專利名稱：顯示面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種顯示面板。更具體地說，本發(fā)明涉及一種能夠 沖是高圖4象顯示質(zhì)量的顯示面并反。
背景技術(shù)：
一般而言，液晶顯示(LCD)裝置包括LCD面板和背光組件。 LCD面板利用液晶的透光率來顯示圖^f象，而背光組件i殳置于LCD 面才反下方，以1更向LCD面拓j是供光線。
LCD面板包括第一基板、面對(duì)第一基板的第二基板以及設(shè)置于 第一基板與第二基板之間的液晶層。第一基板包括信號(hào)線、電連接 于信號(hào)線的薄膜晶體管以及電連接于薄膜晶體管的像素電極。第二 基板包括阻光層、覆蓋阻光層的濾色器以及形成于濾色器上的共用 電極。
當(dāng)在制造LCD面板之后運(yùn)輸或使用LCD面板時(shí)，LCD面板可 能會(huì)被外部施加的沖擊損壞，從而第 一和第二基板可能由于該沖擊 而不對(duì)齊。第二基才反由于該沖擊而相對(duì)于第一基^反移動(dòng)到左側(cè)或右 側(cè)。
當(dāng)?shù)诙逑鄬?duì)第 一基板移動(dòng)時(shí)，第二基板的阻光層相對(duì)于第 一基玲反不對(duì)齊。當(dāng)?shù)诙宓淖韫鈱酉鄬?duì)于第一基^反不對(duì)齊時(shí)，光 線在第二基板的設(shè)計(jì)成不傳輸光線的區(qū)域內(nèi)傳輸。因此，LCD面板顯示器由于光線泄漏而不能顯示純黑色圖^f象，并且圖^f象顯示質(zhì)量劣 化。

發(fā)明內(nèi)容
示例性實(shí)施例提供了一種顯示面板，其防止由于第一和第二基 板的不對(duì)齊造成的光線泄漏，并且提高圖像顯示質(zhì)量。
在示例性實(shí)施例中，顯示面^反包4舌第一基才反、第二基^反和液 晶層。
第一基板包括柵極線，沿第一方向形成；數(shù)據(jù)線，沿基本上 垂直于第一方向的第二方向形成；薄膜晶體管，電連接于棚— 及線和 數(shù)據(jù)線；以及像素電極，電連接于薄膜晶體管，并設(shè)置于單位像素 內(nèi)。
第二基板包括阻光層，阻擋光線；共用電極，設(shè)置于阻光層 上，對(duì)應(yīng)于像素電極，并且具有將單位像素分隔成多個(gè)域的域限定 件。
液晶層設(shè)置于第 一基板與第二基板之間。
阻光層包括主阻光部，設(shè)置于單位像素的邊緣處，并覆蓋柵 才及線和lt悟線；以及子阻光部，乂人主阻光部延伸。子阻光部朝向其 中未設(shè)置平行于凄丈據(jù)線的域限定件的區(qū)域而突出。
在示例性實(shí)施例中，域限定件包括本體，相對(duì)第一方向傾殺+; 以及分支，連4妄本體的端部，并且沿第二方向延伸。阻光層的子阻 光部突出到其中未設(shè)置共用電極的分支的區(qū)域內(nèi)。 在示例性實(shí)施例中，顯示面板包括第一基板、第二基板和液 晶層。
第一基板包括柵極線，沿第一方向形成；數(shù)據(jù)線，沿基本上 垂直于第一方向的第二方向形成；薄膜晶體管，電連接于柵才及線和 數(shù)據(jù)線；像素電極，電連接于薄膜晶體管，并設(shè)置于單位像素內(nèi)； 以及存儲(chǔ)線，部分地與像素電極以及與數(shù)據(jù)線的 一部分交迭。
第二基^反包括阻光層，阻擋光線；共用電才及，設(shè)置于阻光層 上，對(duì)應(yīng)于像素電極，并包括將單位像素分隔成多個(gè)域的域限定件， 且鄰近于存儲(chǔ)線。
液晶層設(shè)置于第 一基板與第二基板之間。
存儲(chǔ)線與數(shù)據(jù)線的 一部分相交迭，所述部分對(duì)應(yīng)于其中未設(shè)置 共用電才及的i或限定4牛的區(qū)i或。
在示例性實(shí)施例中，存儲(chǔ)線包括主存儲(chǔ)部，沿第一方向延伸； 第一子存儲(chǔ)部，從主存儲(chǔ)部沿第二方向延伸，并且與像素電一及的第 一端部相交迭；第二子存儲(chǔ)部，從主存儲(chǔ)部沿第二方向延伸，并且 與^象素電4及的與第一端部相^j"的第二端部相交迭；以及阻光存儲(chǔ) 部，從第一和第二子存儲(chǔ)部中的一個(gè)朝向凄t據(jù)線延伸，并且與凄史據(jù) 線的一部分相交迭。
在示例性實(shí)施例中，子阻光部從主阻光部突出到除了其中設(shè)置 共用電才及的域限定件的區(qū)域之外的區(qū)域內(nèi)，或者與lt據(jù)線的一部分 相交迭，所述部分對(duì)應(yīng)于除了其中i殳置共用電才及的域限定件的區(qū)域 之外的區(qū)域，從而減少或有效防止由第 一和第二基板的不對(duì)齊而造 成的光線泄漏，并且提高圖4象顯示質(zhì)量。


通過參照以下結(jié)合附圖的詳細(xì)描述，本發(fā)明的上述和其它優(yōu)點(diǎn) 將變得更加顯而易見。
圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明的顯示面板的單位像素的示例性實(shí)施
例的平面圖2是示出了圖1單位像素的存儲(chǔ)線、柵極線和柵電極的示例 性實(shí)施例的平面圖3是示出了圖1單位像素的數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極、連接 電才及和有源層的示例性實(shí)施例的平面圖4是示出了圖1單位像素的像素電極的示例性實(shí)施例的平面
圖5是示出了圖l單位像素的共用電極的示例性實(shí)施例的平面
圖6是示出了圖1單位4象素的阻光層的示例性實(shí)施例的平面
圖7是沿圖1的線I-I'截取的截面圖8是沿圖i的線n-ir截取的截面圖； 圖9是沿圖i的線ni-m'截取的截面圖IO是示出了圖9中第一和第二基板的不對(duì)齊的示例性實(shí)施 例的截面圖，其中省略了子阻光層； 圖11是示出了圖9中第一和第二基板的不對(duì)齊的示例性實(shí)施 例的截面圖12是示出了根據(jù)本發(fā)明的顯示面板的單位像素的阻光層的 另 一示例性實(shí)施例的平面圖13是示出了根據(jù)本發(fā)明的顯示面板的單位像素的阻光層的 另 一示例性實(shí)施例的平面圖14是示出了根據(jù)本發(fā)明的顯示面板的單位像素的另一示例 性實(shí)施例的平面圖15是示出了圖14單位像素中的阻光層的示例性實(shí)施例的平 面圖16是示出了圖14單位像素的存儲(chǔ)線的示例性實(shí)施例的平面
圖17是沿圖14的線IV-IV'截取的截面圖18是沿圖14的線V-V'截取的截面圖；以及
圖19是示出了根據(jù)本發(fā)明的顯示面板的單位像素的一部分的 示例性實(shí)施例的截面圖。
具體實(shí)施例方式
以下參照示出本發(fā)明實(shí)施例的附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)4亍更全面的描
述。但是，本發(fā)明可以以許多不同形式來實(shí)現(xiàn)，而不應(yīng)該祐:理解為 僅限于這里所列出的實(shí)施例。當(dāng)然，提供這些實(shí)施例，是為了使得 本公開更全面和完整，并向本領(lǐng)域技術(shù)人員充分傳達(dá)本發(fā)明的范
圍。附圖中，為了清楚起見，可能對(duì)層和區(qū)域的尺寸和相對(duì)尺寸進(jìn) 行了放大。
可以理解，當(dāng)指出一個(gè)元件或?qū)游挥诹硪粋€(gè)元件或?qū)?上"或 者"連接到，，另一個(gè)元件或?qū)訒r(shí)，則該元件或?qū)涌梢灾苯游挥诹硪?個(gè)元件或?qū)由匣蛘咧苯舆B接到另一個(gè)元件或?qū)?，或者也可存在插?元件或?qū)?。相反地，?dāng)指出一個(gè)元件"直接"位于另一個(gè)元件或?qū)?上或者"直接連接到"另一個(gè)元件或?qū)訒r(shí)，則不存在插入元件或?qū)印?全文中相同的標(biāo)號(hào)表示相同的元件。當(dāng)用在文中時(shí)，術(shù)語"和/或" 包4舌一個(gè)或多個(gè)相關(guān)所列項(xiàng)目的4壬一個(gè)以及所有《且合。
可以理解，盡管這里可以使用術(shù)語第一、第二、第三、等等來 描述各種元件、部件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、部件、 區(qū)域、層和/或部分不應(yīng)該限于這些術(shù)語。這些術(shù)語4叉用于將一個(gè)元 件、部件、區(qū)域、層或部分與另一個(gè)元件、部件、區(qū)域、層或部分 區(qū)分開來。因此，在不背離本發(fā)明宗旨的前提下，下面所討論的第 一元件、部件、區(qū)域、層或部分也可以稱作第二元件、部件、區(qū)域、 層或部分。
這里可以4吏用諸如"下部"、"上部"等空間相對(duì)術(shù)語來描述附
圖所示的 一 個(gè)元4?；蛱?f正相對(duì)于其它元4牛或特性的關(guān)系?？梢岳?解，相對(duì)關(guān)系術(shù)語除了包括附圖中示出的方位外，還旨在表示包括 裝置的不同方位。例如，如果將其中一個(gè)附圖中的裝置翻轉(zhuǎn)，那么 凈皮描述為在其它元件或特4正"下部"的元件將纟皮定位在其它元件"上 部"。因此，示例性術(shù)語"下部"可以包括上方和下方兩個(gè)方位。裝置 可以以其它方式定^f立(S走轉(zhuǎn)90度或在其它方4立)，并且只寸》匕處<吏用 的空間相對(duì)描述語進(jìn)行相應(yīng)解釋。
這里所使用的術(shù)語^又用于描述特定實(shí)施例的目的，而并非旨在 限制本發(fā)明。除非文中以其它方式清楚地指明，否則這里所使用的
單數(shù)形式"一個(gè)"("a" "an"和"the")也旨在于包括復(fù)數(shù)形式。 還可以理解，當(dāng)術(shù)i吾"包括(comprises和/或comprising )"用于本 說明書中時(shí)，表明存在所述的特征、整體、步驟、操作、元件、和 /或部件，但并不排除存在或附加有一個(gè)或多個(gè)其它的特征、整體、 步驟、操作、元件、部件、和/或它們構(gòu)成的組。
此處，將參照作為本發(fā)明理想實(shí)施例(和中間結(jié)構(gòu))示意圖的 截面圖描述本發(fā)明的實(shí)施例。因此，可以預(yù)料到由于例如制造技術(shù) 和/或7>差所導(dǎo)致的與圖中形狀的偏離。由此，本發(fā)明的實(shí)施例不應(yīng) 該被理解為限制于這里所示的區(qū)域的特定形狀，而應(yīng)包括例如由于 制造所導(dǎo)致的形狀上的偏差。
例如，凈皮示為矩形的注入?yún)^(qū)在其邊纟彖通常具有圓形或曲線形特 4i和/或注入濃度梯度，而不是/人注入?yún)^(qū)到未注入?yún)^(qū)的二元變4匕。同 樣，通過注入形成的掩埋區(qū)可能在掩埋區(qū)與發(fā)生注入的表面之間的 區(qū)域中產(chǎn)生一定量的注入。因此，附圖中所示的區(qū)域?qū)嵸|(zhì)上是示意 性的，并且它們的形狀并非為了示出裝置區(qū)域的實(shí)際形狀，也不是 為了限定本發(fā)明的范圍。
除非另有限定，否則這里所使用的所有術(shù)語(包括技術(shù)和科學(xué) 術(shù)語)具有與本發(fā)明所屬領(lǐng)域l支術(shù)人員的通常理解相同的含義。還 可以理解，術(shù)i吾(例如常用詞典中定義的那些術(shù)i吾)應(yīng)該凈皮解釋為 具有與它們?cè)谙嚓P(guān)4支術(shù)4頁i或范圍內(nèi)的含義一f丈的含義，而不應(yīng)該解 釋為理想^^的或過于正式的含義，除非這里特別;也加以定義。
以下，將參照附圖更詳細(xì)地描述本發(fā)明。
圖l是示出了根據(jù)本發(fā)明的顯示面板的單位像素的示例性實(shí)施 例的平面圖。圖2是示出了圖1單位像素的存儲(chǔ)線、柵極線和柵電 極的示例性實(shí)施例的平面圖。圖3是示出了圖1單位像素的數(shù)據(jù)線、
源電極、漏電極、連接電極和有源層的示例性實(shí)施例的平面圖。圖
4是示出了圖1單位像素的像素電極的示例性實(shí)施例的平面圖。圖 5是示出了圖1單位像素的共用電極的示例性實(shí)施例的平面圖。圖 6是示出了圖1單位^象素的阻光層的示例性實(shí)施例的平面圖。圖7
是沿圖i的線i-r截取的截面圖。圖8是沿圖i的線n-n'截取的截 面圖。圖9是沿圖i的線ni-m'截取的截面圖。
參照?qǐng)Dl至9，顯示面板包括第一基板100、第二基板200和 '液晶層300。
第一基板100包括基本以矩陣排列的方式設(shè)置的多個(gè)像素電
極、多個(gè)薄膜晶體管和多個(gè)信號(hào)線。每個(gè)薄膜晶體管向每個(gè)像素電 極施加驅(qū)動(dòng)電壓。每條信號(hào)線驅(qū)動(dòng)每個(gè)薄膜晶體管。
第二基板200面對(duì)第一基板100。第二基板200設(shè)置于顯示面
板的前表面處。第二基板包括具有透明導(dǎo)電材料的共用電極以及面 向像素電極的濾色器。在示例性實(shí)施例中，濾色器可以包括紅色濾 色器、綠色濾色器、藍(lán)色濾色器等。
液晶層300設(shè)置于第一基板100與第二基板200之間。液晶層 300的方位通過形成于像素電極與共用電極之間的電場(chǎng)被重新布 置。重新布置后的液晶層300調(diào)節(jié)入射光線的透光率，并且由透光 率調(diào)節(jié)后的光線穿過濾色器，爿t人而顯示圖^f象。
參照?qǐng)D1至圖4、圖7至圖9，第一基板100包括第一透明基 板110、柵極線120、存儲(chǔ)線130、柵極絕緣層140、數(shù)據(jù)線150、 薄膜晶體管160、第一連接電極CE1、第二連接電極CE2、保護(hù)層 170和像素電極180。
第一透明基板110形成為基本上板狀，并包括透明材料。在一 個(gè)示例性實(shí)施例中，第一透明基板110可以包括(但不限于)玻璃、
石英、藍(lán)寶石或透明合成樹脂。
參照?qǐng)D1和圖2，多條4冊(cè)才及線120沿第一方向形成于第一透明 基板110上，并且多條存儲(chǔ)線130沿第 一方向形成于第 一透明基板 110上。稍后將對(duì)關(guān)于存儲(chǔ)線130的更詳細(xì)說明進(jìn)行討論。
柵極絕緣層140形成于第一透明基板110上，以覆蓋柵極線120 和存^f諸線130。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，棚-才及絕^彖層140可以包才舌 (但不限于)氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)。
參照?qǐng)D1和圖3,多條數(shù)據(jù)線150沿基本垂直于第一方向的第 二方向形成于柵極絕緣層140上。柵極線120沿不同于數(shù)據(jù)線150 的第二方向的第一方向延伸。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，具有基本上 矩形形習(xí)犬的多個(gè)單^f立4象素可以通過4冊(cè)才及線120和教:l居線150的交叉 來限定。在示例性實(shí)施例中，每個(gè)單位像素可以形成為矩形形狀， 并且矩形形狀的纟從向方向基本上平4于于第二方向。
參照?qǐng)D1至圖3,薄膜晶體管160包括"斷電才及G、有源層A、 源電極S和漏電極D。第一實(shí)施例的薄膜晶體管相對(duì)于數(shù)據(jù)線150 形成于第一側(cè)處。
柵電極G是柵極線120的相對(duì)于數(shù)據(jù)線150形成于第一側(cè)處的 一部分。有源層A對(duì)應(yīng)于柵電極G形成于柵極絕緣層140上。源 電極S相對(duì)于數(shù)據(jù)線150沿第一側(cè)(例如，圖3中的左側(cè))的方向 /人凄tl居線150延伸，并且與有源層A的一部分交迭。在一個(gè)示例性 實(shí)施例中，源電極S可以形成為基本上L形。漏電才及D沿第二方向 延伸，其與源電才及S隔開預(yù)定距離，并且其與有源層A的一部分交 迭。
參照?qǐng)D3，第一連接電極CE1和第二連接電極CE2形成于柵 才及絕纟彖層140上，并且形成于每個(gè)單位4象素中。第一連4妄電才及CE1 和第二連接電極CE2分別電連接于薄膜晶體管160的漏電極D。
保護(hù)層170形成于柵才及絕緣層140上，以覆蓋數(shù)據(jù)線150、薄 膜晶體管160、第一連接電極CE1和第二連接電極CE2。在示例性 實(shí)施例中，保護(hù)層170可以包括氮化硅(SiNx )或氧化硅(SiOx )。 接觸孑L 172形成于保護(hù)層170的對(duì)應(yīng)于第一連接電極CE1的區(qū)域 處。
參照?qǐng)D1和圖4，像素電極180形成于保護(hù)層170上，并且形 成于每個(gè)單位像素內(nèi)。像素電極180包括透明導(dǎo)電材料。在一個(gè)示 例性實(shí)施例中，像素電極180可以包括氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅 (IZO)、非晶氧化銦錫(a-ITO)等。像素電極180包括彼此電隔 離的第一4象素部182和第二4象素部184。
第一像素部182圍繞第二像素部184的輪廓線，并具有與第一 像素部182的外形相對(duì)應(yīng)的外形。第二像素部184形成于每個(gè)單位 ^像素的中央部處(例如，沿如圖4所示的第二方向)。第一^(象素部 182形成于每個(gè)單4立<象素中的上部和下部處(例如，沿第二方向)， 以便圍繞第二像素部184的輪廓線。第一像素部182和第二像素部 184可以形成為相對(duì)于沿第 一方向穿過每個(gè)單位像素中心的假想中 心線而基本上對(duì)稱的結(jié)構(gòu)。
第一像素部182包括第一上部像素UP1，其相對(duì)于Wi想中心 線形成于單位像素的上部處；以及第一下部像素LP1，其相對(duì)于，支 想中心線形成于單位 <象素的下部處，并電連4妾于第 一 上部 <象素 UP1。
第二^f象素部184包^舌第二上部^f象素UP2，其相對(duì)于4叚想中心 線形成于單位像素的上部處；以及第二下部像素LP2，其相對(duì)于假 想中心線形成于單位^像素的下部處，并電連4妄于第二上部^f象素 UP2。
第一上部i象素UP1和第二上部〗象素UP2 ;f皮此隔開子貞定3巨離， 并且沿第三方向(諸如相對(duì)于第一方向傾殺牛大約45度)^v向地形 成。第一下部^f象素LP1和第二下部像素LP2彼此隔開預(yù)定距離， 并且沿第四方向(諸如基本上垂直于第三方向的方向)縱向地形成。
第一^f象素部182通過形成于4呆護(hù)層170中的4妄觸孔172而電連 接于第一連接電極CE1。第一像素部182的第一下部像素LP1電 連才妄于第一連4妄電才及CE1。
第二^f象素部184通過^f呆護(hù)層170而與第二連4妻電才及CE2隔開 預(yù)定3巨離(例如，沿垂直于圖3和4的平面圖的方向)，以形成電 壓減少電容器。第二連接電極CE2形成在與第二像素部184的中心 相對(duì)應(yīng)的區(qū)域內(nèi)，以與第二4象素部184交迭。
第一^f象素部182電連接于第一連接電極CE1，并且接收來自薄 膜晶體管160的漏電極D的第一驅(qū)動(dòng)電壓。第二連接電極CE2直 接接收來自漏電極D的第一驅(qū)動(dòng)電壓，并且第二像素部184間接接 收來自第二連接電極CE2的第二驅(qū)動(dòng)電壓。由于電壓減少電容器的 存在，所以第二驅(qū)動(dòng)電壓處于比第 一驅(qū)動(dòng)電壓j氐的電平處。
參照?qǐng)D1和圖2，存儲(chǔ)線130包括主存儲(chǔ)部132、第一子存儲(chǔ) 部134和第二子存儲(chǔ)部136。
主存儲(chǔ)部132沿第一方向形成，并基本上平行于柵極線120。 主存儲(chǔ)部132與數(shù)據(jù)線150交叉。主存儲(chǔ)部132可以形成于每個(gè)單 4立j象素的上部處，其^皮i人為是4冊(cè)才及線120的下部。
第一子存^f諸部134沿第二方向乂人主存^f諸部132延伸，并且與傳_ 素電極180的一部分相交迭。第一子存〗諸部134與相鄰凄t才居線150 的右側(cè)隔開預(yù)定距離，并且基本上平行于數(shù)據(jù)線150形成。
第二子存儲(chǔ)部136沿第二方向從主存儲(chǔ)部132延伸，并且與像 素電極180的端部(例如，在如圖4所示的像素電極180的最右側(cè) 上)相交迭。第二子存々者部136與相鄰凄^U居線150的左側(cè)相隔開， 并且基本上平行于數(shù)據(jù)線150形成。
相對(duì)于數(shù)據(jù)線150，第一子存儲(chǔ)部134形成于右側(cè)處，并且第 二子存〗諸部136形成于左側(cè)處。
參照?qǐng)D1、圖5和圖6至圖9,第二基板包括第二透明基板210、 阻光層220、濾色器230、平面化層240、共用電才及250和單元間隙 保持件260。
第二透明基^反210形成為基本上板狀，并包括透明材料。第二 透明基板210面對(duì)第一透明基板110。
阻光層220形成于第二透明基板210上，并且阻擋光線。稍后 將對(duì)關(guān)于阻光層220的更詳細(xì)說明進(jìn)行討論。
濾色器230形成于第二透明基板210上，以覆蓋阻光層220。 濾色器230形成于對(duì)應(yīng)于每個(gè)單位像素中的像素電極180的區(qū)域 內(nèi)。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，濾色器230可以包括(但不限于)紅
色濾色器、綠色濾色器和藍(lán)色濾色器。當(dāng)用在文中時(shí)，"對(duì)應(yīng)于" 表示在形狀、尺寸和/或位置布置上基本對(duì)應(yīng)。
平面化層240覆蓋濾色器230和阻光層220，并且使第二基板 200的表面平面4匕。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，平面^f匕層240可以包
括有一幾絕緣層。
共用電極250形成于平面化層240上。共用電極250包括透明 導(dǎo)電材料。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，共用電極250可以包括氧化銦 錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、非晶氧化銦錫(a-ITO)等。域限定 件252形成在對(duì)應(yīng)于〗象素電才及180的區(qū)域內(nèi)，并且將每個(gè)單位^象素 分隔成多個(gè)域。
參照?qǐng)D5，域限定件252包括第一開口部OPl，形成在對(duì)應(yīng) 于第一像素部182的區(qū)域內(nèi)；以及第二開口部OP2，形成在對(duì)應(yīng)于 第二^f象素部184的區(qū)域內(nèi)。第一開口部OP1和第二開口部OP2可 以相對(duì)于沿第一方向耳又得的每個(gè)單位〗象素的中心線而形成為基本 上對(duì)稱的結(jié)構(gòu)。
第一開口部OP1包括第一上部域限定部UMP1,沿第三方 向形成，并只于應(yīng)于第一上部〗象素UP1 (圖4);以及第一下部^或限定 部LMP1，沿第四方向形成，并對(duì)應(yīng)于第一下部^f象素LP1 (圖4)。
另外，第一開口部OP1可以進(jìn)一步包4舌第一上部分支USP1 和第一下部分支LSP1。第一上部分支USP1電連4妄于第一上部i或 限定部UMP1的端部，并且覆蓋鄰近凄t據(jù)線150的第一上部^f象素 UP1端部的一部分。第一下部分支LSP1電連4妄于第一下部域限定 部LMP1的端部，并且覆蓋鄰近凄t據(jù)線150的第一下部l象素LP1 端部的一部分。
第一上部分支USP1 乂人第一上部域限定部UMP1的端部向下延 伸(例如，沿第二方向)，其基本上平行于數(shù)據(jù)線150，并且覆蓋第 一上部Y象素UP1的端部。第一下部分支LSP1 乂人第一下部^戈限定部 LMP1的端部向上延伸(例如，沿第二方向)，其基本上平4于于凄t 據(jù)線150，并且覆蓋第一下部^f象素LP1的端部。
第二開口部OP2包括第二上部域限定部UMP2,沿第三方 向形成，并對(duì)應(yīng)于第二上部^f象素UP2;以及第二下部i或限定部 LMP2，沿第四方向形成，并對(duì)應(yīng)于第二下部〗象素LP2。在一個(gè)示 例性實(shí)施例中，第二上部i或限定部UMP2和第二下部i或限定部 LMP2^皮此電連^妄。
另外，第二開口部OP2可以進(jìn)一步包4舌第二上部分支USP2 和第二下部分支LSP2。第二上部分支USP2電連4妄于第二上部:t或 限定部UMP2的端部，并且覆蓋鄰近凄^居線150的第二上部^f象素 UP2端部的一部分。第二下部分支LSP2電連接于第二下部域限定 部LMP2的端部，并且覆蓋鄰近lt據(jù)線150的第二下部l象素LP2 端部的一部分。
第二上部分支USP2從第二上部i或限定部UMP2的端部向上延 伸(例如，沿第二方向)，其基本上平行于數(shù)據(jù)線150，并且覆蓋第 二上部^f象素UP2的端部。第二下部分支LSP2 /人第二下部i或限定部 LMP2的端部向下延伸，其基本上平行于數(shù)據(jù)線150,并且覆蓋第 二下部《象素LP2的端告，。
參照?qǐng)D1和圖7，單元間隙保持件260形成于共用電極250上， 并與第 一基4反100相4妄觸，以〗呆持第一 100與第二基^反200之間的 單元間隙。單元間隙保持件260可以包括有機(jī)材料。在一個(gè)示例性 實(shí)施例中，單元間隙保持件260可以通過圖案化(諸如，通過光學(xué) 工藝)形成。
單元間隙〗呆持件260相對(duì)于凄t據(jù)線150形成在第一側(cè)處。薄膜 晶體管160相對(duì)于數(shù)據(jù)線150形成在與第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)處。如 所示實(shí)施例中所示的，分別地，相對(duì)于數(shù)據(jù)線150,單元間隙保持 4牛260可以形成在右側(cè)處而薄膜晶體管160形成在左側(cè)處。
參照?qǐng)D1、圖6、圖8和圖9，阻光層220包4舌主阻光部222 和子阻光部224。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，阻光層220可以包括阻 擋光線的有機(jī)材料或無機(jī)材料。
主阻光部222沿單位像素的邊緣形成，并且覆蓋柵極線120、 數(shù)據(jù)線150和薄膜晶體管160。主阻光部222覆蓋lt據(jù)線150的部 分沿第一方向的寬度Ll可以在大約2微米(fxm)至大約25微米 (|im )之間。
子阻光部224 /人主阻光部222突出到其中未形成域限定件252 的區(qū)域。例如，子阻光部224可以朝向單位《象素的中心線突出，并 且可以鄰近于域限定件252。當(dāng)單元間隙保持件260相對(duì)于數(shù)據(jù)線 150形成在第一側(cè)處時(shí)，子阻光部224可以相對(duì)于數(shù)據(jù)線150形成 在與第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)處。如圖1所示的實(shí)施例中所示的，第一 實(shí)施例的單元間隙保持件260可以相對(duì)于數(shù)據(jù)線150形成在右側(cè) 處，并且子阻光部224從主阻光部222突出到左側(cè)，例如，相對(duì)于 數(shù)據(jù)線150位于左側(cè)上。子阻光部224沿第一方向的突出長(zhǎng)度L2 可以在大約1 |am至大約2 pm之間。
參照?qǐng)D6,子阻光部224包括上部子阻光層UBM和下部子阻 光層LBM。上部子阻光層UBM在第二上部^象素UP2的未形成第 二上部分支USP2的一個(gè)端部處突出。另外，下部子阻光層LBM 在未形成第二下部分支LSP2的部分處突出。如所示實(shí)施例中所示的，子阻光部224包括從主阻光部222延 伸的兩個(gè)延伸部，并且所述子阻光部從主阻光部222以基本相同的 距離突出，^f旦是本發(fā)明并不限于此。子阻光部224可以包括多于或 少于兩個(gè)的延伸部，并且/或者子阻光部的突出距離沿第二方向在沿 主阻光部222的位置處可以相等或不同。沿主阻光部222的邊纟彖在 第二方向上，子阻光部224可以基本上以相同的布置和/或^f立置布 置，但本發(fā)明不限于此?？商鎿Q地，單位像素(諸如相鄰單位像素) 的子阻光部224的4立置可以沿第二方向交4晉或交^^。
圖IO是示出了圖9中第一和第二基板的不對(duì)齊的示例性實(shí)施 例的截面圖，其中省略了子阻光層224。圖11是示出了圖9中第一 和第二基4反的不對(duì)齊的截面圖。
參照?qǐng)D10和圖11,將對(duì)所示實(shí)施例的效果進(jìn)^f亍討i侖。圖10所 示的阻光層包括主阻光部222，并且圖11所示的阻光層220包括主 阻光部222和子阻光部224。
第一和第二基板100和200可能由于外部沖擊而不對(duì)齊。如所 示實(shí)施例中所示，單元間隙保持件260相對(duì)于凄t據(jù)線150形成在右 側(cè)處。當(dāng)外部沖擊作用于第一和第二基板100和200時(shí)，第二基板 200相對(duì)第一基板100與右側(cè)不對(duì)齊。第一基板100的表面包括由 數(shù)據(jù)線150形成的突出區(qū)域或表面，從而當(dāng)外部沖擊作用其上時(shí)， 具有單元間隙保持件260的第二基板200可以不移到左側(cè)。單元間 隙保持件260被突出的表面阻擋或限制向左側(cè)移動(dòng)，結(jié)果向右側(cè)移 動(dòng)。因此，如圖10和11所示，第二基板200由于外部沖擊而相對(duì) 第一基4反100與右側(cè)不對(duì)齊。
當(dāng)阻光層220包4舌如圖10所示的主阻光部222并且第二基壽反 200相對(duì)于第一基板100與右側(cè)不對(duì)齊時(shí)，從第一基板100下方產(chǎn) 生并進(jìn)入凄t據(jù)線150與第二子存儲(chǔ)部136之間的空間(例如，當(dāng)在
平面圖中觀看時(shí))的光線可能不會(huì)被主阻光部222阻擋。該未被阻 擋的光線(如圖10中的箭頭所示)最終可以發(fā)射到外部，并且發(fā) 生光線泄漏現(xiàn)象。在示例性實(shí)施例中，當(dāng)進(jìn)入數(shù)據(jù)線150與第二子 存儲(chǔ)部136之間的空間內(nèi)的光線穿過像素電極180的未被共用電極 250的域限定件252覆蓋的端部的區(qū)域時(shí)，光線泄漏現(xiàn)象更頻繁地 發(fā)生，并達(dá)到較大程度。
但是，如圖11所示的，當(dāng)阻光層220不僅包括主阻光部222 而且還包括子阻光部224時(shí)，即使第二基板200相對(duì)于第一基板100 與右側(cè)不對(duì)齊，進(jìn)入數(shù)據(jù)線150與第二子存儲(chǔ)部136之間的空間內(nèi) 的光線也可以被子阻光部224阻擋，如箭頭所示。在示例性實(shí)施例 中，且為了減少或有效防止亮度的降低，子阻光部224可以從主阻 光部222突出到其中未形成共用電極250的域限定件252的區(qū)域， 并且子阻光部224可以阻擋進(jìn)入lt據(jù)線150與第二子存^f諸部136之 間的空間內(nèi)的光線。在示例性實(shí)施例中，子阻光部224沿與翁:據(jù)線 的側(cè)部相對(duì)的方向從主阻光部222延伸，在所述數(shù)據(jù)線的側(cè)部處， 單元間隙保持件260可以形成為基本上補(bǔ)償?shù)谝缓偷诙?00和 200相對(duì)4皮此的移動(dòng)距離，并且阻擋在凄t據(jù)線150與第二子存^f諸部 136之間傳輸?shù)墓饩€。
如所示實(shí)施例中所示的，子阻光部224突出到其中未形成共用 電才及250的域限定件252的區(qū)域，以減少或有效防止光線泄漏現(xiàn)象， /人而^是高圖^f象顯示質(zhì)量。
圖12是示出了根據(jù)本發(fā)明的顯示面板的單位像素的阻光層的 另一示例性實(shí)施例的平面圖。除了阻光層之外，圖12中的顯示面 才反基本上與圖1-11中的顯示面4反相同。因此，將4吏用相同的參考標(biāo) 號(hào)來表示那些與圖1-11中描述的部件相同或相似的部件，并且將省 略關(guān)于上述元件的進(jìn)一步的重復(fù)i兌明。
參照?qǐng)D12,阻光層220包括主阻光部222和子阻光部224。
主阻光部222沿每個(gè)單位^像素的邊^(qū)彖形成，并且覆蓋棚—及線 120、數(shù)據(jù)線150和薄膜晶體管160。主阻光部222覆蓋數(shù)據(jù)線150 的部分的寬度可以在大約21 nm至大約25 pm之間。
子阻光部224從主阻光部222突出到其中未形成域限定件252 的區(qū)域。在一個(gè)示例性實(shí)施例中，子阻光部224可以朝向單位l象素 的中心線突出，并且可以鄰近于域限定件252。當(dāng)單元間隙保持件 260相對(duì)于數(shù)據(jù)線150形成在第一側(cè)處時(shí)，子阻光部224可以相對(duì) 于數(shù)據(jù)線150從主阻光部222突出到與第一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)。
在一個(gè)示例性實(shí)施例中，圖12的單元間隙保持件260相對(duì)于 凄t梧線150形成在右側(cè)處，并且子阻光部224 /人主阻光部222突出 到左側(cè)。子阻光部224可以以大約1 |im至大約2 |am的長(zhǎng)度乂人主阻 光部222突出到左側(cè)。
圖12的子阻光部224 /人主阻光部222突出到其中未形成共用 電極250的第二開口部OP2的區(qū)域。子阻光部224覆蓋以下區(qū)域 像素電極180的第二上部像素UP2的端部的區(qū)域，該區(qū)域內(nèi)未形成 共用電極250的第二上部分支USP2;像素電極180的第二下部傳_ 素LP2的端部的區(qū)域，該區(qū)域內(nèi)未形成共用電極250的第二下部分 支LSP2;以及第二上部4象素UP2與第二下部4象素LP2之間的區(qū)&戈 的端部。子阻光部224沿基本平行于數(shù)據(jù)線150的第二方向形成于 共用電極250的上部分支USP2與第二下部分支LSP2之間。
如所示實(shí)施例中所示的，子阻光部224是延伸自主阻光部222 的單個(gè)延伸部。子阻光部224 乂人主阻光部222突出的距離沿第二方 向基本上是相同的，但本發(fā)明不限于此。 圖13是示出了根據(jù)本發(fā)明的顯示面板的單位像素的阻光層的 另一示例性實(shí)施例的平面圖。除了阻光層之外，圖13中的顯示面 4反基本上與圖1-11中的顯示面板相同。因此，將4吏用相同的參考標(biāo) 號(hào)來表示那些與圖1-11中描述的部件相同或相似的部件，并且將省 略關(guān)于上述元件的進(jìn)一 步的重復(fù)i兌明。
參照?qǐng)D13，阻光層220包括主阻光部222和子阻光部224。
主阻光部222沿每個(gè)單位^象素的邊纟彖形成，以《更覆蓋棚4及線 120、 lt據(jù)線150和薄膜晶體管160。主阻光部222覆蓋lt據(jù)線150 的部分沿第一方向的寬度可以在大約21 |im至大約25 (am之間。
子阻光部224從主阻光部222突出到其中未形成域限定件252 的區(qū)i或。子阻光部224可以以大約1 |am至大約2 |am的長(zhǎng)度從主阻 光部222突出到左側(cè)。
子阻光部224包^"第一上部子阻光層UBM1、第一下部子阻光 層LBM1、第二上部子阻光層UBM2和第二下部子阻光層LBM2。
第 一上部子阻光層UBM1突出到像素電極180的第 一上部像素 UP1的端部，該端部中未形成共用電才及250的第一上部分支USP1。 第一上部子阻光層UBM1相對(duì)于凝:才居線150在右側(cè)處突出，以覆蓋 像素電極180的第一上部像素UP1的端部的一部分。
第一下部子阻光層LBM1突出到像素電極180的第一下部像素 LP1的端部，該端部中未形成共用電才及250的第一下部分支LSP1。 第一下部子阻光層LBM1相對(duì)于數(shù)據(jù)線150在右側(cè)處突出，以覆蓋 像素電極180的第一下部像素LP1的端部的一部分。
第二上部子阻光層UBM2突出到像素電極180的第二上部像素 UP2的端部，該端部中未形成共用電才及250的第二上部分支USP2。 第二上部子阻光層UBM2相對(duì)于數(shù)據(jù)線150在左側(cè)處突出，以覆蓋 像素電極180的第二上部像素UP2的端部的一部分。
第二下部子阻光層LBM2突出到像素電極180的第二下部像素 LP2的端部，該端部中未形成共用電才及250的第二下部分支LSP2。 第二下部子阻光層LBM2相只于于彩j居線150在右側(cè)處突出，以覆蓋 像素電極180的第二下部像素LP2的端部的一部分。
在一個(gè)示例性實(shí)施例中，第二上部子阻光層UBM2和第二下部 子阻光層LBM2可以;f皮此電連4妄并一體i也形成。當(dāng)用在文中時(shí)， "一體地，，用來表示形成為單個(gè)單元或部件，而不是結(jié)合或包括多 個(gè)分離元4牛。
當(dāng)顯示面板接收到外部沖擊時(shí)，第二基板200相對(duì)于第 一基板 100可以向右移動(dòng)，或者可以向左移動(dòng)。當(dāng)單元間隙保持件260不 是相對(duì)于數(shù)據(jù)線150形成于左側(cè)或右側(cè)處而是形成于彼此相鄰的數(shù) 據(jù)線150之間的中心處時(shí)，第二基板200相對(duì)于第一基板100可能 與左側(cè)或右側(cè)不7于齊。
在所示的實(shí)施例中，第一上部子阻光層UBM1和第一下部子阻 光層LBM1相對(duì)于主阻光部222形成于右側(cè)處，從而減少了或有效 地防止了由于第二基板200相對(duì)于第一基板IOO在左側(cè)處的移動(dòng)而 造成的光線泄漏。另外，第二上部子阻光層UBM2和第二下部子阻 光層LBM2相對(duì)于主阻光部222形成于左側(cè)處，乂人而減少了或有效 地防止了由于第二基板200相對(duì)于第 一基板100在右側(cè)處的移動(dòng)而 造成的光線泄漏。有利地，當(dāng)子阻光層沿與第二基板200相對(duì)于第 一基板100的移動(dòng)相反的方向延伸時(shí)，減少或有效地防止了由于移 動(dòng)而可能造成的光線泄漏。
在所示的實(shí)施例中，第一和第二上部子阻光層UBM1和UBM2 沿主阻光部222的第二方向相對(duì)-波此交4晉布置。第一和第二上部子 阻光層UBM1和UBM2的部分沿第一方向;f皮此交迭。第一和第二 下部子阻光層LBM1和LBM2沿主阻光部222的第二方向相對(duì)獨(dú): 此交4晉布置。第一和第二下部子阻光層LBM1和LBM2的部分沿 第一方向4皮此交迭?？商鎿Q地，第一和/或第二子阻光層可以構(gòu)造 成單個(gè)(例如， 一體的)元件。
圖14是示出了根據(jù)本發(fā)明的顯示面板的單位像素的另一示例 性實(shí)施例的平面圖。除了阻光層和存4諸線之外，圖14中的顯示面 玲反基本上與圖1-11中的顯示面;^反相同。因此，將〗吏用相同的參考標(biāo) 號(hào)來表示那些與圖1-11中描述的部件相同或相似的部件，并且將省 略關(guān)于上述元件的進(jìn)一步的重復(fù)i兌明。圖15是示出了圖14單位i象 素中的阻光層的示例性實(shí)施例的平面圖。
參照?qǐng)D14和圖15，阻光層220沿每個(gè)單位^像素的邊^(qū)^形成， 以便覆蓋柵極線120、數(shù)據(jù)線150和薄膜晶體管160。在一個(gè)示例 性實(shí)施例中，阻光層220可以進(jìn)一步延伸到其中未形成域限定件252 的區(qū)i或。
圖16是示出了圖14單位像素的存儲(chǔ)線的示例性實(shí)施例的平面 圖。圖17是沿圖14的線IV-IV'截取的截面圖。圖18是沿圖14的 線V-V'截取的截面圖。
參照?qǐng)D14和圖16至圖18,存儲(chǔ)線130包括主存儲(chǔ)部132、第 一子存〗諸部134、第二子存^f諸部136和阻光存〗諸部138。
主存々者部132形成于每個(gè)單位-像素的上部處，即，例如當(dāng)在平 面圖中》見看時(shí)形成于4冊(cè)才及線120下方。
第一子存儲(chǔ)部134沿第二方向從主存儲(chǔ)部132延伸，并且與傳_ 素電極180的端部相交迭。第一子存儲(chǔ)部134與相鄰數(shù)據(jù)線150的 右側(cè)隔開預(yù)定距離，并且基本上平行于數(shù)據(jù)線150形成。
第二子存^f諸部136沿第二方向從主存儲(chǔ)部132延伸，并且與傳_ 素電極180的一部分相交迭(例如，在像素電極180的最右側(cè)上)。 第二子存^f諸部136與相鄰凄W居線150的左側(cè)相隔開，并且基本上平 行于數(shù)據(jù)線150形成。
分別地，相對(duì)于凄t據(jù)線150，第一子存4諸部134形成于右側(cè)處， 并且第二子存^f渚部136形成于左側(cè)處。
阻光存儲(chǔ)部138將第一子存儲(chǔ)部134電連4妄于第二子存儲(chǔ)部 136。阻光存儲(chǔ)部138部分地與數(shù)據(jù)線150的一部分交迭(例如， 當(dāng)在平面圖中觀看時(shí))。第一子存儲(chǔ)部134和第二子存儲(chǔ)部136分 別相對(duì)于lt據(jù)線15(H殳置于相對(duì)側(cè)處。阻光存4諸部138面對(duì)凄t據(jù)線 150(例如，垂直于圖14-16的平面圖乂見看)并且^f應(yīng)于其中未形成 共用電極250的域限定件252的區(qū)域。
參照?qǐng)D16，阻光存卡者部138包4舌第一阻光電才及ST1和第二阻 光電極ST2。第一阻光電極ST1形成于像素電極180的第二上部《象 素UP2的端部?jī)?nèi)，該端部對(duì)應(yīng)于其中未形成共用電極250的第二上 部域限定部UMP2的區(qū)域。第二阻光電極ST2形成于像素電極180 的第二下部^f象素LP2的端部?jī)?nèi)，該端部只于應(yīng)于其中未形成共用電招^ 250的第二下部域限定部LMP2的區(qū)域。
如所示實(shí)施例中所示，阻光存儲(chǔ)部138與數(shù)據(jù)線150的一部分 相交迭以阻擋光線(例如，由圖18中箭頭所示)，乂人而減少或有刻: 防止由于第一和第二基板100和200的不對(duì)齊而造成的光線泄漏。
阻光存4諸部138基本上分別覆蓋或填充H據(jù)線150與第一或第二存 4諸部134或136之間的空間(例如，當(dāng)在平面圖中》見看時(shí))。
當(dāng)阻光存卞者部138未i殳置于第一和第二子存々者部134和136之 間時(shí)，在第一基板100下方產(chǎn)生的光線可能進(jìn)入數(shù)據(jù)線150與第一 子存4諸部134之間的或者凄t據(jù)線150與第二子存^f諸部136之間的空 間內(nèi)。結(jié)果，光線可能由于第一基板100與第二基板200之間的不 對(duì)齊(諸如，由外部沖擊造成的不齊)而泄漏。
但是，如所示實(shí)施例中所示的，進(jìn)入數(shù)據(jù)線150與第一子存儲(chǔ) 部134之間的或者數(shù)據(jù)線150與第二子存儲(chǔ)部136之間的空間內(nèi)的 光線基本上完全^皮阻光存^f諸部138阻擋，乂人而減少或有效防止由于 第一基板100與第二基板200的不對(duì)齊而造成的光線泄漏。
圖19是示出了根據(jù)本發(fā)明的顯示面板的單位像素的一部分的 示例性實(shí)施例的截面圖。除了阻光層和存4諸線之外，圖19中的顯 示面板基本上與圖14-18中的顯示面板相同。因此，將使用相同的 參考標(biāo)號(hào)來表示那些與圖14-18中描述的部件相同或相似的部件， 并且將省略關(guān)于上述元件的進(jìn)一步的重復(fù)說明。
參照?qǐng)D19，阻光存4諸部138 乂人第一和第二子存l諸部134和136 中的一個(gè)延伸至數(shù)據(jù)線150，并且與數(shù)據(jù)線150的一部分相交迭， 諸如，不面對(duì)整個(gè)數(shù)據(jù)線150?？商鎿Q地，阻光存儲(chǔ)部138可以從 第一或第二子存4渚部134、 136中的一個(gè)延伸、面對(duì)整個(gè)凄t據(jù)線150 和/或延伸到凄t據(jù)線150與第一或第二子存4渚部134、 136中另一個(gè) 之間的間隙內(nèi)。
在示例性實(shí)施例中，當(dāng)單元間隙保持件260相對(duì)于數(shù)據(jù)線150 形成于第一側(cè)處時(shí)，阻光存々者部138可以相對(duì)于ft據(jù)線150延伸到 第一側(cè)，并且可以與凄t才居線150的一部分相交迭。
在一個(gè)示例性實(shí)施例中，當(dāng)單元間隙保持件260相對(duì)于數(shù)據(jù)線 150形成于右側(cè)處時(shí)，阻光存4諸部138可以從第二子存4諸部136延 伸到右側(cè)，并且可以與ft悟線150的一部分相交迭。
可替換地，當(dāng)單元間隙保持件260相對(duì)于數(shù)據(jù)線150形成于左 側(cè)處時(shí)，阻光存儲(chǔ)部138可以從第二子存儲(chǔ)部136延伸到左側(cè)，并 且可以與數(shù)據(jù)線150的一部分相交迭。
阻光存儲(chǔ)部138面對(duì)數(shù)據(jù)線150，并且對(duì)應(yīng)于其中未形成共用 電極250的域限定件252的區(qū)域。在示例性實(shí)施例中，阻光存儲(chǔ)部 138可以包括第一阻光電4及和/或第二阻光電纟及。第一阻光電一及可以 形成于〗象素電才及180的第二上部^f象素UP2的端部?jī)?nèi)，該端部只于應(yīng)于 其中未形成共用電才及250的第二上部域限定部UMP2的區(qū)域。第二 阻光電4及可以形成于^f象素電才及180的第二下部〗象素LP2的端部?jī)?nèi)， 該端部^f應(yīng)于其中未形成共用電才及的第二下部i或限定部LMP2的 區(qū)域。
如所示實(shí)施例中所示的，阻光存儲(chǔ)部138與數(shù)據(jù)線150的一部 分相交迭，并且阻擋進(jìn)入數(shù)據(jù)線150與第一子存儲(chǔ)部134之間的和 /或凄t據(jù)線150與第二子存儲(chǔ)部136之間的空間內(nèi)的光線，從而減少 或有效防止由于第一和第二基板100和200的不對(duì)齊而造成的光線泄漏。
在一個(gè)示例性實(shí)施例中，阻光存4諸部138的與凝:才居線150相交 迭的區(qū)域可以被最小化，從而通過阻光存儲(chǔ)部138而提高數(shù)據(jù)線150 的數(shù)據(jù)信號(hào)的傳輸特性。
如所示實(shí)施例中所示的，子阻光部乂人主阻光部突出到其中未形 成共用電極的域限定件的區(qū)域內(nèi)，并且阻光存儲(chǔ)部從第一和第二子 存儲(chǔ)部延伸以便對(duì)應(yīng)于其中未形成共用電極的域限定件的區(qū)域，并
且該阻光存儲(chǔ)部與數(shù)據(jù)線的 一部分相交迭，從而減少或有效防止諸 如由于第一和第二基板的不對(duì)齊而造成的光線泄漏，并且^是高圖傳— 顯示質(zhì)量。
到現(xiàn)在為止，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不脫離本發(fā)明的精神和范 圍的前提下對(duì)本發(fā)明顯示面板的材料、裝置、構(gòu)造和方法進(jìn)行多種 修改、替換和變化。根據(jù)這點(diǎn)，本發(fā)明的范圍不應(yīng)限于此處示出并 描述的特定實(shí)施例(因?yàn)樗鼈儍H為了示例的目的)的范圍，而是應(yīng) 該充分地與之后所附的權(quán)利要求及其功能等同物的范圍相匹配。
權(quán)利要求
1.一種顯示面板，其包括第一基板，包括柵極線，沿第一方向形成；數(shù)據(jù)線，沿基本上垂直于所述第一方向的第二方向形成；薄膜晶體管，電連接于所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線；以及像素電極，電連接于所述薄膜晶體管，并形成于單位像素內(nèi)；第二基板，包括共用電極，設(shè)置于所述第二基板上，對(duì)應(yīng)于所述像素電極；域限定件，將所述單位像素分隔成多個(gè)域，所述域限定件具有平行于所述數(shù)據(jù)線的部分；以及阻光層，其包括主阻光部，設(shè)置于所述單位像素的邊緣處，并覆蓋所述柵極線和所述數(shù)據(jù)線；以及子阻光部，從所述主阻光部延伸，其中，所述子阻光部朝向其中未設(shè)置平行于所述數(shù)據(jù)線的所述域限定件的區(qū)域而突出；以及液晶層，介于所述第一基板與所述第二基板之間。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其中，所述第二基板進(jìn)一步 包括單元間隙保持件，所述單元間隙保持件保持所述第一和第 二基板之間的單元間隙，并且相對(duì)于所述凄t據(jù)線i殳置于第一側(cè) 處。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示面板，其中，所述薄膜晶體管相對(duì) 于所述數(shù)據(jù)線設(shè)置在與所述第 一側(cè)相對(duì)的第二側(cè)處。
4. 才艮據(jù)4又利要求2所述的顯示面^反，其中，所述子阻光部從所述 主阻光部沿所述第一方向以1微米(jam )至2微米(pm )之 間的長(zhǎng)度而突出。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的顯示面板，其中，覆蓋所述數(shù)據(jù)線的所 述主阻光部的沿所述第一方向的寬度在21 pm至25 iam之間。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其中，所述域限定件包括本體，相對(duì)所述第一方向傾斜；以及分支，連4妻于所述本體的端部，并且沿所述第二方向延伸。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其中，所述像素電極包括彼 此電隔離第一Y象素部和第二^象素部，并且所域限定件包括第一域限定部，i殳置在對(duì)應(yīng)于所述第 一像素部的區(qū)域內(nèi)；以及第二域限定部，設(shè)置在對(duì)應(yīng)于所述第 二4象素部的區(qū)i或內(nèi)。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的顯示面板，其中，所述第一像素部被構(gòu) 造成圍繞所述第二像素部，并且所述第一和第二l象素部i殳置成相對(duì)于沿所述第一方向穿 過所述單位-像素的中心的々i想中心線基本上對(duì)稱。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8所述的顯示面板，其中，所述第一像素部包括 第一上部像素，其相對(duì)于所述假想中心線設(shè)置于所述第一像素 部的上側(cè)處；以及第一下部4象素，其相^j"于所述單^U象素的所 述4叚想中心線i殳置于所述第 一<象素部的下側(cè)處，并電連4妄于所 述第一上部^f象素，并且所述第二像素部包括第二上部像素，其相對(duì)于所述單 位像素的所述假想中心線設(shè)置于所述第二像素部的上側(cè)處；以 及第二下部像素，其相對(duì)于所述單位像素的所述假想中心線設(shè)置于所述第二^象素部的下側(cè)處。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的顯示面板，其中，所述第一和第二上部 像素沿第三方向延伸，所述第三方向相對(duì)于所述第 一方向傾斜 45度，并且所述第一和第二下部像素沿基本上垂直于所述第三方向 的第四方向延伸。
11. 根據(jù)權(quán)利要求10所述的顯示面板，其中，所述共用電極的所 述第一i或限定部包4舌第一上部i或限定部，沿所述第三方向延 伸，并對(duì)應(yīng)于所述第一上部Y象素；以及第一下部域限定部，沿 所述第四方向延伸，并只于應(yīng)于所述第一下部^象素，并且所述共用電極的所述第二域限定部包括第二上部域限 定部，沿所述第三方向延伸，并》t應(yīng)于所述第二上部^f象素；以 及第二下部i或限定部，沿所述第四方向延伸，并對(duì)應(yīng)于所述第二下部像素。
12. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示面板，其中，所述共用電極的所 述第一i或限定部進(jìn)一步包4舌第一上部分支，連4妄于所述第一上部域限定部的端部， 并且覆蓋所述像素電極的所述第 一上部像素端部的面對(duì)所述凄t據(jù)線的一部分；以及第一下部分支，連4妄于所述第一下部i或限定部的端部， 并且覆蓋所述像素電極的所述第一下部^f象素端部的面對(duì)所述 ^:據(jù)線的一部分。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的顯示面板，其中，所述阻光層的所述 子阻光部包4舌第一上部子阻光層，朝向所述^f象素電才及的所述第一上部 4象素的端部突出，所述端部中未"i殳置所述共用電才及的所述第一 上部分支；以及第一下部子阻光層，朝向所述l象素電才及的所述第一下部 ^像素的端部突出，所述端部中未i殳置所述共用電^L的所述第一 下部分支。
14. 根據(jù)權(quán)利要求11所述的顯示面板，其中，所迷共用電極的所 述第二域限定部進(jìn)一步包括第二上部分支，連接于所述第二上部域限定部的端部， 并且覆蓋所述{象素電極的所述第二上部<象素端部的面對(duì)所述 凄t據(jù)線的一部分；以及第二下部分支，連^妄于所述第二下部i或限定部的端部， 并且覆蓋所述<象素電才及的所述第二下部<象素端部的面對(duì)所述 數(shù)據(jù)線的一部分。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的顯示面板，其中，所述阻光層的所述 子阻光部包4舌第二上部子阻光層，朝向所述^f象素電才及的所述第二上部爿像素的端部突出，所述端部中未i殳置所述共用電才及的所述第二 上部分支；以及第二下部子阻光層，朝向所述^f象素電;fe的所述第二下部 4象素的端部突出，所述端部中未i殳置所述共用電才及的所述第二 下部分支。
16. 才艮據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示面板，其中，所述第一基板進(jìn)一步 包括與所述像素電極部分地交迭的存儲(chǔ)線，并且所述存儲(chǔ)線包括主存卡者部，平^f于所述4冊(cè)4及線；第一子存^f諸部，與所述^f象素電4及的第一端部相交迭；以及第二子存儲(chǔ)部，與所述像素電極的與所述第一端部 相對(duì)的第二端部相交迭。
17. 根據(jù)權(quán)利要求16所述的顯示面板，其中，所述存儲(chǔ)線進(jìn)一步 包括連接存儲(chǔ)部，所述連接存儲(chǔ)部將所述第 一子存儲(chǔ)部連接于 所述第二子存儲(chǔ)部，所述第 一子存儲(chǔ)部和所述第二子存儲(chǔ)部設(shè) 置在所述數(shù)據(jù)線的相對(duì)側(cè)。
18. 根據(jù)權(quán)利要求17所述的顯示面板，其中，所述連接存儲(chǔ)部對(duì) 應(yīng)于其中未設(shè)置平行于所述數(shù)據(jù)線的所述域限定件的區(qū)域。
19. 一種顯示面4反，其包括第一基板，包括才冊(cè)才及線，沿第一方向形成； 數(shù)據(jù)線，沿基本上垂直于所述第一方向的第二方向形成；薄膜晶體管，電連^妄于所述4冊(cè)極線和所述lt據(jù)線；像素電極，電連接于所述薄膜晶體管；以及存儲(chǔ)線，與所述像素電極以及與所述數(shù)據(jù)線的一部 分交迭；第二基才反，包^舌 阻光層；以及共用電才及，對(duì)應(yīng)于所述〗象素電才及，以及域限定件，分隔出多個(gè)域，所述域限定件鄰近于所 述存〗渚線；以及液晶層，介于所述第一基板與所述第二基板之間。
20. 才艮據(jù)權(quán)利要求19所述的顯示面板，其中，所述存儲(chǔ)線包括主存〗諸部，沿所述第一方向延伸；第一子存儲(chǔ)部，從所述主存儲(chǔ)部沿所述第二方向延伸， 并且與所述像素電極的第 一端部相交迭；第二子存儲(chǔ)部，乂人所述主存々者部沿所述第二方向延伸， 并且與所述像素電才及的與所述第 一端部相對(duì)的第二端部相交 迭；以及連接存儲(chǔ)部，將所述第一子存儲(chǔ)部連接于所述第二子存 儲(chǔ)部，所述第一子存儲(chǔ)部和所述第二子存儲(chǔ)部設(shè)置在所述數(shù)據(jù)線的相^H則處并與所述lt:梧線的一部分相交迭。
21. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的顯示面板，其中，所述第二基板進(jìn)一 步包括單元間隙保持件，所述單元間隙保持件保持所述第一和 第二基板之間的單元間隙，并且相對(duì)于所述數(shù)據(jù)線設(shè)置于第一 側(cè)處，并且所述阻光存儲(chǔ)部相對(duì)于所述數(shù)據(jù)線朝向所述第 一 側(cè)延伸。
22.才艮據(jù)4又利要求20所述的顯示面4反，其中，所述域限定件包括 本體，相對(duì)所述第一方向傾斜；以及分支，連4妄于所述本體， 并且沿所述第二方向延伸，并且所述阻光層的所述子阻光部朝向其中未設(shè)置所述分支的 區(qū)域突出。
全文摘要
一種顯示面板包括第一基板、第二基板和液晶層。第一基板包括信號(hào)線；薄膜晶體管，電連接于信號(hào)線；以及像素電極，電連接于薄膜晶體管，并設(shè)置于單位像素內(nèi)。第二基板包括阻光層，阻擋光線；共用電極，包括域限定件，形成于阻光層上并對(duì)應(yīng)于像素電極。液晶層設(shè)置于第一基板與第二基板之間。阻光層包括主阻光部，設(shè)置于單位像素的邊緣處，并覆蓋信號(hào)線；以及子阻光部，從主阻光部延伸到其中未設(shè)置域限定件的區(qū)域內(nèi)。
文檔編號(hào)G02F1/133GK101097378SQ20071012325
公開日2008年1月2日 申請(qǐng)日期2007年7月2日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月30日
發(fā)明者金東奎 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社