專利名稱::輻射系統(tǒng)和光刻設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域:
:本發(fā)明涉及一種輻射系統(tǒng)和光刻設(shè)備。具體地,本發(fā)明涉及一種用于提供投影輻射束的輻射系統(tǒng)。所述輻射系統(tǒng)包括用于提供極紫外輻射的極紫外輻射源;以及污染物阻擋件,所述污染物阻擋件包括用于俘獲來(lái)自輻射源的污染物材料的多個(gè)緊密排布的箔片板。
背景技術(shù):
:光刻設(shè)備是一種將所需圖案應(yīng)用到襯底上(通常到所述襯底的目標(biāo)部分上)的機(jī)器。例如,可以將光刻設(shè)備用在集成電路(IC)的制造中。在這種情況下,可以將可選地稱為掩?;蜓谀0?reticle)的圖案形成裝置用于生成在所述IC的單層上待形成的電路圖案。可以將該圖案轉(zhuǎn)移到襯底(例如,硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如,包括一部分管芯、一個(gè)或多個(gè)管芯)上。典型地,經(jīng)由成像將所述圖案轉(zhuǎn)移到在所述襯底上設(shè)置的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。通常,單獨(dú)的襯底將包含連續(xù)形成圖案的相鄰目標(biāo)部分的網(wǎng)絡(luò)。公知的光刻設(shè)備包括所謂步進(jìn)機(jī),在所述步進(jìn)機(jī)中,通過(guò)將全部圖案一次曝光到所述目標(biāo)部分上來(lái)輻射每一個(gè)目標(biāo)部分;以及所謂掃描器,在所述掃描器中,通過(guò)輻射束沿給定方向("掃描"方向)掃描所述圖案、同時(shí)沿與該方向平行或反向平行的方向掃描所述襯底來(lái)輻射每一個(gè)目標(biāo)部分。還可以通過(guò)將所述圖案壓印(imprinting)到所述襯底上,將所述圖案從所述圖案形成裝置轉(zhuǎn)移到所述襯底上。除去極紫外輻射(EUV)之外,用于EUV光刻中的輻射源生成對(duì)于光學(xué)裝置和進(jìn)行光刻過(guò)程的工作環(huán)境有害的污染物材料。這尤其是對(duì)于經(jīng)由激光誘導(dǎo)等離子體或放電等離子體操作的EUV源的情況。因此,在EUV光刻中,存在限制光學(xué)系統(tǒng)的污染的需求,所述光學(xué)系統(tǒng)設(shè)置用于調(diào)節(jié)來(lái)自EUV源的輻射束。為此,例如采用如EP1491963所公開的所謂箔片阱。箔片阱采用大量緊密排布的箔,所述箔基本平行于由EUV源生成的光的方向而對(duì)齊。污染物碎屑(例如微米顆粒、納米顆粒和離子等)可以在由箔片板所提供的壁中被俘獲。因此,所述箔片阱用作污染物阻擋件,所述污染物阻擋件用于俘獲來(lái)自所述源的污染物材料。已知的轉(zhuǎn)動(dòng)的箔片阱以沿著所述系統(tǒng)的光軸定向的旋轉(zhuǎn)軸被定向。由于在所述箔片阱的整個(gè)旋轉(zhuǎn)過(guò)程中箔片板被照射,所以這導(dǎo)致相對(duì)高的熱載荷。另外,沿著光軸對(duì)齊的所述配置要求在所述源的前面具有相對(duì)大的空間,這將使所述EUV輻射傳播到下游光學(xué)裝置出現(xiàn)問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容旨在進(jìn)一步限制在所述源前面的污染物阻擋件的有效空間,并限制其上的熱載荷。還旨在提供一種輻射系統(tǒng),所述輻射系統(tǒng)優(yōu)選地在保持優(yōu)化的輻射量的同時(shí)免受污染。根據(jù)實(shí)施例,提供一種用于提供投影輻射束的輻射系統(tǒng)。所述輻射系統(tǒng)包括極紫外輻射源,所述極紫外輻射源用于提供極紫外輻射;以及污染物阻擋件,所述污染物阻擋件包括多個(gè)緊密排布的箔片板,所述箔片板用于俘獲來(lái)自所述輻射源的污染物材料。所述污染物阻擋件包圍極紫外輻射源。特別地,根據(jù)本發(fā)明,所述污染物阻擋件包圍所述極紫外輻射源。因此,所述被包圍的極紫外輻射源位于所述污染物阻擋件內(nèi),以使得所述污染物阻擋件整個(gè)地包圍所述源。根據(jù)實(shí)施例,提供一種光刻設(shè)備,所述光刻設(shè)備包括用于提供輻射束的輻射系統(tǒng)。所述輻射系統(tǒng)包括極紫外輻射源,所述極紫外輻射源用于提供極紫外輻射;以及污染物阻擋件,所述污染物阻擋件包括多個(gè)緊密排布的箔片板,所述箔片板用于捕獲來(lái)自所述輻射源的污染物材料。所述污染物阻擋件包圍所述極紫外輻射源。所述設(shè)備也包括圖案形成裝置,所述圖案形成裝置用于圖案化所述輻射束;以及投影系統(tǒng),所述投影系統(tǒng)用于將圖案化的輻射束投影到襯底上。在此僅借助示例,參照所附示意圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行描述,在所附示意圖中,相同的附圖標(biāo)記表示相同的部分,且其中圖l示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的光刻設(shè)備;圖2是根據(jù)本發(fā)明的第一個(gè)實(shí)施例的俯視圖;圖3是如圖2所示的實(shí)施例的側(cè)向剖視圖4是用于實(shí)現(xiàn)屏蔽件的主動(dòng)冷卻的可選實(shí)施例的側(cè)向剖視圖;圖5示出將箔片阱的箔片用作抽吸葉片而實(shí)現(xiàn)抽吸的可選實(shí)施例;圖6示出本發(fā)明的另一個(gè)可選實(shí)施例;圖7示出本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例;以及圖8示出本發(fā)明的實(shí)施例。具體實(shí)施例方式圖l示意性地示出根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例的光刻設(shè)備。所述設(shè)備包括照射系統(tǒng)(照射器)IL,配置用于調(diào)節(jié)輻射束B(例如,紫外(UV)輻射或EUV輻射);支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺(tái))MT,配置用于支撐圖案形成裝置(例如掩模)MA并與配置用于根據(jù)確定的參數(shù)精確地定位圖案形成裝置的第一定位器PM相連;襯底臺(tái)(例如晶片臺(tái))WT,配置用于保持襯底(例如涂覆有抗蝕劑的晶片)W,并與配置用于根據(jù)確定的參數(shù)精確地定位襯底的第二定位器PW相連;以及投影系統(tǒng)(例如折射式投影透鏡系統(tǒng))PS,所述投影系統(tǒng)PS配置用于將由圖案形成裝置MA賦予輻射束B的圖案投影到襯底W的目標(biāo)部分C(例如包括一根或多根管芯)上。所述照射系統(tǒng)可以包括各種類型的光學(xué)部件,例如折射型、反射型、磁性型、電磁型、靜電型或其他類型的光學(xué)部件、或其任意組合,以引導(dǎo)、成形、或控制輻射。支撐結(jié)構(gòu)支撐圖案形成裝置,即承受圖案形成裝置的重量。其以依賴于圖案形成裝置的取向、光刻設(shè)備的設(shè)計(jì)以及諸如圖案形成裝置是否保持在真空環(huán)境中等其他條件的方式保持圖案形成裝置。所述支撐結(jié)構(gòu)可以采用機(jī)械的、真空的、靜電的或其他夾持技術(shù)保持圖案形成裝置。所述支撐結(jié)構(gòu)可以是框架或臺(tái),例如,其可以根據(jù)需要成為固定的或可移動(dòng)的。所述支撐結(jié)構(gòu)可以確保圖案形成裝置位于所需的位置上(例如相對(duì)于投影系統(tǒng))。在這里任何使用的術(shù)語(yǔ)"掩模版"或"掩模"都可以認(rèn)為與更上位的術(shù)語(yǔ)"圖案形成裝置"同義。這里所使用的術(shù)語(yǔ)"圖案形成裝置"應(yīng)該被廣義地理解為表示能夠用于將圖案在輻射束的橫截面上賦予輻射束以便在襯底的目標(biāo)部分上形成圖案的任何裝置。應(yīng)當(dāng)注意,被賦予輻射束的圖案可能不與在襯底的目標(biāo)部分上所需的圖案完全相符(例如如果該圖案包括相移特征或所謂輔助特征)。通常,被賦予輻射束的圖案將與在目標(biāo)部分上形成的器件中的特定的功能層相對(duì)應(yīng),例如集成電路。圖案形成裝置可以是透射式的或反射式的。圖案形成裝置的示例包括掩模、可編程反射鏡陣列以及可編程液晶顯示(LCD)面板。掩模在光刻中是公知的,并且包括諸如二元掩模類型、交替型相移掩模類型、衰減型相移掩模類型和各種混合掩模類型之類的掩模類型??删幊谭瓷溏R陣列的示例采用小反射鏡的矩陣布置,可以獨(dú)立地傾斜每一個(gè)小反射鏡,以便沿不同方向反射入射的輻射束。所述已傾斜的反射鏡將圖案賦予由所述反射鏡矩陣反射的輻射束。應(yīng)該將這里使用的術(shù)語(yǔ)"投影系統(tǒng)"廣義地解釋為包括任意類型的投影系統(tǒng),包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、電磁型和靜電型光學(xué)系統(tǒng)、或其任意組合,如對(duì)于所使用的曝光輻射所適合的、或?qū)τ谥T如使用浸沒液或使用真空之類的其他因素所適合的。這里使用的任何術(shù)語(yǔ)"投影透鏡"可以認(rèn)為是與更上位的術(shù)語(yǔ)"投影系統(tǒng)"同義。如這里所示的,所述設(shè)備是反射型的(例如,采用反射式掩模)。替代地,所述設(shè)備可以是透射型的(例如,采用透射式掩模)。所述光刻設(shè)備可以是具有兩個(gè)(雙臺(tái))或更多襯底臺(tái)(和/或兩個(gè)或更多的掩模臺(tái))的類型。在這種"多臺(tái)"機(jī)器中,可以并行地使用附加的臺(tái),或可以在將一個(gè)或更多個(gè)其他臺(tái)用于曝光的同時(shí),在一個(gè)或更多個(gè)臺(tái)上執(zhí)行預(yù)備步驟。所述光刻設(shè)備也可以是其中至少一部分襯底可以被具有相對(duì)高折射率的液體(例如水)覆蓋的類型,以便填充投影系統(tǒng)和襯底之間的空隙。浸沒液也可以被應(yīng)用到光刻設(shè)備中的其他空隙中(例如在所述掩模和投影系統(tǒng)之間)。浸沒技術(shù)用于增加投影系統(tǒng)的數(shù)值孔徑在本領(lǐng)域中是公知的。這里所使用的該術(shù)語(yǔ)"浸沒"并不意味著結(jié)構(gòu)(例如襯底)必須浸在液體200680045796.6說(shuō)明書第5/14頁(yè)中,而僅僅意味著在曝光過(guò)程中,液體位于投影系統(tǒng)和襯底之間。參照?qǐng)D1,所述照射器IL接收從輻射源SO發(fā)出的輻射束。該源和所述光刻設(shè)備可以是分立的實(shí)體(例如當(dāng)該源為準(zhǔn)分子激光器時(shí))。在這種情況下,不會(huì)將該源考慮成光刻設(shè)備的組成部分,并且通過(guò)包括例如合適的引導(dǎo)反射鏡和/或擴(kuò)束器的束傳遞系統(tǒng)的幫助,將所述輻射束從所述源SO傳到所述照射器IL。在其他情況下,所述源可以是所述光刻設(shè)備的組成部分(例如當(dāng)所述源是汞燈時(shí))??梢詫⑺鲈碨O和所述照射器IL、以及如果需要時(shí)的所述束傳遞系統(tǒng)一起稱作輻射系統(tǒng)。所述照射器IL可以包括用于調(diào)整所述輻射束的角強(qiáng)度分布的調(diào)整器。通常,可以對(duì)所述照射器的光瞳平面中的強(qiáng)度分布的至少所述外部和/或內(nèi)部徑向范圍(一般分別稱為^-外部和cT-內(nèi)部)進(jìn)行調(diào)整。此外,所述照射器IL可以包括各種其他部件,例如積分器和聚光器。可以將所述照射器用于調(diào)節(jié)所述輻射束,以在其橫截面中具有所需的均勻性和強(qiáng)度分布。所述輻射束B入射到保持在支撐結(jié)構(gòu)(例如,掩模臺(tái)MT)上的所述圖案形成裝置(例如,掩模MA)上,并且通過(guò)所述圖案形成裝置MA來(lái)形成圖案。己經(jīng)穿過(guò)圖案形成裝置MA之后,所述輻射束B通過(guò)投影系統(tǒng)PS,所述PS將輻射束聚焦到所述襯底W的目標(biāo)部分C上。通過(guò)第二定位器PW和位置傳感器IF2(例如,干涉儀器件、線性編碼器或電容傳感器)的幫助,可以精確地移動(dòng)所述襯底臺(tái)WT,例如以便將不同目標(biāo)部分C定位于所述輻射束B的路徑中。類似地,例如在從掩模庫(kù)的機(jī)械獲取之后,或在掃描期間,可以將所述第一定位器PM和另一個(gè)位置傳感器IF1用于將掩模MA相對(duì)于所述輻射束B的路徑精確地定位。通常,可以通過(guò)形成所述第一定位器PM的一部分的長(zhǎng)行程模塊(粗定位)和短行程模塊(精定位)的幫助來(lái)實(shí)現(xiàn)掩模臺(tái)MT的移動(dòng)。類似地,可以采用形成所述第二定位器PW的一部分的長(zhǎng)行程模塊和短行程模塊來(lái)實(shí)現(xiàn)所述襯底臺(tái)WT的移動(dòng)。在步進(jìn)機(jī)的情況下(與掃描器相反),所述掩模臺(tái)MT可以僅與短行程致動(dòng)器相連,或可以是固定的。可以使用掩模對(duì)齊標(biāo)記M1、M2和襯底對(duì)齊標(biāo)記P1、P2來(lái)對(duì)齊掩模MA和襯底W。盡管所示的襯底對(duì)齊標(biāo)記占據(jù)了專用目標(biāo)部分,但是他們可以位于目標(biāo)部分之間的空隙(這些公知為劃線對(duì)齊標(biāo)記)上。類似地,在將多于一個(gè)的管芯設(shè)置在掩模MA上的情況下,所述掩模對(duì)齊標(biāo)記可以位于所述管芯之間??梢詫⑺鲈O(shè)備用于以下模式的至少一種1.在步進(jìn)模式中,在將賦予所述輻射束的整個(gè)圖案一次投影到目標(biāo)部分C上的同時(shí),將掩模臺(tái)MT和所述襯底臺(tái)WT保持為基本靜止(即,單一的靜態(tài)曝光)。然后將所述襯底臺(tái)WT沿X和/或Y方向移動(dòng),使得可以對(duì)不同目標(biāo)部分C曝光。在步進(jìn)模式中,曝光場(chǎng)的最大尺寸限制了在單一的靜態(tài)曝光中成像的所述目標(biāo)部分C的尺寸。2.在掃描模式中,在將賦予所述輻射束的圖案投影到目標(biāo)部分C上的同時(shí),對(duì)掩模臺(tái)MT和襯底臺(tái)WT同步地進(jìn)行掃描(即,單一的動(dòng)態(tài)曝光)。襯底臺(tái)WT相對(duì)于掩模臺(tái)MT的速度和方向可以通過(guò)所述投影系統(tǒng)PS的(縮小)放大率和圖像反轉(zhuǎn)特征來(lái)確定。在掃描模式中,曝光場(chǎng)的最大尺寸限制了單一的動(dòng)態(tài)曝光中的所述目標(biāo)部分的寬度(沿非掃描方向),而所述掃描運(yùn)動(dòng)的長(zhǎng)度確定了所述目標(biāo)部分的高度(沿所述掃描方向)。3.在另一個(gè)模式中,將用于保持可編程圖案形成裝置的掩模臺(tái)MT保持為基本靜止?fàn)顟B(tài),并且在將賦予所述輻射束的圖案投影到目標(biāo)部分C上的同時(shí),對(duì)所述襯底臺(tái)WT進(jìn)行移動(dòng)或掃描。在這種模式中,通常采用脈沖輻射源,并且在所述襯底臺(tái)WT的每一次移動(dòng)之后、或在掃描期間的連續(xù)輻射脈沖之間,根據(jù)需要更新所述可編程圖案形成裝置。這種操作模式可易于應(yīng)用于利用可編程圖案形成裝置(例如,如上所述類型的可編程反射鏡陣列)的無(wú)掩模光刻中。也可以采用上述使用模式的組合和/或變體,或完全不同的使用模式。圖2示出根據(jù)本發(fā)明的用于輻射系統(tǒng)1的基本配置。在圖2中,虛線表示來(lái)自EUV源3的EUV輻射2,所述EUV源3典型地為激光誘導(dǎo)等離子體源或放電等離子體源(例如錫、鋰或氙源),然而,其他的源也是可能的。箔片阱用作污染物阻擋件4,所述污染物阻擋件4用于俘獲來(lái)自輻射源3的污染物材料。為此,污染物阻擋件4設(shè)置有多個(gè)緊密排布的箔片板5,典型地所述箔片板5以0.3-5mm(通常在lmm左右)的間距設(shè)置,而箔片板5形成具有大致為矩形的形狀并依據(jù)如圖3所示的圓柱形狀進(jìn)行安裝。污染物阻擋件4可相對(duì)于源3轉(zhuǎn)動(dòng),并包圍源3。在所示的實(shí)施例中,所述污染物阻擋件是可轉(zhuǎn)動(dòng)的,然而,不可轉(zhuǎn)動(dòng)的變體在包括合適的裝置(諸如用于在所述箔片內(nèi)俘獲碎屑的緩沖氣體或電磁場(chǎng)等)時(shí)是可行的。而且,源3可以是可轉(zhuǎn)動(dòng)的。進(jìn)而,有利地,源3處于通過(guò)所述多個(gè)箔片板5所延伸的平面的相交位置中,所述源3限定所述污染物阻擋件的光學(xué)中心,所述光學(xué)中心在圖2所示的實(shí)施例中與所述污染物阻擋件4的中心軸線相符。在所述中心中,對(duì)于類似EUV源的理想點(diǎn),輻射通過(guò)基本平行的箔片,而且所述輻射的屏蔽最小并僅在相應(yīng)地保持最小的箔片板厚度上(不包括機(jī)械完整性)發(fā)生。典型值可能為大約100微米,所述典型值可能導(dǎo)致大約10%的屏蔽。進(jìn)而,圖2示出根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的污染物阻擋件4有利地包括屏蔽件6,屏蔽件6使所述污染物阻擋件4免受所述EUV源3的影響,并部分地包圍所述EUV源3。在圖2中,屏蔽件6是圓柱形狀的,并部分包圍源3。通過(guò)屏蔽件6限定45。角的孔7,在污染物阻擋件4上的所估計(jì)的熱輻射熱載荷可以被減小30%,這可能導(dǎo)致污染物阻擋件4的溫度的很大的下降。通常,孔7的尺寸將在優(yōu)化光輸出和最小化熱載荷之間權(quán)衡選擇,其中典型的值將在30°至60°之間變化。進(jìn)而,屏蔽件6被表示為可吸收EUV輻射,這如圖4所示,導(dǎo)致屏蔽件6的很大的熱載荷。然而,包括反射屏蔽件等其他形式也是可能的,這可能成形以優(yōu)化輻射系統(tǒng)l的輻射量。圖3示出如圖2所示的輻射系統(tǒng)1的側(cè)視圖。在此,示出基本為圓柱形的污染物阻擋件4,所述污染物阻擋件4以可轉(zhuǎn)動(dòng)的方式沿著圓柱軸線安裝在轉(zhuǎn)軸8上,其具有良好的可制造性。箔片板5位于相對(duì)的固定架9、10之間。在所示的實(shí)施例中,下固定架9是環(huán)狀的,這允許所述系統(tǒng)的底側(cè)是開放的。相應(yīng)地,源3可以通過(guò)將電極(未示出)經(jīng)由環(huán)狀固定架9提供給所述源而從下方容易地安裝和操作。上固定架10是盤狀的,并被安裝到轉(zhuǎn)軸8上,所述轉(zhuǎn)軸8通過(guò)合適的驅(qū)動(dòng)裝置(未示出)被操作。徑向狹縫可以被設(shè)置用于將箔片5安裝到固定架9、IO上(未示出)。箔片5的尺寸典型為20X200mm,且所述盤具有大約200-300mm的直徑,然而,在必要時(shí)其他尺寸也是可以的。優(yōu)選地,箔片板5的高度(對(duì)應(yīng)于長(zhǎng)度尺寸)被選擇用于優(yōu)化朝向采集器光學(xué)裝置(未示出)的光輻射量,其中所述采集器光學(xué)裝置位于輻射系統(tǒng)的前面,用于將EUV輻射從所述輻射系統(tǒng)1會(huì)聚到另外的下游的EUV光學(xué)裝置,尤其是到如圖l所示的光刻設(shè)備的投影光學(xué)裝置。這種采集器元件可能包括與入射反射表面相切形成的殼。替代地,其可能為多層正入射類型。在所示的實(shí)施例中,由污染物阻擋件4的圓柱形狀產(chǎn)生小的不對(duì)稱度。這表明對(duì)于碎屑和對(duì)于EUV光的阻擋路徑可以隨著仰角而變化。更加球?qū)ΨQ的形狀可以由污染物阻擋件4提供,其中箔片5形成具有弧形的形狀,并根據(jù)球形安裝。然而,出于考慮可制造性的原因,所述圓柱形狀是優(yōu)選的。在所述方面,機(jī)械連接可以被設(shè)置在相對(duì)的固定架9、IO之間(對(duì)于在其間連接的箔片5而言是多余的),以提供污染物阻擋件4的穩(wěn)定的、一致的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)。這種連接可以為輻條形式(未示出),這可能造成EUV輻射量的小損失。在所示的實(shí)施例中,環(huán)狀固定架9是自由懸掛的。然而,也可能被安裝到獨(dú)立的轉(zhuǎn)軸上,以增加機(jī)械穩(wěn)定性。圖4示意性地示出屏蔽件6的優(yōu)選設(shè)計(jì)的側(cè)向剖視圖。在如圖2和圖3所示的實(shí)施例中,來(lái)自源3的輻射的實(shí)質(zhì)部分入射到屏蔽件6上,所述屏蔽件6相應(yīng)地吸收源3的很大部分的輻射能量??臻g角的典型值可以為大約2兀。這可能導(dǎo)致屏蔽件6的高溫,從而可能造成被吸收的EUV能量的再次熱輻射。為了抑制這些效應(yīng),需要降低屏蔽件6的溫度。相應(yīng)地,在一方面,如圖4所示,本發(fā)明提出為屏蔽件6提供填充有合適的冷卻劑12的冷卻導(dǎo)管11。冷卻劑12(尤其是水(熱容量為大約4200J/kg.K))具有比所述屏蔽件的材料高得多的熱容量,所述屏蔽件的材料可能例如是鉬(熱容量大約是250J/kg.K),所述冷卻劑12可以將熱傳輸離開所述屏蔽件。對(duì)于18kW的源輔射,大約9.55kW的功率可以被所述屏蔽件吸收。例如,對(duì)于這種方案,體積流量為大約13.6升/分的水可能在允許水從大約1(TC被加熱到大約2(TC的同時(shí)提供冷卻。在所示的實(shí)施例中,冷卻導(dǎo)管11由包含在屏蔽件6中的雙層壁結(jié)構(gòu)形成。圖5示出本發(fā)明的另一個(gè)有利的實(shí)施例的橫向剖視圖。在該實(shí)施例中,外殼13被設(shè)置成與屏蔽件6相對(duì)地、部分地包圍污染物阻擋件4。通過(guò)箔片5的轉(zhuǎn)動(dòng),箔片5用作在屏蔽件6和外殼13之間運(yùn)動(dòng)的抽吸葉片。通過(guò)將外殼13連接到泵14,相應(yīng)地,顆??梢员怀槲x開在箔片5之間形成的空間15。以這種方式,可以提供增強(qiáng)的顆粒排放,由此改善在輻射系統(tǒng)l和其他下游的光學(xué)裝置(未示出)中的壓力環(huán)境。尤其,所述實(shí)施例考慮靠近源3的抽吸,由此改善所述源的工作壓力,這通常從低的真空壓力受益。通過(guò)示例,對(duì)于如參照?qǐng)D3所進(jìn)行的上述描述中的箔片5的尺寸,對(duì)于污染物阻擋件4的50Hz的轉(zhuǎn)動(dòng)頻率,抽吸容量可以被設(shè)置為大約1381/s。對(duì)于在0.5Pa的源條件下的所需的氣體壓力,每單位時(shí)間所抽吸的氣體量是大約41.4scc/m,這是將由泵14所抽離的氣體量。如圖5所示的抽吸實(shí)施例的典型應(yīng)用是在孔7的附近提供緩沖氣體16。相應(yīng)地,緩沖氣體出口17被設(shè)置在很接近孔7處,尤其是在由如箭頭P所表示的箔片5的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)所限定的孔7的上游側(cè)上。所述出口優(yōu)選地填充在箔片5之間的空間15。所述緩沖氣體具有足夠高的壓力,所述壓力足以在一定程度上抑制逃逸顆粒,尤其是離子狀的顆粒或氣體顆粒,然而,太高的壓力對(duì)于操作源是不利的。典型的壓力對(duì)于緩沖氣體16可能是大約0.5Pa。而且,凈化氣體18可以被設(shè)置在所述外殼13中,用于凈化箔片5。為提供凈化氣體18,凈化氣體噴射器19可能被設(shè)置在孔7的下游側(cè)處的屏蔽件6的后面,并且由箭頭P表示的箔片5的旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)所限定。典型的凈化氣體18可以包括氫基或氖基,例如在大約10mbar壓力下。通過(guò)所述布置,所述箔片可以在與源3屏蔽時(shí)由凈化氣體18以大約200納米/小時(shí)的清潔速率清潔。其他適合于清潔所述箔片的凈化氣體包括鹵族氣體。盡管所述凈化氣體應(yīng)用已經(jīng)針對(duì)根據(jù)本發(fā)明的包圍源3的圖5所示的污染物阻擋件4而被表示,但是這個(gè)概念也可以應(yīng)用于提供投影輻射束的輻射系統(tǒng),所述輻射系統(tǒng)包括極紫外輻射源,所述極紫外輻射源用于提供極紫外輻射;污染物阻擋件,所述污染物阻擋件包括多個(gè)緊密排布的箔片板,用于俘獲來(lái)自所述輻射源的污染物材料;其中屏蔽件設(shè)置用于部分地屏蔽所述污染物阻擋件免受所述極紫外輻射源的影響;且其中凈化氣體噴射器被設(shè)置在當(dāng)不被暴露在所述極紫外輻射源下時(shí)用于清潔所述污染物阻擋件的屏蔽件的后面。相應(yīng)地,氫基例如可以通過(guò)普通的技術(shù)人員所公知的方法由熱絲生成,所述氫基可以在箔片被與源3屏蔽時(shí)被插入所述箔片之間的空間15中。隨后,在箔片被暴露于EUV源3之前,凈化氣體18和反應(yīng)產(chǎn)物(對(duì)于錫源,這可能典型地為氫化錫氣體)由泵14抽離。對(duì)于以6KHz的頻率工作和在4兀中每個(gè)脈沖沉積10"5個(gè)原子的源3,所估計(jì)的錫沉積是大約91納米/小時(shí),這顯然低于所估計(jì)的200納米/小時(shí)的最大清潔速率。相應(yīng)地,可以在應(yīng)用的同時(shí)提供污染物阻擋件4的在線清潔,或至少很大程度上防止在所述污染物阻擋件上污染物層的生長(zhǎng)。圖6示出本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例。在最壞的情況下,在孔區(qū)域7(見圖5)內(nèi)被捕捉到的碎屑顆粒20可以在所述區(qū)域7內(nèi)通過(guò)作用在顆粒20上的離心力而被釋放,并因此可能污染下游的光學(xué)裝置。在該實(shí)施例中,箔片阱4轉(zhuǎn)動(dòng)得足夠快,以沿著遠(yuǎn)離由孔7所限定的光軸的方向釋放所捕捉到的顆粒20。根據(jù)一個(gè)方面,箔片板5在優(yōu)選的范圍內(nèi)為命運(yùn)轉(zhuǎn)輪形箔片阱4的半徑確定尺寸2.51<(rmax/r0)<6.0,針對(duì)在90度到270度之間范圍內(nèi)的碎屑顆粒20的拾取和剝離之間所需的最小旋轉(zhuǎn)角。在此,Rmax是在剝離時(shí)的碎屑顆粒的最大徑向距離,其中rO是最小的徑向距離。在所述范圍中,假定的所述顆粒的初始徑向速度被假設(shè)為零,且歸一化的摩擦常數(shù)被假設(shè)為大約l。這種歸一化摩擦常數(shù)被定義為摩擦常數(shù)C(表達(dá)在摩擦力和平面速度之間的線性度)和系數(shù)2x(碎屑顆粒質(zhì)量)x(角速度)之比。所述歸一化摩擦常數(shù)典型地小于l。當(dāng)(歸一化)摩擦常數(shù)小得多時(shí),在Rmax和RO之間的比率將增加。對(duì)于與以上所描繪的相同的情況,所述范圍然后將優(yōu)選為2.51<(Rmax/R0)<55,7。據(jù)此,計(jì)算將遵循與參照?qǐng)D3的實(shí)施例所描述的尺寸相對(duì)應(yīng)的所述箔片板的優(yōu)選寬度尺寸相應(yīng)地被設(shè)定為大于最小尺寸,尤其大于2cm(例如參照?qǐng)D3的實(shí)施例所述),所述最小尺寸遵循可俘獲的碎屑的速度的評(píng)估計(jì)算。箔片板的寬度尺寸將最小限度地對(duì)應(yīng)于Rmax和RO之差。相應(yīng)地,箔片板5優(yōu)選地具有擴(kuò)展的(大于阻止沖擊液滴所需的)最大直徑。所述分析表明在液滴被朝向采集光學(xué)裝置擦除之前,增加半徑導(dǎo)致旋轉(zhuǎn)角增加。這種效果是有益的,這是因?yàn)槿绻O(shè)計(jì)正確,則可以避免液滴被朝向所述采集光學(xué)裝置擦除。對(duì)于具有孔徑角的孔,所述旋轉(zhuǎn)角優(yōu)選大于所述孔徑角的一半。除去關(guān)于所述箔片板的擴(kuò)展寬度的前面所建議的增強(qiáng)之外,或替代所述增強(qiáng),所述箔片板的結(jié)構(gòu)可以被修改以提高在箔片板5的表面區(qū)域上移動(dòng)的碎屑顆粒20的摩擦力。這可以通過(guò)提供比常規(guī)箔片板更大的表面粗糙度來(lái)實(shí)現(xiàn),例如優(yōu)選超過(guò)所述常規(guī)的粗糙度兩倍的粗糙度。而且,合適的材料可以為增加的表面相互作用所選擇。尤其對(duì)于錫碎屑顆粒20,這些材料可能選自下表,其中優(yōu)選的材料以交叉號(hào)表示。通常,這些材料的特征在于其表面能低于鉬的表面能,所述鉬的表面能為3352dyne/cm。合適的材料在下表中以交叉號(hào)表示<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>表l適用于增加錫碎屑的摩擦力的材料圖7示出本發(fā)明的可選的實(shí)施例,其中所述下游采集光學(xué)裝置,尤其是采集器21,與箔片阱4間隔開。采集器的這種間隔提供附加的自由度,其中所收集到的碎屑顆粒20被允許沿著遠(yuǎn)離所述光軸的方向朝向碎屑采集器22被剝離,以使得較小的旋轉(zhuǎn)角由采集器21的較大的距離來(lái)補(bǔ)償。例如,對(duì)于2x45度的孔收集角、10cm的箔片阱直徑和80度的偏轉(zhuǎn)角(定義為箔片板5的平面方向和出射速度方向之間的角度),在對(duì)稱軸和碎屑顆粒的方向之間的角度將被給定為y=(90°-oc)+(3-90°={3-oc=35。。采集器開口o由tana二0.5o/d給定。在此,距離d可以計(jì)算如下0.5o+F0.5^+0.1tan(35J=-=-0.7"0.5"0.1因此,采用所述配置,在箔片阱4和采集器21之間的距離在最小限度上應(yīng)當(dāng)至少為0.5m。圖8示出在作為所需的旋轉(zhuǎn)角的函數(shù)的歸一化半徑與歸一化摩擦常數(shù)Q之間的關(guān)系,其中歸一化摩擦常數(shù)Q的范圍在O和1之間。從圖8中可知,在無(wú)摩擦的情況下(Q&0),在90到270度之間的旋轉(zhuǎn)角需要滿足2.5KRmax/R(K55.7的歸一化半徑,在歸一化摩擦系數(shù)Q-1時(shí)滿足1.64<Rmax/R0<6.0。增加與角速度很接近的初始速度,則歸一化半徑的下限應(yīng)當(dāng)更高,尤其高于4.81。最后,圖9示出偏轉(zhuǎn)角、旋轉(zhuǎn)角和歸一化半徑之間的關(guān)系。尤其可以看出,所述偏轉(zhuǎn)角僅僅依賴于所述歸一化半徑,而不依賴于箔片阱4的角速度。另外,可以看出,對(duì)于顆粒20的初始速度為零的情況,所述偏轉(zhuǎn)角總是大于45度。圖9也示出顆粒20的旋轉(zhuǎn)角也不依賴于角速度,并隨著歸一化半徑的增加而單調(diào)增加。在實(shí)際中,假定最大孔徑角(收集角)為45度,則需要所述旋轉(zhuǎn)角大于90度且小于270度,這與滿足2.51<Rmax/R0<55.7的歸一化半徑的上述范圍相對(duì)應(yīng),結(jié)果不依賴于箔片阱4的角速度/旋轉(zhuǎn)頻率。例如,如果對(duì)于箔片阱4,3cm的箔片阱寬度將被考慮足以阻止所有的顆粒,所述箔片阱4以10cm的半徑轉(zhuǎn)動(dòng)。rO將大于10+3=13cm。假定16顆粒20不被朝向下游的光學(xué)裝置(尤其是采集器21)檫除,則所述箔片阱的外半徑的良好的選擇將是Rmax〉32.6。對(duì)于101度的角度,這將相當(dāng)于39cm的Rmax,這意味著箔片板的寬度(沿徑向所見)為39-10=29cm。盡管在本文中可以做出具體的參考,將所述光刻設(shè)備用于制造IC,但應(yīng)當(dāng)理解這里所述的光刻設(shè)備可以有其他的應(yīng)用,例如,集成光學(xué)系統(tǒng)、磁疇存儲(chǔ)器的引導(dǎo)和檢測(cè)圖案、平板顯示器、液晶顯示器、薄膜磁頭的制造等。對(duì)于普通的技術(shù)人員,應(yīng)該理解的是,在這種替代應(yīng)用的情況中,可以將其中使用的任意術(shù)語(yǔ)"晶片"或"管芯"分別認(rèn)為是與更上位的術(shù)語(yǔ)"襯底"或"目標(biāo)部分"同義。這里所指的襯底可以在曝光之前或之后進(jìn)行處理,例如在軌道(一種典型地將抗蝕劑層涂到襯底上,并且對(duì)已曝光的抗蝕劑進(jìn)行顯影的工具)、量測(cè)工具和/或檢驗(yàn)工具中。在可應(yīng)用的情況下,可以將所述公開內(nèi)容應(yīng)用于這種和其他襯底處理工具中。另外,所述襯底可以處理一次以上,例如為產(chǎn)生多層IC,使得這里使用的所述術(shù)語(yǔ)"襯底"也可以表示已經(jīng)包含多個(gè)已處理層的襯底。盡管以上已經(jīng)做出了具體的參考,在光學(xué)光刻的情況中使用本發(fā)明的實(shí)施例,但應(yīng)該理解的是,本發(fā)明可以用于其他應(yīng)用中,例如壓印光刻,并且只要情況允許,不局限于光學(xué)光刻。在壓印光刻中,圖案形成裝置中的拓?fù)湎薅嗽谝r底上產(chǎn)生的圖案??梢詫⑺鰣D案形成裝置的拓?fù)溆∷⒌教峁┙o所述襯底的抗蝕劑層中,在其上通過(guò)施加電磁輻射、熱、壓力或其組合來(lái)使所述抗蝕劑固化。在所述抗蝕劑固化之后,所述圖案形成裝置從所述抗蝕劑上移走,并在抗蝕劑中留下圖案。這里使用的術(shù)語(yǔ)"輻射"和"束"包含全部類型的電磁輻射,包括紫外輻射(例如具有約365、355、248、193、157或126nm的波長(zhǎng))和極紫外(EUV)輻射(例如具有5-20nm范圍內(nèi)的波長(zhǎng)),以及顆粒束,例如離子束或電子束。在上下文允許的情況下,所述術(shù)語(yǔ)"透鏡"可以表示各種類型的光學(xué)部件中的任何一種或它們的組合,包括折射式、反射式、磁性式、電磁式和靜電式的光學(xué)部件。盡管以上己經(jīng)描述了本發(fā)明的特定的實(shí)施例,但是應(yīng)該理解的是本發(fā)明可以以與上述不同的形式實(shí)現(xiàn)。例如,本發(fā)明可以采取包含用于描述上述公開的方法的一個(gè)或更多個(gè)機(jī)器可讀指令序列的計(jì)算機(jī)程序的形式,或者采取具有在其中存儲(chǔ)的這種計(jì)算機(jī)程序的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)的形式(例如,半導(dǎo)體存儲(chǔ)器、磁盤或光盤)。以上的描述是說(shuō)明性的,而不是限制性的。因此,本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解,在不背離所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍的條件下,可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行修改。權(quán)利要求1.一種用于提供投影輻射束的輻射系統(tǒng),所述輻射系統(tǒng)包括極紫外輻射源,所述極紫外輻射源用于提供極紫外輻射;以及污染物阻擋件,所述污染物阻擋件包括多個(gè)緊密排布的箔片板,用于俘獲來(lái)自所述輻射源的污染物材料,所述污染物阻擋件包圍所述極紫外輻射源。2.根據(jù)權(quán)利要求l所述的輻射系統(tǒng),其中所述污染物阻擋件是能夠相對(duì)于所述源轉(zhuǎn)動(dòng)的。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的輻射系統(tǒng),還包括用于使所述極紫外輻射源免受所述污染物阻擋件影響的屏蔽件,所述屏蔽件部分地包圍所述極紫外輻射源。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的輻射系統(tǒng),其中所述屏蔽件設(shè)置有被包含在所述屏蔽件中的冷卻導(dǎo)管。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的輻射系統(tǒng),還包括凈化氣體出口,所述凈化氣體出口用于將凈化氣體提供到由所述箔片板所限定的空間中,通過(guò)所述屏蔽件使所述凈化氣體出口與所述源之間屏蔽。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的輻射系統(tǒng),其中所述凈化氣體選自由氫基、氘基和鹵族氣體構(gòu)成的組。7.根據(jù)權(quán)利要求2所述的輻射系統(tǒng),還包括外殼,所述外殼部分地包圍所述污染物阻擋件,并包括用于連接到泵的連接器,所述阻擋件能夠在所述外殼中轉(zhuǎn)動(dòng)。8.根據(jù)權(quán)利要求l所述的輻射系統(tǒng),其中所述源位于通過(guò)所述多個(gè)箔片板的延伸平面的相交位置上。9.根據(jù)權(quán)利要求l所述的輻射系統(tǒng),其中所述源位于所述污染物阻擋件的中心軸線上。10.根據(jù)權(quán)利要求l所述的輻射系統(tǒng),其中所述箔片板形成具有基本為矩形的形狀,并根據(jù)圓柱形狀被安裝。11.根據(jù)權(quán)利要求l所述的輻射系統(tǒng),其中所述箔片板形成具有弧形的形狀,并根據(jù)球形被安裝。12.根據(jù)權(quán)利要求l所述的輻射系統(tǒng),其中所述箔片板位于相對(duì)的固定件之間,至少一個(gè)所述固定件是環(huán)形形狀的。13.根據(jù)權(quán)利要求l所述的輻射系統(tǒng),還包括緩沖氣體出口,所述緩沖氣體出口用于提供在所述箔片板之間的緩沖氣體。14.根據(jù)權(quán)利要求l所述的輻射系統(tǒng),其中所述極紫外輻射源是激光誘導(dǎo)等離子體源或放電等離子體源。15.根據(jù)權(quán)利要求l所述的輻射系統(tǒng),其中所述極紫外輻射源包括錫、鋰或氤。16.根據(jù)權(quán)利要求l所述的輻射系統(tǒng),其中所述箔片板的尺寸在以下的優(yōu)選范圍內(nèi)2.51<(Rmax/rO)<55.7針對(duì)在卯和270度之間的范圍內(nèi)的、碎屑顆粒20的拾取和剝離之間的所需的最小旋轉(zhuǎn)角;其中Rmax是在剝離時(shí)的碎屑顆粒的最大徑向距離,而rO是所述顆粒的最小徑向距離。17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的輻射系統(tǒng),其中所述箔片板的尺寸在以下的優(yōu)選范圍內(nèi)2.51<(Rmax/rO)<6.0針對(duì)在0.8到1.0的范圍內(nèi)的歸一化摩擦常數(shù)。18.根據(jù)權(quán)利要求l所述的輻射系統(tǒng),其中,對(duì)于錫源,所述箔片板由表面能低于3352dyne/cm的材料制成。19.根據(jù)權(quán)利要求18所述的輻射系統(tǒng),其中所述材料選自由銀、鋁、金、鉻、銅、鐵、鎳和鉑構(gòu)成的組中。20.—種光刻設(shè)備,所述光刻設(shè)備包括用于提供輻射束的輻射系統(tǒng),所述輻射系統(tǒng)包括極紫外輻射源,所述極紫外輻射源用于提供極紫外輻射;以及污染物阻擋件,所述污染物阻擋件包括多個(gè)緊密排布的箔片板,用于捕獲來(lái)自所述輻射源的污染物材料,所述污染物阻擋件包圍所述極紫外輻射源,圖案形成裝置,所述圖案形成裝置用于圖案化所述輻射束;以及投影系統(tǒng),所述投影系統(tǒng)用于將圖案化的輻射束投影到襯底上。21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的光刻設(shè)備,其中所述污染物阻擋件能夠相對(duì)于所述源轉(zhuǎn)動(dòng)。22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的光刻設(shè)備,其中所述輻射系統(tǒng)還包括用于使所述極紫外輻射源免受所述污染物阻擋件影響的屏蔽件,所述屏蔽件部分地包圍所述極紫外輻射源。23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的光刻設(shè)備,其中所述屏蔽件設(shè)置有被包含在所述屏蔽件中的冷卻導(dǎo)管。24.根據(jù)權(quán)利要求22所述的光刻設(shè)備,其中所述輻射系統(tǒng)還包括凈化氣體出口,所述凈化氣體出口用于將凈化氣體提供到由所述箔片板所限定的空間中,通過(guò)所述屏蔽件使所述凈化氣體出口與所述源之間屏蔽。全文摘要公開了一種用于提供投影輻射束的輻射系統(tǒng)。所述輻射系統(tǒng)包括極紫外源(3),所述極紫外源(3)用于提供極紫外輻射(2);以及污染物阻擋件(4),所述污染物阻擋件(4)包括多個(gè)緊密排布的箔片板(5),所述箔片板(5)用于俘獲來(lái)自輻射源的污染物材料。所述污染物阻擋件包圍極紫外輻射源。文檔編號(hào)G03F7/20GK101322078SQ200680045796公開日2008年12月10日申請(qǐng)日期2006年12月5日優(yōu)先權(quán)日2005年12月6日發(fā)明者德爾克·簡(jiǎn)·威爾弗雷德·克朗德爾,馬丁·瑪瑞納斯·約翰內(nèi)斯·威爾赫爾姆斯·范荷彭申請(qǐng)人:Asml荷蘭有限公司