專利名稱：：電子照相感光構(gòu)件、處理盒及電子照相設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及電子照相感光構(gòu)件和具有該電子照相感光構(gòu)件的處理盒及電子照相設(shè)備。
背景技術(shù)：
：電子照相感光構(gòu)件(下文中有時簡稱為"感光構(gòu)件"或"感光鼓，，)通常用于電子照相圖像形成方法，所述方法由充電步驟、曝光步驟、顯影步驟、轉(zhuǎn)印步驟和清潔步驟組成。在該電子照相圖像形成方法中，通過除去轉(zhuǎn)印步驟后殘留在電子照相感光構(gòu)件上的稱作轉(zhuǎn)印殘余調(diào)色劑的調(diào)色劑，來清潔電子照相感光構(gòu)件圓周面的清潔步驟，是獲得清晰圖像的重要步驟。在使用清潔刮板的清潔方法中，清潔通過用清潔刮板摩擦電子照相感光構(gòu)件來進行。根據(jù)清潔刮板與電子照相感光構(gòu)件之間產(chǎn)生的摩擦力，可產(chǎn)生例如清潔刮板震動和清潔刮板翹起的現(xiàn)象。這里的刮板震動是清潔刮板通過清潔刮板與電子照相感光構(gòu)件圓周面之間大的摩擦阻力而振動的現(xiàn)象。另一方面，清潔刮板翹起是清潔刮板沿電子照相感光構(gòu)件移動方向反轉(zhuǎn)的現(xiàn)象。隨著電子照相感光構(gòu)件表面層的耐磨耗性的增強，換言之，隨著電子照相感光構(gòu)件圓周面變得更加耐磨耗，清潔刮板和電子照相感光構(gòu)件的這些問題似乎變得更加顯著。通常和經(jīng)常通過浸涂法形成有機電子照相感光構(gòu)件表面層，換言之，電子照相感光構(gòu)件圓周面趨于平坦和光滑地形成。因此，清潔刮板與電子照相感光構(gòu)件圓周面彼此接觸的接觸面積增大，提高了它們之間的摩擦阻力。結(jié)果，上述問題可能變得更加顯著。近年來，為改進圖像質(zhì)量，已經(jīng)使調(diào)色劑顆粒尺寸越來越小。隨著調(diào)色劑顆粒尺寸下降，調(diào)色劑顆粒與感光鼓接觸處的接觸面積增大。因此，每單位質(zhì)量的調(diào)色劑與感光鼓表面的粘合力增大。結(jié)果，感光鼓表面的清潔性下降。為防止和抑制調(diào)色劑通過清潔刮板滑落，增加清潔刮板的接觸壓力是必要的。然而，感光鼓表面如上所述非常均勻地形成，并顯示對清潔刮板的高粘合性。為結(jié)構(gòu)原因，更加容易發(fā)生例如刮板震動和刮板翹起的問題。特別地，由于在高濕環(huán)境中摩擦系數(shù)增加，這些問題更加顯著地發(fā)生。作為克服涉及清潔刮板和電子照相感光構(gòu)件的這些問題(清潔刮板震動和清潔刮板翹起)的方法之一，已經(jīng)提出了適度粗糙化電子照相感光構(gòu)件表面的方法。粗糙化電子照相感光構(gòu)件表面的方法的實例如下。日本專利申請?zhí)亻_S52-26226(專利文獻1)公開了通過在表面層中添加顆粒來粗糙化電子照相感光構(gòu)件表面的技術(shù)。日本專利申請?zhí)亻_S57-94772(專利文獻2)公開了通過用金屬制金屬絲刷拋光表面層表面來粗糙化電子照相感光構(gòu)件表面的技術(shù)。日本專利申請?zhí)亻_Hl-99060(專利文獻3)公開了通過使用特定清潔裝置和調(diào)色劑來粗糙化有機電子照相感光構(gòu)件表面的技術(shù)。日本專利申請?zhí)亻_2001-066814(專利文獻5)公開了通過使用膜形拋光材料拋光表面層表面來粗糙化電子照相感光構(gòu)件表面的技術(shù)。WO2005/93518小冊子(專利文獻4)公開了通過噴砂加工(blasttreatment)粗糙化電子照相感光構(gòu)件圓周面的技術(shù)。該小冊子公開了具有預(yù)定形式凹坑的電子照相感光構(gòu)件，從而改善了在高溫/高濕環(huán)境下可能出現(xiàn)的問題，例如圖像缺失和調(diào)色劑轉(zhuǎn)印性。日本專利申請?zhí)亻_2001-066814(專利文獻5)進一步公開了通過使用具有井形凹凸的壓模機(stamper)壓縮成型來加工電子照相感光構(gòu)件表面的技術(shù)。另一方面，提出了另一種克服涉及清潔刮板和電子照相感光構(gòu)件問題(清潔刮板震動和清潔刮板翹起)的方法。這是賦予電子照相感光構(gòu)件表面以潤滑性的方法。賦予電子照相感光構(gòu)件表面潤滑性的方法大致分為兩類。一類是從外部向感光構(gòu)件表面施涂潤滑劑的方法。另一類是將潤滑劑引入表面層中的方法。日本專利申^青特開2002-341572(專利文獻6)/>開了向感光構(gòu)件表面施涂潤滑劑的方法，所述潤滑劑為金屬皂如硬脂酸鋅。另一方面，日本專利申請?zhí)亻_H07-013368(專利文獻7)提出了添加硅油，日本專利申請?zhí)亻_Hll-258843(專利文獻8)提出了添加氟油(fluorineoil),以改進感光構(gòu)件表面的潤滑性。日本專利申請?zhí)亻_H5-72753(專利文獻9)提出了使用聚碳酸酯樹脂作為表面層粘結(jié)劑的方法，所述聚碳酸酯通過硅氧烷鏈與聚碳酸酯主鏈的共聚合得到。
發(fā)明內(nèi)容然而，在專利文獻1描述的電子照相感光構(gòu)件表面層中分散細(xì)顆粒的方法具有以下問題通過分散擦傷感光構(gòu)件表面；為分散細(xì)顆粒以對清潔性能產(chǎn)生持久效果，必須添加大量細(xì)顆粒；在長期重復(fù)使用期間，分散劑或助分散劑可能惡化電子照相感光構(gòu)件的特性如電位特性。此外，在各專利文獻2-6中描述的電子照相感光構(gòu)件表面中，當(dāng)觀察在粗糙化的表面中表面加工區(qū)域的約數(shù)微米范圍時，發(fā)現(xiàn)該微小區(qū)域不均勻。認(rèn)為該微小區(qū)域沒有充分粗糙化(用于在表面上形成凹凸)，不足以改進清潔刮板震動和清潔刮板翹起。對于迄今為止提出的原因，例如清潔刮板震動和清潔刮板翹起的問題尚未充分克服，并期望進一步的改進?；娮诱障喔泄鈽?gòu)件表面的方法中，即使在表面中存在含氟或含硅化合物，分布于表面中的含氟或含硅化合物也會被剝落，或該化合物因其固有特性而不能均勻分散，即，向正面遷移。結(jié)果，該方法對于清潔性能不足以長期產(chǎn)生持久的效果。相反，在通過施涂作為潤滑劑的含氟或含石圭化合物代替粗糙化表面來賦予感光構(gòu)件表面潤滑性的情況下，由于在初期可顯示含氟或含硅化合物的特性，因此可獲得高度平滑性，并可抑制清潔刮板震動和清潔刮板翹起。結(jié)果，通?？色@得良好的清潔性能。然而，當(dāng)長期重復(fù)使用期間表面層磨損，并由此從表面附近除去大量存在的含氟或含硅化合物時，不能獲得足夠的效果。為此原因，在長期重復(fù)使用期間，該化合物的使用不能充分地持續(xù)獲得持久高的效果。為防止在電子照相感光構(gòu)件的裝置上刮板震動和刮板翹起，必須將大量含氟或含硅化合物添加至所述構(gòu)件上。在此情況下，感光構(gòu)件的機械強度趨于下降，使得感光構(gòu)件耐久性不足。另一方面，當(dāng)以足以獲得期望的潤滑性的量添加硅油如二曱基硅油時，殘余電勢趨于明顯升高，和構(gòu)成電荷輸送層的涂層趨于變白和變渾濁。同樣從涂層的光學(xué)特性方面，可產(chǎn)生如下問題圖像質(zhì)量劣化；形成具有因靈敏度下降導(dǎo)致的較低密度圖像和存儲圖像。當(dāng)以低打印濃度打印大量紙張，和當(dāng)在串聯(lián)電子照相系統(tǒng)中連續(xù)進行單色打印時，這些問題可能會顯著發(fā)生。在這些條件下，清潔刮板中存在的顯影劑組分如調(diào)色劑或外部添加劑的量變得極少。因此，在打印后的旋轉(zhuǎn)操作期間或連續(xù)打印操作之間的間隔，必須周期性從顯影劑容器供給調(diào)色劑。然而，從降低打印速度和顯影劑壽命方面，優(yōu)選地，不應(yīng)進行從顯影劑容器的調(diào)色劑的周期性供給?？紤]到上述情況，本發(fā)明的目的在于提供電子照相感光構(gòu)件，其保持了優(yōu)良的其表面平滑性，并在長期重復(fù)使用期間顯示改進的清潔性能，其抑制了清潔刮板震動和翹起，從而提供良好的圖像再現(xiàn)性；以及提供具有所述電子照相感光構(gòu)件的處理盒和電子照相i殳備。本發(fā)明人已經(jīng)進行了深入的研究。結(jié)果，他們發(fā)現(xiàn)通過將含硅或含氟化合物添加至電子照相感光構(gòu)件表面層，并在表面層上形成預(yù)定形狀的凹陷部，有效解決了上述問題，并可在長期重復(fù)使用期間發(fā)揮顯著效果?；谠摪l(fā)現(xiàn)，他們實現(xiàn)了本發(fā)明。更具體地，本發(fā)明提供電子照相感光構(gòu)件，其包括支承體和在支承體上形成的感光層，并在表面層中以相對于表面層全部固體物質(zhì)0.6質(zhì)量％以上的量包含含硅化合物或含氟化合物，所述電子照相感光構(gòu)件的特征在于，電子照相感光構(gòu)件在表面的全部區(qū)域中以每單位面積(1OOpmx100nm)50以上至70,000以下的數(shù)量，具有彼此獨立的凹陷部，以及所述凹陷部各自具有大于0.3至7.0以下的各凹陷部的深度(Rdv)與長軸徑(Rpc)的比Rdv/Rpc，且深度(Rdv)為0.1^im以上至10.0]am以下，所述深度(Rdv)表示各凹陷部最深部與其開口表面之間的距離。本發(fā)明進一步提供電子照相感光構(gòu)件，其包括支承體和在支承體上形成的感光層，并在表面層中以相對于表面層的全部固體物質(zhì)0.6質(zhì)量％以上的量包含含硅化合物或含氟化合物，所述電子照相感光構(gòu)件與在其表面上的清潔刮板接觸使用，所述電子照相感光構(gòu)件的特征在于，所述電子照相感光構(gòu)件在至少與清潔刮板接觸的電子照相感光構(gòu)件表面部位的全部區(qū)域中，以每單位面積(100pmxl00nm)50以上至70，000以下的量具有彼此獨立的凹陷部，以及所述凹陷部各自具有大于0.3至7.0以下的各凹陷部的深度(Rdv)與長軸徑(Rpc)的比Rdv/Rpc，且深度(Rdv)為0.1jim以上至10.0iim以下，所述深度(Rdv)表示各凹陷部的最深部與其開口表面之間的距離。本發(fā)明進一步提供處理盒，其至少具有所述電子照相感光構(gòu)件和一體化支承的清潔裝置，并可拆卸地安裝至電子照相設(shè)備的主體，其中所述清潔裝置具有清潔刮板。本發(fā)明進一步提供具有所述電子照相感光構(gòu)件、充電裝置、曝光裝置、顯影裝置、轉(zhuǎn)印裝置和清潔裝置的電子照相設(shè)備，其中所述清潔裝置具有清潔刮板。本發(fā)明可提供電子照相感光構(gòu)件，其保持了優(yōu)良的其表面平滑性，并在長期重復(fù)使用期間顯示改進的清潔性能，并且其抑制刮板震動和刮板翹起，從而提供良好的圖像再現(xiàn)性；以及提供具有所述電子照相感光構(gòu)件的處理盒和電子照相設(shè)備。圖1A是示出根據(jù)本發(fā)明的電子照相感光構(gòu)件表面上凹陷部形狀的視圖(俯視圖)；圖1B是示出根據(jù)本發(fā)明的電子照相感光構(gòu)件表面上凹陷部形狀的視圖(俯視圖)；圖1C是示出根據(jù)本發(fā)明的電子照相感光構(gòu)件表面上凹陷部形狀的—見圖(俯一見圖)；圖1D是示出根據(jù)本發(fā)明的電子照相感光構(gòu)件表面上凹陷部形狀的視圖(俯浮見圖)；圖1E是示出根據(jù)本發(fā)明的電子照相感光構(gòu)件表面上凹陷部形狀的視圖(俯視圖)；圖1F是示出根據(jù)本發(fā)明的電子照相感光構(gòu)件表面上凹陷部形狀的視圖(俯視圖)；圖1G是示出根據(jù)本發(fā)明的電子照相感光構(gòu)件表面上凹陷部形狀的視圖(俯視圖)；圖2A是根據(jù)本發(fā)明的電子照相感光構(gòu)件表面上凹陷部形狀的視圖(截面圖)；圖2B是根據(jù)本發(fā)明的電子照相感光構(gòu)件表面上凹陷部形狀的視圖(截面圖)；圖2C是根據(jù)本發(fā)明的電子照相感光構(gòu)件表面上凹陷部形狀的視圖(截面圖)；圖2D是才艮據(jù)本發(fā)明的電子照相感光構(gòu)件表面上凹陷部形狀的視圖(截面圖)；圖2E是根據(jù)本發(fā)明的電子照相感光構(gòu)件表面上凹陷部形狀的視圖(截面圖)；圖2F是根據(jù)本發(fā)明的電子照相感光構(gòu)件表面上凹陷部形狀的視圖(截面圖)；圖2G是根據(jù)本發(fā)明的電子照相感光構(gòu)件表面上凹陷部形狀的視圖(截面圖)；圖3是示出本發(fā)明中使用的掩模排列圖案的視圖(局部放大圖)；圖4是示出本發(fā)明中使用的激光加工機的示意圖5是示出通過本發(fā)明得到的感光構(gòu)件最外表面上凹陷部排列圖案的視圖(局部放大圖)；圖6是本發(fā)明使用的用于轉(zhuǎn)印模具形狀的壓接型形狀轉(zhuǎn)印表面加工單元的示意圖7是本發(fā)明使用的用于轉(zhuǎn)印模具形狀的另一壓接型形狀轉(zhuǎn)印表面加工單元的示意圖8A是示出本發(fā)明中使用的模具形狀的視圖8B是示出本發(fā)明中使用的另一模具形狀的視圖；圖9是示出通過本發(fā)明得到的感光構(gòu)件表面上凹陷部中含氟化合物或含硅化合物分布的概略圖10是示出裝備有具有根據(jù)本發(fā)明的電子照相感光構(gòu)件的處理盒的電子照相設(shè)備的結(jié)構(gòu)的示意圖ll是示出實施例1中使用的模具形狀的視圖(局部放大圖)；圖12是示出通過實施例l得到的感光構(gòu)件最外表面中凹陷部排列圖案的視圖(局部放大圖)；圖13是示出實施例7中使用的掩模排列圖案的視圖(局部放大圖)；圖14是示出實施例7中使用的掩模排列圖案的視圖(局部放大圖)；和圖15是實施例23中制備的感光構(gòu)件表面上凹陷部的激光顯微圖。具體進行方式以下將更加具體地描述本發(fā)明。如上所述，本發(fā)明的電子照相感光構(gòu)件在支承體上具有感光層。所述感光層的表面層包括含硅化合物或含氟化合物。所述電子照相感光構(gòu)件的表面層在表面上具有多個彼此獨立的凹陷部。當(dāng)凹陷部的長軸徑由Rpc表示，為凹陷部最深部與開口表面之間距離的深度由Rdv表示時，Rdv為O.l(im以上至10.0(im以下，深度(Rdv)與長軸徑(Rpc)的比，即Rdv/Rpc為大于0.3至7.0以下。本發(fā)明中獨立形成的凹陷部是指單個的凹陷部，其以彼此明確區(qū)分的狀態(tài)存在。在本發(fā)明電子照相感光構(gòu)件表面上形成的凹陷部的形狀可包括在例如感光構(gòu)件表面觀察中，由直線繪制的形狀、由曲線繪制的形狀和由直線與曲線組合繪制的形狀。作為由直線繪制的形狀，可提及例如三角形、正方形、五邊形或六邊形。作為由曲線繪制的形狀，可提及例如圓形或橢圓形。作為由直線和曲線組合繪制的形狀，可提及例如具有圓角的正方形、具有圓角的六邊形或扇形。此外，本發(fā)明電子照相感光構(gòu)件表面上形成的凹陷部的形狀可包括例如，在感光構(gòu)件表面截面觀察中，由直線繪制的形狀、由曲線繪制的形狀和由直線與曲線組合繪制的形狀。作為由直線繪制的形狀，可提及例如三角形、正方形或五邊形。作為由曲線繪制的形狀，可提及例如部分圓形或部分橢圓形。作為由直線和曲線組合繪制的形狀，可提及例如具有圓角的正方形或扇形。本發(fā)明電子照相感光構(gòu)件表面上凹陷部形狀的具體實例示于圖1A-1G(凹陷部的形狀實例(在從感光構(gòu)件表面的觀察中))和圖2A-2G(凹陷部的形狀實例(在4黃截面的觀察中))。在本發(fā)明的電子照相感光構(gòu)件表面上形成的凹陷部的形狀可具有不同形狀、尺寸或深度。所有凹陷部可具有相同的形狀、尺寸或深度?？蛇x地，具有不同形狀、尺寸或深度的凹陷部可與具有相同形狀、尺寸或深度的凹陷部組合存在于電子照相感光構(gòu)件表面。所述凹陷部至少在電子照相感光構(gòu)件表面上形成。在感光構(gòu)件表面上形成的凹陷部可在表面層表面全部區(qū)域或部分表面上形成。如在圖1A-1G中由雙箭頭指示的長度(L)表示，以及在圖2A-2G中由長軸徑Rpc表示的，本發(fā)明中使用的長軸徑是指基于圍繞電子照相感光構(gòu)件凹陷部的開口部的表面，在電子照相感光構(gòu)件上形成的各凹陷部的最大長度。例如，當(dāng)凹陷部的俯視形狀為圓形時，將圓形的直徑定義為長軸徑。當(dāng)凹陷部的俯視形狀為橢圓形時，將橢圓形的長軸定義為長軸徑。當(dāng)凹陷部的俯視形狀為長方形時，將較長對角線定義為長軸徑。本發(fā)明中使用的深度是指各凹陷部最深部與開口表面之間的距離。更具體地，如圖2A-2G中由深度Rdv所示，深度表示基于圍繞電子照相感光構(gòu)件凹陷部的開口部的表面S，凹陷部的最深部與開口表面之間的距離。在本發(fā)明的電子照相感光構(gòu)件中，電子照相感光構(gòu)件的表面層包括含硅化合物或含氟化合物。另外，在感光層表面上，獨立地形成多個凹陷部。各凹陷部具有0.1)am以上至lO.O(im以下的深度(Rdv)，并滿足凹陷部深度(Rdv)與其長軸徑的比Rdv/Rpc為大于0.3至7.0以下。電子照相感光構(gòu)件具有如上所述的凹陷部。當(dāng)該比小于0.3時，當(dāng)重復(fù)4吏用所述感光構(gòu)件時，不能充分保持該感光構(gòu)件的效果。該特征依賴于打印的紙張數(shù)量而變化。相反，當(dāng)該比大于7.0時，則必須形成足夠厚的表面層。該特征也可依賴于打印的紙張數(shù)量而變化。由于使用本發(fā)明的電子照相感光構(gòu)件，可令人滿意地保持清潔性能，并抑制各種缺陷圖像的形成。其原因尚不明確；然而，認(rèn)為通過電子照相感光構(gòu)件表面中本發(fā)明的凹陷部的存在，以及表面層中含氟化合物或含硅化合物的存在，降低了摩擦系數(shù)，從而賦予所述構(gòu)件以平滑性。更加具體地描述，當(dāng)由于電子照相感光構(gòu)件表面上存在凹凸導(dǎo)致電子照相感光構(gòu)件與清潔刮板之間的接觸面積減小時，它們之間的摩擦阻力趨于下降。然而，清潔刮板本身是彈性體。因此，清潔刮板可在一定程度上跟隨電子照相感光構(gòu)件的表面形狀。因此，當(dāng)表面形狀不適當(dāng)時，不能發(fā)揮足夠的效果。在本發(fā)明的電子照相感光構(gòu)件中，由于在電子照相感光構(gòu)件表面上存在特定的凹陷部，和含氟化合物或含硅化合物存在于表面層中，很可能抑制清潔刮板對感光構(gòu)件的跟隨移動。由此，認(rèn)為電子照相感光構(gòu)件與清潔刮板之間的摩擦阻力急劇下降。結(jié)果，改進了清潔性能。由于不僅在初期，而且在長期重復(fù)使用期間也能夠保持良好的清潔性能，因此可抑制各類缺陷圖像的形成。在本發(fā)明的電子照相感光構(gòu)件中，如上所述，電子照相感光構(gòu)件與清潔刮板之間的摩擦系數(shù)變得極低。因此，認(rèn)為不需要放入足夠量的顯影劑，即可保持良好的清潔性能。此外，在本發(fā)明的電子照相感光構(gòu)件中，由于表面上存在特定凹陷部，顯影劑組分如調(diào)色劑或外部添加劑能夠保持在凹陷部中，從而有助于良好的清潔性能。盡管不清楚細(xì)節(jié)，但通常認(rèn)為良好的清潔性能通過在清潔刮板與電子照相感光構(gòu)件之間放入顯影劑組分如殘留在感光構(gòu)件表面上而未轉(zhuǎn)印的調(diào)色劑或外部添加劑產(chǎn)生。換言之，認(rèn)為在現(xiàn)有技術(shù)中，清潔性能通過利用未轉(zhuǎn)印的部分殘留顯影劑來進行顯示。如該情況中可能出現(xiàn)的，如果喪失平衡，會發(fā)生如由殘留的顯影劑組分導(dǎo)致的熔融和摩擦阻力增大的問題。更具體地，當(dāng)存在大量未轉(zhuǎn)印的殘留顯影劑組分如調(diào)色劑或外部添加劑時，顯示良好的清潔性能。然而，當(dāng)以低打印濃度打印大量紙張時，或當(dāng)在串連電子照相系統(tǒng)中連續(xù)進行單色打印時，清潔刮板與電子照相感光構(gòu)件之間的摩擦阻力趨于增大，結(jié)果顯影劑組分可能熔融。這可能是因為在清潔刮板中存在的顯影劑組分如調(diào)色劑或外部添加劑的量急劇下降導(dǎo)致的。相反，在本發(fā)明的電子照相感光構(gòu)件中，在表面層上形成特定凹陷部。顯影劑組分如調(diào)色劑或外部添加劑能夠保持在凹陷部內(nèi)。認(rèn)為這有助于良好的清潔性能。為此原因，即使當(dāng)以低打印濃度打印大量紙張時，或當(dāng)在串連電子照相系統(tǒng)中連續(xù)進行單色打印時，幾乎不會發(fā)生清潔不良。在本發(fā)明的電子照相感光構(gòu)件表面中，優(yōu)選所述表面以電子照相感光構(gòu)件表面的每1OO(im平方，即，每單位面積(100lamxl00(im)50以上至70,000以下的數(shù)量，具有滿足深度與長軸徑的比Rdv/Rpc為大于0.3至7.0以下的凹陷部。如果其每單位面積具有大量特定的凹陷部，則獲得具有良好清潔性能的電子照相感光構(gòu)件。此外，基于即使重復(fù)使用所述感光構(gòu)件，也能長期保持效果的觀點，優(yōu)選所述表面具有如下凹陷部所述凹陷部各自具有0.5iim以上至10.0jim以下的深度Rdv，并滿足深度與長軸徑的比Rdv/Rpc為大于1.0至7.0以下，其中所述深度Rdv表示凹陷部的最深部與開口表面之間的距離。注意，在所述單位面積上可存在不滿足上述形狀條件的凹陷部。另外，為提高電子照相感光構(gòu)件的使用壽命，優(yōu)選凹陷部的深度(Rdv)為大于3.Opm至10.0fim以下。當(dāng)凹陷部的深度(Rdv)大于3.0pm時，即使在長壽命感光構(gòu)件中，也能將其效果保持至使用壽命末期。此外，考慮到良好的清潔特性，優(yōu)選深度與長軸徑的比(Rdv/Rpc)為大于1.5至7.0以下。另一方面，當(dāng)凹陷部的深度(Rdv)超過10.0jam時，發(fā)生局部放電，所述局部放電在傳導(dǎo)電流時使感光構(gòu)件表面層劣化。因此，圖像特性可能惡化。如上所述，考慮到提供良好的清潔性能直至感光構(gòu)件預(yù)定壽命的末期，優(yōu)選依賴于電子照相感光構(gòu)件的壽命，可將凹陷部深度(Rdv)和為深度與長軸徑的比的比(Rdv/Rpc)在本發(fā)明的范圍內(nèi)任意設(shè)定。滿足深度與長軸徑的比(Rdv/Rpc)為大于0.3至7.0以下的凹陷部可任意設(shè)置在本發(fā)明電子照相感光構(gòu)件的表面上。更具體地描述，滿足深度與長軸徑的比(Rdv/Rpc)為大于0.3至7.0以下的凹陷部可以無規(guī)或規(guī)則間隔的方式設(shè)置。為改進涉及清潔性能的表面均勻性，凹陷部優(yōu)選以規(guī)則間隔設(shè)置。在本發(fā)明中，電子照相感光構(gòu)件表面上的凹陷部可通過例如商購可得的激光顯微鏡、光學(xué)顯微鏡、電子顯微鏡或原子力顯微鏡測量。可使用的激光顯微鏡的實例包括超深度輪廓測量顯微鏡VK-8550、超深度輪廓測量顯微鏡VK-9000和超深度輪廓測量顯微鏡VK畫9500(均由KeyenceCorporation制造)；表面輪廓測量系統(tǒng)SurfaceExplorerSX國520DR型(由RyokaSystemsInc.制造)；434苗共聚禁j斂光顯;f鼓4竟OLS3000(由OlympusCorporation制造)；禾口真色共聚焦顯耀:4竟OptelicsC130(由LasertechCorporation制造)?？墒褂玫墓鈱W(xué)顯微鏡的實例包括數(shù)字顯微鏡VHX-500和數(shù)字顯微鏡VHX-200(均由KeyenceCorporation制造)，和3D數(shù)字顯微鏡VC-7700(由OmronCorporation制造)?？墒褂玫碾娮语@4鼓鏡的實例包括3D真表面觀察(realsurface-view)顯微鏡VE-9800和3D真表面觀察顯微鏡VE-8800(均由KeyenceCorporation制造)；掃描電子顯微鏡常規(guī)/可變壓力SEM(由SI1NanoTechnologyInc.制造)；和掃描電子顯孩支4竟SUPERSCANSS-550(由ShimadzuCorporation制造)?？墒褂玫脑恿︼@微鏡的實例包括納米尺度混合顯微鏡VN-8000(由KeyenceCorporation制造)；掃描探針顯微鏡NanoNavistation(由SIINanoTechnologyInc.制造)；和掃對苗4笨4十顯微鏡SPM-9600(由ShimadzuCorporation制造)。采用任意一種所述顯微鏡，可以在預(yù)定放大率下測量視野內(nèi)的凹陷部的長軸徑和深度。此外，可通過計算獲得每單位面積的凹陷部的開口部面積百分比。作為實例，將描述通過將SurfaceExplorerSX-520DR與分析程序組合進行測量的情況。將待測量的電子照相感光構(gòu)件放置在工件固定器上，并通過調(diào)節(jié)傾斜臺使之水平。然后，通過波模式采集電子照相感光構(gòu)件圓周面的三維形狀數(shù)據(jù)。此時，18將物鏡的放大率設(shè)定為50X。在具有100fxmxl00(im(10,000pm2)的視野中進行觀察。接著，使用數(shù)據(jù)分析軟件的顆粒分析程序，通過等高線制圖顯示電子照相感光構(gòu)件的表面。凹陷部的分析參數(shù)如凹陷部的形狀、長軸徑、深度和開口部面積，可才艮據(jù)形成的凹陷部優(yōu)化。例如，當(dāng)^見察并測量具有約10jim長軸徑的凹陷部時，可將長軸徑的上限i殳定為15pm,下限為lpm，深度的下限為0.1(im和體積下限為l(im3。然后，計數(shù)在分析屏幕上能夠作為凹陷部可分辨的凹陷部數(shù)量。將該數(shù)值確定為凹陷部的凄t量。此外，在包括如上所述視野的相同分析條件中，凹陷部的開口部總面積可從用顆粒分析程序得到的凹陷部的開口部的總面積計算，凹陷部的開口部面積百分比(以下，術(shù)語"面積百分比，，表示所述開口部面積百分比)可通過以下方程計算。(凹陷部的總開口部面積/凹陷部的總開口部面積+非凹陷部的總面積)xioo[y。]注意，具有約lpm以下長軸徑的凹陷部可通過激光顯微鏡和光學(xué)顯微鏡觀察；然而，期望通過電子顯微鏡同時觀察并測量凹陷部，以提高測量精確度。接著，將描述形成本發(fā)明電子照相感光構(gòu)件表面的方法。形成所述表面形狀的方法沒有特別限制，只要其能滿足對凹陷部的上述要求即可。作為形成電子照相感光構(gòu)件表面方法的實例，可提及通過具有以下輸出特性的激光的照射形成電子照相感光構(gòu)件表面的方法脈沖寬度100ns(納秒)以下；通過使具有預(yù)定形狀的模具與電子照相感光構(gòu)件表面壓接，從而將形狀轉(zhuǎn)印至所述表面來形成表面的方法；當(dāng)形成電子照相感光構(gòu)件表面層時，通過在表面上誘導(dǎo)結(jié)露來形成表面的方法。將描述通過具有以下輸出特性的激光的照射形成電子照相感光構(gòu)件表面的方法脈沖寬度100ns(納秒)以下。在該方法中使用的激光器具體實例包括采用氣體如ArF、KrF、XeF或XeCl作為介質(zhì)的準(zhǔn)分子激光，和采用鈦藍寶石作為介質(zhì)的飛秒激光。此外，激光照射時，激光光的波長優(yōu)選為1000nm以下。所述準(zhǔn)分子激光是通過以下步驟產(chǎn)生的激光光。首先，向包括稀有氣體如Ar、Kr或Xe和卣素氣體如F或C1的氣體混合物中，通過使用放電、電子束或X射線施加能量，以激發(fā)上述元素并使它們結(jié)合。然后，當(dāng)它們返回至基態(tài)時，它們解離而產(chǎn)生準(zhǔn)分子激光。用于產(chǎn)生準(zhǔn)分子激光的氣體實例包括ArF、KrF、XeCl和XeF。可^:用所述氣體中的任意一種。特別地，優(yōu)選KrF和ArF。凹陷部通過使用掩模的方法形成，在所述方法中激光束屏蔽部分a和激光束透過部分b如圖3所示適當(dāng)?shù)嘏帕?。僅將透過掩模的激光束通過透鏡匯集并施加至電子照相感光構(gòu)件表面。以此方式，可形成并期望地排列具有期望形狀的凹陷部。在上述通過激光照射形成電子照相感光構(gòu)件表面的方法中，無i侖凹陷部的形狀和面積如4可，可在預(yù)定面積內(nèi)立即和同時形成多個凹陷部。因此，形成表面的步驟可在短時間內(nèi)進行。通過穿過掩模的激光的一次照射，可加工電子照相感光構(gòu)件表面的數(shù)平方毫米至數(shù)平方厘米的面積。在激光加工中，如圖4所示，電子照相感光構(gòu)件f首先通過工作旋轉(zhuǎn)電機d在其軸上旋轉(zhuǎn)。旋轉(zhuǎn)時，運行工作移動單元e，使得準(zhǔn)分子激光光照射設(shè)備c的激光施加位置沿電子照相感光構(gòu)件f的軸向滑動。以此方式，可在電子照相感光構(gòu)件表面的全部區(qū)域上有效形成凹陷部。通過上述通過激光照射形成電子照相感光構(gòu)件表面的方法，可以形成在表面上具有多個獨立凹陷部的電子照相感光構(gòu)件，所述凹陷部具有0.1(im以上至10.0nm以下的Rdv值，和大于0.3至7.0以下的Rdv/Rpc比(深度與長軸徑的比)，其中凹陷部的長軸徑由Rpc表示，和深度，即，凹陷部最深部與開口表面之間的距離，由Rdv表示。凹陷部的深度可在上述范圍內(nèi)任意設(shè)定。當(dāng)通過激光照射形成電子照相感光構(gòu)件表面時，凹陷部的深度可通過控制制造條件如激光照射時間和照射次數(shù)來調(diào)節(jié)?；谥圃炀然蛏a(chǎn)性觀點，當(dāng)電子照相感光構(gòu)件表面通過激光照射形成時，通過一次照射形成的凹陷部的深度期望為0.1(im以上至2.0(am以下。通過激光照射形成電子照相感光構(gòu)件表面的方法，電子照相感光構(gòu)件表面可以高精度和高自由度加工，同時可高精度地控制凹陷部的尺寸、形狀和排列。在通過激光照射形成電子照相感光構(gòu)件表面的方法中，所述表面處理方法可用組合使用的相同掩模圖案應(yīng)用于多個位點或全部感光構(gòu)件表面。通過該方法，凹陷部可在感光構(gòu)件的全部表面上高度均勻地形成。結(jié)果，當(dāng)在電子照相設(shè)備中使用感光構(gòu)件時，可將機械負(fù)荷均勻地施加在清潔刮板上。此外，如圖5所示，如果形成掩模圖案，使得凹陷部h和非凹陷部形成區(qū)域g兩者沿感光構(gòu)件的任意圓周方向(虛線所示)存在，則可以進一步防止機械負(fù)荷局部施加在清潔刮板上。接著，將描述通過以下來形成表面的方法使具有預(yù)定形狀的模具與電子照相感光構(gòu)件表面壓接，從而轉(zhuǎn)印形狀。圖6為示出利用本發(fā)明使用的模具的壓接型形狀轉(zhuǎn)印表面加工單元的示意圖。將預(yù)定模具B安裝至可重復(fù)加壓或卸壓的加壓單元A后，通過施加預(yù)定壓力使所述模具與感光構(gòu)件C接觸，從而轉(zhuǎn)印形狀。此后，一旦卸壓，感光構(gòu)件C沿箭頭指示的方向旋轉(zhuǎn)。然后，再次施加壓力，以進行轉(zhuǎn)印形狀的步驟。重復(fù)進行該步驟，以在感光構(gòu)件全部圓周上形成預(yù)定的凹陷部。此外，例如，如圖7所示，將具有與感光構(gòu)件C的全周長近似對應(yīng)的預(yù)定形狀的才莫具B安裝至加壓單元A之后，可使感光構(gòu)件c按箭頭指示的方向旋轉(zhuǎn)和移動，同時向感光構(gòu)件c施加預(yù)定壓力，以在感光構(gòu)件的全部圓周上形成預(yù)定的形狀?？蛇x地，可使用片狀模具以將其夾在輥形加壓設(shè)備和感光構(gòu)件之間。感光構(gòu)件表面可通過使用所述片型模具來進行加工。為有效地進行形狀轉(zhuǎn)印，可加熱模具和感光構(gòu)件。所述模具和感光構(gòu)件可在任意溫度下加熱，只要能夠形成本發(fā)明的預(yù)定凹陷部即可；然而，可優(yōu)選將它們加熱以Y吏得在形狀轉(zhuǎn)印梯:作期間，模具的溫度(。c)高于在支承體上形成的感光層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(。C)。除加熱模具之外，可將在形狀轉(zhuǎn)印操作期間支承體的溫度(。c)控制為低于感光層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度rc)。這在穩(wěn)定地形成轉(zhuǎn)印至感光構(gòu)件表面的凹陷部中是優(yōu)選的。另外，當(dāng)根據(jù)本發(fā)明的感光構(gòu)件具有電荷輸送層時，優(yōu)選進行加熱，以使得在形狀轉(zhuǎn)印操作期間模具的溫度(。C)高于在支承體上形成的電荷輸送層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(。C)。除加熱模具之外，可將在形狀轉(zhuǎn)印操作期間支承體的溫度(°C)控制為低于電荷輸送層的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度(。C)。這在穩(wěn)定地形成轉(zhuǎn)印至感光構(gòu)件表面的凹陷部中是優(yōu)選的?？蛇m當(dāng)?shù)剡x擇模具本身的材料、尺寸和形狀。作為材料，可提及已進行精細(xì)表面加工的金屬、具有抗蝕劑圖案化表面(resist-patternedsurface)的硅晶片、其中分散有細(xì)顆粒的樹脂膜，和具有預(yù)定精細(xì)表面形狀并用金屬涂布的樹脂膜。模具形狀的實例示于圖8A和8B中。圖8A和8B分別為與感光構(gòu)件接觸的模具表面的局部放大圖。視圖(l)為俯視觀察的模具形狀，視圖(2)為側(cè)面觀察的模具形狀。為向感光構(gòu)件上均勻地施加壓力，可將彈性體插入模具和力口壓單元之間。依靠通過使具有如上所述預(yù)定形狀的模具與電子照相感光構(gòu)件表面接觸來轉(zhuǎn)印形狀的形成表面的方法，可以制造具有多個凹陷部的電子照相感光構(gòu)件，所述凹陷部在表面層上〗皮此獨立地形成，具有0.1nm以上至10.0fim以下的Rdv和大于0.3至7.0以下的Rdv/Rpc的比(深度與長軸徑的比)，其中凹陷部的長軸徑由Rpc表示，顯示凹陷部最深部與其開口表面之間距離的深度由Rdv表示。凹陷部的深度可在上述范圍內(nèi)任意設(shè)定。然而，當(dāng)通過使具有預(yù)定形狀的模具與所述表面接觸，從而轉(zhuǎn)印形狀來形成電子照相感光構(gòu)件表面時，深度期望為O.lpm以上至10.0^im以下。依靠釆用通過使具有預(yù)定形狀的模具與所述表面接觸，從而轉(zhuǎn)印形狀來形成電子照相感光構(gòu)件表面的方法，電子照相感光構(gòu)件表面可以高精度和高自由度地加工，同時精確地控制凹陷部的尺寸、形狀和排列。接著，將描述當(dāng)形成表面層時，通過在表面上誘導(dǎo)結(jié)露(condensation)來形成電子照相感光構(gòu)件表面的方法。所述在表面上通過誘導(dǎo)結(jié)露來形成電子照相感光構(gòu)件表面的方法為用于制造電子照相感光構(gòu)件的方法，所述方法的特征在于，通過如下步驟形成在表面上具有獨立形成的凹陷部的表面層施涂表面層涂布液的涂布步驟，所述涂布液包含粘結(jié)劑樹脂和特定芳香族有機溶劑，該芳香族有機溶劑以相對于溶劑總量為50質(zhì)量%以上至80質(zhì)量％以下的量包含在所述表面層涂布液中；當(dāng)保持該用涂布液涂布的支承體時，在用涂布液涂布的支承體表面上誘導(dǎo)結(jié)露的結(jié)露步驟；和加熱干燥所述支承體的干燥步驟。粘結(jié)劑樹脂的實例可包括丙烯酸樹脂、苯乙烯樹脂、聚酯樹脂、聚碳酸酯樹脂、多芳基化合物樹脂、聚砜樹脂、聚苯醚樹脂、環(huán)氧樹脂、聚氨酯樹脂、醇酸樹脂和不飽和樹脂。特別優(yōu)選的樹脂為聚甲基丙烯酸曱酯樹脂、聚笨乙烯樹脂、苯乙烯-丙烯腈共聚物樹脂、聚碳酸酯樹脂、多芳基化合物樹脂或鄰苯二曱酸二烯丙酯樹脂。進一步優(yōu)選的樹脂為聚碳酸酯樹脂或多芳基化合物樹脂。這些可單獨、組合或作為兩種以上的共聚物使用。上述提及的預(yù)定芳香族有機溶劑為與水具有低親合性的溶劑。具體提及的為1,2-二甲苯、1,3-二甲苯、1,4-二甲苯、1，3，5-三曱基苯或氯苯。在表面層涂布液中包含芳香族有機溶劑是重要的。然而，為穩(wěn)定地形成凹陷部，與水具有高親合性的有機溶劑或水可包含在表面層涂布液中。作為與水具有高親合性的有機溶劑，可優(yōu)選提及(甲基亞硫?；?曱烷(俗名二甲基亞砜)、四氫噻吩-l,l-二酮(俗名環(huán)丁砜)、N，N-二甲基羧酰胺、N,N-二乙基羧酰胺、二曱基乙酰胺或l-曱基吡咯烷-2-酮?？蓡为毣蛞詢煞N以上的混合物包含這些有機溶劑。如上所述，保持用于在其表面上誘導(dǎo)結(jié)露的支承體的步驟，為可在支承體表面上誘導(dǎo)結(jié)露的氣氛下，保持用表面層涂布液涂布的支承體預(yù)定時間的步驟。在該表面形成方法中的結(jié)露是指通過水的作用在用表面層涂布液涂布的支承體上的液滴的形成。在支承體表面上誘導(dǎo)結(jié)露的條件受支承體周圍氣氛的相對濕度和涂布液中包含溶劑的蒸發(fā)條件(例如蒸發(fā)熱)影響。由于芳香族有機溶劑以相對于溶劑總量(質(zhì)量)以不少于50質(zhì)量％的量包含在表面層涂布液中，該涂布液的溶劑的蒸發(fā)條件具有很小的影響。因此，誘導(dǎo)結(jié)露的條件主要依賴于保持支承體的氣氛的相對濕度變化。在支承體表面上誘導(dǎo)結(jié)露的相對濕度為40%至100%，更優(yōu)選70%以上。所述保持支承體的步驟可進行足以通過結(jié)露形成液滴的時間?；谏a(chǎn)性的觀點，該時間優(yōu)選為1至300秒，更優(yōu)選約10至180秒。雖然在保持支承體步驟中，相對濕度是重要的，但該步驟的環(huán)境溫度優(yōu)選為2(TC以上至80。C以下。在加熱千燥支承體的干燥步驟中，可使保持支承體步驟中在支承體表面上形成的液滴進入在感光構(gòu)件表面上形成的凹陷部中。為形成高度均勻的凹陷部，快速干燥是重要的，因此進行加熱千燥。干燥步驟中采用的干燥溫度優(yōu)選為10(TC至15(TC。作為加熱干燥步驟的時間，任意時間均是可接受的，只要除去在支承體上施涂的涂布液的溶劑和在結(jié)露步驟中形成的水滴即可。干燥步驟的時間優(yōu)選為10至120分鐘，更優(yōu)選20至100分鐘。通過當(dāng)形成電子照相感光構(gòu)件的表面層時通過在表面上誘導(dǎo)結(jié)露來形成表面的方法，凹陷部在感光構(gòu)件表面上獨立地形成。當(dāng)形成電子照相感光構(gòu)件表面層時，通過在表面上誘導(dǎo)結(jié)露來形成表面的方法中，通過使用與水具有低親合性的溶劑和粘結(jié)劑樹脂，將通過水的作用形成的液滴形成為凹陷部。由于它們通過水的內(nèi)聚力形成，因此按照該制造方法在電子照相感光構(gòu)件表面上形成的凹陷部的各形狀非常均勻。由于該制造方法包括除去液滴的步驟，或從液滴已充分生長的狀態(tài)除去液滴的步驟，電子照相感光構(gòu)件表面上的凹陷部以液滴或蜂窩(六邊形)形狀形成。液滴形狀的凹陷部是指在感光構(gòu)件表面觀察中，有例如為圓形或橢圓形樣子的凹陷部，和在感光構(gòu)件橫截面觀察中，有例如為部分圓形或部分橢圓形樣子的凹陷部。蟲奪窩形(六邊形)凹陷部為例如作為電子照相感光構(gòu)件表面上液滴最密堆積的結(jié)果形成的凹陷部。具體地說，它們是指在感光構(gòu)件表面觀察中，具有圓形、六邊形或具有圓角的六邊形樣子的凹陷部，和在感光構(gòu)件橫截面觀察中，具有例如為部分圓形或四方柱樣子的凹陷部。25當(dāng)形成電子照相感光構(gòu)件表面層時，通過在表面上誘導(dǎo)結(jié)露來形成表面的方法，可以形成具有多個凹陷部的電子照相感光構(gòu)件，所述凹陷部在表面層上;f皮此獨立地形成，具有0.1/im以上至10.0fim以下的Rdv值，和大于0.3至7.0以下的Rdv/Rpc的比(深度與長軸徑的比)，其中凹陷部的長軸徑由Rpc表示，和顯示凹陷部最深部與其開口表面之間距離的深度由Rdv表示。凹陷部的深度可在上述范圍內(nèi)任意設(shè)定。然而，優(yōu)選采用在其下凹陷部的深度落在0.1(im以上至20fim以下范圍內(nèi)的制造條件。凹陷部可通過在所述制造方法中顯示的范圍內(nèi)適當(dāng):l也設(shè)定制造條件來控制。例如，凹陷部可通過以下來控制本說明書中描述的表面層涂布液中包含的溶劑的類型和含量，結(jié)露步驟中的相對濕度，結(jié)露步驟中保持基材的時間，和加熱干燥步驟的溫度。當(dāng)形成電子照相感光構(gòu)件表面層時通過在表面上誘導(dǎo)結(jié)露所形成的凹陷部通過激光顯微鏡觀察。其圖像的實例示于圖15。此外，在本發(fā)明中，作為電子照相感光構(gòu)件表面層中包含的含硅化合物或含氟化合物，可使用任意化合物，只要該化合物的結(jié)構(gòu)中包含硅或氟元素即可。作為含珪化合物的實例，可提及具有由式(l)表示的結(jié)構(gòu)重復(fù)單元的聚硅氧烷其中，Ri和R2可相同或不同，并表示氬原子、卣原子、烷氧基、硝基、取代或未取代的烷基，或者取代或未取代的芳基；和k表示l至500的正整數(shù)。在此情況下，可使用在末端和側(cè)鏈具有甲基的二甲基硅油，或各類改性硅油，以增加其與粘結(jié)劑樹脂的相容性。另外，當(dāng)形成表面層時，在側(cè)鏈、末端和部分主鏈上具有重復(fù)單元(Si-O)的改性聚硅氧烷顯示高表面遷移性，盡管表面遷移性的程度依賴于與粘結(jié)劑樹脂的相容性及其結(jié)構(gòu)而變化。如果將該改性聚硅氧烷與本發(fā)明的凹陷部組合使用，則如圖9所示(其中X表示含氟化合物或含硅化合物存在的部分)，大量含氟化合物或含硅化合物分布在凹陷部的內(nèi)表面中?；谝韵掠^點，這是優(yōu)選的。當(dāng)通過重復(fù)使用而磨損感光構(gòu)件表面層時，新表面始終暴露在凹陷部中。因此，在重復(fù)使用期間，能夠總是顯示含氟化合物或含硅化合物的潤滑性，直至感光構(gòu)件使用壽命末期。結(jié)果，可獲得清潔性能的持久效果。表面層最外表面中含氟化合物或含硅化合物的分布程度可通過測量最外表面中存在的氟元素或硅元素的比來確定。更加具體地描述，通過使用X-射線光電子能譜(ESCA)測量從感光構(gòu)件表面層的最外表面向內(nèi)0.2fim部分中存在的氟元素或硅元素含量A(質(zhì)量。/。)，和感光構(gòu)件表面層的最外表面中存在的氟元素或硅元素含量B(質(zhì)量。/Q),從而得到前者與后者的比(A/B)。如果該比小于0.5,則判定含氟化合物或含硅化合物遷移至表面層的最外表面，并以濃縮態(tài)存在于那里。在這方面，本發(fā)明中比A/B優(yōu)選小于0.5且大于0.0。優(yōu)選氟元素或硅元素相對于構(gòu)成表面層最外表面的元素的比為1.0質(zhì)量％以上，這是因為可容易地產(chǎn)生所述化合物在清潔性能方面的效果。此外，當(dāng)該比小于0.1時，認(rèn)為含氟化合物或含硅化合物僅局限于感光構(gòu)件表面層最外表面附近。當(dāng)其與具有滿足深度與長軸徑的比(Rdv/Rpc)大于0.3至7.0以下的凹陷部的表面層結(jié)合時，可保持最大程度地顯示含氟化合物或含硅化合物的高潤滑性，結(jié)果，可有利地實現(xiàn)在清潔性能方面更加持久的效果。此時，基于通過X-射線光電子能譜測量(ESCA)的區(qū)域限于約100(im的事實，測量可在電子照相感光構(gòu)件中未形成凹陷部的情況下進行，從而進行感光構(gòu)件最外表面和從最外表面向內(nèi)0.2pm部分的必要測量。感光構(gòu)件表面層最外表面中和從最外表面向內(nèi)0.2pm部分中氟元素或硅元素的含量通過X-射線光電子能"i普如下測量。寸吏用的i更備由PHIInc.(PhysicalElectronicsIndustries,Inc.)制造的Quantum2000ScanningESCAMicroprobe最外表面和向內(nèi)0.2fim部分(蝕刻后)的測量條件X射線源AlKal486.6eV(25W15kV)測量面積10(Him平方光譜區(qū)域1500x300,,角度450通能(PassEnergy):117.40eV蝕刻條件離子槍C60(10kV,2mmx2mm),角度70°注意，為將電荷輸送層蝕刻至1.0(am深度(蝕刻電荷輸送層后，深度通過截面SEM觀察測定)，需要1.0[im/100min的速率。由此，從最外表面向內(nèi)0.2[am部分中存在的元素的分析可通過使用離子槍C60進行蝕刻20分鐘來進行。基于在上述條件下測量的各元素的峰強度，通過使用由PHIInc.提供的相對靈敏度因子算出表面原子濃度(原子。/。)。構(gòu)成表面層的各元素的測量峰頂范圍如下Cls:278-298eVFls:680-700eVSi2p:90-110eVOls:525-545eVNls:390-410eV以下將描述本發(fā)明中使用的含氟化合物或含硅化合物的優(yōu)選實例；但所述化合物并不限于這些。作為含氟化合物，可提及氟油。作為氟油，可提及例如為全氟聚醚油的具有直鏈結(jié)構(gòu)的全氟聚醚油DemnumS-100(由DaikinIndustriesLtd.制造)。優(yōu)選具有平均分子量(Mw)為2,000至9，000的全氟聚醚油。作為含硅化合物，可提及前述硅油(如二曱基^圭氧烷和改性硅氧烷)。^i油的實例包括二甲基聚硅氧烷(由Shin-EtsuSilicone制造的KF96);氨基改性聚硅氧烷(由Shin-EtsuSilicone制造的X-22-l61B);環(huán)氧改性聚硅氧烷(由Shin-EtsuSilicone制造的X-22-163A);羧基改性聚硅氧烷(由Shin-EtsuSilicone制造的X國22-3710);曱醇改性聚硅氧烷(由Shin-EtsuSilicone制造的KF6001);巰基改性聚硅氧烷(由Shin-EtsuSilicone制造的X-22-167B);酚改性聚硅氧烷(由DowCorningToraySiliconeCo.，Ltd.制造的BY16國752);聚醚改性聚硅氧烷(由Shin-EtsuSilicone制造的KF618);脂肪族酯改性聚硅氧烷(由Shin-EtsuSilicone制造的KF910);和烷氧基改性聚硅氧烷(由NipponUnicarCo.，Ltd.制造的FZ3701)。優(yōu)選具有重均分子量(Mw)為1,000至100,000的硅油。這些含氟化合物或含硅化合物可單獨，或以兩種以上的混合物使用。在本發(fā)明中，將含氟化合物或含硅化合物引入感光構(gòu)件表面層中與在表面層上形成凹陷部相結(jié)合，從而，即使含氟化合物或含硅化合物的含量相對于表面層的全部固體物質(zhì)為0.6質(zhì)量％以上，和即使重復(fù)使用所述感光構(gòu)件，與現(xiàn)有技術(shù)相比也可實現(xiàn)持久潤滑性并獲得良好的清潔性能。優(yōu)選地，含氟化合物或含硅化合物的含量相對于表面層全部固體物質(zhì)為0.6質(zhì)量%以上至10.0質(zhì)量％以下。這是因為當(dāng)該含量為0.6質(zhì)量％以上時，但可容易地獲得充分的潤滑性；另一方面，當(dāng)該含量為IO.O質(zhì)量％以下時，盡管其依賴于共混入表面層的粘結(jié)劑樹脂的類型，可充分保持表面層的強度，從而抑制感光構(gòu)件表面的磨損量，并長期延長使用壽命。上述在側(cè)鏈或末端和部分主鏈上具有重復(fù)單元(Si-O)的改性聚硅氧烷的具體實例可包括具有硅氧烷結(jié)構(gòu)的聚碳酸酯、聚酯、丙烯酸酯、曱基丙烯酸酯和苯乙烯中的任意一種，或具有多種這些物質(zhì)的聚合物。作為在側(cè)鏈具有硅氧烷結(jié)構(gòu)的聚合物，可提及例如苯乙烯-聚二甲基硅氧烷甲基丙烯酸酯(由AronGS-101CP,由ToagoseiCo"Ltd,制造)。作為具有硅氧烷結(jié)構(gòu)的聚碳酸酯或聚酯聚合物，可提及具有由式(4)表示的結(jié)構(gòu)重復(fù)單元和由式(2)或(3)表示的結(jié)構(gòu)重復(fù)單元的聚碳酸酯或聚酯聚合物。在式(2)和(3)中，X和Y表示單鍵，-O-、-S-、耳又代的亞烷基或未取代的亞烷基；R3至R^可以相同或不同，并表示氫原子、囟原子、烷氧基、硝基、取代的烷基、未取代的烷基、取代的芳基或未取代的芳基。其中，R!9和R20表示氫原子、烷基或芳基；R^至R24可相同或不同，表示氫原子、卣原子、取代的烷基、未取代的烷基、取代的芳基或未取代的芳基；a表示l至30的整數(shù)；和m表示l至3「漆o2,卜2IfI30500的整數(shù)。在具有硅氧烷結(jié)構(gòu)的聚碳酸酯或聚酯聚合物中，更優(yōu)選具有由上述式(4)表示的結(jié)構(gòu)重復(fù)單元和由上述式(2)或(3)表示的結(jié)構(gòu)重復(fù)單元，以及在一個末端或兩個末端具有由式(5)表示的結(jié)構(gòu)的聚碳酸酯或聚酯聚合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage31</formula>其中，R25和R26表示氫原子、鹵原子、烷氧基、硝基、未取代的烷基、取代的烷基、未取代的芳基或取代的芳基；R27和R28表示氫原子、烷基或芳基；1129至1133可相同或不同，并表示氫原子、卣原子、未取代的烷基、取代的烷基、未取代的芳基或取代的芳基；b表示l至30的整數(shù)；和n表示l至500的整數(shù)。更優(yōu)選在一個末端或兩個末端具有由式(5)表示的硅氧烷結(jié)構(gòu)的聚碳酸酯或聚酯聚合物的原因尚不清楚；然而，認(rèn)為如下。當(dāng)在聚合物末端存在聚硅氧烷位點時，硅氧烷部分的自由度增加，然后增強了聚碳酸酯或聚酯聚合物的表面遷移性。聚碳酸酯或聚酯聚合物向表面層的最外表面局部地移動和集中，結(jié)果，顯示非常高的潤滑性。此外，聚碳酸酯或聚酯聚合物具有較長的硅氧烷鏈，其起到更有效地增加潤滑性的作用。當(dāng)式(4)和(5)中結(jié)構(gòu)重復(fù)單元數(shù)的平均值n和m為IO以上時，聚碳酸酯或聚酯聚合物顯示特別高的潤滑性。當(dāng)硅氧烷結(jié)構(gòu)單元與具有由式(4)或式(5)表示的硅氧烷結(jié)構(gòu)，或者由式(4)和(5)兩者表示的硅氧烷結(jié)構(gòu)的聚碳酸酯或聚酯聚合物總質(zhì)量的構(gòu)成比(質(zhì)量)為10.O質(zhì)量％以上至60.0質(zhì)量％以下時，聚碳酸酯或聚酯聚合物顯示更高的表面遷移性，從而有利地最大程度地發(fā)揮潤滑性。當(dāng)硅氧烷結(jié)構(gòu)單元的構(gòu)成比(質(zhì)量)小于該數(shù)值范圍時，除非增加具有由式(4)或式(5)表示的硅氧烷結(jié)構(gòu)，或者由式(4)和(5)兩者表示的硅氧烷結(jié)構(gòu)的聚碳酸酯或聚酯聚合物含量，否則難于獲得高潤滑性。如果大幅提高添加至表面層的聚碳酸酯或聚酯聚合物的量，盡管情況依賴于電子照相感光構(gòu)件的使用壽命和本發(fā)明的凹陷部的深度(Rdv)而變化，也難于同時獲得足夠的潤滑性和耐久性。相反，當(dāng)硅氧烷結(jié)構(gòu)單元的構(gòu)成比(質(zhì)量)大于上述數(shù)值范圍時，聚碳酸酯或聚酯聚合物與構(gòu)成表面層的其它材料的相容性下降。結(jié)果，表面層的透明性可能下降，曝光光散射，導(dǎo)致光量不足。因此，可能產(chǎn)生包括惡化的電子照相特性和打印圖像的劣化的圖像質(zhì)量的一些問題。這里使用的構(gòu)成比(質(zhì)量)是指由通式(4)或(5)表示的硅氧烷結(jié)構(gòu)單元構(gòu)成的部分占樹脂總質(zhì)量的比(質(zhì)量％)。所述硅氧烷結(jié)構(gòu)單元是指Si-O鍵的重復(fù)單元，并還包括直接鍵合至Si的取代基。關(guān)于清潔刮板，通常，向清潔刮板邊緣施涂除調(diào)色劑之外的無機顆粒如氟化碳、氧化鈰、氧化鈥或二氧化硅，以增加與感光構(gòu)件的潤滑性，乂人而防止刮一反翹起。然而，包含在一個末端或兩個末端具有硅氧烷結(jié)構(gòu)的聚碳酸酯或聚酯聚合物的感光構(gòu)件表面具有極高的潤滑性。此外，通過將感光構(gòu)件與具有根據(jù)本發(fā)明的凹陷部的表面層組合，即使重復(fù)使用感光構(gòu)件，也能保持非常高的潤滑性。因此，即使不向清潔刮板施涂潤滑劑，也不會發(fā)生刮板翹起和刮板震動。即使在長期重復(fù)使用期間，也能夠在初始即獲得良好的清潔性能。作為由通式(4)或(5)表示的硅氧烷結(jié)構(gòu)，可提及例如衍生自聚烷基硅氧烷、聚芳基硅氧烷或聚烷芳基硅氧烷的那些。更具體地，可提及聚二甲基硅氧烷、聚二乙基硅氧烷、聚二苯基硅氧烷或聚甲基苯基硅氧烷。這些可以兩種以上的組合使用。作為由結(jié)構(gòu)重復(fù)單元數(shù)的平均值，式(4)中的m或式(5)中的n表示的聚硅氧烷基團的長度，m或n為l至500,優(yōu)選IO至IOO。為獲得硅氧烷的充分潤滑性，m或n的值優(yōu)選在一定程度上較大。然而，m或n值超過500是不實用的，這是因為具有不飽和基團的單官能苯基化合物的反應(yīng)性下降。含氟化合物或含硅化合物的重均分子量(Mw)可通過常規(guī)j方法獲得。更具體地說，將樣品添加至四氫呋喃(THF)中，并使之放置數(shù)小時。此后，將樣品與四氬呋喃良好混合同時振蕩(直至樣品樹脂的聚結(jié)消失)，并使之又靜置12小時以上。此后，使所得混合物通過樣品處理過濾器(孔尺寸0.45至0.5(im，例^口，可4吏用由TosohCorporation制造的MyShodDiskH-25-5),從而得到用于GPC(凝膠滲透色譜)的樣品。調(diào)節(jié)樣品濃度為0.5至5mg/ml。使如此得到的樣品進行以下測量。將柱在4(TC熱室中穩(wěn)定化。然后，將用作溶劑的四氫呋喃通過保持在該溫度下的柱以lml/min的流速供給。將GPC樣品(1Opl)注入所述柱中，以測量重均分子量(Mw)。為測量樣品的重均分子量(Mw)，從使用幾種單分散聚苯乙烯標(biāo)準(zhǔn)樣品制作的校準(zhǔn)曲線的對數(shù)值與計數(shù)之間的關(guān)系計算樣品的分子量分布。作為用于制作校準(zhǔn)曲線的標(biāo)準(zhǔn)聚苯乙烯樣品，適當(dāng)?shù)厥褂糜葾ldrich制造的具有分子量為800至2,000，000的約10種單分散聚苯乙烯樣品。作為檢測器，使用RI(示差折光)檢測器。作為柱，可組合使用多個商購可得的聚苯乙烯柱。例如，可組合4吏用由TosohCorporation制造的柱如TSK凝膠(gel)G1000H(HXL)、G2000H(HXL)、G3000H(HXL)、G4000H(HXL)、G5000H(HXL)、G6000H(HXL)、G7000H(HxO和TSK保護柱(guard33column)。接著，下面將描述構(gòu)成聚碳酸酯或聚酯聚合物的材料的典型實例，所述聚合物具有由式(4)表示的結(jié)構(gòu)重復(fù)單元和由式(2)或(3)表示的結(jié)構(gòu)重復(fù)單元，并在一個末端或兩個末端具有由式(5)表示的結(jié)構(gòu)。將描述使用它們的合成例。然而，本發(fā)明不限于這些。首先，將描述構(gòu)成具有由通式(2)表示的結(jié)構(gòu)單元的聚合物的材料實例。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage35</formula>其中，基于膜成形性的觀點，優(yōu)選由式(2-2)和(2-13)表示的結(jié)構(gòu)。接著，將描述構(gòu)成具有由式(4)表示的硅氧烷結(jié)構(gòu)單元的聚合物的材料實例(m表示l至500的整數(shù)，且為結(jié)構(gòu)重復(fù)單元數(shù)的平均值)。接著，將描述構(gòu)成具有由式(5)表示的硅氧烷結(jié)構(gòu)單元的聚合物的材料實例(n表示l至500的整數(shù)，且為結(jié)構(gòu)重復(fù)單元數(shù)的平均值)。以下將描述在一個末端或兩個末端具有硅氧烷結(jié)構(gòu)的聚碳酸酯或聚酯聚合物的合成例。(合成例1)向500ml10%的氫氧化鈉水溶液中，添加并溶解120g由(2-13)表示的雙酚。向該溶液中，添力口300ml二氯甲烷并攪拌。在將所得溶液的溫度保持在10至15。C的同時，將100g光氣吹入所述溶液l小時。當(dāng)將約70%光氣吹入時，將10g由(4-l)表示的且具有結(jié)構(gòu)重復(fù)單元數(shù)的平均值(m)為20的硅氧烷化合物，和20g由(5-l)表示的且具有結(jié)構(gòu)重復(fù)單元數(shù)平均值(n)為20的硅氧烷化合物添加至該溶液中。光氣導(dǎo)入完成后，劇烈攪拌該反應(yīng)液以將其乳化。向其中添加0.2ml三乙胺并攪拌l小時。此后，用磷酸中和二氯曱烷相，并用水反復(fù)洗滌，直至該相的pH達到約7。隨后，將該液相逐滴加入異丙醇中。將沉淀過濾并干燥，從而得到白色粉末狀聚合物(在一個末端或兩個末端具有硅氧烷結(jié)構(gòu)的聚碳酸酯聚合物)。將所得聚合物通過紅外(IR)吸收光譜分析。在1750cm"處存在羰基吸收，和在1240cm"處存在醚鍵吸收。因此，確認(rèn)碳酸酯鍵的存在。在3650至3200cm"處基本沒有觀察到吸收。如此，確認(rèn)沒有羥基存在。通過吸光測定法測量的殘余酚OH量為112ppm。此外，在1100至1000cm"處觀察到源自硅氧烷的峰。使本發(fā)明的聚碳酸酯聚合物進行1H-NMR測量。轉(zhuǎn)換構(gòu)成樹脂的氫原子的峰面積比，以得到共聚合比。結(jié)果，確認(rèn)由式(4-l)形成的硅氧烷部分與由式(5-l)形成的硅氧烷部分的比為約1:2，和結(jié)構(gòu)重復(fù)單元數(shù)的平均值的比m:n為約20:20。此外，粘度平均分子量(Mv)為約26，000。在20。C下的極限粘度為0.46dl/g。硅氧烷部分的質(zhì)量構(gòu)成比為約20.0%。該聚碳酸酯聚合物在聚碳酸酯樹脂的兩末端均具有聚硅氧烷部分。另外，硅氧烷部分與聚碳酸酯樹脂的主鏈聚合。注意，粘度平均分子量(Mv)如下測量。將在一個末端或兩個末端具有硅氧烷結(jié)構(gòu)的上述聚碳酸酯或聚酯聚合物溶解在二氯甲烷溶液中，使得濃度為0.5w/v。/。。測量該溶液在2(TC下的極限粘度。粘度平均分子量(Mv)通過將Mark-Houwink-Sakurada公式的K和a分別假定為1.23xl04和0.83求得。(合成例2)除了使用25g由式(4-l)表示的且具有結(jié)構(gòu)重復(fù)單元數(shù)的平均值(m)為40的硅氧烷化合物，和55g由式(5-l)表示的且具有結(jié)構(gòu)重復(fù)單元數(shù)的平均值(n)為40的硅氧烷化合物之外，以與合成例l相同的方式進行合成。以此方式，得到本發(fā)明中使用的聚碳酸酯聚合物。粘度平均分子量(Mv)為約20，600。所述聚碳酸酯38聚合物的結(jié)構(gòu)重復(fù)單元數(shù)平均值的比m:n為約40:40。硅氧烷部分的構(gòu)成比(質(zhì)量)為約40.0%,聚碳酸酯樹脂具有在其兩末端存在聚硅氧烷部分，以及硅氧烷部分還聚合至聚碳酸酯樹脂主鏈的結(jié)構(gòu)。該事實通過紅外吸收光譜和1H-NMR確認(rèn)。通過吸光測定法得到的殘余酚OH量為175ppm。(合成例3)在裝配有攪拌器的反應(yīng)容器中，放置90g由式(2-2)表示的雙酚、0.82g對叔丁基苯酚、33.9g氬氧化鈉和0.82g用作聚合催化劑的三正丁基千基氯化銨，并溶解在2,720ml水中(水相)。向500ml二氯曱烷中，溶解4g由式(4-l)表示的硅氧烷化合物(結(jié)構(gòu)重復(fù)單元數(shù)的平均值m-40)，和8g由式(5-l)表示的硅氧烷化合物(結(jié)構(gòu)重復(fù)單元數(shù)的平均值11=40)(有機相1)。分開地，向1,500ml二氯甲烷中，添加并溶解74.8對苯二甲酰氯/間苯二曱酰氯(1:1)混合物(有機相2)。首先，將有機相l(xiāng)添加至預(yù)先制備的水相中，同時劇烈攪拌。接著，添加有機相2，并在20。C下進行聚合反應(yīng)3小時。然后，添加15ml乙酸，以終止反應(yīng)。將水相通過傾析從所述有才幾相分離。用水洗滌有才幾相并通過離心來分離。反復(fù)進行該操作。洗滌中使用的水總量為有機相質(zhì)量的50倍。此后，將有機相添加至?xí)醮贾?，從而使得聚合物沉淀。將聚合物分離并干燥，從而得到在一個末端或兩個末端具有硅氧烷結(jié)構(gòu)的聚酯聚合物。上述在一個末端或兩個末端具有硅氧烷結(jié)構(gòu)的聚碳酸酯或聚酯聚合物的粘度平均分子量(Mv)優(yōu)選為5,000至200,000,特別優(yōu)選IO，OOO至IOO，OOO。在合成中，為控制分子量，除單官能硅氧烷化合物外，可添加另一種單官能化合物作為末端終止劑。這類終止劑的實例包括通常用于制造聚碳酸酯的化合物，如苯酚、對枯基酚、對叔丁基苯酚、苯曱酸和芐基氯。在一個末端或兩個末端具有硅氧烷結(jié)構(gòu)的聚碳酸酯或聚酯聚合物中殘余濕氣含量優(yōu)選為0.25wt。/。以下?；陔娮诱障嗵匦缘挠^點，殘余溶劑量優(yōu)選為300ppm以下，殘余鹽量優(yōu)選為2.0ppm以下。另外，本發(fā)明中使用的聚碳酸酯聚合物在二氯甲烷作為溶劑的其0.5g/dl溶液中，具有優(yōu)選低于10.0dl/g,更優(yōu)選0.1至1.5dl/g的在20。C下的極限粘度。此外，通過吸光測定法測定的殘余酚OH的量優(yōu)選為500ppm以下，更優(yōu)選300ppm以下。這里的濕氣含量通過卡爾.費歇爾(KarlFischer)水分計得到。更具體地，濕氣含量濃度通過以下來得到將在一個末端或兩個末端具有硅氧烷結(jié)構(gòu)的聚碳酸酯或聚酯聚合物溶解在二氯甲烷中，并使溶液進行使用卡爾*費歇爾試劑和標(biāo)準(zhǔn)曱醇試劑的自動測量。聚合物中殘余溶劑量可通過將根據(jù)本發(fā)明的聚碳酸酯聚合物溶解在二噁烷中并使該溶液進行氣相色譜法來定量測定。以此方式，可直接定量殘佘溶劑量。關(guān)于殘余鹽量，鹽的濃度可基于通過電勢差測量設(shè)備測量的氯的含量來確定。當(dāng)上述在一個末端或兩個末端具有硅氧烷結(jié)構(gòu)的聚碳酸酯或聚酯聚合物在表面層表面附近存在時，即使是少量，也能夠獲得優(yōu)良的潤滑性和強度。然而，優(yōu)選將聚碳酸酯或聚酯聚合物與具有更優(yōu)良強度的樹脂組合使用。在一個末端或兩個末端具有硅氧烷結(jié)構(gòu)的聚碳酸酯或聚酯聚合物與所述樹脂的混合比優(yōu)選為0.5質(zhì)量^f分l至99質(zhì)量^f分。由于在一個末端或兩個末端具有硅氧烷結(jié)構(gòu)的聚碳酸酯或聚酯聚合物趨于在感光層表面附近存在，因此即使其以低共混比包含，也顯示高潤滑性。當(dāng)聚碳酸酯或聚酯聚合物與本發(fā)明的表面形狀同時采用時，可持久獲得優(yōu)良的平滑性，和即使長期重復(fù)使用感光層，也可得到良好的清潔性能。另外，在一個末端或兩個末端具有硅氧烷結(jié)構(gòu)的聚碳酸酯或聚酯聚合物溶液的透明性優(yōu)良。因此，即使長期重復(fù)使用感光構(gòu)件，所述溶液也可提供良好的電子照相特性，并適合施涂在感光構(gòu)件上。例如，向20.0g氯苯/二甲氧基曱烷(l:l質(zhì)量)的溶劑混合物中，添加4.0g合成例2中所示的聚碳酸酯聚合物，并攪拌整夜以上。聚合物完全溶解后，將溶液轉(zhuǎn)移至l-cm正方形池中，并進行UV光譜測定。當(dāng)在778nm下測量溶液的透射比時，其高達僅由溶劑組成的空白樣品的99%。此外，由于獲得了優(yōu)良的平滑性和特性的惡化很小，因此上述聚碳酸酯或聚酯聚合物優(yōu)選與由以下式(6)表示的硅油(優(yōu)選二甲基珪油)和少量改性硅油組合使用。硅油可單獨，或以兩種以上的混合物使用。其中，1134至1139可相同或不同，并表示氫原子、鹵原子、未取代的烷基、取代的烷基、未取代的芳基或取代的芳基；和l表示結(jié)構(gòu)重復(fù)單元數(shù)的平均值。注意，當(dāng)僅通過使用單官能硅氧烷化合物(合成例1、2和3中的化合物(5-1))，而不添加雙官能硅氧烷化合物(合成例1、2和3中的化合物(4-l))來進行合成時，可合成在主鏈中不具有硅氧烷結(jié)構(gòu)，和在聚碳酸酯重復(fù)單元的一個末端或兩個末端具有硅氧烷結(jié)構(gòu)的聚碳酸酯聚合物。該聚碳酸酯聚合物可與本發(fā)明的在主鏈和末端均具有硅氧烷結(jié)構(gòu)的聚碳酸酯組合使用。接著，將描述根據(jù)本發(fā)明的電子照相感光構(gòu)件的結(jié)構(gòu)。如上所述，本發(fā)明的電子照相感光構(gòu)件具有支承體和在支承體上形成的有機感光層(下文中有時簡稱為"感光層")。作為本發(fā)明的電子照相感光構(gòu)件，通常廣泛使用具有在圓筒狀支承體上形成的感光層的圓筒狀有機電子照相感光構(gòu)件。然而，也可采用其它形狀形式如帶形或片狀形式。所述感光層可為在同一層中同時包含電荷輸送物質(zhì)和電荷產(chǎn)生物質(zhì)的單層感光層，或可以是由分離層形成的層壓型(功能分離)的感光層包含電荷產(chǎn)生物質(zhì)的電荷產(chǎn)生層和包含電荷輸送物質(zhì)的電荷輸送層。作為根據(jù)本發(fā)明的電子照相感光構(gòu)件，基于電子照相特性的觀點，優(yōu)選層壓型感光構(gòu)件。層壓型感光構(gòu)件可以是規(guī)則層型感光層，其中電荷產(chǎn)生層和電荷輸送層以此順序?qū)訅涸谥?;體上；或可以是反轉(zhuǎn)層型(reverse-layertype)感光層，其中電荷輸送層和電荷產(chǎn)生層以此順序?qū)訅涸谥С畜w時，基于電子照相特性的觀點，優(yōu)選規(guī)則層型感光層。此外，電荷產(chǎn)生層可具有層壓結(jié)構(gòu)，和電荷輸送層可具有層壓結(jié)構(gòu)。另外，可在感光層上設(shè)置保護層，以改進耐久性能。作為電子照相感光構(gòu)件的支承體，優(yōu)選具有導(dǎo)電性的支承體(導(dǎo)電支承體)。例如，可使用由金屬如鋁、鋁合金或不銹鋼形成的支承體。在鋁或鋁合金的情況下，可使用ED管、EI管和通過將這些管進行切割、電解復(fù)合拋光(電解使用具有電解作用的電極和電解液進行，拋光使用具有拋光作用的磨石進行)或濕法或干法辨磨得到的那些。另外，可使用具有通過鋁、鋁合金或氧化銦-氧化錫合金的真空蒸發(fā)成膜的層的上述金屬支承體和樹脂支承體(聚對苯二曱酸乙二醇酯、聚對苯二曱酸丁二醇酯、酚醛樹脂、聚丙烯或聚苯乙烯樹脂)。另外，支承體可由用導(dǎo)電性顆粒如炭黑顆粒、氧化錫顆粒、氧化鈦顆?；蜚y顆粒浸漬的樹脂或紙形成，或可由具有導(dǎo)電性粘結(jié)劑樹脂的塑料形成。為防止由激光光等散射導(dǎo)致的千涉條紋的目的，可將支承體表面進行切割、表面粗糙化或鋁陽極化處理。當(dāng)支承體表面是為賦予導(dǎo)電性設(shè)置的層時，所述支承體優(yōu)選具有體積電阻率為1x101GQ.cm以下，和特別地更優(yōu)選lxl()6Q.cm以下的層。導(dǎo)電層可在支承體與中間層(稍后描述)或感光層(電荷產(chǎn)生層或電荷輸送層)之間形成，以防止由激光光散射導(dǎo)致的千涉條紋，或覆蓋支承體的傷痕。所述導(dǎo)電層可通過施涂具有分散于適當(dāng)粘結(jié)劑樹脂中的導(dǎo)電性粉末顆粒的涂布液而形成。所述導(dǎo)電性粉末的實例包括炭黑、乙炔黑；金屬粉末如鋁、鎳、鐵、鎳鉻合金、銅、鋅或銀；和金屬氧化物粉末如導(dǎo)電氧化錫或ITO?？山M合使用的粘結(jié)劑樹脂的實例包括熱塑性樹脂、熱固性樹脂和光硬化樹脂，如聚苯乙烯、苯乙烯-丙烯腈共聚物、苯乙烯-丁二烯共聚物、苯乙烯-馬來酸酐共聚物、聚酯、聚氯乙烯、氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、聚乙酸乙烯酯、聚偏二氯乙烯、多芳基化合物樹脂、苯氧基樹脂、聚碳酸酯、醋酸纖維素樹脂、乙基纖維素樹脂、聚乙烯醇縮丁醛、聚乙烯醇縮曱醛、聚乙烯基曱苯、聚-N-乙烯基口卡唑、丙烯酸酯樹脂、硅酮樹脂、環(huán)氧樹脂、三聚氰胺樹脂、聚氨酯樹脂、酚醛樹脂和醇酸樹脂。所述導(dǎo)電層可通過以下形成將上述導(dǎo)電性粉末和粘結(jié)劑樹脂分散或溶解于醚溶劑如四氫呋喃或乙二醇二甲醚；醇溶劑如曱醇；酮溶劑如甲乙酮；或芳香烴溶劑如甲苯中，并施涂該溶液。導(dǎo)電層的平均膜厚度優(yōu)選為0.2(im以上至40iam以下，更優(yōu)選lfim以上至35(im以下，及更優(yōu)選5fim以上至30pm以下。在支承體或?qū)щ妼优c感光層(電荷產(chǎn)生層或電荷輸送層)之間可設(shè)置具有隔離功能和粘合功能的中間層。形成所述中間層，以改進感光層的粘合性、涂布性和從支承體的電荷注入性，并保護對感光層的電氣破壞。所述中間層通過以下形成施涂可固化樹脂并固化該樹脂以形成樹脂層，或通過在導(dǎo)電層上施涂包含粘結(jié)劑樹脂的中間層涂布液并將其干燥。包含在中間層中的粘結(jié)劑樹脂的實例包括水溶性樹脂如聚乙烯醇、聚乙烯基曱醚、聚丙烯酸、曱基纖維基、乙基纖維素、聚谷氨酸或干酪素；聚酰胺樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚酰胺-酰亞胺樹脂、聚酰胺酸樹脂、三聚氰胺樹脂、環(huán)氧樹脂、聚氨酯樹脂和聚谷氨酸酯樹脂。為有效地獲得電氣阻擋性，基于涂布性、粘合性、耐溶劑性和電阻的觀點，優(yōu)選使用熱塑性樹脂作為用作中間層的粘結(jié)劑樹脂。更具體地，優(yōu)選熱塑性聚酰胺樹脂。作為聚酰胺樹脂，優(yōu)選可以熔融狀態(tài)施涂的低結(jié)晶或無定形共聚物尼龍。中間層的平均膜厚度為0.05fim以上至7^im以下，更優(yōu)選O.lpm以上至2iam以下。為防止中間層中電荷(載流子)流動停滯，可將半導(dǎo)體顆粒分散在中間層中，或可將電子輸送物質(zhì)(電子接受物質(zhì)如受體)包含在中間層中。接著，將描述根據(jù)本發(fā)明的感光層。在根據(jù)本發(fā)明的電子照相感光構(gòu)件中使用的電荷產(chǎn)生物質(zhì)的實例包括偶氮顏料如單偶氮、雙偶氮或三偶氮顏^l";酞菁顏料如金屬酞菁或無金屬酞菁；靛青顏料如靛青或硫靛藍；芘顏料如芘酸酐或芘酰亞胺、多環(huán)醌顏料如蒽醌或芘醌、方酸菁(squarylium)染料、吡喃鐵鹽或噻喃鐵鹽、三苯甲烷著色物質(zhì)；無機物質(zhì)如竭、硒-碲或無定形硅；會吖咬酉同顏料、甘菊環(huán)鹽顏料、花青染料、氧雜蒽著色物、醌亞胺著色物質(zhì)和苯乙烯基著色物質(zhì)。這些電荷產(chǎn)生材料可單獨，或兩種以上組合使用。其中，由于具有高靈敏度，因此優(yōu)選金屬酞菁如氧化鈦酞菁、羥基鎵酞菁或氯化鎵酞菁。在感光層為層壓型感光層的情況下，電荷產(chǎn)生層中使用的粘結(jié)劑樹脂的實例包括聚碳酸酯樹脂、聚酯樹脂、多芳基化合物樹脂、縮丁醛樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚乙烯醇縮醛樹脂、鄰苯二曱酸二烯丙酯樹脂、丙烯酸酯樹脂、曱基丙烯酸酯樹脂、乙酸乙烯酯樹脂、酚醛樹脂、硅酮樹脂、聚砜樹脂、苯乙烯-丁二烯共聚物樹脂、醇酸樹脂、環(huán)氧樹脂、脲樹脂和氯乙烯-乙酸乙烯酯共聚物樹脂。特別地，優(yōu)選縮丁醛樹脂。這些可單獨或組合，可選地作為單獨或兩種以上組合的共聚物使用。電荷產(chǎn)生層可通過施涂電荷產(chǎn)生層涂布液并隨后干燥形積膜形成。作為分散方法，可提及采用均化器、超聲波、球磨機、砂磨才幾、超孩i磨石爭機或輥磨機的方法。電荷產(chǎn)生物質(zhì)與粘結(jié)劑樹脂的比例優(yōu)選落在10:1至1:10(質(zhì)量)，特別優(yōu)選3:1至1:U質(zhì)量)的范圍內(nèi)。在電荷產(chǎn)生層涂布液中使用的溶劑基于使用的粘結(jié)劑樹脂與電荷產(chǎn)生物質(zhì)的溶解性和分散穩(wěn)定性來選擇。有機溶劑的實例包括醇溶劑、亞^風(fēng)溶劑、酮溶劑、醚溶劑、酯溶劑和芳香烴溶劑。電荷產(chǎn)生層的平均膜厚度優(yōu)選為5!im以下，特別優(yōu)選O.1|im以上至2iim以下。此外，可將各種添加劑如增感劑、抗氧化劑、UV吸收劑和/或增塑劑任選地添加至電荷產(chǎn)生層中。為防止電荷產(chǎn)生層中電荷(載流子)流動停滯，電荷產(chǎn)生層可包含電子輸送物質(zhì)(電子接受物質(zhì)如受體)。在層壓型感光構(gòu)件的情況下，電荷輸送層可在電荷產(chǎn)生層上形成。電荷輸送層包含電荷輸送物質(zhì)。電荷輸送物質(zhì)的實例包括三芳基胺化合物、腙化合物、苯乙烯基化合物、芪化合物、45吡唑啉化合物、噁唑化合物、瘞唑化合物和三芳基甲烷化合物。這些電荷輸送物質(zhì)可單獨，或兩種以上組合使用。在本發(fā)明中，當(dāng)電荷輸送層為表面層時，包含至少可溶于涂布溶劑的含硅或含氟聚合物。這些可單獨或兩種以上組合使用。此外，電荷輸送層可通過任選地共混另一種粘結(jié)劑樹脂并將該混合物溶解在適宜的溶劑中，隨后干燥形成。當(dāng)千燥在100。C以上的溫度下進行時，盡管遷移性依賴于化合物的結(jié)構(gòu)而變化，但含硅或含氟化合物易于遷移至表面層的最外表面。結(jié)果，可長期保持較高的潤滑性。因此，基于持久效果的觀點，上述干燥溫度同樣是優(yōu)選的。根據(jù)本發(fā)明的與含硅化合物或含氟化合物共混的粘結(jié)劑樹脂的實例包括丙烯酸樹脂、丙烯腈樹脂、烯丙基樹脂、醇酸樹脂、環(huán)氧樹脂、硅酮樹脂、尼龍、酚醛樹脂、苯氧基樹脂、縮丁醛樹脂、聚丙烯酰胺樹脂、聚縮醛樹脂、聚酰胺-酰亞胺樹脂、聚酰胺樹脂、聚芳醚樹脂、多芳基化合物樹脂、聚酰亞胺樹脂、聚氨酯樹脂、聚酯樹脂、聚乙烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚砜樹脂、聚乙烯醇縮丁醛樹脂、聚苯醚樹脂、聚丁二烯樹脂、聚丙烯樹脂、甲基丙烯酸樹脂、脲樹脂、氯乙烯樹脂和乙酸乙烯酯樹脂。特別地，基于與溶劑的相容性、電子照相特性、當(dāng)使用用硅或氟化合物改性的聚碳酸酯和聚酯時通過將表面形狀與向表面遷移組合得到的持久效果的觀點，優(yōu)選多芳基化合物樹脂和聚碳酸酯樹脂。這些可單獨或以兩種以上的混合物使用。電荷輸送物質(zhì)與粘結(jié)劑樹脂的比優(yōu)選落在2:1至1:2(質(zhì)量)范圍內(nèi)。電荷輸送層的膜厚優(yōu)選為5至50pm,特別優(yōu)選7至30pm。電荷輸送層可包含添加劑如抗氧化劑、UV吸收劑和增塑劑。當(dāng)感光層由單層形成時，該感光層可通過以下來形成將如上所述電荷產(chǎn)生材料和電荷傳輸材料分散在如上所述粘結(jié)劑樹脂中，并將該分散的樹脂溶解于溶劑中，施涂該溶液并干燥。用于各層的涂布液可通過涂布法如浸涂法、噴涂法、旋涂法、輥涂法、邁耶(Mayer)刮棒涂法和刮涂法來施涂。基于涂布性的觀點，涂布液的粘度優(yōu)選為5mPa.s以上至500mPa.s以下。在電荷輸送層涂布液中使用的溶劑實例包括酮溶劑如丙酮或甲乙酮；酯溶劑如乙酸甲酯或乙酸乙酯；醚溶劑如四氫呋喃、二氧戊環(huán)、二甲氧基曱烷或二曱氧基乙烷；和芳香烴溶劑如甲笨、二曱苯或氯苯。這些溶劑可單獨，或以兩種以上的混合物使用。這些溶劑中，基于樹脂溶解性的觀點，優(yōu)選醚溶劑或芳香烴溶劑。電荷輸送層的平均膜厚度優(yōu)選為5至50pm，特別優(yōu)選10至35jim。此外，電荷輸送層可任選地包含添加劑如抗氧化劑、UV吸收劑和/或增塑劑。在本發(fā)明中，在需要進一步改進耐久性的情況下，可在電荷輸送層上形成第二電荷輸送層或保護層。在此情況下，第二電荷輸送層或保護層必須在表面上形成，以使得所述層至少包含可溶于涂布液的含硅化合物或含氟化合物，并具有滿足大于0.3至7.0以下的比(Rdv/Rpc)的凹陷部，所述比為深度與長軸徑的比。如在電荷輸送層的情況下，第二電荷輸送層或保護層可由具有可塑性的電荷輸送物質(zhì)和粘結(jié)劑樹脂形成。為提供更高的耐久性，使用硬化樹脂形成表面層是有效的。47為形成硬化樹脂的表面層，電荷輸送層可由硬化樹脂形成。此外，硬化樹脂層可作為第二傳輸層或保護層在電荷輸送層上形成。所述硬化樹脂層必須滿足兩個特性確保膜強度和電荷傳輸能力。硬化樹脂層通常由電荷傳輸材料和可聚合或可交聯(lián)單體或低聚物構(gòu)成。在形成這些硬化樹脂表面層的方法中，可4吏用已知的空穴輸送化合物和電子輸送化合物作為電荷輸送材料。作為這些化合物合成中使用的材料，可提及具有在鏈聚合中使用的丙烯酰氧基或苯乙?；牟牧?。另外，可提及具有在逐步聚合中使用的羥基、烷氧基甲硅烷基或異氰酸酯基的材料。特別地，基于具有由硬化樹脂形成的表面層的電子照相感光構(gòu)件的電子照相特性、通用性、材料設(shè)計和制造穩(wěn)定性的觀點，優(yōu)選將空穴輸送材料與鏈聚合用材料組合使用。此外，電子照相感光構(gòu)件特別優(yōu)選具有通過硬化在分子之間具有空穴輸送基團和丙酰氧基兩者的化合物形成的表面層。作為硬化方式，可使用已知方式如熱、光或照射。對于電荷輸送層，硬化層平均膜厚度優(yōu)選為5(im以上至501im以下，更優(yōu)選10nm以上至35)im以下。在第二電荷輸送層或保護層的情況下，平均膜厚度優(yōu)選為0.3jim以上至20pm以下，更優(yōu)選ljim以上至10(im以下。可將各種添加劑添加至根據(jù)本發(fā)明的電子照相感光構(gòu)件的各層中。添加劑的實例包括劣化防止劑如抗氧化劑和UV吸收劑。接著，將描述根據(jù)本發(fā)明的處理盒和電子照相設(shè)備。根據(jù)本發(fā)明的處理盒具有電子照相感光構(gòu)件和選自由充電裝置、顯影裝置、轉(zhuǎn)印裝置和清潔裝置組成的組的至少一種裝置。電子照相感光構(gòu)件與所述裝置被一體化地支承。所述處理盒可拆卸地安裝在電子照相設(shè)備主體上。根據(jù)本發(fā)明的電子照相設(shè)備具有電子照相感光構(gòu)件、充電裝置、曝光裝置、顯影裝置和轉(zhuǎn)印裝置。圖10為示出裝備有具有根據(jù)本發(fā)明電子照相感光構(gòu)件的處理盒的電子照相i殳備結(jié)構(gòu)的示意圖。圖10中，附圖標(biāo)記l表示圓筒狀電子照相感光構(gòu)件，其以預(yù)定圓周速度沿箭頭所指方向圍繞軸2旋轉(zhuǎn)。旋轉(zhuǎn)中的電子照相感光構(gòu)件1的表面通過充電裝置3(—次充電裝置如充電輥)以預(yù)定電勢均勻地正或負(fù)充電，隨后，用來自曝光裝置(未示出)如狹縫曝光或激光束掃描曝光發(fā)射的曝光光(成像曝光光)4照射。以此方式，在電子照相感光構(gòu)件l的表面上連續(xù)形成對應(yīng)于預(yù)期圖像的潛像。將在電子照相感光構(gòu)件l表面上形成的潛像用包含在顯影裝置5的顯影劑中的調(diào)色劑顯影成調(diào)色劑圖像。隨后，將如此形成并承載于電子照相感光構(gòu)件l表面上的調(diào)色劑圖像連續(xù)轉(zhuǎn)印至轉(zhuǎn)印材料(如紙)P上，所述轉(zhuǎn)印材料P借助于從轉(zhuǎn)印裝置(例如轉(zhuǎn)印輥)6提供的轉(zhuǎn)印偏壓，以與電子照相感光構(gòu)件l的旋轉(zhuǎn)同步的方式，從轉(zhuǎn)印材料供給裝置(未示出)進給至電子照相感光構(gòu)件1與轉(zhuǎn)印裝置6之間(接觸部分)。將在其上轉(zhuǎn)印調(diào)色劑圖像的轉(zhuǎn)印材料P從電子照相感光構(gòu)件l的表面分離，并引入在其中定影圖像的定影裝置8中。以此方式，將成像的材料(打印物或復(fù)印件)作為打印物排出至所述設(shè)備外。轉(zhuǎn)印調(diào)色劑圖像后，電子照相感光構(gòu)件l的表面通過清潔裝置(如清潔刮板)7清潔以除去轉(zhuǎn)印后殘留的顯影劑(調(diào)色劑)。近年來，為除去具有較小粒徑的聚合調(diào)色劑，當(dāng)將沿縱向施加于感光構(gòu)件與清潔刮板之間接觸部的單位長度的力假定為接觸線壓時，通常需要300至1，200mN/cm的線壓。甚至當(dāng)施加該高線壓時，如果采用本發(fā)明的電子照相感光構(gòu)件，即使長期重復(fù)使用，也不會發(fā)生刮板翹起，并可獲得良好的清潔性能。以此方式，可有效地發(fā)揮本發(fā)明的效果。另外，使電子照相感光構(gòu)件l的表面利用來自預(yù)曝光裝置(未示出)的預(yù)曝光光(未示出)進行電荷去除，并重復(fù)用于成像。注意，如圖10所示，當(dāng)充電裝置3為例如使用充電輥的接觸型充電單元時，不總是需要預(yù)曝光。在電子照相感光構(gòu)件l、充電裝置3、顯影裝置5和清潔裝置7的結(jié)構(gòu)裝置中，可將多個組件一體化地引入容器中以形成處理盒。所述處理盒可設(shè)計為可拆卸地安裝在電子照相設(shè)備的主體如復(fù)印機或激光束打印機上。在圖10中，電子照相感光構(gòu)件l、充電裝置3、顯影裝置5和清潔裝置7以盒的形式一體化地被支承，將所述盒用作處理盒9，所述處理盒9借助于電子照相設(shè)備主體的導(dǎo)向裝置10如軌道而可拆卸地安裝在電子照相設(shè)備主體上。「實施例1以下將通過實施例更加具體地描述本發(fā)明。注意，實施例中術(shù)語"份"是指"質(zhì)量份"。(實施例1)使用直徑30mm和長度257mm的鋁圓筒作為支承體(圓筒狀支承體)。接著，將包含以下組分的溶液通過球磨機分散約20小時以制備導(dǎo)電層涂料。由具有氧化錫涂層的硫酸鋇形成的粉末(商品名由PastranPC1,MitsuiMining&SmeltingCo.,Ltd.制造)60份氧化鈦(商品名由TITANIXJR,TaycaCorporation制造)15份曱階酚醛樹脂(商品名PhenoliteJ-325(固體物質(zhì)70%),由DainipponInk&ChemicalsIncorporated制造)43份珪油(商品名由SH28PA,ToraySiliconeCo.,Ltd.制造)0.015份硅酮樹脂(商品名由Tospal120,ToshibaSilicone制造)3.6份2-甲氧基-l-丙醇50份曱醇5(H分將通過上述方法制備的導(dǎo)電層涂料以浸涂法施涂至上述支承體上。將該支承體在加熱至140。C的烘箱中熱石更化一小時。以此方式，形成具有在距支承體上端130mm距離處測量的平均膜厚度為15pm的導(dǎo)電層。接著，中間層涂料通過將以下組分溶解在曱醇(400份)/正丁醇(200份)的溶劑混合物中，并通過浸涂施涂至上述導(dǎo)電層上來制備，將該涂料在加熱至IOO"C的烘箱中加熱干燥30分鐘以得到在距支承體上端130mm距離處測量的具有平均膜厚度為0.65fim的中間層。共聚尼龍樹脂(商品名AmilanCM8000，由TorayIndustries,Inc.制造)10份甲氧基曱基化尼龍6樹脂(商品名ToresinEF-30T,由TeikokuChemicalIndustriesCo.,Ltd.制造)30份51接著，將以下組分通過使用直徑lmm玻璃^朱的砂磨單元分散4小時。此后，添加700份乙酸乙酯以制備電荷產(chǎn)生層涂料。羥基鎵酞菁(在CuKaX-射線衍射中在7.5。、9.9°、16.3。、18.6。、25.1。、28.3。(布拉格角(20±0.2°)處具有強衍射峰)20份由以下結(jié)構(gòu)式(7)表示的杯芳烴化合物0.2份聚乙烯醇縮丁醛(商品名S-RECBX-1，由SekisuiChemicalCo.，Ltd.制造)IO份環(huán)己酮600份將所述電荷產(chǎn)生層涂料通過浸涂法施涂至中間層上，并在加熱至IO(TC的烘箱中加熱干燥10分鐘，以形成在距支承體上端130mm距離處測量的具有平均膜厚度為0.17nm的電荷產(chǎn)生層。隨后，將以下組分溶解在包含氯苯(350份)和二曱氧基曱烷(150份)的溶劑混合物中以制備電荷輸送層涂料。使用該涂料，電荷輸送層通過浸涂在電荷產(chǎn)生層上形成，并在加熱至110。C的烘箱中加熱干燥30分鐘以形成在距支承體上端130mm距離處測量的具有平均膜厚度為20(im的電荷輸送層。由以下結(jié)構(gòu)式(8)表示的化合物35份(8)由以下結(jié)構(gòu)式(9)表示的化合物5份CH(9)由以下結(jié)構(gòu)式(10)表示的共聚型多芳基化合物樹脂50份—0m(10)其中，m和n表示樹脂中重復(fù)單元的比(共聚合比)；對于該樹脂，m:n=7:3。注意，在多芳基化合物樹脂中對苯二曱酸結(jié)構(gòu)與間苯二甲酸結(jié)構(gòu)的摩爾比(對苯二曱酸骨架間苯二曱酸骨架的摩爾比)為50:50。重均分子量(Mw)為120,000。僅在具有表1所示結(jié)構(gòu)單元的主鏈中具有硅氧烷結(jié)構(gòu)的硅氧烷改性聚碳酸酯(l)10份以此方式，制備以此順序具有支承體、中間層、電荷產(chǎn)生層和電荷輸送層的電子照相感光構(gòu)件，即電荷輸送層為表面層。<在最外表面和向內(nèi)0.2pm部分中通過ESCA的元素分析〉為評價含氟化合物或含硅化合物在表面層最外表面上的々布程度，通過ESCA(X-射線光電子能譜)測量最外表面中存在的53氟元素或硅元素的比。如上所述，考慮到可通過ESCA測量的區(qū)域為約100jim的事實，使電子照相感光構(gòu)件的最外表面和向內(nèi)0.2fim部分進行測量，而不在感光構(gòu)件上形成根據(jù)本發(fā)明的凹陷部。在表2中，顯示了氟元素或硅元素相對于在電子照相感光構(gòu)件表面層最外表面中存在的組成元素的比。另外，該表顯示了比A/B,其中A(質(zhì)量。/。)表示從感光構(gòu)件表面層最外表面向內(nèi)0.2jim部分中存在的氟元素或硅元素的含量；和B(質(zhì)量。/。)表示在感光構(gòu)件表面層最外表面中存在的氟元素或硅元素的含量，氟元素或硅元素的含量通過X-射線光電子能譜(ESCA)測量。測量條件如下所述。{吏用的i殳備由PHIInc.(PhysicalElectronicsIndustries,Inc.)制造的Quantum2000ScanningESCAMicroprobe最外表面和向內(nèi)0.2)im部分(蝕刻后)的測量條件X射線源AlKal486.6eV(25W15kV)觀'J量面積IO，OOO,2光i普區(qū)1500x300,，角度450通能U7.40eV蝕刻條件離子槍C60(10kV,2mmx2mm),角度70°為將電荷輸送層蝕刻至1.0iim深度(蝕刻電荷輸送層后，深度通過截面SEM觀察鑒定)，需要1.0(im/100min的速率。因此，在從最外表面向內(nèi)0.2(im部分的組成分析中，乂人最外表面向內(nèi)0.2(im部分的元素分析可通過使用離子槍C60蝕刻電荷輸送層20分鐘進行。從在上述條件下測量的各元素的峰強度，通過使用由PHIInc.提供的相對靈敏度因子計算表面原子濃度(原子％)。構(gòu)成表面層的各元素的測量峰頂范圍如下Cls:278-298eVFls:680-700eVSi2p:90-110eVOls:525-545eVNls:390-410eV<電子照相感光構(gòu)件上凹陷部的形成>將通過上述方法制造的電子照相感光構(gòu)件通過裝備有形狀轉(zhuǎn)印模具(示于圖11)的單元(示于圖7)進行表面加工，所述模具有高度(由F表示)為1.4[im,圓柱的長軸徑(由D表示)為2.0(im,和凹陷部之間的間隔(由E表示)為0.5！1111。在加工期間，將電子照相感光構(gòu)件和模具的溫度控制為110°C。當(dāng)沿圓周方向旋轉(zhuǎn)感光構(gòu)件時，通過施加50kg/cn^的壓力進行形狀轉(zhuǎn)印。在圖ll中，(l)為從其頂端觀察的模具形狀的視圖，(2)為從側(cè)面觀察的模具形狀的視圖。<電子照相感光構(gòu)件表面形狀的測量〉通過超深度輪廓測量顯微鏡VK-9500(由KeyenceCorporation制造)觀察通過上述方法制造的電子照相感光構(gòu)件表面。將要測量的電子照相感光構(gòu)件放置在預(yù)先設(shè)計的臺上，以固定電子照相感光構(gòu)件的圓筒狀支承體。在距感光構(gòu)件上端130mm距離處觀察電子照相感光構(gòu)件表面。此時，通過使用50X放大率的物鏡觀察感光構(gòu)件表面的100jim平方。通過使用分析程序分析視野中觀察到的凹陷部。測量—見野中各凹陷部的表面部的形狀、其長軸徑(Rpc)及作為凹陷部最深部與其開口表面之間距離的深度(Rdv)。然后，選取凹陷部長軸徑的平均值，作為平均長軸徑(Rpc-A),并選取凹陷部深度的平均值，作為平均深度(Rdv-A)。另外，確定平均深度(Rdv畫A)與平均長軸徑(Rpc國A)的比(Rdv國A)/(Rpc-A)。確認(rèn)在電子照相感光構(gòu)件表面上形成了示于圖12的圓柱形狀的凹陷部。凹陷部之間的間隔I為0.5pm。當(dāng)計算滿足比(Rdv/Rpc)，即深度與長軸徑的比為大于0.3至7.0以下，并存在于單位面積(100iumxl00jLim)中的凹陷部數(shù)量時，其為1,600。注意，在圖(12)中，(l)顯示了如沿圓周方向所見的，在感光構(gòu)件表面上形成的凹陷部的排列狀態(tài)，(2)顯示了凹陷部的截面形狀。測量值Rpc-A、Rdv-A和Rdv-A/Rpc-A示于表2中。<電子照相感光構(gòu)件特性的評價>將通過上述方法制造的電子照相感光構(gòu)件安裝在下述評價機上以進行成像。評價輸出的圖像。注意，評價在高溫高濕(23。C/50%RH)環(huán)境中進行。作為用于評價的電子照相設(shè)備。使用由Hewlett-Packard制造的LBP(彩色激光打印機(colorlaserjet)4600)。將施加至電子照相感光構(gòu)件的彈性清潔刮板的接觸壓力設(shè)定為550mN/cm。注意，沒有將用于賦予潤滑性的粉末材料如調(diào)色劑和硅酮樹脂細(xì)顆粒施涂至清潔刮板。關(guān)閉預(yù)曝光，并修正所述設(shè)備，使得激光量可變。將電勢條件設(shè)定為使得電子照相感光構(gòu)件暗區(qū)電壓(Vd)為-500V,和其亮區(qū)電壓(V1)為-100V。以此方式，控制電子照相感光構(gòu)件的初始電壓。在初始條件下，在兩張間歇打印條件下進行使用IO，OOO張A-4尺寸紙張的供紙耐久性試驗。注意，這里使用的試驗圖表具有1%的打印百分率。在耐久試驗期間，不進行由顯影裝置的周期性調(diào)色劑供給，以防止清潔刮板與電子照相感光構(gòu)件之間的摩擦系數(shù)的增大，所述摩擦系數(shù)的增大是由于低打印百分率圖案的連續(xù)打印導(dǎo)致在清潔刮板與感光構(gòu)件之間的空隙中存在56的調(diào)色劑量下降而引起的。在這些條件下，相對于5,000和10,000張紙的耐久試驗初期階段，評價用于圖像特性評價的圖像樣品輸出、感光構(gòu)件的動摩擦系數(shù)、刮板震動和刮板翹起。用于圖像特性評價的圖像包括半色調(diào)圖像、實黑圖像和實白圖像，目視評價其缺陷圖像如斑點和黑色條紋、圖像濃度和起霧。圖像特性的評價結(jié)果示于表3。評價動摩擦系數(shù)作為施加至電子照相感光構(gòu)件和清潔刮板的負(fù)荷指標(biāo)。其數(shù)值顯示了施加至具有加工表面的電子照相感光構(gòu)件與清潔刮板的負(fù)荷量的增加或減少。動摩擦系數(shù)越小，施加至電子照相感光構(gòu)件和清潔刮板的負(fù)荷越低。測量通過以下方法進4亍。測量通過使用由ShintoKagaku制造的HEIDON-14在常溫/常濕(25。C/50。/oRH)下進行。更具體地，將橡膠刮板設(shè)定為在將預(yù)定負(fù)荷施加至橡膠刮板的狀態(tài)下與電子照相感光構(gòu)件接觸。當(dāng)電子照相感光構(gòu)件以50mm/min的掃描速度水平移動時，作為安裝于橡膠刮板上的變形儀(distortiongauge)的變形量，測量在電子照相感光構(gòu)件與橡膠刮板之間施加的摩擦力，并將其轉(zhuǎn)化為拉伸負(fù)荷。當(dāng)清潔刮板運動時，所述動摩擦系數(shù)可由[施加至感光構(gòu)件的力(g)/施加至刮板的負(fù)荷(g)]的值獲得。使用的刮板通過將由HokushinKogyou制造的聚氨酯刮板(橡膠硬度67°)切割成5mmx30mmx2mm的片來制備。測量在以下條件下進行沿27。角方向施加50g負(fù)荷。一系列評價結(jié)果示于表3。評價反映感光構(gòu)件清潔性能的刮板震動和翹起。刮板震動是指當(dāng)電子照相感光構(gòu)件與清潔刮板彼此摩擦?xí)r，或當(dāng)電子照相感光構(gòu)件開始或結(jié)束旋轉(zhuǎn)時，清潔刮板產(chǎn)生噪音的現(xiàn)象。作為刮板震動的主要原因，可提及電子照相感光構(gòu)件與清潔刮板之間產(chǎn)生的大摩擦力。另一方面，刮板翹起是當(dāng)電子照相感光構(gòu)件與清潔刮板彼此摩擦?xí)r，由于其兩者間的大摩擦力作用導(dǎo)致橡膠制清潔刮板反向巻曲的現(xiàn)象。此時，因高扭矩而打印終止，或由于通過刮板翹起導(dǎo)致的不充分清潔使得形成異常圖像。評價結(jié)果示于表3。"初期，，列表示在初始成像期間出現(xiàn)的刮板震動和刮板翹起。"5，000張"列表示從初始成像時間至5，000張打印時間出現(xiàn)的刮板震動和刮板翹起。"10，000張"歹l1表示5，001張打印以后出現(xiàn)的刮板震動和刮板翹起。清潔性能的評價基于以下評價指標(biāo)進行。A:沒有刮板震動也沒有翹起發(fā)生。B:發(fā)生極輕微的刮板震動，但未發(fā)生刮板翹起。C:發(fā)生輕微刮板震動，但未發(fā)生刮板翹起。D:發(fā)生刮板震動，但未發(fā)生刮板翹起。E:發(fā)生刮才反翹起。(實施例2)除了在實施例l的電子照相感光構(gòu)件制造中，以5份添加量使用具有示于表1的結(jié)構(gòu)單元的硅氧烷改性聚碳酸酯(2)代替添加至表面層中的含硅化合物之外，以與實施例l相同的方式制造電子照相感光構(gòu)件。除了在實施例l使用的模具中，將圖ll中由F表示的高度變?yōu)?.9)im之外，以與實施例l相同的方式進行相同的加工。以與實施例1相同的方式測量電子照相感光構(gòu)件的表面形狀，確認(rèn)在感光構(gòu)件表面上形成了圓柱狀凹陷部。所述凹陷部以0.5fim間隔形成。當(dāng)計算滿足比(Rdv/Rpc),即深度與長軸徑的比為大于0.3至7.0以下，并存在于單位面積(100(imxl00pm)中的凹陷部數(shù)量時，其為1600。從其中不具有加工的凹陷部的感光構(gòu)件表面得到的測量值Rpc-A、Rdv-A和Rdv-A/Rpc-A以及ESCA數(shù)據(jù)示于表2。以與實施例l相同的方式進行電子照相感光構(gòu)件特性的評價。結(jié)果示于表3。(實施例3)以與實施例2相同的方式制造電子照相感光構(gòu)件，并且除了在實施例l使用的模具中，圖ll中由D表示的長軸徑變?yōu)?.5^m,由E表示的間隔變?yōu)?.5fim,由F表示的高度變?yōu)?.0pm之外，以與實施例l相同的方式加工其表面。以與實施例l相同的方式測量感光構(gòu)件表面形狀。結(jié)果，確認(rèn)在感光構(gòu)件表面上形成了圓柱狀凹陷部。所述凹陷部以0.5pm間隔形成。當(dāng)計算滿足比(Rdv/Rpc),即深度與長軸徑的比為大于0.3至7.0以下，并存在于單位面積(100(amxlOO[im)中的凹陷部數(shù)量時，其為400。從其中不具有加工的凹陷部的感光構(gòu)件表面得到的測量值Rpc-A、Rdv-A和Rdv-A/Rpc-A以及ESCA數(shù)據(jù)示于表2。以與實施例l相同的方式進行電子照相感光構(gòu)件特性的評價。結(jié)果示于表3。(實施例4)以與實施例2相同的方式制造電子照相感光構(gòu)件，并且除了在實施例l使用的模具中，圖ll中由D表示的長軸徑變?yōu)?.5pm,由E表示的間隔變?yōu)?.5jim，由F表示的高度變?yōu)?.0(im之外，以與實施例l相同的方式加工其表面。以與實施例l相同的方式測量感光構(gòu)件表面形狀。結(jié)果，確認(rèn)在感光構(gòu)件表面上形成了圓柱狀凹陷部。所述凹陷部以0.5|im間隔形成。當(dāng)計算滿足比(Rdv/Rpc),即深度與長軸徑的比為大于0.3至7.0以下，并存在于單位面積(100iimxl00fim)中的凹陷部數(shù)量時，其為2，500。從其中不具有加工的凹陷部的感光構(gòu)件表面得到的測量值Rpc-A、Rdv-A和Rdv-A/Rpc-A以及ESCA數(shù)據(jù)示于表2。以與實施例1相同的方式進行電子照相感光構(gòu)件特性的評價。結(jié)果示于59表3。(實施例5)以與實施例2相同的方式制造電子照相感光構(gòu)件，并且除了在實施例l使用的模具中，圖ll中由D表示的長軸徑變?yōu)?.4fim，由E表示的間隔變?yōu)?.6jim,由F表示的高度變?yōu)?.8(im之外，以與實施例l相同的方式加工其表面。以與實施例l相同的方式測量感光構(gòu)件表面形狀。結(jié)果，確認(rèn)在感光構(gòu)件表面上形成了圓柱狀凹陷部。結(jié)果示于表l。所述凹陷部以0.4jum間隔形成。當(dāng)計算滿足比(Rdv/Rpc),即深度與長軸徑的比為大于0.3至7.0以下，并存在于單位面積(100pmxl00nm)中的凹陷部數(shù)量時，其為10,000。從其中不具有加工的凹陷部的感光構(gòu)件表面得到的測量值Rpc-A、Rdv-A和Rdv-A/Rpc-A以及ESCA數(shù)據(jù)示于表2。以與實施例l相同的方式進行電子照相感光構(gòu)件特性的評價。結(jié)果示于表3。(實施例6)以與實施例2相同的方式在支承體上形成導(dǎo)電層、中間層和電荷產(chǎn)生層。除了使用氯苯(350份)和二甲氧基甲烷(35份)的溶劑混合物代替形成所述電荷輸送層中使用的溶劑之外，以與實施例2相同的方式制備電荷輸送層涂布液。將如此制備的電荷輸送層涂布液通過浸涂施涂至電荷產(chǎn)生層上。以此方式，通過涂布形成電荷輸送層作為層壓結(jié)構(gòu)的表面層，所述層壓結(jié)構(gòu)通過在支承體上以此順序?qū)訅簩?dǎo)電層、中間層、電荷產(chǎn)生層和電荷輸送層形成。涂布步驟完成后六十(60)秒，將用表面層涂布液涂布的支承體在用于結(jié)露步驟的加工單元中保持120秒，所述加工單元內(nèi)預(yù)先i殳定70。/。的相對濕度和60。C的環(huán)境溫度。結(jié)露步驟完成后六十(60)秒，將支承體轉(zhuǎn)移至預(yù)先在該單元中加熱至120。C的鼓風(fēng)千燥機中。進行干燥步驟60分鐘。以此方式，制造60具有電荷輸送層并作為表面層的電子照相感光構(gòu)件，所述電荷輸送層具有在距支承體上端130mm位置處測量的20[im平均膜厚度。以與實施例l相同的方式測量所述感光構(gòu)件表面形狀。結(jié)果，確i人在感光構(gòu)件表面上形成了凹陷部。所述凹陷部以1.8jim間隔形成。當(dāng)計算滿足比(Rdv/Rpc)，即深度與長軸徑的比為大于0.3至7.0以下，并存在于單位面積(100(imxlOO(im)中的凹陷部數(shù)量時，其為278。從其中不具有加工的凹陷部的感光構(gòu)件表面得到的測量值Rpc-A、Rdv-A和Rdv-A/Rpc-A以及ESCA數(shù)據(jù)示于表2。以與實施例1相同的方式進行電子照相感光構(gòu)件特性的評價。結(jié)果示于表3。注意，進行ESCA測量的電子照相感光構(gòu)件在如下上述感光構(gòu)件的制造步驟中形成。在通過在基材上施涂電荷輸送層涂布液形成表面層后，立即使表面層進行干燥步驟，在所述干燥步驟中，將所述層千燥60分鐘以得到在具有平均膜厚度20]im的表面上不具有凹陷部的感光構(gòu)件。(實施例7)以與實施例l相同的方式制造電子照相感光構(gòu)件。在如此得到的電子照相感光構(gòu)件表面上，使用圖4所示KrF準(zhǔn)分子激光器(波長^248nm)根據(jù)凹陷部形成方法形成凹陷部。此時，使用具有如圖13所示的如下圖案的石英玻璃掩模其中將直徑為8.0pm的圓形激光光透過部分b以2.0[im間隔i殳置(注意，圖13中附圖標(biāo)記a表示激光屏蔽部分)。照射能設(shè)定為0.9J/cm3。此外，照射在每次照射2mm平方區(qū)域內(nèi)進行，和所述表面每2mm平方照射部分用該激光照射3次。凹陷部同樣通過如下方法形成，在所述方法中如圖4所示，將電子照相感光構(gòu)件旋轉(zhuǎn)，并將照射位置沿其軸向移動，以在感光構(gòu)件表面上形成凹陷部。以與實施例l相同的方式測量感光構(gòu)件表面形狀。從而，確認(rèn)在感光構(gòu)件表面上形成了圖14所示的凹陷部。所述凹陷部以1.4pm間隔形成。當(dāng)計算滿足比(Rdv/Rpc),即深度與長軸徑的比為大于0.3至7.0以下，并存在于單位面積(100fimxlOO]am)中的凹陷部lt量時，其為IOO。乂人其中不具有加工的凹陷部的感光構(gòu)件表面得到的測量值Rpc-A、Rdv-A和Rdv-A/Rpc-A以及ESCA數(shù)據(jù)示于表2。以與實施例l相同的方式進行電子照相感光構(gòu)件特性的評價。結(jié)果示于表3。(實施例8)除了在實施例l的電子照相感光構(gòu)件制造中，以2份添加量使用具有表1所示結(jié)構(gòu)單元的硅氧烷改性聚碳酸酯(3)代替添加至表面層中的含硅化合物之外，以與實施例l相同的方式制造電子照相感光構(gòu)件，。除了使用實施例3中采用的模具之外，以與實施例l相同的方式加工電子照相感光構(gòu)件。以與實施例l相同的方式測量感光構(gòu)件表面形狀。結(jié)果，確認(rèn)在感光構(gòu)件表面上形成了圓柱狀凹陷部。所述凹陷部以0.5[im間隔形成。當(dāng)計算滿足比(Rdv/Rpc),即深度與長軸徑的比為大于0.3至7.0以下，并存在于單位面積(100^imxlOO(im)中的凹陷部數(shù)量時，其為400。從其中不具有加工的凹陷部的感光構(gòu)件表面得到的測量值Rpc-A、Rdv-A和Rdv-A/Rpc-A以及ESCA數(shù)據(jù)示于表2。以與實施例l相同的方式進行電子照相感光構(gòu)件特性的評價。結(jié)果示于表3。(實施例9)除了在實施例l的電子照相感光構(gòu)件制造中，使用具有表l所示結(jié)構(gòu)單元的硅氧烷改性聚酯1代替添加至表面層中的含硅化合物之外，以與實施例8相同的方式制造和加工電子照相感光構(gòu)件。以與實施例l相同的方式測量感光構(gòu)件表面形狀。結(jié)果，確認(rèn)在感光構(gòu)件表面上形成了圓柱狀凹陷部。所述凹陷部以0.5^im間隔形成。當(dāng)計算滿足比(Rdv/Rpc)，即深度與長軸徑的比為大于0.3至7.0以下，并存在于單位面積(100(imxl00iim)中的凹陷部數(shù)量時，其為400。從其中不具有加工的凹陷部的感光構(gòu)件表面得到的測量值Rpc-A、Rdv-A和Rdv-A/Rpc-A以及ESCA數(shù)據(jù)示于表2。以與實施例l相同的方式進行電子照相感光構(gòu)件特性的評價。結(jié)果示于表3。(實施例10)除了在實施例l的電子照相感光構(gòu)件制造中，以0.5^除添加量使用具有表1所示結(jié)構(gòu)單元的硅氧烷改性聚碳酸酯(3),代替添加至表面層中的含珪化合物之外，以與實施例l相同的方式制造電子照相感光構(gòu)件。除了使用實施例3中采用的模具之外，以與實施例l相同的方式加工電子照相感光構(gòu)件。以與實施例l相同的方式測量感光構(gòu)件表面形狀。結(jié)果，確認(rèn)在感光構(gòu)件表面上形成了圓柱狀凹陷部。所述凹陷部以0.5[im間隔形成。當(dāng)計算滿足比(Rdv/Rpc),即深度與長軸徑的比為大于0.3至7.0以下，并存在于單位面積(100pmxl00jim)中的凹陷部凄史量時，其為400。從其中不具有加工的凹陷部的感光構(gòu)件表面得到的測量值Rpc-A、Rdv-A和Rdv-A/Rpc-A以及ESCA數(shù)據(jù)示于表2。以與實施例1相同的方式進行電子照相感光構(gòu)件特性的評價。結(jié)果示于表3。(實施例11)除了在實施例l的電子照相感光構(gòu)件制造中，以4份添加量使用具有表1所示結(jié)構(gòu)單元的硅氧烷改性聚碳酸酯(3)代替添加至表面層中的含硅化合物之外，以與實施例l相同的方式制造電子照相感光構(gòu)件。63除了使用實施例3中采用的模具之外，以與實施例l相同的方式加工電子照相感光構(gòu)件。以與實施例l相同的方式測量感光構(gòu)件表面形狀。從而，確認(rèn)在感光構(gòu)件表面上形成了圓柱狀凹陷部。所述凹陷部以0.5iim間隔形成。當(dāng)計算滿足比(Rdv/Rpc)，即深度與長軸徑的比為大于0.3至7.0以下，并存在于單位面積(10(Vmxl00pm)中的凹陷部數(shù)量時，其為400。從其中不具有加工的凹陷部的感光構(gòu)件表面得到的測量值Rpc-A、Rdv-A和Rdv-A/Rpc-A以及ESCA數(shù)據(jù)示于表2。以與實施例1相同的方式進行電子照相感光構(gòu)件特性的評價。結(jié)果示于表3。(實施例12)除了在實施例1的電子照相感光構(gòu)件制造中，不使用用作粘結(jié)劑樹脂并由結(jié)構(gòu)式(10)表示的聚丙烯酸酯樹脂，和以50份添加量使用具有表1所示結(jié)構(gòu)單元的硅氧烷改性聚碳酸酯(4)代替添加至表面層中的含硅化合物之外，以與實施例l相同的方式制造電子照相感光構(gòu)件。除了使用實施例3中采用的模具之外，以與實施例l相同的方式加工電子照相感光構(gòu)件。以與實施例l相同的方式測量感光構(gòu)件表面形狀。結(jié)果，確認(rèn)在感光構(gòu)件表面上形成了圓柱狀凹陷部。所述凹陷部以0.5fxm間隔形成。當(dāng)計算滿足比(Rdv/Rpc)，即深度與長軸徑的比為大于0.3至7.0以下，并存在于單位面積(100^imxlOO[im)中的凹陷部數(shù)量時，其為400。從其中不具有加工的凹陷部的感光構(gòu)件表面得到的測量值Rpc-A、Rdv-A和Rdv-A/Rpc-A以及ESCA數(shù)據(jù)示于表2。以與實施例l相同的方式進行電子照相感光構(gòu)件特性的評價。結(jié)果示于表3。(實施例13)除了在實施例l的電子照相感光構(gòu)件制造中，以4份添加量使用具有表1所示結(jié)構(gòu)單元的硅氧烷改性聚碳酸酯(4)代替添加至表面層中的含硅化合物之外，以與實施例l相同的方式制造電子照相感光構(gòu)件。除了使用實施例3中采用的模具之外，以與實施例l相同的方式加工電子照相感光構(gòu)件。以與實施例l相同的方式測量感光構(gòu)件表面形狀。結(jié)果，確認(rèn)在感光構(gòu)件表面上形成了圓柱狀凹陷部。所述凹陷部以0.5(im間隔形成。當(dāng)計算滿足比(Rdv/Rpc)，即深度與長軸徑的比為大于0.3至7.0以下，并存在于單位面積(100jimxl00fim)中的凹陷部數(shù)量時，其為400。從其中不具有加工的凹陷部的感光構(gòu)件表面得到的測量值Rpc-A、Rdv-A和Rdv-A/Rpc-A以及ESCA數(shù)據(jù)示于表2。以與實施例l相同的方式進行電子照相感光構(gòu)件特性的評價。結(jié)果示于表3。(實施例14)除了在實施例l的電子照相感光構(gòu)件制造中，以2份添加量使用具有表1所示結(jié)構(gòu)單元的硅氧烷改性聚碳酸酯(5)代替添加至表面層中的含硅化合物之外，以與實施例l相同的方式制造電子照相感光構(gòu)件。除了使用實施例3中采用的模具之外，以與實施例l相同的方式加工電子照相感光構(gòu)件。以與實施例l相同的方式測量感光構(gòu)件表面形狀。結(jié)果，確認(rèn)在感光構(gòu)件表面上形成了圓柱狀凹陷部。所述凹陷部以0.5iim間隔形成。當(dāng)計算滿足比(Rdv/Rpc)，即深度與長軸徑的比為大于0.3至7.0以下，并存在于單位面積(100nmxlOO[im)中的凹陷部數(shù)量時，其為400。從其中不具有加工的凹陷部的感光構(gòu)件表面得到的測量值Rpc-A、Rdv-A和Rdv-A/Rpc-A以及ESCA數(shù)據(jù)示于表2。以與實施例1相同的方式進行電子照相感光構(gòu)件特性的評價。結(jié)果示于表3。(實施例15)除了在實施例l的電子照相感光構(gòu)件制造中，以2份添加量使用苯乙烯-聚二甲基石圭氧烷甲基丙烯酸酯(AronGS-101CP,由ToagoseiCo.,Ltd.制造)代替添加至表面層中的含硅化合物之外，以與實施例l相同的方式制造電子照相感光構(gòu)件。除了使用實施例3中采用的模具之外，以與實施例l相同的方式加工電子照相感光構(gòu)件。以與實施例l相同的方式測量感光構(gòu)件表面形狀。結(jié)果，確認(rèn)在感光構(gòu)件表面上形成了圓柱狀凹陷部。當(dāng)計算滿足比(Rdv/Rpc),即深度與長軸徑的比為大于0.3至7.0以下，并存在于單位面積(100^imxlOO^m)中的凹陷部數(shù)量時，其為400。從其中不具有加工的凹陷部的感光構(gòu)件表面得到的測量值Rpc-A、Rdv-A和Rdv-A/Rpc-A以及ESCA數(shù)據(jù)示于表2。以與實施例1相同的方式進行電子照相感光構(gòu)件特'性的評價。結(jié)果示于表3。(實施例16)除了在實施例1的電子照相感光構(gòu)件制造中，以1.8份添加量使用具有表1所示結(jié)構(gòu)單元的硅氧烷改性聚碳酸酯(3)代替添加至表面層中的含硅化合物，和以0.2份的量添加二甲基硅油(KF-96-100cs，由Shin-EtsuChemical制造)之外，以與實施例l相同的方式制造電子照相感光構(gòu)件。除了使用實施例3中采用的模具之外，以與實施例l相同的方式加工電子照相感光構(gòu)件。以與實施例l相同的方式測量感光構(gòu)件表面形狀。結(jié)果，確認(rèn)在感光構(gòu)件表面上形成了圓柱狀凹陷部。所述凹陷部以0.5jim間隔形成。當(dāng)計算滿足比(Rdv/Rpc)，即深度與長軸徑的比為大于0.3至7.0以下，并存在于單位面積從其中不具有加工的凹陷部的感光構(gòu)件表面得到的測量值Rpc-A、Rdv-A和Rdv-A/Rpc-A以及ESCA數(shù)據(jù)示于表2。以與實施例1相同的方式進行電子照相感光構(gòu)件特'性的評價。結(jié)果示于表3。(實施例17)除了在實施例l的電子照相感光構(gòu)件制造中，以0.5份添加量添加二曱基珪油(KF-96-100cs,由Shin-EtsuChemical制造)代替添加至表面層中的含硅化合物之外，以與實施例l相同的方式制造電子照相感光構(gòu)件。除了使用實施例3中釆用的模具之外，以與實施例l相同的方式加工電子照相感光構(gòu)件。以與實施例l相同的方式測量感光構(gòu)件表面形狀。結(jié)果，確認(rèn)在感光構(gòu)件表面上形成了圓柱狀凹陷部。所述凹陷部以0.5pm間隔形成。當(dāng)計算滿足比(Rdv/Rpc)，即深度與長軸徑的比為大于0.3至7.0以下，并存在于單位面積(lOO[imxlOO(im)中的凹陷部數(shù)量時，其為400。從其中不具有加工的凹陷部的感光構(gòu)件表面得到的測量值Rpc-A、Rdv-A和Rdv-A/Rpc-A以及ESCA數(shù)據(jù)示于表2。以與實施例l相同的方式進行電子照相感光構(gòu)件特性的評價。結(jié)果示于表3。(實施例18)除了在實施例l的電子照相感光構(gòu)件制造中，以0.5份添加量添加酚改性硅油(X-22-1821,由Shin-EtsuChemical制造)代替添加至表面層中的含硅化合物之外，以與實施例1相同的方式制造電子照相感光構(gòu)件。除了使用實施例3中采用的模具之外，以與實施例l相同的方式加工電子照相感光構(gòu)件。以與實施例l相同的方式測量感光構(gòu)件表面形狀。結(jié)果，確認(rèn)在感光構(gòu)件表面上形成了圓柱狀凹陷部。所述凹陷部以0.5jim間隔形成。當(dāng)計算滿足比(Rdv/Rpc)，即深度與長軸徑的比為大于0.3至7.0以下，并存在于單位面積從其中不具有加工的凹陷部的感光構(gòu)件表面得到的測量值Rpc-A、Rdv-A和Rdv-A/Rpc-A以及ESCA數(shù)據(jù)示于表2。以與實施例1相同的方式進行電子照相感光構(gòu)件特'性的評價。結(jié)果示于表3。(實施例19)除了在實施例l的電子照相感光構(gòu)件制造中，將添加至表面層的含硅化合物變?yōu)?.5份二甲基石圭油(KF-96-100cs,由Shin-EtsuChemical制造)，和0.1份酚改性硅油(X-22-1821,由Shin-EtsuChemical制造)之外，以與實施例l相同的方式制造電子照相感光構(gòu)件。除了使用實施例3中采用的模具之外，以與實施例l相同的方式加工電子照相感光構(gòu)件。以與實施例l相同的方式測量感光構(gòu)件表面形狀。結(jié)果，確認(rèn)在感光構(gòu)件表面上形成了圓柱狀凹陷部。所述凹陷部以0.5jim間隔形成。當(dāng)計算滿足比(Rdv/Rpc)，即深度與長軸徑的比為大于0.3至7.0以下，并存在于單位面積(100nmxl00pm)中的凹陷部數(shù)量時，其為400。從其中不具有加工的凹陷部的感光構(gòu)件表面得到的測量值Rpc-A、Rdv-A和Rdv-A/Rpc-A以及ESCA數(shù)據(jù)示于表2。以與實施例1相同的方式進行電子照相感光構(gòu)件特'I"生的評價。結(jié)果示于表3。(實施例20)除了在實施例1的電子照相感光構(gòu)件制造中，以2份添加量68添加全氟聚醚油(全氟聚醚油，DemnumS-IOO，由DaikinIndustriesLtd.制造)作為含氟化合物代替添加至表面層中的含硅化合物之外，以與實施例l相同的方式制造電子照相感光構(gòu)件。除了使用實施例3中采用的模具之外，以與實施例l相同的方式加工電子照相感光構(gòu)件。以與實施例1相同的方式測量感光構(gòu)件表面形狀。結(jié)果，確認(rèn)在感光構(gòu)件表面上形成了圓柱狀凹陷部。所述凹陷部以0.5jim間隔形成。當(dāng)計算滿足比(Rdv/Rpc),即深度與長軸徑的比為大于0.3至7.0以下，并存在于單位面積(lOOiimxlOOiim)中的凹陷部數(shù)量時，其為400。從其中不具有加工的凹陷部的感光構(gòu)件表面得到的測量值Rpc-A、Rdv-A和Rdv-A/Rpc-A以及ESCA數(shù)據(jù)示于表2。以與實施例1相同的方式進行電子照相感光構(gòu)件特性的評價。結(jié)果示于表3。(實施例21)除了在實施例l的電子照相感光構(gòu)件制造中，以6份添加量使用具有表1所示結(jié)構(gòu)單元的硅氧烷改性聚碳酸酯(6)代替添加至表面層中的含硅化合物之外，以與實施例l相同的方式制造電子照相感光構(gòu)件。除了在實施例l使用的模具中，將圖11中由D表示的長軸徑變?yōu)?.0(im,由E表示的間隔變?yōu)?.5[im,和由F表示的高度變?yōu)?.4(xm之外，以與實施例l相同的方式加工感光構(gòu)件表面。以與實施例l相同的方式測量感光構(gòu)件表面形狀。結(jié)果，確^人在感光構(gòu)件表面上形成了圓柱狀凹陷部。所述凹陷部以0.5(im間隔形成。當(dāng)計算滿足比(Rdv/Rpc),即深度與長軸徑的比為大于0.3至7.0以下，并存在于單位面積(100(imxlOO)am)中的凹陷部數(shù)量時，其為1，600。從其中不具有加工的凹陷部的感光構(gòu)件表面得到的測量值69Rpc-A、Rdv-A和Rdv-A/Rpc-A以及ESCA數(shù)據(jù)示于表2。以與實施例1相同的方式進行電子照相感光構(gòu)件特性的評價。結(jié)果示于表3。(實施例22)以與實施例2相同的方式在支承體上形成導(dǎo)電層、中間層和電荷產(chǎn)生層。然后，除了使用氯苯(300份)、硅氧烷(150份)和二曱氧基曱烷(50份)的溶劑混合物代替用于形成電荷輸送層的溶劑之外，以與實施例2相同的方式制備電荷輸送層涂布液。將如此制備的電荷輸送層涂布液通過浸涂施涂至電荷產(chǎn)生層上。以此方式，通過施涂形成電荷輸送層作為層壓結(jié)構(gòu)的表面層，所述層壓結(jié)構(gòu)通過在支承體上以此順序?qū)訅簩?dǎo)電層、中間層、電荷產(chǎn)生層和電荷輸送層而形成。涂布步驟完成后六十(60)秒，將用表面層涂布液涂布的支承體在用于結(jié)露步驟的加工單元中保持120秒，所述加工單元內(nèi)預(yù)先設(shè)定80%的相對濕度和50°C環(huán)境溫度。結(jié)露步驟完成后六十(60)秒，將支承體轉(zhuǎn)移至在該單元中預(yù)先加熱至120。C的鼓風(fēng)干燥機中。進行干燥步驟60分鐘。以此方式，制造具有電荷輸送層作為表面層的電子照相感光構(gòu)件，所述電荷輸送層具有在距支承體上端130mm位置處測量的20(im平均膜厚度。以與實施例l相同的方式測量感光構(gòu)件表面形狀。結(jié)果，確認(rèn)在感光構(gòu)件表面上形成了凹陷部。圖15顯示了該實施例中制備的電子照相感光構(gòu)件表面上凹陷部在激光顯微鏡下觀察到的圖像。所述凹陷部以0.2(im間隔形成。當(dāng)計算滿足比(Rdv/Rpc),即深度與長軸徑的比為大于0.3至7.0以下，并存在于單位面積(100(imxl00pm)中的凹陷部數(shù)量時，其為400。從其中不具有加工的凹陷部的感光構(gòu)件表面得到的測量值Rpc-A、Rdv-A和Rdv-A/Rpc-A以及ESCA數(shù)據(jù)示于表2。以與實施例l相同的方式進行電子照相感光構(gòu)件特性的評價。結(jié)果示于表3。注意，進行ESCA測量的電子照相感光構(gòu)件如下在上述感光構(gòu)件的制造步驟中形成。在通過在基材上施涂電荷輸送層涂布液形成表面層后，立即使表面層進行干燥步驟而不進行結(jié)露步驟。在所述干燥步驟中，將所述層干燥60分鐘以得到在具有平均膜厚度20pm的電荷輸送層表面上不具有加工的凹陷部的感光構(gòu)件。(實施例23)以與實施例l相同的方式在支承體上形成導(dǎo)電層、中間層和電荷產(chǎn)生層。然后，除了使用氯苯(300份)、二甲氧基甲烷(140份)和(曱基亞硫?；?曱烷(10份)的溶劑混合物代替用于形成電荷輸送層的溶劑之外，以與實施例l相同的方式制備電荷輸送層涂布液。將如此制備的電荷輸送層涂布液通過浸涂施涂至電荷產(chǎn)生層上。以此方式，通過施涂形成電荷輸送層作為層壓結(jié)構(gòu)的表面層，所述層壓結(jié)構(gòu)通過在支承體上以此順序?qū)訅簩?dǎo)電層、中間層、電荷產(chǎn)生層和電荷輸送層而形成。涂布步驟完成后六十(60)秒，將用表面層涂布液涂布的支承體在用于結(jié)露步驟的加工單元中保持180秒，所述加工單元內(nèi)預(yù)先i殳定70%的相對濕度和45。C環(huán)境溫度。結(jié)露步驟完成后六十(60)秒，將支承體轉(zhuǎn)移至在該單元中預(yù)先加熱至120。C的鼓風(fēng)干燥機中。進行干燥步驟60分鐘。以此方式，制造具有電荷輸送層作為表面層的電子照相感光構(gòu)件，所述電荷輸送層具有在距支承體上端130mm位置處測量的20jim平均膜厚度。以與實施例l相同的方式測量感光構(gòu)件表面形狀。結(jié)果，確認(rèn)在感光構(gòu)件表面上形成了凹陷部。圖15顯示了該實施例中制備的電子照相感光構(gòu)件表面上凹陷部在激光顯微鏡下觀察到的圖像。所迷凹陷部以.5(xm間隔形成。當(dāng)計算滿足比(Rdv/Rpc),即深度與長軸徑的比為大于0.3至7.0以下，并存在于單位面積(100nmxl00pm)中的凹陷部數(shù)量時，其為2，500。從其中不具有加工的凹陷部的感光構(gòu)件表面得到的測量值Rpc-A、Rdv-A和Rdv-A/Rpc-A以及ESCA數(shù)據(jù)示于表2。以與實施例l相同的方式進行電子照相感光構(gòu)件特性的評價。結(jié)果示于表3。注意，要進行ESCA測量的電子照相感光構(gòu)件如下在上述感光構(gòu)件的步驟中形成。在通過在基材上施涂電荷輸送層涂布液形成表面層后，立即使表面層進行千燥步驟而不進行結(jié)露步驟。在所述干燥步驟中，將所述層干燥60分鐘以得到在具有平均膜厚度20)am的電荷輸送層表面上不具有凹陷部的感光構(gòu)件。(比4交例1)以與實施例l相同的方式制造電子照相感光構(gòu)件。除了不通過用于實施例l的才莫具加工感光構(gòu)件表面之外，以與實施例l相同的方式測量感光構(gòu)件的表面形狀。由于未加工表面形狀，得到?jīng)]有可分辨的凹凸的膜厚度20(im的幾乎平坦的表面層。測量值Rpc-A、Rdv-A和Rdv-A/Rpc-A以及ESCA數(shù)據(jù)示于表2。以與實施例l相同的方式進行電子照相感光構(gòu)件特性的評價。結(jié)果示于表3。(比較例2)以與實施例l相同的方式制造電子照相感光構(gòu)件。除了在實施例l使用的模具中，將圖ll中由D表示的長軸徑變?yōu)?.2pm，由E表示的間隔變?yōu)?.8[im,和由F表示的高度變?yōu)?.0iim之外，以與實施例l相同的方式加工感光構(gòu)4牛表面。以與實施例l相同的方式測量感光構(gòu)件表面形狀。結(jié)果，形成圓柱狀凹陷部。所述凹陷部以0.8jxm間隔形成。當(dāng)計算滿足比(Rdv/Rpc),即深度與長軸徑的比為大于0.3至7.0以下，并存在于單位面積(lOOiimxlOO[im)中的凹陷部數(shù)量時，其為400。從在表面上未經(jīng)加工的感光構(gòu)件得到的測量值Rpc-A、72Rdv-A和Rdv-A/Rpc-A以及ESCA數(shù)據(jù)示于表2。以與實施例l相同的方式進行電子照相感光構(gòu)件特性的評價。結(jié)果示于表3。(比較例3)除了在實施例l的電子照相感光構(gòu)件制造中，以5份添加量使用具有表1所示結(jié)構(gòu)單元的硅氧烷改性聚碳酸酯(2)代替添加至表面層中的含硅化合物之外，以與實施例l相同的方式制造電子照相感光構(gòu)件。除了在實施例l使用的模具中，將圖11中由D表示的長軸徑變?yōu)?.2(im,由E表示的間隔變?yōu)?.8pm,和由F表示的高度變?yōu)?.0nm之外，以與實施例l相同的方式加工感光構(gòu)件表面。以與實施例l相同的方式測量感光構(gòu)件表面形狀。結(jié)果，確i人形成了圓柱纟犬凹陷部，和凹陷部以0.8pm間隔形成。當(dāng)計算滿足比(Rdv/Rpc),即深度與長軸徑的比為大于0.3至7.0以下，并存在于單位面積(100pmxlOO^im)中的凹陷部lt量時，其為400。從在表面上未經(jīng)加工的感光構(gòu)件表面測量的測量值Rpc-A、Rdv-A和Rdv-A/Rpc-A以及ESCA數(shù)據(jù)示于表2。以與實施例1相同的方式進行電子照相感光構(gòu)件特'性的評價。結(jié)果示于表3。(比較例4)除了在實施例l的電子照相感光構(gòu)件制造中，不將含硅化合物添加至表面層中之外，以與實施例l相同的方式制造電子照相感光構(gòu)件。除了在實施例l使用的模具中，將圖11中由D表示的長軸徑變?yōu)?.0nm,由E表示的間隔變?yōu)?.5(im,和由F表示的高度變?yōu)?.4jxm之夕卜，以與實施例1相同的方式加工感光構(gòu)件表面。以與實施例l相同的方式測量感光構(gòu)件表面形狀。結(jié)果，確認(rèn)形成了圓柱狀凹陷部。凹陷部以0.5pm間隔形成。當(dāng)計算滿足比(Rdv/Rpc)，即深度與長軸徑的比為大于0.3至7.0以下，并存在于單位面積(100|imxl00|im)中的凹陷部#t量時，其為1，600。從在表面上未經(jīng)加工的感光構(gòu)件測量的測量值Rpc-A、Rdv-A和Rdv-A/Rpc-A以及ESCA數(shù)據(jù)示于表2。以與實施例l相同的方式進行電子照相感光構(gòu)件特性的評價。結(jié)果示于表3。表l含硅化合物的結(jié)構(gòu)<table>tableseeoriginaldocumentpage75</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage76</column></row><table>表3耐久性試驗結(jié)果<table>tableseeoriginaldocumentpage77</column></row><table>具體地說，上述結(jié)果，實施例l至23與比較例l至4的比較表明電子照相感光構(gòu)件的清潔性能，特別是在長期重復(fù)使用期間清潔刮板的震動和翹起可通過以下來改進將含/圭化合物或含氟化合物引入電子照相感光構(gòu)件表面層中，并在電子照相感光構(gòu)件表面上形成滿足深度與長軸徑的比(Rdv/Rpc)為大于0.3至7.0以下的凹陷部。具有4艮據(jù)本發(fā)明凹陷部的電子照相感光構(gòu)件的動摩擦系數(shù)的結(jié)果表明，在具有本發(fā)明凹陷部的電子照一目感光構(gòu)件中，即使在長期連續(xù)復(fù)印中重復(fù)使用該感光構(gòu)件后，也降低感光構(gòu)件與清潔刮板間的摩擦阻力。在本發(fā)明的評價中，在具有在直徑30mm支承體上形成的感光層的感光構(gòu)件上進行IO，OOO張紙耐久性試驗。即使在評價條件下，也確認(rèn)降低刮板震動的效果。在使用感光構(gòu)件初期，只要在感光構(gòu)件表面上形成凹陷部，刮板震動就不易于發(fā)生。然而，當(dāng)重復(fù)使用感光構(gòu)件時，效果的耐久性依賴于感光構(gòu)件表面上的凹陷部形狀而變化。因此，認(rèn)為通過在感光構(gòu)件表面上形成的特定的凹陷部，持續(xù)了降低感光構(gòu)件與清潔刮板之間負(fù)荷量的效果，從而改進了刮板震動。本申請要求2007年3月28日提交的日本專利申請2007-085141的優(yōu)先權(quán)，將其一部分引入本申請中。權(quán)利要求1.一種電子照相感光構(gòu)件，其包括支承體和在支承體上形成的感光層，并在表面層中以相對于表面層全部固體物質(zhì)的0.6質(zhì)量％以上的量包含含硅化合物或含氟化合物，其中所述電子照相感光構(gòu)件在表面的全部區(qū)域中以每單位面積(100μm×100μm)50以上至70,000以下的數(shù)量具有彼此獨立的凹陷部，以及所述凹陷部各自具有大于0.3至7.0以下的各凹陷部的深度(Rdv)與長軸徑(Rpc)的比Rdv/Rpc，和0.1μm以上至10.0μm以下的深度(Rdv)，所述深度(Rdv)表示各凹陷部最深部與其開口表面之間的距離。2.—種電子照相感光構(gòu)件，其包括支承體和在支承體上形成的感光層，并在表面層中以相對于表面層全部固體物質(zhì)的0.6質(zhì)量％以上的量包含含硅化合物或含氟化合物，所述電子照相感光構(gòu)件與在其表面上的清潔刮板接觸使用，其中所述電子照相感光構(gòu)件至少在與清潔刮板接觸的電子照相感光構(gòu)件的表面部位的全部區(qū)域中，以每單位面積(100(imxlOO[im)50以上至70,000以下的數(shù)量具有彼此獨立的凹陷部，以及所述凹陷部各自具有大于0.3至7.0以下的各凹陷部的深度(Rdv)與長軸徑(Rpc)的比Rdv/Rpc，和0.1iim以上至10.0iim以下的深度(Rdv)，所述深度(Rdv)表示各凹陷部最深部與其開口表面之間的距離。3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的電子照相感光構(gòu)件，其中所述深度(Rdv)為0.5jam以上至10.0pm以下，和所述深度(Rdv)與所述長軸徑(Rpc)的比Rdv/Rpc為大于1.0至7.0以下。4.根據(jù)權(quán)利要求1至3任一項所述的電子照相感光構(gòu)件，其中通過X-射線光電子能譜(ESCA)得到的相對于所述電子照相感光構(gòu)件表面層最外表面中的組成元素氟元素和硅元素的總存在比為1.0質(zhì)量％以上；和比(A/B)為大于0.0且小于0.5，其中將A(質(zhì)量％)定義為從所述電子照相感光構(gòu)件表面層最外表面向內(nèi)0.21im部分處存在的氟元素和硅元素的總含量，和將B(質(zhì)量%)定義為存在于所述最外表面的氟元素和硅元素的總含量，所述氟元素和硅元素的含量用X-射線光電子能譜(ESCA)得到。5.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項所述的電子照相感光構(gòu)件，其中所述含硅化合物為具有至少一個由式(l)表示的結(jié)構(gòu)重復(fù)單元的聚硅氧烷"f,-o卜(1)\R2/k在式(l)中，Ri和R2可相同或不同，并表示氫原子、鹵原子、火克氧基、硝基、取代或未取代的烷基，或者取代或未取代的芳基；以及k表示l至500的正整數(shù)。6.根據(jù)權(quán)利要求1至4任一項所述的電子照相感光構(gòu)件，其中所述含硅化合物為具有由以下式(4)表示的結(jié)構(gòu)重復(fù)單元和由以下式(2)或(3)表示的結(jié)構(gòu)重復(fù)單元的聚碳酸酯或聚酯(2)(3)在式(2)和(3)中，X和Y表示單4建、-O-、-S-、取代或未取代的亞烷基；113至1118可相同或不同，并表示氫原子、卣原子、烷氧基、硝基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基；在式(4)中，Rw和R2。可相同或不同，并表示氫原子、烷基或芳基；1121至1124可相同或不同，并表示氫原子、卣原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基；a表示l至30的整數(shù)；和m表示l至500的整數(shù)。7.根據(jù)權(quán)利要求6的電子照相感光構(gòu)件，其中所述含硅化合物為在一個末端或兩個末端具有由以下式(5)表示的結(jié)構(gòu)的聚碳酸酯或聚酯在式(5)中，R25和R26可相同或不同，并表示氫原子、鹵原子、烷氧基、硝基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的芳基；R27和R28可相同或不同，并表示氫原子、烷基或芳基；R29至R"可相同或不同，并表示氫原子、鹵原子、取代或未取代的烷基，或者取代或未取代的芳基；b表示l至30的整數(shù)；和n表示l至500的整數(shù)。8.根據(jù)權(quán)利要求1至7任一項所述的電子照相感光構(gòu)件，其中所述含硅化合物為由以下式(6)表示的石圭油或改性石圭油在式(6)中，1134至1139可相同或不同，并表示氫原子、閨原子、取代或未取代的烷基，或者取代或未取代的芳基；和l表示結(jié)構(gòu)重復(fù)單元數(shù)的平均值。9.根據(jù)權(quán)利要求1至8任一項所述的電子照相感光構(gòu)件，其中所述含硅化合物為在側(cè)鏈上具有硅氧烷結(jié)構(gòu)的丙烯酸酯、曱基丙烯酸酯和苯乙烯中的任意一種。10.根據(jù)權(quán)利要求5至9中任一項所述的電子照相感光構(gòu)件，其包括至少兩種根據(jù)權(quán)利要求5至9中任一項所述的含硅化合物。11.根據(jù)權(quán)利要求1至10中任一項所述的電子照相感光構(gòu)件，其中所述深度(Rdv)為大于3.0iim至10.0(im以下。12.根據(jù)權(quán)利要求l至ll任一項所述的電子照相感光構(gòu)件，其中為所述深度(Rdv)與所述長軸徑(Rpc)的比的比(Rdv/Rpc)為大于1.5至7.0以下。13.根據(jù)^L利要求6至12任一項所述的電子照相感光構(gòu)件，其中，在所述聚碳酸酯或聚酯中，硅氧烷部分相對于全部結(jié)構(gòu)重復(fù)單元的比例為10.0質(zhì)量％以上至60.0質(zhì)量％以下。14.根據(jù)權(quán)利要求1至13任一項所述的電子照相感光構(gòu)件，其中所述凹陷部的平均長軸徑(Rpc-A)為04(im以上至4.Snm以下，所述凹陷部的平均深度(Rdv-A)為0.8iam以上至8.5iim以下。15.根據(jù)權(quán)利要求1至14任一項所述的電子照相感光構(gòu)件，其中所述表面層以相對于表面層的全部固體物質(zhì)的0.6質(zhì)量％以上至IO.O質(zhì)量％以下的量包含含硅化合物或含氟化合物。16.根據(jù)權(quán)利要求1至15任一項所述的電子照相感光構(gòu)件，其中所述表面層包含粘結(jié)劑樹脂和潤滑劑，所述潤滑劑為所述含硅化合物或含氟化合物。17.—種處理盒，其至少包括根據(jù)權(quán)利要求1至16任一項所述的電子照相感光構(gòu)件和一體化支承的清潔裝置，其中所述處理盒可拆卸地安裝至所述電子照相設(shè)備主體上，所述清潔裝置具有清潔刮板。18.—種電子照相設(shè)備，其包括根據(jù)權(quán)利要求1至16任一項所述的電子照相感光構(gòu)件、充電裝置、曝光裝置、顯影裝置、轉(zhuǎn)印裝置和清潔裝置，其中所述清潔裝置具有清潔刮板。全文摘要本發(fā)明提供電子照相感光構(gòu)件，和包括所述電子照相感光構(gòu)件的處理盒和電子照相設(shè)備，所述電子照相感光構(gòu)件能夠保持所述感光構(gòu)件表面的高水平平滑性，并且在長期耐久期間能夠改進清潔性能，以及能夠抑制刮板震動和翹起的發(fā)生，能夠?qū)崿F(xiàn)良好的圖像再現(xiàn)性。所述電子照相感光構(gòu)件包括在支承體上設(shè)置的感光層。所述感光構(gòu)件表面層包含含硅化合物或含氟化合物。所述電子照相感光構(gòu)件中表面層的表面具有多個獨立的凹陷部。所述凹陷部滿足以下要求Rdv為不小于0.1μm至不大于10.0μm，Rdv與Rpc的比，即，Rdv/Rpc為大于0.3至不大于7.0，其中Rpc表示所述凹陷部的長軸徑；Rdv表示深度，所述深度表示在凹陷部中最深部與其開口表面之間的距離。文檔編號G03G5/05GK101646979SQ20088001032公開日2010年2月10日申請日期2008年3月27日優(yōu)先權(quán)日2007年3月28日發(fā)明者上杉浩敏,北村航,大垣晴信,奧田篤申請人:佳能株式會社