專利名稱：光刻方法及系統(tǒng)的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及集成電路制造領域，尤其涉及一種光刻方法及系統(tǒng)。
背景技術：
集成電路制造過程包括光刻等工藝流程。光刻通常是根據(jù)光刻工藝條件參數(shù)對待光刻產(chǎn)品進行光刻，光刻工藝條件參數(shù)能夠影響到光刻結果。所述光刻
工藝參數(shù)通常包括曝光能量(Energy),用于控制產(chǎn)品特征尺寸；聚焦平面(Focus),用于控制產(chǎn)品特征尺寸的剖面形狀；對準模型參數(shù)(OVL, Overlap),用于控制產(chǎn)品與前層的對準程度；以及曝光機器的數(shù)值孔徑(NA, NumericalAperture)和曝光才幾器的光圈因子(Sigma)。
目前業(yè)界通常采用自動制程控制(APC， Auto Process Control)方式，根據(jù)已有光刻結果來控制調(diào)整出更佳的光刻工藝條件參數(shù)，以改善后續(xù)光刻結果。
但是由于該APC方式無法識別已有光刻結果是否異常，因此在已有光刻結果異常時，也將會根據(jù)異常的光刻結果控制調(diào)整出相應的光刻工藝條件參數(shù)。由于該光刻工藝條件參數(shù)是根據(jù)異常的光刻結果控制調(diào)整出來的，因此該光刻工藝條件參數(shù)也可能存在異常，進而影響到后續(xù)光刻結果，從而降低光刻效率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種光刻方法及系統(tǒng)，以提高光刻效率。本發(fā)明實施例提出了一種光刻方法，包括判斷光刻工藝條件參數(shù)是否處
于預定范圍內(nèi)；在處于預定范圍內(nèi)時，進行光刻；以及在未處于預定范圍內(nèi)時，
禁止光刻。
本發(fā)明實施例還提出了一種光刻系統(tǒng)，包括判斷單元，用于判斷光刻工藝條件參數(shù)是否處于預定范圍內(nèi)；光刻單元，用于在判斷單元判斷出處于預定 范圍內(nèi)時，進行光刻；以及光刻禁止單元，用于在判斷單元判斷出未處于預定 范圍內(nèi)時，禁止光刻。
本發(fā)明實施例通過判斷光刻工藝參數(shù)是否處于預定范圍內(nèi)，并在處于預定 范圍內(nèi)時進行光刻，以及在未處于預定范圍內(nèi)時，禁止光刻，避免了現(xiàn)有技術 可能由于根據(jù)已有的異常光刻結果得到異常的光刻工藝條件參數(shù)，進而影響后 續(xù)光刻結果的問題，從而提高了光刻效率。
以下結合附圖和具體實施例對本發(fā)明實施例提出的光刻方法及系統(tǒng)作進一 步詳細說明。


圖1為本發(fā)明實施例提出的光刻方法流程圖2為本發(fā)明實施例提出的光刻方法的具體實施過程圖3為本發(fā)明實施例提出的光刻系統(tǒng)的結構示意圖。
具體實施例方式
根據(jù)背景技術的分析可以看出，由于現(xiàn)有技術可能根據(jù)異常的光刻工藝條 件參數(shù)進行光刻，因此導致了光刻效率降低，所以如果能夠保證光刻工藝條件 參數(shù)較為合理，那么就能夠提高光刻效率。基于該考慮，本發(fā)明實施例提出可 以通過如下設計思路來提高光刻效率在光刻過程中，基于光刻工藝條件參數(shù) 的合理范圍，判斷光刻工藝條件參數(shù)是否能夠用于光刻，如果不能，那么可以 禁止采用該光刻工藝條件參數(shù)光刻。
基于上述設計思路，本發(fā)明實施例提出可以通過如下光刻方法，來提高光 刻效率。
圖1為本發(fā)明實施例提出的光刻方法流程圖，基于該圖可知，本發(fā)明實施 例提出的光刻方法包括
步驟a，判斷光刻工藝條件參數(shù)是否處于預定范圍內(nèi)； 所述預定范圍可以但不限于通過如下方式獲得1, 基于已有光刻工藝條件參數(shù)獲得，例如可以是將以已有光刻工藝條件參
數(shù)為基準，誤差5°/。確定的范圍作為預定范圍。其中所述已有光刻工藝條件參數(shù) 可以包括光刻出合格的相同或相近產(chǎn)品時采用的光刻工藝條件參數(shù)；及根據(jù) 相同或相近產(chǎn)品的正常光刻結果，控制得到的光刻工藝條件參數(shù)等。
2, 基于已有預定范圍獲得，例如根據(jù)當前待光刻產(chǎn)品的數(shù)量等因素，將已 有預定范圍進行調(diào)整，獲得新的預定范圍。所述已有預定范圍可以包括已用于 光刻出合格的相同或相近產(chǎn)品的預定范圍等。
步驟b,在處于預定范圍內(nèi)時，進行光刻；
步驟c,在未處于預定范圍內(nèi)時，禁止光刻。如果光刻工藝條件參數(shù)沒有處 于預定范圍內(nèi)，可能表明已有光刻結果存在異常，例如光刻出的產(chǎn)品不合格等， 因此此時還可以發(fā)出提示信息，該提示信息可以但不限于用于提示已有光刻結 果異常，或提示已光刻出的產(chǎn)品存在質(zhì)量問題等，具體實施時，可以根據(jù)實際 情況確定需要提示哪些信息。
此外還可以在步驟a前檢測是否存儲有預定范圍，如果有，則進行步驟a， 否則可以進行光刻，然后根據(jù)光刻結果來獲得預定范圍，用于光刻后續(xù)產(chǎn)品， 從而在沒有存儲預定范圍的情況下，可以自動獲得預定范圍，進而可以基于上 述流程進行光刻，提高光刻效率。由于通常是存儲有預定范圍的，因此該檢測 步驟是可選的。
下面結合具體實施例來詳細闡述上述光刻方法。下述實施例的主要實施流 程為首先檢測是否存儲有待光刻產(chǎn)品對應的預定范圍，如果有，則進行下一 步判斷光刻工藝條件參數(shù)是否在該范圍內(nèi)等后續(xù)步驟；如果沒有，則繼續(xù)檢測 是否存儲有待光刻產(chǎn)品的同類產(chǎn)品對應的預定范圍，若有，則判斷該待光刻產(chǎn) 品對應的光刻工藝條件參數(shù)，是否在檢測到的同類產(chǎn)品對應的預定范圍內(nèi)等后 續(xù)步驟，若沒有，則進行光刻，在光刻后，可以計算該待光刻產(chǎn)品的預定范圍， 用于后續(xù)同類或相同產(chǎn)品的光刻。由于通常情況下存儲有上述預定范圍，所以 該實施例中，上述兩個4企測步驟都是可選的。
此外在存儲有待光刻產(chǎn)品或者其同類產(chǎn)品對應的預定范圍的情況下，如果 光刻工藝條件參數(shù)在上述預定范圍內(nèi)，則可以進行光刻，在光刻完成后，本發(fā) 明實施例還可以優(yōu)化預定范圍，以提高基于預定范圍判斷光刻工藝條件參數(shù)是否合理的準確性，進而進一步提高光刻的效率。
優(yōu)化預定范圍可以有多種方式，包括根據(jù)已經(jīng)光刻合格產(chǎn)品的光刻過程采 用的光刻工藝條件參數(shù)和/或預定范圍，計算出新預定范圍等方式，例如對已經(jīng) 光刻合格產(chǎn)品的光刻過程采用的光刻工藝條件參數(shù)，進行相應數(shù)值處理，例如
對前3批合格產(chǎn)品對應的光刻工藝條件參數(shù)取均值，然后將該均值的10%作為 可以接受的誤差，進而得到較優(yōu)的預定范圍。
上述提出的優(yōu)化預定范圍的措施實際上不僅可以在上述提出的光刻完成后 進行，也可以在光刻當前待光刻產(chǎn)品前進行。
圖2為本發(fā)明實施例提出的光刻方法的具體實施過程圖，圖中左上線框表 明光刻出產(chǎn)品的過程，左下線框表明當沒有存儲預定范圍時，在光刻后根據(jù)光 刻結果獲得預定范圍的過程，右面線框表明在有存儲預定范圍，且光刻工藝條 件參數(shù)處于預定范圍內(nèi)時，在光刻后優(yōu)化預定范圍的過程?；谠搱D可知，本 發(fā)明實施例的具體實施過程如下
步驟al，待光刻產(chǎn)品到達；
步驟a2,識別待光刻產(chǎn)品，主要識別待光刻產(chǎn)品的各項參數(shù)，例如型號等；
步驟a3,檢測是否存儲有該待光刻產(chǎn)品對應的預定范圍，如果有，轉(zhuǎn)至步 驟a4，否則轉(zhuǎn)到步驟all;
步驟a4，判斷該待光刻產(chǎn)品對應的光刻工藝條件參數(shù)是否在存儲的預定范 圍內(nèi)，如果是，轉(zhuǎn)到步驟a5，否則轉(zhuǎn)到步驟alO;
步驟a5，基于該光刻工藝條件參數(shù)對待光刻產(chǎn)品進行光刻；在步驟a5光刻 完成后，可以對各光刻工藝條件參數(shù)的預定范閨進行優(yōu)化。由于曝光機器的數(shù) 值孔徑(NA， Numerical Aperture)及光圏因子(Sigma)的預定范圍較小，所 以在優(yōu)化預定范圍時，通常是優(yōu)化聚焦平面(Focus),曝光能量(Energy)和/ 或?qū)誓Ｐ蛥?shù)(OVL， Overlap)的預定范圍。
此外在將預定范圍優(yōu)化一定次數(shù)后，由于進一步優(yōu)化帶來的效果可能不那 么顯著，因此就可以將最近一次的優(yōu)化結果，作為光刻后續(xù)待光刻產(chǎn)品一直使 用的預定范圍，后續(xù)不再優(yōu)化預定范圍，從而節(jié)省了優(yōu)化預定范圍所需的處理 資源，提高了資源利用率。
下面以對Energy參數(shù)的預定范圍進行3次優(yōu)化，即分別在光刻第1~3批產(chǎn)
7品后優(yōu)化預定范圍為例，來說明優(yōu)化過程。
步驟a6，在光刻出的產(chǎn)品為合格產(chǎn)品的前提下，檢測該光刻后的產(chǎn)品是否 是第3批合格產(chǎn)品，如果是，轉(zhuǎn)到步驟a7,否則轉(zhuǎn)到步驟a9;
步驟a7,根據(jù)該批產(chǎn)品的光刻結杲，得到新的Energy參數(shù)，并更新，再計 算出的新的預定范圍，作為優(yōu)化后的預定范圍，以及將優(yōu)化后的預定范圍的狀 態(tài)設定為不可修改狀態(tài)，即將優(yōu)化后的預定范圍作為光刻后續(xù)相同產(chǎn)品一直采 用的預定范圍；其中計算新的預定范圍可以采用如下方式將前3批合格產(chǎn)品 的Energy參數(shù)求平均，并將均值的10%作為可接受的誤差，從而計算出新的預 定范圍。
步驟a8,計算光刻前3批待光刻產(chǎn)品采用的Energy參數(shù)的平均值，并更新 到同類型產(chǎn)品的光刻工藝條件參數(shù)中；
步驟a9,根據(jù)該批產(chǎn)品的光刻結果，得到新的Energy參數(shù)，并更新，再根 據(jù)該新的Energy參數(shù)，計算出新的預定范圍，作為優(yōu)化后的預定范圍，以及保 持其他光刻工藝條件參數(shù)及預定范圍的狀態(tài)不變；其中此處計算新的預定范圍 的方式有多種，例如可以對前幾次光刻相同產(chǎn)品時采用的Energy參數(shù)求平均， 然后基于均值計算新的預定范圍，也可以根據(jù)該新的Energy參數(shù)，再基于該新 的Energy參數(shù)得到新的預定范圍。
步驟a10,禁止基于該光刻工藝條件參數(shù)進行光刻，并發(fā)出提示信息；通過 該步驟，如果光刻工藝條件參數(shù)沒有處于預定范圍內(nèi)，則本發(fā)明實施例可以禁 止光刻，從而可以避免光刻出不合格的產(chǎn)品，提高光刻效率；
此外如果光刻工藝條件參數(shù)沒有處于預定范圍內(nèi)，那么由于該光刻工藝條 件參數(shù)是基于已有光刻結果獲得，因此可以推論出已有光刻結果異常，比如光 刻出的產(chǎn)品不合格等，所以還可以基于本實施例提出的光刻方法，檢測已有光 刻結果是否異常，光刻出的產(chǎn)品是否合格等。
步驟all,檢測是否存儲有該待光刻產(chǎn)品的相似產(chǎn)品對應的預定范圍，如果 有，轉(zhuǎn)到步驟al2,否則轉(zhuǎn)到步驟al3;所述相似產(chǎn)品可以包括同類產(chǎn)品等?；?于該步驟，在檢測出未存儲待光刻產(chǎn)品對應的預定范圍時，進一步檢測相似產(chǎn) 品對應的預定范圍，擴大了檢測范圍，進一步提高了本發(fā)明實施例提出的光刻 方法的應用范圍及有效性。
8步驟al2，標記該待光刻產(chǎn)品，用于表明該產(chǎn)品的光刻工藝條件參數(shù)的合理 性是基于相似產(chǎn)品對應的預定范圍來判斷的； 步驟al3,進4亍光刻；
步驟a14，標記該光刻出的產(chǎn)品，用于表明未存儲該產(chǎn)品及其相似產(chǎn)品對應 的預定范圍；
步驟al5，確定是否測量該標記的產(chǎn)品的線寬(CD Stage),如果是，則轉(zhuǎn) 到步驟al6，否則轉(zhuǎn)到步驟al7;
步驟al6，判斷線寬是否合格，如果合格，轉(zhuǎn)到步驟al7,否則轉(zhuǎn)到步驟al9;
步驟al7,基于光刻該產(chǎn)品采用的光刻工藝條件參數(shù)計算預定范圍，并進行 存儲，用于后續(xù)產(chǎn)品光刻；
步驟al5 al7實際是在未存儲待光刻產(chǎn)品及其同類產(chǎn)品對應的預定范圍時， 將待光刻產(chǎn)品光刻后，在光刻后的產(chǎn)品合格的情況下，基于光刻該產(chǎn)品采用的 光刻工藝條件參^:計算預定范圍，用于光刻后續(xù)相同或同類產(chǎn)品。
其中步驟a15用于確定是否要測量光刻出的產(chǎn)品的線寬，如果要測量，則 只有在線寬合格的情況下，才基于光刻該產(chǎn)品采用的光刻工藝條件參數(shù)，計算 預定范圍，如果不測量，則無論線寬是否合格，均可以基于光刻該產(chǎn)品采用的 光刻工藝條件參數(shù)，計算預定范圍。在實際實施過程中，可以自主確定是否測 量線寬。
步驟al8，不基于光刻該產(chǎn)品采用的光刻工藝條件參數(shù)計算預定范圍，并且 不將該光刻出的產(chǎn)品計入合格產(chǎn)品內(nèi)。
通過步驟al4 al8，本實施例可以在未存儲有待光刻產(chǎn)品及其相似產(chǎn)品對應 的預定范圍的情況下，進行光刻，并在光刻后，基于光刻結果，獲得預定范圍， 可以作為光刻該產(chǎn)品及其相似產(chǎn)品對應的預定范圍。由于步驟al4 al8主要是 用于在未存儲有待光刻產(chǎn)品及其相似產(chǎn)品對應的預定范圍的情況下，計算出用 于光刻后續(xù)產(chǎn)品的預定范圍，因此在光刻過程中這些步驟是可選的。
基于上述設計思路，本發(fā)明實施例還提出了一種光刻系統(tǒng)，以提高光刻效率。
圖3為本發(fā)明實施例提出的光刻系統(tǒng)的結構示意圖，基于該圖可知，本發(fā) 明實施例提出的光刻系統(tǒng)包括
9判斷單元11,用于判斷光刻工藝條件參數(shù)是否處于預定范圍內(nèi)； 光刻單元12，用于在判斷單元判斷出處于預定范圍內(nèi)時，進行光刻；以及 光刻禁止單元13，用于在判斷單元判斷出未處于預定范圍內(nèi)時，禁止光刻。 本發(fā)明實施例提出，該光刻系統(tǒng)還可以包括用于優(yōu)化預定范圍的單元，該 單元可以在光刻單元12光刻出當前待光刻產(chǎn)品后，對預定范圍進行優(yōu)化，以用 于光刻后續(xù)待光刻產(chǎn)品，也可以在判斷單元11進行判斷前，優(yōu)化預定范圍，然 后判斷單元11采用優(yōu)化后的預定范圍進行判斷，這兩種方式都能夠進一步使得 判斷單元11的判斷結果更為準確，區(qū)別在于前一種方式是在光刻出當前待光刻 產(chǎn)品后優(yōu)化，能夠提高光刻待后續(xù)產(chǎn)品的效率，后一種方式則能夠在光刻當前 產(chǎn)品前優(yōu)化預定范圍，能夠提高光刻當前待光刻產(chǎn)品的效率。
由于將預定范圍優(yōu)化到一定次數(shù)后，再進一步優(yōu)化時，帶來的優(yōu)化效果不 那么顯著，因此本發(fā)明實施例提出可以在將預定范圍優(yōu)化到一定次數(shù)后，將較 佳的預定范圍設定為光刻后續(xù)產(chǎn)品采用的預定范圍，從而如果后續(xù)不需要進一 步優(yōu)化時，就能夠節(jié)約優(yōu)化預定范圍消耗的資源，也就節(jié)約了資源，提高了資 源利用率。因此，本發(fā)明實施例還提出，所述用于優(yōu)化預定范圍的單元的一種 具體結構，包括
用于判斷當前批次光刻出的產(chǎn)品是否為預定批次的合格產(chǎn)品的子單元；以
及
用于在是的情況下，優(yōu)化所述預定范圍的子單元；和 用于將該優(yōu)化后的預定范圍，設定為用于光刻后續(xù)多批待光刻產(chǎn)品的預定 范圍的子單元。
此外由于引起光刻工藝條件參數(shù)沒有在預定范圍內(nèi)的原因通常是光刻結果 較差，例如光刻出的產(chǎn)品質(zhì)量不合格等，因此本發(fā)明實施例提出還可以在光刻 系統(tǒng)中添加用于在判斷單元判斷出未處于所述預定范圍時，發(fā)出提示信息的單 元，以提示光刻結果異常等信息，在實際實施過程中，提示的信息可以包括但 不限于提示已光刻出的產(chǎn)品不合格，巳光刻出的產(chǎn)品需要進一步檢測等信息。
本發(fā)明實施例通過判斷光刻工藝參數(shù)是否處于預定范圍內(nèi)，并在處于預定 范圍內(nèi)時進行光刻，以及在未處于預定范圍內(nèi)時，禁止光刻，避免了現(xiàn)有技術 可能由于根據(jù)已有的異常光刻結果得到異常的光刻工藝條件參數(shù)，進而影響后續(xù)光刻結果的問題，從而提高了光刻效率。
本發(fā)明實施例還提出了可以基于已有光刻工藝條件參數(shù)和/或已有預定范 圍等來獲得新預定范圍，從而可以得到更加準確的預定范圍，提高了判斷光刻 工藝條件參數(shù)是否異常的準確度，從而進一步提高了光刻效率。
本發(fā)明實施例還提出在未存儲有待光刻產(chǎn)品對應的預定范圍的情況下，可 以進行光刻，然后基于該光刻的結果及采用的光刻工藝條件參數(shù)，計算出該產(chǎn) 品對應的預定范圍，從而提高了上述提出的光刻方法應用的廣泛性及靈活性， 也進一步提高了光刻效率。
本發(fā)明實施例還提出在判斷出待光刻產(chǎn)品的光刻工藝條件參數(shù)未處于預定 范圍內(nèi)時，可以發(fā)出提示信息，用于提示已有光刻結果異常、光刻產(chǎn)品不合格 等，從而還可以監(jiān)測光刻結果或光刻產(chǎn)品質(zhì)量等。
本發(fā)明實施例還提出可以對預定范圍進行優(yōu)化，從而能夠根據(jù)實際光刻情 況，獲得更為準確的預定范圍，提高通過預定范圍，判斷光刻工藝條件參數(shù)是 否合理的判斷有效性，也就能在更大程度上避免現(xiàn)有技術可能采用異常的光刻 工藝條件參數(shù)光刻，帶來光刻效率降低的問題，進一步提高了光刻效率。
根據(jù)上述提出的光刻方法流程及方法實施例，本領域一般技術人員容易推 斷出來，對應于上述光刻方法，本發(fā)明實施例提出的光刻系統(tǒng)還可以包括相應 的功能單元，為簡潔起見，此處不再贅述。
顯然，本領域的技術人員可以對本發(fā)明進行各種改動和變型而不脫離本發(fā) 明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權利要求及 其等同技術的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
1權利要求
1、一種光刻方法，其特征在于，包括判斷光刻工藝條件參數(shù)是否處于預定范圍內(nèi)；在處于預定范圍內(nèi)時，進行光刻；以及在未處于預定范圍內(nèi)時，禁止光刻。
2、 如權利要求l所述的方法，其特征在于，還包括基于已有光刻工藝條件參數(shù)獲得預定范圍。
3、 如權利要求2所述的方法，其特征在于，所述已有光刻工藝條件參數(shù)為已用于光刻出合格產(chǎn)品的光刻工藝條件參數(shù)，和/或根據(jù)已光刻出的產(chǎn)品的質(zhì)量，調(diào)整得到的光刻工藝條件參數(shù)。
4、 如權利要求l所述的方法，其特征在于，還包括基于已有預定范圍獲得預定范圍。
5、 如權利要求l所述的方法，其特征在于，還包括優(yōu)化預定范圍的步驟。
6、 如權利要求5所述的方法，其特征在于，在光刻多批待光刻產(chǎn)品時，還包括判斷當前批次光刻出的產(chǎn)品是否為預定批次的合格產(chǎn)品；以及在是的情況下，優(yōu)化所述預定范圍，并將該優(yōu)化后的預定范圍，設定為用于光刻后續(xù)多批待光刻產(chǎn)品的預定范圍。
7、 如權利要求5或6所述的方法，其特征在于，所述優(yōu)化，具體包括基于光刻出的產(chǎn)品的質(zhì)量，調(diào)整光刻工藝條件參數(shù)；根據(jù)調(diào)整得到的光刻工藝條件參數(shù)，優(yōu)化預定范圍。
8、 如權利要求6所述的方法，其特征在于，所述優(yōu)化，具體包括基于光刻出的產(chǎn)品的質(zhì)量，調(diào)整光刻工藝條件參數(shù)；根據(jù)調(diào)整得到的光刻工藝條件參數(shù)，及已用于光刻出合格產(chǎn)品工藝條件參數(shù)，優(yōu)化預定范圍。
9、 如權利要求l所述的方法，其特征在于，還包括在未處于預定范圍內(nèi)時，發(fā)出提示信息。
10、 如權利要求9所述的方法，其特征在于，所述提示信息用于提示已光刻出的產(chǎn)品不合格。
11、 如權利要求1所述的方法，其特征在于，在所述判斷步驟前，還包括檢測是否存儲有預定范圍的步驟；以及 在存儲的情況下，執(zhí)行所述判斷步驟； 在沒有存^f渚的情況下，進行光刻，并基于該光刻采用的光刻工藝條件參數(shù)，計算出預泉范圍，所述計算出的預 定范圍用于光刻后續(xù)待光刻產(chǎn)品。
12、 一種光刻系統(tǒng)，其特征在于，包括判斷單元，用于判斷光刻工藝條件參數(shù)是否處于預定范圍內(nèi)； 光刻單元，用于在判斷單元判斷出處于預定范圍內(nèi)時，進行光刻；以及 光刻禁止單元，用于在判斷單元判斷出未處于預定范圍內(nèi)時，禁止光刻。
13、 如權利要求12所述的系統(tǒng)，其特征在于，還包括用于優(yōu)化預定范圍的 單元。
14、 如權利要求13所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述用于優(yōu)化預定范圍的單 元，具體包括用于判斷當前批次光刻出的產(chǎn)品是否為預定批次的合格產(chǎn)品的子單元；以及用于在是的情況下，優(yōu)化所述預定范圍的子單元；和 用于將該優(yōu)化后的預定范圍，設定為用于光刻后續(xù)多批待光刻產(chǎn)品的預定 范圍的子單元。
15、 如權利要求12所述的系統(tǒng)，其特征在于，還包括用于在判斷單元判斷 出未處于所述預定范圍時，發(fā)出提示信息的單元。
16、 如權利要求15所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述提示信息用于提示已光 刻出的產(chǎn)品不合格。
全文摘要
本發(fā)明提出了一種光刻方法及系統(tǒng)，以提高光刻效率。該方法包括判斷光刻工藝條件參數(shù)是否處于預定范圍內(nèi)；在處于預定范圍內(nèi)時，進行光刻；以及在未處于預定范圍內(nèi)時，禁止光刻；該系統(tǒng)包括判斷單元，用于判斷光刻工藝條件參數(shù)是否處于預定范圍內(nèi)；光刻單元，用于在判斷單元判斷出處于預定范圍內(nèi)時，進行光刻；以及光刻禁止單元，用于在判斷單元判斷出未處于預定范圍內(nèi)時，禁止光刻。
文檔編號G03F7/20GK101655666SQ200810041879
公開日2010年2月24日 申請日期2008年8月19日 優(yōu)先權日2008年8月19日
發(fā)明者柳會雄 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司