專利名稱：液晶顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示裝置及其制造方法，具體地，涉及一種通過防止導(dǎo)電層的斷連而具有提高的成品率(yield)的液晶顯示器及其制造方法。
背景技術(shù)：
近來，由于信息顯示器，尤其是便攜式信息顯示器，已經(jīng)引起了極大的注意，所以已經(jīng)在積極地研究可以取代現(xiàn)存的陰極射線管(CRT)的薄且重量輕的平板顯示(FPD)裝置并將其商業(yè)化。特別地，在這些FPD裝置中，液晶顯示(LCD)裝置作為一種通過利用液晶的光學(xué)各向異性來顯示圖像的裝置，由于其高分辨率、色彩著色能力、圖像質(zhì)量等已經(jīng)廣泛地用于筆記本電腦或者臺式機監(jiān)視器。
LCD裝置大體上包括第一基板(即，濾色器基板)、第二基板(即，陣列基板)和位于濾色器基板和陣列基板之間的液晶層。
以下，將參照圖1詳細解釋現(xiàn)有技術(shù)的LCD裝置的結(jié)構(gòu)。
圖1是示意性地示出現(xiàn)有技術(shù)的LCD裝置的立體圖。
如圖1所示，LCD裝置包括濾色器基板5、陣列基板10和置于濾色器基板5和陣列基板10之間的液晶層30。
濾色器基板5包括濾色器C，其具有用于著色(即，R(紅色)、G(綠色)和B(藍色))的多個子濾色器7；黑底6，其位于子濾色器7之間，用于防止光透過液晶層30；和透明公共電極8，用于將電壓施加到液晶層30。
陣列基板10包括多條選通線16和數(shù)據(jù)線17，它們垂直和水平排列從而限定多個像素區(qū)P；薄膜晶體管T，其用作開關(guān)元件并且形成在各條選通線16和各條數(shù)據(jù)線17之間的各個交叉處；和像素電極18，其形成在像素區(qū)P上。
具有這種構(gòu)造的濾色器基板5和陣列基板10通過形成在圖像顯示區(qū)的外圍的密封劑(未顯示)相互面對地接合，從而構(gòu)成LCD面板。濾色器基板5和陣列基板10通過利用形成在濾色器基板5或陣列基板10上的接合鍵(bonding key)(未示出)而相互接合。
關(guān)于LCD裝置的構(gòu)造，上層通常布置在下層上同時與下層交叉。這里，當(dāng)對上層進行構(gòu)圖的同時表示下層的傾斜角的錐度(taper)較劣時，上層發(fā)生斷連，現(xiàn)在將對此進行描述。
圖2A至圖2C是示出了現(xiàn)有技術(shù)圖案形成方法的連續(xù)工藝的平面圖，該方法顯示了柵電極形成在有源圖案上的情況。
此外，圖3A至圖3C是示出現(xiàn)有技術(shù)圖案形成方法的連續(xù)工藝的剖視圖，具體地，是沿線A-A’截取的剖視圖，這些剖視圖連續(xù)地示出了在圖2A至圖2C中示出的圖案形成方法。
如圖2A和圖3A所示，在基板10上形成由硅薄膜形成的有源圖案24。
如圖2B和圖3B所示，在基板10的整個表面上順序地淀積絕緣膜15A和導(dǎo)電層20。
這里，在作為下層的有源圖案24的錐度較優(yōu)的情況下，作為上層的導(dǎo)電層20充分地淀積。相反，在有源圖案24的錐度較劣的情況下，在導(dǎo)電層20和有源圖案24之間的界面處形成空隙V(void V)。
這里，所述錐度表示被構(gòu)圖為一定形狀的某薄膜的傾斜角。
如圖2C和圖3C所示，在利用光刻對導(dǎo)電層20進行構(gòu)圖的工藝中，蝕刻溶液被引入空隙V，這可導(dǎo)致當(dāng)對柵電極21進行構(gòu)圖時柵電極21的斷連D。
具體地，當(dāng)在下層的錐度較劣的狀態(tài)下以濕法蝕刻的方式形成上層時，常常會導(dǎo)致上層的斷連。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是提供一種液晶顯示(LCD)裝置及其制造方法，該液晶顯示裝置能夠防止由于在對上層進行構(gòu)圖的過程中的蝕刻溶液而導(dǎo)致的上層的斷連。
為了實現(xiàn)這些和其他優(yōu)點并且根據(jù)本發(fā)明的目的，如在此實施并廣義描述的，提供了一種制造液晶顯示裝置的陣列基板的方法，所述方法包括在基板上形成有源圖案；在所述基板上形成第一絕緣層；在所述第一絕緣層上形成柵電極，所述柵電極與所述有源圖案交叉，其中，所述有源圖案具有曲折形狀；在所述基板上形成第二絕緣層；形成連接到所述有源圖案的源電極和漏電極；以及形成連接到所述漏電極的像素電極。
為了實現(xiàn)這些和其他優(yōu)點并且根據(jù)本發(fā)明的目的，一種液晶顯示裝置的陣列基板，包括有源圖案，形成在基板上；第一絕緣層，形成在所述基板上；柵電極，形成在所述第一絕緣層上，其中，所述有源圖案具有曲折形狀；第二絕緣層，形成在所述基板上；源電極和漏電極，形成在所述基板上并連接到所述有源圖案；和像素電極，連接到所述漏電極。
為了實現(xiàn)這些和其他優(yōu)點并且根據(jù)本發(fā)明的目的，一種包括濾色器基板、陣列基板和其間的液晶層的液晶顯示裝置，所述陣列基板包括有源圖案，形成在基板上；第一絕緣層，形成在所述基板上；柵電極，形成在所述第一絕緣層上，其中，所述有源圖案具有曲折形狀；第二絕緣層，形成在所述基板上；源電極和漏電極，形成在所述基板上并連接到所述有源圖案；和像素電極，連接到所述漏電極。
為了實現(xiàn)這些和其他優(yōu)點并且根據(jù)本發(fā)明的目的，一種用于在基板上形成彼此交叉的上層和下層的方法，所述方法包括在所述基板上形成所述下層，所述下層具有曲折形狀；在所述下層上形成與所述下層交叉的所述上層；以及通過蝕刻對所述上層進行構(gòu)圖。
為了實現(xiàn)這些和其他優(yōu)點并且根據(jù)本發(fā)明的目的，一種用于制造液晶顯示裝置的方法，包括提供濾色器基板和陣列基板，并在所述濾色器基板和所述陣列基板之間形成液晶層；其中，提供所述陣列基板的步驟包括在基板上形成柵電極；在所述柵電極上形成第一絕緣層；在所述第一絕緣層上形成有源圖案，所述有源圖案與所述柵電極交叉，其中，所述柵電極具有曲折形狀；在所述有源圖案上形成第二絕緣層；形成連接到所述有源圖案的源電極和漏電極；以及形成連接到所述漏電極的像素電極。
為了實現(xiàn)這些和其他優(yōu)點并且根據(jù)本發(fā)明的目的，一種液晶顯示裝置的陣列基板，包括柵電極，形成在基板上；第一絕緣層，形成在所述柵電極上；有源圖案，形成在所述第一絕緣層上，其中，所述柵電極具有曲折形狀；第二絕緣層，形成在所述有源圖案上；源電極和漏電極，形成在所述第二絕緣層上并連接到所述有源圖案；和像素電極，連接到所述漏電極。
下面將結(jié)合附圖來詳細地描述本發(fā)明，本發(fā)明的前述和其他目的、特征、方面和優(yōu)點將會變得更加顯而易見。


包括的附圖提供對本發(fā)明的進一步的理解，附圖被并入并且構(gòu)成說明書的一部分，附圖示出了本發(fā)明的實施例并與說明書一起用來解釋本發(fā)明的原理。
在附圖中圖1是示意性地示出現(xiàn)有技術(shù)的LCD裝置的結(jié)構(gòu)的立體圖；圖2A至圖2C是連續(xù)地示出現(xiàn)有技術(shù)的圖案形成方法的平面圖；圖3A至圖3C是連續(xù)地示出現(xiàn)有技術(shù)的圖案形成方法的剖視圖；圖4A和圖4B是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明實施例的圖案形成方法的平面圖；圖5A和圖5B是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明實施例的圖案形成方法的剖視圖；圖6是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明實施例的不同形狀的下層圖案的平面圖；圖7是部分地示出根據(jù)本發(fā)明實施例的LCD裝置的陣列基板的平面圖；以及圖8A至圖8F是沿線IV-IV’截取的剖視圖，其順序地示出了圖7所示的陣列基板的制造工藝。
具體實施例方式
現(xiàn)在，將參照附圖詳細描述本發(fā)明。
以下，將參照附圖來描述根據(jù)本發(fā)明的LCD裝置及其制造方法的優(yōu)選實施例。
圖4A和圖4B是順序地示出根據(jù)本發(fā)明實施例的圖案形成方法的平面圖。
另外，圖5A和圖5B是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明實施例的圖案形成方法的剖視圖，其通過利用沿線B-B’截取的剖視圖示出了圖4A和圖4B中示出的圖案形成方法。
這里，實施例示例性地顯示了柵電極形成在有源圖案上的情況，但是本發(fā)明并不限于此。本發(fā)明還可應(yīng)用到以濕法蝕刻的方式在某一下層上形成某一上層的任何情況。
如圖4A和圖5A所示，在基板110上布置由硅薄膜形成的有源圖案124。
這里，有源圖案124的與上層交叉的兩個側(cè)表面被構(gòu)圖為具有曲折形。這里，曲折以三角形形成。
然后，如圖4B和5B所示，絕緣層115A和導(dǎo)電層(未示出)順序地淀積在基板110的整個表面上。
這里，在有源圖案124(即，下層)的錐度極好的情況下，導(dǎo)電層(即，上層)充分地淀積在有源圖案124上。然而，在有源圖案124的錐度較劣的情況下，會在有源圖案124和導(dǎo)電層之間的界面處形成空隙V。
這里，錐度表示被構(gòu)圖為一定形狀的某薄膜的傾斜角。
盡管在有源圖案124和導(dǎo)電層之間的界面處形成了空隙V，但是，在空隙V內(nèi)的蝕刻溶液的流動通路被延伸，因此可防止經(jīng)構(gòu)圖的柵電極121的斷連。即，有源圖案124的側(cè)表面的曲折圖案使得在對柵電極121進行構(gòu)圖的過程中蝕刻溶液沿其被引入的流動通路被延伸。此外，即使在有源圖案124和導(dǎo)電層之間的界面處形成空隙V，仍可防止整個柵電極121的斷連。
因此，用于延伸蝕刻溶液的流動通路的下層的圖案可具有各種形狀，可延伸蝕刻溶液的流動通路的任何形狀都是可用的。
圖6是示意性地示出根據(jù)本發(fā)明實施例的具有不同形狀的下層的圖案的平面圖，其示例性地示出了具有方形曲折形狀的有源圖案224。
這里，根據(jù)下層的圖案形狀，薄膜晶體管可具有不同的特征。因此，下層的圖案形狀取決于它的用途。
斷連可直接發(fā)生在上層和下層之間，甚至也可發(fā)生在如本發(fā)明所示的絕緣層置于上層和下層之間的情況下。此外，根據(jù)絕緣層的淀積，斷連可增多或減少。因此，可根據(jù)介于上層和下層之間的材料的類型來確定下層的圖案形狀。
圖7是部分地示出了根據(jù)本發(fā)明實施例的LCD裝置的陣列基板的平面圖，具體地，示出了包括薄膜晶體管的一個像素。
實際上，LCD裝置包括由N條選通線和M條數(shù)據(jù)線限定的N×M個像素，其中，N條選通線和M條數(shù)據(jù)線中的每條相互交叉。然而，為了提供簡潔的解釋，附圖示出了一個像素。
本發(fā)明的實施例示出了使用多晶硅薄膜作為溝道層的多晶硅薄膜晶體管，然而，本發(fā)明可并不限于此。本發(fā)明還可以采用無定形硅薄膜作為薄膜晶體管的溝道層。
此外，本發(fā)明的實施例示例性地描述了在將柵電極(即，上層)堆疊在有源圖案(即，下層)上的情況下的圖案形成方法，但是，本發(fā)明可并不限于此。
如圖7所示，陣列基板110設(shè)置有選通線116和數(shù)據(jù)線117，它們水平和豎直地布置在陣列基板110上以限定像素區(qū)。用作開關(guān)器件的薄膜晶體管形成在選通線116和數(shù)據(jù)線117之間的各交叉處。像素電極118形成在每個像素區(qū)內(nèi)，像素電極118與薄膜晶體管相連接以驅(qū)動濾色器基板(未示出)的公共電極和液晶(未示出)。
薄膜晶體管包括柵電極121，其連接到選通線116；源電極122，其連接到數(shù)據(jù)線117；和漏電極123，其連接到像素電極118。薄膜晶體管還包括第一絕緣層和第二絕緣層(未示出)，用于使柵電極121與源電極122、柵電極121與漏電極123之間絕緣；和有源圖案124，用于通過供應(yīng)到柵電極121的柵極電壓在源電極122和漏電極123之間形成導(dǎo)電溝道。
這里，源電極122的一部分通過形成在第一絕緣層和第二絕緣層中的接觸孔140A與有源圖案124的源區(qū)電連接，漏電極123的一部分通過第二接觸孔140B與有源圖案124的漏區(qū)電連接。源電極122的另一部分也沿一個方向延伸，從而形成數(shù)據(jù)線117的一部分，漏電極123的另一部分向像素區(qū)延伸，從而通過形成在第三絕緣層(未示出)中的第三接觸孔140C與像素電極118電連接。
如上所述，有源圖案124的其中有柵電極121穿過的兩個側(cè)表面具有曲折形狀。因此，可防止當(dāng)對柵電極121進行構(gòu)圖時發(fā)生的柵電極121的斷連，這個將在以下的制造LCD裝置的過程中詳細地解釋。
圖8A至圖8F是順序地示出沿線IV-IV’截取的圖7中示出的陣列基板的制造工藝的剖視圖。
如圖8A所示，使用光刻工藝來形成有源圖案124，有源圖案124是由透明絕緣材料(例如，玻璃)形成的基板110上的硅層。
這里，由二氧化硅層SiO2構(gòu)成的緩沖層可先形成在基板110上，然后有源圖案124形成在該緩沖層上。緩沖層防止存在于玻璃基板110中的雜質(zhì)(例如鈉(Na))被引入上層。
有源圖案124可由無定形硅薄膜或結(jié)晶硅薄膜形成，但是本發(fā)明的實施例顯示了有源圖案由結(jié)晶的多晶硅薄膜形成的情況。這里，可通過將無定形硅薄膜淀積在基板上，然后對其采用各種結(jié)晶方法來形成多晶硅薄膜，現(xiàn)在將對其進行解釋。
首先，可通過采用各種方法來淀積無定形硅，具體地，通過諸如低壓化學(xué)氣相淀積(LPCVD)和等離子體增強化學(xué)氣相淀積(PECVD)的代表性方法來淀積無定形硅。
這里，可在執(zhí)行脫氫工藝后執(zhí)行結(jié)晶，其中，脫氫工藝用于去除存在于無定形硅薄膜中的氫原子。
用于使無定形硅薄膜結(jié)晶的方法大體上包括固相結(jié)晶(SPC)法和利用激光的準(zhǔn)分子激光退火(ELA)法，其中，在固相結(jié)晶(SPC)法中，無定形硅薄膜在高溫的爐內(nèi)被熱處理。
激光結(jié)晶通常使用利用脈沖型激光的準(zhǔn)分子激光退火法。然而近來，正在研究連續(xù)側(cè)向固化(SLS)法，在連續(xù)側(cè)向固化法中，晶粒在水平方向增長從而改善結(jié)晶特性。
這里，有源圖案的側(cè)表面具有曲折狀圖案。
接著，如圖8B所示，第一絕緣層115A和第一導(dǎo)電層(未示出)順序地形成在其上已經(jīng)形成有有源圖案124的基板110的整個表面上。
第一導(dǎo)電層可由低電阻的不透明導(dǎo)電材料形成，這種不透明導(dǎo)電材料如鋁(Al)、鋁合金、鎢(W)、銅(Cu)、鉻(Cr)、鉬(Mo)等。
然后使用光刻工藝來選擇性地對第一導(dǎo)電層進行構(gòu)圖，從而在基板110上形成柵電極121和選通線(未示出)。
如上所述，有源圖案124的側(cè)表面具有曲折形狀，從而增大有源圖案124(即，下層)和柵電極121(即，上層)之間的接觸面積。因此，可防止由于在對柵電極121進行構(gòu)圖的過程中的蝕刻溶液而導(dǎo)致的柵電極121的斷連。因此，在上層和下層之間的接觸面積增大的情況下，在對下層進行構(gòu)圖的過程中可將蝕刻溶液的流動通路延伸。結(jié)果，即使在上層和下層之間的界面處形成空隙，也可以防止上層的斷連。
其后，使用柵電極121作為掩模，這樣將雜質(zhì)離子注入有源圖案124的特定區(qū)域中，從而形成作為歐姆接觸層的源區(qū)124a和漏區(qū)124b。這里，柵電極121被用作離子阻擋物(ion stopper)，其防止摻雜劑被引入有源圖案124的溝道區(qū)124c。
根據(jù)注入的摻雜劑的類型，改變有源圖案124的電學(xué)特征。如果注入的摻雜劑是第三族的元素(例如硼(B))，則它用作P型薄膜晶體管，而如果注入的摻雜劑是第五族的元素(例如磷(P))，則它用作N型薄膜晶體管。
這里，用于活化注入的摻雜劑的工藝可在離子注入工藝后執(zhí)行。
然后，如圖8C所示，第二絕緣層115B被淀積在其上已經(jīng)形成有柵電極121和選通線的基板110的整個表面上。其后，使用光刻工藝去除第一絕緣層115A和第二絕緣層115B的部分區(qū)域，從而形成第一接觸孔140A和第二接觸孔140B，其中，第一接觸孔140A部分地暴露源區(qū)124a，第二接觸孔140B部分地暴露漏區(qū)124b。
為了獲得高孔徑比，第二絕緣層115B可由透明的有機絕緣材料(如苯并環(huán)丁烯(BCB)或丙烯酸基樹脂)形成。
接下來，如圖8D所示，第二導(dǎo)電層(未示出)淀積在基板110的整個表面上。然后用光刻工藝選擇性地對第二導(dǎo)電層進行構(gòu)圖，從而形成源電極122和漏電極123，其中，源電極122通過第一接觸孔140A與源區(qū)124a電連接，漏電極123通過第二接觸孔140B與漏區(qū)124b電連接。
這里，源電極122沿一個方向部分地延伸，從而形成數(shù)據(jù)線117。
如圖8E所示，第三絕緣層115C淀積在基板110的整個表面上。然后利用光刻工藝形成第三接觸孔140C，第三接觸孔140C部分地暴露漏電極123。
接著，如圖8F所示，在其上已形成有第三絕緣層115C的基板110的整個表面上形成第三導(dǎo)電層(未示出)。然后使用光刻工藝對第三導(dǎo)電層進行構(gòu)圖，從而形成像素電極118，該像素電極118通過接觸孔140C與漏電極123電連接。
因為在不脫離本發(fā)明的精神或本質(zhì)特點的情況下，本發(fā)明可以以幾種形式來實現(xiàn)，所以應(yīng)該理解，上述實施例并不受上述細節(jié)的限制，除非有特別說明，而是應(yīng)該被廣義地理解為在所附權(quán)利要求限定的精神和范圍內(nèi)，因此落入權(quán)利要求的界限和范圍內(nèi)或這些界限和范圍的等同物內(nèi)的所有改變和修改旨在被所附的權(quán)利要求所包含。
權(quán)利要求
1.一種用于制造液晶顯示裝置的陣列基板的方法，該方法包括在基板上形成有源圖案；在所述基板上形成第一絕緣層；在所述第一絕緣層上形成柵電極，所述柵電極與所述有源圖案交叉，其中，所述有源圖案具有曲折形狀；在所述基板上形成第二絕緣層；形成連接到所述有源圖案的源電極和漏電極；以及形成連接到所述漏電極的像素電極。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述有源圖案由硅薄膜形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述有源圖案的側(cè)表面包括三角形曲折形狀。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述有源圖案的側(cè)表面包括方形曲折形狀。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述曲折形狀形成在所述有源圖案與所述柵電極交叉的部分上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括在所述源電極和所述漏電極上形成第三絕緣層。
7.一種用于液晶顯示裝置的陣列基板，包括有源圖案，形成在基板上；第一絕緣層，形成在所述基板上；柵電極，形成在所述第一絕緣層上，其中，所述有源圖案具有曲折形狀；第二絕緣層，形成在所述基板上；源電極和漏電極，形成在所述基板上并連接到所述有源圖案；和像素電極，連接到所述漏電極。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板，其中，所述有源圖案的側(cè)表面包括三角形曲折形狀。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板，其中，所述有源圖案的側(cè)表面包括方形曲折形狀。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的陣列基板，其中，所述曲折形狀形成在所述有源圖案與所述柵電極交叉的部分上。
11.一種包括濾色器基板、陣列基板以及濾色器基板和陣列基板之間的液晶層的液晶顯示裝置，所述陣列基板包括有源圖案，形成在基板上；第一絕緣層，形成在所述基板上；柵電極，形成在所述第一絕緣層上，其中，所述有源圖案具有曲折形狀；第二絕緣層，形成在所述基板上；源電極和漏電極，形成在所述基板上并連接到所述有源圖案；和像素電極，連接到所述漏電極。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的液晶顯示裝置，其中，所述有源圖案的側(cè)表面包括三角形曲折形狀。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的液晶顯示裝置，其中，所述有源圖案的側(cè)表面包括方形曲折形狀。
14.根據(jù)權(quán)利要求11所述的液晶顯示裝置，其中，所述曲折形狀形成在所述有源圖案與所述柵電極交叉的部分上。
15.一種用于在基板上形成彼此交叉的上層和下層的方法，所述方法包括在所述基板上形成所述下層，所述下層具有曲折形狀；在所述下層上形成與所述下層交叉的所述上層；以及通過蝕刻對所述上層進行構(gòu)圖。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述下層的側(cè)表面包括三角形曲折形狀。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述下層的側(cè)表面包括方形曲折形狀。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述曲折形狀形成在所述下層與所述上層交叉的部分上。
19.一種用于制造液晶顯示裝置的方法，包括提供濾色器基板和陣列基板，并在所述濾色器基板和所述陣列基板之間形成液晶層；其中，提供所述陣列基板的步驟包括在基板上形成柵電極；在所述柵電極上形成第一絕緣層；在所述第一絕緣層上形成有源圖案，所述有源圖案與所述柵電極交叉，其中所述柵電極具有曲折形狀；在所述有源圖案上形成第二絕緣層；形成連接到所述有源圖案的源電極和漏電極；形成連接到所述漏電極的像素電極。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述柵電極的側(cè)表面包括三角形曲折形狀。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述柵電極的側(cè)表面包括方形曲折形狀。
22.根據(jù)權(quán)利要求19所述的方法，其中，所述曲折形狀形成在所述柵電極與所述有源圖案交叉的部分上。
23.一種用于液晶顯示裝置的陣列基板，其包括柵電極，形成在基板上；第一絕緣層，形成在所述柵電極上；有源圖案，形成在所述第一絕緣層上，其中，所述柵電極具有曲折形狀；第二絕緣層，形成在所述有源圖案上；源電極和漏電極，形成在所述第二絕緣層上并連接到所述有源圖案；和像素電極，連接到所述漏電極。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的陣列基板，其中，所述柵電極的側(cè)表面包括三角形曲折形狀。
25.根據(jù)權(quán)利要求23所述的陣列基板，其中，所述柵電極的側(cè)表面包括方形曲折形狀。
26.根據(jù)權(quán)利要求23所述的陣列基板，其中，所述曲折形狀形成在所述柵電極與所述有源圖案交叉的部分上。
全文摘要
一種液晶顯示裝置及其制造方法，其通過以曲折形狀形成下層的側(cè)表面來防止由于在對上層進行構(gòu)圖的過程中的蝕刻溶液而導(dǎo)致的上層的斷連，從而使上層和下層之間的接觸面積增加，該用于制造液晶顯示裝置的方法包括在基板上形成有源圖案，該有源圖案具有被部分地形成曲折的側(cè)表面；在基板上形成第一絕緣層；在有源圖案上形成柵電極，該柵電極與有源圖案的曲折形的側(cè)表面交叉；在基板上形成第二絕緣層；形成源電極和漏電極，它們與有源圖案的特定區(qū)域電連接；以及形成電連接到漏電極的像素電極。
文檔編號G02F1/1333GK1991542SQ20061010059
公開日2007年7月4日 申請日期2006年6月30日 優(yōu)先權(quán)日2005年12月29日
發(fā)明者金裕進 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社