專利名稱：：金屬和電介質(zhì)相容的犧牲性抗反射涂層清洗及去除組合物的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及適用于硅酸鹽剝離的液體去除組合物及方法，所述硅酸鹽剝離為例如從具有在其上沉積的犧牲性抗反射硅酸鹽材料和/或蝕刻后殘留物的微電子器件上的所述材料的液體去除，特別是當所述犧牲性抗反射硅酸鹽材料與之下的硅酸鹽材料和例如鋁、銅和鈷合金的互連金屬一起存在時，理想的是所述互連金屬不會受到所述液體去除組合物的影響。
背景技術(shù)：
：目前，存在四種在光刻工業(yè)中使用的輻射波長一一436nm、365nm、248nm和193nm——近期努力的重點則集中于157nm光刻的工藝上。從理論上講，隨著每次的波長減小，可以在半導(dǎo)體芯片上構(gòu)造出更小的圖形。然而，由于微電子器件基板的反射率與光刻波長成反比，干涉及不均勻曝光的光致抗蝕劑已限制了微電子器件臨界尺寸的一致性。例如，當曝光于DUV輻射時，公知的是，光致抗蝕劑的透射率與基板對DUV波長的高反射率的結(jié)合將導(dǎo)致DUV輻射被反射回到光致抗蝕劑中，從而在光致抗蝕劑層中產(chǎn)生駐波。該駐波引發(fā)在光致抗蝕劑中進一步的光化學(xué)反應(yīng)，造成光致抗蝕劑的不均勻曝光，其中包括不打算暴露于輻射的掩蔽部分，這導(dǎo)致線寬、間距以及其它臨界尺寸的變化。為了解決透射率和反射率的問題，已經(jīng)開發(fā)出二層和三層的光致抗蝕劑、底部抗反射涂層(BARC)以及犧牲性抗反射涂層(SARC);在施加光致抗蝕劑之前將這些涂層施加到基板上。所有這些抗反射涂層都對在典型的雙鑲嵌集成中所遇到的晶片表面具有平坦化效果，并且均將UV發(fā)色團并入到吸收入射UV輻射的旋涂式聚合物基體中。當與基于SiOC的電介質(zhì)一起使用時，SARC具有兩個重要的優(yōu)點SARC是基于TEOS的，并且因而蝕刻速率與SiOC電介質(zhì)相同，這使得蝕刻的均勻性及控制性要大得多，從而溝槽蝕刻中止可以被消除及，通孔蝕刻中止的厚度的減少可達50%;并且蝕刻的SARC可以用液體去除組合物除去，因為相對于蝕刻的光致抗蝕劑和蝕刻的BARC而言，蝕刻的SARC中的蝕刻后交聯(lián)沒有顯著增加。已證明從微電子器件晶片上清洗去除SARC材料是困難的和/或昂貴的。若不去除的話，所述層可能干擾后續(xù)的硅化或觸點的形成。通常情況下，所述層通過氧化或還原性等離子體灰化或濕法清洗而被去除。然而，基板暴露于氧化或還原性等離子體蝕刻的等離子體灰化可能會通過改變圖形的形狀和尺寸或通過增大介電常數(shù)而導(dǎo)致對介電材料的破壞。當?shù)?k介電材料，例如有機硅酸鹽玻璃(OSG)或碳摻雜氧化物玻璃是所述的之下的介電材料時，后者的問題更為突出。因此，常常希望能避免使用等離子體灰化去除SARC層。當在后端工序(BEOL)應(yīng)用中使用清洗劑/蝕刻劑組合物處理鋁、銅、鈷合金或者被低容抗(低-k)絕緣材料或電介質(zhì)分開的其它互連金屬或互聯(lián)阻擋物時，重要的是用于去除SARC的組合物具有良好的金屬相容性，例如對銅、鋁、鈷等的蝕刻速率低，以及所述之下的硅酸鹽材料不受清洗組合物的影響，水基去除溶液是優(yōu)選的，因為其處理的技術(shù)更簡單，然而已知的是，水基去除溶液能蝕刻或腐蝕所述金屬互連材料。因此，本領(lǐng)域中需要一種去除組合物，其具有低水含量，其可以完全和有效地從微電子器件的表面上去除SARC層，同時最大限度地減少對共存的介電材料和/或互連金屬的破壞。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明涉及適用于從具有在其上沉積的犧牲性抗反射硅酸鹽材料的微電子器件表面上去除所述材料的液體去除組合物及方法，特別是當所述犧牲性抗反射硅酸鹽材料與之下的硅酸鹽材料和互連金屬一起存在時，理想的是后者不會受到液體去除組合物的影響。具體而言，本發(fā)明涉及與鋁、銅和鈷合金相容的SARC去除組合物。一方面，本發(fā)明涉及一種液體去除組合物，其包含至少一種含氟化合物、至少一種有機溶劑、任選的水和任選的至少一種螯合劑，其中所述液體去除組合物適用于從其上具有犧牲性抗反射涂層(SARC)材料和/或蝕刻后殘留物的微電子器件上去除這些材料和/或殘留物。另一方面，本發(fā)明涉及一種試劑盒，其在一個或多個容器中包含液體去除組合物的試劑，其中所述液體去除組合物包含至少一種含氟化合物、至少一種有機溶劑、任選的水和任選的至少一種螯合劑，并且其中所述試劑盒適于形成適用于從其上具有SARC材料和/或蝕刻后殘留物的微電子器件上去除所述材料和/或殘留物的液體去除組合物。在進一步的一個方面中，本發(fā)明涉及一種從其上具有SARC材料和/或蝕刻后殘留物的微電子器件上去除所述材料和殘留物的方法，所述方法包括使所述微電子器件與液體去除組合物接觸足夠的時間，從而至少部分地從所述微電子器件上去除所述材料和殘留物，其中所述液體去除組合物包含至少一種含氟化合物、至少一種有機溶劑、任選的水和任選的至少一種螯合劑。在又一方面中，本發(fā)明涉及一種液體去除組合物，其包含至少一種含氟化合物、任選的至少一種有機溶劑、任選的酸堿緩沖劑、任選的至少一種螯合劑/鈍化劑和任選的水，其中所述液體去除組合物適用于從其上具有犧牲性抗反射涂層(SARC)材料的微電子器件上去除這些材料和殘留物。另一方面，本發(fā)明涉及一種試劑盒，其在一個或多個容器中包含液體去除組合物的試劑，其中所述液體去除組合物包含至少一種含氟化合物、任選的至少一種有機溶劑、任選的酸堿緩沖劑、任選的至少一種螯合劑/鈍化劑和任選的水，并且其中所述試劑盒適于形成適用于從其上具有SARC材料的微電子器件上去除所述材料的液體去除組合物。在進一步的方面中，本發(fā)明涉及一種從其上具有SARC材料的微電子器件上去除所述材料的方法，所述方法包括使所述微電子器件與液體去除組合物接觸足夠的時間，從而至少部分地從所述微電子器件上去除所述材料，其中所述液體去除組合物包含至少一種含氟化合物、任選的至少一種有機溶劑、任選的酸堿緩沖劑、任選的至少一種螯合劑/鈍化劑和任選的水。另一方面，本發(fā)明涉及微電子器件的制造方法，所述方法包括使所述微電子器件與液體去除組合物接觸足夠的時間，從而至少部分地從其上具有SARC材料和/或蝕刻后殘留物的微電子器件上去除所述材料和/或殘留物，其中所述液體去除組合物包括至少一種含氟化合物、至少一種有機溶劑、任選的水和任選的至少一種螯合劑。本發(fā)明的又一方面涉及改進的微電子器件和結(jié)合了這種器件的產(chǎn)品，它們是通過采用本發(fā)明的方法制造的，本發(fā)明的方法包括至少部分地從其上具有SARC和蝕刻后殘留物的微電子器件上去除所述材料，使用本文中所述的方法和/或組合物，和任選將所述微電子器件并入到產(chǎn)品中。本發(fā)明的其它方面、特征和實施方案將從隨后的公開內(nèi)容和所附的權(quán)利要求而更加顯而易見。發(fā)明詳述及最佳實施方式本發(fā)明設(shè)想的液體去除組合物適用于從其上具有犧牲性抗反射涂層(SARC)材料和/或蝕刻后殘留物的微電子器件表面上去除所述材料。為便于參考，"微電子器件"對應(yīng)于為微電子、集成電路或計算機芯片應(yīng)用制造的半導(dǎo)體基板、平板顯示器和微機電系統(tǒng)(MEMS)。應(yīng)所述理解的是，術(shù)語"微電子器件"不具有任何方式的限制意義，并包括最終將成為微電子器件或微電子組件的任何基板。如本文中定義的，"低-k介電材料"對應(yīng)于在層狀微電子器件中用作介電材料的任何材料，其中所述材料具有的介電常數(shù)小于約3.5。優(yōu)選的是，所述低-k介電材料包括低極性材料，例如含硅有機聚合物、含硅混合有機/無機材料、有機硅酸鹽玻璃(OSG)、TEOS、氟化硅酸鹽玻璃(FSG)、二氧化硅和碳摻雜氧化物(CDO)玻璃。應(yīng)理解的是，所述低-k介電材料可以具有不同的密度和不同的孔隙度。如本文中所用的，"約"意指對應(yīng)于所提及的值的±5%。如本文中所用的，從其上具有SARC材料和/或蝕刻后殘留物的微電子器件上去除所述材料的"適合性"對應(yīng)于至少部分地從所述微電子器件上去除所述SARC和/或蝕刻后殘留物材料。優(yōu)選的是，采用本發(fā)明的組合物從所述微電子器件上去除至少約90%、更優(yōu)選至少95%、最優(yōu)選至少99%的所述材料。如本文中所用的，"蝕刻后殘留物"對應(yīng)于在例如BEOL雙鑲嵌處理的氣相等離子體蝕刻工藝之后殘留的材料。所述蝕刻后殘留物在本質(zhì)上可以是有機的、有機金屬的、有機硅的或無機的，例如為含硅材料、碳基有機材料以及包括但不限于氯和氟的蝕刻氣體殘留物。如本文中所定義的，"SARC材料"對應(yīng)于二層和三層的光致抗蝕劑、底部抗反射涂層(BARC)以及犧牲性抗反射涂層(SARC)，并且在本質(zhì)上可以是有機的和/或無機的。此外，SARC材料可以包括SARC層和/或包含SARC的殘留物。如下文中更詳細描述的那樣，本發(fā)明的組合物可以具體表現(xiàn)為多種具體的制劑。在所有的此類組合物中，其中是按照包括零下限的重量百分比范圍討論組合物的具體組分，應(yīng)該理解的是，在所述組合物的各種具體實施方案中，這種組分可以存在也可以不存在，并且在這些組分存在的情況下，它們的存在濃度可以是基于使用這些組分的組合物總重量計的低至0.001重量百分比。實施方案A一方面，本發(fā)明涉及適用于從微電子器件上去除SARC層和/或蝕刻后殘留物的液體去除組合物。在廣泛描述本發(fā)明的下文中所具體提及的SARC層旨在提供本發(fā)明的說明性實施例，并且不意味著具有任何方式的限制意義。實施方案A的制劑包括基于所述組合物總重量計的按以下范圍存在的至少一種含氟化合物、至少一種有機溶劑、任選的水和任選的至少一種螯合劑/鈍化劑組分重量％含氟化合物約0.01%至約25.0%有機溶劑約0.01%至約99.9%螯合劑/鈍化劑0%至約10.0%水0%至約10.0%在本發(fā)明的廣泛實踐中，實施方案A的液體去除組合物可以包含至少一種含氟化合物、至少一種有機溶劑、任選的水和任選的至少一種螯合劑/鈍化劑，或者可以由上述物質(zhì)組成，或基本上由上述物質(zhì)組成。一般而言，含氟化合物、有機溶劑、任選的水和任選的螯合劑/鈍化劑彼此之間的具體比例和量可以作適當?shù)母膭樱瑥亩顾鲆后w組合物對SARC層物質(zhì)和/或處理設(shè)備提供理想的去除效果，如本領(lǐng)域技術(shù)人員無需進行過多的努力而可以容易地確定的。有機溶劑相對于含氟化合物的摩爾比范圍是約1:1至約120:1,優(yōu)選為約20:1至約80:1，和最優(yōu)選為約30:1至約65:1;有機溶劑相對于水(當存在時)的摩爾比范圍是約1:1至約150:1，優(yōu)選為約20:1至約80:1，最優(yōu)選為約30:1至約60:1;和有機溶劑相對于螯合劑(當存在時)的摩爾比范圍是約1:1至約300:1。實施方案A的組合物優(yōu)選的pH值范圍是約1至約5，更優(yōu)選低于約4。這種組合物可任選包括另外的組分，包括活性及非活性成分，例如表面活性劑、穩(wěn)定劑、分散劑、抗氧化劑、滲透劑、助劑、添加劑、填充劑、賦形劑等。此外，本文中還設(shè)想的是，可以將實施方案A的組合物配制成泡沬、霧劑、亞臨界或超臨界流體。例如，可以將實施方案A的組合物加入到例如二氧化碳的超臨界流體中，比例從約100份SCF對1份的實施方案A的制劑物到約6:1，優(yōu)選為約20:1。優(yōu)選的是，實施方案A的清洗組合物包括以下組分<table>tableseeoriginaldocumentpage24</column></row><table>其中所述組分的百分比為重量百分比，基于所述組合物的計，并且其中所述組合物的這種組分的重量百分比總計不超過100重量％。在特別優(yōu)選的實施方案中，水的存在量為約0.01wt.。/。至約lwt.%，是去離子化及非臭氧化的，并且被添加到所述組合物中，或者殘存于其它組分之一當中。此外，優(yōu)選的是，所述組合物中基本上不含有膽堿類化合物和例如過氧化氫的氧化劑。需要有氟離子源，因為氟的存在對于在酸性溶液中腐蝕硅酸鹽材料是必需的。含氟化合物的合適來源包括但不限于氟化氫、氟化銨和三乙醇胺氫氟酸鹽?；蛘撸梢允褂枚稃}，包括氟化氫銨((NH4)HF2)和四烷基氟化氫銨((R)4NHF2，其中R為甲基、乙基、丙基、丁基、苯基、芐基或氟化的Q-C4垸基)。本文中還可設(shè)想兩種或更多種氟化物物質(zhì)的組合。在優(yōu)選的實施方案中，所述含氟化合物包括氟化氫。值得注意的是，氟化氫的運輸中通常帶有殘余水量，因此即使之后不故意添加水，在所述去除組合物中也可能有水的存在?；蛘撸梢允褂脷鈶B(tài)的無水氟化氫，這樣在所述制劑中僅存的水為來自所述溶劑的微量水。包含無水氟化氫的制劑典型地顯示出比含水的制劑更好的金屬及電介質(zhì)相容性。所述有機溶劑物質(zhì)作為溶劑，并且?guī)椭赡艽嬖谟赟ARC和/或蝕刻后殘留物中的有機殘留物的溶解。這種組合物的合適溶劑物質(zhì)包括但不限于四氫噻吩砜；直鏈或支鏈的C!-C6醇，包括但不限于甲醇、乙醇、1_丙醇、2-丙醇、l-丁醇、2-丁醇、叔丁醇、l-戊醇和己醇；二醇類，例如乙二醇、丙二醇(l,2-丙二醇)、四亞甲基二醇(l，4-丁二醇)和新戊二醇；或二醇醚，例如二乙二醇單甲醚、三乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、三乙二醇單乙醚、乙二醇單丙醚、乙二醇單丁醚、二乙二醇單丁醚、三乙二醇單丁醚、丙二醇甲醚、二丙二醇甲醚、三丙二醇甲醚、丙二醇正丙醚、二丙二醇正丙醚、三丙二醇正丙醚、丙二醇正丁醚、二丙二醇正丁醚和三丙二醇正丁醚。其它適用的溶劑為典型的極性溶劑，如二甲基乙酰胺、甲酰胺、二甲基甲酰胺、l-甲基-2-口比咯烷酮、二甲亞砜以及其它的極性溶劑。本文中還可設(shè)想兩種或更多種溶劑物質(zhì)的組合。對于多孔性低-k介電材料，所述有機溶劑物質(zhì)優(yōu)選包括1-丁醇和1，4-丁二醇。對于致密電介質(zhì)最優(yōu)選的清洗溶液為二醇、極性溶劑和二醇醚的組合，更優(yōu)選為乙二醇、四氫噻吩砜和三丙二醇甲醚或者為乙二醇、四氫噻吩砜和二丙二醇正丁醚。可以加入螯合劑以減少對下層中例如銅和/或鈷的金屬的侵蝕。在這種組合物中的螯合劑/鈍化劑可以為任何適當?shù)念愋?，并且可以包括但不限于三唑，例如l,2，4-三唑，或用例如C,-Q垸基、氨基、硫醇、巰基、亞氨基、羧基及硝基的取代基取代的三唑，例如苯并三唑、甲苯基三唑、5-苯基-苯并三唑、5-硝基-苯并三唑、3-氨基-5-巰基-1，2，4-三唑、l-氨基-l,2,4-三唑、羥基苯并三唑、2-(5-氨基-戊基)-苯并三唑、l-氨基-l,2,3-三唑、l-氨基-5-甲基-l，2，3-三唑、3-氨基-l，2,4-三唑、3-巰基-l,2，4-三唑、3-異丙基-l,2，4-三唑、5-苯硫基-苯并三唑、鹵代苯并三唑(卣=F、Cl、Br或I)、萘并三唑等，以及噻唑、四唑、咪唑、磷酸酯、硫醇和吖嗪，例如2-巰基苯并咪唑、2-巰基苯并噻唑、4-甲基-2-苯基咪唑、2-巰基噻唑啉、5-氨基四唑、5-氨基-l，3,4-噻二唑-2-硫醇、2,4-二氨基-6-甲基-1，3,5-三嗪、噻唑、三嗪、甲基四唑、1，3-二甲基-2-咪唑啉酮、1，5-五亞甲基四唑、l-苯基-5-巰基四唑、二氨甲基三嗪、巰基苯并噻唑、咪唑啉硫酮、巰基苯并咪唑、4-甲基-4H-l，2，4-三唑-3-硫醇、5-氨基-l，3,4-噻二唑-2-硫醇、苯并噻唑、磷酸三甲苯酯、苯并異二唑(indiazole)等。合適的螯合劑物質(zhì)還包括甘油、氨基酸、羧酸、醇、酰胺和喹啉，例如鳥嘌呤、腺嘌呤、甘油、硫代甘油、次氮基三乙酸、水楊酰胺、亞氨基二乙酸、苯并胍胺、三聚氰胺、硫氰尿酸、鄰氨基苯甲酸、沒食子酸、抗壞血酸、水楊酸、8-羥基喹啉、5-羧酸-苯并三唑、3-巰基丙醇、硼酸、亞氨基二乙酸等。本文中還可設(shè)想兩種或更多種螯合劑的組合。所述螯合劑適用于增加所述組合物與用于微電子器件中的金屬和介電材料的相容性。在各種優(yōu)選的實施方案中，將實施方案A的去除組合物配制成在如下實施方案Al-A7中，其中所有的百分比均按重量計，基于所述制劑的總重量<table>tableseeoriginaldocumentpage27</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage28</column></row><table>實施方案A6<table>tableseeoriginaldocumentpage28</column></row><table>實施方案A7<table>tableseeoriginaldocumentpage28</column></row><table>在各種優(yōu)選的實施方案中，將實施方案A的去除組合物配制成如下制劑AA-AI3，其中所有的百分比均按重量計，基于所述制劑的總重量制劑AA.-99.5%乙醇；0.245。/。氟化氫；0.255%水制劑AB:98.5%乙醇；0.735%氟化氫；0.765%水制劑AC:74.5%乙醇；25.0%二丙二醇甲醚；0.245%氟化氫；0.255%水制劑AD:73.5%乙醇；25.0%二丙二醇甲醚；0.735%氟化氫；0.765%水水水水水水水水水制齊[JAE:74.5%乙醇；25.00/o二乙二醇甲醚；0.245%氟化氫；0.255%制劑AF:73.5%乙醇；25.0%二乙二醇甲醚；0.735°/。氟化氫；0.765%制劑AG:制劑AH:制劑AI:制劑AJ:制劑AK.-制劑AL:制劑AM:制劑AN:制劑AO:制劑AP:制劑AO:98.0%乙醇;0.98%氟化氫;1.02%水98.5%甲醇;0.735%氟化氫;0.765%水98.5%乙二醇；0.735%氟化氫；0.765%水98.5%丙二醇；0.735%氟化氫；0.765%水98.5%二乙二醇丁醚；0.735%氟化氫；0.765%水98.5%2-丙醇;0.735%氟化氫;0.765%水98.5%1,4-丁二醇;0.735。/。氟化氫;0.765%水98.5%1-丙醇;0.735%氟化氫;0.765%水0.735%氟化氫；0.765%水73.5%l-丁醇；0.735%氟化氫；0.765%98.5%l-戊醇；25.0%乙二醇;98.5%1-丁醇；0.735%氟化氫；0.765%水50.0%乙二醇;48.5%l-丁醇；0.735%氟化氫;0.765%制劑AR制齊UAS:75.0%乙二醇；23.5%l-丁醇；0.735%氟化氫；0.765%制劑AT:制劑AU:制劑AV:制劑AW:25.0%乙二醇;50.0%乙二醇;75.0%乙二醇;70.0%乙二醇;73.5%乙醇；0.735%氟化氫；0.765%水48.5%乙醇;0.735%氟化氫;0.765%水23.5%乙醇；0.735%氟化氫；0.765%水28.5%l-丁醇；0.735%氟化氫；0.765%制劑AX:50.0%乙二醇；48.5%l-丁醇；0.735%氟化氫；0.765%制劑AY:75.0%乙二醇；23.5%1,4-丁二醇；0.735%氟化氫；0.765%制劑AZ:60.0%乙二醇；38.5%l-戊醇；0.735%氟化氫；0.765%水制劑AA2:50.0%乙二醇；48.5%1-戊醇；0.735%氟化氫；0.765%水制劑AB2:80.0%乙二醇；18.5%1-戊醇；0.735%氟化氫；0.765%水制劑AC2:90.0%乙二醇；8.5%l-戊醇；0.735%氟化氫；0.765%水制劑AD2:99.25%1,4-丁二醇；0.3675%氟化氫；0.3825%水制劑AE2:90.0%乙二醇；9.25%l-戊醇；0.3675%氟化氫；0.3825%水制劑AF2:99.51%1,4-丁二醇；0.49%氟化氫制劑AG2:99.265%1，4-丁二醇；0.735%氟化氫制劑AH2:89.25%1，4-丁二醇；10.0。/0l-丁醇；0.3675%氟化氫；0.3825%水制劑AI2:80.0%1，4-丁二醇；19.25%l-丁醇；0.3675%氟化氫；0.3825%水制劑AJ2:70.0%1，4-丁二醇；29.25%l-丁醇；0.3675%氟化氫；0.3825%水制劑AK2:60.0%1，4-丁二醇；39.25%l-丁醇；0.3675%氟化氫；0.3825%水制劑AL2:50.0%1,4-丁二醇；49.25%l-丁醇；0.3675Q/o氟化氫；0.3825%水制劑AM2:98.875%1，4-丁二醇；0.55125%氟化氫；0.57375%水溶液四氫噻吩砜氫氟酸水乙二醇AN235%0.3675%0.3825%64.25%AO235%0.6125%0.6375%63.75%AP245%0.3675%0.3825%54.25%AQ245%0.6125%0.6375%53.75%AR240%0.49%0.51%59%AS240%0.49%0.51%59%AT235%0.49%0.51%64%AU245%0.49%0.51%54%AV240%0.3675%0.3825%59.25%AW240%0.6125%0.6375%58.75%AX250%0.3675%0.3825%49.25%制劑AY2:79.25%乙醇；20%l-甲基-2-吡咯烷酮；0.3675%氟化氫；0.3825%水制劑AZ2:79.25%乙二醇；20%二甲基乙酰胺；0.3675%氟化氫；0.3825%水制劑AA3:99.25%四氫噻吩砜；0.3675%氟化氫；0.3825%水制劑AB3:50%乙二醇；49.25%四氫噻吩砜；0.3675%氟化氫；0.3825%水制劑AC3:50%乙二醇；49.625%四氫噻吩砜；0.375%氟化氫制劑AD3:45%乙二醇；39.625%四氫噻吩砜；15%三丙二醇甲醚；0.375%氟化氫制劑AE3:45%乙二醇；34.625%四氫噻吩砜；20%三丙二醇甲醚；0.375%氟化氫制劑AF3:45%乙二醇；39.625%四氫噻吩砜；15%二丙二醇正丁醚；0.375%氟化氫制劑AG3:45%乙二醇；39.625%四氫噻吩砜；15%二丙二醇甲醚；0.375%氟化氫制劑AH3:70.0%1，4-丁二醇；29.25%l-丁醇；0.3675%氟化氫；0.3825%水制劑AI3.-44.882%乙二醇；15%二(丙二醇)丁醚；39.64%環(huán)丁砜0.375%HF;0.1%聚季銨鹽2;0.003%四甲基氫氧化銨硅酸鹽。優(yōu)選的是，為獲得最大的多孔性低-k電介質(zhì)相容性，實施方案A的液體去除組合物包括1,4-丁二醇和l-丁醇。最優(yōu)選的是，所述液體去除組合物對應(yīng)于制劑AL2、AM2、AH3和AI3。實施方案A的組合物在從微電子器件基底上去除SARC層和蝕刻后殘留物時是特別有效的，其對金屬互連物質(zhì)和/或低-k介電材料的破壞最小。有關(guān)的金屬包括但不限于銅、鎢、鈷、鋁、鉭和釕。此外，本文中可設(shè)想用例如水的溶劑稀釋實施方案A的組合物并用作化學(xué)機械拋光后(CMP)組合物，以去除CMP后殘留物，包括但不限于來自拋光漿料的顆粒、富碳顆粒、拋光墊顆粒、刷下料顆粒(brushddoadingparticle)、構(gòu)造顆粒的設(shè)備材料、銅、銅氧化物以及作為CMP工藝副產(chǎn)物的任何其它材料。在另一個實施方案中，為獲得最大的致密電介質(zhì)相容性，實施方案A的液體去除組合物包括乙二醇、四氫噻吩砜和二醇醚。最優(yōu)選的是，所述液體去除組合物對應(yīng)于制劑ASZ或AV2。在又一個實施方案中，實施方案A的液體去除組合物包括至少一種含氟化合物、至少一種有機溶劑，用于殘留物材料的去除，并且任選包括水和任選的至少一種螯合劑/鈍化劑，其中所述殘留物材料包括SARC和/或蝕刻后殘留物。重要的是，所述殘留物材料可以溶解和/或懸浮在本發(fā)明的液體去除組合物中。通過簡單地添加各成分并混合至均勻的狀態(tài)可以很容易地配制本發(fā)明的液體去除組合物。此外，可以很容易地將所述液體去除組合物配制為單包裝制劑或配制為在使用之時或之前進行混合的多部分制劑，例如，可以在用具或用具上游的儲槽中將所述多部分制劑的單獨的各部分進行混合。在本發(fā)明的廣泛實踐中，各成分的濃度可以有很大的變化，為所述液體去除組合物的特定倍數(shù)，即更稀或更濃，且應(yīng)理解的是，本發(fā)明的液體去除組合物可以在不同的情況下且選擇性地包含與本文中公開的成分一致的任意組合，或者由上述的組合構(gòu)成，或基本上由上述的組合構(gòu)成。由此，本發(fā)明的另一方面涉及試劑盒，其在一個或多個容器中包括適合于形成本發(fā)明組合物的一種或多種組分。例如，所述試劑盒可以在一個或多個容器中包括至少一種含氟化合物、至少一種有機溶劑和任選的至少一種螯合劑/鈍化劑，用于在加工或使用時與任選的水組合?；蛘?，所述試劑盒可以在一個或多個容器中包括至少一種含氟化合物和任選的至少一種螯合劑/鈍化劑，用于在加工或使用時與至少一種溶劑和任選的水組合。在另一個實施方案中，所述試劑盒可以在一個或多個容器中包括至少一種含氟化合物、至少一種有機溶劑和水，用以輸送至加工或使用點。所述試劑盒的容器必須適合儲存和運輸所述的液體去除組合物，例如，NOWPak⑧容器(AdvancedTechnologyMaterials,Inc.,Danbury，Coim.，USA)。實施方案B在另一方面，本發(fā)明的制劑包括基于組合物總重量計的按以下范圍存在的至少一種含氟化合物、任選的至少一種有機溶劑、任選的酸堿緩沖劑、任選的至少一種螯合劑/鈍化劑和任選的水<table>tableseeoriginaldocumentpage33</column></row><table>在本發(fā)明的廣泛實踐中，實施方案B的液體去除組合物可以包含至少一種含氟化合物、任選的至少一種有機溶劑、任選的酸堿緩沖劑和任選的至少一種螯合劑/鈍化劑和任選的水，或者可以由上述物質(zhì)組成，或基本上由上述物質(zhì)組成。一般而言，含氟化合物、任選的水、任選的有機溶劑、任選的酸堿緩沖劑和任選的螯合劑/鈍化劑彼此之間的具體比例和量可以作適當?shù)母膭?，從而使所述液體組合物對SARC層物質(zhì)和/或處理設(shè)備提供理想的去除效果，如本領(lǐng)域技術(shù)人員無需進行過多的努力便可以容易地確定的。如下文中更詳細描述的那樣，本發(fā)明的組合物可以具體表現(xiàn)為多種具體的制劑。實施方案B的組合物優(yōu)選的pH值范圍是約4至約9，優(yōu)選約5至約7的范圍。這種組合物可任選包括另外的組分，包括活性及非活性成分，如表面活性劑、穩(wěn)定劑、分散劑、抗氧化劑、滲透劑、助劑、添加劑、填充劑、賦形劑等。此外，本文中還設(shè)想的是，可以將實施方案B的組合物配制成泡沫、霧劑、亞臨界或超臨界流體。例如，可以將實施方案B的組合物加入到例如二氧化碳的超臨界流體中，比例從約100份SCF對1份的實施方案B的制劑到約6:1，優(yōu)選為約20:1。需要有氟離子源，因為氟的存在對于在酸性溶液中腐蝕硅酸鹽材料是必需的。從制備和處理的安全性考慮，中性氟化物鹽是優(yōu)選的。包含非揮發(fā)性胺的胺-氫氟化物鹽是最優(yōu)選的，這可以避免由于胺蒸發(fā)所帶來的pH值變化。含氟化合物的合適來源包括但不限于氟化銨、三乙胺三氫氟酸鹽((C2Hs)3N'3HF)、甲基二乙醇胺-氫氟酸鹽、三乙醇胺-氫氟酸鹽和羥乙基嗎啉-氫氟酸鹽?；蛘?，可以使用二氟化物鹽，包括氟化氫銨((NH4)HF2)和四烷基氟化氫銨((R)4NHF2，其中R為甲基、乙基、丁基、苯基或氟化的Q-C4烷基)。本文中還可設(shè)想兩種或多種含氟化合物的組合。在一個優(yōu)選的實施方案中，所述含氟化合物為氟化銨或甲基二乙醇胺-氫氟酸鹽。所述有機溶劑物質(zhì)用作溶劑，并幫助溶解可能存在于SARC中的有機殘留物。這種組合物的合適溶劑物質(zhì)包括但不限于二醇和二醇醚，例如上文中對于實施方案A所列舉的那些；二甲亞砜(DMSO);二甲基乙酰胺；和胺，例如單乙醇胺、三乙醇胺、三乙撐二胺、甲基乙醇胺、甲基二乙醇胺、五甲基二亞乙基三胺、二甲基二甘醇胺、1，8-二氮雜二環(huán)[5.4.0]十一烯、氨丙基嗎啉、羥乙基嗎啉、氨乙基嗎啉、羥丙基嗎啉、二甘醇胺、N-甲基吡咯垸酮(NMP)、N-辛基吡咯烷酮、N-苯基吡咯烷酮、環(huán)己基吡咯烷酮、咪唑烷酮和乙烯基吡咯垸酮。本文中還可設(shè)想兩種或更多種有機溶劑的組合。優(yōu)選的是，所述有機溶劑包括二乙二醇、二甲基二甘醇胺、二乙二醇甲醚和NMP。所述酸/堿緩沖劑用于穩(wěn)定pH值和控制所述溶液對SARC、其它殘留物以及例如電介質(zhì)和互連金屬的之下材料的蝕刻速率選擇性。適用于本發(fā)明的緩沖系統(tǒng)的有機酸包括但不限于甲酸、三氟乙酸、丙酸、丁酸、戊酸、庚酸、乳酸、草酸、蘋果酸、丙二酸、丁二酸、富馬酸、己二酸、苯甲酸、鄰苯二甲酸和檸檬酸。適用于本發(fā)明的緩沖系統(tǒng)的共軛堿包括但不限于有機酸鹽和上文有機溶劑列表中所列舉的胺。本文中還可設(shè)想兩種或更多種酸/堿緩沖劑的組合。在優(yōu)選的實施方案中，含氟化合物本發(fā)明的緩沖系統(tǒng)包含丙二酸和二甲基二甘醇胺?？梢约尤腧蟿┮詼p少對下層中例如銅和/或鈷的金屬的侵蝕。在這種組合物中的螯合劑/鈍化劑可以為任何適當?shù)念愋?，例如上文中關(guān)于實施方案A所列出的那些。本文中可設(shè)想的是，即使不故意加入水，實施方案B的去除組合物中也可以有水存在。在各種優(yōu)選的實施方案中，將實施方案B的去除組合物配制成如下制劑BA-BJ2，其中所有的百分比均按重量計，基于所述制劑的總重制劑BA:0.5%氟化銨；2.58Q/。丙二酸；68.08%二乙二醇；3%二甲基二甘醇胺；25.64%水;0.2%3-氨基-5-巰基-1，2,4-三唑翻BB:0.5%氟化銨；2.58%丙二酸；68.08%二乙二醇；3%二甲基二甘醇胺；25.64%水；0.2%4-甲基-2-苯基咪唑翻BC:0.5%氟化銨；2.58%丙二酸；68.08%二乙二醇；3%二甲基二甘醇胺；25.64%水；0.2%5-氨基-1，3,4-噻二唑-2-硫醇組分制劑BDBEBFBGBHBI氟化銨0,5%0.5%0.5%0.5%0,5%0.5%丙二酸2.58%2.58%2.58%2.58%2,58%2.58%二乙二醇72.92%79.92%86.92%87.92%88.92%89.92%二甲基二甘醇胺3%3%3%3%3%3%水21%14%7%6%5%4%組分制劑BJBKBM氟化銨0.5%0.5%0.5%0.5%丙二酸2.58%2.58%2.58%2.58%二乙二醇卯.92%91.92%92.92%93.92%二甲基二甘醇胺3%3%3%3%水3%2%1%0。/o組分制劑BNBOBPBQ氟化銨0.5%0.5%0.5%0.5%丙二酸2,58%2.58%2.58%2.58%二乙二醇93.82%92.82%91.82%90.82%二甲基二甘醇胺3%3%3%3%水0%1%2%3%氨基-l,3，4-噻二唑-2-硫醇0.1%0.1%0.1%0,1%制劑BR:2.0%氟化銨;2.58%丙.二酸；89.52%二乙二.醇；3%二基二甘醇胺；2.9%檸檬酸制劑BS:1.0%氟化銨；5.16%丙二酸；87.84°/0二乙二醇；3%二甲基二甘醇胺；3%馬來酸制劑BT:75%甲基二乙醇胺-氫氟酸鹽；25%水制劑BU.-67.5%甲基二乙醇胺-氫氟酸鹽；22.5%水；10%二乙二醇甲醚制劑BV:60%甲基二乙醇胺-氫氟酸鹽；20%水；20%二乙二醇甲醚制劑BW.-67.5%甲基二乙醇胺-氫氟酸鹽；22.5%水；10%咪唑烷酮制劑BX:60%甲基二乙醇胺-氫氟酸鹽；20%水；20%NMP制劑BY:74.85%甲基二乙醇胺-氫氟酸鹽；24.95%水；0.2%3-氨基-5-巰基-l，2，4-三唑制齊UBZ:74.85%甲基二乙醇胺-氫氟酸鹽；24.95%水；0.2%5-氨基-l,3,4-噻二唑-2-硫醇制劑BA2:74.85%甲基二乙醇胺-氫氟酸鹽；24.95%水；0.2%4-甲基-4H-l,2,4-三唑-3-硫醇制劑BB2:60%甲基二乙醇胺-氫氟酸鹽；20%水；20%五甲基二亞乙基三胺制劑BC2:59.88%甲基二乙醇胺-氫氟酸鹽；19.96%水；19.96%NMP;0.2%5-氨基-1,3，4-噻二唑-2-硫醇制劑BD2:59.88%甲基二乙醇胺-氫氟酸鹽；19.96%水；19.96%NMP;0.2%4-甲基-411-1，2，4-三唑-3-硫醇制劑BE2:37.5%甲基二乙醇胺-氫氟酸鹽；18.75%三乙醇胺-氫氟酸鹽；22.1%羥乙基嗎啉-氫氟酸鹽；21.65°/0水制劑BF2:60%甲基二乙醇胺-氫氟酸鹽；7.5%三乙醇胺-氫氟酸鹽；8.84%羥乙基嗎啉-氫氟酸鹽；23.66%水制劑BG2:45%甲基二乙醇胺-氫氟酸鹽；29.88%甲基二乙醇胺-磷酸鹽；25.12%水制劑BH2.-40.55。/。甲基二乙醇胺-氫氟酸鹽；26.89%甲基二乙醇胺-磷酸鹽；10%二甲基乙酰胺；22.6%水制劑BI2:40.55%甲基二乙醇胺-氫氟酸鹽；26.89%甲基二乙醇胺-磷酸鹽；10%NMP;22.6%水制劑BJ2..40.55%甲基二乙醇胺-氫氟酸鹽；26.89%甲基二乙醇胺-磷酸鹽；10%DMSO;22.6%水此外，本文中可設(shè)想用例如水的溶劑稀釋實施方案B的組合物并用作化學(xué)機械拋光后(CMP)組合物，以去除CMP后殘留物，包括但不限于來自拋光漿料的顆粒、富碳顆粒、拋光墊顆粒、刷下料顆粒、構(gòu)造顆粒的設(shè)備材料、銅、銅氧化物以及作為CMP工藝副產(chǎn)物的任何其它材料。通過簡單地添加各成分并混合至均勻的狀態(tài)可以很容易地配制本發(fā)明的液體去除組合物。此外，可以很容易地將所述液體去除組合物配制為單包裝制劑或配制為在使用之時或之前進行混合的多部分制劑，例如，可以在用具或用具上游的儲槽中將所述多部分制劑的單獨的各部分進行混合。在本發(fā)明的廣泛實踐中，各成分的濃度可以有很大的變化，為所述液體去除組合物的特定倍數(shù)，即更稀或更濃，且應(yīng)理解的是，本發(fā)明的液體去除組合物可以在不同的情況下且選擇性地包含與本文中公開的成分一致的任意組合，或者由上述的組合構(gòu)成，或基本上由上述的組合構(gòu)成。由此，本發(fā)明的另一方面涉及試劑盒，其在一個或多個容器中包括適合于形成本發(fā)明組合物的一種或多種組分。例如，所述試劑盒可以在一個或多個容器中包括至少一種含氟化合物、任選的至少一種有機溶劑、任選的酸堿緩沖劑、任選的至少一種螯合劑/鈍化劑，用于在加工或使用時與任選的水組合?；蛘?，所述試劑盒可以在一個或多個容器中包括至少一種含氟化合物、任選的酸堿緩沖劑、任選的至少一種螯合劑/鈍化劑，用于在加工或使用時與任選的水和任選的至少一種有機溶劑組合。所述試劑盒的容器必須適合儲存和運送所述的液體去除組合物，例如，NOWPak⑧容器(AdvancedTechnologyMaterials,Inc.,Danbury，Coim.，USA)。在又一個實施方案中，實施方案B的液體去除組合物包括至少一種含氟化合物，用于殘留物材料的去除，任選包括至少一種有機溶劑、任選的酸堿緩沖劑、任選的至少一種螯合劑/鈍化劑和任選的水，其中所述殘留物材料包括SARC和/或蝕刻后殘留物。重要的是，所述殘留物材料可以溶解和/或懸浮在本發(fā)明的液體去除組合物中。液體去除組合物的使用方法通過簡單地添加各成分并混合至均勻的狀態(tài)可以很容易地配制本發(fā)明的去除組合物。在去除的應(yīng)用中，以任何適當?shù)姆绞綄⑷コM合物施加到待被清洗的微電子器件上，例如，在待清洗微電子器件的表面上噴淋所述去除組合物，在大量的所述清洗組合物中浸漬微電子器件，使待被清洗的微電子器件與以所述去除組合物飽和的另一種材料，例如墊或纖維吸附劑涂敷器元件接觸，使微電子器件與循環(huán)的去除組合物接觸，或者任何其它適當方法、方式或技術(shù)，通過其使所述去除組合物與待被清洗的微電子器件發(fā)生旨在去除的接觸。當施加于半導(dǎo)體制造操作時，本發(fā)明的清洗組合物適用于從其上具有SARC和/或蝕刻后殘留物材料的微電子器件結(jié)構(gòu)上去除所述材料。相對于可能在所述微電子器件上存在并暴露于所述去除組合物的其它材料，例如ILD結(jié)構(gòu)、金屬化布線、阻擋層等，本發(fā)明的組合物利用它們對這種SARC材料的選擇性，以高效的方式實現(xiàn)SARC禾口/或蝕刻后殘留物材料的至少部分的去除。重要的是，本發(fā)明的組合物具有低量的水，低于約1重量％，尤其是實施方案A的組合物，并且這樣的話與例如銅、鋁和鈷的金屬互連層相容。在本發(fā)明組合物的存在下銅和/或鈷的蝕刻速率優(yōu)選低于5A/min，更優(yōu)選低于2A/min，最優(yōu)選低于1A/min。在將本發(fā)明的組合物用于從其上具有SARC材料的微電子器件基板上去除所述SARC材料時，通常在約20°C至約80°C的溫度下使清洗組合物與所述器件基板接觸約1至約60分鐘的時間，優(yōu)選約20至約30分鐘。這樣的接觸時間及溫度是示例性的，在本發(fā)明的廣泛實踐中，可以采用對至少部分地從所述器件基板上去除SARC材料是有效的任何其它的合適時間和溫度條件。如本文中定義的，"至少部分地去除"對應(yīng)于至少去除50%的SARC材料，優(yōu)選至少去除80%的SARC材料。最優(yōu)選的是，使用本發(fā)明的組合物去除至少90。/。的SARC材料。在達到所需的清洗效果后，可以容易地將所述清洗組合物從其先前施加的器件上去除掉，例如通過漂洗、沖洗或其它的一個或多個去除步驟，如在本發(fā)明的組合物應(yīng)用的給定最終用途上可能是理想的和有效的。例如，可以用去離子水對所述器件進行漂洗。本發(fā)明進一步的實施方案涉及包括微電子器件的制品的制造方法，所述方法包括使所述微電子器件與液體去除組合物接觸足夠的時間，從而從其上具有SARC和/或蝕刻后殘留物材料的微電子器件上去除所述材料，并將所述微電子器件并入到所述制品之中，其中所述液體去除組合物包括至少一種含氟化合物、至少一種有機溶劑、任選的水和任選的至少一種螯合劑/鈍化劑。本發(fā)明另一實施方案涉及包括微電子器件的制品的制造方法，所述方法包括使所述微電子器件與液體去除組合物接觸足夠的時間，從而從其上具有SARC和/或蝕刻后殘留物材料的微電子器件上去除所述材料，并將所述微電子器件并入到所述制品之中，其中所述液體去除組合物包括至少一種含氟化合物、任選的至少一種有機溶劑、任選的酸堿緩沖劑、任選的至少一種螯合劑/鈍化劑和任選的水。通過以下討論的說明性實施例可以更充分地顯示本發(fā)明的特征及優(yōu)點。實施例1SARC的去除在包括SARC層的圖案化低-k電介質(zhì)基板的樣品上進行。將該樣品在實施方案A的去除溶液中于40°C下浸泡30分鐘(表1和2)或于20°C下浸泡15分鐘(表3)，然后用大量的去離子水漂洗。使用掃描電子顯微方法估計圖案化晶片上的SARC材料的百分比去除率。結(jié)果列于下文的表1-3中。除了估計從所述圖案化晶片上的SARC層的去除率外，確定在去除溶液中銅和/或鈷金屬的蝕刻速率。將銅和/或鈷的覆蓋金屬晶片浸沒到所述去除溶液中，并基于電阻率采用四點探針測量方法確定各金屬的蝕刻速率。結(jié)果列于下文表1中。表1.SARC去除率和蝕刻速率的結(jié)果<table>tableseeoriginaldocumentpage41</column></row><table>表2.SARC去除率結(jié)果<table>tableseeoriginaldocumentpage42</column></row><table>表3.SARC去除率結(jié)果<table>tableseeoriginaldocumentpage42</column></row><table>實施例2實驗確定銅和/或鈷金屬在實施方案B的去除溶液中的蝕刻速率。將銅和/或鈷的覆蓋金屬晶片浸沒到去除溶液中，并采用原電池法確定各金屬的蝕刻速率。結(jié)果列于下文表4中。表4.金屬的相容性<table>tableseeoriginaldocumentpage43</column></row><table>實施例3在40°C下將覆蓋的電介質(zhì)、銅和鈷晶片在制劑AI和AM"中靜態(tài)浸泡30分鐘，之后確定介電材料、銅和鈷的蝕刻速率。釆用電化學(xué)導(dǎo)出的Tafd圖確定蝕刻速率。在制劑AI^中，介電材料、鈷和銅的蝕刻速率分別確定為1.7Amin-1、0.043Amin"和0.07人min"。在制劑AN^中，介電材料、鈷和銅的蝕刻速率分別確定為0.6Amin'1、0.028Amin"和0,055Amin'1。因此，雖然已參照本發(fā)明的具體方面、特征和示例的實施方案對本發(fā)明進行了描述，但應(yīng)理解的是，本發(fā)明的效用并不因此而受到限制，而是延伸并涵蓋了許多其它的方面、特征和實施方案。因此，應(yīng)將以下闡明的權(quán)利要求相應(yīng)地廣義解釋為包括在其實質(zhì)和范圍之內(nèi)的所有這些方面、特征和實施方案。權(quán)利要求1.一種液體去除組合物，其包含至少一種含氟化合物、至少一種有機溶劑、任選的水和任選的至少一種螯合劑，其中所述液體去除組合物適用于從其上具有犧牲性抗反射涂層(SARC)材料和蝕刻后殘留物的微電子器件上去除這些材料和殘留物。2.權(quán)利要求1的液體去除組合物，其中有機溶劑相對于含氟化合物的摩爾比為約1:1至約120:1。3.權(quán)利要求1的液體去除組合物，其中有機溶劑相對于含氟化合物的摩爾比為約30:1至約65:1。4.權(quán)利要求1的液體去除組合物，其中所述至少一種含氟化合物包括氟化氫。5.權(quán)利要求1的液體去除組合物，其中所述至少一種有機溶劑包括選自如下的化合物四氫噻吩砜、甲醇、乙醇、l-丙醇、2-丙醇、1-丁醇、2-丁醇、叔丁醇、l-戊醇、乙二醇、丙二醇、1，4-丁二醇、新戊二醇、二乙二醇單甲醚、三乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、三乙二醇單乙醚、乙二醇單丙醚、乙二醇單丁醚、二乙二醇單丁醚、三乙二醇單丁醚、丙二醇甲醚、二丙二醇甲醚、三丙二醇甲醚、丙二醇正丙醚、二丙二醇正丙醚、三丙二醇正丙醚、丙二醇正丁醚、二丙二醇正丁醚、三丙二醇正丁醚、二甲基乙酰胺、甲酰胺、二甲基甲酰胺、1-甲基-2-吡咯烷酮、二甲亞砜及其組合。6.權(quán)利要求1的液體去除組合物，其中至少一種有機溶劑包括選自如下的化合物甲醇、乙醇、乙二醇、丙二醇、2-丙醇、l-丙醇、1-丁醇、1,4-丁二醇、l-戊醇、二乙二醇甲醚、四氫噻吩砜、三丙二醇甲醚、二丙二醇正丁醚、二丙二醇甲醚及其組合。7.權(quán)利要求I的液體去除組合物，其中所述至少一種有機溶劑包括選自如下的化合物l-丁醇、1，4-丁二醇及其組合。8.權(quán)利要求1的液體去除組合物，其中所述至少一種有機溶劑包括選自如下的化合物乙二醇、四氫噻吩砜、三丙二醇甲醚、二丙二醇正丁醚及其組合。9.權(quán)利要求1的液體去除組合物，其包含水，其中有機溶劑相對于水的摩爾比為約1:1至約150:1。10.權(quán)利要求1的液體去除組合物，其包含水，其中有機溶劑相對于水的摩爾比為約30:1至約60:1。11.權(quán)利要求1的液體去除組合物，其包含至少一種選自如下的螯合劑苯并三唑、甲苯基三唑、5-苯基-苯并三唑、5-硝基-苯并三唑、3-氨基-5-巰基-l,2，4-三唑、l-氨基-l,2,4-三唑、羥基苯并三唑、2-(5-氨基-戊基)-苯并三唑、l-氨基-l,2,3-三唑、l-氨基-5-甲基-l，2,3-三唑、3-氨基-l，2,4-三唑、3-巰基-l,2,4-三唑、3-異丙基-l,2,4-三唑、5-苯硫基-苯并三唑、鹵代苯并三唑、萘并三唑、2-巰基苯并咪哇、2-巰基苯并噻唑、4-甲基-2-苯基咪唑、2-巰基噻唑啉、5-氨基四唑、5-氨基-l,3,4-噻二唑-2-硫醇、2，4-二氨基-6-甲基-1，3，5-三嗪、噻唑、三嗪、甲基四唑、1，3-二甲基-2-咪唑啉酮、1,5-五亞甲基四唑、l-苯基-5-巰基四唑、二氨甲基三嗪、巰基苯并噻唑、咪唑啉硫酮、巰基苯并咪唑、4-甲基-411-1,2，4-三唑-3-硫醇、5-氨基-l,3,4-噻二唑-2-硫醇、苯并噻唑、磷酸三甲苯酯、苯并異二唑、鳥嘌呤、腺嘌呤、甘油、硫代甘油、次氮基三乙酸、水楊酰胺、亞氨基二乙酸、苯并胍胺、三聚氰胺、硫氰尿酸、鄰氨基苯甲酸、沒食子酸、抗壞血酸、水楊酸、8-羥基喹啉、5-羧酸-苯并三唑、3-巰基丙醇、硼酸、亞氨基二乙酸及其組合。12.權(quán)利要求9的液體去除組合物，其中水的存在量為基于所述組合物總重量計的約0.01wt.。/o至約1wt.%。13.權(quán)利要求1的液體去除組合物，其中該組合物的pH值為約1至約5。14.權(quán)利要求1的液體去除組合物，其中該組合物去除超過99%的SARC材料，并且在40°C下的銅蝕刻速率小于約0.1人min"。15.權(quán)利要求1的液體去除組合物，其中該組合物去除超過99%的SARC才才料，并且在40。C下的鈷蝕刻速率小于約0.1人min—'。16.權(quán)利要求1的液體去除組合物，其中該組合物去除超過99%的SARC材料，并且在40。C下的介電材料蝕刻速率小于約2AmitT1。17.權(quán)利要求1的液體去除組合物，其還包含選自如下的殘留材料SARC殘留物、蝕刻后殘留物及其組合。18.權(quán)利要求1的液體去除組合物，其還包含至少一種酸堿緩沖劑。19.權(quán)利要求18的液體去除組合物，其中該組合物的pH值為約4至約9。20.權(quán)利要求l的液體去除組合物，其選自制劑AA-A^和BA-BJ2，其中所有的百分比按重量計，基于所述制劑的總重量制劑AA:99.5%乙醇；0.245°/。氟化氫；0.255%水制劑AB:98.5%乙醇；0.735°/。氟化氫；0.765%水帝ij齊!jAC:74.5%乙醇；25.0。/。二丙二醇甲醚；0.245%氟化氫；0.255%水制劑AD:73.5%乙醇；25.0%二丙二醇甲醚；0.735%氟化氫；0.765%水帝!j齊ljAE:74.5%乙醇；25.0%二乙二醇甲醚；0.245%氟化氫；0.255%水制劑AF:73.5%乙醇；25.0%二乙二醇甲醚；0.735%氟化氫；0.765%水制劑AG:98.0%乙醇；0.98%氟化氫；1.02%水制劑AH:98.5%甲醇；0.735%氟化氫；0.765%水制劑AI:98.5%乙二醇；0.735%氟化氫；0.765%水制劑AJ:98.5%丙二醇；0.735%氟化氫；0.765%水制劑AK:98.5%二乙二醇丁醚；0.735%氟化氫；0.765%水98.5%2-丙醇；0.735%氟化氫；0.765%水98.5%1，4-丁二醇；0.735%氟化氫；0.765%水98.50/01-丙醇;0.735%氟化氫;0.765%水0.735%氟化氫；0.765%水73.5%l-丁醇；0.735%氟化氫；0.765%制劑AL:制劑AM制劑AN:制劑AO:制劑AP:98.5%l-戊醇;25.0%乙二醇;制劑AO:制劑AR:98.5%l-丁醇;50.0%乙二醇;0.735%氟化氫；0.765%水48.5%l-丁醇；0.735%氟化氫；0.765%水制劑AS:75.0%乙二醇；23.5%l-丁醇；0.735%氟化氫；0.765%水制劑AT:制劑AU:制劑AV:制劑AW25.0%乙二醇;50.0%乙二醇;75.0%乙二醇;73.5%乙醇;0.735。/。氟化氫；0.765°/0水48.5%乙醇;0.735%氟化氫;0.765%水23.5%乙醇;0.735%氟化氫;0.765%水70.0%乙二醇;28.5%1-丁醇;0.735%氟化氫;0.765%制劑AX:50.0%乙二醇；48.5%l-丁醇；0.735%氟化氫；0.765%制劑AY:75.0%乙二醇；23.5%1,4-丁二醇；0.735%氟化氫；0.765%水制齊ljAZ:60.0%乙二醇；38.5%l-戊醇；0.735%氟化氫；0.765%水制劑AA2:50.0%乙二醇；48.5%1-戊醇；0.735%氟化氫；0.765%水制劑AB2:80.0%乙二醇；18.5%1-戊醇；0.735%氟化氫；0.765%水制劑AC2.-卯.0%乙二醇；8.5%l-戊醇；0.735%氟化氫；0.765%水制劑AD2:99.25%1，4-丁二醇；0.3675%氟化氫；0.3825%水制劑AE2:90.0%乙二醇；9.25%l-戊醇；0.3675%氟化氫；0.3825%水制劑AF2:99.51%1,4-丁二醇；0.49%氟化氫制劑AG2:99.265%1,4-丁二醇；0.735%氟化氫制劑AH2:89.25%1,4-丁二醇；10.0%l-丁醇；0.3675%氟化氫；0.3825%水制劑AI2:80.0%1，4-丁二醇；19.25%l-丁醇；0.3675%氟化氫；0.3825%水制劑AJ、70.0%1,4-丁二醇；29.25%l-丁醇；0.3675%氟化氫；0.3825%水制劑AK2:60.0%1,4-丁二醇；39.25%l-丁醇；0.3675%氟化氫；0.3825%水制劑AL2:50.0%1，4-丁二醇；49.25%l-丁醇；0.3675%氟化氫；0.3825%水制劑AM2:98.875%1,4-丁二醇;0.55125%氟化氫；0.57375%水溶液四氫噻吩砜氫氟酸水乙二醇AN235%0.3675%0.3825%64.25%AO235%0.6125%0.6375%63.75%AP245%0.3675%0.3825%54.25%AQ245%0,6125%0.6375%53.75%AR240%0.49%0.51%59%AS240%0.49%0.51%59%AT235%0.49%0.51%64%AU245%0.49%0.51%54%AV240%0.3675%0.3825%59.25%AW240%0.6125%0.6375%58.75%AX250%0.3675%0.3825%49.25%制劑AY2:79.25%乙醇；20%l-甲基-2-吡咯烷酮；0.3675%氟化氫；0.3825%水制劑AZ2:79.25%乙二醇；20%二甲基乙酰胺；0.3675%氟化氫；0.3825%水制劑AA3:99.25%四氫噻吩砜；0.3675%氟化氫；0.3825%水制劑AB3:50%乙二醇；49.25%四氫噻吩砜；0.3675%氟化氫；0.3825%水制劑AC3:50%乙二醇；49.625%四氫噻吩砜；0.375%氟化氫制劑AD3:45%乙二醇；39.625%四氫噻吩砜；15°/。三丙二醇甲醚；0.375%氟化氫制劑AE3:45%乙二醇；34.625%四氫噻吩砜；20%三丙二醇甲醚；0.375%氟化氫制劑AF3:45%乙二醇；39.625°/。四氫噻吩砜；15%二丙二醇正丁醚；0.375%氟化氫制劑AG3:45%乙二醇；39.625%四氫噻吩砜；15%二丙二醇甲醚；0.375°/。氟化氫制劑AH3:70.0%1，4-丁二醇；29.25%l-丁醇；0.3675%氟化氫；0.3825%水制劑AI3:44.882%乙二醇；15%二(丙二醇)丁醚；39.64%環(huán)丁砜；0.375%HF;0.1%聚季銨鹽2;0.003%四甲基氫氧化銨硅酸鹽制劑BA:0.5%氟化銨；2.58%丙二酸；68.08%二乙二醇；3%二甲基二甘醇胺；25.64%水;0.2%3-氨基-5-巰基-1，2，4-三唑先U齊ljBB:0.5%氟化鉸；2.58%丙二酸；68.08%二乙二醇；3%二甲基二甘醇胺；25.64%水；0.2。/。4-甲基-2-苯基咪唑帝ij齊UBC:0.5%氟化銨；2.58%丙二酸；68.08%二乙二醇；30/0二甲基二甘醇胺；25.64%水；0.2%5-氨基-1,3,4-噻二唑-2-硫醇組分制劑BDBEBFBGBHBI氟化銨0.5%0.5%0.5%0.5%0.5%0.5%丙二酸2.58%2.58%2.58%2.58%2.58%2.58%二乙二醇72.92%79.92%86.92%87.92%88.92%89.92%二甲基二甘醇胺3%3%3%3%3%3%水21%14%7%6%5%4%組分制劑BJBKBLBM氟化銨0.5%0.5%0,5%0.5%丙二酸2.58%2.58%2.58%2.58%二乙二醇90.92%91.92%92.92%93.92%甲基二甘醇胺3%3%3%3%水3%2%1%0%組分制劑BNBOBPBQ氟化銨0.5%0.5%0.5%0.5%丙二酸2.58%2.58%2.58%2.58%二乙二醇93.82%92.82%91.82%90.82%二甲基二甘醇胺3%3%3%3%水0%1%2%3%-氨基-1,3,4-噻二唑-2-硫醇0.1%0.1%0.1%0.1%制劑BR:2.0%氟化銨;2.58%丙二酸;89.52%.二乙二醇;3%二甲甘醇胺；2.9%檸檬酸制劑BS:1.0%氟化銨;5.16%丙二酸;87.84%-二乙二醇;3%二甲基二甘醇胺；3%馬來酸制劑BT:75%甲基二乙醇胺-氫氟酸鹽；25%水制劑BU:67.5%甲基二乙醇胺-氫氟酸鹽；22.5%tK;10%二乙二醇甲醚制劑BV:60%甲基二乙醇胺-氫氟酸鹽；20%水；20%二乙二醇甲醚制劑BW:67.5%甲基二乙醇胺-氫氟酸鹽；22.5%水；10°/。咪唑烷酮制劑BX:60%甲基二乙醇胺-氫氟酸鹽；20%水；20%NMP制劑BY:74.85%甲基二乙醇胺-氫氟酸鹽；24.95%水；0.2%3-氨基-5-巰基-l,2,4-三唑制齊'JBZ:74.85%甲基二乙醇胺-氫氟酸鹽；24.95%水；0.2%5-氨基-l，3，4-噻二唑-2-硫醇制劑BA2:74.85%甲基二乙醇胺-氫氟酸鹽；24.95%7jC;0.2%4-甲基—4H-l，2,4-三唑-3-硫醇制劑BB^60%甲基二乙醇胺-氫氟酸鹽；20%水；20%五甲基二亞乙基三胺制劑BC2:59.88%甲基二乙醇胺-氫氟酸鹽；19.96%水；19.96%NMP;0.2%5-氨基-1，3,4-噻二唑-2-硫醇制劑BD2:59.88%甲基二乙醇胺-氫氟酸鹽；19.96%水；19.96%NMP;0.2%4-甲基-4H-l，2,4-三唑-3-硫醇制劑BE2:37.5%甲基二乙醇胺-氫氟酸鹽；18.75%三乙醇胺-氫氟酸鹽；22.1%羥乙基嗎啉-氫氟酸鹽；21.65%水制劑BF2:60%甲基二乙醇胺-氫氟酸鹽；7.5%三乙醇胺-氫氟酸鹽；8.84%羥乙基嗎啉-氫氟酸鹽；23.66%水制劑BG2:45%甲基二乙醇胺-氫氟酸鹽；29.88%甲基二乙醇胺-磷酸鹽；25.12%水制劑BH2:40.55%甲基二乙醇胺-氫氟酸鹽；26.89%甲基二乙醇胺-磷酸鹽；10%二甲基乙酰胺；22.6%水制劑BI2:40.55%甲基二乙醇胺-氫氟酸鹽；26.89%甲基二乙醇胺-磷酸鹽；10%NMP;22.6%7K制劑BJ2:40.55%甲基二乙醇胺-氫氟酸鹽；26.89%甲基二乙醇胺-磷酸鹽；10%DMSO;22.6%7_K。21.權(quán)利要求1的液體去除組合物，其中所述微電子器件包括選自如下的制品半導(dǎo)體基板、平板顯示器和微機電系統(tǒng)(MEMS)。22.—種試劑盒，其在一個或多個容器中包含液體去除組合物的試劑，其中所述液體去除組合物包含至少一種含氟化合物、至少一種有機溶劑、任選的水和任選的至少一種螯合劑，并且其中該試劑盒適于形成適用于從其上具有SARC材料和/或蝕刻后殘留物的微電子器件上去除所述材料和殘留物的液體去除組合物。23.—種從其上具有SARC材料和/或蝕刻后殘留物的微電子器件上去除所述材料和殘留物的方法，所述方法包括使所述微電子器件與液體去除組合物接觸足夠的時間，從而至少部分地從所述微電子器件上去除所述材料和殘留物，其中所述液體去除組合物包含至少一種含氟化合物、至少一種有機溶劑、任選的水和任選的至少一種螯合劑。24.權(quán)利要求23的方法，其中所述液體去除組合物包含水，其中有機溶劑相對于水的摩爾比為約1:1至約150:1。25.權(quán)利要求23的方法，其中所述液體去除組合物包含水，其中有機溶劑相對于水的摩爾比為約30:1至約60:1。26.權(quán)利要求23的方法，其中所述微電子器件為選自如下的制品半導(dǎo)體基板、平板顯示器和微機電系統(tǒng)(MEMS)。27.權(quán)利要求23的方法，其中所述接觸進行的時間為約1分鐘至約60分鐘。28.權(quán)利要求23的方法，其中在約20。C至約80。C的溫度下進行所述接觸。29.權(quán)利要求23的方法，其中所述至少一種含氟化合物包括氟化氫；且其中所述至少一種有機溶劑包括選自如下的化合物四氫噻吩砜、甲醇、乙醇、l-丙醇、2-丙醇、l-丁醇、2-丁醇、叔丁醇、l-戊醇、乙二醇、丙二醇、1,4-丁二醇、新戊二醇、二乙二醇單甲醚、三乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、三乙二醇單乙醚、乙二醇單丙醚、乙二醇單丁醚、二乙二醇單丁醚、三乙二醇單丁醚、丙二醇甲醚、二丙二醇甲醚、三丙二醇甲醚、丙二醇正丙醚、二丙二醇正丙醚、三丙二醇正丙醚、丙二醇正丁醚、二丙二醇正丁醚、三丙二醇正丁醚、二甲基乙酰胺、甲酰胺、二甲基甲酰胺、l-甲基-2-吡咯烷酮、二甲亞砜及其組合。30.權(quán)利要求23的方法，其中有機溶劑相對于含氟化合物的摩爾比為約1:1至約120:1。31.權(quán)利要求23的方法，其中有機溶劑相對于含氟化合物的摩爾比為約30:1至約60:1。32.權(quán)利要求23的方法，其中所述接觸包括選自于如下的過程將所述液體去除組合物噴淋到所述微電子器件的表面上；將所述微電子器件浸漬到足夠體積的液體去除組合物中；使所述微電子器件的表面與用所述液體去除組合物飽和的另一種材料相接觸；和使所述微電子器件與循環(huán)的液體去除組合物接觸。33.權(quán)利要求23的方法，還包括在與所述液體去除組合物接觸之后用去離子水漂洗所述微電子器件。34.權(quán)利要求23的方法，其中所述液體去除組合物還包含至少一種酸堿緩沖劑。35.權(quán)利要求23的方法，其中所述液體去除組合物選自制劑AA-A^和BA-BJ2，其中所有的百分比按重量計，基于所述制劑的總重量制劑AA:99.5%乙醇；0.245%氟化氫；0.255%水制劑AB:98.5%乙醇；0.735%氟化氫；0.765%水制劑AC:74.5%乙醇；25.0%二丙二醇甲醚；0.245%氟化氫；0.255%水制劑AD:73.5%乙醇；25.0%二丙二醇甲醚；0.735%氟化氫；0.765%水制劑AE:74.5%乙醇；25.0%二乙二醇甲醚；0.245%氟化氫；0.255%水制劑AF:73.5%乙醇；25.0%二乙二醇甲醚；0.735%氟化氫；0.765%水制劑AG:98.0%乙醇；0.98%氟化氫；1.02%水制劑AH:98.5%甲醇；0.735%氟化氫；0.765%水制劑AL98.5%乙二醇；0.735°/。氟化氫；0.765%水制劑AJ:98.5%丙二醇；0.735。/。氟化氫；0.765%水制劑AK:98.5°/。二乙二醇丁醚；0.735%氟化氫；0.765%水制劑AL:98.5%2-丙醇；0.735%氟化氫；0.765%水制劑AM:98.5%1,4-丁二醇；0.735%氟化氫；0.765%水制劑AN:98.5%l-丙醇；0.735%氟化氫；0.765%水制劑AO:98.5%l-戊醇；0.735%氟化氫；0.765%水制劑AP:25.0%乙二醇；73.5%l-丁醇；0.735。/o氟化氫；0.765%水制劑AO:98.5%l-丁醇；0.735%氟化氫；0.765%水制劑AR:50.0%乙二醇；48.5%l-丁醇；0.735%氟化氫；0.765%水制劑AS:75.0%乙二醇；23.5%l-丁醇；0.735°/。氟化氫；0.765%水制劑AT:25.0%乙二醇；73.5%乙醇；0.735%氟化氫；0.765。/0水制劑AU:50.0%乙二醇；48.5%乙醇；0.735%氟化氫；0.765°/0水制劑AV.-75.0%乙二醇；23.5。/0乙醇；0.735%氟化氫；0.765%水制劑AW:70.0°/。乙二醇；28.5%l-丁醇；0.735。/o氟化氫；0,765%水制劑AX.-50.0%乙二醇；48.5%l-丁醇；0.735%氟化氫；0.765%水制劑AY:75.0%乙二醇；23.5%1，4-丁二醇；0.735%氟化氫；0.765%水制劑AZ:60.0%乙二醇；38.5%l-戊醇；0.735%氟化氫；0.765%水制劑AA2:50.0%乙二醇；48.5%1-戊醇；0.735%氟化氫；0.765%水制劑AB2:80.0%乙二醇；18.5%1-戊醇；0.735%氟化氫；0.765%水制劑AC2:90.0%乙二醇；8.5%l-戊醇；0.735%氟化氫；0.765%水制劑AD2:99.25%1,4-丁二醇；0.3675%氟化氫；0.3825%水制劑AE2:90.0%乙二醇；9.25%l-戊醇；0.3675%氟化氫；0.3825%水制劑AF2:99.51%1,4-丁二醇；0.49%氟化氫制劑AG2:99.265%1，4-丁二醇；0.735%氟化氫制劑AH2:89.25%1,4-丁二醇；10.0%l-丁醇；0.3675%氟化氫；0.3825%水制劑AI2:80.0%1,4-丁二醇；19.25%l-丁醇；0.3675%氟化氫；0.3825%水制劑AJ2:70.0%1,4-丁二醇；29.25%l-丁醇；0.3675%氟化氫；0.3825%水制劑AK2:60.0%1,4-丁二醇；39.25%l-丁醇；0.3675%氟化氫;0.3825%水律ll齊!jAL2:50.0%1,4-丁二醇；49.25%l-丁醇；0.3675%氟化氫;0.3825%水制劑AM2:98.875%1,4-丁二醇;0.55125%氟化氫；0.57375%水溶液四氫噻吩砜氫氟酸水乙二醇AN235%0.3675%0.3825%64.25%AO235%0.6125%0.6375%63.75%AP245%0.3675%0.3825%54.25%AQ245%0.6125%0.6375%53.75%AR240%0.49%0.51%59%AS240%0.49%0.51%59%AT235%0.49%0.51%64%AU245%0.49%0.51%54%AV240%0.3675%0.3825%59.25%AW240%0.6125%0,6375%58.75%AX250%0.3675%0.3825%49.25%制劑AY2:79.250/0乙醇;20%l-甲基-2-吡咯垸酮；0.3675%氟化氫；0.3825%水制劑AZ2:79.25%乙二醇；20%二甲基乙酰胺；0.3675%氟化氫；0.3825%水制劑AA3:99.25%四氫噻吩砜；0.3675%氟化氫；0.3825%水制劑AB3:50%乙二醇；49.25%四氫噻吩砜；0.3675%氟化氫；0.3825%水制劑AC3:50%乙二醇；49.625%四氫噻吩砜；0.375%氟化氫制劑AD3:45%乙二醇；39.625%四氫噻吩砜；15%三丙二醇甲醚；0.375%氟化氫制劑AE3:45°/。乙二醇；34.625%四氫噻吩砜；20%三丙二醇甲醚；0.375%氟化氫制劑AF3:45%乙二醇；39.625%四氫噻吩砜；15%二丙二醇正丁醚；0.375%氟化氫制劑AG3:45%乙二醇；39.625%四氫噻吩砜；15%二丙二醇甲醚;0.375%氟化氫制劑AH3:70.0%1，4-丁二醇；29.250/。l-丁醇；0.3675%氟化氫；0,3825%水制劑AI3:44.882%乙二醇；15%二(丙二醇)丁醚；39.64%環(huán)丁砜;0.375%HF;0.1%聚季銨鹽2;0.003%四甲基氫氧化銨硅酸鹽制齊'JB人:0.5%氟化銨；2.58%丙二酸；68.08%二乙二醇；3%二甲基二甘醇胺；25.64%水；0.2%3-氨基-5-巰基-1,2，4-三唑制齊UBB:0.5%氟化銨；2.58%丙二酸；68.08%二乙二醇；3%二甲基二甘醇胺；25.64%水；0.2%4-甲基-2-苯基咪唑翻BC.-0.5%氟化銨；2.58%丙二酸；68.08%二乙二醇；3%二甲基二甘醇胺；25.64%水；0.2%5-氨基-1,3，4-噻二唑-2-硫醇組分制劑BDBEBFBGBHBI氟化銨0.5%0.5%0.5%0.5%0.5%0.5%丙二酸2.58%2.58%2.58%2.58%2.58%2.58%二乙二醇72.92%79.92%86.92%87.92%88.92%89.92%.甲基二甘醇胺3%3%3%3%3%3%水21%14%7%6%5%4%組分制劑BJBKBLBM氟化銨0.5%0.5%0.5%0.5%丙二酸2.58%2.58%2.58%2.58%二乙二醇90.92%'91.92%92.92%93.92%二甲基二甘醇胺3%3%3%3%水3%2%1%0%組分制劑BNBOBPBQ氟化銨0.5%0.5%0.5%0.5%丙二酸2.58%2.58%2.58%2.58%二乙二醇93.82%92.82%91.82%90.82%二甲基二甘醇胺3%3%3%3%水0%1%2%3%氨基-l，3，4-噻二唑-2-硫醇0.1%0,1%0.1%0.1%制劑BR:2.0%氟化銨;2.58%丙二酸;89.52%.二乙二醇；3%二甲基二甘醇胺；2.9%檸檬酸制齊UBS:1.0%氟化銨；5.16%丙二酸；87.84%二乙二醇；3%二甲基二甘醇胺；3%馬來酸制劑BT:75%甲基二乙醇胺-氫氟酸鹽；25%水制劑BU:67.5%甲基二乙醇胺-氫氟酸鹽；22.5%zK;10°/。二乙二醇甲醚制劑BV.-60%甲基二乙醇胺-氫氟酸鹽；20%水；20%二乙二醇甲醚制劑BW:67.5%甲基二乙醇胺-氫氟酸鹽；22.5%水；10%咪唑烷酮制劑BX:60%甲基二乙醇胺-氫氟酸鹽；20%水；20%NMP制劑BY:74.85%甲基二乙醇胺-氫氟酸鹽；24.95%水；0.2%3-氨基-5-巰基-l,2,4-三唑制齊l」BZ:74.85。/。甲基二乙醇胺-氫氟酸鹽；24.95%水；0.2%5-氨基-l,3,4-噻二唑-2-硫醇制劑BA2:74.85。/。甲基二乙醇胺-氫氟酸鹽；24.95%水；0.2%4-甲基-4H-l,2，4-三唑-3-硫醇制劑BB2:60%甲基二乙醇胺-氫氟酸鹽；20%水；20%五甲基二亞乙基三胺制劑BC2:59.88%甲基二乙醇胺-氫氟酸鹽；19.%%水；19.96%NMP;0.2%5-氨基-l，3,4-噻二唑-2-硫醇制劑BD2:59.88%甲基二乙醇胺-氫氟酸鹽；19.96%水；19.96%NMP;0.2%4-甲基-4H-l,2，4-三唑-3-硫醇制劑BE2:37.5%甲基二乙醇胺-氫氟酸鹽；18.75%三乙醇胺-氫氟酸鹽；22.1%羥乙基嗎啉-氫氟酸鹽；21.65%水制劑BF2:60%甲基二乙醇胺-氫氟酸鹽；7.5%三乙醇胺-氫氟酸鹽；8.84%羥乙基嗎啉-氫氟酸鹽；23.66%水制劑BG2:45%甲基二乙醇胺-氫氟酸鹽；29.88%甲基二乙醇胺-磷酸鹽；25.12Q/。水制劑BH2:40.55%甲基二乙醇胺-氫氟酸鹽；26.89%甲基二乙醇胺-磷酸鹽；10%二甲基乙酰胺；22.6%水制劑BI2:40.55%甲基二乙醇胺-氫氟酸鹽；26.89%甲基二乙醇胺-磷酸鹽；10%NMP;22.6%水制劑BJ2:40.55%甲基二乙醇胺-氫氟酸鹽；26.890/。甲基二乙醇胺-磷酸鹽；10%DMSO;22.6%水。全文摘要本發(fā)明公開了用于從其上具有犧牲性抗反射涂層(SARC)材料的基板上去除所述犧牲性抗反射涂層材料的液體去除組合物及方法。所述液體去除組合物包括至少一種含氟化合物、至少一種有機溶劑、任選的水和任選的至少一種螯合劑。所述組合物在集成電路的制造中實現(xiàn)了SARC材料的至少部分的去除，而在基板上的例如鋁、銅和鈷合金的金屬物質(zhì)的蝕刻最少，并且不破壞在半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中所使用的低-k介電材料。文檔編號G03F7/42GK101233456SQ200680028153公開日2008年7月30日申請日期2006年6月7日優(yōu)先權(quán)日2005年6月7日發(fā)明者大衛(wèi)·D·伯恩哈德,大衛(wèi)·W·明賽克,托馬斯·H·鮑姆,梅利莎·K·拉斯申請人:高級技術(shù)材料公司