專利名稱：使用掩模板曝光工藝的基板及其對位方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示器制造方法，尤其是一種使用掩模板曝光工藝的基板及 其對位方法，屬于掩模板曝光技術領域。
背景技術：
隨著薄膜晶體管液晶顯示器(簡稱TFT-IXD)技術的迅猛發(fā)展，液晶面板的尺寸也 在不斷增大，為了生產出更大尺寸的液晶面板，需要建立新的生產線，特別是更高世代的生 產線，這樣不但投資巨大，而且風險也非常大。因此，在目前的生產線上來開發(fā)生產較大尺 寸液晶顯示器的基板成為一個行之有效的解決方案。圖1為現有使用掩模板曝光工藝制作基板的掩模板結構示意圖。如圖1所示，一 般可以將該掩模板分為三個不同的部分A1、B1和Cl，各個部分由兩條用于遮擋該掩模板要 曝光區(qū)域邊緣的擋光條11分開；在該掩模板的中心線的兩側，即Bl部分的“☆”區(qū)域處設 置有用于對位的對位標記12。圖2為現有使用掩模板曝光工藝的基板的結構示意圖。如圖 2所示，在該基板的B2部分設置有與圖1的掩模板上設置的對位標記12對應的對位標記 21，用于將掩模板和基板進行對位，使用掩模板的中間部分Bl對基板的B2部分進行曝光， 使用位于掩模板的邊緣的Al部分對基板的邊緣A2部分進行曝光，使用位于掩模板的邊緣 的Cl部分對基板的邊緣C2部分進行曝光。通過使用掩模板的不同部分對該基板的不同部 分進行對位曝光的方法拼接形成大尺寸的液晶顯示器的基板。在一般情況下，由于掩模板和設備自身條件的限制，在圖1所示的掩模板上只能 在以中心位置為對稱的兩側、且靠近中心位置形成一對對位標記12，即在Bl部分，那么，在 上述技術方案中，在對圖2所示的基板的不同部分進行對位曝光時，只有位于面板中間的 B2部分是進行精確對位的，而位于面板兩端的A2和C2部分是沒有被對位的。A2和C2部分 只是依靠硬件設備本身的精度進行位置的控制。因此，也就使得A2和C2部分的套刻精度 (Overlay)比B2部分的差很多。從實際的工藝數據來看，B2部分的套刻精度在X和Y兩個 方向上都在士 0. 6 μ m以內，而A2和C2部分的套刻精度則經常在士 4. 0 μ m左右，而且數值 非常不穩(wěn)定，將圖1所示的掩模板用在不同的基板上進行對位曝光時，對不同的基板的A2 和C2部分更會得到完全不同的結果，即基板的A2和C2部分的套刻精度可能會忽大忽小， 完全不可預料。
發(fā)明內容
本發(fā)明的目的是提供一種使用掩模板曝光工藝的基板及其對位方法，有效解決現 有技術中對使用掩模板分步曝光工藝的基板的邊緣對位不精確的問題，使得對使用掩模板 曝光工藝的基板進行分步對位曝光時，每個部分的套刻精度相同。為了實現上述目的，本發(fā)明提供了一種使用掩模板曝光工藝的基板，所述掩模板 包括三個曝光區(qū)域，分別為右側曝光區(qū)域、中部曝光區(qū)域和左側曝光區(qū)域，所述掩模板的中 部曝光區(qū)域上設置有關于掩模板的中部曝光區(qū)域中線對稱的掩模板對位標記，所述基板包
4括位于基板右側的右側曝光區(qū)域、多個中部曝光區(qū)域和位于基板左側的左側曝光區(qū)域，在 所述基板的各個中部曝光區(qū)域的上下邊緣的左右兩側分別設置有與掩模板進行對位的基 板對位標記，所述基板對位標記為三個并排放置、間距相等、形狀相同的對位子標記，其中，第一對位子標記用于與所述掩模板對位標記進行對位以對所述基板的右側曝光 區(qū)域進行曝光；第二對位子標記用于與所述掩模板對位標記進行對位以對所述基板的各個中部 曝光區(qū)域進行分步曝光，所述第二對位子標記與所述第一對位子標記相鄰，位于所述第一 對位子標記的右側；第三對位子標記用于與所述掩模板對位標記進行對位以對所述基板的左側曝光 區(qū)域進行曝光，所述第三對位子標記與所述第二對位子標記相鄰，位于所述第二對位子標 記的右側。所述第二對位子標記關于所述基板的各個中部曝光區(qū)域的中線對稱。所述掩模板的相鄰曝光區(qū)域由擋光條隔離，相鄰所述對位子標記間的距離等于所 述擋光條的寬度。或者，所述掩模板的相鄰曝光區(qū)域由擋光條隔離，且各個相鄰曝光區(qū)域的 擋光條兩側還包括重復曝光區(qū)域，相鄰所述對位子標記間的距離為所述擋光條的寬度與單 側所述重復曝光區(qū)域的寬度之和。三個所述對位子標記包括粗對位標記和精確對位標記，分別與所述掩模板上的對 位標記進行對位。所述精確對位標記包括一條或多條橫線以及一條或多條豎線。本發(fā)明還提供了一種使用掩模板曝光工藝的基板的對位方法，所述掩模板包括三 個曝光區(qū)域，分別為右側曝光區(qū)域、中部曝光區(qū)域和左側曝光區(qū)域，所述掩模板的中部曝光 區(qū)域上設置有關于掩模板的中部曝光區(qū)域中線對稱的掩模板對位標記，所述基板包括位于 基板右側的右側曝光區(qū)域、多個中部曝光區(qū)域和位于基板左側的左側曝光區(qū)域，包括采用所述掩模板對位標記分別與所述基板的各個中部曝光區(qū)域的上下邊緣的左 右兩側設置的基板對位標記進行對位，所述基板對位標記為三個并排放置、間距相等、形狀 相同的對位子標記；對對位后的所述基板的左側曝光區(qū)域、各個中部曝光區(qū)域和右側曝光區(qū)域進行分
步曝光。所述掩模板的相鄰曝光區(qū)域由擋光條隔離，或所述掩模板的相鄰曝光區(qū)域由擋光 條隔離并且各個相鄰曝光區(qū)域的擋光條兩側還包括重復曝光區(qū)域，則所述采用所述掩模板 對位標記分別與所述基板的各個中部曝光區(qū)域的上下邊緣的左右兩側設置的基板對位標 記進行對位具體包括采用所述掩模板對位標記與所述基板上的第一對位子標記進行所述掩模板的右 側曝光區(qū)域和所述基板的右側曝光區(qū)域的對位；采用所述掩模板對位標記與所述基板上的第二對位子標記進行所述掩模板的中 部曝光區(qū)域和所述基板的各個中部曝光區(qū)域的對位，所述第二對位子標記與所述第一對位 子標記相鄰，位于所述第一對位子標記的右側；采用所述掩模板對位標記與所述基板上的第三對位子標記進行所述掩模板的左 側曝光區(qū)域和所述基板的左側曝光區(qū)域的對位，所述第三對位子標記與所述第二對位子標 記相鄰，位于所述第二對位子標記的右側。
所述第二對位子標記關于所述基板的各個中部曝光區(qū)域的中線對稱。在所述基板上形成三個所述對位子標記，相鄰所述對位子標記間的距離等于所述 擋光條的寬度，或者相鄰所述對位子標記間的距離為所述擋光條的寬度與所述擋光條單側 的重復曝光區(qū)域的寬度之和。本發(fā)明提供了一種使用掩模板曝光工藝的基板及其對位方法，通過在基板上的各 個對位標記出形成三個并排放置、間距相等、形狀相同的對位子標記，可以有效解決現有技 術中對使用掩模板曝光工藝的基板的邊緣對位不精確的問題，使得對使用掩模板曝光工藝 的基板進行對位曝光時，每個部分的套刻精度相同。
圖1為現有使用掩模板曝光工藝制作基板的掩模板結構示意圖；圖2為現有使用掩模板曝光工藝的基板的結構示意圖；圖3為本發(fā)明使用掩模板曝光工藝的基板實施例的結構示意圖；圖4為本發(fā)明掩模板的結構示意圖；圖5A為圖3所示的使用掩模板曝光工藝的基板上的基板對位標記的結構示意 圖；圖5B為圖3所示的使用掩模板曝光工藝的基板上的基板對位標記的另一結構示 意圖；圖6A為圖4所示的掩模板對位標記的結構示意圖；圖6B為圖4所示的掩模板對位標記的另一結構示意圖；圖7為本發(fā)明采用掩模板對基板進行對位曝光的示意圖；圖8為本發(fā)明使用掩模板曝光工藝的基板的對位方法實施例的流程示意圖。
具體實施例方式下面通過附圖和實施例，對本發(fā)明的技術方案做進一步的詳細描述。圖3為本發(fā)明使用掩模板曝光工藝的基板實施例的結構示意圖，圖4為本發(fā)明掩 模板的結構示意圖。如圖3所示，該基板上包括多個曝光區(qū)域，位于基板中部的各個中部曝 光區(qū)域標記為B3，位于基板兩側的左側曝光區(qū)域和右側曝光區(qū)域分別標記為A3和C3，其 中斜線陰影部分為采用如圖4所示的掩模板上的斜線陰影區(qū)域對各個曝光區(qū)域進行曝光 時產生的重復曝光區(qū)域，且曝光兩次的重復曝光區(qū)域形成的圖形與基板中間的B3部分曝 光后形成的圖形相同，如圖4所示的掩模板上的斜線陰影區(qū)域對應于基板上的重復曝光區(qū) 域，也被稱為重復曝光區(qū)域。在圖3所示的曝光區(qū)域B3的上邊緣和下邊緣的左右兩側分別 設置有用于和圖4所示的掩模板對位標記41進行對位的基板對位標記31，基板對位標記 31位置如圖3中的“☆”標記所示。如圖4所示，掩模板具有三個曝光區(qū)域，相鄰曝光區(qū)域 由擋光條隔離，三個曝光區(qū)域分別為A4、B4和C4，掩模板對位標記41位置也如“☆”標記所 示，其中斜線陰影區(qū)域為重復曝光區(qū)域，黑色線條為擋光條42。其中圖4中的擋光條42的 設置是由于對基板的曝光也是采用掩模板的各個部分分別曝光，因此例如當采用掩模板 的B4部分進行曝光時，需要將掩模板的A4和C4部分擋住，由于用于遮擋A4和C4的擋板 會略高出基板，因此在基板的被曝光區(qū)域的邊緣處由于光的反射會形成不清楚的區(qū)域，對該處不清楚的區(qū)域可以通過在掩模板上設置擋光條42來將基板上的會形成不清楚的區(qū)域 擋住，從而避免光的反射，在基板應曝光的區(qū)域形成清晰的圖形。圖5A為圖3所示的使用掩模板曝光工藝的基板上的基板對位標記的結構示意圖， 圖6A為圖4所示的掩模板對位標記的結構示意圖。如圖5A所示，基板對位標記31 (如圖 3所示)為三個并排放置的、間距相等、形狀相同的對位子標記，分別為Ml、M2和M3。如圖 6A所示，掩模板對位標記41設置在掩模板上，且與基板上的對位子標記M2的坐標位置相 同，即掩模板對位標記41 (如圖4所示)距離B4部分的中心線的距離與對位子標記M2距 離B3部分的中心線的距離是相等的。第一對位子標記Ml用于與掩模板對位標記41進行 對位以對基板的左側曝光區(qū)域A3部分進行曝光；第二對位子標記M2用于與掩模板對位標 記41進行對位以對基板的各個中部曝光區(qū)域B3部分進行分步曝光，該第二對位子標記M2 與第一對位子標記Ml相鄰，位于第一對位子標記Ml的右側；第三對位子標記M3用于與掩 模板對位標記41進行對位以對基板的右側曝光區(qū)域C3部分進行曝光，該第三對位子標記 M3與第二對位子標記M2相鄰，位于第二對位子標記M2的右側。其中，第二對位子標記M2關于基板的各個中部曝光區(qū)域B3的中線對稱。圖5A和圖6A所示的基板對位標記和掩模板對位標記的對準過程即是，移動掩模 板或者承載基板的基臺，使得掩模板對位標記41對準基板上的對位子標記Ml、M2或M3。其 中，若采用圖5A和圖6A所示的對位標記形狀，則具體的對準過程為首先將圖5A所示的各 個對位子標記右側的“田”字形圖形置于圖6A所示的掩模板對位標記右側的“ 口”字形圖形 之中，進行粗對位；然后再微調，當基板上的對位子標記M1、M2或M3中的左側的橫線對位到 掩模板對位標記41的左側的兩條橫線的中間，基板上的對位子標記Ml、M2或M3中的左側 的豎線對位到掩模板對位標記41的左側的兩條豎線的中間時，即可以得到較為精確的對 位。如圖5A所示，其中對位子標記M1、M2和M3之間的距離d可以為掩模板上的擋光條42 的寬度dl與掩模板上單側重復曝光區(qū)域的寬度d2之和；或者當不存在重復曝光區(qū)域時，對 位子標記Ml、M2和M3之間的距離d可以等于掩模板上的擋光條42的寬度dl。圖5B為圖3所示的使用掩模板曝光工藝的基板上的基板對位標記的另一結構示 意圖，圖6B為圖4所示的掩模板對位標記的另一結構示意圖。其與圖5A和圖6A的不同之 處在于圖5B所示的基板對位標記的左側標記線形為交叉的“十”字形，圖6B所示的掩模 板對位標記的左側標記線形為“#”字形，仍然是將圖5B所示的一條橫線和一條豎線分別對 位到圖6B所示的兩條橫線和兩條豎線之間。需要說明的是，用于將基板和掩模板進行對位 的對位標記的形狀并不限于圖示上所示的形狀，任一可以將基板和掩模板進行對位的對位 標記的形狀均屬于本發(fā)明所涉及的對位標記的結構。圖7為本發(fā)明采用掩模板對基板進行對位曝光的示意圖。如圖7所示，現具體說 明如何對使用掩模板曝光工藝的基板進行曝光。如圖7所示，先用掩模板對基板上的A3部 分進行對位曝光，即#1處，如圖7中上方的掩模板對位所在的位置，采用掩模板對位標記41 對準基板上的對位子標記M3，此時掩模板上左側的擋光條位于重復曝光區(qū)域A3B3的右側， 然后對基板的A3部分，即#1處進行對位曝光；之后，將掩模板向左移動距離d或者將承載 基板的基臺向右移動距離d，如圖7中下方的掩模板對位所在的位置，采用掩模板對位標記 41對準基板上的對位子標記M2，擋光條42位于B3部分兩側重復曝光區(qū)域的外側，從而對 B3部分，即#2處進行對位曝光。這樣以此類推，采用掩模板對位標記41對準圖3所示的基
7板上的#3/#4/#5/#6處B3部分的對位子標記M2，對B3部分進行對位曝光，最后將與#6處 基板的B3部分對準的掩模板向右移動距離d或者將承載基板的基臺向左移動距離d，采用 掩模板對位標記41對準基板上的對位子標記M1，然后對基板的C3部分，即#7處進行對位 曝光。從而完成對整個基板的對位曝光。需要說明的是，對該使用掩模板曝光工藝的基板 的各個曝光區(qū)域的曝光順序是可以改變的，例如，曝光順序可以為#2-# 1 -#3-#4-#5-#6-#7， 只要參照上述方式采用對位標記對位準確即可。本發(fā)明實施例提供的方案，基板上兩側的曝光區(qū)域的套刻精度與中間部分的曝光 區(qū)域的套刻精度比較，差別在于在玻璃基板上形成對位標記時的位置精度，而玻璃基板上 形成的三個對位子標記之間的距離只有d，d—般為10mm，且在同一次曝光過程中形成，所 以對于整個基板的曝光過程來說，該誤差可以忽略。也就是說，基板上兩側的曝光區(qū)域的套 刻精度可以達到中間部分的曝光區(qū)域的套刻精度。圖8為本發(fā)明使用掩模板曝光工藝的基板的對位方法實施例的流程示意圖。掩模 板包括三個曝光區(qū)域，分別為右側曝光區(qū)域、中部曝光區(qū)域和左側曝光區(qū)域，掩模板的中部 曝光區(qū)域上設置有關于掩模板的中部曝光區(qū)域中線對稱的掩模板對位標記，基板包括位于 基板右側的右側曝光區(qū)域、多個中部曝光區(qū)域和位于基板左側的左側曝光區(qū)域，如圖8所 示，包括如下步驟步驟801、采用掩模板對位標記分別與基板的各個中部曝光區(qū)域的上下邊緣的左 右兩側設置的基板對位標記進行對位，該基板對位標記為三個并排放置、間距相等、形狀相 同的對位子標記；步驟802、對對位后的基板的左側曝光區(qū)域、各個中部曝光區(qū)域和右側曝光區(qū)域進 行分步曝光。其中，所述掩模板的相鄰曝光區(qū)域由擋光條隔離，或掩模板的相鄰曝光區(qū)域由擋 光條隔離并且各個相鄰曝光區(qū)域的擋光條兩側還包括重復曝光區(qū)域，則步驟801中的采用 所述掩模板對位標記分別與所述基板的各個中部曝光區(qū)域的上下邊緣的左右兩側設置的 基板對位標記進行對位具體可以包括步驟801a、采用掩模板對位標記與基板上的第一對位子標記進行掩模板的右側曝 光區(qū)域和基板的右側曝光區(qū)域的對位；步驟801b、采用掩模板對位標記與基板上的第二對位子標記進行掩模板的中部曝 光區(qū)域和基板的各個中部曝光區(qū)域的對位，該第二對位子標記與第一對位子標記相鄰，位 于第一對位子標記的右側；步驟801c、采用掩模板對位標記與基板上的第三對位子標記進行掩模板的左側曝 光區(qū)域和基板的左側曝光區(qū)域的對位，該第三對位子標記與第二對位子標記相鄰，位于第 二對位子標記的右側。需要說明的是，步驟801a、步驟801b和步驟801c的順序不限；且第二對位子標記 關于基板的各個中部曝光區(qū)域的中線對稱。在步驟801之前還可以包括步驟803、在基板上形成三個對位子標記，相鄰對位 子標記間的距離等于擋光條的寬度，或者相鄰對位子標記間的距離為擋光條的寬度與擋光 條單側的重復曝光區(qū)域的寬度之和。本實施例所述的使用掩模板曝光工藝的基板的對位方法中的基板、掩模板及基板和掩模板上的對位標記的結構如上述使用掩模板曝光工藝的基板實施例中的描述，在此不 再贅述。本發(fā)明提供了一種使用掩模板曝光工藝的基板的對位方法，通過在基板上的各個 對位標記出形成三個并排放置、間距相等、形狀相同的對位子標記，可以有效解決現有技術 中對使用掩模板曝光工藝的基板的邊緣對位不精確的問題，使得對使用掩模板曝光工藝的 基板進行對位曝光時，每個部分的套刻精度相同。最后應說明的是以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術方案而非限制，盡管參照 較佳實施例對本發(fā)明進行了詳細說明，本領域的普通技術人員應當理解，可以對本發(fā)明的 技術方案進行修改或者等同替換，而不脫離本發(fā)明技術方案的精神和范圍。
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權利要求
一種使用掩模板曝光工藝的基板，所述掩模板包括三個曝光區(qū)域，分別為右側曝光區(qū)域、中部曝光區(qū)域和左側曝光區(qū)域，所述掩模板的中部曝光區(qū)域上設置有關于掩模板的中部曝光區(qū)域中線對稱的掩模板對位標記，所述基板包括位于基板右側的右側曝光區(qū)域、多個中部曝光區(qū)域和位于基板左側的左側曝光區(qū)域，其特征在于，在所述基板的各個中部曝光區(qū)域的上下邊緣的左右兩側分別設置有與掩模板進行對位的基板對位標記，所述基板對位標記為三個并排放置、間距相等、形狀相同的對位子標記，其中，第一對位子標記用于與所述掩模板對位標記進行對位以對所述基板的右側曝光區(qū)域進行曝光；第二對位子標記用于與所述掩模板對位標記進行對位以對所述基板的各個中部曝光區(qū)域進行分步曝光，所述第二對位子標記與所述第一對位子標記相鄰，位于所述第一對位子標記的右側；第三對位子標記用于與所述掩模板對位標記進行對位以對所述基板的左側曝光區(qū)域進行曝光，所述第三對位子標記與所述第二對位子標記相鄰，位于所述第二對位子標記的右側。
2.根據權利要求1所述的使用掩模板曝光工藝的基板，其特征在于，所述第二對位子 標記關于所述基板的各個中部曝光區(qū)域的中線對稱。
3.根據權利要求1或2所述的使用掩模板曝光工藝的基板，其特征在于，所述掩模板的 相鄰曝光區(qū)域由擋光條隔離，相鄰所述對位子標記間的距離等于所述擋光條的寬度。
4.根據權利要求1或2所述的使用掩模板曝光工藝的基板，其特征在于，所述掩模板的 相鄰曝光區(qū)域由擋光條隔離，且各個相鄰曝光區(qū)域的擋光條兩側還包括重復曝光區(qū)域，相 鄰所述對位子標記間的距離為所述擋光條的寬度與單側所述重復曝光區(qū)域的寬度之和。
5.根據權利要求1或2所述的使用掩模板曝光工藝的基板，其特征在于，三個所述對位 子標記包括粗對位標記和精確對位標記，分別與所述掩模板上的對位標記進行對位。
6.根據權利要求5所述的使用掩模板曝光工藝的基板，其特征在于，所述精確對位標 記包括一條或多條橫線以及一條或多條豎線。
7.一種使用掩模板曝光工藝的基板的對位方法，所述掩模板包括三個曝光區(qū)域，分別 為右側曝光區(qū)域、中部曝光區(qū)域和左側曝光區(qū)域，所述掩模板的中部曝光區(qū)域上設置有關 于掩模板的中部曝光區(qū)域中線對稱的掩模板對位標記，所述基板包括位于基板右側的右側 曝光區(qū)域、多個中部曝光區(qū)域和位于基板左側的左側曝光區(qū)域，其特征在于，包括采用所述掩模板對位標記分別與所述基板的各個中部曝光區(qū)域的上下邊緣的左右兩 側設置的基板對位標記進行對位，所述基板對位標記為三個并排放置、間距相等、形狀相同 的對位子標記；對對位后的所述基板的左側曝光區(qū)域、各個中部曝光區(qū)域和右側曝光區(qū)域進行分步曝光。
8.根據權利要求7所述的使用掩模板曝光工藝的基板的對位方法，其特征在于，所述 掩模板的相鄰曝光區(qū)域由擋光條隔離，或所述掩模板的相鄰曝光區(qū)域由擋光條隔離并且各 個相鄰曝光區(qū)域的擋光條兩側還包括重復曝光區(qū)域，則所述采用所述掩模板對位標記分別 與所述基板的各個中部曝光區(qū)域的上下邊緣的左右兩側設置的基板對位標記進行對位具 體包括采用所述掩模板對位標記與所述基板上的第一對位子標記進行所述掩模板的右側曝 光區(qū)域和所述基板的右側曝光區(qū)域的對位；采用所述掩模板對位標記與所述基板上的第二對位子標記進行所述掩模板的中部曝 光區(qū)域和所述基板的各個中部曝光區(qū)域的對位，所述第二對位子標記與所述第一對位子標 記相鄰，位于所述第一對位子標記的右側；采用所述掩模板對位標記與所述基板上的第三對位子標記進行所述掩模板的左側曝 光區(qū)域和所述基板的左側曝光區(qū)域的對位，所述第三對位子標記與所述第二對位子標記相 鄰，位于所述第二對位子標記的右側。
9.根據權利要求8所述的使用掩模板曝光工藝的基板的對位方法，其特征在于，所述 第二對位子標記關于所述基板的各個中部曝光區(qū)域的中線對稱。
10.根據權利要求8或9所述的使用掩模板曝光工藝的基板的對位方法，其特征在于， 還包括在所述基板上形成三個所述對位子標記，相鄰所述對位子標記間的距離等于所述 擋光條的寬度，或者相鄰所述對位子標記間的距離為所述擋光條的寬度與所述擋光條單側 的重復曝光區(qū)域的寬度之和。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種使用掩模板曝光工藝的基板及其對位方法。其中掩模板包括三個曝光區(qū)域，分別為右側曝光區(qū)域、中部曝光區(qū)域和左側曝光區(qū)域，掩模板的中部曝光區(qū)域上設置有關于掩模板的中部曝光區(qū)域中線對稱的掩模板對位標記，基板包括位于基板右側的右側曝光區(qū)域、多個中部曝光區(qū)域和位于基板左側的左側曝光區(qū)域，在所述基板的各個中部曝光區(qū)域的上下邊緣的左右兩側分別設置有與掩模板進行對位的基板對位標記，所述基板對位標記為三個并排放置、間距相等、形狀相同的對位子標記。本發(fā)明可以有效解決現有技術中對使用掩模板曝光工藝的基板的邊緣對位不精確的問題，使得對使用掩模板曝光工藝的基板進行對位曝光時，每個部分的套刻精度相同。
文檔編號G03F9/00GK101900933SQ20091008584
公開日2010年12月1日 申請日期2009年6月1日 優(yōu)先權日2009年6月1日
發(fā)明者呂敬 申請人:北京京東方光電科技有限公司