專利名稱：顯影后抗蝕基板處理溶液及使用它的抗蝕基板處理方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種抗蝕基板處理溶液。具體地，本發(fā)明涉及一 種抗蝕基板處理溶液，其有利地用于感光樹脂組合物的顯影方法
中，該組合物用于制造半導(dǎo)體設(shè)備、平板顯示器(FPD)如液晶顯示 設(shè)備、電荷耦合器件(CCD)、濾色鏡、磁頭等；本發(fā)明還涉及一種 使用該處理溶液的顯影后抗蝕基板處理方法。
背景技術(shù)：
在包括半導(dǎo)體集成電路如LSI的制造、FPD屏的制造以及用 于濾色鏡、感熱頭等的電路板的生產(chǎn)的廣泛領(lǐng)域中，迄今為止光 刻法已被用于精細(xì)元件的形成或用于微型加工。光刻法中，將正 型感光樹脂組合物或負(fù)型感光樹脂組合物用于抗蝕圖的形成。作 為正型光致抗蝕劑，廣泛應(yīng)用的是例如包含一種堿溶性樹脂和一 種醌二疊氮化合物的感光物質(zhì)的感光樹脂組合物。
同時(shí)，近年來在精細(xì)電子設(shè)備制造中，伴隨著LSI的不斷增 加的集成密度和不斷加速的加工速度，已經(jīng)產(chǎn)生了滿足四分之一 微米或更精細(xì)尺度制造的設(shè)計(jì)規(guī)則而非從前所需的半微米尺度制 造的設(shè)計(jì)規(guī)則。由于傳統(tǒng)用于曝光的光源如可見光或近紫外光(波 長(zhǎng)400 300nm)不能完全應(yīng)付所需精細(xì)制造的設(shè)計(jì)規(guī)則，因此有 必要使用更短波長(zhǎng)的輻射，如由KrF準(zhǔn)分子激光器(248nm)、 ArF 準(zhǔn)分子激光器(193nm)等發(fā)射的遠(yuǎn)紫外光，X-射線或電子束。從而， 提出并在實(shí)踐中逐漸應(yīng)用了使用更短波長(zhǎng)輻射的光刻加工方法。為應(yīng)付所需更精細(xì)制造的設(shè)計(jì)規(guī)則，用于微型加工的光致抗蝕劑 必須是能得到高分辨率圖案的感光樹脂組合物。此外，還需要感 光樹脂組合物不僅在分辨率而且在敏感性和圖案的形狀與尺寸的 精確性上進(jìn)行改善。慮及此，已經(jīng)提出了一種"化學(xué)增強(qiáng)感光樹 脂組合物"作為對(duì)短波長(zhǎng)輻射具有敏感性并能提供高分辨率圖案 的輻射敏感樹脂組合物。該化學(xué)增強(qiáng)感光樹脂組合物包含暴露于 輻射下時(shí)產(chǎn)生酸的化合物，并因此當(dāng)施加輻射時(shí)，該化合物產(chǎn)生 酸且該酸用作圖像形成時(shí)的催化劑以改善敏感性。由于化學(xué)增強(qiáng) 感光樹脂組合物這樣有利，它已逐漸替代傳統(tǒng)感光樹脂組合物而 得到廣泛應(yīng)用。
然而，隨著上述不斷提高的制造精度，如基板表面上殘留雜 質(zhì)、圖案崩塌及圖案粗糙的這類問題已經(jīng)變得明顯。為解決這些 問題，已研究了各種方法，例如，改進(jìn)抗蝕劑組合物，此外，還 開發(fā)了 一種技術(shù)以改善圖案表面上的瑕疵(參見專利文獻(xiàn)1和2)。日本第2004-78217號(hào)專利公開公報(bào) [專利文獻(xiàn)2]日本第2004-184648號(hào)專利公開公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種抗蝕基板處理溶液，用于改善 顯影后圖案表面上的瑕疵(再沉積的雜質(zhì))。此外，本發(fā)明的另 一 目 的是提供一種使用所述處理溶液的抗蝕基板處理方法。
本發(fā)明涉及一種顯影后抗蝕基板處理溶液，其包含溶劑和含 氮水溶性聚合物或含氧水溶性聚合物。
本發(fā)明還涉及一種抗蝕基板處理方法，其中用抗蝕基板處理 溶液處理顯影后的抗蝕圖，該處理溶液包含溶劑和含氮水溶性聚 合物或含氧水溶性聚合物，然后用純水洗滌該抗蝕圖。
4本發(fā)明使在不明顯增加生產(chǎn)成本或削弱生產(chǎn)效率的情況下形 成具有很少瑕疵的顯影后圖案成為可能，該瑕疵是由再沉積在殘 留抗蝕層表面上或通過顯影除去抗蝕層的基板表面上的抗蝕層片 斷導(dǎo)致的。在本發(fā)明的生產(chǎn)方法中，不必引入新的裝置并可能使 用相對(duì)便宜的原材料，因此可在不增加生產(chǎn)成本的條件下生產(chǎn)具 有極好表面狀況的圖案。
具體實(shí)施例方式
以下將詳細(xì)描述本發(fā)明的圖案形成方法。
本發(fā)明的圖案形成方法中，顯影后的抗蝕圖用抗蝕基板處理 溶液處理。對(duì)顯影抗蝕圖以獲得待處理圖案的方法沒有特別限制， 因此可使用任意方法。因此，用于制備待處理圖案的光刻法可用 任何由傳統(tǒng)正型感光樹脂組合物或負(fù)型感光樹脂組合物形成抗蝕 圖的已知方式進(jìn)行。以下描述的是形成待用本發(fā)明抗蝕基板處理 溶液處理的圖案的典型方法。
首先，根據(jù)已知的涂覆方法如旋涂法，將感光樹脂組合物涂 覆在基板如硅基板或玻璃基板的 一 個(gè)表面(如果必要，該表面可被 預(yù)處理)上，形成感光樹脂組合物層。在感光樹脂組合物涂覆前， 可以通過涂覆在抗蝕層之下或之上預(yù)先形成抗反射膜?？狗瓷淠?能改善剖面形狀和曝光裕度。
本發(fā)明的圖案形成方法中可使用任何已知的感光樹脂組合
物。本發(fā)明可用的該組合物的典型實(shí)例包括 一種包含醌二疊氮 型感光物質(zhì)和堿溶性樹脂的組合物， 一種化學(xué)增強(qiáng)感光樹脂組合 物(它們是正型組合物)； 一種包含含感光官能團(tuán)的聚合物如聚肉桂 酸乙烯酯的組合物， 一種包含疊氮化合物如芳香族疊氮化合物或 包含環(huán)化橡膠和雙疊氮化合物的組合物， 一種包含重氮樹脂的組合物， 一種包含加合聚合不飽和化合物的光聚合組合物，以及一 種化學(xué)增強(qiáng)負(fù)型感光樹脂組合物(它們是負(fù)型組合物)。
用在包含醌二疊氮型感光物質(zhì)和堿溶性樹脂的正型組合物中
的醌二疊氮型感光物質(zhì)的實(shí)例包括1,2-苯醌二疊氮-4-磺酸、1,2-萘醌二疊氮-4-磺酸、1,2-萘醌二疊氮-5-磺酸以及它們的磺酸酯或 酰胺。堿溶性樹脂的實(shí)例包括酚醛清漆樹脂、聚乙烯苯酚、聚 乙烯醇及丙烯酸或甲基丙烯酸的共聚物。酚醛清漆樹脂優(yōu)選由一 種或多種酚類，如苯酚、鄰曱酚、間曱酚、對(duì)曱酚和二曱苯酚， 與一種或多種醛類如曱醛和多聚曱醛結(jié)合而制得。
本發(fā)明的圖案形成方法中可使用正型或負(fù)型化學(xué)增強(qiáng)感光樹 脂組合物?；瘜W(xué)增強(qiáng)抗蝕劑在暴露于輻射下時(shí)產(chǎn)生酸，該酸用作 促進(jìn)化學(xué)反應(yīng)的催化劑，通過它，在輻射照射的區(qū)域內(nèi)相對(duì)于顯 影劑的溶解度改變以形成圖案。例如，化學(xué)增強(qiáng)感光樹脂組合物 包含產(chǎn)酸化合物(其在暴露于輻射下時(shí)產(chǎn)生酸)，還包含含酸敏感官 能團(tuán)的樹脂，其在酸的存在下分解形成堿溶性基團(tuán)如酚式羥基或 羧基。該組合物可包含堿溶性樹脂、交聯(lián)劑和產(chǎn)酸化合物。
在例如熱板上預(yù)烘焙形成在基板上的感光樹脂組合物層以除 去組合物中含有的溶劑從而形成感光抗蝕劑膜。預(yù)烘焙溫度取決 于溶劑及感光樹脂組合物，但通常為20~200°C ,優(yōu)選50 15(TC。
然后，利用已知的曝光裝置如高壓汞燈、金屬囟化物燈、超 高壓汞燈、KrF準(zhǔn)分子激光器、ArF準(zhǔn)分子激光器、軟X射線放 射裝置以及電子束平板印刷裝置使感光抗蝕劑膜透過掩模(如有 必要)曝光。
曝光后，如有必要可執(zhí)行烘焙處理，接著進(jìn)行顯影如涂漿式 顯影而形成抗蝕圖。該抗蝕層通常用堿性顯影劑顯影。堿性顯影 劑的實(shí)例包括氬氧化鈉的水溶液或氫氧化四曱基銨(TMAH)的水溶液。顯影后，用沖洗液優(yōu)選純水進(jìn)行漂凈(沖洗)抗蝕圖。由此形 成的抗蝕圖作為蝕刻、鍍敷、離子擴(kuò)散或染色的抗蝕層，然后如 必要，將其剝離。
任何圖案尺寸的抗蝕圖都可使用本發(fā)明的抗蝕基板處理方 法。然而，在將本發(fā)明的方法用于生產(chǎn)需要具有細(xì)微表面特征及 精確尺寸的精細(xì)抗蝕圖時(shí)，具有明顯的改善效果。因此，本發(fā)明
的方法優(yōu)選與能得到精細(xì)抗蝕圖的光刻法結(jié)合，例如包括在KrF 準(zhǔn)分子激光器、ArF準(zhǔn)分子激光器、X射線放射系統(tǒng)或電子束平板 光刻系統(tǒng)的光源下以250nm或更短波長(zhǎng)曝光的光刻法。此外，光 刻法優(yōu)選制造具有這樣圖案尺寸的抗蝕圖，其中線和空間圖案的 線寬不超過300nm,優(yōu)選不超過200nm,或者其中接觸孔圖案的 孔徑不超過300nm,優(yōu)選不超過200nm。
抗蝕圖的厚度完全由所打算的用途決定，但其范圍通常是 0.1~5,，優(yōu)選0.卜2.5阿，更優(yōu)選0.2~1.5|im。
本發(fā)明的抗蝕基板處理方法中，顯影后的抗蝕圖用含有水和 含氮水溶性聚合物或含氧水溶性聚合物的抗蝕基板處理溶液處 理。任何聚合物都可用作含氮水溶性聚合物或含氧水溶性聚合物， 只要它含有氮原子或氧原子且溶于水。
含氮水溶性聚合物含有例如氨基、吡唑基團(tuán)或酰胺基團(tuán)形式 的氮原子。優(yōu)選的是含氨基的水溶性聚合物。對(duì)聚合物中含有的 氮原子數(shù)沒有特別限制。然而，為增強(qiáng)減小圖案尺寸的效果，每 分子聚合物中的氮原子數(shù)優(yōu)選為5~5000,更優(yōu)選為5 2000。
含氮水溶性聚合物優(yōu)選為以下通式(I)表示的聚胺
(I)其中L1和L^是二價(jià)連接基團(tuán)如單鍵或二價(jià)官能團(tuán)。對(duì)L1和 L2中含有的碳原子數(shù)沒有特別限制，但每個(gè)優(yōu)選含有0~20個(gè)碳原 子，更優(yōu)選0 5個(gè)碳原子?；鶊F(tuán) 〃和1^2沒有特別限制，但通常是 烴基，優(yōu)選亞烴基或亞芳基，更優(yōu)選亞烴基。該式中，R'和I^可 以是任意官能團(tuán)。R'和112中含有的碳原子數(shù)沒有特別限制，但它 們通常是氫原子或烴基，因此每個(gè)優(yōu)選含0~20個(gè)碳原子，更優(yōu)選 0 5個(gè)碳原子?；鶊F(tuán)W和112沒有特別限制，但它們通常是烴基， 優(yōu)選烷基或芳基，更優(yōu)選烷基?；鶊F(tuán)R1和112可相連成環(huán)，或者 W或W可分別與L'或！^中的碳原子相連成環(huán)。上式中，p是表 示聚合度的數(shù)。如果必要，L1、 L2、 W及R2中的每一個(gè)基團(tuán)都可 具有取代基如羥基、羧基、氨基、羰基或醚基團(tuán)。該聚合物的一 個(gè)分子中，L1、 L2、 R1及R2中的每一個(gè)都可為兩種或更多種不同 的基團(tuán)。此外，在基團(tuán)L1、 L2、 R1及112含有碳原子的情況下，碳 原子數(shù)選自這樣的范圍，即在該范圍內(nèi)該聚合物可以預(yù)定濃度溶 解在水中。例如，L1和L2分別優(yōu)選為亞烴基和亞甲基。聚胺的 實(shí)例包括聚烯丙胺、聚N-曱基烯丙基胺、聚N,N'-二曱基烯丙基 胺及聚(N-曱基-3,5-哌啶二基亞曱基)。那些聚合物的聚合度沒有特 別限制，它們可以根據(jù)各種條件如單體結(jié)構(gòu)、抗蝕基板處理溶液 的濃度以及抗蝕劑化合物來按需確定。然而，聚烯丙胺中p的數(shù) 值通常為5 500,優(yōu)選為10-400。聚N，N，-二曱基烯丙基胺中p的 數(shù)值通常為5~50,優(yōu)選5 30,而聚(N-曱基-3,5-哌啶二基亞曱基) 中p的數(shù)值通常為5~50,優(yōu)選10~30。優(yōu)選聚合物的結(jié)構(gòu)和聚合 度的具體實(shí)例如下所示。所示聚合物例如可由Nitto Boseki Co., Ltd. 商購(gòu)得到。<formula>formula see original document page 9</formula>如果通式(I)中W和I^都是氫原子，即，如果通式(I)中氮原 子形成伯氨基，則增強(qiáng)了本發(fā)明的效果。因此，具有所述結(jié)構(gòu)的 聚合物，例如，以上(Ia)或(Ib)的聚合物是特別優(yōu)選的。
含氧水溶性聚合物含有例如羥基、醚基團(tuán)、羧基、羰基或酰 胺基團(tuán)形式的氧原子。優(yōu)選的是含羥基或醚基團(tuán)的水溶性聚合物。 對(duì)聚合物中含有的氧原子數(shù)沒有特別限制。然而，為增強(qiáng)減小圖 案尺寸的效果，每分子聚合物中的氧原子數(shù)優(yōu)選為5~3000，更優(yōu) 選為5 1000。
含氧水溶性聚合物優(yōu)選為以下通式(n)表示的多羥基化合物 或以下通式(ni)表示的聚醚<formula>formula see original document page 10</formula>以上通式中，1^3~1/是二價(jià)連接基團(tuán)如單鍵或二價(jià)官能團(tuán)。對(duì) 連接基團(tuán)中含有的碳原子數(shù)沒有特別限制，但每個(gè)優(yōu)選含有0~20 個(gè)碳原子，更優(yōu)選0 5個(gè)碳原子。對(duì)連接基團(tuán)沒有特別限制，但 它們通常是單鍵或烴基。烴基中，優(yōu)選亞烴基或亞芳基，更優(yōu)選 亞烴基。通式(II)中，W可以是任意官能團(tuán)，但優(yōu)選氫、烷基或保 護(hù)基如乙?；?、苯曱基或乙縮醛基。對(duì)R3中含有的碳原子數(shù)沒有 特別限制，其通常為氫或烷基。R3中含有的碳原子數(shù)優(yōu)選為0 20, 更優(yōu)選為0~5。以上通式中，q和r是表示聚合度的數(shù)。如果必要， L^ lS及R3中的每一個(gè)基團(tuán)都可具有取代基，如羥基、羧基、氨 基、羰基或醚基團(tuán)。該聚合物的一個(gè)分子中，]^~1^及113中的每 一個(gè)都可為兩種或更多種不同的基團(tuán)。此外，在基團(tuán)1^ ls及R3 含有碳原子的情況下，碳原子數(shù)在這樣的范圍內(nèi)選擇，以便該聚 合物可以預(yù)定濃度溶解在水中。含氧水溶性聚合物例如是一種由 以下通式表示的化合物。<formula>formula see original document page 10</formula>
其中R'是羧基，且分子量約為24000。通式(IIa)的聚合物是 可商購(gòu)的(例如，PV-205 [商標(biāo)]，由Kuraray Co" Ltd.制造)。此外， 作為含氧水溶性聚合物，多羥基化合物、聚丙烯酸及聚曱基丙烯根據(jù)需要，使用具有所需分子量的含氮水溶性聚合物或含氧 水溶性聚合物是可能的。該聚合物的分子量范圍通常是 500 200000，優(yōu)選1000~100000。然而，由于合適的分子量取決于 主鏈結(jié)構(gòu)及官能團(tuán)，常?？赡苁褂梅肿恿砍鲆陨戏秶木酆衔铩Ｈ绻匾?，可以結(jié)合使用兩種或更多種聚合物。根據(jù)本發(fā)明的抗蝕基板處理溶液包含一種溶劑以及前述含氮 水溶性聚合物或含氧水溶性聚合物。對(duì)該溶劑沒有特別限制，可 以用任何溶劑。然而，考慮到與顯影劑及沖洗液的親和性，優(yōu)選 使用水。但是，為提高潤(rùn)濕性，可以加入少量有機(jī)溶劑作為助溶 劑。助溶劑的實(shí)例包括醇如曱醇和乙醇，酮如丙酮和曱乙酮以及 酯如乙酸乙酯。如果必要，可加入其它輔助成分。例如，可加入 酸性或堿性物質(zhì)與表面活性劑，除非它們削弱本發(fā)明的效果。對(duì)溶解在處理液中的含氮水溶性聚合物或含氧水溶性聚合物 的濃度沒有特別限制，但優(yōu)選根據(jù)該圖案用于什么以及該圖案如 何使用來控制該濃度。通常含有高濃度聚合物的處理液傾向于縮 短完成處理的時(shí)間，并在改善再沉積在圖案表面上的雜質(zhì)方面表 現(xiàn)顯著效果。另一方面，如果處理液含有的聚合物濃度低，處理 后用純水完成沖洗就需要較短的時(shí)間。此外，何種聚合物是最優(yōu) 選的以及多少用量是最優(yōu)選的，取決于感光樹脂組合物以及其它 條件。因此，優(yōu)選如此確定濃度以便能夠以良好的平衡獲得所需 特征。因此含氮水溶性聚合物或含氧水溶性聚合物的最佳濃度是 不固定的，但通常范圍是基于顯影后抗蝕基板處理溶液的總重量的0.01 10%,優(yōu)選0.1~5%，更優(yōu)選0.1~2%。可通過例如將抗蝕基板浸入處理溶液中或通過用處理溶液使 抗蝕基板浸漬涂布或漿式涂布來使用抗蝕基板處理溶液進(jìn)行抗蝕 圖的處理。不特別限制用處理溶液處理抗蝕基板的時(shí)間，即處理 時(shí)間。但是，為增強(qiáng)改善再沉積在圖案表面上雜質(zhì)的效果，處理 時(shí)間優(yōu)選不少于1秒，更優(yōu)選不少于10秒。不特別限制處理時(shí)間 的上限，但考慮到生產(chǎn)效率，處理時(shí)間優(yōu)選不超過300秒。對(duì)處理溶液的溫度也沒有特別限制。然而，考慮到改善再沉 積在圖案表面上雜質(zhì)的效果，該溫度的通常范圍是5~50°C ,優(yōu)選 20~30°C 。通常在顯影后的抗蝕基板中，由顯影除去的抗蝕層片段常常 作為雜質(zhì)再沉積到仍保留了抗蝕層的表面上或抗蝕層已被顯影除 去的棵露基板表面上。根據(jù)本發(fā)明的抗蝕基板處理方法，可除去 再沉積片段得到極少缺陷的表面。這種效果的機(jī)制仍有待清楚地 揭露。然而，推測(cè)包含在抗蝕層處理溶液中的水溶性聚合物中的 氮原子或氧原子通過使用它們的不成對(duì)電子或通過氫鍵吸收了再 沉積的抗蝕層片段，以至于除去了再沉積在仍保留的抗蝕層表面 上的或棵露基板表面上的抗蝕層片段。根據(jù)本發(fā)明的抗蝕基板處理方法中，用前述處理溶液處理后， 抗蝕基板用純水沖洗，即，進(jìn)行沖洗步驟。實(shí)施該沖洗步驟的目 的是為了洗掉抗蝕基板處理液。特別在處理液具有高濃度的情況 下，在用處理液處理后必須用純水進(jìn)行沖洗以便抗蝕圖在后續(xù)步 驟中不會(huì)受到困擾，例如，以便殘留在抗蝕層表面上的處理液不 會(huì)在蝕刻步驟中造成問題。此外，根據(jù)本發(fā)明的抗蝕基板處理方法中，優(yōu)選經(jīng)過顯影后的抗蝕基板在用含有本發(fā)明聚合物的處理溶液處理前也用純水沖 洗。用處理液處理前實(shí)施沖洗步驟的目的是為了洗掉抗蝕圖上殘 留的顯影劑。為防止顯影劑污染處理溶液并且用最少量的處理液 處理抗蝕基板，在用處理液處理前優(yōu)選用純水沖洗顯影后的抗蝕 基板?？梢杂盟璺绞綀?zhí)行用純水的沖洗。例如，將抗蝕基板浸入 沖洗液中，或在基板旋轉(zhuǎn)的同時(shí)將沖洗液滴到或噴到基板表面上。本發(fā)明中，顯影后的抗蝕圖用前述處理液處理。顯影后或用 純水沖洗后，抗蝕圖通常不經(jīng)干燥而立即用處理液處理。但是， 如必要，在用處理液處理前，在顯影后或顯影后的沖洗程序后， 可立即干燥抗蝕圖。即使如此，仍能獲得本發(fā)明的效果。通過本發(fā)明的抗蝕基板處理方法如此改善了表面條件的抗蝕 圖接著根據(jù)目標(biāo)用途進(jìn)行進(jìn)一步加工。本發(fā)明的抗蝕基板處理方 法并沒有限制后續(xù)步驟，并因此能以已知方式加工抗蝕圖。利用本發(fā)明方法形成的圖案可以與使用常規(guī)方法形成的圖案 相同的方式用于制造平板顯示器(FPD)如液晶顯示器，電荷耦合器件(CCD),濾色鏡，磁頭等。使用以下實(shí)施例進(jìn)一 步解釋本發(fā)明，但它們并不限制本發(fā)明 的實(shí)施方案。 對(duì)比實(shí)施例1將抗反射膜形成用組合物(AZ KrF-17B [商標(biāo)]，由AZ Electronic Materials (Japan) K K.制造)用旋轉(zhuǎn)涂布機(jī)(由Tokyo Electron Limited制 造)旋轉(zhuǎn)涂覆在8英寸硅片上，然后在熱板上于18(TC烘焙60秒得 到800 A厚的膜。用厚度監(jiān)控器(由Prometrix制造)測(cè)量該厚度。在 由此得到的抗反射膜上，旋轉(zhuǎn)涂覆含聚苯乙烯骨架聚合物(AZ DX6850P[商才示],由AZ Electronic Materials (Japan) K.K.制造)的248nm-曝光型化學(xué)增強(qiáng)光致抗蝕劑，接著在熱板上于10(TC烘焙90秒得 到0.68pm厚的抗蝕膜。然后用收縮式投影曝光裝置(FPA-3000EX5 [商標(biāo)]，由Canon Inc.制造)使用四極(Quadropole)在248nm下曝光所 得到的抗蝕膜。曝光之后，在熱板上于110'C烘焙抗蝕基板60秒， 接著在23。C下用2.38 wt.。/。氫氧化四曱基銨水溶液(顯影劑AZ 300MIF[商標(biāo)]，由AZ Electronic Materials (Japan) K.K.制造)進(jìn)行涂漿 式顯影1分鐘。隨后，在用純水沖洗后，離心干燥抗蝕基板得到 250nm的短線圖案。 對(duì)比實(shí)施例2在與對(duì)比實(shí)施例1同樣方法顯影后，(a) 不用純水沖洗抗蝕基板，而立即用抗蝕基板處理溶液處理 20秒，或(b) 不用純水沖洗抗蝕基板，而立即用抗蝕基板處理溶液處理 20秒，并接著用純水沖洗15秒，或(c) 用純水沖洗抗蝕基板并用抗蝕基板處理溶液處理15秒，接 著再用純水沖洗15秒。每次處理使用的含有各種濃度三乙醇胺的 抗獨(dú)基板處理溶液如表1所示。實(shí)施例重復(fù)對(duì)比實(shí)施例2的步驟，不同之處在于使用含有如表1所 示各種濃度的表1所示聚合物的抗蝕基板處理溶液。利用表面瑕疵檢測(cè)器(KLA-2115 [商標(biāo)],由KLA-Tencor Co.制 造)觀測(cè)如上得到的抗蝕圖，來評(píng)價(jià)圖案表面上再沉積的雜質(zhì)。結(jié) 果如表1所示。表1再沉積雜質(zhì)根據(jù)抗蝕處理溶液濃度的評(píng)價(jià)聚合物程序抗蝕處理溶液的濃度0%0.01%0.1%1%2%5%三乙醇胺顯影-處理 顯影-處理-沖洗 顯影-沖洗-處理-沖洗>10000>10000 〉10000 〉10000〉10000 >訓(xùn)00 〉10000>10000 >10000 〉10000>10000 >10000 >10000〉10000 〉10000 >10000(la)顯影-處理 顯影-處理-沖洗 顯影-沖洗-處理-沖洗〉10000〉10000 0 0>10000 0 0>10000 0 0>10000 0 0〉10000 0 0(lb)顯影-處理 顯影-處理-沖洗 顯影-沖洗-處理-沖洗〉10000>10000 0 0〉10000 0 0>10000 0 0〉10000 0 0〉10000 0 0(Ic)顯影-處理 顯影-處理-沖洗 顯影-沖洗-處理-沖洗〉10000〉10000 952 513>畫00 883 435〉10000 56 23>10000 48 56>10000 38 20(Id)顯影-處理 顯影-處理-沖洗 顯影-沖洗-處理-沖洗〉10000〉10000 943 825〉10000 760 654〉10000 189 46>10000 85 37>10000 65 26(IIa)顯影-處理 顯影-處理-沖洗 顯影-沖洗-處理-沖洗〉10000>10000 9035 5053〉10000 634 334〉10000 13>10000 8〉10000 6 4注)炫融抗蝕表面被熔化。1權(quán)利要求
1. 一種顯影后抗蝕基板處理溶液，包含溶劑和含氮水溶性聚合物或含氧水溶性聚合物。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯影后抗蝕基板處理溶液，其中所述 含氮水溶性聚合物是含氨基水溶性聚合物。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯影后抗蝕基板處理溶液，其中所述 含氨基水溶性聚合物中含有的氨基是伯氨基。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1的顯影后抗蝕基板處理溶液，其中所述含氧 水溶性聚合物是多羥基化合物或聚醚。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1~4任一項(xiàng)所述的顯影后抗蝕基板處理溶液，其中基于顯影后抗蝕基板處理溶液的總重量，所述溶液含有的含 氮水溶性聚合物或含氧水溶性聚合物的濃度是0.01~10%。
6. —種抗蝕基板處理方法，其中用 一 種抗蝕基板處理溶液處理 顯影后的抗蝕圖，該處理溶液含有溶劑和含氮水溶性聚合物或含 氧水溶性聚合物，然后用純水洗滌該抗蝕圖。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的抗蝕基板處理方法，其中用所述抗蝕 基板處理溶液處理所述抗蝕圖的時(shí)間范圍為1 300秒。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的抗蝕基板處理方法，其中在用所 述抗蝕基板處理溶液處理前還用純水進(jìn)行洗滌。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種用于改善顯影后圖案表面上瑕疵的抗蝕基板處理溶液，還提供了一種使用該處理溶液的抗蝕基板處理方法。該抗蝕基板處理溶液包含溶劑和含氮水溶性聚合物或含氧水溶性聚合物如聚胺、多羥基化合物或聚醚。該處理方法中，用該抗蝕基板處理溶液處理顯影后的抗蝕圖，然后用純水洗滌。
文檔編號(hào)G03F7/32GK101523295SQ20078003779
公開日2009年9月2日 申請(qǐng)日期2007年10月12日 優(yōu)先權(quán)日2006年10月19日
發(fā)明者小林政一, 島崎龍?zhí)? 能谷剛 申請(qǐng)人:Az電子材料(日本)株式會(huì)社