的象素的第一子象素存儲電容反電極的存儲電容線設(shè)為CSBL—A—n，如果連接到第二子象素存儲電容反電極的存儲電容線設(shè)為CSBL_B—n，并且如果k為自然數(shù)(包括0)，則CSBL一Aji+3申k就連接到第一存儲電容柱上，CSBL_B_n+3*k就連接到第二存儲電容柱上，CSBL_A—n+l+3*k就連接到第三存儲電容柱上，CSBL—B—n+l+3*k就連接到第四存儲電容柱上，CSBL_A—n+2+3*k就連接到第五存儲電容柱上，CSBL—B—n+2+3*k就連接到第六存儲電容柱上。根據(jù)一個實施例，分別通過第一至第六存儲電容柱供給的第一至第六存儲電容反電壓的振蕩周期均為水平掃描周期的6倍。根據(jù)一個實施例，大量存儲電容柱包括彼此電絕緣的第一存儲電容柱、第二存儲電容柱、第三存儲電容柱、第四存儲電容柱、第五存儲電容柱、第六存儲電容柱、…第(L-3)存儲電容柱、第(L-2)存儲電容柱、第(L-l)存儲電容柱和第L存儲電容柱等總共L個存儲電容柱；并且當(dāng)電絕緣的存儲電容柱的數(shù)量L的l/2為奇數(shù)時，即當(dāng)L二2、6、10、…等時，如果連接到位于任意列與大量象素形成的行中指定行n交叉處的象素的第一子象素存儲電容反電極的存儲電容線設(shè)為CSBL—A一n，如果連接到第二子象素存儲電容反電極的存儲電容線設(shè)為CSBL—B一n，并且如果k為自然數(shù)(包括0)，則CSBL—A—n+(L/2)*k就連接到第一存儲電容柱上，CSBL_B—n+(L/2)*k就連接到第二存儲電容柱上，CSBL—A—n+l+(L/2)*k就連接到第三存儲電容柱上，CSBL—B—n+l+(L/2)*k就連接到第四存儲電容柱上，CSBL—A_n+2+(L/2)*k就連接到第五存儲電容柱上，CSBLJB_n+2+(L/2)*k就連接到第六存儲電容柱上，CSBL—A—n+(L/2>2+(L/2)*k就連接到第(L-3)存儲電容柱上，CSBL—B—n+(L/2)-2+(L/2)*k就連接到第(L-2)存儲電容柱上，CSBL一A一n+(L/2)-l+(L/2fk就連接到第(L-1)存儲電容柱上，CSBL_B_n+(L/2>l+(L/2)*k就連接到第L存儲電容柱上。根據(jù)一個實施例，分別通過第一至第L存儲電容柱供給的第一至第L存儲電容反電壓的振蕩周期均為水平掃描周期的L倍。根據(jù)一個實施例，大量存儲電容柱包括彼此電絕緣的第一存儲電容柱、第二存儲電容柱、第三存儲電容柱、第四存儲電容柱、第五存儲電容柱、第六存儲電容柱、第七存儲電容柱和第八存儲電容柱；并且如果連接到位于任意列與大量象素形成的行中指定行n交叉處的象素的第一子象素存儲電容反電極的存16儲電容線設(shè)為CSBL—A—n，如果連接到第二子象素存儲電容反電極的存儲電容線設(shè)為CSBLJB—n，并且如果k為自然數(shù)(包括0)，貝ljCSBL—A—n+8*k和CSBL—B_n+4+8*k就連接到第一存儲電容柱上，CSBL_B—n+8*k和CSBL—A_n+4+8*k就連接到第二存儲電容柱上，CSBL—A_n+l+8*k和CSBL—B—n+5+8*k就連接到第三存儲電容柱上，CSBL—B—n+1+8*k和CSBL—A—n+5+8*k就連接到第四存儲電容柱上，CSBL—A—n+2+8*k和CSBLJB_n+6+8*k就連接到第五存儲電容柱上，CSBL—B—n+2+8*k和CSBL—A_n+6+8*k就連接到第六存儲電容柱上，CSBL—A—n+3+8*k和CSBL—B—n+7+8*k就連接到第七存儲電容柱上，CSBL—B_n+3+8*k和CSBL—A—n+7+8*k就連接到第八存儲電容柱上。根據(jù)一個實施例，分別通過第一至第八存儲電容柱供給的第一至第八存儲電容反電壓的振蕩周期均為7K平掃描周期的8倍。根據(jù)一個實施例，大量存儲電容柱包括彼此電絕緣的第一存儲電容柱、第二存儲電容柱、第三存儲電容柱、第四存儲電容柱、第五存儲電容柱、第六存儲電容柱、第七存儲電容柱、第八存儲電容柱、…第(L-3)存儲電容柱、第(L-2)存儲電容柱、第(L-l)存儲電容柱和第L存儲電容柱等總共L個存儲電容柱；以及當(dāng)電絕緣的存儲電容柱的數(shù)量L的l/2為偶數(shù)時，即當(dāng)L二4、8、12、…等時，如果連接至l股于行歹腕陣中任意列與大量象素形成的行中指定行n交叉處的象素的第一子象素存儲電容反電極的存儲電容線設(shè)為CSBL—A_n，如果連接到第二子象素存儲電容反電極的存儲電容線設(shè)為CSBL_B—n，并且如果k為自然數(shù)(包括0)，則CSBL—A—n+L*k和CSBL—B—n+(L/2>^L*k就連接到第一存儲電容柱上，CSBL_B—n+L*k和CSBL—A—n+(L/2)+L*k就連接到第二存儲電容柱上，CSBL—A—n+l+L*k和CSBL—B-n+(L/2)+l+L*k就連接到第三存儲電容柱上，CSBLJB_n+l+L*k和CSBL—A—n+(L/2>H+L*k就連接到第四存儲電容柱上，CSBL—A_n+2+L*k和CSBL—B—n+(L/2>f2+L*k就連接到第五存儲電容柱上，CSBL—B_n+2+L*k禾QCSBL—A—n+(L/2)+2+L*k就連接到第六存儲電容柱，CSBL—A—n+3+L*k和CSBL_B—n+(L/2>f3+L*k就連接到第七存儲電容柱上，CSBL—B—n+3+L*k和CSBL—A—n+(L/2>f3+L*k就連接到第八存儲電容柱上，CSBL—A—n+(L/2>2+L*k和CSBL—B—n+L-2+L*k就連接到第(L-3)存儲電容柱上，CSBL—B—n+(L/2)-2+L*k和CSBL—A—n+L-2+L*k就連接到第(L-2)存儲電容柱上，CSBL—A—n,/2)-l+I^k和CSBL—B—n+L-l+I/k就連接到第(L-I)存儲電容柱上，以及CSBL—B—n+(L/2)-l+I^k和CSBL—A—n+L-l+L*k就連接到第L存儲電容柱上。根據(jù)一個實施例，分別ilil第一至第L存儲電容柱供給的第一至第L存儲電容反電壓的振蕩周期均為水平掃描周期的L倍。本發(fā)明的第四方面提供了一種液晶顯示器，其包括大量象素，每個象素具有液晶層和用于對液晶層施加電壓的以行列矩陣分布的大量電極，其特征在于大量象素的每一個具有可以對液晶層施加互不相同的電壓的第一子象素和第二子象素；此處在確定灰度下第一子象素具有高于第二子象素的亮度；第一子象素和第二子象素每個包括由反電極和經(jīng)液晶層與反電極相X寸的子象素電極形成的液晶電容，和由電連接到子象素電極上的存儲電容電極、絕緣層和經(jīng)絕緣層與存儲電容電極相對的存儲電容反電極形成的存儲電容；反電極為由第一子象素和第二子象素共享的單電極，第一子象素和第二子象素的存儲電容反電極彼此電絕緣；液晶顯示器還包括大量彼此電絕緣的存儲電容柱，每個存儲電容柱經(jīng)存儲電容線電連接到大量象素中第一子象素和第二子象素的任意存儲電容反電極上，歹仿向上兩個相鄰象素之一的第一子象素的存儲電容反電極連接到與另一個的第二子象素的存儲電容反電極等電位的存儲電容線上；并且大量存儲電容柱中彼此電絕緣的存儲電容柱的數(shù)量為L#大(L為偶數(shù))，由每個存儲電容柱供給的存儲電容反電壓為振蕩電壓，振蕩周期為水平掃描周期的2*K*L(K為正整數(shù))倍。根據(jù)一個實施例，如果連接到位于任意列和大量行列矩陣分布的象素形成的行中指定行年交叉處的象素的第一子象素的存儲電容反電極的存儲電容線設(shè)為CSBL一(n)A，連接到第二子象素的存儲電容反電極的存儲電容線設(shè)為CSBL一(n)B，連接到L個電絕緣的存儲電容柱的CS總線滿足下列關(guān)系CSBL—(p+2*(l-l》B，(p+2*(l-l)>H)A，CSBL—(p+2*(2-l))B，(p+2*(2-l))+l)A，CSBL—(p+2*(3-l))B，(p+2*(3-l))+l)A，CSBL—(p+2*(K-l))B，(p+2*(K-l))+l)A，禾口CSBL—(p+2*(l-1)+K*L+1)B，(p+2*(1-1)>fK*L+2)A，18CSBL—(i^2*(2-l)+K*L+l)B，(p+2*(2-l)>fK*L+2)A，CSBL—(p+2*(3-l>fK*L+l)B，(p+2*(3-l)>fK*L+2)A，CSBL—(p+2*(K-l)+K*L+l)B，(p+2*(3-l)>fK*L+2)A，或CSBLJp+2*(l-l)+l)B，(p^2*(l-l)+2)A，CSBL—(p+2*(2-l)+l)B，(p+2*(2-l>f2)A，CSBL—(p+2*(3-l)+l)B，(p+2*(3-l>f2)A，CSBL_(p+2*(K-l)+l)B，(pf2*(K-l)+2)A，和CSBL—(p+2*(l-l)+K*L)B，(p+2*(l-l>K*L+l)A，CSBL—(p+2*(2-l>K*L)B，(p+2*(2-l>fK*L+l)A，CSBLJp+2*(3-l)+K*L)B，(p+2*(3-l>4"K*L+l)A，CSBL—(p+2*(K-l)+K*L)B，(p+2*(K-l)+K*L+l)A，此處，p二l、3、5等，或p二O、2、4等。根據(jù)一個實施例，K為1或2，L為6、8、10和12中的任意一個。根據(jù)一個實施例，優(yōu)選存儲電容線置于列方向上兩個相鄰的象素之間。根據(jù)一個實施例，液晶顯示器包括兩個分別為第一子象素和第二子象素配置的開關(guān)元件；禾哄同連接到兩個開關(guān)元件上的掃描線，其特征在于公共掃描線置于第一子象素和第二子象素之間。根據(jù)一個實施例，大量存儲電容柱為纟1^成對存儲電容柱的偶數(shù)個存儲電容柱，供給存儲電容反電壓，反電壓的振蕩彼此有180。的相位差。根據(jù)一個實施例，在列方向的任何兩個相鄰象素中，一個象素的第一子象素的存儲電容反電極與另一個象素的第二子象素的存儲電容反電極連接到公共存儲電容線上根據(jù)一個實施例，存儲電容反電壓的占空比均為1:1。根據(jù)-一個實施例，任意象素中的第一子象素布置成與列方向上任意象素相鄰的象素的第二子象素相鄰，并且在大量象素的每一個中，第一子象素布置成19與列方向上的第二子象素相鄰。根據(jù)一個實施例，第一子象素和第二子象素面積近似相等。根據(jù)一個實施例，第二子象素的面積大于第一子象素的面積。本發(fā)明的第一方面可以減小液晶顯示器中l(wèi)4寺性的視角依賴性。特別是，可以通過改善有寬視角的液晶顯示器如MAV或ASV液晶顯示器的Y特性來實現(xiàn)極高的顯示質(zhì)量。本發(fā)明的第二方面可以減少由交流電驅(qū)動的液晶顯示器上的閃爍。通過合并本發(fā)明的第一方面和第二方面，可以掛共一種減少了閃爍、提高了yf寺性的視角特性以及高顯示質(zhì)量的液晶顯示器。本發(fā)明的第三方面可以根據(jù)第二方面增大施加到液晶顯示器中存儲電容反電極的電壓(振蕩電壓)的振蕩周期。因而，可以提供一種這樣的液晶顯示器，該顯示器適于通過將一個象素戈吩為兩個或更多個子象素并以不同的亮度7K平對子象素照明而改善較大或較高分辨率的液晶顯示器的視角特性。本發(fā)明的第四方面除了與第三方面一樣能夠增大施加到存儲電容反電極的電壓(振蕩電壓)的振蕩周期，還可以利用公共存儲電容線(CS總線)對列方向上相鄰象素的子象素供給振蕩電壓。因此，如果存儲電容線置于列方向上的相鄰象素之間，也可以用作黑色矩陣(BM)。因而，第四方面具有能夠增大象素孔徑比的優(yōu)點，它可以省去第三方面的液晶顯示器情形中需要單獨提供的黑色矩陣，并且比第三方面減少了CS總線的數(shù)量。圖1是根據(jù)本發(fā)明第一方面實施例的液晶顯示器100的象素結(jié)構(gòu)示意圖2A2C是根據(jù)本發(fā)明實施例的液晶顯示器的結(jié)構(gòu)示意圖3A3C是表示常規(guī)液晶顯示器100'的結(jié)構(gòu)示意圖4A4C是MVA液晶顯示器的顯^f寺性簡圖，其中圖4A^itl寸率與施加電壓的關(guān)系曲線，圖4B是關(guān)于白模式下M率規(guī)一化后的圖4A的透視率圖，圖4C是表^4爭性的簡圖5A5D是表示施加到S^吩象素得至啲子象素的液晶層的電壓的狀態(tài)AD的簡圖6A6B是表示在圖5所示電壓狀態(tài)AD下獲得的yt寺性曲線，其中圖6A表示右側(cè)60。的視角i4寺性，圖6B是表示右上側(cè)60。的視角)4寺性；圖7是表示在電壓狀態(tài)AD下獲得的白模式慰寸率(正視)曲線；圖8A8B是表示根據(jù)本發(fā)明實施例在電壓狀態(tài)C下子象素之間的面積比與l4寺性的曲線，其中圖8A表示右側(cè)60°的視角7#性，圖8B是表示右上側(cè)60°的視角7#性；圖9是根據(jù)本發(fā)明實施例在電壓狀態(tài)C下白模式邀寸率(正視)和子象素面積比之間的關(guān)系曲線；圖10A10B是表示根據(jù)本發(fā)明實施例在電壓狀態(tài)B下子象素的yf寺性的曲線，其中圖10A表示右側(cè)60。的視角yt寺性，圖10B是表示右上側(cè)60。的視角)4寺性；圖11是表示根據(jù)本發(fā)明實施例在電壓狀態(tài)B下白模式邀寸率與子象素數(shù)之間的關(guān)系曲線；圖12是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的液晶顯示器200的象素結(jié)構(gòu)示意圖；圖13是表示液晶顯示器200的象素的等效電路簡圖；圖14是用于驅(qū)動液晶顯示器200的各種電壓波形(a)-(f)的簡圖；圖15是液晶顯示器200中施加到子象素的液晶層的電壓之間的關(guān)系簡圖；圖16A16B是表示液晶顯示器200的i4寺性簡圖，其中圖16A表示右側(cè)60°的視角7#性，圖16B是表示右上側(cè)60°的視角7#性；圖17是表示根據(jù)本發(fā)明第二方面的液晶顯示器的象素分布示意圖18是用于驅(qū)動具有圖17所示結(jié)構(gòu)的液晶顯示器的各種電壓(信號)波形(a)-(j)的簡圖19是表示根據(jù)本發(fā)明另一實施例的液晶顯示器的象素分布示意圖20是用于驅(qū)動具有圖19所示結(jié)構(gòu)的液晶顯示器的各種電壓(信號)波形(a)曙(j)的簡圖；圖21A是根據(jù)本發(fā)明另一實施例的液晶顯示器的象素分布示意圖，圖21B是表示存儲電容線和存儲電容電極的布局的示意圖22是根據(jù)本發(fā)明第二方面的液晶顯示器的特定區(qū)域的等效電路簡圖；圖23A是表示就柵極總線的電壓波形而言施加到CS總線的振蕩電壓的振蕩周期和相位簡圖，還表示圖22中所示液晶顯示器的子象素電極的電壓；圖23B是表示就柵極總線的電壓波形而言供給CS總線的振蕩電壓的振蕩周期和相位，并表示圖22中所示液晶顯示器中的子象素的電壓(施加到液晶層的電壓具有與圖23A相反的極性)圖24A是表示圖22中所示液晶顯示器的驅(qū)動狀態(tài)示意圖(此，用圖23A所示的電壓)；圖2犯是表示圖22中所示液晶顯示器的驅(qū)動狀態(tài)示意圖(此處采用圖23B所示的電壓)；圖25A是表示根據(jù)本發(fā)明第二方面的實施例用于供給液晶顯示器中CS總線的振蕩電壓的結(jié)構(gòu)示意圖，圖25B是g接近液晶顯示器電負(fù)載阻抗的等效電路；圖26表示子象素電極沒有CS電壓波形鈍頭的振蕩電壓波形(a)(e);圖27表示子象素電極沒有對應(yīng)于"0.2H"CR時間常數(shù)的CS電壓波形鈍頭的振蕩電壓波形(a)(e);圖28是表示基于圖26和27中波形算出的振蕩電壓平均值和有效值與CS總線電壓的振蕩周期的關(guān)系曲線；圖29是根據(jù)本發(fā)明第三方面實施例的液晶顯示器的等效電壓示意亂圖30A是表示就柵極總線的電壓波形而言供給CS總線的振蕩電壓的振蕩周期和相位，并表示圖29所示液晶顯示器中的子象素的電壓；圖30B是表示就柵極總線的電壓波形而言供給CS總線的振蕩電壓的振蕩周期和相位，并表示圖22中所示液晶顯示器中的子象素的電壓(施加到液晶層的電壓具有與圖30A相反的極性)圖31A是表示圖29中所示液晶顯示器的驅(qū)動狀態(tài)簡圖(此處采用圖30A所示的電壓)；圖31B是表示圖29中所示液晶顯示器的驅(qū)動狀態(tài)簡圖(此處采用圖30B所示的電壓)；圖32是根據(jù)本發(fā)明第三方面實施例的液晶顯示器的等效電壓示意圖33A是表示就柵極總線的電壓波形而言供給CS總線的振蕩電壓的振蕩周期和相位，并表示圖32所示液晶顯示器中的子象素的電壓；圖33B是表示就柵極總線的電壓波形而言供給CS總線的振蕩電壓的振蕩周期和相位，并表示圖32中所示液晶顯示器中的子象素的電壓(施加到液晶層的電壓具有與圖33A相反的極性)；圖34A是表示圖32中所示液晶顯示器的驅(qū)動狀態(tài)簡圖(此處釆用圖33A圖34B是表示圖32中所示液晶顯示器的驅(qū)動狀態(tài)簡圖(此用圖33B所示的電壓)；圖35A表示根據(jù)本發(fā)明第三方面實施例的液晶顯示器中CS總線以及象素間黑色矩陣的輪廓示意圖，圖35B是表^as用作本發(fā)明第四方面實施例的液晶顯示器中象素間黑色矩陣的CS總線輪廓；圖36A是表示根據(jù)本發(fā)明第四方面實施例的液晶顯示器的驅(qū)動狀態(tài)簡圖；圖36B是表示根據(jù)本發(fā)明第四方面實施例的液晶顯示器的驅(qū)動狀態(tài)簡圖，其中施加到液晶層的電場與圖33A中所示驅(qū)動狀態(tài)的方向相反；圖37是表示根據(jù)本發(fā)明第四方面實施例的液晶顯示器的矩陣結(jié)構(gòu)(CS總線的連接圖案)示意'圖38是表示圖37所示液晶顯示器的驅(qū)動信號波形示意圖39是表示根據(jù)本發(fā)明第四方面另一實施例的液晶顯示器的矩陣結(jié)構(gòu)(CS總線的連接圖案)示意圖40是表示圖39所示液晶顯示器的驅(qū)動信號波形的示意圖41是表示根據(jù)本發(fā)明第四方面另一實施例的液晶顯示器的矩陣結(jié)構(gòu)(CS總線的連接圖案)示意圖42是表示圖41所示液晶顯示器的驅(qū)動信號波形的示意圖43是表示根據(jù)本發(fā)明第四方面另一實施例的液晶顯示器的矩陣結(jié)構(gòu)(CS總線的連接圖案)示意圖44是表示圖43所示液晶顯示器的驅(qū)動信號波形的示意圖45是表示根據(jù)本發(fā)明第四方面另一實施例的液晶顯示器的矩陣結(jié)構(gòu)(CS總線的連接圖案)示意圖46是表示圖45所示液晶顯示器的驅(qū)動信號波形的示意圖47是表示根據(jù)本發(fā)明第四方面另一實施例的液晶顯示器的矩陣結(jié)構(gòu)(CS總線的連接圖案)示意圖48是表示圖47所示液晶顯示器的驅(qū)動信號波形的示意圖49是表示根據(jù)本發(fā)明第四方面另一實施例的液晶顯示器的矩陣結(jié)構(gòu)(CS總線的連接圖案)示意亂圖50是表示圖49所示液晶顯示器的驅(qū)動信號波形的示意圖2具體實施例方式下面參考附圖描述本發(fā)明第一方面實施例中的液晶顯示器的結(jié)構(gòu)和操作。首先參見圖1、2A、2B和2C。圖1是表示根據(jù)本發(fā)明實施例的液晶顯示器100的象素中電極分布的示意圖。圖2A是液晶顯示器腦的總體結(jié)構(gòu)示意圖，圖2B錄素中電極結(jié)構(gòu)的示意圖，圖2C是圖2B中沿2C-2C'的截面圖。出于參考的目的，圖3A、3B和3C分別表示常規(guī)液晶顯示器100，的象素中電極分布、電極結(jié)構(gòu)和沿3C-3C的截面圖。根據(jù)本實施例的液晶顯示器100以常黑，莫式工作，并且包括大量象素，每個象素具有液晶層和用于對液晶層施加電壓的大量電極。雖然此處以TFT液晶顯示器為例，但也可以用其它開關(guān)元件(如MIM元件)代替。液晶顯示器100具有大量以矩陣分布的象素10。大量象素10的每一個有液晶層13。另外，象素具有自己的象素電極18和反電極17，以向液晶層13施加電壓。典型地，反電極17魏所有象素10公用的單電極。在根據(jù)本實施例的液晶顯示器ioo中，大m素10的每一個具有可以施加互不相同的電壓的第一子象素10a和第二子象素10b，如圖1所示。當(dāng)顯示滿足0^gkSgn(此處，gk和gn為不小于零的整數(shù)，并且較大的gk值對應(yīng)于較高的亮度)的灰度時，大量象素的每一個以至少在0〈gk^n-l的范圍內(nèi)滿足AV12(gk)>0V和AV12(gk)》AV12(gk+l)的方式驅(qū)動，其中，厶V12(gk)=Vl(gk)-V2(gk)是施加到第一子象素10a液晶層的方均根電壓Vl(gk)和施加至嘮二子象素10部的液晶層的方均根電壓V2(gk)之差。每個象素10擁有的子象素數(shù)量(有時稱作象素劃分的數(shù)量)不限于二。每個象素10還可以有第三子象素(未示出)，對其施加不同于第一子象素10a和第二子象素10b的電壓。在該情況下，象素構(gòu)造成如果假iSAV13:Vl(gk)-V3(gk)，此處V3(gk)為對第三子象素的液晶層施加的方均根電壓，并1AV13(gk)為施加給第一子象素的液晶層的方均根電壓與施加給第三子象素液晶層的方均根電壓之差，則滿足0V〈AV13(gk)〈AV12(gk)tt^施加至仔象素液晶層的方均根電壓至少在0<gk5n-l的范圍內(nèi)滿足關(guān)系A(chǔ)V12(gk》AV12(gk+l)。因而，ite雄水平變得越高，施加到第一子象素10a和第二子象素10b液晶層的方均根電壓^變得越小。換言之，優(yōu)選隨著總水平變低(接近黑色)，施加至隨一子象素10a和第二子象素10b液晶層的方均根電壓之差變得越大。另外，如果每個象素有第三子象素，則t/t^M少在(Xgk^n-l的范圍內(nèi)滿足關(guān)^AV12(gk)〉A(chǔ)V12(gk+l)和AV13(gk)〉△V13(gk+l)。第一子象素10a的面積等于或小于第二子象素10b的面積。如果大量象素的每一個有三個或更多的子象素，則,被施加最高方均根電壓的子象素的面積(在此情況下是第一子象素)不大于被施加最低方均根電壓的子象素(在此情況下是第二子象素)面積。具體地說，如果每個象素10有大量的子象素SP1、SP2、…、和SPn，并且施加到液晶層的方均根電壓為VI(gk)、V2(gk)、...和Vn(gk)，則iM滿足Vl(gk)>V2(gk)>...〉Vn(gk)。另夕卜，如果子象素的面積為SSP1、SSP2、...禾QSSPn，則雌滿足SSPl^SSP2S.^SSPn。至少如果對于除了最高M(jìn)和劇氐灰度的所有灰度(即，在(Xgk^n-l的范圍內(nèi))滿足V1(gk)>V2(gk)>...〉Vn(gk)，則可以實現(xiàn)本發(fā)明。但是，也可以實施一種對所有灰度(即，在0《gk^n的范圍內(nèi))滿足該關(guān)系式的結(jié)構(gòu)。通過這種方式，如果每個象素被分成大量的子象素，并且對子象素的液晶層施加不同的電壓，貝職得不同Y特性的混合，因而，可以減小Y特性的視角依賴性。另外，因為較低灰度的方均根電壓差設(shè)置得較大，所以在常黑模式的黑側(cè)(低亮度水平處)丫特性的視角依賴性大大減小。這在提高顯示質(zhì)量方面非常有效?？梢杂貌煌慕Y(jié)構(gòu)以滿^J:述關(guān)系式的方式對子象素10a和10b的液晶層施加方均根電壓。例如，液晶顯示器100可以如圖1所示構(gòu)成。具體地說，在常規(guī)液晶顯示器100'中，象素10僅有一個象素電極18經(jīng)1TFT16連接到信號線14上，而液晶顯示器100有兩^hT象素電極18a和18b分別經(jīng)TFT16a和16b連接到不同的信號線14a和14b上。因為子象素10a和10b纟賊一個象素10，所以TFT16a和16b的柵極連接到公共掃描線(柵極線)12上，并通過公共掃描信號開和關(guān)。對信號線(源極總線)14a和14b供給滿足，關(guān)系的信號電壓(灰度電壓)。優(yōu)選TFT16a和16b的柵極構(gòu)造成公共柵極?；蛘撸诘谝蛔酉笏睾偷诙酉笏孛總€包括由電連接到子象素電極的存儲電容電極、絕緣層和經(jīng)絕緣層與存儲電容電極相對的存儲電容反電極形成的存儲電容的結(jié)構(gòu)中(后面描述)，伏選Ji^t皮此電絕緣的第一子象素和第二子象素的存儲電容反電極，并且通過改變供給存儲電容反電極的電壓(稱作存儲電容反電極電壓)來改變施加到第一子象素液晶層的方均根電壓和施加到第二子象素液晶層的方均根電壓。通過調(diào)節(jié)存儲電容的值和供給存儲電容反電極的電壓大小，可以控制施加到子象素液晶層的方均根電壓的大小。在此結(jié)構(gòu)中，因為不需要對子象素電極18a和18b施加不同的信號電壓，所以TFT三16a和16b可以連接到公共信號線上，并且可以對它們供給相同的信號電壓。因此，信號線的數(shù)量在圖3所示常規(guī)液晶顯示器100'的情況下相同，并且可以利用與常規(guī)液晶顯示器100'有相同結(jié)構(gòu)的信號線驅(qū)動電路。當(dāng)然，因為TFT三16a和16b連接到同一掃描線上，所以優(yōu)選與Jl^實例的情況一樣，共享公共柵極。{本發(fā)明應(yīng)用到采用垂直排列的液晶層的液晶顯示器，其中液晶層包含具有負(fù)介電各向異性的向列相液晶材料。特別是，,每個子象素的液晶層包含四個在方位角方向分開大約90°的疇，當(dāng)施加電壓時液晶^f謝頃斜(MVA)?；蛘?，^f象素的液晶層在施加電壓時維持軸向?qū)ΨQ地排列(ASM)。下面對于MVA液晶顯示器100更詳細(xì)地描述本發(fā)明的實施例，其中*子象素的液晶層包含四個在方位角方向分開大約90°的疇，當(dāng)施加電壓時液晶分子就傾斜。如圖2A所示，MVA液晶顯示器100包括液晶板IOA、安裝在液晶板10A兩側(cè)的相位差補(bǔ)償元件(典型地為相位差補(bǔ)償板)20a和20b、將補(bǔ)償板夾在中間的偏振片30a和30b、以及背光組件40。偏振片30a禾口30b的,軸(也稱作偏振軸)彼此正交(尼科爾分布)，以至于對液晶板10A的液晶層(未示出)不施加電壓(垂直排列狀態(tài))時顯黑。Jli共相位差補(bǔ)償元件20a和20b以改善液晶顯示器的視角特性，并利用已知技術(shù)優(yōu)化設(shè)計。具體地說，已經(jīng)優(yōu)化(gkH))為將正面觀察和以任意方位角斜視時的亮度(黑色7K平)差減為最小。當(dāng)以這種方式優(yōu)化相位差補(bǔ)償元件20a和20b時，本發(fā)明可以產(chǎn)生更大的視場效應(yīng)。實際上，在基底lla上形成公共掃描線12、信號線14a和14b以及TFT16a和16b(見圖1)，以分別在預(yù)定時間對子象素電極18a和18b施加預(yù)定的信號電壓。另外，根據(jù)需要形成電路等以驅(qū)動這些元件。此外，根據(jù)需要在另一個26。下面參考圖2A2C描述MVA液晶顯示器100中的象素結(jié)構(gòu)。例如在日本待公開專利申請JP11—242225中描述了MVA液晶顯示器的結(jié)構(gòu)和工作。如參考圖1所述，MVA液晶顯示器100中的象素10有兩個子象素10a和10b，子象素中的子象素10a具有子象素電極18^子象素10b具有子象素電極18b。如圖2C所示，形成在玻璃基底lla上的子象素電極18a(和子象素電極18b(未示出))具有狹縫18s，并與放置成與子象素電極18a隔液晶層13相對的反電極17—起形成傾斜電場。另外，在玻璃基底lib的安置了反電極17的表面上設(shè)置凸向液晶層13的肋19。液晶層13由具有負(fù)介電各向異性的向列相液晶材料制成。不施加電壓時，其ilil覆蓋反電極17、肋19和子象素電極18a和18b的垂直排列膜(未示出)近辨直地排列。垂直排歹啲液晶分子通過肋19表面(傾斜面)和傾斜電場在預(yù)定的方向上安穩(wěn)J:也鋪設(shè)。如圖2C所示，肋19以形成一角度的方式向其中心傾斜。液晶分子近直于傾斜面地排列。因而，肋19決定液晶好的傾角(由基底表面與液晶分子的長軸形成的角度)分布。狹縫18s規(guī)律地改加至賊晶層的電場的方向。因此，當(dāng)施加電場時，液晶^MJj19和狹縫18在圖中箭頭所示的四個方向一右上、左上、左下和右下一排列，提供垂直和水平對稱的、良好的視角特性。液晶板10A的矩形顯示表面以其較長的尺度水平放置和偏振片30a的軸平行于較長尺度放置來典型地取向。另一方面，象素10以其較長尺度正交于液晶板10A的較長尺度來典型地取向，如圖2B所示。優(yōu)選，如圖2B所示，第一子象素10a和第二子象素10b的面積實際上相等，每個子象素包含在第一方向延伸的第一肋和在第二方向上延伸的第二肋，每個子象素中的第一肋和第二肋相對于平行于掃描線12的中心線對稱放置，并且其中一個子象素中的肋分布與另一個子象素中的肋分布相對于正交于掃描線12的中心線X^tf爾。此種分布導(dǎo)致每付象素中的液晶^f在四個方向一右上、左上、左下和右下一上分布，并且使得在包含第一子象素和第二子象素的旨象素中液晶疇的面積實際上相等，提供垂直和水平對稱以及良好的視角特性。另外，優(yōu)選在每個子象素中平行于公共掃描線的中心線以近似等于掃描線陣列間距一半的間隔放置。接下來，對根據(jù)本發(fā)明實施例的液晶顯示器100的工作及顯琉寺性進(jìn)行描27述。首先，參見圖4，對與圖3所示常規(guī)液晶顯示器腦，有相同電極結(jié)構(gòu)的MVA液晶顯示器的顯示特性給予描述。順便說一下，對根據(jù)本發(fā)明實施例的液晶顯示器100中子象素10a和10b(即子象素電極18a和18b)的液晶層施加相同方均根電壓所獲得的顯，性近似等于常規(guī)液晶顯示器的顯示特性。圖4A是從前側(cè)(Nl)、右側(cè)60。(Ll)和從右上60。(LU1)觀看顯示時的邀寸率與施加電壓的依賴關(guān)系。圖4B是以應(yīng)用最高灰度電壓(顯示白色所需的電壓)獲得的邀寸率為100%規(guī)一^t后圖4A中所示的三^htl寸率曲線。其表示三種割牛下正視狀態(tài)(N2)、右側(cè)60°(L2)和從右上60。(LU2)規(guī)一化的邀寸率與施加電壓的關(guān)系正視狀態(tài)(N2)、右側(cè)60°(L2)和從右上60。(LU2)。順便說一下，"60。"是指與顯示表面法線夾60。的角。從圖4B可以看出，正視的顯示特性不同于右側(cè)60。和右上側(cè)60。的顯示特性。這表明討寺性依賴于觀察方向。圖4C更清晰地表％特性的差異。為了清晰地表一特性的差異，7K平軸代表(正視規(guī)一化的劍寸萄100)A(1/2.2)，而豎直軸代表N3、L3和LU3狀態(tài)下的灰度特性正視灰度特性二(正視規(guī)一化的透射率AOO)a(1/2.2)，右側(cè)60。視角灰度特性二(右側(cè)60。規(guī)一化的邀寸萌100)A(1/2.2)，右上側(cè)60。視角灰度特性=(右上側(cè)60。規(guī)一化的邀寸教100)A(1/2.2)，此處"一"表示指數(shù)，指數(shù)的倒數(shù)對應(yīng)^7值。在典型的液晶顯示器中，正視灰度特性的Y值設(shè)為2.2。參見圖4C，在正視狀態(tài)(N3)下橫坐標(biāo)值與纟M標(biāo)值重合，因而此狀態(tài)(N3)下的^lt特性為線性。另一方面，右側(cè)60。視角M特性(L3)和右上側(cè)60。視角灰度特性(LU3)為曲線。正視狀態(tài)(N3)下曲線(L3和LU3)與直線的偏差量化地^^y特性的各個偏差，即灰度顯示的偏差(差異)。本發(fā)明旨在減小常黑液晶顯示器中的這種偏差。理想的情形是，代表右側(cè)60。視角M特性(L3)和右上側(cè)60。視角M特性(LU3)的曲線(L3和LU3)與代表正視M特性(N3)的直線重合。下面將參考附圖評估改#7特性的效果，其中附圖表示f待性的差異，如同圖4C所示的情形。參見圖4B，下面將對本發(fā)明如何可以通過在每個象素中設(shè)置第一子象素和第二子象素并對子象素的液晶層施加不同的方均根電壓來減小Y特性的偏差的主要原理給予描述。假設(shè)此處第一子象素和第二子象素具有相同的面積。對于常規(guī)的液晶顯示器100'，在由點NA代表正視邀寸率的電壓處，右側(cè)60。視角邀寸率由點LA表示，其中點LA代表與NA相同電壓的右側(cè)60°視角透射率。關(guān)于本發(fā)明，要獲得與點NA相同的正竿JM射率，可以將第一子象素和第二子象素的正視邀寸率分別設(shè)置在點NB1和NB2。因為點NB2處的正視透射率近似為零，并且第一子象素和第二子象素具有相同的面積，所以NB1處的正視邀寸率是點NA處正視3glt率的兩倍。點NB1和NB2之間的方均根電壓之差為AV12。此外，對于本發(fā)明，右側(cè)60。視角邀寸率由點P代表，其作為分別與點NB1和NB2相同電壓處的右側(cè)60。視角itlt率LB1和LB2的平均值。對于根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器，代表右側(cè)60。視角透射率的點P比代表常規(guī)液晶顯示器100，的右側(cè)60。視角邀寸率的點LA更接近f^^應(yīng)的正^tl寸率的點NA。這意味％#性的偏差減小。從上述可以看出，第二子象素的右側(cè)60。視角3fl寸率(見點LB2)接近零的事實增強(qiáng)了本發(fā)明的效果。因而，要增強(qiáng)本發(fā)明的效果，優(yōu)選控制斜視黑屏?xí)r邀才率的增加。從此觀點出發(fā)，,根據(jù)需要安裝如圖2A所示的相位差補(bǔ)償元件20a和20b，從而控制斜視黑屏?xí)r慰寸率的增加。根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器100通31^*象素10中各W象素10a和10b的兩個液晶層施加不同的方均根電壓來改,性。這樣做時，施加到子象素10a和10b的各個液晶層的方均根電壓^AV12(gk)=V1(gk)—V2(gk)設(shè)置成滿^AV12(gk)X)V和AV12(gk)^AV12(gk+l)。下面將描述在0〈gk的齡范圍內(nèi)滿;￡±^關(guān)系的情形。圖5A5D表示施加到圖1所示象素10的第一子象素10a的液晶層的方均根電壓VI(gk)和施加到第二子象素10b的液晶層的方均根電壓V2(gk)之間的多種關(guān)系。在圖5A所示的電壓施加狀態(tài)A下，向兩個子像素10a和10b的液晶層施加相同的電壓(V1-V2)。因而，AV12(gk)=0V。在圖5B所示的電壓狀態(tài)B下，保持關(guān)系VPV2，并塩V12為與V1值無關(guān)的常數(shù)。因而，在電壓狀態(tài)B下，對任何灰度gk滿足關(guān)系A(chǔ)V12(gk)二△V12(gk+l)。該實施例采用AV12(gk)=1.5V作為典型值，當(dāng)然，也可以采用其它值。較大的AV12(gk)值增強(qiáng)了本發(fā)明的效果，但^it成白模式中降低的亮度(邀寸率)的問題。另外，當(dāng)AV12(gk)的{鍋過液晶顯示器的邀寸率29的閾值電壓(即圖4B所示的Vth)時，黑模式的亮度(邀寸率)增加，顯示對比度減小，這是個問題。因此，4腿的^AV12(gk)《Vth。在圖5C所示的電壓狀態(tài)C下，保持關(guān)系VI>V2，并^AV12隨著VI的增加而減小。因而，在電壓狀態(tài)C下，對任何灰度gk滿足^t系A(chǔ)V12(gk)〉屈2(gk+l)。該實施例采用AV12(0)二1.5V和AV12(n)二0V作為典型值，當(dāng)然，也可以采用其它值。然而，如上所述，優(yōu)選的是在斜視期間從顯示對比度的設(shè)定點趙V12(gk)《Vth，雌的是從白模式中亮度的設(shè)定點趙V12(n)二0V。在圖5D所示的電壓狀態(tài)D下，保持關(guān)系V1〉V2，并JiW12隨Vl的增大而增大。因而，在電壓狀態(tài)D下，對任何被gk保持AV12(gk)〈AV12(gk+l)。本實施例采用AV12(0)二0V以^AV12(n)二1.5V作為典型值。在根據(jù)本發(fā)明實施例的液晶顯示器100中，對子象素10a和10b的液晶層施加電壓，使得將滿足電壓狀態(tài)B或電壓狀態(tài)C。順便說一下，雖然在圖5B和圖5C中對于所有總滿^AV12(gk)>0,但是在最佳^it或最高M(jìn)的情況下AV12K)均成立。下面將參考圖6描述電壓狀態(tài)AD下MVA液晶顯示器的M特性。圖6A和6B中的水平軸代表(正視規(guī)一化的邀寸萄IOO)a(1/2.2)，圖6A中的豎直軸代表(右側(cè)60°規(guī)一化的娜萄100)A(1/2.2)，圖6B中的豎直軸4樣(右上側(cè)60。規(guī)一化的慰寸萄100)A(1/2.2)。圖中還示出了fW正視總特性的直線一并用于參考。在電壓狀態(tài)A下，對子象素10a和10b的液晶層施加相同的電壓(AV12(gk)K))。如圖6A和6B所示，與圖4中所示常規(guī)液晶顯示器一樣，Y特性極大地偏離。電壓狀態(tài)D對減小討寺性的視角依賴性的影響小于電壓狀態(tài)B和C的情形。例如，電壓狀態(tài)D對應(yīng)于利用日本待公開專利申請JP6-332009中描述的常規(guī)容量劃分劃分的象素的電壓狀態(tài)。雖然在常白模式下對改善視角特性有影響，但對常黑模式下減小l4寺性的視角依賴性沒有很大的影響。如上所述，電壓狀態(tài)B或C用于減小常黑模式下yf寺性的視角依賴性。接下來，參見圖7，對電壓狀態(tài)中白色模式邀寸率、即施加最高總電壓時的變化進(jìn)行描述。白模式中的邀寸率在電壓狀態(tài)B和D下自然低于在電壓狀態(tài)A下的情形。電壓狀態(tài)C下白色模式的邀寸率等于電壓狀態(tài)A下的透射率。在此方面，電壓狀態(tài)C最好是電壓狀態(tài)B和D。因而，考慮至IM寺性的視角依賴性以及白模式中的邀寸率，可以說電壓狀態(tài)C更,。接下來描述子象素之間的優(yōu)選面積比。根據(jù)本發(fā)明，如果施加到子象素SP1、SP2、…和SPn的液晶層的方均根電壓為V1、V2、…Vn，如果子象素的面積為SSP1、SSP2、…和SSPn，并且如果保持關(guān)系VI>V2〉…Vn,則雌滿足SSPlSSSPn。后面將有描述。假設(shè)SSP1和SSP2是圖1所示象素10中子象素10a和10b的面積。圖8比較了電壓狀態(tài)C下面積比(SSP1:SSP2)=(1:3)、(h2)、(1:1)、(2:1)、(3:1)之間的i4寺性。圖8A表示右側(cè)視角的yf寺性，圖8B表示右上側(cè)視角的l4寺性。圖9表示不同狹縫比的正lliSM率。從圖8中可以看出，被施加較高電壓的子象素(10a)的面積比的減小對減小W寺性的視角^IM生更有效。當(dāng)面積比(SSP1:SSP2)=(1:1)時白模式中的邀才^X最大值，并隨著面積比變得不均勻而降低。這是因為如果面積比變得不均勻，則不再能得到良好的多疇垂直排列，從而減小了第一子象素和第二子象素的面積。這種趨勢在具有小象素面積的高分辨率液晶顯示器中得到斷定。因而，雖然面積比為1:1，但考慮到減小對討寺性的視角4繊性、白模式中的鄉(xiāng)率以及液晶顯示器的利用等的影響，可以根據(jù)需要調(diào)節(jié)。接下來將描述象素的劃分?jǐn)?shù)。雖然對于圖1所示的液晶顯示器100，象素10由兩4^f象素(10a和10b)組成，但本發(fā)明不限于此，子象素的數(shù)量可以為三個或更多。圖10比較在三禾中電壓狀態(tài)下獲得的yf寺性象素被分成兩付象素；象素被分成四個子象素；和象素不被劃分。圖10A表示右側(cè)視角的討寺性，圖10B表示右上側(cè)的視角辨性。圖11表示白模式中液晶顯示器的對/SW率。象素的面積恒定，并皿用了電壓狀態(tài)B。從圖10中可以看出，子象素數(shù)量的增加增大了校正Y特性中的偏差的效果。與不劃分象素相比，一個象素被分成兩個子象素時的效果尤其得以肯定。當(dāng)劃分的數(shù)量從兩個上升到四個時，雖然在Y特性的偏差上沒有很大的差異，但就與灰度變化有關(guān)的偏差的平穩(wěn)變化而言特性得以改善。但是，從圖11中可以看出，白模式中的透射率(正視)隨劃分?jǐn)?shù)量的增大而下降。尤其在劃分的數(shù)量從兩個增加到四個時下降很大。這種很大下降的主要原因在于每個子象素的面積如上所述地大大減小。比較不劃分和戈盼為二的狀態(tài)時透射率減小的主要原因在于采用了電壓狀態(tài)B。因而，考慮到對減小yf寺性的視角^M生、白模式中的透射率以及液晶顯示器的采用等的影響，可以根據(jù)需要調(diào)節(jié)劃分的數(shù)量。從上可以看出，yt寺性的偏差、偏差的形狀畸變以及i4寺性的視角依賴性隨象素劃分?jǐn)?shù)量的增大而增大。這些效果在比較不劃分象素和象素劃分為二(兩個子象素)的狀態(tài)時尤為顯著。因而，考慮到由子象素數(shù)量的增加以及可制造性的下降導(dǎo)致的白模式邀寸率的下降，雌將一個象穀吩為兩付象素。在圖1所示的液晶顯示器100中，子象素10a和10b彼此^lii鵬接到TFT16a和TFT16b上。TFT16a和TFT16b的源電極分別連接至(J信號線14a和14b上。因而，液晶顯示器100允許任何方均根電壓施加到子象素的針液晶層上，但要求是圖3所示常規(guī)液晶顯示器勵'的信號線14的兩倍(信號線14a和14b)，還需要兩倍之多的信號線驅(qū)動電路。相反，根據(jù)本發(fā)明另一實施例的液晶顯示器200具有與常規(guī)液晶顯示器100，相同數(shù)量的信號線，但可以在類似于上述電壓狀態(tài)C的電壓狀態(tài)下對子象素10a和10b的液晶層施加互不相同的方均根電壓。圖12表示根據(jù)本發(fā)明另一實施例的液晶顯示器200的電路結(jié)構(gòu)。具有與圖1所示液晶顯示器IOO相同功能的元件釆用與對應(yīng)元件相同的標(biāo)號并省去描述。象素10被分成子象素10a和10b，這些子象素分別連接到TFT16a和TFT16b以及存儲電容(CS)22a和22b上。TFT16a和TFT16b的柵電極連接到掃描線12上，源電極連接到公共信號線14上。存儲電容22a和22b分別連接到存儲電容線(CS總線)24a和24b上。存儲電容22a和22b分別由電連接到子象素電極18a和18b上的存儲電容、與存儲電容線24a和24b電連接的存儲電容反電極以及形成于其間的絕緣層(未示出)形成。存儲電容22a和22b的存儲電容反電極彼此獨立，并經(jīng)存儲電容線24a和24b被供以互不相同的存儲電容反電壓。接下來，參考附圖，對液晶顯示器200如何對子象素10a和10b的液晶層施加不同的方均根電壓的原理給予描述。32圖13表示液晶顯示器200的一個象素的等效電路。在等效電路中，子象素10a和10b的液晶層用標(biāo)號13a和13b表示。由子象素電極18a和18b、液晶層13a和13b以及反電極17(子象素10a和10b共用)形成的液晶電容用Clca和Clcb表示。假設(shè)液晶電容Clca和Clcb具有相同的電容值CLC(V)。CLC(V)的值依賴于施加給子象素10a和10b的液晶層的方均根電壓。彼此3fcii,接到子象素10a和10b的液晶電容上的存儲電容22a和22b由Ccsa和Ccsb表示，并且假設(shè)它們的電容值為CCS。子象素10a的液晶電容Clca和存儲電容Ccsa之一的電極連接到TFT16a的漏電極上以驅(qū)動子象素10a。液晶電容CIca的其它電極連接到反電極上，而存儲電容Ccsa的另一個電極連接到存儲電容線24a上。子象素10b的液晶電容Clcb和存儲電容Ccsb兩者之一的電極連接到TFT16b的漏電極上以驅(qū)動子象素10b。液晶電容Clcb的另一個電極連接到反電極上，而存儲電容Ccsb的另一個電極連接到存儲電容線24b上。TFT16a和TFT16b的柵電極連接到掃描線12上，源電極連接到信號線14上。圖14表示用于驅(qū)動液晶顯示器200的電壓應(yīng)用計時圖。在圖14中，波形(a)是信號線14的電壓波形Vs，波形(b)是存儲電容線24a的電壓波形Vcsa,波形(c)是存儲電容線24b的電壓波形Vcsb，波形(d)是掃描線12的電壓波形Vg，波形(e)是子象素10a的子象素電極18a的電壓波形Vlca，波形(f)是子象素10b的子象素電極18b的電壓波形Vlcb。圖中的虛線表示反電極17的電壓波形COMMON(Vcom)。將參照圖4描述圖3中的等效電路的工作。在Tl時刻，當(dāng)電壓Vg從VgL變到VgH時，TFT16a和TFH6b同時導(dǎo)通，并且電壓Vs從信號線14傳輸?shù)阶酉笏?0a和10b的子象素電極18a和18b，導(dǎo)致子象素10a和10b改變。對以的，各付象素的存儲電容Csa和Csb從信號線充電。在時刻T2，當(dāng)掃描線12的電壓Vg從VgH變?yōu)閂gL時，TFT16a禾口TFT16b同時截止。因此，子象素10a和10b以及存儲電容Csa和Csb都與信號線14截止。由于TFT16a和TFT16b的寄生電容造成的牽引效應(yīng)，之后，各^象素的電壓Vlca和Vlca即下降近似相同的電壓Vd，成為Vlca二Vs-VdVlcb=Vs—Vd此時，各條存儲電容線的電壓Vcsa和Vcsb為Vcsa=Vcom—VadVcsb=Vcom+Vad在時刻T3，連接到存儲電容Csa上的存儲電容線24a的電壓Vcsa從"Vcom-Vad"變?yōu)?Vcom+Vad"，連接到存儲電容Csb上的存儲電容線24b的電壓Vcsb從"Vcom+Vad"改變兩倍的Vad至"Vcom-Vad"。存儲電容線24a和24b電壓改變的結(jié)果是，各個子象素的電壓Vlca和Vlcb變?yōu)閂lca=Vs-Vd+2*Kc*VadV1cb=Vs—Vd-2*Kc*Vad此處，Kc=CCS/(CLC(V)+CCS))在時刻T4，Vcsa從"Vcom十Vad"變?yōu)?Vcom-Vad"，Vcsb從"Vcom-Vad"改變兩倍的Vad成為"Vcom+Vad"。因此，Vlca和Vlcb從V1ca=Vs-Vd+2*Kc*VadV1cb=Vs—Vd-2*Kc*Vad變?yōu)閂lca=Vs—VdVlcb=Vs—Vd在時刻T5，Vcsa從"Vcom-Vad"改變兩倍的Vad，成為"Vcom+Vad"，Vcsb從"Vcom+Vad"改變兩倍的Vad成為"Vcom-Vad"。因此，Vlca和Vlcb從Vlca=Vs—VdVlcb=Vs—Vd變?yōu)閂1ca=Vs—Vd+2*Kc*VadVlcb=Vs—Vd—2*Kc*VadVcsa、Vcsb、Vlca和Vlcb在T4和T5時刻以7乂平寫入時間1H的MW咅的間隔更換上述變化。用于更換間隔的整數(shù)l、2或3、…可以考慮到液晶顯示器的驅(qū)動法(極性反轉(zhuǎn)的方法等)和顯示條件(閃爍、粒度等)之后按照需要設(shè)置。這些更換周期一直重復(fù)到象素10被重寫至廿下一時刻，艮P，直到等于Tl的時刻。因此，子象素的電壓Vlca和Vlcb的有效值為Vlca二Vs—Vd+Kc*VadVlcb二Vs-Vd—Kc*Vad因而，施加到子象素10a和10b的液晶層13a和13b的方均根電壓VI和V2為Vl=Vlca—VcomV2=Vlcb-Vcom結(jié)果，V1=Vs—Vd+Kc*Vad-VcomV2=Vs-Vd-Kc*Vad—Vcom因此，施加到子象素lOa和10b的液晶層13a和13b的方均根電壓之差A(yù)V12(=V1—V2)為AV12二2承Kc承Vad(此處，Kc=CCS/(CLC(V)+CCS))。這意口可以施加互不相同的電壓。根據(jù)圖12至14所示實施例的VI和V2之間的M示于圖15。從圖15中可以看出，在根據(jù)本實施例的液晶顯示器200中，VI值越小，△V12值就越大。這與上述電壓狀態(tài)C下獲得的結(jié)果類HAV12值依據(jù)VI或V2改變的事實歸因于液晶電容的電容值CLC(V)。根據(jù)本實施例的液晶顯示器200的i4爭性示于圖16。為了便于比較，頓子象素10a和10b施加相同電壓時獲得6V^寺性也示于圖16。從圖中可以看出，根據(jù)本實施例的液晶顯示器中l(wèi)4寺性也得到改善。如上所述，本發(fā)明的實施例可以改善常黑液晶顯示器、尤其是MVA液晶顯示器的l4寺性。但是，本發(fā)明不限于此，也可以應(yīng)用到IPS液晶顯示器中。接下來，對根據(jù)本發(fā)明第二方面實施例的液晶顯示器進(jìn)行描述。下面對可以減少液晶顯示器上"閃爍"的驅(qū)動方法或象素分布(子象素陣歹U)的形式給予描述，在象素分布中，每個象素至少有兩個顯示中間時亮度彼此不同的子象素。雖然此處以本實施例的液晶顯示器的結(jié)構(gòu)和操作作為具有根據(jù)本發(fā)明第一方面實施例的劃分象素結(jié)構(gòu)的液晶顯示器實例進(jìn)行描述，但象素分布產(chǎn)生的效果不，素劃分的限制，并且也可以采用具有另一種象素劃分結(jié)構(gòu)的液晶顯示器。35首先描述液晶顯示器上的"閃爍"問題。從可靠性出發(fā)，典型的液晶顯示器設(shè)計成^ffi交變電壓作為施加到象素液晶層的電壓(有時也稱作"ac驅(qū)動法")。象素電極和反電極之間的電勢的大小關(guān)系以一定的時間間隔反轉(zhuǎn)，并且因此施加到每個液晶層的電場方向(電力線)也以該時間間隔反轉(zhuǎn)。對于反電極和象素電極安置在不同基底上的典型液晶顯示器，施加到旨液晶層的電場方向從光源-觀察者的方向反轉(zhuǎn)為觀察者-光源的方向。典型的情況是，施加到每個液晶層的電場方向反轉(zhuǎn)周期是幀周期(如16.667ms)的兩倍(如，33.333ms)。換言之，在液晶顯示器中，施加到每個液晶層的電場方向在每次顯示圖象(幀圖象)改變時反轉(zhuǎn)。因而，當(dāng)顯^態(tài)圖象時，如果在交變方向的電場強(qiáng)度(施加的電壓)不精確地匹配，即如果電場強(qiáng)度在每次電場方向改變時改變，則象素的亮度隨電場強(qiáng)度的改變而改變，從而導(dǎo)致顯示閃爍。為了防止閃爍，需要在交變方向上精確地使電場3艘(施加的電壓)相等。但是，對于IDlk生產(chǎn)的液晶顯示器，4歐制吏電場3艘在交變方向上相等。因此，要減少閃爍，把電場方向相反的象素挨著放置，由此在空間上平均象素的亮度。一般地，此方法被稱作"點反轉(zhuǎn)"或"行反轉(zhuǎn)"?？梢杂懈鞣N"反轉(zhuǎn)驅(qū)動"法，包個(逐行，逐列極性反轉(zhuǎn)l-點反轉(zhuǎn))象素上棋盤格式圖案的反轉(zhuǎn)、逐行反轉(zhuǎn)(逐行反轉(zhuǎn)l-行反轉(zhuǎn))和每兩行和每列的極性反轉(zhuǎn)。根據(jù)需要選擇其中一種。如上爿;m，要實現(xiàn)高質(zhì)量的顯示，^f，滿足下列三個斜牛(n采用ac驅(qū)動，使得以特定的時間間隔如每個幀周期反轉(zhuǎn)施加給每個液晶層的電場方向，(2)使交變電場方向上施加給每個液晶層的電壓(或儲存在液晶電容中的電荷量)與儲存在存儲電容中的電荷量相等，和(3)在每個垂直掃描周期(如幀周期)中將象素挨著設(shè)置成與施加到液晶層的電場方向(有時稱作"電壓極性")彼此相反。順便說一下，"垂直掃描周期"可以定義為選取掃描行后直到再選取該掃描行的周期。一個掃描周期等于非交錯驅(qū)動情況下的一幀周期并對應(yīng)于交錯驅(qū)動情況下的一個場周期。另外，在每個垂直掃描周期中，選取一個掃描行的時亥,再選取該掃描行的時刻之差(周期)被稱作水平掃描周期(1H)。本發(fā)明上述實施例通過把每個象素劃分為至少兩個子象素并使彼此的亮度36(邀寸率)不同而實現(xiàn)良好視角特性的顯示。本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，當(dāng)每個象素被分成大量亮度不同的子象素時，優(yōu)選除了上述三個條件外還滿足關(guān)于子象素分布的第四個剝牛。具體地說，優(yōu)選亮度不同的子象素以任何亮度的順序隨機(jī)地放置。就顯示質(zhì)量而言，最,不把亮度相同的子象素放置成在行或列方向上相鄰。換言之，蒯腿亮度相同的子象素以棋盤格的圖案分布。下面將描述適合于本發(fā)明上述實施例的驅(qū)動法、象素分布和子象素分布。下面將參考圖17和18描述用于根據(jù)本發(fā)明實施例的液晶顯示器的驅(qū)動方法實例。下面的描述中弓征這樣的例子，象素以多行(l~ip)和多列(1《q)的矩陣形式(tp，cq)分布，^t象素表示成P(p，q)(此處Bp紳以及Bq^cq)，并且至少有兩個子象素SPa(p，q)和SPb(p,q)，如圖17所示。圖17是表示一種相對分布(8行X6歹lj)的示意圖本實施例的液晶顯示器中的信號線S-C1、S-C2、，S-C3、，S-C4、，…S-Ccq;掃描線G-L1、G-L2、G-L3、…、G-Lrp;存儲電容線CS-A和CS-B;象素P(p，q);和組成象素的子象素SPa(p,q)禾口SPb(P，q)。如圖17所示，一個象素P(p,q)具有在掃描線G-Lp任一側(cè)上的近似以象素為中心水平展布的子象素SPa(p,q)和SPb(p,q)。子象素SPa(p,q)和SPb(p，q)分布在每個象素的列方向上。子象素SPa(p，q)和SPb(p,q)的存儲電容電極(未示出)分別連接至湘鄰的存儲電容線CS-A和CS-B上。根據(jù)顯示的圖象向象素P(p，q)供給信號電壓的信號線S-Ccq,素之間垂直分布，以向信號線右側(cè)上的子象素的TFT元件(未示出)供給信號電壓。根據(jù)圖17所示的結(jié)構(gòu)，一個存儲電容線或一個掃描線由兩個子象素共享。這是增加象素開口率的益處。圖18表示用于驅(qū)動具有圖17所示結(jié)構(gòu)的液晶顯示器的各種電壓(信號)的波形圖。通過用具有圖18所示電壓波形(a)-(j)的電壓驅(qū)動具有圖17所示結(jié)構(gòu)的液晶顯示器，可以滿n述四個割牛。接下來，將描述根據(jù)本實施例的液晶顯示器如何滿足上述四個條件。為了解釋簡單，假設(shè)所有的象素都以中等灰度顯示。在圖18中，波形(a)是供給信號線S-C1、S-C3、，S-C5,…(奇數(shù)信號線組有時也被稱作S-O)的顯示信號電壓波形(源信號電壓波形)；波形(b)是供給信號線S-C2、，S-C4、，S-C6,…(奇數(shù)信號線組有時也被稱作S-E)的顯示信號電壓波形；波形(c)是供給存儲電容線CS-A的存儲電容反電壓波形；波形(d)是供給CS-B的存儲電容反電壓波形；波形(e)是供給掃描線G-Ll的掃描電壓波形；波形(f)是供給掃描線G-L2的掃描電壓波形；波形(g)是供給掃描線G-L3的掃描電壓波形；波形(h)是供給掃描線G-L4的掃描電壓波形；波形(i)是供給掃描線G-L5的掃描電壓波形；波形(j)是供給掃描線G-L6的掃描電壓波形。掃描線電壓從低水平(VgL)變?yōu)楦咚?VgH)的時間與下一個掃描線電壓從VgL變?yōu)閂gH的時間之間的周期構(gòu)成一個7jC平掃描周期(1H)。掃描線的電壓保持在高水平(VgH)的周期有時稱作選取周期PS。因為所有象素以中等灰度顯示，所以所有的顯示信號電壓(圖18中的波形(a)和(b))具有固定振幅的振蕩波形。另外，顯示信號電壓的振蕩周期是兩個水平掃描周期(2H)。顯示信號電壓為振蕩波形以及信號線S-0(S-C1、S-C3，)和信號線S-E(S-C2、S-C4，…)的電壓波形有180。像差的原因是要滿足上述第三條件。通常在TFT驅(qū)動中，經(jīng)TFT元fH專輸?shù)较笏仉姌O的信號線電壓受掃描電壓波形的變化影響(有時稱作牽引現(xiàn)象)?？紤]至蛑引現(xiàn)象，信號線電壓波形傳遞到象素電極之后，反電壓近乎位于信號線電壓波形的中心。在圖18中，象素電極電壓波形高于反電壓之處，信號電壓用"+"號表示，象素電極電壓波形低于反電壓之處，信號電壓用"-"號表示。"+"和"-"號對應(yīng)于施加至lj液晶層的電場方向。電場方向在"+"號和"-"號時相反。如參見圖1215所述，當(dāng)掃描線的掃描電壓為VgH時，連接到掃描線上的TFT導(dǎo)通，致i^M示信號電壓供纟M接于！TT的子象素。然后，當(dāng)掃描線的掃描電壓變?yōu)閂gL時，存儲電容反電壓改變。因為存儲電容反電壓的變化(包括方向和符號的改變)在兩個子象素之間不同，因此方均根電壓被施加到子象素。在圖18所示的實例中，存儲電容反電壓的振蕩振幅和周期(波形(c)和(d))在存儲電容線CS—A和CS—B之間取相同值；例如，分別是二倍的Vad(見圖14)和1H。另夕卜，如果其中一個相移為180°，則CS—A和CS—B的振蕩波形將重疊。即，它們的相位差為0，5H。如，應(yīng)掃描線的電壓從VgH變?yōu)閂gL之后對應(yīng)存儲電容線的第一電壓變化增大，每個子象素的平均電壓則高于存在于對應(yīng)掃描線處于VgH態(tài)時的周期中的對應(yīng)信號線的顯示信號電壓，但如化減小，則低于存在于對應(yīng)掃描線處于VgH態(tài)的周期中的對應(yīng)信號線的顯示信號電壓。因此，如果圖18中所示的顯示信號電壓(波形(a)或(b))用"+"號標(biāo)注，貝lj當(dāng)存儲電容線的電壓變化處于比下降狀態(tài)高時施加到液晶層的方均根電壓就較高。另一方面，如果圖18中所示的顯示信號電壓(波形(a)或(b))用"一"號標(biāo)注，貝擋存儲電容線的電壓變化處于比下降狀態(tài)高時施加到液晶層的方均根電壓就較低。圖17表示垂直掃描周期(在此實例中為幀周期)中象素P(p，q)和子象素SPa(p,q)和SPb(p，q)的狀態(tài)。下面相對于每個子象素的掃描線對稱的三個符號表示子象素的狀態(tài)。第一符號H或L表示施加到子象素的方均根電壓的大小l系，符號H表示施加的方均根電壓很高，符號L表示施加的方均根電壓很低。第二符號"+"和"一"表示反電極和子象素電極之間的電壓大小關(guān)系，換言之，其表示施加到液晶層的電場方向。符號"+"表示子象素電極的電壓高于反電極的電壓，符號"一"表示子象素電極的電壓低于反電極的電壓。第三符號A或B表示適當(dāng)?shù)拇鎯﹄娙菥€是CS—A或CS—B。例如，來看象素P(l，l)的子象素SPa(U)和SPb(1,1)的狀態(tài)。從圖18所示的波形(a)(e)看到，ffi^擇GL-l的周期(掃描電壓為VgH的周期PS)中，顯示信號電壓為"+"。當(dāng)GL—l的掃描電壓從VgH變?yōu)閂gL時，各個子象素的存儲電容線的電壓(波形(c)和(d))處于圖18所示箭頭(從左的第一箭頭)表示的狀態(tài)。因而，在GL-1的掃描電壓從VgH變?yōu)閂gL之后，SPa(1,1)的存儲電容反電壓的第一電壓變化為圖18所示的增大(用波形(c)中的"U"表示)。另一方面，GL-1的掃描電壓從VgH變?yōu)閂gL之后，SPa(l，l)的存儲電容反電壓的第一電壓變化為圖18所示的減小(用波形(d)中的"D"表示)。因此，SPa(U)的方均根電壓增大，而SPb(1,1)的方均根電壓減小。所以，施加的SPa(U)的方均根電壓高于SPb(U)的方均根電壓，并且符號H貼到SPa(l，l)，符號L貼到SPb(1,1)。根據(jù)圖18所示的波形(b)，在選擇GL-1的周期中，用于P(l，l)的SPa(1,1)禾卩SPb(1,1)的顯示信號電壓為"-"。當(dāng)GL-1的掃描電壓從VgH變?yōu)閂gL時，各個子象素的存儲電容線的電壓(波形(c)禾n(d))處于圖18中箭39頭(左邊的第一箭頭)所示的狀態(tài)。因而，在GL-1的掃描電壓從VgH變?yōu)閂gL之后，SPa(1,2)的存儲電容反電壓的第一電壓變化增大("U")，如圖18所示。另一方面，GL-1的掃描電壓從VgH變?yōu)閂gL之后，SPb(1,2)的存儲電容反電壓的第一電壓變化減小("D")，如圖18所示。因此，SPa(1，2)的方均根電壓減小而SPb(1,2)的方均根電壓增加。所以，施加的SPa(1,2)的方均根電壓高于SPb(1，2)的方均根電壓，并且符號L貼到SPa(1,2)，符號H貼到SPb(1，2)。根據(jù)圖18所示的波形(a)，在選擇GL—2的周期中，用于P(2,1)的S批a(2,1)和S批b(2，1)的顯示信號電壓為"-"。當(dāng)GL-2的掃描電壓從VgH變?yōu)閂gL時，各^象素的存儲電容線的電壓(波形(c)禾n(d))處于圖18中箭頭(左邊的第二箭頭)所示的狀態(tài)。因而，在GL-2的掃描電壓從VgH變?yōu)閂gL之后，SPa(2,1)的存儲電容反電壓的第一電壓變化減小("D")，如圖18D所示。另一方面，GL-2的掃描電壓從VgH變?yōu)閂gL之后，SPb(2,1)的存儲電容反電壓的第一電壓變化增大("D")，如圖18C所示。因此，SPa(2，1)的方均根電壓增大而SPb(2,1)的方均根電壓減小。所以，施加的SPa(2,1)的方均根電壓高于SPb(2，1)的方均根電壓，并且符號H貼到SPa(2,1)，符號L貼到SPb(2,1)。圖17所示的狀態(tài)以這種方式出現(xiàn)。根據(jù)本實施例的液晶顯示器可以以這種滿足第一條件的方式驅(qū)動。因為圖17和18表示幀周期中的狀態(tài)，所以不可肖W人圖中評估第一條件是否滿足。但是，通過逐幀移動每條信號線(S—O(圖18A)或S—E(圖18B))上電壓波形的相位180。，可以執(zhí)行ac驅(qū)動，其中施加到每個液晶層的電場方向每個幀周期反轉(zhuǎn)。另外，在根據(jù)本實施例的液晶顯示器中，為了防ih^素的子象素的幅值關(guān)系即顯示屏中子象素的亮度嬌(圖17中的相對隨"H"和"L")逐幀變化，存儲電容線CS—A和CS—B上電壓波形的相位在信號線上的電壓波形改變時改變180°。因此，適于圖17中的符號"+"和"一"在下一幀中反轉(zhuǎn)(例如(+,H)(-，H)，禾卩(+，L)(-,L))。，第一^f?？梢砸源朔绞綕M足。下面我們將檢査是否滿足第二條件，即^T象素的液晶層(子象素的存儲電容)在不同的場方向充電到相同水平。在根據(jù)本實施例的液晶顯示器中，不同的方均根電壓施加到每個象素中的子象素的液晶層，顯示質(zhì)量例如閃爍受40亮度很高的子象素、即圖17中符號"H"表示的子象素的決定性影響。因而，第二條件尤其影響符號"H"表示的子象素。下面將參考圖18所示的電壓波形描述第二條件。在對應(yīng)掃描線的電壓為VgH的周期(選擇周期PS)中對子象素的液晶電容和存儲電容充電。儲存在液晶電容中的電荷量依賴于選擇周期中信號線的顯示信號電壓和反電壓(圖18中未示出)之間的電壓差，而儲存在存儲電容上的電荷量依賴于選擇周期中信號線的顯示信號電壓與存儲電容線的電壓(存儲電容反電壓)之間的電壓差。如圖18所示，每，擇周期中的顯示信號電壓可以是圖中"+"或"一"號表示的兩類中的一種。在任一種情況下，每個選擇周期中電壓沒有變化。無論反電壓(未示出)怎樣，對所有的子象素都施加不隨時間改變的相同DC電壓。有兩類存儲電容線CS—A和CS—B。CS—A的電壓波形在任何掃描線的選擇周期中都相同。類似的，CS—B的電壓波形在任何掃描線的選擇周期中都相同。換言之，存儲電容線的電壓的DC成分(DC7jC平)在^M掃描線的選擇周期中取相同值。因而，可以通過調(diào)節(jié)以下電壓的DC成分(DC水平)來滿足第二割牛每個掃描線的顯示信號電壓、反電極的電壓、和*存儲電容線的電壓。接下來，我們將證實第三^#是否被滿足，即場方向相反的象素是否在每幀周期中被放置成挨在一起。在根據(jù)本實施例的液晶顯示器中，不同的方均根電壓施加到每個象素中子象素的液晶層，第三條件應(yīng)用到被提供相同方均根電壓的子象素與象素之間的關(guān)系。尤其重要的是，第三^i牛M31高亮度的子象素、即圖17中符號"H"表示的子象素得到滿足，如同第二條件的情形。如圖17所示，表^t象素極性(電場方向)的"+"和"一"在行方向(水平方向)每兩個象素(兩列)轉(zhuǎn)變一次，如(+，一)、(+，一)、(+，—)，在列方向(豎直方向)每兩個象素(兩行)轉(zhuǎn)變一次，如(+，—)、(+，一)、(+，一)、(+，一)。依逐個象素看，表現(xiàn)出點反轉(zhuǎn)，滿足第三^j牛。接下來，我們來看高亮度的子象素，即圖17中符號"H"表示的子象素。參見圖17，在圖中所示的行方向不存在極性反轉(zhuǎn)，例如在第一行上關(guān)于子象素SPa的+H、+H、+H，但在圖中所示的列方向每兩個象素(兩行)極性轉(zhuǎn)變一次，如第一列中的(+H，一H)、(+H，一H)、(+H，一H)、(+H，一H)。已知為行反轉(zhuǎn)的狀態(tài)可以在尤其重要的高亮度子象素的水平彬見察到，這意味著它們滿足第三條件。由符號L表示的子象素也以規(guī)則的圖案分布，滿足第三劍牛。接下來，我們將討論第四條件。第四條件需要子象素中亮度相同的子象素不應(yīng)挨著放置，這使ff^度有所變化。根據(jù)本實施例，亮度變化的子象素、即施加至唭液晶層的方均根電壓不同的子象素用圖17中的符號"H"或"L"表示。在圖17中，如果子象素分成由行方向的兩^f象素和列方向的兩^T象素組成的四組(如SPa(1,1)、SPb(1,1)、SPa(1,2)禾口SPb(1，2))，則齡矢巨陣由子象素組形成，其中H和L在上部行中從左到右分布，L和H分布在下部行中。因而，在圖17中，符號"H"和"L"在子象素水平以棋盤格圖案分布，滿足第四^j牛。來看矩陣，在象素7jC平，在任意行的象素瞎況下每個象素中子象素的亮度順序和列方向上分布的子象素的位置之間的對應(yīng)性在行方向上周期性(每個象素)地改變，但在任意列的象素的情況下恒定。因而，在任意行的象素P(p，q)中，最亮的子象素(在此實例中用"H"表示的子象素)在q為奇數(shù)時是SPa(p,q)，在q為偶數(shù)時是SPb(p，q)。反之，q為奇數(shù)時最亮的子象素是SPb(p,q)，q為偶數(shù)時是SPa(p,q)。另一方面，在任意歹啲象素P(p,q)中，最亮的子象素在同一列中總是SPa(p，q)或SPb(p，q)，無論p是奇數(shù)還是偶數(shù)。此處SPa(p,q)或SPb(p,q)的交替意P據(jù)無論p是奇數(shù)還是偶數(shù)，奇數(shù)列中最亮的子象素為SPa(p，q)，而無論p為奇數(shù)還是偶數(shù)，偶數(shù)行中最亮的子象素為SPb(p,q)。如上述參考圖17和18所示，根據(jù)本實施例的液晶顯示器滿>￡±述四個條件，并因而可以實現(xiàn)高質(zhì)量的顯示。接下來，參考圖19和20描述禾擁m素和子象素的不同驅(qū)動方法的另一實施例的液晶顯示器。圖19和20對應(yīng)于圖17和18。如圖20所示，在根據(jù)本實施例的液晶顯示器中，顯示信號電壓和存儲電容反電壓每2H振蕩一次。因而振蕩周期是4H(四個7K平寫入時間)。奇數(shù)信號線S—O(S—C1、S—C3、S—C5…)和偶數(shù)信號線S—E(S—C2、S—C4、S—C6...)的信號電壓的振蕩相位差為180度(以時間來說為2H)。存儲電容線CS一A和CS—B的電壓振蕩相位差也為180度(以時間來說為2H)。另外，信號線的電壓振蕩比存儲電容線CS—A的電壓振蕩相位滯后45度(1/8周肌即H/2)。順便說一下，45度的相位差用于防止掃描線的VgH—VgL電壓變化和存儲電容線的電壓變化重疊，并JJt處采用的值不是嚴(yán)格要求，也可以根據(jù)需要采用其它值。對于根據(jù)本實施例的液晶顯示器，每個象素由兩個亮度變化且由"H"或"L"表示的子象素組成。另外，如圖19所示，由符號"H"或"L"表示的子象素以棋盤格圖案分布，這意味著滿足第四割牛，與上面的實施例一樣。關(guān)于第-割牛，可以利用與上述圖17和18所示實施例中采用一樣的反轉(zhuǎn)法滿足。但是，圖19和20所示的實施例不能滿U述第二割牛?，F(xiàn)在來看圖19中第一列的第一至第四行所示象素P(1，1)、P(2，1)、P(3，1)和P(4，1)的較亮子象素Pa(1，1)、Pa(2，1)、Pa(3，1)和Pa(4，1)。當(dāng)Pa(l，l)被充電時，即當(dāng)選擇G—L1時，對應(yīng)信號線的極性符號為"+"。當(dāng)Pa(3，1)被充電時，即當(dāng)選擇G—L3時，對應(yīng)信號線的極性符號為"一"。另外，當(dāng)Pa(1，1)被充電時，即當(dāng)選擇G—L1時，對應(yīng)存儲電容線CS—A的電壓波形在接，擇周期的中心處開始階梯式下降。當(dāng)Pa(3，1)被充電時，即當(dāng)選擇G—L3時，對應(yīng)存儲電容線CS—A的電壓波形在接近選擇周期的中心處開始階梯式上升。因而，M31精確控制存儲電容線CS—B和掃描線的信號電壓波形的相位，可以使存儲電容反電極在Pa(1，1)被充電以及Pa(3，1)被充電時具有相同的DC水平。M將DV7jC平設(shè)置到Pa(1，1)被充電時存儲電容反電極的電壓(等于子象素電極的電壓)與Pa(3，1)被充電時存儲電容反電極的電壓(等于子象素電極的電壓)的平均值，可以使儲存在Pa(1，1)和Pa(3，1)中的電荷量相等。接下來來看在Pa(2，1)處，在對應(yīng)的周期中，即在選擇G—L2時，對應(yīng)信號線的極性符號為"一"(與戰(zhàn)Pa(3，1)的情形相同)，對應(yīng)存儲電容線的電壓取固定值(不是象上述一樣的振蕩波形)。因而，M使對應(yīng)于Pa(2,1)的存儲電容線的電壓值與上述的DC水平關(guān)于Pa(1，1)及PaG，1)相同，可以使儲存在Pa(1，1)、Pa(2，1)及Pa(3，1)中的電荷量相同。但是，由于下列原因，不可能使儲存在Pa(4,1)中的電荷量與儲存在Pa(1，1)、Pa(2,1)及Pa(3,1)中的電荷量相同。Pa(4,1)的信號線的極性符號與Pa(1，1)的相同，無論什么時刻，對應(yīng)存儲電容線的電壓取固定值(不是如上所述的振蕩波形)。因此，需要使Pa(4,1)的存儲電容線的電壓值(上述固定值)與DC水平關(guān)于Pa(1，1)及Pa(3，1)相同，與Pa(2，1)的情形相同，即等于Pa(4,1)以及對于Pa(2，1)的存儲電容線的電壓值(上述固定值)。但是，這是不可能的，因為從圖19和20中可以看出，對于Pa(2,1)及Pa(4,1)的存儲電容線為CS—B，他們有規(guī)律的振蕩波形，在Pa(2,1)的選擇周期中選擇振蕩波形的最大值，而在Pa(4,1)的選擇周期中選擇振蕩波形的最小值，使得兩個電壓必然不同。另外，就分布相同極性的子象素以使其盡可能地不彼此相鄰的第三條件而言，本實施例劣于圖17和18所示的，實施例。參見圖19，劍門來看有較大電壓施加到其液晶層的纟賊象素的子象素、即符號H表示的子象素的極性反轉(zhuǎn)。在圖19中，在圖中所示的行方向不存在極性反轉(zhuǎn)，如第一行中對于子象素SPa的+H、+H、+H(如同圖17)，但在圖中所示的列方向每四個象素極性反轉(zhuǎn)，如第一列中的(+H，_H，一H，+H)、(+H，一H，一H，+H)。在參見圖17和18所述的實施例中，每兩個象素發(fā)生一次極性反轉(zhuǎn)，本實施例的極性反轉(zhuǎn)周期為1/2。換言之，在參見圖17和18所述的實施例中，極性反轉(zhuǎn)頻率是以上參見圖19和20所述實施例的兩倍。在這一方面，本實施例(參見圖19和20所述)劣于參見圖17和18所述的實施例。顯示質(zhì)量實際上在實施圖17所示象素分布的前一實施例的驅(qū)動方法與本實施例的驅(qū)動方法之間進(jìn)行比較，并在顯示質(zhì)量中看出差別。具體地說，例如當(dāng)用固定的視線觀察64/255灰度顯示時，兩種驅(qū)動方法看不出有明顯的差異，其中這種灰度在用于改變亮度的子象素中產(chǎn)生較大的亮度差異。但是，當(dāng)M移動視線觀察顯示時，在本實施例的驅(qū)動方法中看到水平條文(圖19)，而前一實施例(圖17)的驅(qū)動方法沒有這些問題?？梢韵嘈?，所述的差異是由，極性反轉(zhuǎn)周期的差異所致。因為*象素中包含的兩個子象素的亮度更顯著，所以優(yōu)選使較亮子象素的極性反轉(zhuǎn)周期最小。在上述實例中每個象素被分成兩個子象素，但也可以分成三個或更多^f象素，tt^以這樣方式分布子象素，艮口，使最亮子象素的極性反轉(zhuǎn)周期最小。不用說，最好其它所有的子象素都與最亮子象素有相同的極性反轉(zhuǎn)周期。接下來，參見圖21A和21B對下面的實施例進(jìn)行描述，該實施例中，即使通過移動視線觀察到顯示，利用較短極性反轉(zhuǎn)周期的上^7乂平條文也比圖17所示的實施例中更不明顯。根據(jù)圖17所示的實施例，雖然纟賊象素的較亮子象素(用符號"H"表示的)在(+，一)、(+，一)、(+，一)和(+，一)所示的列方向上反轉(zhuǎn)，但在+，+，+，+，+，+或一，一，一，一，_，一所示的方向不反轉(zhuǎn)。相反，根據(jù)圖21所示的實施例，較亮子象素的"+"和"一"不僅在(+，一)、(+，一)、(+，一)、(+，一)所示的列方向上反轉(zhuǎn)，而且也在(+，一)、(+，一)所示的行方向上反轉(zhuǎn)。因而，圖20所示的實施例采用了比圖17所示實施例短的極性反轉(zhuǎn)周期。在此方面，圖20所示的實施例更優(yōu)于圖17所示、甚至在圖21所示的實施例中，在組成象素的子象素中，符號"H"表示的較亮子象素以棋盤格圖案分布，滿足第四條件?？梢匀缦聦嵤﹫D21A所示的象素分布。如圖21B所示，每行中用于子象素的存儲電容反電極每兩列交替連接到存儲電容線CS—A或CS—B上。這種結(jié)構(gòu)變化可以M31比較圖21所示的本實施例與圖17或18所示的前述實施例清楚地看出。具體地說，這可以通過査看行方向子象素取的存儲電容線看出。例如，在子象素SPa(l，l)SPa(1,6)行中，從符號"A"或"B"表示的存儲電容反電極中為SPa(1,1)選"A"，為SPa(1，2)選"B"，為SPa(1，4)和SPa(1，5)選"A"，為SPa(1，6)選"B"，如圖21所示，而對圖17或18中所示的所有子象素SPa(1，1)SPa(1，6)選"A"。根據(jù)圖21所示的實施例，圖18中所示的電壓波形(a)(j)可以用作供給包括存儲電容線CSA和CS—B的導(dǎo)線的電壓波形。但是，因為顯示信號電壓每兩列轉(zhuǎn)換一次，因此具有圖18所示波形(a)的顯示信號電壓掛共給S-C1、S-C2、S—C5、S—C6、…，如圖21A所示，而具有圖20所示波形(b)的顯示信號電壓提供給圖21A中所示的S—C3、S—C4、S—C7(未示出)、S—C8(未示出)、…。盡管在上述實施例中，供給存儲電容線的存儲電容反電壓是占空比為1:1的矩形波振蕩電壓，但是本發(fā)明也可以用頻寬比不是l:l的矩形波。除ltb^外，還可以用其它波形，例如正弦波或三角形波。在這種情況下，當(dāng)連接到多個子45像素的TFT關(guān)閉時，在供給子像素存儲電容反電極的電壓中產(chǎn)生的變化可以根據(jù)子像素來改變。但是，使用矩形波使存儲在不同子像素(液晶電容和存儲電容)的電荷數(shù)量和施加至懷同子像素上的電壓均方根容易相等。而且，盡管在上述參照圖17和21所述的實施例中，供給存儲電容線(波欣c)和(d))的振蕩電壓振蕩周期是1H，如圖18所示，但也可以是1H被自然數(shù)除所得到的1H的分?jǐn)?shù)，例如1/1H，1/2H，1/3H，1/4H等。但是，因為振蕩電壓振蕩周期變短，因itbi以構(gòu)成驅(qū)動電路或驅(qū)動電路的功耗增大。接下來，描述本發(fā)明第三方面的實施例。本發(fā)明第三方面的實施例涉及通過將每個像素分成多個不同亮度的子像素來提高視角特性、尤其是提高顯示對比度的大或高分辨率液晶顯示器和它的驅(qū)動方法。如上所述，本發(fā)明第一方面的實施例^M:將每個像素分成多個不同亮度的子像素而提高視角特性、尤其是顯示對比度的液晶顯示器或驅(qū)動方法。這禾中類型的顯示和驅(qū)動這里是指多像素顯示、多像素驅(qū)動、面積比灰度等級顯示、或面積比灰度等級驅(qū)動。還有，本發(fā)明第二方面的實施例是具有能減小顯示"閃爍"的子像素陣列的液晶顯示器或它的驅(qū)動方法，并且與第一方面實施例適當(dāng)?shù)亟M合。在根據(jù)本發(fā)明第二方面實施例的液晶顯示器中，施加到cs總線(存儲電容線)的振蕩電壓(存儲電容反電壓)振蕩周期等于或短于一個水平掃描周期。如果以這種方式將短振蕩周期的振蕩電壓施加到cs總線上，增加顯示板的^fj辛率和尺寸，所得到的振蕩電壓的短振蕩周期使得振蕩發(fā)生器電路難(昂貴)以構(gòu)建，增加功耗，鵬加由cs總線電負(fù)載阻縱成的波形鈍化的影響。與根據(jù)第二方面實施例的液晶顯示器比較，描述根據(jù)本發(fā)明第三方面實施例的液晶顯示器，這里再次描述根據(jù)本發(fā)明第二方面實施例的液晶顯示器的具體結(jié)構(gòu)和操作。下面Ma將cs總線振蕩電壓的振蕩周期設(shè)定為一個水平掃描周期來實現(xiàn)上述面積比灰度等級的示例。參照附圖，集中描述下列三點。第一點涉及液晶顯示器的結(jié)構(gòu)，圍繞連接子像素的存儲電容的存儲電容反電極和cs總線之間的連接圖案定中心。第二點涉及根據(jù)柵極總線電壓波形的cs總線振蕩周期和相位。第三點涉及子像素的驅(qū)動和顯示狀態(tài)。圖22是具有圖17所示像素陣列的液晶顯示器的一定區(qū)域的等效電路圖。液晶顯示器具有行和歹鵬列磁巨陣的像素。每個像素具有兩付像素(用符號A和B表示)。旨子像素包括液晶電容CLCA—n，m或CLCB一n,m和存儲電容CCSA一n，m或CCSB一n，m。每個液晶電容由子像素電極、反電極ComLC、和夾在它們之間的液晶層組成。每個存儲電容由存儲電容電極、絕緣膜和存儲電容反電極(ComCSAji或ComCSB—n)組成。兩個子像素經(jīng)過各個TFTA—n,m和TFTB_n,m連接到公共信號線(電源總線)SBL_m上。Sil施加到公共掃描線(柵極總線)GBL_n上的掃描信號電壓來開啟和關(guān)閉TFTA—ryn和TFTB—n，m。當(dāng)兩個TFT開啟時，顯示器信號電壓經(jīng)過公共信號線供給各W像素電極和兩個子像素的存儲電容電極。^i!CS總線(CSBL)，兩個子像素電極之一的存儲電容反電極連接到存儲電容干線(CS干線)CSVtypeRl上，其它子像素的存儲電容反電極連接到存儲電容干線(CS干線)CSVtypeR2上。應(yīng)該注意在圖22列方向相鄰像素的子像素共享電公共CS總線。特別是用于n行中具有CLCB—ryn的子像素的CS總線CSBL和用于列方向相鄰行中具有CLCA—n+l,m象素的子像素的CS總線CSBL電共用。圖23A和23B示出就柵極總線的電壓波形和所示子像素電極電壓而言供給CS總線的振蕩電壓的振蕩周期和相位。液晶顯示器通常反轉(zhuǎn)(以規(guī)定時間間隔)施加到每個像素液晶層的電場方向，因此，需要考慮對應(yīng)電場方向的兩個類型驅(qū)動電壓波形。在圖23A和圖23B中分別示出兩種類型的驅(qū)動狀態(tài)。在圖23A和23B中，VSBL—m表示供給m列電源總線SBL—m的顯示信號電壓(電源信號電壓)的波形，同時VGBL_n表示供給n列的柵極總線GBL一n的掃描信號電壓(柵極信號電壓)的波形。VCSVtypeRl和VCSVtypeR2分別表示供給CS干線CSVtypeRl和CSVtypeR2的振蕩電壓的波形，作為存儲電容反電壓。VPEA一m，n和VPEB一m,n表示各個子像素液晶電容的電壓波形。在圖23A和23B中注意的第一點是CSVtypeRl禾HCSVtypeR2的電壓VCSVtypeRl和VCSVtypeR2的振蕩周期都等于一個水平掃描周期(1H)。在圖23A和23B中注意的第二點是VCSVtypeRl和VCSVtypeR2的相位如下。首先，觀察CS干線之間的相位差，VCSVtypeR2落后VCSVtypeRl為0.5H。接下來，觀察CS干線和柵極總線的電壓，CS干線和柵極總線的電壓相位如下。從圖23A和23B中可以看出，對應(yīng)各個CS干線的柵極總線電壓從VgH變?yōu)閂gL的時間與CS干線電壓的平坦部分到達(dá)它們的中心的時間一致。換句47話說，在圖23A和23B中的Td值是0.25H。但是，Td可以是大于OH但小于0.5H的任何值。盡管參照圖23A和23B描述了CS干線的電壓相位和周期，CS干線的電壓波形不限于此，CS干線可以是任何波形，只要滿足下列兩個^f牛之一。第一個割牛是應(yīng)柵極總線的電壓從VgH變?yōu)镠gL后，電壓VCSVtypeRl的第一變化是電壓增加，而在對應(yīng)柵極總線的電壓從VgH變?yōu)镠gL后，電壓VCSVtypeR2的第一變化是電壓減小。第二條件是在對應(yīng)柵極總線的電壓從VgH變?yōu)镠gL后，電壓VCSVtypeRl的第一變化是電壓減小，而，應(yīng)柵極總線的電壓從VgH變?yōu)镠gL后，電壓VCSVtypeR2的第一變化是電壓增加。圖24A和24B捐M液晶顯示器的驅(qū)動狀態(tài)。根據(jù)圖23A和23B所示示例的子像素的多個驅(qū)動電壓，液晶顯示器的驅(qū)動狀態(tài)也分為兩種類型。圖24A的驅(qū)動狀態(tài)對應(yīng)圖23A的驅(qū)動電壓波形，而圖24B的驅(qū)動狀態(tài)對應(yīng)圖23B的驅(qū)動電壓波形。圖24A和24B示意性地表示在按矩陣排列的多個像素中"從n行到n+7行的8行"x"從m列到m+5列的6列"的像素驅(qū)動狀態(tài)。^像素具有不同亮度的子像素。即表示為"b(亮)"的子像素和表示為"d(暗)"的子像素。圖24A和24B基本上與圖17相同。圖24A和圖24B的注意點是，是否滿足面積比灰度等級板的要求。面積比灰度等級板具有五個要求。第一要求是當(dāng)顯示中間灰度等級時，WS象素由不同亮度的多個像素組成。第二要求是不考慮時間，不同亮度的子像素亮度級不變。第三要求是不同亮度的子像素精巧地排列。第四要求是在所有幀中相反極性的像素精巧地排列。第五要求是在所有幀中相同極性、相同亮度級(特別是最亮的子像素)的子像素精巧地排列。按照第一要求來驗證。這里，每個像素由兩個不同亮度的子像素組成。特別是，例如在圖24A中，n行和m列的像素由表示為"b(亮)"的高亮度子像素和表示為"d(暗)"的低亮度子像素纟賊。因此，滿足第一要求。按照第二要求來-驗i正。液晶顯示器以規(guī)則的時間間隔交替不同驅(qū)動狀態(tài)的兩種顯示狀態(tài)。圖24A和24B表示對應(yīng)于兩種顯示狀態(tài)的驅(qū)動狀態(tài)符合高亮度子像素和低亮度子像素的位置。因此，滿足第二要求。按照第三要求來^i正。在圖24A和24B中，不同亮度級(即，表示為"b(亮)"的子像素和表示為"d(暗)"的子像素)的子像素按棋盤格式排列。液晶顯示器的可視觀察沒有出現(xiàn)諸如使用不同亮度子像素降低分辨率的顯示問題。因此，滿足第三要求。按照第四要求來檢驗。在圖24A和24B中相反極性的像素排列j^t其盤格式。特別是，例如在圖24A中，在n+2行和m+2列中的像素具有"+"極性。從這個像素開始，沿行方向和列方向在"一"和"+"之間每隔一個像素改變極性。對于不能滿足第四要求的液晶顯示器，認(rèn)為是與像素的驅(qū)動極性在"+"和"一"之間變化同步看到顯示器的閃動。但是，當(dāng)目視檢驗實施例的液晶顯示器時就看不到閃動。因此，滿足第四要求。按照第五要求來檢驗。在圖24A和24B中，觀察相同亮度級的子像素驅(qū)動極性，每兩行子像素(即，每隔一個像素寬度)反轉(zhuǎn)驅(qū)動極性。特別是，例如在圖24A的n一B行中，在m+l、m+3和m+5列中的子像素為"b(亮)"，并且所有這些子像素的極性為"一"。在n+l—A行中，在m、m+2和m+4列的像素為"b(亮)"，并且所有這些子像素的極性為"一"。在n+l—B行中，在m+l、m+3和m+5列中的子像素為"b(亮)"，并且所有這些子像素的極性為"+"。在n+2一A行中，在m、m+2和m+4列的像素為"b(亮)"，并且所有這些子像素的極性為"+"。對于不滿足第五要求的液晶顯示器，認(rèn)為是與像素的驅(qū)動極性在"+"和"一"之間變化同步看到顯示器的閃動。但是，當(dāng)目視檢驗根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器時就看不到閃動。因此，滿足第五要求。當(dāng)通過改變CS電壓的振幅VCSpp來觀察液晶顯示器時，在傾斜觀察期間，隨著顯示對比度的提高，視角特性就提高，因為CS電壓的振幅VCSpp從0V開始增加(0V用于支持除了根據(jù)本發(fā)明液晶顯示器之外的一般液晶顯示器)。盡管根據(jù)顯示的圖像視角特性的提高似乎稍有不同，但是當(dāng)VCSpp設(shè)定為使VLCaddpp值在普通馬區(qū)動模式(VCSpp為0V)的液晶顯示器域值電壓的0.5-2倍之內(nèi)時，則實現(xiàn)最佳提高。因此，根據(jù)本發(fā)明第二方面實施例的液晶顯示器通過施加振蕩電壓到存儲電容計數(shù)器電極上而提高視角特性，由此實現(xiàn)多像素顯示，其中施加到存儲電容反電極上的振蕩電壓振蕩周期等于或短于一個水平掃描周期。但是，當(dāng)施加到CS總線上的振蕩電壓的振蕩周期短時，就相當(dāng)難以在CS總線的高負(fù)載電容和電阻的大液晶顯示器、短水平掃描周期的高分辨率f夜晶顯示器或高速驅(qū)動和短垂直、水平掃描周期的顯示器上實現(xiàn)多像素顯示。這個問題將參照圖25—28來描述。圖25A是表示在根據(jù)本發(fā)明第二方面實施例的液晶顯示器中，用于將振蕩電壓供給CS總線的的結(jié)構(gòu)示意圖。振蕩電壓從CS干線供給在液晶顯示板中設(shè)置的多個CS總線。振蕩電壓經(jīng),接點ContPl和ContP2并經(jīng)過ContP3和ContP4，從CS總線電壓發(fā)生器電路供給CS干線。由于增加液晶顯示板的尺寸，因此從顯示板中心的像素到連接點ContPl和ContP2的距離增加，使它不可能忽略中心像素和連接點之間的負(fù)載阻抗。負(fù)載阻抗的主要元件包括像素的液晶電容(CLC)和存儲電容(CCS)、CS總線的電阻RCS和CS干線的電阻Rtrunk。負(fù)載阻抗的第一近似值可以是由圖25B所示的，電容和電阻組成的低通澹波器。負(fù)載阻抗的值是液晶顯示板位置的函數(shù)。例如，它是距連接點ContPl、ContP2、ContP3和ContP4距離的函數(shù)。特別是，負(fù)載阻抗P超巨離連接點距離的增加而增加，,巨離連接點距離的減小而減小。也就是說，由振蕩電壓發(fā)生器電路產(chǎn)生的CS總線電壓受CR低通滄波器近似的CS總線負(fù)載的影響，CS總線經(jīng)過波形鈍化改變在平板上的位置。如本發(fā)明第一方面的實施例戶腿，振蕩電壓施加給CS總線，以便構(gòu)成兩個或更多個子像素的各個像素并改變子像素的亮度。即，根據(jù)本發(fā)明實施例的液晶顯示器^ffi這樣的結(jié)構(gòu)和驅(qū)動方法:根據(jù)CS總線的振蕩電壓形成子像素電極的電壓波形，并根據(jù)CS總線的振蕩波形改變有效電壓。因此，如果CS總線電壓波形從一個位置變到另一個位置，子像素電極的有效電壓也是如此。換句話說，如果CS總線電壓的波形鈍化改變位置，顯示亮度也隨位置變化，從而得到不規(guī)則的顯示亮度。通過增加CS總線的振蕩周期校正顯示亮度不規(guī)則的能力是根據(jù)本發(fā)明第三方面液晶顯示器的優(yōu)點。下面將作解釋。圖26和27示意性地表示在CS負(fù)載保持不變的情形子像素電極的振蕩電壓波形。圖26和27是假定在CS總線電壓不是振蕩電壓時子像素電極的電壓為"0V7，，以及由CS總線的振動產(chǎn)生的子像素電極電壓的振幅是"1V"的示意圖。圖26中波形(a)—(e)表示CS電壓沒有波形鈍化的波形，艮口，CR低通濾波器的50CR時間常數(shù)是"0H"，而圖27中波形(a)—(e)表示當(dāng)CR低通M^波器的CR時間常數(shù)是"0,2H"時的波形鈍化。圖26和27示意性地表示當(dāng)CR低通、搶波器的cr時間常數(shù)分別是"0H"和"0.2H"時子像素電極電壓的電壓波形，以及CS總線振蕩電壓的振蕩周期被改變。圖26和27中的波(a)—(e)表示波形振蕩周期分別是1H、2H、4H、附的情形。當(dāng)圖26和27相比較時，可以看出圖26和27中波形差隨振蕩周期的增加而減小。這種趨勢在圖28中定量表示。圖28表示基于圖27的波形比CS總線電壓的振蕩周期(一個周期對應(yīng)一個水平掃描周期1H)計算出的振蕩電壓的平均值和有效值的關(guān)系。從圖28中可以看出，在CR時間常數(shù)是OH時和CR時間常數(shù)是0.2H時之間平均電壓和有效電壓的偏差隨CS總線振蕩周期的增加而減小?？梢钥闯觯梢院艽蠛?，地減小波形鈍化的影響，特別是當(dāng)CS總線振蕩電壓的振蕩周期大于CS總線的CR時間常數(shù)(負(fù)載阻抗的近似值)的8倍時。這樣，M增加CS總線振蕩電壓的振蕩周期，可能降低CS總線波形鈍化造成的顯示亮度不規(guī)則。可以很大程度地降低波形鈍化的影響，特別是當(dāng)CS總線振蕩電壓的振蕩周期大于CS總線的CR時間常數(shù)(負(fù)載卩鵬的近似值)的8倍時。由于根據(jù)本發(fā)明第二方面的液晶顯示器具有上述問題，因此提出本發(fā)明的第三方面。該方面,液晶顯示器的iffi結(jié)構(gòu)和方法，其能增加施加到CS總線上的振蕩電壓的振蕩周期。在根據(jù)本發(fā)明第三方面實施例的液晶顯示器中，電絕緣的CS總線用于在矩陣驅(qū)動液晶顯示器的同列和沿列方向彼此相鄰的子像素中不同亮度級的子像素(例如，第一子像素和第二子像素)。特別是用于n行第一子像素的CS總線和n+l行第二子像素的CS總線彼此電絕緣。這里，在矩陣驅(qū)動液晶顯示器同列中的像素是被相同信號線(一般為電源總線)驅(qū)動的像素。而且，在矩陣驅(qū)動液晶顯示器的列方向彼此相鄰的像素是被在按時間軸順序選擇的掃描線(一般為柵極總線)中相鄰時間點選擇的掃描線驅(qū)動的像素。除jJ:b^外，假定有L組CS干線電絕緣，CS總線的振動周期可以是水平掃描周期的L倍。如上BW，優(yōu)選CS干線的數(shù)量大于一個7K平掃描周期除以近似等于CS總線最大負(fù)載阻抗的cr時間常數(shù)而得到的商的s倍。而且，如后面戶;M，優(yōu)選該數(shù)值除了大于8倍數(shù)之外還是偶數(shù)。在此，CS干線電絕^a(L組)的數(shù)量可以用電絕緣的CS干線(L干線)的數(shù)量來表示。如果電等效的CS干線安裝在板兩側(cè)，電等效的CS干線的數(shù)量則不變。下面參照附圖，描述根據(jù)本發(fā)明第三方面實施例的液晶顯示器和它的驅(qū)動方法。首先，參照圖29—31B，描述液晶顯示器通過將CS總線的振蕩電壓的振蕩周期設(shè)定為水平掃描周期的4倍來實現(xiàn)面積比灰度等級顯示。描述集中在下列幾點，并參照附圖提供。第一點涉及液晶顯示器結(jié)構(gòu)，圍繞連接到子像素和CS總線上的存儲電容的存儲電容反電極之間的連接圖案定中心。第二點涉及根據(jù)柵極總線電壓波形的CS總線的振蕩周期和振蕩相位。第三點涉及根據(jù)本實施例的子像素的驅(qū)動和顯示狀態(tài)。圖29是根據(jù)本發(fā)明第三方面實施例的液晶顯示器的等效電路示意圖，對應(yīng)圖22。與圖22相同的元件用與圖22相同的附圖^H己/符號表示，其描述省略。圖29中的液晶顯示器不同于圖22中的液晶顯示器，其中它有四個電絕緣的CS干線CSVtypeAl-CSVtypeA4并且在CS干線和CS總線之間的連接狀態(tài)。在圖29中要注意的第一點是:在列方向相鄰行中像素的相鄰子像素(例如，對應(yīng)CLCB—n,m和CLCA_n+l,m的子像素)的CS總線彼此電絕緣。特別是，例如用于n行子像素CLCB—n,m的CS總線CSBL—B—n和用于列方向相鄰行像素的子像素CLCA—n+l,m的總線CSBL_A_n+l彼此電絕緣。在圖29中要注意的第二點是各個CS總線(CSBL)連接到平板端的四根CS干線(CSVtypeAl、CSVtypeA2、CSVtypeA3和CSVtypeA4)之一上。即，在根據(jù)本實施例的液晶顯示器中，有四組電絕緣的CS干線。圖29中要注意的第三點是在CS總線和四個CS干線之間的連接狀態(tài)，即，沿列方向電絕緣的CS總線的分布。根據(jù)圖29中CS總線和CS干線的連接規(guī)則，連接到CS干線CSVtypeAl、CSVtypeA2、CSVtypeA3和CSVtypeA4上的總線在表l中示出。[表l]52<table>tableseeoriginaldocumentpage53</column></row><table>四組電絕緣的CS總線分別連接到上述表1中所示的四個cs干線上。圖30A和30B表示根據(jù)柵極總線的電壓波形的CS總線振蕩周期和相位，以及表示子像素電極的電壓。圖30A和30B對應(yīng)，圖23A和23B。與圖23A和23B相同的元件用與圖23A和23B相同的附圖^"i己/符號表示，在此省略描述。液晶顯示器一般以規(guī)則的時間間隔反轉(zhuǎn)施加到旨像素的液晶層上的電場方向，因此，需要考慮對應(yīng)于電場方向的兩種類型的驅(qū)動電壓波形。圖30A和30B中分別表雜兩種類型的驅(qū)動狀態(tài)。圖30A和30B中要注意的第一點是CSVtypeAl、CSVtypeA2、CSVtypeA3和CSVtypeA4的電壓VCSVtypeAl、VCSVtypeA2、VCSVtypeA3和VCSVtypeA4的振蕩周期全都^^平掃描周期的4倍(4H)。圖30A和30B中要注意的第二點是VCSVtypeAl、VCSVtypeA2、VCSVtypeA3和VCSVtypeA4的相位如下。首先，比較CS干線中的相位，VCSVtypeA4比VCSVtypeAl落后1H。接下來，觀察CS干線的電壓和柵極總線的電壓，CS總線電壓和柵極總線電壓的相位如下。如圖30A和30B所示，對應(yīng)于各個CS干線的柵極總線的電壓從VgH變?yōu)閂gL的時間與CS干線的平坦部分到達(dá)它們中心的時間一致。換句話說，圖30A和30B中的Td值是1H。但是，Td值是任何大于OH小于2H的值。這里，對應(yīng)于各個Cs干線的柵極總線是CS總線經(jīng)過輔助電容CS和TF元件連接相同子像素電極的CS干線和柵極總線。根據(jù)圖29，對應(yīng)于這個液晶顯示器中的每個CS干線的柵極總線和CS總線在下面的表2中表示。[表2]<table>tableseeoriginaldocumentpage54</column></row><table>盡管參照圖30A和30B描述了CS干線電壓的周期和相位，但是CS干線的電壓波形不限于此。CS干線可以是滿足下列兩個^j牛的其它波形。第一個條件是對應(yīng)柵極總線的電壓從VgH變?yōu)閂gL后的電壓VCSVtypeAl的第一變化是電壓升高，對應(yīng)柵極總線的電壓從VgH變?yōu)閂gL后的電壓VCSVtypeA2的第一變化是電壓降低，對應(yīng)柵極總線的電壓從VgH變?yōu)閂gL后的電壓VCSVtypeA3的第一變化是電壓降低，對應(yīng)柵極總線的鬼壓從VgH變?yōu)閂gL后的電壓VCSVtypeA4的第一變化是電壓升高。圖30A所示的驅(qū)動電壓波形滿足這個斜牛。第二個條件是對應(yīng)柵極總線的電壓從VgH變?yōu)閂gL后的電壓VCSVtypeAl的第一變化是電壓降低，對應(yīng)柵極總線的電壓從VgH變?yōu)閂gL后的電壓VCSVtypeA2的第一變化是電壓升高，對應(yīng)柵極總線的電壓從VgH變?yōu)閂gL后的電壓VCSVtypeA3的第一變化是電壓升高，對應(yīng)柵極總線的電壓從VgH變?yōu)閂gL后的電壓VCSVtypeA4的第一變化是電壓降低。圖30B所示的驅(qū)動電壓波形滿足這個劍牛。但是，出于下面描述的理由，tt^使用圖30A和30B所示的波形。在圖30A和30B中，振蕩周期是不變的。這可以簡化信號發(fā)生器電路。而且，在圖30A和30B中，振蕩占空比不變。這樣可能保持振蕩振幅不變，并且當(dāng)振蕩電壓用作CS總線電壓時，施加到液晶顯示層的電壓變化量取決于振蕩的振幅和占空比，因此簡化信號發(fā)生器電路。因此，振蕩占空比保持不變，就可能使振蕩的振幅不變。例如，占空比設(shè)定為l:l。而且，在圖30A和30B中，對于倒可CS振蕩電壓，存在超出180度相位的振蕩電壓(相反相位的振蕩電壓)。艮卩，四個電絕緣CS干線組成CS干線對(兩對)，其相互供給超出180度相位的振蕩電壓。這就可能使流過存儲電容反電極的電流量最小，因此簡化連接反電極的驅(qū)動電路。圖31A和31BM本實施例液晶顯示器的驅(qū)動狀態(tài)。根據(jù)子像素驅(qū)動電壓的極性，液晶顯示器的驅(qū)動狀態(tài)也分為兩種類型，如圖30A和30B所示的情形。圖31A中的驅(qū)動狀態(tài)對應(yīng)于圖30A的驅(qū)動電壓波形，同時，圖31B中的狀態(tài)對應(yīng)于圖30B驅(qū)動電壓波形的驅(qū)動狀態(tài)。圖31A和31B對應(yīng)于戰(zhàn)圖24A和24B。圖31A和31B中的注意點是，是否滿足面積比灰度等級板的要求。按照下列面積比灰度等級板的五個要求來驗證。第一要求是當(dāng)顯示中間灰度等級時，^H象素由多個不同亮度子像素組成。第二要求是不管時間，亮度不同的子{象素亮度級不變。第三要求是不同亮度的子像素精巧地排列。第四要求是在所有幀中相反極性的像素精巧地排列。第五要求是在所有幀中相同極性、相同亮度級(尤其是最亮的子像素)的子像素精巧地排列。按照第一要求來^i正。在圖31A和31B中，每個像素由兩個亮度不同的子像素組成。特別是，例如在圖31A中，n行和m列的像素由表示為"b(亮)"的高亮度子像素和表示為"d(暗)"的低亮度子像素組成。因此，滿足第一要求。按照第二要求來驗i正。液晶顯示器以規(guī)則時間間隔交替不同驅(qū)動狀態(tài)的兩種顯示狀態(tài)。圖31A和31B表示對應(yīng)于兩個顯示狀態(tài)的驅(qū)動狀態(tài)符合高亮度子像素刺氏亮度子像素的位置。因此，滿足第二要求。按照第三要求來驗i正。在圖31A和31B中，不同亮度級的子像素(g卩，表示為"b(亮)"的子像素和表示為"d(暗)"的子像素)按棋盤格式排列。液晶顯示器的目視觀察看不出顯示問題，例如由于不同亮度子像素降低分辨率。因此，滿足第三要求。按照第四要求來^i正。在圖31A和31B中，相反極性的像素排列皿盤格式。特別是，例如在圖31A中，在n+2行和m+2列中的像素具有"+"極性。從這個像素開始，沿行方向和列方向在"一"和"+"之間每隔一個像素改變極性。對于不能滿足第四要求的液晶顯示器，認(rèn)為是與像素的驅(qū)動極性在"+"和"一"之間變化同步看到顯示器的閃動。但是，當(dāng)目視檢驗實施例的液晶顯示器時看不到閃動。因此，滿足第四要求。按照第五要求來-^i正。在圖31A和31B中，觀察相同亮度級的子像素驅(qū)動極性，每兩行子像素(即，每隔一個像素寬度)反轉(zhuǎn)驅(qū)動極性。特別是，例如在n一B行中，在m+l、m+3和m+5列中的子像素為"b(亮)"，并且所有這些子像素的極性為"一"。在n+l一A行中，在m、m+2和m+4列的像素為"b(亮)"，并且所有這些子像素的極性為"一"。在n+l_B行中，在m+l、m+3和m+5列中的子像素為"b(亮)"，并且所有這些子像素的極性為"+"。在n+2一A行中，在m、m+2和m+4列的像素為"b(亮)"，并且所有這些子像素的極性為"+"。對于不滿足第五要求的液晶顯示器，認(rèn)為是與像素的驅(qū)動極性在"+"和"一"之間變化同步看到顯示器的閃動。但是，當(dāng)目視檢驗根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器時看不到閃動。因此，滿足第五要求。當(dāng)通過改變CS電壓的振幅VCSppl^見察根據(jù)本實施例的液晶顯示器時，在傾斜觀察期間，隨著顯示對比度的抑制(suipressed)，視角特性提高，因為CS電壓的振幅-VCSpp從0V增加(0V用于支持除了根據(jù)本發(fā)明液晶顯示器之外的普通液晶顯示器)。盡管根據(jù)顯示的圖像，視角特性的提割以乎稍有不同，但是當(dāng)設(shè)定VCSpp以使VLCaddpp值在普通驅(qū)動模式(VCSpp為0V)的液晶顯示器域值電壓的0.5-2倍之內(nèi)時，則實現(xiàn)最佳提高。概括而言，本實施例有可能設(shè)定施加給存儲電容反電極的振蕩電壓的振蕩周期為液晶顯示器水平掃描周期的4倍，液晶顯示器通過施加振蕩電壓給存儲電容反電極而提高視角特性，因此，實現(xiàn)多像素顯示。甚至在具有CS總線的高負(fù)載電容和電阻的大液晶顯示器上、在具有短水平掃描周期的高分辨率液晶顯示器上、或具有高速驅(qū)動和短垂直、水平掃描周期的液晶顯示器上，也容易實現(xiàn)多像素顯示。接下來，參照圖32來描述根據(jù)本發(fā)明第三方面實施例的液晶顯示器的結(jié)構(gòu)56和操作。該實施例M將CS總線的振蕩電壓的振蕩周期設(shè)定為7X平掃描周期的兩倍來實現(xiàn)面積比灰度等級顯示。描述將參照附圖集中在下列幾點上。第一點涉及液晶顯示器的結(jié)構(gòu)，圍繞連接子像素的存儲電容的存儲電容反電極和CS總線之間的連接圖案定中心。第二點涉及根據(jù)柵極總線電壓波形的CS總線振蕩周期和相位。第三點涉及根據(jù)本實施例的子像素的驅(qū)動和顯示狀態(tài)。圖32是表示根據(jù)本發(fā)明第三方面實施例的液晶顯示器的等效電路的示意圖，對應(yīng)圖29。與圖29相同的元件用與圖29相同的附圖^H己/符號表示，其中描述省略。圖32中的液晶顯示器不同于圖29中的液晶顯示器，其中它具有兩個電絕緣的CS干線CSVtypeBl和CSVtypeB2以及在CS干線和CS總線之間的連接狀態(tài)。圖32中要注意的第一點是在列方向相鄰行中像素的相鄰子像素的CS總線彼此電絕緣。特別是用于n行子像素CLCB一n,m的CS總線CSBL一B—n和用于列方向相鄰行像素的子像素CLCA一n+l，m的總線CSBL—A—n+l彼此電絕圖32中要注意的第二點是每個CS總線(CSBL)連接在平板端的兩個CS干線(CSVtypeBl和CSVtypeB2)上。艮卩，在根據(jù)本實施例的液晶顯示器中，有兩組電絕緣的CS干線。圖32中要注意的第三點是在CS總線和兩個CS干線(trunk)之間的連接狀態(tài)，艮卩，沿列方向電絕緣的CS總線的分布。根據(jù)圖32中CS總線和CS干線的連接規(guī)則，連接到CS干線CSVtypeBl和CSVtypeB2上的CS總線如下面的表3所示c[表3]<table>tableseeoriginaldocumentpage57</column></row><table>兩組電絕緣的CS總線分別連接到上面表3中所示的兩個CS干線上。圖33A和33B表示根據(jù)柵極總線電壓波形的CS總線振蕩周期和相位，并示出子像素電極的電壓。圖33A和33B對應(yīng)于前面實施例的圖30A和30B。與圖30A和30B相同的元件用與圖30A和30B相同的附圖f斜己/符號表示，其中描述省略。液晶顯示器一般以規(guī)則的時間間隔反轉(zhuǎn)施加到每個像素的液晶層上的電場方向，因此，需要考慮對應(yīng)于電場方向的兩種類型的驅(qū)動電壓波形。圖33A和33B中分別表示這兩種類型的驅(qū)動狀態(tài)。在圖33A和33B中要注意的第一點是CSVtypeBl和CSVtypeB2的電壓VCSVtypeBl和VCSVtypeB2的振蕩周期全都是水平掃描周期的2倍(2H)。在圖33A和33B中要注意的第二點是VCSVtypeBl和VCSVtypeB2的相位如下。首先，比較CS干線中的相位，VCSVtypeB2比VCSVtypeBl落后1H。接下來，觀察CS干線的電壓和柵極總線的電壓，CS干線電壓和柵極總線電壓的相位如下。如圖33A和33B所示，對應(yīng)于各個CS干線的柵極總線的電壓從VgH變?yōu)榈臅r間與CS干線的平坦部分到達(dá)它們中心的時間一致。換句話說，圖33A和33B中的Td值是0.5H。但是，Td值是大于OH小于1H的任何值。這里，對應(yīng)于各個CS干線的柵極總線是CS總線經(jīng)過輔助電容CS和TFT元件連接相同子像素電極的CS干線和柵極總線。根據(jù)圖33A和33B，對應(yīng)于這個液晶顯示器中的每個CS干線的柵極總線和CS總線在下面的表2中表示。<table>tableseeoriginaldocumentpage58</column></row><table>盡管參照圖33A和33B描述了CS干線的電壓周期和相位，但是CS干線的電壓波形不限于此。CS千線可以是滿足下列兩個條件的其它波形。第一個條件是對應(yīng)柵極總線的電壓從VgH變?yōu)閂gL后的電壓VCSVtypeBl的第一變化是電壓升高，對應(yīng)柵極總線的電壓從VgH變?yōu)閂gL后的電壓VCSVtypeB2的第一變化是電壓降低。圖33A滿^個條陣。第二個條件是對應(yīng)柵極總線的電壓從VgH變?yōu)閂gL后的電壓VCSVtypeBl的第一變化是電壓降低，對應(yīng)柵極總線的電壓從VgH變?yōu)閂gL后的電壓VCSVtypeB2的第一變化是電壓升高。圖33B滿足這個^j牛。圖34A和34B捐i^根據(jù)本實施例的液晶顯示器的驅(qū)動狀態(tài)。根據(jù)子像素驅(qū)動電壓的極性，液晶顯示器的驅(qū)動狀態(tài)也分為兩種類型，如圖34A和34B所示的情形。圖34A中的驅(qū)動狀態(tài)對應(yīng)于圖33A的驅(qū)動電壓波形，而圖34B中的狀態(tài)對應(yīng)于圖33B驅(qū)動電壓波形的驅(qū)動狀態(tài)。圖34A和34B對應(yīng)于前述實施例的圖31A和31B。圖34A和34B的注意點是，是否滿足面積比灰度等級板的要求。面積比灰度等級板具有五個要求第一要求是當(dāng)顯示中間灰度等級時，旨像素由多個不同亮度子像素組成。第二要求是不管時間，亮度不同的子像素亮度級不變。第三要求是不同亮度的子像素精巧地排列。第四要求是在所有幀中相反極性的像素精巧地排列。第五要求是在所有幀中相同極性、相同亮度級(尤其是最亮的子像素)的子像素精巧地排列。按照第一要求來-^i正。在圖34A和34B中，每個像素由兩個亮度不同的子像素組成。特別是，例如在圖34A中，n行和m列的像素由表示為"b(亮)"的高亮度子像素和表示為"d(暗)"的低亮度子像素組成。因此，滿足第一要求。按照第二要求來驗證。本實施例的液晶顯示器以規(guī)則時間間隔交替不同驅(qū)動狀態(tài)的兩種顯示狀態(tài)。圖34A和34B表示對應(yīng)于兩個顯示狀態(tài)的驅(qū)動狀態(tài)符合高亮度子像素和低亮度子像素的4體。因此，滿足第二要求。按照第三要求來^i正。在圖34A和34B中，不同亮度級的子像素(g卩，表示為"b(亮)"的子像素和表示為"d(暗)"的子像素)按棋盤格式排列。液晶顯示器的目視觀察看不出顯示問題，例如由于不同亮度子像素降低分辨率。因此，滿足第三要求。按照第四要求來5ti正。在圖34A和34B中，相反極性的像素排列成棋盤格式。特別是，例如在圖34A中，在n+2行和m+2列中的像素具有"+"極性。從這個像素開始，沿行方向和列方向在"一"和"+"之間每隔一個像素改變極性。對于不能滿足第四要求的液晶顯示器，認(rèn)為是與像素的驅(qū)動極性在"+"和"一"之間變化同步看到顯示器的閃動。但是，當(dāng)目視檢驗本實施例的液晶顯示器時看不到閃動。因此，滿足第四要求。按照第五要求來^i正。在圖34A和34B中，觀察相同亮度級的子像素驅(qū)動極性，每兩行子像素(即，每隔一個像素寬度)反轉(zhuǎn)驅(qū)動極性。特別是，例如在n—B行中，在m+l、m+3和m+5列中的子像素為"b(亮)"，并且所有這些子像素的極性為"一"。在n+1—A行中，在m、m+2和m+4列的像素為"b(亮)"，并且所有這些子像素的極性為"一"。在n+l_B行中，在m+l、m+3和m+5列中的子像素為"b(亮)"，并且所有這些子像素的極性為"+"。在n+2—A行中，在m、m+2和m+4列的像素為"b(亮)"，并且所有這些子像素的極性為"+"。對于不滿足第五要求的液晶顯示器，認(rèn)為是與像素的驅(qū)動極性在"+"和"—"之間變化同步看至lj顯示器的閃動。但是，當(dāng)目視檢驗根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器時看不到閃動。因此，滿足第五要求。當(dāng)根據(jù)本實施例的液晶顯示器被發(fā)明者等人改變CS電壓的振幅VCSpp時，在傾斜觀察期間，隨著顯示對比度的抑制，視角特性提高，因為CS電壓的振幅VCSpp從0V增加(0V用于支持除了根據(jù)本發(fā)明液晶顯示器之外的普通液晶顯示器)。但是，進(jìn)一步增加VSCpp值存在降低顯示對比度的問題。因此，VSCpp值僅設(shè)定到充分提高視角特性不出現(xiàn)問題的范圍。盡管根據(jù)顯示的圖像，視角特性的提高似乎稍有不同，但是當(dāng)設(shè)定VCSpp以使VLCaddpp值在普通驅(qū)動模式(VCSpp為0V)的液晶顯示器域值電壓的0.5-2倍之內(nèi)時，則實現(xiàn)最佳提高。概括而言，本實施例有可能設(shè)定施加給存儲電容反反電極振蕩電壓的振蕩周期為液晶顯示器水平掃描周期的2倍，液晶顯示器通過施加振蕩電壓給存儲電容反電極而提高視角特性，因此，實現(xiàn)多像素顯示。即使在具有CS總線的高負(fù)載電容和電阻的大液晶顯示器上、在具有短7K平掃描周期的高分辨率液晶顯示器上、或具有高速驅(qū)動和短垂直、7K平掃描周期的液晶顯示器上，也容易實現(xiàn)多像素顯示。盡管在上述實施例中，CS干線電絕緣(組)數(shù)是4或2，但是根據(jù)發(fā)明第60三方面實施例的液晶顯示器的CS干線電絕緣(組)數(shù)不限于這些，可以是3、5或大于5。但是，雌電絕緣CS干線數(shù)L是偶數(shù)。這是因為當(dāng)電絕緣CS干線組成CS干線對并相互供給超出180度相位的振蕩電壓(意味著L是偶數(shù))時，可能使流過存儲電容反電極的電流量最小。下面的表5和6表示在電絕緣CS干線的數(shù)量L是6或8的情形，對應(yīng)柵極總線和CS總線的CS干線關(guān)系。當(dāng)L是偶數(shù)時，對應(yīng)柵極總線和CS總線的CS干線的^^粗略地么、成L/2是奇數(shù)(L=2，6，10，14...)的情形和L/2是偶數(shù)(L=4，8，12，16...)的情形。在L/2是奇數(shù)的情形中的一般關(guān)系在下面的表5中描述，而在L/2是偶數(shù)的情形中的一般關(guān)系在下面的表6中描述，其<formula>formulaseeoriginaldocumentpage61</formula><table>tableseeoriginaldocumentpage61</column></row><table>當(dāng)電絕緣CS干線數(shù)L的1/2是奇數(shù)時，即L=2，6，10等，如果連接到像素的第一子像素的存儲電容反電極上的存儲電容線表示為CSBL—A—n，其中像素位于任意列和在按行列矩陣排列的多個像素形成的行中給定行n的交叉點處，如果連接到第二子像素的存儲電容反電極上的存儲電容線表示為CSBL—B—n，和如果k是自然數(shù)(包括O):CSBL—A—n+(L/2)*k連接到第一存儲電容干線上，CSBLJB—n+(L/2)*k連接到第二存儲電容干線上，CSBL—A—n+1+(L/2)*k連接到第三存儲電容干線上，CSBL_B—n+l+(L/2)*k連接到第四存儲電容干線上，CSBL—A—n+2+(L/2)*k連接到第五存儲電容干線上，CSBL—B—n+2+(L/2)*k連接到第六存儲電容干線上，...重復(fù)類似的連接，CSBL—A—n+(L/2)—2+(L/2fk連接到第(L一3)存儲電容干線上，CSBL—B—n+(L/2)—2+(L/2yk連接到第(L一2)存儲電容干線上，CSBL—A一n+(L/2)—l+(L/2fk連接到第(L—1)存儲電容干線上，CSBL一B—n+(L/2)—1+(L/2)*k連接到第L存儲電容干線上。[表6]62cs千線相應(yīng)的柵極總線相應(yīng)的cs總線CSVtypeDlGBL—n.GBL—n+4、GBL_n+8,GBL一n+12,GBL_n+16,-'■CSBL—A—n,CSBL_B—CSBL—A_n+8，CSBiL-B_n+12,CSBL—A—n+16,''GBL—n+"(Ic-0.1,2,3，…)[CSBL人n+8'k.CSBL—B_n+4+8'k,("0,1,2,3,…)1CSVtypeD2GBL—n、GBL—n+4,GBL—n+8>GBL_q+12，GBL_n+I6>'…CSBL一B一n,CSBL一A—n+4,CSBL—B—n+8、CSBL—A—n+12'CSBL—B—GBL一a+4'k(k=0,1,2,3,…)1[CSBL—B、n+8-k,CSBL—A—n+4十8k(k=0,1,2,3，…〗CSVtypeD3GBL—n+13'GBL—a+n,'*CSB乙人n+〗，CSBL—B—n+5，CSBL_A_n+9.CSBL_B—n+l_3,CSBL_A—n+17、CSBL—B_n+2、CSBL一A—n+6,CSBL_B_n+10、CSBLr人n十".CSBL—B_n+1B,■[CSBL—B;+2+8'k,CSBL一A—n+6+8'k"=0,1,2,3,…)1CSVtypeD7GBLr_n+3、GBL—n+7、GBL—n+ll.GBL_n+15>GBL—n+'-CSBL_A_n+3、CSBL—B—n+7,CSBL—A—n+U、CSBL—B—n+15,CSBL_A_n+19,■GBL—a十3+4k(k=0,1,2,3,…)][CSBL—A—a+3+B'k、CSBL_B—n十7+B'k(k-0,1,2,3,…)1CSVtypeC8GBL—n+3,GBL—n+7,GBL_n+ll、GBL_u+15,GBL—d+19,'''CSBI^B_n+3>CSBL一A—n+7,CSBL—B—n+ll、CSBL—A—CSBL—B—n+'■'根據(jù)本發(fā)明液晶顯示器的矩陣結(jié)構(gòu)(CS總線的連接圖案)如圖37所示，用于驅(qū)動液晶顯示器的信號波形如圖38所示。而且，用于圖37的連接圖案在表7中示出。用圖37所示的矩陣結(jié)構(gòu)，因為使用如38所示的定時)l,蕩電壓施加到CS總線上，因此實5見了圖35A所示的驅(qū)動狀態(tài)。在圖37中，每個CS總線連接到設(shè)置在圖左、右兩端的所有四個CS干線上。因此，有四組電絕緣CS總線，因此L4。而且，在圖37中，連接CS總線和CS干線之間的圖案有某些規(guī)則，艮P，在圖中每8個CS總線重復(fù)相同的圖案。因此，K=l(二8/(2L))。[表7]1_=4,K=1cs千線連接cs千線的cs總線M1aCSBL—(n—1)B,(n)ACSBL(n+4〉B,(n+5)AM2aCSBL—(n)B.(n十1)ACSBL.(n+3)8,(n+4)AM3aCSBL.(n+1)曰，(n+2)ACSBL—(n+6)B,(n+7)AM4aCSBL—(n+2)B.(n+3)ACSBL_(n+5〉B,(n+6)A其中n=1,9,17,...從表7中可以看出，圖37中的CS總線分為兩種類型，艮P:對任何p滿足下列式的a型CSBL一(p)B，(p+1)ACSBL一(p+5)B，(—)A和對{對可p滿足下列,式的卩型CSBL一(p+l)B,(pf2)ACSBL一(p+4)B，(pf5)A特別是，連接CS干線Mia和M3a的CS總線是a型，而連接CS干線M2a和M4a的CS總線是卩型。用于一個連接周期的8個連續(xù)CS總線由4個a型總線(連接Mia的兩個68總線和連接M3a的兩個連接總線)和4個卩型總線(連接M2a的兩個總線和連接M4a的兩個連接總線)組成。利用參數(shù)L和K，上面的^ii^對招可p可以如下給出CSBLJp+2*(K—l))B,(p+2*(K—l)+1)ACSBL—(p+2*(K—1)+K*L+1)B,(p+2*(K—l)+K*L+2)A或CSBL—(p+2*(K—l)+l)B,(p+2*(K—l)+2)ACSBL_(p+2*(K—1)+K*L)B,(p+2*(K—l)+K*L+1)A因此，使由J^，式組的旨表示的每個CS總線組內(nèi)的CS總線電相等是足夠的，其中卜l，3，5，…或p^，2，4，...。因為沒有CS總線滿足兩個(x型和(3型，因此引Ai^個劍牛。相同地，在圖38中可以看出施加到CS總線的振蕩電壓振蕩周期是8H，即，水平掃描周期的2*K*L倍。假定有6組電絕緣CS總線，連接圖案如圖39所示，驅(qū)動波形如圖40所示。而且，用于圖39的連接圖案在表8中示出。在圖40中，每個CS總線連接到設(shè)置在圖左、右兩端的所有6個CS干線上。因此，有6組電絕緣CS總線，結(jié)果L二6。而且，在圖39中，在CS總線和CS干線之間的連接圖案有些規(guī)則，艮口，在圖中每12個CS總線重復(fù)相同的連接圖案。因此，K=1(=12/(2L》。[表8]L=4,K=1<table>tableseeoriginaldocumentpage69</column></row><table>其中n=1,9,17從表8中可以看出，圖39中的CS總線在由所有下列^ii^組表示的^組內(nèi)是電相等的CSBL一(p)B，(p+l)ACSBL—(p+7)B，(p+8)A或CSBL—(p+l)B,(p+2)ACSBL—(p+6)B，(p+7)A其中P二1，3，5，…或IM)，2，4，...禾擁參數(shù)L和K，對于任何p，上述皿式可以給定如下CSBL—(p+2*(K—l))B,(p+2*(K—1)+1)ACSBL—(p+2*(K—l)+K*L+l)B，(p+2*(K—l)+K*L+2)A或CSBL—(p+2*(K—1)+1)B，(p+2*(K—1)+2)ACSBL—(p+2*(K—l)+K*L)B,(p+2*(K—l)+K*L+1)A因此，使由，皿式組的^h表示的每個cs總線組內(nèi)的cs總線電相等是足夠的，其中bl，3，5，…或p^，2，4，...。相同地，在圖40中，可以看出施加到CS總線上的振蕩電壓振蕩周期是12H，艮P，水平掃描周期的2*K*L倍。[K=l，L=8，振蕩周期二16H]假定有8組電絕緣CS總線，連接圖案如圖41所示，驅(qū)動波形如圖42所示。而且，用于圖41的連接圖案在表9中示出。在圖41中，每個CS總線連接到設(shè)置在圖左、右兩端的所有8個CS干線上。因此，有8組電絕緣CS總線，結(jié)果L二8。而且，在圖41中，在CS總線和CS干線之間的連接圖案有某些規(guī)則，艮卩，在圖中每16個CS總線重復(fù)相同的連接圖案。因此，K=1(=16/(2L》。[表9]70=8,K=1cs千線連接cs千線的cs總線MtcCSBL_(n—1〉B,(n〉A(chǔ)CSBL—(n+8)B.(n+9)AM2cCSBL(n〉B,(n+1〉A(chǔ)CSBL—(n+7)B,(n+8)AM3cCSBL—(n+1)B.(n+2)ACSBL-(n+10〉B.(n+11)AM4cCSBL_(n+2)B.(n+3〉A(chǔ)CSBL_(n+9〉B,(n+10)AM5cCSBL.(n+3)B，(n+4)ACSBL—(n+12)B,(n+13)AM6cCS已L一(n+4)B.(n+5)ACSBL、(n+")B,(n+12)AM7cCSBL一(n+5〉B.(n+6)ACSBL_(n+14)B,(n+15)AM8cCSBL_(n+6)B，(n+7)ACSBL_(n+13)B,(n+14〉A(chǔ)其中n=1,17,33,...從表9中可以看出，圖41中的CS總線在由所有下列^組表示的旨組內(nèi)是電相等的CSBL—(p)B,(p+l)ACSBL—(p+9)B，(p+10)A或CSBL—(p+l)B,(p+2)ACSBL一(p+8)B，(p+9)A其中P-l，3，5，...或IM)，2，4，...利用參數(shù)L和K，對于任何p，上述皿式可以給定如下CSBL—(p+2*(K—l))B,(p+2*(K—1)+1)ACSBL—(p+2*(K—l)+K*L+l)B,(p+2*(K—l)+K*L+2)A或CSBLJp+2*(K—1)+1)B,(p+2*(K—l)+2)ACSBL—(p+2*(K—l)+K*L)B,(p+2*(K—1)+K*L+1)A因此，使由，表達(dá)式組的^t表示的每個CS總線組內(nèi)的CS總線電相等是足夠的，其中P^1，3，5，...或pK)，2，4，...。71相同地，在圖42中，可以看出施加到CS總線上的振蕩電壓振蕩周期是16H，艮口，水平掃描周期的2*K*L倍。[K=l，L=10，振蕩周期二20H]假定有10組電絕緣CS總線，連接圖案如圖43所示，驅(qū)動波形如圖44所示。而且，用于圖43的連接圖案在表10中示出。在圖43中，每個CS總線連接到設(shè)置在圖左、右兩端的所有10個CS干線上。因此，有10組電絕緣CS總線，結(jié)果L二IO。而且，在圖43中，在CS總線和CS干線之間的連接圖案有某些規(guī)則，艮口，在圖中每20個CS總線重復(fù)相同的連接圖案。因此，K=1(=20/(2L))。[表IO]<table>tableseeoriginaldocumentpage73</column></row><table>其中n=1,241,從表10中可以看出，圖43中的CS總線在由所有下列,式組表示的每個組內(nèi)是電相等的CSBL一(p)B，(p+l)ACSBL一(p+ll)B，(p+12)A或CSBL_(p+l)B，(p+2)ACSBL一(p+10)B,(p+ll)A其中I^1，3，5，…或IM)，2，4，...禾擁參數(shù)L和K，對于任何p，上述^^:可以給定如下CSBL—(p+2*(K—l))B，(p+2*(K—1)+1)ACSBL—(p+2*(K—l)+K*L+l)B,(p+2*(K—1)+K*L+2)A或CSBL—(p+2*(K—l)+l)B,(p+2*(K—l)+2)ACSBL—(p+2*(K—l)+K*L)B,(p+2*(K—l)+K*L+1)A因此，使由上述式組的*表示的每個CS總線組內(nèi)的CS總線電相等是足夠的，其中P^1，3，5，...或pK)，2，4，...。相同地，在圖44中，可以看出施加到CS總線上的振蕩電壓振蕩周期是20H，艮卩，水平掃描周期的2K化倍。[K=l，L=12，振蕩周期二24H]假定有12組電絕緣CS總線，連接圖案如圖45所示，驅(qū)動波形如圖46所示。而且，用于圖45的連接圖案在表11中示出。在圖45中，每個CS總線連接到設(shè)置在圖左、右兩端的所有12個CS干線上。因此，有12組電絕緣CS總線，結(jié)果L二12。而且，在圖45中，在CS總線和CS干線之間的連接圖案有某些規(guī)則，艮卩，在圖中每24個CS總線重復(fù)相同的連接圖案。因此，K=1(=24/(2L》。[表ll]<table>tableseeoriginaldocumentpage75</column></row><table>其中n=1,25,49,...從表11中可以看出，圖45中的CS總線在由所有下列^組表示的每個組內(nèi)是電相等的CSBL一(p)B,(p+l)ACSBL—(p+13)B,(p+14)A或CSBL—(p+l)B,(p+2)ACSBL一(p+12)B,(p+13)A其中P^1，3，5，…或PK)，2，4,...利用參數(shù)L和K，對于任何p，i:M皿式可以給定如下CSBL_(p+2*(K—l))B,(p+2*(K—l)+1)ACSBL—(p+2*(K—1)+K*L+1)B，(p+2*(K—l)+K*L+2)A或CSBL—(p+2*(K—l)+l)B,(p+2*(K—l)+2)ACSBL—(p+2*(K—1)+K*L)B,(p+2*(K—l)+K*L+1)A因此，使由，皿式組的^^示的每個CS總線組內(nèi)的CS總線電相等是足夠的，其中1>=1，3，5，...或pN)，2，4，...。相同地，在圖46中，可以看出施加到CS總線上的振蕩電壓振蕩周期是24H，艮口，水平掃描周期的2*K*L倍。在所有Jl^情形中，參數(shù)K二1?，F(xiàn)在，描述參數(shù)值K為2的情形。[K=2，L=4，振蕩周期二16H]假定參數(shù)值K為2并且有4組電絕緣CS總線，連接圖案如圖47所示，驅(qū)動波形如圖48所示。而且，用于圖47的連接圖案在表12中示出。在圖47中，每個CS總線連接到設(shè)置在圖左、右兩端的所有4個CS干線上。因此，有4組電絕緣CS總線，結(jié)果L:4。而且，在圖47中，在CS總線和CS干線之間的連接圖案有某些規(guī)則，艮卩，在圖中每16個CS總線重復(fù)相同的連接圖案。因此，K=1(=16/(2L》。[表12]76L=4,K=2cs千線連接cs千線的cs總線隨CSBL.(n—1)B,(n)AGSBk(n+1)B,(n+2)ACSBL_(n+8)B.(n+9)ACSBL_(n+10)B(n+11)AM2fCSBL.(n)B,(n+1)ACSBL_(n+2)B,(n+3)ACSBL_(n+7〉B,(n+8〉A(chǔ)CSBL—(n+9)B(n+10)AM3fCSBL—(n+3)B,(n+4)ACSBL_(n+5)B,(n+6)ACSBL(n+12〉B,(n+13)ACSBL—(n+14)B(n+15)AM4fCSBL_(n+4)B.(n+5)ACSBL—(n+6)B,(n+7)ACSBL.(n+")B,(n+12)AGSBL_(n+13)B(n+14)A其中n=1,1"7,33,...從表12中可以看出，圖47中的CS總線在由所有下列，式組表示的每個組內(nèi)是電相等的CSBL—(p)B,(p+l)ACSBL—(p+2)B，(p+3)A和CSBL—(p+9)B，(p+10)ACSBL一(p+ll)B,(p+12)A或CSBL一(p+l)B,(p+2)ACSBL—(p+3)B,(p+4)A禾口CSBL—(p+8)B，(p+9)ACSBL一(p+10)B,(p+ll)A其中P^1，3，5，…或IM)，2，4,...利用參數(shù)L和K，對于任何p，，皿式可以給定如下CSBL—(p+2*(l—l))B,(p+2*(1—1)+1)ACSBL—(p+2*(K—l))B,(p+2*(K—l)+1)A禾口CSBL—(p+2*(l—l)+K*L+1)B，(p+2*(l—l)+K*L+2)ACSBL_(p+2*(K—l)+K*L+l)B,(p+2*(K—l)+K*L+2)A或CSBL—(p+2*(l—l)+l)B，(p+2*(1—1)+2)ACSBL—(p+2*(K—l)十l)B,(p+2*(K—l)+2)A禾口CSBL—(p+2*(l—l)+K*L)B,(p+2*(l—l)+K*L+1)ACSBL—(p+2*(K—l)+K*L)B,(p+2*(K—l)+K*L+1)A因此，使由Jl^皿式組的^表示的每個CS總線組內(nèi)的cs總線電相等是足夠的，其中？=1，3，5，…或一，2，4，...。相同地，在圖48中，可以看出施加到CS總線上的振蕩電壓振蕩周期是16H，艮卩，7K平掃描周期的2*K*L倍。[K二2，L二6，振蕩周期二24H]假定參數(shù)值K為2并且有6組電絕緣CS總線，連接圖案如圖49所示，驅(qū)動波形如圖50所示。而且，用于圖49的連接圖案在表13中示出。在圖49中，每個CS總線連接到設(shè)置在圖左、右兩端的所有6個CS干線上。因此，有6組電絕緣CS總線，結(jié)果1^=6。而且，在圖47中，在CS總線和CS干線之間的連接圖案有某些規(guī)則，艮卩，在圖中每24個CS總線重復(fù)相同的連接圖案。因此，K=1(=24/(2L》。[表13]78=6,K=2cs千線連接cs千線的cs總線M1gCSBL—(n—1)B,(n)ACSBL_(n+1)B,(n+2)ACSBL_(n+，2)B,(n+13)ACSBL—(n+14)B(n+15)AM2gCSBL_(n)B,(n+1)ACSBL_(n+2)B,(n+3)ACSBL—(n+11)已，(n+12)ACSBL_(n+13)B(n+14)AM3gCSBL'(n+3)B,(n+4)ACSBL—(n+5)B,(n+6)ACSBL—(n+16)B,(n+17)AGSBL—(n+18)B(n+19)AM4gCSBL—(n+4〉B,(n+5)AGSBL—(n+6)B,(n+7)ACSBL—(n+15〉B,(n+16)ACSBL.(n+17)B(n+18〉A(chǔ)N5gCSBL_(n+7)B,〈n+8)ACSBL—(n+9)B,(n+10)AGSBL_(n+20)B,(n+21〉A(chǔ)CSBL(n+22)B(n+23)AN6gCSBL—(n+8)B，(n+9)ACSBL—(n+10)B,(n+11)ACSBL.(n+19)B，(n+20)ACSBL.(n+21〉B(n+22)A其中n=1,25,49,...從表13中可以看出，圖的中的CS總線在由所有下列g(shù)式組表示的每個組內(nèi)是電相等的CSBL一(p)B，(p+l)ACSBL一(p+2)B，(p+3)A禾口CSBL—(p+13)B，(p+14)ACSBL—(p+15)B,(p+16)A或CSBLJp+l)B,(p+2)ACSBL—(p+3)B，(p+4)A禾口CSBL—(p+12)B,(p+13)ACSBL—(p+14)B,(p+15)A其中P^1，3，5，…或IM)，2，4，...禾傭參數(shù)L和K，對于任何p，上述^可以給定如下CSBL—(p+2*(l—l))B，(p+2*(l—l)+1)ACSBL—(p+2*(K—l))B,(p+2*(K—1)+1)A禾口CSBL—(p+2*(l—1)+K*L+1)B,(p+2*(1—1)+K*L+2)ACSBL_(p+2*(K—1)+K*L+1)B,(p+2*(K—1)+K*L+2)A或CSBL—(p+2*(H)+l)B,(p+2*(H)+2)ACSBL—(p+2*(K—l)十l)B，(p+2*(K—l)+2)A和CSBL—(p+2*(H)+K*L)B,(p+2*(1—1)+K*L+1)ACSBL—(p+2*(K—1)+K*L)B,(p+2*(K—1)+K*L+1)A因此，使由上述皿式組的^表示的每個cs總線組內(nèi)的cs總線電相等是足夠的，其中&1，3，5，...或p^，2，4，...。相同地，在圖50中，可以看出施加到CS總線上的振蕩電壓振蕩周期是24H，SP，水平掃描周期的2*K*L倍。關(guān)于參數(shù)K和L，盡管上面已經(jīng)描述了在K=l和L=4，6，8，10，或12的情形以及在K=2和L=4或6的情形，但是本發(fā)明第四方面實施例不限于此。K值僅需是正整數(shù)，即K4，2，3，4，5，6，7，8，9等，L值僅需是偶數(shù)，即L二2，4，6，8，10，12，14，16，18等。此外，K值和L值可以3te80地設(shè)定在各自的范圍。關(guān)于CS干線和CS總線之間的連接，遵循，規(guī)則。特別是當(dāng)參數(shù)K和L的值分別(K=K^L=L)是K和L時，連接到相同干線上的CS總線，艮卩，電等效CS總線應(yīng)該如下CSBL—(p+2*(H))B，(p+2*(1—1)+1)ACSBLJp+2*(2—l))B，(p+2*(2—1)+1)ACSBL—(p+2*3—l))B,(p+2*(3—1)+1)ACSBL—(p+2*(K—l))B,(p+2*(K—l)+1)A和CSBL—(p+2*(l—1)+K*L+1)B,(p+2*(1—1)+K*L+2)ACSBL—(p+2*(2—1)+K*L+1)B,(p+2*(2—1)+K*L+2)ACSBL—(p+2*(3—1)+K*L+1)B,(p+2*(3—1)+K*L+2)ACSBL—(p+2*(K—l)+K*L+l)B,(p+2*(K—1)+K*L+2)A或CSBL—(p+2*(l—1)+1)B,(p+2*(H)+2)ACSBL—(p+2*(2—l)十l)B，(p+2*(2—1)+2)ACSBL—(p+2*(3—l)+l)B,(p+2*(3—1)+2)ACSBL—(p+2*(K—1)+1)B,(p+2*(K—1)+2)A和CSBL—(p+2*(H)+K*L)B，(p+2*(1—1)+K*L+1)ACSBL_(p+2*(2—l)+K*L)B,(p+2*(2—1)+K*L+1)ACSBL_(p+2*(3—1)+K*L)B，(p+2*(3—1)+K*L+1)ACSBL—(p+2*(K_l)+K*L)B，(p+2*(K_l)+K*L+1)A其中『1，3，5等，或一，2，4等。而且，當(dāng)參數(shù)K和L分別(K=&L=L)是K和L時，施加到總線CS上的振蕩電壓振蕩周期可以是水平掃描周期的2*K*L倍。81相同地，盡管在上面的描述中，一個相鄰圖像元件的第一子像素和另一圖像元件的第二子像素公用公共CS總線，當(dāng)然，它們可以使用電等效的不同CS總線。本發(fā)明的第一方面可以實現(xiàn)陶氐Y特性的視角依賴性的極高顯示質(zhì)量。本發(fā)明的第二方面可以減少在ac驅(qū)動過程中造成的液晶顯示器的閃爍。本發(fā)明的第三方面可以使根據(jù)本發(fā)明第一或第二方面的液晶顯示器適合大或高分辨率液晶顯示器。本發(fā)明的第四方面可以使根據(jù)本發(fā)明第一或第二方面的液晶顯示器適合大或高分辨率液晶顯示器，甚至比第三方面MiS應(yīng)。權(quán)利要求1.一種液晶顯示器，包括大量象素，每個象素具有液晶層和大量用于對液晶層施加電壓的電極，電極呈行列矩陣分布，其特征在于大量象素的每一個具有能夠?qū)σ壕邮┘踊ゲ幌嗤碾妷旱牡谝蛔酉笏睾偷诙酉笏?，在確定灰度下第一子象素具有高于第二子象素的亮度；第一子象素和第二子象素每個包括開關(guān)元件，連接到由所述第一子象素和第二子象素共享的掃描線；由反電極和經(jīng)液晶層與反電極相對的子象素電極形成的液晶電容，和由電連結(jié)到子象素電極上的存儲電容電極、絕緣層和經(jīng)絕緣層與存儲電容電極相對的存儲電容反電極形成的存儲電容；反電極為由第一子象素和第二子象素共享的單電極，第一子象素和第二子象素的存儲電容反電極彼此電絕緣；和大量象素的任一個中的第一子象素的存儲電容反電極，與列方向上任一象素的相鄰象素的第二子象素的存儲電容反電極以及所述掃描線彼此電絕緣。2.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其特征在于任何象素的第一子象素分布成與列方向上任一象素的相鄰象素的第二子象素相鄰。3.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其特征在于在多個象素的每個中，第一子象素分布成在列方向上與第二子象素相鄰。4.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其特征在于包括彼此電絕緣的大量存儲電容柱，其中每個存儲電容柱經(jīng)存儲電容線電連結(jié)到大量象素中的第一子象素和第二子象素的任意存儲電容反電極上。5.如權(quán)利要求4所述的液晶顯示器，其特征在于大量存儲電容柱中彼此電絕緣的存儲電容柱的數(shù)量為L，由每個存儲電容柱供給的存儲電容反電壓為振蕩電壓，振蕩周期為水平掃描周期的L倍。6.如權(quán)利要求4所述的液晶顯示器，其特征在于彼此電絕緣的大量存儲電容柱為組成成對存儲電容柱的偶數(shù)個存儲電容柱，供給彼此有180°相位差的振蕩的存儲電容反電壓。7.如權(quán)利要求4所述的液晶顯示器，其特征在于彼此電絕緣的存儲電容柱的數(shù)量比通過電容電阻時間常數(shù)劃分一個水平掃描周期獲得的份額大8倍，其中電容電阻時間常數(shù)接近存儲電容線的最大負(fù)載阻抗。8.如權(quán)利要求4所述的液晶顯示器，其特征在于彼此電絕緣的存儲電容柱的數(shù)量比通過電容電阻時間常數(shù)劃分一個水平掃描周期獲得的份額大8倍，并且為偶數(shù)，其中電容電阻時間常數(shù)接近存儲電容線的最大負(fù)載阻抗。9.如權(quán)利要求4所述的液晶顯示器，其特征在于大量的存儲電容柱包括彼此電絕緣的第一存儲電容柱和第二存儲電容柱；和如果連接到位于任意列與大量象素形成的行中指定行n交叉處的象素的第一子象素的存儲電容反電極的存儲電容線設(shè)為CSBL_A—n，如果連接到第二子象素的存儲電容反電極的存儲電容線設(shè)為CSBL一B一n，并且如果k為自然數(shù)或0，貝U:CSBL一A—n+k連接到第一存儲電容柱上，和CSBL一B—n連接到第二存儲電容柱上。10.如權(quán)利要求9所述的液晶顯示器，其特征在于通過第一和第二存儲電容柱供給的第一和第二存儲電容反電壓的振蕩周期分別是水平掃描周期的兩倍。11.如權(quán)利要求10所述的液晶顯示器，其特征在于第二存儲電容反電壓比第一存儲電容反電壓滯后一個水平掃描周期的相位差。12.如權(quán)利要求11所述的液晶顯示器，包括兩個分別為第一子象素和第二子象素設(shè)置的開關(guān)元件，其特征在于兩個開關(guān)元件通過供給公共掃描線的掃描線信號電壓開和關(guān)；兩個開關(guān)元件開啟時，顯示信號電壓從公共信號線施加到各個子象素電極以及第一子象素和第二子象素的存儲電容電極上；兩個開關(guān)元件關(guān)閉時，第一子象素和第二子象素的各個存儲電容反電極的電壓改變；和如果Td表示兩個開關(guān)元件關(guān)閉時，第一存儲電容反電壓在第一時間改變所需的時間，則Td大于O個水平掃描周期并小于一個水平掃描周期。13.如權(quán)利要求12所述的液晶顯示器，其特征在于Td近似等于水平掃描周期的0.5倍。14.如權(quán)利要求4所述的液晶顯示器，其特征在于大量存儲電容柱包括彼此電絕緣的第一存儲電容柱、第二存儲電容柱、第三存儲電容柱和第四存儲電容柱；和如果連接到位于任意列與大量象素形成的行中指定行n交叉處的象素的第一子象素的存儲電容反電極的存儲電容線設(shè)為CSBL一A一n，如果連接到第二子象素的存儲電容反電極的存儲電容線設(shè)為CSBL—B_n，并且如果k為自然數(shù)或O，貝iJ-CSBL_A—n+4*k和CSBL_B—n+2+4*k連接到第一存儲電容柱上，CSBL—B_n+4*k和CSBL_A—n+2+4*k連接到第二存儲電容柱上，CSBL_A—n+l+4*k和CSBL_B—n+3+4*k連接到第三存儲電容柱上，CSBL—B—n+1+4*k和CSBL—A_n+3+4*k連接到第四存儲電容柱上。15.如權(quán)利要求14所述的液晶顯示器，其特征在于分別通過第一至第四存儲電容柱供給的第一至第四存儲電容反電壓的振蕩周期均為水平掃描周期的4倍。16.如權(quán)利要求15所述的液晶顯示器，其特征在于第二存儲電容反電壓比第一存儲電容反電壓滯后兩個水平掃描周期的相位差，第三存儲電容反電壓比第一存儲電容反電壓滯后三個水平掃描周期的相位差，第四存儲電容反電壓比第一存儲電容反電壓滯后一個水平掃描周期的相位差。17.如權(quán)利要求16所述的液晶顯示器，包括兩個分別為第一子象素和第二子象素設(shè)置的開關(guān)元件，其特征在于兩個開關(guān)元件通過供給公共掃描線的掃描線信號電壓開和關(guān)；兩個開關(guān)元件開啟時，顯示信號電壓從公共信號線施加到各個子象素電極以及第一子象素和第二子象素的存儲電容電極上；兩個開關(guān)元件關(guān)閉時，第一子象素和第二子象素的各個存儲電容反電極的電壓改變；和如果Td表示兩個開關(guān)元件關(guān)閉時，第一存儲電容反電壓在第一時間改變所需的時間，則Td大于O個水平掃描周期并小于兩個水平掃描周期。18.如權(quán)利要求17所述的液晶顯示器，其特征在于Td近似等于一個水平掃描周期。19.如權(quán)利要求4所述的液晶顯示器，其特征在于大量存儲電容柱包括彼此電絕緣的第一存儲電容柱、第二存儲電容柱、第三存儲電容柱、第四存儲電容柱、第五存儲電容柱和第六存儲電容柱；和如果連接到位于任意列與大量象素形成的行中指定行n交叉處的象素的第一子象素的存儲電容反電極的存儲電容線設(shè)為CSBL一A—n，如果連接到第二子象素的存儲電容反電極的存儲電容線設(shè)為CSBL_B—n，并且如果k為自然數(shù)或0，貝ij:CSBL—A_n+3*k連接到第一存儲電容柱上，CSBL—B_n+3*k連接到第二存儲電容柱上，CSBL—A—n+l+3+k連接到第三存儲電容柱上，0881^一8一11+1+3*1<連接到第四存儲電容柱上，CSBL一A一n+2+3+k連接到第五存儲電容柱上，CSBL—8_11+2+3*1^連接到第六存儲電容柱上。20.如權(quán)利要求19所述的液晶顯示器，其特征在于分別通過第一至第六存儲電容柱供給的第一至第六存儲電容反電壓的振蕩周期均為水平掃描周期的6倍。21.如權(quán)利要求4所述的液晶顯示器，其特征在于大量存儲電容柱包括彼此電絕緣的第一存儲電容柱、第二存儲電容柱、第三存儲電容柱、第四存儲電容柱、第五存儲電容柱、第六存儲電容柱、…第(L-3)存儲電容柱、第(L-2)存儲電容柱、第(L-l)存儲電容柱和第L存儲電容柱等總共L個存儲電容柱；和當(dāng)電絕緣的存儲電容柱的數(shù)量L的1/2為奇數(shù)時，即當(dāng)L=2、6、10、…等時，如果連接到位于任意列與大量象素形成的行中指定行n交叉處的象素的第一子象素的存儲電容反電極的存儲電容線設(shè)為CSBL—An，如果連接到第二子象素的存儲電容反電極的存儲電容線設(shè)為CSBL_B—n，并且如果k為自然數(shù)或0，貝lj:CSBL—A—n+(L/2"k連接到第一存儲電容柱上，CSBL—B一n+(L/2"k連接到第二存儲電容柱上，CSBL—A—n+l+(L/2^k連接到第三存儲電容柱上，CSBL—B—n+l+(L/2)化連接到第四存儲電容柱上，CSBL一A—n+2+(L/2)*k連接到第五存儲電容柱上，CSBL—B—n+2+(L/2"k連接到第六存儲電容柱上，CSBL—A—n+(L/2)-2+(L/2yk連接到第(L-3)存儲電容柱上，CSBL—B—n+(L/2)-2+(L/2"k連接到第(L-2)存儲電容柱上，CSBL—A—n+(L/2)-l+(L/2"k連接到第(L-1)存儲電容柱上，CSBL—B—n+(L/2)-l+(L/2)*k連接到第L存儲電容柱上。22.如權(quán)利要求21所述的液晶顯示器，其特征在于分別通過第一至第L存儲電容柱供給的第一至第L存儲電容反電壓的振蕩周期均為水平掃描周期的L倍。23.如權(quán)利要求4所述的液晶顯示器，其特征在于大量存儲電容柱包括彼此電絕緣的第一存儲電容柱、第二存儲電容柱、第三存儲電容柱、第四存儲電容柱、第五存儲電容柱、第六存儲電容柱、第七存儲電容柱和第八存儲電容柱；和如果連接到位于任意列與大量象素形成的行中指定行n交叉處的象素的第一子象素的存儲電容反電極的存儲電容線設(shè)為CSBL—A—n，如果連接到第二子象素的存儲電容反電極的存儲電容線設(shè)為CSBL—B—n，并且如果k為自然數(shù)或0，貝ij:CSBL—A_n+8*k和CSBL—B—n+4+8*k連接到第一存儲電容柱上，CSBL_B—n+8*k和CSBL—A—n+4+8*k連接到第二存儲電容柱上，CSBL_A—n+l+8承k禾卩CSBL_B—n+5+8*k連接到第三存儲電容柱上，CSBLBn+l+8+k和CSBLA_n+5+8*k連接到第四存儲電容柱上，CSBL_A—n+2+8*k和CSBL—B—n+6+8*k連接到第五存儲電容柱上，CSBL—B—n+2+8*k和CSBL—A—n+6+8*k連接到第六存儲電容柱上，CSBL_A—n+3+8*k和CSBL—B—n+7+8*k連接到第七存儲電容柱上，CSBL—B—n+3+8*k和CSBL—A—n+7+8*k連接到第八存儲電容柱上。24.如權(quán)利要求23所述的液晶顯示器，其特征在于分別通過第一至第八存儲電容柱供給的第一至第八存儲電容反電壓的振蕩周期均為水平掃描周期的8倍。25.如權(quán)利要求4所述的液晶顯示器，其特征在于大量存儲電容柱包括彼此電絕緣的第一存儲電容柱、第二存儲電容柱、第三存儲電容柱、第四存儲電容柱、第五存儲電容柱、第六存儲電容柱、…第(L-3)存儲電容柱、第(L-2)存儲電容柱、第(L-l)存儲電容柱和第L存儲電容柱等總共L個存儲電容柱；和當(dāng)電絕緣的存儲電容柱的數(shù)量L的1/2為偶數(shù)時，即當(dāng)L=4、8、12、…等時，如果連接到位于任意列與大量象素形成的行中指定行n交叉處的象素的第一子象素的存儲電容反電極的存儲電容線設(shè)為CSBL—A_n，如果連接到第二子象素的存儲電容反電極的存儲電容線設(shè)為CSBL_B—n，并且如果k為自然數(shù)或0，貝廿CSBL—A—n+L*k和CSBL—B—n+(L/2)+L*k連接到第一存儲電容柱上，CSBL—B—n+L*k和CSBL—A—n+(L/2)+L*k連接到第二存儲電容柱上，CSBL—A—n+l+L*k和CSBL—A—n+(L/2)+l+L^k連接到第三存儲電容柱上，CSBL—B—n+l+L*k和CSBL_A—n+(L/2)+l+L*k連接到第四存儲電容柱CSBL_A—n+2+L*k和CSBL—B—n+(L/2)+2+L*k連接到第五存儲電容柱上，CSBL—B—n+2+L*k和CSBL—A_n+(L/2)+2+L*k連接到第六存儲電容柱上，CSBL—A—n+3+L*k禾口CSBL—B—n+(L/2)+3+L*k連接至lj第七存《諸電容豐主上，CSBL—B—n+3+L*k和CSBL_A—n+(L/2)+3+L*k連接到第八存儲電容柱上，CSBL—A—n+(L/2)-2+L*k禾QCSBL—B—n+L-2+L*k連接到第(L-3)存儲電容柱上，CSBL—B_n+(L/2)-2+L*k禾PCSBL—A—n+L-2+L*k連接到第(L-2)存儲電容柱上，CSBL—A—n+(L/2)-1+L*k禾卩CSBL—B—n+L-l+L*k連接到第(L-1)存儲電容柱上，和CSBL—B—n+(L/2)-1+L*k和CSBL—A—n+L-l+L*k連接到第L存儲電容柱上。26.如權(quán)利要求25所述的液晶顯示器，其特征在于分別通過第一至第L存儲電容柱供給的第一至第L存儲電容反電壓的振蕩周期均為水平掃描周期的L倍。全文摘要本發(fā)明的液晶顯示器包括大量像素，每個像素具有液晶層和大量用于對液晶層施加電壓的電極，像素呈行列矩陣分布，其特征在于大量像素的每一個具有可以對液晶層施加互不相同的電壓的第一子像素和第二子像素，在確定灰度下第一子像素具有高于第二子像素的亮度；第一子像素和第二子像素每個包括由反電極和經(jīng)液晶層與反電極相對的子像素電極形成的液晶電容，和由電連接到子像素電極上的存儲電容電極、絕緣層和經(jīng)絕緣層與存儲電容電極相對的存儲電容反電極形成的存儲電容；反電極為由第一子像素和第二子像素共享的單電極，第一子像素和第二子像素的存儲電容反電極彼此電絕緣；和大量像素中任何第一子像素的存儲電容反電極與列方向上任何相鄰像素的第二子像素的存儲電容反電極彼此電絕緣。文檔編號G02F1/133GK101510034SQ20091012641公開日2009年8月19日申請日期2004年12月3日優(yōu)先權(quán)日2003年12月5日發(fā)明者下敷領(lǐng)文一申請人:夏普株式會社