專利名稱：：圖案形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種在使對(duì)應(yīng)圖像數(shù)據(jù)調(diào)制的光在圖案形成材料上成像從而對(duì)該圖案形成材料進(jìn)行曝光的圖案形成方法。
背景技術(shù)：
：使空間光調(diào)制元件等調(diào)制的光通過成像光學(xué)系，使該光所成的像在規(guī)定的圖案形成材料上成像，從而對(duì)該圖案形成材料進(jìn)行曝光的曝光裝置已被公知。該曝光裝置具備曝光頭，該曝光頭具備分別對(duì)應(yīng)控制信號(hào)調(diào)制已照射的光的多個(gè)描繪部被排列成二維狀而成的空間光調(diào)制元件、向該空間光調(diào)制元件照射光的光源、和使利用該空間光調(diào)制元件調(diào)制的光所成的像在圖案形成材料上成像的成像光學(xué)系，通過使該曝光頭相對(duì)所述圖案形成材料的曝光面上相對(duì)移動(dòng)并同時(shí)動(dòng)作，可以在所述圖案形成材料的曝光面上形成需要的二維圖案(參照非專利文獻(xiàn)1及專利文獻(xiàn)o。在所述曝光裝置的所述曝光頭中，作為空間光調(diào)制元件，在使用通常能夠獲得的大小的數(shù)字，微鏡*器件(DMD)的情況下等，由于光源陣列的結(jié)構(gòu)等，難以用單一的曝光頭覆蓋(cover)足夠大小的曝光面積。所以，提出了并列使用多個(gè)所述曝光頭，并使該曝光頭相對(duì)掃描方向傾斜使用的方式的曝光裝置。例如，在專利文獻(xiàn)2中記載了如下所述的曝光裝置使具有微鏡被配置成矩形格子狀的DMD的多個(gè)曝光頭相對(duì)掃描方向傾斜，在與掃描方向直行的方向，傾斜的DMD的兩側(cè)部的三角形狀的部分在相鄰的DMD間彼此補(bǔ)充，通過這樣的設(shè)定安裝各曝光頭。另外，在專利文獻(xiàn)3中記載了如下所述的曝光裝置不使具有矩形格子狀的DMD的多個(gè)曝光頭相對(duì)掃描方向傾斜或只使其傾斜微小角度，在與掃描方向直行的方向上相鄰的DMD的曝光區(qū)域以規(guī)定寬度重合，通過這樣的設(shè)定，安裝各曝光頭，在相當(dāng)于各DMD的曝光區(qū)域間的重合部分的位置，以規(guī)定的比例使要驅(qū)動(dòng)的微鏡的數(shù)目漸減或漸增，從而使各DMD的曝光區(qū)域成為平行四邊形狀。但是，在使用多個(gè)所述曝光頭，使其相對(duì)掃描方向傾斜并進(jìn)行曝光的情況下，通常難以微調(diào)節(jié)所述曝光頭間的相對(duì)位置或相對(duì)安裝角度，存在略微偏離理想的相對(duì)位置及相對(duì)安裝角度的問題。另一方面，為了提高析像度等，還提出了使用所述曝光頭時(shí)，使來自一個(gè)描繪部的光線的掃描線與來自另一個(gè)描繪部的光線的掃描線一致，從而實(shí)際上多次重復(fù)曝光所述圖案形成材料的曝光面上的各點(diǎn)的多重曝光形式的曝光裝置。例如，在專利文獻(xiàn)4中記載了如下所述的曝光裝置為了提高在被曝光面上形成的二維圖案的析像度，從而可以表現(xiàn)含有光滑的斜線的圖案，使多個(gè)微鏡(描繪部)排列成二維狀的矩形的DMD相對(duì)掃描方向傾斜使用，來自相鄰的微鏡的曝光點(diǎn)(spot)在被曝光面上部分重合而成。另外，在專利文獻(xiàn)5中記載了仍然通過相對(duì)掃描方向傾斜使用矩形的DMD，在被曝光面上重合曝光點(diǎn)，從而使改變總照明色度得到的彩色圖像(colorimage)的表現(xiàn)或微透鏡的部分缺陷等主要原因引起的成像誤差(imagingerror)的抑制成為可能的曝光裝置。但是，即使在進(jìn)行所述多重曝光的情況下，由于所述曝光頭的安裝角度偏離理想的設(shè)定傾斜角度，從而在將要曝光的所述圖案形成材料的曝光面上的位置，曝光點(diǎn)的密度或排列與其他部分不同，在成像于所述圖案形成材料上的像的析像度或濃度中產(chǎn)生不均，進(jìn)而，形成的圖案的邊緣粗糙度(edgeroughness)變大。進(jìn)而，不僅所述曝光頭的安裝位置或安裝角度的偏離，而且所述描繪部與所述圖案形成材料的曝光面之間的光學(xué)系的各種像差或所述描繪部自身的偏斜等引起產(chǎn)生的圖案偏斜也成為在所述圖案形成材料的曝光面上形成的所述圖案的析像度或濃度中產(chǎn)生不均的原因。對(duì)于這些問題，考慮了提高所述曝光頭的安裝位置或安裝角度的調(diào)節(jié)精密度以及光學(xué)系的調(diào)節(jié)精密度等的方法，但如果追求精密度的提高，則制造成本會(huì)變得非常高。同樣的問題不僅所述曝光裝置，而且在噴墨打印機(jī)等各種描繪裝置中也會(huì)產(chǎn)生。因而，目前尚未提供一種通過消除所述曝光頭的安裝位置或安裝角度的偏離以及所述描繪部與所述圖案形成材料的曝光面之間的光學(xué)系的各種像差及所述描繪部自身的傾斜等引起的圖案偏斜導(dǎo)致的曝光量的不均的影響，減輕在所述圖案形成材料的被曝光面上形成的所述圖案的析像度的不均或濃度的不均，來高精細(xì)而且有效地形成所述圖案的圖案形成方法，需要進(jìn)一步的改良開發(fā)。專利文獻(xiàn)1:特開2004—1244號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)2:特開2004—9595號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3:特開2003—195512號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)4:美國(guó)專利第6493867號(hào)說明書專利文獻(xiàn)5:特表2001—500628號(hào)公報(bào)非專利文獻(xiàn)1:石川明人"無掩模曝光的開發(fā)縮短和批量生產(chǎn)適用化"，"電子學(xué)(electronics)按照技術(shù)"，株式會(huì)社技術(shù)調(diào)査會(huì)，Vo1.18，No.6，2002年，p.74—79
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明正是鑒于這種現(xiàn)狀而提出的，以解決以往的所述各問題、實(shí)現(xiàn)以下目的為課題。即，本發(fā)明提供一種通過消除(均卞)所述曝光頭的安裝位置或安裝角度的偏離以及所述描繪部與所述圖案形成材料的曝光面之間的光學(xué)系的各種像差及所述描繪部自身的傾斜等引起的圖案偏斜導(dǎo)致的曝光量的不均的影響，減輕在所述圖案形成材料的被曝光面上形成的所述圖案的析像度的不均或濃度的不均，來高精細(xì)而且有效地形成所述圖案的圖案形成方法。作為用于解決所述課題的手段，如下所述。即<1>一種圖案形成方法，其特征在于，在被處理基體上層疊在支撐體上具有感光層的圖案形成材料中的該感光層之后，相對(duì)于該感光層使用如下所述的曝光頭，艮P:所述曝光頭具備光照射機(jī)構(gòu)；及光調(diào)制機(jī)構(gòu)，其具有接受來自所述光照射機(jī)構(gòu)的光并射出的n個(gè)(其中，n為2以上的自然數(shù))排列成二維狀的描繪部、且可以對(duì)應(yīng)圖案信息來控制所述描繪部，所述描繪部的列方向配置成相對(duì)該曝光頭的掃描方向呈規(guī)定的設(shè)定傾斜角度e，所述圖案形成方法包括利用使用描繪部指定機(jī)構(gòu)，對(duì)于所述曝光頭，指定可以使用的所述描繪部中的用于N重曝光(其中，N為2以上的自然數(shù))的所述描繪部的工序；利用描繪部控制機(jī)構(gòu)，對(duì)于所述曝光頭，進(jìn)行所述描繪部的控制，使只有由所述使用描繪部指定機(jī)構(gòu)指定的所述描繪部參與曝光的工序；和相對(duì)于所述感光層，使所述曝光頭沿掃描方向相對(duì)移動(dòng)，從而進(jìn)行曝光的工序。在該<1>中記載的圖案形成方法中，利用使用描繪部指定機(jī)構(gòu)，對(duì)于所述曝光頭，指定可以使用的所述描繪部中的用于N重曝光(其中，N為2以上的自然數(shù))的所述描繪部，利用描繪部控制機(jī)構(gòu)，進(jìn)行所述描繪部的控制，使得只有由所述使用描繪部指定機(jī)構(gòu)指定的所述描繪部參與曝光。通過使曝光頭相對(duì)所述感光層沿掃描方向相對(duì)地移動(dòng)來進(jìn)行曝光，可以消除所述曝光頭的安裝位置或安裝角度的偏離引起的在所述圖案形成材料的被曝光面上形成的所述圖案的析像度的不均或濃度的不均。結(jié)果，可以通過高精細(xì)地進(jìn)行向所述圖案形成材料的曝光。例如，然后對(duì)所述感光層進(jìn)行顯影，來形成高精細(xì)的圖案。<2>根據(jù)所述<1>記載的圖案形成方法，其中，曝光是利用多個(gè)曝光頭進(jìn)行的，使用描繪部指定機(jī)構(gòu)指定在參與由多個(gè)所述曝光頭形成的被曝光面上的作為重復(fù)曝光區(qū)域的頭間連接區(qū)域的曝光的描繪部中、為實(shí)現(xiàn)所述頭間連接區(qū)域的N重曝光而使用的所述描繪部。在該<2>中記載的圖案形成方法中，曝光是利用多個(gè)曝光頭進(jìn)行的，在參與利用多個(gè)所述曝光頭形成的被曝光面上的重復(fù)曝光區(qū)域的頭間連接區(qū)域的曝光的描繪部中，使用描繪部指定機(jī)構(gòu)指定用于實(shí)現(xiàn)所述頭間連接區(qū)域的N重曝光而使用的所述描繪部，這樣，可以消除所述曝光頭的安裝位置或安裝角度的偏離引起的在所述圖案形成材料的被曝光面上的頭間連接區(qū)域形成的所述圖案的析像度的不均或濃度的不均。結(jié)果，可以高精細(xì)地進(jìn)行向所述圖案形成材料的曝光。例如，然后通過對(duì)所述感光層進(jìn)行顯影，來形成高精細(xì)的圖案。<3>根據(jù)所述<2>記載的圖案形成方法，其中，曝光是利用多個(gè)曝光頭進(jìn)行的，使用描繪部指定機(jī)構(gòu)指定在參與由多個(gè)所述曝光頭形成的被曝光面上的作為重復(fù)曝光區(qū)域的頭間連接區(qū)域以外的曝光的描繪部中、為實(shí)現(xiàn)所述頭間連接區(qū)域以外的區(qū)域的N重曝光而使用的所述描繪部。在該<3>中記載的圖案形成方法中，曝光是利用多個(gè)曝光頭進(jìn)行的，在參與利用多個(gè)所述曝光頭形成的被曝光面上的重復(fù)曝光區(qū)域的頭間連接區(qū)域以外的曝光的描繪部中，使用描繪部指定機(jī)構(gòu)指定為實(shí)現(xiàn)所述頭間連接區(qū)域以外的N重曝光而使用的所述描繪部，這樣，可以消除所述曝光頭的安裝位置或安裝角度的偏離引起的在所述圖案形成材料的被曝光面上的頭間連接區(qū)域以外形成的所述圖案的析像度的不均或濃度的不均。結(jié)果，可以高精細(xì)地進(jìn)行向所述圖案形成材料的曝光。例如，然后通過對(duì)所述感光層進(jìn)行顯影，來形成高精細(xì)的圖案。<4>根據(jù)所述<1><3>中任意一項(xiàng)記載的圖案形成方法，其中，eK^相對(duì)于N重曝光數(shù)的N、描繪部的列方向的個(gè)數(shù)s、所述描繪部的列方向的間隔p及在使曝光頭傾斜的狀態(tài)下沿與該曝光頭的掃描方向正交的方向的描繪部的列方向的間距5而滿足下述式SpSineidealgN5，將設(shè)定傾斜角度e設(shè)定為相對(duì)于0i^滿足e^eideal的關(guān)系。.<5>根據(jù)所述<1><4>中任意一項(xiàng)記載的圖案形成方法，其中，N重曝光的N為3以上的自然數(shù)。在該<5>中記載的圖案形成方法中，通過使N重曝光的N為3以上的自然數(shù)，可以進(jìn)行多重描繪。結(jié)果，利用補(bǔ)償?shù)男Ч梢愿艿叵銎毓忸^的安裝位置或安裝角度的偏離引起的在所述圖案形成材料的被曝光面上形成的所述圖案的析像度的不均或濃度的不均。<6>根據(jù)所述<1><5>中任意一項(xiàng)記載的圖案形成方法，其中，使用描繪部指定機(jī)構(gòu)具備在被曝光面上檢測(cè)利用描繪部生成且作為構(gòu)成被曝光面上的曝光區(qū)域的描繪單位的光點(diǎn)位置的光點(diǎn)位置檢測(cè)機(jī)構(gòu)；和基于所述光點(diǎn)位置檢測(cè)機(jī)構(gòu)檢測(cè)的檢測(cè)結(jié)果來選擇用于實(shí)現(xiàn)N重曝光而使用的描繪部的描繪部選擇機(jī)構(gòu)。<7>根據(jù)所述<1><6>中任意一項(xiàng)記載的圖案形成方法，其中，使用描繪部指定機(jī)構(gòu)以行為單位指定用于實(shí)現(xiàn)N重曝光而使用的使用描繪部。<8>根據(jù)所述<6>或<7>記載的圖案形成方法，其中，基于光點(diǎn)位置檢測(cè)機(jī)構(gòu)檢測(cè)出的至少2個(gè)光點(diǎn)位置，確定在使曝光頭傾斜的狀態(tài)下的被曝光面上的光點(diǎn)的列方向與所述曝光頭的掃描方向所成的實(shí)際傾斜角度e'，描繪部選擇機(jī)構(gòu)選擇使用描繪部，從而吸收所述實(shí)際傾斜角度e'與設(shè)定傾斜角度e的誤差。<9>根據(jù)所述<8>記載的圖案形成方法，其中，實(shí)際傾斜角度e，是在使曝光頭傾斜的狀態(tài)下的被曝光面上的光點(diǎn)的列方向與所述曝光頭的掃描方向所成的多個(gè)實(shí)際傾斜角度的平均值、中位值、最大值及最小值的任意一個(gè)。<10>根據(jù)所述<8>或<9>記載的圖案形成方法，其中，描繪部選擇機(jī)構(gòu)基于實(shí)際傾斜角度e，，導(dǎo)出與滿足ttane，二N(其中，N表示N重曝光數(shù)的N)的關(guān)系的t相近的自然數(shù)T，并選擇排列成m行(其中，m表示2以上的自然數(shù))的描繪部中從第1行到第所述T行的所述描繪部作為使用描繪部。<11>根據(jù)所述<8>或<9>記載的圖案形成方法，其中，描繪部選擇機(jī)構(gòu)基于實(shí)際傾斜角度e，，導(dǎo)出與滿足ttane，二N(其中，N表示N重曝光數(shù)的N)的關(guān)系的t相近的自然數(shù)T，指定排列成m行(其中，m表示2以上的自然數(shù))的描繪部中從第(T+l)行到第m行的所述描繪部作為不使用描繪部，并選擇排除了該不使用描繪部的所述描繪部作為使用描繪部。<12>根據(jù)所述<6><11>中任意一項(xiàng)記載的圖案形成方法，其中，描繪部選擇機(jī)構(gòu)是如下(1)、(2)、(3)、(4)所述機(jī)構(gòu)中的任意一種(1)按照在至少包含利用多個(gè)描繪部列形成的被曝光面上的重復(fù)曝光區(qū)域的區(qū)域中相對(duì)理想的N重曝光成為曝光過多的區(qū)域及成為曝光不足的區(qū)域的總面積成為最小的方式，選擇使用描繪部的機(jī)構(gòu)；(2)按照在至少包含利用多個(gè)描繪部列形成的被曝光面上的重復(fù)曝光區(qū)域的區(qū)域中相對(duì)理想的N重曝光成為曝光過多的區(qū)域的描繪單位數(shù)與成為曝光不足的區(qū)域的描繪單位數(shù)相等的方式，選擇使用描繪部的機(jī)構(gòu)；(3)按照在至少包含利用多個(gè)描繪部列形成的被曝光面上的重復(fù)曝光區(qū)域的區(qū)域中相對(duì)理想的N重曝光成為曝光過多的區(qū)域的面積成為最小、且不產(chǎn)生成為曝光不足的區(qū)域的方式，選擇使用描繪部的機(jī)構(gòu)；以及(4)按照在至少包含利用多個(gè)描繪部列形成的被曝光面上的重復(fù)曝光區(qū)域的區(qū)域中相對(duì)理想的N重曝光成為曝光不足的區(qū)域的面積成為最小、且不產(chǎn)生成為曝光過多的區(qū)域的方式，選擇使用描繪部的機(jī)構(gòu)。<13>根據(jù)所述<6><12>中任意一項(xiàng)記載的圖案形成方法，其中，描繪部選擇機(jī)構(gòu)是如下(1)、(2)、(3)、(4)所述機(jī)構(gòu)中的任意一種(1)按照在作為利用多個(gè)曝光頭形成的被曝光面上的重復(fù)曝光區(qū)域的頭間連接區(qū)域中相對(duì)理想的N重曝光成為曝光過多的區(qū)域及成為曝光不足的區(qū)域的總面積成為最小的方式，從參與所述頭間連接區(qū)域的曝光的描繪部中，確定不使用描繪部，選擇排除了該不使用描繪部的所述描繪部作為使用描繪部的機(jī)構(gòu)；(2)按照在作為利用多個(gè)曝光頭形成的被曝光面上的重復(fù)曝光區(qū)域的頭間連接區(qū)域中相對(duì)理想的N重曝光成為曝光過多的區(qū)域的描繪單位數(shù)與成為曝光不足的區(qū)域的描繪單位數(shù)相等的方式，從參與所述頭間連接區(qū)域的曝光的描繪部中，確定不使用描繪部，選擇排除了該不使用描繪部的所述描繪部選作為使用描繪部的機(jī)構(gòu)；(3)按照在作為利用多個(gè)曝光頭形成的被曝光面上的重復(fù)曝光區(qū)域的頭間連接區(qū)域中相對(duì)理想的N重曝光成為曝光過多的區(qū)域的面積成為最小、且不產(chǎn)生成為曝光不足的區(qū)域的方式，從參與所述頭間連接區(qū)域的曝光的描繪部中，確定不使用描繪部，選擇排除了該不使用描繪部的所述描繪部作為使用描繪部的機(jī)構(gòu)；以及(4)按照在作為利用多個(gè)曝光頭形成的被曝光面上的重復(fù)曝光區(qū)域的頭間連接區(qū)域中相對(duì)理想的N重曝光成為曝光不足的區(qū)域的面積成為最小、且不產(chǎn)生成為曝光過多的區(qū)域的方式，從參與所述頭間連接區(qū)域的曝光的描繪部中，確定不使用描繪部，選擇排除了該不使用描繪部的所述描繪部作為使用描繪部的機(jī)構(gòu)。<14>根據(jù)所述<13>記載的圖案形成方法，其中，以行為單位確定不使用描繪部。<15>根據(jù)所述<5><14>中任意一項(xiàng)記載的圖案形成方法，其中，為了在使用描繪部指定機(jī)構(gòu)中指定使用描繪部，相對(duì)N重曝光的N，只使用可以使用的所述描繪部中構(gòu)成每隔(N—l)列的描繪部列的所述描繪部，進(jìn)行參照曝光。在該<15>中記載的圖案形成方法中，為了在使用描繪部指定機(jī)構(gòu)中指定使用描繪部，相對(duì)N重曝光的N，只使用可以使用的所述描繪部中構(gòu)成每隔(N—l)列的描繪部列的所述描繪部，進(jìn)行參照曝光，可以得到大致l重描繪的單純的圖案。結(jié)果，可以容易地指定所述頭間連接區(qū)域中的所述描繪部。<16>根據(jù)所述<5><14>中任意一項(xiàng)記載的圖案形成方法，其中，為了在使用描繪部指定機(jī)構(gòu)中指定使用描繪部，相對(duì)N重曝光的N，只使用可以使用的所述描繪部中構(gòu)成每隔1/N行的描繪部行的所述描繪部，進(jìn)行參照曝光。在該<16>中記載的圖案形成方法中，為了在使用描繪部指定機(jī)構(gòu)中指定使用描繪部，相對(duì)N重曝光的N，只使用可以使用的所述描繪部中構(gòu)成每隔1/N行的描繪部行的所述描繪部，進(jìn)行參照曝光，可以得到大致l重描繪的單純的圖案。結(jié)果，可以容易地指定所述頭間連接區(qū)域中的所述描繪部。<17>根據(jù)所述<1><16>中任意一項(xiàng)記載的圖案形成方法，其中，使用描繪部指定機(jī)構(gòu)具有作為光點(diǎn)位置檢測(cè)機(jī)構(gòu)的狹縫及光檢測(cè)器以及作為描繪部選擇機(jī)構(gòu)的與所述光檢測(cè)器連接的運(yùn)算裝置。<18>根據(jù)所述<1><17>中任意一項(xiàng)記載的圖案形成方法，其中，N重曝光的N為3以上7以下的自然數(shù)。<19>根據(jù)所述<1><18>中任意一項(xiàng)記載的圖案形成方法，其中，光調(diào)制機(jī)構(gòu)進(jìn)一步具有基于形成的圖案信息產(chǎn)生控制信號(hào)的圖案信號(hào)生成機(jī)構(gòu)而成，對(duì)應(yīng)該圖案信號(hào)生成機(jī)構(gòu)產(chǎn)生的控制信號(hào)，對(duì)從光照射機(jī)構(gòu)照射的光進(jìn)行調(diào)制。<20>根據(jù)所述<1><19>中任意一項(xiàng)記載的圖案形成方法，其中，具有轉(zhuǎn)換所述圖案信息的轉(zhuǎn)換機(jī)構(gòu)，使得圖案信息表示的圖案的規(guī)定部分的尺寸與可以利用指定的使用描繪部實(shí)現(xiàn)的對(duì)應(yīng)部分的尺寸一致。<21>根據(jù)所述<1><20>中任意一項(xiàng)記載的圖案形成方法，其中，光調(diào)制機(jī)構(gòu)為空間光調(diào)制元件。<22>根據(jù)所述<21〉記載的圖案形成方法，其中，空間光調(diào)制元件是數(shù)字微鏡器件(digitalmicromirrordevice)(DMD)。<23>根據(jù)所述<1><22>中任意一項(xiàng)記載的圖案形成方法，其中，描繪部為微鏡。<24>根據(jù)所述<1><23>中任意一項(xiàng)記載的圖案形成方法，其中，光照射機(jī)構(gòu)可以合成兩種以上的光照射。在該<24>中記載的圖案形成方法中，通過所述光照射機(jī)構(gòu)可以合成兩種以上的光照射，可以以焦點(diǎn)深度較深的曝光光進(jìn)行曝光。結(jié)果，可以以極高精細(xì)進(jìn)行向所述圖案形成材料的曝光。例如，然后，通過對(duì)所述感光層進(jìn)行顯影，可以形成極高精細(xì)的圖案。<25>根據(jù)所述<1><24>中任意一項(xiàng)記載的圖案形成方法，其中，光照射機(jī)構(gòu)具有多種激光器、多模光纖、和將從該多個(gè)激光器分別照射的激光束進(jìn)行聚光從而耦合于所述多模光纖的聚光光學(xué)系。在該<25>中記載的圖案形成方法中，利用所述光照射機(jī)構(gòu)，可以通過所述聚光光學(xué)系將從該多個(gè)激光器分別照射的激光束進(jìn)行會(huì)聚從而耦合在所述多模光纖，從而用焦點(diǎn)深度較深的曝光光進(jìn)行曝光。結(jié)果，可以極高精細(xì)地對(duì)所述圖案形成材料進(jìn)行曝光。例如，然后，通過對(duì)所述感光層進(jìn)行顯影，則可以形成極高精細(xì)的圖案。<26>根據(jù)所述<1><25>中任意一項(xiàng)記載的圖案形成方法，其中，曝光是通過排列有具有可修正描繪部的射出面的偏斜引起的像差的非球面的微透鏡的微透鏡陣列來進(jìn)行的。利用通過所述微透鏡陣列中的所述非球面，在該<26>中記載的圖案形成方法中，所述描繪部中的射出面的偏斜引起的像差被修正，在所述圖案形成材料上成像的像的偏斜被抑制。結(jié)果，可以極高精細(xì)地對(duì)所述圖案形成材料進(jìn)行曝光。例如，然后，通過對(duì)所述感光層進(jìn)行顯影，則可以形成極高精細(xì)的圖案。<27>根據(jù)所述<26>記載的圖案形成方法，其中，非球面為復(fù)曲面。在該<27>中記載的圖案形成方法中，通過使所述非球面為復(fù)曲面，可以有效地修正所述描繪部中發(fā)射面的偏斜引起的像差，可以有效地抑制在所述圖案形成材料上成的像發(fā)生偏斜。結(jié)果，可以高精細(xì)地進(jìn)行對(duì)所述圖案形成材料的曝光。然后，然后通過對(duì)所述感光層進(jìn)行顯影，可以形成高精細(xì)的圖案。<28〉根據(jù)所述<26>或<27>記載的圖案形成方法，其中，曝光是通過在微透鏡的聚光位置附近配置孔而成的孔陣列通過來進(jìn)行的，其中的孔被排列成只有經(jīng)過該微透鏡的光入射。在該<28>中記載的圖案形成方法中，通過通過所述孔陣列進(jìn)行曝光，可以提高消光比。結(jié)果，可以極高精細(xì)地進(jìn)行曝光。例如，然后，通過對(duì)所述感光層進(jìn)行顯影，可以形成極高精細(xì)的圖案。<29〉根據(jù)所述<1><28>中任意一項(xiàng)記載的圖案形成方法，其中，感光層含有粘合劑、聚合性化合物和光聚合引發(fā)劑。<30>根據(jù)所述<29>記載的圖案形成方法，其中，粘合劑具有酸性基。<31>根據(jù)所述<29>或<30>記載的圖案形成方法，其中，粘合劑為乙烯共聚物。<32>根據(jù)所述<29><31>中任意一項(xiàng)記載的圖案形成方法，其中，粘合劑含有共聚物，該共聚物具有來源于苯乙烯或苯乙烯衍生物的至少任意一種的結(jié)構(gòu)單位。<33>根據(jù)所述<29><32>中任意一項(xiàng)記載的圖案形成方法，其中，粘合劑的玻璃化溫度(Tg)為80。C以上。<34>根據(jù)所述<29〉<33>中任意一項(xiàng)記載的圖案形成方法，其中，粘合劑的酸值為70250mgKOH/g。<35>根據(jù)所述<29><34>中任意一項(xiàng)記載的圖案形成方法，其中，聚合性化合物含有具有尿烷基及芳基的至少任意一種的單體。<36>根據(jù)所述<29><35>中任意一項(xiàng)記載的圖案形成方法，其中，光聚合引發(fā)劑含有從鹵代烴衍生物、六芳基聯(lián)二咪唑、肟衍生物、有機(jī)過氧化物、硫代化合物、酮化合物、芳香族鑰鹽、及芳環(huán)烯金屬衍生物中選擇的至少一種。<37>根據(jù)所述<1><36>中任意一項(xiàng)記載的圖案形成方法，其中，感光層含有1090質(zhì)量％粘合劑、590質(zhì)量％聚合性化合物。<38>根據(jù)所述<1><37>中任意一項(xiàng)記載的圖案形成方法，其中，感光層的厚度為l100|am。<39>根據(jù)所述<1><38>中任意一項(xiàng)記載的圖案形成方法，其中，支撐體含有合成樹脂且為透明。<40>根據(jù)所述<1><39>中任意一項(xiàng)記載的圖案形成方法，其中，支撐體為長(zhǎng)條狀。<41>根據(jù)所述<1><40>中任意一項(xiàng)記載的圖案形成方法，其中，圖案形成材料為長(zhǎng)條狀，且被巻成輥狀而成。<42>根據(jù)所述<1><41〉中任意一項(xiàng)記載的圖案形成方法，其中，在圖案形成材料中的感光層上形成保護(hù)薄膜。利用本發(fā)明，可以提供一種通過消除所述曝光頭的安裝位置或安裝角度的偏離以及所述描繪部與所述圖案形成材料的曝光面之間的光學(xué)系的各種像差及所述描繪部自身的傾斜等引起的圖案偏斜導(dǎo)致的曝光量的不均的影響，減輕在所述圖案形成材料的被曝光面上形成的所述圖案的析像度的不均或濃度的不均，來高精細(xì)而且有效地形成所述圖案的圖案形成方圖1是表示圖案形成裝置的一例的外觀的立體圖。圖2是表示圖案形成裝置的掃描器(scanner)結(jié)構(gòu)的一例的立體圖。圖3A是表示在圖案形成材料的被曝光面上形成的己曝光區(qū)域的俯視圖。圖3B是表示各曝光頭所曝光范圍的排列的俯視圖。圖4是表示曝光頭的概略結(jié)構(gòu)的一例的立體圖。圖5A是表示曝光頭的具體結(jié)構(gòu)的一例的俯視圖。圖5B是表示曝光頭的具體結(jié)構(gòu)的一例的側(cè)面圖。圖6是表示圖1的圖案形成裝置的DMD的一例的局部放大圖。圖7A是表示微鏡處于開狀態(tài)的狀態(tài)的立體圖的一例。圖7B是表示微鏡處于關(guān)狀態(tài)的狀態(tài)的立體圖的一例。圖8是表示光纖陣列(fiberarmy)光源的結(jié)構(gòu)的一例的立體圖。圖9是表示光纖陣列光源的激光射出部中的發(fā)光點(diǎn)的排列的一例的主視圖。圖10是表示在存在曝光頭的安裝角度誤差及圖案偏斜時(shí)，在被曝光面上的圖案中產(chǎn)生的不均的例子的說明圖。圖11是表示1個(gè)DMD的曝光范圍與對(duì)應(yīng)的狹縫(slit)的位置關(guān)系的俯視圖。圖12是表示用于說明使用狹縫測(cè)定被曝光面上的光點(diǎn)的位置的方法的俯視圖。圖13是表示用于說明在只有被選擇的微鏡(micromhror)被用于曝光的結(jié)果，在被曝光面上的圖案上產(chǎn)生的不均被改善的狀態(tài)的說明圖。圖14是表示在相鄰的曝光頭之間存在相對(duì)位置的偏離時(shí)，在被曝光面上的圖案中產(chǎn)生的不均的例子的說明圖。圖15是表示相鄰的2個(gè)曝光頭的曝光范圍與對(duì)應(yīng)的狹縫之間的位置關(guān)系的俯視圖。圖16是表示用于說明使用狹縫測(cè)定被曝光面上的光點(diǎn)的位置的方法的俯視圖。圖17是表示在圖14的例子中只有被選擇的使用像素在實(shí)際工作，在被曝光面上的圖案中產(chǎn)生的不均被改善的狀態(tài)的說明圖。圖18是表示在相鄰的曝光頭間存在相對(duì)位置的偏離及安裝角度誤差時(shí)，在被曝光面上的圖案上產(chǎn)生的不均的例子的說明圖。圖19是表示在圖18的例子中只使用選擇的使用描繪部的曝光的說明圖。圖20A是表示倍率偏斜的例子的說明圖。圖20B是表示光束直徑偏斜的例子的說明圖。圖21A是表示使用單一曝光頭的參照曝光的第一例子的說明圖。圖21B是表示使用單一曝光頭的參照曝光的第一例子的說明圖。圖22是表示使用多個(gè)曝光頭的參照曝光的第一例子的說明圖。圖23A是表示使用單一曝光頭的參照曝光的第二例子的說明圖。圖23B是表示使用單一曝光頭的參照曝光的第二例子的說明圖。圖24是表示使用多個(gè)曝光頭的參照曝光的第二例子的說明圖。圖25是表示多模(multimode)光纖的結(jié)構(gòu)圖的一例。圖26是表示合波激光光源的結(jié)構(gòu)的俯視圖的一例。圖27是表示激光模塊(module)的結(jié)構(gòu)的俯視圖的一例。圖28是表示圖27所示的激光模塊的結(jié)構(gòu)的側(cè)面圖的一例。圖29是表示圖27所示的激光模塊的結(jié)構(gòu)的局部側(cè)面圖。圖30是表示激光器陣列的結(jié)構(gòu)的立體圖的一例。圖31A是表示多槽(multicavity)激光器的結(jié)構(gòu)的立體圖的一例。圖31B是將圖31A所示的多槽激光器排列成陣列狀的多槽激光器陣列的立體圖的一例。圖32是合波激光光源的其他結(jié)構(gòu)的俯視圖的一例。圖33A是表示合波激光光源的其他結(jié)構(gòu)的俯視圖的一例。圖33B是沿著圖34A的光軸的截面圖的一例。圖35A是沿著表示聚光光學(xué)系不同的其他曝光頭的結(jié)構(gòu)的光軸的截面圖的一例。圖35B是表示在不使用微透鏡陣列等的情況下向被曝光面投影的光像的俯視圖的一例。圖35C是表示在使用微透鏡陣列等的情況下向被曝光面投影的光像的俯視圖的一例。圖36是用等高線表示構(gòu)成DMD的微鏡的反射面的偏斜的圖的一例。圖37A是表示在該鏡的x方向，微鏡的反射面的高度位置變化的曲線圖的一例。圖37B是表示在該鏡的y方向，微鏡的反射面的高度位置變化的曲線圖的一例。圖38A是圖案形成裝置中使用的微透鏡陣列的主視圖的一例。圖38B是圖案形成裝置中使用的微透鏡陣列的側(cè)面圖的一例。圖39A是構(gòu)成微透鏡陣列的微透鏡的主視圖的一例。圖39B是構(gòu)成微透鏡陣列的微透鏡的側(cè)面圖的一例。圖40A是表示在一個(gè)截面內(nèi)，利用微透鏡得到的聚光狀態(tài)的概略圖的一例。圖40B是表示在一個(gè)截面內(nèi)，利用微透鏡得到的聚光狀態(tài)的概略圖的一例。圖41A是表示模擬(simulation)微透鏡的聚光位置附近的光束直徑的結(jié)果的圖的一例。圖42是表示在另一個(gè)位置，與圖41同樣進(jìn)行的模擬結(jié)果的圖的一例。圖43是在另一個(gè)位置表示，與圖41同樣進(jìn)行的模擬結(jié)果的圖的一例。圖44是在另一個(gè)位置表示，與圖41同樣進(jìn)行的模擬結(jié)果的圖的一例。圖45是表示在以往的圖案形成方法中，模擬微透鏡的聚光位置附近的光束直徑的結(jié)果的圖的一例。圖46是表示在另一個(gè)位置，與圖45同樣進(jìn)行的模擬結(jié)果的圖的一例。圖47是表示在另一個(gè)位置，與圖45同樣進(jìn)行的模擬結(jié)果的圖的一例。圖48是表示在另一個(gè)位置，與圖45同樣進(jìn)行的模擬結(jié)果的圖的一例。圖49A是構(gòu)成微透鏡陣列的微透鏡的主視圖的一例。圖49B是構(gòu)成微透鏡陣列的微透鏡的側(cè)面圖的一例。圖50A是表示在一個(gè)截面內(nèi)，利用圖49A及圖49B的微透鏡得到的聚光狀態(tài)的概略圖的一例。圖50B是表示在另一個(gè)截面圖內(nèi)，利用圖49A及圖49B的微透鏡得到的聚光狀態(tài)的概略圖的一例。圖51A是對(duì)于利用光量分布修正光學(xué)系進(jìn)行修正的概念的說明圖的一例。圖51B是對(duì)于利用光量分布修正光學(xué)系進(jìn)行修正的概念的說明圖的一例。圖51C是對(duì)于利用光量分布修正光學(xué)系進(jìn)行修正的概念的說明圖的一例。圖52是表示光照射機(jī)構(gòu)在高斯(Gauss)分布且不進(jìn)行光量分布的修正的情況下的光量分布的曲線圖的一例。圖53是表示利用光量分布修正光學(xué)系進(jìn)行修正后的光量分布的曲線圖的一例。圖54是表示在比較例1中，各像素列的傾斜角度變得不均一的"角度偏斜"引起在被曝光面上的圖案中產(chǎn)生的不均的例子的說明圖。具體實(shí)施方式(永久圖案形成方法)本發(fā)明的圖案形成方法在被處理基體上層疊在支撐體上具有感光層的圖案形成材料中的該感光層之后，相對(duì)于該感光層使用如下所述的曝光頭，即所述曝光頭具備光照射機(jī)構(gòu)；及光調(diào)制機(jī)構(gòu)，其具有接受來自所述光照射機(jī)構(gòu)的光并射出的n個(gè)(其中，n為2以上的自然數(shù))排列成二維狀的描繪部、且可以對(duì)應(yīng)圖案信息來控制所述描繪部，所述描繪部的列方向配置成相對(duì)該曝光頭的掃描方向呈規(guī)定的設(shè)定傾斜角度e，所述圖案形成方法包括利用使用描繪部指定機(jī)構(gòu)，對(duì)于所述曝光頭，指定可以使用的所述描繪部中的用于N重曝光(其中，N為2以上的自然數(shù))的所述描繪部的工序；利用描繪部控制機(jī)構(gòu)，對(duì)于所述曝光頭，進(jìn)行所述描繪部的控制，使只有由所述使用描繪部指定機(jī)構(gòu)指定的所述描繪部參與曝光的工序；和相對(duì)于所述感光層，使所述曝光頭沿掃描方向相對(duì)移動(dòng)，從而進(jìn)行曝光的工序，還包括適當(dāng)選擇的其他工序。所述N重曝光是指在所述感光層上的被曝光面的大致全部區(qū)域，與所述曝光頭的掃描方向平行的直線與照射到該被曝光面上的N根光線列相交的曝光。作為所述N重曝光的N，只要是2以上的自然數(shù)即可，沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)選擇，優(yōu)選為3以上的自然數(shù)，更優(yōu)選為3以上7以下的自然數(shù)。<圖案形成裝置〉參照附圖，對(duì)本發(fā)明的圖案形成方法中的圖案形成裝置的一例進(jìn)行說明。作為所述圖案形成裝置，為所謂平板型(flatbedtype)的曝光裝置，如圖1所示，具備在表面吸附并保持層疊薄片狀的圖案形成材料的感光層12的被處理基體(以下有時(shí)簡(jiǎn)稱為"圖案形成材料12")的平板狀移動(dòng)載物臺(tái)14。在由4根腳部16支撐的厚板狀的設(shè)置臺(tái)18的上面，設(shè)置沿著載物臺(tái)移動(dòng)方向延伸的2根導(dǎo)軌20。載物臺(tái)14被配置成其長(zhǎng)徑方向朝向載物臺(tái)移動(dòng)方向，同時(shí)被支撐為可以利用導(dǎo)軌20來回移動(dòng)。此外，在該圖案形成裝置10中設(shè)有沿著導(dǎo)軌20驅(qū)動(dòng)載物臺(tái)14的載物臺(tái)驅(qū)動(dòng)裝置(未圖示)。在設(shè)置臺(tái)18的中央部設(shè)有橫跨載物臺(tái)14的移動(dòng)路徑的"^"字狀的門22。"3"字狀的門22的端部分別被固定于設(shè)置臺(tái)18的兩側(cè)面。在夾持該門22的一側(cè)設(shè)有掃描器24，另一側(cè)設(shè)有檢測(cè)圖案形成材料12的前端及后端的多個(gè)(例如2個(gè))的傳感器26。掃描器24及傳感器26分別被安裝于門22，被固定配置于載物臺(tái)14的移動(dòng)路徑的上方。此外，掃描器24及傳感器26與控制它們的未圖示的控制器相連。在此，為了說明，如圖1所示，在與載物臺(tái)14的表面平行的平面內(nèi)，規(guī)定彼此正交的X軸及Y軸。沿著載物臺(tái)14的掃描方向，在上游側(cè)(以下有時(shí)簡(jiǎn)單地稱為"上游側(cè)"。)的端緣部，以等間隔形成10根形成為向X軸方向開口的"〈"字型狹縫28。各狹縫28由位于上游側(cè)的狹縫28a和位于下游側(cè)的狹縫28b構(gòu)成。狹縫28a與狹縫28b彼此正交，同時(shí)相對(duì)X軸，狹縫28a具有一45度、狹縫28b具有+45度的角度。使狹縫28的位置與所述曝光頭30的中心大致一致。另外，各狹縫28的大小為充分覆蓋對(duì)應(yīng)的曝光頭30的曝光范圍32的寬度的大小。另外，作為狹縫28的位置，也可以使其與相鄰的已曝光區(qū)域34間的重復(fù)部分的中心位置大致一致。這種情況下，各狹縫28的大小為充分覆蓋已曝光區(qū)域34間的重復(fù)部分的寬度的大小。在載物臺(tái)14內(nèi)部的各狹縫28的下方位置，在后述的使用描繪部指定處理中，分別插入作為檢測(cè)作為描繪單位的光點(diǎn)的光點(diǎn)位置檢測(cè)機(jī)構(gòu)的單一單位型光檢測(cè)器(未圖示)。另外，在后述的使用描繪部指定處理中，各光檢測(cè)器與作為進(jìn)行所述描繪部的選擇的描繪部選擇機(jī)構(gòu)的運(yùn)算裝置(未圖示)連接。作為曝光時(shí)的所述圖案形成裝置的動(dòng)作方式，可以為經(jīng)常使曝光頭移動(dòng)，并同時(shí)進(jìn)行連續(xù)地曝光的方式，也可以為階段地使曝光頭移動(dòng)，并同時(shí)在各移動(dòng)目的地的位置使曝光頭靜止進(jìn)行曝光動(dòng)作的方式?！镀毓忸^》各曝光頭30被安裝于掃描器24，并使后述的內(nèi)部的數(shù)字微鏡器件(DMD)36的各描繪部(微鏡)的列方向與掃描方向成規(guī)定的設(shè)定傾斜角度e。所以，各曝光頭30的曝光范圍32成為相對(duì)掃描方向傾斜的矩形狀的范圍。伴隨著載物臺(tái)14的移動(dòng)，在圖案形成材料12的每個(gè)曝光頭30形成帶狀的已曝光區(qū)域34。在圖2及圖3B所示的例子中，在掃描器24上具備排列成2行5列的近似矩陣狀的10個(gè)曝光頭。此外，在以下，在表示排列在第m行的第n列的各曝光頭時(shí)，標(biāo)記成曝光頭30mn，在表示排列在第m行的第n列的各曝光頭的曝光范圍時(shí)，標(biāo)記為曝光范圍32^。另外，如圖3A及圖3B所示，為了使帶狀的已曝光區(qū)域34分別與相鄰的己曝光區(qū)域34部分重疊，已排列成線(line)狀的各行曝光頭30分別向其排列方向錯(cuò)開規(guī)定間隔(曝光范圍的長(zhǎng)邊的自然數(shù)倍，在本實(shí)施方式中為2倍)配置。所以，在第1行的曝光范圍32u與曝光范圍3212之間不能曝光的部分，可以利用第2行的曝光范圍3221曝光。如圖4、圖5A及圖5B所示，曝光頭30分別具備DMD36(美國(guó)德克薩斯州儀器(亍年廿7乂7公司制)，作為對(duì)應(yīng)圖像數(shù)據(jù)在每個(gè)像素對(duì)入射的光進(jìn)行調(diào)制的光調(diào)制機(jī)構(gòu)(調(diào)制每個(gè)像素部的空間光調(diào)制元件)。該DMD36與具備數(shù)據(jù)處理部和鏡驅(qū)動(dòng)控制部的作為描繪部控制機(jī)構(gòu)的控制器連接。該控制器的數(shù)據(jù)處理部基于輸入的圖像數(shù)據(jù)，在每個(gè)曝光頭30，產(chǎn)生對(duì)DMD36上的使用區(qū)域內(nèi)的各微鏡進(jìn)行驅(qū)動(dòng)控制的控制信號(hào)。另外，鏡驅(qū)動(dòng)控制部基于在圖像數(shù)據(jù)處理部產(chǎn)生的控制信號(hào)，在每個(gè)曝光頭30，對(duì)DMD36的各微鏡的反射面的角度進(jìn)行控制。如圖4所示，在DMD36的光入射偵lj，依次配置具備光纖的射出端部(發(fā)光點(diǎn))沿著與曝光范圍32的長(zhǎng)邊方向一致的方向排列成一列的激光射出部的光纖陣列光源38，校正從光纖陣列光源38射出的激光并聚光于DMD上的透鏡系40，向DMD36反射透過該透鏡系40的激光的鏡42。此外，圖4概略地表示透鏡系40。如圖5A及圖5B所詳示，所述透鏡系40由如下所述結(jié)構(gòu)構(gòu)成，艮P-使從光纖陣列光源38射出的激光平行光化的一對(duì)組合透鏡44、將被平行光化的激光的光量分布校正成均一的一對(duì)組合透鏡46及將光量分布已被校正的激光聚光于DMD36上的聚光透鏡48構(gòu)成。另外，在DMD36的光反射側(cè)配置有使在DMD36射出的激光在圖案形成材料12的被曝光面上成像的透鏡系50。透鏡系50由被配置成DMD36與圖案形成材料12的曝光面成共軛關(guān)系的2片透鏡52及54構(gòu)成。在本實(shí)施方式中，從光纖陣列光源38射出的激光在實(shí)際上被放大5倍之后，被設(shè)定為來自DMD36上的各微鏡的光線被所述透鏡系50集中成約5(im。一光調(diào)制機(jī)構(gòu)一作為所述光調(diào)制機(jī)構(gòu)，只要能夠調(diào)制光即可，沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)選擇，例如優(yōu)選具有n個(gè)描繪部。作為所述具有n個(gè)描繪部的光調(diào)制元件，沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)選擇，例如優(yōu)選空間光調(diào)制元件。作為所述空間光調(diào)制元件，例如可以優(yōu)選舉出數(shù)字4敫鏡器件DMD、MEMS(微電子機(jī)械系統(tǒng)(MicroElectroMechanicalSystems))型的空間光調(diào)制元件(SLM;空間光調(diào)節(jié)器(SpecialLightModulator))、利用電光學(xué)效果調(diào)制透過光的光學(xué)元件(PLZT元件)、液晶光開閉器(FLC)等，其中，可以優(yōu)選舉出DMD。另外，所述光調(diào)制機(jī)構(gòu)優(yōu)選具有基于要形成的圖案信息生成控制信號(hào)的圖案信號(hào)生成機(jī)構(gòu)。這種情況下，所述光調(diào)制機(jī)構(gòu)對(duì)應(yīng)所述圖案信號(hào)生成機(jī)構(gòu)所生成的控制信號(hào)調(diào)制光。作為所述控制信號(hào)，沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)選擇，例如可以優(yōu)選舉出數(shù)字信號(hào)。以下參照附圖，對(duì)所述光調(diào)制機(jī)構(gòu)的一例進(jìn)行說明。如圖6所示，DMD36是在SRAM單位(存儲(chǔ)器單位)56上，使大多數(shù)微鏡58作為分別構(gòu)成描繪(像點(diǎn)(pixel))的描繪部，排列成格子狀而成的鏡器件。在本實(shí)施方式中，使用1024列X768行的微鏡58排列而成的DMD36，其中，可以利用與DMD36連接的控制器驅(qū)動(dòng)的即可以使用的微鏡58僅為1024列X256行。DMD36的數(shù)據(jù)處理速度存在極限，與使用的微鏡數(shù)成正比，確定每l線的調(diào)制速度，所以通過這樣地只使用一部分微鏡，每l線的調(diào)制速度會(huì)變快。各微鏡58被支柱支撐，在其表面蒸鍍鋁等反射率高的材料。此外，在本實(shí)施方式中，各微鏡58的反射率在90%以上，其排列間距在縱方向、橫方向均為13.7pm。SRAM單位56是借助包括樞紐(hinge)及軛(yoke)的支柱，在通常的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的制造線上制造的硅柵(silicongate)的CMOS的SRAM單位，整體被構(gòu)成為單片型(monolithic)(—體型)。如果向DMD36的SRAM單位(存儲(chǔ)器單位)56輸入以2值表示構(gòu)成需要的二維圖案的各點(diǎn)的濃度的圖像信號(hào)，則被支柱支撐的各微鏡58，在以對(duì)角線為中心相對(duì)配置DMD36的基板側(cè)，以士a度(例如土10度)的任意角度傾斜。圖7A表示微鏡58處于作為開(ON)狀態(tài)的向+a度傾斜的狀態(tài)，圖7B表示微鏡58處于作為關(guān)(OFF)狀態(tài)的向一a度傾斜的狀態(tài)。這樣，如圖6所示，通過對(duì)應(yīng)圖像信號(hào)控制DMD36的各像點(diǎn)中的微鏡58的傾斜度，向DMD36入射的激光束B被向各自的微鏡58的傾斜方向反射。圖6是表示放大DMD36的一部分，各微鏡58被控制為+a度或一a度的狀態(tài)的一例。禾U用與DMD36連接的所述控制器，進(jìn)行各微鏡58的開關(guān)控制。另外，在關(guān)狀態(tài)的微鏡58反射的激光束B前進(jìn)的方向上，配置光吸收體(未圖示)。一光照射機(jī)構(gòu)一作為所述光照射機(jī)構(gòu)，沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)選擇，例如可以舉出(超)高壓汞燈、氙燈、炭棒弧光燈、鹵素?zé)?、?fù)寫機(jī)用等熒光管、LED、半導(dǎo)體激光等公知光源或可以合成2種以上的光照射的機(jī)構(gòu)，其中，優(yōu)選可以合成2種以上的光照射的機(jī)構(gòu)。作為從所述光照射機(jī)構(gòu)照射的光，例如在借助支撐體進(jìn)行光照射的情況下，可以舉出透過該支撐體并活化使用的光聚合引發(fā)劑或增感劑的電磁波、從紫外到可見光線、電子射線、X射線、激光等，其中，優(yōu)選激光，更優(yōu)選合成2種以上的光的激光(以下有時(shí)稱為"合波激光")。另外，從剝離支撐體開始進(jìn)行光照射的情況下，也可以使用同樣的光。作為所述從紫外到可見光線的波長(zhǎng)，例如優(yōu)選3001500nm，更優(yōu)選320800nm，特別優(yōu)選330nm650nm。作為所述激光的波長(zhǎng)，例如優(yōu)選2001500nm，更優(yōu)選300800nm，進(jìn)而優(yōu)選330nm500nm，特別優(yōu)選400nm450nm。作為可以照射所述合波激光的機(jī)構(gòu)，例如優(yōu)選具有多種激光、多模光纖和從該多種激光分別照射的激光束進(jìn)行聚光并使其耦合于所述多模光纖的聚光光學(xué)系的機(jī)構(gòu)。以下參照附圖，對(duì)所述可以照射合波激光的機(jī)構(gòu)(光纖陣列光源)進(jìn)行說明。如圖8所示，光纖陣列光源38具備多個(gè)(例如14個(gè))激光器模塊60，多模光纖62的一端與各激光器模塊60耦合。在多模光纖62的另一端，耦合具有小于多模光纖62的金屬包層(dad)直徑的光纖64。如圖9所詳示，光纖64在與多模光纖62的相反側(cè)的端部，沿著與掃描方向正交的方向，并列7個(gè)，其被排列成2列，構(gòu)成激光射出部66。如圖9所示，由光纖64的端部構(gòu)成的激光射出部66被表面平坦的2張支撐板68夾入、固定。另外，為了對(duì)其保護(hù)，最好在光纖64的光射出端面配置玻璃等透明的保護(hù)板。光纖64的光射出端面由于光密度高，所以容易收集灰塵，容易劣化，但通過配置如上所述的保護(hù)板，可以防止塵埃向端面附著，另外還可以減緩劣化。如圖25所示，這樣的光纖例如可以通過在金屬包層直徑大的多模光纖62的激光射出側(cè)的頂端部分，同軸地耦合長(zhǎng)130cm的金屬包層直徑小的光纖64而得到。兩根光纖可以通過在光纖64的射出端面，兩光纖的中心軸一致的狀態(tài)下，使光纖64的入射端面與多模光纖62的射出端面粘接耦合。如上所述，光纖64的芯64a的直徑與多模光纖62的芯62a的直徑為相同大小。另外，也可以借助套圈(ferulle)或光連接器(connector)等，將在長(zhǎng)度短而金屬包層直徑大的光纖上粘接金屬包層直徑小的光纖而成的短尺光纖，耦合于多模光纖62的射出端。通過使用連接器等使其可以自由裝卸地耦合，在金屬包層直徑小的光纖破損的情況下等，頂端部分的交換變得容易，可以減低曝光頭的維護(hù)(maintenance)所需要的成本。此外，在以下，有時(shí)將光纖64稱為多模光纖62的射出端部。作為多模光纖62及光纖64，也可以為步長(zhǎng)指數(shù)(stepindex)型光纖、折光柵格指數(shù)(夕'"一于'7卜"4>亍"夕^)型光纖及合成型光纖的任意一種。例如，可以使用三菱電線工業(yè)株式會(huì)社制的步長(zhǎng)指數(shù)型光纖。在本實(shí)施方式中，多模光纖62及光纖64為步長(zhǎng)指數(shù)型光纖，多模光纖62為金屬包層直徑-125pm，芯徑為50jam，NA=0.2，入射端面涂層的透過率=99.5%以上，光纖64為金屬包層直徑二60jxm，芯徑為50pim，NA=0.2。通常如果減小光纖的金屬包層直徑，則紅外區(qū)域的激光傳播損失會(huì)增加。所以，可以對(duì)應(yīng)激光的波長(zhǎng)帶域確定優(yōu)選的金屬包層直徑。但是，波長(zhǎng)越短則傳播損失變得越少，從GaN系半導(dǎo)體激光器射出的波長(zhǎng)405nm的激光，即使使金屬包層的厚度{(金屬包層直徑一芯徑)/2}成為傳播800nm的波長(zhǎng)帶域的紅外光時(shí)的1/2左右、傳播通信用的1.5pm的波長(zhǎng)帶域的紅外光時(shí)的1/4左右，傳播損失也幾乎不增加。因而，可以將金屬包層直徑減少至60pm。不過，光纖64的金屬包層直徑不限定于60pm。以往的光纖陣列光源中使用的很多光纖的金屬包層直徑為125|im，但由于金屬包層直徑越小則焦點(diǎn)深度變得越深，所以多模光纖的金屬包層直徑優(yōu)選為8(Him以下，更優(yōu)選為60(im以下，進(jìn)而優(yōu)選為40pm以下。另一方面，芯徑至少需要為34pim，所以光纖64的金屬包層直徑優(yōu)選為lOpm以上。激光器模塊60由圖26所示的合波激光光源(光纖陣列光源)構(gòu)成。該合波激光光源由如下所述的結(jié)構(gòu)構(gòu)成，g卩排列固定在加熱方塊110上的多個(gè)(例如7個(gè))片(chip)狀橫多?；騿文５腉aN系半導(dǎo)體激光器LD1、LD2、LD3、LD4、LD5、LD6、及LD7，分別對(duì)應(yīng)GaN系半導(dǎo)體激光器LD1LD7而設(shè)置的準(zhǔn)直(collimetor)透鏡L1、L2、L3、L4、L5、L6及L7，l個(gè)聚光透鏡200，l根多模光纖62。此外，半導(dǎo)體激光器的個(gè)數(shù)不限定于7個(gè)。例如，可以向金屬包層直徑二60^im、芯徑二50(am、NA=0.2的多模光纖入射20個(gè)半導(dǎo)體激光，能夠?qū)崿F(xiàn)曝光頭的必要光量而且進(jìn)一步減少光纖根數(shù)。GaN系半導(dǎo)體激光器LDlLD7的振蕩波長(zhǎng)全部相同(例如405nm)，最大輸出也全部相同(例如多模激光器為100mW，單模激光器為30mW左右)。此外，作為GaN系半導(dǎo)體激光器LDlLD7，在350nm450nm的波長(zhǎng)范圍內(nèi)，也可以使用具備上述405nm以外的振蕩波長(zhǎng)的激光器。如圖27及圖28所示，上述合波激光光源與其他光學(xué)部件一起，被收納于上方開口的箱狀的封裝件(package)400內(nèi)。封裝件400具備作成為關(guān)閉其開口的封裝件蓋410，通過在脫氣處理后，導(dǎo)入密封氣體，用封裝件蓋410關(guān)閉封裝件400的開口，在由封裝件400和封裝件蓋410形成的閉空間(密封空間)內(nèi)氣密地密封上述合波激光光源。在封裝件400的底面固定基(base)板420，在該基板420的上面安裝所述加熱方塊IIO、保持聚光透鏡200的聚光透鏡支持物(holder)450和保持多模光纖62的入射端部的光纖支持物460。多模光纖62的射出端部，從在封裝件400的壁面上形成的開口，向封裝件外引出。另外，在加熱方塊110的側(cè)面安裝準(zhǔn)直透鏡支持物440，保持準(zhǔn)直透鏡L1L7。在封裝件400的橫壁面上形成開口，通過該開口向GaN系半導(dǎo)體激光器LD1LD7供給驅(qū)動(dòng)電流的布線470被引出封裝件外。此外，在圖28中，為了避免圖的繁雜化，在多個(gè)GaN系半導(dǎo)體激光器中只給GaN系半導(dǎo)體激光器LD7上加編號(hào)，在多個(gè)準(zhǔn)直透鏡中只給準(zhǔn)直透鏡L7上加編號(hào)。圖29是表示上述準(zhǔn)直透鏡L1L7的安裝部分的正面形狀的圖。準(zhǔn)直透鏡L1L7分別形成為用平行的平面將含有具備非球面的圓形透鏡的光軸的區(qū)域細(xì)長(zhǎng)地切開的形狀。該細(xì)長(zhǎng)形狀的準(zhǔn)直透鏡例如可以通過鑄型成形樹脂或光學(xué)玻璃而形成。準(zhǔn)直透鏡L1L7在上述發(fā)光點(diǎn)的排列方向密排，并且長(zhǎng)徑方向與GaN系半導(dǎo)體激光器LD1LD7的發(fā)光點(diǎn)的排列方向(圖29的左右方向)正交。另一方面，作為GaN系半導(dǎo)體激光器LDlLD7，可以使用具備發(fā)光寬度為2pm的活性層，以與活性層平行的方向、直角的方向的擴(kuò)展角例如為10°、30°的狀態(tài)分別發(fā)激光束B1B7的激光器。這些GaN系半導(dǎo)體激光器LD1LD7配設(shè)成發(fā)光點(diǎn)在與活性層平行的方向并列1歹U。因而，如上所述，從各發(fā)光點(diǎn)發(fā)出的激光束B1B7，在相對(duì)細(xì)長(zhǎng)形狀的各準(zhǔn)直透鏡L1L7，擴(kuò)展角度大的方向與長(zhǎng)度方向一致，擴(kuò)展角度小的方向與寬方向(與長(zhǎng)方向正交的方向)一致的狀態(tài)下，入射。就是說，各準(zhǔn)直透鏡L1L7的寬度為l.lmm，長(zhǎng)度為4.6mm，入射到它們的激光束B1B7的水平方向、垂直方向的光束直徑分別為0.9mm、2.6mm。另外，準(zhǔn)直透鏡L1L7分別為焦點(diǎn)距離&二3mm，NA=0.6，透鏡配置間距二1.25mm。聚光透鏡200用平行的平面將含有具備非球面的圓形透鏡的光軸的區(qū)域細(xì)長(zhǎng)地切開，形成為在準(zhǔn)直透鏡L1L7的排列方向、即水平方向長(zhǎng)，在與其成直角的方向短的形狀。該聚光透鏡200為，焦點(diǎn)距離f2二23mm、NA二0.2。該聚光透鏡200也可以通過例如鑄型成形樹脂或光學(xué)玻璃而形成。另外，照明DMD的光照射機(jī)構(gòu)使用將合波激光光源的光纖的射出端部排列成陣列狀的高亮度光纖陣列光源，所以可以實(shí)現(xiàn)高輸出且具備深焦點(diǎn)深度的圖案形成裝置。進(jìn)而，通過使各光纖陣列光源的輸出變大，為了得到需要的輸出所必需的光纖陣列光源數(shù)變少，可以實(shí)現(xiàn)圖案形成裝置的低成本化。另外，由于使光纖的射出端的金屬包層直徑小于入射端的金屬包層直徑，所以發(fā)光部直徑變得更小，可以實(shí)現(xiàn)光纖陣列光源的高亮度化。這樣，可以實(shí)現(xiàn)具備更深的焦點(diǎn)深度的圖案形成裝置。例如，即使在光束直徑為lpm以下、析像度為O.lpm以下的超高析像度曝光的情況下，也可以得到深焦點(diǎn)深度，高速而且高精細(xì)的曝光成為可能。因而，適用于必需高析像度的薄膜晶體管(TFT)的曝光工序。另外，作為所述光照射機(jī)構(gòu)，不限于具備多個(gè)所述合波激光光源的光纖陣列光源，例如還可以使用將光纖光源進(jìn)行陣列化的光纖陣列光源，其中的光纖光源具備射出從具有一個(gè)發(fā)光點(diǎn)的單一半導(dǎo)體激光器入射的激光的一根光纖。另外，作為具備多個(gè)發(fā)光點(diǎn)的光照射機(jī)構(gòu)，如圖30所示，例如可以使用在加熱方塊1100上排列有多個(gè)(例如7個(gè))芯片狀的半導(dǎo)體激光器LD1LD7的激光器陣列。另外，如圖31A所示，還已知有多個(gè)(例如5個(gè))發(fā)光點(diǎn)llla在規(guī)定方向上排列而成的芯片狀的多槽激光器111。多槽激光器111與排列芯片狀的半導(dǎo)體激光器的情況相比，可以位置精密度良好地排列發(fā)光點(diǎn)，所以容易對(duì)從各發(fā)光點(diǎn)射出的激光束進(jìn)行合波。但是，發(fā)光點(diǎn)如果多，則在制造激光時(shí)容易在多槽激光器1U中發(fā)生彎曲，所以發(fā)光點(diǎn)llla的個(gè)數(shù)優(yōu)選為5個(gè)以下。作為所述光照射機(jī)構(gòu)，可以將該多槽激光器111或在如圖31B所示的加熱方塊110上將多個(gè)多槽激光器111排列成與各芯片的發(fā)光點(diǎn)llla的排列方向?yàn)橄嗤较虻亩嗖奂す馄髌麝嚵校鳛榧す夤庠词褂?。另外，合波激光光源不限于?duì)從多個(gè)芯片狀的半導(dǎo)體激光射出的激光進(jìn)行合波的合波激光光源。例如，如圖32所示，可以使用具備具有多個(gè)(例如3個(gè))發(fā)光點(diǎn)llla的芯片狀的多槽激光器111的合波激光光源。該合波激光光源具備多槽激光器111、一根多模光纖62和聚光透鏡200而構(gòu)成。多槽激光器111例如可以由振蕩波長(zhǎng)為405nm的GaN系激光二極管構(gòu)成。在所述結(jié)構(gòu)中，從多槽激光器111的多個(gè)發(fā)光點(diǎn)llla分別射出的激光束B分別被聚光透鏡200聚光，向多模光纖62的芯62a入射。入射到芯62a的激光在光纖內(nèi)傳播，合波成一根，從而射出。通過在與所述多模光纖62的芯徑大致相等的寬度內(nèi)并設(shè)多槽激光器111的多個(gè)發(fā)光點(diǎn)llla，同時(shí)作為聚光透鏡200，使用與多模光纖62的芯徑大致相等的焦點(diǎn)距離的凸透鏡或者只在與其活性層垂直的面內(nèi)對(duì)來自多槽激光器111的射出光束進(jìn)行準(zhǔn)直(collimate)的桿透鏡(rodlens)，可以提高激光束B向多模光纖62的耦合效率。另外，如圖33所示，可以使用具備如下所述的結(jié)構(gòu)的合波激光光源，即具備使用具備多個(gè)(例如3個(gè))發(fā)光點(diǎn)的多槽激光器lll，在加熱方塊111上彼此等間隔地排列多個(gè)(例如9個(gè))多槽激光器111的激光器陣列140。多個(gè)多槽激光器111被排列并固定在與各芯片的發(fā)光點(diǎn)1Ua的排列方向相同的方向。該合波激光光源具備激光器陣列140、對(duì)應(yīng)各多槽激光器111配置的多個(gè)透鏡陣列114、配置在激光器陣列140和多個(gè)透鏡陣列114之間的一根桿透鏡113、一根多模光纖130和聚光透鏡120而構(gòu)成。透鏡陣列114具備對(duì)應(yīng)多槽激光器110的發(fā)光點(diǎn)的多個(gè)微透鏡。在所述結(jié)構(gòu)中，從多個(gè)多槽激光器111的多個(gè)發(fā)光點(diǎn)llla分別射出的激光束B，在被桿透鏡113分別向規(guī)定方向聚光之后，被透鏡陣列114的各微透鏡平行光化。被平行光化的激光束L被聚光透鏡200聚光，向多模光纖62的芯62a入射。向芯62a入射的激光在光纖內(nèi)傳播，合波成一根后，射出。進(jìn)而，再顯示其他合波激光光源的例子。該合波激光光源如圖34A及圖34B所示，在近似矩形狀的加熱方塊180上搭載光軸方向的截面為L(zhǎng)字狀的加熱方塊182，在兩個(gè)加熱方塊之間形成收容空間。在L字狀的加熱方塊182的上面將多個(gè)發(fā)光點(diǎn)(例如5個(gè))排列成陣列狀的多個(gè)(例如2個(gè))多槽激光器111，在與各芯片的發(fā)光點(diǎn)llla的排列方向相同的方向，以等間隔排列、固定。在近似矩形狀的加熱方塊180中形成凹部，在加熱方塊180的空間側(cè)上面將多個(gè)發(fā)光點(diǎn)(例如5個(gè))排列成陣列狀的多個(gè)(例如2個(gè))多槽激光器110，被配置成其發(fā)光點(diǎn)位于與配置于加熱方塊182的上面的激光芯片的發(fā)光點(diǎn)相同的鉛垂面上。在多槽激光器111的激光射出側(cè)，配置有對(duì)應(yīng)各芯片的發(fā)光點(diǎn)llla而排列準(zhǔn)直透鏡的準(zhǔn)直透鏡陣列184。準(zhǔn)直透鏡陣列184被配置成各準(zhǔn)直透鏡的長(zhǎng)度方向與激光的擴(kuò)展角度大的方向(快軸方向)一致，各準(zhǔn)直透鏡的寬度方向與擴(kuò)展角度小的方向(慢軸方向)一致。這樣，通過陣列化并整體化準(zhǔn)直透鏡，激光的空間利用效率提高，從而可以實(shí)現(xiàn)合波激光光源的高輸出化，同時(shí)還可以減少構(gòu)件數(shù)，實(shí)現(xiàn)低成本化。另外，在準(zhǔn)直透鏡陣列184的激光射出側(cè)，還配置有一根多模光纖62，和在該多模光纖62的入射端對(duì)激光進(jìn)行聚光、耦合的聚光透鏡200。在所述結(jié)構(gòu)中，從在激光器方塊180、182上配置的多個(gè)多槽激光器111的多個(gè)發(fā)光點(diǎn)llla分別射出的激光束B，分別被準(zhǔn)直透鏡陣列184平行光化，被聚光透鏡200聚光，入射到多模光纖62的芯62a。入射到芯62a的激光在光纖內(nèi)傳播，合波成一根，射出。所述合波激光光源如上所述，通過多槽激光器的多級(jí)配置和準(zhǔn)直透鏡的陣列化，可以實(shí)現(xiàn)特別高的輸出。通過使用該合波激光光源，可以構(gòu)成更高亮度的光纖陣列光源或光纖束(bundlefiber)光源，所以特別優(yōu)選用作構(gòu)成本發(fā)明的圖案形成裝置的激光光源的光纖光源。此外，還可以將所述各合波激光光源收容于封裝件內(nèi)，構(gòu)成從該封裝件引出多模光纖62的射出端部的激光器模件。另外，對(duì)在合波激光光源的多模光纖的射出端，耦合芯徑與多模光纖相同而且金屬包層直徑小于多模光纖的其他光纖，從而實(shí)現(xiàn)光纖陣列光源的高亮度化的例子進(jìn)行了說明，但例如也可以不在射出端耦合其他光纖而使用金屬包層直徑為125pm、8(Him、6(Him等多模光纖?！妒褂妹枥L部指定機(jī)構(gòu)》作為所述使用描繪部指定機(jī)構(gòu)，優(yōu)選至少具備在被曝光面上檢測(cè)作為描繪單位的光點(diǎn)的位置的光點(diǎn)位置檢測(cè)機(jī)構(gòu)，和基于所述光點(diǎn)位置檢測(cè)機(jī)構(gòu)的檢測(cè)結(jié)果來選擇用于實(shí)現(xiàn)N重曝光而使用的描繪部的描繪部選擇機(jī)構(gòu)。以下對(duì)利用所述使用描繪部指定機(jī)構(gòu)指定N重曝光中使用的描繪部的方法的例子進(jìn)行說明。(1)單一曝光頭內(nèi)的使用描繪部的指定方法在本實(shí)施方式(1)中，是利用圖案形成裝置10，對(duì)感光材料12進(jìn)行2重曝光的情況，對(duì)減輕各曝光頭30的安裝角度誤差引起的析像度的不均和濃度不均的、用于實(shí)現(xiàn)理想的2重曝光的使用描繪部的指定方法進(jìn)行說明。作為相對(duì)曝光頭30的掃描方向的描繪部(微鏡58)的列方向的設(shè)定傾斜角度e，如果是沒有曝光頭30的安裝角度誤差等的理想的狀態(tài)，使用可以使用的1024列X256行的描繪部，采用恰好略大于成為2重曝光的角度6ided的角度。該角度eidea,是對(duì)于N重曝光的數(shù)目N、可以使用的微鏡58的列方向的個(gè)數(shù)s、可以使用的微鏡58的列方向的間隔p及在使曝光頭30傾斜的狀態(tài)下利用微鏡形成的掃描線的間距5，利用下述式lspsin9ideal^NS(式1)得到。本實(shí)施方式中的DMD36如上所述，縱橫配置間隔相等的大多數(shù)微鏡58被配置成矩形格子狀，所以為PCOS0ideal二S(式2)上述式1成為stan0ideai=N(式3)在本實(shí)施方式(1)中，如上所述，s=256、N=2，所以根據(jù)所述式3，角度eu^約為0.45度。因而，作為設(shè)定傾斜角度e，例如也可以釆用0.50度左右的角度。圖案形成裝置IO在可以調(diào)節(jié)的范圍內(nèi)，被初期調(diào)節(jié)為各曝光頭30即各DMD36的安裝角度成為接近該設(shè)定傾斜角度e的角度。圖IO是表示在被如上所述初期調(diào)節(jié)的圖案形成裝置10中，在1個(gè)曝光頭30的安裝角度誤差及圖案偏斜的影響下，在被曝光面上的圖案上產(chǎn)生的不均的例子的說明圖。在以下的附圖及說明中，對(duì)于由各描繪部(微鏡)產(chǎn)生的作為構(gòu)成被曝光面上的曝光區(qū)域的描繪單位的光點(diǎn)，分別將第m行的光點(diǎn)標(biāo)記成r(m)、第n列的光點(diǎn)標(biāo)記成c(n)、第m行第n列的光點(diǎn)標(biāo)記成P(m，n)圖10的上段部分表示在使載物臺(tái)14靜止的狀態(tài)下在圖案形成材料12的被曝光面上投影的、來自可以使用的微鏡58的光點(diǎn)組的圖案，下段部分表示在上段部分所示之類的光點(diǎn)組的圖案出現(xiàn)的狀態(tài)下使載物臺(tái)14移動(dòng)并進(jìn)行連續(xù)曝光時(shí)，在被曝光面上形成的曝光圖案的狀態(tài)。其中，在圖10中，為了便于說明，將可以使用的微鏡58分成奇數(shù)列的曝光圖案和偶數(shù)列的曝光圖案進(jìn)行表示，但實(shí)際上的被曝光面上的曝光圖案重疊了這2個(gè)曝光圖案。在圖IO的例子中，作為設(shè)定傾斜角度采用若干大于所述角度eidea,的角度的結(jié)果，另外還由于曝光頭30的安裝角度的微調(diào)節(jié)很困難，所以作為實(shí)際的安裝角度與所述設(shè)定傾斜角度e之間具有誤差的結(jié)果，在被曝光面上的任意區(qū)域也產(chǎn)生了濃度不均。具體而言，在利用奇數(shù)列的微鏡的曝光圖案及利用偶數(shù)列的微鏡的曝光圖案雙方，在由多個(gè)描繪部列形成的被曝光面上的重復(fù)曝光區(qū)域，相對(duì)理想的2重曝光，曝光變得過多，產(chǎn)生描繪變得冗長(zhǎng)的區(qū)域，產(chǎn)生濃度不均。進(jìn)而，在圖IO的例子中，是在曝光面上出現(xiàn)的圖案偏斜的一例，產(chǎn)生投影到曝光面上的各像素列的傾斜角度變得不均一的"角度偏斜"。作為這樣的角度偏斜產(chǎn)生的原因，可以舉出DMD36與被曝光面間的光學(xué)系的各種像差或定位偏離及DMD36自身的偏斜或微鏡的配置誤差等。圖IO的例子中出現(xiàn)的角度偏斜是相對(duì)掃描方向的傾斜角度，越在圖的左方列越變小、越在圖的右方列越變大的方式的偏斜。作為該角度偏斜的結(jié)果，變得曝光過多的區(qū)域，越在圖的左方所示的被曝光面上越變小、越在圖的右方所示的被曝光面上越變大。為了減輕如上所述的利用多個(gè)描繪部列形成的被曝光面上的重復(fù)曝光區(qū)域的濃度不均，將狹縫28及光檢測(cè)器的組用作所述光點(diǎn)位置檢測(cè)機(jī)構(gòu)，在每個(gè)曝光頭30，確定實(shí)際傾斜角度e'，基于該實(shí)際傾斜角度e'，將與所述光檢測(cè)器連接的所述運(yùn)算裝置用作所述描繪部選擇機(jī)構(gòu)，進(jìn)行選擇實(shí)際的曝光中使用的微鏡的處理。基于光點(diǎn)位置檢測(cè)機(jī)構(gòu)檢測(cè)出的至少2個(gè)光點(diǎn)位置，利用在使曝光頭傾斜的狀態(tài)下的被曝光面上的光點(diǎn)的列方向與所述曝光頭的掃描方向所成的角度來確定實(shí)傾斜處理e，。以下使用圖ii及圖12，對(duì)所述實(shí)際傾斜角度e'的確定及使用像素選擇處理進(jìn)行說明。一實(shí)際傾斜角度e'的確定一圖11是表示1個(gè)DMD36的曝光范圍32與對(duì)應(yīng)的狹縫28之間的位置關(guān)系的俯視圖。狹縫28的大小為充分覆蓋曝光范圍32的寬度的大小。在本實(shí)施方式(1)的例子中，將位于曝光范圍32的大致中心的第512列光點(diǎn)列與曝光頭30的掃描方向之間所成的角度作為所述實(shí)際傾斜角度e，測(cè)定。具體而言，使DMD36上的第1行第512列的微鏡58及第256行第512列的微鏡58處于開(ON)狀態(tài)，檢測(cè)對(duì)應(yīng)它們的被曝光面上的光點(diǎn)P(1，512)及P(256，512)的位置，將連接它們的直線與曝光頭的掃描方向所成角度確定為實(shí)際傾斜角度e'。圖12是表示說明光點(diǎn)P(256，512)的位置的檢測(cè)方法的俯視圖。首先，在使第256行第512列的微鏡58點(diǎn)亮的狀態(tài)下，緩慢移動(dòng)載物臺(tái)14，沿著Y軸使狹縫28相對(duì)移動(dòng)，使狹縫28位于使光點(diǎn)P(256,512)位于上游側(cè)的狹縫28a與下游側(cè)的狹縫28b之間的任意位置。此時(shí)的狹縫28a與狹縫28b之間的交點(diǎn)的座標(biāo)為(XO，YO)。該座標(biāo)(XO，YO)的值由直到給予載物臺(tái)14的驅(qū)動(dòng)信號(hào)所示的所述位置的載物臺(tái)14的移動(dòng)距離及已知的狹縫28的X方向位置來確定并被記錄。接著，使載物臺(tái)14移動(dòng)，使狹縫28沿著Y軸在圖12的右方相對(duì)移動(dòng)。那么，在圖12中，如兩點(diǎn)劃線所示，光點(diǎn)P(256，512)的光通過左側(cè)的狹縫28b并被光檢測(cè)器檢測(cè)出后，使載物臺(tái)14停止。將此時(shí)的狹縫28a與狹縫28b的交點(diǎn)的座標(biāo)(X0，Yl)作為光點(diǎn)P(256,512)的位置進(jìn)行記錄。接著，使載物臺(tái)14向相反方向移動(dòng)，使狹縫28沿著Y軸在圖12的左方相對(duì)移動(dòng)。那么，在圖12中，如兩點(diǎn)劃線所示，光點(diǎn)P(256，512)的光通過右側(cè)的狹縫28a并被光檢測(cè)器檢測(cè)出后，使載物臺(tái)14停止。將此時(shí)的狹縫28a與狹縫28b的交點(diǎn)的座標(biāo)(X0，Y2)作為光點(diǎn)P(256，512)的位置進(jìn)行記錄。從以上的測(cè)定結(jié)果，利用X二XO十(Y1—Y2)/2、Y二(Yl+Y2)/2的計(jì)算，確定表示光點(diǎn)P(256，512)在被曝光面上的位置的座標(biāo)(X，Y)。也利用同樣的測(cè)定，確定表示P(1，512)的位置的座標(biāo)，導(dǎo)出連接它們的座標(biāo)的直線與曝光頭30的掃描方向所成的傾斜角度，將其確定為實(shí)際傾斜角度e'。一使用描繪部的選擇一使用這樣確定的實(shí)際傾斜角度e，，與所示光檢測(cè)器連接的所示運(yùn)算裝置導(dǎo)出滿足下述式4ttan9，二N(式4)的關(guān)系的值t最近的自然數(shù)T，進(jìn)行將DMD36上的第1行到第T行的微鏡選作本曝光時(shí)實(shí)際使用的微鏡的處理。這樣，在第512列附近的曝光區(qū)域中，可以將相對(duì)理想的2重曝光成為曝光過多的區(qū)域與成為曝光不足的區(qū)域的面積總計(jì)為最小的微鏡選作實(shí)際使用的微鏡。在此，也可以代替導(dǎo)出與所述值t接近的自然數(shù)，導(dǎo)出值t以上的最小的自然數(shù)。這種情況下，在第512列附近的曝光區(qū)域中，可以將相對(duì)理想的2重曝光成為曝光過多的區(qū)域的面積變得最小而且不產(chǎn)生成為曝光不足的區(qū)域的微鏡選作實(shí)際使用的微鏡。另外，也可以導(dǎo)出值t以下的最大的自然數(shù)。這種情況下，在第512列附近的曝光區(qū)域中，可以將相對(duì)理想的2重曝光成為曝光不足的區(qū)域的面積變得最小而且不產(chǎn)生成為曝光過多的區(qū)域的微鏡選作實(shí)際使用的微鏡。圖13是表示在僅使用被選作如上所述實(shí)際使用的微鏡的微鏡產(chǎn)生的光點(diǎn)進(jìn)行曝光中，如何改善圖IO所示的曝光面上的不均的說明圖。在該例中，導(dǎo)出T=253作為所述自然數(shù)T，選擇從第1行到第253行的微鏡。相對(duì)未被選擇的第254行第256行的微鏡，利用所述描繪部控制機(jī)構(gòu)，傳送設(shè)定時(shí)常關(guān)狀態(tài)的角度的信號(hào)，這些微鏡實(shí)際上不與參與曝光。如圖13所示，在第512列附近的曝光區(qū)域，曝光過多及曝光不足幾乎被完全消除，可以實(shí)現(xiàn)與理想的2重曝光極為接近的均一的曝光。另一方面，在圖13的左方的區(qū)域(圖中的c(1)附近)，在所述角度偏斜的作用下，被曝光面上的光點(diǎn)列的傾斜角度變得小于中央附近(圖中的c(512)附近)的區(qū)域的光線列的傾斜角度。因而，在基于以c(512)為標(biāo)準(zhǔn)測(cè)定的實(shí)際傾斜角度e'而選擇的微鏡的曝光中，分別在偶數(shù)列的曝光范圍及奇數(shù)列的曝光范圍中，略微產(chǎn)生相對(duì)理想的2重曝光而成為曝光不足的區(qū)域。但是，在重疊圖示的利用奇數(shù)列的曝光圖案與利用偶數(shù)列的曝光圖案而成的實(shí)際的曝光圖案中，成為曝光不足的區(qū)域被彼此補(bǔ)充，可以用利用2重曝光的補(bǔ)償?shù)男Ч顾鼋嵌绕币鸬钠毓獠痪钚?。另外，在圖13的右方的區(qū)域(圖中的c(1024)附近)，在所述角度偏斜的作用下，被曝光面上的光線列的傾斜角度變得大于中央附近(圖中的c(512)附近)的區(qū)域的光線列的傾斜角度。因而，在基于以c(512)為標(biāo)準(zhǔn)測(cè)定的實(shí)際傾斜角度e'而選擇的微鏡的曝光中，如圖所示，略微產(chǎn)生相對(duì)理想的2重曝光而成為曝光過多的區(qū)域。但是，在重疊圖示的利用奇數(shù)列的曝光圖案與利用偶數(shù)列的曝光圖案而成的實(shí)際的曝光圖案中，成為曝光過多的區(qū)域被彼此補(bǔ)充，可以用利用2重曝光的補(bǔ)償?shù)男Ч顾鼋嵌绕币鸬臐舛炔痪钚?。在本?shí)施方式(1)中，如上所述，測(cè)定第512列的光線列的實(shí)際傾斜角度e'，使用該實(shí)際傾斜角度e'，選擇基于利用所述式(4)導(dǎo)出的T使用的微鏡58，但作為所述實(shí)際傾斜角度0'的確定方法，也可以為分別測(cè)定多個(gè)描繪部的列方向(光點(diǎn)列)與所述曝光頭的掃描方向所成的多個(gè)實(shí)際傾斜角度，將這些平均值、中位值、最大值及最小值的任意一個(gè)確定作為實(shí)際傾斜角度e'，利用所述式4等選擇實(shí)際的曝光時(shí)實(shí)際使用的微鏡的方式。如果將所述平均值或所述中位值作為實(shí)際傾斜角度e'，則可以實(shí)現(xiàn)相對(duì)理想的n重曝光而成為曝光過多的區(qū)域與成為曝光不足的區(qū)域的平衡良好的曝光。例如，可以實(shí)現(xiàn)將成為曝光過多的區(qū)域與成為曝光量不足的區(qū)域的總面積抑制為最小，而且成為曝光過多的區(qū)域的描繪單位數(shù)(光點(diǎn)數(shù))與成為曝光不足的區(qū)域的描繪單位數(shù)(光點(diǎn)數(shù))變成相等的曝光。另外，如果將所述最大值作為實(shí)際傾斜角度e'，則可以實(shí)現(xiàn)更加重視相對(duì)理想的n重曝光而成為曝光過多的區(qū)域的排除的曝光，例如可以實(shí)現(xiàn)將成為曝光不足的區(qū)域的面積抑制為最小，而且不產(chǎn)生成為曝光過多的區(qū)域的曝光。進(jìn)而，如果將所述最小值作為實(shí)際傾斜角度e'，則可以實(shí)現(xiàn)更加重視相對(duì)理想的n重曝光而成為曝光不足的區(qū)域的排除的曝光，例如可以實(shí)現(xiàn)將成為曝光過多的區(qū)域的面積抑制為最小，而且不產(chǎn)生成為曝光不足的區(qū)域的曝光。另一方面，所述實(shí)際傾斜角度e'的確定不限于基于同一描繪部的列(光點(diǎn)列)中的至少2個(gè)光點(diǎn)的位置的方法。例如也可以將從同一描繪部列c(n)中的1個(gè)或多個(gè)光點(diǎn)的位置和該c(n)附近的列中的1個(gè)或多個(gè)光點(diǎn)的位置求得的角度確定作為實(shí)際傾斜角度e'。具體而言，可以檢測(cè)c(n)中的1個(gè)光點(diǎn)位置和沿著曝光頭的掃描方向的直線上而且附近的光點(diǎn)列中含有的1個(gè)或多個(gè)光點(diǎn)位置，從這些位置信息求得實(shí)際傾斜角度e，。進(jìn)而，也可以將基于c(n)列附近的光點(diǎn)列中的至少2個(gè)光點(diǎn)(例如配置成跨越c(n)的2個(gè)光點(diǎn))的位置求得的角度確定作為實(shí)際傾斜角度e'。如上所述，如果利用使用圖案形成裝置IO的本實(shí)施方式(1)的使用描繪部的指定方法，可以減輕各曝光頭的安裝角度誤差或圖案偏斜的影響引起的析像度的不均或濃度不均，實(shí)現(xiàn)理想的N重曝光。(2)多個(gè)曝光頭間的使用描繪部的指定方法<1>在本實(shí)施方式(2)中，對(duì)在利用圖案形成裝置10，對(duì)感光材料12進(jìn)行2重曝光的情況下、減輕在作為利用多個(gè)曝光頭30形成的被曝光面上的重復(fù)曝光區(qū)域的頭間連接區(qū)域、2個(gè)曝光頭(作為一例為曝光頭3012和3(^)的X軸方向相關(guān)的相對(duì)位置從理想狀態(tài)偏離引起的析像度的不均和濃度不均、用于實(shí)現(xiàn)理想的2重曝光的使用描繪部的指定方法進(jìn)行說明。作為各曝光頭30即各DMD36的設(shè)定傾斜角度e，如果為沒有曝光頭30的安裝角度誤差等的理想狀態(tài)，采用使用可以使用的1024列X256行的描繪部微鏡58而恰好成為2重曝光的角度eideal的狀態(tài)。該角度eic^與所述實(shí)施方式(1)同樣地從所述式13求得。在本實(shí)施方式(2)中，圖案形成裝置10被初期調(diào)節(jié)成各曝光頭30即各DMD36的安裝角度成為該角度6id^。圖14是表示在如上所述進(jìn)行初期調(diào)節(jié)的圖案形成裝置10中，在2個(gè)曝光頭(作為一例為曝光頭3012和3021)的X軸方向相關(guān)的相對(duì)位置從理想狀態(tài)偏離的影響下，在被曝光面上的圖案上產(chǎn)生濃度不均的例子的說明圖。各曝光頭的X軸方向相關(guān)的相對(duì)位置的偏離可以由于難以微調(diào)節(jié)曝光頭間的相對(duì)位置而產(chǎn)生。圖14的上段部分是表示在使載物臺(tái)14靜止的狀態(tài)下，向感光材料12的被曝光面上投影的來自可以使用具有曝光頭3012和3021的DMD36的微鏡58的光點(diǎn)組的圖案的圖。圖14的下段部分是表示在表現(xiàn)如上段部分所示的光點(diǎn)組的圖案的狀態(tài)下使載物臺(tái)14移動(dòng)進(jìn)行連續(xù)曝光時(shí)，對(duì)曝光范圍3212和3221在被曝光面上形成的曝光圖案的狀態(tài)的圖。其中，在圖14中，為了便于說明，將可以使用的微鏡58的每隔1列的曝光圖案分成利用像素列組A的曝光圖案和利用像素列組B的曝光圖案表示，而實(shí)際的被曝光面上的曝光圖案重疊了這2個(gè)曝光圖案。在圖14的例子中，作為所述乂軸方向相關(guān)的曝光頭3012和3021之間的相對(duì)位置從理想狀態(tài)的偏離結(jié)果，在利用像素列組A的曝光圖案和利用像素列組B的曝光圖案的雙方，在曝光范圍3212和3221的所述頭間連接區(qū)域，相對(duì)于理想的2重曝光的狀態(tài)，產(chǎn)生曝光量過多的部分。為了減輕如上所述的利用多個(gè)所述曝光頭而在被曝光面上形成的所述頭間連接區(qū)域出現(xiàn)的濃度不均，在本實(shí)施方式(2)中，將狹縫28及光檢測(cè)器的組用作所述光點(diǎn)位置檢測(cè)機(jī)構(gòu)，對(duì)來自曝光頭3012和3021的光點(diǎn)組中構(gòu)成在被曝光面上形成的所述頭間連接區(qū)域的幾個(gè)光點(diǎn)，檢測(cè)其位置(座標(biāo))。基于該位置(座標(biāo))，使用與所述光檢測(cè)器連接的運(yùn)算裝置作為所述描繪部選擇機(jī)構(gòu)，進(jìn)行選擇實(shí)際曝光中使用的微鏡的處理。一位置(座標(biāo))的檢測(cè)一圖15是表示與圖14同樣的曝光范圍3212及3221與對(duì)應(yīng)的狹縫28之間的位置關(guān)系的俯視圖。狹縫28的大小為充分覆蓋利用曝光頭3012和3021的已曝光區(qū)域34間的重復(fù)部分的寬度的大小，即充分覆蓋利用曝光頭3012和3021在被曝光面上形成的所述頭間連接區(qū)域的大小。圖16是表示作為一例檢測(cè)曝光范圍32^的光點(diǎn)P(256，1024)的位置時(shí)的檢測(cè)方法的俯視圖。首先，在使第256行第1024列的微鏡點(diǎn)亮的狀態(tài)下，緩慢移動(dòng)載物臺(tái)M，沿著Y軸使狹縫28相對(duì)移動(dòng)，使狹縫28位于使光點(diǎn)P(256，1024)位于上游側(cè)的狹縫28a與下游側(cè)的狹縫28b之間的任意位置。此時(shí)的狹縫28a與狹縫28b之間的交點(diǎn)的座標(biāo)為(X0，Y0)。該座標(biāo)(X0，Y0)的值由直到給予載物臺(tái)14的驅(qū)動(dòng)信號(hào)所示的所述位置的載物臺(tái)14的移動(dòng)距離及已知的狹縫28的X方向位置來確定并被記錄。接著，使載物臺(tái)14移動(dòng)，使狹縫28沿著Y軸在圖16的右方相對(duì)移動(dòng)。那么，在圖16中，如兩點(diǎn)劃線所示，光點(diǎn)P(256，1024)的光通過左側(cè)的狹縫28b并被光檢測(cè)器檢測(cè)出后，使載物臺(tái)14停止。將此時(shí)的狹縫28a與狹縫28b的交點(diǎn)的座標(biāo)(X0，Yl)作為光點(diǎn)P(256，1024)的位置進(jìn)行記錄。接著，使載物臺(tái)14向相反方向移動(dòng)，使狹縫28沿著Y軸在圖16的左方相對(duì)移動(dòng)。那么，在圖16中，如兩點(diǎn)劃線所示，光點(diǎn)P(256，1024)的光通過右側(cè)的狹縫28a并被光檢測(cè)器檢測(cè)出后，使載物臺(tái)14停止。將此時(shí)的狹縫28a與狹縫28b的交點(diǎn)的座標(biāo)(X0，Y2)作為光點(diǎn)P(256，1024)的位置進(jìn)行記錄。從以上的測(cè)定結(jié)果，利用X二XO十(Yl—Y2)/2、Y二(Yl+Y2)/2的計(jì)算，確定表示光點(diǎn)P(256，1024)在被曝光面上的位置的座標(biāo)(X，Y)。一不使用描繪部的確定一在圖14的例子中，首先利用狹縫28和光檢測(cè)器的組作為所述光點(diǎn)位置檢測(cè)機(jī)構(gòu)檢測(cè)曝光范圍32,2的光點(diǎn)P(256，1)的位置。接著，按照P(256，1024)、P(256，1023)…的順序檢測(cè)曝光范圍3221的第256行的光點(diǎn)行r(256)上的各光點(diǎn)的位置，檢測(cè)表示大于曝光范圍32u的光點(diǎn)P(256，1)的X座標(biāo)的曝光范圍322,的光點(diǎn)P(256，n)后，結(jié)束檢測(cè)動(dòng)作。接著，將對(duì)應(yīng)構(gòu)成從曝光范圍3221的光點(diǎn)光點(diǎn)列c(n+l)到c(1024)的光點(diǎn)的微鏡確定作為本曝光時(shí)不使用的微鏡(不使用描繪部)。例如，在圖14中，曝光范圍322,的光點(diǎn)P(256，1020)表示大于曝光范圍3212的光點(diǎn)P(256，1)的X座標(biāo)，如果在檢測(cè)該曝光范圍3221的光點(diǎn)P(256，1020)之后結(jié)束檢測(cè)動(dòng)作，對(duì)應(yīng)構(gòu)成相當(dāng)于在圖17中被斜線覆蓋的部分70的曝光范圍3221的第1021行1024行的光點(diǎn)的微鏡，在本曝光時(shí)被確定作為不使用的微孔。接著，相對(duì)N重曝光的數(shù)目N，檢測(cè)曝光范圍32u的光點(diǎn)P(256，N)的位置。在本實(shí)施方式(2)中，N=2，所以檢測(cè)光點(diǎn)P(256,2)的位置。接著，曝光范圍3221的光點(diǎn)列中，除了被確定作為對(duì)應(yīng)在所述本曝光時(shí)不使用的微鏡的光點(diǎn)列以外，將構(gòu)成最右側(cè)的第1020列的光點(diǎn)的位置，從P(1，1020)依次檢測(cè)為P(1，1020)、P(2，1020)…，檢測(cè)表示大于曝光范圍32,2的光點(diǎn)P(256，2)的X座標(biāo)的光點(diǎn)P(m，1020)后，結(jié)束檢測(cè)動(dòng)作。然后，在與所述光檢測(cè)器連接的運(yùn)算裝置中，比較曝光范圍3212的光點(diǎn)P(256，2)的X座標(biāo)和曝光范圍32^的光點(diǎn)P(m，1020)及P(m一l，1020)的X座標(biāo)，曝光范圍32u的光點(diǎn)P(m，1020)的X座標(biāo)的一方接近曝光范圍32,2的光點(diǎn)P(256，2)的X座標(biāo)的情況下，對(duì)應(yīng)曝光范圍322,的從光點(diǎn)P(1，1020)到P(m—l，1020)的微鏡被確定作為本曝光時(shí)不使用的微鏡。另外，曝光范圍32u的光點(diǎn)P(m—l，1020)的X座標(biāo)的一方接近曝光范圍32^的光點(diǎn)P(256,2)的X座標(biāo)的情況下，對(duì)應(yīng)曝光范圍3221的從光點(diǎn)P(1，1020)到P(m—2，1020)的微鏡被確定作為本曝光時(shí)不使用的微鏡。進(jìn)而，對(duì)曝光范圍3212的光點(diǎn)P(256，N—l)即光點(diǎn)P(256，1)的位置和構(gòu)成作為曝光范圍3221的次列的第1019列的各光點(diǎn)的位置，也進(jìn)行同樣的檢測(cè)處理及不使用的微鏡的確定。結(jié)果，例如在圖17中對(duì)應(yīng)構(gòu)成用網(wǎng)格表示的區(qū)域72的光點(diǎn)的微鏡被追加為實(shí)際的曝光時(shí)不使用的微鏡。經(jīng)常向這些微鏡送來將該微鏡的角度設(shè)定為關(guān)狀態(tài)的角度的信號(hào)，這些微鏡實(shí)際上在曝光時(shí)不使用。這樣，通過確定在實(shí)際的曝光時(shí)不使用的微鏡，將除了該不使用的微鏡以外的微鏡選作實(shí)際曝光時(shí)使用的微鏡，在曝光范圍3212與3221的所述頭間連接區(qū)域，可以使相對(duì)理想的2重曝光成為曝光過多的區(qū)域及成為曝光不足的區(qū)域的總面積為最小，如圖17的下段所示，可以實(shí)現(xiàn)極為接近理想的2重曝光的均一的曝光。其中，在所述例子中，在圖17中確定構(gòu)成用網(wǎng)格表示的區(qū)域72的光點(diǎn)時(shí)，也可以不比較曝光范圍32u的光點(diǎn)P(256，2)的X座標(biāo)和曝光范圍32^的光點(diǎn)P(m，1020)及P(m—l，1020)的X座標(biāo)，而立即將對(duì)應(yīng)曝光范圍3221的光點(diǎn)P(1，1020)到P(m—2，1020)的微鏡確定作為本曝光時(shí)不使用的微鏡。這種情況下，在所述頭間連接區(qū)域，可以將相對(duì)理想的2重曝光成為曝光過多的區(qū)域的面積變得最小，而且不產(chǎn)生成為曝光不足的區(qū)域之類的微鏡，選作實(shí)際使用的微鏡。另外，也可以將對(duì)應(yīng)曝光范圍32^的光點(diǎn)P(1，1020)到P(m—l，1020)的微鏡確定作為本曝光時(shí)不使用的微鏡。這種情況下，在所述頭間連接區(qū)域，可以將相對(duì)理想的2重曝光成為曝光不足的區(qū)域的面積變得最小，而且不產(chǎn)生成為曝光過多的區(qū)域之類的微鏡，選作實(shí)際使用的微鏡。進(jìn)而，在所述頭間連接區(qū)域，也可以在選擇實(shí)際使用的微鏡時(shí)，使相對(duì)理想的2重描繪成為曝光過多的區(qū)域的描繪單位數(shù)(光點(diǎn)數(shù))與成為曝光不足的區(qū)域的描繪單位數(shù)(光點(diǎn)數(shù))相等。如上所述，如果利用使用圖案形成裝置10的本實(shí)施方式(2)的使用描繪部的指定方法，可以減輕多個(gè)曝光頭的X軸方向相關(guān)的相對(duì)位置的偏離引起的析像度的不均和濃度不均，實(shí)現(xiàn)理想的N重曝光。(3)多個(gè)曝光頭間的使用描繪部的指定方法<2>在本實(shí)施方式(3)中，對(duì)在利用圖案形成裝置IO，相對(duì)感光材料12進(jìn)行2重曝光的情況下、減輕在作為利用多個(gè)曝光頭30形成的被曝光面上的重復(fù)曝光區(qū)域的頭間連接區(qū)域、2個(gè)曝光頭(作為一例為曝光頭3012和3021)的X軸方向相關(guān)的相對(duì)位置從理想狀態(tài)偏離以及各曝光頭的安裝角度誤差及2個(gè)曝光頭間的相對(duì)安裝角度誤差引起的析像度的不均和濃度不均、用于實(shí)現(xiàn)理想的2重曝光的使用描繪部的指定方法進(jìn)行說明。作為各曝光頭30即各DMD36的設(shè)定傾斜角度，如果為沒有曝光頭30的安裝角度誤差等的理想狀態(tài)，則采用使用可以使用的1024列X256行的描繪部(微鏡58)而恰好若干大于成為2重曝光的角度0id^的角度的狀態(tài)。該角度6id^為使用所述式13與所述(1)的實(shí)施方式同樣地求得的值，在本實(shí)施方式中，如上所述，s=256、N=2，所以角度0i^約為0.45度。因而，作為設(shè)定傾斜角度e，例如也可以采用0.50度左右的角度。圖案形成裝置10在可以調(diào)節(jié)的范圍內(nèi)，被初期調(diào)節(jié)為各曝光頭30即各DMD36的安裝角度成為接近該設(shè)定傾斜角度e的角度。圖18是表示在將各曝光頭30即各DMD36的安裝角度如上所述初期調(diào)節(jié)的圖案形成裝置10中，在2個(gè)曝光頭(作為一例為曝光頭3012和3021)的安裝角度誤差以及各曝光頭3012和3021間的相對(duì)安裝角度誤差及相對(duì)位置的偏離的影響下，在被曝光面上的圖案上產(chǎn)生的不均的例子的說明圖。在圖18的例子中，與圖14的例子相同，作為X軸方向相關(guān)的曝光頭3012和3021的相對(duì)位置的偏離的結(jié)果，在利用每隔一列的光點(diǎn)組(像素列組A及B)的曝光圖案的雙方，在曝光范圍3212與3221在與被曝光面上的所述曝光頭的掃描方向正交的坐標(biāo)軸上重復(fù)的曝光區(qū)域，產(chǎn)生與理想的2重曝光的狀態(tài)相比曝光量過多的區(qū)域74，這引起濃度不均。進(jìn)而，在圖18的例子中，由于使各曝光頭的設(shè)定傾斜角度e若干大于滿足所述式(i)的角度eid^的結(jié)果，另外還由于各曝光頭的安裝角度的微調(diào)節(jié)很困難，所以作為實(shí)際的安裝角度偏離所述設(shè)定傾斜角度e的結(jié)果，在與被曝光面上的所述曝光頭的掃描方向正交的坐標(biāo)軸上重復(fù)的曝光區(qū)域以外的區(qū)域，利用每隔一列光點(diǎn)組(像素列組A及B)的曝光圖案的雙方，在利用多個(gè)描繪部列形成的作為被曝光面上的重復(fù)曝光區(qū)域的描繪部列間連接區(qū)域，產(chǎn)生相對(duì)理想的2重曝光的狀態(tài)成為曝光過多的區(qū)域76，這引起了進(jìn)一步的濃度不均。在本實(shí)施方式(3)中，首先進(jìn)行用于減輕各曝光頭3012和3021的安裝角度誤差及相對(duì)安裝角度的偏離的影響下產(chǎn)生的濃度不均的使用像素選擇處理。具體而言，將狹縫28及光檢測(cè)器的組用作所述光點(diǎn)位置檢測(cè)機(jī)構(gòu)，對(duì)每個(gè)曝光頭3012和3021，確定實(shí)際傾斜角度e'，基于該實(shí)際傾斜角度e'，將與光檢測(cè)器連接的運(yùn)算裝置用作所述描繪部選擇機(jī)構(gòu)，進(jìn)行選擇實(shí)際的曝光中使用的微鏡的處理。一實(shí)際傾斜角度e'的確定一實(shí)際傾斜角度e'的確定是通過利用在所述實(shí)施方式(2)中使用的狹縫28和光檢測(cè)器的組分別檢測(cè)，對(duì)于曝光頭3012而言的曝光范圍3212內(nèi)的光點(diǎn)P(1，1)和P(256，1)的位置，對(duì)于曝光頭3021而言的曝光范圍32^內(nèi)的光點(diǎn)P(1，1024)和P(256，1024)的位置，測(cè)定連接它們的直線的傾斜角度與曝光頭的掃描方向所成角度來進(jìn)行的。一不使用描繪部的確定一使用如上所述確定的實(shí)際傾斜角度e'，與光檢測(cè)器連接的運(yùn)算裝置與所述實(shí)施方式(1)中的運(yùn)算裝置同樣，分別對(duì)于曝光頭3012和3021，導(dǎo)出滿足下述式4ttane，二N(式4)的關(guān)系的值t最近的自然數(shù)T，進(jìn)行將DMD36上的第(T+1)行到第256行的微鏡確定作為本曝光時(shí)不使用的微鏡。例如，如果對(duì)于曝光頭3012導(dǎo)出T=254、對(duì)于曝光頭3021導(dǎo)出T=255，在圖19中對(duì)應(yīng)構(gòu)成用斜線覆蓋的部分78及80的光點(diǎn)的微鏡被確定作為本曝光中不使用的微鏡。這樣，在曝光頭3212和3221中頭間連接區(qū)域以外的各區(qū)域，可以使相對(duì)理想的2重曝光成為曝光過多的區(qū)域及成為曝光不足的區(qū)域的總面積成為最小。在此，也可以代替導(dǎo)出與所述值t相近的自然數(shù)，而導(dǎo)出值t以上的最小的自然數(shù)。這種情況下，在曝光范圍3212和3221的作為利用多個(gè)曝光頭形成的被曝光面上的重復(fù)曝光區(qū)域的頭間連接區(qū)域以外的各區(qū)域中，可以將相對(duì)理想的2重曝光成為曝光過多的區(qū)域的面積變得最小而且不產(chǎn)生成為曝光不足的面積?；蛘撸部梢詫?dǎo)出值t以下的最大的自然數(shù)。這種情況下，在曝光范圍3212和3221的作為利用多個(gè)曝光頭形成的被曝光面上的重復(fù)曝光區(qū)域的頭間連接區(qū)域以外的各區(qū)域中，可以將相對(duì)理想的2重曝光成為曝光不足的區(qū)域的面積變得最小而且不產(chǎn)生成為曝光過多的區(qū)域。在作為利用多個(gè)曝光頭形成的被曝光面上的重復(fù)曝光區(qū)域的頭間連接區(qū)域以外的各區(qū)域中，也可以在確定本曝光時(shí)不使用的微鏡時(shí)，使相對(duì)理想的2重曝光成為曝光過多的區(qū)域的描繪單位數(shù)(光點(diǎn)數(shù))與成為曝光不足的區(qū)域的描繪單位數(shù)(光點(diǎn)數(shù))變得相等。然后，關(guān)于在圖19中對(duì)應(yīng)構(gòu)成用斜線覆蓋的區(qū)域78及80的光點(diǎn)以外的微鏡，進(jìn)行與使用圖1417說明的本實(shí)施方式(3)同樣的處理，確定在圖19中對(duì)應(yīng)構(gòu)成用斜線覆蓋的區(qū)域82及用網(wǎng)格表示的區(qū)域84的光點(diǎn)的微鏡，追加作為在本曝光時(shí)不使用的微鏡。相對(duì)被確定作為這些曝光時(shí)不使用的微鏡，利用所述描繪部控制機(jī)構(gòu)，傳送設(shè)定成經(jīng)常關(guān)狀態(tài)的角度的信號(hào)，這些微鏡基本上不參與曝光。如上所述，如果利用使用圖案形成裝置IO的本實(shí)施方式(3)的使用描繪部的指定方法，可以減輕多個(gè)曝光頭的X軸方向相關(guān)的相對(duì)位置的偏離以及各曝光頭的安裝角度誤差及曝光頭間的相對(duì)安裝角度誤差引起的析像度的不均或濃度不均，實(shí)現(xiàn)理想的N重曝光。以上對(duì)利用圖案形成裝置10的使用描繪部指定方法進(jìn)行了詳細(xì)說明，但所述實(shí)施方式(1)(3)只不過為一例，可以在不脫離本發(fā)明的范圍下進(jìn)行各種變更。另外，在所述實(shí)施方式(1)(3)中，作為用于檢測(cè)被曝光面上的光點(diǎn)的位置的機(jī)構(gòu)，使用狹縫28和單一單位型的光檢測(cè)器的組，但也可以不限于此而使用任意方式的機(jī)構(gòu)，例如可以使用二維檢測(cè)器等。進(jìn)而，在所述實(shí)施方式(1)(3)中，從利用狹縫28和光檢測(cè)器的組進(jìn)行被曝光面上的光點(diǎn)的位置檢測(cè)結(jié)果求得實(shí)際傾斜角度e'，選擇基于該實(shí)際傾斜角度e'使用的微鏡，但也可以為選擇可以不經(jīng)過實(shí)際傾斜角度e'的導(dǎo)出而使用的微鏡的方式。進(jìn)而，例如通過進(jìn)行使用所有可以使用的微鏡的參照曝光，利用目視參照曝光結(jié)果來確認(rèn)析像度或濃度的不均等，從而用手動(dòng)指定操作者使用的微鏡的方式也被包括的本發(fā)明的范圍。此外，在被曝光面上產(chǎn)生得到的圖案偏斜，除了在所述例子中說明的角度偏斜以外，還存在各種方式。作為一例，如圖20A所示，來自DMD36上的各微鏡58的光線，存在以不同倍率到達(dá)曝光面上的曝光范圍32的倍率偏斜的方式。另外，作為其他例子，如圖20B所示，來自DMD36上的各微鏡58的光線，還存在以不同的光束直徑到達(dá)被曝光面上的曝光范圍32的光束直徑偏斜的方式。這些倍率偏斜及光束直徑偏斜主要由于DMD36與被曝光面間的光學(xué)系的各種像差或定位偏離引起產(chǎn)生。進(jìn)而作為另一個(gè)例子，來自DMD36上的各微鏡58的光線，還存在以不同的光量到達(dá)被曝光面上的曝光范圍32的光量偏斜的方式。該光量偏斜除了各種像差或定位偏離以外，還由于DMD36與被曝光面間的光學(xué)要素(例如作為1張透鏡的圖5的透鏡52及54)的透過率的位置依存性或DMD36本身引起的光量不均引起產(chǎn)生。這些方式的圖案偏斜也在曝光面上形成的圖案產(chǎn)生析像度或濃度的不均。利用所述實(shí)施方式(1)(3)，在選擇本曝光中實(shí)際使用的微鏡之后的這些方式的圖案偏斜的殘留要素，可以與所述角度偏斜的殘留要素同樣地用利用多重曝光的補(bǔ)償效果來消除，但也可以通過使被所述光調(diào)制機(jī)構(gòu)調(diào)制的光通過微透鏡陣列、孔陣列及成像光學(xué)系等后再進(jìn)行曝光，來除去圖案偏斜的影響?！段⑼哥R陣列》作為所述微透鏡陣列，沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)選擇，例如可以優(yōu)選舉出對(duì)具有可以修正所述描繪部中的射出面的偏斜造成的像差的非球面的微透鏡進(jìn)行排列而成的微透鏡陣列。作為所述非球面，沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)選擇，例如優(yōu)選為復(fù)曲面。以下參照附圖，對(duì)所述微透鏡陣列、所述孔陣列及所述成像光學(xué)系等進(jìn)行說明。圖35A表示具有如下所述構(gòu)成的曝光頭，S卩DMD36，向DMD36照射激光的光照射機(jī)構(gòu)144，對(duì)在DMD36反射的激光放大并成像的透鏡系(成像光學(xué)系)454、458，對(duì)應(yīng)DMD36的各描繪部配置有多個(gè)微透鏡474的微透鏡陣列472，對(duì)應(yīng)微透鏡陣列472的各微透鏡設(shè)置有多個(gè)孔478的孔陣列476，通過孔的激光在圖案形成材料12(被曝光面)成像的透鏡系(成像光學(xué)系)480、482。在此，圖36表示對(duì)構(gòu)成DMD36的微鏡58的反射面的平面度進(jìn)行測(cè)定的結(jié)果。在同圖中，表示用等高線連結(jié)反射面的相同高度位置，等高線的間距為5nm。其中，在同圖中所示的x方向及y方向是微鏡58的2個(gè)對(duì)角線方向，微鏡58以向y方向延伸的旋轉(zhuǎn)軸為中心，如上所述地旋轉(zhuǎn)。另外，圖37A及37B分別表示沿著上述x方向、y方向的微鏡58的反射面的高度位置變位。如上述圖36、圖37A及圖37B所示，在微鏡58的反射面上存在偏斜，而且如果特別注意鏡中央部，那么l個(gè)對(duì)角線方向(y方向)的偏斜大于另一個(gè)對(duì)角線方向(x方向)的偏斜。所以，在微透鏡陣列55的微透鏡55a聚光的激光束B在聚光位置中的形狀可能會(huì)發(fā)生偏斜。在本發(fā)明的圖案形成方法中，為了防止上述問題，微透鏡陣列55的微透鏡55a成為與以往不同的特殊形狀。以下對(duì)該點(diǎn)進(jìn)行詳細(xì)說明。圖38A及38B分別是詳細(xì)表示整個(gè)微透鏡陣列55的正面形狀及側(cè)面形狀的圖。在這些圖中，也標(biāo)記了微透鏡陣列55的各部分的尺寸，它們的單位為mm。在本發(fā)明的圖案形成方法中，首先參照?qǐng)D4如同該圖所說明，DMD36的1024個(gè)X256列的微鏡58被驅(qū)動(dòng)，與此對(duì)應(yīng)，微透鏡陣列55構(gòu)成為向橫向并列1024個(gè)微透鏡55a的列在縱向并設(shè)成256歹U。其中，在圖38A中，在橫向的微透鏡陣列55的并列順序用j表示，在縱向用k表示。另外，圖39A及圖39B分別表示微透鏡陣列55中的1個(gè)微透鏡55a的正面形狀及側(cè)面形狀。其中，在圖39A中，耦合微透鏡55a的等高線進(jìn)行表示。各微透鏡55a的光發(fā)射側(cè)的端面成為修正微鏡58的反射面的偏斜引起的像差的非球面形狀。更具體而言，微透鏡55a成為復(fù)曲面透鏡(toriclens)，光學(xué)上對(duì)應(yīng)上述x方向的方向的曲率半徑Rx二一0.125mm，對(duì)應(yīng)上述y方向的方向的曲率半徑Ry二一O.lmm。因而，與上述x方向及y方向平行的截面內(nèi)的激光束B的聚光狀態(tài)，大體上分別如圖40A及40B所示。就是說，如果比較與x方向平行的截面內(nèi)和與y方向平行的截面內(nèi)，后者的截面內(nèi)的微透鏡55a的曲率半徑更小，焦點(diǎn)距離變得更短。微透鏡55a為上述形狀的情況下，利用計(jì)算機(jī)模擬(simulation)該微透鏡55a的聚光位置(焦點(diǎn)位置)附近的光束直徑的結(jié)果見圖41、圖42、圖43及圖44。另外，為了比較，在為微透鏡55a的曲率半徑Rx-Ry-—0.1mm的球面形狀的情況下，同樣進(jìn)行模擬的結(jié)果見圖45、46、47及48。其中，各圖中的z值表示微透鏡55a的焦點(diǎn)(荷/punt)方向的評(píng)價(jià)位置離該微透鏡55a的光束射出面的距離。另外，上述模擬中使用的微透鏡55a的面形狀用下述計(jì)算式計(jì)算。[數(shù)1]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage48</formula>其中，在所述計(jì)算式中，Cx:x方向的曲率(二1/Rx)、Cy:y方向的曲率(=1/Ry)、X:離x方向相關(guān)的透鏡光軸O的距離、Y:離y方向相關(guān)的透鏡光軸O的距離。比較圖4144和圖4548可知，在本發(fā)明的圖案形成方法中，通過使微透鏡55a成為與y方向平行的截面內(nèi)的焦點(diǎn)距離小于與x方向平行的截面內(nèi)的焦點(diǎn)距離的復(fù)曲面透鏡，可以抑制該聚光位置附近的光束形狀的偏斜。如果是這樣，那么沒有偏斜地在圖案形成材料12上曝光更精細(xì)的圖像成為可能。另外，還可知在圖41圖44所示的本實(shí)施方式中，光束直徑小的區(qū)域更寬，即焦點(diǎn)深度更大。此外，在微透鏡58的x方向及y方向相關(guān)的中央部的偏斜大小關(guān)系與上述相反的情況下，如果微透鏡由與x方向平行的截面內(nèi)的焦點(diǎn)距離小于與y方向平行的截面內(nèi)的焦點(diǎn)距離的復(fù)曲面透鏡構(gòu)成，那么沒有偏斜地在圖案形成材料12上曝光更精細(xì)的圖像同樣成為可能。另外，如圖35A所示，配置于微透鏡陣列472的聚光位置附近的孔陣列476被配置為向該各孔478只入射經(jīng)過與其對(duì)應(yīng)的微透鏡474的光。即，通過設(shè)置該孔陣列476，可以防止來自不與其對(duì)應(yīng)的相鄰的微透鏡474的光向各孔478入射，可以提高消光比。如果原來將為了上述目的而設(shè)置的孔陣列的所述孔的直徑減小到某種程度，也可以得到抑制微透鏡的聚光位置中的光束形狀的偏斜的效果。但是，這種情況下，由所述孔陣列遮擋的光量變得過多，光利用效率降低。與此相對(duì)，所述微透鏡為非球面形狀的情況下，由于不遮擋光，所以也可以保持高的光利用效率。此外，在本發(fā)明的圖案形成方法中，所述微透鏡也可以為2次的非球面形狀，也可以為更高次(4次、6次…)的非球面形狀。通過采用所述高次的非球面形狀，可以使光束形狀更高精細(xì)。另外，在以上說明的實(shí)施方式中，所述微透鏡的光射出面的端面成為非球面(復(fù)曲面)，但如果由兩個(gè)光通過端面的一方為球面、另一方為圓柱形面的微透鏡構(gòu)成所述微透鏡陣列，則也可以得到與所述實(shí)施方式相同的效果。進(jìn)而，在以上說明的實(shí)施方式中，所述微透鏡陣列的所述微透鏡成為修正所述微鏡的反射面的偏斜造成的像差的非球面形狀，但也可以不采用這樣的非球面形狀，在構(gòu)成微透鏡陣列的各微透鏡中具有修正所述微鏡的反射面的偏斜造成的像差的折射率分布，也可以得到同樣的效果。這樣的微透鏡155a的一例如圖49A及圖49B所示。圖49A及圖49B分別是表示該微透鏡155a的正面形狀及側(cè)面形狀的圖，如圖所示，該微透鏡155a的外形形狀為平行平板狀。其中，同圖中的x、y方向如上所述。另外，圖50A及圖50B概略地表示利用該微透鏡155a的與上述x方向及y方向平行的截面內(nèi)中的激光束B的聚光狀態(tài)。該微透鏡155a具有從光軸O向外方依次增大的折射率分布，在同圖中，微透鏡155a內(nèi)所示的虛線表示其折射率以規(guī)定的等間距從光軸0開始變化的位置。如圖所示，如果比較與x方向平行的截面內(nèi)和與y方向平行的截面內(nèi)，后者的截面內(nèi)的一方，微透鏡155a的折射率變化的比例更大，焦點(diǎn)距離變得更短。即使使用由這樣的折射率分布型透鏡構(gòu)成的微透鏡陣列，也與上述微透鏡陣列55的情況相同，可以得到同樣的效果。此外，如在前面圖39、圖40B、及圖40B所示的微透鏡55a，在面形狀為非球面的微透鏡中，也可以配合給予如上所述的折射率分布，利用面形狀和折射率分布雙方，來修正微鏡58的反射面的偏斜引起的像差。另外，在所述實(shí)施方式中，修正了構(gòu)成DMD36的微鏡58的反射面的偏斜造成的像差，但即使在使用DMD以外的空間光調(diào)制元件的本發(fā)明的圖案形成方法中，在該空間光調(diào)制元件的描繪部的面存在偏斜的情況下，也可以適用本發(fā)明，修正其偏斜造成的像差，防止光束形狀產(chǎn)生偏斜。接著，對(duì)所述成像光學(xué)系進(jìn)行更詳細(xì)說明。如圖35A所示，在所述曝光頭中，如果從光照射機(jī)構(gòu)144照射激光，被DMD36向開方向反射的光束線的截面積被透鏡系454、458放大數(shù)倍(例如2倍)。被放大的激光在微透鏡陣列472的各微透鏡的作用下，被對(duì)應(yīng)DMD36的各描繪部聚光，通過孔陣列476所對(duì)應(yīng)的孔。通過孔的激光在透鏡系480、482的作用下，在被曝光面12上成像。在該成像光學(xué)系中，被DMD36反射的激光被放大透鏡454、458放大數(shù)倍，并被投影到被曝光面56上，所以整體圖像區(qū)域變寬。此時(shí)，如果不配置微透鏡陣列472及孔陣列476，如圖35B所示，被投影到被曝光面56的各光束點(diǎn)BS的一個(gè)描繪尺寸(點(diǎn)尺寸)成為對(duì)應(yīng)曝光范圍468的尺寸的大小，表示曝光范圍468的清晰度的MTF(調(diào)制傳遞函數(shù)(ModulationTransferFunction))特性降低。另一方面，在配置有微透鏡陣列472及孔陣列476的情況下，被DMD36反射的激光在微透鏡陣列472的各微透鏡的作用下，被對(duì)應(yīng)DMD36的各描繪部聚光。這樣，如圖35C所示，即使在曝光范圍被放大的情況下，也可以將各光束點(diǎn)BS的點(diǎn)尺寸縮小至需要的大小(例如10(imX10pm)，可以防止MTF特性的降低，進(jìn)行高精細(xì)的曝光。此外，曝光范圍468是傾斜的，這是因?yàn)闉榱耸姑枥L間的間隙消失而傾斜配置DMD36。另外，如圖35A所述，即使微透鏡474的像差造成光束過粗，也可以通過利用孔陣列476將光束整形成被曝光面12上的點(diǎn)尺寸成為一定的大小，同時(shí)通過使其通過對(duì)應(yīng)各描繪設(shè)置的孔陣列476，可以防止在相鄰的描繪間的串?dāng)_(crosstalk)。進(jìn)而，通過在光照射機(jī)構(gòu)144中使用后述的高亮度光源，從透鏡458向微透鏡陣列472的各微透鏡入射的光束的角度變小，所以可以防止相鄰的描繪的光束的一部分入射。即，可以實(shí)現(xiàn)高消光比。<其他光學(xué)系>在本發(fā)明的圖案形成方法中，也可以與從公知的光學(xué)系中適當(dāng)選擇的其他光學(xué)系并用，例如可以舉出由一對(duì)組合透鏡構(gòu)成的光量分布修正光學(xué)系等。所述光量分布修正光學(xué)系使各射出位置的光束寬度變化，從而使周邊部的光束寬度相對(duì)靠近光軸的中心部的光束寬度的比，在射出側(cè)比入射側(cè)小，在向DMD照射來自光照射機(jī)構(gòu)的平行光束時(shí)，在被照射面的光量分布被修正成大致均一。以下參照附圖，對(duì)所述光量分布修正光學(xué)系進(jìn)行說明。首先，如圖51A所示，對(duì)入射光束與射出光束在整體光束寬度(全部光束寬度)H.O、Hl為相同的情況進(jìn)行說明。此外，在圖51A中，用符號(hào)51、52表示的部分是假想地表示所述光量分布修正光學(xué)系中的入射面及射出面。在所述光量分布修正光學(xué)系中，向靠近光軸Z1的中心部入射的光束與向周邊部入射的光束之間的各光束寬度hO、hl設(shè)為相同(h0=hl)。所述光量分布修正光學(xué)系起到的作用是對(duì)在入射側(cè)為相同的光束寬度h0、hi的光，對(duì)于中心部的入射光束而言，放大其光束寬度h0，相反，對(duì)周邊部的入射光束，縮小其光束寬度hl之類的作用。即，對(duì)于中心部的射出光束的寬度hlO與周邊部的射出光束的寬度hll而言，使hlKh10。如果用光束寬度的比率表示，則周邊部的光束寬度相對(duì)射出側(cè)的中心部的光束寬度的比"hll/hlO"變得比在入射側(cè)的比(區(qū)0=1)小((hll緒)<1)。通過使光束寬度這樣變化，通常光量分布變大的中央部的光束可以向光量不足的周邊部恢復(fù)，不使整體的光的利用效率下降，在被照射面的光量分布被大致均一化。均一化的比例例如為在有效區(qū)域內(nèi)的光量不均為30%以內(nèi)，優(yōu)選為20%以內(nèi)。所述光量分布修正光學(xué)系的作用、效果，即使在入射側(cè)和射出側(cè)，改變整體光束寬度的情況(圖51B及圖51C)下，也一樣。圖51B表示將入射側(cè)的整體光束寬度H0"縮小"成寬度H2并射出的情況(HOH2)。即使在這樣的情況下，所述光量分布修正光學(xué)系使在入射側(cè)為相同的光束寬度hO、hl的光，在射出側(cè)，成為中央部的光束寬度hlO大于周邊部，相反，周邊部的光束寬度hll小于中心部。如果考慮到光束的縮小率，起到的作用是使相對(duì)中心部的入射光束的縮小率小于周邊部，使相對(duì)周邊部的入射光束的縮小率大于中心部。在這種情況下，也是周邊部的光束寬度相對(duì)中心部的光束寬度的比"H11/H10"變得比入射側(cè)的比(hl/h0=l)小((hll/h10)<1)。圖51C表示將入射側(cè)的整體光束寬度H0"放大"成寬度H3的情況(H(KH3)。即使在這樣的情況下，所述光量分布修正光學(xué)系使在入射側(cè)為相同的光束寬度h0、hl的光，在射出側(cè)，成為中央部的光束寬度h10大于周邊部，相反，周邊部的光束寬度hll小于中心部。如果考慮到光束的放大率，起到的作用是使相對(duì)中心部的入射光束的放大率大于周邊部，使相對(duì)周邊部的入射光束的放大率小于中心部。在該情況下，也是周邊部的光束寬度相對(duì)中心部的光束寬度的比"hll/hl0"變得比入射側(cè)的比(h固二l)小((hll細(xì))<1)。這樣，所述光量分布修正光學(xué)系使在各射出位置的光束寬度變化，使周邊部的光束寬度相對(duì)靠近光軸Z1的中心部的光束寬度的比，在射出側(cè)比入射側(cè)變小，所以在入射側(cè)為相同的光束寬度的光，在射出側(cè)，變得中央部的光束寬度大于周邊部，周邊部的光束寬度變得小于中心部。這樣，中央部的光束可以向周邊部恢復(fù)，不使作為整體光學(xué)系的光的利用效率下降，形成光量分布被大致均一化的光束截面。接著，顯示用作所述光量分布修正光學(xué)系的一對(duì)組合透鏡的具體透鏡數(shù)據(jù)的一例。在該例中，如同所述光照射機(jī)構(gòu)為激光器陣列光源的情況一樣，顯示在射出光束的截面的光量分布為高斯分布的情況的透鏡數(shù)據(jù)。此外，一個(gè)半導(dǎo)體激光器與單模光纖的入射端相連的情況下，從光纖的射出光束的光量分布成為高斯分布。本發(fā)明的圖案形成方法也可以適用這樣的情況。另外，也可以適用于由于減小多模光纖的芯徑、接近單模光纖的結(jié)構(gòu)等而靠近光軸的中心部的光量大于周邊部的光量的情況。下述表l表示基本透鏡數(shù)據(jù)。[表l]<table>tableseeoriginaldocumentpage53</column></row><table>從表1可知，一對(duì)組合透鏡由旋轉(zhuǎn)對(duì)稱的兩個(gè)非球面透鏡構(gòu)成。如果將配置于光入射側(cè)的第一透鏡的光入射側(cè)的面設(shè)為第一面，光射出側(cè)的面設(shè)為第二面，則第一面為非球面形狀。另外，如果將配置于光射出側(cè)的第二透鏡的光入射側(cè)的面設(shè)為第三面，光射出側(cè)的面設(shè)為第四面，則第四面為非球面形狀。在表1中，面編號(hào)Si表示第i個(gè)(i=l4)面的編號(hào)，曲率半徑ri表示第i個(gè)面的曲率半徑，面間隔di表示第i個(gè)面與第i+1個(gè)面的光軸上的面間隔。面間隔di值的單位為毫米(mm)。折射率Ni表示具備第i個(gè)面的光學(xué)部件相對(duì)波長(zhǎng)405nm的折射率的值。下述表2表示第1面及第4面的非球面數(shù)據(jù)。[表2]<table>tableseeoriginaldocumentpage53</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage54</column></row><table>所述非球面數(shù)據(jù)用表示非球面形狀的下述式(A)中的系數(shù)表示,[數(shù)2]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage54</formula>(A)在所述式(A)中，如下所述定義各系數(shù)。Z:從位于距離光軸高度p的位置的非球面上的點(diǎn)，向非球面的頂點(diǎn)的切平面(與光軸垂直的平面)垂下的垂線的長(zhǎng)度(mm)p:從光軸的距離(mm)K:圓錐系數(shù)C:近軸曲率(l/r，r:近軸曲率半徑)ah第i次(i=310)的非球面系數(shù)在表2所示的數(shù)值中，記號(hào)"E"表示接下來的數(shù)值是以10為底數(shù)的"冪指數(shù)"，表示該用以IO為底的指數(shù)函數(shù)表示的數(shù)值乘以"E"之前的數(shù)值。例如如果是"1.0E—02"，則表示"1.0X10—2"。圖53表示利用所述表1及表2所示的一對(duì)組合透鏡得到的照明光的光量分布。橫軸表示距離光軸的座標(biāo)，縱軸表示光量比(％)。其中，為了比較，圖52表示未進(jìn)行修正的情況下的照明光的光量分布(高斯分布)。從圖52及圖53可知，通過用光量分布修正光學(xué)系進(jìn)行修正，與未進(jìn)行修正的情況相比，可以得到大致均一化的光量分布。這樣，可以不降低光的利用效率，以均一的激光無不均地進(jìn)行曝光?！秴⒄掌毓狻纷鳛樗鰧?shí)施方式(1)(3)的變更例，為了只使用構(gòu)成可以使用的微鏡中的每隔(N—l)列的微鏡列或全光點(diǎn)行中相當(dāng)于1/N行的相鄰行的微鏡組進(jìn)行參照曝光，可以實(shí)現(xiàn)均一的曝光，也可以確定在所述參照曝光中使用的微鏡中實(shí)際曝光時(shí)不使用的微鏡。取樣輸出利用所述參照曝光機(jī)構(gòu)的參照曝光的結(jié)果，相對(duì)該輸出的參照曝光結(jié)果，確認(rèn)析像度的不均或濃度的不均，進(jìn)行推斷實(shí)際傾斜角度等的分析。所述參照曝光的結(jié)果的分析也可以為利用操作者的目視的分析。圖21是表示使用單一曝光頭，只使用每隔(N—l)列的微鏡進(jìn)行參照曝光的方式的一例的說明圖。在該例中，本曝光時(shí)為2重曝光，因而N二2。首先，只使用對(duì)應(yīng)圖21A中用實(shí)線表示的奇數(shù)列的光點(diǎn)列的微鏡，進(jìn)行參照曝光，取樣輸出參照曝光結(jié)果。通過基于所述取樣輸出的參照曝光結(jié)果，確認(rèn)析像度的不均或濃度的不均或者推斷實(shí)際傾斜角度，可以指定在本曝光時(shí)使用的微鏡。例如，對(duì)應(yīng)圖21B中用斜線覆蓋的光點(diǎn)列的微鏡以外的微鏡，被指定作為在構(gòu)成奇數(shù)列的光點(diǎn)列的微鏡中的本曝光中實(shí)際使用的微鏡。對(duì)應(yīng)偶數(shù)列的光點(diǎn)列，也可以另外同樣地進(jìn)行參照曝光，指定本曝光時(shí)使用的微鏡，也可以適用與相對(duì)奇數(shù)列的光點(diǎn)列的圖案相同的圖案。可以通過這樣指定在本曝光時(shí)使用的微鏡，在使用奇數(shù)列及偶數(shù)列雙方的微鏡的本曝光中，實(shí)現(xiàn)接近理想的2重曝光的狀態(tài)。圖22是表示使用多個(gè)曝光頭，只使用每隔(N—l)列的微鏡進(jìn)行參照曝光的方式的一例的說明圖。在該例中，本曝光時(shí)為2重曝光，因而N二2。首先，只使用對(duì)應(yīng)圖22中用實(shí)線表示的X軸方向相關(guān)的相鄰的2個(gè)曝光頭(作為一例為3012和3021)的奇數(shù)列的光點(diǎn)列的微鏡，進(jìn)行參照曝光，取樣輸出參照曝光結(jié)果。通過基于所述輸出的參照曝光結(jié)果，確認(rèn)利用2個(gè)曝光頭在被曝光面上形成的頭間連接區(qū)域以外的區(qū)域中的析像度的不均或濃度的不均或者推斷實(shí)際傾斜角度，可以指定在本曝光時(shí)使用的微鏡。例如，對(duì)應(yīng)圖22中用斜線覆蓋表示的區(qū)域86及用網(wǎng)格表示的區(qū)域88內(nèi)的光點(diǎn)列的微鏡以外的微鏡，被指定作為在構(gòu)成奇數(shù)列的光點(diǎn)的微鏡中在本曝光時(shí)實(shí)際使用的微鏡。對(duì)應(yīng)偶數(shù)列的光點(diǎn)列，也可以另外同樣地進(jìn)行參照曝光，指定本曝光時(shí)使用的微鏡，也可以適用與相對(duì)第奇數(shù)列的像素列的圖案相同的圖案?？梢酝ㄟ^這樣指定在本曝光時(shí)使用的微鏡，在使用奇數(shù)列及偶數(shù)列雙方的微鏡的本曝光中，在利用2個(gè)曝光頭在被曝光面上形成的所述頭間連接區(qū)域以外的區(qū)域，實(shí)現(xiàn)接近理想的2重曝光的狀態(tài)。圖23是表示使用單一曝光頭，只使用構(gòu)成相當(dāng)于全光點(diǎn)行數(shù)的1/N行的相鄰的行的微鏡組進(jìn)行參照曝光的方式的一例的說明圖。在該例中，本曝光時(shí)為2重曝光，因而N-2。首先，只使用對(duì)應(yīng)圖23A中用實(shí)線表示的第1行第128(=256/2)行的光點(diǎn)的微鏡，進(jìn)行參照曝光，取樣輸出參照曝光結(jié)果?？梢酝ㄟ^基于所述取樣輸出的參照曝光結(jié)果，指定在本曝光時(shí)使用的微鏡。例如，對(duì)應(yīng)圖23B中用斜線覆蓋表示的光點(diǎn)組的微鏡以外的微鏡，可以被指定作為在第1行第128行的微鏡中的本曝光時(shí)實(shí)際使用的微鏡。對(duì)于第129行第256行的微鏡，也可以另外同樣地進(jìn)行參照曝光，指定本曝光時(shí)使用的微鏡，也可以適用與相對(duì)第1行第128行的微鏡的圖案相同的圖案?？梢酝ㄟ^這樣指定在本曝光時(shí)使用的微鏡，在使用全體微鏡的本曝光中，實(shí)現(xiàn)接近理想的2重曝光的狀態(tài)。圖24是表示使用多個(gè)曝光頭，對(duì)于X軸方向相關(guān)的相鄰的2個(gè)曝光頭(作為一例的曝光頭3012和3021)，只使用分別構(gòu)成相當(dāng)于全光點(diǎn)行數(shù)的1/N行的相鄰的行的微鏡組進(jìn)行參照曝光的方式的一例的說明圖。在該例中，本曝光時(shí)為2重曝光，因而N二2。首先，只使用對(duì)應(yīng)圖24中用實(shí)線表示的第1行第128(=256/2)行的光點(diǎn)的微鏡，進(jìn)行參照曝光，取樣輸出參照曝光結(jié)果。通過基于所述取樣輸出的參照曝光結(jié)果，可以指定在本曝光時(shí)使用的微鏡，使其能夠?qū)崿F(xiàn)將利用2個(gè)曝光頭在被曝光面上形成的頭間連接區(qū)域以外的區(qū)域中的析像度的不均或濃度的不均控制在最小限度的本曝光。例如，對(duì)應(yīng)圖24中用斜線覆蓋表示的區(qū)域90及用網(wǎng)格表示的區(qū)域92內(nèi)的光點(diǎn)列的微鏡以外的微鏡，被指定作為在第1行第128行的微鏡中在本曝光時(shí)實(shí)際使用的微鏡。對(duì)于第129行第256行的微鏡，也可以另外同樣地進(jìn)行參照曝光，指定本曝光時(shí)使用的微鏡，也可以適用與相對(duì)第1行第128行的微鏡的圖案相同的圖案。可以通過這樣指定在本曝光時(shí)使用的微鏡，在利用2個(gè)曝光頭在被曝光面上形成的所述頭間連接區(qū)域以外的區(qū)域，實(shí)現(xiàn)接近理想的2重曝光的狀態(tài)。在以上的實(shí)施方式(1)(3)及變更例中，均對(duì)本曝光為2重曝光的情況進(jìn)行了說明，但不限定于此，也可以為2重曝光以上的任意多重曝光。特別是可以通過使其為3重曝光7重曝光，實(shí)現(xiàn)確保高析像度，減輕析像度的不均及濃度不均的曝光。另外，為了使圖像數(shù)據(jù)所表示的二維圖案的規(guī)定部分的尺寸與可以利用選擇的使用像素實(shí)現(xiàn)的對(duì)應(yīng)部分的尺寸一致，優(yōu)選在所述實(shí)施方式及變更例中的曝光裝置中進(jìn)一步設(shè)置轉(zhuǎn)換圖像數(shù)據(jù)的機(jī)構(gòu)?？梢酝ㄟ^這樣轉(zhuǎn)換圖像數(shù)據(jù)，在被曝光面上形成按照需要的二維圖案的高精細(xì)的圖案。[層疊體]作為所述曝光的對(duì)象，只要是具有感光層的所述圖案形成材料即可，沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)選擇，例如優(yōu)選對(duì)在基體上形成所述圖案形成材料而成的層疊體進(jìn)行。<圖案形成材料>作為圖案形成材料，只要在支撐體上具有感光層即可，沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)選擇。作為所述感光層，沒有特別限制，可以從公知的圖案形成材料中適當(dāng)選擇，例如優(yōu)選含有粘合劑、聚合性化合物及光聚合引發(fā)劑，也可以含有適當(dāng)選擇的其他成分。另外，作為所述感光層的層疊數(shù)，沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)選擇，例如可以為l層或2層以上。粘合劑》作為所述粘合劑，例如優(yōu)選對(duì)堿性水溶液顯示出溶脹性的粘合劑，更優(yōu)選對(duì)堿性水溶液顯示出可溶性的粘合劑。作為對(duì)堿性水溶液顯示出溶脹性或溶解性的粘合劑，例如可以舉出具有酸性基的粘合劑。作為所述酸性基，沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)選擇，例如可以舉出羧基、磺酸基、磷酸基等，其中優(yōu)選羧基。作為具有羧基的粘合劑，例如可以舉出具有羧基的乙烯基共聚物、聚氨酯樹脂、聚酰胺酸樹脂、改性環(huán)氧樹脂等，其中，從對(duì)涂敷溶劑的溶解性、對(duì)堿顯影液的溶解性、合成適合性、膜物理性能的調(diào)節(jié)的容易程度等觀點(diǎn)來看，優(yōu)選具有羧基的乙烯系共聚物。另外，從顯影性的觀點(diǎn)出發(fā)，還優(yōu)選苯乙烯及苯乙烯衍生物的至少任意一種的共聚物。所述具有羧基的乙烯系共聚物至少可以利用(1)具有羧基的乙烯基單體、及(2)可以與它們共聚合的單體的共聚合得到，例如可以舉出特開2005—258431號(hào)公報(bào)的段落"0164""0205"中記載的化合物。作為所述感光層中的所述粘合劑的含量，沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)選擇，但例如優(yōu)選1090質(zhì)量％，更優(yōu)選2080質(zhì)量％，特別優(yōu)選4080質(zhì)量％。如果所述含量不到10質(zhì)量％，則堿顯影性或與印刷線路板形成用基板(例如鍍銅疊層板)的粘附性降低，如果超過90質(zhì)量％，則相對(duì)顯影時(shí)間的穩(wěn)定性或固化膜(遮蓋膜)的強(qiáng)度可能會(huì)降低。此外，所述含量也可以為與根據(jù)需要與所述粘合劑并用的高分子粘結(jié)材料的總含量。所述粘合劑為具有玻璃化溫度(Tg)的物質(zhì)的情況下，作為該玻璃化溫度，則沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)選擇，例如從抑制所述圖案形成材料的粘著性(tack)及邊緣熔合以及提高所述支撐體的剝離性的至少任意一種的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選為8(TC以上，更優(yōu)選為IOO'C以上，特別優(yōu)選為12(TC以上。如果所述玻璃化溫度不到80°C，則可能所述圖案形成材料的粘著性或邊緣熔合會(huì)增加，或者所述支撐體的剝離性變差。作為所述粘合劑的酸值，則沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)選擇，例如優(yōu)選為70250(mgKOH/g)，更優(yōu)選為卯200(mgKOH/g)，特別優(yōu)選為100180(mgKOH/g)。如果所述酸值不到70(mgKOH/g)，則顯影性不足，或者析像度差，可能不能高精細(xì)地得到布線圖案等永久圖案，如果超過250(mgKOH/g)，則圖案的耐顯影液性及粘附性的至少任意一種會(huì)變差，不能高精細(xì)地得到布線圖案等永久圖案。<聚合性化合物>作為所述聚合性化合物，沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)選擇，例如可以優(yōu)選舉出具有尿烷基及芳基的至少任意一種的單體或寡聚物。另外，它們優(yōu)選具有2種以上聚合性基。作為所述聚合性基，例如可以舉出乙烯性不飽和鍵(例如(甲基)丙烯酰基、(甲基)丙烯酰胺基、苯乙烯基、乙烯酯或乙烯醚等乙烯基，烯丙醚或烯丙酯等烯丙基等)、可以聚合的環(huán)狀醚基(例如環(huán)氧基、氧雜環(huán)丁烷基等)等，其中，優(yōu)選乙烯性不飽和鍵。一具有尿垸基的單體一一作為所述具有尿垸基的單體，只要具有尿垸基，沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)選擇，例如可以舉出特開2005—258431號(hào)公報(bào)的段落02100262記載的化合物等。一具有芳基的單體一一作為所述具有芳基的單體，只要具有芳基，沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)選擇，例如可以舉出特開2005—258431號(hào)公報(bào)的段落02100271記載的化合物等。一其他聚合性單體一一在本發(fā)明的圖案形成方法中，在不使作為所述圖案形成材料的特性惡化的范圍內(nèi)，還可以并用所述含有尿烷基的單體、含有芳基的單體以外的聚合性單體。作為所述含有尿烷基的單體、含有芳香環(huán)的單體以外的聚合性單體，例如可以舉出特開2005—258431號(hào)公報(bào)的段落02720284記載的化合物等。作為所述感光層中的聚合性化合物的含量，例如優(yōu)選590質(zhì)量Q^，更優(yōu)選1560質(zhì)量％，特別優(yōu)選2050質(zhì)量％。所述含量如果不到5質(zhì)量％，則遮蓋膜的強(qiáng)度可能會(huì)降低，如果超過90質(zhì)量％，則保存時(shí)的邊緣熔合(從輥端部的滲出故障)可能會(huì)惡化。另外，作為聚合性化合物中具有2個(gè)以上所述聚合性基的多官能單體的含量，優(yōu)選5100質(zhì)量％，更優(yōu)選20100質(zhì)量％，特別優(yōu)選40100質(zhì)量％。<光聚合引發(fā)劑>作為所述光聚合引發(fā)劑，只要具有引發(fā)所述聚合性化合物的聚合的能力，則沒有特別限制，可以從公知的光聚合引發(fā)劑中適當(dāng)選擇，例如可以舉出特開2005—258431號(hào)公報(bào)的段落02860310中記載的化合物等。<其他成分>作為所述其他成分，例如可以舉出增感劑、熱聚合抑制劑、增塑劑、顯色劑、著色劑等，進(jìn)而也可以并用對(duì)基體表面的粘附促進(jìn)劑及其他輔助劑類(例如顏料、導(dǎo)電性顆粒、填充劑、消泡劑、阻燃劑、流平劑、剝離促進(jìn)劑、抗氧化劑、香料、熱交聯(lián)劑、表面張力調(diào)節(jié)劑、鏈移動(dòng)劑等)。作為這些化合物，例如可以舉出特開2005—258431號(hào)公報(bào)的段落03120336中記載的化合物等，通過適當(dāng)含有這些成分，可以調(diào)節(jié)需要的圖案形成材料的穩(wěn)定性、照相性、印像性、膜物理性能等性質(zhì)。作為所述感光層的厚度，沒有特別限制，可以根據(jù)目的適當(dāng)選擇，例如優(yōu)選為l100|im，更優(yōu)選為250)im，特別優(yōu)選為430pm。[圖案形成材料的制造]所述圖案形成材料可以利用例如特開2005—258431號(hào)公報(bào)的段落03380375中記載的方法制造。實(shí)施例以下利用實(shí)施例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更詳細(xì)說明，但本發(fā)明不被這些實(shí)施例所限定。(實(shí)施例1)一圖案形成材料的制造一向作為所述支撐體的厚20pm的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯薄膜上，涂敷并干燥下述組成構(gòu)成的感光性樹脂組合物溶液，形成厚15pm的感光層，制造所述圖案形成材料。[感光性樹脂組合物溶液的組成]甲基丙烯酸甲酯/丙烯酸2—乙基己基酯/甲基丙烯酸芐基酯/甲基丙烯酸共聚物(共聚物組成(質(zhì)量比)50/20/7/23，質(zhì)均分子量90，000，酸值150)15質(zhì)量份用下述結(jié)構(gòu)式(73)表示的聚合性單體7.0質(zhì)量份六亞甲基二異氰酸酯與四環(huán)氧乙烷一甲基丙烯酸酯的1/2摩爾比的加成物7.0質(zhì)量份N—甲基吖啶酮0.11質(zhì)量份2，2_雙(鄰氯苯基)一4，4，，5，5'—四苯基聯(lián)二咪唑2.17質(zhì)量份2—巰基苯并咪唑孔雀綠草酸鹽無色結(jié)晶紫(leucocrystalviolet)甲基乙基甲酮l一甲氧基一2—丙醇[化l]CH3H2C=C-CO>{0—CH2CH2)~0.、'm0.23質(zhì)量份0.02質(zhì)量份0.26質(zhì)量份40質(zhì)量份20質(zhì)量份9H30~(CH2CH2—0、CO-C=CH2結(jié)構(gòu)式(1)其中，結(jié)構(gòu)式(1)中，m+n表示10。在所述圖案形成材料的感光層上層疊厚2(Him的聚乙烯薄膜作為所述保護(hù)薄膜。接著，作為所述基體，在對(duì)表面進(jìn)行了研磨、水洗、干燥的鍍銅疊層板(沒有穿通孔，銅的厚12pm)的表面上，剝離所述圖案形成材料的保護(hù)薄膜，同時(shí)使用層壓機(jī)(MODEL8B—720—PH，大成層壓機(jī)(株)制)壓粘該圖案形成材料的感光層，使其與所述鍍銅疊層板接觸，制作依次層疊了所述鍍銅疊層板、所述感光層、所述聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯薄膜(支撐體)的層疊體。壓粘條件為擠涂機(jī)溫度105°C、擠涂機(jī)壓力0.3MPa、層疊速度lm/分鐘。對(duì)所述制造的所述層疊體中的圖案形成材料的感光層，利用以下的方法評(píng)價(jià)(a)析像度、(b)邊緣粗糙度、(c)蝕刻性。結(jié)果如表3所示。<(a)析像度>(1)最短顯影時(shí)間的測(cè)定方法從所述層疊體剝?nèi)ニ鲋误w，用0.15MPa的壓力向鍍銅疊層板上的所述感光層的整個(gè)面噴射30'C的1質(zhì)量％碳酸鈉水溶液，測(cè)定從開始噴射碳酸鈉水溶液到溶解除去鍍銅疊層板上的感光層所需要的時(shí)間，將其作為最短顯影時(shí)間。結(jié)果，所述最短顯影時(shí)間為IO秒。(2)靈敏度的測(cè)定對(duì)所述制作的層疊體的圖案形成材料的感光層，從所述支撐體側(cè)，使用以下說明的圖案形成裝置，照射以21/2倍間隔、從0.1mJ/cm2到100mJ/cm2的光能量不同的光，進(jìn)行2重曝光，使所述感光層的一部分區(qū)域固化。在室溫下靜置10分鐘，然后從所述層疊體剝?nèi)ニ鲋误w，用噴射壓0.15MPa向鍍銅疊層板上的感光層的全面噴射3(TC的l質(zhì)量^碳酸鈉水溶液，噴射時(shí)間為在所述(1)中求得的最短顯影時(shí)間的2倍，溶解除去未固化的區(qū)域，測(cè)定殘留的固化區(qū)域的厚度。接著，繪制光的照射量與固化層的厚度之間的關(guān)系的曲線圖，得到靈敏度曲線。這樣該靈敏度曲線可知，固化區(qū)域的厚度為與曝光前的感光層同樣為15pm時(shí)的光能量，為使感光層固化所必需的光能量。結(jié)果，用于使所述感光層固化所必需的光能量為3mJ/cm2?！秷D案形成裝置》作為所述光照射機(jī)構(gòu)，使用圖89及圖2529所示的具有合波激光光源，和作為所述光調(diào)制機(jī)構(gòu)的將圖6中的概略圖所示的將主掃描方向上排列1024個(gè)微鏡58的微鏡列在副掃描方向排列成768組內(nèi)、控制成僅驅(qū)動(dòng)1024個(gè)X256列的DMD36，和圖5A及圖5B所示的將光成像于所述圖案形成材料的光學(xué)系的具備曝光頭30的圖案形成裝置10。作為各曝光頭30即各DMD36的設(shè)定傾斜角度，采用使用可以使用的1024列X256行的微鏡58而恰好成為若干大于成為2重曝光的角度0ic^的角度。該角度eid^是相對(duì)N重曝光的數(shù)目N、可以使用的微鏡58的列方向的個(gè)數(shù)s、可以使用的微鏡58的列方向的間隔p及在使曝光頭30傾斜的狀態(tài)下利用微鏡形成的掃描線的間距5，利用下述式1spsin9ideal^N5(式1)得到。本實(shí)施方式中的DMD36如上所述，縱橫配置間隔相等的大多數(shù)微鏡58被配置成矩形格子狀，所以為pcos6ideal=5(式2)，上述式l成為stan9ideai=N(式3)，由于s二256、N=2，所以角度9idea,約為0.45度。因而，作為設(shè)定傾斜角度9，例如采用0.50度。首先，為了校正2重曝光中的析像度的不均或曝光不均，分析被曝光面的曝光圖案的狀態(tài)。結(jié)果見圖18。在圖18中，表示在使載物臺(tái)14靜止的狀態(tài)下，來自向感光層12的被曝光面上投影的曝光頭3012和3021具有的DMD36可以使用的微鏡58的光點(diǎn)組的圖案。另外，在下段部分，在如上段部分所示的光點(diǎn)組的圖案出現(xiàn)的狀態(tài)下使載物臺(tái)14移動(dòng)并進(jìn)行連續(xù)曝光時(shí)，對(duì)曝光范圍3212和3221顯示在被曝光面上形成的曝光圖案的狀態(tài)。此外，在圖18中，為了便于說明，將可以使用的微鏡58的每隔1列的曝光圖案分成利用像素列組A的曝光圖案和利用像素列組B的曝光圖案進(jìn)行表示，但實(shí)際的被曝光面上的曝光圖案重疊了這2個(gè)曝光圖案。如圖18所示，判斷為，作為曝光頭3012和3021之間的相對(duì)位置的從理想的狀態(tài)偏離的結(jié)果，在利用像素列組A的曝光圖案和利用像素列組B的曝光圖案的雙方，在曝光范圍3212和3221的與所述曝光頭的掃描方向正交的坐標(biāo)軸上重復(fù)的曝光區(qū)域，相對(duì)于理想的2重曝光的狀態(tài)，產(chǎn)生曝光量過多的部分。作為所述光點(diǎn)位置檢測(cè)機(jī)構(gòu)，使用狹縫28及光檢測(cè)器的組，對(duì)于曝光頭3012而言的曝光范圍3212內(nèi)的光點(diǎn)？(1，1)和P(256，1)的位置，對(duì)于曝光頭3021而言的曝光范圍3221內(nèi)的光點(diǎn)？(1，1024)和P(256，1024)的位置，進(jìn)行檢測(cè)，測(cè)定連接它們的直線的傾斜角度與曝光頭的掃描方向所成角度。使用實(shí)際傾斜角度e'，分別對(duì)于曝光頭3012和3021，導(dǎo)出與滿足下述式4ttane，=N(式4)的關(guān)系的值t接近的自然數(shù)T。分別對(duì)于曝光頭3012導(dǎo)出丁二254，對(duì)于曝光頭3021導(dǎo)出T=255。結(jié)果，構(gòu)成圖19中用斜線覆蓋的部分78及80的微鏡被確定作為本曝光時(shí)不使用的微鏡。然后，關(guān)于對(duì)應(yīng)構(gòu)成在圖19中用斜線覆蓋的區(qū)域78及80的光點(diǎn)以外的光點(diǎn)的微鏡，同樣地對(duì)應(yīng)構(gòu)成在圖19中用斜線覆蓋的區(qū)域82及用網(wǎng)格表示的區(qū)域84的光點(diǎn)的微鏡被確定，追加作為本曝光時(shí)不使用的微鏡。相對(duì)這些被確定作為曝光時(shí)不使用的微鏡，利用所述描繪部控制機(jī)構(gòu)，傳送設(shè)定成經(jīng)常關(guān)狀態(tài)的角度的信號(hào)，這些微鏡實(shí)際上不參與曝光。這樣，在曝光范圍3212和3221中的作為由多個(gè)所述曝光頭形成的被曝光面上的重復(fù)曝光區(qū)域的頭間連接區(qū)域以外的各區(qū)域，可以使相對(duì)理想的2重曝光成為曝光過多的區(qū)域及成為曝光不足的區(qū)域的總面積為最小。(3)析像度的測(cè)定用與所述(1)的最短顯影時(shí)間的評(píng)價(jià)方法相同的方法及條件制作所述層疊體，在室溫下(23°C，55%RH)靜置10分鐘。從得到的層疊體的聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯薄膜(支撐體)上，使用所述圖案形成裝置，以線(line)/空間(space)=1/1，從線(line)寬10nm50|im，以每l|_im，進(jìn)行各線寬的曝光。此時(shí)的曝光量為固化在所述(2)中測(cè)定的所述圖案形成材料的感光層所必需的光能量的2倍。在室溫下靜置10分鐘之后，從所述層疊體剝?nèi)ゾ蹖?duì)苯二甲酸乙二醇酯薄膜(支撐體)。用噴射壓0.15MPa向鍍銅疊層板上的所述感光層的全面噴射作為顯影液的30°C的1質(zhì)量％碳酸鈉水溶液，噴射時(shí)間為在所述(1)中求得的最短顯影時(shí)間的2倍，溶解除去未固化的區(qū)域。用光學(xué)顯微鏡觀察這樣得到的帶固化樹脂圖案的鍍銅疊層板的表面，在固化樹脂圖案的線中測(cè)定沒有堵塞、皺巴等異常且可以形成空間的最小線寬，將其作為析像度。該析像度的數(shù)值越小越為良好。<(b)邊緣粗糙度>向所述層疊體，使用所述圖案形成裝置，進(jìn)行照射、2重曝光，使與所述曝光頭的掃描方向正交的方向的橫線圖案形成，與所述析像度的測(cè)定(3)同樣地在所述感光層的一部分區(qū)域形成圖案。得到的圖案中，對(duì)線寬30|im的線的任意5處，使用激光顯微鏡(VK—9500，基恩斯(keyence)(株)制；物鏡50倍)觀察，將視野內(nèi)的邊緣位置中最膨脹的位置(山頂部)與最狹窄的位置(谷底部)之間的差作為絕對(duì)值求得，算出觀察的5處的平均值，將其作為邊緣粗糙度。該邊緣粗糙度越小，則越顯示良好的性能，優(yōu)選。結(jié)果見表3。<(c)蝕刻性>使用在所述析像度的測(cè)定中形成的具有圖案的層疊體，通過在該層疊體中露出的鍍銅疊層板的表面，以0.25MPa，噴射.36秒氯化鐵腐蝕劑(etchant)(含三氯化鐵的蝕刻溶液，40°波美，液溫4(TC)，溶解除去未由固化層覆蓋的露出的區(qū)域的銅層，來進(jìn)行蝕刻處理。接著，通過噴射2質(zhì)量％的氫氧化鈉水溶液除去所述形成的圖案，制作在表面具備銅層的布線圖案作為所述永久圖案的印刷線路板。用光學(xué)顯微鏡觀察該印刷線路板上的布線圖案，測(cè)定該布線圖案的最小的線寬。得到的該最小線寬越小，越可以得到高精細(xì)的布線圖案，越意味著蝕刻性出色。結(jié)果見表3所示。(實(shí)施例2)在實(shí)施例1中，將感光性樹脂組合物溶液的六亞甲基二異氰酸酯與四環(huán)氧乙烷一甲基丙烯酸酯的1/2摩爾比的加成物代替為下述結(jié)構(gòu)式(2)表示的化合物，除此以外，與實(shí)施例1同樣地配制圖案形成材料及層疊體。對(duì)所述配制的層疊體中的圖案形成材料的導(dǎo)電層，與實(shí)施例1同樣地評(píng)價(jià)(a)析像度、(b)邊緣粗糙度、及(c)蝕刻性。結(jié)果如表3所示。此外，最短顯影時(shí)間為10秒，用于使所述感光層固化所必需的光能量為3mJ/cm2。[化2]<formula>formulaseeoriginaldocumentpage65</formula>(實(shí)施例3)在實(shí)施例1中，將感光性樹脂組合物溶液的六亞甲基二異氰酸酯與四環(huán)氧乙烷一甲基丙烯酸酯的1/2摩爾比的加成物代替為下述結(jié)構(gòu)式(3)表示的化合物，除此以外，與實(shí)施例1同樣地配制圖案形成材料及層疊體。對(duì)所述配制的層疊體中的圖案形成材料的導(dǎo)電層，與實(shí)施例1同樣地評(píng)價(jià)(a)析像度、(b)邊緣粗糙度、及(c)蝕刻性。結(jié)果如表3所示。此外，最短顯影時(shí)間為10秒，用于使所述感光層固化所必需的光能<formula>formulaseeoriginaldocumentpage66</formula>結(jié)構(gòu)式(3)(實(shí)施例4)在實(shí)施例1中，將甲基丙烯酸甲酯/丙烯酸2—乙基己基酯/甲基丙烯酸節(jié)基酯/甲基丙烯酸共聚物(共聚物組成(質(zhì)量比)50/20/7/23，質(zhì)均分子量90，000，酸值150)代替為甲基丙烯酸甲酯/苯乙烯/甲基丙烯酸芐基酯/甲基丙烯酸共聚物(共聚物組成(質(zhì)量比)8/30/37/25，質(zhì)均分子量60，000，酸值163)，除此以外，與實(shí)施例1同樣地配制圖案形成材料及層疊體。對(duì)所述配制的層疊體中的圖案形成材料的導(dǎo)電層，評(píng)價(jià)(a)析像度、(b)邊緣粗糙度、及(c)蝕刻性。結(jié)果如表3所示。此外，最短顯影時(shí)間為10秒，用于使所述感光層固化所必需的光能量為3mJ/cm2。(比較例1)在實(shí)施例1的圖案形成裝置中，基于所述式3，作為N-1算出設(shè)定傾斜角度e，基于所述式4，導(dǎo)出與滿足ttane，二l的關(guān)系的值t相近的自然數(shù)T，進(jìn)行N重曝光(N=l)，除此以外，與實(shí)施例l同樣地評(píng)價(jià)(a)析像度、(b)邊緣粗糙度、及(c)蝕刻性。結(jié)果如表3所示。此外，最短顯影時(shí)間為10秒，用于使所述感光層固化所必需的光能量為3mJ/cm2。圖54表示比較例1中的所述被曝光面的曝光狀態(tài)的例子。在圖54中，表示在使載物臺(tái)14靜止的狀態(tài)下被投影于圖案形成材料12的被曝光面上的來自一個(gè)曝光頭(例如3012)具有的DMD36的可以使用的微鏡58的光點(diǎn)組的圖案。另外，在下段部分，表示對(duì)于一個(gè)曝光范圍(例如3212)，在上段部分所示之類的光點(diǎn)組的圖案出現(xiàn)的狀態(tài)下使載物臺(tái)14移動(dòng)并進(jìn)行連續(xù)曝光時(shí)，在被曝光面上形成的曝光圖案的狀態(tài)。作為所述一個(gè)曝光頭(例如3012)從理想的狀態(tài)偏離的結(jié)果，是在被曝光面上出現(xiàn)的圖案偏斜的一例，產(chǎn)生投影到被曝光面上的各像素列的傾斜角度變得不均一的"角度偏斜"。圖54的例子中出現(xiàn)的角度偏斜是相對(duì)掃描方向的傾斜角度，越在圖的左方列越變大、越在圖的右方列越變小的方式的偏斜。作為該角度偏斜的結(jié)果，在圖的左方所示的被曝光面上產(chǎn)生成為曝光過多的區(qū)域，在圖的右方所示的被曝光面上產(chǎn)生成為曝光不足的區(qū)域。[表3]<table>tableseeoriginaldocumentpage67</column></row><table>從表3的結(jié)果可知，與比較例1的布線圖案相比，修正2重曝光的析像度的不均與曝光不均的實(shí)施例14的布線圖案為高精細(xì)，邊緣粗糙度也小，另外，蝕刻性也出色。產(chǎn)業(yè)上的可利用性本發(fā)明由于可以通過消除所述曝光頭的安裝位置或安裝角度的偏離以及所述描繪部與所述圖案形成材料的曝光面之間的光學(xué)系的各種像差及所述描繪部自身的傾斜等引起的圖案偏斜導(dǎo)致的曝光量的不均的影響，減輕在所述圖案形成材料的被曝光面上形成的所述圖案的析像度的不均或濃度的不均，來高精細(xì)而且有效地形成所述圖案，所以可以優(yōu)選用于必需高精細(xì)的曝光的各種圖案的形成等，特別可以優(yōu)選用于高精細(xì)的布線圖案的形成。權(quán)利要求1.一種圖案形成方法，其特征在于，在被處理基體上層疊在支撐體上具有感光層的圖案形成材料中的該感光層之后，相對(duì)于該感光層使用如下所述的曝光頭，即所述曝光頭具備光照射機(jī)構(gòu)；及光調(diào)制機(jī)構(gòu)，其具有接受來自所述光照射機(jī)構(gòu)的光并射出的n個(gè)(其中，n為2以上的自然數(shù))排列成二維狀的描繪部、且可以對(duì)應(yīng)圖案信息來控制所述描繪部，所述描繪部的列方向配置成相對(duì)該曝光頭的掃描方向呈規(guī)定的設(shè)定傾斜角度θ，所述圖案形成方法包括利用使用描繪部指定機(jī)構(gòu)，對(duì)于所述曝光頭，指定可以使用的所述描繪部中的用于N重曝光(其中，N為2以上的自然數(shù))的所述描繪部的工序；利用描繪部控制機(jī)構(gòu)，對(duì)于所述曝光頭，進(jìn)行所述描繪部的控制，使只有由所述使用描繪部指定機(jī)構(gòu)指定的所述描繪部參與曝光的工序；和相對(duì)于所述感光層，使所述曝光頭沿掃描方向相對(duì)移動(dòng)，從而進(jìn)行曝光的工序。2.根據(jù)權(quán)利要求l所述的圖案形成方法，其中，曝光是利用多個(gè)曝光頭進(jìn)行的，使用描繪部指定機(jī)構(gòu)指定在參與由多個(gè)所述曝光頭形成的被曝光面上的作為重復(fù)曝光區(qū)域的頭間連接區(qū)域的曝光的描繪部中、為實(shí)現(xiàn)所述頭間連接區(qū)域的N重曝光而使用的所述描繪部。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的圖案形成方法，其中，曝光是利用多個(gè)曝光頭進(jìn)行的，使用描繪部指定機(jī)構(gòu)指定在參與由多個(gè)所述曝光頭形成的被曝光面上的作為重復(fù)曝光區(qū)域的頭間連接區(qū)域以外的曝光的描繪部中、為實(shí)現(xiàn)所述頭間連接區(qū)域以外的區(qū)域的N重曝光而使用的所述描繪部。4.根據(jù)權(quán)利要求13中任意一項(xiàng)所述的圖案形成方法，其中，0ided相對(duì)于N重曝光數(shù)的N、描繪部的列方向的個(gè)數(shù)s、所述描繪部的列方向的間隔p及在使曝光頭傾斜的狀態(tài)下沿與該曝光頭的掃描方向正交的方向的描繪部的列方向的間距S而滿足下述式SpSin0idealgNS，將設(shè)定傾斜角度e設(shè)定為相對(duì)于eid^滿足e^eidea]的關(guān)系。5.根據(jù)權(quán)利要求14中任意一項(xiàng)所述的圖案形成方法，其中，N重曝光的N為3以上的自然數(shù)。6.根據(jù)權(quán)利要求15中任意一項(xiàng)所述的圖案形成方法，其中，使用描繪部指定機(jī)構(gòu)具備.-在被曝光面上檢測(cè)利用描繪部生成且作為構(gòu)成被曝光面上的曝光區(qū)域的描繪單位的光點(diǎn)位置的光點(diǎn)位置檢測(cè)機(jī)構(gòu)；和基于所述光點(diǎn)位置檢測(cè)機(jī)構(gòu)檢測(cè)的檢測(cè)結(jié)果來選擇用于實(shí)現(xiàn)N重曝光而使用的描繪部的描繪部選擇機(jī)構(gòu)。7.根據(jù)權(quán)利要求16中任意一項(xiàng)所述的圖案形成方法，其中，使用描繪部指定機(jī)構(gòu)以行為單位指定為實(shí)現(xiàn)N重曝光而使用的使用描繪部。8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的圖案形成方法，其中，光點(diǎn)位置檢測(cè)機(jī)構(gòu)基于檢測(cè)出的至少2個(gè)光點(diǎn)位置，確定在使曝光頭傾斜的狀態(tài)下的被曝光面上的光點(diǎn)的列方向與所述曝光頭的掃描方向所成的實(shí)際傾斜角度e'，描繪部選擇機(jī)構(gòu)按照消除所述實(shí)際傾斜角度e'與設(shè)定傾斜角度e的誤差的方式選擇使用描繪部。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的圖案形成方法，其中，實(shí)際傾斜角度e，是在使曝光頭傾斜的狀態(tài)下的被曝光面上的光點(diǎn)的列方向與所述曝光頭的掃描方向所成的多個(gè)實(shí)際傾斜角度的平均值、中位值、最大值及最小值中的任意一個(gè)。10.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的圖案形成方法，其中，描繪部選擇機(jī)構(gòu)基于實(shí)際傾斜角度e，，導(dǎo)出與滿足ttane，-N(其中，N表示N重曝光數(shù)的N)的關(guān)系的t相近的自然數(shù)T，并選擇排列成m行(其中，m表示2以上的自然數(shù))的描繪部中從第1行到第所述T行的所述描繪部作為使用描繪部。11.根據(jù)權(quán)利要求8或9所述的圖案形成方法，其中，描繪部選擇機(jī)構(gòu)基于實(shí)際傾斜角度e，，導(dǎo)出與滿足ttane，^N(其中，N表示N重曝光數(shù)的N)的關(guān)系的t相近的自然數(shù)T，確定排列成m行(其中，m表示2以上的自然數(shù))的描繪部中從第(T+l)行到第m行的所述描繪部作為不使用描繪部，并選擇排除了該不使用描繪部的所述描繪部作為使用描繪部。12.根據(jù)權(quán)利要求611中任意一項(xiàng)所述的圖案形成方法，其中，描繪部選擇機(jī)構(gòu)是如下(1)、(2)、(3)、(4)所述機(jī)構(gòu)中的任意一種(1)按照在至少包含利用多個(gè)描繪部列形成的被曝光面上的重復(fù)曝光區(qū)域的區(qū)域中相對(duì)理想的N重曝光成為曝光過多的區(qū)域及成為曝光不足的區(qū)域的總面積成為最小的方式，選擇使用描繪部的機(jī)構(gòu)；(2)按照在至少包含利用多個(gè)描繪部列形成的被曝光面上的重復(fù)曝光區(qū)域的區(qū)域中相對(duì)理想的N重曝光成為曝光過多的區(qū)域的描繪單位數(shù)與成為曝光不足的區(qū)域的描繪單位數(shù)相等的方式，選擇使用描繪部的機(jī)構(gòu)；(3)按照在至少包含利用多個(gè)描繪部列形成的被曝光面上的重復(fù)曝光區(qū)域的區(qū)域中相對(duì)理想的N重曝光成為曝光過多的區(qū)域的面積成為最小、且不產(chǎn)生成為曝光不足的區(qū)域的方式，選擇使用描繪部的機(jī)構(gòu)；以及(4)按照在至少包含利用多個(gè)描繪部列形成的被曝光面上的重復(fù)曝光區(qū)域的區(qū)域中相對(duì)理想的N重曝光成為曝光不足的區(qū)域的面積成為最小、且不產(chǎn)生成為曝光過多的區(qū)域的方式，選擇使用描繪部的機(jī)構(gòu)。13.根據(jù)權(quán)利要求612中任意一項(xiàng)所述的圖案形成方法，其中，描繪部選擇機(jī)構(gòu)是如下(1)、(2)、(3)、(4)所述機(jī)構(gòu)中的任意一種(1)按照在作為利用多個(gè)曝光頭形成的被曝光面上的重復(fù)曝光區(qū)域的頭間連接區(qū)域中相對(duì)理想的N重曝光成為曝光過多的區(qū)域及成為曝光不足的區(qū)域的總面積成為最小的方式，從參與所述頭間連接區(qū)域的曝光的描繪部中，確定不使用描繪部，選擇排除了該不使用描繪部的所述描繪部作為使用描繪部的機(jī)構(gòu)；(2)按照在作為利用多個(gè)曝光頭形成的被曝光面上的重復(fù)曝光區(qū)域的頭間連接區(qū)域中相對(duì)理想的N重曝光成為曝光過多的區(qū)域的描繪單位數(shù)與成為曝光不足的區(qū)域的描繪單位數(shù)相等的方式，從參與所述頭間連接區(qū)域的曝光的描繪部中，確定不使用描繪部，選擇排除了該不使用描繪部的所述描繪部選作為使用描繪部的機(jī)構(gòu)；(3)按照在作為利用多個(gè)曝光頭形成的被曝光面上的重復(fù)曝光區(qū)域的頭間連接區(qū)域中相對(duì)理想的N重曝光成為曝光過多的區(qū)域的面積成為最小、且不產(chǎn)生成為曝光不足的區(qū)域的方式，從參與所述頭間連接區(qū)域的曝光的描繪部中，確定不使用描繪部，選擇排除了該不使用描繪部的所述描繪部作為使用描繪部的機(jī)構(gòu)；以及(4)按照在作為利用多個(gè)曝光頭形成的被曝光面上的重復(fù)曝光區(qū)域的頭間連接區(qū)域中相對(duì)理想的N重曝光成為曝光不足的區(qū)域的面積成為最小、且不產(chǎn)生成為曝光過多的區(qū)域的方式，從參與所述頭間連接區(qū)域的曝光的描繪部中，確定不使用描繪部，選擇排除了該不使用描繪部的所述描繪部作為使用描繪部的機(jī)構(gòu)。14.根據(jù)權(quán)利要求513中任意一項(xiàng)所述的圖案形成方法，其中，為了在使用描繪部指定機(jī)構(gòu)中指定使用描繪部，相對(duì)N重曝光的N，只使用可以使用的所述描繪部中構(gòu)成每(N—l)列的描繪部列的所述描繪部，進(jìn)行參照曝光。15.根據(jù)權(quán)利要求513中任意一項(xiàng)所述的圖案形成方法，其中，為了在使用描繪部指定機(jī)構(gòu)中指定使用描繪部，相對(duì)N重曝光的N，只使用可以使用的所述描繪部中構(gòu)成每1/N行的描繪部行的所述描繪部，進(jìn)行參照曝光。16.根據(jù)權(quán)利要求115中任意一項(xiàng)所述的圖案形成方法，其中，使用描繪部指定機(jī)構(gòu)具有作為光點(diǎn)位置檢測(cè)機(jī)構(gòu)的狹縫及光檢測(cè)器、以及作為描繪部選擇機(jī)構(gòu)的與所述光檢測(cè)器連接的運(yùn)算裝置。17.根據(jù)權(quán)利要求116中任意一項(xiàng)所述的圖案形成方法，其中，N重曝光的N為3以上7以下的自然數(shù)。18.根據(jù)權(quán)利要求117中任意一項(xiàng)所述的圖案形成方法，其中，光調(diào)制機(jī)構(gòu)還具有基于形成的圖案信息生成控制信號(hào)的圖案信號(hào)生成機(jī)構(gòu)，根據(jù)該圖案信號(hào)生成機(jī)構(gòu)生成的控制信號(hào)，對(duì)從光照射機(jī)構(gòu)照射的光迸行調(diào)制。19.根據(jù)權(quán)利要求118中任意一項(xiàng)所述的圖案形成方法，其中，光調(diào)制機(jī)構(gòu)為空間光調(diào)制元件。20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的圖案形成方法，其中，空間光調(diào)制元件是數(shù)字微鏡器件(DMD)。21.根據(jù)權(quán)利要求120中任意一項(xiàng)所述的圖案形成方法，其中，描繪部為微鏡。22.根據(jù)權(quán)利要求121中任意一項(xiàng)所述的圖案形成方法，其中，光照射機(jī)構(gòu)可以合成兩種以上的光照射。23.根據(jù)權(quán)利要求122中任意一項(xiàng)所述的圖案形成方法，其中，光照射機(jī)構(gòu)具有多個(gè)激光器、多模光纖、和將從該多個(gè)激光器分別照射的激光束進(jìn)行聚光而耦合于所述多模光纖的聚光光學(xué)系。24.根據(jù)權(quán)利要求123中任意一項(xiàng)所述的圖案形成方法，其中，曝光是通過排列了具有可修正描繪部的射出面的偏斜引起的像差的非球面的微透鏡的微透鏡陣列來進(jìn)行的。25.根據(jù)權(quán)利要求24所述的圖案形成方法，其中，非球面為復(fù)曲面。26.根據(jù)權(quán)利要求24或25所述的圖案形成方法，其中，曝光是通過在微透鏡的聚光位置附近配置孔而成的孔陣列來進(jìn)行的，其中的孔被排列成只有經(jīng)過了該微透鏡的光入射。27.根據(jù)權(quán)利要求126中任意一項(xiàng)所述的圖案形成方法，其中，感光層含有粘合劑、聚合性化合物和光聚合引發(fā)劑。28.根據(jù)權(quán)利要求27所述的圖案形成方法，其中，粘合劑具有酸性基。29.根據(jù)權(quán)利要求27或28所述的圖案形成方法，其中，粘合劑為乙烯共聚物。30.根據(jù)權(quán)利要求2729中任意一項(xiàng)所述的圖案形成方法，其中，粘合劑的酸值為70250mgKOH/g。31.根據(jù)權(quán)利要求2730中任意一項(xiàng)所述的圖案形成方法，其中，聚合性化合物含有具有尿烷基及芳基的至少任意一種的單體。32.根據(jù)權(quán)利要求27-31中任意一項(xiàng)所述的圖案形成方法，其中，光聚合引發(fā)劑含有從鹵代烴衍生物、六芳基聯(lián)二咪唑、肟衍生物、有機(jī)過氧化物、硫代化合物、酮化合物、芳香族鑰鹽、及芳環(huán)烯金屬衍生物中選擇的至少一種。33.根據(jù)權(quán)利要求132中任意一項(xiàng)所述的圖案形成方法，其中，感光層含有1090質(zhì)量％粘合劑、590質(zhì)量％聚合性化合物。34.根據(jù)權(quán)利要求133中任意一項(xiàng)所述的圖案形成方法，其中，感光層的厚度為1100pm。35.根據(jù)權(quán)利要求134中任意一項(xiàng)所述的圖案形成方法，其中，支撐體含有合成樹脂且為透明。36.根據(jù)權(quán)利要求135中任意一項(xiàng)所述的圖案形成方法，其中，支撐體為長(zhǎng)條狀。37.根據(jù)權(quán)利要求136中任意一項(xiàng)所述的圖案形成方法，其中，圖案形成材料為長(zhǎng)條狀，且被巻成輥狀。38.根據(jù)權(quán)利要求137中任意一項(xiàng)所述的圖案形成方法，其中，在圖案形成材料中的感光層上形成保護(hù)薄膜。全文摘要本發(fā)明提供一種可以通過減輕在圖案形成材料的被曝光面上形成的所述圖案的析像度的不均或濃度的不均，來高精細(xì)而且有效地形成所述圖案的圖案形成方法。所以，本發(fā)明提供一種圖案形成方法，其特征在于，在被處理基體上層疊在支撐體上具有感光層的圖案形成材料中的該感光層之后，相對(duì)于對(duì)該感光層，使用曝光頭(其中，該曝光頭為具備光照射機(jī)構(gòu)以及具有n個(gè)排列成二維狀的描繪部的光調(diào)制機(jī)構(gòu)且被配置成所述描繪部的列方向相對(duì)掃描方向呈規(guī)定的設(shè)定傾斜角度θ)，所述方法包括對(duì)于所述曝光頭，利用使用描繪部指定機(jī)構(gòu)，指定用于N重曝光的所述描繪部的工序；對(duì)于所述曝光頭，利用描繪部控制機(jī)構(gòu)，進(jìn)行所述描繪部的控制的工序；相對(duì)于所述感光層，使所述曝光頭沿掃描方向相對(duì)地移動(dòng)，從而進(jìn)行曝光的工序。文檔編號(hào)G03F7/20GK101156109SQ20068001110公開日2008年4月2日申請(qǐng)日期2006年2月22日優(yōu)先權(quán)日2005年3月31日發(fā)明者古和田一輝,植村隆之,角克人,鈴木一誠(chéng),高島正伸申請(qǐng)人:富士膠片株式會(huì)社