專利名稱：光調(diào)制器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種^f吏用了所謂馬赫-曾德爾(Mach-Zehnder)型光波導(dǎo)的光 調(diào)制器。
技術(shù)背景使用了馬赫-曾德爾型光波導(dǎo)的行波(travellingwave)型高速光調(diào)制器， 因為波長頻帶寬而能得到低頻擾(lowchirp)特性而受到關(guān)注。在該類型的光 調(diào)制器中，使一對分支型光波導(dǎo)分別傳播光，并使來自各分支光波導(dǎo)的輸出在 合波部合流?？墒窃谝粚Ψ种凸獠▽?dǎo)之間，由于溫度差等原因有時會產(chǎn)生工 作點偏移(shift),還有時會產(chǎn)生所謂DC漂移(drift)。 一般，馬赫-曾德爾 (MZ)型LN光調(diào)制器，由于溫度漂移、DC漂移、以及應(yīng)力等的經(jīng)時變化使 工作點偏移。這導(dǎo)致消光系數(shù)惡化，在使調(diào)制器工作方面是重要的課題。提出了幾個對這樣的工作點偏移及DC漂移進(jìn)行控制的方法。其中有代表 性的是，在特開平3- 145623號公報記載的方法中，著眼于從一對分支型光波 導(dǎo)的合波部向J41內(nèi)部放射的基板放射模式的光。即，在接通模式(onmode) 的情況下在波導(dǎo)內(nèi)傳播入射到光波導(dǎo)的光，并從波導(dǎo)的端面射出。關(guān)斷模式 (offmode)的光，作為基板放射模式的光從光波導(dǎo)向基板內(nèi)部進(jìn)行放射。在 基板的端面上安裝光纖，來接收基板放射模式的光，并通過光檢測器來檢測來 自該光纖的出射光。利用來自光檢測器的輸出信號，變更從調(diào)制用電極向光波 導(dǎo)施加的電壓的直流偏壓，調(diào)節(jié)光調(diào)制器的工作點?？墒谴藭r，因為在出射端面放射光向基板內(nèi)部擴(kuò)散，所以放射光的光強(qiáng)小， 另外，通過光纖來調(diào)整(alignment)放射光是非常困難的。因此，穩(wěn)定地進(jìn)行 光調(diào)制器的工作點控制成為了i果題。為了解決此問題，在申請?zhí)枮?-32489的文獻(xiàn)中，具有對從光波導(dǎo)放射 或者泄漏的光進(jìn)行導(dǎo)向的導(dǎo)光部，使從導(dǎo)光部出射的光與從光波導(dǎo)泄漏的信號 光干涉來生成干涉光，通過監(jiān)控該干涉光控制直流偏壓。
另外，本申請人開發(fā)了薄板構(gòu)造的光調(diào)制器，在本構(gòu)造中，作為高效地進(jìn)行漂移的工作點控制的方法公開了專利2002-328683。減薄為20pm以下的基 板，作為具有有限橫幅(基板橫方向的寬度)的平板波導(dǎo)(通常在器件構(gòu)造設(shè) 計上，將橫幅作為無限大來對待)來工作，所以在Y分支合波部中產(chǎn)生的橫 方向1次模式光為平板才莫式，以低損耗在薄板基板中傳播。該平板模式光與現(xiàn) 有調(diào)制器不同，因為集中在薄板基板中(平板波導(dǎo))，所以就可以得到足夠的 放射光強(qiáng)。我們發(fā)現(xiàn)在薄板型調(diào)制器的情況下，在Y分支的合波部發(fā)生的放射光 作為光波導(dǎo)的1次模式光來進(jìn)行傳播，并試著利用該1次模式光來進(jìn)行監(jiān)控， 并控制直流偏壓。可是l次模式光，對于信號光峰值間距離為lOpm至lOO(im 以下，因此將1次模式光作為監(jiān)控光與信號光分離并取出是困難的。 發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的課題是在將1次模式光作為監(jiān)控光利用并在光檢測單元中取 出，并根據(jù)該光信號進(jìn)行偏置電壓的反饋控制時，可從信號光中高效地分離l 次模式光，減少1次模式光的損失來進(jìn)行良好的控制。本發(fā)明是一種光調(diào)制器，其用于對在三維光波導(dǎo)中傳播的光施加電壓來調(diào) 制該光，其特征在于，具有由強(qiáng)電介質(zhì)性材料構(gòu)成的基板；三維光波導(dǎo)，其 含有至少一對分支光波導(dǎo)、分支光波導(dǎo)的合波部以及該合波部下游側(cè)的出射 部；調(diào)制用電極，其用于施加對在三維光波導(dǎo)中傳播的光進(jìn)行調(diào)制的信號電壓； 以及1次模式光導(dǎo)向波導(dǎo)，其對來自合波部的1次模式光進(jìn)行導(dǎo)向，至少在調(diào) 制用電極下基板的厚度是20pm以下，根據(jù)來自導(dǎo)向波導(dǎo)的光輸出，使施加到 調(diào)制用電極的直流偏壓變化，由此可控制光調(diào)制器的工作點。本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)了當(dāng)基板厚度變薄時，因為在厚度方向存在低電介質(zhì)常數(shù) 層或者空氣層，所以對基板內(nèi)的封閉變強(qiáng)，這樣可以最大限度地降低光波導(dǎo)的 彎曲損失。例如，圖6是在波長1.55pm、波導(dǎo)的曲率半徑5mm時的對于LN 基板厚度的1次模式光的光損失的計算結(jié)果。由此結(jié)果可知，即使使光波導(dǎo)彎 曲，在基板厚度為20pm以下時光損失為10dB以下，在實際動作上也會達(dá)到 不造成問題的水平。顯然，通過將光波導(dǎo)的曲率半徑變大可進(jìn)一步實現(xiàn)低損失 化，再者，即使在曲率半徑為lmm的情況下，在基板厚度為10)im時可將光 損失做到10dB以下。本發(fā)明人，考慮到根據(jù)這樣的發(fā)現(xiàn)，在傳播信號光的三維光波導(dǎo)的合波 部附近設(shè)置用于傳播1次模式光的導(dǎo)向波導(dǎo)，使之與信號光分離地傳播1次模 式光。并且，發(fā)現(xiàn)l次模式光的光接收點，根據(jù)上述理由離信號光的光接收 點加大，可容易地控制光調(diào)制器的工作點，達(dá)到了本發(fā)明的目的。


圖l是表示本發(fā)明一實施方式的光調(diào)制器l的平面圖。圖2 (a)是圖1的na-na線截面圖，圖2 (b)是圖1的ITb-ITb線截面圖。圖3是示意地表示圖1的光調(diào)制器的反饋機(jī)構(gòu)的圖。 圖4是表示本發(fā)明其它實施方式的光調(diào)制器1A的平面圖。 圖5是表示各導(dǎo)向(guide)波導(dǎo)的邊緣(edge)與合波部5e的結(jié)合部分 的平面圖。圖6是表示基板厚與光損失的關(guān)系的曲線圖。圖7是表示與導(dǎo)向波導(dǎo)的信號光出射部的距離和光損失的關(guān)系的曲線圖。 圖8是表示信號光出射部的寬度與光損失以及串?dāng)_(crosstalk)的關(guān)系的 曲線圖。圖9是表示信號光出射部的寬度與光損失以及串?dāng)_的關(guān)系的曲線圖。 圖IO是表示光調(diào)制器1的信號光出射部5f與導(dǎo)向波導(dǎo)的平面位置關(guān)系的圖。圖11是表示光調(diào)制器1A的信號光出射部5f與導(dǎo)向波導(dǎo)的平面位置關(guān)系 的圖。
具體實施方式
以下， 一邊適當(dāng)?shù)貐⒄绽礁綀D一邊對本發(fā)明進(jìn)行更加詳細(xì)的說明。 圖l是本發(fā)明一實施方式的光調(diào)制器l的平面圖，圖2 (a)是圖l的na一na線截面圖，圖2 (b)是圖i的nb —nb線截面圖。在此實施方式的光調(diào)制器件8中，在支撐基板7的表面上經(jīng)由未圖示的粘 著劑層或者直接粘著光調(diào)制器1的基板2的底面。在光調(diào)制器1的表面?zhèn)刃纬?馬赫-曾德爾型三維光波導(dǎo)5和調(diào)制用電極3A、 3B、 4。光波導(dǎo)5具有入 射部5a、 一對分支光波導(dǎo)5c、 5d以及出射部5f。 5b是分支點，5e是合波部。 因為傳播光波導(dǎo)5的光的控制方法及調(diào)制用電極的結(jié)構(gòu)是公知的，所以省略說 明。信號光從三維光波導(dǎo)的出射部5f的端面出射。例如圖3所示，通過在光 調(diào)制器1的出射側(cè)端面安裝光纖陣列9，利用光纖IO來傳輸信號光。另一方面，1次模式光從合波部5e附近射出。這里，使一對1次模式光 導(dǎo)向波導(dǎo)6A、 6B的邊緣位于合波部5e的附近。在本例中，在合波部5f的兩 側(cè)分別配置1次模式光導(dǎo)向波導(dǎo)6A、 6B。各導(dǎo)向波導(dǎo)是通道光波導(dǎo)。各導(dǎo)向波導(dǎo)6A、 6B具有在合波部5e附近存在邊參彖的導(dǎo)入部6a、彎曲 部分6b、 6c以及射出部6d。各導(dǎo)向波導(dǎo)的各射出部6d在光調(diào)制器的端面露 出， 一方的導(dǎo)向波導(dǎo)的射出部6d與光傳輸部件11連接。作為這樣做成的光傳 輸部件，最理想的是光纖。在本例中，通過設(shè)置彎曲部分6b、 6c可以使導(dǎo)入 部6a位于合波部5e的附近，并且可使光接收用的射出部6d形成在與信號光 出射部5f充分離開的位置。在本例中，可將導(dǎo)向波導(dǎo)的出射部6d和信號光出射部5f做成大致平行。 此外，導(dǎo)向波導(dǎo)的出射部與信號光用出射部5f的間隔L,從在光接收時提高 監(jiān)控光和信號光的SN這樣的觀點來看，理想的是120pm以上，更理想的是 240拜以上。光傳輸部件11與光接收元件連接，光接收元件將接收到的光轉(zhuǎn)換為電信 號，向自動偏壓控制電路12傳輸。在自動偏壓控制電路12中，根據(jù)1次模式 光的信息計算適當(dāng)?shù)闹绷髌珘褐担蛑绷髌迷O(shè)備(bias tee)電路13如箭頭 A所示地傳輸控制信號，并根據(jù)需要變更直流偏壓值。在圖4的光調(diào)制器1A中，使一對1次模式光導(dǎo)向波導(dǎo)6C、 6D的邊緣位 于合波部5e的附近。在本例中，在合波部5f的兩側(cè)分別配置1次模式光導(dǎo)向 波導(dǎo)。各導(dǎo)向波導(dǎo)是通道光波導(dǎo)。各導(dǎo)向波導(dǎo)6C、 6D具有在合波部5e附近存在邊緣的導(dǎo)入部6e、向外 側(cè)彎曲的各彎曲部分6f以及射出部6g。各導(dǎo)向波導(dǎo)的各射出部6g在光調(diào)制器 的側(cè)面露出，一方的導(dǎo)向波導(dǎo)的射出部6g與設(shè)置在側(cè)面的光接收元件14相對。 在本例中，通過設(shè)置彎曲部分6f可以使導(dǎo)入部6e位于合波部5e的附近，并
且使光接收用的射出部6g位于基板的側(cè)面。光接收元件14,將接收到的光轉(zhuǎn)換為電信號，通過電線向自動偏壓控制 電路12傳輸。在自動偏壓控制電路12中，根據(jù)1次模式光的信息計算適當(dāng)?shù)?直流偏壓值，向直流偏置電路13如箭頭A所示地傳輸控制信號，并根據(jù)需要 變更直流偏壓值。在光檢測器中，最理想的是測定光強(qiáng)度，但是還可以測定光的相位及波長。 另外，不限定光檢測器的種類。例如，在用10Gb/s的電信號進(jìn)行光的調(diào)制時， 為了檢測使用具有充分的頻帶寬度的、應(yīng)答速度快的InGaAs系列的光檢測器 等。不限定合波部的形態(tài)。各分支光波導(dǎo)可以在合波部中相交，也可以空間上 地分離。但是，在合波部中需要能匯合在各分支光波導(dǎo)中傳播的光能量。另外，分支光波導(dǎo)需要一對，不過也可以存在多對。也可以是所謂級聯(lián) (cascade)型的光波導(dǎo)。三維光波導(dǎo)、導(dǎo)向波導(dǎo)可以用質(zhì)子交換法、鈦內(nèi)濺射法、金屬離子濺射法 來形成，或者利用機(jī)械加工及激光切除加工去除基板的表面，由此可以形成山 脊型的三維光波導(dǎo)。在最佳的實施方式中，三維光波導(dǎo)、導(dǎo)向波導(dǎo)，是從基板2突出的山脊型 光波導(dǎo)路。這樣的三維光波導(dǎo)可以用上述方法形成。或者，在平板型光波導(dǎo)的 表面，利用例如化學(xué)氣相成長法、物理氣相成長法、有機(jī)金屬化學(xué)氣相成長法、 真空技術(shù)法、液相外延法來形成高折射率膜，并對該高折射率膜進(jìn)行機(jī)械加工 及激光切除加工，由此可以形成山脊型的三維光波導(dǎo)。構(gòu)成光調(diào)制器的基板的材料可以是強(qiáng)電介質(zhì)性單晶體、玻璃、光學(xué)樹脂等 可透過光的材料。其中，最理想的是強(qiáng)電介質(zhì)性單晶體，例如，可以舉出鈮 酸鋰、鉭酸鋰、鈮酸鋰-鉭酸鋰固溶體、鈮酸鋰鉀、鉭酸鋰鐘、鈮酸鋰鉀-鉭 酸鋰鉀固溶體、KTP。在最佳實施方式中，具有粘著支撐基板和光調(diào)制器的粘著劑層。作為構(gòu)成 支撐基板的材料可以恰當(dāng)?shù)厥褂萌缜八龅膹?qiáng)電介質(zhì)性單晶體、玻璃、樹脂。 作為粘著劑最理想的是玻璃及樹脂。作為上述玻璃，最理想的是低電介質(zhì)常數(shù)且粘著溫度(作業(yè)溫度)為約600。C以下。另外，最理想的是在加工時能得到充分的粘著強(qiáng)度。具體來說， 最理想的是組合多個氧化硅、氧化鉛、氧化硼等組成的所謂焊接用玻璃(solder glass )。作為上述樹脂，最理想的是室溫硬化、加熱硬化、紫外線硬化型樹脂， 理想的是低電介質(zhì)常數(shù)的樹脂。實際上，環(huán)氧系列、丙烯系列、氨基曱酸乙酯 系列的樹脂最理想。圖5是擴(kuò)大表示1次模式光導(dǎo)向波導(dǎo)和合波部5e的連接部分的示意圖。 這里，所謂on光是信號光，所謂off光是用于反饋控制的1次模式光。從出 射部5f的中心軸X到導(dǎo)向波導(dǎo)6C (或者6A、 6B、 6D)的距離Sx，只要是 可移動光能量就沒有特別地限定，但是從抑制光能量移動時的損失這樣的觀點 來看，理想的是100pm以下，更理想的是50pm以下。另外，為了防止信號 光和1次模式光的串?dāng)_及消光系數(shù)的惡化，理想的是10pm以上，更理想的是 15jxm以上。1次模式用的光波導(dǎo)，理想的是配置為其中心位置與一次模式光的中心位 置相一致，根據(jù)這個觀點理想的是將Sx做成10|im~ 100pm，更理想的是做成 10(xm ~ 50|im。在電極部分的基板厚度為20pm以下，不過根據(jù)降低導(dǎo)向波導(dǎo)彎曲部分的 損失的觀點，更理想的是15拜以下，最理想的是10nm以下。另外，與此相 同，當(dāng)在光波導(dǎo)中存在彎曲部分的情況下，彎曲部分的基板厚度理想的是20pm 以下，更理想的是15pm以下，最理想的是10拜以下。另外，理想的是在用于傳播信號光的射出部5f的兩側(cè)設(shè)有1次模式光導(dǎo) 向波導(dǎo)。由此可以使1次模式光完全遠(yuǎn)離信號光的旁邊，除去此前OFF光耦 合到了出射側(cè)地光纖的不需要成分，可飛躍性地改善消光系數(shù)。在最佳實施方式中，導(dǎo)向波導(dǎo)具有彎曲部分。通過將光調(diào)制器基板的厚度 設(shè)為20^im以下，可以顯著降低彎曲部分的損失，由此，為了使l次模式光的 出射部分和信號光的出射部分充分離開，可進(jìn)行使導(dǎo)向波導(dǎo)彎曲的設(shè)計這里，根據(jù)抑制導(dǎo)向波導(dǎo)的光損失這樣的觀點，理想的是將彎曲部分的曲 率半徑R設(shè)為lmm以上，更理想的是設(shè)為2mm以上。另一方面，根據(jù)使導(dǎo) 向波導(dǎo)盡量大地彎曲、將1次^t式光的出射部與信號光的出射部的間隔變大這 樣的觀點，理想的是將彎曲部分的曲率半徑R設(shè)為30mm以下，更理想的是
"沒為15mm以下。 實施例 (實施例1 )根據(jù)參照圖1、 2、 3說明過的方法，制成圖1的光調(diào)制器1進(jìn)行了試驗。 具體來說，使用由X切割過(cut)的3英寸晶晶圓(LiNb03單晶體)構(gòu)成的 基板，通過鈥'減射工序和照相平版法來在晶圓表面形成馬赫-曾德爾型的光波 導(dǎo)5。接著，利用電鍍工序形成CPW電極。將中心電極4與接地電極3A、 3C 的間隙(gap)做成25nm，電極厚度做成20pm，電極長做成32mm。然后為 了薄型研磨在研磨定盤上貼付研磨偽(dummy)基板，在該基板上用熱可塑性 樹脂電極面朝下地貼付調(diào)制器基板。此外，用橫型研磨以及拋光(polishing)(CMP)將基板主體薄型加工到8^m厚度。之后，將平板狀的支撐基體7固 定粘著在基板主體上，對光纖的連接部進(jìn)行端面研磨，用刻模來切斷芯片(chip )。連接固定用的樹脂使用了樹脂厚50|im的環(huán)氧樹脂。在輸入側(cè)將保持 了 1.55pm頻帶panda光纖的單芯光纖陣列與行波型光調(diào)制器芯片耦合，對光 纖和光波導(dǎo)進(jìn)行調(diào)芯，并通過紫外線硬化型樹脂進(jìn)行粘結(jié)。光纖陣列9中的行距(pitch)間隔設(shè)為在通常的光纖陣列中使用的250pm。 希望Wti-m(參照圖5)做成與光纖的心線直徑相同。例如，GI光纖的情況， 心線直徑是50pm左右，Wti-m做成為50拜。另外，為了實現(xiàn)S字曲線，將 彎曲部分6b、 6c中的各曲率半徑r做成5mm。在圖10中表示各導(dǎo)向波導(dǎo)和出 射部5f的位置關(guān)系。在此狀態(tài)下如上所述，可以控制工作點的直流偏置電壓。 (實施例2)對參照圖4、圖5進(jìn)行了說明的光調(diào)制器進(jìn)行了研究。 具體來說，光調(diào)制器的材質(zhì)及光波導(dǎo)的形成方法與實施例l相同。在光接 收面積50pm的光電二極管中，考慮到擴(kuò)展Wti-m做成30nm。另外，在導(dǎo) 向波導(dǎo)彎曲部分的曲率半徑r做成為5mm。 X為1.55pm,光調(diào)制器的基板厚 度如圖6所示地進(jìn)行變更。圖11表示導(dǎo)向波導(dǎo)與出射部5f地平面位置關(guān)系。 各導(dǎo)向波導(dǎo)的邊緣與出射部中心軸的距離Sx為20pm。在此狀態(tài)下變更基板厚度Tsub，測定了 off光(1次模式光)的光損失， 得到了圖6所示的結(jié)果。即，如果基板厚度是20pm以下，則在導(dǎo)向波導(dǎo)彎曲 部分的曲率半徑小到5mm時，判明了光損失顯著地凈皮抑制在10dB以下。由 此可以將導(dǎo)向波導(dǎo)的出射部從信號光的出射部5f較大地相離。 (實施例3 )與實施例2相同，進(jìn)行了在導(dǎo)向波導(dǎo)中傳播的l次模式光的光損失試驗。 其中，在本例中，將X設(shè)為1.55pm，將光調(diào)制器基板厚度Tsub設(shè)為8pm，將 鈦厚度Tti設(shè)為600埃，將信號光的出射寬度Wti設(shè)為5pm，將導(dǎo)向波導(dǎo)的寬 度Wti-m設(shè)為30^m。將導(dǎo)向波導(dǎo)的邊緣與出射部中心軸的距離Sx、以及導(dǎo) 向波導(dǎo)彎曲部分的曲率半徑r如圖7所示地進(jìn)行了變更。其結(jié)果，在R-20mjti以下，光損失被抑制在10dB以下。另外，即使在 l(Him至100^m之間將Sx進(jìn)行各種變更，導(dǎo)向波導(dǎo)中的光損失也不太增加。 (實施例4 )與實施例3相同，進(jìn)行了在導(dǎo)向波導(dǎo)中進(jìn)行傳播的1次模式光的光損失試 驗。其中在本例中，將X設(shè)為了 1.55〖mi，將光調(diào)制器基板厚度Tsub設(shè)為了 8,, 將鈦厚度Tti設(shè)為了 600埃，將導(dǎo)向波導(dǎo)的寬度Wti-m設(shè)為了 30拜。將導(dǎo)向 波導(dǎo)的邊緣與出射部中心軸的距離Sx設(shè)為了 20|im(圖8)或者15pm(圖9)。 將導(dǎo)向波導(dǎo)彎曲部分的曲率半徑r設(shè)為了 3mm。將信號光的出射部寬度Wti 如圖8、圖9所示地進(jìn)行了變更。圖8、圖9表示波導(dǎo)的線寬度Wti為4jam、 5pm、 6|im的監(jiān)控波導(dǎo)的調(diào)制 器，在off時的損失和on時的損失、以及MZ波導(dǎo)在on時的向監(jiān)控波導(dǎo)的串 擾率。顯然，即使在Sx為15pm以及20Mm中，在全部的Wti寬度中監(jiān)控波 導(dǎo)在off時損失小、on時沒有串?dāng)_，這樣on時的MZ波導(dǎo)的損失也可忽略。 可見，在Sx-15ijm時，隨著Wti變大，監(jiān)控波導(dǎo)在off時損失進(jìn)一步減小、 在on時沒有串?dāng)_，這樣on時的MZ波導(dǎo)的損失也可忽略。這就保證了 MZ波 導(dǎo)的封閉變強(qiáng)，所以難以與監(jiān)控波導(dǎo)耦合。此效果在Sx-20iam時更加顯著。
權(quán)利要求
1.一種光調(diào)制器，其對在三維光波導(dǎo)中傳播的光施加電壓來調(diào)制該光，其特征在于，具有由強(qiáng)電介質(zhì)性材料構(gòu)成的基板；三維光波導(dǎo)，其含有至少一對分支光波導(dǎo)、所述分支光波導(dǎo)的合波部以及該合波部下游側(cè)的出射部；調(diào)制用電極，其用于施加對在所述三維光波導(dǎo)中傳播的光進(jìn)行調(diào)制的信號電壓；以及1次模式光導(dǎo)向波導(dǎo)，其對來自所述合波部的1次模式光進(jìn)行導(dǎo)向，至少在所述調(diào)制用電極下所述基板的厚度是20μm以下，根據(jù)來自所述導(dǎo)向波導(dǎo)的光輸出，使施加到所述調(diào)制用電極的直流偏壓變化，由此可控制所述光調(diào)制器的工作點。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光調(diào)制器，其特征在于， 從所述合波部的中心軸到所述導(dǎo)向波導(dǎo)的距離是lO^im以上。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或者2所述的光調(diào)制器，其特征在于， 所述導(dǎo)向波導(dǎo)具有彎曲部分。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的光調(diào)制器，其特征在于， 所述彎曲部分的曲率半徑是30mm以下。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1~4中任意一項所述的光調(diào)制器，其特征在于， 來自所述導(dǎo)向波導(dǎo)的所述1次模式光從所述光調(diào)制器的側(cè)面射出。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1 ~5中任意一項所述的光調(diào)制器，其特征在于， 在所述波導(dǎo)部的一側(cè)形成所述1次^f莫式光導(dǎo)向波導(dǎo)，在所述波導(dǎo)部的另一側(cè)形成其它的1次模式光導(dǎo)向波導(dǎo)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種對在三維光波導(dǎo)(5)中傳播的光施加電壓來調(diào)制該光的光調(diào)制器。光調(diào)制器具有三維光波導(dǎo)(5)，其含有至少一對分支光波導(dǎo)(5c)、(5d)，分支光波導(dǎo)的合波部(5e)以及該合波部下游側(cè)的出射部(5f)；調(diào)制用電極(3A、3B、4)，其用于施加對在三維光波導(dǎo)(5)中傳播的光進(jìn)行調(diào)制的信號電壓；以及1次模式光導(dǎo)向波導(dǎo)(6A、6B)，其對來自合波部的1次模式光進(jìn)行導(dǎo)向。至少在調(diào)制用電極下基板的厚度是20μm以下，根據(jù)來自導(dǎo)向波導(dǎo)的光輸出，使施加到調(diào)制用電極的直流偏壓變化，由此可控制光調(diào)制器的工作點。
文檔編號G02F1/035GK101128768SQ200680005708
公開日2008年2月20日 申請日期2006年2月20日 優(yōu)先權(quán)日2005年2月22日
發(fā)明者三富修, 巖田雄一, 江尻哲也, 近藤順悟, 青木謙治 申請人:日本礙子株式會社