液晶顯示設(shè)備及其制造方法

文檔序號(hào)：2734031閱讀：160來源：國(guó)知局

導(dǎo)航： X技術(shù)> 最新專利>攝影電影;光學(xué)設(shè)備的制造及其處理,應(yīng)用技術(shù)

專利名稱：液晶顯示設(shè)備及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示器("LCD")設(shè)備及其制造方法，更具體地，涉及能夠減少溝道短路現(xiàn)象的LCD設(shè)備及制造LCD設(shè)備的方法。
背景技術(shù)：
液晶顯示器("LCD")設(shè)備通過響應(yīng)電場(chǎng)驅(qū)動(dòng)液晶層的液晶分子，通過控制光的傳輸來顯示圖像。與其它類型的顯示設(shè)備相比，由于LCD 設(shè)備可以通過在未被液晶層掩蓋的方向傳輸光來顯示圖像，因此LCD設(shè) 備具有相對(duì)窄的視角。
LCD設(shè)備的寬視角技術(shù)典型地使用垂直排列("VA")模式。在VA
模式中，負(fù)介電各向異性的液晶分子垂直排列，并且相對(duì)于電場(chǎng)方向垂直驅(qū)動(dòng)來控制光傳輸。按照區(qū)域形成方法，VA模式可以分成多區(qū)域 (multi-domain)垂直排列("MVA")技術(shù)、構(gòu)圖ITO垂直排列("PVA") 技術(shù)和S構(gòu)圖ITO垂直排列("S-PVA")技術(shù)。
MVA技術(shù)是使用突起的VA模式。在MVA技術(shù)中，液晶分子在突起周圍對(duì)稱地預(yù)傾斜，該突起形成在上基板和下基板上。當(dāng)電壓施加到液晶分子時(shí)，液晶層的液晶分子能夠在預(yù)傾斜方向被驅(qū)動(dòng)，以形成多區(qū) 域。
PVA技術(shù)是使用狹縫圖案的VA模式。在PVA技術(shù)中，狹縫圖案形成在上基板的公共電極和下基板的像素電極處。狹縫圖案產(chǎn)生邊緣電場(chǎng) (fringe electric field),以便液晶分子響應(yīng)邊緣電場(chǎng)在狹縫圖案周圍被對(duì) 稱地驅(qū)動(dòng)，以形成多區(qū)域。
S-PVA技術(shù)將一個(gè)像素分成高灰度級(jí)子像素和低灰度級(jí)子像素，來響應(yīng)不同的伽瑪曲線顯示數(shù)據(jù)信號(hào)，并且通過高灰度級(jí)晶體管和低灰度級(jí)晶體管獨(dú)立地驅(qū)動(dòng)每一個(gè)子像素。

發(fā)明內(nèi)容
由靜電荷引起的溝道短路缺陷可能出現(xiàn)在使用S-PVA技術(shù)的LCD 設(shè)備制造過程中。具體地，高灰度級(jí)晶體管的溝道可能被靜電荷短路，以致可能降低LCD設(shè)備的生產(chǎn)成品率。
本發(fā)明的典型實(shí)施例提供了能夠減少溝道短路缺陷的LCD設(shè)備及制造LCD設(shè)備的方法。按照本發(fā)明，切換高灰度級(jí)數(shù)據(jù)信號(hào)的晶體管的漏極電極電連接到存儲(chǔ)電容器的上電極。
在本發(fā)明的典型實(shí)施例中，LCD設(shè)備包括第一薄膜晶體管("TFT")，
該第一薄膜晶體管向第一像素電極提供由第一數(shù)據(jù)線提供的第一數(shù)據(jù)信號(hào)，以及第一存儲(chǔ)電容器，該第一存儲(chǔ)電容器包括通過第一接觸孔連接到第一像素電極并且連接到第一TFT的電極，并存儲(chǔ)第一數(shù)據(jù)信號(hào)，以及第二 TFT，該第二 TFT通過第二接觸孔向第二像素電極提供由第二數(shù) 據(jù)線提供的第二數(shù)據(jù)信號(hào)，以及第二存儲(chǔ)電容器，該第二存儲(chǔ)電容器包括通過第三接觸孔連接到第二像素電極的電極，并存儲(chǔ)第二數(shù)據(jù)信號(hào)。第一數(shù)據(jù)信號(hào)和第二數(shù)據(jù)信號(hào)可以由不同的伽瑪曲線產(chǎn)生。第一 TFT包括連接到第一數(shù)據(jù)線的源極電極和直接連接到第一存儲(chǔ)電容器的電極的漏極電極。第二TFT包括連接到第二數(shù)據(jù)線的源極電極和連接到第二像素電極的漏極電極。
第一存儲(chǔ)電容器的電容比第二存儲(chǔ)電容器的電容大。在一個(gè)水平周期的部分期間，第一TFT向第一像素電極提供第一數(shù) 據(jù)信號(hào)，在該水平周期的剩余部分期間，第二TFT向第二像素電極提供第二數(shù)據(jù)信號(hào)。
第一存儲(chǔ)電容器的電極整體地連接到第一 TFT的漏極電極，由靜電荷引起的第一 TFT的溝道短路缺陷通過在流入第一 TFT之前在第一存儲(chǔ)電容器內(nèi)存儲(chǔ)靜電荷而減少。
在本發(fā)明的其它實(shí)施例中，LCD設(shè)備包括第一 TFT，該第一TFT 向通過第一接觸孔連接的第一像素電極提供由第一數(shù)據(jù)線提供的第一數(shù)
據(jù)信號(hào)，以及第一存儲(chǔ)電容器，該第一存儲(chǔ)電容器具有通過第一接觸孔連接到第一像素電極的電極，以及第二存儲(chǔ)電容器，該第二存儲(chǔ)電容器具有通過第二接觸孔連接到第一像素電極的電極并存儲(chǔ)第一數(shù)據(jù)信號(hào)，
以及第二 TFT，該第二 TFT向通過第三接觸孔連接的第二像素電極提供由第二數(shù)據(jù)線提供的第二數(shù)據(jù)信號(hào)，以及第三存儲(chǔ)電容器，該第三存儲(chǔ) 電容器具有通過第三接觸孔連接到第二像素電極的電極，以及第四存儲(chǔ) 電容器，該第四存儲(chǔ)電容器具有通過第四接觸孔連接到第二像素電極的電極并存儲(chǔ)第二數(shù)據(jù)信號(hào)。
在本發(fā)明的其它實(shí)施例中，LCD設(shè)備包括數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器，其向第一數(shù) 據(jù)線提供第一數(shù)據(jù)信號(hào)并向第二數(shù)據(jù)線提供第二數(shù)據(jù)信號(hào)，柵極驅(qū)動(dòng)器，其向柵極線提供柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)，第一TFT，其響應(yīng)柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)向第一像素電極提供第一數(shù)據(jù)信號(hào)，第一存儲(chǔ)電容器，其通過第一接觸孔連接到第一像素電極并且直接連接到第一 TFT并存儲(chǔ)第一數(shù)據(jù)信號(hào)，第二 TFT，其響應(yīng)柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)通過第二接觸孔向第二像素電極提供第二數(shù) 據(jù)信號(hào)，以及第二存儲(chǔ)電容器，其通過第三接觸孔連接到第二像素電極并存儲(chǔ)第二數(shù)據(jù)信號(hào)。
第一數(shù)據(jù)信號(hào)和第二數(shù)據(jù)信號(hào)可以由不同的伽瑪曲線產(chǎn)生。LCD設(shè) 備可以進(jìn)一步包括伽瑪電壓發(fā)生器，其向數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器提供第一灰度級(jí)的伽瑪電壓來產(chǎn)生第一數(shù)據(jù)信號(hào)以及第二灰度級(jí)的伽瑪電壓來產(chǎn)生第二數(shù) 據(jù)信號(hào)。
在水平周期的一部分期間，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器向第一TFT提供第一數(shù)據(jù)信號(hào)，在該水平周期的剩余部分期間，向第二TFT提供第二數(shù)據(jù)信號(hào)，在水平周期期間，柵極驅(qū)動(dòng)器向第一 TFT和第二 TFT提供柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
第一存儲(chǔ)電容器的電極可以整體地連接到第一 TFT的漏極電極，由靜電荷引起的第一 TFT的溝道短路缺陷通過在流入第一 TFT之前在第一存儲(chǔ)電容器內(nèi)存儲(chǔ)靜電荷而減少。
在本發(fā)明的另一些實(shí)施例中，LCD設(shè)備包括多個(gè)像素，其連接到多個(gè)第一數(shù)據(jù)線以傳送第一數(shù)據(jù)信號(hào)，連接到多個(gè)第二數(shù)據(jù)線以傳送第二數(shù)據(jù)信號(hào)，連接到多個(gè)柵極線以傳送柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)。該多個(gè)像素中的至少一個(gè)像素包括第一像素電極，其顯示第一數(shù)據(jù)信號(hào)，第一TFT，其向
第一像素電極提供第一數(shù)據(jù)信號(hào)，第一存儲(chǔ)電容器，其通過第一接觸孔
連接到第一像素電極并直接連接到第一 TFT，該第一存儲(chǔ)電容器存儲(chǔ)第一數(shù)據(jù)信號(hào)，第二像素電極，其顯示第二數(shù)據(jù)信號(hào)，第二TFT，其通過第二接觸孔連接到第二像素電極，該第二TFT向第二像素電極提供第二數(shù)據(jù)信號(hào)，以及第二存儲(chǔ)電容器，其通過第三接觸孔連接到第二像素電極，該第二存儲(chǔ)電容器存儲(chǔ)第二數(shù)據(jù)信號(hào)。
第一數(shù)據(jù)信號(hào)和第二數(shù)據(jù)信號(hào)通過不同的伽瑪曲線產(chǎn)生。第一存儲(chǔ)電容器包括第一電極、連接到第一 TFT和第一像素電極的第二電極、以及位于第一電極和第二電極之間的絕緣層。第二存儲(chǔ)電容器可以進(jìn)一步包括連接到第一電極的第三電極、連接到第二像素電極的第四電極、以及位于第三電極和第四電極之間的絕緣層。第一電極和第二電極可以分別具有比第二存儲(chǔ)電容器的第三電極和第四電極的面積更大的面積。
第二像素電極可以與第一像素電極分離并包圍第一像素電極。在本發(fā)明的另一些實(shí)施例中，一種制造LCD設(shè)備的方法包括，在基板上形成包括第一柵極電極的柵極線和包括第一電極的存儲(chǔ)電容器線，在基板上形成有源層，該有源層與第一柵極電極重疊，在其間具有柵絕緣層，形成源極/漏極圖案，在基板上形成有機(jī)絕緣層，并通過移除有機(jī) 絕緣層的一部分形成第一接觸孔，暴露第二電極的一部分。該源極/漏極圖案包括傳送第一數(shù)據(jù)信號(hào)的第一數(shù)據(jù)線、連接到第一數(shù)據(jù)線的第一 TFT的第一源極電極和第一漏極電極、與第一電極相對(duì)的第二電極以及連接第一漏極電極和第二電極的第一漏極線。
形成柵極線包括形成包括第二柵極電極的柵極線，形成存儲(chǔ)電容器線包括與在基板上的第三電極形成存儲(chǔ)電容器線，在基板上形成有源層，該有源層與第二柵極電極重疊，其間設(shè)置有柵絕緣層，形成源極/漏極圖案，并通過移除有機(jī)絕緣層的一部分形成第二接觸孔，暴露連接到第二漏極電極的第二漏極線，并且形成第三接觸孔，暴露第四電極的一部分。該源極/漏極圖案包括傳送第二數(shù)據(jù)信號(hào)的第二數(shù)據(jù)線、連接到第二數(shù)據(jù) 線的第二 TFT的第二源極電極和第二漏極電極、與第三電極相對(duì)的第四電極、以及連接到第二漏極電極的第二漏極線。
制造LCD設(shè)備的方法進(jìn)一步包括形成像素電極，該像素電極形成在基板上，其中第一、第二和第三接觸孔通過透明導(dǎo)電構(gòu)圖形成。像素電極包括顯示第一數(shù)據(jù)信號(hào)的第一像素電極和顯示低灰度級(jí)數(shù)據(jù)信號(hào)的第二像素電極。
形成像素電極包括通過第一接觸孔形成連接到第二電極的第一像素電極，以及通過第二接觸孔連接到第二漏極線的第二像素電極和通過第三接觸孔的第四電極。
形成存儲(chǔ)電容器線包括形成第一電極，該第一電極具有比第三電極的面積更大的面積，以及形成第二電極，該第二電極具有比第四電極的面積更大的面積。
在本發(fā)明的另一些實(shí)施例中，一種制造LCD設(shè)備的方法包括，在基板上形成柵極線，該柵極線包括具有第一柵極電極和第二柵極電極的柵極電極以及包括第一電極和第二電極的存儲(chǔ)電容器線，在基板上形成有源層，該有源層分別與第一柵極電極和第二柵極電極重疊，其間設(shè)置有柵絕緣層，形成源極/漏極圖案，在基板上形成有機(jī)絕緣層并移除有機(jī)絕緣層的一部分來形成接觸孔，并在形成接觸孔的基板上形成像素電極。
接觸孔包括暴露第三電極的第一接觸孔、暴露連接到第二漏極電極的漏極線的第二接觸孔，以及暴露第四電極的第三接觸孔。
像素電極通過透明導(dǎo)電構(gòu)圖形成而且包括顯示第一數(shù)據(jù)信號(hào)的第一像素電極，并通過第一接觸孔連接到第三電極，以及顯示第二數(shù)據(jù)信號(hào) 的第二像素電極，并連接到通過第二接觸孔連接到第二漏極電極以及通過第三接觸孔連接到第四電極的漏極線。
源極/漏極圖案包括分別傳送第一數(shù)據(jù)信號(hào)和第二數(shù)據(jù)信號(hào)的第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線，連接到第一數(shù)據(jù)線的第一 TFT的第一源極電極和第一漏極電極，連接到第二數(shù)據(jù)線的第二TFT的第二源極電極和第二漏極電極，與第一電極和第二電極相對(duì)的第三電極和第四電極，以及連接到第一漏極電極和第三電極的漏極線。
在本發(fā)明的另一些實(shí)施例中，LCD設(shè)備包括第一 TFT，其響應(yīng)第一柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)向第一像素電極提供由數(shù)據(jù)線提供的第一數(shù)據(jù)信號(hào)，第一存儲(chǔ)電容器，其存儲(chǔ)第一數(shù)據(jù)信號(hào)，并具有通過第一接觸孔連接到第一
像素電極的電極并直接連接到第一TFT，第二TFT，其響應(yīng)第二柵極驅(qū) 動(dòng)信號(hào)通過第二接觸孔向第二像素電極提供由數(shù)據(jù)線提供的第二數(shù)據(jù)信號(hào)，以及第二存儲(chǔ)電容器，其包括通過第三接觸孔連接到第二像素電極的電極，該第二存儲(chǔ)電容器存儲(chǔ)第二數(shù)據(jù)信號(hào)。
第一數(shù)據(jù)信號(hào)和第二數(shù)據(jù)信號(hào)可以由不同的伽瑪曲線產(chǎn)生。在水平周期期間，第一柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)和第二柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)可以施加到第一 TFT 和第二 TFT。

通過結(jié)合附圖的以下描述，可以更詳細(xì)地理解本發(fā)明的典型實(shí)施例，其中
圖1是表示按照本發(fā)明典型實(shí)施例的典型的LCD設(shè)備的方框圖；圖2A是表示圖1中所示的典型LCD設(shè)備的典型像素結(jié)構(gòu)的平面圖；圖2B是沿圖2A的I-I'線截取的典型的第一存儲(chǔ)電容器的截面圖；圖3A到圖3E表示制造圖2A和圖2B中示出的TFT基板的典型方法的視圖4A是表示圖1中所示的典型LCD設(shè)備的另一個(gè)典型像素結(jié)構(gòu)的平面圖4B是沿圖4A的I-I，線截取的典型的第三存儲(chǔ)電容器的截面圖；圖5A到圖5E表示制造圖4A和圖4B中示出的TFT基板的典型方
法的視圖6是表示按照本發(fā)明另一個(gè)典型實(shí)施例的典型的LCD設(shè)備的方框圖；以及
圖7是表示圖6中所示的典型LCD設(shè)備的典型像素結(jié)構(gòu)的平面圖。
具體實(shí)施例方式
在下文中，將參考附圖更充分地描述本發(fā)明，其中示出了本發(fā)明的典型實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以以很多不同的形式體現(xiàn)，而不應(yīng)該解釋為限于在此提出的典型實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例以便使本公開更加徹底和完整，并將向本領(lǐng)域技術(shù)人員完全傳達(dá)本發(fā)明的范圍。附圖中，為了清楚起見，可以放大層和區(qū)域的大小和相對(duì)大小。
可以理解，當(dāng)提及元件或?qū)釉诹硪粋€(gè)元件或?qū)?上面"("on")、"連接到"("connectedto")或"耦接到"("coupledto")另一個(gè)元件或?qū)?，?可以直接在上面、連接到或者耦接到另一個(gè)元件或?qū)?，或者可以有中間元件或?qū)印Ｏ喾?，?dāng)提及元件"直接"在另一個(gè)元件或?qū)?上面"("directly on")、"直接連接到"("directly connected to")或"直接耦接到"("directly coupled to")另一個(gè)元件或?qū)?，此時(shí)沒有中間元件或者層出現(xiàn)。全文中相同的數(shù)字指代相同的元件。如在此使用的那樣，詞語"和/或"包括一個(gè) 或者多個(gè)相關(guān)列出項(xiàng)目的任一個(gè)和所有結(jié)合。
空間相關(guān)詞語，例如"在...之下"("beneath")、"在...下方"("below")、 "下面的"("lower，，)、"在...上方"("above")、"上面的"("upper")等等，在此使用以便容易地描述在圖中所示的一個(gè)元件或者特征與別的元件或者特征的關(guān)系。可以理解，除了圖中描述的方向外，這些空間相對(duì)詞語想要包含所使用或者運(yùn)轉(zhuǎn)的設(shè)備的不同方向。例如，如果圖中的設(shè)備被翻轉(zhuǎn)，描述為在其它元件或特征"在...下方"("below")或"下面的" ("lower")的元件將變?yōu)橄鄬?duì)于其它元件或者特征"在...上方"("above") 或"上面的"("upper")的方向。這樣，典型的詞語"在...下方"("below") 能夠包含上方和下方兩個(gè)方向。設(shè)備可以有另外的取向(旋轉(zhuǎn)90度或者在其它方向)，在此使用的空間相對(duì)詞語將相應(yīng)地解釋。
在此使用的術(shù)語僅僅為了描述特定實(shí)施例的目的，而不是想要限制本發(fā)明。如在此使用的那樣，單數(shù)形式"一個(gè)"("a"、 "an"、 "the")也包括復(fù)數(shù)形式，除非上下文清楚地有其它指示?？梢赃M(jìn)一步理解，當(dāng)詞語"包括"("comprises"和/或"comprising")用于說明書中時(shí)，說明所述的特征、整體、步驟、操作、元件和/或部件的存在，但是不排除一個(gè)或多個(gè)其它特征、整體、步驟、操作、元件、部件和/或其組的存在或附加。
除非有其它限定，在此使用的所有詞語(包括技術(shù)和科學(xué)詞語)具有由本發(fā)明所屬領(lǐng)域普通技術(shù)人員一般理解的相同含義?？梢赃M(jìn)一步理解，例如在通常使用的詞典中定義的那些詞語，應(yīng)當(dāng)解釋為具有與它們在相關(guān)技術(shù)背景內(nèi)的意思一致的意思，而不解釋為理想化或者過于正式的含義，除非已經(jīng)在此明確限定。
在下文中，將參考附圖進(jìn)一步描述本發(fā)明。
圖1表示按照本發(fā)明典型實(shí)施例的典型液晶顯示器("LCD")設(shè)備
的方框圖。
參考圖1， LCD設(shè)備100包括液晶面板110、柵極驅(qū)動(dòng)器120，用來驅(qū)動(dòng)液晶面板110的柵極線GL1和GL2、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器130，用來驅(qū)動(dòng)液晶面板110的數(shù)據(jù)線DL1到DL4、定時(shí)控制器140，用來控制柵極驅(qū)動(dòng) 器120和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器130、和伽瑪電壓發(fā)生器150，用來有選擇地提供高灰度級(jí)伽瑪電壓和低灰度級(jí)伽瑪電壓。
液晶面板IIO包括多個(gè)以矩陣結(jié)構(gòu)設(shè)置的像素。盡管多于四個(gè)像素的更多像素可以提供在液晶面板110內(nèi)，但為了便于圖解，在液晶面板 110內(nèi)示出了像素Pl到P4。像素Pl包括第一和第二像素電極VH和 VL、第一和第二薄膜晶體管("TFTs") T1和T2、柵極線GL1、和數(shù)據(jù) 線DL1和DL2。第一和第二像素電極VH和VL分別形成在高灰度級(jí)區(qū) 域和低灰度級(jí)區(qū)域，第一和第二 TFTT1和T2連接到第一和第二像素電極VH和VL。柵極線GL1連接到第一和第二TFTT1和T2，并且數(shù)據(jù) 線DL1、 DL2分別連接到第一和第二TFTT1和T2。
響應(yīng)由不同的伽瑪曲線產(chǎn)生的伽瑪電壓，形成在高灰度區(qū)域和低灰度區(qū)域的第一像素電極VH和第二像素電極VL分別顯示數(shù)據(jù)信號(hào)。
在連接到奇數(shù)柵極線GL1的奇數(shù)像素Pl中，第一 TFT Tl連接到第一像素電極VH，并且第二像素TFTT2連接到第二像素電極VL。在連接到奇數(shù)柵極線GL1的偶數(shù)像素P2中，第一 TFTT3連接到第二像素電極VL，第二TFTT4連接到第一像素電極VH。剩余的連接到奇數(shù)柵極線的奇數(shù)像素具有和像素Pl基本相同的設(shè)置，剩余的連接到奇數(shù)柵極線的偶數(shù)像素具有和像素P2基本相同的設(shè)置。
在連接到偶數(shù)柵極線GL2的奇數(shù)像素P3中，第一 TFT T5連接到第二像素電極VL，第二TFTT6連接到第一像素電極VH。在連接到偶數(shù) 柵極線GL2的偶數(shù)像素P4中，第一 TFTT7連接到第一像素電極VH，第二 TFTT8連接到第二像素電極VL。剩余的連接到偶數(shù)柵極線的奇數(shù) 像素具有和像素P3基本相同的設(shè)置，剩余的連接到偶數(shù)柵極線的偶數(shù) 像素具有和像素P4基本相同的設(shè)置。
在偶數(shù)像素P2和P4中，第一 TFT T3和T7連接到數(shù)據(jù)線DL3而第二 TFT T4和T8連接到數(shù)據(jù)線DL4。通過使用從外部設(shè)備輸入的同步信號(hào)和時(shí)鐘信號(hào)，定時(shí)控制器140 產(chǎn)生柵控制信號(hào)來控制柵極驅(qū)動(dòng)器120，以及產(chǎn)生數(shù)據(jù)控制信號(hào)來控制數(shù) 據(jù)驅(qū)動(dòng)器130。在重新設(shè)置從外部設(shè)備輸入的數(shù)據(jù)信號(hào)之后，定時(shí)控制器140向數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器130提供數(shù)據(jù)信號(hào)。此外，定時(shí)控制器140產(chǎn)生開關(guān)信號(hào)來控制伽瑪電壓發(fā)生器150。在一個(gè)水平周期期間，開關(guān)信號(hào)控制伽瑪電壓開關(guān)156來切換高灰度級(jí)伽瑪電壓發(fā)生器152和低灰度級(jí)伽瑪電壓發(fā)生器154的輸出。在一個(gè)水平周期期間，可以選擇開關(guān)信號(hào)來合適地控制高灰度級(jí)伽瑪電壓發(fā)生器152和低灰度級(jí)伽瑪電壓發(fā)生器 154的輸出次數(shù)。在下文中，假定開關(guān)信號(hào)在1/2水平周期期間具有從高灰度級(jí)伽瑪電壓發(fā)生器152輸出的高灰度級(jí)電壓，并且在剩余的1/2水平周期期間具有從低灰度級(jí)伽瑪電壓發(fā)生器154輸出的低灰度級(jí)電壓。
更具體地，伽瑪電壓發(fā)生器150包括高灰度級(jí)伽瑪電壓發(fā)生器152 來產(chǎn)生多個(gè)高灰度級(jí)伽瑪電壓、低灰度級(jí)伽瑪電壓發(fā)生器154來產(chǎn)生多個(gè)低灰度級(jí)伽瑪電壓、以及伽瑪電壓開關(guān)156來切換高和低灰度級(jí)伽瑪電壓發(fā)生器152和154的輸出。在1/2水平周期期間，伽瑪電壓開關(guān)156 切換來自高灰度級(jí)伽瑪電壓發(fā)生器152的高灰度級(jí)伽瑪電壓，并且在剩余的1/2水平周期期間，切換來自低灰度級(jí)伽瑪電壓發(fā)生器154的低灰度級(jí)伽瑪電壓，來向數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器130提供切換的高和低伽瑪電壓。
響應(yīng)來自定時(shí)控制器140的柵極控制信號(hào)，柵極驅(qū)動(dòng)器120向液晶面板110的柵極線GL1和GL2施加?xùn)艠O驅(qū)動(dòng)信號(hào)，從而連續(xù)地驅(qū)動(dòng)?xùn)?極線GL1和GL2。
響應(yīng)來自定時(shí)控制器140的數(shù)據(jù)控制信號(hào)，在1/2水平周期期間，通過使用來自高灰度級(jí)伽瑪電壓發(fā)生器152的高灰度級(jí)伽瑪電壓，數(shù)據(jù) 驅(qū)動(dòng)器130將從定時(shí)控制器140接收的數(shù)據(jù)信號(hào)轉(zhuǎn)換成高灰度級(jí)數(shù)據(jù)信號(hào)，并將該高灰度級(jí)數(shù)據(jù)信號(hào)提供給數(shù)據(jù)線DL1。在剩余l(xiāng)/2水平周期期間，通過使用來自低灰度級(jí)伽瑪電壓發(fā)生器154的低灰度級(jí)伽瑪電壓，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器130將從定時(shí)控制器140接收的數(shù)據(jù)信號(hào)轉(zhuǎn)換成低灰度級(jí)數(shù) 據(jù)信號(hào)，并將該低灰度級(jí)數(shù)據(jù)信號(hào)提供給數(shù)據(jù)線DL2。
參考圖2A和圖2B，在下文中，將詳細(xì)描述按照本發(fā)明典型實(shí)施例的典型LCD設(shè)備的典型像素的結(jié)構(gòu)。
圖2A是表示圖1中所示的典型LCD設(shè)備的典型像素結(jié)構(gòu)的平面圖。
參考圖2A，按照本發(fā)明典型實(shí)施例的LCD設(shè)備的像素200包括第一像素電極260、第二像素電極262、第一TFTT1、第二TFTT2、柵極線210、第一數(shù)據(jù)線220、第二數(shù)據(jù)線225、第一存儲(chǔ)電容器CST1和第二存儲(chǔ)電容器CST2。
第一像素電極260連接到第一 TFTT1的漏極電極254，并通過接觸孔268連接到第一存儲(chǔ)電容器CST1的上電極250。第一像素電極260 經(jīng)由第一 TFT Tl從第一數(shù)據(jù)線220接收高灰度級(jí)數(shù)據(jù)信號(hào)，并顯示高灰度級(jí)數(shù)據(jù)信號(hào)。
第二像素電極262與第一像素電極260分離，并以環(huán)繞第一像素電極260的形狀形成。第二像素電極262通過接觸孔264連接到第二 TFT T2 的漏極電極259，并通過接觸孔266連接到第二存儲(chǔ)電容器CST2的上電極255。第二像素電極262經(jīng)由第二 TFTT2從第二數(shù)據(jù)線225接收低灰度級(jí)數(shù)據(jù)信號(hào)，并顯示低灰度級(jí)數(shù)據(jù)信號(hào)。
第一TFTT1包括連接到柵極線210的柵極電極212、連接到第一數(shù) 據(jù)線220的源極電極222、連接到漏極線252的漏極電極254、以及與柵極電極212重疊的有源層230，在其間設(shè)置有絕緣層。在1/2水平周期期間，響應(yīng)從柵極線210提供的柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)，第一TFTT1通過漏極電極254向漏極線252提供從第一數(shù)據(jù)線220提供的高灰度級(jí)數(shù)據(jù)信號(hào)。
第二 TFTT2包括連接到柵極線210的柵極電極214、連接到第二數(shù) 據(jù)線225的源極電極227、連接到漏極線257的漏極電極259、以及與柵極電極214重疊的有源層232，其間設(shè)置有絕緣層。在剩余的1/2水平周期期間，響應(yīng)從柵極線210提供的柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)，第二TFTT2通過漏極電極259向漏極線257提供從第二數(shù)據(jù)線225提供的低灰度級(jí)數(shù)據(jù)信號(hào)。
柵極線210連接到第一TFTT1的柵極電極212，并連接到第二 TFT T2的柵極電極214。柵極線210向第一 TFT Tl的柵極電極212和第二 TFTT2的柵極電極214提供從柵極驅(qū)動(dòng)器120輸出的柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
第一數(shù)據(jù)線220可以形成在像素的第一側(cè)，并且與柵極線210交叉并絕緣。第一數(shù)據(jù)線220連接到第一TFTT1的源極電極222。在1/2水平周期期間，第一數(shù)據(jù)線220向第一 TFT Tl的源極電極222提供從數(shù) 據(jù)驅(qū)動(dòng)器130輸出的高灰度級(jí)數(shù)據(jù)信號(hào)。
第二數(shù)據(jù)線225可以形成在像素的第二側(cè)，并且與柵極線210交叉并絕緣。第二數(shù)據(jù)線225連接到第二TFTT2的源極電極227。在剩余的 1/2水平周期期間，第二數(shù)據(jù)線225向第二 TFTT2的源極電極227提供從數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器130輸出的低灰度級(jí)數(shù)據(jù)信號(hào)。
第一存儲(chǔ)電容器CST1包括連接到存儲(chǔ)電容器線240的下電極244 和與下電極244重疊的上電極250，其間設(shè)置有絕緣層。上電極250通過漏極線252直接連接到第一 TFTT1的漏極電極254。第一存儲(chǔ)電容器 CST1的下和上電極244和250具有比第二存儲(chǔ)電容器CST2的下和上電極242和255更大的面積。
連接到漏極線252的第一存儲(chǔ)電容器CST1的上電極250也通過接觸孔268連接到第一像素電極260。因此，由連接到第一TFTT1的漏極電極254的漏極線252提供的高灰度級(jí)數(shù)據(jù)信號(hào)能夠施加到第一像素電極260，并存儲(chǔ)在第一存儲(chǔ)電容器CST1中。
第二存儲(chǔ)電容器CST2包括連接到存儲(chǔ)電容器線240的下電極242 和與下電極242重疊的上電極255，其間設(shè)置有絕緣層。第二存儲(chǔ)電容器CST2的上電極255連接到第二像素電極262，其通過接觸孔266連接到第二TFTT2的漏極電極259。因此，由連接到第二 TFT T2的漏極電極259的漏極線257提供的低灰度級(jí)數(shù)據(jù)信號(hào)能夠施加到第二像素電極262，并存儲(chǔ)在第二存儲(chǔ)電容器CST2內(nèi)。
圖2B是沿圖2A的I-I'線截取的典型的第一存儲(chǔ)電容器的截面圖。
參考圖2B，第一存儲(chǔ)電容器CST1包括下電極244，該下電極244 形成在絕緣基板202上，例如玻璃基板，以及與下電極244重疊的上電極250，二者之間設(shè)置有絕緣層204。上電極250通過漏極線252直接連接到第一 TFTT1的漏極電極254，并通過在絕緣層206內(nèi)形成的接觸孔 268連接到第一像素電極260。
按照本發(fā)明典型實(shí)施例的LCD設(shè)備100包括第一接觸孔268,用來連接第一 TFTTl的漏極電極254、第一存儲(chǔ)電容器CST1的上電極250 和第一像素電極260，第二接觸孔264，用來連接第二TFTT2的漏極電
極259和第二像素電極262，以及第三接觸孔266，用來連接第二像素電極262和第二存儲(chǔ)電容器CST2的上電極255。
在典型實(shí)施例中，LCD設(shè)備100具有這樣的結(jié)構(gòu)，其中沒有形成用來直接連接第一 TFT Tl漏極電極254和第一像素電極260的接觸孔，而且第一TFTT1的漏極電極254連接到第一存儲(chǔ)電容器CST1的上電極 255。這樣，在LCD設(shè)備100的制造過程中產(chǎn)生的靜電荷在流入第一 TFT Tl之前存儲(chǔ)在第一存儲(chǔ)電容器CST1中，以便切斷靜電荷向第一TFTT1 的流入路徑。因此，由靜電荷引起的溝道短路缺陷，尤其是由靜電荷引起的高灰度級(jí)晶體管的溝道短路缺陷可以減少。
在本發(fā)明的典型實(shí)施例中，沒有形成用于連接第一 TFT Tl的漏極電極254和第一像素電極260的接觸孔，并且第一 TFT Tl的漏極電極 254直接連接到第一存儲(chǔ)電容器CST1的上電極250。然而，本發(fā)明不應(yīng) 限制于這些典型實(shí)施例。例如，可以不提供用于連接第二 TFT T2的漏極電極259和第二像素電極262的接觸孔264，并且第二 TFTT2的漏極電極259可以直接連接到第二存儲(chǔ)電容器CST2的上電極255。
圖3A到圖3E表示制造圖1中示出的典型LCD設(shè)備的TFT基板的典型方法的視圖。圖3A到圖3E以舉例的方式表示一個(gè)典型的像素區(qū)域。
圖3A表示柵極線形成過程。包括柵極電極212和214的柵極線210 和包括下電極242和244的存儲(chǔ)電容器線240形成在絕緣基板上，如包括玻璃基板的透明絕緣基板。存儲(chǔ)電容器線240基本上平行于柵極線210 而形成。
更具體地，金屬層通過濺射過程或者類似的過程沉積在玻璃基板上。金屬層可以包括，例如鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)或者它們的合金。金屬層可以包括單層結(jié)構(gòu)或者多層結(jié)構(gòu)。柵極線210和存儲(chǔ)電容器線240
通過使用第一掩模的蝕刻過程和光刻過程對(duì)金屬層形成圖案來形成。在典型實(shí)施例中，當(dāng)對(duì)金屬層形成圖案時(shí)，第一存儲(chǔ)電容器CST1的下電極244的面積比第二存儲(chǔ)電容器CST2的下電極242的面積大。
圖3B表示有源層形成過程。柵絕緣層204 (圖2B)形成在玻璃基板上，其中形成了柵極線210和存儲(chǔ)電容器線240，而且通過第二掩模過程，形成了與柵極電極212和214重疊的有源層230和232。在對(duì)應(yīng)于柵極線210和覆蓋有數(shù)據(jù)線的存儲(chǔ)電容器線240交叉的區(qū)域，也可以形成附加的有源層區(qū)域。有源層230和232可以進(jìn)一步包括歐姆接觸層。具體地，柵絕緣層204、非晶硅("a-Si")層和n+a-Si層通過沉積過程順序地形成在利用第一掩模處理的玻璃基板上，如等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相沉積("PEVCD")過程。然后，通過使用第二掩模的光刻過程和蝕刻過程，形成了包括a-Si層和n+ ot-Si層的有源層230和232。柵絕緣層 204包括有機(jī)絕緣材料，如氧化硅SiOx或者氮化硅SiNx。以基本上相同的方式，有源層230和232可以形成在柵極線210和數(shù)據(jù)線的交叉區(qū) 域，或者存儲(chǔ)電容器線240和數(shù)據(jù)線的交叉區(qū)域。
圖3C表示源極/漏極圖案形成過程。源極/漏極圖案形成在柵絕緣層 204上，在其上形成有源層230和232。源極/漏極圖案包括第一數(shù)據(jù)線 220、第一TFTT1的源極電極222和漏極電極254、第一存儲(chǔ)電容器CST1 的上電極250、連接第一TFTT1的漏極電極254到第一存儲(chǔ)電容器CST1 的上電極250的漏極線252、第二數(shù)據(jù)線225、第二TFTT2的源極電極 227和漏極電極259、以及連接到第二 TFTT2的漏極電極259的漏極線 257。
第一數(shù)據(jù)線220連接到第一 TFT Tl的源極電極222，第二數(shù)據(jù)線 225連接到第二 TFT T2的源極電極227。形成第一存儲(chǔ)電容器CST1的上電極250，以對(duì)應(yīng)于第一存儲(chǔ)電容器CST1的下電極244，并且形成第二存儲(chǔ)電容器CST2的上電極255，以對(duì)應(yīng)于第二存儲(chǔ)電容器CST2的下電極242。相應(yīng)地，第一存儲(chǔ)電容器CST1的上電極250的區(qū)域比第二存儲(chǔ)電容器CST2的上電極255的區(qū)域大。
源極/漏極金屬層通過在利用第二掩模處理的玻璃基板上的濺射過程形成。源極/漏極金屬層通過使用第三掩模的蝕刻過程和光刻過程形成圖案。通過分別移除暴露在源極電極222和227與漏極電極254和259 之間的歐姆接觸層，源極電極222和227與漏極電極254和259電絕緣。這樣，形成了連接到柵極線210和第一數(shù)據(jù)線220的第一 TFT Tl和連接到柵極線210和第二數(shù)據(jù)線225的第二 TFTT2。
圖3D表示接觸孔形成過程。有機(jī)絕緣層206形成在柵絕緣層204 上，在其上形成源極/漏極圖案，并且通過第四掩模過程、通過移除有機(jī)
絕緣層206的一部分形成第一接觸孔268、第二接觸孔264和第三接觸孔266。形成第一接觸孔268來連接第一 TFTT1的漏極電極254和第一存儲(chǔ)電容器CST1的上電極250到第一像素電極。形成第二接觸孔264 來連接第二 TFT T2的漏極電極259到第二像素電極。形成第三接觸孔 266來連接第二像素電極到第二存儲(chǔ)電容器CST2的上電極255。
通過旋涂過程或者無旋轉(zhuǎn)的涂覆過程，通過在玻璃基板上涂覆有機(jī) 絕緣材料，如丙烯酸有機(jī)化合物，形成有機(jī)絕緣層206。通過使用第四掩模的蝕刻過程和光刻過程，通過移除有機(jī)絕緣層206的一部分，通過暴露第一存儲(chǔ)電容器CST1的上電極250、連接到第二 TFTT2的漏極電極259的漏極線257的末端部分、以及第二存儲(chǔ)電容器CST2的上電極 255的區(qū)域，形成第一接觸孔268、第二接觸孔264和第三接觸孔266。
圖3E表示典型的像素電極的形成過程。第一像素電極260和第二像素電極262形成在有機(jī)絕緣層206上。第一像素電極260和第二像素電極262包括透明導(dǎo)電材料。透明導(dǎo)電材料包括，例如銦錫氧化物 ("ITO")和/或銦鋅氧化物("IZO")。透明導(dǎo)電材料通過諸如濺射過程的沉積過程覆蓋在玻璃基板上。由通過使用第五掩模的光刻過程和蝕刻過程的透明導(dǎo)電構(gòu)圖，形成了第一像素電極260和第二像素電極262。
第一像素電極260通過第一接觸孔268連接到第一存儲(chǔ)電容器CST1 的上電極250。第二像素電極262通過第二接觸孔264連接到漏極線257，該漏極線257連接到第二 TFTT2的漏極電極259。第二像素電極262通過第三接觸孔也連接到第二存儲(chǔ)電容器CST2的上電極255。
按照典型實(shí)施例的TFT基板可以與濾色器面板組裝在一起，在濾色器面板中形成公共電極和濾色器，并能用于制造LCD設(shè)備的方法中。
下面將詳細(xì)描述按照本發(fā)明典型實(shí)施例的典型LCD設(shè)備的另一個(gè) 典型像素的結(jié)構(gòu)。
圖4A是表示圖1中所示的典型LCD設(shè)備的另一個(gè)典型像素結(jié)構(gòu)的平面圖。圖4A的像素包括第一和第二像素電極360和362、第一和第二 TFTT1和T2、柵極線310、第一和第二數(shù)據(jù)線320和325、以及第一到第四存儲(chǔ)電容器CST1到CST4。
第一像素電極360通過接觸孔364連接到第一 TFT Tl的漏極電極
354并連接到第三電容器CST3的上電極380。第一像素電極360還通過接觸孔368連接到第一存儲(chǔ)電容器CST1的上電極350。第一像素電極 360經(jīng)由第一 TFT Tl從第一數(shù)據(jù)線320接收高灰度級(jí)數(shù)據(jù)信號(hào)來顯示高灰度級(jí)數(shù)據(jù)信號(hào)。
第二像素電極362與第一像素電極360分開，并以環(huán)繞第一像素電極360的形狀形成。第二像素電極362通過接觸孔369連接到第二 TFT T2 的漏極電極359以及第四存儲(chǔ)電容器CST4，還通過接觸孔366連接到第二存儲(chǔ)電容器CST2的上電極355。第二像素電極362經(jīng)由第二TFTT2 從第二數(shù)據(jù)線325接收低灰度級(jí)數(shù)據(jù)信號(hào)來顯示低灰度級(jí)信號(hào)。
第一存儲(chǔ)電容器CST1包括連接到第一存儲(chǔ)電容器線340的下電極 344和與下電極344重疊的上電極350，二者之間設(shè)置有絕緣層。上電極 350通過接觸孔368連接到第一像素電極360，該第一像素電極360連接到第一 TFTT1的漏極電極354。第三存儲(chǔ)電容器CST3包括連接到第二存儲(chǔ)電容器線341的下電極371和與下電極371重疊的上電極380，二者之間設(shè)置有絕緣層。上電極380通過接觸孔364連接到第一像素電極 360，該第一像素電極360連接到第一TFT Tl的漏極電極354。因此，由連接到第一 TFT Tl的漏極電極354的漏極線352提供的高灰度級(jí)數(shù) 據(jù)信號(hào)施加到第一像素電極360，也積累到第一存儲(chǔ)電容器CST1內(nèi)。
第二存儲(chǔ)電容器CST2包括連接到第一存儲(chǔ)電容器線340的下電極 342和與下電極342重疊的上電極355，二者之間設(shè)置有絕緣層。第二存儲(chǔ)電容器CST2的上電極355通過接觸孔366連接到第二像素電極362，該第二像素電極362連接到第二 TFTT2的漏極電極359。第四存儲(chǔ)電容器CST4包括連接到第二存儲(chǔ)電容器線341的下電極373和與下電極373 重疊的上電極382，二者之間設(shè)置有絕緣層。第四存儲(chǔ)電容器CST4的上電極382通過接觸孔369連接到第二像素電極362，該第二像素電極 362連接到第二 TFT T2的漏極電極359。因此，由連接到第二 TFT T2 的漏極電極359的漏極線357提供的低灰度級(jí)數(shù)據(jù)信號(hào)施加到第二像素電極362，也積累到第二存儲(chǔ)電容器CST2內(nèi)。
在此，第一存儲(chǔ)電容器線340和第二存儲(chǔ)電容器線341通過連接線 370和372彼此電連接。優(yōu)選地，連接線370和372以不與第一和第二
像素電極360和362重疊的方式形成，以便孔徑比(apertureratio)不減小。
由于第一和第二TFT Tl和T2、柵極線310、以及第一和第二數(shù)據(jù) 線320和325基本上與先前典型實(shí)施例的第一和第二 TFT Tl和T2、柵極線210、以及第一和第二數(shù)據(jù)線220和225相同，因此將省略對(duì)這些元件的詳細(xì)說明。
下面將更詳細(xì)地描述第三存儲(chǔ)電容器CST3。
圖4B表示典型的第三存儲(chǔ)電容器CST3沿圖4A的I-I，線截取的截面圖。
參考圖4B，第三存儲(chǔ)電容器CST3包括形成在基板302上的下電極 371，該基板例如是透明絕緣基板如玻璃基板，以及與下電極371重疊的上電極380，二者之間設(shè)置有絕緣層304。上電極380通過漏極線352 直接連接到第一TFTT1的漏極電極354，并通過形成在鈍化膜306內(nèi)的接觸孔364連接到第一像素電極360。第四存儲(chǔ)電容器CST4具有與第三存儲(chǔ)電容器CST3基本相同的結(jié)構(gòu)，因此省略關(guān)于第四存儲(chǔ)電容器 CST4的詳細(xì)描述。
按照本發(fā)明具體實(shí)施例的LCD設(shè)備包括連接到第一 TFTT1漏極電極354的第三存儲(chǔ)電容器CST3以及連接到第二 TFT T2漏極電極359 的第四存儲(chǔ)電容器CST4。第三和第四存儲(chǔ)電容器CST3和CST4分別通過連接線370和372連接到第一和第二存儲(chǔ)電容器CST1和CST2。
在具有上述結(jié)構(gòu)的LCD設(shè)備中，在LCD設(shè)備的制造過程中產(chǎn)生的靜電荷在通過接觸孔364和369流入第一和第二 TFTT1和T2之前積累在第三和第四存儲(chǔ)電容器CST3和CST4中，并傳送到第一和第二存儲(chǔ) 電容器csti和CST2，從而切斷靜電荷向第一和第二 tft Tl和T2的流入路徑。因此，可以防止由靜電荷引起的溝道短路缺陷，尤其是由靜
電荷引起的高灰度級(jí)晶體管的溝道短路缺陷。
圖5A到圖5E表示制造圖4A和圖4B中示出的TFT基板的典型方法的視圖。圖5A到圖5E通過舉例的方式表示一個(gè)典型像素區(qū)域。
圖5A表示柵極線形成過程。通過該柵極線形成過程，在基板，如玻璃基板上形成包括柵極電極312和314的柵極線310以及包括下電極342和344和371和373的第一和第二存儲(chǔ)電容器線340和341。第一和第二存儲(chǔ)電容器線340和341進(jìn)一步包括彼此電絕緣的連接線370和 372。更詳細(xì)的過程與圖3A的柵極線形成過程相同，因此省略該過程的描述。
圖5B表示形成有源層330、 332的有源層形成過程。該有源層形成過程基本上與圖3B的有源層形成過程相同，因此省略關(guān)于圖5B的有源層形成過程的描述。
圖5C表示源極/漏極圖案形成過程。通過該源極/漏極圖案形成過程，源極/漏極圖案形成在柵絕緣層上，該柵絕緣層上形成有源層330和332。源極/漏極圖案包括第一和第二數(shù)據(jù)線320和325、第一和第二 TFT Tl 和T2的源極電極322和327以及漏極電極354和359、第一到第四存儲(chǔ) 電容器CST1到CST4的上電極350， 355， 380和382、分別將第一和第二 TFT Tl和T2的漏極電極354和359連接到第三和第四存儲(chǔ)電容器 CST3和CST4的上電極380和382的漏極線352和357。
第一和第二數(shù)據(jù)線320和325分別連接到第一和第二 TFT Tl和T2 的源極電極322和327。第一到第四存儲(chǔ)電容器CST1到CST4的上電極 350、 355、 380和382與第一到第四存儲(chǔ)電容器CST1到CST4的下電極 344、 342、 371和373對(duì)應(yīng)形成。更詳細(xì)的過程與圖3C的源極/漏極圖案形成過程相同，因此省略該過程的描述。
圖5D表示接觸孔形成過程。通過該接觸孔形成過程，可以是有機(jī) 絕緣層的鈍化膜306形成在柵絕緣層304的上面，在該柵絕緣層上形成源極/漏極圖案，通過第四掩模過程，通過移除鈍化膜306的一部分，形成第一到第四接觸孔368、 366、 364和369。形成第一接觸孔368以將第一存儲(chǔ)電容器CST1的上電極350連接到第一像素電極，該像素電極將在下一過程形成。形成第二接觸孔366來連接第二存儲(chǔ)電容器CST2 的上電極355和第二像素電極，該像素電極將在下一過程形成。
形成第三接觸孔364來連接第三存儲(chǔ)電容器CST3的上電極380和第一像素電極，該像素電極將在下一過程形成。形成第四接觸孔369來連接第四存儲(chǔ)電容器CST4的上電極382和第二像素電極，該像素電極將在下一過程形成。關(guān)于接觸孔形成過程進(jìn)一步的細(xì)節(jié)可以通過參考圖
3D描述的接觸孔形成過程得出。
圖5E表示典型像素電極的形成過程。通過該像素電極形成過程，
透明導(dǎo)電圖案的第一和第二像素電極360和362形成在鈍化膜306上。關(guān)于像素電極形成過程進(jìn)一步的細(xì)節(jié)可以通過參考圖3E描述的像素電極形成過程得出。
在像素電極形成過程中，第一像素電極360通過第一接觸孔368連接到第一存儲(chǔ)電容器CST1的上電極350，也通過第三接觸孔364連接到第一TFTT1的漏極電極354。第二像素電極362通過第二接觸孔366 連接到第二存儲(chǔ)電容器CST2的上電極355，也通過第四接觸孔369連接到第二 TFTT2的漏極電極359。
通過上述方法制造的TFT基板可以與具有公共電極和濾色器的濾色器基板裝配來制造LCD設(shè)備。
圖6是按照本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的典型LCD設(shè)備的方框圖。
參考圖6， LCD設(shè)備400包括液晶面板410、柵極驅(qū)動(dòng)器420，用來驅(qū)動(dòng)液晶面板410的柵極線GL1到GL4、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器430，用來驅(qū)動(dòng)液晶面板410的數(shù)據(jù)線DL1和DL2、定時(shí)控制器440，用來控制柵極驅(qū)動(dòng) 器420和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器430、以及伽瑪電壓發(fā)生器450，用來有選擇地提供
高和低灰度級(jí)伽瑪電壓。
液晶面板410包括多個(gè)像素P1到P4。例如像素P1包括形成在高灰度級(jí)區(qū)域和低灰度級(jí)區(qū)域的第一像素電極VH和第二像素電極VL、獨(dú)立地連接到第一和第二像素電極VH和VL的第一 TFTT1和第二 TFTT2、共同連接到第一 TFTT1和第二 TFTT2的數(shù)據(jù)線DL1、以及連接到第一 TFTT1和第二 TFTT2的柵極線GL1和GL2。形成在高和低灰度級(jí)區(qū)域的第一和第二像素電極VH和VL響應(yīng)由不同的伽瑪曲線產(chǎn)生的伽瑪電壓顯示數(shù)據(jù)信號(hào)。
關(guān)于定時(shí)控制器440、柵極驅(qū)動(dòng)器420、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器430和伽瑪電壓發(fā)生器450的進(jìn)一步細(xì)節(jié)，可以通過參考圖1描述的定時(shí)控制器140、柵極驅(qū)動(dòng)器120、數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器130和伽瑪電壓發(fā)生器150得出，因此省
略關(guān)于這些元件更詳細(xì)的描述。
將參考圖7詳細(xì)描述按照本發(fā)明可選擇的典型實(shí)施例的典型LCD設(shè)
備的典型像素結(jié)構(gòu)。
圖7表示圖6中所示的典型LCD設(shè)備的典型像素結(jié)構(gòu)的平面圖。
參考圖7， LCD設(shè)備400的像素500包括第一像素電極560、第二像素電極562、第一TFTT1、第二TFTT2、第一柵極線510、第二柵極線515、數(shù)據(jù)線520、第一存儲(chǔ)電容器CST1和第二存儲(chǔ)電容器CST2。
第一像素電極560通過接觸孔568連接到第一 TFT Tl的漏極電極 554和第一存儲(chǔ)電容器CST1的上電極550。第一像素電極560從數(shù)據(jù)線 520接收高灰度級(jí)數(shù)據(jù)信號(hào)，并顯示高灰度級(jí)數(shù)據(jù)信號(hào)。
第二像素電極562與第一像素電極560分離，并環(huán)繞第一像素電極 560。第二像素電極562通過接觸孔564連接到第二 TFTT2的漏極電極 559，并通過接觸孔566連接到第二存儲(chǔ)電容器CST2的上電極555。第二像素電極562通過第二 TFTT2從數(shù)據(jù)線520接收低灰度級(jí)數(shù)據(jù)信號(hào)，并顯示低灰度級(jí)數(shù)據(jù)信號(hào)。
第一 TFTT1包括連接到第一柵極線510的柵極電極512、連接到數(shù) 據(jù)線520的源極電極522、連接到漏極線552的漏極電極554、與柵極電極512重疊的有源層530，其間設(shè)置有絕緣層。
在1/2水平周期期間，響應(yīng)從第一柵極線410提供的柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)，第一 TFT Tl通過漏極電極554向漏極線552提供從數(shù)據(jù)線520提供的
高灰度級(jí)數(shù)據(jù)信號(hào)。
第二 TFTT2包括連接到第二柵極線515的柵極電極514、連接到數(shù) 據(jù)線520的源極電極527、連接到漏極線557的漏極電極559、以及與柵極電極514重疊的有源層532,其間設(shè)置有絕緣層。
在剩余的1/2水平周期期間，響應(yīng)從第二柵極線515提供的柵極驅(qū) 動(dòng)信號(hào)，第二 TFTT2通過漏極電極559向漏極線557提供從數(shù)據(jù)線520
提供的高灰度級(jí)數(shù)據(jù)信號(hào)。
第一柵極線510連接到第一TFTT1的柵極電極512。在1/2水平周期期間，第一柵極線510向第一 TFT Tl的柵極電極512提供從柵極驅(qū) 動(dòng)器420輸出的柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
第二柵極線515連接到第二 TFT T2的柵極電極514。在剩余的1/2 水平周期期間，第二柵極線515向第二 TFT T2的柵極電極514提供從
柵極驅(qū)動(dòng)器420輸出的柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
數(shù)據(jù)線520形成在像素的第一側(cè)，并且與第一和第二柵極線510和 515交叉。數(shù)據(jù)線520連接到第一 TFTT1的源極電極522和第二 TFTT2 的源極電極527。數(shù)據(jù)線520在1/2水平周期期間，向第一 TFTT1的源極電極522提供從數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器430輸出的高灰度級(jí)數(shù)據(jù)信號(hào)，并且在剩余的1/2水平周期期間，向第二 TFTT2的源極電極527提供從數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng) 器430輸出的低灰度級(jí)數(shù)據(jù)信號(hào)。
第一存儲(chǔ)電容器CST1包括連接到存儲(chǔ)電容器線540的下電極544 和與下電極544重疊的上電極550，其間設(shè)置有絕緣層。上電極550通過漏極線552直接連接到第一 TFTT1的漏極電極454。第一存儲(chǔ)電容器 CST1的下電極544和上電極550具有比第二存儲(chǔ)電容器CST2的下電極 542和上電極555更大的面積。
連接到漏極線552的上電極550通過接觸孔568連接到第一像素電極560。因此，由連接到第一 TFTT1的漏極電極554的漏極線552提供的高灰度級(jí)數(shù)據(jù)信號(hào)能夠施加到第一像素電極560，并同時(shí)存儲(chǔ)在第一存儲(chǔ)電容器CST1中。
第二存儲(chǔ)電容器CST2包括連接到存儲(chǔ)電容器線540的下電極542 和與下電極542重疊的上電極455，其間設(shè)置有絕緣層。上電極555連接到第二像素電極562，其通過接觸孔566連接到第二 TFTT2的漏極電極459。因此，由連接到第二TFTT2的漏極電極559的漏極線557提供的低灰度級(jí)數(shù)據(jù)信號(hào)能夠施加到第二像素電極462，并能夠存儲(chǔ)在第二存儲(chǔ)電容器CST2內(nèi)。
按照本發(fā)明的典型實(shí)施例，LCD設(shè)備具有這樣的結(jié)構(gòu)，其中沒有形成用來直接將第一像素電極560連接到第一 TFT Tl的漏極電極554的接觸孔，并且第一 TFT Tl的漏極電極554直接連接到第一存儲(chǔ)電容器 CST1的上電極550。這樣，在LCD的制造過程中產(chǎn)生的靜電荷可以在流入第一TFTT1之前積累在第一存儲(chǔ)電容器CST1中，以便切斷靜電荷向第一TFTT1的流入路徑。
因此，由于提供了將高灰度級(jí)數(shù)據(jù)信號(hào)切換到存儲(chǔ)電容器的上電極的晶體管的漏極電極結(jié)構(gòu)，由靜電荷引起的溝道短路缺陷，尤其是由靜
電引起的高灰度級(jí)晶體管的溝道短路缺陷可以減少。
雖然已經(jīng)描述了本發(fā)明的典型實(shí)施例，可以理解，本發(fā)明不應(yīng)限制于這些典型實(shí)施例，在不脫離如這里所要求的本發(fā)明的構(gòu)思和范圍的情況下，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明做出各種變化和修改。
權(quán)利要求
1、一種液晶顯示設(shè)備，包括第一薄膜晶體管，向第一像素電極提供由第一數(shù)據(jù)線提供的第一數(shù)據(jù)信號(hào)；第一存儲(chǔ)電容器，具有通過第一接觸孔連接到第一像素電極、并連接到第一薄膜晶體管的電極，該第一存儲(chǔ)電容器存儲(chǔ)第一數(shù)據(jù)信號(hào)；第二薄膜晶體管，通過第二接觸孔向第二像素電極提供由第二數(shù)據(jù)線提供的第二數(shù)據(jù)信號(hào)；第二存儲(chǔ)電容器，具有通過第三接觸孔連接到第二像素電極的電極，該第二存儲(chǔ)電容器存儲(chǔ)第二數(shù)據(jù)信號(hào)。
2、如權(quán)利要求1的液晶顯示設(shè)備，其中第一數(shù)據(jù)信號(hào)和第二數(shù)據(jù)信號(hào)由不同的伽瑪曲線產(chǎn)生。
3、如權(quán)利要求2的液晶顯示設(shè)備，其中第一薄膜晶體管包括連接到第一數(shù)據(jù)線的源極電極和直接連接到第一存儲(chǔ)電容器的電極的漏極電極。
4、如權(quán)利要求3的液晶顯示設(shè)備，其中第二薄膜晶體管包括連接到第二數(shù)據(jù)線的源極電極和連接到第二像素電極的漏極電極。
5、如權(quán)利要求4的液晶顯示設(shè)備，其中第一存儲(chǔ)電容器的電容大于第二存儲(chǔ)電容器的電容。
6、如權(quán)利要求5的液晶顯示設(shè)備，其中在一個(gè)水平周期的部分期間，第一薄膜晶體管向第一像素電極提供第一數(shù)據(jù)信號(hào)，在該水平周期的剩余部分期間，第二薄膜晶體管向第二像素電極提供第二數(shù)據(jù)信號(hào)。
7、如權(quán)利要求1的液晶顯示設(shè)備，其中第一存儲(chǔ)電容器的電極整體地連接到第一薄膜晶體管的漏極電極。
8、如權(quán)利要求1的液晶顯示設(shè)備，其中通過將靜電荷在流入第一薄膜晶體管之前存儲(chǔ)到第一存儲(chǔ)電容器中，減少由靜電荷引起的第一薄膜晶體管的溝道短路缺陷。
9、一種液晶顯示設(shè)備，包括數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器，向第一數(shù)據(jù)線提供第一數(shù)據(jù)信號(hào)并向第二數(shù)據(jù)線提供第二數(shù)據(jù)信號(hào)；柵極驅(qū)動(dòng)器，向柵極線提供柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)；第一薄膜晶體管，響應(yīng)柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)，向第一像素電極提供第一數(shù) 據(jù)信號(hào)；第一存儲(chǔ)電容器，通過第一接觸孔連接到第一像素電極，并直接連接到第一薄膜晶體管，該第一存儲(chǔ)電容器存儲(chǔ)第一數(shù)據(jù)信號(hào)；第二薄膜晶體管，響應(yīng)柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)，通過第二接觸孔向第二像素電極提供第二數(shù)據(jù)信號(hào)；第二存儲(chǔ)電容器，通過第三接觸孔連接到第二像素電極，該第二存儲(chǔ)電容器存儲(chǔ)第二數(shù)據(jù)信號(hào)。
10、如權(quán)利要求9的液晶顯示設(shè)備，其中第一數(shù)據(jù)信號(hào)和第二數(shù)據(jù) 信號(hào)由不同的伽瑪曲線產(chǎn)生。
11、如權(quán)利要求10的液晶顯示設(shè)備，進(jìn)一步包括伽瑪電壓發(fā)生器，該伽瑪電壓發(fā)生器向數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器提供第一灰度級(jí)伽瑪電壓以產(chǎn)生第一數(shù)據(jù)信號(hào)并提供第二灰度級(jí)伽瑪電壓以產(chǎn)生第二數(shù) 據(jù)信號(hào)。
12、如權(quán)利要求11的液晶顯示設(shè)備，其中在一個(gè)水平周期的部分期間，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器向第一薄膜晶體管提供第一數(shù)據(jù)信號(hào)，在該水平周期的剩余部分期間，向第二薄膜晶體管提供第二數(shù)據(jù)信號(hào)，在該水平周期期間，柵極驅(qū)動(dòng)器向第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管提供柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)。
13、如權(quán)利要求9的液晶顯示設(shè)備，其中第一存儲(chǔ)電容器的電極整體地連接到第一薄膜晶體管的漏極電極，并且通過將靜電荷在流入第一薄膜晶體管之前存儲(chǔ)到第一存儲(chǔ)電容器中，減少由靜電荷引起的第一薄膜晶體管的溝道短路缺陷。
14、一種液晶顯示設(shè)備，包括多個(gè)像素，連接到多個(gè)第一數(shù)據(jù)線以傳送第一數(shù)據(jù)信號(hào)，連接到多個(gè)第二數(shù)據(jù)線以傳送第二數(shù)據(jù)信號(hào)，并且連接到多個(gè)柵極線以傳送柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)，其中多個(gè)像素中的至少一個(gè)像素包括第一像素電極，顯示第一數(shù)據(jù)信號(hào)；第一薄膜晶體管，向第一像素電極提供第一數(shù)據(jù)信號(hào)；第一存儲(chǔ)電容器，通過第一接觸孔連接到第一像素電極，并直接連接到第一薄膜晶體管，該第一存儲(chǔ)電容器存儲(chǔ)第一數(shù)據(jù)信號(hào)；第二像素電極，顯示第二數(shù)據(jù)信號(hào)；第二薄膜晶體管，通過第二接觸孔連接到第二像素電極，該第二薄膜晶體管向第二像素電極提供第二數(shù)據(jù)信號(hào)；以及第二存儲(chǔ)電容器，通過第三接觸孔連接到第二像素電極，該第二存儲(chǔ)電容器存儲(chǔ)第二數(shù)據(jù)信號(hào)。
15、如權(quán)利要求14的液晶顯示設(shè)備，其中第一數(shù)據(jù)信號(hào)和第二數(shù) 據(jù)信號(hào)由不同的伽瑪曲線產(chǎn)生。
16、如權(quán)利要求15的液晶顯示設(shè)備，其中第一存儲(chǔ)電容器包括第一電極；連接到第一薄膜晶體管和第一像素電極的第二電極；以及形成在第一電極和第二電極之間的絕緣層。
17、如權(quán)利要求16的液晶顯示設(shè)備，其中第二存儲(chǔ)電容器包括連接到第一電極的第三電極；連接到第二像素電極的第四電極；以及形成在第三電極和第四電極之間的絕緣層。
18、如權(quán)利要求17的液晶顯示設(shè)備，其中第一存儲(chǔ)電容器包括第一電極和第二電極，該第一電極和第二電極分別具有比第二存儲(chǔ)電容器的第三電極和第四電極的面積更大的面積。
19、如權(quán)利要求14的液晶顯示設(shè)備，其中第二像素電極與第一像素電極分離并圍繞第一像素電極。
20、一種制造液晶顯示設(shè)備的方法，該方法包括在基板上形成具有第一柵極電極的柵極線和具有第一電極的存儲(chǔ)電容器線；在基板上形成有源層，該有源層與第一柵極電極重疊，在其間具有柵絕緣層；形成源極/漏極圖案，其中該源極/漏極圖案包括傳送第一數(shù)據(jù)信號(hào)的第一數(shù)據(jù)線；連接到第一數(shù)據(jù)線的第一薄膜晶體管的第一源極電極和第一漏極電極；與第一電極相對(duì)的第二電極；以及連接第一漏極電極和第二電極的第一漏極線；在基板上形成有機(jī)絕緣層；以及通過移除有機(jī)絕緣層的一部分暴露第二電極的一部分，形成第一接觸孔。
21、如權(quán)利要求20的方法，其中形成柵極線進(jìn)一步包括形成第二柵極電極，并且形成存儲(chǔ)電容器線包括在基板上形成具有第三電極的存儲(chǔ) 電容器線；形成有源層進(jìn)一步包括形成與第二柵極電極重疊的另一個(gè)有源層，其間設(shè)置有柵絕緣層；該源極/漏極圖案進(jìn)一步包括傳送第二數(shù)據(jù)信號(hào)的第二數(shù)據(jù)線；第二薄膜晶體管的第二源極電極和第二漏極電極，該第二源極電極連接到第二數(shù)據(jù)線；與第三電極相對(duì)的第四電極；以及連接到第二漏極電極的第二漏極線；以及形成接觸孔進(jìn)一步包括通過移除有機(jī)絕緣層的一部分，形成第二接觸孔，暴露連接到第二漏極電極的第二漏極線的一部分，以及形成第三接觸孔，暴露第四電極的一部分。
22、如權(quán)利要求21的方法，進(jìn)一步包括在基板上形成像素電極，其中第一、第二和第三接觸孔通過透明導(dǎo) 電構(gòu)圖形成，其中像素電極包括顯示第一數(shù)據(jù)信號(hào)的第一像素電極和顯示低灰度級(jí)數(shù)據(jù)信號(hào)的第二像素電極。
23、如權(quán)利要求22的方法，其中第一像素電極通過第一接觸孔連接到第二電極，第二像素電極通過第二接觸孔連接到第二漏極線并通過第三接觸孔連接到第四電極。
24、如權(quán)利要求23的方法，其中第一電極具有比第三電極的面積更大的面積，第二電極具有比第四電極的面積更大的面積。
25、一種制造液晶顯示設(shè)備的方法，該方法包括在基板上形成柵極線，該柵極線包括具有第一柵極電極和第二柵極電極的柵極電極以及具有第一電極和第二電極的存儲(chǔ)電容器線；在基板上形成有源層，該有源層與第一柵極電極和第二柵極電極重疊，其間設(shè)置有柵絕緣層；形成源極/漏極圖案，其中該柵極電極/漏極電極圖案包括分別傳送第一數(shù)據(jù)信號(hào)和第二數(shù)據(jù)信號(hào)的第一數(shù)據(jù)線和第二數(shù)據(jù)線；連接到第一數(shù)據(jù)線的第一薄膜晶體管的第一源極電極和第一漏極電極；連接到第二數(shù)據(jù)線的第二薄膜晶體管的第二源極電極和第二漏極電極；分別與第一電極和第二電極相對(duì)的第三電極和第四電極；以及連接到第一漏極電極和第三電極的漏極線；形成接觸孔包括在基板上形成有機(jī)絕緣層，其中接觸孔包括通過移除有機(jī)絕緣層的一部分暴露第三電極的第一接觸孔、暴露連接到第二漏極電極的漏極線的第二接觸孔、以及暴露第四電極的第三接觸孔；以及在基板上形成像素電極，其中第一、第二和第三接觸孔通過透明導(dǎo) 電構(gòu)圖形成，像素電極包括顯示第一數(shù)據(jù)信號(hào)電壓的第一像素電極，并且第一像素電極通過第一接觸孔連接到第三電極，以及顯示第二數(shù)據(jù)信號(hào)電壓的第二像素電極，并且第二像素電極通過第二接觸孔連接到漏極線，該漏極線連接到第二漏極電極，并通過第三接觸孔連接到第四電極。
26、一種液晶顯示設(shè)備，包括第一薄膜晶體管，響應(yīng)第一柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)，向第一像素電極提供由數(shù)據(jù)線提供的第一數(shù)據(jù)信號(hào)；第一存儲(chǔ)電容器，通過第一接觸孔連接到第一像素電極，該第一存儲(chǔ)電容器包括直接連接到第一薄膜晶體管的電極，并存儲(chǔ)第一數(shù)據(jù)信號(hào);第二薄膜晶體管，響應(yīng)第二柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)，通過第二接觸孔向第二像素電極提供由數(shù)據(jù)線提供的第二數(shù)據(jù)信號(hào)；以及第二存儲(chǔ)電容器，包括通過第三接觸孔連接到第二像素電極的電極，該第二存儲(chǔ)電容器存儲(chǔ)第二數(shù)據(jù)信號(hào)。
27、如權(quán)利要求26的液晶顯示設(shè)備，其中第一數(shù)據(jù)信號(hào)和第二數(shù)據(jù) 信號(hào)可以由不同的伽瑪曲線產(chǎn)生。
28、如權(quán)利要求27的液晶顯示設(shè)備，其中在水平周期期間，第一柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)和第二柵極驅(qū)動(dòng)信號(hào)施加到第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管。
29、一種液晶顯示設(shè)備，包括第一薄膜晶體管，向通過第一接觸孔連接的第一像素電極施加由第一數(shù)據(jù)線提供的第一數(shù)據(jù)信號(hào)；第一存儲(chǔ)電容器，具有通過第一接觸孔連接到第一像素電極的電極；第二存儲(chǔ)電容器，具有通過第二接觸孔連接到第一像素電極的電極，并存儲(chǔ)第一數(shù)據(jù)信號(hào)；第二薄膜晶體管，向通過第三接觸孔連接的第二像素電極施加由第二數(shù)據(jù)線提供的第二數(shù)據(jù)信號(hào)；第三存儲(chǔ)電容器，具有通過第三接觸孔連接到第二像素電極的電極；以及第四存儲(chǔ)電容器，具有通過第四接觸孔連接到第二像素電極的電極，并存儲(chǔ)第二數(shù)據(jù)信號(hào)。
30、如權(quán)利要求29的液晶顯示設(shè)備，其中第一數(shù)據(jù)信號(hào)和第二數(shù)據(jù) 信號(hào)由不同的伽瑪曲線產(chǎn)生。
31、如權(quán)利要求30的液晶顯示設(shè)備，其中第一薄膜晶體管包括連接到第一數(shù)據(jù)線的源極電極和連接到第一存儲(chǔ)電容器的電極的漏極電極。
32、如權(quán)利要求30的液晶顯示設(shè)備，其中第二薄膜晶體管包括連接到第二數(shù)據(jù)線的源極電極和連接到第三存儲(chǔ)電容器的電極的漏極電極。
33、如權(quán)利要求32的液晶顯示設(shè)備，其中第一到第四存儲(chǔ)電容器彼此電連接。
34、如權(quán)利要求33的液晶顯示設(shè)備，其中在一個(gè)水平周期的部分期間，第一薄膜晶體管向第一像素電極施加第一數(shù)據(jù)信號(hào)，在該水平周期的剩余部分期間，第二薄膜晶體管向第二像素電極施加第二數(shù)據(jù)信號(hào)。
全文摘要
液晶顯示(“LCD”)設(shè)備包括第一薄膜晶體管(“TFT”)，該第一薄膜晶體管向第一像素電極施加由第一數(shù)據(jù)線提供的高灰度級(jí)數(shù)據(jù)信號(hào)；第一存儲(chǔ)電容器，其上電極通過第一接觸孔連接到第一像素電極，并直接連接到第一TFT，存儲(chǔ)高灰度級(jí)數(shù)據(jù)信號(hào)；第二TFT，通過第二接觸孔向第二像素電極施加由第二數(shù)據(jù)線提供的低灰度級(jí)數(shù)據(jù)信號(hào)；第二存儲(chǔ)電容器，其上電極通過第三接觸孔連接到第二像素電極，并存儲(chǔ)該低灰度級(jí)數(shù)據(jù)信號(hào)。
文檔編號(hào)G02F1/1362GK101201522SQ200710306849
公開日2008年6月18日申請(qǐng)日期2007年10月30日優(yōu)先權(quán)日2006年10月30日
發(fā)明者田尚益, 金東奎申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社

完整全部詳細(xì)技術(shù)資料下載