專(zhuān)利名稱(chēng)：液晶顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示器(LCD)。
技術(shù)背景液晶顯示器(LCD),常用的平板顯示器之一，包括在其上分別形成有 場(chǎng)發(fā)生電極例如像素電極和公共電極的兩顯示面板、以及置于其間的液晶 層。在LCD中，電壓施加到場(chǎng)發(fā)生電極以在液晶層中產(chǎn)生電場(chǎng)，從而確定 液晶層的液晶分子的排列且控制入射光的偏振，由此產(chǎn)生圖像顯示。關(guān)于LCD,已經(jīng)發(fā)展了垂直排列模式LCD，其中當(dāng)沒(méi)有電場(chǎng)施加到其 上時(shí)液晶分子排列得使其長(zhǎng)軸垂直于顯示面板，垂直排列模式LCD具有較 高的對(duì)比度和寬的參考視角。在垂直排列模式的LCD中，為了實(shí)現(xiàn)寬的參考視角， 一種在場(chǎng)發(fā)生電 極上形成切口 (cut-out)部分的方法和一種在場(chǎng)發(fā)生電極上形成凸起的方法 已被采用。由于切口部分和凸起控制液晶分子的傾斜方向，所以通過(guò)適當(dāng)設(shè) 置切口部分和凸起，液晶分子的傾斜方向可以沿?cái)?shù)個(gè)方向形成，從而加寬參 考視角。然而，位于角落或連接部分的液晶不受上和下切口部分形成的彌散場(chǎng) (fringe field )的影響。因而，當(dāng)LCD被驅(qū)動(dòng)時(shí)，位于角落或連接部分的液 晶會(huì)以4壬意方向(arbitrary direction)排列。當(dāng)液晶以任意方向排列時(shí)，由于在顯示器的任意部分發(fā)生的液晶之間的 碰撞，會(huì)產(chǎn)生瞬時(shí)余像(residual image )。因此，需要最小化不受彌散場(chǎng)影響的液晶分子的量，從而最小化液晶碰 撞導(dǎo)致的余^4史目，同時(shí)增大LCD的開(kāi)口率(aperture ratio )。發(fā)明內(nèi)容根據(jù)本發(fā)明一示例性實(shí)施例， 一種液晶顯示器(LCD)包括第一基板、 以及形成在該第一基板上且包括第一亞像素(sub-pixel)電極和第二亞像素
電極的像素電極，其中該第一亞像素電極和第二亞像素電極通過(guò)連接部分彼此連接且該連接部分的長(zhǎng)度大于或等于約lOjam。該連4妄部分的長(zhǎng)度可在約20)Lim到約28pm的范圍。該連接部分的寬度可小于或等于約l(Him。該連接部分的寬度可在約6]Lim到約7|am的范圍內(nèi)。該LCD還可包括形成在該第一亞像素電極和第二亞像素電極之間的存 儲(chǔ)電極。該LCD還可包括柵極線，具有源電極且交叉該柵極線的數(shù)據(jù)線、以及面對(duì)該源電極的漏電極。該漏電極和存儲(chǔ)電極彼此交迭。該像素電極和該漏電極可在該存儲(chǔ)電極和該漏電極交迭的部分處連接。 分支部分可以從該連接部分延伸，該像素電極和該漏電極可在該像素電極和該漏電極交迭該分支部分的部分處連接。該第 一亞像素電極和該第二亞像素電極每個(gè)可具有圓角。該LCD還可包括面對(duì)該第一基板的第二基板，公共電極形成在該第二基板上，多個(gè)傾斜控制部分可形成在公共電極上，其中傾斜控制部分面對(duì)該第 一亞像素電極或該第二亞像素電極的中心。 該傾斜控制部分可以是圓形切口部分。該LCD還可包括形成在該第二基板上從而其與該柵極線交迭的光阻擋 構(gòu)件。該第 一亞像素電極的面積和該第二亞象素電極的面積可基本相同。


通過(guò)參照附圖詳細(xì)描述其示例性實(shí)施例，本發(fā)明將變得更明顯，附圖中圖1是根據(jù)本發(fā)明一示例性實(shí)施例的液晶顯示器(LCD)的布局圖；圖2是圖1中LCD的薄膜晶體管(TFT)陣列面板的布局圖；圖3是圖1中LCD的公共電極面板的布局圖；圖4至圖6分別是沿圖1的IV-IV、 V-V和VI-VI線取得的剖對(duì)見(jiàn)圖。
具體實(shí)施方式
現(xiàn)在將參照附圖在下文中更全面地描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例。然而， 本發(fā)明可以以許多不同形式實(shí)現(xiàn)且不應(yīng)理解為局限于這里提出的實(shí)施例。
在圖中，為了清楚起見(jiàn)，層、膜、面板和區(qū)域的厚度可被夸大。在整個(gè) 說(shuō)明書(shū)中相似的附圖標(biāo)記可表示相似的元件。將理解，當(dāng)例如層、膜、區(qū)域 或基板的元件被稱(chēng)為在另一元件"上"時(shí)，它可以直接在另一元件上，或者 可存在居間元件。參照?qǐng)D1至圖6，將詳細(xì)描述^f艮據(jù)本發(fā)明一示例性實(shí)施例的液晶顯示器(LCD)。圖1是根據(jù)本發(fā)明一示例性實(shí)施例的LCD的布局圖，圖2是圖1中LCD 的薄膜晶體管(TFT)陣列面板的布局圖，圖3是圖1中LCD的公共電極面 板的布局圖，圖4至6分別是沿圖1的IV-IV、 V-V和VI-VI線取得的剖視圖。參照?qǐng)D1至6， LCD包括彼此面對(duì)的下面板100和上面板200、以及置 于下面板100和上面板200之間的液晶層3。 首先將描述下面板100。參照?qǐng)D1、 2、 4、 5和6，多條柵極線121和多條存儲(chǔ)電極線131形成在 由例如透明玻璃或塑料制成的絕緣基板110上。柵極線121傳送柵極信號(hào)，主要沿第一方向延伸，例如圖l所示的水平 方向。柵極線包括從柵極線凸出的多個(gè)柵電極124,例如沿圖1所示的向上 方向。柵極線還包括相對(duì)于柵極線121具有增大的尺寸的末端部分129,用 于與例如不同層或外部驅(qū)動(dòng)電路連接。用于產(chǎn)生柵極信號(hào)的柵極驅(qū)動(dòng)電路 (未示出)可安裝在附著于基板110上的柔性印刷電路膜(未示出)上，直 接安裝在基板110上，或者與基板110集成。當(dāng)柵極驅(qū)動(dòng)電路與基板110集 成時(shí)，柵極線121可延長(zhǎng)得直接連接到柵極驅(qū)動(dòng)電路。存儲(chǔ)電極線131接收某電壓，且與柵極線121基本平行地延伸。存儲(chǔ)電 極線131位于兩相鄰柵極線121之間，且可以與該兩相鄰柵極線等距。存儲(chǔ) 電極線131包括沿例如向上和向下方向從存儲(chǔ)電極線延伸的存儲(chǔ)電極137， 從而存儲(chǔ)電極相對(duì)于存儲(chǔ)電極線131具有增大的寬度。存儲(chǔ)電極線可修改為 具有各種形狀和布置。柵極線121和存儲(chǔ)電極線131可包括例如諸如鋁(Al)或鋁合金的鋁基 金屬、諸如銀(Ag)或銀合金的銀基金屬、諸如銅(Cu)或銅合金的銅基 金屬、諸如鉬(Mo )或鉬合金的鉬基金屬、鉻(Cr )、鉭(Ta)和/或鈦(Ti )。 另外，柵極線121和存儲(chǔ)電極線131可具有多層結(jié)構(gòu)，包括兩導(dǎo)電層(未示 出)，每個(gè)具有不同物理屬性。
導(dǎo)電層之一可由低電阻率金屬制成，例如鋁基金屬、銀基金屬、或銅基 金屬，以減小信號(hào)延遲或電壓降。另一導(dǎo)電層可由具有與不同材料例如ITO(銦錫氧化物)和IZO (銦鋅氧化物)良好的物理、化學(xué)和電接觸特性的材料制成，例如鉬基金屬、鉻、鉭或鈦。這樣的組合的例子可包括下鉻層和上 鋁(合金)層的組合、以及下鋁(合金)層和上鉬(合金)層的組合。此外，柵極線121和存儲(chǔ)電極線131可由各種其它金屬或?qū)w制成。柵極線121和存儲(chǔ)電極線131的橫向側(cè)面相對(duì)于基板110的表面傾斜， 傾斜角例如在約30。到約80。的范圍。由例如氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)制成的柵極絕緣層140形成在 片冊(cè)才及線121和存4*電才及線131上。由例如氫化非晶硅(a-Si)或多晶硅制成的多個(gè)半導(dǎo)體條151形成在柵 極絕緣層140上。半導(dǎo)體條151主要沿垂直于柵極線121的方向延伸，例如 圖l和2所示的垂直方向，且包括朝向柵電極124延伸的多個(gè)凸起154。多個(gè)歐姆接觸條161和多個(gè)歐姆接觸島165形成在半導(dǎo)體條151上。歐 姆接觸島165可由例如其中高密度摻雜諸如磷的n型雜質(zhì)的n+氫化非晶硅 形成，或者由硅化物形成。歐姆接觸條161包括多個(gè)凸起163，且凸起163 和歐姆接觸島165彼此相對(duì)地(across from each other)設(shè)置在半導(dǎo)體條151 的每個(gè)凸起154上。半導(dǎo)體條151和凸起154的橫向側(cè)面以及凸起163和歐姆接觸島165的 橫向側(cè)面相對(duì)于基板110的表面傾斜，且傾斜角例如在約30°到約80。的范圍。多條數(shù)據(jù)線171和多個(gè)漏電極175形成在凸起163和歐姆接觸島165上。數(shù)據(jù)線171傳送數(shù)據(jù)信號(hào)且垂直于柵極線121例如主要在垂直方向上延 伸從而交叉4冊(cè)極線121，如圖1和2所示。每條數(shù)據(jù)線17包括朝向柵電極 124延伸的多個(gè)源電極173和具有增大的寬度以用于與例如不同層或外部驅(qū) 動(dòng)電路連接的末端部分179。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路(未示出)可安裝在附著于基板 110上的柔性印刷電路膜(未示出)上，直接安裝在基板110上，或者與基 板110集成。當(dāng)數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路與基板110集成時(shí)，數(shù)據(jù)線171可延長(zhǎng)得連接 到數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路。漏電極175與數(shù)據(jù)線171分隔開(kāi)且相關(guān)于中心在源和漏電極之間的柵電 才及124面，十源電才及173。每個(gè)漏電極175包括一桿(bar)型末端部分和一較大末端部分。每個(gè)漏
電極175的較大末端部分交迭存儲(chǔ)電極137,且桿型末端部分被如環(huán)一樣彎 曲的源電極173部分圍繞。薄膜晶體管(TFT)包括柵電極124、源電極173和漏電極175，以及半 導(dǎo)體凸起154。 TFT的溝道形成在源電極173和漏電極175之間在半導(dǎo)體凸 起154處。數(shù)據(jù)線171和漏電極175可由難熔金屬制成，例如鉬、鉻、鉭和/或鈦， 或其合金，且可具有多層結(jié)構(gòu)，包括難熔金屬層(未示出)和低電阻導(dǎo)電層 (未示出)。多層結(jié)構(gòu)的例子包括下鉻或鉬(合金)層和上鋁(合金)層的 雙層，以及下鉬(合金)層、中間鋁(合金)層和上鉬(合金)層的三層。 另外，數(shù)據(jù)線171和漏電極175可由各種其它金屬或?qū)w制成。數(shù)據(jù)線171和漏電極175的橫向側(cè)面也可以以例如約30°至約80°范圍 內(nèi)的傾斜角相對(duì)于基板110的表面傾斜。歐姆接觸凸起163和歐姆接觸烏165存在于下半導(dǎo)體凸起154與上數(shù)據(jù) 線171和漏電極175之間，以降低其間的接觸電阻。包括源電極173和漏電 極175之間的部分的半導(dǎo)體凸起154的某些部分被暴露，不被數(shù)據(jù)線171和 數(shù)據(jù)電極175覆蓋。鈍化層180形成在數(shù)據(jù)線171和漏電極175上，且在半導(dǎo)體凸起154的 暴露部分上。鈍化層180由例如無(wú)機(jī)絕緣體或有機(jī)絕緣體制成，且可具有平坦表面。 有機(jī)絕緣體可以是例如氮化硅或氧化硅。有機(jī)絕緣體可通過(guò)在溶劑中混合 PAC (Photo-Active Compound,光活化化合物)、樹(shù)脂、以及含有緊密接觸 屬性改進(jìn)劑和表面活性劑的添加劑來(lái)形成，且其介電常數(shù)為例如約4.0或更 小。鈍化層180可具有下無(wú)機(jī)層和上有機(jī)層的雙層結(jié)構(gòu)以使得鈍化層180不 損害半導(dǎo)體凸起154的暴露部分，同時(shí)仍然保持有機(jī)層的期望的絕緣特性。鈍化層180包括暴露數(shù)據(jù)線171的末端部分179和漏電極175的多個(gè)接 觸孔182、 185a和185b。鈍化層180和柵極絕緣層140包括暴露柵極線121 的末端部分129的多個(gè)接觸孔181。多個(gè)像素電極191和多個(gè)接觸輔助件81、 82形成在鈍化層180上。像 素電極191和接觸輔助件81 、 82可由透明導(dǎo)電材料例如ITO或IZO制成， 或者由反射金屬例如鋁、銀、鉻、或其合金制成。每個(gè)像素電極191包括第一亞像素電極191a和第二亞像素電極191b。 第一亞像素電才及191a和第二亞像素電極191b彼此相鄰，且第一亞^象素電才及 191 a的面積和第二亞像素電極19lb的面積基本相同。第一亞像素電極191a和第二亞像素電極191b通過(guò)連接部分193連接。 連接部分]93形成得基本平行于數(shù)據(jù)線171，且具有長(zhǎng)度(L)和寬度(W)。 第一亞像素電極191a和第二亞像素電極191b設(shè)置得彼此充分遠(yuǎn)離，連接部 分193的長(zhǎng)度(L )約為10fim或更大，例如在約20pm到約28jim的范圍。 連接部分193的寬度(W)約為10fim或更小，例如在約6fim到約8pm的 范圍。第一亞像素電極191a和第二亞像素電極191b具有四個(gè)主要邊纟彖195a、 195b、 195c和195d，它們基本平行于柵極線121或數(shù)據(jù)線171,其四個(gè)角 196為圓的。分支部分194a和194b形成在每個(gè)連4妻部分193的兩相對(duì)側(cè)。分支部分 194a和194b與存儲(chǔ)電極137和漏電極175的延伸部分177交迭。在分支部分194a和94b處，每個(gè)像素電極191通過(guò)連4妻孔185a和185b 物理和電連接漏電極175,且從漏電極175接收數(shù)據(jù)電壓。被施加數(shù)據(jù)電壓生電場(chǎng)，由此控制下面板100和上面板200之間液晶層3的液晶分子31的 傾斜方向。穿過(guò)液晶層3透射的光的偏振根據(jù)液晶分子31的傾斜方向而不 同。每個(gè)像素電極191和公共電極270形成電容器(下文稱(chēng)為"液晶電容器")， 從而即使TFT截止后也能維持所施加的電壓。像素電極191和連接到其上的漏電極175的末端部分177交迭包括存儲(chǔ) 電極137的存儲(chǔ)電極線131,包括與存儲(chǔ)電極線131交迭的像素電極191和 與像素電極191電連接的漏電極175的電容器被稱(chēng)為存儲(chǔ)電容器，其加強(qiáng)了 液晶電容器的電壓儲(chǔ)存能力。接觸輔助件81和82分別通過(guò)連接孔181和182與柵極線]21的末端部 分129和數(shù)據(jù)線171的末端部分179連接。接觸輔助件81和82補(bǔ)助柵極線 121的末端部分129和數(shù)據(jù)線171的末端部分179與外部器件的粘合，且保 護(hù)末端部分129和179免受損害?，F(xiàn)在進(jìn)一步描述公共電極面板200。參照?qǐng)D1、 3和5，光阻擋構(gòu)件220形成在絕緣基板210上。光阻擋構(gòu)件 220也稱(chēng)作黑矩陣，定義了面對(duì)像素電極191的多個(gè)開(kāi)口區(qū)域且阻止了像素
電極191之間的光泄漏。光阻擋構(gòu)件220大體上在與棚-才及線121相同的方向 上延伸，例如圖1和3所示的水平方向，從而與4冊(cè)極線121交迭。多個(gè)濾色器230形成在基板210上，其設(shè)置在光阻擋構(gòu)件220圍繞的開(kāi) 口區(qū)域中。濾色器230可在沿像素電極191的方向上延伸從而形成條(stripe )。 每個(gè)濾色器230可顯示紅(R)、綠(G)和藍(lán)(B)三原色之一。保護(hù)層(overcoat) 250形成在濾色器230和光阻擋構(gòu)件220上。保護(hù)層 250可由(有機(jī))絕緣體制成。保護(hù)層250保護(hù)濾色器230，防止濾色器230 被暴露，且提供平坦表面。公共電極270形成在保護(hù)層250上。例如，公共電極270由透明導(dǎo)體諸 如ITO或IZO制成。多個(gè)切口部分71形成在公共電極270上。切口部分71包括第一切口部 分71a和第二切口部分71b。第一切口部分71a和第二切口部分71b具有圓 形形狀，且分別對(duì)應(yīng)于第一亞像素電極191a和第二亞像素電極191b的每個(gè) 的中心部分。取向?qū)?1和21涂覆在面板100和200的內(nèi)表面上，它們可以是例如垂 直取向?qū)?。偏振?2和22設(shè)置在面板IOO和200的外表面上，兩個(gè)偏振器 12和22的偏l展軸相互垂直。根據(jù)一示例性實(shí)施例，LCD還可包括用來(lái)補(bǔ)償液晶層3的遲滯(delay) 的相位延遲(retardation)膜(未示出)。LCD還可包括背光單元(未示出)， 用于提供光到偏振器12和22、相位延遲膜、面板100和200、以及液晶層3。液晶層3具有負(fù)介電各向異性，當(dāng)沒(méi)有電場(chǎng)時(shí)，液晶層3的液晶分子31 排列得使它們的長(zhǎng)軸基本垂直于兩個(gè)面板100和200的表面。因此，入射光 被阻擋，而不是穿過(guò)交叉的偏振器12和22。當(dāng)公共電壓施加到公共電極270且數(shù)據(jù)電壓施加到像素電極191時(shí)，產(chǎn) 生基本垂直于面板100和200的表面的電場(chǎng)。像素電極191和公共電極270 可共同被稱(chēng)為"場(chǎng)產(chǎn)生電極"。液晶分子31的傾斜方向響應(yīng)于電場(chǎng)而改變， 使得其長(zhǎng)軸變得垂直于電場(chǎng)方向。場(chǎng)產(chǎn)生電極191和270的切口部分71a和71b以及像素電才及191的邊緣 使電場(chǎng)扭曲/人而產(chǎn)生水平分量，其確定液晶分子31的傾斜方向。電場(chǎng)的該 水平分量基本垂直于切口部分71a和71b以及像素電極191的邊緣。參照?qǐng)D1,電場(chǎng)的水平分量通過(guò)公共電極270的切口部分71a和71b、
第一和第二亞像素電極191a和191b的平行于柵極線121的第一和第二邊緣 1.95a和195b、平行于數(shù)據(jù)線171的第三和第四邊緣195c和195d、以及圓角 ]96形成。相應(yīng)地，液晶分子31在與圓形切口部分71a和71b的接觸線垂直 的方向上傾殺+。以此方式，通過(guò)改變液晶分子31傾斜的方向，可增大LCD 的參考視角。切口部分71a和71b中的至少一個(gè)可^C凸起(未示出)或凹陷部分(未 示出)代替。凸起可由有機(jī)材料或無(wú)機(jī)材料制成，且可設(shè)置在場(chǎng)產(chǎn)生電極191 和270之上或之下。電場(chǎng)扭曲可發(fā)生在第一和第二電極191a和191b之間的連接部分193處， 導(dǎo)致位于連接部分的液晶在任意方向排列，使得他們互相碰撞。然而，在本 發(fā)明的實(shí)施例中，由于連接部分193的長(zhǎng)度(L)足夠長(zhǎng)且其寬度(W)足 夠窄，所以發(fā)生在連接部分193處的電場(chǎng)扭曲對(duì)液晶分子31的影響可被最 小化。因此，液晶分子31不按任意方向排列且可以防止由于液晶碰撞引起 的瞬時(shí)余象的產(chǎn)生。另外，由于存儲(chǔ)電極線131設(shè)置得與第一和第二亞像素電極191a和191b 的連接部分193交迭，且連接像素電極191和漏電極175的接觸孔185a和 185b設(shè)置在第一亞像素電極191a和第二亞像素電極191b之間，所以像素的 總開(kāi)口率(aperture ratio )可^皮最大4匕。此外，由于鈍化層180中的接觸孔185a和185b而形成了階梯部分。當(dāng) 像素電極191的連接部分193位于階梯部分的上部分時(shí)，連接部分193可能 被斷開(kāi)。因此，為了防止由于鈍化層180的階梯部分引起的第一亞像素電極 191a和第二亞像素電極191b的可能的斷開(kāi)，在本發(fā)明的實(shí)施例中，接觸孔 185a和185b形成在從連沖妄部分193延伸的分支部分194a和194b處。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，不受彌散場(chǎng)影響的液晶分子可被最小化，由液晶 分子碰撞引起的余像也可被最小化，且LCD的開(kāi)口率可一皮最大化。雖然已經(jīng)結(jié)合示例性實(shí)施例描述了本發(fā)明，但是將理解，本發(fā)明不限于 所公開(kāi)的實(shí)施例，而是意在覆蓋包括在所附權(quán)利要求的思想和范圍內(nèi)的各種 修改和等價(jià)布置。本申請(qǐng)要求2006年5月24日提交的韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)No.l0-2006-0046550的優(yōu)先權(quán)，在此引用其全部?jī)?nèi)容作為參考。
權(quán)利要求
1、一種液晶顯示器，包括第一基板；以及形成在該第一基板上且包括第一和第二亞像素電極的像素電極，其中該第一和第二亞像素電極通過(guò)連接部分彼此連接，且該連接部分的長(zhǎng)度大于或等于約10μm或更大。
2、 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中該連接部分的長(zhǎng)度在約20|am 到約28j_im的范圍。
3、 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中該連接部分的寬度小于或等 于約10pm或更小。
4、 如權(quán)利要求3所述的液晶顯示器，其中該連接部分的寬度在約6(im 到約7iLim的范圍。
5、 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，還包括形成在該第一亞像素電極 和該第二亞像素電極之間的存儲(chǔ)電極。
6、 如權(quán)利要求5所述的液晶顯示器，還包括 形成在該第 一基板上的柵極線； 交叉該柵極線且包括源電極的數(shù)據(jù)線；以及 面對(duì)該源電纟及的漏電才及，其中該漏電極和該存儲(chǔ)電極彼此交迭。
7、 如權(quán)利要求6所述的液晶顯示器，其中該像素電極和該漏電極在該 存儲(chǔ)電極與該漏電極交迭的部分處電連接。
8、 如權(quán)利要求7所述的液晶顯示器，還包括從該連接部分延伸的分支 部分，且該像素電極和該漏電極在該像素電極的分支部分交迭該漏電極處電連接。
9、 如權(quán)利要求8所述的液晶顯示器，其中該分支部分包括關(guān)于該連接 部分右方向延伸的第一分支部分和關(guān)于該連接部分左方向延伸的第二部分。
10、 如權(quán)利要求9所述的液晶顯示器，還包括交迭該第一分支部分的第 一接觸孔和交迭該第二分支部分的第二接觸孔。
11、 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中該第一和第二亞像素電極具 有圓的角。
12、 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，還包括 面對(duì)該第一基板的第二基板；以及形成在該第二基板上的公共電極，其中多個(gè)傾斜控制部分形成在該公共電極上，所述多個(gè)傾斜控制部分的 每個(gè)面對(duì)該第 一或第二亞像素電極之一的中心。
13、 如權(quán)利要求12所述的液晶顯示器，其中該傾斜控制部分包括圓形 切口部分。
14、 如權(quán)利要求12所述的液晶顯示器，還包括形成在該第二基板上的 光阻擋構(gòu)件，其中該光阻擋構(gòu)件與形成在該第 一基板上的柵極線交迭。
15、 如權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中該第一亞像素電極的面積與 該第二亞像素電極的面積基本上相同。
全文摘要
本發(fā)明提供一種液晶顯示器，包括第一基板和形成在第一基板上且包括第一和第二亞像素電極的像素電極，其中該第一和第二亞像素電極通過(guò)連接部分彼此連接，且該連接部分的長(zhǎng)度大于或等于約10μm。
文檔編號(hào)G02F1/133GK101118360SQ20071014218
公開(kāi)日2008年2月6日 申請(qǐng)日期2007年5月24日 優(yōu)先權(quán)日2006年5月24日
發(fā)明者樸源祥 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社