專利名稱：像素單元結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示裝置的陣列基板的像素單元結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
液晶顯示裝置(Liquid Crystal Display,以下簡稱LCD)是一種主要的平 面顯示裝置，液晶面板的主體結(jié)構(gòu)包括彩膜基板、陣列基板和填充在兩個基 板之間的液晶。液晶顯示裝置利用電場進行液晶分子的取向控制，通過液晶 折射率各向異性使透射率發(fā)生變化，以進行顯示。
為了使液晶分子能夠均勻地排列，彩膜基板和陣列基板的內(nèi)表面上均涂 敷有取向膜。目前的取向技術(shù)主要采用摩擦(robbing)法實現(xiàn)，所謂摩擦法 就是利用尼龍、纖維或棉絨等材料，從數(shù)據(jù)線朝像素電極的方向摩擦取向膜， 使取向膜表面狀況發(fā)生改變。摩擦后的取向膜對液晶分子產(chǎn)生輔助排列作用， 從而使液晶分子在彩膜基板和陣列基板之間以一定的預(yù)傾角凸起、均勻地排 列。
圖la為現(xiàn)有的像素單元結(jié)構(gòu)示意圖。如圖la所示，像素單元包括柵線1、 公共線2、數(shù)據(jù)線3和擋光條4，其中橫向排列的柵線1和縱向排列的數(shù)據(jù)線 3定義了單位像素區(qū)域；擋光條(shield bar) 4位于像素區(qū)域內(nèi)兩側(cè)，并且與 數(shù)據(jù)線3平行；公共線2位于像素區(qū)域內(nèi)的上方，并且與柵線l平行。此時， 像素區(qū)域的段位相比較低，數(shù)據(jù)線和柵線的段位相比較高，即整個像素單元 的表面是不平整的表面。
圖lb為現(xiàn)有的像素單元經(jīng)過摩擦后的摩擦影區(qū)域示意圖。如圖lb所示， 從數(shù)據(jù)線朝像素電極的方向?qū)θ∠蚰みM行摩擦?xí)r，在有段差的區(qū)域產(chǎn)生摩擦 影(robbing ghost)區(qū)域，具體為段位由低變高時，沿著摩擦方向，摩擦影區(qū)域產(chǎn)生在段位較高的區(qū)域，
即產(chǎn)生在數(shù)據(jù)線3和擋光條4上，并且形成數(shù)據(jù)線3的材料和形成擋光條4 的材料為非透明的材料，因此在數(shù)據(jù)線3和擋光條4上即使產(chǎn)生了摩擦影區(qū) 域也不會引起漏光；
段位由高變低時，沿著摩擦方向，摩擦影區(qū)域產(chǎn)生在段位較低的區(qū)域， 即產(chǎn)生在像素區(qū)域，并且像素區(qū)域為透明的區(qū)域，因此在像素區(qū)域產(chǎn)生的摩 擦影區(qū)域?qū)е乱壕Х肿拥漠惓Ｅ帕?，從而?dǎo)致了漏光。
一般來講，摩擦影區(qū)域的摩擦均勻度不同于像素區(qū)域的摩擦均勻度，但 是在摩擦影區(qū)域內(nèi)摩擦均勻度按照一定的規(guī)則變化。并且在整個摩擦影區(qū)域 內(nèi)均產(chǎn)生漏光，即摩擦影區(qū)域和漏光區(qū)域5完全重疊。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是提供一種像素單元結(jié)構(gòu)，有效地減少現(xiàn)有技術(shù)中擋光條 另 一側(cè)的摩擦影區(qū)域產(chǎn)生的摩擦影。
為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種像素單元結(jié)構(gòu)，包括柵線和數(shù)據(jù) 線，所述柵線和所述數(shù)據(jù)線交叉并定義像素區(qū)域；薄膜晶體管，所述薄膜晶 體管的柵極與所述4冊線電連接，所述薄膜晶體管的源電極與所述凄t據(jù)線電連 接；像素電極，所述像素電極與所述薄膜晶體管的漏電極電連接；以及一對 擋光條，所迷擋光條位于所述像素電極的兩側(cè)并且朝數(shù)據(jù)線方向延伸，至少 一個所述擋光條包括多個段差緩沖凸起，所述段差緩沖凸起朝第一方向凸起。 其中，還包括取向膜，所述取向膜的摩擦方向與所述第一方向相同。 其中，所述段差緩沖凸起的凸起方向與所述擋光條的延伸方向垂直。 其中，所述段差緩沖凸起的凸起方向與所述擋光條的延伸方向成45度銳角。
其中，所述擋光條、所述段差緩沖凸起以及所述柵線位于同一層，并以 相同材料構(gòu)成。其中，所述擋光條、所述段差緩沖凸起以及所述數(shù)據(jù)線位于同一層，并 以相同材料構(gòu)成。
為實現(xiàn)上述目的，本發(fā)明還提供了一種像素單元結(jié)構(gòu)，包括柵線和數(shù) 據(jù)線，所述柵線和所述數(shù)據(jù)線交叉并定義像素區(qū)域；薄膜晶體管，所述薄膜 晶體管的柵極與所述柵線電連接，所述薄膜晶體管的源電極與所述數(shù)據(jù)線電 連接；像素電極，所述像素電極與所述薄膜晶體管的漏電極電連接；以及一 對擋光條，所述擋光條位于所述像素電極的兩側(cè)并且朝數(shù)據(jù)線方向延伸，還 包括多個段差緩沖凸起，所述段差緩沖凸起位于所述擋光條的像素電極側(cè)并 且朝第一方向延伸。
其中，還包括取向膜，所述取向膜的摩擦方向與所述第一方向相同。 其中，所述段差緩沖凸起的凸起方向與所述擋光條的延伸方向垂直。 其中，所述段差緩沖凸起的凸起方向與所述擋光條的延伸方向成45度銳角。
其中，所述擋光條以及所述柵線位于同一層，并以相同材料構(gòu)成；所述 段差緩沖凸起位于所述擋光條的上層。
其中，所述擋光條以及所述數(shù)據(jù)線位于同一層，并以相同材料構(gòu)成；所 述段差緩沖凸起位于所述擋光條的下層。
本發(fā)明的像素單元，通過在擋光條的像素電極側(cè)設(shè)置多個段差緩沖凸起, 打亂摩擦影區(qū)域內(nèi)摩擦均勻度的變化規(guī)則，從而在摩擦均勻度被打亂的摩擦 影區(qū)域內(nèi)防止產(chǎn)生漏光，從而減少了漏光，有效地提高了液晶顯示裝置的質(zhì) 量。
下面通過附圖和實施例，對本發(fā)明的技術(shù)方案做進一步的詳細(xì)描述。


圖la為現(xiàn)有的像素單元結(jié)構(gòu)示意圖lb為現(xiàn)有的像素單元經(jīng)過摩擦后的摩擦影區(qū)域示意圖；圖2a為本發(fā)明實施例一的像素單元結(jié)構(gòu)示意圖2b為本發(fā)明實施例一的像素單元經(jīng)過摩擦后的漏光區(qū)域示意圖3a為本發(fā)明實施例二的像素單元結(jié)構(gòu)示意圖3b為本發(fā)明實施例二的像素單元經(jīng)過摩擦后的漏光區(qū)域示意圖。
附圖標(biāo)記說明
l一柵線； 2—公共線； 3—數(shù)據(jù)線；
4—擋光條； 5 —漏光區(qū)域； 6—段差緩沖凸起。
具體實施例方式
實施例一
圖2a為本發(fā)明實施例一的像素單元結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2a所示，本發(fā)明的 像素單元包括數(shù)據(jù)線3、與數(shù)據(jù)線3垂直的柵線和公共線以及與數(shù)據(jù)線3平 行的擋光條4，其中橫向排列的柵線和縱向排列的數(shù)據(jù)線3定義了單位像素區(qū) 域；擋光條4位于像素區(qū)域內(nèi)兩側(cè)，并且與數(shù)據(jù)線3平行；公共線位于像素 區(qū)域內(nèi)的上方，并且與柵線平行。本發(fā)明的像素單元還包括在擋光條4的 像素電極側(cè)沿著第一方向設(shè)置的多個段差緩沖凸起6。
圖2b為本發(fā)明實施例一的像素單元經(jīng)過摩擦后的漏光區(qū)域示意圖。如圖 2b所示，段差緩沖凸起6凸起的方向(第一方向)與擋光條4的延伸方向垂 直。此時，摩擦方向也與擋光條4的延伸方向垂直。對位于像素單元內(nèi)的取 向膜進行摩擦后，摩擦影區(qū)域產(chǎn)生在擋光條的像素電極側(cè)。
此時，受到段差緩沖凸起6的影響，摩擦影區(qū)域的摩擦均勻度出現(xiàn)不連 續(xù)的變化。具體為 一方面，在兩個段差緩沖凸起6之間產(chǎn)生摩擦均勻度按 照一定的規(guī)則變化的摩擦影區(qū)域，并且該摩擦影區(qū)域小于兩個段差緩沖凸起6 之間的區(qū)域，即漏光區(qū)域5小于兩個段差緩沖凸起6之間的區(qū)域。另一方面， 在段差緩沖凸起6的一側(cè)產(chǎn)生摩擦均勻度按照不定的規(guī)則變化的摩擦影區(qū)域， 并且該摩擦影區(qū)域大于段差緩沖凸起6。進一步地，在摩擦均勻度按照一定的規(guī)則變化的摩擦影區(qū)域內(nèi)依然發(fā)生 漏光，而在摩擦均勻度按照不定的規(guī)則變化的摩擦影區(qū)域不發(fā)生漏光。
實施例一的像素單元，通過在擋光條的像素電極側(cè)設(shè)置多個段差緩沖凸 起，打亂摩擦影區(qū)域內(nèi)摩擦均勻度的變化規(guī)則，從而在摩擦均勻度被打亂的 摩擦影區(qū)域內(nèi)防止產(chǎn)生漏光，從而減少了漏光，有效地提高了液晶顯示裝置 的質(zhì)量。
在實施例一中，還可以將段差緩沖凸起的凸起方向和擋光條之間的銳角
設(shè)置為45度。
在實施例一中，擋光條和柵線位于同一層，而段差緩沖凸起位于擋光條 的上層。此時，段差緩沖凸起可以由位于擋光條上層的有源層或者數(shù)據(jù)線層 來制作。進一步地，擋光條和數(shù)據(jù)線位于同一層，而段差緩沖凸起位于擋光 條的下層。此時，段差緩沖凸起可以由位于擋光條下層的有源層或者柵線層 來制作。
在實施例 一 中，在擋光條的像素電極側(cè)沿著第 一方向設(shè)置多少個段差緩 沖凸起完全取決于像素單元的大小，具體為如杲像素單元小，則需要設(shè)置 的段差緩沖凸起的數(shù)量相對要少；如果像素單元大，則需要設(shè)置的段差緩沖 凸起的數(shù)量相對要多。并且形成多個段差緩沖凸起的時候，優(yōu)選為在擋光 條的像素電極側(cè)沿著第一方向均勻地形成，這樣可以以最少的數(shù)量最大限度 地減少漏光。
在實施例一中，像素單元采用了電容在公共線上(capacitance on common) 的方式。此時，將擋光條和公共線點連接的方式可以提高電容。如果采用電 容在柵線上(capacitance on gate )的方式時，公共線本身是不必要的。并且擋 光條和柵線之間是絕緣的。這樣可以減少柵線的信號延遲。
在實施例一的像素單元結(jié)構(gòu)中，假設(shè)了摩擦方向為從像素單元的左側(cè)向 像素單元的右側(cè)。若摩擦方向變?yōu)閺南袼貑卧挠覀?cè)向像素單元的左側(cè)時， 需要在像素單元內(nèi)右側(cè)的擋光條的像素電極側(cè)沿著摩擦方向設(shè)置段差緩沖凸說明書第6/7頁
起，即在右側(cè)的擋光條左側(cè)設(shè)置段差緩沖凸起。 實施例二
圖3a為本發(fā)明實施例二的像素單元結(jié)構(gòu)示意圖。如圖3a所示，本發(fā)明的 像素單元包括數(shù)據(jù)線3、與數(shù)據(jù)線3垂直的柵線和公共線以及與數(shù)據(jù)線3平 行的擋光條4，其中橫向排列的柵線和縱向排列的數(shù)據(jù)線3定義了單位像素區(qū) 域；擋光條4位于像素區(qū)域內(nèi)兩側(cè)，并且與數(shù)據(jù)線3平行；公共線位于像素 區(qū)域內(nèi)的上方，并且與柵線平行。本發(fā)明的像素單元還包括用形成擋光條4 的材料相同的材料，在擋光條4的像素電極側(cè)沿著第一方向設(shè)置的多個段差 緩沖凸起6。
圖3b為本發(fā)明實施例二的像素單元經(jīng)過摩擦后的漏光區(qū)域示意圖。如圖 3b所示，段差緩沖凸起6凸起的方向(第一方向)與擋光條4的延伸方向垂 直。此時，摩擦方向也與擋光條4的延伸方向垂直。對位于像素單元內(nèi)的取 向膜進行摩擦后，摩擦影區(qū)域產(chǎn)生在擋光條的像素電極側(cè)。
此時，受到段差緩沖凸起6的影響，摩擦影區(qū)域的摩擦均勻度出現(xiàn)不連 續(xù)的變化。具體為 一方面，在兩個段差緩沖凸起6之間產(chǎn)生摩擦均勻度按 照一定的規(guī)則變化的摩擦影區(qū)域，并且該摩擦影區(qū)域小于兩個段差緩沖凸起6 之間的區(qū)域，即漏光區(qū)域5小于兩個段差緩沖凸起6之間的區(qū)域。另一方面， 在段差緩沖凸起6的一側(cè)產(chǎn)生摩擦均勻度按照不定的規(guī)則變化的摩擦影區(qū)域， 并且該摩擦影區(qū)域大于段差緩沖凸起6。
進一步地，在摩擦均勻度按照一定的規(guī)則變化的摩擦影區(qū)域內(nèi)依然發(fā)生 漏光，而在摩擦均勻度按照不定的規(guī)則變化的摩擦影區(qū)域不發(fā)生漏光。
在實施例二中，還可以將段差緩沖凸起的凸起方向和擋光條之間的銳角 設(shè)置為45度。
在實施例二中，擋光條、段差緩沖凸起和柵線位于同一層。進一步地， 擋光條、段差緩沖凸起和數(shù)據(jù)線位于同一層。
在實施例二中，在擋光條的像素電極側(cè)沿著第一方向設(shè)置多少個段差緩沖凸起完全取決于像素單元的大小，具體為如果像素單元小，則需要設(shè)置 的段差緩沖凸起的數(shù)量相對要少；如果像素單元大，則需要設(shè)置的段差緩沖 凸起的數(shù)量相對要多。并且形成多個段差緩沖凸起的時候，優(yōu)選為在擋光 條的像素電極側(cè)沿著第 一方向均勻地形成，這樣可以以最少的數(shù)量最大限度 地減少漏光。
在實施例二中，像素單元采用了電容在公共線上的方式。此時，將擋光 條和公共線點連接的方式可以提高電容。如果采用電容在柵線上的方式時， 公共線本身是不必要的。并且擋光條和柵線之間是絕緣的。這樣可以減少柵 線的信號延遲。
在實施例二的像素單元結(jié)構(gòu)中，假設(shè)了摩擦方向為從像素單元的左側(cè)向 像素單元的右側(cè)。若摩擦方向變?yōu)閺南袼貑卧挠覀?cè)向像素單元的左側(cè)時， 需要在像素單元內(nèi)右側(cè)的擋光條的像素電極側(cè)沿著摩擦方向設(shè)置段差緩沖凸 起，即在右側(cè)的擋光條左側(cè)設(shè)置段差緩沖凸起。
最后應(yīng)說明的是以上實施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對其 限制；盡管參照前述實施例對本發(fā)明進行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù) 人員應(yīng)當(dāng)理解其依然可以對前述各實施例所記載的技術(shù)方案進行修改，或 者對其中部分技術(shù)特征進行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技 術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實施例技術(shù)方案的精神和范圍。
10
權(quán)利要求
1、一種像素單元結(jié)構(gòu)，包括柵線和數(shù)據(jù)線，所述柵線和所述數(shù)據(jù)線交叉并定義像素區(qū)域；薄膜晶體管，所述薄膜晶體管的柵極與所述柵線電連接，所述薄膜晶體管的源電極與所述數(shù)據(jù)線電連接；像素電極，所述像素電極與所述薄膜晶體管的漏電極電連接；以及一對擋光條，所述擋光條位于所述像素電極的兩側(cè)并且朝數(shù)據(jù)線方向延伸，其特征在于，至少一個所述擋光條包括多個段差緩沖凸起，所述段差緩沖凸起朝第一方向凸起。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素單元結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括取向膜， 所述取向膜的摩擦方向與所述第 一方向相同。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的像素單元結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述段差緩沖凸 起的凸起方向與所述擋光條的延伸方向垂直。
4、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的像素單元結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述段差緩沖凸 起的凸起方向與所述擋光條的延伸方向成45度銳角。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1~4任一所述的像素單元結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述擋 光條、所述段差緩沖凸起以及所述柵線位于同一層，并以相同材料構(gòu)成。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1~4任一所述的像素單元結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述擋 光條、所述段差緩沖凸起以及所述數(shù)據(jù)線位于同一層，并以相同材料構(gòu)成。
7、 一種像素單元結(jié)構(gòu)，包括柵線和數(shù)據(jù)線，所述^f冊線和所述數(shù)據(jù)線交 叉并定義像素區(qū)域；薄膜晶體管，所述薄膜晶體管的柵極與所述柵線電連接， 所述薄膜晶體管的源電極與所述數(shù)據(jù)線電連接；像素電極，所述像素電極與 所述薄膜晶體管的漏電極電連接；以及一對擋光條，所述擋光條位于所述像 素電極的兩側(cè)并且朝數(shù)據(jù)線方向延伸，其特征在于，還包括多個段差緩沖凸起，所述段差緩沖凸起位于所述擋光條的像素電 極側(cè)并且朝第 一 方向延伸。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的像素單元結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括取向膜，所述取向膜的摩擦方向與所述第 一方向相同。
9、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的像素單元結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述段差緩沖凸 起的凸起方向與所述擋光條的延伸方向垂直。
10、 根據(jù)權(quán)利要求8所述的像素單元結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述段差緩沖 凸起的凸起方向與所述擋光條的延伸方向成45度銳角。
11、 根據(jù)權(quán)利要求7~10任一所述的像素單元結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述 擋光條以及所述柵線位于同一層，并以相同材料構(gòu)成；所述段差緩沖凸起位 于所述擋光條的上層。
12、 根據(jù)權(quán)利要求7~10任一所述的像素單元結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述 擋光條以及所述數(shù)據(jù)線位于同一層，并以相同材料構(gòu)成；所述段差緩沖凸起 位于所述擋光條的下層。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種像素單元結(jié)構(gòu)，包括柵線和數(shù)據(jù)線，所述柵線和所述數(shù)據(jù)線交叉并定義像素區(qū)域；薄膜晶體管，所述薄膜晶體管的柵極與所述柵線電連接，所述薄膜晶體管的源電極與所述數(shù)據(jù)線電連接；像素電極，所述像素電極與所述薄膜晶體管的漏電極電連接；以及一對擋光條，所述擋光條位于所述像素電極的兩側(cè)并且朝數(shù)據(jù)線方向延伸，至少一個所述擋光條包括多個段差緩沖凸起，所述段差緩沖凸起朝第一方向凸起。本發(fā)明的像素單元，通過在擋光條的像素電極側(cè)設(shè)置多個段差緩沖凸起，打亂摩擦影區(qū)域內(nèi)摩擦均勻度的變化規(guī)則，從而在摩擦均勻度被打亂的摩擦影區(qū)域內(nèi)防止產(chǎn)生漏光，從而減少了漏光，有效地提高了液晶顯示裝置的質(zhì)量。
文檔編號G02F1/13GK101666947SQ20081011932
公開日2010年3月10日 申請日期2008年9月3日 優(yōu)先權(quán)日2008年9月3日
發(fā)明者林炳仟 申請人:北京京東方光電科技有限公司