專(zhuān)利名稱(chēng)：液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示裝置。
背景技術(shù)：
目前，已知在便攜式電話、游戲機(jī)和音頻播放器等的顯示器中廣泛使用的液晶顯 示裝置。液晶顯示裝置，由矩形的TFT基板和與該TFT基板相對(duì)設(shè)置的矩形的相對(duì)基板，隔 著由矩形框狀的密封部件密封的液晶層貼合而形成。 在TFT基板和相對(duì)基板上，形成有分別相互相對(duì)的電極層，這些電極層與在TFT基 板的一邊側(cè)形成的端子部電連接。作為將該相對(duì)基板的電極層(以下，稱(chēng)為相對(duì)電極層) 連接到端子部的方法，已知有通過(guò)分散于密封部件的導(dǎo)電性顆粒和共用轉(zhuǎn)移端子部將相對(duì) 電極層與端子部連接的方法(參照專(zhuān)利文獻(xiàn)1)。 以下，參照?qǐng)D20對(duì)現(xiàn)有的液晶顯示裝置100的結(jié)構(gòu)進(jìn)行簡(jiǎn)單說(shuō)明。圖20是概略 性的表示現(xiàn)有的液晶顯示裝置100的平面圖。此外，圖20中省略相對(duì)基板的圖示。
液晶顯示裝置IOO，如圖20所示，具有由多個(gè)像素構(gòu)成的顯示部101。顯示部IOI 形成有在TFT基板102、和與TFT基板102相對(duì)的相對(duì)基板上隔著液晶層分別相互相對(duì)的電 極層。圖20的103表示TFT基板102的電極層。這兩個(gè)基板的電極層，分別與在TFT基板 102的一邊側(cè)形成、從相對(duì)基板露出到外部的端子部104電連接。 TFT基板102的電極層103與顯示部101的外側(cè)配置的源極驅(qū)動(dòng)器部105和柵極 驅(qū)動(dòng)器部106連接，通過(guò)從這些驅(qū)動(dòng)器部105、106引出的引出配線層(省略圖示)與端子 部104電連接。在此，所謂外側(cè)是指從液晶顯示裝置100的中央向著外緣的方向。驅(qū)動(dòng)器 部105、106雖然省略圖示，但通過(guò)時(shí)鐘信號(hào)配線層等多個(gè)(例如，十幾根)配線層相互連 接。上述引出配線層和時(shí)鐘信號(hào)配線等的配線層形成在TFT基板102的密封部件107的四 角的內(nèi)側(cè)區(qū)域。 另一方面，相對(duì)基板的電極層(相對(duì)電極層)通過(guò)矩形的密封部件107所含的導(dǎo) 電性顆粒與共用轉(zhuǎn)移端子部108連接，該共用轉(zhuǎn)移端子部108通過(guò)配線層(省略圖示)與 端子部104連接。S卩，相對(duì)電極層通過(guò)密封部件107中的導(dǎo)電性顆粒、共用轉(zhuǎn)移端子部108 和配線層與端子部104連接。這些密封部件107、共用轉(zhuǎn)移端子部108和配線層，形成在顯 示部101的外側(cè)。 上述密封部件107從TFT基板102的外緣設(shè)置間隔而配置在內(nèi)側(cè)。上述共用轉(zhuǎn) 移端子部108為了通過(guò)導(dǎo)電性顆粒與相對(duì)電極層連接，以至少一部分與密封部件107接觸 的方式形成，通常，從抑制相對(duì)電極層的電位差分布不均的觀點(diǎn)出發(fā)，分別配置在密封部件 107的四角。由此，液晶顯示裝置IOO通過(guò)與端子部104連接的兩基板的電極層向液晶層施 加電壓，由此控制液晶分子的取向，在顯示部101進(jìn)行期望的顯示。 此外，上述液晶顯示裝置的制造，通常為了提高生產(chǎn)率，已知有將包括配置為矩陣
狀的多個(gè)貼合基板區(qū)域的貼合基板母材分割，形成多個(gè)貼合基板的方法。 貼合基板母材是指將包括多個(gè)構(gòu)成TFT基板的區(qū)域(以下，稱(chēng)為T(mén)FT基板區(qū)域)
3的TFT基板母材，和包括多個(gè)構(gòu)成相對(duì)基板的區(qū)域(以下，稱(chēng)為相對(duì)基板區(qū)域)的相對(duì)基板 母材，以各TFT基板區(qū)域和各相對(duì)基板區(qū)域隔著矩形框狀的密封部件相互相對(duì)的方式貼合 而形成。 上述密封部件以如下方式形成對(duì)TFT基板母材或相對(duì)基板母材的一個(gè)，利用分 配器等以高速且比較細(xì)地供給到每個(gè)TFT基板區(qū)域或相對(duì)基板區(qū)域，從貼合基板的表面法 線方向觀察，與共用轉(zhuǎn)移端子部重疊而形成。由此，貼合基板母材具有多個(gè)通過(guò)密封部件貼 合了 TFT基板區(qū)域和相對(duì)基板區(qū)域的貼合基板區(qū)域。然后，將該貼合基板母材在形成于各 貼合基板區(qū)域的密封部件之間的間隙上分割，形成多個(gè)貼合基板。
專(zhuān)利文獻(xiàn)1 :特開(kāi)平5-249483號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
但是，如上所述，在將貼合基板母材在形成于各貼合基板區(qū)域的密封部件之間的 間隙上分割而形成多個(gè)貼合基板的情況下，如圖20所示，為了從TFT基板102的外緣設(shè)置 間隔配置密封部件107于內(nèi)側(cè)，會(huì)擴(kuò)大作為非顯示部的邊框部109。再者，共用轉(zhuǎn)移端子部 108容易露出到密封部件107的外側(cè)的結(jié)果，會(huì)使得露出的共用轉(zhuǎn)移端子部108收到靜電的 影響，容易使顯示品質(zhì)降低。 此外，如上所述，利用分配器等高速且比較細(xì)地供給密封部件的情況下，密封部件 的供給位置很容易從期望的位置偏向密封部件的寬度方向，且密封部件的寬度容易參差不 齊。由此，為了使得共用轉(zhuǎn)移端子部以充分的接觸面積可靠地與密封部件接觸，要形成比較 大的共用轉(zhuǎn)移端子部。 但是，在形成比較大的共用轉(zhuǎn)移端子部的情況下，如圖20所示，會(huì)減少密封部件 107的四角的內(nèi)側(cè)用于形成各配線層的TFT基板102的區(qū)域。共用轉(zhuǎn)移端子部108會(huì)阻礙 這些各配線層的形成。特別是，為了在密封部件102的端子部104側(cè)(圖中左下側(cè))的角 部的內(nèi)側(cè)集中形成配線層，必須將各配線層細(xì)線化，結(jié)果會(huì)增大這些各配線層的配線電阻。 在各配線層的配線電阻增大的情況下，容易對(duì)各像素的寫(xiě)入產(chǎn)生不良影響，顯示品質(zhì)降低。
本發(fā)明，鑒于上述諸點(diǎn)而產(chǎn)生，其目的為降低邊框部相對(duì)于液晶顯示裝置整體的 比例，并且提高顯示品質(zhì)。 為達(dá)到上述目的，該發(fā)明中，密封部件的至少一邊形成在第一基板的外緣，并且共
用轉(zhuǎn)移端子部沿著形成在第一基板的外緣的密封部件的至少一部分形成。
具體來(lái)說(shuō)，本發(fā)明的液晶顯示裝置，其包括矩形的第一基板；與上述第一基板相
對(duì)配置的矩形的第二基板；在上述第一基板和上述第二基板之間由包含導(dǎo)電性顆粒的矩形
框狀的密封部件密封的液晶層；在上述第一基板的上述密封部件的外側(cè)形成、用于向上述
液晶層施加電壓的端子部；在上述第一基板的上述密封部件的內(nèi)側(cè)的表面形成、并且與上
述端子部電連接的第一 電極層；與上述端子部電連接、并且與上述導(dǎo)電性顆粒接觸的共用
轉(zhuǎn)移端子部；和，在上述第二基板形成、與上述第一電極層相對(duì)配置、并且通過(guò)上述導(dǎo)電性
顆粒和上述共用轉(zhuǎn)移端子部與上述端子部電連接的第二電極層，上述第一基板的上述密封
部件的四角的至少一個(gè)的內(nèi)側(cè)形成有配線層，上述密封部件的至少一邊形成在上述第一基
板的外緣，上述共用轉(zhuǎn)移端子部，沿著形成在上述第一基板的外緣的上述密封部件的至少
一部分形成。
上述密封部件優(yōu)選相對(duì)于上述端子部側(cè)的一邊垂直延伸的兩邊形成在上述第一 基板的外緣。 上述密封部件優(yōu)選與上述端子部側(cè)的一邊相對(duì)的一邊、和相對(duì)于上述端子部側(cè)的 一邊垂直延伸的2邊，形成在上述第一基板的外緣。 上述共用轉(zhuǎn)移端子部，優(yōu)選沿著形成在上述第一基板的外緣的上述密封部件的整 體形成。 上述共用轉(zhuǎn)移端子部，優(yōu)選沿著除上述密封部件的上述端子部側(cè)的角部之外的該
密封部件的至少一部分形成。
-作用- 接著，說(shuō)明本發(fā)明的作用。 本發(fā)明的液晶顯示裝置，由于密封部件的至少一邊形成在第一基板的外緣，則該 密封部件的至少一邊的外側(cè)不會(huì)形成邊框部，因此減少邊框部的面積。并且，防止共用轉(zhuǎn)移 端子部在密封部件的至少一邊的外側(cè)露出，能夠抑制共用轉(zhuǎn)移端子部受到來(lái)自外部的靜電 影響。 除此之外，密封部件的至少一邊定位于第一基板的外緣，即使密封部件的寬度在 各處參差不齊，共用轉(zhuǎn)移端子部也能夠可靠地接觸到密封部件、接觸到導(dǎo)電性顆粒。由此， 沒(méi)有必要形成比較大的共用轉(zhuǎn)移端子部，能夠縮小共用轉(zhuǎn)移端子部。 而且，共用轉(zhuǎn)移端子部沿著形成在第一基板的外緣的密封部件的至少一部分形 成，因此，配置于密封部件的四角的內(nèi)側(cè)的共用轉(zhuǎn)移端子部的面積減少，能夠確保用于形成 配線層的第一基板的區(qū)域。由此，沒(méi)有必要細(xì)線化配線層，能夠降低配線層的配線電阻，抑 制向顯示部的各像素的不良寫(xiě)入。其結(jié)果，能夠降低邊框部相對(duì)于整個(gè)液晶顯示裝置的比 例，且能夠提高顯示品質(zhì)。 再者，在密封部件的與端子部側(cè)的一邊垂直的兩邊形成在第一基板的外緣的情況 下，在這些比密封部件的2邊的更外側(cè)的位置不會(huì)形成邊框部，因此與僅密封部件的一邊 形成在第一基板的外緣的情況相比，進(jìn)一步減少了邊框部的面積，進(jìn)一步減少邊框部相對(duì) 于液晶顯示裝置的比例。 此外，在密封部件的與端子部側(cè)的一邊相對(duì)的一邊、和與端子部側(cè)的一邊垂直的 兩邊，形成在第一基板的外緣的情況下，在這些比密封部件的3邊更外側(cè)的位置不會(huì)形成 邊框部，與僅密封部件的一邊或兩邊形成在第一基板的外緣的情況相比，進(jìn)一步減少邊框 部的面積，進(jìn)一步減少邊框部相對(duì)于液晶顯示裝置的比例。 在共用轉(zhuǎn)移端子部沿著形成在第一基板的外緣的密封部件的整體形成的情況下， 與僅沿著形成在第一基板的外緣的密封部件的一部分形成共用轉(zhuǎn)移端子部的情況相比較， 第二電極層產(chǎn)生的電位差降低。 在共用轉(zhuǎn)移端子部沿著除密封部件的端子部側(cè)的角部之外的該密封部件的至少 一部分形成的情況下，在配線層集中形成的端子部側(cè)的密封部件的角部的內(nèi)側(cè)不會(huì)形成共 用轉(zhuǎn)移端子部，因此，能夠充分確保這些密封部件的角部的內(nèi)側(cè)用于形成配線層的第一基 板的區(qū)域。其結(jié)果，能夠以充分的寬度形成配線層，進(jìn)一步降低配線層的配線電阻，提高顯 示品質(zhì)。 根據(jù)本發(fā)明，在密封部件的至少一邊的外側(cè)不會(huì)形成邊框部，因此能夠減少邊框部的面積。再者，能夠防止在密封部件的至少一邊的外側(cè)露出共用轉(zhuǎn)移端子部，因此能夠抑 制共用轉(zhuǎn)移端子部受到來(lái)自外部的靜電影響。除此以外，共用轉(zhuǎn)移端子部能夠可靠地接觸 密封部件、接觸導(dǎo)電性顆粒，因此能夠縮小共用轉(zhuǎn)移端子部。而且，通過(guò)沿著形成在第一基 板的外緣的密封部件的至少一部分形成共用轉(zhuǎn)移端子部，能夠確保用于形成配線層的第一 基板的區(qū)域，因此沒(méi)有必要將配線層細(xì)線化，能夠降低配線層的配線電阻，抑制向顯示部的 各像素的不良寫(xiě)入。其結(jié)果，能夠降低邊框部相對(duì)于整個(gè)液晶顯示裝置的比例，且能夠提高 顯示品質(zhì)。


圖1為概略性的表示實(shí)施方式1的液晶顯示裝置的平面圖。 圖2為概略性的表示圖1的II-II線截面的圖。 圖3為概略性的表示圖1的III-III線截面的圖。 圖4為概略性的表示TFT基板母材的平面圖。 圖5為概略性的表示相對(duì)基板母材的平面圖。 圖6為概略性的表示貼合基板母材的平面圖。 圖7為概略性的表示實(shí)施方式2的液晶顯示裝置的平面圖。 圖8為概略性的表示實(shí)施方式3的液晶顯示裝置的平面圖。 圖9為概略性的表示實(shí)施方式4的液晶顯示裝置的平面圖。 圖10為概略性的表示實(shí)施方式5的液晶顯示裝置的平面圖。 圖11為概略性的表示實(shí)施方式6的液晶顯示裝置的平面圖。 圖12為概略性的表示實(shí)施方式7的液晶顯示裝置的平面圖。 圖13為概略性的表示實(shí)施方式8的液晶顯示裝置的平面圖。 圖14為概略性的表示實(shí)施方式9的液晶顯示裝置的平面圖。 圖15為概略性的表示實(shí)施方式10的液晶顯示裝置的平面圖。 圖16為概略性的表示實(shí)施方式11的液晶顯示裝置的平面圖。 圖17為概略性的表示實(shí)施方式12的液晶顯示裝置的平面圖。 圖18為概略性的表示實(shí)施方式13的液晶顯示裝置的平面圖。 圖19為概略性的表示實(shí)施方式14的液晶顯示裝置的平面圖。 圖20為概略性的表示現(xiàn)有的液晶顯示裝置的平面圖。 標(biāo)號(hào)說(shuō)明 (S)液晶顯示裝置 (10) TFT基板(第一基板) (11)端子部 (is)像素電極層(第一電極層) (20)共用轉(zhuǎn)移端子部 (30)密封部件 (31)液晶層(40)相對(duì)基板(第二基板) (44)相對(duì)電極層(第二電極層)
具體實(shí)施例方式
以下，基于附圖詳細(xì)說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施方式。此外，本發(fā)明并不限定于以下的實(shí)施 方式?！栋l(fā)明的實(shí)施方式l》 圖1 圖6表示本發(fā)明的實(shí)施方式1。圖1為概略性的表示本實(shí)施方式1的液晶 顯示裝置S的平面圖。圖2為表示液晶顯示裝置S的共用轉(zhuǎn)移端子部20的主要部分的截 面圖。圖3為概略性的表示液晶顯示裝置S的截面的圖。圖4 圖6為用于說(shuō)明液晶顯示 裝置S的制造方法的圖。此外，圖1中省略表示相對(duì)基板40的圖示。 液晶顯示裝置S如圖l所示，具有由多個(gè)像素(省略圖示)構(gòu)成進(jìn)行期望的顯示 的顯示部A，該液晶顯示裝置S中顯示部A的外側(cè)的作為非顯示部的邊框部B。在此，外側(cè) 表示從液晶顯示裝置S的中央向外緣的方向。 如圖3所示，該液晶顯示裝置S具備貼合基板35，該貼合基板35包括作為第一 基板的TFT基板10、與TFT基板10相對(duì)配置的作為第二基板的相對(duì)基板40、在這些TFT基 板10和相對(duì)基板40之間由矩形框狀的密封部件30密封的液晶層31、和形成于TFT基板 10的密封部件30的外側(cè)并用于對(duì)液晶層31施加電壓的端子部11。 上述TFT基板10和上述相對(duì)基板40，分別形成為矩形，在液晶層31側(cè)的表面分別 形成取向膜21、45。 TFT基板IO的縱向?qū)挾?圖1的上下方向的尺寸、圖3的左右方向的 尺寸)形成的比相對(duì)基板40的縱向?qū)挾却?，TFT基板10的縱方向(圖1的上下方向，圖3 的左右方向)上邊10b，從與TFT基板10的表面垂直的方向看，與相對(duì)基板40的縱方向上 邊40b重合。此外，上述端子部ll，形成于TFT基板10的縱方向下邊10a側(cè)，從相對(duì)基板 40露出到外部。 上述密封部件30，如圖1所示，至少一邊形成在TFT基板10的外緣。在本實(shí)施方 式1中，密封部件30，與端子部ll側(cè)的一邊(圖1的下側(cè)邊)30a相對(duì)的一邊(圖1的上 側(cè)邊)30b，和與該端子部11側(cè)的一邊30a相對(duì)垂直延伸的兩邊(圖1的左右兩側(cè)邊)30c、 30d這三個(gè)邊30b、30c、30d形成在TFT基板10的外緣。 密封部件30，例如由環(huán)氧類(lèi)樹(shù)脂或丙烯酸類(lèi)樹(shù)脂等形成，該密封部件30包含導(dǎo)電 性顆粒(省略圖示)。導(dǎo)電性顆粒，例如由利用鎳、碳、銀或金等導(dǎo)電性材料覆蓋具有彈性的 樹(shù)脂等構(gòu)成的球狀顆粒的表面等而形成。 此外，液晶顯示裝置S，如圖1和圖2所示，具備在TFT基板10中密封部件30的 內(nèi)側(cè)的表面形成、并且與端子部11電連接的作為第一電極層的像素電極層15 ;與端子部11 電連接、并且與導(dǎo)電性顆粒接觸的共用轉(zhuǎn)移端子部20 ;形成于相對(duì)基板40并與像素電極層 15相對(duì)配置，并且通過(guò)導(dǎo)電性顆粒和共用轉(zhuǎn)移端子部20與端子部ll電連接的作為第二電 極層的相對(duì)電極層44。 S卩，貼合基板35，具有像素電極層15、共用轉(zhuǎn)移端子部20和相對(duì)電極層44。 TFT
基板20，如圖2所示，具有例如矩形的無(wú)堿玻璃基板等的玻璃基板12，在玻璃基板12的大
致中央部分形成有對(duì)各像素的液晶層31施加電壓進(jìn)行開(kāi)關(guān)的開(kāi)關(guān)層13。 該開(kāi)關(guān)層13，雖然省略了圖示，但形成在與玻璃基板12的表面水平的一個(gè)方向延
伸的多個(gè)源極配線層、和在與玻璃基板的表面的水平的方向且與各源極配線層正交的方向延伸的多個(gè)柵極配線層。在每個(gè)各源極配線層和各柵極配線層的交叉點(diǎn)，形成有連接這些 各源極配線層和各柵極配線層的TFT (Thin Film Transistor)。這些多個(gè)TFT配置為矩陣 狀。 開(kāi)關(guān)層13的一部分，由Si0層等的平坦化層14覆蓋，在該平坦化層14的表面形 成有像素電極層15。該像素電極層15，在圖3中圖示為一個(gè)層，但實(shí)際上，在每個(gè)各源極配 線層和各柵極配線層的交叉點(diǎn)對(duì)應(yīng)于上述TFT配置為矩陣狀，通過(guò)在平坦化層14上形成的 接觸孔(省略圖示)分別與對(duì)應(yīng)的開(kāi)關(guān)層13的TFT連接。 再者，如圖1和圖2所示，該TFT基板10上，在開(kāi)關(guān)層13的外側(cè)形成有源極驅(qū)動(dòng) 器部16和柵極驅(qū)動(dòng)器部17等，這些驅(qū)動(dòng)器部16、17的外側(cè)形成有從端子部11延伸的作為 配線層的共用配線層18和與該共用配線層18連接的共用轉(zhuǎn)移端子部20。
驅(qū)動(dòng)器部16、17被平坦化層14覆蓋，源極驅(qū)動(dòng)器部16與多個(gè)源極配線層連接，柵 極驅(qū)動(dòng)器部17與多個(gè)柵極配線層連接。源極驅(qū)動(dòng)器部16配置于TFT基板10中的與端子 部11側(cè)的一邊10a垂直的一邊(圖1的左邊)10c側(cè)，柵極驅(qū)動(dòng)器部17配置于端子部11 這些驅(qū)動(dòng)器部16、17，雖然省略了圖示，但與從端子部11延伸的引出配線層連接、 通過(guò)該引出配線層與端子部ll連接，并且通過(guò)時(shí)鐘信號(hào)配線層等多個(gè)(例如十幾個(gè))配線 層相互連接。如此，TFT基板10中的密封部件30的端子部11側(cè)的角部的內(nèi)側(cè)，集中形成 上述引出配線層和時(shí)鐘信號(hào)配線層等配線層。 共用配線層18，從抑制液晶顯示裝置S受到靜電影響的觀點(diǎn)出發(fā)，從TFT基板10 的外緣設(shè)置間隔形成于內(nèi)側(cè)、沿著除TFT基板10的端子部11側(cè)的邊10a以外的三個(gè)邊10b、 10c、10d形成為大致環(huán)狀。該共用配線層18—部分被平坦化層14覆蓋，在平坦化層14的 表面形成共用轉(zhuǎn)移端子部20。 共用轉(zhuǎn)移端子部20，通過(guò)形成于平坦化層14的接觸孔19，與共用配線層18連接。 此外，共用轉(zhuǎn)移端子部20，與共用配線層18相同，從TFT基板10的外緣設(shè)置間隔形成于內(nèi) 側(cè)。由此，共用轉(zhuǎn)移端子部20，通過(guò)共用配線層18與端子部11連接。 上述共用轉(zhuǎn)移端子部20，如圖1所示，沿著形成于TFT基板10的外緣的密封部件 30的至少一部分形成。在本實(shí)施方式1中，共用轉(zhuǎn)移端子部20，僅沿著密封部件30中與端 子部11側(cè)的一邊30b垂直的兩邊30c、30d的整體形成一對(duì)，從與TFT基板10的表面垂直的 方向看，寬度方向的至少一部分與密封部件30分別重疊，以規(guī)定面積接觸。共用轉(zhuǎn)移端子 部20和密封部件30的接觸面積，能夠由密封部件30所含的導(dǎo)電性顆粒的材料適宜設(shè)定。
在此，圖2所示的密封部件30的寬度(以下，稱(chēng)為密封寬度)wl，表示密封部件30 以最小的寬度形成的情況下的密封寬度。此外，圖2的密封寬度w2，表示密封部件30以最 大的寬度形成的情況下的密封寬度。如此，一對(duì)共用轉(zhuǎn)移端子部20，與密封部件30中的導(dǎo) 電性顆粒分別接觸。 另一方面，相對(duì)基板40，如圖2所示，具有例如矩形的無(wú)堿玻璃基板等的玻璃基板 41。在相對(duì)基板40上形成有與像素電極層15相對(duì)配置的、構(gòu)成各像素的多個(gè)彩色濾光片 層42。各彩色濾光片層42分別與TFT基板10的像素電極層15相對(duì)形成。S卩，多個(gè)彩色濾 光片層42配置為矩陣狀。此外，相對(duì)基板40中的彩色濾光片層42的外側(cè)，和多個(gè)彩色濾 光片層42的相互之間，形成有黑矩陣層43。此外，在圖2中，省略彩色濾光片層42之間的
8黑矩陣層43的圖示。 上述相對(duì)電極層44覆蓋多個(gè)彩色濾光片層42和黑矩陣層43。而且，該相對(duì)電極 層44的一部分直接與密封部件30接觸，與密封部件30中的導(dǎo)電性顆粒接觸。S卩，相對(duì)電 極層44，通過(guò)密封部件30中的導(dǎo)電性顆粒、共用轉(zhuǎn)移端子部20和共用配線層18，與端子部 ll連接。 再者，液晶顯示裝置S，在貼合基板35的表面具有偏光板(省略圖示)。即，TFT基 板10和相對(duì)基板40的與液晶層31的相反側(cè)的表面分別疊層有偏光板。此外，雖然省略了 圖示，但是貼合基板35安裝有相對(duì)于貼合基板35從一個(gè)方向側(cè)照射光的背光源單元和液 晶驅(qū)動(dòng)用IC(Integrated Circuit :集成電路)等。由此，液晶顯示裝置S通過(guò)端子部11由 像素電極層15和相對(duì)電極層44向液晶層31施加電壓，由此在顯示部A進(jìn)行期望的顯示。
-制造方法_ 上述液晶顯示裝置S的制造方法，包括貼合基板母材形成工序和分割工序。
上述貼合基板母材形成工序，如圖6所示，形成貼合基板35配置成矩陣狀且一體 形成的貼合基板母材P。在貼合基板母材形成工序中，包括TFT基板母材形成工序、相對(duì)基 板母材形成工序、和貼合工序。 上述TFT基板母材形成工序，如圖4所示，形成TFT基板10配置為矩陣狀且一體 形成的TFT基板母材50。 S卩，相對(duì)于具有多個(gè)形成例如矩形等的TFT基板10的區(qū)域(以 下，稱(chēng)為T(mén)FT基板區(qū)域)51的大塊玻璃基板的一個(gè)表面，在每個(gè)TFT基板區(qū)域51上形成開(kāi) 關(guān)層13、共用配線層18、平坦化層14、像素電極層15、共用轉(zhuǎn)移端子部20和端子部11后設(shè) 置取向膜21，由此分別將各TFT基板區(qū)域51形成為T(mén)FT基板10的結(jié)構(gòu)，形成TFT基板母材 50。此時(shí)，共用轉(zhuǎn)移端子部20，以在后面進(jìn)行的分割工序中不被分割的方式，在預(yù)計(jì)分割公 差(分割線Ll的偏離)的位置沿著分割線Ll形成。該TFT基板母材50中的各TFT基板 區(qū)域51，不通過(guò)端子部11、在相鄰的TFT基板區(qū)域51之間不設(shè)置間隔而鄰接。
在上述相對(duì)基板母材形成工序中，如圖5所示，形成相對(duì)基板40配置為矩陣狀一 體形成的相對(duì)基板母材52。 S卩，相對(duì)于具有多個(gè)形成例如矩形等的相對(duì)基板40的區(qū)域(以 下，稱(chēng)為相對(duì)基板區(qū)域)53的大塊玻璃基板的一個(gè)表面，在每個(gè)相對(duì)基板區(qū)域53上形成彩 色濾光片層42、黑矩陣層43和相對(duì)電極層44之后設(shè)置取向膜45，由此分別將各相對(duì)基板 區(qū)域53形成為相對(duì)基板40的結(jié)構(gòu)，形成相對(duì)基板母材52。 該相對(duì)基板母材52中的多個(gè)相對(duì)基板區(qū)域53，在之后形成貼合基板母材P時(shí)，從 貼合基板母材P的表面的法線方向看，配置為除了端子部11之外與各TFT基板區(qū)域51重 疊。即，在相對(duì)基板母材52中，在比各相對(duì)基板區(qū)域53的一邊更外側(cè)設(shè)置有分別與端子部 ll相對(duì)的區(qū)域。 多個(gè)相對(duì)基板區(qū)域53，不隔著分別與端子部11相對(duì)的相對(duì)母材52的區(qū)域、在相鄰 的相對(duì)基板區(qū)域53之間不設(shè)置間隔而鄰接配置為一列。即，相對(duì)基板母材52上，多個(gè)相對(duì) 基板區(qū)域53設(shè)置為在其寬度方向上作為整體的多個(gè)長(zhǎng)條狀。 在接著進(jìn)行的貼合工序中，通過(guò)多個(gè)框狀的密封部件30貼合TFT基板母材50和 相對(duì)基板母材52。首先，相對(duì)于相對(duì)基板母材52，在每個(gè)相對(duì)基板區(qū)域53上由分配器等供 給例如環(huán)氧類(lèi)樹(shù)脂或丙烯酸類(lèi)樹(shù)脂的未固化的密封部件30。密封部件30以矩形框狀供給 到各相對(duì)基板區(qū)域53的外緣部。此時(shí)，以使在該相對(duì)基板區(qū)域53不設(shè)置間隔、與鄰接的其他的相對(duì)基板區(qū)域53的密封部件30共有一個(gè)邊的方式一體供給相對(duì)基板區(qū)域53的密封 部件30。 接著，以規(guī)定量向相對(duì)基板母材52的各密封部件30的內(nèi)側(cè)滴下液晶材料。該液 晶材料的滴下，例如通過(guò)具有滴下液晶材料的功能的滴下裝置遍及相對(duì)基板母材52的整 體移動(dòng)并滴下液晶材料而進(jìn)行。該滴下裝置，例如具備填充有液晶材料的汽缸、壓出汽缸內(nèi) 的液晶材料的活塞、設(shè)置在汽缸前端的滴下噴嘴，通過(guò)活塞將汽缸內(nèi)的液晶材料壓出，從滴 下噴嘴滴下液晶材料。 接著，以各TFT基板區(qū)域51和各相對(duì)基板區(qū)域53分別隔著密封部件30相對(duì)的方 式，貼合TFT基板母材50和相對(duì)基板母材52，形成貼合基板母材P。 首先，使TFT基板母材50和相對(duì)基板母材52的設(shè)置有取向膜21、45的面相對(duì)。 接著，通過(guò)預(yù)先設(shè)置在TFT基板母材50和相對(duì)基板母材52的對(duì)角的用于進(jìn)行對(duì)位的對(duì)位 標(biāo)記(省略圖示)，將兩基板母材50、52的位置對(duì)齊。S卩，以相互非接觸狀態(tài)將兩基板母材 50、52進(jìn)行粗略的位置對(duì)齊后，以?xún)苫迥覆?0、52的相對(duì)面幾乎接觸的狀態(tài)進(jìn)行細(xì)微的 位置對(duì)齊，通過(guò)多個(gè)密封部件30將TFT基板母材50和相對(duì)基板母材52貼合。這樣的TFT 基板母材50和相對(duì)基板母材52的貼合，在例如真空室內(nèi)等的真空環(huán)境下進(jìn)行。
其后，使密封部件30固化。首先，對(duì)貼合基板母材P照射紫外線，由此使得密封部 件30臨時(shí)固化。接著，對(duì)貼合基板母材P實(shí)施加熱處理，使密封部件30正式固化。此時(shí)， TFT基板區(qū)域51和相對(duì)基板區(qū)域53之間由密封部件30包圍的區(qū)域?yàn)橐壕?1。
如圖6所示，如此，形成具有多個(gè)TFT基板區(qū)域51和相對(duì)基板區(qū)域53通過(guò)密封部 件30貼合的貼合基板區(qū)域55的貼合基板母材P。該貼合基板母材P中的液晶層31不隔著 端子部相鄰(圖6的左右方向相鄰)貼合的基板區(qū)域55，相互的密封部件30形成為一體。
在接著進(jìn)行的分割工序中，通過(guò)將貼合基板母材P和密封部件30 —起分割，形成 多個(gè)貼合基板35 。 S卩，在對(duì)密封部件30的寬度方向的大致中央進(jìn)行分割的同時(shí)將TFT基板 母材50和相對(duì)基板母材52分割。 在該分割工序中，通過(guò)例如具有旋轉(zhuǎn)刀刃的刀輪或激光等在分割線Ll、 L2分割貼 合基板母材P。此時(shí)，在分割線Ll，與密封部件30 —起分割TFT基板母材50和相對(duì)基板母 材52兩者，在分割線L2，在密封部件30的外側(cè)，僅分割相對(duì)基板母材52，除去與端子部11 相對(duì)的相對(duì)基板母材52，露出端子部11。如此，將密封部件30的三個(gè)邊30b、30c、30d形成 在TFT基板10的外緣。 其后，相對(duì)于各貼合基板35，在TFT基板10和相對(duì)基板40的與液晶層12相反側(cè) 的表面分別配置偏光板，然后，安裝背光源單元和液晶驅(qū)動(dòng)用IC等。如上所述，在密封部件 30上，分割在TFT基板母材50和相對(duì)基板母材52之間具備多個(gè)矩形框狀的密封部件30的 貼合基板母材P，形成密封部件30的三個(gè)邊30b、30c、30d形成在TFT基板10的外緣的貼合 基板35，制造液晶顯示裝置S。
-實(shí)施方式l的效果- 如上所述，本實(shí)施方式1，由于密封部件30的至少一邊形成在TFT基板10的外緣， 由此，在該密封部件30的至少一邊的外側(cè)不會(huì)形成邊框部B，因此能夠減小邊框部B的面 積。再者，能夠防止在密封部件30的至少一邊的外側(cè)露出共用轉(zhuǎn)移端子部20，因此能夠抑 制共用轉(zhuǎn)移端子部20受到來(lái)自外部的靜電影響。
除此之外，密封部件30的至少一邊定位于TFT基板10的外緣，密封部件30 —部分形成最小寬度wl，并且其他部分形成最大寬度w2，密封部件30的寬度即使在各處不同，共用轉(zhuǎn)移端子部20也能夠可靠接觸密封部件30，接觸導(dǎo)電性顆粒。由此，沒(méi)有必要形成比較大的共用轉(zhuǎn)移端子部20，能夠縮小共用轉(zhuǎn)移端子部20。 共用轉(zhuǎn)移端子部20沿著形成在TFT基板10的外緣的密封部件30的至少一部分形成，因此能夠減少在密封部件30的四角的內(nèi)側(cè)配置的共用轉(zhuǎn)移端子部20的面積，能夠確保用于形成各配線層的TFT基板10的區(qū)域。由此，沒(méi)有必要細(xì)線化各配線層，能夠降低各配線層的配線電阻，抑制向顯示部A的各像素的不良寫(xiě)入。其結(jié)果，能夠降低邊框部B相對(duì)于整個(gè)液晶顯示裝置S的比例，并且能夠提高顯示品質(zhì)。 再者，密封部件30的與端子部11側(cè)的一邊30a相對(duì)的一邊30b、和與該端子部11側(cè)的一邊30a垂直的兩邊10c、10d形成在TFT基板10的外緣，由此，這些密封部件30的三邊30b、30c、30d的更外側(cè)不會(huì)形成邊框部B，與僅有密封部件30的一邊或兩邊形成在TFT基板10的外緣的情況相比，能夠進(jìn)一步減少邊框部B的面積，進(jìn)一步減少邊框部B相對(duì)于整個(gè)液晶顯示裝置S的比例。
《發(fā)明的實(shí)施方式2》 圖7表示本發(fā)明實(shí)施方式2。此外，以下的各實(shí)施方式中，與圖1 圖6相同的部分標(biāo)注相同的符號(hào)，并省略其詳細(xì)說(shuō)明。圖7為概略性的表示本實(shí)施方式2的液晶顯示裝置S的平面圖。此外，圖7中，與圖1相同，省略相對(duì)基板40的圖示。 在上述實(shí)施方式1中，密封部件30中的除端子部11側(cè)的一邊30a之外的三個(gè)邊30b、30c、30d形成在TFT基板10的外緣，但在本實(shí)施方式2中，如圖7所示，僅密封部件30的相對(duì)于端子部11側(cè)的一邊30a垂直延伸的兩邊30c、30d形成在TFT基板10的外緣。
即，密封部件30，與端子部11側(cè)的一邊30a相對(duì)的一邊30b從TFT基板10的外緣設(shè)置間隔在內(nèi)側(cè)形成。而且，共用轉(zhuǎn)移端子部20沿著形成在TFT基板10的外緣的密封部件(圖7的密封部件30的左右兩側(cè)邊)30c、30d的整體形成。 該液晶顯示裝置S，通過(guò)在分割工序中，將貼合基板母材P在各貼合基板區(qū)域55中的密封部件30的與端子部11側(cè)的邊正交的兩邊(圖6的左右兩側(cè)邊)上分割并且在密封部件30的與端子部11側(cè)的邊相對(duì)的邊(圖6的上側(cè)邊)更外側(cè)分割，由此而形成。
_實(shí)施方式2的效果- 如上所述，根據(jù)該實(shí)施方式2，密封部件30的至少一邊形成在TFT基板10的外緣，共用轉(zhuǎn)移端子部20沿著形成在TFT基板10的外緣的密封部件30的至少一部分形成，因此，與上述實(shí)施方式1同樣，能夠降低邊框部B相對(duì)于整個(gè)液晶顯示裝置S的比例，并且能夠提高顯示品質(zhì)。 再者，密封部件30的與端子部11側(cè)的一邊垂直的兩邊30c、30d形成在TFT基板10的外緣，因此，與密封部件30僅有一邊形成在TFT基板10的外緣的情況相比，進(jìn)一步減少了邊框部B的面積，能夠進(jìn)一步減小邊框部B相對(duì)于整個(gè)液晶顯示裝置S的比例。
《發(fā)明的實(shí)施方式3》 圖8表示本發(fā)明的實(shí)施方式3。圖8是概略性的表示液晶顯示裝置S的平面圖。此外，圖8與圖1 一樣，省略相對(duì)基板40的圖示。 在上述實(shí)施方式1中，共用轉(zhuǎn)移端子部20沿著密封部件30的與端子部11側(cè)的一
11邊30b垂直的兩邊30c、30d的整體形成有一對(duì)，但是在本實(shí)施方式3中，如圖8所示，共用轉(zhuǎn)移端子部20沿著形成在TFT基板10的外緣的密封部件30的整體形成。
S卩，密封部件30，與上述實(shí)施方式1同樣，除端子部ll側(cè)的一邊(圖1的下側(cè)邊)30a之外的三個(gè)邊30b、30c、30d形成在TFT基板10的外緣。此外，共用轉(zhuǎn)移端子部20，沿著密封部件30的與端子部11側(cè)的一邊30a相對(duì)的1邊30b、和與端子部11側(cè)的一邊30a垂直的兩邊30c、30d的整體(即，密封部件30的除端子部11側(cè)的一邊30a之外的三個(gè)邊30b、30c、30d的整體)形成。
_實(shí)施方式3的效果- 如上所述，根據(jù)該實(shí)施方式3，密封部件30的至少一邊形成在TFT基板10的外緣，共用轉(zhuǎn)移端子部20沿著形成在TFT基板10的外緣的密封部件30的至少一部分形成的結(jié)果，能夠得到與上述實(shí)施方式1相同的效果。 再者，共用轉(zhuǎn)移端子部20沿著形成在TFT基板10的外緣的密封部件30的整體形成，由此，與僅沿著形成在TFT基板10的外緣的密封部件30的一部分形成的共用轉(zhuǎn)移端子部20的情況相比，能夠降低第二電極層44產(chǎn)生的電位差。其結(jié)果，能夠進(jìn)一步提高顯示品質(zhì)?！栋l(fā)明的實(shí)施方式4》 圖9表示本發(fā)明的實(shí)施方式4。圖9為概略性的表示液晶顯示裝置S的平面圖。此外，在圖9中，與圖l相同，省略相對(duì)基板40的圖示。 在上述實(shí)施方式3中，與上述實(shí)施方式1同樣，密封部件30的除端子部ll側(cè)的一邊30a之外的三個(gè)邊30b 、 30c 、 30d形成在TFT基板10的外緣，但在本實(shí)施方式4中，如圖9所示，僅密封部件30的與端子部11側(cè)的一邊30a垂直的兩邊30c、30d形成在TFT基板10的外緣。其他結(jié)構(gòu)與上述實(shí)施方式3相同。
_實(shí)施方式4的效果- 如上所述，根據(jù)該實(shí)施方式4，密封部件30的兩邊30c、30d形成在TFT基板10的外緣，共用轉(zhuǎn)移端子部20沿著形成在TFT基板10的外緣的密封部件30的整體、和密封部件30的與端子部11側(cè)的邊30a相對(duì)的邊30b形成，因此，能夠得到與上述實(shí)施方式1相同的效果，并且還能夠得到與上述實(shí)施方式2相同的能夠降低第二電極層產(chǎn)生的電位差，其結(jié)果，能夠進(jìn)一步提高顯示品質(zhì)。
《發(fā)明的實(shí)施方式5》 圖10表示本發(fā)明的實(shí)施方式5。圖IO為概略性的表示液晶顯示裝置S的平面圖。此外，在圖10中，與圖1相同，省略相對(duì)基板40的圖示。 在上述實(shí)施方式1中，共用轉(zhuǎn)移端子部20沿著密封部件30的與端子部ll側(cè)的一邊30a垂直的兩邊30c、30d的整體形成，但在本實(shí)施方式5中，共用轉(zhuǎn)移端子部20，如圖10所示，僅沿著密封部件30的與端子部11側(cè)的一邊30a垂直的兩邊30c、30d的一部分形成。
S卩，密封部件30，與上述實(shí)施方式1同樣，除端子部ll側(cè)的一邊(圖10的下側(cè)邊)30a之外的三個(gè)邊30b、30c、30d形成在TFT基板10的外緣。而且，共用轉(zhuǎn)移端子部20，在僅沿著密封部件30的與端子部11側(cè)的一邊30a垂直的2邊30c、30d各形成有一個(gè)，沿著除密封部件30的四角的一部分形成。 沿著密封部件30的一邊30c形成的共用轉(zhuǎn)移端子部20，以沿著源極驅(qū)動(dòng)器部16的全長(zhǎng)與源極驅(qū)動(dòng)器部16的長(zhǎng)度一致的方式形成，沿著密封部件30的一邊30d形成的共
用轉(zhuǎn)移端子部20，以與沿著密封部件30的一邊30c的共用轉(zhuǎn)移端子部20相同的長(zhǎng)度相互
相對(duì)的方式形成。 _實(shí)施方式5的效果- 如上所述，根據(jù)該實(shí)施方式5，密封部件30的至少一邊形成在TFT基板10的外緣，共用轉(zhuǎn)移端子部20沿著形成在TFT基板10的外緣的密封部件30的至少一部分形成，其結(jié)果，能夠得到與上述實(shí)施方式1相同的效果。 再者，共用轉(zhuǎn)移端子部20沿著密封部件30的除四角之外的一部分形成，因此配線層集中形成的端子部11側(cè)的密封部件30的角部的內(nèi)側(cè)沒(méi)有形成共用轉(zhuǎn)移端子部20。由此，能夠充分確保這些密封部件30的角部的內(nèi)側(cè)用于形成各配線層的TFT基板10的區(qū)域，其結(jié)果，能夠以充分的寬度形成各配線層，能夠進(jìn)一步提高顯示品質(zhì)。
《發(fā)明的實(shí)施方式6》 圖11表示本發(fā)明的實(shí)施方式6。圖11為概略性的表示液晶顯示裝置S的平面圖。此外，圖11中，與圖1相同，省略相對(duì)基板40的圖示。 在上述實(shí)施方式5中，密封部件30的除端子部11側(cè)的一邊30a之外的三個(gè)邊30b、30c、30d形成在TFT基板10的邊緣，但在本實(shí)施方式6中，如圖11所示，僅密封部件30的兩邊30c、30d形成在TFT基板10的外緣。其他結(jié)構(gòu)與上述實(shí)施方式5相同。
_實(shí)施方式6的效果- 如上所述，根據(jù)該實(shí)施方式6，密封部件30的至少一邊形成在TFT基板10的外緣，并且共用轉(zhuǎn)移端子部20沿著形成在TFT基板10的外緣的密封部件30的除端子部11側(cè)的角部之外的一部分形成，其結(jié)果，能夠得到與上述實(shí)施方式2相同的效果，除此以外，還能夠充分確保與上述實(shí)施方式5同樣的用于在密封部件30的角部的內(nèi)側(cè)形成配線層的TFT基板10的區(qū)域，其結(jié)果，能夠進(jìn)一步提高顯示品質(zhì)。
《發(fā)明的實(shí)施方式7》 圖12表示本發(fā)明的實(shí)施方式7。圖12為概略性的表示液晶顯示裝置S的平面圖。此外，圖12中，與圖1相同，省略相對(duì)基板40的圖示。 在上述實(shí)施方式5中，共用轉(zhuǎn)移端子部20，在密封部件30的兩邊30c、30d各形成有一個(gè)，但在本發(fā)明實(shí)施方式7中，如圖12所示，共用轉(zhuǎn)移端子部20在密封部件30的兩邊30c、30d分別形成有多個(gè)。 S卩，密封部件30，與上述實(shí)施方式l相同，除端子部ll側(cè)的一邊(圖12的下側(cè)邊)30a之外的三個(gè)邊30b、30c、30d形成在TFT基板10的外緣。而且，共用轉(zhuǎn)移端子部20僅形成在密封部件30的與端子部11側(cè)的一邊30a垂直的兩邊30c、30d。
沿著密封部件30的一邊30c的共用轉(zhuǎn)移端子部20沿著源極驅(qū)動(dòng)器部16的液晶顯示裝置S的縱方向(在圖12中為上下方向)的兩端部形成有2個(gè)。再者，以與這2個(gè)共用轉(zhuǎn)移端子部20相對(duì)的方式，其他的兩個(gè)共用轉(zhuǎn)移端子部20沿著密封部件30的一邊30d分別形成。這2個(gè)共用轉(zhuǎn)移端子部20沿著密封部件30的除端子部11側(cè)的角部之外的該密封部件30的一部分形成。
_實(shí)施方式7的效果- 如上所述，根據(jù)該實(shí)施方式7，密封部件30的3邊30b、30c、30d形成在TFT基板10的外緣，共用轉(zhuǎn)移端子部20沿著形成在TFT基板10的外緣的密封部件30的一部分形成，并且共用轉(zhuǎn)移端子部20沿著密封部件30的除端子部11側(cè)的角部之外的該密封部件30的一部分形成，其結(jié)果，能夠得到與上述實(shí)施方式5相同的效果。
《發(fā)明的實(shí)施方式8》 圖13表示本發(fā)明的實(shí)施方式8。圖13為概略性的表示液晶顯示裝置S的平面圖。此外，圖13中，與圖1相同，省略相對(duì)基板40的圖示。 上述實(shí)施方式7中，密封部件30，與上述實(shí)施方式1同樣，除端子部ll側(cè)的邊30a之外的三邊30b、30c、30d形成在TFT基板10的外緣，但在本實(shí)施方式8中，如圖13所示，僅密封部件30的兩邊30c、30d形成在TFT基板10的外緣。其他結(jié)構(gòu)與上述實(shí)施方式7同樣。 _實(shí)施方式8的效果- 如上所述，根據(jù)該實(shí)施方式8，密封部件30的兩邊30c、30d形成在TFT基板10的外緣，共用轉(zhuǎn)移端子部20沿著形成在TFT基板10的外緣的密封部件30的一部分形成，并且共用轉(zhuǎn)移端子部20沿著密封部件30的除端子部11側(cè)的角部之外的該密封部件30的一部分形成，其結(jié)果，能夠得到與上述實(shí)施方式6相同的效果。
《發(fā)明的實(shí)施方式9》 圖14表示本發(fā)明的實(shí)施方式9。圖14為概略性的表示液晶顯示裝置S的平面圖。此外，圖14中，與圖1相同，省略相對(duì)基板40的圖示。 上述實(shí)施方式7中，僅沿著密封部件30的與端子部11側(cè)的一邊30a垂直的2邊30c、30d形成，但是在本實(shí)施方式9中，如圖14所示，沿著密封部件30的除端子部11側(cè)的一邊30a之外的三個(gè)邊30b、30c、30d的一部分分別形成。 S卩，密封部件30，與上述實(shí)施方式1同樣，除端子部ll側(cè)的一邊(圖14的下側(cè)邊)30a之外的三個(gè)邊30b、30c、30d形成在TFT基板10的外緣。而且，共用轉(zhuǎn)移端子部20也沿著密封部件30的與端子部11側(cè)的一邊30a相對(duì)的一邊30b的一部分形成。該共用轉(zhuǎn)移端子部20，沿著密封部件30的一邊30b的兩側(cè)(圖14的左右兩側(cè))端部的一部分形成有2個(gè)。由此，共用轉(zhuǎn)移端子部20沿著密封部件30的除端子部11側(cè)的角部之外的該密封部件30的一部分形成。其他結(jié)構(gòu)與上述實(shí)施方式7相同。
_實(shí)施方式9的效果- 如上所述，根據(jù)該實(shí)施方式9，密封部件30的3邊30b、30c、30d形成在TFT基板10的外緣，共用轉(zhuǎn)移端子部20沿著形成在TFT基板10的外緣的密封部件30的一部分形成，且共用轉(zhuǎn)移端子部20沿著密封部件30的除端子部11側(cè)的角部之外的該密封部件30的一部分形成，其結(jié)果，能夠得到與上述實(shí)施方式5相同的效果。
《發(fā)明的實(shí)施方式10》 圖15表示本發(fā)明的實(shí)施方式10。圖15為概略性的表示液晶顯示裝置S的平面圖。此外，圖15中，與圖1相同，省略相對(duì)基板40的圖示。 上述實(shí)施方式9，密封部件30的除端子部ll側(cè)的一邊30a之外的三個(gè)邊30b、30c、30d形成在TFT基板10的外緣，但在本實(shí)施方式10中，如圖15所示，僅密封部件30的兩邊30c、30d形成在TFT基板10的外緣。其他結(jié)構(gòu)與上述實(shí)施方式9相同。
-實(shí)施方式10的效果-
如上所述，根據(jù)該實(shí)施方式10，密封部件30的兩邊30c、30d形成在TFT基板10的外緣，共用轉(zhuǎn)移端子部20沿著形成在TFT基板10的外緣的密封部件30的一部分形成，且共用轉(zhuǎn)移端子部20沿著密封部件30的除了端子部11側(cè)的角部之外的該密封部件30的一部分形成，其結(jié)果，能夠得到與上述實(shí)施方式6相同的效果。
《發(fā)明的實(shí)施方式ll》 圖16表示本發(fā)明的實(shí)施方式11。圖16為概略性的表示液晶顯示裝置S的平面圖。此外，圖16中，與圖1相同，省略相對(duì)基板40的圖示。 本實(shí)施方式11，如圖16所示，在TFT基板10的密封部件30的端子部11的相反側(cè)的角部的內(nèi)側(cè)形成有共用轉(zhuǎn)移端子部20。 密封部件30，與上述實(shí)施方式1同樣，除端子部11側(cè)的一邊(圖16的下側(cè)邊)30a之外的三個(gè)邊30b、30c、30d形成在TFT基板10的外緣。并且，共用轉(zhuǎn)移端子部20，沿著源極驅(qū)動(dòng)器部16的端子部11側(cè)的端部形成，除此之外，在TFT基板10的密封部件30的端子部11側(cè)的相反側(cè)的兩角的內(nèi)側(cè)，也沿著密封部件30分別形成為大致" < "字狀。
-實(shí)施方式ll的效果- 如上所述，根據(jù)該實(shí)施方式ll，密封部件30的三邊30b、30c、30d形成在TFT基板10的外緣，共用轉(zhuǎn)移端子部20沿著形成在TFT基板10的外緣的密封部件30的一部分形成，并且共用轉(zhuǎn)移端子部20沿著密封部件30的除端子部11側(cè)的角部之外的該密封部件30的一部分形成，其結(jié)果，能夠得到與上述實(shí)施方式5相同的效果。
《發(fā)明的實(shí)施方式12》 圖17表示本發(fā)明的實(shí)施方式12。圖17為概略性的表示液晶顯示裝置S的平面圖。此外，圖17中，與圖1相同，省略相對(duì)基板40的圖示。 上述實(shí)施方式11中，密封部件30的除端子部11側(cè)的一邊30a之外的三個(gè)邊30b、30c、30d形成在TFT基板10的外緣，但本實(shí)施方式12，如圖17所示，僅密封部件30的兩邊30c、30d形成在TFT基板10的外緣。其他結(jié)構(gòu)與上述實(shí)施方式11相同。
_實(shí)施方式12的效果- 如上所述，根據(jù)該實(shí)施方式12，密封部件30的兩邊30c、30d形成在TFT基板10的外緣，共用轉(zhuǎn)移端子部20沿著形成在TFT基板10的外緣的密封部件30的一部分形成，并且共用轉(zhuǎn)移端子部20沿著密封部件30的除端子部11側(cè)的角部之外的該密封部件30的一部分形成，其結(jié)果，能夠得到與上述實(shí)施方式6相同的效果。
《發(fā)明的實(shí)施方式13》 圖18表示本發(fā)明的實(shí)施方式13。圖18為概略性的表示液晶顯示裝置S的平面圖。此外，圖18中，與圖1相同，省略相對(duì)基板40的圖示。 上述實(shí)施方式5中，共用轉(zhuǎn)移端子部20沿著密封部件30的兩邊30c、30d的一部分形成，但本實(shí)施方式13中，如圖18所示，共用轉(zhuǎn)移端子部20，僅沿著密封部件30的與端子部11側(cè)的一邊30a垂直的一邊(圖18的左邊)30c的一部分形成。
_實(shí)施方式13的效果- 如上所述，根據(jù)該實(shí)施方式13，密封部件30的3邊30b、30c、30d形成在TFT基板10的外緣，共用轉(zhuǎn)移端子部20沿著形成在TFT基板10的外緣的密封部件30的一部分形成，并且共用轉(zhuǎn)移端子部20沿著密封部件30的除端子部11側(cè)的角部之外的該密封部件30的一部分形成，其結(jié)果，能夠得到與上述實(shí)施方式5相同的效果。
《發(fā)明的實(shí)施方式14》 圖19表示本發(fā)明的實(shí)施方式14。圖19為概略性的表示液晶顯示裝置S的平面圖。此外，圖19中，與圖1相同，省略相對(duì)基板40的圖示。 上述實(shí)施方式13中，密封部件30的除端子部ll側(cè)的130a之外的三個(gè)邊30b、30c、30d形成在TFT基板10的外緣，在本實(shí)施方式12中，如圖19所示，僅密封部件30的兩邊30c、30d形成在TFT基板10的外緣。其他結(jié)構(gòu)與上述實(shí)施方式13相同。
_實(shí)施方式14的效果- 如上所述，根據(jù)該實(shí)施方式14，密封部件30的2邊30c、30d形成在TFT基板10的外緣，共用轉(zhuǎn)移端子部20沿著形成在TFT基板10的外緣的密封部件30的一部分形成，并且共用轉(zhuǎn)移端子部20沿著密封部件30的除端子部11側(cè)的角部之外的該密封部件30的一部分形成，其結(jié)果，能夠得到與上述實(shí)施方式6相同的效果。
《其他實(shí)施方式》 上述實(shí)施方式1 實(shí)施方式14中，密封部件30的2邊30c、30d或3邊30b、30c、30d形成在TFT基板10的外緣，但是本發(fā)明并不限于此，僅密封部件30的一邊形成在TFT基板10的外緣也可以，密封部件30的至少一邊形成TFF基板10的外緣即可。
產(chǎn)業(yè)上的可利用性 如上說(shuō)明，本發(fā)明作為液晶顯示裝置有用，特別是適用于能夠降低邊框部相對(duì)于整個(gè)液晶顯示裝置的比例，并且能夠提高顯示品質(zhì)的情況。
權(quán)利要求
一種液晶顯示裝置，其包括矩形的第一基板；與所述第一基板相對(duì)配置的矩形的第二基板；在所述第一基板和所述第二基板之間由包含導(dǎo)電性顆粒的矩形框狀的密封部件密封的液晶層；在所述第一基板的所述密封部件的外側(cè)形成、用于向所述液晶層施加電壓的端子部；在所述第一基板的所述密封部件的內(nèi)側(cè)的表面形成、并且與所述端子部電連接的第一電極層；與所述端子部電連接、并且與所述導(dǎo)電性顆粒接觸的共用轉(zhuǎn)移端子部；和，在所述第二基板形成、與所述第一電極層相對(duì)配置、并且通過(guò)所述導(dǎo)電性顆粒和所述共用轉(zhuǎn)移端子部與所述端子部電連接的第二電極層，所述第一基板的所述密封部件的四角的至少一個(gè)的內(nèi)側(cè)形成有配線層，所述液晶顯示裝置的特征在于所述密封部件的至少一邊形成在所述第一基板的外緣，所述共用轉(zhuǎn)移端子部，沿著形成在所述第一基板的外緣的所述密封部件的至少一部分形成。
2. 如權(quán)利要求l所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述密封部件的相對(duì)于所述端子部側(cè)的一邊垂直延伸的兩邊形成在所述第一基板的 外緣。
3. 如權(quán)利要求l所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述密封部件的與所述端子部側(cè)的一邊相對(duì)的一邊、和相對(duì)于所述端子部側(cè)的一邊垂 直延伸的2邊，形成在所述第一基板的外緣。
4. 如權(quán)利要求l所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述共用轉(zhuǎn)移端子部，沿著形成在所述第一基板的外緣的所述密封部件的整體形成。
5. 如權(quán)利要求l所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述共用轉(zhuǎn)移端子部，沿著除所述密封部件的所述端子部側(cè)的角部之外的該密封部件 的至少一部分形成。
全文摘要
本發(fā)明涉及液晶顯示裝置。密封部件的至少一邊形成在第一基板的外緣，共用轉(zhuǎn)移端子部沿著形成在第一基板的外緣的密封部件的至少一部分形成。
文檔編號(hào)G02F1/1345GK101743511SQ200880024569
公開(kāi)日2010年6月16日 申請(qǐng)日期2008年4月4日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月27日
發(fā)明者中島睦, 大橋范之, 安藤晶一, 石黑謙一 申請(qǐng)人:夏普株式會(huì)社