專利名稱：：成像光學系統(tǒng)和具有該類型的成像光學系統(tǒng)的微光刻投射曝光設備的制作方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及如權利要求1、5、6、7和10的前序部分的成像光學系統(tǒng)。另外，本發(fā)明還涉及包括該類型的成像光學系統(tǒng)的投射曝光設備、利用該類型的投射曝光設備來生產(chǎn)微結構部件的方法、和通過該方法生產(chǎn)的微結構部件。
背景技術：
：從US6，750，948B2、US2006/0232867AUEP0267766A2、US7，209，286B2和WO2006/069725A1可知開始所提到的成像光學系統(tǒng)。尤其對于微光刻的投射曝光設備的使用，尤其對于微結構或納米結構的半導體部件的生產(chǎn)，在開始提到的成像光學系統(tǒng)中有改善成像性能的需求，例如更大的數(shù)值孔徑或更好的成像誤差的校正。替代地或附加地，有更簡單地制造預定的尺寸的鏡的需求，有放松對于鏡支撐的生產(chǎn)的要求的鏡布置的需求，尤其至少對于單獨的鏡。尤其，成像和校正成像誤差所需的光學元件的數(shù)量應當被保持得盡量低。
發(fā)明內(nèi)容通過具有權利要求1、5、6和8的特征部分中所指出的特征的成像光學系統(tǒng)，根據(jù)本發(fā)明實現(xiàn)了該目的。根據(jù)本發(fā)明，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，根據(jù)權利要求1的成像光學系統(tǒng)的結構與已知的成像光學系統(tǒng)相比，開啟了嶄新的構造可能性，權利要求1以鏡的外邊緣而不以通孔決定遮攔光學系統(tǒng)的光瞳遮攔。這允許具有良好校正的成像誤差的高孔徑物鏡。圍繞第四最后鏡的光學有效反射表面的第四最后鏡的外邊緣或者是光學有效反射表面的外邊緣自身，或者其上提供反射表面的基板的外邊緣，或者支撐反射表面或基板的機械夾持結構的外邊緣。根據(jù)權利要求2的凸第四最后鏡允許成像光學系統(tǒng)以相對低的光瞳遮攔構建。根據(jù)權利要求3的第四最后鏡的設置就、具有等同的優(yōu)點。根據(jù)權利要求4的第四最后鏡的設置使得可以施加孔徑光闌到該鏡。開始討論的目的也通過根據(jù)權利要求5和6的成像光學系統(tǒng)來解決。在這些情況中，在第四最后鏡和最后鏡之間存在有利的大的空間。在具有遮攔的鏡和高數(shù)值孔徑的其他結構中，第四最后鏡和最后鏡之間的區(qū)域是有問題的區(qū)域，因為在此可能使用生產(chǎn)上非常昂貴的非常薄的多個鏡或一個鏡，所述鏡在兩側均包括反射涂層。開始闡述的目的通過根據(jù)權利要求7的成像光學系統(tǒng)來解決。與已知的結構相比，將中間像平面向像平面方向移動導致減小了對于成像光學系統(tǒng)的最后兩個鏡的光學效應的要求。在已知的遮攔系統(tǒng)中，中間像平面通?？臻g上大致設置于光路中的最后鏡的高度。根據(jù)本發(fā)明發(fā)現(xiàn)，這不是一個強制性的要求，因為光路中的最后鏡就光瞳遮攔而言大多數(shù)情況不是決定性的，使得在此可以容忍相對大的中心開口，以及中間像平面與倒數(shù)第二個鏡的反射表面分開。權利要求8的距離比例被證明尤其有利。光路中的最后鏡距像平面的距離被定義為距成像光學系統(tǒng)的光軸通過該鏡的反射表面的穿過點的像平面的距離。在該光軸不通過鏡的反射表面的情形，即離軸鏡的情形，選擇光軸通過根據(jù)光學設計輸入連續(xù)延伸的表面的穿過點，而不是光軸通過反射表面的穿過點。如果鏡關于光軸旋轉對稱，該穿過點與鏡的反射表面的中心一致。在該最后鏡被遮攔的情形，反射表面的中心也可以位于該遮攔通孔中，在該情形，設定反射表面根據(jù)光學設計輸入在該遮攔通孔內(nèi)連續(xù)延伸。該中間像平面距像平面的距離可以例如是光路中的最后鏡距像平面的距離的0.7,0.8或0.9倍。根據(jù)權利要求9的數(shù)值孔徑對于實現(xiàn)成像光學系統(tǒng)的高局部分辨率是優(yōu)選的。通過根據(jù)權利要求10和11的成像光學系統(tǒng)也解決了上述的目的。根據(jù)權利要求12的成像光學系統(tǒng)對于上述的多個解決方案的方法是有用的。因此成像光學系統(tǒng)導致實現(xiàn)了優(yōu)點的組合。根據(jù)權利要求13和14的成像性質對于在整個場上實現(xiàn)高局部分辨率是有利的。這些成像性質與成像光的波長無關。成像光的波長范圍可以從EUV范圍到可見頻譜。波前誤差是優(yōu)選的，其導致了衍射極限的分辨率，且因此尤其小于成像光波長的十四分之一。對于EUV波長，均方根小于Inm的波前誤差導致了實際上衍射極限的分辨率。根據(jù)權利要求15，由于中心光瞳遮攔，低光瞳遮攔，即不能使用的光瞳表面的比例，導致了成像光學系統(tǒng)的有利的高光通過量。另外，具有低光瞳遮攔的成像光學系統(tǒng)可以被更廣泛地使用，因為光瞳遮攔越低，可用的照明裝置的帶寬越大。具有低光瞳遮攔的成像光學系統(tǒng)因此提供了與成像的物結構的類型基本無關的高對比度成像。根據(jù)權利要求16彼此平行設置的場平面有助于將光學成像系統(tǒng)集成到結構環(huán)境中。當成像光學系統(tǒng)被用在掃描投射曝光設備中時，該優(yōu)點尤其顯著，因為掃描方向則可以被彼此平行引導。根據(jù)權利要求17和18的像場尺寸導致了好的通過量，當該光學成像系統(tǒng)用于投射曝光設備中時。像場的長和短邊的其他尺寸也是可以的。像場的短邊還可以小于Imm或大于1謹。像場的長邊例如也可以為5mm、IOmm或15mm。根據(jù)權利要求19的成像比例允許當在投射曝光設備中使用光學成像系統(tǒng)時在反射掩模上的低入射角。在該類型的應用中，該類型的成像比例的使用不導致不需要的大掩模的要求。根據(jù)權利要求20的具有奇數(shù)個遮攔鏡的結構也被證明尤其適合。例如，可以遮攔三個鏡。根據(jù)權利要求21的設置導致了在空間受限的設置中對于成像光學系統(tǒng)的場平面和光瞳平面均施加影響的可能性。這尤其對于校正的目的是有利的。根據(jù)權利要求22的成像光學系統(tǒng)的一個實施例導致可以在成像光學系統(tǒng)上由在前的照明光學系統(tǒng)經(jīng)由光瞳部件直接提供而無需插入附加的成像元件，該光瞳部件是成像光學系統(tǒng)之前的最后元件，則該光瞳部件可以被設置于成像光學系統(tǒng)的光瞳平面中，該光瞳平面被設置于所述成像光學系統(tǒng)之前。如果有少量鏡，根據(jù)權利要求23的成像光學系統(tǒng)則具有兩個中間像平面，且這可以一方面用于緊湊的光束引導而另一方面用于校正的目的。權利要求24和25的優(yōu)點對應于在前關于根據(jù)本發(fā)明的成像光學系統(tǒng)所討論。投射曝光設備的光源可以是寬帶光源的形式且具有例如大于lnm、大于IOnm或大于IOOnm的帶寬。另外，投射曝光設備可以被構建，使得它可以用不同波長的光源操作。其他波長的光源尤其用于微光刻的波長可以結合根據(jù)本發(fā)明的成像光學系統(tǒng)使用，例如具有365nm、248nm、193nm、157nm、126nm和109nm的波長的光源，尤其也具有小于IOOnm的波長的光源。相應的優(yōu)點由此也適于根據(jù)權利要求26的生產(chǎn)方法和根據(jù)權利要求27生產(chǎn)的微結構部件。下面，借助于附圖更詳細地描述本發(fā)明的實施例，其中圖1是用于EUV光刻的投射曝光設備的示意圖；圖2至7是成像光學系統(tǒng)的實施例的子午截面圖。具體實施例方式用于微光刻的投射曝光設備1具有用于照明光3的光源2。光源2是EUV光源，其產(chǎn)生尤其是IOnm與30nm之間的波長范圍內(nèi)的光。其他的EUV波長也可行。通常，可見波長或其他波長的任何期望波長(例如365nm、248nm、193nm、157nm、129nm、109nm)可以用于在投射曝光設備1中引導的照明光3，該波長例如可以在光刻中使用，且對于該波長，適當?shù)募す夤庠春?或LED光源是可用的。在圖1中相當示意地示出照明光3的光路。照明光學系統(tǒng)6將來自光源2的照明光3弓丨導到物平面5中的物場4(參看圖2)。物場4通過投射光學系統(tǒng)7以預定縮小比例成像到像平面9中的像場8(參看圖2)。圖2至7所示的實施例之一可以用于投射光學系統(tǒng)7。圖2的投射光學系統(tǒng)7具有縮小因子8。其他縮小因子也是可能的，例如4x、5x、或者甚至大于8x的縮小比例。對于具有EUV波長的照明光3，8x的成像比例尤為適合，因為反射掩模10上的物方入射角因而能夠保持較小。另外，8x的成像比例不需要使用不必要大的掩模。在根據(jù)圖2至7的實施例的投射光學系統(tǒng)7中，像平面9布置平行于物平面5。還稱為掩模母版的反射掩模10的與物場4相吻合的部分由此被成像。像場8被彎曲為弧形，限定像場8的兩個弧形之間的距離為1mm。Imm也是直邊的邊長，所述直邊彼此平行延伸且限定了兩個弧形之間的像場8。像場8的兩個直邊彼此的距離為13mm。該彎曲的像場的表面對應于具有邊長lmmX13mm的矩形像場。該類型的正方形像場8也是可以的。成像發(fā)生在晶片形式的基底11的表面上，該晶片由基底支撐12支撐。在圖1中，示意性地示出在掩模母版10和所述投射光學系統(tǒng)之間進入投射光學系統(tǒng)7的照明光3的光束13，以及在投射光學系統(tǒng)和基底11之間離開投射光學系統(tǒng)7的照明光的光束14。根據(jù)圖2，投射光學系統(tǒng)7的像場方的數(shù)值孔徑為0.9。為了視覺效果，這未按圖1中的比例示出。為了有助于描述投射曝光設備1和投射光學系統(tǒng)7的各種實施例，在圖中提供xyz系統(tǒng)，該xyz系統(tǒng)示出在圖中所表示的部件的各個位置。在圖1中，χ方向垂直于且進入圖面延伸。y方向向右延伸，而ζ方向朝下延伸。投射曝光設備1是掃描曝光機類型設備。在投射曝光設備1的工作期間在y方向上掃描掩模母版10和基底11兩者。圖2示出投射光學系統(tǒng)7的第一實施例的光學構造。這示出兩個單個光線15中的每一個的光路徑，在每種情況中該光路徑從圖2的兩個物場點出發(fā)，圖2中該兩個物場點在y方向上彼此遠離。屬于這些兩個物場點中的一者的兩個單個光線15中的每個與關于兩個物場點的兩個不同照明方向相關聯(lián)。不同場點的與相同照明方向相關的單獨光線15從物平面5出發(fā)發(fā)散地延伸。這在以下也被稱為入口光瞳的負輸入后焦長或負后焦長。圖2的投射光學系統(tǒng)7的入口光瞳不位于投射光學系統(tǒng)7內(nèi)，而是在光路中的物平面5之前。這使得例如可以在光路中的投射光學系統(tǒng)7之前，設置投射光學系統(tǒng)7的入口光瞳中的照明光學系統(tǒng)6的光瞳部件，而不必須在這些光瞳部件和物平面5之間存在另外的成像光學部件。圖2的投射光學系統(tǒng)7具有總共八個鏡，其從物場4開始在光路中順序編號Ml至M8。圖2僅僅示出鏡Ml至M8的計算反射表面。圖2的投射光學系統(tǒng)7的光學數(shù)據(jù)通過兩個表格在下面示出。在“半徑”列中，第一表格示出鏡Ml至M8的各個曲率半徑。第三列(厚度)描述了在每一情況中從物平面5開始到ζ方向上隨后表面的距離。第二表格描述了鏡Ml至M8的反射表面的精確表面形狀，其中常數(shù)K和A至J用在下面關于弧失高度ζ的方程中<formula>formulaseeoriginaldocumentpage7</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage7</formula>+Ah'+Bh6+Chs+Dhw+Ehn+Fhu+Gh'6+Hhlt+Jh20在該情形，h表示距光軸19的距離。因此，h2=x2+y2。對于C，使用半徑的倒數(shù)。<table>tableseeoriginaldocumentpage7</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage8</column></row><table>第一鏡組18包括多個鏡Ml至M4.，第一鏡組18的鏡Ml、M2和鏡M2成形為環(huán)形段，且關于光軸19離軸使用，在鏡Ml和M2的情形完全離軸且在鏡M4的情形大部分離軸。鏡Ml和M2的所使用的光學反射表面以及大部分的M4因此位于距光軸19的一距離處。全部鏡Ml至M8的反射表面關于光軸19成旋轉對稱。鏡M3所采用的反射表面大致以光軸19為中心(同軸)。鏡M1、M4、M6、M7和M8是凹鏡。鏡M2、M3和M5是凸鏡。投射光學系統(tǒng)7的中間像平面20位于鏡M4和M5之間。當光線的路程繼續(xù)時，單個光線15經(jīng)過鏡M6的通孔21。圍繞通孔21使用鏡M6。由此鏡M6是被遮攔鏡。如鏡M6，鏡M7和M8也被遮攔且兩者相似地也包括通孔。鏡M5即像場8之前的光路中第四最后鏡沒有被遮攔且因此沒有對于成像光的通孔。鏡M5的光學有效反射表面的外邊緣22在光瞳平面17中提供了成像光學系統(tǒng)的投射光學系統(tǒng)7的中心遮蔽。因此鏡M5遮擋了鏡M6和M7之間的光路。鏡M5設置有光軸19上且中心大致位于所述光軸19上。在圖2的實施例中，其反射有效表面背對背設置的鏡M5和最后鏡M8之間的距離是物平面5和像平面9之間的距離的大致20.6%，尤其為物場4和像場8之間的稍大距離的大致20%。由此在鏡M5和M8之間的光學系統(tǒng)7中存在顯著較大的空間。另一中間平面23在光路中位于鏡M6和鏡M7之間。這是最接近像平面9的中間像平面。該中間像平面23空間上位于光路中的最后鏡M8和像平面9之間。中間像平面23距像平面9的距離是光路中最后鏡M6距像平面9的距離的0.7倍。圖2的投射光學系統(tǒng)7具有0.9nm的最大均方差(rms)波前誤差。投射光學系統(tǒng)7的變形至多是0.5nm。光瞳遮攔，即光瞳平面17的中心遮蔽部分對于光瞳平面17中的照明邊緣輪廓內(nèi)的整個表面的比例是11.6%。圖3顯示了投射光學系統(tǒng)7的另一實施例。相應于已經(jīng)參照圖1和圖2描述過的構件和細節(jié)具有相同的附圖標記并不再詳細的討論。圖3的投射光學系統(tǒng)7的光學數(shù)據(jù)在以下通過兩個表顯示，這兩個表布局上對應于圖2的表格。<table>tableseeoriginaldocumentpage9</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage10</column></row><table>圖3的實施例與圖2的實施例顯著不同在于包括鏡Ml至M4的第一鏡組18的布置。圖3的投射光學系統(tǒng)7的第一鏡組18的所有四個鏡Ml至M4經(jīng)由光源離軸提供。鏡Ml是凸鏡且鏡M2至M4是凹鏡。圖3的投射光學系統(tǒng)7具有入口光瞳的負后焦長。第一中間像平面20設置于圖3的實施例中的鏡M4的區(qū)域中。根據(jù)鏡結構的精確配置，相關的中間像可以在鏡M4之前，在鏡M4上或甚至在鏡M4之后設置。在圖3的實施例中，鏡M3不像在圖2的實施例中位于鏡M6的左側，而是在光軸19的水平位于鏡M6的右側。光線15在從鏡M2至M3的路上經(jīng)過鏡M6，正如光線15在從鏡M3至M4的路上經(jīng)過鏡M6，和從鏡M4至M5的路上經(jīng)過鏡M6。由此，鏡M6的通孔21被單獨的光線15經(jīng)過了三次。在圖3的投射光學系統(tǒng)7中，鏡M5和M8之間的距離為物平面5和像平面9之間的距離的I2·8%。中間像平面23距像平面9的距離大致是光路中最后鏡M6距像平面9的距離的0.8倍。圖3的投射光學系統(tǒng)7具有2.2nm的最大均方差(rms)波前誤差。最大變形是5nm。光瞳遮攔是8.4%。圖4顯示了投射光學系統(tǒng)7的另一實施例。相應于已經(jīng)參照圖1和圖2描述過的構件和細節(jié)具有相同的附圖標記并不再詳細的討論。圖4的投射光學系統(tǒng)7的光學數(shù)據(jù)在以下通過兩個表顯示，這兩個表布局上對應于圖2的表格。<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>圖4的實施例與圖2和圖3的實施例顯著不同在于包括鏡Ml至Μ4的第一鏡組18的排列。鏡M1、M2和M4離軸提供。鏡3是凸鏡。鏡M1、M2和M4是凸鏡。鏡Ml具有如此低的曲率使得所述鏡可以不僅是凹鏡，而且經(jīng)過構造的稍微調整也可以是平面或凸鏡。在圖4的投射光學系統(tǒng)7中，第一中間像平面20位于鏡M4和M5之間的光路中，大致在鏡M3的水平。在圖4的實施例中，鏡M3再次安排在鏡M6的左側，使得光線15僅經(jīng)過M6的通孔21—次。經(jīng)過結構的稍微調整，鏡M3也可以移到鏡M6的開口中。在圖4的投射光學系統(tǒng)7中，鏡M5和M8之間的距離為物平面5和像平面9之間的距離的19.6%。中間像平面23距像平面9的距離大致是光路中最后鏡M6距像平面9的距離的0.76倍。圖4的投射光學系統(tǒng)7具有1.4nm的最大均方差(rms)波前誤差。最大變形是1.5nm。光瞳遮攔是10.9%0圖5顯示了投射光學系統(tǒng)7的另一實施例。相應于已經(jīng)參照圖1和圖2描述過的構件和細節(jié)具有相同的附圖標記并不再詳細的討論。圖5的投射光學系統(tǒng)7的光學數(shù)據(jù)在以下通過兩個表顯示，這兩個表布局上對應于圖2的表格。<table>tableseeoriginaldocumentpage13</column></row><table>圖5的投射光學系統(tǒng)7具有總共六個鏡，其從物場5開始在光路中順序編號Ml至Μ6。在圖5的投射光學系統(tǒng)7中，第一鏡組18僅包括兩個鏡，即鏡Ml和Μ2。鏡Ml大致同軸提供且鏡Μ2離軸提供。隨后的鏡Μ3至Μ6在排列和功能上對應于圖2至4的實施例的鏡Μ5至Μ8。圖5的投射光學系統(tǒng)7具有0.4的數(shù)值孔徑。根據(jù)圖5的投射光學系統(tǒng)7具有入口光瞳的正后焦長，即主光線16從物場4最初發(fā)散地延伸。鏡Ml位于投射光學系統(tǒng)7的入口光瞳平面25的區(qū)域中。第一中間像平面2也位于鏡Μ2和Μ3之間，相似地在大致鏡Ml的水平。鏡Ml設置于鏡M4的通孔21中。鏡M4的通孔21也被通過三次，相似于圖3的實施例的鏡M6。第四最后鏡M3位于圖5的投射光學系統(tǒng)7的另一光瞳平面26的區(qū)域中，該第四最后鏡M3也提供圖5的投射光學系統(tǒng)7的光瞳遮攔。在圖5的實施例中，第四最后鏡M3和最后鏡M6之間的距離大致等于物平面5和像平面9之間的距離的21.0%。中間像平面23距像平面9的距離大致是光路中最后鏡M6距像平面9的距離的0.74倍。圖5的投射光學系統(tǒng)7具有0.4nm的最大均方差(rms)波前誤差。最大變形是0.3nm。光瞳遮攔是17.6%。圖6顯示了投射光學系統(tǒng)7的另一實施例。相應于已經(jīng)參照圖1至5描述過的構件和細節(jié)具有相同的附圖標記并不再詳細的討論。圖6的投射光學系統(tǒng)7的光學數(shù)據(jù)在以下通過兩個表顯示，這兩個表布局上對應于圖2的表格。<table>tableseeoriginaldocumentpage14</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>圖6的投射光學系統(tǒng)7為六鏡系統(tǒng)，與圖5相似。在該情形，第一鏡組24也僅包括兩個鏡Ml和Μ2。兩個鏡Ml和Μ2均離軸提供。鏡Ml設置相鄰于鏡Μ4的通孔21。該設置使得對于鏡Μ2和Μ3之間的光線，鏡M的通孔21僅被通過一次。圖6的投射光學系統(tǒng)7僅具有單中間像平面27，其相似于圖2到圖5的實施例中的中間像平面23，空間上設置于光路中的最后鏡即鏡Μ6好像平面9之間。在圖6的實施例中，盡管鏡Μ4的通孔21僅被光束通過一次，該光束在那里沒有焦點，且因此具有相對大的直徑，第四最后鏡Μ3仍利用其外邊緣22提供了投射光學系統(tǒng)7的光瞳遮攔。圖6的投射光學系統(tǒng)7具有0.55的數(shù)值孔徑。在圖6的投射光學系統(tǒng)7的實施例中，第四最后鏡Μ3和最后鏡Μ6之間的距離大致等于物平面5和像平面9之間的距離的22%。中間像平面23距像平面9的距離大致是光路中最后鏡Μ6距像平面9的距離的0.8倍。圖6的投射光學系統(tǒng)7具有1.4nm的最大均方差(rms)波前誤差。最大變形是1.4nm。光瞳遮攔是16.8%。圖7顯示了投射光學系統(tǒng)7的另一實施例。相應于已經(jīng)參照圖1至5描述過的構件和細節(jié)具有相同的附圖標記并不再詳細的討論。圖7的投射光學系統(tǒng)7的光學數(shù)據(jù)在以下通過兩個表顯示，這兩個表布局上對應于圖2的表格。<table>tableseeoriginaldocumentpage16</column></row><table>圖7的投射光學系統(tǒng)7也為六鏡系統(tǒng)，與圖5和圖6的實施例相似。第一鏡組24包括兩個鏡Ml和Μ2的結構相應于圖6的實施例的結構。圖7的實施例也僅具有一個中間像平面即中間像平面27，其相應于圖6設置。圖7的投射光學系統(tǒng)7具有0.6的數(shù)值孔徑。在圖7的投射光學系統(tǒng)7的實施例中，第四最后鏡Μ3和最后鏡Μ6之間的距離大致等于物平面5和像平面9之間的距離的25%。中間像平面23距像平面9的距離大致是光路中最后鏡Μ6距像平面9的距離的0.8倍。圖7的投射光學系統(tǒng)7具有0.7nm的最大均方差(rms)波前誤差。最大變形是0.3nm。光瞳遮攔是16.0%.為了生產(chǎn)微結構或納米結構部件，投射曝光設備1按以下使用最初，制備反射掩模10、或掩模母版以及基板或晶片11。隨后，掩模母版11上的結構通過投射曝光設備1被投射到晶片11的光敏層上。通過顯影光敏層，則產(chǎn)生了晶片11上的微結構以及微結構的部件。權利要求成像光學系統(tǒng)(7)，包括多個鏡(M1至M8；M1至M6)，其將物平面(5)中的物場(4)成像到像平面(9)中的像場(8)，鏡(M6、M7、M8；M4、M5、M6)的至少一個包括供成像光(15)經(jīng)過的通孔(21)，其特征在于所述成像光學系統(tǒng)(7)包括至少六個鏡(M1至M8；M1至M6)，在像場(8)之前的在物場(4)和像場(8)之間的光路中第四最后鏡(M5；M3)不包括通孔，且利用圍繞所述第四最后鏡(M5；M3)的光學有效表面的外邊緣(22)提供成像光學系統(tǒng)(7)的光瞳平面(17；25，26)中的中心遮蔽。2.如權利要求1所述的成像光學系統(tǒng)，其特征在于，所述第四最后鏡(M5；M3)為凸鏡。3.如權利要求1或2所述的成像光學系統(tǒng)，其特征在于，所述第四最后鏡(M5；M3)位于所述光學成像系統(tǒng)(7)的光軸(19)上。4.如權利要求1-3的任一所述的成像光學系統(tǒng)，其特征在于，所述第四最后鏡(M3)設置于所述光學成像系統(tǒng)(7)的光瞳平面(26)的區(qū)域中。5.成像光學系統(tǒng)(7)，包括多個鏡(Ml至M8；Ml至M6)，其將物平面(5)中的物場(4)成像到像平面(9)中的像場(8)，鏡(M6、M7、M8；M4、M5、M6)的至少一個包括供成像光(15)經(jīng)過的通孔(21)，其特征在于所述成像光學系統(tǒng)(7)包括至少八個鏡(Ml至M8；Ml至M6)，在物場(4)和像場⑶之間的光路中第四最后鏡(M5；M3)和所述光路中的最后鏡(M8；M6)之間的距離為物場(4)和像場(8)之間的距離的至少10%。6.成像光學系統(tǒng)(7)，包括多個鏡(Ml至M8；Ml至M6)，其將物平面(5)中的物場(4)成像到像平面(9)中的像場(8)，鏡(M6、M7、M8；M4、M5、M6)的至少一個包括供成像光(15)經(jīng)過的通孔(21)，其特征在于所述成像光學系統(tǒng)(7)包括至少六個鏡(Ml至M8；Ml至M6)，在物場(4)和像場⑶之間的光路中第四最后鏡(M5；M3)和所述光路中的最后鏡(M8；M6)之間的距離為物場(4)和像場(8)之間的距離的至少10%。7.成像光學系統(tǒng)(7)，包括多個鏡(Ml至M8；Ml至M6)，其將物平面(5)中的物場(4)成像到像平面(9)中的像場(8)，鏡(M6、M7、M8；M4、M5、M6)的至少三個包括供成像光(15)經(jīng)過的通孔(21)，至少一個中間像平面(20、23.27)存在于所述物平面(5)和像平面(9)之間，其特征在于最接近像平面(9)的中間像平面(23；27)在物場(4)和像場(8)之間的光路中空間上設置于最后鏡(M8；M6)和像平面(9)之間。8.如權利要求7所述的成像光學系統(tǒng)(7)，其特征在于，距所述像平面(9)的中間像平面(23；27)的距離至多是所述光路中的最后鏡(M8；M6)距所述像平面(9)的距離的0.95倍。9.如權利要求1到8的任一所述的成像光學系統(tǒng)(7)，其特征在于數(shù)值孔徑至少0.4、優(yōu)選至少0.5、甚至更優(yōu)選至少0.6、甚至更優(yōu)選至少0.9。10.成像反射光學系統(tǒng)(7)，包括少于十個鏡(Ml至M8)，其將物平面(5)中的物場(4)成像到像平面(9)中的像場(8)，其特征在于數(shù)值孔徑>0.7。11.根據(jù)權利要求10的成像光學系統(tǒng)(7)，包括精確的八個鏡(Ml至M8)且具有0.9的數(shù)值孔徑。12.根據(jù)權利要求1至11的至少之一的成像光學系統(tǒng)(7)。13.根據(jù)權利要求1至12的任一的成像光學系統(tǒng)，其特征在于波前誤差的最大均方根(rms)小于lOnm，優(yōu)選小于5nm，甚至更優(yōu)選小于2nm，甚至更優(yōu)選小于lnm，甚至更優(yōu)選小于0.5nm。14.根據(jù)權利要求1至13的任一的成像光學系統(tǒng)，其特征在于最大變形小于lOnm，優(yōu)選小于5nm，甚至更優(yōu)選小于2nm，甚至更優(yōu)選小于lnm，甚至更優(yōu)選小于0.5nm。15.根據(jù)權利要求1至14的任一的成像光學系統(tǒng)，其特征在于光瞳遮攔小于20%，優(yōu)選小于15%，甚至更優(yōu)選小于10%。16.根據(jù)權利要求1至15的任一的成像光學系統(tǒng)，其特征在于所述像平面(9)設置平行于所述物平面(5)。17.根據(jù)權利要求1至16的任一的成像光學系統(tǒng)，其特征在于所述像平面(8)大于1mm2o18.根據(jù)權利要求17的成像光學系統(tǒng)，其特征在于矩形或弧形像場(8)大于具有1mm和13mm的邊長。19.根據(jù)權利要求1至18的任一的成像光學系統(tǒng)，其特征在于縮小成像比例為8。20.根據(jù)權利要求1至19的任一的成像光學系統(tǒng)，其特征在于奇數(shù)個(M6至M8；M4至M6)鏡具有供成像光(15)經(jīng)過的通孔(21)。21.根據(jù)權利要求1至20的任一的成像光學系統(tǒng)，其特征在于至少一個中間像平面(20)在成像光學系統(tǒng)(7)的光瞳平面(25)的附近折疊，尤其與該光瞳平面一致。22.根據(jù)權利要求1至21的任一的成像光學系統(tǒng)，其特征在于主光線(16)發(fā)散地延伸到從物場⑷到第一鏡(Ml)的光路中的相鄰場點。23.根據(jù)權利要求1至22的任一的成像光學系統(tǒng)，其特征在于所述成像光學系統(tǒng)包括精確的六個鏡(Ml至M6)和精確的兩個中間像平面(20、23)。24.微光刻的投射曝光設備包括根據(jù)權利要求1至23的任一的成像光學系統(tǒng)(7)，包括照明和成像光(3)的光源(2)，包括將照明光(3)引導到上述成像光學系統(tǒng)(7)的物面的照明光學系統(tǒng)(6)。25.根據(jù)權利要求24的投射曝光設備，其特征在于產(chǎn)生所述照明光(3)的光源(2)形成有10和30mm之間的波長。26.產(chǎn)生微結構的部件的方法，包括以下的步驟提供掩模母版(10)和晶片(11)，使用根據(jù)權利要求24或權利要求25的投射曝光設備，將掩模母版(10)上的結構投射到晶片(11)的光敏層上，在晶片(11)上產(chǎn)生微結構。27.根據(jù)權利要求26的方法產(chǎn)生的微結構部件。全文摘要成像光學系統(tǒng)(7)具有多個鏡(M1至M8)。這些鏡將物平面(5)中的物場(4)成像到像平面(9)中的像場(8)。鏡(M6、M7、M8)的至少一個被遮攔，且由此具有供成像光(15)經(jīng)過的通孔(21)。在像場(8)之前的光路中的第四最后鏡(M5)沒有被遮攔，且利用其光學有效反射表面的外邊緣(22)提供成像光學系統(tǒng)(7)的光瞳平面中的中心遮蔽。第四最后鏡(M5)和最后鏡(M8)之間的距離為物場(4)和像場(8)之間的距離的至少10％，最接近像平面(9)的中間像平面(23)設置于最后鏡(M8)和像平面(9)之間。成像光學系統(tǒng)(7)具有0.9的數(shù)值孔徑。這些措施不需所有必須同時實現(xiàn)，且導致了成像光學系統(tǒng)具有改善的成像性能和/或減少的生產(chǎn)成本。文檔編號G03F7/20GK101836164SQ200880113375公開日2010年9月15日申請日期2008年10月2日優(yōu)先權日2007年10月26日發(fā)明者漢斯-于爾根·曼申請人:卡爾蔡司Smt股份公司