專利名稱：半穿半反式液晶顯示器制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示器制造方法，特別是一種半穿半反式液晶顯示器(transflective liquid crystal display，TRLCD)制造方法。
背景技術(shù)：
在液晶顯示器廣泛應(yīng)用的今天，便攜式產(chǎn)品要求低耗電，長(zhǎng)時(shí)間的使用，且在戶外強(qiáng)烈日光下的可見功能也相當(dāng)重要。半穿半反式液晶顯示器便能符合上述需求，在室內(nèi)較暗環(huán)境下，可由穿透區(qū)利用顯示器內(nèi)置的背光光源作為所需光源，清楚顯示畫面；而在戶外光線充足的環(huán)境下，也可由反射區(qū)利用環(huán)境光源作為顯像所需光源，清楚顯示畫面。
目前，為減少半穿半反式液晶顯示器制造方法的步驟，業(yè)界通常采用一平板狹縫型光罩進(jìn)行曝光顯影，其基本步驟包括在基板上利用前四道普通光罩工藝形成一柵極、一半導(dǎo)體層、一源極與一漏極，同時(shí)，在基板上定義一反射區(qū)與一穿透區(qū)；形成一鈍化層在上述包括柵極、半導(dǎo)體層、源極與漏極的基板表面；依次形成一像素電極、一緩沖層與一反射金屬層在該鈍化層表面；在該反射金屬層表面沉積一光阻層；利用平板狹縫型光罩對(duì)該穿透區(qū)與該反射區(qū)對(duì)應(yīng)的光阻層進(jìn)行曝光顯影，使得該光阻層在該反射區(qū)內(nèi)的厚度大于該光阻層在該穿透區(qū)的厚度；灰化該光阻層，以去除穿透區(qū)的光阻層，反射區(qū)則剩余部分光阻層；蝕刻該穿透區(qū)的緩沖層與反射金屬層，暴露出穿透區(qū)的像素電極，即形成穿透電極；去除反射區(qū)的剩余光阻，暴露出反射區(qū)的反射金屬層，即形成反射電極。
上述半穿半反式液晶顯示器制造方法，利用一平板狹縫型光罩在曝光時(shí)可控制透光率的特性來實(shí)現(xiàn)在同一步驟中同時(shí)形成反射電極與穿透電極，從而減少了光罩工藝，達(dá)到簡(jiǎn)化制造步驟，降低制造成本的目的。然而，由于采用平板狹縫型光罩進(jìn)行曝光顯影僅能控制光阻層厚度而無法控制光阻層的形狀，從而導(dǎo)致形成的反射電極為一平面結(jié)構(gòu)，其反射率較低，無法達(dá)到良好的反射效果。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術(shù)制造的半穿半反式液晶顯示器的反射率較低的問題，有必要提供一種具有較高反射率的半穿半反式液晶顯示器制造方法。
一種半穿半反式液晶顯示器制造方法，其包括以下步驟步驟一，提供一透明絕緣基板，其具有一薄膜晶體管區(qū)、一穿透區(qū)與一反射區(qū)；步驟二，沉積一第一金屬層與一第一光阻層在該透明絕緣基板表面，該第一金屬層是由具有不同蝕刻率的多層金屬層層疊設(shè)置而成，且各金屬層按蝕刻率自下而上依次增大的沉積順序進(jìn)行排列；步驟三，利用一第一光罩對(duì)該第一光阻層進(jìn)行曝光，并顯影該第一光阻層，然后蝕刻該第一金屬層，從而在該薄膜晶體管區(qū)形成一柵極，在該反射區(qū)形成多個(gè)截面寬度自下而上逐層遞減的臺(tái)型凸起；步驟四，沉積一柵極絕緣層在該形成有該柵極與凸起的透明絕緣基板上；步驟五，沉積一半導(dǎo)體材料層與一第二光阻層在該柵極絕緣層上，并利用一第二光罩對(duì)該第二光阻層進(jìn)行曝光，并顯影該第二光阻層，然后蝕刻該半導(dǎo)體材料層從而形成一半導(dǎo)體層；步驟六，沉積一第二金屬層與一第三光阻層在具有該半導(dǎo)體層與柵極絕緣層的透明絕緣基板上，利用一第三光罩對(duì)該第三光阻層進(jìn)行曝光，并顯影該第三光阻層，然后蝕刻該第二金屬層，從而形成一源極及一漏極；步驟七，沉積一鈍化層與一第四光阻層在該具有源極、漏極與半導(dǎo)體層的透明絕緣基板上，利用一第四光罩對(duì)該第四光阻層進(jìn)行曝光，并顯影該第四光阻層，然后蝕刻該鈍化層，從而形成一連接孔，在該連接孔處暴露出該漏極；步驟八，沉積一像素電極材料層與一第五光阻層在該鈍化層表面，利用一第五光罩曝光該第五光阻層，并顯影該第五光阻層，然后蝕刻該像素電極材料層，從而形成一像素電極，并在暴露出該像素電極的穿透區(qū)形成一穿透電極，在暴露出該像素電極的反射區(qū)形成一反射電極。
一種半穿半反式液晶顯示器制造方法，其包括以下步驟步驟一，提供一透明絕緣基板，其具有一薄膜晶體管區(qū)、一穿透區(qū)與一反射區(qū)；步驟二，沉積一柵極金屬層與一光阻層在該透明絕緣基板表面，該柵極金屬層是由具有不同蝕刻率的多層金屬層層疊設(shè)置而成，且各金屬層按蝕刻率自下而上依次增大的沉積順序進(jìn)行排列；步驟三，利用一光罩對(duì)該光阻層進(jìn)行曝光顯影，然后蝕刻該柵極金屬層，從而在該薄膜晶體管區(qū)形成一柵極，在該反射區(qū)形成多個(gè)截面寬度自下而上逐層遞減的臺(tái)型凸起；步驟四，沉積一柵極絕緣層在該形成有該柵極與凸起的透明絕緣基板上；步驟五，形成一半導(dǎo)體層在該柵極對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管區(qū)；步驟六，形成一源極與漏極在該半導(dǎo)體層表面；步驟七，沉積一鈍化層在具有該源極與漏極的透明絕緣基板上，并形成一連接孔，該連接孔暴露出該漏極；步驟八，形成一像素電極在該鈍化層表面，并在暴露出該像素電極的穿透區(qū)形成一穿透電極，在暴露出該像素電極的反射區(qū)形成一反射電極。
一種半穿半反式液晶顯示器制造方法，其包括以下步驟步驟一，提供一透明絕緣基板，其包括一薄膜晶體管區(qū)、一穿透區(qū)與一反射區(qū)；步驟二，沉積一第一金屬層與一第一光阻層在該透明絕緣基板上，利用一第一光罩曝光該第一光阻層，并顯影該第一光阻層，然后對(duì)該第一金屬層進(jìn)行蝕刻，從而形成一柵極在該薄膜晶體管區(qū)；步驟三，依序沉積一柵極絕緣層、一半導(dǎo)體材料層與一第二光阻層在該具有柵極的透明絕緣基板上，利用一第二光罩曝光該第二光阻層，并顯影該第二光阻層，然后蝕刻該半導(dǎo)體材料層，從而形成一半導(dǎo)體層；步驟四，沉積一第二金屬層與一第三光阻層在該柵極絕緣層與該半導(dǎo)體層表面，該第二金屬層是由具有不同蝕刻率的多層金屬層層疊設(shè)置而成，且各金屬層按蝕刻率自下而上依次增大的沉積順序進(jìn)行排列；步驟五，利用一第三光罩對(duì)該第三光阻層進(jìn)行曝光，并顯影該第三光阻層，然后蝕刻該第二金屬層，從而在該薄膜晶體管區(qū)形成一源極與一漏極，在該反射區(qū)形成多個(gè)截面寬度自下而上逐層遞減的臺(tái)型凸起；步驟六，沉積一鈍化層與一第四光阻層在該形成有源極、漏極與凸起的透明絕緣基板上，利用一第四光罩對(duì)該第四光阻層進(jìn)行曝光，并顯影該第四光阻層，然后蝕刻該鈍化層，從而形成一連接孔，在該連接孔處暴露出該漏極；步驟七，沉積一像素電極材料層與一第五光阻層在該鈍化層表面，利用一第五光罩曝光該第五光阻層，并顯影該第五光阻層，然后蝕刻該像素電極材料層，從而形成一像素電極，并在暴露出該像素電極的穿透區(qū)形成一穿透電極，在暴露出該像素電極的反射區(qū)形成一反射電極。
一種半穿半反式液晶顯示器制造方法，其包括以下步驟步驟一，提供一透明絕緣基板，其包括一薄膜晶體管區(qū)、一穿透區(qū)與一反射區(qū)；步驟二，形成一柵極在該薄膜晶體管區(qū)；步驟三，沉積一柵極絕緣層在該形成有該柵極的透明絕緣基板上；步驟四，形成一半導(dǎo)體層在該柵極對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管區(qū)；步驟五，沉積一源/漏極金屬層與一光阻層在該柵極絕緣層與該半導(dǎo)體層表面，該源/漏極金屬層是由具有不同蝕刻率的多層金屬層層疊設(shè)置而成，且各金屬層按蝕刻率自下而上依次增大的沉積順序進(jìn)行排列；步驟六，利用一光罩對(duì)該光阻層進(jìn)行曝光，并顯影該光阻層，然后蝕刻該源/漏極金屬層，從而在該薄膜晶體管區(qū)形成一源極與一漏極，在該反射區(qū)形成多個(gè)截面寬度自下而上逐層遞減的臺(tái)型凸起；步驟七，沉積一鈍化層在具有該源極、漏極與凸起的透明絕緣基板上，并形成一連接孔，該連接孔處暴露出該漏極；步驟八，形成一像素電極在該鈍化層表面，并在暴露出該像素電極的穿透區(qū)形成一穿透電極，在暴露出該像素電極的反射區(qū)形成一反射電極。
上述半穿半反式液晶顯示器制造方法是以蝕刻率自下而上依次增大為沉積順序，使用蝕刻率不同的多層金屬層作為形成柵極或源極與漏極的金屬層，再經(jīng)由光罩蝕刻工藝形成多個(gè)截面寬度自下而上逐層遞減的臺(tái)型凸起，并且在該凸起的基礎(chǔ)上，經(jīng)光罩蝕刻工藝形成該半穿半反式液晶顯示器的反射電極。由于該反射電極系在多個(gè)截面寬度自下而上逐層遞減的臺(tái)型凸起的基礎(chǔ)上形成，從而使其自身也具有多個(gè)凸起形狀，因此該半穿半反式液晶顯示器的反射率較高，反射效果也得到提升。


圖1至圖13是本發(fā)明半穿半反式液晶顯示器制造方法第一實(shí)施方式的各步驟示意圖。
圖14至圖19是本發(fā)明半穿半反式液晶顯示器制造方法第二實(shí)施方式的各步驟示意圖。
圖20至圖28是本發(fā)明半穿半反式液晶顯示器制造方法第三實(shí)施方式的各步驟示意圖。
圖29至圖30是本發(fā)明半穿半反式液晶顯示器制造方法第四實(shí)施方式的各步驟示意圖。
具體實(shí)施例方式
請(qǐng)一并參閱圖1至圖13，是本發(fā)明半穿半反式液晶顯示器制造方法第一實(shí)施方式的各步驟示意圖。
步驟一，請(qǐng)參閱圖1，提供一透明絕緣基板200，其可為玻璃、石英等透明絕緣材料。在該透明絕緣基板200表面沉積一柵極金屬層210。該柵極金屬層210是由對(duì)同一蝕刻液具有不同蝕刻率的多層金屬層層疊設(shè)置而成，且各金屬層按蝕刻率自下而上依次增大為沉積順序進(jìn)行排列。該透明絕緣基板200具有連續(xù)設(shè)置的一薄膜晶體管區(qū)201，一穿透區(qū)202與一反射區(qū)203。
步驟二，請(qǐng)參閱圖2，涂覆一第一光阻層240在該柵極金屬層210表面。涂覆方法可采用旋涂法(spinc oating)或噴涂法(spaying coating)。
步驟三，請(qǐng)參閱圖3，利用一第一光罩250，將其放置在該第一光阻層240上方。該第一光罩250包括一第一遮光區(qū)251與一第一透光區(qū)252。該第一透光區(qū)252對(duì)應(yīng)該穿透區(qū)202設(shè)置；該第一遮光區(qū)251對(duì)應(yīng)部分薄膜晶體管區(qū)201設(shè)置；并且，該第一遮光區(qū)251與第一透光區(qū)252間隔設(shè)置在該反射區(qū)203上。利用紫外線透過該第一光罩250照射該第一光阻層240，使該第一光阻層240發(fā)生感光反應(yīng)，則該第一遮光區(qū)251對(duì)應(yīng)的第一光阻層240不感光，該第一透光區(qū)252對(duì)應(yīng)的第一光阻層240感光。利用顯影液對(duì)該第一光阻層240進(jìn)行顯影，以去除發(fā)生感光反應(yīng)的第一光阻層240部分，從而形成如圖4所示的結(jié)構(gòu)，即在薄膜晶體管區(qū)201對(duì)應(yīng)的第一光阻層240被部分去除；在穿透區(qū)202對(duì)應(yīng)的第一光阻層240被全部去除；在反射區(qū)203對(duì)應(yīng)的第一光阻層240形成多個(gè)凸塊結(jié)構(gòu)。
步驟四，請(qǐng)一并參閱圖5，以剩余的第一光阻層240為遮罩蝕刻該柵極金屬層210。由于該柵極金屬層210是由多層金屬層層疊設(shè)置而成，且各金屬層依據(jù)蝕刻率自下而上依次增大的沉積順序進(jìn)行排列，因此在蝕刻時(shí)，蝕刻率越高的金屬層的邊緣部分蝕刻掉越多，蝕刻率越低的金屬層的邊緣部分蝕刻掉越少，則在蝕刻后，剩余柵極金屬層210的截面寬度將自下而上逐層減小。
在薄膜晶體管區(qū)201對(duì)應(yīng)的剩余柵極金屬層210部分，由于其截面寬度較寬，蝕刻后對(duì)其整體形狀沒有太大影響，因此形成一條形結(jié)構(gòu)，該條形結(jié)構(gòu)將作為該半穿半反式液晶顯示器的柵極212。而在該反射區(qū)203對(duì)應(yīng)的剩余柵極金屬層210部分由于截面寬度較窄，因此蝕刻后將形成多個(gè)臺(tái)型凸起211，如圖6及圖7所示，圖6是圖5所示凸起211的俯視放大示意圖。圖7是圖5所示凸起211的垂直截面放大示意圖。該凸起211的橫截面近似呈一同心圓形狀，其垂直截面為一兩對(duì)邊近似呈一階梯形狀且寬度自下而上逐層遞減的結(jié)構(gòu)。
其中，蝕刻方式可為濕蝕刻(wet etching)方式或干蝕刻方式，濕蝕刻通常采用HF及NH4F的混合溶液作為蝕刻劑。
步驟五，請(qǐng)參閱圖8，灰化(ashing)剩余第一光阻層240，暴露出該柵極212與凸起211。
步驟六，請(qǐng)參閱圖9，沉積一柵極絕緣層213與一第二光阻層(圖未示)在具有該柵極212與凸起211的透明絕緣基板200表面。柵極絕緣層213是采用化學(xué)氣相沉積(chemical vapordeposition，CVD)法，利用反應(yīng)氣體硅烷與氨氣形成的一非晶氮化硅(SiNx)結(jié)構(gòu)。
步驟七，請(qǐng)參閱圖10，沉積一半導(dǎo)體材料在該柵極絕緣層213表面，并利用一第二光罩(圖未示)對(duì)該第二光阻層進(jìn)行曝光，并顯影曝光后的第二光阻層，然后以剩余第二光阻層為遮罩蝕刻該半導(dǎo)體材料，從而形成一半導(dǎo)體層215。
接著，在上述包括該半導(dǎo)體層215、該柵極絕緣層213的透明絕緣基板200上，沉積一源/漏極金屬材料層與一第三光阻層(圖未示)。該源/漏極金屬材料層通常為鉬(molybdenum，Mo)或鈦(titanium，Ti)，利用一第三光罩(圖未示)對(duì)該第三光阻層進(jìn)行曝光，并顯影曝光后的第三光阻層，然后以剩余第三光阻層為遮罩蝕刻該源/漏極金屬材料層，從而形成該源極216與漏極217。該源極216與該漏極217相對(duì)設(shè)置并與該半導(dǎo)體層215部分相疊，同時(shí)在該半導(dǎo)體層215上形成一間隙224。
步驟八，請(qǐng)參閱圖11，連續(xù)沉積一鈍化層218與一第四光阻層241在該半導(dǎo)體層215、源極216、漏極217與該柵極絕緣層213上。
利用一第四光罩(圖未示)，對(duì)該第四光阻層241進(jìn)行曝光，并顯影曝光后的第四光阻層241，然后以剩余第四光阻層241為遮罩蝕刻該鈍化層218，從而形成一連接孔219，如圖12所示，在該連接孔219處暴露出該漏極217。
步驟九，請(qǐng)參閱圖13，依次沉積一像素電極材料層與一第五光阻層(圖未示)在該鈍化層218表面。該像素電極材料層的材料為氧化銦錫(indium tin oxide，ITO)或氧化銦鋅(indiumzinc oxide，IZO)。利用一第五光罩(圖未示)對(duì)該第五光阻層進(jìn)行曝光，并顯影曝光后的第五光阻層，然后以剩余第五光阻層為遮罩蝕刻該像素電極材料，從而形成一像素電極220，該像素電極220覆蓋該反射區(qū)203、穿透區(qū)202與該漏極217對(duì)應(yīng)的鈍化層218表面，從而使該像素電極220通過該連接孔219與該漏極217電連接，并在覆蓋有該像素電極220的凸起211處形成反射電極，在覆蓋有該像素電極220的穿透區(qū)201處形成穿透電極。
上述半穿半反式液晶顯示器制造方法，是以蝕刻率自下而上依次增大為沉積順序，使用蝕刻率不同的多層金屬層層疊設(shè)置來作為柵極金屬層210，再通過一道光罩工藝在該反射區(qū)203形成多個(gè)截面寬度自下而上逐層遞減的臺(tái)型凸起211，并在該凸起211的基礎(chǔ)上，再經(jīng)四道光罩工藝形成反射電極。由于該反射電極是在多個(gè)截面寬度自下而上逐層遞減的臺(tái)型凸起211的基礎(chǔ)上形成，從而使其自身也具有凸起形狀，則該半穿半反式液晶顯示器的反射率較高，反射效果也得到提升。
請(qǐng)一并參閱圖14至圖19，是本發(fā)明半穿半反式液晶顯示器制造方法第二實(shí)施方式的各步驟示意圖。該第二實(shí)施方式在該第一實(shí)施方式的各制造步驟基礎(chǔ)上，進(jìn)一步包括以下步驟步驟十，請(qǐng)參閱圖14，依次沉積一緩沖層321與一反射金屬層322在具有該像素電極320的透明絕緣基板300表面。沉積方式可采用化學(xué)氣相沉積法或物理氣相沉積(physical vapordeposition，PVD)法。該反射金屬層322的材料為鋁(aluminum，Al)、銀(argentums，Ag)或鋁釹合金。該緩沖層321的材料為鉬或鈦，其用來間隔該像素電極320與該反射金屬層322，避免二者發(fā)生電化學(xué)反應(yīng)。
步驟十一，請(qǐng)參閱圖15，涂覆一第六光阻層342在該反射金屬層322表面。涂覆方式可采用旋涂法或噴涂法。
步驟十二，請(qǐng)參閱圖16，提供一第六光罩354，將其設(shè)置在該第六光阻層342上方。該第六光罩354包括一第二遮光區(qū)355與一第二透光區(qū)356，該第二遮光區(qū)355對(duì)應(yīng)該反射區(qū)303設(shè)置。該第二透光區(qū)356對(duì)應(yīng)該薄膜晶體管區(qū)301與該穿透區(qū)302設(shè)置。利用紫外光透過該第六光罩354照射該第六光阻層342，使該第六光阻層342發(fā)生感光反應(yīng)。該反射區(qū)303對(duì)應(yīng)的第六光阻層342不感光；該穿透區(qū)302與該薄膜晶體管區(qū)301對(duì)應(yīng)的第六光阻層342全部感光。利用顯影液對(duì)該第六光阻層342進(jìn)行顯影，去除發(fā)生感光反應(yīng)的光阻部分，從而形成如圖17所示的結(jié)構(gòu)，即，該穿透區(qū)302與該薄膜晶體管區(qū)301對(duì)應(yīng)的第六光阻層342被完全去除，該反射區(qū)303對(duì)應(yīng)的第六光阻層342保留。
步驟十三，請(qǐng)參閱圖18，蝕刻穿透區(qū)302與該薄膜晶體管區(qū)301對(duì)應(yīng)的緩沖層321與反射金屬層322。蝕刻方法可為濕蝕刻或干蝕刻。
步驟十四，請(qǐng)參閱圖19，灰化剩余第六光阻層342，則在穿透區(qū)302對(duì)應(yīng)的穿透電極處暴露出該像素電極320；該反射區(qū)303對(duì)應(yīng)的反射電極處暴露出該反射金屬層322。
上述半穿半反式液晶顯示器制造方法中，在該像素電極320表面進(jìn)一步涂覆一緩沖層321與一反射金屬層322，并利用一道光罩工藝形成具有該反射金屬層322的反射電極。由于該反射電極不僅在多個(gè)截面寬度自下而上逐層遞減的臺(tái)型凸起基礎(chǔ)上形成，而且在該凸起基礎(chǔ)上進(jìn)一步沉積一反射金屬層322，從而加強(qiáng)該反射電極的反射率，提高該半穿半反式液晶顯示器的反射效果。
請(qǐng)一并參閱圖20至圖28，是本發(fā)明半穿半反式液晶顯示器制造方法第三實(shí)施方式的各步驟示意圖。
步驟一，請(qǐng)參閱圖21，提供一透明絕緣基板400，其材料為玻璃、石英等透明絕緣材料。該透明絕緣基板400上包括連續(xù)分布的一薄膜晶體管區(qū)401，一穿透區(qū)402與一反射區(qū)403。
接著，沉積一柵極金屬材料與一第一光阻層(圖未示)在該透明絕緣基板400表面，該柵極金屬材料可為鋁或鋁釹合金。再利用一第一光罩(圖未示)對(duì)該第一光阻層進(jìn)行曝光，并顯影曝光后的第一光阻層，然后以剩余第一光阻層為遮罩蝕刻該柵極金屬材料，從而在該薄膜晶體管區(qū)401上形成一柵極412。
步驟二，請(qǐng)參閱圖22，依次沉積一柵極絕緣層413、一半導(dǎo)體材料層414與一第二光阻層440在具有該柵極412的透明絕緣基板400表面。該柵極絕緣層413是通過化學(xué)氣相沉積方法，利用反應(yīng)氣體硅烷與氨氣形成的一非晶氮化硅(SiNx)結(jié)構(gòu)。
步驟三，利用一第二光罩(圖未示)對(duì)該第二光阻層440進(jìn)行曝光，并顯影曝光后的第二光阻層440，并以剩余第二光阻層440為遮罩蝕刻該半導(dǎo)體材料層414，從而形成一半導(dǎo)體層415，如圖22所示。該半導(dǎo)體層415覆蓋該柵極412對(duì)應(yīng)的柵極絕緣層413。
步驟四，請(qǐng)參閱圖23，在該柵極絕緣層413與該半導(dǎo)體層415表面形成一源/漏極金屬層410與一第三光阻層441。該源/漏極金屬層410是由對(duì)同一蝕刻液具有不同蝕刻率的多層金屬層層疊設(shè)置而成，且各金屬層按蝕刻率自下而上依次增大的沉積順序進(jìn)行排列。
步驟五，請(qǐng)參閱圖24，利用一第三光罩451，將其放置在該第三光阻層441上方。該第三光罩451包括一第三遮光區(qū)452與一第三透光區(qū)453。該第三透光區(qū)453對(duì)應(yīng)該穿透區(qū)402與該柵極412設(shè)置；該第三遮光區(qū)452對(duì)應(yīng)部分薄膜晶體管區(qū)401設(shè)置；該第三遮光區(qū)452與該第三透光區(qū)453間隔設(shè)置在該反射區(qū)403上。利用紫外線透過該第三光罩451照射該第三光阻層441，使該第三光阻層441發(fā)生感光反應(yīng)，則該第三光罩451的第三遮光區(qū)452對(duì)應(yīng)的第三光阻層441不感光，該第三透光區(qū)453對(duì)應(yīng)的第三光阻層441感光。利用顯影液對(duì)該第三光阻層441進(jìn)行顯影，以去除發(fā)生感光反應(yīng)的第三光阻層441部分，從而使薄膜晶體管區(qū)401對(duì)應(yīng)的第三光阻層441被部分去除；穿透區(qū)402與柵極412對(duì)應(yīng)的第三光阻層441被全部去除；反射區(qū)403對(duì)應(yīng)的第三光阻層441形成多個(gè)凸塊結(jié)構(gòu)。
步驟六，請(qǐng)參閱圖25，以剩余的第三光阻層441為遮罩蝕刻該源/漏極金屬層410，使薄膜晶體管區(qū)401對(duì)應(yīng)的源/漏極金屬層410形成一源極416與一漏極417。該源極416與該漏極417相對(duì)設(shè)置并與該半導(dǎo)體層415部分相疊，同時(shí)形成一間隙424在該半導(dǎo)體層415上。在該反射區(qū)403對(duì)應(yīng)區(qū)域，由于該源/漏極金屬層410是由多層金屬層層疊設(shè)置而成，且各金屬層依蝕刻率自下而上依次增大的沉積順序進(jìn)行排列，故蝕刻時(shí)，蝕刻率越高的金屬層的邊緣部分蝕刻掉越多，蝕刻率越低的金屬層的邊緣部分蝕刻掉越少，從而在蝕刻后，在該反射區(qū)403對(duì)應(yīng)的剩余源/漏極金屬層410部分形成多個(gè)截面寬度自下而上逐層遞減的臺(tái)型凸起411。
步驟七，請(qǐng)一并參閱圖26，灰化以去除剩余第三光阻層441，從而暴露出源極416、漏極417與多個(gè)凸起411。
步驟八，請(qǐng)參閱圖27，依次沉積一鈍化層418與一第四光阻層(圖未示)在該源極416、漏極417、該柵極絕緣層413與該凸起411表面。再利用一第四光罩(圖未示)對(duì)該第四光阻層進(jìn)行曝光，并顯影曝光后的第四光阻層，然后以剩余的第四光阻層為遮罩蝕刻該鈍化層418，從而形成一連接孔419，在該連接孔419處暴露出該漏極417。
步驟九，請(qǐng)參閱圖28，沉積一像素電極材料層與一第五光阻層(圖未示)在該鈍化層418表面。該像素電極材料層的材料為氧化銦錫或氧化銦鋅。利用一第五光罩(圖未示)對(duì)該第五光阻層進(jìn)行曝光，并顯影曝光后的第五光阻層，然后以剩余第五光阻層為遮罩蝕刻該像素電極材料層，從而形成一像素電極420。該像素電極420覆蓋該反射區(qū)403、穿透區(qū)402與該漏極417對(duì)應(yīng)的鈍化層418表面，從而使得該像素電極420利用該連接孔419與該漏極417電連接，并在暴露出該像素電極420的穿透區(qū)402處形成穿透電極，在該具有像素電極420的凸起411表面形成反射電極。
上述半穿半反式液晶顯示器制造方法，是以蝕刻率自下而上依次增大為沉積順序，使用蝕刻率不同的多層金屬層層疊設(shè)置來作為源/漏極金屬層410，再通過一道光罩工藝在該反射區(qū)403處形成多個(gè)截面寬度自下而上逐層遞減的臺(tái)型凸起411，并且在該凸起411的基礎(chǔ)上，再經(jīng)光罩工藝形成該半穿半反式液晶顯示器的反射電極。由于該反射電極是在多個(gè)截面寬度自下而上逐層遞減的臺(tái)型凸起411的基礎(chǔ)上形成，從而使其自身也具有凸起形狀，則該半穿半反式液晶顯示器的反射率較高，反射效果也得到提升。
請(qǐng)一并參閱圖29至圖30，是本發(fā)明半穿半反式液晶顯示器制造方法第四實(shí)施方式的各步驟示意圖。該第四實(shí)施方式在該第三實(shí)施方式的各制造步驟基礎(chǔ)上，進(jìn)一步包括以下步驟步驟十，請(qǐng)參閱圖29，依次沉積一緩沖層521與一反射金屬層522在具有該像素電極520的透明絕緣基板500表面。沉積方式可采用化學(xué)氣相沉積法或物理氣相沉積法。該反射金屬層522的材料為鋁、銀或鋁釹合金。該緩沖層521的材料為鉬或鈦，其用來間隔該像素電極520與該反射金屬層522，避免二者發(fā)生電化學(xué)反應(yīng)。
步驟十一，請(qǐng)參閱圖30，沉積一第六光阻層(圖未示)在該反射金屬層522表面，并利用一第六光罩(圖未示)曝光該第六光阻層，并顯影曝光后的第六光阻層，然后以剩余第六光阻層為遮罩蝕刻該反射金屬層522與該緩沖層521。即在該穿透區(qū)502對(duì)應(yīng)的穿透電極處蝕刻掉該反射金屬層522與該緩沖層521，從而暴露出該像素電極520；在該反射區(qū)503對(duì)應(yīng)的反射電極處暴露出該反射金屬層522；在該薄膜晶體管區(qū)501處蝕刻掉該反射金屬層522與該緩沖層521，從而暴露出該像素電極520。
上述半穿半反式液晶顯示器制造方法，在像素電極520表面進(jìn)一步涂覆一緩沖層521與一反射金屬層522，并利用一道光罩工藝形成具有該反射金屬層522的反射電極。由于該反射電極不僅在多個(gè)截面寬度自下而上逐層遞減的臺(tái)型凸起基礎(chǔ)上形成，且在該凸起基礎(chǔ)上沉積一反射金屬層522，從而進(jìn)一步加強(qiáng)該反射電極的反射率，提高該半穿半反式液晶顯示器的反射效果。
權(quán)利要求
1.一種半穿半反式液晶顯示器制造方法，其包括以下步驟步驟一，提供一透明絕緣基板，其具有一薄膜晶體管區(qū)、一穿透區(qū)與一反射區(qū)；步驟二，沉積一第一金屬層與一第一光阻層在該透明絕緣基板表面，該第一金屬層是由具有不同蝕刻率的多層金屬層層疊設(shè)置而成，且各金屬層按蝕刻率自下而上依次增大的沉積順序進(jìn)行排列；步驟三，利用一第一光罩對(duì)該第一光阻層進(jìn)行曝光，并顯影該第一光阻層，然后蝕刻該第一金屬層，從而在該薄膜晶體管區(qū)形成一柵極，在該反射區(qū)形成多個(gè)截面寬度自下而上逐層遞減的臺(tái)型凸起；步驟四，沉積一柵極絕緣層在該形成有該柵極與凸起的透明絕緣基板上；步驟五，沉積一半導(dǎo)體材料層與一第二光阻層在該柵極絕緣層上，并利用一第二光罩對(duì)該第二光阻層進(jìn)行曝光，并顯影該第二光阻層，然后蝕刻該半導(dǎo)體材料層從而形成一半導(dǎo)體層；步驟六，沉積一第二金屬層與一第三光阻層在具有該半導(dǎo)體層與柵極絕緣層的透明絕緣基板上，利用一第三光罩對(duì)該第三光阻層進(jìn)行曝光，并顯影該第三光阻層，然后蝕刻該第二金屬層，從而形成一源極及一漏極；步驟七，沉積一鈍化層與一第四光阻層在該具有源極、漏極與半導(dǎo)體層的透明絕緣基板上，利用一第四光罩對(duì)該第四光阻層進(jìn)行曝光，并顯影該第四光阻層，然后蝕刻該鈍化層，從而形成一連接孔，在該連接孔處暴露出該漏極；步驟八，沉積一像素電極材料層與一第五光阻層在該鈍化層表面，利用一第五光罩曝光該第五光阻層，并顯影該第五光阻層，然后蝕刻該像素電極材料層，從而形成一像素電極，并在暴露出該像素電極的穿透區(qū)形成一穿透電極，在暴露出該像素電極的反射區(qū)形成一反射電極。
2.如權(quán)利要求1所述的半穿半反式液晶顯示器制造方法，其特征在于該第一光罩包括一遮光區(qū)與一透光區(qū)，該穿透區(qū)對(duì)應(yīng)該透光區(qū)設(shè)置，該薄膜晶體管區(qū)對(duì)應(yīng)該遮光區(qū)設(shè)置，該反射區(qū)對(duì)應(yīng)的第一光罩部分由該遮光區(qū)與透光區(qū)間隔設(shè)置而成。
3.如權(quán)利要求1所述的半穿半反式液晶顯示器制造方法，其特征在于在該像素電極表面進(jìn)一步依序沉積一緩沖層、一反射金屬層與一第六光阻層，利用一第六光罩曝光該第六光阻層，并顯影該第六光阻層，然后蝕刻該反射金屬層和緩沖層，使得該穿透區(qū)對(duì)應(yīng)的穿透電極處暴露出該像素電極，在該反射區(qū)對(duì)應(yīng)的反射電極處暴露出該反射金屬層。
4.如權(quán)利要求3所述的半穿半反式液晶顯示器制造方法，其特征在于該第六光罩包括一遮光區(qū)與一透光區(qū)，該透光區(qū)對(duì)應(yīng)該薄膜晶體管區(qū)及該穿透區(qū)設(shè)置，該遮光區(qū)對(duì)應(yīng)該反射區(qū)設(shè)置。
5.一種半穿半反式液晶顯示器制造方法，其包括以下步驟步驟一，提供一透明絕緣基板，其具有一薄膜晶體管區(qū)、一穿透區(qū)與一反射區(qū)；步驟二，沉積一柵極金屬層與一光阻層在該透明絕緣基板表面，該柵極金屬層是由具有不同蝕刻率的多層金屬層層疊設(shè)置而成，且各金屬層按蝕刻率自下而上依次增大的沉積順序進(jìn)行排列；步驟三，利用一光罩對(duì)該光阻層進(jìn)行曝光顯影，然后蝕刻該柵極金屬層，從而在該薄膜晶體管區(qū)形成一柵極，在該反射區(qū)形成多個(gè)截面寬度自下而上逐層遞減的臺(tái)型凸起；步驟四，沉積一柵極絕緣層在該形成有該柵極與凸起的透明絕緣基板上；步驟五，形成一半導(dǎo)體層在該柵極對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管區(qū)；步驟六，形成一源極與漏極在該半導(dǎo)體層表面；步驟七，沉積一鈍化層在具有該源極與漏極的透明絕緣基板上，并形成一連接孔，該連接孔暴露出該漏極；步驟八，形成一像素電極在該鈍化層表面，并在暴露出該像素電極的穿透區(qū)形成一穿透電極，在暴露出該像素電極的反射區(qū)形成一反射電極。
6.一種半穿半反式液晶顯示器制造方法，其包括以下步驟步驟一，提供一透明絕緣基板，其包括一薄膜晶體管區(qū)、一穿透區(qū)與一反射區(qū)；步驟二，沉積一第一金屬層與一第一光阻層在該透明絕緣基板上，利用一第一光罩曝光該第一光阻層，并顯影該第一光阻層，然后對(duì)該第一金屬層進(jìn)行蝕刻，從而形成一柵極在該薄膜晶體管區(qū)；步驟三，依序沉積一柵極絕緣層、一半導(dǎo)體材料層與一第二光阻層在該具有柵極的透明絕緣基板上，利用一第二光罩曝光該第二光阻層，并顯影該第二光阻層，然后蝕刻該半導(dǎo)體材料層，從而形成一半導(dǎo)體層；步驟四，沉積一第二金屬層與一第三光阻層在該柵極絕緣層與該半導(dǎo)體層表面，該第二金屬層是由具有不同蝕刻率的多層金屬層層疊設(shè)置而成，且各金屬層按蝕刻率自下而上依次增大的沉積順序進(jìn)行排列；步驟五，利用一第三光罩對(duì)該第三光阻層進(jìn)行曝光，并顯影該第三光阻層，然后蝕刻該第二金屬層，從而在該薄膜晶體管區(qū)形成一源極與一漏極，在該反射區(qū)形成多個(gè)截面寬度自下而上逐層遞減的臺(tái)型凸起；步驟六，沉積一鈍化層與一第四光阻層在該形成有源極、漏極與凸起的透明絕緣基板上，利用一第四光罩對(duì)該第四光阻層進(jìn)行曝光，并顯影該第四光阻層，然后蝕刻該鈍化層，從而形成一連接孔，在該連接孔處暴露出該漏極；步驟七，沉積一像素電極材料層與一第五光阻層在該鈍化層表面，利用一第五光罩曝光該第五光阻層，并顯影該第五光阻層，然后蝕刻該像素電極材料層，從而形成一像素電極，并在暴露出該像素電極的穿透區(qū)形成一穿透電極，在暴露出該像素電極的反射區(qū)形成一反射電極。
7.如權(quán)利要求6所述的半穿半反式液晶顯示器制造方法，其特征在于該第三光罩包括一遮光區(qū)與一透光區(qū)，該穿透區(qū)對(duì)應(yīng)該透光區(qū)設(shè)置，該薄膜晶體管區(qū)對(duì)應(yīng)該遮光區(qū)設(shè)置，該反射區(qū)對(duì)應(yīng)的第三光罩部分由該遮光區(qū)與透光區(qū)間隔設(shè)置而成。
8.如權(quán)利要求6所述的半穿半反式液晶顯示器制造方法，其特征在于在該像素電極表面進(jìn)一步依序沉積一緩沖層、一反射金屬層與一第六光阻層，利用一道光罩工藝曝光顯影該第六光阻層，然后蝕刻該反射金屬層和緩沖層，使得該穿透區(qū)對(duì)應(yīng)的穿透電極暴露出該像素電極，該反射區(qū)對(duì)應(yīng)的反射電極暴露出該反射金屬層。
9.一種半穿半反式液晶顯示器制造方法，其包括以下步驟步驟一，提供一透明絕緣基板，其包括一薄膜晶體管區(qū)、一穿透區(qū)與一反射區(qū)；步驟二，形成一柵極在該薄膜晶體管區(qū)；步驟三，沉積一柵極絕緣層在該形成有該柵極的透明絕緣基板上；步驟四，形成一半導(dǎo)體層在該柵極對(duì)應(yīng)的薄膜晶體管區(qū)；步驟五，沉積一源/漏極金屬層與一光阻層在該柵極絕緣層與該半導(dǎo)體層表面，該源/漏極金屬層是由具有不同蝕刻率的多層金屬層層疊設(shè)置而成，且各金屬層按蝕刻率自下而上依次增大的沉積順序進(jìn)行排列；步驟六，利用一光罩對(duì)該光阻層進(jìn)行曝光，并顯影該光阻層，然后蝕刻該源/漏極金屬層，從而在該薄膜晶體管區(qū)形成一源極與一漏極，在該反射區(qū)形成多個(gè)截面寬度自下而上逐層遞減的臺(tái)型凸起；步驟七，沉積一鈍化層在具有該源極、漏極與凸起的透明絕緣基板上，并形成一連接孔，該連接孔處暴露出該漏極；步驟八，形成一像素電極在該鈍化層表面，并在暴露出該像素電極的穿透區(qū)形成一穿透電極，在暴露出該像素電極的反射區(qū)形成一反射電極。
10.如權(quán)利要求9所述的半穿半反式液晶顯示器制造方法，其特征在于該光罩包括一遮光區(qū)與一透光區(qū)，該穿透區(qū)對(duì)應(yīng)該透光區(qū)設(shè)置，該薄膜晶體管區(qū)對(duì)應(yīng)該遮光區(qū)設(shè)置，該反射區(qū)對(duì)應(yīng)的光罩部分由該遮光區(qū)與透光區(qū)間隔設(shè)置而成。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種半穿半反式液晶顯示器制造方法，其包括以下步驟提供具有一薄膜晶體管區(qū)、一穿透區(qū)與一反射區(qū)的基板；在基板上沉積一第一金屬層，其由不同蝕刻率的多層金屬層層疊而成，并按蝕刻率自下而上依次增大的順序排列；經(jīng)一道光罩曝光顯影后，蝕刻該第一金屬層，在薄膜晶體管區(qū)形成柵極，在反射區(qū)形成多個(gè)截面寬度自下而上逐層遞減的臺(tái)型凸起；沉積一柵極絕緣層、一半導(dǎo)體材料層與一第二金屬層；用兩道光罩蝕刻工藝形成源極與漏極；沉積一像素電極材料層，用一道光罩蝕刻形成像素電極，并在凸起處形成反射電極，在穿透區(qū)形成穿透電極。該半穿半反式液晶顯示器具有反射率高的特點(diǎn)。
文檔編號(hào)G02F1/136GK101082721SQ20061006093
公開日2007年12月5日 申請(qǐng)日期2006年6月2日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月2日
發(fā)明者傅健忠 申請(qǐng)人:群康科技(深圳)有限公司, 群創(chuàng)光電股份有限公司