專利名稱：液晶顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示器及其制造方法，特別地涉及一種在透射和反 射模式下均能顯示的透反射式(transflective)液晶顯示器及其制造方法。
背景技術(shù)：
近來，在每個像素處具有薄膜晶體管(TFT)的有源矩陣液晶顯示器在 各個應(yīng)用領(lǐng)域廣泛地用作顯示器。在這樣的環(huán)境下，在反射和透射模式下均 能顯示的透反射式顯示器已經(jīng)投入使用，作為用于移動終端或筆記本型個人 計算機的顯示器。圖47A和47B表示按照非專利文件1中所公開的相關(guān)現(xiàn)有技術(shù)的透反射 式液晶顯示器的結(jié)構(gòu)。圖47A表示透反射式液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)，圖47B 表示沿著圖47A中X-X線所得的透反射式液晶顯示器的截面結(jié)構(gòu)。如圖47A 和47B所示，像素區(qū)域劃分為透射區(qū)域T和反射區(qū)域R。在TFT基板102 上的反射區(qū)域R中，絕緣體(樹脂層)130這樣形成，使得反射區(qū)域R具有 透射區(qū)域T的晶元(cell)厚度一半的晶元厚度。具有不規(guī)則表面的反射電 極116形成于絕緣體130上。在相對基板104上的透射區(qū)域T的中部形成有 凸起132，用于調(diào)整垂直對齊型液晶106的對齊。 一對1/4波板(wave plate) 120設(shè)置于構(gòu)成面板(panel)外部的TFT基板102和相對基板104的各側(cè)面 上。 一對偏光板122分別設(shè)置于1/4波板120外。該透反射式液晶顯示器需 要用于形成和圖案化絕緣體130的步驟，以使反射區(qū)域R的晶元厚度小于透 射區(qū)域T的晶元厚度。這造成液晶顯示器的制造成本由于制造步驟復(fù)雜性增 大而增加的問題。作為解決該問題的一種方案，具有如圖48所示結(jié)構(gòu)的透反射式液晶顯示器由申請人在日本專利申請(第2003-95329號)中提出。如圖48所示， 在圖中水平方向延伸的多條柵極總線150彼此基本平行地形成于液晶顯示器 的TFT基板上。在圖中垂直方向上延伸的多條漏極總線152彼此基本平行地 這樣形成，使得它們與柵極總線150相交，其間插置有圖中未示出的絕緣膜。 TFT154形成于柵極總線150與漏極總線152之間的每個交點附近。柵極總 線150和漏極總線152所包圍的區(qū)域構(gòu)成像素區(qū)域?；酒叫杏跂艠O總線150 的存儲電容器總線156這樣形成，使得它們基本在像素區(qū)域中部延伸穿過像 素區(qū)域。存儲電容器電極158形成于每個像素區(qū)域的存儲電容器總線156上。由透明導(dǎo)電膜所構(gòu)成的像素電極形成于像素區(qū)域。像素電極具有矩形周 邊，并且具有小于像素區(qū)域的多個電極單元162、形成于鄰接電極單元162 之間的電極空白部分(切口) 164、以及用于將由切口 164所分隔的電極單 元162彼此電連接的連接電極166。多個空隙(space) 168形成于電極單元 162的外圍，這些空隙在與柵極總線150或漏極總線152基本平行地延伸的 各側(cè)緣上被挖切。用于為像素區(qū)域之外的區(qū)域遮光的黑色矩陣(BM) 170 形成于相對基板上。在該結(jié)構(gòu)中，存儲電容器電極158用作反射體，并且圓形反射體172單 獨地形成于像素區(qū)域中。反射體172由與TFT154的柵極或源極和漏極的材 料相同的材料形成，并且設(shè)置為當在垂直于基板表面的方向上觀察時，它們 基本重疊于電極單元162的中心。反射體172處于電漂移狀態(tài)。在該結(jié)構(gòu)中，反射區(qū)域的晶元厚度與透射區(qū)域的晶元厚度相同。因此， 反射區(qū)域的雙折射是透射區(qū)域的折射的兩倍，因為光兩次穿過同一液晶層以 進出晶元。因此出現(xiàn)問題的是，當同一電壓施加到透射區(qū)域和反射區(qū)域時， 在反射區(qū)域中顯示黃色，而在透射區(qū)域中顯示白色。抑制雙折射所采取的措 施是通過降低所施加的電壓，在反射模式下的顯示期間，減少液晶分子的傾 角(tilt)。盡管如圖48所示的結(jié)構(gòu)允許制造步驟比如圖47A和47B所示結(jié)構(gòu)的制 造步驟更簡單，但是它需要為透射模式下的顯示和反射模式下的顯示調(diào)節(jié)所 施加的電壓。出現(xiàn)的另一問題是，當外部強光在透射模式下的顯示期間進入時，反射區(qū)域所反射的光的色彩會大大不同于透射區(qū)域所透射的光的色彩。 如下是相關(guān)現(xiàn)有技術(shù)的描述專利文件1:日本專利公開第JP-A-H11-183892號； 專利文件2:日本專利公開第JP-A-2002-341366號； 專利文件3:日本專利公開第JP-A-2001-166289號； 專利文件4:日本專利第3380482號； 專利文件5:日本專利公開第JP-A-S57-155582號； 專利文件6:日本專利公開第JP-A-2001-242452號； 專利文件7:日本專利公開第JP-A-2002-350853號； 專利文件8:日本專利公開第JP-A-2000-47215號； 專利文件9:日本專利公開第JP-A-2000-l 11902號； 專利文件10:日本專利公開第JP-A-H11-242226號； 專利文件11:日本專利公開第JP-A-H11-281972號； 非專利文件l: AsiaDisplay/IDW， 01， p.133 (2001); 非專利文件2: SID 96 Digest, pp.618-621。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供一種在反射和透射模式下均能實現(xiàn)高顯示特性的 透反射式液晶顯示器及其制造方法。上述目的通過一種液晶顯示器實現(xiàn)，其特征在于具有彼此相對設(shè)置的 一對基板；密封于該對基板之間的液晶層；像素區(qū)域，包括反射區(qū)域和透射 區(qū)域，該反射區(qū)域具有反射體，用于反射從該對基板的一基板的側(cè)面(side) 入射的光，該透射區(qū)域用于向著該對基板的該基板透射從該對基板的另一基 板入射的光；用于反射光的反射部分，該光已從該對基板的該基板的側(cè)面進 入該透射區(qū)域，并且己被該透射區(qū)域透射，并且該反射部分用于使得該光從 該對基板的另一基板的側(cè)面再次進入該透射區(qū)域;以及僅形成于該像素區(qū)域 的透射區(qū)域中的濾色層。本發(fā)明使得可以提供一種在反射和透射模式下均能實現(xiàn)高顯示特性的 透反射式液晶顯示器。


圖1A和1B表示用于實現(xiàn)本發(fā)明的第一模式下液晶顯示器的結(jié)構(gòu)；圖2A和2B是表示用于實現(xiàn)本發(fā)明的第一模式下液晶顯示器結(jié)構(gòu)的截面圖；圖3表示按照用于實現(xiàn)本發(fā)明的第一模式下實施例1-1的液晶顯示器結(jié)構(gòu)；圖4A和4B表示按照用于實現(xiàn)本發(fā)明的第一模式下實施例1-1的液晶顯示器的截面結(jié)構(gòu)；圖5是表示計算透明樹脂層最適宜厚度的處理的曲線圖；圖6表示按照用于實現(xiàn)本發(fā)明的第一模式下實施例1-2的液晶顯示器的截面結(jié)構(gòu)；圖7表示按照用于實現(xiàn)本發(fā)明的第一模式下實施例1-2的液晶顯示器改 型的截面結(jié)構(gòu)；圖8表示按照用于實現(xiàn)本發(fā)明的第一模式下實施例1-3的液晶顯示器的 結(jié)構(gòu)；圖9A和9B表示按照用于實現(xiàn)本發(fā)明的第一模式下實施例1-3的液晶顯 示器的截面結(jié)構(gòu)；圖IOA和IOB表示按照用于實現(xiàn)本發(fā)明的第一模式下實施例1-3的液晶 顯示器的改型；圖11表示按照用于實現(xiàn)本發(fā)明的第一模式下實施例1-4的液晶顯示器的 截面結(jié)構(gòu)；圖12A和12B表示按照用于實現(xiàn)本發(fā)明的第一模式下實施例1-4的液晶 顯示器的改型；圖13表示按照用于實現(xiàn)本發(fā)明的第一模式下實施例1-5的液晶顯示器的 截面結(jié)構(gòu)；圖14表示按照用于實現(xiàn)本發(fā)明的第一模式下實施例l-6的液晶顯示器的 結(jié)構(gòu)；圖15A和15B表示用于實現(xiàn)本發(fā)明的第二模式下液晶顯示器的結(jié)構(gòu)；圖16是表示用于實現(xiàn)本發(fā)明的第二模式下液晶顯示器的結(jié)構(gòu)的截面圖; 圖17是表示用于實現(xiàn)本發(fā)明的第二模式下液晶顯示器的結(jié)構(gòu)改型的截
面圖18表示按照用于實現(xiàn)本發(fā)明的第二模式下實施例2-1的液晶顯示器的 結(jié)構(gòu)；
圖19表示按照用于實現(xiàn)本發(fā)明的第二模式下實施例2-1的液晶顯示器的 結(jié)構(gòu)；
圖20表示按照用于實現(xiàn)本發(fā)明的第二模式下實施例2-l的液晶顯示器的 結(jié)構(gòu)改型；
圖21是表示按照用于實現(xiàn)本發(fā)明的第二模式下實施例2-2的液晶顯示器 結(jié)構(gòu)的截面圖22是表示按照用于實現(xiàn)本發(fā)明的第二模式下實施例2-3的液晶顯示器 結(jié)構(gòu)的截面圖23表示按照用于實現(xiàn)本發(fā)明的第二模式下實施例2-3的液晶顯示器的 結(jié)構(gòu)；
圖24是表示按照用于實現(xiàn)本發(fā)明的第二模式下實施例2-4的液晶顯示器 結(jié)構(gòu)的截面圖25表示按照用于實現(xiàn)本發(fā)明的第二模式下實施例2-4的液晶顯示器的 結(jié)構(gòu)；
圖26表示按照用于實現(xiàn)本發(fā)明的第二模式下實施例2-4的液晶顯示器的 結(jié)構(gòu)；
圖27表示按照用于實現(xiàn)本發(fā)明的第二模式下實施例2-5的液晶顯示器的 結(jié)構(gòu)；
圖28是表示按照用于實現(xiàn)本發(fā)明的第二模式下實施例2-5的液晶顯示器 結(jié)構(gòu)的截面圖29表示按照相關(guān)現(xiàn)有技術(shù)的反射式液晶顯示器的結(jié)構(gòu)；
圖30A和30B表示按照相關(guān)現(xiàn)有技術(shù)的透反射式液晶顯示器的結(jié)構(gòu)；
圖31表示按照相關(guān)現(xiàn)有技術(shù)的透反射式液晶顯示器的結(jié)構(gòu)；
圖32表示用于實現(xiàn)本發(fā)明的第三模式下液晶顯示器的結(jié)構(gòu)；圖33A和33B是表示用于實現(xiàn)本發(fā)明的第三模式下液晶顯示器結(jié)構(gòu)的截 面圖34表示按照用于實現(xiàn)本發(fā)明的第三模式下實施例3-2的液晶顯示器的 結(jié)構(gòu)；
圖35是表示按照用于實現(xiàn)本發(fā)明的第三模式下實施例3-2的液晶顯示器 結(jié)構(gòu)的截面圖36表示按照用于實現(xiàn)本發(fā)明的第三模式下實施例3-3的液晶顯示器的 結(jié)構(gòu)；
圖37是表示按照用于實現(xiàn)本發(fā)明的第三模式下實施例3-3的液晶顯示器 結(jié)構(gòu)的截面圖38A至38D表示用于實現(xiàn)本發(fā)明的第三模式下液晶顯示器CF層的結(jié) 構(gòu)實例；
圖39A至39C表示用于實現(xiàn)本發(fā)明的第三模式下液晶顯示器CF層的結(jié) 構(gòu)實例；
圖40是表示按照相關(guān)現(xiàn)有技術(shù)的透反射式液晶顯示器結(jié)構(gòu)的截面圖； 圖41是表示按照相關(guān)現(xiàn)有技術(shù)的透反射式液晶顯示器結(jié)構(gòu)的截面圖； 圖42表示用于實現(xiàn)本發(fā)明的第四模式下液晶顯示器的基本結(jié)構(gòu)； 圖43表示用于實現(xiàn)本發(fā)明的第四模式下液晶顯示器的基本結(jié)構(gòu)； 圖44表示按照用于實現(xiàn)本發(fā)明的第四模式下實施例4-l的液晶顯示器的 結(jié)構(gòu)；
圖45表示按照用于實現(xiàn)本發(fā)明的第四模式下實施例4-1的液晶顯示器的 結(jié)構(gòu)；
圖46A至46C表示反射板的截面結(jié)構(gòu)；
圖47A和47B表示按照相關(guān)現(xiàn)有技術(shù)的透反射式液晶顯示器的結(jié)構(gòu)； 圖48表示透反射式液晶顯示器的結(jié)構(gòu)。
具體實施例方式
現(xiàn)在將參照圖1A至14，描述用于實現(xiàn)本發(fā)明的第一模式下的液晶顯示器及其制造方法。圖1A表示用于實現(xiàn)本發(fā)明的在本模式下液晶顯示器TFT 基板的像素結(jié)構(gòu)，圖IB表示像素區(qū)域的概念圖。圖2A表示沿著圖1A中 A-A線所得的液晶顯示器的截面結(jié)構(gòu)，圖2B表示沿著圖1A中B-B線所得 的液晶顯示器的截面結(jié)構(gòu)。如圖1A至2B所示，例如是垂直對齊型的液晶6 密封在彼此相對設(shè)置的TFT基板2和相對基板4之間。TFT基板2形成于玻 璃基板10上，并且它具有在圖1A中水平方向上延伸的柵極總線12和存儲 電容器總線18。例如，由氮化硅膜(SiN膜)所構(gòu)成的絕緣膜30形成于柵 極總線12和存儲電容器總線18之上的整個基板。在圖1A中垂直方向上延 伸的漏極總線14形成于絕緣膜30上，漏極總線14具有由鋁(Al)層50和 鉬(Mo)層52所構(gòu)成的多層結(jié)構(gòu)，該鋁層具有較高的光反射率，該鉬層具 有較低的光反射率。保護膜32形成于漏極總線14之上的整個基板。
TFT20形成于柵極總線12和漏極總線14彼此相交的位置附近。TFT20 的柵極由與柵極總線12的材料相同的材料形成。TFT的源極和漏極由與漏 極總線14的材料相同的材料形成。
像素區(qū)域一般劃分為三個區(qū)域，如圖1B所示，它具有在形成存儲電容 器電極(中間電極)之處的中心部分中所設(shè)置的反射區(qū)域R與分別在圖中反 射區(qū)域R之上和之下所設(shè)置的兩個透射區(qū)域T。由與漏極總線14的材料相 同的材料所形成的反射體54形成于反射區(qū)域R中的保護膜32上。由透明導(dǎo) 電膜比如ITO所構(gòu)成的像素電極16形成于反射區(qū)域R和透射區(qū)域T中的保 護膜32上。一個像素中反射區(qū)域R和透射區(qū)域T的像素電極16彼此電連接。 確切地說，其中形成反射體54的區(qū)域構(gòu)成反射區(qū)域R。
像素電極16經(jīng)過開口電連接于反射體54，該開口通過利用蝕刻去除反 射體54上的保護膜32來設(shè)置。此外，反射體54的Mo層52通過蝕刻隨同 保護膜32—起來去除。因此，反射體54具有反射表面55，該反射表面是由 此露出的具有較高光反射率的Al層50的一部分。反射體54也起到一個存 儲電容器電極的作用。
相對基板4具有在至少一部分反射區(qū)域R中形成的透明樹脂層(透明層) 56。用于每個像素的濾色(CF)層40形成于透明樹脂層56上。在形成透明 樹脂層56的區(qū)域中，由于CF層40的厚度小于其他區(qū)域中的厚度，所以可抑制CF層40對光的吸收，并且反射區(qū)域R比透射區(qū)域T具有更高的光透 射率。由透明導(dǎo)電膜比如ITO所構(gòu)成的公共電極42在整個基板的顯示區(qū)域 形成于CF層40上。透明樹脂層(透明介電層)58在反射區(qū)域R中形成于 公共電極42上，以在反射區(qū)域R中降低施加到液晶6的有效電壓。用于控 制液晶6對齊的對齊控制凸起44由樹脂形成于透明樹脂層58上。
現(xiàn)在將描述構(gòu)成用于實現(xiàn)本發(fā)明的本模式下液晶顯示器的TFT基板2的 制造方法。首先， 一金屬層形成于玻璃基板10的整個表面上，并且被圖案 化以形成柵極總線12和存儲電容器總線18。接著，一SiN膜形成于柵極總 線12和存儲電容器總線18之上的整個基板，以提供絕緣膜30。用于TFT20 的有源半導(dǎo)體層和溝道保護膜形成于絕緣膜30上，然后，Al層50和Mo層 52以列出的次序形成于整個基板上，并且被圖案化以形成TFT20的源極和 漏極、漏極總線14和反射體54。接著，保護膜32形成于整個源極、漏極、 漏極總線14和反射體54。然后，通過蝕刻，去除TFT20的源極上的保護膜 32，以形成接觸孔。在用于實現(xiàn)本發(fā)明的本模式下，在形成接觸孔的同時， 通過蝕刻，去除反射體54上的保護膜32。該步驟利用融化SiN和Mo但不 融化Al的蝕刻劑。因此，連同反射體54上的保護膜32 —起，去除Mo層 52，以露出A1層50，并且由此形成具有高反射率的反射表面50。隨后，像 素電極16形成于像素區(qū)域的透射區(qū)域T和反射區(qū)域R中。像素電極16通過 接觸孔電連接于TFT20的源極。
在用于實現(xiàn)本發(fā)明的本模式下，反射率通過抑制反射區(qū)域R的CF層40 處的光吸收來改善。
在用于實現(xiàn)本發(fā)明的本模式下，基本施加于反射區(qū)域R中液晶6的電壓 通過形成于反射區(qū)域R中公共電極42上的透明樹脂層58來降低。因此，施 加于液晶6的電壓在各透射區(qū)域T與反射區(qū)域R之間變化。結(jié)果，即使當透 射區(qū)域T中的液晶分子非常大地傾斜時，反射區(qū)域R中的液晶分子并不會這 么大地傾斜。因此，在光一次穿過的透射區(qū)域T和光兩次穿過的反射區(qū)域R 中實現(xiàn)基本相等的光學(xué)效果，并且透射率和反射率經(jīng)受響應(yīng)于施加電壓的相 似變化。因此，在透射區(qū)域T和反射區(qū)域R中基本等效地完成顯示。制凸起(堆積)44具有使電場方向彎曲的功能。由于液晶分子傾向于變得垂
直于電場方向，因此液晶分子會這樣對齊，它們向著對齊控制凸起44傾斜。 在用于實現(xiàn)本發(fā)明的本模式下，反射體54由與TFT20的源極和漏極以 及漏極總線14的材料相同的材料形成，并且反射體具有反射表面55，這些 反射表面是具有高反射率的金屬Al層50的露出部分。在圖案化保護膜32 以形成接觸孔的同時，形成反射表面55。因此，具有高反射率的反射體55 能夠無需附加的制造步驟即可獲得。反射體54可由與TFT20的柵極和柵極 總線12的材料相同的材料形成。
而且，在用于實現(xiàn)本發(fā)明的本模式下，形成由ITO制成的像素電極16， 以便覆蓋反射表面55，并且分別形成于基板2和4上的所有電極的頂表面由 ITO構(gòu)成。這些基板因而電性對稱，因此不容易產(chǎn)生圖像后滯(persistence)。 現(xiàn)在將參照優(yōu)選實施例具體地描述用于實現(xiàn)本發(fā)明的本模式下的液晶 顯不器。
(實施例1-1)
現(xiàn)在將描述按照用于實現(xiàn)本發(fā)明的本模式下實施例1-1的液晶顯示器。 圖3表示本實施例的液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)。TFT基板2的結(jié)構(gòu)如圖3的左 側(cè)所示，圖3表示TFT基板2以及在其右側(cè)彼此成重疊關(guān)系的相對基板4。 圖4A表示沿著圖3中C-C線所得的截面結(jié)構(gòu)，圖4B表示沿著圖3中D-D 線所得的截面結(jié)構(gòu)。如圖3、 4A和4B所示， 一個像素區(qū)域在圖3中被劃分 為設(shè)置于其中部的反射區(qū)域R與分別設(shè)置于圖3的反射區(qū)域R之上和之下的 兩個透射區(qū)域T。
在透射區(qū)域T中，像素電極16形成為基本矩形的形狀(例如正方形)。 在像素電極16的外圍，為了穩(wěn)定液晶6的對齊，多個空隙60通過與柵極總 線12和漏極總線14成對角地切割電極的側(cè)緣來形成，這些空隙被圖案化為 微刺(microscope spine)的形式。對齊控制凸起44在透明區(qū)域T的中部的 相對基板4上由光阻劑形成，這些凸起44在它們的平面結(jié)構(gòu)中為菱形，并 且具有從l到2pm范圍的高度。
在反射區(qū)域R中，透明樹脂層56在相對基板4的部分中例如由PC403 或PC441 (JSR公司制造)形成。形成CF層40，以覆蓋透明樹脂層56。反射率在形成透明樹脂層56的區(qū)域中被改善，因為CF層40具有較小的厚度， 因此吸收較少量的光。透明樹脂層58還形成于公共電極42上，以降低基本 施加于反射區(qū)域R中液晶層的電壓。透明樹脂層58例如也由PC403形成。 透明樹脂層58的厚度設(shè)定于如下將描述的從大約1到1.5,范圍中的優(yōu)選 厚度。對齊控制凸起44在反射區(qū)域R的中部的透明樹脂層58上由光阻劑形 成，該凸起在它的平面結(jié)構(gòu)中為菱形，并且具有與透射區(qū)域T中的凸起相似 的從l到2pm范圍中的厚度。
圖5是表示相對于透明樹脂層58厚度的亮度/電壓特性的曲線圖。圖5 的橫坐標軸表示電極16與42之間所施加的電壓(V)，縱坐標軸表示透射 光和反射光的亮度的相對強度。如圖5所示，當未形成透明樹脂層58時， 亮度在提供透射區(qū)域T高亮度的電壓處有所減少。相反地，可以理解，當透 明樹脂層58形成為具有0.1到2.0pm范圍中的厚度時，能夠?qū)崿F(xiàn)與透射顯示 相似的特性。特別地，當透明樹脂層58具有1.5pm厚度時，亮度被最大化， 并且能夠在大約5V的施加電壓處實現(xiàn)更接近于透射顯示的特性。
反射區(qū)域R中的反射體54通過堆疊Al層50和作為上層的Mo層52來 形成，該Al層由與TFT20的源極和漏極以及漏極總線14的材料相同的材料 形成。反射體54具有反射表面55，該反射表面是通過去除上面Mo層52而 露出的Al層50。在形成保護膜(SiN膜)32之后，在通過去除保護膜32 完成用于形成連接TFT20的源極和像素電極16的接觸孔34的步驟同時，通 過去除Mo層52形成反射表面55。該步驟利用融化SiN和Mo但不融化Al 的蝕刻劑。在形成反射表面55之后，像素電極16同時形成于反射區(qū)域R和 透射區(qū)域T中。像素電極16這樣形成，它覆蓋反射表面55，以防止A1層 50接觸液晶6。
(實施例1-2)
現(xiàn)在將描述按照用于實現(xiàn)本發(fā)明的本模式下實施例1-2的液晶顯示器。 圖6表示本實施例的液晶顯示器的像素截面結(jié)構(gòu)。盡管在上述實施例1-1中 CF層40形成于透明樹脂層56上，但是在圖6所示的本實施例中透明樹脂 層56和CF層40以相反的次序形成。具體地，在完全在CF層40的厚度方 向上去除該層的一部分(例如反射區(qū)域R的中心部分)之后，在該部分上形成透明樹脂層56。因此，不具有CF層40的透明區(qū)域形成于反射區(qū)域R的 一部分中，以改善該部分的反射率。而且，公共電極42、用于降低施加于液 晶6的有效電壓的透明樹脂層58、以及對齊控制凸起44相繼地形成于透明 樹脂層56上。在本實施例中，因為透明樹脂層56形成于CF層40上，所以 有助于平坦化(leveling)。圖7表示本實施例的液晶顯示器的結(jié)構(gòu)改型。在本實施例中，在去除CF 層40的一部分之后形成公共電極42。然后，在公共電極42上已經(jīng)去除CF 層40以形成對齊控制凸起44的區(qū)域中形成透明樹脂層57。透明樹脂層57 既具有改善反射區(qū)域R中反射率的透明樹脂層56的的功能，也具有降低施 加于液晶6的有效電壓的透明樹脂層58的功能。結(jié)果，利用簡化的工藝， 能夠制造具有與圖6所示結(jié)構(gòu)的功能相同的功能的液晶顯示器。 (實施例1-3)現(xiàn)在將描述按照用于實現(xiàn)本發(fā)明的本模式下實施例1-3的液晶顯示器。 圖8表示本實施例的液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)。圖9A表示沿著圖8中E-E線 所得的液晶顯示器的截面結(jié)構(gòu)，圖9B表示沿著圖8中F-F線所得的液晶顯 示器的截面結(jié)構(gòu)。在本實施例中，詳述圖7所示的結(jié)構(gòu)，并且采取改善去除 CF層40的區(qū)域的措施。首先，在TFT基板2上形成CF層40，從該CF層 中已經(jīng)去除將要形成反射體54的完整區(qū)域(反射區(qū)域R)。隨后，公共電 極42形成于CF層42上。然后，形成透明樹脂層57，以填充已經(jīng)去除CF 層40的區(qū)域，并且對齊控制凸起44形成于透明樹脂層57上。可選地，將 要形成反射表面55的完整區(qū)域(在整體上小于反射區(qū)域R)可從CF層40 中去除。在本實施例的結(jié)構(gòu)中，由于CF層40未形成于反射區(qū)域R中，由反射體 54所反射的光將基本無色。因此，透射區(qū)域T用于反射模式下的彩色顯示。 已進入透射區(qū)域T的外部光從背光源的側(cè)面部分地反射。因為光穿過CF層 40，所以光被著色。通過利用穿過透射區(qū)域T的有色的(colored)反射光和穿 過反射區(qū)域R的無色反射光，能夠在反射模式下實現(xiàn)高亮度的彩色顯示。圖IOA表示本實施例的結(jié)構(gòu)改型。如圖10A所示，該改型的CF基板4 具有CF層40'作為透明介電層，取代圖9A所示的透明樹脂層57。在同一像素中，CF層40，的色調(diào)與CF層40的色調(diào)相同。具體地，當CF層40是紅 色時，CF層40'也是紅色；當CF層40是綠色時，CF層40，也是綠色；以及 當CF層40是藍色時，CF層40'也是藍色。由于CF層40'設(shè)置于反射區(qū)域R 中，光同樣兩次穿過CF層40'，即在光進入該層時和在光射出該層時。因此， 所用CF層40'具有低的色純度和淡的色彩。從而，使得透射區(qū)域T和反射區(qū) 域R在顯示狀態(tài)下具有相同的色彩。圖IOB表示本實施例的結(jié)構(gòu)的另一改型。如圖10B所示，與圖9A所示 透明樹脂層相似的透明樹脂層57用于該改型中，并且對CF層40進行改進。 CF層40在該層的厚度方向上被部分地(halfway)去除，從而使CF層40 的厚度在其關(guān)聯(lián)于透明樹脂層57的部分中變小，以允許色彩調(diào)整。而且， 透明樹脂層57的厚度被調(diào)整為使得液晶層的厚度基本一致。由于反射區(qū)域R 形成有CF層40厚度較小的區(qū)域59，所以也能夠?qū)Ψ瓷鋮^(qū)域R著色。參照 提供圖IOB所示結(jié)構(gòu)的方法，利用負性抗蝕劑形成CF層40，并且利用半曝 光技術(shù)，以這樣的光照射該CF層關(guān)聯(lián)于區(qū)域59的部分，該光的強度小于其 他部分中的光強度。 (實施例1-4)現(xiàn)在將描述按照用于實現(xiàn)本發(fā)明的本模式下實施例1-4的液晶顯示器。 圖11表示本實施例的液晶顯示器的截面結(jié)構(gòu)。如圖11所示，透明樹脂層57 在本實施例中具有光散射性。具有光散射性的透明樹脂層57散射已在傾斜 方向上進入該層的光，并且光到達反射體54以由其反射，當光射出時再次 被散射。由此，已在傾斜方向上進入的光在與該方向成直角的方向上射出顯 示屏。結(jié)果，能夠高亮度地進行反射顯示?？蛇x地，施加到相對基板4的觀 察者一側(cè)的偏光板70可具有光散射性。而且，具有光散射性的擴散膠可選 地應(yīng)用于偏光板70。圖12A和12B表示本實施例的改型。這些改型具有這樣的結(jié)構(gòu)，在該結(jié) 構(gòu)中，CF層40保持于反射區(qū)域R中，并且液晶層6的晶元厚度在反射區(qū)域 R中變小。在圖12A所示實例中，首先，透明樹脂層56形成于一部分或整個反射 區(qū)域R中，并且CF層40形成于該反射區(qū)域中。CF層40在透明樹脂層56上的厚度等于或小于CF層40在其他區(qū)域中的厚度。ITO所構(gòu)成的公共電極 42形成于該區(qū)域的頂表面上。結(jié)果，提供這樣一種結(jié)構(gòu)，在該結(jié)構(gòu)中，反射 區(qū)域R中的晶元厚度等于或小于透射區(qū)域T中的晶元厚度，并且CF層40 在反射區(qū)域R中的透射率大于CF層40在透射區(qū)域T中的透射率。在圖12B所示實例中，首先形成CF層40，然后將該層圖案化，以部分 或完整地去除它位于反射區(qū)域R中的部分。隨后，透明樹脂層56形成于部 分或整個反射區(qū)域R中。也就是說，透明樹脂層56形成于CF層40上和一 部分CF層40中(以及該部分上)。透明樹脂層56的厚度被調(diào)整為使得形 成透明樹脂層56的區(qū)域中的晶元厚度將等于或小于透射區(qū)域T中的晶元厚 度。結(jié)果，提供這樣一種結(jié)構(gòu)，在該結(jié)構(gòu)中，反射區(qū)域R中的晶元厚度等于 或小于透射區(qū)域T中的晶元厚度，并且CF層40在反射區(qū)域R中的透射率 大于CF層40在透射區(qū)域T中的透射率。 (實施例1-5)現(xiàn)在將描述按照用于實現(xiàn)本發(fā)明的本模式下實施例1-5的液晶顯示器。 圖13表示本實施例的液晶顯示器的截面結(jié)構(gòu)。如圖13所示，在本實施例中， 柱形間隔物(spacer)72通過以列出的次序堆疊三色的CF層40G、 40R、 40B、 公共電極42、由與透明樹脂層57的材料相同的材料所形成的樹脂層57'、以 及由與對齊控制凸起44的材料相同的材料所形成的樹脂層44'來形成。由于 樹脂層57，和44'形成于公共電極42上，所以能夠防止公共電極42與設(shè)置于 TFT基板2上的像素電極16之間短路。 (實施例1-6)現(xiàn)在將描述按照用于實現(xiàn)本發(fā)明的本模式下實施例1-6的液晶顯示器。 圖14示意地示出本實施例的液晶顯示器的結(jié)構(gòu)。如圖14所示，棱鏡板82、 擴散板84和背光單元88設(shè)置于液晶顯示面板80的后面，這些元件以它們 與該面板的接近程度的次序列出。背光單元88具有熒光管92、設(shè)置于擴散 板84后面用于引導(dǎo)來自熒光管92的光的導(dǎo)光板86、以及設(shè)置于導(dǎo)光板86 后面并且具有高的光反射率的反射體(反射部分)90。反射體90將已經(jīng)穿 過液晶顯示面板80的透射區(qū)域T的外部光向著觀察者反射。因此，即使在 CF層40未形成于反射區(qū)域R的結(jié)構(gòu)中，通過利用已經(jīng)穿過形成有CF層40的透射區(qū)域T的有色的反射光，能夠在反射模式下進行彩色顯示。特別地， 通過利用具有鍍銀表面(銀反射體)的所謂的反射體作為反射體90，能夠?qū)?現(xiàn)高反射特性。如上所述，用于實現(xiàn)本發(fā)明的本模式使得可以提供一種透反射式液晶顯 示器，該透反射式液晶顯示器即使在反射模式下仍能夠?qū)崿F(xiàn)高亮度，并且在 反射和透射模式下均能實現(xiàn)高顯示特性。[用于實現(xiàn)本發(fā)明的第二模式]現(xiàn)在將參照圖15至28，描述用于實現(xiàn)本發(fā)明的第二模式下的液晶顯示 器及其制造方法。在如圖1A至2B所示用于實現(xiàn)本發(fā)明的第一模式下液晶顯示器中，反射 表面55是平的。因此，反射光具有強的方向性，造成反射模式下顯示的視 角(viewing angle)特性的下降。而且，由于當在與顯示屏成直角的方向上觀察 已經(jīng)在傾斜于顯示屏的方向上進入的外部光時的反射率很低，所以會出現(xiàn)在 反射模式下無法獲得優(yōu)選的顯示特性的問題。圖15A表示用于實現(xiàn)本發(fā)明的本模式下液晶顯示器TFT基板的像素結(jié) 構(gòu)，其中上述問題在該結(jié)構(gòu)得到解決。圖15B是像素區(qū)域的概念圖。圖16 表示沿著圖15A中G-G線所得的液晶顯示器的截面結(jié)構(gòu)。如圖15A、 15B 和16所示，由與TFT20的柵極的材料相同的材料所形成的存儲電容器總線 18具有多個凸起18a，這些凸起基本平行于例如在所示反射區(qū)域R的下部分 中的漏極總線14而延伸，并且被圖案化為梳狀的形式。存儲電容器總線18 還具有多個開口 ，這些開口基本平行于例如在所示反射區(qū)域R的下部分中的 柵極總線12而延伸。反射區(qū)域R中的存儲電容器總線18用作形成不規(guī)則變 化(irregularity)的圖案。絕緣膜30形成于存儲電容器總線18之上的整個基板，并且反射體54 形成于在反射區(qū)域R中的絕緣膜30上。按照不規(guī)則形成圖案的形狀的不規(guī) 則變化形成于反射體54的反射表面55上，并且至少一部分反射表面55相 對于基板表面有所傾斜。盡管不規(guī)則形成圖案在本實例中由與TFT20的柵極 的材料相同的材料形成，但是形成TFT20的a-Si層或SiN層可選地用作該 圖案。明的本模式下液晶顯示器的結(jié)構(gòu)改型。如圖17所示，本改型采用具有與如圖16所示結(jié)構(gòu)相似的結(jié)構(gòu)的TFT基板2和如圖 12B所示結(jié)構(gòu)的改型的CF基板4的組合。CF基板4上的CF層40被圖案化， 使得它在一部分反射區(qū)域R中被去除。CF層40的空白部分的大小被設(shè)定為 等于或小于反射區(qū)域R的大小。透明樹脂層56設(shè)置于CF層40和反射區(qū)域 R中的空白部分上。透明樹脂層56的厚度被調(diào)整為，使得反射區(qū)域R中的 晶元厚度變?yōu)橥干鋮^(qū)域T中晶元厚度的一半。由ITO構(gòu)成的公共電極42形 成于透明樹脂層56和CF層40的頂表面上。而且，對齊控制凸起(堆積(bank)) 45形成于公共電極42上。對齊控制凸起45形成為具有大約2|am的高度， 從而它還用作間隔物。在TFT基板2上，存儲電容器總線18被圖案化以形 成不規(guī)則形成圖案，比如凸起18a或開口 18b (在圖17中未示出)。結(jié)果， 按照不規(guī)則形成圖案的形狀的不規(guī)則變化形成于反射體54的反射表面55 上。該結(jié)構(gòu)使得可以無需在用于制造透反射式液晶顯示器的普通步驟中進行 任何變化而提供具有最高等級顯示質(zhì)量的透反射式液晶顯示器。在用于實現(xiàn)本發(fā)明的本模式中，至少反射體54的一部分反射表面55能 夠形成為傾斜于基板表面。因此，已在傾斜于顯示屏的方向上進入的外部光 能夠在與顯示屏成直角的方向上被反射。這可改進反射率和視角特性。現(xiàn)在將參照其實施例，具體地描述用于實現(xiàn)本發(fā)明的本模式下的液晶顯 示器及其制造方法。(實施例2-1)首先，將描述按照用于實現(xiàn)本發(fā)明的本模式下實施例2-1的液晶顯示器。 圖18表示本實施例的液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)。如圖18所示，在像素區(qū)域中 部的反射區(qū)域R中，在形成TFT20的柵極和存儲電容器總線18的同時，兩 個不規(guī)則形成圖案62形成于存儲電容器總線18的兩側(cè)上，這些圖案由與該 柵極和存儲電容器總線18的材料相同的材料形成。不規(guī)則形成圖案62和存 儲電容器總線18具有在它們之間所留下的預(yù)定間隙(由符號*表示)，以使 它們彼此電性隔離。也就是說，不規(guī)則形成圖案62處于電漂移狀態(tài)。不規(guī) 則形成圖案62形成有基本矩形的輪廓，并且它們具有多個圓形開口 64。圖19表示本實施例的液晶顯示器的結(jié)構(gòu)改型。如圖19所示，在像素區(qū)域中部的反射區(qū)域R中，用于形成不規(guī)則變化的多個圓形圖案62由與TFT20 的柵極的材料相同的材料形成。多個不規(guī)則形成圖案62與存儲電容器總線 18電性隔離，并且處于電漂移狀態(tài)。圖20表示本實施例的液晶顯示器另一改型的主要部分的結(jié)構(gòu)。在本該 型中，形成具有與圖19中結(jié)構(gòu)相似的結(jié)構(gòu)的多個獨立不規(guī)則形成圖案62d。 具有與圖18中結(jié)構(gòu)相似的結(jié)構(gòu)的多個開口 62e形成于一部分存儲電容器總 線18中。被圖案化以形成開口 62e的存儲電容器總線18的區(qū)域還用作不規(guī) 則形成圖案。為了保持存儲電容器總線18的阻抗恒定，被圖案化以形成開 口 62e的存儲電容器總線18的區(qū)域的寬度18d大于存儲電容器總線18在其 他區(qū)域中的寬度18c。而且，為了防止干涉，每個不規(guī)則形成圖案62d和開 口 62e不規(guī)則地對齊。由于即使在存儲電容器總線18之上的區(qū)域中，不規(guī) 則變化仍能這樣形成于反射體54的表面上，所以能夠在反射模式下以更高 亮度進行顯示。(實施例2-2)現(xiàn)在將描述按照用于實現(xiàn)本發(fā)明的本模式下實施例2-2的液晶顯示器及 其制造方法。圖21表示本實施例的液晶顯示器的反射區(qū)域R的截面結(jié)構(gòu)。 如圖21所示，本實施例的液晶顯示器具有在結(jié)構(gòu)上與圖15A、 15B和16中 所示結(jié)構(gòu)相似的不規(guī)則形成圖案62。不規(guī)則形成圖案62具有金屬層(導(dǎo) 體層)62a，由與TFT20的柵極和存儲電容器總線18的材料相同的材料形成; a-Si層(半導(dǎo)體層)62b，設(shè)置于金屬層62a上(二者之間插置有絕緣膜30)， 并且由與TFT20的有源半導(dǎo)體層的材料相同的材料形成；以及SiN膜(介電 層)62c，利用與TFT20的溝道保護膜的材料相同的材料形成于a-Si層62b 上?？蛇x地，不規(guī)則形成圖案62可由金屬層62a和SiN膜62c構(gòu)成。金屬 層62a、 a-Si層62b和SiN膜62c都具有基本相同的平面結(jié)構(gòu)。參照用于形成本實施例的不規(guī)則形成圖案62的步驟，首先， 一金屬層 形成于玻璃基板10的整個表面上，并且被圖案化以隨同柵極和存儲電容器 總線18 —起同時形成金屬層62a。接著，絕緣膜30形成于金屬層62a之上 的整個基板。然后，a-Si層和SIN膜以列出的次序，形成于絕緣膜30的整 個頂表面上。然后，將抗蝕劑施加于SiN膜的整個頂表面上，并且利用金屬層62a作為掩模，進行背部曝光(backexposnre)。隨后，進行顯影以形成一具 有與金屬層62a的形狀相同的形狀的抗蝕圖案。接著，利用該抗蝕圖案作為 掩模，僅蝕刻SiN膜或者蝕刻SiN膜和a-Si層，以(可能與a-Si層62b —起) 形成具有與金屬層62a的形狀相同的形狀的SiN膜62c。如上所述，在本實 施例中，通過進行背部曝光，(可能與a-Si層62b—起)形成SiN膜62c。 在本實施例中，由于不規(guī)則形成圖案62可具有更大的實際(substantial)厚 度，所以能夠在反射體55上提供更大的不規(guī)則變化。 (實施例2-3 )現(xiàn)在將描述按照用于實現(xiàn)本發(fā)明的本模式下實施例2-3的液晶顯示器及 其制造方法。圖22表示本實施例的液晶顯示器的反射區(qū)域R的截面結(jié)構(gòu)。 如圖22所示，在本實施例的液晶顯示器中，構(gòu)成不規(guī)則形成圖案62的金屬 層62a、 a-Si層62b和SiN膜62c在平面結(jié)構(gòu)上彼此不同?？蛇x地，不規(guī)則 形成圖案62可由金屬層62a和SiN膜62c構(gòu)成。參照用于形成本實施例的不規(guī)則形成圖案62的步驟，首先， 一金屬層 形成于玻璃基板10的整個表面上，并且被圖案化，以隨同柵極和存儲電容 器總線18 —起，同時形成金屬層62a。接著，絕緣膜30形成于金屬層62a 之上的整個基板。然后，a-Si層和SiN膜以列出的次序，形成于絕緣膜30 的整個頂表面上。然后，將抗蝕劑施加于SiN膜的整個頂表面，并且利用預(yù) 定光掩模，從基板上方進行曝光。隨后，進行顯影以形成具有預(yù)定形狀的抗 蝕圖案。接著，利用該抗蝕圖案作為掩模，僅蝕刻SiN膜或者蝕刻SiN膜和a-Si 層，以(與a-Si層62b) —起形成具有預(yù)定形狀的SiN膜62c。如上所述， 在本實施例中，通過從基板上方進行曝光，而非背部曝光，(與a-Si層62b 一起)形成SiN膜62c。圖23表示按照本實施例的液晶顯示器的不規(guī)則形成圖案62的結(jié)構(gòu)實 例。如圖23所示，多個同心金屬層62a形成于像素中部的反射區(qū)域R中。 基本平行于柵極總線12延伸的多個SiN膜62c和a-Si層62b形成于一部分 反射區(qū)域R中，該部分位于圖中存儲電容器總線18之上，并且基本平行于 漏極總線14延伸的多個SiN膜62c和a-Si層62b形成于一部分反射區(qū)域R中，該部分位于圖中存儲電容器總線18之下。因此，不規(guī)則形成圖案62由 在平面結(jié)構(gòu)上彼此不同的金屬層62a、 a-Si層62b和SiN膜62c構(gòu)成。 (實施例2-4)現(xiàn)在將描述按照用于實現(xiàn)本發(fā)明的本模式下實施例2-4的液晶顯示器及 其制造方法。圖24表示本實施例的液晶顯示器的反射區(qū)域R的截面結(jié)構(gòu)。 如圖24所示，在本實施例的液晶顯示器中，不規(guī)則形成圖案62具有金屬層 62a、 a-Si層62b和SiN膜62c， a-Si層62b和SiN膜62c僅形成于金屬層62a 上，并且被圖案化為小于金屬層62a?？蛇x地，不規(guī)則形成圖案62可通過金 屬層62a和SiN膜62c構(gòu)成。參照用于形成本實施例的不規(guī)則形成圖案62的步驟，首先， 一金屬層 形成于玻璃基板10的整個表面上，并且被圖案化以隨同柵極和存儲電容器 總線18 —起同時形成金屬層62a。接著，絕緣膜30形成于金屬層62a之上 的整個基板。然后，a-Si層和SiN膜以列出的次序，形成于絕緣膜30的整 個頂表面上。然后，將抗蝕劑施加于SiN膜的整個頂表面，并且利用金屬層 62a作為掩模進行背部曝光。相繼地，利用預(yù)定光掩模，從基板上方進行曝 光和顯影，以形成一抗蝕圖案，該抗蝕圖案僅設(shè)置于金屬層62a上，并且被 圖案化為小于金屬層62a。接著，利用該抗蝕圖案作為掩模，僅蝕刻SiN膜 或者蝕刻SiN膜和a-Si層，以(與a-Si層62b —起)形成SiN膜62c，該SiN 膜僅設(shè)置于金屬層62a上，并且被圖案化為小于金屬層62a。如上所述，在 本實施例中，通過進行背部曝光和從基板上方進行曝光，(與a-Si層62b — 起)形成SiN膜62c。圖25和26表示按照本實施例的液晶顯示器的不規(guī)則形成圖案62的結(jié) 構(gòu)實例。如圖25所示，兩個金屬層62a形成于像素中部的反射區(qū)域R中， 所述金屬層設(shè)置于存儲電容器總線18的兩側(cè)上。兩個金屬層62a均具有基 本矩形的輪廓。多個圓形開口 64形成于位于圖中存儲電容器總線18之上的 金屬層62a中。而且，形成有多個SiN膜62c和a-Si層62b，它們以與金屬 層62a相重疊的關(guān)系，僅設(shè)置于金屬層62a之上，并且被圖案化以小于金屬 層62a。多個SiN膜62c和a-Si層62b基本同心地形成。因此，不規(guī)則形成 圖案62由金屬層62a、 a-Si層62b和SiN膜62c構(gòu)成。(實施例2-5)現(xiàn)在將描述按照用于實現(xiàn)本發(fā)明的本模式下實施例2-5的液晶顯示器。圖27表示本實施例的液晶顯示器一個像素的像素電極的結(jié)構(gòu)。圖28表示沿 著圖27中H-H線所得的液晶顯示器的截面結(jié)構(gòu)。如圖27和28所示，例如， 由PC403制成的透明樹脂層26形成于TFT20上。在透明樹脂層26的一部 分表面中(用作反射區(qū)域R的區(qū)域附近)形成不規(guī)則變化。利用下述任一種 方法形成不規(guī)則變化，在一種方法中，利用紫外線照射透明樹脂層以改變其 表面，并且隨后進行退火以在該表面上形成褶皺，在另一種方法中，利用預(yù) 定光掩模進行圖案化曝光(包括半曝光)，以在透明樹脂層26上形成不規(guī) 則圖案。用于露出TFT20的源極22的接觸孔34形成于透明樹脂層26中。 由ITO構(gòu)成的像素電極16在透明樹脂層26上形成為預(yù)定形狀。按照透明樹 脂層26表面上不規(guī)則變化的不規(guī)則變化形成于像素電極16表面上待用作反 射區(qū)域R的區(qū)域附近。由Al制成的反射電極24形成于像素電極16上的反 射區(qū)域R中。如圖27所示，反射電極24設(shè)置于基本為方形的像素電極16 的圖案中部。按照像素電極16表面上不規(guī)則變化的不規(guī)則變化形成于反射 電極24的表面上，并且至少一部分的該表面(反射表面)相對于基板表面 有所傾斜。在相對于上述元件而設(shè)置的相對基板4的玻璃基板11上，CF層40形 成于形成有反射電極24的反射區(qū)域R之外的區(qū)域中。公共電極42形成于 CF層40之上的整個基板。透明樹脂層57形成于反射區(qū)域R中的公共電極 42上。在本實施例中，反射電極24的至少一部分表面能夠形成為傾斜于基板 表面。因此，已在傾斜于顯示屏的方向上進入的外部光能夠在與顯示屏成直 角的方向上被反射。這可改善反射率和視角特性。如上所述，用于實現(xiàn)本發(fā)明的本模式使得可以提供一種液晶顯示器，該 液晶顯示器即使在反射模式下仍能夠?qū)崿F(xiàn)高亮度，并且在反射和透射模式下 均能實現(xiàn)高顯示特性。[用于實現(xiàn)本發(fā)明的第三模式]現(xiàn)在將參照圖29至39C,描述用于實現(xiàn)本發(fā)明的第三模式下的液晶顯不器。圖29表示按照非專利文件2中所公開的相關(guān)現(xiàn)有技術(shù)的反射式液晶顯 示器的結(jié)構(gòu)。如圖29所示，液晶106密封于彼此相對設(shè)置的一對基板102 與104之間。液晶106的對齊狀態(tài)是彎曲對齊，也稱為"ROCB"。具有鏡面 形式的平坦反射表面的反射電極116形成于面向液晶106的基板102的表面 上。由透明導(dǎo)電膜所構(gòu)成的公共電極142形成于面向液晶106的另一基板104 的表面上。相差(phase difference)膜(1/4波板)120、偏光板122和光路 徑控制膜124以列出的次序，設(shè)置于構(gòu)成面板外部(exterior)的基板104 — 側(cè)(觀察者一側(cè))上。外部入射光的光路徑通過光路徑控制膜124彎曲。然后，光到達反射電 極116，并且被該反射電極反射以向著觀察者射出該面板。由于存在可透射 光并且同時擴散光的光路徑控制膜124，所以在光路徑控制膜124的表面上 反射的光束具有與穿過光路徑控制膜124并且在反射電極116表面反射的光 束不同的光路徑。因此，當觀察者觀察屏幕時，顯示屏上的顯示將不會與外 部光重疊，這允許更清楚地觀察顯示圖像。然而，如圖29所示反射式液晶顯示器的結(jié)構(gòu)尚未與透射式成功地組合。 其原因在于，基于光在反射式中兩次穿過液晶106的假設(shè)，液晶106被定向 為混合對齊?；旌蠈R具有這樣的問題，因為雙折射小得無法使用于透射式 中，使得白色無法充分地顯示。還有另一問題是該對齊所提供的視角特性對 于透射式來說太低。如圖47A和47B所示的透反射式液晶顯示器與如圖29所示的反射式液 晶顯示器的相似之處在于，反射電極116形成于液晶顯示器面板內(nèi)部，但不 同的是在反射電極116的反射表面上形成不規(guī)則變化。圖30A和30B是表示 如圖47A和47B所示透反射式液晶顯示器的操作的截面圖。圖30A表示無 電壓施加于液晶106的狀態(tài)，圖30B表示預(yù)定電壓施加于液晶106的狀態(tài)。 如圖30A所示，因為液晶分子垂直于基板表面對齊，所以當無電壓作用時， 液晶106對光不產(chǎn)生光學(xué)效果。當進行反射顯示時，已穿過偏光板122的光 在穿過1/4波板120之后進入液晶106，并且光在被反射電極116反射之后 再次穿過l/4波板120。也就是說，因為光兩次穿過l/4波板120，光的極化方向旋轉(zhuǎn)90。。因此，光被偏光板122吸收。這樣，在反射模式下顯示黑色。 當進行透射顯示時，已穿過背光單元188側(cè)面上的偏光板122的光在穿 過1/4波板120之后進入液晶106，并且光穿過觀察者一側(cè)上的1/4波板120。 也就是說，因為光兩次穿過1/4波板120，所以光的極化方向旋轉(zhuǎn)90。。因此， 光被觀察者一側(cè)上的偏光板122吸收。這樣，在透射模式下顯示黑色。在施加預(yù)定電壓的狀態(tài)下，由于液晶分子相對于基板表面傾斜，所以液 晶106對光施加預(yù)定的光學(xué)效果。如圖30B所示，已穿過偏光板122的光的 極化方向由液晶106改變。結(jié)果，在反射和透射模式下均顯示白色。在該結(jié)構(gòu)中，需要提供不規(guī)則的反射電極116。除用于制造透射式液晶 顯示器的普通工藝之外，不規(guī)則反射電極116的形成使得形成和圖案化樹脂 層以及形成反射電極116等制造工藝成為必要。這造成液晶顯示器制造成本 的顯著增加。圖31表示按照專利文件4中所述相關(guān)現(xiàn)有技術(shù)的透反射式液晶顯示器 的結(jié)構(gòu)。如圖31所示，在透反射式液晶顯示器中，像素區(qū)域被劃分為反射 區(qū)域R和透射區(qū)域T。反射電極116形成于反射區(qū)域R中，透明像素電極 117形成于透射區(qū)域T中。反射區(qū)域R中的晶元厚度小于透射區(qū)域T中的晶 元厚度，因為絕緣膜118形成于TFT基板102上。在透射區(qū)域T中，來自背 光單元188的光在一次穿過液晶層106之后向著觀察者射出。在反射區(qū)域R 中，已從其頂表面進入液晶面板的光被反射電極116反射，并且光在兩次穿 過液晶層106之后向著觀察者射出。因此，如果反射區(qū)域R中的晶元厚度等 于透射區(qū)域T中的晶元厚度，反射區(qū)域R中的延遲將是透射區(qū)域T中的延遲 的兩倍。結(jié)果，當反射電極116和像素電極117在同一電壓時，反射區(qū)域R 和透射區(qū)域T具有彼此完全不同的顏色層次(gradation)。例如，當在透射 模式下顯示白色時，反射模式下的顯示具有黃色的色彩。為了防止這一點， 在圖31所示的結(jié)構(gòu)中，使反射區(qū)域R中的晶元厚度小于透射區(qū)域T中的晶 元厚度，以使得反射區(qū)域R和透射區(qū)域T在延遲上彼此盡可能地接近。在消 除反射區(qū)域R與透射區(qū)域T中的顏色層次差異方面，最有效的是使得反射區(qū) 域R中的晶元厚度小于透射區(qū)域T中的晶元厚度。然而，需要形成用于減小反射區(qū)域R中晶元厚度的結(jié)構(gòu)(絕緣膜118)，以使得反射區(qū)域R中的晶元厚度小于透射區(qū)域T中的晶元厚度。該結(jié)構(gòu)會在構(gòu)成反射區(qū)域R與透射區(qū)域T之間邊界的部分中降低液晶106的對齊穩(wěn)定 性。特別地，當液晶106處于垂直對齊(其消除對摩擦步驟的需要)時，液 晶106的對齊通過該結(jié)構(gòu)來調(diào)整。由此使得不能夠進行正確的對齊定向，這 會造成顯示粗糙和對齊缺陷。專利文件9公開一種與上述不同的透反射式液晶顯示器。該透反射式液 晶顯示器與如圖31所示結(jié)構(gòu)相似的是， 一個像素被劃分為反射區(qū)域R和透 射區(qū)域T,但不同的是反射區(qū)域R中的CF層的結(jié)構(gòu)。反射區(qū)域R包括具有 CF層的部分和不具有CF層的部分，這比CF層形成于整個反射區(qū)域R的情 況能夠提供更高的亮度，盡管色度有所減少。然而在該結(jié)構(gòu)中，由于CF層在一部分反射區(qū)域中被去除，所以在上面 形成有CF層的基板表面上形成臺階(step)。該臺階會產(chǎn)生惡化顯示特性的 晶元厚度變化或者液晶對齊的不規(guī)則。用于實現(xiàn)本發(fā)明的本模式可解決上述問題，其采取這樣的措施，通過減 少反射區(qū)域R與透射區(qū)域T中顏色層次之間的差異，以改進液晶在垂直對齊 中的對齊穩(wěn)定性，并且通過使得反射區(qū)域R與透射區(qū)域T之間所形成的臺階 很小，以改進液晶在垂直對齊時的對齊穩(wěn)定性。圖32表示用于實現(xiàn)本發(fā)明的本模式下液晶顯示器的TFT基板上的像素 結(jié)構(gòu)。圖33A表示沿著圖32中I-I線所得的液晶顯示器的截面結(jié)構(gòu)，圖33B 表示沿著圖32中J-J線所得的液晶顯示器的截面結(jié)構(gòu)。如圖32、 33A和33B 所示，用于實現(xiàn)本發(fā)明的本模式下的液晶顯示器具有相對基板4，其上形 成公共電極42; TFT基板2，其上形成像素電極16;以及垂直對齊型液晶6， 密封于彼此相對設(shè)置的基板2與4之間。TFT基板2上像素的結(jié)構(gòu)如下所述。柵極總線12、漏極總線14和TFT20形成于TFT基板2上。第一絕緣樹 脂層36，比如透明樹脂層或濾色層，形成于三者上。反射體53形成于絕緣 樹脂層36上的反射區(qū)域R中。其中形成有反射體53的反射區(qū)域R設(shè)置于像 素區(qū)域的外圍，該像素區(qū)域包括柵極總線12、漏極總線14和TFT20之上的 區(qū)域。反射體53處于電漂移狀態(tài)，或者處于與公共電極42相同的電勢或處 于地(ground)電勢。第二絕緣樹脂層37形成于反射體53的整個頂表面上。具有由透明金屬層比如ITO構(gòu)成的預(yù)定形狀的像素電極16形成于絕緣樹脂層37上的透射區(qū)域T(和部分反射區(qū)域R)中。透射區(qū)域T設(shè)置于反射區(qū)域 R內(nèi)像素的中心部分。形成于透射區(qū)域T中的像素電極16設(shè)置于與反射體 53的開口相對應(yīng)的區(qū)域中，并且位于反射體53之上的一層中，從層結(jié)構(gòu)的 觀點來看，絕緣膜樹脂層37插置于像素電極16和反射體53之間。液晶顯示器面板被夾入在一對圓形偏光板之間，每個圓形偏光板由偏光 板和1/4波板構(gòu)成。這些偏光板的光軸彼此成直角。光路徑控制膜被應(yīng)用于 位于觀察者一側(cè)的偏光板。背光源設(shè)置于液晶顯示器面板的背部。當無電壓作用時，液晶分子垂直于基板表面對齊。首先，當外部光進入 時，光在反射區(qū)域R中被反射體53反射。由于設(shè)置有圓形偏光板，反射的 光被偏光板吸收。因而顯示黑色。已從背光源進入的光穿過其中未形成反射 體53的透射區(qū)域T。因為液晶是垂直對齊的，所以已穿過液晶顯示器面板背 部上圓形偏光板的光被透射，而其極化狀態(tài)不會產(chǎn)生變化。透射的光被觀察 者一側(cè)上的圓形偏光板吸收。因而顯示黑色。當施加電壓時，由于液晶分子傾斜，所以液晶層表現(xiàn)出作為光學(xué)效果的 雙折射，由此產(chǎn)生光極化狀態(tài)的變化。外部入射光的極化狀態(tài)因而改變，并 且反射的光穿過觀察者一側(cè)上的圓形偏光板。因而顯示灰色或白色。類似地， 已從背光源進入的光還經(jīng)歷極化狀態(tài)的變化，并且穿過觀察者一側(cè)上的圓形 偏光板。因而顯示灰色或白色?，F(xiàn)在將描述反射區(qū)域R和透射區(qū)域T中的液晶對齊狀態(tài)和顯示顏色層 次。由于像素電極16形成于透射區(qū)域T中，圖33A的區(qū)域a中的液晶分子 基于在像素電極16與公共電極42之間施加的電壓來驅(qū)動。因此。透明區(qū)域 T表現(xiàn)出與按照相關(guān)現(xiàn)有技術(shù)的結(jié)構(gòu)相似的電壓/顏色層次特性。需要對反射 區(qū)域R進行考慮。圖33A的區(qū)域p中的液晶分子僅由透射區(qū)域T中的像素 電極16驅(qū)動。像素電極16僅形成于反射區(qū)域R的一部分外圍部分中。在反 射區(qū)域R中，液晶分子因此由像素電極16的外圍部分所產(chǎn)生的傾斜電場來 驅(qū)動。在反射區(qū)域R中，顏色層次僅由傾斜電場所造成的液晶分子的傾斜來 表示。結(jié)果，作用于整個反射區(qū)域R中液晶層的有效電壓低于透射區(qū)域T中 的電壓。因此能夠減少在光兩次穿過液晶層的反射區(qū)域R與光僅一次穿過的27透射區(qū)域T之間的顏色層次顯示差異。當CF層設(shè)置于TFT基板2上的反射體53之下時，CF層僅對透射區(qū)域 T施加其效果。這樣的結(jié)構(gòu)可消除對這樣的步驟的需要，該步驟用于在反射 區(qū)域R的相對基板4上所設(shè)置的CF層40上提供開口 。而且，當為反射模式下的顯示而最優(yōu)化的CF層設(shè)置于反射體53之上或 相對基板4上時，由于去除一部分CF層40的結(jié)果不會在像素區(qū)域中形成臺 階，所以各反射區(qū)域R和透射區(qū)域T中的濾色條件都能夠最優(yōu)化。反射區(qū)域R中的光擴散性能夠通過在設(shè)置于反射體53之下的CF層中提 供孔來加以改善。而且，用于散射在預(yù)定方向上進入的光的膜(光散射層) 可設(shè)置于相對基板4的觀察者一側(cè)上。在用于實現(xiàn)本發(fā)明的本模式下，無需使得反射區(qū)域R中的晶元厚度小于 透射區(qū)域T中的晶元厚度。反射區(qū)域R中的晶元厚度基本等于或大于透射區(qū) 域T中的晶元厚度。現(xiàn)在將參照優(yōu)選實施例，具體地描述用于實現(xiàn)本發(fā)明的本模式下的液晶 顯示器。(實施例3-l)首先，參照圖32、 33A和33B，描述按照實施例3-1的液晶顯示器。本 實施例的液晶顯示器的像素間距在縱向方向(漏極總線14延伸的方向；這 在如下描述中也適用)上為300nm，在橫向方向(柵極總線12延伸的方向； 這在如下描述中也適用)上為100pm。均具有7pm寬度的漏極總線14和柵 極總線12形成于TFT基板2上。漏極總線14和柵極總線12彼此交叉，其 間插入有絕緣膜30。絕緣膜30由主要由Si02組成的薄膜層構(gòu)成。TFT20 形成于漏極總線14和柵極總線12彼此交叉的位置附近。TFT20的源極22 向上延伸到關(guān)聯(lián)像素的開口部分，該電極由與漏極總線14相同的層構(gòu)成。 在該像素中部，存儲電容器由平行于柵極總線12延伸的存儲電容器總線18 與形成于每個像素的存儲電容器電極19形成。具有大約2pm厚度和大約3.5的相對介電常數(shù)的第一絕緣樹脂層36形 成于TFT基板2上，如上所述，在該TFT基板上已形成有TFT20、漏極總 線14和柵極總線12。絕緣樹脂層36由具有高透明度的樹脂比如丙烯酸樹脂形成。用于露出源極22襯墊(pad)部分的接觸孔34形成于絕緣樹脂層36 中。接觸孔34的大小為10xl0pm2。反射體53形成于絕緣樹脂層36上。反射體53通過將Al薄膜噴濺到絕 緣樹脂層36的整個頂表面上和利用照相平版印刷術(shù)(photolithography)噴 濺Al薄膜來形成，從而使該膜被留置在延伸到每個像素之中、與每條總線 12和14的邊緣相距7pm的區(qū)域中。經(jīng)過接觸孔34連接于源極22的連接電 極53'可在形成反射體53的同時形成。具有大約2.5pm厚度和大約3.5的相對介電常數(shù)的第二絕緣膜37形成于 反射體53之上的整個基板。與絕緣樹脂層36相似，絕緣樹脂層37由具有 高透明度的樹脂比如丙烯酸樹脂形成。與絕緣樹脂層36的接觸孔相似的 10xl0pi^的接觸孔34形成于絕緣樹脂層37中，用于露出源極22的襯墊部 分。像素電極16形成于絕緣樹脂層37上。像素電極16通過在絕緣樹脂層 37的整個頂表面上噴濺ITO以在其上形成透明導(dǎo)電膜和通過利用照相平版 印刷術(shù)將透明導(dǎo)電膜圖案化來設(shè)置。像素電極16形成于反射體53的開口處， 并且被圖案化為使得它們與反射體53的邊緣位置對齊。像素電極16和反射 體53彼此電性獨立。像素電極16經(jīng)過接觸孔34電連接于源極22。一個像素中的像素電極16通過組合彼此電連接的多個電極單元17來構(gòu) 成。例如，如圖32所示像素電極16由對齊于像素區(qū)域縱向方向上的六個電 極單元17構(gòu)成。每個電極單元17的大小為35x78pm2，并且鄰接電極單元 17之間的切口具有8pm的寬度。除像素區(qū)域的外圍部分之外，反射體53還 可形成于這些切口中。電極單元17具有設(shè)置于其中部的固體(solid)電極17a;以及梳形電極 17b，從固體電極17a的外圍向著電極單元17的外圍延伸。固體電極17a為 25x60ian^的矩形形式。梳形電極17b包括具有5pm寬度和15pm長度的電 極17c (隨后稱為"中樞電極")，該電極17c從固體電極17a周圍每側(cè)中心 向著電極單元17的外圍延伸，基本垂直于該固體電極的各側(cè)邊。除固體電 極17a之外的區(qū)域因而在構(gòu)成邊界的中樞電極17c處被劃分為四個對齊區(qū)域。 起始于固體電極17a外圍和終止于電極單元17外圍的線狀電極17d形成于每個對齊區(qū)域中，這些電極在每個對齊區(qū)域中在不同方向上延伸。具體地， 每個對齊區(qū)域中的線狀電極17d彼此平行，并且線狀電極17d在從電極單元17的中心部分向著電極單元17周圍各頂點的方向上對角地延伸。線狀電極 17d具有3pm的寬度，并且鄰接線狀電極17d之間的切口具有3pm的寬度。 電極單元17外圍的梳形電極17b的末端形成為看起來它們好像是依從電極 單元17周圍側(cè)邊而切割的。當垂直于基板表面觀察時，梳形電極17b與反 射體53部分地重疊，并且梳形電極17b的一些末端位于反射體53的開口邊 緣外。一個像素中的像素單元17必須彼此電連接。為此，連接電極15通過使 面向另一電極單元17的每個中樞電極17c延伸穿過從固體電極17a延伸的中 樞電極17c之間的切口來形成。也就是說，連接電極15連接于電極單元17 周圍側(cè)邊的中心部分，這些電極單元與其他電極單元17相鄰，其間插入有 切口。在本實施例中，由于在像素區(qū)域橫向方向上僅有一個電極單元17，所 以連接電極15僅設(shè)置于縱向方向上。沒有黑色矩陣設(shè)置于相對基板4上。設(shè)置于TFT基板2上的反射體53 用作透射區(qū)域T中黑色矩陣的替代物。紅色、綠色和藍色的CF層40 (在圖 33A和33B中未示出)形成于相對基板4上。CF層40僅設(shè)置于透射區(qū)域T 即反射區(qū)域R的開口中，并且未設(shè)置于反射區(qū)域R中。具有基本等于或小于 CF層40厚度的厚度的透明樹脂層57 (圖中未示出)形成于反射區(qū)域R中。 由ITO構(gòu)成的公共電極42形成于CF層40和透明樹脂層57的整個表面上。 由丙烯酸樹脂制成、具有10pm直徑和2pm厚度的對齊控制凸起44形成于 公共電極42上與TFT基板2上的電極單元17的中心部分相對應(yīng)的區(qū)域中。 提供對齊控制凸起44使得形成于TFT基板2上電極單元17中心部分的奇點 (singular points)S = +1更明顯。對齊膜形成于基板2和4的頂表面上。對齊膜在正常狀態(tài)下具有垂直對 齊屬性，并且在垂直于基板表面(對齊膜表面)的方向上對齊液晶分子。用 于實現(xiàn)本發(fā)明的本模式下的液晶顯示器是通過注入和密封在晶元中具有負 介電常數(shù)各向異性的液晶6來制造的，該液晶通過組合上述TFT基板2和相 對基板4來提供。當正常地驅(qū)動本實施例中的液晶顯示器時，將如下所述實現(xiàn)對齊劃分。 在設(shè)置有梳形電極17b的區(qū)域中，液晶分子在由梳形電極17b所形成的切口延伸的方向上對齊。在剩余區(qū)域或形成固體電極17a的區(qū)域中，液晶向著電 極單元17中心對齊，因為固體電極17a外圍處的傾斜電場或者梳形電極17b 從外部施加的液晶定向。因此，能夠?qū)崿F(xiàn)四個大致方向上的對齊劃分。 (實施例3-2)現(xiàn)在將描述按照用于實現(xiàn)本發(fā)明的本模式下實施例3-2的液晶顯示器。 圖34表示本實施例的液晶顯示器TFT基板上的像素結(jié)構(gòu)。圖35表示沿著圖 34中K-K線所得的液晶顯示器的截面結(jié)構(gòu)。如圖34和35所示，本實施例 的液晶顯示器的特征在于，沒有(或基本沒有)像素電極16和反射體53彼 此重疊的區(qū)域，并且當垂直于基板表面觀察時，反射體53中的開口邊緣和 像素電極16的邊緣基本彼此對齊，這與實施例3-l不同。像素電極16的邊 緣可位于反射體53中的開口邊緣內(nèi)。本實施例的液晶顯示器的特征在于， 電極單元17僅由固體電極17a構(gòu)成，并且未形成有梳形電極17b。在本實施例的液晶顯示器中，由于反射區(qū)域R中的液晶分子由像素電極 16邊緣處的傾斜電場驅(qū)動，所以在驅(qū)動過程中能夠使作用于液晶6的有效電 壓小于作用于透射區(qū)域T的電壓。結(jié)果，對于反射模式下的顯示而最理想的 電壓能夠被施加于反射區(qū)域R中的液晶6，這使得在反射模式下實現(xiàn)較佳顯 示成為可能。(實施例3-3)現(xiàn)在將描述按照用于實現(xiàn)本發(fā)明的本模式下實施例3-3的液晶顯示器。 圖36表示本實施例的液晶顯示器TFT基板上的像素結(jié)構(gòu)。圖37表示沿著圖 36L-L線所得的液晶顯示器的截面結(jié)構(gòu)。如圖36和37所示，在本實施例中， 僅電極單元17的固體電極17a形成于透射區(qū)域T中，并且僅電極單元17的 梳形電極17b形成于反射區(qū)域R中。在本實施例的液晶顯示器中，由于反射區(qū)域R中的液晶分子由梳形電極 17b驅(qū)動，所以在驅(qū)動過程中能夠使作用于液晶分子6的有效電壓小于作用 于透射區(qū)域T的有效電壓。結(jié)果，對于反射模式下的顯示而最理想的電壓能 夠被施加于反射區(qū)域R中的液晶6，這使得在反射模式下實現(xiàn)較佳顯示成為可能。固體電極17a和梳形電極17b可形成于透射區(qū)域T中，并且包括在數(shù)量 上比在透射區(qū)域T中少的線狀電極17d的梳形電極17b可形成于反射區(qū)域R 中?？蛇x地，可使得在反射區(qū)域R中鄰接梳形電極17b之間的每個間隙(鄰 接線狀電極17d之間的間隙)大于透射區(qū)域T中鄰接梳形電極17b之間的每 個間隙。盡管已經(jīng)在實施例3-1至3-3的實例中引用具有固體電極17a和梳形電 極17b的電極單元17，但是還可使用不具有固體電極17a的電極單元17。 這樣的電極單元17具有包括多個線狀電極17d的梳形電極17b，這些線狀電 極從電極單元17的中心部分向著電極單元17的外圍延伸。同樣在這種情況 下，反射區(qū)域R中線狀電極17d的數(shù)量可小于透射區(qū)域T中線狀電極17d的 數(shù)量?？蛇x地，可使反射區(qū)域R中鄰接梳形電極17b之間的每個間隙大于透 射區(qū)域T中鄰接梳形電極17b之間的每個間隙?，F(xiàn)在將描述用于實現(xiàn)本發(fā)明的本模式下液晶顯示器CF層的結(jié)構(gòu)。圖38A 至39C表示用于實現(xiàn)本發(fā)明的本模式下液晶顯示器CF層的結(jié)構(gòu)實例。圖38A表示CF層結(jié)構(gòu)的第一實例。如圖38A所示，CF層40R、 40G 和40B僅形成于相對基板4上。在本實例中，絕緣樹脂層36形成于TFT基 板2上的漏極總線14上，并且Al薄膜形成于絕緣樹脂層36上，并被圖案 化以形成反射體53。然后，絕緣樹脂層37形成于反射體53上，并且像素電 極16形成于絕緣樹脂層37上。在該結(jié)構(gòu)中，利用構(gòu)成單層的CF層40R、 40G和40B，在透射區(qū)域T和反射區(qū)域R中進行著色。當在透射區(qū)域T中恰 當?shù)剡M行著色時，在光兩次穿過CF層40R、 40G和40B的反射區(qū)域R中會 出現(xiàn)過度著色。圖38B表示CF層結(jié)構(gòu)的第二實例。如圖38B所示，在本實例中，CF 層41R、 41G和41B設(shè)置于TFT基板2上的漏極總線14上。當不同色彩的 CF層41R、 41G和41B形成于鄰接像素中時，這些層會以一定的重疊寬度 重疊。其原因在于反射體53設(shè)置于CF層41R、41G和41B的觀察者一側(cè)上， 并且在透射和反射模式下的顯示期間，CF層41R、 41G和41B之間的重疊 因此不可見。在形成CF層41R、 41G和41B之后，由Al薄膜構(gòu)成的反射體53形成于柵極總線12和漏極總線14上。由透明樹脂制成的絕緣樹脂層37 設(shè)置于反射體53上，并且由ITO構(gòu)成的像素電極16設(shè)置于絕緣樹脂層37 上。在本實例中，由于反射體53形成于CF層41R、 41G和41B的觀察者一 側(cè)上，所以實現(xiàn)這樣一種結(jié)構(gòu)，在該結(jié)構(gòu)中，CF層41R、 41G和41B僅出 現(xiàn)在透射區(qū)域T中，并且CF層41R、 41G和41B基本不出現(xiàn)在反射區(qū)域R 中。盡管這允許對透射模式下的顯示進行恰當?shù)闹?，但是對于反射模式?的顯示會降低色純度。圖38C表示CF層結(jié)構(gòu)的第三實例。如圖38C所示，在本實例中，CF 層40R、 40G和40B設(shè)置于相對基板4上，并且CF層41R、 41G和41B設(shè) 置于TFT基板2上。TFT基板2的結(jié)構(gòu)與第二實例中的相似，并且相對基板 4的結(jié)構(gòu)與第一實例中的類似。在透射區(qū)域T中，通過TFT基板2上的CF 層41R、 41G和41B與相對基板4上的CF層40R、 40G和40B進行著色。 在反射區(qū)域R中，僅通過相對基板4上的CF層40R、 40G和40B進行著色。 也就是說，對于透射區(qū)域T和反射區(qū)域R均適合的色彩特性能夠通過調(diào)節(jié)每 個CF層40R、 40G和40B與CF層41R、 41G和41B的厚度來實現(xiàn)。圖38D表示CF層結(jié)構(gòu)的第四實例。如圖38D所示，在本實例中，分別 包括一組CF層40R、 40G和40B與一組CF層41R、 41G和41B的兩個層 形成于基板2上。具有與第三實例中CF層40R、 40G和40B的光學(xué)特性相 似的光學(xué)特性的CF層40R、 40G和40B設(shè)置于TFT基板2上的反射體54 之上，這可消除對于在相對基板4上形成CF層的需要。需要設(shè)置于相對基 板4上的僅僅是公共電極42 (連同對齊控制凸起44一起)。圖39A表示CF層結(jié)構(gòu)的第五實例。如圖39A所示，在本實例中，絕緣 樹脂層37形成于TFT基板2上的CF層40R、 40G和40B上。結(jié)果，由于 CF層在TFT基板2的表面上將不露出，所以能夠防止液晶層6的污染。然 而在這種情況下，需要在TFT基板2上形成包括兩組CF層的三個樹脂層。圖39B表示CF層結(jié)構(gòu)的第六實例。盡管反射體53形成為它在第一至第 五實例中的鄰接像素之間連續(xù)，但是在如圖39B所示的該實例中，反射體 53被分開以用于每個像素。圖39C表示CF層結(jié)構(gòu)的第七實例。如圖39C所示，本實例為第一實例的改型，其中，相對基板4上的CF層40R、 40G和40B僅形成于透射區(qū)域 T中。在未形成CF層的反射區(qū)域R中，形成具有基本等于或小于CF層40R、 40G和40B厚度的厚度的透明樹脂層38。盡管與第二實例一樣，這在反射模 式下的顯示過程中造成色純度的降低，但是相反地增加了反射亮度。如上所述，在用于實現(xiàn)本發(fā)明的本模式下，通過向其提供不同的光學(xué)效 果，能夠使得透射區(qū)域T和反射區(qū)域R均恰當?shù)毓ぷ?。這使得減少透射區(qū)域 T與反射區(qū)域R之間的顏色層次差異成為可能。因此，能夠提供一種在反射 和透射模式下均能實現(xiàn)高顯示特性的液晶顯示器。[用于實現(xiàn)本發(fā)明的第四模式]現(xiàn)在將參照圖40至46C，描述用于實現(xiàn)本發(fā)明的第四模式下的液晶顯 不器°透反射式液晶顯示器在明亮環(huán)境中利用外部光進行反射顯示，并且在黯 淡環(huán)境中利用來自背光源的光進行透射顯示，以在任一環(huán)境中實現(xiàn)高可見度 的顯示。圖40表示按照專利文件10中所公開的相關(guān)現(xiàn)有技術(shù)的透反射式液晶顯 示器的截面結(jié)構(gòu)。如圖40所示，在該液晶顯示器中，形成有反射電極116 的像素區(qū)域的反射區(qū)域R中的晶元厚度小于形成有像素電極117的透射區(qū)域 T中的晶元厚度。在一對基板中至少任一個的顯示區(qū)域中設(shè)置一對齊單元， 用于向液晶層界面處的對齊施加至少兩個不同的對齊方向。在該結(jié)構(gòu)中，由 于反射區(qū)域R和透射區(qū)域T中的相位差能夠彼此匹配，所以能夠進行無色差 的顯示。圖41表示按照專利文件11中所公開相關(guān)現(xiàn)有技術(shù)的透反射式液晶顯示 器的截面結(jié)構(gòu)。在該液晶顯示器中，像素電極117和反射電極116在一個基 板上分別形成于透射區(qū)域T和反射區(qū)域R中。反射電極116的頂表面形成為 好像一連串波浪。在該結(jié)構(gòu)中，由于反射區(qū)域R具有光分散能力，所以能夠 實現(xiàn)高反射特性。然而，專利文件11中公開的透反射式液晶顯示器使得附加工藝成為必 要，這些附加工藝包括形成有機絕緣膜118以使反射區(qū)域R中的晶元厚度 小于透射區(qū)域T中的晶元厚度；以及向液晶層界面處的對齊施加至少兩個不同的對齊方向。因而，用于制造液晶顯示器的步驟變得復(fù)雜。專利文件11中公開的透反射式液晶顯示器也使得這樣一附加工藝成為 必要，該工藝為在反射電極116之下形成凸起119,以在反射電極116的表面上形成一連串波形不規(guī)則變化。而且，由于當施加時，反射電極116的不規(guī)則變化起導(dǎo)電凸起的作用，所以當用于垂直對齊型液晶顯示器(其中，利 用形成于電極上的對齊控制結(jié)構(gòu)或介電結(jié)構(gòu)，調(diào)整液晶的斜向)中時，由該 凸起所確定的液晶斜向?qū)⑴c由電場所確定的液晶斜向相反，這將造成不穩(wěn)定 的對齊。在用于實現(xiàn)本發(fā)明的本模式下，能夠解決上述問題，并且采取這樣的措 施，使得即使在垂直對齊型液晶顯示器中，也能以簡單的工藝實現(xiàn)對齊的穩(wěn) 定狀態(tài)。圖42表示用于實現(xiàn)本發(fā)明的本模式下液晶顯示器的第一基本結(jié)構(gòu)。如 圖42所示，液晶層6被夾入一對基板2與4之間。液晶分子在無電壓作用 時垂直地對齊，并且在有電壓作用時傾斜地對齊，因為形成于電極16和42 上的對齊控制結(jié)構(gòu)44和46造成電場的變形。具有平滑表面的反射體54形 成于一部分像素區(qū)域中。具有光分散能力的對齊控制結(jié)構(gòu)46形成于反射體 54上。更優(yōu)選地，利用源(或漏)極層或柵極層，形成反射體54，并且至少像 素電極16形成于反射體54與對齊控制結(jié)構(gòu)46之間。此外，對齊控制結(jié)構(gòu) 46在像素區(qū)域中形成為好像一個框架，并且點式對齊控制結(jié)構(gòu)44形成于與 該框架的內(nèi)部相對應(yīng)的相對基板4上的區(qū)域。圖43表示用于實現(xiàn)本發(fā)明的本模式下液晶顯示器的第二基本結(jié)構(gòu)。如 圖43所示，液晶分子在無電壓作用時垂直地對齊，并且在有電壓作用時傾 斜地對齊，因為形成于電極上的對齊控制結(jié)構(gòu)44和切口 48造成電場的變形。 具有視差校正功能的反射板(反射部分)91設(shè)置于導(dǎo)光板86后面。反射板 91表面上的不規(guī)則變化以與像素圖案的間距不同的間距形成。更優(yōu)選地，反射板91表面上的不規(guī)則變化具有連續(xù)的錐或楔形式的截 面形狀。在基板4與偏光板71之間設(shè)置視角控制板96，用于散射以預(yù)定角 度進入的光。在用于實現(xiàn)本發(fā)明的本模式下，液晶面板被夾入到一對1/4波板94與偏光板70、 71之間。對齊控制結(jié)構(gòu)46具有弧形式的一般截面形狀。因此，反射區(qū)域R包括:晶元厚度等于透射區(qū)域T中晶元厚度的區(qū)域；以及晶元厚度逐步變得小于透射區(qū)域T中晶元厚度的區(qū)域。然而，由于施加于反射區(qū)域R中液晶的電壓通 過對齊控制結(jié)構(gòu)46來衰減，所以可預(yù)見這些區(qū)域的組合能夠提供與反射區(qū) 域R中較小晶元厚度所能實現(xiàn)的效果基本相似的效果。而且，通過提供具有 光分散能力的對齊控制結(jié)構(gòu)46，入射光能夠在反射區(qū)域R中被分散，以實 現(xiàn)高亮度的反射顯示。由于反射體54的表面能夠因此變得平坦，所以利用 源極層或柵極層能夠形成反射體54。因此，能夠簡化用于制造液晶顯示器的 工藝。當像素電極(透明電極)16形成于反射體54與對齊控制結(jié)構(gòu)46之間 時，反射區(qū)域R能夠由像素電極16切換，而無需將電壓作用于反射體54。 此外，當對齊控制結(jié)構(gòu)46形成為好像一框架時，總線12與14之間以及TFT20 與像素電極16之間產(chǎn)生的水平電場能夠被抑制，以穩(wěn)定像素區(qū)域中的液晶 對齊。對齊控制結(jié)構(gòu)44和46是用于提供不同對齊方向的對齊單元。在專利文 件10所公開的結(jié)構(gòu)中，利用界面對齊工藝比如摩擦(rubbing)，向液晶層 的界面施加對齊控制力。在用于實現(xiàn)本發(fā)明的本模式下，利用施加電壓時在 對齊控制結(jié)構(gòu)44和46的附近出現(xiàn)的電場變形，將對齊控制力作用于包括大 量層的整個液晶層。專利文件10公開了該專利的特征在于，液晶在反射區(qū) 域R中的對齊和液晶在透射區(qū)域T中的對齊在同一時間點上能夠處于不同的 狀態(tài)。因此，用于實現(xiàn)的本發(fā)明的本模式下的對齊控制結(jié)構(gòu)44和46 (其允 許反射區(qū)域R或透射區(qū)域T中有不同的對齊狀態(tài))與專利文件10中公開的 對齊處理有所不同。當具有視差校正功能的反射板91設(shè)置于導(dǎo)光板86之下時，在液晶顯示 器面板中不提供反射體54即可進行反射顯示，并且因為像素區(qū)域的利用已 最大化，所以能夠?qū)崿F(xiàn)高亮度的透射顯示。由于光在反射顯示過程中四次穿 過偏光板70和71，所以每單位面積的亮度低于反射體54設(shè)置于液晶顯示器 面板的結(jié)構(gòu)中的亮度。然而，因為像素區(qū)域的利用可最大化，所以能夠改進 每像素的亮度。因為反射層與液晶層相分離造成視差(重象)，所以反射板91具有視 差校正功能。反射板91與像素圖案之間出現(xiàn)的任何干涉能夠通過使得反射 板91表面上的不規(guī)則變化不同于像素圖案來抑制。此外，當表面不規(guī)則變 化具有連續(xù)的錐形式的截面形狀時，在斜向上進入的光能夠經(jīng)受回射。當表 面不規(guī)則變化具有楔式截面形狀時，在斜向上進入的光能夠傾斜地被反射到 視野之外。因此，視差的出現(xiàn)能夠被有效地抑制。通過將液晶顯示器面板夾入到該對1/4波板94與偏光板70和71之間，已進入液晶顯示器面板的光能 夠都經(jīng)受圓形極化，使得消除液晶對齊所依賴的定向與實現(xiàn)高亮度的反射顯 示和透射顯示成為可能?，F(xiàn)在將參照優(yōu)選實施例，具體地描述實現(xiàn)本發(fā)明的本模式下的液晶顯示器o(實施例4-l)首先，將描述按照用于實現(xiàn)本發(fā)明的本模式下實施例4-1的液晶顯示器。 圖44表示本實施例的液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)。如圖44所示，利用柵極層， 在像素區(qū)域中形成框架形式的反射體54 (圖44中未示出)。由透明導(dǎo)電層 制成的像素電極16形成于像素區(qū)域中，從而它與反射體54重疊，在像素電 極16與反射體54之間插入有柵極絕緣膜。反射體54處于電漂移狀態(tài)，并 且與柵極總線12和存儲電容器總線18電性絕緣。盡管像素電極16覆蓋于 反射體54上(其間插入有柵極絕緣膜)，但是為了改進反射率，像素電極 例如可形成為類似切口，從而它僅與一部分反射體54重疊。由白樹脂(包 括亞微米級的氧化鋁微粒)制成的框架形式的對齊控制結(jié)構(gòu)46形成于與反 射體54相關(guān)聯(lián)的像素電極16上的區(qū)域中。為了比較，審隨出由透明樹脂制 成的框架形式的對齊控制結(jié)構(gòu)46。由透明樹脂制成的公共電極42和點式對齊控制結(jié)構(gòu)44形成于相對基板 4上。 一對1/4波板94和偏光板70、 71分別設(shè)置于液晶顯示器面板的基板2 和4之外。導(dǎo)光板86和反射板90設(shè)置于TFT基板2上的偏光板70之下， 以提供透反射式液晶顯示器。在透射顯示和反射顯示過程中液晶顯示器的顏 色層次特性的比較未表現(xiàn)出很大差異。這表明如下事實。即使反射區(qū)域R包 括晶元厚度基本等于透射區(qū)域T中晶元厚度的區(qū)域；以及晶元厚度逐步變得小于透射區(qū)域T中晶元厚度的區(qū)域，但是，如果作用于反射區(qū)域R中液晶的電壓通過對齊控制結(jié)構(gòu)46來衰減，則可預(yù)見這些區(qū)域的組合能夠提供與 反射區(qū)域R中較小晶元厚度所能實現(xiàn)的效果基本相似的效果。當反射體54上的對齊控制結(jié)構(gòu)46由透明樹脂形成時，反射顯示在規(guī)則 反射方向之外的方向上具有低亮度。相反地，當對齊控制結(jié)構(gòu)46由白樹脂 形成時，即使在規(guī)則反射方向之外的方向上，仍可進行高亮度的反射顯示。 這表明通過對齊控制結(jié)構(gòu)46的光分散能力能分散反射的光。 (實施例4-2)現(xiàn)在將描述按照用于實現(xiàn)本發(fā)明的本模式下實施例4-2的液晶顯示器。 圖45表示本實施例的液晶顯示器的像素結(jié)構(gòu)。如圖45所示，在本實施例中， 具有用于控制對齊的切口 48的像素電極16形成于像素區(qū)域中，而未在像素 區(qū)域中形成反射體54。由透明樹脂制成的公共電極42和點式對齊控制結(jié)構(gòu) 44形成于相對基板4上。 一對1/4波板94和偏光板70、 71以列出的次序， 設(shè)置于液晶顯示器面板的基板2和4之外。導(dǎo)光板86和其后將要描述的三 種類型的反射板91設(shè)置于基板2上的偏光板70下面。用于分散在特定方向 上進入的光的視角控制板96設(shè)置于相對基板4上的偏光板71與1/4波板94 之間，以提供透反射式液晶顯示器。為了比較，制造出無視角控制板96的 透反射式液晶顯示器和既無1/4波板94也無視角控制板96的透反射式液晶 顯不器。圖46A、 46B和46C表示三種類型的反射板91的截面結(jié)構(gòu)。如圖46A 所示反射板91a具有與相關(guān)現(xiàn)有技術(shù)中的反射板相似的平滑表面。如圖46B 所示的反射板91b具有連續(xù)的錐形截面形狀，并且具有等于或小于像素間距 的尺寸。如圖46C所示反射板91c具有連續(xù)的楔形截面形狀，并且具有等于 或小于像素間距的尺寸。來自反射板91 (在位置上與液晶層相分離)的反射光在與顯示器成直角 的方向上基本沒有可感知的視差。然而，在斜方向上，由于反射位置的大的 偏離，出現(xiàn)視差所造成的重象。在反射板91a的情況下，由于入射光在其表 面上經(jīng)受規(guī)則反射。所以當在斜向上觀察時出現(xiàn)重象。然而在反射板91b的 情況下，由于入射光經(jīng)受回射，基本無重象出現(xiàn)。在反射板91c的情況下，由于入射光被反射到觀察者視野之外，基本無重象出現(xiàn)。盡管反射板91b具 有尺寸等于或小于像素間距的連續(xù)的錐形截面形狀，但它可具有多個三面直 角棱鏡。反射板91可由回射材料形成。盡管在本實施例中在透射顯示與反射顯示之間未進行相位差調(diào)節(jié)，但是因為用作反射層的反射板91設(shè)置于偏光板70外，以在反射顯示和透射顯示 過程中實現(xiàn)相似的極化特性，所以無需相位差調(diào)節(jié)，在兩種顯示模式下可實 現(xiàn)相似的顏色層次特性。盡管當無視角控制板96設(shè)置于相對基板4上時和 當既不設(shè)置1/4波板94也不設(shè)置視角控制板96時反射顯示具有低亮度，但 是當視角控制板96設(shè)置于相對基板4上時，即使在規(guī)則反射方向之外的方 向也能進行高亮度的反射顯示。當既不設(shè)置1/4波板94也不設(shè)置視角控制板 96時，反射顯示的亮度最低。用于實現(xiàn)本發(fā)明的本模式使得以簡化工藝制造一種具有反射和透射式 顯示特性的透反射式液晶顯示器成為可能。因此，能夠低成本地提供透反射 式液晶顯示器。本發(fā)明并不限于用于實現(xiàn)本發(fā)明的上述模式，并且能夠以各種方式加以 改型。例如，盡管具有形成于相對基板4上CF層的液晶顯示器已經(jīng)在用于實 現(xiàn)本發(fā)明的第一和第二模式中作為實例加以描述，但是本發(fā)明并不限于此， 并且可應(yīng)用于具有所謂"CF在TFT上(CF-on-TFT)"結(jié)構(gòu)的液晶顯示器， 在該結(jié)構(gòu)中，CF形成于TFT基板2上。
權(quán)利要求
1. 一種液晶顯示器，包括彼此相對設(shè)置的一對基板；密封于該對基板之間的液晶層；以及像素區(qū)域，包括反射區(qū)域和透射區(qū)域，該反射區(qū)域具有反射體，該反射體用于反射從該對基板的一個基板的側(cè)面入射的光，該反射體設(shè)置于該對基板的另一基板上，該透射區(qū)域用于向著該對基板的所述一個基板透射從該對基板的另一基板的側(cè)面入射的光，其中該反射體設(shè)置于該像素區(qū)域的外圍；以及其中該透射區(qū)域具有透明像素電極，該透明像素電極設(shè)置于該反射體的開口處，并且形成于該反射體上方并與該反射體電性隔離。
2. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中該反射區(qū)域的晶元厚度基本 等于或大于該透射區(qū)域的晶元厚度。
3. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中該反射體設(shè)置于該對基板的 另一基板上所形成的總線上。
4. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中該反射體處于電漂移狀態(tài)。
5. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中該反射體處于與該對基板的 任一基板上所形成的公共電極的電勢相同的電勢。
6. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中該反射體處于地電勢。
7. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中該反射體這樣形成，使得它 在鄰接像素區(qū)域之間連續(xù)。
8. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中該反射體在鄰接像素區(qū)域之 間被分開。
9. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中當垂直于基板表面觀察時， 該像素電極與該反射體部分地重疊。
10. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中當垂直于該基板表面觀察時， 該像素電極的邊緣與該反射體的開口的邊緣對齊。
11. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中當垂直于該基板表面觀察時， 該像素電極的邊緣位于該反射體的開口的邊緣內(nèi)。
12. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中當垂直于該基板表面觀察時， 該像素電極的邊緣位于該反射體的開口的邊緣外。
13. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中該像素電極包括多個電極單元，所述多個電極單元設(shè)置為彼此相鄰，其間插入有切口，并且所述多個電 極單元彼此電連接。
14. 如權(quán)利要求13所述的液晶顯示器，其中該反射體還形成于所述切 口上。
15. 如權(quán)利要求13所述的液晶顯示器，其中每個所述電極單元具有固 體電極和梳形電極，該固體電極設(shè)置于該電極單元一部分上，該梳形電極包 括從該固體電極的外圍向著該電極單元的外圍延伸的多個線狀電極。
16. 如權(quán)利要求15所述的液晶顯示器，其中該固體電極形成于該透射 區(qū)域中。
17. 如權(quán)利要求15所述的液晶顯示器，其中所述梳形電極這樣形成， 使得它們延伸到該反射區(qū)域中。
18. 如權(quán)利要求17所述的液晶顯示器，其中該反射區(qū)域中的所述梳形 電極包括比該透射區(qū)域中的梳形電極數(shù)量較少的線狀電極。
19. 如權(quán)利要求17所述的液晶顯示器，其中由該反射區(qū)域中的所述梳 形電極所形成的鄰接梳形電極之間的每個間隙大于由該透射區(qū)域中的所述 梳形電極所形成的鄰接梳形電極之間的每個間隙。
20. 如權(quán)利要求13所述的液晶顯示器，其中每個所述電極單元具有梳 形電極，所述梳形電極包括從該電極單元的中心部分向著該電極單元的外圍 延伸的多個線狀電極。
21. 如權(quán)利要求20所述的液晶顯示器，其中由該電極單元的反射區(qū)域 中的所述梳形電極所形成的鄰接梳形電極之間的每個間隙大于由該透射區(qū) 域中的所述梳形電極所形成的鄰接梳形電極之間的每個間隙。
22. 如權(quán)利要求20所述的液晶顯示器，其中該電極單元的反射區(qū)域中 的梳形電極包括比該透射區(qū)域中的梳形電極數(shù)量較少的線狀電極。
23. 如權(quán)利要求13所述的液晶顯示器，其中該對基板的任一基板具有 一凸起，該凸起用于控制與該電極的中心部分相關(guān)聯(lián)的區(qū)域中的對齊。
24. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，還包括形成于該反射體之下的濾 色層。
25. 如權(quán)利要求24所述的液晶顯示器，還包括形成于該對基板的任一 基板上的第二濾色層。
26. 如權(quán)利要求24所述的液晶顯示器，還包括形成于該反射體之上的 第二濾色層。
27. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，還包括形成于該對基板的任一基 板上的濾色層，其中該濾色層在該反射區(qū)域中被去除。
28. 如權(quán)利要求27所述的液晶顯示器，其中該反射區(qū)域具有透明樹脂 層，該透明樹脂層具有基本等于或小于該濾色層厚度的厚度。
29. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，包括分別設(shè)置于該對基板外的一 對1/4波板和一對偏光板。
30. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，包括一形成于該對基板的任一基 板外的光散射層。
31. 如權(quán)利要求30所述的液晶顯示器，其中該光散射層是散射在預(yù)定 方向上進入的光的膜。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種在透射和反射模式下均能顯示的透反射式液晶顯示器，提供一種在透射和反射模式下均能實現(xiàn)高顯示特性的透反射式液晶顯示器。采用這樣的結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括彼此相對設(shè)置的一對基板；密封于該對基板之間的液晶層；以及像素區(qū)域，包括反射區(qū)域和透射區(qū)域，該反射區(qū)域具有反射體，該反射體用于反射從該對基板的一個基板的側(cè)面入射的光，該反射體設(shè)置于該對基板的另一基板上，該透射區(qū)域用于向著該對基板的所述一個基板透射從該對基板的另一基板的側(cè)面入射的光，其中該反射體設(shè)置于該像素區(qū)域的外圍；以及其中該透射區(qū)域具有透明像素電極，該透明像素電極設(shè)置于該反射體的開口處，并且形成于該反射體上方并與該反射體電性隔離。
文檔編號G02F1/133GK101261396SQ20081009558
公開日2008年9月10日 申請日期2004年10月12日 優(yōu)先權(quán)日2003年12月9日
發(fā)明者上田一也, 吉田秀史, 大室克文, 柴崎正和, 田代國廣, 田坂泰俊, 鐮田豪 申請人:富士通株式會社;友達光電股份有限公司