專(zhuān)利名稱(chēng)：：光學(xué)補(bǔ)償雙折射液晶面板的制作與驅(qū)動(dòng)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一禾中光學(xué)補(bǔ)償雙折射(opticallycompensatedbirefringence,OCB)型液晶顯示器的技術(shù)，且特別是涉及一種能于驅(qū)動(dòng)時(shí)省去由斜展(splay)態(tài)轉(zhuǎn)換至彎曲(bend)態(tài)的動(dòng)作的光學(xué)補(bǔ)償雙折射(OCB)液晶面板(panel)的制作與驅(qū)動(dòng)方法。
背景技術(shù)：
：因應(yīng)液晶顯示器的動(dòng)態(tài)影像品質(zhì)需求，各類(lèi)快速反應(yīng)液晶顯示技術(shù)不斷地被提出，其中一種即為光學(xué)補(bǔ)償雙折射(OCB)型顯示模式。目前OCB的缺點(diǎn)之一就是需要經(jīng)過(guò)一個(gè)斜展(splay)態(tài)至彎曲(bend)態(tài)的轉(zhuǎn)換才能到達(dá)顯示器的驅(qū)動(dòng)區(qū)間，使得OCB需要高電壓進(jìn)行轉(zhuǎn)態(tài)動(dòng)作，才能開(kāi)始進(jìn)行顯示驅(qū)動(dòng)；而較高的電壓除了使液晶面板的制造過(guò)程面臨需要較高的成本外，也可能會(huì)對(duì)液晶面板造成傷害。雖然已有一些種晶(seed)的技術(shù)能夠使得OCB在較低的電壓進(jìn)行轉(zhuǎn)換，例如2002年所提出的美國(guó)專(zhuān)利US7215397B2。不過(guò)，這種技術(shù)仍然需要較高電壓來(lái)使液晶分子由斜展態(tài)轉(zhuǎn)換至彎曲態(tài)，而且，需額外增加數(shù)道蝕刻顯影等步驟，所以工藝較繁復(fù)。因此，目前種晶的技術(shù)仍然無(wú)法使OCB顯示模式具備實(shí)用的程度。—般OCB液晶盒內(nèi)的液晶分子在驅(qū)動(dòng)前后的狀態(tài)如圖1所示。在未加電壓時(shí)，液晶分子100的排列方向會(huì)順著基板110配向方向呈現(xiàn)斜展態(tài)。經(jīng)電壓驅(qū)動(dòng)后，液晶分子100會(huì)變成BendI狀態(tài)，再變成BendII狀態(tài)。一旦將電壓關(guān)掉，則液晶分子100的排列會(huì)先維持在180度扭轉(zhuǎn)態(tài)，再慢慢轉(zhuǎn)換至斜展態(tài)。由于180度扭轉(zhuǎn)態(tài)的自由能與彎曲態(tài)(BendI與BendII)的自由能接近，因此若是能在驅(qū)動(dòng)之前讓液晶分子排列維持在"180度扭轉(zhuǎn)態(tài)"，則驅(qū)動(dòng)到彎曲態(tài)勢(shì)必要比由"斜展態(tài)"驅(qū)動(dòng)至彎曲態(tài)更容易。于2006年由韓國(guó)釜山大學(xué)(PusanNationalUniversity)發(fā)表在AppliedPhysicsLetters89,123507(2006)的研究已經(jīng)提出一種雙排列模式(twomode)OCB的設(shè)計(jì)，包括在液晶中添加手性(Chiral)分子，使得OCB結(jié)構(gòu)可以維持在180度扭轉(zhuǎn)態(tài)，而形成存儲(chǔ)狀態(tài)(Memorystate)，再利用側(cè)向電極與垂直電極搭配而形成動(dòng)態(tài)模式與存儲(chǔ)模式。不過(guò)這個(gè)方式需要使用手性液晶，此種作法一般會(huì)影響液晶面板的光電性質(zhì)。此夕卜，在2007年由韓國(guó)釜山大學(xué)發(fā)表在AppliedPhysicsLetters90，163513(2007)的研究則提出一種不需使用手性(Chiral)分子，而是利用液晶分子與氟化聚合物材料的相分離(Phases印aration)來(lái)使液晶分子維持在180度扭轉(zhuǎn)態(tài)。但是，上述方式將液晶分子與氟化聚合物材料混合后再做相分離，容易對(duì)液晶面板光電性質(zhì)產(chǎn)生不良影響。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供一種光學(xué)補(bǔ)償雙折射(OCB)液晶面板的制作與驅(qū)動(dòng)方法，能使OCB驅(qū)動(dòng)時(shí)省去由斜展(splay)態(tài)轉(zhuǎn)換至彎曲(bend)態(tài)的動(dòng)作。本發(fā)明提出一種光學(xué)補(bǔ)償雙折射液晶面板的制作與驅(qū)動(dòng)方法，包括提供一個(gè)OCB液晶面板，這種OCB液晶面板在其顯示區(qū)周?chē)哂谢斐膳帕?HAN)、垂直排列(VA)或者彎曲排列(Bend)性質(zhì)的封閉型結(jié)構(gòu)區(qū)域。然后以多階段電壓變化方式(multistagevoltagevariation)對(duì)此0CB液晶面板進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。這種多階段電壓變化驅(qū)動(dòng)方式包括先施加高電壓，使OCB液晶面板內(nèi)的液晶分子轉(zhuǎn)換至Bend或垂直排列狀態(tài)；再將上述高電壓降低至低電壓，且此低電壓需維持在OCB液晶面板的彎曲態(tài)維持電壓(bendstateholdingvoltage)以上；最后移除電壓至零，使OCB液晶面板內(nèi)的液晶分子維持在180度扭轉(zhuǎn)態(tài)。在本發(fā)明的實(shí)施例中，上述提供OCB液晶面板的制作方法包括先在經(jīng)過(guò)配向處理后的上基板表面上或下基板表面上形成反應(yīng)性液晶單體層(reactiveliquidcrystalmonomerlayer)，再對(duì)上述反應(yīng)性液晶單體層進(jìn)行曝光聚合與顯影，以形成封閉型結(jié)構(gòu)，其中封閉型結(jié)構(gòu)與OCB液晶面板的顯示區(qū)具有不同的預(yù)傾角。之后，組合上基板與下基板，使得有封閉型結(jié)構(gòu)的區(qū)域形成混成排列(HAN)區(qū)。在本發(fā)明的實(shí)施例中，上述提供OCB液晶面板的制作方法包括先在經(jīng)過(guò)配向處理后的上基板表面上與下基板表面上分別形成反應(yīng)性液晶單體層，再對(duì)上述反應(yīng)性液晶單體層進(jìn)行曝光聚合與顯影，以形成封閉型結(jié)構(gòu)，其中封閉型結(jié)構(gòu)與OCB液晶面板的顯示區(qū)具有不同的預(yù)傾角(pre-tiltangle)。之后，組合上基板與下基板，使得有封閉型結(jié)構(gòu)的區(qū)域形成混成排列(HAN)區(qū)、垂直排列(VA)區(qū)或者彎曲排列(Bend)區(qū)。在本發(fā)明的實(shí)施例中，上述OCB液晶面板的單一像素顯示區(qū)的面積在50limX50lim16mmX16mm之間。在本發(fā)明的實(shí)施例中，上述0CB液晶面板的封閉型結(jié)構(gòu)的寬度在2iimlOOOiim之間。在本發(fā)明的實(shí)施例中，上述高電壓大于5V，小于25V;優(yōu)選是大于10V。在本發(fā)明的實(shí)施例中，上述由高電壓降低至低電壓的方式包括階段式下降(st印decay)、急遽下降(steepdecay)或平緩下降(smoothdecay)。在本發(fā)明的實(shí)施例中，上述由高電壓降低至低電壓的時(shí)間在1分鐘以?xún)?nèi)。在本發(fā)明的實(shí)施例中，上述由高電壓降低至低電壓的步驟還包括維持低電壓的時(shí)間在3分鐘以?xún)?nèi)。在本發(fā)明的實(shí)施例中，上述液晶分子的彎曲態(tài)維持電壓在1.5V4.5V之間。在本發(fā)明的實(shí)施例中，上述工藝與驅(qū)動(dòng)方法也可用于制作雙穩(wěn)態(tài)(Bistable)液晶面板。本發(fā)明通過(guò)配向表面的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與特定的驅(qū)動(dòng)方式將顯示區(qū)的液晶分子維持在180度扭轉(zhuǎn)態(tài)，而產(chǎn)生不用經(jīng)過(guò)斜展態(tài)至彎曲態(tài)轉(zhuǎn)換的OCB液晶面板。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說(shuō)明如下。圖1是已知一種OCB液晶盒內(nèi)的液晶分子在驅(qū)動(dòng)前后的狀態(tài)示意圖。圖2是依照本發(fā)明的實(shí)施例的一種光學(xué)補(bǔ)償雙折射(OCB)液晶面板的驅(qū)動(dòng)步驟圖。圖3是經(jīng)本發(fā)明的實(shí)施例的步驟200形成的結(jié)構(gòu)圖。圖4是液晶分子在經(jīng)本發(fā)明的實(shí)施例的步驟200形成的封閉型結(jié)構(gòu)中的狀態(tài)示意圖。圖5至圖7分別是本發(fā)明的實(shí)施例的步驟210的多階段電壓變化控制曲線(xiàn)圖。圖8為實(shí)驗(yàn)例二所得的電壓_穿透率曲線(xiàn)圖。圖9為實(shí)驗(yàn)例三所得的電壓_穿透率曲線(xiàn)圖。附圖標(biāo)記說(shuō)明100:液晶分子110、300:基板200210:步驟302:顯示區(qū)304:封閉型結(jié)構(gòu)具體實(shí)施例方式圖2是依照本發(fā)明的實(shí)施例的一種光學(xué)補(bǔ)償雙折射(OCB)液晶面板的驅(qū)動(dòng)步驟圖。請(qǐng)參照?qǐng)D2，在步驟200中，提供一個(gè)0CB液晶面板，在其顯示區(qū)(displayregions)周?chē)哂谢斐膳帕?HAN)、垂直排列(VA)或者彎曲排列(Bend)性質(zhì)的封閉型結(jié)構(gòu)區(qū)域。至于上述OCB液晶面板的制作方法可采用現(xiàn)有技術(shù)，譬如在經(jīng)過(guò)配向處理后的上基板表面上以及/或是下基板表面上形成反應(yīng)性液晶單體層(reactiveliquidcrystalmonomerlayer)，其形成方式例如旋轉(zhuǎn)涂布(spincoating)、網(wǎng)印、凸板印刷、噴墨印刷、狹縫式涂布(slotdiecoating)或是納米壓印(nano-imprinting)。這種反應(yīng)性液晶單體層在聚合成為液晶聚合體圖案之后，能使液晶具有水平排列性質(zhì)或垂直排列性質(zhì)。接著，對(duì)反應(yīng)性液晶單體層進(jìn)行曝光聚合與顯影，所形成的結(jié)構(gòu)如圖3所示。在圖3中，上(或下)基板300的表面已經(jīng)形成為圍繞顯示區(qū)302周?chē)遗c顯示區(qū)302具有不同預(yù)傾角的封閉型結(jié)構(gòu)304，其中顯示區(qū)302譬如是子像素(sub-pixel)，其面積例如在50iimX50iim300iimX300iim之間；或是整個(gè)顯示區(qū)，其面積例如在5mmX5mm16mmX16mm之間，甚至更大的區(qū)域。而封閉型結(jié)構(gòu)304的寬度例如在2iim1000ym之間。前述曝光聚合的區(qū)域，端看最終想要形成的封閉型結(jié)構(gòu)而定，在此步驟可配合光掩模(mask)的使用。至于顯影的方式則可采用溶劑清洗或激光蝕刻的方式。最后，組合上基板與下基板。此時(shí)，若是在上、下基板中只有一個(gè)的表面有此封閉型結(jié)構(gòu)，則有封閉型結(jié)構(gòu)的區(qū)域會(huì)形成混成排列(HAN)區(qū)；若是在上、下基板表面都有此封閉型結(jié)構(gòu)，則有封閉型結(jié)構(gòu)的區(qū)域會(huì)形成混成排列(HAN)區(qū)、垂直排列(VA)區(qū)或者彎曲排列(Bend)區(qū)。而液晶分子在這種封閉型結(jié)構(gòu)(請(qǐng)見(jiàn)圖3的304)中的狀態(tài)如圖4所示。然后，請(qǐng)?jiān)俅螀⒄請(qǐng)D2，在步驟210中，以多階段電壓變化(multistagevoltagevariation)方式驅(qū)動(dòng)OCB液晶面板。在本實(shí)施例中，多階段電壓變化方式包括步驟202，先施加高電壓，使OCB液晶面板內(nèi)的液晶分子轉(zhuǎn)換至Bend或垂直排列狀態(tài)，其中所述的高電壓約大于5V小于25V，優(yōu)選是大于10V。然后，在步驟204中，將高電壓降低至低電壓，此低電壓需維持在OCB液晶面板的彎曲態(tài)維持電壓(bendstateholdingvoltage)以上，其中彎曲態(tài)維持電壓約在1.5V4.5V之間。最后，在步驟206中，移除電壓至零，使OCB液晶面板內(nèi)的液晶分子維持在180度扭轉(zhuǎn)態(tài)O-twiststate)。以上步驟210的多階段電壓變化控制中，有關(guān)由高電壓降低至低電壓的方式不拘，可以是階段式下降(st印decay)、急遽下降(ste印decay)或平緩下降(smoothdecay)。如轉(zhuǎn)換成曲線(xiàn)圖來(lái)表示則如圖5至圖7所示，其中橫軸是時(shí)間、縱軸是電壓、黑色實(shí)線(xiàn)代表的是使用者操作階段、白色線(xiàn)段則代表步驟210的多階段電壓變化控制。請(qǐng)參照?qǐng)D5，OCB面板電路在使用者結(jié)束操作后，會(huì)自動(dòng)進(jìn)行本發(fā)明的多階段電壓變化控制，首先會(huì)施加高電壓到BendI以上的相對(duì)電壓(如步驟202)，再由高電壓急遽下降，但仍在BendI以上的相對(duì)電壓(如步驟204)維持約3分鐘以?xún)?nèi)，之后再移除電壓至零，使OCB液晶面板內(nèi)的液晶分子進(jìn)行180度扭轉(zhuǎn)，而使得顯示區(qū)的液晶分子可以穩(wěn)定維持在180度扭轉(zhuǎn)的狀態(tài)。至于圖6則顯示由高電壓階段式下降至低電壓(如步驟204)，圖7則顯示由高電壓平緩下降至低電壓(如步驟204)。經(jīng)由上述方式所得到的OCB液晶面板亦可應(yīng)用于雙穩(wěn)態(tài)(Bistable)液晶面板，且180度扭轉(zhuǎn)態(tài)為面板亮態(tài)以及斜展態(tài)為面板暗態(tài)。除此之外，在OCB液晶面板出廠(chǎng)前只要進(jìn)行一次上述多階段電壓變化控制，即可由此驅(qū)動(dòng)方法使出廠(chǎng)后的OCB液晶面板在無(wú)電壓下仍持續(xù)維持180度扭轉(zhuǎn)態(tài)。以下利用實(shí)驗(yàn)例來(lái)證實(shí)本發(fā)明的效果。實(shí)驗(yàn)例一在數(shù)個(gè)OCB液晶面板中的16mmX16mm的顯示區(qū)周?chē)谱骶哂谢斐膳帕?Hybrid)、垂直排列或彎曲型排列(Bend)性質(zhì)的封閉型結(jié)構(gòu)，這個(gè)封閉型結(jié)構(gòu)寬度約為lmm。然后，分別不同驅(qū)動(dòng)方法驅(qū)動(dòng)OCB液晶面板，其中使用的液晶分子種類(lèi)為ChissoZ0C-5128XX。首先，驅(qū)動(dòng)一個(gè)OCB液晶面板至20Vpp(BendII)后，平緩下降至彎曲態(tài)維持電壓，此階段的時(shí)間約30秒，再直接將電壓移除，而得到維持在180度扭轉(zhuǎn)態(tài)的OCB液晶面板。接著，驅(qū)動(dòng)另一個(gè)OCB液晶面板至20V卯后，階段式下降至彎曲態(tài)維持電壓，此階段的時(shí)間約30秒，再直接將電壓移除，而得到維持在180度扭轉(zhuǎn)態(tài)的OCB液晶面板。再來(lái)，驅(qū)動(dòng)另一個(gè)OCB液晶面板至20V卯后，急遽下降至4.OV并維持約180秒，再直接將電壓移除，而得到維持在180度扭轉(zhuǎn)態(tài)的OCB液晶面板。然后，將所得到的OCB液晶面板進(jìn)行以下實(shí)驗(yàn)?！闯胤€(wěn)定性實(shí)驗(yàn)>置放在常溫下，經(jīng)過(guò)240小時(shí)后，經(jīng)觀察仍然可以維持在180度扭轉(zhuǎn)態(tài)?！锤邷?zé)岱€(wěn)定性實(shí)驗(yàn)>置放在攝氏70度下，24小時(shí)后仍然可以維持在180度扭轉(zhuǎn)態(tài)。置放在攝氏80度下，5小時(shí)后仍然可以維持在180度扭轉(zhuǎn)態(tài)?！吹蜏胤€(wěn)定性實(shí)驗(yàn)>置放在攝氏-15度的低溫下，經(jīng)過(guò)24小時(shí)后仍然可以維持在180度扭轉(zhuǎn)態(tài)。實(shí)驗(yàn)例二用實(shí)驗(yàn)例一的方法制作間隙為4m的OCB液晶面板(本發(fā)明)，然后量測(cè)OVlOV區(qū)間的電壓-穿透率曲線(xiàn)(VTCurve)。圖8即為實(shí)驗(yàn)例二所得的電壓-穿透率曲線(xiàn)圖。由圖8可知，本發(fā)明和傳統(tǒng)OCB液晶面板的VTCurve在顯示區(qū)特性重疊，因此可以知道本發(fā)明只是將本來(lái)的斜展態(tài)改變成180度扭轉(zhuǎn)態(tài)，在顯示區(qū)間的行為與本來(lái)的OCB相同。實(shí)驗(yàn)例三用實(shí)驗(yàn)例一的方法制作間隙為4m的OCB液晶面板(本發(fā)明)，由OV驅(qū)動(dòng)至IOV，再回到180度扭轉(zhuǎn)態(tài)，連續(xù)做3次。圖9即為實(shí)驗(yàn)例三所得的電壓-穿透率曲線(xiàn)圖。由圖9可知3條曲線(xiàn)重疊，可以看出本發(fā)明并沒(méi)有轉(zhuǎn)換(Transition)的現(xiàn)象產(chǎn)生。因?yàn)橐壕Х肿記](méi)有轉(zhuǎn)換的現(xiàn)象，顯示區(qū)特性曲線(xiàn)又相同，因此所有周遭相關(guān)的元件都不需要重新設(shè)計(jì)。實(shí)驗(yàn)例四用實(shí)驗(yàn)例一的方法制作雙穩(wěn)態(tài)(Bistable)液晶面板，其斜展為暗態(tài)、180度扭轉(zhuǎn)為亮態(tài)，其中一個(gè)偏振片方向與配向(alignment)方向平行。模擬出來(lái)的對(duì)比高達(dá)5000以上，視角也到達(dá)160度。由于模擬中未帶入補(bǔ)償膜設(shè)計(jì)，因此若再導(dǎo)入適當(dāng)補(bǔ)償膜參數(shù)進(jìn)行模擬，視角將更廣更對(duì)稱(chēng)。綜上所述，本發(fā)明因?yàn)槔门湎虮砻娴慕Y(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與特定的驅(qū)動(dòng)方式，在經(jīng)配向的基板表面上制作封閉式結(jié)構(gòu)圍繞顯示區(qū)，并在組裝后進(jìn)行多階段電壓變化控制，所以之后可使顯示區(qū)的液晶分子穩(wěn)定狀態(tài)長(zhǎng)時(shí)間維持在180度扭轉(zhuǎn)態(tài)。如此一來(lái)，不需要大的轉(zhuǎn)換電壓，也不需變更薄膜晶體管(TFT)設(shè)計(jì)，能與現(xiàn)有工藝相容。雖然本發(fā)明已以?xún)?yōu)選實(shí)施例披露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬
技術(shù)領(lǐng)域：
中普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的權(quán)利要求所界定的為準(zhǔn)。權(quán)利要求一種光學(xué)補(bǔ)償雙折射液晶面板的制作與驅(qū)動(dòng)方法，包括提供光學(xué)補(bǔ)償雙折射液晶面板，該光學(xué)補(bǔ)償雙折射液晶面板的特征是在其顯示區(qū)周?chē)哂谢斐膳帕?、垂直排列或彎曲排列性質(zhì)的封閉型結(jié)構(gòu)區(qū)域；以及以多階段電壓變化方式驅(qū)動(dòng)該光學(xué)補(bǔ)償雙折射液晶面板，該多階段電壓變化方式包括施加高電壓，使該光學(xué)補(bǔ)償雙折射液晶面板內(nèi)的液晶分子轉(zhuǎn)換至彎曲或垂直排列狀態(tài)；將該高電壓降低至低電壓，且該低電壓需維持在光學(xué)補(bǔ)償雙折射液晶面板的彎曲態(tài)維持電壓以上；以及移除電壓至零，使該光學(xué)補(bǔ)償雙折射液晶面板內(nèi)的液晶分子維持在180度扭轉(zhuǎn)態(tài)。2.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)補(bǔ)償雙折射液晶面板的制作與驅(qū)動(dòng)方法，其中提供該光學(xué)補(bǔ)償雙折射液晶面板的制作方法包括在經(jīng)過(guò)配向處理后的上基板表面上或下基板表面上形成反應(yīng)性液晶單體層；對(duì)該反應(yīng)性液晶單體層進(jìn)行曝光聚合與顯影，以形成封閉型結(jié)構(gòu)，其中該封閉型結(jié)構(gòu)與該光學(xué)補(bǔ)償雙折射液晶面板的顯示區(qū)具有不同的預(yù)傾角；以及組合該上基板與該下基板，使得有該封閉型結(jié)構(gòu)的區(qū)域形成混成排列區(qū)。3.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)補(bǔ)償雙折射液晶面板的制作與驅(qū)動(dòng)方法，其中提供該光學(xué)補(bǔ)償雙折射液晶面板的制作方法包括在經(jīng)過(guò)配向處理后的上基板表面上與下基板表面上分別形成反應(yīng)性液晶單體層；對(duì)該反應(yīng)性液晶單體層進(jìn)行曝光聚合與顯影，以形成封閉型結(jié)構(gòu)，其中該封閉型結(jié)構(gòu)與該光學(xué)補(bǔ)償雙折射液晶面板的顯示區(qū)具有不同的預(yù)傾角；以及組合該上基板與該下基板，使得有該封閉型結(jié)構(gòu)的區(qū)域形成混成排列區(qū)、垂直排列區(qū)或者彎曲排列區(qū)。4.如權(quán)利要求2或3所述的光學(xué)補(bǔ)償雙折射液晶面板的制作與驅(qū)動(dòng)方法，其中該光學(xué)補(bǔ)償雙折射液晶面板的該封閉型結(jié)構(gòu)的寬度在2iim1000iim之間。5.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)補(bǔ)償雙折射液晶面板的制作與驅(qū)動(dòng)方法，其中該光學(xué)補(bǔ)償雙折射液晶面板的單一像素顯示區(qū)的面積在50iimX50iim16mmX16mm之間。6.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)補(bǔ)償雙折射液晶面板的制作與驅(qū)動(dòng)方法，其中該高電壓大于5V，小于25V。7.如權(quán)利要求6所述的光學(xué)補(bǔ)償雙折射液晶面板的制作與驅(qū)動(dòng)方法，其中該高電壓大于IOV。8.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)補(bǔ)償雙折射液晶面板的制作與驅(qū)動(dòng)方法，其中由該高電壓降低至該低電壓的方式包括階段式下降、急遽下降或平緩下降。9.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)補(bǔ)償雙折射液晶面板的制作與驅(qū)動(dòng)方法，其中由該高電壓降低至該低電壓的時(shí)間在1分鐘以?xún)?nèi)。10.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)補(bǔ)償雙折射液晶面板的制作與驅(qū)動(dòng)方法，其中將該高電壓降低至該低電壓的步驟還包括維持該低電壓的時(shí)間在3分鐘以?xún)?nèi)。11.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)補(bǔ)償雙折射液晶面板的制作與驅(qū)動(dòng)方法，其中該液晶分子的彎曲態(tài)維持電壓在1.5V4.5V之間。12.如權(quán)利要求1所述的光學(xué)補(bǔ)償雙折射液晶面板的制作與驅(qū)動(dòng)方法，包括用于制作雙穩(wěn)態(tài)液晶面板。全文摘要一種光學(xué)補(bǔ)償雙折射(OCB)液晶面板的制作與驅(qū)動(dòng)方法，包括提供一個(gè)OCB液晶面板，此面板在其顯示區(qū)周?chē)哂谢斐膳帕?HAN)、垂直排列(VA)或者彎曲排列(Bend)性質(zhì)的封閉型結(jié)構(gòu)區(qū)域。然后，以多階段電壓變化方式對(duì)此面板進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。這種多階段電壓變化方式包括先施加高電壓，使OCB液晶面板內(nèi)的液晶分子轉(zhuǎn)換至Bend或垂直排列狀態(tài)；再將上述高電壓降低至低電壓，且此低電壓需維持在OCB液晶面板的彎曲態(tài)維持電壓以上；最后移除電壓至零，使OCB液晶面板內(nèi)的液晶分子維持在180度扭轉(zhuǎn)態(tài)。此種方式能使OCB液晶面板在驅(qū)動(dòng)時(shí)省去由斜展(splay)態(tài)轉(zhuǎn)換至彎曲(bend)態(tài)的動(dòng)作。文檔編號(hào)G02F1/1337GK101750773SQ20081018561公開(kāi)日2010年6月23日申請(qǐng)日期2008年12月17日優(yōu)先權(quán)日2008年12月17日發(fā)明者林卓瑩,陳丁振,陳健龍,顏澤宇申請(qǐng)人:臺(tái)灣薄膜電晶體液晶顯示器產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì);中華映管股份有限公司;友達(dá)光電股份有限公司;瀚宇彩晶股份有限公司;奇美電子股份有限公司;財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院