專(zhuān)利名稱(chēng)：液晶顯示器及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示器及其制造方法，更具體地說(shuō)，涉及其中減少 了掩模數(shù)量以簡(jiǎn)化制造工藝步驟并提高合格率、并且確?？讖奖纫蕴岣?亮度的液晶顯示器及其制造方法。
背景技術(shù)：
在最近的信息社會(huì)中，顯示器作為視覺(jué)信息傳輸介質(zhì)得到了重視。 開(kāi)發(fā)顯示器的關(guān)鍵取決于對(duì)低功耗、薄外形、輕重量以及高畫(huà)面質(zhì)量的
要求。與平板顯示器(FPD)的主要裝置相對(duì)應(yīng)的液晶顯示器(LCD)具 有可以滿(mǎn)足這些要求的性能，并且能夠進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。因此，已經(jīng)制 造了基于LCD的各種新產(chǎn)品，并且已經(jīng)廣泛使用LCD作為可以代替陰 極射線(xiàn)管(CRT)的主要部件。
通常，LCD通過(guò)向按矩陣布置排列的多個(gè)液晶單元分別提供根據(jù)圖 像信息的數(shù)據(jù)信號(hào)并對(duì)這些液晶單元的透光率進(jìn)行控制，來(lái)顯示希望的 圖像。
LCD主要釆用其中使用非晶硅薄膜晶體管(a-Si TFT)作為開(kāi)關(guān)元 件來(lái)對(duì)像素部分的液晶進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的有源矩陣驅(qū)動(dòng)模式。
1979年英國(guó)的LeComber建立了非晶硅薄膜晶體管的概念，自1986 年起已將其實(shí)際用作3"液晶便攜式電視。最近，已開(kāi)發(fā)出50"或更大的大 尺度薄膜晶體管LCD。具體地說(shuō)，非晶硅薄膜晶體管已經(jīng)得到積極使用， 因?yàn)樗沟媚軌蜻M(jìn)行低溫處理步驟以使用低成本的絕緣基板。
然而，非晶硅薄膜晶體管由于電遷移率為1 cn^/Vsec而在應(yīng)用于需 要大于lMHz的高速操作的外圍電路的方面存在局限。在這方面，正在 進(jìn)行使用多晶硅(poly-Si)薄膜晶體管將像素部分和驅(qū)動(dòng)電路部分同時(shí) 集成在玻璃基板上的研究，其中多晶硅薄膜晶體管的場(chǎng)效應(yīng)遷移率大于
非晶硅薄膜晶體管的場(chǎng)效應(yīng)遷移率。
自從1982年開(kāi)發(fā)出液晶彩色電視以來(lái)，已經(jīng)使用多晶硅薄膜晶體管 作為諸如攝像機(jī)的小尺寸模塊。由于多晶硅薄膜晶體管具有靈敏度低和 場(chǎng)效應(yīng)遷移率高的優(yōu)點(diǎn)，因此可以在基板上直接制造驅(qū)動(dòng)電路。
遷移率的增大可以提高確定驅(qū)動(dòng)像素的數(shù)量的驅(qū)動(dòng)電路部分的工作
頻率。這有利于顯示器的精細(xì)。此外，由于通過(guò)縮短像素部分的信號(hào)電 壓的充入時(shí)間可以減小傳輸信號(hào)的失真，因此有望提高畫(huà)面質(zhì)量。
此外，由于與具有25V的髙驅(qū)動(dòng)電壓的非晶硅薄膜晶體管相比，可 以在低于10 V的電壓來(lái)驅(qū)動(dòng)多晶硅薄膜晶體管，因此多晶硅薄膜晶體管 具有功耗低的優(yōu)點(diǎn)。
以下，參照?qǐng)D1對(duì)LCD的結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)描述。
圖1是例示了通用LCD(尤其是驅(qū)動(dòng)電路集成在陣列基板上的LCD)
的結(jié)構(gòu)的平面圖。
如圖1所示，該LCD包括濾色器基板5、陣列基板10以及形成在 濾色器基板5與陣列基板10之間的液晶層(未示出)。
陣列基板10包括像素部分35和驅(qū)動(dòng)電路部分30，其中像素部分35 是單位像素按矩陣布置排列的圖像顯示區(qū)，驅(qū)動(dòng)電路部分30包括沿著像 素部分35的輪廓布置的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路31和選通驅(qū)動(dòng)電路32。盡管未示 出，但是陣列基板10的像素部分35包括沿垂直和水平方向設(shè)置在基 板IO上以限定多個(gè)像素區(qū)的多條選通線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn)；形成在選通線(xiàn)與數(shù)據(jù) 線(xiàn)的交叉部分的薄膜晶體管；以及形成在像素區(qū)中的像素電極。
各個(gè)薄膜晶體管充當(dāng)向像素電極施加信號(hào)電壓或阻斷到像素電極的 信號(hào)電壓的開(kāi)關(guān)元件，并且是使用電場(chǎng)對(duì)電流的流動(dòng)進(jìn)行控制的一種場(chǎng) 效應(yīng)晶體管(FET)。
陣列基板10的驅(qū)動(dòng)電路部分30位于比濾色器基板5更突出的陣列 基板10的像素部分35的輪廓中。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路31沿著陣列基板10的 長(zhǎng)邊，而選通驅(qū)動(dòng)電路32沿著陣列基板10的短邊。
此時(shí)，在數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路31和選通驅(qū)動(dòng)電路32中，使用充當(dāng)逆變器 的互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管來(lái)適當(dāng)?shù)貙?duì)輸入信
號(hào)進(jìn)行輸出。
CMOS是在需要高速信號(hào)處理的驅(qū)動(dòng)電路部分的薄膜晶體管中使用 的MOS結(jié)構(gòu)的一種集成電路，既需要n溝道薄膜晶體管又需要p溝道薄 膜晶體管，并且具有與NMOS和PMOS的中間級(jí)相對(duì)應(yīng)的速度和密度特 性。
選通驅(qū)動(dòng)電路32和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)電路31分別用于通過(guò)選通線(xiàn)和數(shù)據(jù)線(xiàn) 向像素電極提供掃描信號(hào)和數(shù)據(jù)信號(hào)。由于電路32和31與外部信號(hào)輸 入端子(未示出)相連接，因此它們用于對(duì)通過(guò)外部信號(hào)輸入端子輸入 的外部信號(hào)進(jìn)行控制并將這些外部信號(hào)輸出給像素電極。
此外，濾色器基板5的像素部分35包括顯示顏色的濾色器(未示出)、 和充當(dāng)形成在陣列基板10中的像素電極的對(duì)電極的公共電極(未示出)。
如上所述地構(gòu)造的濾色器基板5與陣列基板10設(shè)置有單元間隙，以 使得它們由間隔物(未示出)而彼此隔開(kāi)。由形成在像素部分35的輪廓 中的密封圖案(未示出)將濾色器基板5與陣列基板10相互接合，以形 成單元LCD板。此時(shí)，由形成在濾色器基板5或陣列基板10中的接合 鍵而將基板5與IO相互接合。
由于帶有驅(qū)動(dòng)電路的上述LCD使用多晶硅薄膜晶體管，因此它具有 裝置特性?xún)?yōu)異、畫(huà)面質(zhì)量?jī)?yōu)異、精細(xì)和功耗低的優(yōu)點(diǎn)。
然而，由于帶有驅(qū)動(dòng)電路的LCD應(yīng)當(dāng)配備有形成在單個(gè)基板上的n 溝道薄膜晶體管和p溝道薄膜晶體管，所以它的制造工藝步驟比只形成 單個(gè)類(lèi)型溝道的非晶硅薄膜晶體管的制造工藝步驟更復(fù)雜。
在包括薄膜晶體管的陣列基板的制造過(guò)程中，需要進(jìn)行幾次光刻工藝。
光刻工藝包括通過(guò)將印刷在掩模上的圖案轉(zhuǎn)印到其上淀積有薄膜的 基板上而形成希望圖案的一系列工藝步驟，其中這一系列工藝步驟包括 對(duì)光刻膠的涂敷、曝光和顯影工藝步驟。在此情況下，存在如下問(wèn)題 光刻工藝會(huì)降低產(chǎn)品合格率，并增大薄膜晶體管具有缺陷的概率。
特別的是，由于被設(shè)計(jì)為形成圖案的掩模很昂貴，因此如果掩模的 數(shù)量增加，則LCD的制造成本會(huì)成比例地增加。
發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是提供液晶顯示器及其制造方法，其中減少了 掩模的數(shù)量以簡(jiǎn)化制造工藝步驟并提高合格率，并且確保孔徑比以提高 亮度。
為了實(shí)現(xiàn)這些目的和其他優(yōu)點(diǎn)，并且根據(jù)本文中所具體體現(xiàn)和廣泛 描述的發(fā)明宗旨，提供了一種液晶顯示器的制造方法，該制造方法包括 以下步驟制備限定了分為薄膜晶體管區(qū)和存儲(chǔ)區(qū)的像素部分的絕緣基 板；在所述基板的整個(gè)表面上順序地形成多晶硅膜和存儲(chǔ)電極膜；對(duì)所 述存儲(chǔ)電極膜和所述多晶硅膜選擇性地進(jìn)行構(gòu)圖，以形成覆蓋所述像素 部分的像素圖案；以及從所述像素圖案選擇性地去除所述薄膜晶體管區(qū) 的所述存儲(chǔ)電極膜，以在所述存儲(chǔ)區(qū)中形成存儲(chǔ)電極并同時(shí)在所述薄膜 晶體管區(qū)中形成有源層，該有源層是由所述存儲(chǔ)電極暴露的多晶硅膜形成的。
優(yōu)選的是，所述制造方法還包括以下步驟在所述多晶硅膜與所述 存儲(chǔ)電極膜之間形成絕緣膜。由氧化硅膜(Si02)形成所述絕緣膜。
優(yōu)選的是，通過(guò)對(duì)所述存儲(chǔ)電極膜、所述絕緣膜以及所述多晶硅膜 選擇性地進(jìn)行構(gòu)圖來(lái)形成所述像素圖案。
優(yōu)選的是，通過(guò)從所述像素圖案順序地去除所述薄膜晶體管區(qū)的所 述存儲(chǔ)電極膜和所述絕緣膜來(lái)形成所述存儲(chǔ)電極。
優(yōu)選的是，由N+硅層或金屬膜形成所述存儲(chǔ)電極膜。
優(yōu)選的是，通過(guò)使用單個(gè)掩模進(jìn)行衍射曝光來(lái)形成所述有源層和所 述存儲(chǔ)電極。
所述制造方法還包括在所述基板與所述多晶硅膜之間形成緩沖層的 步驟。
在形成了所述有源層之后，所述制造方法還包括以下步驟分別在 所述薄膜晶體管區(qū)的所述有源層上形成柵極并在所述存儲(chǔ)電極上形成公 共線(xiàn)；在所述柵極的兩側(cè)的下方的有源層中形成源區(qū)和漏區(qū)；在具有所 述源區(qū)和漏區(qū)的所述基板上形成鈍化膜；對(duì)所述鈍化膜進(jìn)行構(gòu)圖以分別
形成分別暴露所述源區(qū)和所述漏區(qū)的第一接觸孔和第二接觸孔；用所述 第一接觸孔對(duì)所述鈍化膜進(jìn)行填充以形成與所述源區(qū)相連接的源極，還 用所述第二接觸孔對(duì)所述鈍化膜進(jìn)行填充以形成與所述漏區(qū)相連接的漏 極；以及形成源極圖案和漏極圖案，所述源極圖案覆蓋所述源極，所述 漏極圖案覆蓋所述漏極。
在形成所述柵極和所述公共電極之前，所述制造方法還包括在具有 所述有源層的所述基板上形成柵絕緣膜的步驟。
通過(guò)在具有所述源極和所述漏極的所述基板上形成金屬膜并對(duì)該金 屬膜進(jìn)行構(gòu)圖來(lái)形成所述源極圖案和所述漏極圖案。
優(yōu)選的是，將所述第二接觸孔形成為同時(shí)暴露所述漏區(qū)和所述存儲(chǔ) 電極的一部分。
優(yōu)選的是，通過(guò)在具有所述源區(qū)和漏區(qū)的所述基板上淀積氧化硅膜 并對(duì)該氧化硅膜進(jìn)行活化退火，并且在具有所述活化氧化硅膜的所述基 板上淀積氮化硅膜并對(duì)該氮化硅膜進(jìn)行氫化退火，來(lái)形成所述鈍化膜。
優(yōu)選的是，通過(guò)在具有所述源區(qū)和漏區(qū)的所述基板上順序地形成氧 化硅膜和氮化硅膜，并在對(duì)所述氮化硅膜和所述氧化硅膜進(jìn)行退火之后 同時(shí)執(zhí)行對(duì)所述氧化硅膜的活化和對(duì)所述氮化硅膜的氫化，來(lái)形成所述 鈍化膜。
優(yōu)選的是，通過(guò)在具有所述源區(qū)和漏區(qū)的所述基板上順序地形成氧 化硅膜、氮化硅膜和氧化硅膜來(lái)形成所述鈍化膜。
在本發(fā)明的另一方面中，提供了一種液晶顯示器，該液晶顯示器包 括限定了分為薄膜晶體管區(qū)和存儲(chǔ)區(qū)的像素部分的絕緣基板；形成在 所述基板上以至少覆蓋所述薄膜晶體管區(qū)的有源層；以及形成在所述有 源層上以選擇性地覆蓋所述存儲(chǔ)區(qū)的存儲(chǔ)電極。
優(yōu)選的是，所述有源層是多晶硅膜。
優(yōu)選的是，所述液晶顯示器還包括插在所述有源層與所述存儲(chǔ)電極 之間的絕緣膜。
優(yōu)選的是，所述存儲(chǔ)電極是N+硅層或金屬膜。
優(yōu)選的是，所述液晶顯示器還包括插在所述基板與所述有源層之間
的緩沖層。
優(yōu)選的是，所述液晶顯示器還包括分別形成在具有所述存儲(chǔ)電極 的所述基板上的柵極和公共線(xiàn)；形成在所述柵極的兩側(cè)的下方的有源層 中的源區(qū)和漏區(qū)；形成在具有所述源區(qū)和漏區(qū)的所述基板上的鈍化膜； 穿透所述鈍化膜而分別暴露出所述源區(qū)和所述漏區(qū)的第一接觸孔和第二 接觸孔；用所述第一接觸孔對(duì)所述鈍化膜進(jìn)行填充而形成的與所述源區(qū) 相連接的源極，和用所述第二接觸孔對(duì)所述鈍化膜進(jìn)行填充而形成的與 所述漏區(qū)相連接的漏極；以及覆蓋所述源極的源極圖案和覆蓋所述漏極 的漏極圖案。
優(yōu)選的是，所述液晶顯示器還包括插在具有所述存儲(chǔ)電極的所述基 板與所述柵極之間的柵絕緣膜。優(yōu)選的是，所述柵絕緣膜是氧化硅膜 (Si02)。
優(yōu)選的是，所述第二接觸孔同時(shí)暴露所述漏區(qū)和所述存儲(chǔ)電極的一 部分。
優(yōu)選的是，所述鈍化膜是由以下三者中的至少一個(gè)形成的單個(gè)氮
化硅膜(SiNx)、順序地淀積的氧化硅膜(Si02) /氮化硅膜(SiNx)的淀 積層、以及順序地淀積的氧化硅膜(Si02) /氮化硅膜(SiNx) /氧化硅膜 (Si02)的淀積層。
根據(jù)結(jié)合附圖的本發(fā)明的以下詳細(xì)說(shuō)明，本發(fā)明的上述和其他目的、 特征、方面以及優(yōu)點(diǎn)將變得更顯見(jiàn)。
附圖被包括進(jìn)來(lái)以提供對(duì)本發(fā)明的進(jìn)一步理解并被并入且構(gòu)成本說(shuō) 明書(shū)的一部分，附圖示出了本發(fā)明的實(shí)施例，并且與說(shuō)明一起用于說(shuō)明 本發(fā)明的原理。
在附圖中
圖1是例示了具有驅(qū)動(dòng)電路的通用LCD的結(jié)構(gòu)的平面圖； 圖2是例示了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的LCD的陣列基板的一部分的 平面圖3A到3i是例示了圖2所示的陣列基板的沿著線(xiàn)n-n'的順序制造
工藝步驟的剖面圖4是例示了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的LCD的陣列基板的一部分的 平面圖5A到5G是沿圖4的線(xiàn)m-III'所截取的剖面圖，例示了根據(jù)本發(fā) 明第二實(shí)施例的LCD的制造方法的工藝步驟。
具體實(shí)施例方式
下面將詳細(xì)描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，其示例示出在附圖中。
圖2是例示了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的LCD的陣列基板的一部分的
平面圖。特別的是，圖2例示了包括像素部分的薄膜晶體管的一個(gè)像素。 盡管實(shí)際LCD包括由N條選通線(xiàn)與M條數(shù)據(jù)線(xiàn)(其中選通線(xiàn)與數(shù)
據(jù)線(xiàn)交叉)形成的MxN個(gè)像素，但是為了使描述簡(jiǎn)明，圖2例示了一個(gè)像素。
如圖2所示，根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的陣列基板110包括沿垂直 和水平方向設(shè)置在基板110上以限定像素區(qū)的選通線(xiàn)116和數(shù)據(jù)線(xiàn)117; 形成在選通線(xiàn)116與數(shù)據(jù)線(xiàn)117的交叉部分的薄膜晶體管；以及形成在 像素區(qū)中并與薄膜晶體管相連接以與濾色器基板(未示出)的公共電極 一起對(duì)液晶(未示出)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的像素電極118。
薄膜晶體管包括與選通線(xiàn)116相連接的柵極121、與數(shù)據(jù)線(xiàn)117相連 接的源極122以及與像素電極118相連接的漏極123。薄膜晶體管還包括 使用提供給柵極121的選通電壓而在源極122與漏極123之間形成導(dǎo)電 溝道的有源圖案124'。
此時(shí)，第一實(shí)施例的有源圖案124'由多晶硅薄膜形成，并且有源圖 案124'的一部分向像素區(qū)延伸以連接到與公共線(xiàn)108 —起構(gòu)成第一存儲(chǔ) 電容器的存儲(chǔ)圖案124"。換句話(huà)說(shuō)，公共線(xiàn)108沿與選通線(xiàn)116的方向 大致相同的方向形成在像素區(qū)中，并與其下方的存儲(chǔ)圖案124"相交疊以 通過(guò)插入第一絕緣膜(未示出)而形成第一存儲(chǔ)電容器。此時(shí)，針對(duì)構(gòu) 成有源圖案124'的多晶硅薄膜，通過(guò)單獨(dú)的掩模工藝進(jìn)行存儲(chǔ)摻雜從而
形成第一實(shí)施例的存儲(chǔ)圖案124"。
源極122和漏極123通過(guò)分別形成在第一絕緣膜和第二絕緣膜(未 示出)中的第一接觸孔140a和第二接觸孔140b而與有源圖案124'的源區(qū) 和漏區(qū)電連接。此外，源極122的一部分沿一個(gè)方向延伸以構(gòu)成數(shù)據(jù)線(xiàn) 117的一部分，漏極123的一部分延伸到像素區(qū)以通過(guò)形成在第三絕緣膜 (未示出)中的第三接觸孔140c而與像素電極118電連接。
此時(shí)，延伸到像素區(qū)的漏極123的一部分與其下方的公共線(xiàn)108相 交疊，以通過(guò)插入第二絕緣膜來(lái)形成第二存儲(chǔ)電容器。
以下，參照?qǐng)D3 A到31對(duì)上述陣列基板的制造工藝步驟進(jìn)行描述。
圖3A到31是例示了圖2所示的陣列基板的沿著線(xiàn)II-II'的順序的制 造工藝步驟的剖面圖。圖3A到31示例性地例示了設(shè)置有n溝道TFT的 像素部分的陣列基板的制造工藝。在此情況下，在像素部分中既形成n 溝道TFT又形成p溝道TFT。
如圖3A所示，在諸如玻璃的透明絕緣材料的基板110上形成硅薄膜， 然后使該硅薄膜結(jié)晶以形成多晶硅薄膜。此時(shí)，由像素部分和電路部分 (未示出)來(lái)限定基板110，其中像素部分分為n溝道TFT區(qū)和存儲(chǔ)區(qū)， 電路部分分為n溝道TFT區(qū)和p溝道TFT區(qū)。然后，通過(guò)光刻工藝(第 一掩模工藝)對(duì)多晶硅薄膜進(jìn)行構(gòu)圖以形成構(gòu)成有源圖案和存儲(chǔ)圖案 124"的多晶硅薄膜圖案124。此時(shí)，可以在基板110與多晶硅薄膜圖案124 之間插入緩沖層111。
如圖3B所示，由光刻膠部分地覆蓋多晶硅薄膜圖案124以執(zhí)行摻雜， 由此形成存儲(chǔ)圖案124"。多晶硅薄膜圖案124的被光刻膠覆蓋的部分形 成有源圖案124'，在此情況下，需要另一光刻工藝(第二掩模工藝)。
如圖3C所示，在基板110的整個(gè)表面上順序地形成第一絕緣膜115a 和第一導(dǎo)電膜，然后使用光刻工藝(第三掩模工藝)對(duì)第一導(dǎo)電膜進(jìn)行 選擇性的構(gòu)圖，以在有源圖案124'上由該第一導(dǎo)電膜形成柵極121，同時(shí) 在存儲(chǔ)圖案124"上由該第一導(dǎo)電膜形成公共線(xiàn)?？梢杂傻碗娮璧牟煌该?導(dǎo)電材料(如鋁(Al)、 Al合金、鎢(W)、銅(Cu)、鉻(Cr)和鉬(Mo)) 來(lái)形成第一導(dǎo)電膜，以形成柵極121和公共線(xiàn)108。此時(shí)，在像素區(qū)內(nèi)，公共線(xiàn)108與其下方的存儲(chǔ)圖案124"相交疊，從而通過(guò)插入第一絕緣膜 115a而形成第一存儲(chǔ)電容器。
如圖3D所示,在具有第一柵極121和公共線(xiàn)108的基板上形成光刻 膠的第一遮擋膜170。第一遮擋膜170覆蓋了像素部分和電路部分的n溝 道TFT區(qū)的陣列基板110的整個(gè)表面。對(duì)第一遮擋膜170進(jìn)行構(gòu)圖以暴 露p溝道TFT區(qū)。然后使用第一遮擋膜170作為掩模將重?fù)诫sp+離子注 入電路部分的p溝道TFT區(qū)中，以形成p+源區(qū)和漏區(qū)(未示出)(第四 掩模工藝)。
如圖3E所示，去除第一遮擋膜。隨后，在具有p+源區(qū)和漏區(qū)的基 板上形成第二遮擋膜170'。將第二遮擋膜170'構(gòu)圖為覆蓋電路部分的p 溝道TFT區(qū)和像素/電路部分的n溝道TFT區(qū)的一部分和存儲(chǔ)區(qū)。然后使 用第二遮擋膜170'作為掩模將重?fù)诫sn+離子注入像素部分的有源圖案 124'的預(yù)定區(qū)中，由此在像素部分的有源圖案124'中形成n+源區(qū)124a和 漏區(qū)124b (第五掩模工藝)。
如圖3F所示，去除第二遮擋膜170'，然后向去除了第二遮擋膜的基 板110的整個(gè)表面中注入輕摻雜n-離子，以形成輕摻雜漏(LDD)區(qū)1241。 在圖3F中，標(biāo)號(hào)124c表示形成源區(qū)124a與漏區(qū)124b之間的導(dǎo)電溝道 的溝道區(qū)。更詳細(xì)地說(shuō)，LDD區(qū)124I形成在n+源區(qū)124a與溝道區(qū)124c 之間以及n+漏區(qū)124b與溝道區(qū)124c之間。
同時(shí)，盡管未示出，在像素部分的n溝道TFT區(qū)中形成LDD區(qū)1241 的同時(shí)，還向電路部分的n溝道TFT區(qū)中注入n-離子，以形成LDD區(qū)。
然后，在具有像素部分的n溝道TFT區(qū)的基板110的整個(gè)表面上淀 積第二絕緣膜115b之后，通過(guò)光刻工藝(第六掩模工藝)部分地去除第 一絕緣膜115a和第二絕緣膜115b，以形成第一接觸孔140a和第二接觸 孔140b，其中第一接觸孔140a部分地暴露源區(qū)124a，第二接觸孔140b 部分地暴露漏區(qū)124b。
如圖3G所示，在基板110的整個(gè)表面上形成第二導(dǎo)電膜，然后使用 光刻工藝(第七掩模工藝)對(duì)其進(jìn)行構(gòu)圖，以形成通過(guò)第一接觸孔140a 與源區(qū)124a電連接的源極122，還形成通過(guò)第二接觸孔140b與漏區(qū)124b
電連接的漏極123。此時(shí)，源極122的一部分沿一個(gè)方向延伸以形成數(shù)據(jù) 線(xiàn)117，而漏極123的一部分延伸到像素區(qū)，并與其下方的公共線(xiàn)108相 交疊以通過(guò)插入第二絕緣膜115b而形成第二存儲(chǔ)電容器。
如圖3H所示，在基板110的整個(gè)表面上淀積第三絕緣膜115c，然 后使用光刻工藝(第八掩模工藝)對(duì)其進(jìn)行構(gòu)圖，以形成部分地暴露漏 極123的第三接觸孔140c。
如圖3I所示，在其上形成有第三絕緣膜115c的基板110的整個(gè)表面 上形成第三導(dǎo)電膜，然后使用光刻工藝(第九掩模工藝)選擇性地對(duì)其 進(jìn)行構(gòu)圖，以形成通過(guò)第三接觸孔140c與漏極123電連接的像素電極 118?？梢杂删哂袃?yōu)異透射率的透明導(dǎo)電材料(如氧化銦錫(ITO)或氧 化銦鋅(IZO))來(lái)形成第三導(dǎo)電膜，以形成像素電極118。
如上所述，在本發(fā)明的第一實(shí)施例中，由多晶硅薄膜來(lái)形成有源圖 案和存儲(chǔ)電極，并通過(guò)單獨(dú)的掩模工藝對(duì)存儲(chǔ)圖案執(zhí)行存儲(chǔ)摻雜，由此 可以通過(guò)總共9個(gè)掩模工藝來(lái)制造像素部分和電路部分的TFT。
圖4是例示了根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的LCD的陣列基板的一部分的 平面圖。
如圖4所示，根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的絕緣基板201包括沿垂直和 水平方向設(shè)置以限定像素區(qū)的選通線(xiàn)250和數(shù)據(jù)線(xiàn)240。絕緣基板201對(duì) 應(yīng)于陣列基板。在選通線(xiàn)250與數(shù)據(jù)線(xiàn)240的交叉部分形成有充當(dāng)開(kāi)關(guān) 元件的薄膜晶體管，在像素區(qū)中形成有作為像素電極的像素部分的漏極 圖案225P2，該漏極圖案225P2與薄膜晶體管相連接以與濾色器基板(未 示出)的公共電極(未示出) 一起對(duì)液晶(未示出)進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。
薄膜晶體管包括像素部分的柵極213P2和像素電極的源極223S1和
漏極223Dl，其中柵極213P2與選通線(xiàn)250相連接，源極223S1和漏極 223D1與數(shù)據(jù)線(xiàn)240相連接。薄膜晶體管還包括使用提供給柵極213P2 的選通電壓而在源極223S1與漏極223D1之間形成導(dǎo)電溝道的第一有源 層205P1。
第一有源層205P1分為像素區(qū)的源區(qū)205P1S和像素區(qū)的漏區(qū) 205P1D。第一有源層205P1的一部分延伸到像素區(qū)，在延伸的第一有源
層205P1的上方形成有存儲(chǔ)電極209P?？梢允褂胣+硅層或金屬膜對(duì)存儲(chǔ) 電極209P進(jìn)行構(gòu)圖。可以在第一有源層205P1與存儲(chǔ)電極209P之間插 入絕緣膜(未示出)。
在像素區(qū)中沿與選通線(xiàn)250的方向大致相同的方向形成有公共線(xiàn) 213P3。公共線(xiàn)213P3與存儲(chǔ)電極209P相交疊，其間插入有柵絕緣膜(未 示出)以構(gòu)成存儲(chǔ)電容器。可以使用與柵極213P2的膜相同的膜對(duì)公共 線(xiàn)213P3進(jìn)行構(gòu)圖。如果在有源層205P1與存儲(chǔ)電極209P之間插入絕緣 膜，則該絕緣膜可以是第一柵絕緣膜，并且上述柵絕緣膜可以是第二柵 絕緣膜。
設(shè)置有鈍化膜(未示出)以覆蓋具有公共線(xiàn)213P3的基板。在該鈍 化膜和柵絕緣膜中形成有第一接觸孔221H1和第二接觸孔221H2,其中 第一接觸孔221H1暴露源區(qū)205P1S，而第二接觸孔221H2暴露漏區(qū) 205P1D。源極223S1和漏極223D1分別通過(guò)第一接觸孔221H1和第二接 觸孔221H2而與第一有源層205P1的源區(qū)205P1S和漏區(qū)205P1D電連接。
漏極圖案225P2覆蓋漏極223D1并部分地延伸到像素區(qū)。漏極圖案 225P2可以是像素電極。在像素部分的漏極223S1上形成有像素部分的源 極圖案225Pl?？梢允褂猛荒?lái)對(duì)漏極圖案225P2和源極圖案225P1 進(jìn)行構(gòu)圖。
圖5 A到5G是沿圖4的線(xiàn)m-III'所截取的剖面圖，例示了根據(jù)本發(fā) 明第二實(shí)施例的LCD的制造方法的工藝步驟。
如圖5A所示，制備絕緣基板201。在該絕緣基板201中分別限定有 像素部分和電路部分，其中像素部分分為n溝道(或p溝道)薄膜晶體 管和存儲(chǔ)區(qū)，電路部分分為n溝道薄膜晶體管區(qū)和p溝道薄膜晶體管區(qū)。 換句話(huà)說(shuō)，可以在像素部分中形成n溝道薄膜晶體管區(qū)或p溝道薄膜晶 體管區(qū)，而在電路部分中形成n溝道薄膜晶體管區(qū)和p溝道薄膜晶體管 區(qū)，以構(gòu)成CMOS結(jié)構(gòu)。絕緣基板201可以是陣列基板。此外，絕緣基 板201可以是諸如玻璃的透明絕緣基板。在絕緣基板201上順序地形成 緩沖層203、多晶硅膜205、絕緣膜207以及存儲(chǔ)電極膜209。絕緣膜207 可以是柵絕緣膜。此外，絕緣膜207可以是氧化硅膜(Si02)。可以略去
絕緣膜207。存儲(chǔ)電極膜209可以是n+硅膜或金屬膜。
如圖5B所示，使用狹縫或半色調(diào)掩模(未示出)在具有存儲(chǔ)電極膜 209的基板上形成第一遮擋膜230。可以按如下方式來(lái)形成第一遮擋膜 230:電路部分的n溝道薄膜晶體管區(qū)和p溝道薄膜晶體管區(qū)以及像素部 分的n溝道薄膜晶體管區(qū)比像素部分的存儲(chǔ)區(qū)相對(duì)較薄。使用第一遮擋 膜230對(duì)存儲(chǔ)電極膜、絕緣膜以及多晶硅膜進(jìn)行選擇性的刻蝕，以形成 像素圖案210P1以及第一電路圖案210P2和第二電路圖案210P3，其中 像素圖案210P1覆蓋像素部分，第一電路圖案210P2和第二電路圖案 210P3分別覆蓋電路部分的n溝道薄膜晶體管區(qū)和p溝道薄膜晶體管區(qū)。 可以同時(shí)對(duì)存儲(chǔ)電極膜、絕緣膜以及多晶硅膜進(jìn)行刻蝕。在此情況下， 可以執(zhí)行干法刻蝕工藝或者濕法和干法刻蝕工藝。
如圖5C所示，通過(guò)對(duì)第一遮擋膜230進(jìn)行灰化來(lái)形成第一遮擋膜 230P。在電路部分的n溝道薄膜晶體管區(qū)和p溝道薄膜晶體管區(qū)以及像 素部分的薄膜晶體管區(qū)(它們相對(duì)較薄)中去除第一遮擋膜，而在像素 部分的存儲(chǔ)區(qū)中選擇性地保留第一遮擋膜。隨后，從被剩余的第一遮擋 膜230P暴露的像素圖案210P1以及第一電路圖案210P2和第二電路圖案 210P3選擇性地去除存儲(chǔ)電極膜和絕緣膜。此時(shí)，在像素部分的n溝道薄 膜晶體管區(qū)、電路部分的n溝道薄膜晶體管區(qū)以及電路部分的p溝道薄 膜晶體管區(qū)中形成了多晶硅的第一有源層205Pl、第二有源層205P2以及 第三有源層205P3。
如圖5D所示，去除剩余的第一遮擋膜。在具有第一有源層205P1、 第二有源層205P2以及第三有源層205P3的基板上順序地形成柵絕緣膜 211、第一金屬膜213以及第二遮擋膜233。同時(shí)，如果如圖5A所示地 在多晶硅膜205與存儲(chǔ)電極膜209之間插入絕緣膜207,則該絕緣膜可以 是第一柵絕緣膜，并且柵絕緣膜211可以是第二柵絕緣膜。如果柵絕緣 膜具有如上所述的第一柵絕緣膜和第二柵絕緣膜的雙重結(jié)構(gòu)，則該具有 雙重結(jié)構(gòu)的柵絕緣膜的總厚度對(duì)應(yīng)于將第一柵絕緣膜的厚度加到第二柵 絕緣膜的厚度而獲得的值。因此，通過(guò)恰當(dāng)?shù)乜刂频谝粬沤^緣膜的厚度 和第二柵絕緣膜的厚度，可以將根據(jù)本發(fā)明的具有雙重結(jié)構(gòu)的柵絕緣膜
同時(shí)，對(duì)第二遮擋膜233進(jìn)行構(gòu)圖以使其選擇性地覆蓋像素部分、 電路部分的n溝道薄膜晶體管區(qū)、其中將形成p溝道薄膜晶體管區(qū)的p 溝道柵極的部分。換句話(huà)說(shuō)，對(duì)第二遮擋膜233進(jìn)行構(gòu)圖以使其僅選擇 性地暴露電路部分的p溝道薄膜晶體管區(qū)的其中將形成源區(qū)和漏區(qū)的部 分。
隨后，使用第二遮擋膜233對(duì)第一金屬膜進(jìn)行刻蝕以在電路部分的 p溝道薄膜晶體管區(qū)中形成電路部分的第一柵極213Pl。此時(shí)，由于像素 部分和電路部分的n溝道薄膜晶體管區(qū)被第二遮擋膜233掩蔽，因此第 一金屬膜保留下來(lái)而不被構(gòu)圖。然后，使用第二遮擋膜233對(duì)具有電路 部分的第一柵極213P1的基板執(zhí)行p+摻雜。結(jié)果，在第三有源層205P3 中形成了電路部分的第一源區(qū)205P3S和漏區(qū)205P3D。
如圖5E所示，去除第二遮擋膜。在具有電路部分的第一柵極213P 的基板的整個(gè)表面上形成第三遮擋膜235。將第三遮擋膜235構(gòu)圖為覆蓋 像素部分的其中將形成柵極和公共線(xiàn)的部分、以及電路部分的其中將在n 溝道薄膜晶體管區(qū)中形成第二柵極的部分和p溝道薄膜晶體管區(qū)。
如圖5F所示，使用第三遮擋膜對(duì)剩余的第一金屬膜進(jìn)行刻蝕，以在 像素部分中形成柵極213P2和公共線(xiàn)213P3，同時(shí)在電路部分的n溝道薄 膜晶體管區(qū)中形成第二柵極213P4。可以通過(guò)濕法刻蝕來(lái)對(duì)剩余的第一金 屬膜進(jìn)行刻蝕。結(jié)果，可以在橫向上對(duì)柵極213P2、公共線(xiàn)213P3以及第 二柵極213P4進(jìn)行過(guò)度刻蝕。隨后，對(duì)具有第三遮擋膜的基板執(zhí)行n+離 子摻雜。結(jié)果，在像素部分的n溝道薄膜晶體管區(qū)中形成了源區(qū)205PlS 和漏區(qū)205P1D，并在電路部分的n溝道薄膜晶體管區(qū)中形成了第二源區(qū) 205P2S和第二漏區(qū)205P2D。換句話(huà)說(shuō)，在像素部分的柵極213P2的兩 側(cè)的下方的第一有源層205P1中形成了源區(qū)205P1S和漏區(qū)205P1D。此 夕卜，在電路部分的柵極213P4的兩側(cè)的下方的第二有源層205P2中形成 了第二源區(qū)205P2S和第二漏區(qū)205P2D。
然后，去除第三遮擋膜，然后使用柵極213P2和第二柵極213P4作 為掩模對(duì)基板的整個(gè)表面執(zhí)行LDD摻雜(n-)。結(jié)果，在像素部分的n
溝道薄膜晶體管區(qū)中形成了第一 LDD區(qū)205P1L，而在電路部分的n溝 道薄膜晶體管區(qū)中形成了第二 LDD區(qū)205P2L。第一 LDD區(qū)205P1L和 第二 LDD區(qū)205P2L形成得像濕法CD偏壓那樣，并且可以通過(guò)在沒(méi)有 單獨(dú)掩模的狀態(tài)下對(duì)基板的整個(gè)表面進(jìn)行摻雜而獲得。去除剩余的第三 遮擋膜。
如圖5G所示，在具有第一 LDD區(qū)205P1L和第二 LDD區(qū)205P2L 的基板上形成鈍化膜221。可以使用按預(yù)定順序淀積的氧化硅膜(Si02) 和氮化硅膜(SiNx)作為鈍化膜221。此時(shí)，按如下方式形成鈍化膜221: 在淀積了氧化硅膜并對(duì)其進(jìn)行活化退火之后，淀積氮化硅膜并對(duì)其進(jìn)行 氫化退火(第一方法)。另選的是，按如下方式形成鈍化膜221:順序地 形成氧化硅膜和氮化硅膜，然后對(duì)其進(jìn)行退火(第二方法)。如果通過(guò)第 二方法形成鈍化膜221，則可以通過(guò)一次退火同時(shí)執(zhí)行對(duì)氧化硅膜的活化 和對(duì)氮化硅膜的氫化。
同時(shí)，可以使用單個(gè)氮化硅膜作為鈍化膜221。如上所述，本發(fā)明 采用氮化硅膜作為鈍化膜221。在此情況下，氮化硅膜充當(dāng)可以對(duì)氫化起 作用的氫源。
然而，如果如上所述地采用氧化硅膜(Si02) /氮化硅膜(SiNx)的 結(jié)構(gòu)或單個(gè)氮化硅膜(SiNx)的結(jié)構(gòu)作為鈍化膜，則氮化硅膜具有6.5 到7.0的介電常數(shù)，在淀積厚度相同的情況下的每單位面積電容大于介電 常數(shù)為3.9的氧化硅膜的每單位面積電容。因此，分別設(shè)置在鈍化膜的上 方和下方的選通線(xiàn)與數(shù)據(jù)線(xiàn)之間的電效應(yīng)增大，由此信號(hào)延遲會(huì)增大， 從而在高速工作和高分辨率方面可能會(huì)出現(xiàn)問(wèn)題。
為了解決這種問(wèn)題，可以將鈍化膜221形成為氧化硅膜(Si02) /氮 化硅膜(SiNx) /氧化硅膜(Si02)的三重結(jié)構(gòu)，其中在氮化硅膜上淀積 介電常數(shù)低的氧化硅膜。如果采用氧化硅膜(Si02) /氮化硅膜(SiNx) / 氧化硅膜(Si02)的三重結(jié)構(gòu)作為鈍化膜221，則對(duì)于相同淀積厚度的每 單位面積電容可以小于氧化硅膜(Si02) /氮化硅膜(SiNx)的結(jié)構(gòu)或者 氮化硅膜(SiNx)的結(jié)構(gòu)的每單位面積電容。結(jié)果，選通線(xiàn)與數(shù)據(jù)線(xiàn)之 間的電效應(yīng)減小，由此信號(hào)延遲減小，從而可以實(shí)現(xiàn)高速工作或高分辨 率。
接下來(lái)，使用單獨(dú)的掩模(未示出)對(duì)鈍化膜和柵絕緣膜進(jìn)行刻蝕，
以形成第一接觸孔221H1、第二接觸孔221H2、第三接觸孔221H3、第 四接觸孔221H4、第五接觸孔221H5以及第六接觸孔221H6。第一接觸 孔221H1和第二接觸孔221H2暴露像素部分的源區(qū)205P1S和漏區(qū) 205P1D。在此情況下，對(duì)第二接觸孔221H2進(jìn)行構(gòu)圖以暴露存儲(chǔ)電極 209P的一部分以及像素部分的漏區(qū)205P1D。第三接觸孔221H3和第四 接觸孔221H4暴露電路部分的第二源區(qū)205P2S和第二漏區(qū)205P2D。第 五接觸孔221H5和第六接觸孔221H6暴露電路部分的第一源區(qū)205P3S 和第一漏區(qū)205P3D。
隨后，在具有這些接觸孔的基板上形成第二金屬膜。然后對(duì)第二金 屬膜進(jìn)行構(gòu)圖以在像素部分的n溝道薄膜晶體管區(qū)中形成源極223S1和 漏極223Dl，其中源極223S1和漏極223D1分別覆蓋第一接觸孔22mi 和第二接觸孔221H2。在形成源極223S1和漏極223D1的同時(shí)，還在電 路部分的n溝道薄膜晶體管區(qū)中形成第二源極223S3和第二漏極223D3， 其中第二源極223S3和第二漏極223D3分別覆蓋第三接觸孔221H3和第 四接觸孔221H4。此外，在電路部分的p溝道薄膜晶體管區(qū)中形成第一 源極223S2和第一漏極223D2,其中第一源極223S2和第一漏極223D2 分別覆蓋第五接觸孔221H5和第六接觸孔221H6。
隨后，在具有源極223S1、 223S2和223S3以及漏極223D1、 223D2 和223D3的基板上形成透明導(dǎo)電膜。然后對(duì)該透明導(dǎo)電膜進(jìn)行構(gòu)圖以形 成像素部分的源極圖案225P1和漏極圖案225P2,源極圖案225P1和漏 極圖案225P2分別覆蓋像素部分的源極223S1和漏極223Dl。在此情況 下，像素部分的漏極圖案225P2覆蓋像素部分的漏極223D1，并被構(gòu)圖 成延伸到像素區(qū)。像素部分的漏極圖案225P2可以是像素電極。同時(shí)， 還在電路部分的p溝道薄膜晶體管區(qū)和n溝道薄膜晶體管區(qū)中形成第一 源極圖案225P5和第二源極圖案225P3以及第一漏極圖案225P6和第二 漏極圖案225P4，其中第一源極圖案225P5和第二源極圖案225P3覆蓋 第一源極223S2和第二源極223S3,并且第一漏極圖案225P6和第二漏
極圖案225P4覆蓋第一漏極223D2和第二漏極223D3 。
如上所述，在本發(fā)明的第二實(shí)施例中，通過(guò)衍射曝光形成有源層和 存儲(chǔ)電極(第一掩模工藝)，在電路部分的p溝道薄膜晶體管區(qū)中形成柵 極(第二掩模工藝)，在像素部分中形成柵極和公共線(xiàn)(第三掩模工藝)， 在鈍化膜中形成接觸孔(第四掩模工藝)，形成源極和漏極(第五掩模工 藝)，并且形成源極圖案和漏極圖案(第六掩模工藝)。因此，可以按高 孔徑比實(shí)現(xiàn)六掩模的CMOS結(jié)構(gòu)。
根據(jù)本發(fā)明的LCD及其制造方法具有以下優(yōu)點(diǎn)。
通過(guò)衍射曝光工藝使用單個(gè)掩模來(lái)形成有源層和存儲(chǔ)電極。用于制 造薄膜晶體管的掩模的數(shù)量減少，這可以減少制造工藝步驟和制造成本。
在本發(fā)明中，由于通過(guò)在有源層上插入絕緣膜來(lái)形成存儲(chǔ)電極，因 此防止了有源層被破壞，由此可以改進(jìn)薄膜晶體管的電特性。此外，由 于改進(jìn)了孔徑比，因此可以增大亮度。
由于可以在不脫離本發(fā)明的精神或主要特征的情況下將本發(fā)明實(shí)現(xiàn) 為多種形式，因此還應(yīng)當(dāng)明白，除非另行指出，否則上述實(shí)施例并不受 限于以上說(shuō)明的任何細(xì)節(jié)，而應(yīng)當(dāng)在如所附權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的 精神和范圍內(nèi)廣泛地理解上述實(shí)施例，因此所附權(quán)利要求旨在涵蓋落在 所附權(quán)利要求的界限和范圍或者這種界限和范圍的等同物之內(nèi)的所有修 改和變型。
權(quán)利要求
1、一種液晶顯示器的制造方法，該制造方法包括以下步驟制備限定了分為薄膜晶體管區(qū)和存儲(chǔ)區(qū)的像素部分的絕緣基板；在所述基板的整個(gè)表面上順序地形成多晶硅膜和存儲(chǔ)電極膜；對(duì)所述存儲(chǔ)電極膜和所述多晶硅膜選擇性地進(jìn)行構(gòu)圖，以形成覆蓋所述像素部分的像素圖案；以及從所述像素圖案選擇性地去除所述薄膜晶體管區(qū)的所述存儲(chǔ)電極膜，以在所述存儲(chǔ)區(qū)中形成存儲(chǔ)電極并同時(shí)在所述薄膜晶體管區(qū)中形成第一有源層，該有源層是由被所述存儲(chǔ)電極暴露的多晶硅膜形成的。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，該制造方法還包括以下步驟 在所述多晶硅膜與所述存儲(chǔ)電極膜之間形成絕緣膜。
3、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法，其中，通過(guò)對(duì)所述存儲(chǔ)電極膜、 所述絕緣膜以及所述多晶硅膜選擇性地進(jìn)行構(gòu)圖來(lái)形成所述像素圖案。
4、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法，其中，由氧化硅膜形成所述絕 緣膜。
5、 根據(jù)權(quán)利要求2所述的制造方法，其中，通過(guò)從所述像素圖案順 序地去除所述薄膜晶體管區(qū)的所述存儲(chǔ)電極膜和所述絕緣膜來(lái)形成所述 存儲(chǔ)電極。
6、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其中，由N+硅層形成所述存 儲(chǔ)電極膜。
7、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其中，由金屬膜形成所述存儲(chǔ) 電極膜。
8、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，其中，通過(guò)使用單個(gè)掩模的衍 射曝光來(lái)形成所述有源層和所述存儲(chǔ)電極。
9、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，該制造方法還包括在所述基板 與所述多晶硅膜之間形成緩沖層的步驟。
10、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的制造方法，在形成所述第一有源層之后， 該制造方法還包括以下步驟- 分別在所述像素部分的所述薄膜晶體管區(qū)的所述有源層上形成所述 像素部分的柵極，并在所述存儲(chǔ)電極上形成公共線(xiàn)；在所述第一有源層中在所述像素部分的所述柵極的兩側(cè)的下方形成 所述像素部分的源區(qū)和漏區(qū)；在具有所述像素部分的所述源區(qū)和漏區(qū)的所述基板上形成鈍化膜；對(duì)所述鈍化膜進(jìn)行構(gòu)圖，以分別形成分別暴露所述像素部分的所述 源區(qū)和漏區(qū)的第一接觸孔和第二接觸孔；用所述第一接觸孔對(duì)所述鈍化膜進(jìn)行填充以形成所述像素部分的與 所述像素部分的所述源區(qū)相連接的源極，還用所述第二接觸孔對(duì)所述鈍 化膜進(jìn)行填充以形成所述像素部分的與所述像素部分的所述漏區(qū)相連接 的漏極；以及形成所述像素部分的源極圖案和漏極圖案，所述源極圖案覆蓋所述 像素部分的所述源極，所述漏極圖案覆蓋所述像素部分的所述漏極。
11、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的制造方法，在形成所述像素部分的所述 柵極和所述公共線(xiàn)之前，該制造方法還包括在具有所述第一有源層的所 述基板上形成柵絕緣膜的步驟。
12、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的制造方法，其中，將所述第二接觸孔形 成為同時(shí)暴露所述像素部分的所述漏區(qū)和所述存儲(chǔ)電極的一部分。
13、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的制造方法，其中，通過(guò)在具有所述像素 部分的所述源區(qū)和漏區(qū)的所述基板上淀積氧化硅膜并對(duì)該氧化硅膜進(jìn)行 活化退火、并且在具有活化氧化硅膜的所述基板上淀積氮化硅膜并對(duì)該 氮化硅膜進(jìn)行氫化退火，來(lái)形成所述鈍化膜。
14、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的制造方法，其中，通過(guò)在具有所述像素 部分的所述源區(qū)和漏區(qū)的所述基板上順序地形成氧化硅膜和氮化硅膜、 并在對(duì)所述氮化硅膜和所述氧化硅膜進(jìn)行退火之后同時(shí)執(zhí)行對(duì)所述氧化 硅膜的活化和對(duì)所述氮化硅膜的氫化，來(lái)形成所述鈍化膜。
15、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的制造方法，其中，通過(guò)在具有所述像素 部分的所述源區(qū)和漏區(qū)的所述基板上順序地形成氧化硅膜、氮化硅膜以 及氧化硅膜來(lái)形成所述鈍化膜。
16、 一種液晶顯示器的制造方法，該制造方法包括以下步驟 制備限定了像素部分和電路部分的絕緣基板，所述像素部分分為薄膜晶體管區(qū)和存儲(chǔ)區(qū)，并且所述電路部分分為n溝道薄膜晶體管區(qū)和p溝道薄膜晶體管區(qū)；在所述基板的整個(gè)表面上順序地形成多晶硅膜和存儲(chǔ)電極膜； 對(duì)所述存儲(chǔ)電極膜和所述多晶硅膜選擇性地進(jìn)行構(gòu)圖，以形成覆蓋所述像素部分的像素圖案以及分別覆蓋所述電路部分的所述n溝道薄膜晶體管區(qū)和所述p溝道薄膜晶體管區(qū)的第一電路圖案和第二電路圖案；以及從所述像素圖案選擇性地去除所述像素部分的所述薄膜晶體管區(qū)的 所述存儲(chǔ)電極膜，以在所述像素部分的所述存儲(chǔ)區(qū)中形成存儲(chǔ)電極并在 所述像素部分的所述薄膜晶體管區(qū)中形成第一有源層，并同時(shí)形成分別 覆蓋所述n溝道薄膜晶體管區(qū)和所述p溝道薄膜晶體管區(qū)的第二有源層 和第三有源層，所述第一有源層是由被所述存儲(chǔ)電極暴露的多晶硅膜形 成的。
17、 根據(jù)權(quán)利要求16所述的制造方法，該制造方法還包括以下步驟 在所述第三有源層上形成所述電路部分的第一柵極； 在所述第三有源層上在所述電路部分的所述第一柵極的兩側(cè)的下方形成所述電路部分的第一源區(qū)和第一漏區(qū)；在所述第一有源層和所述第二有源層上分別形成所述像素部分的柵 極和所述電路部分的第二柵極；在所述第一有源層中在所述像素部分的所述柵極的兩側(cè)的下方形成 所述像素部分的源區(qū)和漏區(qū)，同時(shí)在所述第二有源層中在所述電路部分 的所述第二柵極的兩側(cè)的下方形成所述電路部分的第二源區(qū)和第二漏 區(qū)；在具有所述電路部分的所述第二源區(qū)和第二漏區(qū)的所述基板上形成 鈍化膜；對(duì)所述鈍化膜進(jìn)行構(gòu)圖，以形成分別暴露所述像素部分的所述源區(qū) 和漏區(qū)、所述電路部分的所述第二源區(qū)和第二漏區(qū)、以及所述電路部分 的所述第一源區(qū)和第一漏區(qū)的第一接觸孔、第二接觸孔、第三接觸孔、 第四接觸孔、第五接觸孔和第六接觸孔；對(duì)所述鈍化膜上的所述第一接觸孔、第三接觸孔和第五接觸孔進(jìn)行 填充，以形成所述像素部分的與所述像素部分的所述源區(qū)相連接的源極、 所述電路部分的與所述電路部分的所述第二源區(qū)相連接的第二源極、以 及所述電路部分的與所述電路部分的所述第一源區(qū)相連接的第一源極， 同時(shí)，對(duì)所述鈍化膜上的所述第二接觸孔、第四接觸孔和第六接觸孔進(jìn) 行填充，以形成所述像素部分的與所述像素部分的所述漏區(qū)相連接的漏 極、所述電路部分的與所述電路部分的所述第二漏區(qū)相連接的第二漏極、 以及所述電路部分的與所述電路部分的所述第一漏區(qū)相連接的第一漏 極；以及形成所述像素部分的覆蓋所述像素部分的所述源極的源極圖案、以 及所述電路部分的分別覆蓋所述電路部分的所述第一源極和第二源極的 第一源極圖案和第二源極圖案，同時(shí)，形成所述像素部分的覆蓋所述像 素部分的所述漏極的漏極圖案、以及所述電路部分的分別覆蓋所述電路 部分的所述第一漏極和第二漏極的第一漏極圖案和第二漏極圖案。
18、 一種液晶顯示器，該液晶顯示器包括 限定了分為薄膜晶體管區(qū)和存儲(chǔ)區(qū)的像素部分的絕緣基板； 形成在所述基板上以至少覆蓋所述薄膜晶體管區(qū)的第一有源層；以及形成在所述第一有源層上以選擇性地覆蓋所述存儲(chǔ)區(qū)的存儲(chǔ)電極。
19、 根據(jù)權(quán)利要求18所述的液晶顯示器，其中，所述第一有源層是多晶硅膜。
20、 根據(jù)權(quán)利要求18所述的液晶顯示器，該液晶顯示器還包括插在 所述第一有源層與所述存儲(chǔ)電極之間的絕緣膜。
21、 根據(jù)權(quán)利要求18所述的液晶顯示器，其中，所述存儲(chǔ)電極是 N+硅層。
22、 根據(jù)權(quán)利要求18所述的液晶顯示器，其中，所述存儲(chǔ)電極是金 屬膜。
23、 根據(jù)權(quán)利要求18所述的液晶顯示器，該液晶顯示器還包括插在 所述基板與所述第一有源層之間的緩沖層。
24、 根據(jù)權(quán)利要求18所述的液晶顯示器，該液晶顯示器還包括 分別形成在具有所述存儲(chǔ)電極的所述基板上的所述像素部分的柵極和公共線(xiàn)；形成在所述像素部分的所述柵極的兩側(cè)的下方的所述第一有源層中 的所述像素部分的源區(qū)和漏區(qū)；形成在具有所述像素部分的所述源區(qū)和漏區(qū)的所述基板上的鈍化膜；穿透所述鈍化膜而分別暴露所述像素部分的所述源區(qū)和漏區(qū)的第一 接觸孔和第二接觸孔；通過(guò)對(duì)所述鈍化膜上的所述第 一接觸孔進(jìn)行填充而形成的與所述像 素部分的所述源區(qū)相連接的所述像素部分的源極，以及通過(guò)對(duì)所述鈍化 膜上的所述第二接觸孔進(jìn)行填充而形成的與所述像素部分的所述漏區(qū)相 連接的所述像素部分的漏極；以及所述像素部分的覆蓋所述像素部分的所述源極的源極圖案和所述像 素部分的覆蓋所述像素部分的所述漏極的漏極圖案。
25、 根據(jù)權(quán)利要求24所述的液晶顯示器，該液晶顯示器還包括插在 具有所述存儲(chǔ)電極的所述基板與所述像素部分的所述柵極和所述公共線(xiàn) 之間的柵絕緣膜。
26、 根據(jù)權(quán)利要求25所述的液晶顯示器，其中，所述柵絕緣膜是氧 化硅膜。
27、 根據(jù)權(quán)利要求24所述的液晶顯示器，其中，所述第二接觸孔同 時(shí)暴露所述像素部分的所述漏區(qū)和所述存儲(chǔ)電極的一部分。
28、 根據(jù)權(quán)利要求24所述的液晶顯示器，其中，所述鈍化膜是由以 下三者中的至少一個(gè)形成的單個(gè)氮化硅膜、順序地淀積的氧化硅膜/氮 化硅膜的淀積層、以及順序地淀積的氧化硅膜/氮化硅膜/氧化硅膜的淀積 層。
29、 一種液晶顯示器，該液晶顯示器包括 限定了像素部分和電路部分的絕緣基板，所述像素部分分為薄膜晶體管區(qū)和存儲(chǔ)區(qū)，所述電路部分分為n溝道薄膜晶體管區(qū)和p溝道薄膜 晶體管區(qū)；覆蓋所述像素部分的所述薄膜晶體管區(qū)的第一有源層、覆蓋所述n 溝道薄膜晶體管區(qū)的第二有源層、以及覆蓋所述p溝道薄膜晶體管區(qū)的 第三有源層，所述第一有源層、第二有源層和第三有源層形成在所述絕 緣基板上的同一水平面處；以及形成在具有所述第三有源層的所述基板上以覆蓋所述存儲(chǔ)區(qū)的存儲(chǔ) 電極。
30、根據(jù)權(quán)利要求29所述的液晶顯示器，該液晶顯示器還包括分別形成在所述第一有源層、第三有源層和第二有源層上的所述像 素部分的柵極以及所述電路部分的第一柵極和第二柵極；所述像素部分的形成在所述像素部分的所述柵極的兩側(cè)的下方的所 述第一有源層中的源區(qū)和漏區(qū)、所述電路部分的在所述電路部分的所述 第二柵極的兩側(cè)的下方的所述第二有源層中的第二源區(qū)和第二漏區(qū)、以 及所述電路部分的形成在所述電路部分的所述第一柵極的兩側(cè)的下方的 所述第三有源層中的第一源區(qū)和第一漏區(qū)；形成在具有所述電路部分的所述第一源區(qū)和第一漏區(qū)的所述基板上 鈍化膜；穿透所述鈍化膜而分別暴露所述像素部分的所述源區(qū)和漏區(qū)、所述 電路部分的所述第二源區(qū)和第二漏區(qū)、以及所述電路部分的所述第一源 區(qū)和第一漏區(qū)的第一接觸孔、第二接觸孔、第三接觸孔、第四接觸孔、 第五接觸孔和第六接觸孔；通過(guò)對(duì)所述鈍化膜上的所述第一接觸孔、第三接觸孔和第五接觸孔 進(jìn)行填充而形成的所述像素部分的與所述像素部分的所述源區(qū)相連接的 源極、所述電路部分的與所述電路部分的所述第二源區(qū)相連接的第二源 極、和所述電路部分的與所述電路部分的所述第一源區(qū)相連接的第一源 極，以及同時(shí)通過(guò)對(duì)所述鈍化膜上的所述第二接觸孔、第四接觸孔和第 六接觸孔進(jìn)行填充而形成的所述像素部分的與所述像素部分的所述漏區(qū)相連接的漏極、所述電路部分的與所述電路部分的所述第二漏區(qū)相連接 的第二漏極、和所述電路部分的與所述電路部分的所述第一漏區(qū)相連接的第一漏極；以及所述像素部分的覆蓋所述像素部分的所述源極的源極圖案、和所述 電路部分的分別覆蓋所述電路部分的所述第一源極和第二源極的第一源 極圖案和第二源極圖案，以及同時(shí)形成的所述像素部分的覆蓋所述像素 部分的所述漏極的漏極圖案、和所述電路部分的分別覆蓋所述電路部分 的所述第一漏極和第二漏極的第一漏極圖案和第二漏極圖案。
全文摘要
本發(fā)明提供液晶顯示器及其制造方法。該液晶顯示器的制造方法包括以下步驟制備限定了分為薄膜晶體管區(qū)和存儲(chǔ)區(qū)的像素部分的絕緣基板；在基板的整個(gè)表面上順序地形成多晶硅膜和存儲(chǔ)電極膜；對(duì)存儲(chǔ)電極膜和多晶硅膜選擇性地進(jìn)行構(gòu)圖，以形成覆蓋像素部分的像素圖案；以及從像素圖案選擇性地去除薄膜晶體管區(qū)的存儲(chǔ)電極膜，以在存儲(chǔ)區(qū)中形成存儲(chǔ)電極并同時(shí)在薄膜晶體管區(qū)中形成有源層，該有源層是由被存儲(chǔ)電極暴露的多晶硅膜形成的。由于通過(guò)使用單個(gè)掩模的衍射曝光來(lái)形成有源層和存儲(chǔ)電極，因此可以減少在制造薄膜晶體管的過(guò)程中使用的掩模的數(shù)量，以減少制造工藝步驟和制造成本。
文檔編號(hào)G02F1/133GK101097370SQ20061017228
公開(kāi)日2008年1月2日 申請(qǐng)日期2006年12月30日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月30日
發(fā)明者李錫宇, 金榮柱 申請(qǐng)人:Lg.菲利浦Lcd株式會(huì)社