專利名稱：光學薄膜、圖像顯示裝置、二炔基芴及其聚合物的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及光學薄膜、圖像顯示裝置、可以作為該光學薄 膜的形成材料使用的二炔基藥及其聚合物。
背景技術：
相位差板是為了實現(xiàn)例如液晶顯示裝置的廣視角化等而使 用的光學薄膜。相位差板的相位差值依賴于波長。該相位差值
的波長色散大致可分為3種。第l種是相位差值在波長越短側越 顯示大的波長色散的相位差板(下文中稱為"正色散")，第2種是 相位差值從短波長側到長波長側顯示幾乎不變的波長色散(下 文中稱作"平坦色散，，)的相位差板，第3種是相位差值在波長越 短側顯示越小的波長色散(下文中稱為"逆色散")的相位差板。
而且，正色散和逆色散的相位差值對波長的依賴性大，平 坦色散(dispersion-flattened )的相位差<直對波長的依賴性小。
以往作為顯示平坦色散的相位差板，已知有將降冰片烯系 樹脂成膜并拉伸而成的降冰片烯系薄膜(例如，JSR林式會社制， 商品名"7 —卜> 7 4 A厶")。但降冰片烯系薄膜厚度為 60 80pm左右，所以較厚。因此，具有該光學薄膜的液晶顯示 裝置變得較厚且重。
另一方面，已知含有聚酰亞胺的相位差板可以通過在基材 上涂布含有聚酰亞胺的溶液來形成，并顯示規(guī)定的相位差值(專 利文獻l)。如果由涂布來形成，則可以得到較薄的相位差板。 但由聚酰亞胺形成的相位差板通常顯示正色散(即不能成為平 坦色散)。
另外，相位差板的厚度方向的相位差值可以根據(jù)"Anxzx厚
6度，，求出。因此，Anxz大的相位差板，即使較薄，也具有期望 的相位差值。因此，人們追求Anxz大的薄膜。
專利文獻l:日本專利申5青7>表2000-511296號7>凈良

發(fā)明內容
發(fā)明要解決的問題
本發(fā)明的目的在于提供顯示理想的相位差值的波長色散， 進而可以較薄的形成的光學薄膜，以及使用該光學薄膜的圖像 顯示裝置。
另外，本發(fā)明的另外目的在于提供作為上述光學薄膜的形 成材料的理想的二炔基芴。 用于解決問題的方案
作為液晶顯示裝置的液晶單元，VA (垂直陣列)模式的液晶 單元廣泛普及。本發(fā)明人等詳細調查了該VA模式的液晶單元的 相位差值的波長色散。結果判明，近年來顯示平坦色散的VA模 式液晶單元逐漸增多。因此，用于補償該液晶單元的相位差板 優(yōu)選使用顯示平坦色散的相位差板。進而從尋求使液晶顯示裝 置輕量化的觀點來看，優(yōu)選較薄的相位差板。但如上所述，以 往的相位差板有長有短的。因此，本發(fā)明人對各種材料進行了 深入研究，結果發(fā)現(xiàn)，通過使用特定的聚合物可以實現(xiàn)上述目 的。
本發(fā)明提供了 一種光學薄膜，含有具有下述通式(l)所示的 重復單元的聚合物。 [化學式l]<formula>formula see original document page 8</formula>
上述式(I)中，A、 A，、 B和B，分別表示耳又代基，a和a，表 示對應的A和A，的耳又代數(shù)(0 3的整凄t), b和b，表示對應的B 和B，的取代數(shù)(0 3的整數(shù))，A、 A，、 B和B，分別獨立地表示 卣素或碳原子數(shù)1 4的烷基，R1和R"分別獨立地表示選自由 氫、卣素、碳原子數(shù)1 10的烷基、取代或無取代的芳基、取 代或無取代的乙烯基、取代或無取代的乙炔基、SiR3R4R5基 (R3 R5分別獨立地表示碳原子數(shù)1 6的烷基或芳基)、和 CRSR7(OH)基(R6和R"分別獨立地表示碳原子數(shù)1~4的烷基)所 組成的組中的原子或基團，X表示-CRSr(RS表示氫、碳原子數(shù) 1 4的烷基、全氟基、或者取代或無取代的芳基)、-SiR92-(R9 表示氫、碳原子數(shù)1 4的烷基、或者取代或無取代的芳基)、-0-、 -NR1()-(R1Q表示氫、碳原子數(shù)1 4的烷基、或者取代或無取代 的芳基)、-CO-、或-SOr。
式(I)所示的重復單元，主鏈部分的2個苯環(huán)通過2價結合基 X結合。因此，導入有該重復單元的聚合物的主鏈的剛性高。 由該聚合物制得的光學薄膜，Anxz較大。因此，即使較薄，該 光學薄膜也具有期望的相位差值。
進而，具有上述式(I)所示的重復單元的聚合物，芴骨架的 共軛體系通過三鍵(炔基)延伸，并且藥骨架在相對于主鏈延伸 的方向以基本垂直的方向取向。因此，含有該聚合物的光學薄 膜，其相位差值的波長色散接近于平坦色散。本發(fā)明的優(yōu)選光學薄膜，波長550nm時的雙折射率Anxz為 0.005 0.070,
其中，Anxz=nx - nz 。
nx表示薄膜面內的折射率為最大的 方向(X軸方向)的折射率，nz表示薄膜的厚度方向的折射率。 本發(fā)明的其他優(yōu)選光學薄膜顯示Rth(450)/Rth(550) <1.06。 本發(fā)明的其他優(yōu)選光學薄膜顯示Rth(650)/Rth(550)^0.95, 上述Rth(450)、 Rth(550)和Rth(650)表示波長450 nm 、 波長 550nm和波長650nm時的厚度方向的相^立差Y直。
另外，本發(fā)明的其他優(yōu)選光學薄膜，上述聚合物是聚酯系 聚合物。
另外，本發(fā)明提供了具有上述光學薄膜的圖像顯示裝置。 進而，本發(fā)明還提供了下述通式(X)所示的二炔基芴， [化學式2]
Aa A，a'
上述式(X)中，A、 A，、 B和B，分別表示取代基，a和a，表 示對應的A和A，的耳又代數(shù)(0 3的整數(shù))，b和b'表示對應的B 和B，的取代數(shù)(0 3的整數(shù))，A、 A，、 B和B，分別獨立地表示 卣素或碳原子數(shù)1 4的烷基。D和D，分別獨立地表示OH基、 NHR基(R表示氬或碳原子數(shù)1~4的烷基)、COOH基、或NCO 基，R1和R"分別獨立地表示選自由氫、囟素、碳原子數(shù)1 10 的烷基、取代或無取代的芳基、取代或無取代的乙烯基、取代 或無取代的乙炔基、SiRSR"RS基(R^ RS分別獨立地表示碳原子數(shù)1 6的烷基或芳基)、和CRSr/(OH)基(RS和R7分別獨立地表 示碳原子數(shù)1 4的烷基)所組成的組中的原子或基團，X表示 - 182-(118表示氫、碳原子數(shù)1 4的烷基、全氟基、或者取代或 無取代的芳基)、-811192-(119表示氫、碳原子數(shù)1 4的烷基、或 者取代或無取代的芳基)、-O-、 -NR1G-(R1Q表示氬、碳原子數(shù) 1 4的烷基、或者取代或無取代的芳基)、-CO-、或-SOr。
另外，本發(fā)明提供了一種聚合物，其以上述的二炔基芴作 為重復單元。
本發(fā)明的光學薄膜顯示平坦色散。因此，本發(fā)明的光學薄 膜作為例如用于補償VA模式的液晶單元的相位差板適合。進 而，本發(fā)明的光學薄膜，Anxz較大。因此，本發(fā)明的光學薄膜 即使厚度較薄，也具有期望的厚度方向的相位差值。
具有該光學薄膜的圖像顯示裝置視角特性優(yōu)異，薄且輕。 進而，本發(fā)明的二炔基芴，由于主鏈部分的兩個苯環(huán)結合 (該苯環(huán)是式中被"X"連接的2個苯環(huán))，所以主鏈的剛性和直線 性高。該二炔基藥導入到例如適當?shù)木酆衔镏惺褂?。導入有?性且直線性高的二炔基芴的本發(fā)明的聚合物，通過將其制膜， 可以形成顯示平坦色散且較薄的光學薄膜。
具體實施例方式
本說明書中的主要用語含義如下。
"nx"表示薄膜面內的折射率為最大的方向(X軸方向)的折 射率，"ny"表示薄膜面內的與X軸方向垂直方向(Y軸方向)的 折射率，"nz"表示與X軸和Y軸垂直方向(薄膜的厚度方向)的 4斤4于率。其中，nx>ny。
"Anxz"表示25°C、波長(X)nm時薄膜的厚度方向的雙折射 率。Arixz由Anxz二nx-nz求得。"面內的相位差值(Re ( 0"是指25。C、波長(X)nm時薄膜的 面內的相位差值。在將薄膜厚度記作d(nm)時，Re(X)可以通過 Re (X)=(nx-ny)xd求得。
"厚度方向的相位差值(Rth (X)"是指25°C、波長(人)nm時薄 膜的厚度方向的相位差值。在將薄膜厚度記作d(nm)時，Rth (人) 可以通過Rth (X)=(nx-nz)xd求得。
"聚合物"包括聚合度(在該聚合物含有多種重復單元時，是 各單元的總計聚合度)20以上的高聚合物，進而還包括聚合度 為2以上，且小于20的低聚合物(也稱作"低聚物")。
本發(fā)明人等發(fā)現(xiàn)，由具有下述通式(I)所示的重復單元的聚 合物制成的薄膜在波長450 750nm的可見光區(qū)域相位差值的波 長色散接近于平坦色散，并且Anxz較大。本發(fā)明專門利用了該 聚合物的性質，提供了顯示平坦色散(即，相位差值對波長的依 賴性小)且薄的光學薄膜。
Aa A,a'
(I)
上式(I)中，A、 A，、 B和B，分別表示取代基，a和a，表示 對應的A和A，的耳又代數(shù)，b和b'表示對應的B和B'的耳又代數(shù)。 上述a和a，表示0 3的整凄t, b和b，表示表示0 3的整凄史。
A、 A，、 B和B，分別獨立地表示卣素或碳原子數(shù)1~4的烷 基。R1和112分別獨立地表示選自由氫、鹵素、碳原子數(shù)1 10
ii的烷基、取代或無取代的芳基、取代或無取代的乙烯基、取代
或無取代的乙炔基、SiR^R"RS基、和CR^R7(OH)基所組成的組 中的基團。上述R3 、 R4和R5分別獨立地表示碳原子數(shù)1~6 的烷基或芳基。上述116和R7分別獨立地表示碳原子數(shù)1 4的烷基。
式(I)中的X表示-CR82-、 -SiR92-、 -O畫、-NR10-、 -CO-、或 -S02-。上述RS表示氫、碳原子數(shù)1 4的烷基、全氟基、或者 取代或無取代的芳基。上述W表示氫、碳原子數(shù)1 4的烷基、 或者取代或無取代的芳基。上述R"表示氫、碳原子數(shù)1 4的 烷基或者取代或無取代的芳基。
上述式(I)所示的重復單元中，優(yōu)選下述式(II)所示的重復單元。
<formula>formula see original document page 12</formula>在式(II)中，A、 A，、 B、 B，、 a、 a，、 b、 b， 、 R1 、 R 和X
與式co相同。
式(I)和式(II)的A、 A，、 B和B，對光學薄膜的波長色散性沒 有特別影響。因此，所述具有A、 A，、 B和B，為卣素或碳原子數(shù) 1 4的烷基的重復單元的聚合物可以形成顯示平坦色散的光學薄膜。
優(yōu)選上述A和A，的至少 一 者是碳原子數(shù)1 4的烷基(優(yōu)選為甲基)，且其取代數(shù)為1或2(3=1 2,和3， = 1 2)。具有該重復單元 的聚合物透明性優(yōu)異，且溶劑溶解性優(yōu)異。
更優(yōu)選式(I)和式(II)的A和A，是無取代(a:O,且a，^0)。進而 優(yōu)選式(I)和式(II)的B和B，是無取代(>=0,且b，-O)。
此外，式(I)和式(II)的X優(yōu)選為-O-、 -CO-、或-S02-，進而 優(yōu)選上述X是-O-。
具有上述式(I)或式(II)所示的重復單元的聚合物，主鏈部的 2個苯環(huán)通過2價的結合基X結合。因此，該聚合物主鏈的直線 性和剛性高。由此，該聚合物制成的薄膜具有較大的Anxz。
式(I)和式(II)的R1和112分別獨立地表示氫、碳原子數(shù)1 ~6的 烷基、三甲基硅基或C(CH3)2(OH)基。特別是更優(yōu)選式(I)和式(II) 的R1和R2分別獨立地表示碳原子數(shù)1 6的烷基、三甲基硅基或 C(CH3)2(OH)基。
具有上述式(I)或式(II)所示的重復單元的聚合物，芴骨架的 共軛體系通過三鍵(炔基)延伸，并且藥骨架相對于主鏈延伸的 方向以基本垂直的方向取向。因此，該聚合物在具有上述重復 單元的部位的相位差值的波長色散性大。因此往往是導入越多 的式(I)或式(II)所示的重復單元，所得薄膜的相位差值的波長色 散就逐漸從平坦色散變?yōu)槟嫔ⅰ?br> 上述式(I)或式(II)所示的重復單元的導入量沒有特殊限定， 只要在聚合物總體中含有1摩爾％以上即可。尤其是，如上所述， 往往導入越多的式(I)或式(II)的重復單元，所得的光學薄膜就會 越加呈現(xiàn)逆色散。因此，優(yōu)選含有聚合物總體的5摩爾％以上、 進而優(yōu)選含有10摩爾％以上、特別優(yōu)選含有12.5摩爾％以上的式 (I)或式(II)所示的重復單元。
另 一方面，如果式(I)或式(II)所示的重復單元的導入量過 多，則可能得不到耐熱性、透明性等優(yōu)異的光學薄膜?；谶@樣的原因，式(I)或式(II)的重復單元的導入量的上限優(yōu)選為聚合 物總體的90摩爾％，更優(yōu)選為60摩爾％,特別優(yōu)選為40摩爾％。
上述式(I)或式(II)的重復單元作為適當合適的聚合物的結 構單元被導入。優(yōu)選向可以構成成膜后顯示正色散的薄膜的聚 合物(下面有時將該聚合物稱作"正色散聚合物")中導入上述式 (I)或式(II)的重復單元。在該正色散聚合物中導入上述式(I)或 式(II)的重復單元而成的本發(fā)明的聚合物，可以形成在成膜后顯 示平坦色散的光學薄膜。
另外，式(I)或式(II)的重復單元的排列可以是無規(guī)的，也可 以是嵌段的。
作為上述正色散聚合物可以列舉出聚酯系聚合物、聚酰亞 胺系聚合物、聚酰胺系聚合物、聚酰胺酰亞胺系聚合物等。其 中，本發(fā)明的聚合物優(yōu)選為在聚酯系聚合物中導入上述式(I)或 式(II)所示的重復單元而成的聚合物。這是由于該聚合物制成的 薄膜耐熱性優(yōu)異、雙折射率較高、可以通過涂布法形成的緣故。
下文中，在特指在聚酯系聚合物中導入式(I)或式(II)所示的 重復單元而成的聚合物時，將該聚合物稱作"導入有芴的聚酯聚 合物)。
上述聚酯系聚合物，只要是主鏈具有酯鍵就沒有特殊限定。 作為聚酯系聚合物，由于直線性和剛性優(yōu)異，所以優(yōu)選芳香族 聚酯系聚合物。
作為該芳香族聚酯系聚合物，可以列舉出具有下述通式(III) 所示的重復單元的聚合物。<formula>formula see original document page 14</formula>(m)
上述式(III)中，Ar表示芳香環(huán)。式(III)中，Ar是例如選自下組式(IV)所示的芳香環(huán)組中的 一 種芳香環(huán)。
(IV)
上組式(IV)中，G分別獨立地表示氫原子、囟素、碳原子 數(shù)1 4的烷基或苯基，gl g3表示其取代數(shù)。gl表示0 4的整 數(shù)，g2表示0 3的整數(shù)，g3表示0 2的整數(shù)。(IV)組式的R 表示氬原子、或取代基(作為該取代基優(yōu)選為閨素、或碳原子數(shù) 1 4的烷基)。
式(III)的Ar優(yōu)選為下組式(IV，)所示的單一的芳香環(huán)中的任 一個。(IV，)組式的G和gl與(IV)組式相同。將(IV，)組式所示的 左側的芳香環(huán)稱作"對位取代體"，將右側的芳香環(huán)稱作"間位取 代體"。
另外，式(III)的Ar優(yōu)選為(IV)組式或(IV，)組式所示的G是氫 原子(無取代)的芳香環(huán)。另外，在G是取代基的情況中，優(yōu)選其 取代數(shù)為1 2。
15<formula>formula see original document page 16</formula>
在本發(fā)明的一個實施方式中，上述聚酯系聚合物更優(yōu)選在
分子結構中分別具有式(III)的A r是對位取代體的重復單元、和 式(III)的A r是間位取代體的重復單元。該聚合物通過導入對位 取代體而Anxz變高，且通過導入間位取代體而溶劑溶解性優(yōu)
開°
另外，在本發(fā)明的另一實施方式中，上述聚酯系聚合物更
優(yōu)選具有式(III)的A r僅由對位取代體構成的重復單元。
優(yōu)選上述聚酯系聚合物還含有下述通式(V)所示的重復單元。<formula>formula see original document page 16</formula>
式(V)中，Y表示共價鍵、或選自由CH2基、C(CH3)2基、 C(CZ3)2基(這里，Z表示鹵素)、CO基、氧原子、硫原子、S02 基、Si(CH2CH3)2基、和N(CH3)基所組成的組中的原子或基團。 E和H是取代基，e表示E的取代數(shù)(0 4的整數(shù))，h表示H的 取代數(shù)(0 4的整數(shù))。E和H分別獨立地表示選自由氳、鹵素、 烷基、取代烷基、硝基、氰基、硫代烷基、烷氧基、芳基、取 代芳基、烷基酯基、和取代烷基酯基所組成的組中的原子或基 團，在多個時分別相同或不同。ql表示0 3的整數(shù)，q2表示 1 3的整數(shù)。作為卣素，可以列舉出例如氟、氯、溴、和碘。作為取代烷基，可以列舉出例如卣代烷基。另外作為取代芳基, 可以列舉出例如卣代芳基。
特別是，優(yōu)選式(V)的Y是共價鍵，且ql、 q2、 e和h是l的 重復單元。該重復單元以下述式(VI)表示。 [化學式9]
(VI)
式(VI)中，E和H分別獨立地表示選自由氫、鹵素、烷基、 取代烷基、硝基、氰基、硫代烷基、烷氧基、芳基、取代芳基、 烷基酯基、和取代烷基酯基所組成的組中的原子或基團。優(yōu)選 E和H是氫原子以外的原子或基團，更優(yōu)選E和H是囟代烷基 (CFs等)等碳原子數(shù)1 4的取代烷基、或CH3等碳原子數(shù)1 4 的烷基。
本發(fā)明的導入有芴的聚酯聚合物是具有上述式(l)和/或式
(n)的重復單元、和上述式(m)的重復單元的聚合物。其中，本 發(fā)明的導入有芴的聚酯聚合物優(yōu)選具有下述通式(vn)或通式
(VIII)所示的重復單元。
(VII)
l化學式ll]
17<formula>formula see original document page 18</formula>(VDI)
在式(VII)和式(VIII)中，A、 a、 A，、 a，、 B、 b、 B，、 b，、 R1、 112和X與上述式(I)相同。另夕卜，Ar1和A一分別獨立地表 示選自上述(IV)組式或(IV，)組式所示的芳香環(huán)組中的芳香環(huán)。 在式(VII)和式(VIII)中，E、 e、 H、 h、 Y、 ql和q2與上述式(V) 相同。m表示l 90摩爾。/0, 11表示10 90摩爾％。其中，在設 定聚合物總體為100時，m+nSlOO摩爾0/0。
式(Vn)和式(VIII)的A和A，優(yōu)選為無取代(a二O， JLa，=0)。在 上述A和A，具有取代基時，優(yōu)選A和A，的至少 一者是碳原子數(shù)為 1 4的烷基(優(yōu)選為曱基)，其取代數(shù)為1或2(&=1~2,且a，4 2)。
另外，式(VII)和式(VIII)的B和B，優(yōu)選為無取代(b二O，且 b,=0)。
進而，式(VII)和式(VIII)的X優(yōu)選為-O-、 -CO-、或-S02-,
更優(yōu)選X是-o-。
另外，式(VII)和式(VIII)的R1、和112優(yōu)選分別獨立為氫、 碳原子數(shù)1 6的烷基、三曱基硅基或C(CH3)2(OH)基。特別是 R1和R2更優(yōu)選是碳原子數(shù)1 6的烷基、三甲基硅基或 C(CH3)2(OH)基。
進而，式(VII)和式(VIII)的Ar1和A一優(yōu)選分別獨立地表示 (IV')組式所示的對位取代體或間位取代體。特別是，更優(yōu)選該 (IV ，)組式所示的G是氬原子(無取代)的對位取代體或間位取代 體。
導入僅具有對位取代體的芴的聚酯聚合物以下述式(XI)表
示。導入具有對位取代體和間位取代體的芴的聚酯聚合物以下述式(XII)表示。 f:化學式12〗
(XI)
?；?。-。餘M卄?；?
，。-。禍,絲卄?；?br> (xn)
在式(VI)和式(VII)中，A、 a、 A，、 a，、 B、 b、 B，、 b， 、 R1、 R 和X與上述式(VII)相同。E、 e、 H、 h、 Y、 ql和q2與上述式 (V)相同。G和gl與上述(IV，)組式相同。式(XI)的m表示1~90摩 爾％, n表示10 90摩爾。/。。其中，在設定聚合物總體為IOO時， 50摩爾o/oSm+r^l00摩爾0/()。另夕卜，式(XII)的l表示1 ~30摩爾％， m表示l 30摩爾0/。， n表示l 30摩爾。/。， 0表示1~30摩爾％。其中， 在設定聚合物總體為IOO時，70摩爾。/。Sl+m+n+o^lOO摩爾％。
本發(fā)明的聚合物的重均分子量(Mw)沒有特殊限定，優(yōu)選為 1000 1000000,更^尤選為2000 500000。 i亥分子量的聚合物， 可以得到溶劑溶解性優(yōu)異，并且難以出現(xiàn)由伸縮、變形等帶來 的裂紋的光學薄膜。
另外，本發(fā)明的聚合物的玻璃化轉變溫度，可以通過調節(jié) 式(I)或式(II)中的取代基的種類和取代數(shù)、以及主鏈的種類、各 重復單元的導入量等來適當設定。該聚合物的玻璃化轉變溫度 為10(TC以上，優(yōu)選為130。C以上。由該5皮璃化轉變溫度的聚合 物形成的薄膜具有作為光學薄膜充分的耐熱性。另外，玻璃化 轉變溫度是根據(jù)JIS K 7121(1987)的DSC法求出的。
19具有上述式(I)或式(II)的重復單元的聚合物可以通過將下 述通式(X)所示的二炔基芴(單體)導入到正色散聚合物中而得到。
A a A，a'
上述式(X)中，A、 A，、 B和B，分別表示取代基，a和a，表 示對應的A和A，的取代數(shù)，b和b'表示對應的B和B，的取代 數(shù)。上述a和a，是0~3的整數(shù)，上述b和b，是0 3的整數(shù)。
A、 A，、 B和B，分別獨立地表示卣素或-友原子數(shù)1 4的烷 基。D和D，分別獨立地表示OH基、NHR基(R表示氫或碳原 子數(shù)1 4的烷基)、COOH基、或NCO基。R^和R2分別獨立地 表示選自由氫、鹵素、碳原子數(shù)1 10的烷基、取代或無取代 的芳基、取代或無取代的乙烯基、取代或無取代的乙炔基、 SiR3R4R5基和CR6R7(OH)基所組成的組中的基團。上述R3 、 R4、和R5分別獨立地表示碳原子數(shù)1~6的烷基或芳基。上述 116和R"分別獨立地表示碳原子數(shù)1 4的烷基。
式(X)的X表示畫CR82-、 -SiR92-、 -O-、 -NR10-、誦CO-、或-S02-。 上述RS表示氫、碳原子數(shù)1~4的烷基、全氟基、或者取代或無 取代的芳基。上述W表示氳、碳原子數(shù)1 4的烷基、或者取代 或無取代的芳基。上述R"表示氫、碳原子數(shù)1 4的烷基、或 者取代或無取代的芳基。
上述式(X)的D和D，是與構成聚合物的其他重復單元鍵合
20的基團。本發(fā)明的二炔基芴，優(yōu)選上述式(X)的D和D，是OH基
或COOH基，更優(yōu)選D和D，是OH基。這是由于這樣的二炔基藥 可以容易地與例如羧酸或羥基反應形成酯4建的緣故。
上述式(X)所示得二炔基芴，例如，作為重復單元被導入到 聚合物中。通過將本發(fā)明的二炔基芴導入到正色散的聚合物中， 使得正色散聚合物的光學性質改變。由此，由該聚合物制得的 薄膜接近于平坦色散。雖然本發(fā)明的二炔基芴本身顯示逆色散， 但是本發(fā)明的二炔基芴具有使導入有它的正色散聚合物的波長 色散接近平坦色散的作用。
該作用，對應于二炔基芴的導入量，且隨著其導入量的增 加，所得薄膜逐漸接近平坦色散。
因此，本發(fā)明提供了通過向聚酯系聚合物等正色散聚合物 中導入上述式(X)所示的二炔基芴，來調節(jié)含有該正色散聚合物 的光學薄膜的相位差值的光學薄膜的相位差調節(jié)方法。根據(jù)該 調節(jié)方法，通過適當調節(jié)二炔基芴相對于正色散聚合物的導入 量，從接近平坦色散的光學薄膜到顯示平坦色散的光學薄膜可 以任意制作。
上述式(X)所示的二炔基藥可以通過例如下面的方法來制 造(參照下述反應式(a) (c))。其中，下述反應式(a) (c)中的A、 a、 B、 b、 R1、 R2和式(X)相同。
(1).式(X)的D和D，是OH基的二炔基芴的制造方法(參照 反應式(a))。
在酸催化劑下使2，7-二溴藥衍生物與酚衍生物反應，然后 在鈀(0)催化劑下與炔基化合物反應。 [化學式15]
21(a)
(2).式(X)的D和D，是COOH基的二炔基芴的制造方法(參 照反應式(b))。
在酸催化劑下使2,7-二溴藥衍生物與酚衍生物反應，然后 用高錳酸鉀氧化，用酯保護，然后在鈀(0)催化劑下與乙炔基化 合物反應并水解。
(b)
(3).式(X)的D和D，是NCO基或NH2基的二炔基藥的制造方 法(參照反應式(c))。
可以使通過上述方法(2)得到的具有COOH基的二炔基藥與 二氯亞^風反應，然后與疊氮化鈉反應，從而得到具有NCO基的 二炔基藥。
進而，使其水解，可以得到具有NH2基的二炔基芴。 [化學式17](C)<formula>formula see original document page 23</formula>
本發(fā)明的光學薄膜，可以通過將含有本發(fā)明的聚合物的形 成材料成膜來得到。
另外，光學薄膜的形成材料中，除了本發(fā)明的聚合物以外， 還可以含有結構不同的其他聚合物。其中，上述聚合物在本發(fā) 明的聚合物的取向性不明顯降低的范圍內取向。
作為上述其他的聚合物可以列舉出例如，通用樹脂、工程 塑料、熱塑性樹脂、熱固性樹脂等。作為通用樹脂，可列舉出 例如聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸曱酯、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯樹脂、丙烯腈-苯乙烯樹脂等。作為工程塑料可 以列舉出例如聚縮醛、聚碳酸酯、聚酰胺(尼龍)、聚對苯二甲 酸乙二醇酯、聚對苯二曱酸丁二醇酯等。作為熱塑性樹脂可以 列舉出例如，聚苯硫醚、聚醚砜、聚酮、聚酰亞胺、聚對苯二 甲酸環(huán)己烷二甲醇酯、聚芳酯、液晶聚合物等。作為熱固性樹 脂可以列舉出例如，環(huán)氧樹脂、酚醛清漆樹脂等。這些其他聚
合物的配合量，在形成材料中例如為0 50質量％,優(yōu)選為0~30
質量％。
另夕卜，根據(jù)需要在上述形成材料中還可以配合例如穩(wěn)定劑、 增塑劑、金屬類等各種添加劑。
本發(fā)明的光學薄膜的厚度沒有特殊限定，通 為200]iim以 下。由于可以使圖像顯示裝置薄型化，所以光學薄膜的厚度優(yōu)選為20(im以下，更優(yōu)選為15pm以下，特別優(yōu)選為1 Ojim以下。 另一方面，可以適當設定光學薄膜的厚度的下限，以具有期望 的相位差值。通常，光學薄膜的厚度為liim以上，優(yōu)選為2fim 以上。本發(fā)明的聚合物可以通過涂布來制膜。因此，含有本發(fā) 明的聚合物的光學薄膜可以較薄地形成。
本發(fā)明的光學薄膜的制造方法沒有特別限定，可以列舉出 例如將含有本發(fā)明的聚合物的形成材料制膜，并根據(jù)需要拉伸 (或收縮)的方法等。制膜可以通過將上述形成材料涂布在適當
的基材上來進行。
上述形成材^十的涂布，可以列舉出例如，將上述形成材料 加熱熔融，將其涂布在基材上的方法；將使上述形成材料溶解 在溶劑中而得到的聚合物溶液涂布在基材上的方法等。從制造 效率、分子取向控制、和光學各向異性控制等的觀點出發(fā)，優(yōu) 選在基材上涂布聚合物溶液的方法。
特別是，通過在基材上涂布含有本發(fā)明的聚合物的聚合物 溶液，可以形成顯示負的單軸性(折射率橢球體nx-ny〉nz)的涂 膜。
具體地講，在基材上涂布含有本發(fā)明的聚合物的聚合物溶 液，然后干燥，在該過程中對涂膜的面內(X軸方向和Y軸方向) 施加收縮力，從而能夠形成顯示負的單軸性的涂膜。這樣，本 發(fā)明的聚合物，無論基材有無取向，通過在基材上涂布，均可 以形成顯示光學單軸性的涂膜。
另夕卜，"nx-ny ",不僅包括nx和ny完全相同的情況，而且 還包括基本上相同的情況。nx和ny基本上相同的情況是指例 如，Re(590)是0腿 10證，優(yōu)選是0腿 5nm。
上述聚合物溶液可以通過將本發(fā)明的聚合物(根據(jù)需要也 可配合其他的聚合物和各種添加劑等)溶解在適當?shù)娜軇┲衼碚{制。本發(fā)明的聚合物的溶劑溶解性優(yōu)異，所以可以容易地調 制上述聚合物溶液。
上述溶劑，只要是能夠溶解本發(fā)明的聚合物等就沒有特殊 限定，可以適當選擇。溶劑可以列舉出例如有才幾溶劑。作為有 機溶劑可以列舉出例如，氯仿、二氯曱烷、四氯化石友、二氯乙 烷、四氯乙烷、三氯乙烯、四氯乙烯、氯苯、鄰二氯苯等卣代
烴類；苯酚、對氯苯酚等酚類；苯、曱苯、二甲苯、甲氧基苯、 1，2-二甲氧基苯等芳香族烴類；丙酮、甲乙酮、甲基異丁基酮、 環(huán)己酮、環(huán)戊酮、2-吡咯烷酮、N-曱基-2-吡咯烷酮等酮類；乙 酸乙酯、乙酸丁酯等酯類；^又丁醇、甘油、乙二醇、三乙二醇、 乙二醇單甲醚、二乙二醇二甲醚、丙二醇、二丙二醇、2-甲基 -2,4-戊二醇等醇類；二曱基甲酰胺、二甲基乙酰胺等酰胺類； 乙腈、丁腈等腈類；乙醚、二丁醚、四氫呋喃等醚類、二^L化 碳、乙基溶纖劑、丁基溶纖劑等。這些溶劑可以單獨使用，也 可以兩種以上并用。
上述聚合物溶液，相對于100質量份溶劑，優(yōu)選配合的聚合 物等的固體成分為5 50質量份，更優(yōu)選為10 40質量份。上述 濃度范圍的聚合物溶液是適合涂布的粘度，所以優(yōu)選。
另外，聚合物溶液的涂布方法，可以列舉出旋涂法、輥涂 法、流涂法、印刷法、浸涂法、流延成膜法、 一奉涂法、凹版印 刷法等。
將上述聚合物溶液涂布在基材上形成涂膜后，也可以對該 涂膜進行干燥。干燥處理可以通過例如自然干燥、風干、加熱 干燥等來進行。在加熱干燥的情況下，對該溫度沒有特殊限定， 侈寸^口為25。C 250。C， 4尤選為40。C 200。C。
在最終得到的涂膜(即光學薄膜)中殘留的溶劑量優(yōu)選為1 質量％以下，更優(yōu)選為0.5質量％以下。這是由于殘留溶劑量低的光學薄膜，尺寸穩(wěn)定性優(yōu)異，光學特性不易出現(xiàn)隨時間變化 的緣故。
涂布上述形成材料(聚合物溶液等)的基材，沒有特殊限定。 作為該基材可以是例如合成樹脂制基材，或者也可以是玻璃基 材、硅晶圓類的無機化合物制基材。作為合成樹脂制基材，可 以列舉出用澆鑄法制成的薄膜、在熔融聚合物成膜后進行拉伸 處理的薄膜等。其中，由于可以精細涂布而優(yōu)選進行了拉伸處 理的薄膜。
另外，基材優(yōu)選透明性優(yōu)異的。通過使用透明性優(yōu)異的基 材，可以將在該基材上形成的光學薄膜，在不從基材上剝離的 情況下直接使用。
作為上述合成樹脂制基材的樹脂成分，可以列舉出例如， 三乙酰纖維素(TAC)等乙酸酯樹脂、聚酯樹脂、聚醚砜樹脂、 聚砜樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚酰胺樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚烯 烴樹脂、丙烯酸樹脂、聚降冰片烯樹脂、纖維素樹脂、聚烯丙 酸酯樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚乙烯醇樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚 偏二氯乙烯樹脂、液晶聚合物、和它們的混合物等。進而，上 述樹脂成分還可以是側鏈具有取代酰亞胺基或無取代酰亞胺基 的熱塑性樹脂、與側鏈具有取代苯基或無取代苯基和硝基的熱 塑性樹脂形成的混合物等(該混合物公開在日本專利申請公開
2001-343529號乂>才艮中)。
基材的厚度例如是12|im~200,,優(yōu)選為20, ~150拜， 更優(yōu)選為25jiim 100pm。若基材的厚度為12|im以上，就可以 精細涂布聚合物溶液。另 一方面，若基材的厚度為200(im以下， 會進一 步抑制光學薄膜的變形量。
通過將含有本發(fā)明的聚合物的形成材料涂布在基材上，可 以形成顯示光學單軸性的涂膜。該涂膜是本發(fā)明的光學薄膜。
26因此，本發(fā)明的光學薄膜薄，且顯示光學單軸性(折射率橢球體
nx-ny>nz)。該光學薄膜可以作為相位差板使用。
進而，如果拉伸或收縮上述涂膜，則可以形成顯示光學雙 軸性(折射率橢球體nx〉ny>nz)的光學薄膜。
作為涂膜的拉伸方法，優(yōu)選例如，沿其長度方向單軸拉伸 的自由端縱向拉伸、或固定其長度方向并且沿寬度方向單軸拉 伸的固定端沖黃向拉伸等。作為其他的拉伸方法可以列舉出例如， 沿長度方向和寬度方向兩方進行拉伸的依次或同時的雙軸拉伸 等。另外，在形成有涂膜的基材是可拉伸的基材時，優(yōu)選拉伸 該基材的方法。由于通過該方法可以均勻地拉伸基材，所以可 以隨著該拉伸間接地均勻拉伸涂膜。另夕卜，該方法可用于連續(xù) 生產工序，產品的量產性高等方面優(yōu)選。另外，上述基材和涂
膜也可以同時4立伸。
另外，在是形成有涂膜的基材收縮得到的基材的情況中， 通過使基材收縮，可以間接地收縮涂膜。在使基材收縮時，優(yōu) 選利用拉伸機等來控制基材的收縮率。作為其控制方法，可以 列舉出例如，暫時放開拉伸機的夾子，使基材沿著基材的移送 方向松弛的方法、或慢慢使拉伸機的夾子間隔變短的方法等。
本發(fā)明的光學薄膜的厚度方向的相位差值(Rth(人))和面內 的相位差值(Rth(人))可以適當調節(jié)。該調節(jié)可以通過例如選擇使 用的聚合物的結構和分子量、設定光學薄膜的厚度、和設定制 膜時的拉伸比例(或收縮比例)等方法來進行。
含有本發(fā)明的聚合物的光學薄膜，其波長色散接近平坦色 散。具體地講，本發(fā)明的光學薄膜滿足0.97^Rth(450) /Rth(550)<1.06、 1.03^Rth(650)/Rth(550)S0.95的關系。
特別是，含有上述式(I)或式(II)的導入量增加的或作為式(I) 或式(II)的W和112選擇適當取代基的聚合物的光學薄膜滿足0.97SRth(450)/Rth(550) ￡1.03 的關系， 進而滿足 0.97^Rth(450)/Rth(550) ￡1.02的關系。該光學薄膜，其波長色 散更接近平坦色散。
另外，含有式(i)或式(n)的導入量增加的或作為式(i)或式
(II)的R1和R2選擇適當取代基的聚合物的光學薄膜滿足 1.032Rth(650)/Rth(550)20,97 的關系。 進而滿足 1.03^Rth(650)/Rth(550)^0.98的關系。該光學薄膜，與上述同 樣更接近平坦色散。
另外，在本發(fā)明的光學薄膜的折射率橢球體滿足nx>ny>nz 的關系時，該光學薄膜面內的相位差值也滿足 Re(450)/Re(550)<1.06 、 Re(650)/Re(550)^0.95的關系。進而， 對其面內的相位差值，含有增加式(I)的導入量的聚合物的光學 薄膜，其波長色散也越接近平坦色散。
另夕卜，Rth(450)、 Rth(550)、和Rth(650)分別表示在25 。C下 波長450nm、波長550nm、和波長650nm下的厚度方向的相位 差值。Re(450)、 Re(550)、和Re(650)分別表示在25。C下波長 450nm、波長550nm、和波長650nm下的面內的相位差4直。
本發(fā)明的光學薄膜的雙折射率可以通過上述式(I)或式(II) 的導入量、聚酯的結構等來適當設計。本發(fā)明的光學薄膜的波 長550nm下的雙折射率(Anxz(550))優(yōu)選為0.005以上，更優(yōu)選為 0.01以上。上述Anxz(550)的上限優(yōu)選為0.070。
本發(fā)明的光學薄膜可以在任意適當?shù)挠猛局惺褂谩１景l(fā)明 的光學薄膜的代表性用途是相位差板。相位差板在液晶顯示裝 置的X/4板、X/2板、視角放大薄膜等中使用。作為光學薄膜的 其他用途，可以列舉出圖像顯示裝置的防反射膜用途等。作為 圖像顯示裝置可以列舉出液晶顯示裝置、有機EL顯示器、和 等離子體顯示器等。本發(fā)明的光學薄膜可以以層疊有其他光學部件的光學疊層 體的方式使用。作為該光學疊層體可以列舉出例如，在本發(fā)明 的光學薄膜上疊層具有保護層的偏振器的疊層體(該疊層體通 常被稱作"偏光板")、在本發(fā)明的光學薄膜上疊層其他的相位差 板的疊層體等。
構成這些疊層體的各層，通常是使用公知的粘合劑(或粘結
合劑、壓敏性粘合劑、再濕性粘合劑、縮聚型粘合劑、無溶劑 型粘合劑、薄膜狀粘合劑、熱熔型粘合劑等。
上述偏振器是將自然光或偏振光轉變成直線偏振光的光學 部件。對偏振器沒有特殊限定，可以使用適當合適的偏振器。 作為偏振器優(yōu)選含有碘或兩色性染料的以乙烯醇系聚合物作為
主要成分的拉伸薄膜。偏振器的厚度通常為5iim 50^im。另夕卜， 為了防止偏振器收縮或膨脹，或防止紫外線引起的劣化，而將 上述保護層貼合在偏振器上。作為保護層，優(yōu)選列舉含有纖維 素系聚合物或降冰片烯系聚合物的聚合物薄膜。保護層的厚度 通常為10^im 200^im。另外，形成本發(fā)明的光學薄膜時的基材 也可以兼為上述保護層。
本發(fā)明的圖像顯示裝置具有本發(fā)明的光學薄膜。 本發(fā)明的圖像顯示裝置，除了將本發(fā)明的光學薄膜組裝到 液晶面板等中以外，可以采用與以往的圖像顯示裝置同樣的構
成o
本發(fā)明的圖像顯示裝置可以在任意適當?shù)挠猛局惺褂?。?該圖像顯示裝置是液晶顯示裝置時，其用途有例如，電腦顯示
器、筆記本電腦、復印機等辦公設備；手機、鐘表、數(shù)碼相機、 便攜信息終端(PDA)、便攜游戲機等便攜機器；攝像機、微波 爐等家庭用電器；后監(jiān)視器、汽車導航系統(tǒng)用監(jiān)視器、車載音響等車載用設備；商業(yè)店鋪用情報用顯示器等展示儀器；監(jiān)控
器等警務設備；護理用顯示器、醫(yī)療用顯示器等護理醫(yī)療儀器等。
具有本發(fā)明的光學薄膜的圖像顯示裝置，包括液晶顯示裝
置、有機EL顯示器、和等離子體顯示器等，其優(yōu)選用途為電視。 電視的屏幕尺寸優(yōu)選為寬17型(373mmx224mm)以上，進而優(yōu)選 為寬23型(499mmx300mm)以上，特另'J優(yōu)選為寬32型 (687mmx412mm)以上。
本發(fā)明的聚合物的透明性和耐熱性優(yōu)異，另外，顯示規(guī)定 的相位差值，所以可以作為各種光學薄膜的形成材料優(yōu)選使用。
另外，作為光學薄膜以外的用途，本發(fā)明的聚合物可以作 為塑料透鏡、棱鏡、光盤、光纖、光致抗蝕劑、全息顯示器等 各種光學部件的形成材料使用。
另外，本發(fā)明的聚合物可以在例如，燃料電池用電解質膜、 半導體用涂布材料(芯片表面保護材料、芯片層間絕緣材料等)、 半導體裝置用密封材料、撓性電路基板用材料、光取向膜用材 料、光波導材料、耐宇宙線材料(可用于人造衛(wèi)星等)、分離膜 用材料(氣體分離用途等)、抗蝕劑材料、印刷用材料(彩色印刷 用調色劑轉印帶等)等中。
進而，本發(fā)明的聚合物，由于溶劑溶解性優(yōu)異，所以可以 作為保護部件表面的涂布劑使用。
實施例
下面示出了實施例和比較例來具體說明本發(fā)明。但本發(fā)明 并不受下述實施例限定。
另夕卜，實施例和比較例中使用的各分析方法如下所示。 (l)化學結構的確定
化學結構使用核磁共振儀(7' A力社制，產品名
30"AVANCEII300"(測定溶劑氘代氯仿、或氖代DMSO,頻率 300MHz,觀測核力、13C,測定溫度25。C)來特定。下面將 該方法記作"NMR"。
(2) 重均分子量的測定
調制測定用試樣為0.1%的DMF溶液，將其用0.45pm的膜 濾器過濾，然后使用內裝有檢測器(RI)的GPC本身(東乂 一社制， HLC-8120GPC)來測定分子量。具體地說，測定條件是，柱溫 40°C，泵流量0.40mL/分鐘，測定用試樣的分子量是使用預先 分子量已知的標準聚氧乙烯的標準曲線，作為聚氧乙烯換算的 分子量計算得到。另外，使用的柱子是將superAWM-H(直徑 6.0mmxl5cm) 、 superAV4000( 直 徑 6.0mmxl5cm) 和 superAW2500(直徑6.0mmx 15cm)串聯(lián)連4妻4吏用的，流動相使用 在容量瓶中力口入lOmmol的LiBr和lOmmol的磷酸，然后加入 DMF使總量為1L的液體。
(3) 厚度的測定
厚度使用SLOAN社制的商品名"Dektak"來測定。
(4) Anxz、 Rth(X)的測定
Anxz等使用王子計測機器(抹)制，商品名"KOBRA-WPR", 在25。C波長X時測定。Rth(X)是將波長X的光從偏離試樣的法 線40度的角度入射，將測定出的值(R40X)換算成Rth(人)而求得的。
<合成例1>
(2,7-二羥基-9，9-[2，7-雙(2-甲基-2-羥基-3-丁炔基)芴基]貼
噸的合成)
將30.Og的2，7-二溴藥和24.43g的間苯二酚溶解在100mL 的甲苯中，向其中加入3.48g濃硫酸和0.09g巰基丙酸，80°C 下加熱18小時。反應結束后用氫氧化鈉中和，然后加入氯仿，過濾分離析出的固體，從而得到溴衍生物。
然后將0.008g雙(三苯基膦)二氯鈀(II)和0.002g碘化亞銅
(I)在氮氣氣氛下溶解在l.OmL的二噁烷中。向該溶液中加入 0.005g三井又丁基膦、0.046g二異丙基胺、0.037g 2-曱基-3-丁炔 -2-醇、和O.lOg的上述得到的溴衍生物，在80。C下攪拌20小 時。然后減壓除去溶劑，借助使用展開溶劑(己烷和乙酸乙酯的 混合溶劑)的硅膠填充柱來純化殘渣。進而用混合溶劑(己烷 氯仿=2: l)重復進行重結晶，從而得到0.057g化合物(收率 56.4%)。經NMR測定，結果所得的化合物是下述式(l)所示的 2，7-二羥基-9,9-[2,7-雙(2-甲基-2-羥基-3-丁炔基)芴基]口占噸。 [化學式18]
(1)
<formula>formula see original document page 32</formula>
<合成例2>
(2,7-二羥基-9，9-[2，7-雙(5-己炔基)芴基]咕噸的合成) 將1.010g的鈀碳和0.365g的硪化亞銅(I)在氮氣氣氛下 溶解在95mL的二甲基乙酰胺和5mL水中。向該溶液中加入 0.800g三笨基騰、0.046g 二異丙基胺、4.000g的l-己塊、和 10.00g的上述<合成例1>中得到的溴衍生物，在8(TC下攪拌24 小時。然后減壓除去溶劑，借助使用展開溶劑(己烷和乙酸乙酯 的混合溶劑)的硅膠填充柱來純化殘渣。純化后得到3.370g化 合物(收率33.8%)。經NMR測定，結果所得的化合物是下述式 (2)所示的(2,7-二羥基-9,9-[2，7-雙(5-己炔基)芴基]咕噸。<formula>formula see original document page 33</formula>
在冰冷的0.52g 二氯亞石風中加入4mL他咬。將0.17g間苯 二曱酸和0.17g對苯二甲酸溶解在4mL吡啶中，將其在5~10 分鐘內慢慢地加入到上述含有二氯亞石風的吡咬中。然后移開冷 卻浴，在室溫下攪拌20分鐘(將該混合溶液稱作"溶液A")。另 一方面，將0.34g雙(4-羥基苯基)六氟丙烷和上述<合成例2〉所 得的0.52g的2,7-二羥基-9,9-[2,7-雙(5-己炔基)芴基]口占噸溶解 到4mL吡咬溶液中(將該溶液稱作"溶液B")。將溶液B —次性 加入到溶液A中，8(TC下加熱4小時，然后攪拌一夜。將所得 的溶液用氯仿稀釋，然后加入到曱醇中。將析出的聚合物在曱 醇中回流，過濾、干燥，從而得到0.91g聚合物(收率88.1%)。 經NMR測定，該聚合物是下述式(3)所示的導入有芴的聚酯聚 合物。該聚合物的重均分子量是64300。
<formula>formula see original document page 33</formula>
將所得的導入有芴的聚酯聚合物溶解在環(huán)己酮中，調制聚 合物溶液(固體成分濃度16質量％)。利用旋涂法涂布到玻璃板 上，80。C下干燥5分鐘，然后進一步在150。C下干燥30分鐘，從
而調制聚酯薄膜。該聚酯薄膜的干燥厚度是9.81 (im。 該聚酯薄膜550nm時的雙折射率(Anxz)是0.0066。 另外，測定該薄膜的厚度方向的相位差值的波長色散，結 果Rth(450)/Rth(550)=0.98, Rth(650)/Rth(550)=l .02。 [實施例2]
除了使用0.23g雙酚A來替代實施例1的0.34g雙(4-羥基 苯基)六氟丙烷以外，其他與實施例1同樣來合成聚合物。另外， 經NMR測定，該聚合物是下述式(4)所示的導入有芴的聚酯聚 合物。該聚合物的重均分子量是17200。
X<formula>formula see original document page 34</formula>將所得的導入有芴的聚酯聚合物與實施例1同樣制膜，制作 聚酯薄膜(干燥厚4.36!im)。
該實施例2的聚酯薄膜550nm時的雙折射率(Anxz)是 0.0067。
該薄膜的 Rth(450)/Rth(550)=0,98 , Rth(650)/Rth(550) =1.01。
除了使用0J2g雙(三氟曱基)聯(lián)苯來替代實施例1的0J4g 雙(4-羥基苯基)六氟丙烷以外，其他與實施例1同樣來合成聚 合物。另外，經NMR測定，該聚合物是下述式(5)所示的導入 有藥的聚酯聚合物。該聚合物的重均分子量是5290。
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將所得的導入有藥的聚酯聚合物與實施例1同樣制膜，制作
34聚酯薄膜(干燥厚2.40pm)。
該實施例3的聚酯薄膜550nm時的雙折射率(Anxz)是 0.011。
另夕卜，該薄膜的Rth(450)/Rth(550)=1.00, Rth(650)/Rth(550)=1.02。 [實施例4]
除了使用0.21g雙(4,4，-二羥基-2，2，-二甲基)聯(lián)苯來替代實 施例1的0.34g雙(4-羥基苯基)六氟丙烷以外，其他與實施例1 同樣來合成聚合物。另外，經NMR測定，該聚合物是下述式 (6)所示的導入有芴的聚酯聚合物。該聚合物的重均分子量是 13100。
將所得的聚合物與實施例l同樣制膜，制作聚酯薄膜(干燥 厚4.35|im)。
該實施例4的聚酯薄膜550nm時的雙折射率(Anxz)是 0.011。 另夕卜，該薄膜的Rth(450)/Rth(550)=1.00， Rth(650)/Rth(550)=1.02。 [實施例5]
除了使用0.33g對苯二甲酸來代替實施例1的0.17g間苯 二曱酸和0.17g對苯二曱酸，并且^吏用0.21g雙(4,4，-二羥基 -2,2，-二甲基)聯(lián)苯來替代實施例1的0.34g雙(4-羥基苯基)六氟 丙烷以外，其他與實施例1同樣來合成聚合物。另外，經NMR 測定，該聚合物是下述式(7)所示的導入有藥的聚酯聚合物。該 聚合物的重均分子量是13000。
r:廠
、一
a、人
(6)
35<formula>formula see original document page 36</formula>將所得的導入有芴的聚酯聚合物與實施例i同樣制膜，制作
聚酯薄膜(干燥厚4.27pm)。
該實施例5的聚酯薄膜550nm下的雙折射率(Anxz)是 0.015。
另夕卜，該薄膜的Rth(450)/Rth(550)=1.00, Rth(650)/Rth(550)=1.02。 [比較例]
將6.77g曱乙酮和25.88g的間苯二酚溶解在7mL的曱苯 中。向{亥;:容液中力口人3.66g 5農石危酉菱牙口 0.09g 5克基丙酉吏，90°C下力口 熱21小時。反應結束后用氫氧化鈉中和，然后加入氯仿，過濾 分離析出的固體。這樣得到5.00g的2,7-雙羥基-9-乙基-9-甲基
口占口屯。
除了使用0J2g雙(三氟曱基)聯(lián)苯來代替實施例1的0.34g 雙(4-羥基苯基)六氟丙烷，并且使用0.26g上述得到的2,7-二羥 基_9-乙基-9-甲基坫噸來代替實施例1的0.52g的2，7-二羥基 -9,9-[2，7-雙(5-己炔基)芴基]咕噸以外，其他與實施例1同樣來 合成聚合物。另外，經NMR測定，結果該聚合物是下述式(8) 所示的聚酯系聚合物。該聚合物的重均分子量是4310。
<formula>formula see original document page 36</formula>(8)
將所得的聚合物與實施例l同樣制膜，制作聚酯薄膜(千燥 厚1.96 —。
該比較例的聚酯薄膜550nm時的雙折射率(Anxz)是0.0213。
另夕卜，該薄膜的Rth(450)/Rth(550)=1.06, Rth(650)/Rth(550) =0.97。
如上所述，實施例1 實施例5的光學薄膜顯示了平坦色散。 另一方面，比較例的光學薄膜Rth(450)/Rth(550)=1.06,顯示
了正色散。
權利要求
1.一種光學薄膜，其含有具有下述通式(1)所示的重復單元的聚合物，其中，式(I)中，A、A’、B和B’分別表示取代基，a和a’表示對應的A和A’的取代數(shù)，其為0～3的整數(shù)，b和b’表示對應的B和B’的取代數(shù)，其為0～3的整數(shù)；A、A’、B和B’分別獨立地表示鹵素或碳原子數(shù)1～4的烷基；R1和R2分別獨立地表示選自由氫、鹵素、碳原子數(shù)1～10的烷基、取代或無取代的芳基、取代或無取代的乙烯基、取代或無取代的乙炔基、SiR3R4R5基、和CR6R7(OH)基所構成的組中的原子或基團，其中R3～R5分別獨立地表示碳原子數(shù)1～6的烷基或芳基，R6和R7分別獨立地表示碳原子數(shù)1～4的烷基；X表示-CR82-、-SiR92-、-O-、-NR10-、-CO-、或-SO2-，其中R8表示氫、碳原子數(shù)1～4的烷基、全氟基、或者取代或無取代的芳基，R9表示氫、碳原子數(shù)1～4的烷基、或者取代或無取代的芳基，R10表示氫、碳原子數(shù)1～4的烷基、或者取代或無取代的芳基。
2.根據(jù)權利要求1所述的光學薄膜，所述重復單元以下述 通式(II)表示，<formula>formula see original document page 3</formula>(n)其中，在式(II)中，A、 A，、 B、 B，、 a、 a，、 b、 b' 、 R1、R2和X與式(I)相同。
3. 根據(jù)權利要求1或2所述的光學薄膜，波長550nm時 的只又4斤射率Anxz為0.005 0.070，其中，Anxz二nx畫nz, nx表示薄月莢面內的折射率為最大的方 向即X軸方向的折射率，nz表示薄膜的厚度方向的折射率。
4. 根據(jù)權利要求1 3的任一項所述的光學薄膜，其顯示 出Rth(450)/Rth(550)<1.06,其中，Rth(450)和Rth(550)表示波長450nm和波長550nm 時的厚度方向的相位差Y直。
5. 根據(jù)權利要求1 4的任一項所述的光學薄膜，其顯示 出Rth(650)/Rth(550)^0.95，其中，Rth(550)和Rth(650)表示波長550nm和波長650nm 時的厚度方向的相位差值。
6. 根據(jù)權利要求1 5的任一項所述的光學薄膜，所述聚 合物是聚酯系聚合物。
7. 根據(jù)權利要求1~6的任一項所述的光學薄膜，其折射 率橢球體滿足nx-ny>nz,其中，nx表示薄膜面內的折射率為最大的方向即X軸方向 的折射率，ny表示同一薄膜面內與X軸方向垂直的方向即Y 軸方向的折射率，nz表示薄膜的厚度方向的折射率。
8. 根據(jù)權利要求1 6的任一項所述的光學薄膜，其折射率橢J求體滿足nx>ny〉nz,其中，nx表示薄膜面內的折射率為最大的方向即X軸方向 的折射率，ny表示同一薄膜面內與X軸方向垂直的方向即Y 軸方向的折射率，nz表示薄膜的厚度方向的折射率。
9. 根據(jù)權利要求1 8的任一項所述的光學薄膜，由將上 述聚合物涂布在基材上得到的涂膜構成。
10. 根據(jù)權利要求1 9的任一項所述的光學薄膜，其厚度 為20fim以下。
11. 一種圖像顯示裝置，其具有權利要求1 10的任一項所 述的光學薄膜。
12. 下述通式(X)所示的二炔基藥，<formula>formula see original document page 4</formula>(X)其中，式(X)中，A、 A，、 B和B，分別表示取代基，a和a， 表示對應的A和A，的取代數(shù)，其為0 3的整數(shù)，b和b，表示對 應的B和B，的耳又^C凄t,其為0 3的整凄t; A、 A'、 B和B'分別 獨立地表示卣素或石友原子數(shù)1 4的烷基；D和D，分別獨立地表 示OH基、NHR基、COOH基、或NCO基，其中R表示氳或 碳原子數(shù)1 4的烷基；R1和112分別獨立地表示選自由氫、卣 素、碳原子數(shù)1 10的烷基、取代或無取代的芳基、取代或無 取代的乙烯基、取代或無取代的乙炔基、SiR^R"R^基、和 CR^R、OH)基所構成的組中的原子或基團，其中113 115分別獨立地表示碳原子數(shù)1 6的烷基或芳基，116和R/分別獨立地表 示碳原子數(shù)1 4的烷基；X表示-CR82-、 -SiR92-、 -O-、 -NR10-、 -CO-、或-SOr，其中118表示氫、碳原子數(shù)1 4的烷基、全氟 基、或者取代或無取代的芳基，119表示氫、碳原子數(shù)1 4的烷 基、或者取代或無取代的芳基，R"表示氫、碳原子數(shù)1~4的 烷基、或者取代或無取代的芳基。
13. —種聚合物，其具有權利要求12所述的二炔基芴作為 重復單元。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于提供顯示理想的波長色散，進而也可以較薄的形成的光學薄膜。本發(fā)明是一種光學薄膜，其含有具有上述通式(II)所示的重復單元的聚合物。式(II)中，A、A’、B和B’分別表示取代基，a、a’、b和b’表示對應的A、A’、B和B’的取代數(shù)。A、A’、B和B’分別獨立地表示鹵素或碳原子數(shù)1～4的烷基。R¹和R²表示選自鹵素、碳原子數(shù)1～10的烷基等，X表示-CO-、-SO₂-等。
文檔編號G02F1/13363GK101680988SQ20088001732
公開日2010年3月24日 申請日期2008年4月9日 優(yōu)先權日2007年5月24日
發(fā)明者大森裕, 飯?zhí)锩粜? 黑木美由紀 申請人:日東電工株式會社