專利名稱：像素結(jié)構(gòu)與液晶顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示面板，且特別涉及一種有源元件陣列基板。
技術(shù)背景目前市場(chǎng)對(duì)于薄膜晶體管液晶顯示器(thin film transistor liquid crystal display, TFT-LCD)的性能要求是朝向高對(duì)比(high contrast ratio)、無(wú)灰階 反轉(zhuǎn)(no gray scale inversion)、色偏小(little color shift)、亮度高(high luminance)、高色彩豐富度、高色飽和度、快速反應(yīng)與廣視角等方向發(fā)展。 目前能夠達(dá)成廣視角要求的技術(shù)有扭轉(zhuǎn)向列型液晶(TN)加上廣視角膜(wide viewing film)、共平面切換式(in-plane switching, IPS)液晶顯示器、邊際 場(chǎng)切換式(fringe field switching, FFS)液晶顯示器與多域垂直配向式 (multi-domain vertically alignment, MVA)薄膜晶體管液晶顯示器等方式。 以多域垂直配向式液晶顯示器為例，由于形成于彩色濾光基板或薄膜晶體管 陣列基板上的配向凸起物(alignment protrusion)或狹縫(slit)可以使得液 晶分子呈多方向排列，而得到多個(gè)不同配向領(lǐng)域(domains)，因此多域垂直 配向式液晶顯示器能夠達(dá)成廣視角的要求。圖1為所示公知多域垂直配向式液晶顯示器的正規(guī)化穿透率(noraializedtransmittance)與灰階(gray level)的關(guān)系圖。請(qǐng)參考圖1，橫坐標(biāo)為灰階， 而縱坐標(biāo)為正規(guī)化穿透率。由圖1可知，雖然公知多域垂直配向式液晶顯示 器能夠達(dá)成廣視角的要求，然而隨著觀察的視角改變，穿透率對(duì)灰階的曲線 (transmittance-level curve)具有不同的曲率。換而言之，當(dāng)觀察的視角改變 時(shí)，公知多域垂直配向式液晶顯示器所顯示出的亮度會(huì)產(chǎn)生變化，進(jìn)而導(dǎo)致 色偏(color shift)或色飽和度不足(color washout)等問(wèn)題。為了解決色偏的問(wèn)題，已有多種公知技術(shù)相繼被提出，其中一種方法是 在單一像素內(nèi)多形成一個(gè)電容。利用電容耦合的方式使單一像素內(nèi)的不同像 素電極分別產(chǎn)生不同大小的電場(chǎng)，進(jìn)而讓不同像素電極上方的液晶分子有不
同的排列。雖然此種方式可以改善色偏現(xiàn)象，但是為了穩(wěn)定電容耦合所產(chǎn)生 的數(shù)據(jù)電壓，通常會(huì)增加一晶體管配置于電容所對(duì)應(yīng)的像素電極上，但此增 加的晶體管將造成開口率下降的缺點(diǎn)。另一種方法是在各個(gè)像素內(nèi)增加一個(gè)晶體管。也就是說(shuō)，單一像素中會(huì) 有兩個(gè)晶體管。通過(guò)不同的晶體管使得在單一像素中的兩個(gè)像素電極產(chǎn)生不 同的電場(chǎng)，進(jìn)而讓不同像素電極上方的液晶分子有不同的排列，以達(dá)到改善 色偏的目的。然而，由于此種作法需要在單一像素內(nèi)形成兩個(gè)晶體管，因此 也將造成開口率的損失。將上述技術(shù)應(yīng)用于中小尺寸液晶顯示器上時(shí)，公知技術(shù)雖然可以改善中 小尺寸液晶顯示器的色偏問(wèn)題，但由于公知技術(shù)的像素設(shè)計(jì)損失過(guò)多的開口 率，導(dǎo)致中小尺寸液晶顯示器的色偏問(wèn)題雖然獲得改善，但另一方面卻又衍 生出亮度不足的問(wèn)題。發(fā)明內(nèi)容有鑒于此，本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)以及液晶顯示面板，在維持一定程 度的開口率前提下，改善色偏現(xiàn)象。為具體描述本發(fā)明的內(nèi)容，本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)，此像素結(jié)構(gòu)配置 于一基板上，像素結(jié)構(gòu)與兩條掃描線以及一條數(shù)據(jù)線電性連接。該像素結(jié)構(gòu) 包括反射電極、第一透明電極、第二透明電極與半導(dǎo)體層。第一透明電極與 第一反射電極電性連接，而與第二透明電極電性絕緣。半導(dǎo)體層具有兩個(gè)第 一導(dǎo)電區(qū)、 一第二導(dǎo)電區(qū)以及兩個(gè)第一溝道區(qū)，第一導(dǎo)電區(qū)分別與反射電極 以及第二透明電極電性連接，第二導(dǎo)電區(qū)位于第一導(dǎo)電區(qū)之間并與數(shù)據(jù)線電 性連接，而部分與掃描線重疊的半導(dǎo)體層定義為第一溝道區(qū)，且各第一溝道 區(qū)分別連接于第二導(dǎo)電區(qū)與各第一導(dǎo)電區(qū)之間。本發(fā)明又提供一種液晶顯示面板，此液晶顯示面板包括一有源元件陣列 基板、 一對(duì)向基板以及一位于有源元件陣列基板與對(duì)向基板之間的液晶層， 其中有源元件陣列基板包括多條掃描線、多條與掃描線交錯(cuò)配置的數(shù)據(jù)線以 及多個(gè)像素，各像素分別與對(duì)應(yīng)的兩個(gè)掃描線以及對(duì)應(yīng)的一數(shù)據(jù)線電性連 接，且各像素包括反射電極、第一透明電極、第二透明電極與半導(dǎo)體層。第 一透明電極與第一反射電極電性連接，而與第二透明電極電性絕緣。半導(dǎo)體
層具有兩個(gè)第一導(dǎo)電區(qū)、 一第二導(dǎo)電區(qū)以及兩個(gè)第一溝道區(qū)，第一導(dǎo)電區(qū)分 別與反射電極以及第二透明電極電性連接，第二導(dǎo)電區(qū)位于第一導(dǎo)電區(qū)之間 并與數(shù)據(jù)線電性連接，而部分與掃描線重疊的半導(dǎo)體層定義為第一溝道區(qū)， 且各第一溝道區(qū)分別連接于第二導(dǎo)電區(qū)與各第一導(dǎo)電區(qū)之間。其中有源元件 陣列基板與對(duì)向基板之間具有一對(duì)應(yīng)于第一透明電極的第一顯示區(qū)、 一對(duì)應(yīng) 于第二透明電極的第二顯示區(qū)以及一對(duì)應(yīng)于反射電極的反射顯示區(qū)，且被同 一數(shù)據(jù)電壓驅(qū)動(dòng)的第一顯示區(qū)與第二顯示區(qū)呈現(xiàn)不同亮度。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，各掃描線還包括一延伸部，且部分與延伸部重 疊的半導(dǎo)體層定義為兩個(gè)第二溝道區(qū)。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，像素結(jié)構(gòu)還包括一介電層配置于第二導(dǎo)電區(qū)與 數(shù)據(jù)線之間，其中介電層具有一開口，且第二導(dǎo)電區(qū)通過(guò)開口與數(shù)據(jù)線電性 連接。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，像素結(jié)構(gòu)還包括一絕緣層，配置于半導(dǎo)體層與 反射電極以及半導(dǎo)體層與第二透明電極之間，其中絕緣層具有兩個(gè)開口，第 一導(dǎo)電區(qū)通過(guò)兩個(gè)開口分別與反射電極以及第二透明電極電性連接。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，半導(dǎo)體層的材料包括多晶硅或非晶硅。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，像素的第二導(dǎo)電區(qū)、第一溝道區(qū)以及與反射電 極連接的第一導(dǎo)電區(qū)配置于反射電極的下方。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，像素結(jié)構(gòu)還包括一共享配線配置于反射電極下方。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，像素結(jié)構(gòu)還包括一透明電容電極與共享配線電 性連接，且透明電容電極配置于反射電極、第一透明電極以及第二透明電極 下方。在另一實(shí)施例中，像素結(jié)構(gòu)還包括一透明電容電極，與共享配線電性 連接，透明電容電極配置于反射電極、第一透明電極以及第二透明電極之間的間隙(mainslit)下方，以在透明電容電極與反射電極之間、透明電容電極與 第一透明電極之間以及透明電容電極與第二透明電極之間構(gòu)成儲(chǔ)存電容。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第一透明電極與第二透明電極的面積比值介于 3/7到7/3之間。在其它實(shí)施例中，第一透明電極的面積與第二透明電極的面 積實(shí)質(zhì)上相等。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，第一透明電極沿?cái)?shù)據(jù)線方向位于反射電極與第
二透明電極之間。在其它實(shí)施例中，反射電極沿?cái)?shù)據(jù)線方向位于第一透明電 極與第二透明電極之間。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，反射電極與第二透明電極分別接收一第一信號(hào) 與一第二信號(hào)，其中第一信號(hào)與第二信號(hào)不相同。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，位于同一行像素中的第一透明電極在行方向上 彼此對(duì)齊。在其它實(shí)施例中，位于同一行的像素中，與偶數(shù)條數(shù)據(jù)線連接的 部分第一透明電極在行方向上彼此對(duì)齊，且與奇數(shù)條數(shù)據(jù)線連接的部分第一 透明電極在行方向上彼此對(duì)齊。在本發(fā)明的一實(shí)施例中，像素以多種亮暗分布模式呈現(xiàn)，像素所呈現(xiàn)的 亮暗分布模式在行方向與列方向都以周期性亮暗分布模式呈現(xiàn)。綜上所述，本發(fā)明利用半導(dǎo)體層的單一第二導(dǎo)電區(qū)與數(shù)據(jù)線電性連接， 并通過(guò)不同的溝道區(qū)將數(shù)據(jù)線傳輸?shù)耐恍盘?hào)分別輸入第一透明電極以及 第二透明電極，使得各像素中的不同的透明電極產(chǎn)生不同大小的電場(chǎng)，以改 善色偏問(wèn)題。同時(shí)，在本發(fā)明的一實(shí)施例中，采用透明電容電極構(gòu)成儲(chǔ)存電 容， 一方面使顯示質(zhì)量更為穩(wěn)定， 一方面可以大幅減少開口率的損失。再者， 本發(fā)明的半導(dǎo)體層僅具有單一第二導(dǎo)電區(qū)，且半導(dǎo)體層的大部分區(qū)域是位于 反射電極下方，因此相比于公知技術(shù)，本發(fā)明可以維持較高的開口率。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉優(yōu)選實(shí)施例，并 配合所附附圖，作詳細(xì)說(shuō)明如下。


圖1為公知多域垂直配向式液晶顯示器的正規(guī)化穿透率與灰階的關(guān)系圖。圖2為本發(fā)明的一種有源元件陣列基板的示意圖。圖3為圖2中沿剖面線A-A'的剖面圖。圖4A為本發(fā)明的一種有源元件陣列基板中的像素示意圖。圖4B為本發(fā)明的一種有源元件陣列基板中的像素示意圖。圖4C為本發(fā)明的一種有源元件陣列基板中的像素示意圖。圖5A為本發(fā)明的一種有源元件陣列基板的像素排列示意圖。圖5B為本發(fā)明另一種有源元件陣列基板的像素排列示意圖。
圖6A為本發(fā)明的一種液晶顯示面板示意圖。 圖6B為本發(fā)明另一種液晶顯示面板的顯示狀態(tài)示意圖。 圖6C為本發(fā)明又一種液晶顯示面板的顯示狀態(tài)示意圖。 其中，附圖標(biāo)記說(shuō)明如下200:有源元件陣列基板210:掃描線210E:延伸部220:數(shù)據(jù)線230:像素250:半導(dǎo)體層260:共享配線280:絕緣層R:反射電極Tl:第一透明電極T2:第二透明電極El:第一導(dǎo)電區(qū)E2:第二導(dǎo)電區(qū)Cl:第一溝道區(qū)H、 Hl、 H2、 H3、 H4:開口C2:第二溝道區(qū) V:信號(hào) VI:第一信號(hào) V2:第二信號(hào)300、 400、 500:液晶顯示面板 A1:第一顯示區(qū) A2:第二顯示區(qū) AR:反射顯示區(qū)Ml:第一種亮暗分布模式 M2:第二種亮暗分布模式具體實(shí)施方式
圖2為本發(fā)明的一種有源元件陣列基板的示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D2，有源元 件陣列基板200包括多條掃描線210、多條數(shù)據(jù)線220以及多個(gè)像素230。 在圖2中僅示出有源元件陣列基板200中數(shù)個(gè)像素230作說(shuō)明。各像素230 分別與對(duì)應(yīng)的兩條掃描線210以及對(duì)應(yīng)的一條數(shù)據(jù)線220電性連接，且各像 素230包括反射電極R、第一透明電極Tl 、第二透明電極T2與半導(dǎo)體層250。 第一透明電極T1與第一反射電極R電性連接，而與第二透明電極T2電性絕 緣。請(qǐng)繼續(xù)參考圖2，半導(dǎo)體層250具有兩個(gè)第一導(dǎo)電區(qū)E1、 一第二導(dǎo)電區(qū) E2以及兩個(gè)第一溝道區(qū)Cl，第一導(dǎo)電區(qū)El分別與反射電極R以及第二透 明電極T2電性連接，第二導(dǎo)電區(qū)E2位于第一導(dǎo)電區(qū)E1之間并與數(shù)據(jù)線220 電性連接，而部分與掃描線210重疊的半導(dǎo)體層250定義為第一溝道區(qū)Cl ， 且各第一溝道區(qū)Cl分別連接于第二導(dǎo)電區(qū)E2與各第一導(dǎo)電區(qū)El之間。綜上所述，有源元件陣列基板200還包括一介電層(未示出)配置于各 第二導(dǎo)電區(qū)E2與各數(shù)據(jù)線220之間，其中介電層(未示出)具有多個(gè)開口 H，如圖2所示，第二導(dǎo)電區(qū)E2通過(guò)單一個(gè)開口 Hl與數(shù)據(jù)線220電性連接。 此外，半導(dǎo)體層250的材料例如是多晶硅或非晶硅，在本實(shí)施例中以多晶硅 為實(shí)施范圍。然而，為了進(jìn)一步抑制像素230未被驅(qū)動(dòng)時(shí)漏電流的產(chǎn)生，如 圖2所示，各掃描線210還包括多個(gè)延伸部210E，且部分與延伸部210E重 疊的半導(dǎo)體層250定義為多個(gè)第二溝道區(qū)C2。當(dāng)像素230被驅(qū)動(dòng)時(shí)，通過(guò)數(shù)據(jù)線220傳輸?shù)男盘?hào)V通過(guò)單一個(gè)開口 Hl輸入半導(dǎo)體層250的第二導(dǎo)電區(qū)E2，并往兩側(cè)被開啟的第一溝道區(qū)Cl 與第二溝道區(qū)C2傳遞，信號(hào)V分別通過(guò)不同途徑的第一溝道區(qū)Cl與第二 溝道區(qū)C2而產(chǎn)生不同的第一信號(hào)VI與第二信號(hào)V2，令往反射電極R方向 傳遞的信號(hào)為第一信號(hào)VI，往第二透明電極T2方向傳遞的信號(hào)為第二信號(hào) V2。因此，當(dāng)像素230被驅(qū)動(dòng)時(shí)，反射電極R與第二透明電極T2通過(guò)不同 的第一導(dǎo)電區(qū)El分別接收第一信號(hào)VI與第二信號(hào)V2，使得像素230的反 射電極R以及一與第一反射電極R電性連接的第一透明電極Tl具有第一信 號(hào)V1，而第二透明電極T2具有第二信號(hào)V2。值得注意的是，不同于公知技術(shù)在單一像素230中使用兩個(gè)晶體管，本
發(fā)明利用單一開口 Hl，使數(shù)據(jù)線220傳輸?shù)男盘?hào)V分別通過(guò)不同途徑的半 導(dǎo)體層250，進(jìn)而讓第一透明電極T1以及第二透明電極T2分別接收不同的 第一信號(hào)VI與第二信號(hào)V2，以達(dá)到改善色偏的目的。換句話說(shuō)，本發(fā)明在 各像素230中，相比于公知的兩個(gè)晶體管的結(jié)構(gòu)能維持較高的開口率。此外， 在本實(shí)施例中，各像素230中的半導(dǎo)體層250的大部分區(qū)域是位于反射電極 R的下方，如圖2所示，各像素230的第二導(dǎo)電區(qū)E2、第一溝道區(qū)C1、第 二溝道區(qū)C2以及與反射電極R連接的第一導(dǎo)電區(qū)El都配置于反射電極R 的下方，因此更能大幅提升開口率。此外，有源元件陣列基板200還包括一絕緣層280 (所示于圖3)，配 置于半導(dǎo)體層250與反射電極R以及半導(dǎo)體層250與第二透明電極T2之間， 其中絕緣層280具有至少一開口H，在圖2中，第一導(dǎo)電區(qū)E1通過(guò)開口H2 與反射電極R電性連接，另一第一導(dǎo)電區(qū)El通過(guò)開口 H3與第二透明電極 T2電性連接。圖3為圖2中沿剖面線A-A'的剖面圖。請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D2與圖3，有源元 件陣列基板200還包括一共享配線260配置于反射電極R下方。具體地是， 有源元件陣列基板200還包括一透明電容電極270與共享配線260電性連接， 且在各像素230中，透明電容電極270配置于反射電極R、第一透明電極T1 以及第二透明電極T2下方。在本實(shí)施例中，絕緣層280還包括另一開口 H4， 透明電容電極270是通過(guò)開口 H4與共享配線260電性連接。如此，透明電 容電極270與反射電極R之間、透明電容電極270與第一透明電極Tl之間 以及透明電容電極270與第二透明電極T2之間即構(gòu)成儲(chǔ)存電容，此設(shè)計(jì)能 夠使得像素230在保有一定程度開口率的情況下，同時(shí)提升顯示質(zhì)量的穩(wěn)定 性。當(dāng)然，設(shè)計(jì)者可依像素230的設(shè)計(jì)空間或其它需求調(diào)整透明電容電極270 的形狀、數(shù)量以及配置位置，還或者變動(dòng)透明電容電極270與反射電極R的 連接方式，舉例而言，透明電容電極270也可以只配置于反射電極R與第二 透明電極T2下方，或者只配置于第一透明電極Tl與第二透明電極T2下方。為了使顯示質(zhì)量進(jìn)一步獲得提升，設(shè)計(jì)者可依色偏調(diào)整需求調(diào)整第一透 明電極T1與第二透明電極T2的形狀、配置位置以及二者的面積比值。舉例 而言，在本實(shí)施例中，各像素230的反射電極R位于第一透明電極T1與第 二透明電極T2之間。在其它實(shí)施例中，各像素230的第一透明電極Tl位于
反射電極R與第二透明電極T2之間，如圖4A所示。此外，各像素230的 第一透明電極T1的面積與第二透明電極T2的面積也可以視設(shè)計(jì)需求調(diào)整。 例如，在圖4A中，第一透明電極T1的面積與第二透明電極T2的面積可以 實(shí)質(zhì)上相等。在圖4B中，第一透明電極T1與第二透明電極T2的面積比值 大體為3/7，而在圖4C中，第一透明電極Tl與第二透明電極T2的面積比 值大體為7/3。當(dāng)然，二者的面積比值也可以是介于3/7到7/3之間。圖5A為本發(fā)明的一種有源元件陣列基板的像素排列示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D 5A，位于同一行像素230中的第一透明電極T1在行方向上彼此對(duì)齊。圖5B 為本發(fā)明另一種有源元件陣列基板的像素排列示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D5B，位于 同一行的像素230中，與偶數(shù)條數(shù)據(jù)線220連接的部分第一透明電極Tl在 行方向上彼此對(duì)齊，且與奇數(shù)條數(shù)據(jù)線220連接的部分第一透明電極Tl在 行方向上彼此對(duì)齊。圖6A為本發(fā)明的一種液晶顯示面板示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D6A，此液晶顯示 面板300包括一上述的有源元件陣列基板200、 一對(duì)向基板(未示出)以及 一位于有源元件陣列基板200與向基板之間液晶層(未示出)，其中液晶顯 示面板300具有一對(duì)應(yīng)于第一透明電極T1的第一顯示區(qū)—對(duì)應(yīng)于第二 透明電極T2的第二顯示區(qū)A2以及一對(duì)應(yīng)于反射電極R的反射顯示區(qū)AR， 且各像素230被同一數(shù)據(jù)電壓驅(qū)動(dòng)時(shí)，第一顯示區(qū)A,與第二顯示區(qū)八2呈現(xiàn) 不同亮度。值得注意的是，本發(fā)明的液晶顯示面板300中的像素230適于呈現(xiàn)多種 亮暗分布模式，且像素230所呈現(xiàn)的亮暗分布模式在行方向上呈現(xiàn)周期性的 變化。在此特別說(shuō)明的是，亮暗分布模式是指像素230中的第一顯示區(qū)A, 與第二顯示區(qū)A2所呈現(xiàn)的亮暗分布情況，而第一顯示區(qū)^與第二顯示區(qū)A2 的面積比例并不影響亮暗分布模式的判斷。舉例而言，令第一種亮暗分布模 式Ml為像素230中的第一顯示區(qū)A!所呈現(xiàn)的亮度低于第二顯示區(qū)八2所呈 現(xiàn)的亮度，而第二種亮暗分布模式M2為像素230中的第一顯示區(qū)A,所呈現(xiàn) 的亮度高于第二顯示區(qū)A2所呈現(xiàn)的亮度，但并不限定反射顯示區(qū)Ar的配置 位置。在本實(shí)施例中，第一顯示區(qū)A!位于第二顯示區(qū)A2與反射顯示區(qū)AR 之間。如圖6A所示，在各像素230中，暗顯示區(qū)D位于亮顯示區(qū)B與反射 顯示區(qū)Ar之向，因此，液晶顯示面板300以一種亮暗分布模式M1為單位U
在行方向上呈現(xiàn)周期性的變化。當(dāng)然，液晶顯、示面板300也可以是以相同的亮暗分布模式為單位u，在列方向呈現(xiàn)周期性的變化。圖6B為本發(fā)明另一種液晶顯示面板的顯示狀態(tài)示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D6B， 像素230的第二種亮暗分布模式M2中，第一顯示區(qū)A,位于第二顯示區(qū)A2 與反射顯示區(qū)AR之間。換而言之，本實(shí)施例的第二種亮暗分布模式M2為 亮顯示區(qū)B位于暗顯示區(qū)D與反射顯示區(qū)Ak的間。因此，在液晶顯示面板 400中的第一行的像素230中，由左至右依序是以第二種亮暗分布模式M2、 第一種亮暗分布模式M1作周期性排列。換句話說(shuō)，在本實(shí)施例中，液晶顯 示面板400是以兩個(gè)像素230的第二種亮暗分布模式M2與第一種亮暗分布 模式M1為一單位U，在行方向呈現(xiàn)周期性的變化。另外，本發(fā)明并不限定 像素230中第一顯示區(qū)A與第二顯示區(qū)八2的面積比例與形狀以及反射顯示 區(qū)Aa的配置位置。當(dāng)然，液晶顯示面板400也可以是以相同的亮暗分布模 式為單位U，在列方向呈現(xiàn)周期性的變化。圖6C為本發(fā)明再一種液晶顯示面板的顯示狀態(tài)示意圖。請(qǐng)參照?qǐng)D6C， 像素230中的第二種亮暗分布模式M2'為反射顯示區(qū)A"立于第二顯示區(qū)A2 與第一顯示區(qū)A之間。換而言之，本實(shí)施例的第二種亮暗分布模式M2，為反 射顯示區(qū)AR位于暗顯示區(qū)D與亮顯示區(qū)B之間。因此，在液晶顯示面板500 中的第一行的像素230中，由左至右依序是以第一種亮暗分布模式M1、第 二種亮暗分布模式M2'作周期性排列。換而言之，在本實(shí)施例中，液晶顯示 面板500是以兩個(gè)像素230的第一種亮暗分布模式Ml與第二種亮暗分布模 式M2，為一單位U，在行方向呈現(xiàn)周期性的變化。另外，本發(fā)明并不限定像 素230中第一顯示區(qū)^與第二顯示區(qū)A2的面積比例與形狀以及反射顯示區(qū) 的配置位置。當(dāng)然，液晶顯示面板500也可以是以相同的亮暗分布模式為單 位U，在列方向呈現(xiàn)周期性的變化。這里要說(shuō)明的是，本發(fā)明的液晶顯示面 板中的像素適于呈現(xiàn)多種亮暗分布模式，本文僅以上述三種液晶顯示面板的 亮暗分布模式為例作說(shuō)明，但并不以此為限。綜上所述，本發(fā)明通過(guò)半導(dǎo)體層的單一第二導(dǎo)電區(qū)的設(shè)計(jì)，使得各像素 中的不同的透明電極分別產(chǎn)生不同的電場(chǎng)，以改善色偏問(wèn)題。再者，本發(fā)明 中的半導(dǎo)體層大體布局于反射電極下方，因此相比于公知技術(shù)，本發(fā)明可以 維持較高的開口率。同時(shí)，本發(fā)明可以利用透明電容電極來(lái)提升顯示質(zhì)量。
雖然本發(fā)明已以優(yōu)選實(shí)施例揭示如上，然而其并非用以限定本發(fā)明，任 何所屬技術(shù)領(lǐng)域中具有普通技術(shù)知識(shí)的人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍 內(nèi)，當(dāng)可作些許的變動(dòng)與潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視后附的權(quán)利要求 書為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種像素結(jié)構(gòu)，配置于一基板上，該像素結(jié)構(gòu)與兩條掃描線以及一條數(shù)據(jù)線電性連接，該像素結(jié)構(gòu)包括一反射電極；一第一透明電極，其與該第一反射電極電性連接；一第二透明電極，與該第一透明電極電性絕緣；一半導(dǎo)體層，具有兩個(gè)第一導(dǎo)電區(qū)、一第二導(dǎo)電區(qū)以及兩個(gè)第一溝道區(qū)，其中所述第一導(dǎo)電區(qū)分別與該反射電極以及該第二透明電極電性連接，該第二導(dǎo)電區(qū)位于所述第一導(dǎo)電區(qū)之間并與該數(shù)據(jù)線電性連接，而部分與所述掃描線重疊的該半導(dǎo)體層定義為所述第一溝道區(qū)，且所述第一溝道區(qū)分別連接于該第二導(dǎo)電區(qū)與所述第一導(dǎo)電區(qū)之間。
2. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征是各所述掃描線還包括一延伸 部，且部分與所述延伸部重疊的該半導(dǎo)體層定義為兩個(gè)第二溝道區(qū)。
3. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，還包括一介電層，配置于該第二導(dǎo)電 區(qū)與該數(shù)據(jù)線之間，其中該介電層具有一開口，該第二導(dǎo)電區(qū)通過(guò)該開口與 該數(shù)據(jù)線電性連接。
4. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，還包括一絕緣層，配置于該半導(dǎo)體層 與該反射電極以及該半導(dǎo)體層與該第二透明電極之間，其中該絕緣層具有兩 個(gè)開口 ，所述第一導(dǎo)電區(qū)通過(guò)該兩個(gè)開口分別與該反射電極以及該第二透明 電極電性連接。
5. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征是該半導(dǎo)體層的材料包括多晶 硅或非晶硅。
6. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征是該第二導(dǎo)電區(qū)、所述第一溝 道區(qū)以及與該反射電極連接的該第一導(dǎo)電區(qū)配置于該反射電極的下方。
7. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，還包括一共享配線，配置于該反射電 極下方。
8. 如權(quán)利要求7所述的像素結(jié)構(gòu)，還包括一透明電容電極，與該共享配 線電性連接，且該透明電容電極配置于該反射電極、該第一透明電極以及該 第二透明電極下方。
9. 如權(quán)利要求7所述的像素結(jié)構(gòu)，還包括一透明電容電極，與該共享配線電性連接，該透明電容電極配置于該反射電極、該第一透明電極以及該第 二透明電極之間的間隙下方，由此在該透明電容電極與該反射電極之間、該 透明電容電極與該第一透明電極之間以及該透明電容電極與該第二透明電 極之間構(gòu)成儲(chǔ)存電容。
10. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征是該第一透明電極與該第二透明電極的面積比值介于3/7到7/3之間。
11. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征是該第一透明電極的面積與該 第二透明電極的面積實(shí)質(zhì)上相等。
12. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征是該第一透明電極沿該數(shù)據(jù)線 方向位于該反射電極與該第二透明電極之間。
13. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征是該反射電極沿該數(shù)據(jù)線方向 位于該第一透明電極與該第二透明電極之間。
14. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其特征是該反射電極與該第二透明電 極分別接收一第一信號(hào)與一第二信號(hào)，其中該第一信號(hào)與該第二信號(hào)不相 同。
15. —種液晶顯示面板，包括一有源元件陣列基板，包括 多條掃描線；多條數(shù)據(jù)線，與所述掃描線交錯(cuò)配置；以及多個(gè)像素，其中各所述像素分別與所述掃描線中兩條對(duì)應(yīng)的掃描線以及 所述數(shù)據(jù)線中一條對(duì)應(yīng)的數(shù)據(jù)線電性連接，且各所述像素包括一反射電極；一第一透明電極，其與該第一反射電極電性連接； 一第二透明電極，其與該第一透明電極電性絕緣；以及 一半導(dǎo)體層，具有兩個(gè)第一導(dǎo)電區(qū)、 一第二導(dǎo)電區(qū)以及兩個(gè)第一溝道區(qū)， 其中所述第一導(dǎo)電區(qū)分別與該反射電極以及該第二透明電極電性連接，該第 二導(dǎo)電區(qū)位于所述第一導(dǎo)電區(qū)之間并與該數(shù)據(jù)線電性連接，而部分與該兩條 對(duì)應(yīng)的掃描線重疊的該半導(dǎo)體層定義為所述第一溝道區(qū)，且所述第一溝道區(qū) 分別連接于該第二導(dǎo)電區(qū)與所述第一導(dǎo)電區(qū)之間； 一對(duì)向基板；以及 一液晶層，位于該有源元件陣列基板與該對(duì)向基板之間，其中該有源元 件陣列基板與該對(duì)向基板之間具有一對(duì)應(yīng)于該第一透明電極的第一顯示區(qū)、 一對(duì)應(yīng)于該第二透明電極的第二顯示區(qū)以及一對(duì)應(yīng)于該反射電極的反射顯 示區(qū)，且被同一數(shù)據(jù)電壓驅(qū)動(dòng)的該第一顯示區(qū)與該第二顯示區(qū)呈現(xiàn)不同亮 度。
16. 如權(quán)利要求15所述的液晶顯示面板，其特征是所述像素以多種亮暗 分布模式呈現(xiàn)，所述像素所呈現(xiàn)的亮暗分布模式在行方向與列方向都以周期 性亮暗分布模式呈現(xiàn)。
17. 如權(quán)利要求15所述的液晶顯示面板，其特征是在同一行的所述像素， 所述第一透明電極在行方向上彼此對(duì)齊。
18. 如權(quán)利要求15所述的液晶顯示面板，其特征是在同一行的所述像素 中，與所述偶數(shù)條數(shù)據(jù)線電性連接的部分所述第一透明電極在行方向上彼此 對(duì)齊，且與所述奇數(shù)條數(shù)據(jù)線電性連接的部分所述第一透明電極在行方向上 彼此對(duì)齊。
全文摘要
本發(fā)明提供一種像素結(jié)構(gòu)與液晶顯示面板，該像素結(jié)構(gòu)配置于一基板上，該像素結(jié)構(gòu)與兩條掃描線以及一條數(shù)據(jù)線電性連接，所述像素結(jié)構(gòu)包括反射電極、第一透明電極、第二透明電極與半導(dǎo)體層。第一透明電極與第一反射電極電性連接，而與第二透明電極電性絕緣。半導(dǎo)體層具有兩個(gè)第一導(dǎo)電區(qū)、一第二導(dǎo)電區(qū)以及兩個(gè)第一溝道區(qū)，第一導(dǎo)電區(qū)分別與反射電極以及第二透明電極電性連接，第二導(dǎo)電區(qū)位于第一導(dǎo)電區(qū)之間并與數(shù)據(jù)線電性連接，而部分與掃描線重疊的半導(dǎo)體層定義為第一溝道區(qū)，且各第一溝道區(qū)分別連接于第二導(dǎo)電區(qū)與各第一導(dǎo)電區(qū)之間。
文檔編號(hào)G02F1/13GK101127361SQ20071016122
公開日2008年2月20日 申請(qǐng)日期2007年9月25日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月25日
發(fā)明者程琮欽, 胡至仁, 蔡孟璋 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司