專利名稱:光掩模清洗方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域,特別涉及一種光掩模清洗方法。
背景技術(shù):
目前,在半導(dǎo)體集成電路制造領(lǐng)域常用的清洗技術(shù)是由美國(guó)
RCA公司(美國(guó)無線電公司)于1965年開發(fā)的濕式清洗技術(shù)(稱 為RCA清洗技術(shù)),該技術(shù)由于在清洗過程中消耗大量化學(xué)品和超 純水(UPW)。當(dāng)前,所述基于RCA的濕式清洗技術(shù)廣泛使用在半導(dǎo) 體制造技術(shù)領(lǐng)域中,如光掩模制造領(lǐng)域中。
實(shí)際生產(chǎn)發(fā)現(xiàn),采用上述基于RCA的濕式清洗方法清洗光掩模 時(shí),易在所述光掩模上產(chǎn)生霧狀缺陷(haze issue )。所述霧狀缺 陷通常隨時(shí)間而發(fā)展,并且該缺陷的發(fā)展對(duì)所制造的半導(dǎo)體器件的 良率的影響會(huì)越來越大,因此當(dāng)其發(fā)展至 一定程度時(shí)就必須對(duì)光掩 模進(jìn)行清洗以防止該霧狀缺陷影響良率。
然而,傳統(tǒng)濕式清洗過程對(duì)光掩模表面的保護(hù)膜存在傷害,導(dǎo) 致光掩模在經(jīng)過一 定次數(shù)的清洗之后就必須重新更換保護(hù)膜,甚至 是直接報(bào)廢。因此,傳統(tǒng)濕式清洗方法存在頻繁清洗光掩模和顯著 縮短光掩模的使用壽命的問題。
在半導(dǎo)體集成電路制造中光掩模成本在原料成本中占第二位,僅次
于硅晶片。這項(xiàng)成本的很大一部分是由于光掩模在使用過程中需要頻繁 清洗以致?lián)p壞所造成的。因此,對(duì)于半導(dǎo)體集成電路制造商而言,迫切 需要一種改進(jìn)的清洗方法,其既可抑制在光掩模上產(chǎn)生霧狀缺陷,又可 以延長(zhǎng)光掩模的清洗周期,從而提高光掩模使用壽命并且大幅降低成 本。
2006年10月ll日公布的公開號(hào)為" "的中國(guó)專利申請(qǐng)中提 供了一種光掩模及保護(hù)其光學(xué)性能的方法,該方法包括提供襯底,該襯底包括具有形成在其上的吸收層的第一表面、和與第一表面相對(duì)設(shè)置的 第二表面。圖案形成在吸收層中,以建立用于半導(dǎo)體制備工藝中的光掩 模。透射保護(hù)層也形成在構(gòu)圖層和襯底的第二表面中的至少一個(gè)上。當(dāng) 光掩模用于半導(dǎo)體制備工藝中時(shí),該保護(hù)層降低了霧狀缺陷的產(chǎn)生。即, 所述方法通過在構(gòu)圖層和襯底的第二表面中的至少 一個(gè)上形成透射保護(hù) 層而減少霧狀缺陷的產(chǎn)生。換言之,利用公開的所述光掩模及保護(hù)其光 學(xué)性能的方法去除所述霧狀缺陷時(shí),需要改變所述光掩模的結(jié)構(gòu),將導(dǎo) 致大量所述光掩模的大量更換,成本過高。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種光掩模清洗方法,其目的在于減少所述清洗過 程中化學(xué)品的用量,從而減少化學(xué)品在光掩模表面的殘留,進(jìn)而減 少霧狀缺陷的產(chǎn)生,延長(zhǎng)光掩模清洗周期,從而提高光掩模的使用 壽命和降低光掩模成本。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面,提供一種光掩模清洗方法,包括 形成包含H+的陽極超純水及包含0H—的陰極超純水; 以所述陽極超純水或所述陰極超純水清洗所述光掩模。 可選地,以所述陽極超純水或所述陰極超純水清洗所述光掩沖莫
的步驟包括以真空紫外光對(duì)所述光掩模執(zhí)行預(yù)處理;
以所述陽極超純水或所述陰極超純水對(duì)經(jīng)歷所述預(yù)處理操作
后的光掩模執(zhí)行清洗操作。
可選地,采用電解電解質(zhì)溶液的方法形成所述陽極超純水或所
述陰極超純水;可選地,所述電解質(zhì)溶液包含水;可選地,所述電
解質(zhì)溶液還可包含NH/或S0:。
可選地,形成所述陽才及超純水及所述陰極超純水的步驟,還包
提供一種光掩模清洗方法,包括形成包含H+的陽極超純水及包含0H—的陰極超純水; 以所述陽極超純水對(duì)所述光掩模執(zhí)行清洗操作; 以所述陰極超純水對(duì)經(jīng)歷陽極超純水清洗操作的光掩模執(zhí)行 清洗操作。
可選地,以所述陽極超純水清洗所述光掩才莫的步驟包括 以真空紫外光對(duì)所述光掩模執(zhí)行預(yù)處理; 以所述陽極超純水對(duì)經(jīng)歷所述預(yù)處理操作后的光掩模執(zhí)行清 洗操作。
可選地,采用電解電解質(zhì)溶液的方法形成所述陽極超純水或所 述陰極超純水;可選地,所述電解質(zhì)溶液包含水;可選地,所述電 解質(zhì)溶液還可包含NH/或S042—。
可選地,形成所述陽極超純水及所述陰才及超純水的步驟,還包
本發(fā)明方法的優(yōu)點(diǎn)在于1)通過減少光掩模清洗過程中化學(xué)品 的用量,以克服傳統(tǒng)清洗方法中容易產(chǎn)生化學(xué)品殘留的問題,從而 抑制光掩模上霧狀缺陷的產(chǎn)生;2)通過延長(zhǎng)所述光掩模在兩次清洗 之間的使用時(shí)間,延長(zhǎng)了光掩模的使用壽命,降低了清洗成本;3) 通過減少光掩模清洗過程中化學(xué)品的用量,利于改善集成電路制造 過程中的環(huán)境污染;和4)通過采用真空紫外光預(yù)處理,改善光掩模 的清洗效果。
圖1示出利用傳統(tǒng)RCA清洗方法處理后的光掩模上各種化學(xué)品 殘留物的含量水平,其中圖1A為用SPM清洗液處理光掩模后的表 面離子色語分析的結(jié)果,圖1B為用SC1清洗液處理后處理光掩模 后的表面離子色譜分析的結(jié)果;
圖2示出光掩模表面上的霧狀缺陷的電子顯微鏡照片;
圖3為說明本發(fā)明實(shí)施例的形成陽極超純水及/或陰極超純水的離子化機(jī)理示意圖4為分別采用傳統(tǒng)清洗方法、利用陽極超純水和陰極超純水清 洗光掩模后的電子掃描顯微照片,其中I)為未經(jīng)氧化物處理的光 掩模,II)為經(jīng)氧化物處理的光掩模;
圖5示出不同的污染物粒子的g -與清洗溶液pH值的函數(shù)關(guān)系 示意圖6為說明利用包含NH/的電解液形成陽極超純水及/或陰極超 純水的離子化機(jī)理示意圖7示出在間歇式清洗裝置中利用陰極超純水與傳統(tǒng)的未稀釋 和稀釋SC1清洗液之間的清洗效果比較;
圖8示出172nmVUV (真空紫外光)的能量和各種化學(xué)鍵的鍵能 數(shù)據(jù);
圖9示出采用本發(fā)明實(shí)施例提供的的臭氧超純水清洗方法和傳 統(tǒng)清洗方法對(duì)BIM和PSM光掩模的清洗效果的對(duì)比數(shù)據(jù);
圖10示出采用本發(fā)明實(shí)施例提供的的臭氧超純水清洗方法與 傳統(tǒng)RCA清洗方法分別對(duì)PSM進(jìn)行清洗的允許次數(shù)和PSM使用壽命 的對(duì)比圖。
具體實(shí)施例方式
盡管下面將參照附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更詳細(xì)的描述,其中表示了本發(fā) 明的優(yōu)選實(shí)施例,應(yīng)當(dāng)理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本發(fā)明 而仍然實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。因此,下列的描述應(yīng)當(dāng)被理解為對(duì)于本 領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛教導(dǎo),而并不作為對(duì)本發(fā)明的限制。
為了清楚,不描述實(shí)際實(shí)施例的全部特征。在下列描述中,不詳細(xì) 描述公知的功能和結(jié)構(gòu),因?yàn)樗鼈儠?huì)使本發(fā)明由于不必要的細(xì)節(jié)而混 亂。應(yīng)當(dāng)認(rèn)為在任何實(shí)際實(shí)施例的開發(fā)中,必須做出大量實(shí)施細(xì)節(jié)以實(shí) 現(xiàn)開發(fā)者的特定目標(biāo),例如按照有關(guān)系統(tǒng)或有關(guān)商業(yè)的限制,由一個(gè)實(shí) 施例改變?yōu)榱硪粋€(gè)實(shí)施例。另外,應(yīng)當(dāng)認(rèn)為這種開發(fā)工作可能是復(fù)雜和耗費(fèi)時(shí)間的,但是對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說僅僅是常規(guī)工作。
在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下列 說明和權(quán)利要求書本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說明的是,附圖均 采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非精準(zhǔn)的比率,4叉用以方便、明晰地輔助 說明本發(fā)明實(shí)施例的目的。
目前,半導(dǎo)體濕式清洗技術(shù)中常用的化學(xué)清洗液包括SPM (H2S04 、 11202和H20的混合溶液),用于去除有機(jī)污染物;HF或DHF (稀釋的HF ),主要用于侵蝕氧化膜;SC1 (或稱作APM, NH3 . H20、 &02和H20的混合溶液),主要用于清除粒子,同時(shí)也能除去有機(jī) 物和金屬污染物;HPM ( HC1、 &02和H20的混合溶液),主要用于 清除金屬污染物;和SOM(H2S04、 03和H20的混合溶液),用于清除
有機(jī)物、金屬污染物并減少H2S04用量。
傳統(tǒng)工藝中,通常采用SPM及/或SC1清洗光掩模。然而,實(shí)際 生產(chǎn)發(fā)現(xiàn),利用傳統(tǒng)工藝清洗光掩模后,易形成霧狀缺陷,在通過 增加清洗次數(shù)以去除所述霧狀缺陷后,將導(dǎo)致所述光掩模使用壽命 的縮短。如何去除所述霧狀缺陷成為本發(fā)明解決的主要問題。
如圖1所示,在利用SPM及/或SC1清洗所述光掩模之后,所述 光掩模表面存有高濃度的S0:及/或NH/殘留。本發(fā)明的發(fā)明人分 析后認(rèn)為,上述殘留的高濃度S0,及/或NH4+在深紫外光(DUV)或 Ar F光照射下將會(huì)形成可結(jié)晶物質(zhì),正是這種可結(jié)晶物質(zhì)的逐漸結(jié) 晶生長(zhǎng)導(dǎo)致在光掩模表面上形成大量霧狀缺陷。此觀點(diǎn)的實(shí)驗(yàn)依據(jù) 如圖7所示。
本發(fā)明的發(fā)明人分析后認(rèn)為,減少清洗液中化學(xué)品的用量,以 減小殘留在光掩模表面上的S0A及/或冊(cè)4+的濃度,如使所述濃度 控制在5ppb ( |Lig/L)之下,可使推遲在光掩模表面出現(xiàn)霧狀缺陷 的時(shí)間,從而延長(zhǎng)光掩模每次清洗之間的時(shí)間周期,進(jìn)而延長(zhǎng)所述 光掩模的使用壽命成為可能。
8本發(fā)明的發(fā)明人分析后認(rèn)為,選取具有較少的甚至是不包含
S0,及/或NH/的溶液清洗所述光掩模成為去除所述霧狀缺陷的指 導(dǎo)方向。
如圖3所示,將超純水通入含有固體電解質(zhì)的離子交換室中, 對(duì)離子交換膜兩側(cè)的陽極和陰極通電,根據(jù)圖3所示的陽極和陰極 化學(xué)反應(yīng)式電解所述超純水,在陰極室中得到包含112和0『離子的 陰極超純水(下文稱為H2-UPW),而在陽極室中得到包含H+離子、 02和03的陽極超純水。即,所述陰極超純水可替代SC1,所述陽極 超純水可替代SPM;換言之,利用所述陰極超純水及/或所述陽極 超純水可替代SC1及/或SPM清洗所述光掩模。
如圖4所示,利用傳統(tǒng)的清洗方法、本發(fā)明提供的利用陰極超 純水及/陽極超純水的清洗方法均能有效去除光掩模上的污染物, 不過利用離子化超純水即本發(fā)明提供的采用陽極超純水或陰極超 純水的清洗方法表現(xiàn)出比傳統(tǒng)RCA清洗方法更好的清洗效果。
在本實(shí)施例中,其中,傳統(tǒng)清洗方法的條件為在70。C下利用 麗40H: H202:超純水=1: 1: 5 (體積比)的清洗液清洗光掩才莫。清洗 未經(jīng)/經(jīng)氧化處理的光掩模時(shí),應(yīng)用的陽極超純水的PH值為7.8, 氧化還原電位(Oxidation-Reduction Potential, 0RP )為263mV;應(yīng) 用的陰才及超純水的PH值為9.8,氧化還原電位為-740mV。此時(shí),陽 極超純水可用于替代SPM清洗液,陰極超純水可用于替代SC1清洗 液。
本發(fā)明的發(fā)明人分析后認(rèn)為,由于光掩模襯底材料例如Si或 Si02通常帶有負(fù)電荷,因此如果污染物粒子具有正的g (電勢(shì))將 導(dǎo)致污染物粒子與襯底之間發(fā)生電性吸附,從而降低粒子清除效率。
如圖5所示,作為示例,污染物粒子為Si02時(shí),只有pH〉5,《 為負(fù)值,因而在pH〉5時(shí),可采用陰極超純水去除污染物粒子;而在pH< 5時(shí),此時(shí),g為正值,可采用陽極超純水去除污染物粒子。 而污染物粒子為ShN4時(shí),其g只在pH>9之后才穩(wěn)定地變?yōu)樨?fù)值, 因而在pH〉9時(shí),可采用陰極超純水去除污染物粒子;而在pH<9 時(shí),此時(shí),g為正值,可采用陽極超純水去除污染物粒子,才能得 到較好的清洗效果。
作為本發(fā)明的又一 實(shí)施例,所述陽才及超純水及/或陰極超純水可 利用包含NH/的電解液形成。如圖6所示,通過離子交換膜電解含 有NH4C1的超純水溶液,從而在陰極室中得到包含H2、麗4+和0IT離 子的陰極超純水,而在陽極室中得到包含H+離子、Cl — 、 02和03的 陽極超純水。
此時(shí),包含NH/的陰極超純水可用以替代SC1清洗液,而包含 Cl—的陽才及超純水可用于替代SPM清洗液。
同理,所述陽極超純水及/或陰極超純水還可利用包含SO廣的電
解液形成。此時(shí),通過離子交換膜電解含有H2S04的超純水溶液,
從而在陰極室中得到包含H2、 H+和OH—離子的陰極超純水,而在陽 極室105中得到包含H+離子、SO,、 02和03的陽極超純水。包含1T 的陰極超純水可用以替代SC1清洗液,而包含SO,的陽極超純水可 用于替代SPM清洗液。
如圖7所示,采用根據(jù)本實(shí)施例的包含NH4+的陰極超純水清洗液 的粒子清除率超過90%,要好于采用傳統(tǒng)的未稀釋和稀釋SC1清洗 液獲得的40°/。及80%的粒子清除率。表明根據(jù)本實(shí)施例的包含NH4+ 的陰極超純水清洗液在基本不添加化學(xué)品的情況下可以獲得良好 的清洗效果。
如圖8所示,VUV(真空紫外光)的能量要高于絕大多數(shù)化學(xué)鍵 的鍵能,以172nm的VUV為例,其光能量為166. 7kcal/mo1,而0-0、 Si-0、 C-C、 C-N 4建的健能則分別只有117.5/32.9 kcal/mo1、 105.4/69.8 kcal/mo1、 84.3 kcal/mo1、 63.6 kcal/mo1。由此, 本發(fā)明的發(fā)明人分析后認(rèn)為,預(yù)先采用VUV對(duì)待清洗的光掩模表面進(jìn)行照射可破壞所述光掩模表面上大多數(shù)有機(jī)物或無機(jī)物的鍵合。 從而有利于減少接下來的清洗過程中所需的化學(xué)品量,使減少霧狀 缺陷的產(chǎn)生成為可能。
特別地,所述后續(xù)清洗過程采用本發(fā)明提供的陽極超純水及/或 陰極超純水的清洗方法時(shí),光掩模清洗之前進(jìn)行VUV預(yù)處理,可使 進(jìn)一步減少霧狀缺陷的產(chǎn)生成為可能。
此外,本發(fā)明的發(fā)明人經(jīng)歷試驗(yàn)后得出,在上述超純水(包含 陽極超純水和陰極超純水)中溶入臭氧,可增強(qiáng)所述光掩模的清洗 效果。
圖9示出采用本發(fā)明實(shí)施例提供的的臭氧超純水清洗方法和傳 統(tǒng)清洗方法對(duì)BIM和PSM光掩模的清洗效果的對(duì)比數(shù)據(jù)。以BIM和 PSM光掩模為例,如圖9所示,對(duì)于BIM光掩模來說,與傳統(tǒng)RCA 清洗方法相比,采用本實(shí)施例提供的的臭氧超純水清洗光掩模后, 殘留缺陷數(shù)量有426個(gè)降為18個(gè),降幅達(dá)96%;對(duì)于PSM光掩模 來說,與傳統(tǒng)RCA清洗方法相比,釆用本實(shí)施例提供的的臭氧超純 水清洗光掩模后,殘留缺陷數(shù)量有20個(gè)降為10個(gè),降幅達(dá)50%; 相位由O. 14°降為0.04° ,降幅超過70°/。;透光率變化由0. 06降 為0. 05,降幅超過16%。
所述臭氧超純水可采用光化學(xué)法、放電法等方法制造,其中光 化學(xué)法和放電法分別采用波長(zhǎng)為175-200nm的紫外線和6-18kV高 壓電使空氣中的氧解離形成臭氧。將所產(chǎn)生的臭氧溶于超純水中即 得到本發(fā)明的臭氧超純水,其中臭氧濃度為3-200mg/L,優(yōu)選 5-100mg/L,更優(yōu)選10-80mg/L,最優(yōu)選20-60mg/L,如30mg/L、 40mg/L、 50mg/L。
在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施方案中,利用所述臭氧超純水清洗光掩模時(shí),所 述臭氧超純水的溫度為0-60。C,優(yōu)選20-60。C,更優(yōu)選30-50。C, pH值為l-lO,優(yōu)選1.5-7,更優(yōu)選2-5,如plHi=3或pH值-4。
圖10示出采用本發(fā)明實(shí)施例提供的的臭氧超純水清洗方法與傳統(tǒng)RCA清洗方法分別對(duì)PSM進(jìn)行清洗的允許次數(shù)和PSM使用壽命的 對(duì)比圖。
對(duì)于PSM光掩模,其使用壽命的定義是其相位或透光率的下降 達(dá)到一定限ii時(shí)PSM的^f吏用時(shí)間。如圖10所示,由于PSM在應(yīng)用 傳統(tǒng)RCA方法清洗之后相位的下降幅度(如0.14° )遠(yuǎn)大于應(yīng)用
本發(fā)明實(shí)施例提供的臭氧超純水方法清洗之后相位的下降幅度(如 0.04。),可見,根據(jù)本發(fā)明的方法可延長(zhǎng)PSM的使用壽命約3-5倍。
此外,由于RCA技術(shù)在清洗過程中需消耗大量的化學(xué)品,因而 易導(dǎo)致許多環(huán)境問題。即使已經(jīng)陸續(xù)開發(fā)了一系列基于RCA清洗方 法的改進(jìn)方法,包括稀釋化學(xué)法、IMEC清洗法、單晶片清洗等,在 一定程度上改善了 RCA方法的污染問題,但是由于上述清洗方法均基 于RCA方法,仍不可避免地存在較為嚴(yán)重的環(huán)境污染和成本昂貴的 問題。(參見李仁,半導(dǎo)體IC清洗技術(shù),SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY, 2003, Vol.28, No. 9, P. 44-47 )。同時(shí),隨著半導(dǎo)體集成電路設(shè)計(jì)尺 寸(design rule)逐漸減小,使得清洗步驟的數(shù)量急劇增加,繼 續(xù)使用RCA清洗方法將導(dǎo)致所消耗的化學(xué)品急劇增加,不僅大大提 高了生產(chǎn)成本而且還帶來了越來越嚴(yán)重的環(huán)境問題。而采用本發(fā)明 各實(shí)施例提供的方法,大大減少了 SPM、 SCI等化學(xué)品的消耗,利 于改善由于清洗操作導(dǎo)致的環(huán)境污染。
需說明的是,未加說明的步驟均可采用傳統(tǒng)的方法獲得,且具體的 工藝參數(shù)根據(jù)產(chǎn)品要求及工藝條件確定。
盡管通過在此的實(shí)施例描述說明了本發(fā)明,和盡管已經(jīng)足夠詳細(xì)地描 述了實(shí)施例,申請(qǐng)人不希望以任何方式將權(quán)利要求書的范圍限制在這種 細(xì)節(jié)上。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來說另外的優(yōu)勢(shì)和改進(jìn)是顯而易見的。因 此,在較寬范圍的本發(fā)明不限于表示和描述的特定細(xì)節(jié)、表達(dá)的設(shè)備和 方法和說明性例子。因此,可以偏離這些細(xì)節(jié)而不脫離申請(qǐng)人總的發(fā)明 概念的精神和范圍。
權(quán)利要求
1.一種光掩模清洗方法,其特征在于,包括形成包含H+的陽極超純水及包含OH-的陰極超純水;以所述陽極超純水或所述陰極超純水清洗所述光掩模。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光掩模清洗方法,其特征在于,以所 述陽極超純水或所述陰極超純水清洗所述光掩模的步驟包括以真空紫外光對(duì)所述光掩模執(zhí)行預(yù)處理; 以所述陽極超純水或所述陰極超純水對(duì)經(jīng)歷所述預(yù)處理操作 后的光掩模執(zhí)行清洗操作。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光掩模清洗方法,其特征在于釆用 電解電解質(zhì)溶液的方法形成所述陽極超純水或所述陰極超純水。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的光掩模清洗方法,其特征在于所述 電解質(zhì)溶液包含水。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的光掩模清洗方法,其特征在于所述 電解質(zhì)溶液還可包含麗/或S042_。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)所述的光掩模清洗方法,其特征 在于,形成所述陽極超純水及所述陰極超純水的步驟,還包括向 所述陽極超純水及/或所述陰極超純水中溶入臭氧的步驟。
7. —種光掩模清洗方法,其特征在于,包括 形成包含H+的陽才及超純水及包含0『的陰極超純水; 以所述陽極超純水對(duì)所述光掩模執(zhí)行清洗操作;以所述陰極超純水對(duì)經(jīng)歷陽極超純水清洗操作的光掩模執(zhí)行 清洗操作。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的光掩模清洗方法,其特征在于,以所 述陽極超純水清洗所述光掩模的步驟包括以真空紫外光對(duì)所述光掩模執(zhí)行預(yù)處理;以所述陽極超純水對(duì)經(jīng)歷所述預(yù)處理操作后的光掩模執(zhí)行清 洗操作。
9. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的光掩模清洗方法,其特征在于釆用 電解電解質(zhì)溶液的方法形成所述陽極超純水或所述陰極超純水。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的光掩模清洗方法,其特征在于所 述電解質(zhì)溶液包含水。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的光掩模清洗方法,其特征在于所 述電解質(zhì)溶液還可包含NH/或S042—。
12. 根據(jù)權(quán)利要求7-11中任一項(xiàng)所述的光掩模清洗方法,其特 征在于,形成所述陽極超純水及所述陰極超純水的步驟,還包括 向所述陽極超純水及/或所述陰極超純水中溶入臭氧的步驟。
全文摘要
一種光掩模清洗方法,包括形成包含H<sup>+</sup>的陽極超純水及包含OH<sup>-</sup>的陰極超純水;以所述陽極超純水或所述陰極超純水清洗所述光掩模。一種光掩模清洗方法,包括形成包含H<sup>+</sup>的陽極超純水及包含OH<sup>-</sup>的陰極超純水;以所述陽極超純水對(duì)所述光掩模執(zhí)行清洗操作;以所述陰極超純水對(duì)經(jīng)歷陽極超純水清洗操作的光掩模執(zhí)行清洗操作。可抑制光掩模上霧狀缺陷的產(chǎn)生,延長(zhǎng)光掩模的使用壽命,降低清洗成本;利于改善集成電路制造過程中的環(huán)境污染,改善光掩模的清洗效果。
文檔編號(hào)G03F1/00GK101620372SQ20081011596
公開日2010年1月6日 申請(qǐng)日期2008年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月30日
發(fā)明者金正培 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司