專利名稱：液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示裝置，特別是涉及使用OCB模式(Optically Self-Compensated Birefringence mode:光學(xué)自補償雙折射模式)的半透 過型液晶顯示裝置。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)中，液晶顯示裝置被廣泛使用于電視機、筆記本PC (個 人計算機)、臺式PC、 PDA (便攜式終端)和便攜式電話等各種電子 機器。這是因為液晶顯示裝置比CRT (Cathode Ray Tube:陰極射線管) 更薄、更輕，能夠以低電壓驅(qū)動，消費電力更小的緣故。
在液晶顯示裝置中，半透過型液晶顯示裝置具有透過和反射顯示 模式，因為能夠與周邊環(huán)境的亮度相應(yīng)地熄滅背光源，所以能夠低消 費電力化，適于便攜式電話等便攜式信息終端。
另一方面，液晶電視機等使用液晶面板進行動畫顯示正在急速地 普及，需要使液晶面板的響應(yīng)速度變得高速，進行良好的動畫顯示。 于是，最近特別關(guān)注的是響應(yīng)速度快的OCB模式(Optically Self-Compensated Birefringence mode:光學(xué)自補償雙折射模式)。該OCB模 式中，在實施過使液晶分子平行且在同一方向上取向的取向處理的兩 枚基板之間夾有液晶層，在各個基板表面設(shè)置有相位差板，還在兩基 板上以正交尼科耳的方式配置有偏光板。作為相位差板，使用主軸混 合排列的負的相位差板。
圖28和圖29是示意性地表示使用OCB模式的現(xiàn)有的液晶顯示裝 置101的概略結(jié)構(gòu)的截面圖，圖28表示無電壓施加時的狀態(tài)，圖29 表示電壓施加時的狀態(tài)。
上述液晶顯示裝置101中的液晶面板105，如圖28和圖29所示， 包括在第一玻璃基板152上形成有第一透明電極156和未圖示的彩色 濾光片而成的彩色濾光片基板141、和在第二玻璃基板151上形成有TFT (Thin Film Transistor:薄膜晶體管)133、配線層(未圖示)、絕 緣層126和第二透明電極122而成的TFT基板142，包含液晶分子190 的液晶層155被該彩色濾光片基板141和TFT基板142夾持。
如圖28和圖29所示，使用OCB模式的液晶顯示裝置101中，液 晶分子190在沒有施加電壓的狀態(tài)下，為如圖28所示的展曲(spray) 取向，而在施加電壓時轉(zhuǎn)移為如圖29所示的彎曲(bend)取向。并且， 在該彎曲取向的狀態(tài)下進行顯示。
專利文獻l中，公開有將這樣的OCB模式應(yīng)用于半透過型液晶顯 示裝置的技術(shù)。
圖30是示意性地表示上述專利文獻1中記載的液晶顯示裝置的概 略結(jié)構(gòu)的截面圖。
專利文獻l所示的液晶顯示裝置中，如圖30所示，使反射區(qū)域a 中的液晶分子190的取向(圖30的g區(qū)域)，是將透過區(qū)域b中的液 晶分子190的取向(圖30的f區(qū)域)恰好取半的取向，即一端為垂直 取向，另一端為水平取向。
并且，TFT基板142的顯示區(qū)域a中，形成有設(shè)置有反射電極123 的臺階樹脂層154。其中，使該臺階樹脂層154的對透過顯示作貢獻的 部分的液晶層的厚度為對反射顯示作貢獻的部分的液晶層的厚度的約 2倍，透過區(qū)域和反射區(qū)域中光路長度相等。
專利文獻1:日本國公開專利公報"特開2005-84593號公報(2005 年3月31日公開)"
專利文獻2:日本國公開專利公報"特開2002-207206號公報(2002 年7月26日公開)"
專利文獻3:日本國公開專利公報"特開2002-350902號公報(2002 年12月4日公開)"
專利文獻4:日本國公開專利公報"特開2005-31680號公報(2005 年2月3日公開)"
專利文獻5:日本國專利公報"特許第3334714號公報(2002年 10月15日發(fā)行)"
發(fā)明內(nèi)容但是，上述專利文獻1中公開的技術(shù)中，需要在微小區(qū)域中實現(xiàn) 垂直取向和水平取向，會產(chǎn)生難以應(yīng)用于產(chǎn)品的問題。
因此，要求透過區(qū)域和反射區(qū)域都是OCB模式的結(jié)構(gòu)。
此處，為了實現(xiàn)OCB模式，需要進行向彎曲取向的轉(zhuǎn)移。并且可
以認為，為了實現(xiàn)該向彎曲取向的轉(zhuǎn)移，使用產(chǎn)生取向轉(zhuǎn)移的核的技
術(shù)是有效的。
作為上述產(chǎn)生核的技術(shù)，例如在專利文獻2中提出有在信號線和 像素電極之間產(chǎn)生橫電場的技術(shù)，在專利文獻3中提出有為了增強橫 電場而在像素電極之間形成配線電極的技術(shù)，在專利文獻4中提出有 為了在像素內(nèi)生成彎曲取向而形成金屬電極的技術(shù)，在專利文獻5中 提出有為了產(chǎn)生橫電場而在像素電極上形成缺失部的技術(shù)。
將半透過型液晶顯示裝置中，為了使透過區(qū)域和反射區(qū)域都是 OCB模式而考慮在半透過型液晶顯示裝置中應(yīng)用在像素電極上形成缺 失部(狹縫)的技術(shù)作為產(chǎn)生核的技術(shù)的情況下的結(jié)構(gòu)，示于圖31和 圖32。圖31是示意性地表示在半透過型液晶顯示裝置中應(yīng)用在像素電 極上形成缺失部(狹縫)的技術(shù)的液晶顯示裝置中的TFT基板的一個 像素的概略結(jié)構(gòu)的平面圖。此外，圖32是示意性地表示將在半透過型 液晶顯示裝置中應(yīng)用在像素電極形成缺失部(狹縫)的技術(shù)的液晶顯 示裝置以與圖31所示的K-K線相當?shù)木€切斷時的該液晶顯示裝置中的 液晶面板的截面的概略結(jié)構(gòu)的截面圖，表示該液晶面板的截面結(jié)構(gòu)和 液晶分子的取向狀態(tài)。其中，為了便于說明，對于具有與圖28 圖30 同樣功能的結(jié)構(gòu)要素附加相同的編號，省略其說明。
圖31和圖32所示的液晶顯示裝置中，在反射區(qū)域a的反射電極 123和透過區(qū)域b的第二透明電極122分別設(shè)置有作為核產(chǎn)生部的狹縫 112a。此外，在該狹縫112a、 112a的下層，隔著絕緣層126在第二玻 璃基板151上與柵極總線131平行地分別形成有作為輔助電容電極的 共用電極124。其中，圖31和圖32所示的液晶顯示裝置中，像素電極 121也由反射電極123和第二透明電極122構(gòu)成。
由此，如圖32中等電位線x所示，在狹縫112a附近產(chǎn)生橫電場， 形成彎曲取向的核。其中，柵極總線131和數(shù)據(jù)總線132與TFT133 連接，TFT133的漏極電極133d通過接觸孔115與像素電極121連接。此外，將半透過型液晶顯示裝置中，為了使透過區(qū)域和反射區(qū)域
都是OCB模式而考慮在半透過型液晶顯示裝置中應(yīng)用在像素電極上形 成突起物的技術(shù)作為產(chǎn)生核的技術(shù)的情況下的結(jié)構(gòu)，示于圖33和圖 34。
圖33是示意性地表示在半透過型液晶顯示裝置中應(yīng)用在像素電極 上形成突起物的技術(shù)的液晶顯示裝置中的TFT基板的一個像素的概略 結(jié)構(gòu)的平面圖。
此外，圖34是示意性地表示將在半透過型液晶顯示裝置中應(yīng)用在 像素電極上形成突起物的技術(shù)的液晶顯示裝置以與圖33所示的L-L線 相當?shù)木€切斷時的該液晶顯示裝置中的液晶面板的截面的概略結(jié)構(gòu)的 截面圖，表示該液晶面板的截面結(jié)構(gòu)和液晶分子的取向狀態(tài)。其中， 為了便于說明，對于具有與圖28 圖32同樣功能的結(jié)構(gòu)要素附加相同 的編號，省略其說明。
圖33和圖34所示的液晶顯示裝置中，在反射區(qū)域a的反射電極 123和透過區(qū)域b的第二透明電極122分別設(shè)置有作為核產(chǎn)生部的突起 物112b。
其中，在圖33和圖34所示的液晶顯示裝置中，像素電極121也 由反射電極123和第二透明電極122構(gòu)成。
由此，在突起物112b的附近形成彎曲取向的核。其中，柵極總線 131和數(shù)據(jù)總線132與TFT133連接，TFT133的漏極電極133d通過接 觸孔115與像素電極121連接。
但是，已知在如上所述形成狹縫112a作為核產(chǎn)生部的情況下，在 狹縫112a上，由于不能夠驅(qū)動液晶分子l卯，所以透過率和反射率降 低，在如上所述在半透過型液晶顯示裝置中為了使透過區(qū)域b和反射 區(qū)域a都是OCB模式而在透過區(qū)域b和反射區(qū)域a分別形成狹縫112a 時，導(dǎo)致像素整體變暗。
此外，已知在如上所述形成突起物112b作為核產(chǎn)生部的情況下， 由于在突起物112b上液晶層155的厚度實質(zhì)上變小，透過率和反射率 降低，所以在如上所述在半透過型液晶顯示裝置中為了使透過區(qū)域b 和反射區(qū)域a都是OCB模式而在透過區(qū)域b和反射區(qū)域a分別形成突 起物112b的情況下，也會產(chǎn)生畫面整體變暗的問題。本發(fā)明鑒于上述問題點而提出，其目的在于，提供一種以O(shè)CB模 式驅(qū)動透過區(qū)域和反射區(qū)域兩方的半透過型液晶顯示裝置，并且提供 在以O(shè)CB模式驅(qū)動透過區(qū)域和反射區(qū)域兩方時能夠抑制透過率和反射 率的降低、抑制像素變暗的半透過型液晶顯示裝置。
為了解決上述課題，本發(fā)明的液晶顯示裝置包括相對的一對基板 和被該一對基板夾持的液晶層，在一個像素內(nèi)具有透過區(qū)域和反射區(qū) 域，上述反射區(qū)域的液晶層的厚度形成為小于上述透過區(qū)域的液晶層 的厚度，上述液晶顯示裝置的特征在于在上述各像素內(nèi)的僅一處設(shè) 置有產(chǎn)生用于促進上述液晶層中包含的液晶分子向彎曲取向取向轉(zhuǎn)移 的彎曲核的核產(chǎn)生部，并且通過電壓的施加使上述透過區(qū)域和反射區(qū) 域的液晶層的液晶分子從展曲取向向彎曲取向取向轉(zhuǎn)移。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，通過以O(shè)CB模式驅(qū)動透過區(qū)域的反射區(qū)域兩者， 不需要如上述專利文獻1所示，在微小區(qū)域?qū)崿F(xiàn)垂直取向和水平取向， 比較現(xiàn)實，能夠充分地產(chǎn)品化。因此，根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，能夠提供一種 能夠?qū)崿F(xiàn)低消費電力化、并且能夠高速響應(yīng)、能夠適用于顯示動畫的 便攜式終端等的半透過型的液晶顯示裝置。此外，根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，通 過僅在像素內(nèi)的一處具備核產(chǎn)生部，能夠抑制透過率和反射率的降低 并以O(shè)CB模式驅(qū)動上述兩區(qū)域。因此，根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，起到以下效果-能夠提供一種能夠以O(shè)CB模式驅(qū)動透過區(qū)域和反射區(qū)域兩方，并且抑 制在以O(shè)CB模式驅(qū)動兩區(qū)域時像素變暗的半透過型液晶顯示裝置。
此外，本發(fā)明的液晶顯示裝置中，優(yōu)選上述核產(chǎn)生部設(shè)置在各像 素的反射區(qū)域和透過區(qū)域的邊界附近(即，兩區(qū)域的邊界部或其附近)。 此處，邊界附近優(yōu)選為例如距離邊界線不足20微米的范圍，更嚴密而 言為5微米以內(nèi)的范圍。此外，本發(fā)明的液晶顯示裝置中，上述核產(chǎn) 生部也可以是跨過上述反射區(qū)域和透過區(qū)域設(shè)置的結(jié)構(gòu)。
根據(jù)上述各結(jié)構(gòu)，彎曲取向的傳播不會在反射區(qū)域和透過區(qū)域的 邊界停止，能夠在透過區(qū)域和反射區(qū)域這兩方區(qū)域可靠地實現(xiàn)彎曲取 向，所以起到能夠提供顯示品質(zhì)高的半透過型液晶顯示裝置的效果。
此外，本發(fā)明的液晶顯示裝置中，優(yōu)先各像素的反射區(qū)域和透過 區(qū)域的邊界線在俯視時具有凹凸，該反射區(qū)域和透過區(qū)域中任意一方 的區(qū)域具有被另一方區(qū)域局部包圍的形狀。此外，本發(fā)明的液晶顯示裝置中，優(yōu)選上述核產(chǎn)生部設(shè)置在反射區(qū)域。此外，本發(fā)明的液晶顯 示裝置中，優(yōu)選上述核產(chǎn)生部設(shè)置在透過區(qū)域。
例如，以反射區(qū)域具有形成凸出的部分、核產(chǎn)生部設(shè)置在透過區(qū) 域的結(jié)構(gòu)為例進行說明，則首先由核產(chǎn)生部在透過區(qū)域形成彎曲取向 的核，當所產(chǎn)生的彎曲取向擴展到透過區(qū)域整體時尚未轉(zhuǎn)移到彎曲取 向的反射區(qū)域的凸出形狀的區(qū)域，成為被彎曲取向已擴展的透過區(qū)域
的凹狀的區(qū)域覆蓋其3方的狀態(tài)。如此，通過在展曲取向區(qū)域和彎曲
取向區(qū)域的邊界起作用的表面張力，使邊界線的長度縮短的力即使邊 界線的凸部為一直線狀的力起作用，結(jié)果，彎曲取向擴大到被已彎曲 取向的透過區(qū)域所包圍的反射區(qū)域。
如上所述，根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，彎曲取向通過要使邊界線的長度縮短 的力越過兩區(qū)域的邊界傳播。因此，根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，彎曲取向的傳播 不會在反射區(qū)域和透過區(qū)域的邊界停止，能夠在透過區(qū)域和反射區(qū)域
這兩方的區(qū)域可靠地實現(xiàn)彎曲取向，所以能夠同時起到以下效果能 夠提供顯示品質(zhì)高的半透過型液晶顯示裝置，并且具備核產(chǎn)生部的場 所不限定為邊界部等，能夠自由地選定場所。
此外，本發(fā)明的液晶顯示裝置中，優(yōu)選上述核產(chǎn)生部包括夾著絕 緣層設(shè)置在不同平面的兩層電極，上述核產(chǎn)生部是在上述兩層電極中 上述液晶層一側(cè)的電極的與另一方的電極隔著上述絕緣層重疊的區(qū)域 的一部分所設(shè)置的開口部，上述兩電極具有電位差。此外，本發(fā)明的 液晶顯示裝置中，優(yōu)選上述液晶層一側(cè)的電極是像素電極。此外，本 發(fā)明的液晶顯示裝置中，優(yōu)選上述液晶層一側(cè)的電極是相對電極。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，通過夾著絕緣層設(shè)置在不同平面的兩層電極的電 位差產(chǎn)生橫電場，因此能夠可靠地產(chǎn)生促進向彎曲取向轉(zhuǎn)移的核。
本發(fā)明的液晶顯示裝置中，優(yōu)選上述核產(chǎn)生部是形成在上述一對 基板中一方的基板的與液晶層相對的表面上的突起物。此外，本發(fā)明 的液晶顯示裝置中，優(yōu)選上述突起物形成在像素電極上。此外，本發(fā) 明的液晶顯示裝置中，優(yōu)選上述突起物形成在相對電極上。
根據(jù)上述結(jié)構(gòu)，能夠容易地具備核產(chǎn)生部。


圖1是示意性地表示本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置中的TFT 基板的一個像素的概略結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖2是示意性地表示將本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置以與圖 1所示的A-A線相當?shù)木€切斷時的液晶顯示裝置中的液晶面板的截面 的概略結(jié)構(gòu)的截面圖。
圖3是示意性地表示本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置的主要部 分的概略結(jié)構(gòu)的截面圖。
圖4是示意性地表示本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置中的TFT 基板的一個像素的概略結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖5是示意性地表示將本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置以與圖 4所示的B-B線相當?shù)木€切斷時的液晶顯示裝置中的液晶面板的截面 的概略結(jié)構(gòu)的截面圖。
圖6是示意性地表示本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置中的TFT 基板的一個像素的概略結(jié)構(gòu)的圖，(a)表示俯視圖，(b)表示(a)所 示的TFT基板中的第二透明電極和反射電極各自的邊界線對應(yīng)的反射 電極的端面。
圖7是示意性地表示本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置中的TFT 基板的一個像素的概略結(jié)構(gòu)的圖，(a)表示俯視圖，(b)表示(a)所 示的TFT基板中的第二透明電極和反射電極各自的邊界線對應(yīng)的反射 電極的端面。
圖8是示意性地表示本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置中的TFT 基板的一個像素的概略結(jié)構(gòu)的圖，(a)表示俯視圖，(b)表示(a)所 示的TFT基板中的第二透明電極和反射電極各自的邊界線對應(yīng)的反射 電極的端面。
圖9是示意性地表示將本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置以與圖 6 (a)所示的C-C線相當?shù)木€切斷時的液晶顯示裝置中的液晶面板的 截面的概略結(jié)構(gòu)的截面圖。
圖IO是表示本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置中的TFT基板的第 二透明電極和反射電極的邊界線的圖。
圖11是示意性地表示本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置中的TFT 基板的一個像素的概略結(jié)構(gòu)的平面圖。圖12是示意性地表示將本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置以與圖 ll所示的D-D線相當?shù)木€切斷時的液晶顯示裝置中的液晶面板的截面
的概略結(jié)構(gòu)的截面圖。
圖13是示意性地表示本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置中的TFT
基板的一個像素的概略結(jié)構(gòu)的圖，(a)表示俯視圖，(b)表示(a)所 示的TFT基板中的第二透明電極和反射電極各自的邊界線對應(yīng)的反射 電極的端面。
圖14是是示意性地表示將本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置以與 圖13 (a)所示的E-E線相當?shù)木€切斷時的液晶顯示裝置中的液晶面板 的截面的概略結(jié)構(gòu)的截面圖。
圖15是示意性地表示本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置中的TFT
基板的一個像素的概略結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖16是示意性地表示將本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置以與圖 15所示的F-F線相當?shù)木€切斷時的液晶顯示裝置中的液晶面板的截面 的概略結(jié)構(gòu)的截面圖。
圖17是示意性地表示本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置中的TFT
基板的一個像素的概略結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖18是示意性地表示將本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置以與圖 17所示的G-G線相當?shù)木€切斷時的液晶顯示裝置中的液晶面板的截面 的概略結(jié)構(gòu)的截面圖。
圖19是示意性地表示本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置中的TFT 基板的一個像素的概略結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖20是示意性地表示將本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置以與圖 19所示的H-H線相當?shù)木€切斷時的液晶顯示裝置中的液晶面板的截面 的概略結(jié)構(gòu)的截面圖。
圖21是示意性地表示本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置中的液晶 面板的截面的概略結(jié)構(gòu)的截面圖。
圖22是示意性地表示本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置中的液晶 面板的截面的概略結(jié)構(gòu)的截面圖。
圖23是示意性地表示本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置中的液晶 面板的截面的概略結(jié)構(gòu)的截面圖。圖24是示意性地表示本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置中的TFT
基板的一個像素的概略結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖25是示意性地表示將本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置以與圖 24所示的I-I線相當?shù)木€切斷時的液晶顯示裝置中的液晶面板的截面
的概略結(jié)構(gòu)的截面圖。
圖26是示意性地表示本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置中的TFT
基板的一個像素的概略結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖27是示意性地表示將本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置以與圖 26所示的J-J線相當?shù)木€切斷時的液晶顯示裝置中的液晶面板的截面 的概略結(jié)構(gòu)的截面圖。
圖28是示意性地表示使用OCB模式的現(xiàn)有液晶顯示裝置的無施 加電壓時的概略結(jié)構(gòu)的截面圖。
圖29是示意性地表示使用OCB模式的現(xiàn)有液晶顯示裝置的施加 電壓時的概略結(jié)構(gòu)的截面圖。
圖30是示意性地表示專利文獻1中記載的液晶顯示裝置的概略結(jié) 構(gòu)的截面圖。
圖31是示意性地表示在半透過型液晶顯示裝置中應(yīng)用在像素電極 上形成缺失部的技術(shù)的液晶顯示裝置中的TFT基板的一個像素的概略
4*A A一 tt r^i 結(jié)構(gòu)的卞凹圖o
圖32是示意性地表示將在半透過型液晶顯示裝置中應(yīng)用在像素電 極上形成缺失部(狹縫)的技術(shù)的液晶顯示裝置，以與圖31所示的 K-K線相當?shù)木€切斷時的液晶顯示裝置中的液晶面板的截面的概略結(jié) 構(gòu)的截面圖。
圖33是示意性地表示在半透過型液晶顯示裝置中應(yīng)用在像素電極 上形成突起物的技術(shù)的液晶顯示裝置中的TFT基板的一個像素的概略 結(jié)構(gòu)的平面圖。
圖34是示意性地表示將在半透過型液晶顯示裝置中應(yīng)用在像素電 極上形成突起物的技術(shù)的液晶顯示裝置，以與圖33所示的L-L線相當 的線切斷時的該液晶顯示裝置中的液晶面板的截面的概略結(jié)構(gòu)的截面 圖。
符號說明1液晶顯示裝置
5液晶面板
11像素
12a狹縫
12b突起物
15接觸孔
21像素電極
22第二透明電極
23反射電極
24共用電極
25中間電極
26絕緣層
28輔助電極
31柵極總線
32數(shù)據(jù)總線
33TFT
41彩色濾光片基板(基板)
42TFT基板(基板)
51鄰一坂瑪丞板
52第一玻璃基板
53彩色濾光片
54臺階樹脂層
55液晶層
56第一透明電極
58第一取向膜
59第二取向膜
61第一直線偏光板
62第二直線偏光板
63第一相位差板
64第二相位差板
65第三相位差板66 第四相位差板
81 光源部
82 光源
83 導(dǎo)光板 90 液晶分子
具體實施例方式
對本發(fā)明的一個實施方式，基于圖1 圖5進行說明如下。
圖3是示意性地表示本發(fā)明的實施方式的液晶顯示裝置的主要部 分的概略結(jié)構(gòu)的截面圖。
如圖3所示，液晶顯示裝置1包括液晶面板5和在其背面形成的 光源部81 (背光源)。上述光源部81中包括光源82和導(dǎo)光板83。
另一方面，液晶面板5包括彩色濾光片基板41和TFT基板42、 和被該彩色濾光片基板41和TFT基板42夾住的液晶層55。
上述液晶顯示裝置1是在1個像素中具有作為反射顯示部的反射 區(qū)域a和作為透過顯示部的透過區(qū)域b，并且通過與周邊環(huán)境的亮度相 應(yīng)地點亮或熄滅上述光源部81而切換透過顯示和反射顯示的半透過型 的液晶顯示裝置。上述液晶顯示裝置1形成為在透過區(qū)域b的液晶層 55的膜厚比在反射區(qū)域a更薄。
上述TFT基板42包括第二玻璃基板51作為底層基板，在該第二 玻璃基板51的與上述彩色濾光片基板41相對的面一側(cè)，作為電極層， 在上述反射區(qū)域a設(shè)置有反射電極23，在上述透過區(qū)域b，在與上述 反射電極23同一層，設(shè)置有第二透明電極22。此外，在上述電極層上， 即，在上述第二透明電極22和反射電極23上，以覆蓋這些電極層的 方式形成有第二取向膜59。
另一方面，上述彩色濾光片基板41包括第一玻璃基板52作為底 層基板，具有在該第一玻璃基板52上從彩色濾光片53 —側(cè)起依次形 成有彩色濾光片53、第一透明電極56和第一取向膜58的結(jié)構(gòu)。
對上述第一取向膜58和第二取向膜59實施用于使上述液晶層55 中的液晶分子展曲取向的水平取向處理。此外，在上述彩色濾光片基板41的反射區(qū)域a，在彩色濾光片53 和第一透明電極56之間形成有臺階樹脂層54。該臺階樹脂層54通過 控制液晶層55的厚度，使反射區(qū)域a和透過區(qū)域b中作為光透過液晶 層55的距離的光路長度的差減少。
上述液晶顯示裝置l中，在透過區(qū)域b，如箭頭d所示，從光源部 81向上述液晶面板5照射的光僅一次通過液晶層55并從顯示面射出， 成為顯示光，由此進行顯示。另一方面，在反射區(qū)域a，從觀察者e — 側(cè)向顯示面入射的光，如箭頭c所示，通過液晶層55后，被上述反射 電極23反射，再次通過液晶層55，并從顯示面射出成為顯示光。
因此，在本實施方式中，以使在反射區(qū)域a和透過區(qū)域b中通過 液晶層55的光路長度相等的方式，上述臺階樹脂層54的與第一玻璃 基板52垂直方向的長度、換言之即臺階樹脂層54的高度，被設(shè)定為 第一玻璃基板52和第二玻璃基板51之間的距離的大致一半的長度。
此外，彩色濾光片基板41的與液晶層55的相反一側(cè)，從第一玻 璃基板52 —側(cè)起依次形成有第二相位差板64、第一相位差板63和第 一直線偏光板61。
另一方面，TFT基板42中的第二玻璃基板51的與液晶層55的相 反一側(cè)，從第二玻璃基板51—側(cè)起依次形成有第三相位差板65、第四 相位差板66和第二直線偏光板62。
此處，第二相位差板64和第三相位差板65是由主軸混合排列的 具有負的折射率各向異性的光學(xué)介質(zhì)構(gòu)成的相位差膜(負的相位差 膜)，第一相位差板63和第四相位差板66是兼?zhèn)湄摰膯屋S性相位差膜 的功能和正的單軸性相位差膜的功能的所謂雙軸性相位差膜。
并且，對第一取向膜58和第二取向膜59，已實施用于使液晶分子 展曲取向的水平取向處理。
接著，對上述液晶顯示裝置1中的上述彩色濾光片基板41和TFT 基板42的結(jié)構(gòu)，用圖l和圖2更加詳細地進行說明。
圖1是示意性地表示上述TFT基板42中的一個像素的概略結(jié)構(gòu)的 平面圖。如圖1所示，各像素11中，設(shè)有像素電極21、在像素電極 21的周圍隔著未圖示的絕緣層相互交叉形成的柵極總線31和數(shù)據(jù)總 線32、在各像素11形成的TFT (Thin Film Transistor:薄膜晶體管)33。像素電極21由第二透明電極22和反射電極23構(gòu)成，反射電極23 與TFT33的漏極電極33d通過接觸孔15連接。
并且，像素電極21的中心附近即第二透明電極22與反射電極23 的邊界附近，作為輔助電容電極的共用電極24與柵極總線31平行， 并且與柵極總線31形成在同一層。
在該共用電極24與第二透明電極重疊的部分，與數(shù)據(jù)總線32在 同一層形成有中間電極25。并且，該中間電極25與像素電極21通過 接觸孔15電連接。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，在中間電極25與共用電極24之間，形成用于穩(wěn)定 像素電極21的電位的輔助電容。
此外，數(shù)據(jù)總線32、柵極總線31和共用電極24各自連接到驅(qū)動 電路，分別具備能夠從外部獨立地賦予任意電位的單元。
此外，在第二透明電極22的與上述共用電極24重疊的部分，形 成有作為核產(chǎn)生部的狹縫12a、換言之即第二透明電極22的缺口。此 處，核產(chǎn)生部指的是用于產(chǎn)生使OCB模式中的液晶分子的取向從展曲 取向向彎曲取向轉(zhuǎn)移時的彎曲取向的核(彎曲核)的部分。
該狹縫12a形成在第二透明電極22與反射電極23的邊界附近的 第二透明電極22上。其中，圖1中舉例表示的是長方形的狹縫12a， 但是也能夠是矩形等其他形狀。
如上所述，在第二透明電極22上形成的狹縫12a下設(shè)置共用電極 24時，第二透明電極22與共用電極24之間會產(chǎn)生電位差。而且，通 過該電位差，在狹縫12a的附近產(chǎn)生橫電場，形成向彎曲取向轉(zhuǎn)移的 核。
圖2是示意性地表示將上述液晶顯示裝置1，以與圖1所示的A-A 線相當?shù)木€切斷本實施方式的液晶顯示裝置1時的該液晶顯示裝置中 的液晶面板5的截面的概略結(jié)構(gòu)的截面圖，表示該液晶面板5的截面 結(jié)構(gòu)和上述液晶層55中的液晶分子90的取向狀態(tài)。其中，圖2中，x 表示等電位線。
如上所述，彩色濾光片基板41中，形成有作為用于使反射區(qū)域a 中液晶層55的厚度比透過區(qū)域b中液晶層55的厚度更薄的臺階部分 的臺階樹脂層54。該臺階樹脂層54的高度，如上所述，為第一玻璃基板52與第二玻璃基板51的距離的大致一半的長度。
另一方面，該臺階樹脂層54的與第一玻璃基板52平行的面的形 狀是與相對的反射電極23的平面形狀大致相同的形狀。
此外，臺階樹脂層54的與第一玻璃基板52平行的面和垂直的面 大致直角相交。更具體而言，臺階樹脂層54的端面為矩形。
此外，如上所述，第二透明電極22上形成有狹縫12a，在第二透 明電極22和共用電極24之間形成有絕緣層26。
而且，如圖2所示，狹縫12a部分的等電位線x彎曲，電場具有 與第二玻璃基板51平行方向的成分。并且，作為與該第二玻璃基板51 平行方向的電場的橫電場，形成作為液晶分子90從展曲取向向彎曲取 向轉(zhuǎn)移的起點的核。
向彎曲取向的轉(zhuǎn)移從該核擴展到像素ll的整體。此時，在反射區(qū) 域a和透過區(qū)域b的邊界，存在臺階樹脂層54引起的液晶層55的厚 度差，但是本申請的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，只要核充分地接近邊界，則彎曲取 向會越過該臺階樹脂層54的臺階而擴展。
其中，本實施方式中，使臺階樹脂層54與狹縫12a之間的距離為 5微米。彎曲取向基本不受臺階樹脂層54的厚度差的影響，從透過區(qū) 域b傳播到反射區(qū)域a。另一方面，使上述距離設(shè)為20微米以上的情 況下，觀察到存在彎曲取向的傳播停止的情況。
此外，本實施方式中，也能夠不使核發(fā)生部為狹縫12a，而是為突 起物12b。
圖4是示意性地表示使用突起物12b作為核發(fā)生部的本實施方式 的其他液晶顯示裝置1中的TFT基板的一個像素11的概略結(jié)構(gòu)的平面 圖。此外，圖5是示意性地表示以與圖4所示的B-B線相當?shù)木€切斷 本實施方式的液晶顯示裝置1時的液晶顯示裝置1中的液晶面板5的 截面的概略結(jié)構(gòu)的截面圖，表示圖4所示的液晶顯示裝置1的截面結(jié) 構(gòu)和液晶分子90的取向狀態(tài)。
如圖4和圖5所示，該液晶顯示裝置l中，除了不使用圖l和圖2 所示的狹縫12a而改為使用突起物12b作為核產(chǎn)生部以外，具有與圖1 和圖2所示的液晶顯示裝置1相同的結(jié)構(gòu)。本實施方式中，上述突起 物12b設(shè)置在TFT基板42上，具有長方體形狀。更具體而言，上述突起物12b形成在TFT基板42中形成的第二透明電極22上、且在第二 透明電極22與反射電極23的邊界線附近。
該液晶顯示裝置1中，彎曲取向以由作為核產(chǎn)生部的突起物12b 產(chǎn)生的彎曲取向的核為起點傳播。圖4和圖5所示的液晶顯示裝置1 中，在反射區(qū)域a與透過區(qū)域b的邊界，也存在臺階樹脂層54引起的 液晶層55的厚度差，但是只要由作為核產(chǎn)生部的突起物12b產(chǎn)生的彎 曲取向的核充分接近上述邊界，則彎曲取向越過該臺階樹脂層54的臺 階而擴展。
其中，圖4和圖5所示的液晶顯示裝置1中，在使臺階樹脂層54 與突起物12b的距離為5微米的情況下，彎曲取向也基本不受臺階的 影響而傳播，但是在使臺階樹脂層54與突起物12b的距離為20微米 的情況下，存在彎曲取向的傳播在臺階處停止的情況。
此外，本實施方式中，上述突起物12b的形狀為長方體形狀，但 是該突起物12b的形狀并不限定于上述長方體形狀，也能夠為例如梯 形等其他形狀。
此外，如上所述使用突起物12b作為核產(chǎn)生部的情況下，突起物 12b與狹縫12a不同，不是利用共用電極24與像素電極21之間的電位 差而產(chǎn)生核。從而，上述突起物12b只要設(shè)置在反射區(qū)域a與透過區(qū) 域b的邊界附近，則形成該突起物12b的場所不必限定于與共用電極 24重疊的位置。
此外，圖1和圖2所示的液晶顯示裝置1中，舉出在第二透明電 極22的與共用電極24重疊的區(qū)域形成有上述狹縫12a的情況為例進 行了說明，但是本實施方式并不限定于此。如上所述使用狹縫(設(shè)置 在電極上的開口部)作為上述核產(chǎn)生部的情況下，作為上述核產(chǎn)生部， 也可以是以下結(jié)構(gòu)包括夾著絕緣層設(shè)置在不同平面的兩層電極，該 兩層電極中，液晶層55 —側(cè)的電極在隔著上述絕緣層與另一方的電極 重疊的區(qū)域的一部分具有狹縫，并且上述兩個電極具有電位差。
對本發(fā)明的實施方式2，基于圖6 圖12進行說明如下。其中， 本實施方式中，以與上述實施方式l的不同點為中心進行說明。其中， 為了便于說明，對與上述實施方式1具有同樣功能的結(jié)構(gòu)要素附加相同的編號，省略其說明。
本實施方式的特征在于，第二透明電極22與反射電極23的邊界 線不是一直線狀，更具體而言，上述第二透明電極22與反射電極23 的邊界線具有彎曲部(臺階部、凹凸)，第二透明電極22和反射電極 23中任意一方的電極，具有被另一方電極部分包圍的區(qū)域。
圖6 (a)、圖7 (a)和圖8 (a)是示意性地表示本實施方式的液 晶顯示裝置1的TFT基板42的一個像素11的概略結(jié)構(gòu)的平面圖，圖 6 (b)、圖7 (b)和圖8 (b)分別表示圖6 (a)、圖7 (a)和圖8 (a) 所示的TFT基板42的第二透明電極22和反射電極23各自的邊界線對 應(yīng)的反射電極23的端面。
如圖6 圖8所示，本實施方式的像素ll中，第二透明電極22和 反射電極23的邊界線并不是一直線狀，而是例如在俯視時，如圖6(a) 所示的矩形、如圖7 (a)所示的僅由鈍角構(gòu)成的梯形、如圖8 (a)所 示的包含銳角的梯形等具有臺階(圖6 (a)、圖7 (a)和圖8 (a)所 示的h)，如上述圖6 (b)、圖7 (b)、圖8 (b)所示，上述第二透明 電極22和反射電極23的端面形成為矩形。
此外，本實施方式的液晶顯示裝置1中，作為核產(chǎn)生部的狹縫12a 并不形成在第二透明電極22和反射電極23的邊界附近，而是形成在 反射電極23的大致中心部分。具體而言，在作為反射電極23的中心 部的與平行于柵極總線31形成的共用電極24重疊的部分，形成有狹 縫12a。其中，本實施方式中，未形成中間電極25。
圖9是示意性地表示以與圖6 (a)所示的C-C線相當?shù)木€切斷本 實施方式的液晶顯示裝置1時的該液晶顯示裝置1中的液晶面板5的 截面的概略結(jié)構(gòu)的截面圖，表示該液晶面板5的截面結(jié)構(gòu)和液晶分子 90的取向狀態(tài)。如圖9所示，本實施方式的液晶顯示裝置1也與上述 實施方式l相同，在彩色濾光片基板41的反射區(qū)域a、更具體而言在 與上述反射電極23對應(yīng)的位置，形成有臺階樹脂層54。其中，本實施 方式中，臺階樹脂層54的與第一玻璃基板52平行的面的形狀，也是 與相對的反射電極23的平面形狀大致相同的形狀。即，是與圖6 (a) 所示的與第二透明電極22的邊界線為矩形的反射電極23的平面形狀 相同的形狀。如上述實施方式1中所考察的，本申請的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)在反射區(qū)
域a和透過區(qū)域b以橫切像素電極21的方式一直線狀地分割的情況下， 在與第二透明電極22和反射電極23的邊界分離地設(shè)置有狹縫12a時， 存在導(dǎo)致彎曲取向的傳播在該邊界停止，不越過邊界傳播的情況，與 此相對，在邊界線不是一直線狀的情況下，例如在邊界線是曲折的多 條直線的情況或曲線的情況下，如圖6 圖8所示，上述狹縫12a無論 是否希望形成在第二透明電極22和反射電極23的邊界，彎曲取向都 易于越過上述邊界即臺階樹脂層54的臺階而傳播。
從而，本實施方式中，形成上述狹縫12a的場所不必限定于反射 區(qū)域a和透過區(qū)域b的邊界附近。本實施方式中，如圖6 圖8所示， 共用電極24形成在與反射區(qū)域a和透過區(qū)域b的邊界分離的位置，伴 隨此，上述狹縫12a也形成在上述與反射區(qū)域a和透過區(qū)域b的邊界 分離的位置。
以下對本實施方式的上述液晶顯示裝置1的作用進行說明。 例如圖6 (a)所示的結(jié)構(gòu)中，上述邊界線為矩形，核產(chǎn)生部形成 在反射區(qū)域a。該情況下，首先由上述核產(chǎn)生部形成彎曲取向的核，接 著產(chǎn)生的彎曲取向擴展到反射區(qū)域a整體。然后，在反射區(qū)域a和透 過區(qū)域b的邊界，彎曲取向的傳播暫時停止。這是因液晶層55的厚度 而變化。
但是，如圖6 圖8所示，第二透明電極22和反射電極23的邊界 線如上所述具有彎曲部(臺階h)，因為該彎曲部(臺階h)的端面形 成為矩形，所以在邊界線附近產(chǎn)生展曲取向區(qū)域的一部分被彎曲取向 區(qū)域夾住的狀態(tài)。
而且，彎曲取向向臺階h的一方擴展時，如果上述反射區(qū)域a和 透過區(qū)域b的邊界部分的形狀為矩形，則彎曲取向和展曲取向的邊界 沿臺階h為矩形。因此，展曲取向的一部分被彎曲取向包圍。而且， 因表面張力使邊界面盡可能地變短，所以矩形部分為了成為一直線狀 而越過臺階h，結(jié)果被彎曲取向包圍的展曲取向部分轉(zhuǎn)移為彎曲取向， 以此為契機彎曲取向擴展到像素11的整體。
其中，圖6 (a)所示的第二透明電極22和反射電極23的邊界線 和與其對應(yīng)的臺階樹脂層54的形狀為矩形，但是其形狀并不需要為完全的矩形，只要能夠發(fā)現(xiàn)展曲取向區(qū)域被彎曲取向區(qū)域包圍的狀態(tài)即
可，例如用圖7 (a)和圖8 (a)所示的形狀也能得到同樣的效果。
圖7 (a)所示的邊界線的俯視圖的形狀僅由鈍角構(gòu)成，所以具有 容易制造的優(yōu)點，但是另一方面，存在由上述邊界的表面張力使彎曲 取向擴大的能力比圖6 (a)所示的矩形的邊界線的俯視圖形狀差的缺 點。
圖8 (a)所示的邊界線與圖6 (a)所示的矩形的邊界線的形狀相 比，由上述邊界的表面張力使彎曲取向擴大的能力更優(yōu)，但是邊界線 為銳角狀所以存在制造困難的缺點。
此外，圖6 (a)、圖7 (a)和圖8 (a)中，舉例表示的是反射區(qū) 域a的凸部存在3處、另一方的透過區(qū)域b的凸部存在兩處的邊界線。 由此，2處展曲取向區(qū)域被彎曲取向包圍，由此與被包圍的區(qū)域為1 處的情況相比，彎曲取向的擴大更加確實。此外，因為邊界線的曲率 半徑變小，所以邊界線上的展曲取向和彎曲取向的共存難以穩(wěn)定，彎 曲取向的擴大更為確實。
其中，邊界線的凸部的個數(shù)并不限定于上述實施方式。因為只要 展曲取向區(qū)域被彎曲取向區(qū)域以凹狀包圍的區(qū)域至少存在1處，就能 夠促進向彎曲取向的轉(zhuǎn)移。
此外，邊界線的種類也不限定于上述實施方式。例如，邊界線也 可以是如圖10 (a)所示的波浪形狀，或者如圖10 (b)所示的鋸齒般 的三角形狀相連的形狀，也能夠為其他彎曲形狀。這是因為在本實施 方式中，考慮為了如上所述在彎曲取向的傳播中利用使展曲取向和彎 曲取向的邊界線的長度變?yōu)樽钚?，只要上述邊界部分存在任何凹凸?可。其中，為了使如上所述邊界線上的展曲取向和彎曲取向的共存難 以穩(wěn)定，優(yōu)選凹凸的曲率半徑較小。此處，圖10 (a)和圖10 (b)表 示本實施方式的反射電極23的與第二透明電極22相接的端面。
此外，本實施方式中，核產(chǎn)生部形成在反射區(qū)域a。該結(jié)構(gòu)中，由 于不因形成核產(chǎn)生部而產(chǎn)生透過區(qū)域b的顯示效率的降低，對相比于 反射顯示更加重視透過顯示的情況有利。
此外，圖6 圖8、圖9、圖IO所示的液晶顯示裝置1中，透過區(qū) 域b中不需要形成例如圖31所示的共用電極124。從而，能夠提高透過區(qū)域b的透過率。
其中，本實施方式中，圖6 圖IO所示的液晶顯示裝置1中，使 用狹縫12a作為核產(chǎn)生部，但是本實施方式并不限定于此。本實施方 式中，也與上述實施方式1同樣，也能夠不用狹縫12a而用突起物12b 作為核產(chǎn)生部。
圖11是表示使用突起物12b作為核產(chǎn)生部的本實施方式的其他液 晶顯示裝置1的一個像素11的結(jié)構(gòu)的平面圖。此外，圖12是示意性 地表示以與圖11所示的D-D線相當?shù)木€切斷本實施方式的液晶顯示裝 置1時的液晶顯示裝置1中的液晶面板5的截面的概略結(jié)構(gòu)的截面圖， 表示圖11所示的液晶顯示裝置1的截面結(jié)構(gòu)和液晶分子90的取向狀 態(tài)。
如圖11和圖12所示，該液晶顯示裝置1中，除了不使用圖6和 圖9所示的狹縫12a而改為使用突起物12b作為核產(chǎn)生部以外，具有 與圖6和圖9所示的液晶顯示裝置1相同的結(jié)構(gòu)。本實施方式中，也 與上述實施方式1中圖12和圖13所示的液晶顯示裝置1同樣，作為 核產(chǎn)生部的突起物12b設(shè)置在TFT基板42，具有長方體形狀。更具體 而言，上述突起物12b形成在TFT基板42的反射電極23的中央附近 部。
其中，本實施方式中，該突起物12b的形狀也不限定于上述長方 體形狀，能夠為例如梯形等其他形狀。
此外，本實施方式中，形成該突起物12b的場所不必限于與共用 電極24重疊的位置，此外，也不限定于反射區(qū)域a和透過區(qū)域b的邊 界附近。本實施方式中，共用電極24形成在與核產(chǎn)生部不重疊的第二 透明電極22和反射電極23的邊界線附近。
如圖12所示，本實施方式中，由突起物12b在反射區(qū)域a、更具 體而言在反射區(qū)域a (反射電極23)的中心部(中心附近)形成彎曲 取向的核，與上述圖6 圖IO所示的液晶顯示裝置1同樣，通過在第 二透明電極22和反射電極23的邊界產(chǎn)生的展曲取向區(qū)域和彎曲取向 區(qū)域的邊界的表面張力，彎曲取向向透過區(qū)域b傳播。具體而言，本 實施方式的液晶顯示裝置1中，第二透明電極22和反射電極23的邊 界線和與其對應(yīng)的臺階樹脂層54的形狀為矩形。因此，盡管與透過區(qū)域b之間存在臺階，在反射區(qū)域a中產(chǎn)生的彎曲取向也會傳播到透過 區(qū)域b。
其中，本實施方式中，列舉以核產(chǎn)生部形成在反射區(qū)域a的中心 部、更具體而言例如在反射區(qū)域a中與上述邊界線的凸部相對的區(qū)域 的情況為例進行了說明，但是核產(chǎn)生部并非必須形成在上述區(qū)域。如 上所述，根據(jù)本實施方式，通過在與上述邊界線的凸部相對的區(qū)域設(shè) 置核產(chǎn)生部，能夠更加容易地形成未彎曲取向的區(qū)域被已彎曲取向的 區(qū)域局部包圍的形狀。但是，如上所述，根據(jù)本實施方式，通過要使 邊界線的長度變短的力使彎曲取向越過兩個區(qū)域的邊界傳播，所以具 備核產(chǎn)生部的場所并不如上述實施方式1所述限定于邊界部等，能夠 自由地選定場所。即，在反射區(qū)域a設(shè)置上述核產(chǎn)生部的情況下，核 產(chǎn)生部能夠設(shè)置在反射區(qū)域a中的任意位置。
對本發(fā)明的實施方式3，基于圖13和圖14進行說明如下。其中， 對于本實施方式，以與實施方式1和實施方式2的不同點為中心進行 說明。其中，為了便于說明，對于具有與上述實施方式1和實施方式2 同樣功能的結(jié)構(gòu)要素附加相同的編號，省略其說明。
本實施方式的特征在于，作為核產(chǎn)生部的狹縫12a與實施方式2 不同，形成在第二透明電極22上。其他結(jié)構(gòu)與實施方式2相同。
圖13 (a)是示意性地表示本實施方式的液晶顯示裝置1的TFT 基板42的一個像素11的概略結(jié)構(gòu)的平面圖，是在第二透明電極22上 設(shè)置核產(chǎn)生部的一個例子。此外，圖13 (b)表示圖13 (a)所示的TFT 基板42的第二透明電極22和反射電極23各自的邊界線對應(yīng)的反射電 極23的端面，圖14是示意性地表示以與圖13 (a)所示的E-E線相當 的線切斷本實施方式的液晶顯示裝置1時的該液晶顯示裝置1中的液 晶面板5的截面的概略結(jié)構(gòu)的截面圖，表示該液晶面板5的截面結(jié)構(gòu) 和液晶分子90的取向狀態(tài)。
如圖13 (a)所示，本實施方式的像素11中，作為核產(chǎn)生部的狹 縫12a形成在作為第二透明電極22的中心部的與平行于柵極總線31 形成的共用電極24重疊的部分。
以下對本實施方式的上述液晶顯示裝置1的作用進行說明。如圖13和圖14所示，本實施方式中，在透過區(qū)域b由上述狹縫 12a形成彎曲取向的核，接著，產(chǎn)生的彎曲取向擴展到透過區(qū)域b的整 個區(qū)域。然后，在透過區(qū)域b和反射區(qū)域a的邊界，與上述實施方式2 同樣，通過界面的表面張力的作用，彎曲取向越過邊界傳播到反射區(qū) 域a。
本實施方式的結(jié)構(gòu)，對于各像素ll中所占的反射區(qū)域a的面積如 圖13所示小于透過區(qū)域b的面積的情況有利。這是因為通過將核產(chǎn)生 部形成在與反射區(qū)域a相比較面積更大的透過區(qū)域b，能夠擴大共用電 極24與柵極總線31的間隙，由此能夠抑制共用電極24與柵極總線31 的短路。
此外，本實施方式中，也能夠不使用狹縫12a而使用突起物12b 作為核產(chǎn)生部。
圖15是示意性地表示本實施方式的液晶顯示裝置1的一個像素11 的概略結(jié)構(gòu)的平面圖，圖16是示意性地表示以與圖15所示的F-F線 相當?shù)木€切斷本實施方式的液晶顯示裝置1時的該液晶顯示裝置1中 的液晶面板5的截面的概略結(jié)構(gòu)的截面圖，表示該液晶面板5的截面 結(jié)構(gòu)和液晶分子90的取向狀態(tài)。圖15和圖16的區(qū)域a表示反射區(qū)域， 區(qū)域b表示透過區(qū)域。
如圖15和圖16所示，本實施方式中，作為核產(chǎn)生部的突起物12b 形成在第二玻璃基板51的第二透明電極22上。
本實施方式的液晶顯示裝置1中，第二透明電極22和反射電極23 的邊界線和與其對應(yīng)的臺階樹脂層54的形狀為矩形，所以盡管存在臺 階樹脂層54引起的液晶層55的厚度差，在透過區(qū)域b中由突起物12b 產(chǎn)生的彎曲取向也傳播到反射區(qū)域a。
其中，本實施方式中，列舉在透過區(qū)域b的中心部形成核產(chǎn)生部 的情況為例進行了說明，但是核產(chǎn)生部并非必須形成在透過區(qū)域b的 中心部。在透過區(qū)域b設(shè)置上述核產(chǎn)生部的情況下，核產(chǎn)生部能夠設(shè) 置在透過區(qū)域b中的任意位置。
對本發(fā)明的實施方式4，基于圖17和圖18進行說明如下。其中， 本實施方式中，以與上述各實施方式的不同點為中心進行說明。其中，為了便于說明，對于具有與上述各實施方式同樣的功能的結(jié)構(gòu)要素附 加相同的編號，省略其說明。
本實施方式的特征在于，第二透明電極22和反射電極23的邊界 線為矩形，并且在該第二透明電極22的凸部形成核產(chǎn)生部。換言之， 在位于反射電極23的鄰接的2個凸部所夾的部分的第二透明電極22， 形成核產(chǎn)生部。
圖17是示意性地表示本實施方式的液晶顯示裝置1的一個像素11 的概略結(jié)構(gòu)的平面圖，圖18是示意性地表示以與圖17所示的G-G線 相當?shù)木€切斷本實施方式的液晶顯示裝置1時的該液晶顯示裝置1中 的液晶面板5的截面的概略結(jié)構(gòu)的截面圖，表示該液晶面板5的截面 結(jié)構(gòu)和液晶分子90的取向狀態(tài)。
如圖17和圖18所示，本實施方式中，第二透明電極22和反射電 極23的邊界線為矩形，作為核產(chǎn)生部的狹縫12a形成在上述矩形的邊 界部分中第二透明電極22形成為凸狀的部分、并且與共用電極24重 疊的部分。
以下對本實施方式的上述液晶顯示裝置1的作用進行說明。 如圖17和圖18所示，本實施方式中，反射區(qū)域a和透過區(qū)域b 的邊界部(邊界附近，具體而言在臺階內(nèi))的透過區(qū)域b形成彎曲取 向的核，與上述實施方式2同樣通過界面的表面張力，盡管存在液晶 層55的厚度差，彎曲取向也傳播到反射區(qū)域a。本實施方式的結(jié)構(gòu)中， 通過使第二透明電極22和反射電極23的邊界線和與其對應(yīng)的臺階樹 脂層54的形狀為矩形，彎曲取向易于擴大。從而，能夠在像素11內(nèi) 的任何位置設(shè)置核產(chǎn)生部，設(shè)計的自由度增大。從而，如圖17和圖18 所示，也能夠在邊界部形成狹縫12a。
此外，本實施方式中，也能夠不使用狹縫12a而使用突起物12b 作為核產(chǎn)生部。
圖19是示意性地表示本實施方式的液晶顯示裝置1的一個像素11 的概略結(jié)構(gòu)的平面圖，圖20是示意性地表示以與圖19所示的H-H線 相當?shù)木€切斷本實施方式的液晶顯示裝置1時的該液晶顯示裝置1中 的液晶面板5的截面的概略結(jié)構(gòu)的截面圖，表示該液晶面板5的截面 結(jié)構(gòu)和液晶分子90的取向狀態(tài)。圖19和圖20的區(qū)域a表示反射區(qū)域，區(qū)域b表示透過區(qū)域。
如圖19和圖20所示，本實施方式中，第二透明電極22和反射電 極23的邊界線為矩形，作為核產(chǎn)生部的突起物12b形成在矩形的邊界 部分中反射電極23形成為凸狀的部分。本實施方式中，在反射區(qū)域a 和透過區(qū)域b的邊界附近的透過區(qū)域b形成彎曲取向的核，彎曲取向 與上述實施方式2同樣通過界面的表面張力而傳播。
對本發(fā)明的實施方式5，基于圖21 圖22進行說明如下。其中， 本實施方式中，以與上述各實施方式的不同點為中心進行說明。其中， 為了便于說明，對于具有與上述各實施方式同樣的功能的結(jié)構(gòu)要素附 加相同的編號，省略其說明。
本實施方式的特征在于，作為核產(chǎn)生部的狹縫12a不是形成在TFT 基板42，而是形成在彩色濾光片基板41上。
圖21和圖22是示意性地表示切斷本實施方式的液晶顯示裝置1 時的該液晶顯示裝置1中的液晶面板5的截面的概略結(jié)構(gòu)的截面圖， 表示該液晶面板5的截面結(jié)構(gòu)和液晶分子90的取向狀態(tài)。
如圖21所示，本實施方式的液晶顯示裝置l中，狹縫12a形成在 透過區(qū)域b的第一透明電極56上。此外，如圖22所示，本實施方式 的其他液晶顯示裝置中，狹縫12a形成在反射區(qū)域a的第一透明電極 56上。
具體而言，圖21所示的液晶顯示裝置1中，在第一玻璃基板52 的與TFT基板42的相對面一側(cè)、與TFT基板42的第二透明電極22 相對的位置(液晶面板5的透過區(qū)域b)形成有輔助電極28，在其上 隔著絕緣層26形成有第一透明電極56。而且，在第一透明電極56的 與上述輔助電極28重疊的部分，形成有作為核產(chǎn)生部的狹縫12a、換 言之形成有第一透明電極56的切口 。
此外，圖22所示的液晶顯示裝置1中，在第一玻璃基板52上形 成的臺階樹脂層54的與TFT基板42的相對面上，形成有輔助電極28， 在其上隔著絕緣層26形成有第一透明電極56。而且，在第一透明電極 56的與上述輔助電極28重疊的部分，形成有作為核產(chǎn)生部的狹縫12a、 換言之形成有第一透明電極56的切口 。其中，上述實施方式中，用輔助電極28和第一透明電極56形成 夾著絕緣層設(shè)置在不同平面的兩層電極，但是也可以不使用輔助電極 28而改為使用共用電極24，只要在第一透明電極56、輔助電極28之 間，或是第一透明電極56、共用電極24之間存在電位差即可。
此外，本實施方式中，也能夠不使用狹縫12a而使用突起物12b 作為核產(chǎn)生部。
圖23是示意性地表示切斷本實施方式的液晶顯示裝置1時的該液 晶顯示裝置1中的液晶面板5的截面的概略結(jié)構(gòu)的截面圖，表示該液 晶面板5的截面結(jié)構(gòu)和液晶分子90的取向狀態(tài)。
如圖23所示，本實施方式的其他液晶顯示裝置中，突起物12b形 成在透過區(qū)域b的第一透明電極56上。與在TFT基板42形成突起部 12b的情況不同，在彩色濾光片基板41上形成突起物12b的情況下， 能夠與臺階樹脂層54同時形成突起物12b，所以能夠不增加制造工藝 而形成突起物12b。
此外，本實施方式中，上述核產(chǎn)生部的形成位置既可以在反射區(qū) 域a也可以在透過區(qū)域b，此外，并不限定于各區(qū)域的中央部，能夠形 成在任意位置。
本發(fā)明并不限定于上述各實施方式，在權(quán)利要求所示的范圍內(nèi)能 夠進行各種變更，將不同的實施方式中分別公開的技術(shù)方法適當組合 而得的實施方式也包含在本發(fā)明的技術(shù)范圍內(nèi)。
例如，基于中間電極25的輔助電容的形成并非必需的，但也能夠 適用于任意一種實施方式。
此外，作為核產(chǎn)生部的狹縫12a和突起物12b的位置和形狀、第 二透明電極22和反射電極23的邊界線的種類、邊界線和核產(chǎn)生部的 組合，都沒有特別限定。
例如，形成核產(chǎn)生部的位置，并不限定于透過區(qū)域b或反射區(qū)域a 的任意一方，能夠跨兩個區(qū)域形成。圖24 圖27舉例表示該結(jié)構(gòu)。
圖24和圖26是示意性地表示本發(fā)明的液晶顯示裝置1的一個像 素11的概略結(jié)構(gòu)的平面圖，圖25和圖27分別是示意性地表示以與圖 24和圖26所示的I-I線和J-J線相當?shù)木€切斷本發(fā)明的液晶顯示裝置1 時的該液晶顯示裝置1中的液晶面板5的截面的概略結(jié)構(gòu)的截面圖，表示該液晶面板5的截面結(jié)構(gòu)和液晶分子90的取向狀態(tài)。
如圖24和圖25所示，本發(fā)明的液晶顯示裝置中，還能夠使邊界 線為一直線狀，核產(chǎn)生部為狹縫12a，該狹縫12a跨反射區(qū)域a和透過 區(qū)域b，形成在TFT基板42上。
此外，如圖26和圖27所示，本發(fā)明的液晶顯示裝置中，也能夠 使邊界線為一直線狀，核產(chǎn)生部為突起物12b，該突起物12b跨反射區(qū) 域a和透過區(qū)域b，形成在TFT基板42上。
此外，形成核產(chǎn)生部的位置，特別是在邊界線不是一直線狀的情 況下，并不限定于像素內(nèi)的任意一個位置，例如，能夠設(shè)為透過區(qū)域 或反射區(qū)域的中心附近、周邊部、邊界附近、邊界的凸部的范圍內(nèi)等。 當然，在邊界線如上述實施方式2、 3、 4所示具有臺階的情況下，也 能夠跨該臺階形成上述核產(chǎn)生部。即，也可以在上述臺階部(邊界部) 跨反射區(qū)域a和透過區(qū)域b形成上述核產(chǎn)生部。
此外，夾著絕緣層26形成在狹縫12a的下層的電極并不限定于共 用電極24，也可以是柵極總線31、數(shù)據(jù)總線32等其他電極。
此外，如果一個像素中形成的核產(chǎn)生部的個數(shù)是1個，則一個像 素內(nèi)產(chǎn)生的彎曲取向轉(zhuǎn)移的核的個數(shù)、即由上述核產(chǎn)生部產(chǎn)生的核的 個數(shù)并不限定于1個。
此外，本實施方式中，是在顯示面一側(cè)的基板上設(shè)置有臺階樹脂 層等，在與上述顯示面一側(cè)的基板夾著液晶層相反一側(cè)的基板上，具 備形成有反射單元的反射顯示部和沒有形成反射單元的透過顯示部， 上述反射顯示部中的反射像素電極兼作反射單元的結(jié)構(gòu)，但是本發(fā)明 并不限定于此，也可以在反射像素電極之外另設(shè)反射單元，此外，如 圖30所示，也可以是臺階樹脂層和反射電極設(shè)置在與顯示側(cè)相反一側(cè) 的基板而形成反射顯示部的結(jié)構(gòu)。但是，在核產(chǎn)生部是如圖24所示的 狹縫的情況下，核產(chǎn)生部形成在形成有臺階樹脂層的一方基板時，通 過該臺階樹脂層可能會使反射區(qū)域的核產(chǎn)生的效果要弱于核產(chǎn)生部形 成在沒有形成臺階樹脂層的一方基板的情況。此外，如果核產(chǎn)生部形 成在沒有形成臺階樹脂層的一方基板上，在核產(chǎn)生部如圖26所示為突 起物的情況下無須擔心突起被埋入樹脂。因此，能夠避免因突起被樹 脂所埋而導(dǎo)致作為突起的效果(核產(chǎn)生部的效果)變?nèi)醯目赡苄浴亩?，核產(chǎn)生部雖然可以形成在上述任意一個基板上，但是優(yōu)選形成在 沒有形成臺階樹脂層的一方基板上。
其中，本發(fā)明的液晶顯示裝置也可以具有以下結(jié)構(gòu)相互相對配 置的第一和第二基板；上述第一和第二基板之間封入有非施加電壓時 為展曲取向、顯示時需要成為彎曲取向的液晶，上述第一基板上形成 的柵極總線和與上述柵極總線大致垂直方向上配置的數(shù)據(jù)總線；與上 述柵極總線和上述數(shù)據(jù)總線連接的TFT;由上述柵極總線和上述數(shù)據(jù) 總線劃分的像素區(qū)域內(nèi)形成的透明和反射兩像素電極；反射像素電極 上的液晶層的厚度比透過像素電極上的液晶層的厚度更??；其中，在 像素電極上的僅一處具有向彎曲取向的轉(zhuǎn)移機構(gòu)。
本發(fā)明的液晶顯示裝置，如上所述，在各像素內(nèi)的僅一處設(shè)置有 產(chǎn)生用于促進液晶層中包含的液晶分子向彎曲取向取向轉(zhuǎn)移的彎曲核 的核產(chǎn)生部，并且，通過施加電壓使透過區(qū)域和反射區(qū)域的液晶層的 液晶分子從展曲取向向彎曲取向取向轉(zhuǎn)移，所以起到以下效果能夠 提供一種能夠以O(shè)CB模式驅(qū)動透過區(qū)域和反射區(qū)域兩者，并且能夠抑 制以O(shè)CB模式驅(qū)動兩個區(qū)域時像素變暗的情況的半透過型液晶顯示裝 置。
產(chǎn)業(yè)上的可利用性
本發(fā)明的液晶顯示裝置是響應(yīng)速度快、透過率和反射率高的半透 過型的液晶顯示裝置，所以能夠適用于例如電視機和監(jiān)視器等圖像顯 示裝置、文字處理機和個人計算機等OA機器、此外還有攝像機、數(shù) 碼相機、便攜式電話等顯示動畫的便攜式終端所具備的圖像顯示裝置 等用途。
權(quán)利要求
1. 一種液晶顯示裝置，其包括相對的一對基板和被該一對基板夾持的液晶層，在一個像素內(nèi)具有透過區(qū)域和反射區(qū)域，所述反射區(qū)域的液晶層的厚度形成為小于所述透過區(qū)域的液晶層的厚度，所述液晶顯示裝置的特征在于在所述各像素內(nèi)的僅一處設(shè)置有產(chǎn)生用于促進所述液晶層中包含的液晶分子向彎曲取向取向轉(zhuǎn)移的彎曲核的核產(chǎn)生部，并且，通過電壓的施加使所述透過區(qū)域和反射區(qū)域的液晶層的液晶分子從展曲取向向彎曲取向取向轉(zhuǎn)移。
2. 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于 所述核產(chǎn)生部設(shè)置在各像素的反射區(qū)域和透過區(qū)域的邊界附近。
3. 如權(quán)利要求2所述的液晶顯示裝置，其特征在于-所述核產(chǎn)生部跨所述反射區(qū)域和透過區(qū)域設(shè)置。
4. 如權(quán)利要求1或2所述的液晶顯示裝置，其特征在于 各像素的反射區(qū)域和透過區(qū)域的邊界線在俯視時具有凹凸，該反射區(qū)域和透過區(qū)域中任意一方的區(qū)域具有被另一方區(qū)域局部包圍的形 狀。
5. 如權(quán)利要求4所述的液晶顯示裝置，其特征在于 所述核產(chǎn)生部設(shè)置在反射區(qū)域。
6. 如權(quán)利要求4所述的液晶顯示裝置，其特征在于 所述核產(chǎn)生部設(shè)置在透過區(qū)域。
7. 如權(quán)利要求1 3、 5 6中任意一項所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述核產(chǎn)生部包括夾著絕緣層設(shè)置在不同平面的兩層電極，所述核產(chǎn)生部是在所述兩層電極中所述液晶層一側(cè)的電極的與另 一方的電極隔著所述絕緣層重疊的區(qū)域的一部分所設(shè)置的開口部， 所述兩電極具有電位差。
8. 如權(quán)利要求4所述的液晶顯示裝置，其特征在于 所述核產(chǎn)生部包括夾著絕緣層設(shè)置在不同平面的兩層電極， 所述核產(chǎn)生部是在所述兩層電極中所述液晶層一側(cè)的電極的與另一方的電極隔著所述絕緣層重疊的區(qū)域的一部分所設(shè)置的開口部， 所述兩電極具有電位差。
9. 如權(quán)利要求7所述的液晶顯示裝置，其特征在于 所述液晶層一側(cè)的電極是像素電極。
10. 如權(quán)利要求8所述的液晶顯示裝置，其特征在于 所述液晶層一側(cè)的電極是像素電極。
11. 如權(quán)利要求7所述的液晶顯示裝置，其特征在于 所述液晶層一側(cè)的電極是相對電極。
12. 如權(quán)利要求8所述的液晶顯示裝置，其特征在于-所述液晶層一側(cè)的電極是相對電極。
13. 如權(quán)利要求1 3、 5 6中任意一項所述的液晶顯示裝置，其 特征在于-所述核產(chǎn)生部是形成在所述一對基板中一方的基板的與液晶層相 對的表面上的突起物。
14. 如權(quán)利要求4所述的液晶顯示裝置，其特征在于 所述核產(chǎn)生部是形成在所述一對基板中一方的基板的與液晶層相對的表面上的突起物。
15. 如權(quán)利要求13所述的液晶顯示裝置，其特征在于所述突起物形成在設(shè)置于所述基板的像素電極上。
16. 如權(quán)利要求14所述的液晶顯示裝置，其特征在于: 所述突起物形成在設(shè)置于所述基板的像素電極上。
17. 如權(quán)利要求13所述的液晶顯示裝置，其特征在于: 所述突起物形成在設(shè)置于所述基板的相對電極上。
18. 如權(quán)利要求14所述的液晶顯示裝置，其特征在于: 所述突起物形成在設(shè)置于所述基板的相對電極上。
全文摘要
本發(fā)明涉及液晶顯示裝置。本發(fā)明提供一種以O(shè)CB模式驅(qū)動透過區(qū)域和反射區(qū)域兩方的半透過型液晶顯示裝置，并且提供在以O(shè)CB模式驅(qū)動透過區(qū)域和反射區(qū)域兩方時能夠抑制透過率和反射率的降低、抑制像素變暗的半透過型液晶顯示裝置。本發(fā)明的液晶顯示裝置在各像素(11)內(nèi)的僅一處設(shè)置有產(chǎn)生用于促進液晶層中包含的液晶分子向彎曲取向取向轉(zhuǎn)移的彎曲核的核產(chǎn)生部，并且，通過電壓的施加使透過區(qū)域和反射區(qū)域的液晶層的液晶分子從展曲取向向彎曲取向取向轉(zhuǎn)移。
文檔編號G02F1/1335GK101506722SQ200780030789
公開日2009年8月12日 申請日期2007年6月11日 優(yōu)先權(quán)日2006年9月4日
發(fā)明者仲西洋平 申請人:夏普株式會社