專利名稱：曝光裝置、曝光方法以及半導體器件的制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及曝光裝置、曝光方法以及半導體器件的制造方法。
背景技術：
JP 11-340125 A公開了一種步進重復曝光裝置。如圖10所示，在JP 11-340125 A中所描述的曝光裝置中，通過Z驅動部12A至12C，將樣品 臺11設置在XY臺13上，并且通過晶圓保持器(holder) 10，將晶圓W 保持在樣品臺11上，以轉印(transfer)晶圓W上的光罩(reticle)R的圖案。 曝光之前，測定投影光學系統(tǒng)PL的成像表面22相對于XY臺13的運轉平 面(running plane) 14a的傾斜角度Itx和Ity。在曝光過程中，當將XY臺 13逐步移動時，例如，基于成像表面22的傾斜角度和XY臺13的位置， 調整Z驅動部12A至12C的伸縮量，以修正晶圓W表面在Z方向的位置和 傾斜角度。隨后，在曝光位置，修正晶圓W表面的表面位置，以便將自 動對焦探測器(未示出)所測定的殘余離焦量設置為O。
在測定投影光學系統(tǒng)PL的成像表面22的傾斜角度的方法中，將具 有良好的平面度的晶圓設置在晶圓保持器上，在曝光區(qū)的五個點上測 定對焦位置，B卩，其中心點和四個角點，并且隨后，基該測定值， 獲得成像表面22的傾斜角度Itx和Ity (未示出)。
JP 2003-142365 A公開了一種曝光裝置，該裝置用于通過在光罩上 在與掃描方向垂直的方向上周期地布置棒狀周期圖案以及與掃描方向 平行地布置直線標記來計算光罩在光罩的掃描方向和與其垂直的方向 上的光罩變形量。曝光裝置用設置在投影曝光光學系統(tǒng)的軸的外部的 探測器來測定光罩變形量。此外，主控制系統(tǒng)執(zhí)行改變光罩載物臺驅 動部和晶圓載物臺的相對位移速度，改變在投影光學系統(tǒng)之內的透鏡
元件之間的間隔，以及通過包括在投影光學系統(tǒng)中的壓力控制部來改 變鏡筒內的壓力，從而修正成像特性的放大倍率成分。
然而，JP 11-340125 A和JP 2003-142365 A描述的技術具有以下需 要改善的方面。
對于JP 11-340125 A中公開的曝光裝置，當異物粘附在光罩和光罩 保持器之間，從而光罩浮于光罩保持器之上時，必須執(zhí)行繁瑣的程序 以測定成像表面的傾斜角度，在該程序中，具有良好的平面度的晶圓 被設置在晶圓保持器上。此外，可想而知的是，在進行曝光操作時或 在交換光罩時，由于所粘附的異物而導致光罩變形，所以在每次曝光 或交換光罩時，必須將具有良好的平面度的晶圓設置在晶圓保持器上， 以測定成像表面的傾斜角度。結果，曝光處理本身變得復雜和繁瑣， 這導致難以輕易地獲得極好的分辨率。
對于JP 2003-142365 A中公開的曝光裝置，將棒狀周期圖案和直線 標記設置在光罩上。因此，要求在光罩上形成棒狀周期圖案和直線標 記，因為通過通常使用的光罩無法獲得光罩變形量，所以難以獲得極 好的分辨率。

發(fā)明內容
本發(fā)明提供了一種曝光裝置，該曝光裝置包括用于將形成在光 罩表面上的圖案投射在晶圓上的光學系統(tǒng)；用于直接測定(探測)光 罩相對于與光學系統(tǒng)的光軸方向垂直的平面的傾斜角度的測定(探測) 部；以及用于根據由測定部所測定的傾斜角度來調整晶圓的位置的調 整部。
在曝光裝置中，基于用于直接測定光罩相對于與光學系統(tǒng)的光軸 方向垂直的平面的傾斜角度的測定部所測定的傾斜角度，調整晶圓的 位置。根據具有這種結構的曝光裝置，即使當光罩被傾斜時，也能夠
容易獲得具有高分辨率的圖案而不使曝光處理復雜化。
本發(fā)明所提供了一種曝光方法，該曝光方法包括將形成于光罩 的表面上的圖案投射在晶圓上；測定光罩相對于與光學系統(tǒng)的光軸方 向垂直的平面的傾斜角度；以及基于所測定的傾斜角度而將晶圓的表 面調整成與光罩的表面平行，其中光罩的平面垂直于光學系統(tǒng)的光軸 方向。
在該曝光方法中，在曝光前，測定光罩相對于與光學系統(tǒng)的光軸 方向垂直的平面的傾斜角度，以基于所測定的傾斜角度來調整晶圓表 面的位置。因此，即使當光罩被傾斜時，處理也能夠被連續(xù)執(zhí)行而不 需為了調整對焦而交換晶圓，從而能夠容易獲得具有高分辨率的圖案。
本發(fā)明提供了一種半導體器件的制造方法，該制造方法包括通過 使用曝光裝置在晶圓上形成圖案，所述曝光裝置包括將形成于光罩 表面上的圖案投射在晶圓上的光學系統(tǒng)；用于測定光罩相對于與光學 系統(tǒng)的光軸方向垂直的平面的傾斜角度的測定部；以及用于根據測定 部所測定的傾斜角度來調整晶圓位置的調整部。
在該半導體器件的制造方法中，使用曝光裝置，利用該曝光裝置， 即使在光罩被傾斜時，也能夠在不使曝光處理復雜化的情況下調整對 焦，并且形成具有高分辨率的圖案。因此，提高半導體器件的生產率 是可能的。
需要注意的是，本發(fā)明各個部件能夠用任何部件形成，只要它們 能夠實現其功能。例如，各個部件可被實現為執(zhí)行指定功能的專用硬 件、具有通過計算機程序所給予的指定功能的計算機設備、計算機程 序所實現的計算機設備的指定功能、從它們中任意選擇的組合等。
本發(fā)明的各種構成要素不必彼此獨立。也可能多個構成要素形成
一個構件， 一個構成要素由多個構件形成， 一個構成要素是另一個構 成要素的一部分， 一個構成要素的一部分與另一構成要素的一部分重 復等。
根據本發(fā)明，即使當光罩被傾斜時，曝光裝置、曝光方法以及半 導體器件的制造方法也能夠實現，從而容易地提供極好的分辨率。


在附圖中
圖l是示出根據本發(fā)明實施方式的曝光裝置的剖視圖； 圖2A至圖2D是示出放置在根據本實施方式的曝光裝置的光罩保
持器上的光罩的視圖，其中，圖2A和圖2C是光罩的平面圖，圖2B和圖
2D是其剖視圖3是示出放置在根據本實施方式的曝光裝置的光罩保持器上的 光罩的平面圖4是用于解釋根據本實施方式的曝光裝置的光罩的概念圖5是用于解釋根據本實施方式的曝光裝置的光罩的另一概念圖6是用于解釋根據本實施方式的曝光裝置的光罩的傾斜角度的 測定方法的概念圖7是用于解釋根據本實施方式的曝光裝置的光罩的傾斜角度的 測定方法的另一概念圖8A至圖8C是用于解釋根據本實施方式的曝光裝置的光罩的浮 置量(floating amount)的計算方法的概念圖9A和圖9B是用于解釋根據本實施方式的曝光裝置的光罩的浮 置量的計算方法的概念圖；以及
圖10是示出傳統(tǒng)曝光裝置的剖視圖。
具體實施例方式
下文將結合附圖，對根據本發(fā)明的曝光裝置、曝光方法和半導體 器件的制造方法的優(yōu)選實施方式進行詳細的描述。對于附圖的解釋，
相同的構成要素被賦予相同的參考符號，且其解釋在此被省略。在本 發(fā)明的實施方式中，采用定義為前后、左右和上下的方向進行解釋。 然而，為了容易地解釋構成要素之間的相對關系，出于方便考慮而定 義這些方向，因此，不限制在實施本發(fā)明的情況中生產或應用時所使 用的方向。
(第一實施方式)
參考圖1至圖9，根據本發(fā)明的第一實施方式的曝光裝置描述如下。
曝光裝置ioo的結構如下。
圖1是根據本實施方式的曝光裝置的剖視圖。如圖1所示，本實
施方式的曝光裝置100包括用于將形成在光罩101的表面上的圖案投 射在晶圓130上的光學系統(tǒng)(未示出)、每個均用作測定部的發(fā)光器 件110、受光器件120以及控制裝置150、用作調整部的晶圓載物臺131、 放置在光罩保持器102上的光罩101以及縮影投影透鏡160。
在曝光裝置100中，從光學系統(tǒng)發(fā)射的曝光光(exposure light) 穿過光罩101和縮影投影透鏡160，以將形成在光罩101的表面上的圖 案投射在晶圓130 (曝光對象)上，并且成像表面140形成于晶圓130 的表面上。成像表面140是在晶圓130的表面上已經形成的圖案。在 圖1中，為了方便，晶圓130、晶圓載物臺131和成像表面140分開示 出。
細節(jié)將在下文描述。
圖2A至圖2D是示出放置在光罩保持器102上的光罩101的視圖。 圖2A和圖2C是光罩101的平面圖，圖2B和圖2D是其剖視圖。
如圖2A和圖2B所示，光罩101放置在光罩保持器102上。從平 面圖中看，光罩101是正方形，并且光罩101的各個頂點由光罩保持 器102支撐。將光罩101設定在垂直于光學系統(tǒng)的光軸方向的平面上， 并且圖案170形成于光罩101的表面上(圖2A)。
如圖2C和圖2D所示，異物粘附在光罩101和光罩保持器102中 的一個之間。由于異物的存在，相對于與光學系統(tǒng)的光軸方向垂直的 平面，光罩101被傾斜。
下文中，本實施方式中的術語"傾斜角度"意指光罩101相對于 與光學系統(tǒng)的光軸方向垂直的平面的傾斜的角度。另外，術語"異物" 意指，例如，當制造半導體器件時，在圖案形成于晶圓上的步驟中光 罩交換時，粘附在光罩101和光罩保持器102之間的東西。傾斜角度 隨異物的大小或彈性以及異物所粘附的位置等變化。
如圖3所示，光罩101的XY平面是具有頂點A至D的正方形。 將發(fā)光器件110和受光器件120布置成關于正方形的各條邊成對。換 言之，在光罩101的XY平面上，將發(fā)光器件110a和受光器件120a 布置成在它們之間夾入邊AD;將發(fā)光器件110b和受光器件120b布置 成在它們之間夾入邊AB;將發(fā)光器件110c和受光器件120c布置成在 它們之間夾入邊DC;以及將發(fā)光器件110d和受光器件120d布置成在 它們之間夾入邊BC。
發(fā)光器件110將測定光發(fā)射至光罩101的任意點。受光器件120 接收反射光，該反射光是在光罩101的任意點上反射的測定光。受光 器件120可以是可移動的。以這種結構，根據光罩101的傾斜角度， 移動受光器件120，以接收反射光。
控制裝置150被連接到發(fā)光器件110和受光器件120 (圖l)。
控制裝置150根據從受光器件120傳輸的信號，利用在光罩101 傾斜之前受光器件120所接收的反射光和光罩101傾斜時受光器件120 所接收的反射光，測定光罩101的傾斜角度。
如上所述，發(fā)光器件110、受光器件120以及控制裝置150用作 用于測定光罩101的各條邊的傾斜角度的測定部。
控制裝置150包括用于預先存儲由受光器件120在光罩101傾斜 之前接收的反射光的存儲部。以這種結構，能夠基于從受光器件120 傳輸的信號，自動執(zhí)行傾斜角度測定。此外，控制裝置150包括計算 部，該計算部能夠基于光罩101所測定的傾斜角度來計算在光罩101 在其每個頂點上的浮置量?；谒嬎愕母≈昧浚軌蚩刂凭A載物 臺131的操作，從而調整晶圓130的傾斜角度。因此，晶圓130的定 位能夠自動化。需要注意的是，下文將描述"浮置量"。
晶圓載物臺131被連接至控制裝置150。光罩101的傾斜角度從 控制裝置150傳輸至晶圓載物臺131，包含在晶圓載物臺131中的調整 部根據所傳輸的傾斜角度來調整晶圓130的位置。
晶圓130被布置在晶圓載物臺131上，并且成像表面140在晶圓 130上形成。晶圓載物臺131包括調整部。
調整部具有根據測定部所測定的傾斜角度而將晶圓130的表面調 整成平行于光罩101的表面的功能，其中光罩101的表面垂直于光學 系統(tǒng)的光軸方向。因此，即使當光罩101被傾斜時，也能夠調整在晶 圓130的表面上形成的圖案(成像表面140)的對焦。
需要注意的是，在本實施方式中，"定位"意指包括表面調整和 角度調整之一或兩者。表面調整是在三個軸方向上的可移動的調整， 角度調整是圍繞軸的可旋轉移動的調整。對于本實施方式的曝光裝置
100，針對通過圍繞光軸的旋轉移動來執(zhí)行的角度調整的情形來描述晶 圓130的定位。
圖4是用于解釋曝光裝置100的光罩101的概念圖，其中，異物 粘附在頂點C的鄰近處，并且通過使用X、 Y和Z軸來示出光罩101 的位置。光罩101的XY平面是其每個邊都具有長度L的正方形。在 異物粘附之前獲得的光罩101的XY平面的各個頂點由A、 B、 C、 D 表示。因為粘附異物而傾斜的光罩101的XY平面的各個頂點由A'、B'、 C，、 D'表示。在圖4中，光罩101的XY平面的頂點C的鄰近處粘附 異物，并且頂點B、 C和D是浮置的，將頂點A作為支撐點。當邊AD 相對于X軸方向傾斜角度a時，得到邊A'D'。當邊AB相對于Y軸方 向傾斜角度/3時，得到邊A'B'。當邊DC從頂點D'的Y軸方向傾斜角 度7時，得到邊D'C'。當邊BC從頂點B'的X軸方向傾斜角度)？時， 得到邊B'C'。
參考圖5，將對光罩101的XY平面的頂點B、 C和D的浮置量進 行描述，正浮置的頂點如圖4所示。
在本實施方式中，"浮置量"是光罩101的頂點中的每個相對于 Z軸方向的變化量(variation)。換言之，"浮置量"是頂點A，、 B，、 C'、 D'中的每個分別和頂點A、 B、 C、 D中的每個在Z軸方向之間的 差。如圖5所示，頂點A、 B、 C和D的每個浮置量分別用jl、 j4、 j3 和j2表示。頂點A是支撐點，所以A-A'成立，并且其浮置量jl為0。
接下來，將描述傾斜角度的測定方法和浮置量的計算方法。
如圖3所示，點e、 f、 g和h分別在光罩101的頂點A、 B、 C、 D的鄰近處示出。在本實施方式中，"鄰近處"意指當光罩101的傾 斜角度被測定時沒有生成誤差的狀態(tài)，比較發(fā)光器件110將光發(fā)射至 點e、 f、 g和h的情況和發(fā)光器件110將光發(fā)射至頂點A、 B、 C、 D
的情況。點e、 f、 g和h的位置可根據需要進行調整。發(fā)光器件110a、 110b、 110c和110d將測定光分別發(fā)射至點e、e、h和f。受光器件120a、 120b、 120c和120d分別從點e、 e、 h和f接收反射光。即使當光罩101 被傾斜時，發(fā)光器件110也能夠將測定光發(fā)射至點e、 e、 h和f，并且 受光器件120能夠接收來自那里的反射光。
如下測定角度a。
如圖3和圖6所示，將發(fā)光器件110a和受光器件120a布置成與X 軸平行。發(fā)光器件llOa將測定光發(fā)射到光罩101的點e，并且受光器 件120a接收點e上反射的反射光。
圖6示出了發(fā)光器件110a發(fā)射的反射光和在光罩101上的點e上 反射的反射光。在光罩101傾斜之前(處于水平狀態(tài))被反射的反射 光用實線示出，而傾斜后的光罩101的點e所反射的反射光用虛線示 出。比較水平狀態(tài)和傾斜狀態(tài)的光罩101的反射光，以測定傾斜角度a。 請注意，雖然在圖6中沒有示出，但是即使當光罩101傾斜時，發(fā)光 器件110a也能夠將測定光發(fā)射至光罩101上的點e。
隨后，如下計算浮置量j2。
圖8A至圖8C是用于解釋如圖5所示的浮置量的計算方法的概念 圖。對于如上所述測定的傾斜角度a，通過下文的表達式(1)，能夠 用幾何方法近似地計算浮置量j2。
y2 w丄x sin a…(1)
如上所述，測定傾斜角度a，并且計算浮置量j2。 如下測定角度/ 。
如圖3所示，將發(fā)光器件110b和受光器件120b布置成與Y軸平 行。與上述相似，發(fā)光器件110b將測定光發(fā)射至光罩101的點e，并 且受光器件120b接收點e上反射的反射光。與上述相似，比較水平狀 態(tài)的反射光和傾斜后的光罩101的反射光，以測定傾斜角度/3。
隨后，如下計算浮置量j4。
圖8A至圖8C是用于解釋如圖5所示的浮置量的計算方法的概念 圖。對于如上所述測定的傾斜角度/ ，通過下文的表達式(2)能夠用 幾何方法近似地計算浮置量j4。
74"xsin/ …(2)
如上所述，測定傾斜角度/3，并且計算浮置量j4。 接下來，如下測定角7。
如圖3和圖7所示，將發(fā)光器件110c和受光器件120c布置成與Y 軸平行。與上述相似，發(fā)光器件110c將測定光發(fā)射至光罩101的點h， 并且受光器件120c接收點h上反射的反射光。
圖7示出了發(fā)光器件110c所發(fā)射的反射光和從光罩101的點h上 反射的反射光。在光罩101傾斜之前(處于水平狀態(tài))反射的反射光 用實線示出，而傾斜后的光罩101的點h上反射的反射光用虛線示出。 比較水平狀態(tài)的發(fā)射光和傾斜后的光罩101的反射光，以測定傾斜角 度7。請注意，雖然在圖7中沒有示出，但是即使當光罩101傾斜時， 發(fā)光器件110c也能夠將測定光發(fā)射至光罩101上的點h。
隨后，如下計算浮置量j3。
圖9A和圖9B是用于解釋如圖5所示的浮置量的計算方法的概念
圖。對于如上所述測定的傾斜角度7，通過下文的表達式(3)能夠用 幾何方法近似地計算浮置量j3。
<formula>formula see original document page 14</formula>(3)
如上所述，測定傾斜角度7，并且計算浮置量j3。
接下來，如下測定角r 。
如圖3所示，將發(fā)光器件110d和受光器件120d設置成與X軸平 行。與上述相似，發(fā)光器件110d將測定光發(fā)射至光罩101的點f，并 且受光器件120d接收從點f反射的反射光。與上述相似，在水平狀態(tài) 的反射光和傾斜后的光罩101的反射光之間進行比較，以測定傾斜角 度"。
隨后，如下計算浮置量j3。
圖9A和圖9B是用于解釋如圖5所示的浮置量的計算方法的概念 圖。對于如上所述測定的傾斜角度) ，通過下文的表達式(4)能夠用 幾何方法近似地計算浮置量j3。
<formula>formula see original document page 14</formula>(4)
如上所述，測定傾斜角度7J，并且計算浮置量j3。
在上文中，通過表達式(3)和(4)能夠計算浮置量j3。此外， 事實上，通過表達式(3)獲得的浮置量j3和通過表達式(4)獲得的 浮置量j3之間被認為存在由測定誤差所引起的微小差別。因此，優(yōu)選 的是，通過諸如將通過多次測定而得到的浮置量j3 (利用表達式(3)) 與浮置量j3 (利用表達式(4))進行平均的統(tǒng)計處理，以測定最終浮 置量j3。
利用前述的程序，測定光罩101相對于與光學系統(tǒng)的光軸方向垂 直的平面的傾斜角度。換言之，曝光裝置100中的光罩101的XY平面
的傾斜角度由浮置量j2、 j4、 j3和jl—0)限定?；谟筛≈昧縥2、 j4、 j3和jl—0)所限定的傾斜角度，曝光裝置IOO傾斜其晶圓載物臺131， 以調整晶圓130和成像表面140的位置，從而使晶圓130的表面和光 罩101的表面互相平行，其中光罩101的表面垂直于光學系統(tǒng)的光軸 方向。結果，即使光罩101被傾斜，成像表面140上發(fā)生的對焦偏移 也會減少。即，在執(zhí)行投影曝光時，晶圓130上所發(fā)生的對焦偏移在 整個拍攝區(qū)域中能夠被減少。
根據曝光裝置100的曝光方法包括將形成于光罩101表面上的 圖案170投射在晶圓130上的步驟；測定光罩101相對于光學系統(tǒng)的 光軸方向的傾斜角度的步驟；以及基于所測定的傾斜角度，調整晶圓 130的表面使之平行于光罩101的表面的步驟，其中光罩101的表面垂 直于光學系統(tǒng)的光軸方向。
從光學系統(tǒng)發(fā)射的曝光光穿過光罩101和縮影投影透鏡160，以 將在光罩101的表面上形成的圖案170投射在晶圓130(曝光對象)上。 對于該投影，可使用公知方法。此外，如上所述執(zhí)行測定傾斜角度的 步驟和調整該傾斜角度的步驟。
曝光裝置IOO的優(yōu)點描述如下。
在異物粘附在光罩101和光罩保持器102之間的情形下，光罩101 被傾斜，曝光裝置IOO直接測定光罩101的傾斜角度。隨后，曝光裝 置IOO基于所測定的傾斜角度來控制晶圓載物臺131的操作，并且調 整晶圓130的位置，從而調整在晶圓130上的對焦。因此，即使當采 用通常所使用的光罩而不考慮光罩的類型時，能夠容易地調整在晶圓 130上的對焦，并且能夠獲得具有高分辨率的圖案。而且，不必執(zhí)行諸 如使用具有良好的平面度的晶圓的繁瑣操作，從而實現連續(xù)處理(在
線處理(in-line process))。具體而言，當考慮到生產率和優(yōu)點時，對于 每次曝射(shot)、對于每一連串曝射或對于所設定的每個光罩，執(zhí)行 傾斜角度的測定和浮置量的計算。結果，其上整個拍攝區(qū)域中對焦已 經被調整的成像表面140，能夠通過連續(xù)處理(在線處理)而形成在晶 圓130的表面上。
用曝光裝置100，能夠在晶圓130上形成圖案以制造半導體器件。 對于除了在晶圓130上形成圖案的步驟之外的步驟，使用公知方法。 結果，能夠獲得具有高生產率的半導體器件的制造方法。
根據本發(fā)明的曝光裝置和曝光方法不限于前述的實施方式，并且 可執(zhí)行其的各種修改例。
例如，在上述實施方式中，對光罩101是正方形的情況進行了描 述，但是本發(fā)明不限于此。例如，光罩101可以是矩形、多邊形或圓 形。此外，對使用四對發(fā)光器件110和受光器件120的情況進行描述， 但是本發(fā)明不限于此?？梢詰梦鍖蚋鄬Φ陌l(fā)光器件和受光器件。
此外，在上述實施方式中，對異物粘附在光罩101的頂點C的鄰 近處的情況進行描述，但是異物所粘附的頂點的位置和數目不限于此。 在本發(fā)明的實施方式中，對頂點A是支撐點的情況進行了描述，但是 可能存在所有的四個頂點都是浮置的情形或者頂點A和頂點B可能被 作為支撐點而頂點C和頂點D可能為浮置的情形。類似地，支撐點的 位置以及浮置頂點的位置和數目都不限于此。發(fā)光器件110和受光器 件120的數目和其安裝位置能夠被適當地設定，從而即使在異物被粘 附在光罩101的任何頂點中時，也能夠利用相似的原理獲得光罩101 的傾斜角度和浮置量。
權利要求
1.一種曝光裝置，包括光學系統(tǒng)，用于將形成在光罩的表面上的圖案投射在晶圓上；測定部，用于測定所述光罩相對于與所述光學系統(tǒng)的光軸方向垂直的平面的傾斜角度；以及晶圓載物臺，用于保持所述晶圓。
2. 根據權利要求l所述的曝光裝置，還包括調整部，用于基于由 所述測定部測定的所述傾斜角度來調整所述晶圓載物臺上的所述晶圓 的位置。
3. 根據權利要求2所述的曝光裝置，其中，所述調整部基于由所 述測定部測定的所述傾斜角度而將所述晶圓的表面調整成與所述光罩 的表面平行，其中所述光罩的表面垂直于所述光學系統(tǒng)的所述光軸方 向。
4. 根據權利要求1所述的曝光裝置，其中，所述測定部包括用于 將光發(fā)射至所述光罩的發(fā)光器件和用于接收在所述光罩上反射的所述 光的受光器件。
5. 根據權利要求4所述的曝光裝置，其中，所述測定部包括至少 四對所述發(fā)光器件和所述受光器件。
6. 根據權利要求4所述的曝光裝置，其中，所述受光器件是可移 動的。
7. 根據權利要求l所述的曝光裝置，還包括用于存儲由所述測定 部測定的所述傾斜角度的存儲部。
8. —種曝光方法，包括測定光罩相對于與光學系統(tǒng)的光軸方向垂直的平面的傾斜角度； 基于所測定的傾斜角度而將晶圓的表面調整成與所述光罩的表面 平行，其中所述光罩的表面垂直于所述光學系統(tǒng)的光軸方向；以及 將形成在所述光罩的表面上的圖案投射在所述晶圓上。
9. 根據權利要求8所述的曝光方法，其中，所述測定傾斜角度包括將光發(fā)射至所述光罩和接收所述光罩上反射的所述光。
10. 根據權利要求9所述的曝光方法，其中，對所述光罩上的至少 四個點執(zhí)行將所述光發(fā)射至所述光罩和接收所述光罩上反射的所述 光。
11. 一種半導體器件的制造方法，包括通過使用根據權利要求1 所述的曝光裝置在晶圓上形成圖案。
全文摘要
提供了一種即使當光罩被傾斜時也具有高分辨率的曝光裝置。該曝光裝置包括用于將形成在光罩(101)的表面上的圖案投射在晶圓(130)上的光學系統(tǒng)；用于測定光罩(101)相對于與光學系統(tǒng)的光軸方向垂直的平面的傾斜角度的測定部；以及用于根據由測定部所測定的傾斜角度來調整晶圓(130)的位置的調整部。
文檔編號G03F7/20GK101364051SQ20081014533
公開日2009年2月11日 申請日期2008年8月7日 優(yōu)先權日2007年8月8日
發(fā)明者林省一郎 申請人:恩益禧電子股份有限公司