專利名稱：曝光裝置及元件制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種曝光裝置及元件制造方法，透過投影光學(xué)系統(tǒng)與液體以使基板曝光。
本案，根據(jù)2004年6月9日所申請的日本特愿2004-171115號而主張優(yōu)先權(quán)，在此援引其內(nèi)容。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體裝置或液晶顯示裝置，將形成于光罩上的圖案轉(zhuǎn)印至感光性基板上，即所謂微影方法而制造。在此微影步驟所使用的曝光裝置，具有用以支持光罩的光罩載臺、與用以支持基板的基板載臺，邊逐次移動光罩載臺與基板載臺，邊透過投影光學(xué)系統(tǒng)將光罩圖案轉(zhuǎn)印于基板上。近年來，為對應(yīng)元件圖案朝更高集積度發(fā)展，投影光學(xué)系統(tǒng)亦被期望具更高解析度。投影光學(xué)系統(tǒng)的解析度，隨著使用的曝光波長愈短、以及投影光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔徑愈大而愈高。因此，曝光裝置所使用的曝光波長逐年朝更短波長進(jìn)展，投影光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔徑亦逐漸增大。又，現(xiàn)在主流的曝光波長是KrF準(zhǔn)分子激光的248nm，然而，更短波長的ArF準(zhǔn)分子激光的193nm亦進(jìn)入實用化階段。
又，在進(jìn)行曝光時，焦點深度(DOF)與解析度同樣重要。對解析度R及焦點深度δ分別以下式表示。
R＝K1×λ/NA............(1)δ＝±K2×λ/NA2......(2)此處，λ表示曝光波長，NA表示投影光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔徑，K1、K2表示處理系數(shù)。由(1)式、(2)式可得知，若為了提高解析度R而縮短曝光波長λ、且加大數(shù)值孔徑NA，則焦點深度δ愈小。
若是焦點深度δ過小，基板表面不易與投影光學(xué)系統(tǒng)的像面一致，而會有曝光動作時的焦點裕度(margin)不足之虞。此處，舉例如下述專利文獻(xiàn)1所揭示的液浸法，乃是可實質(zhì)縮短曝光波長、且使焦點深度變大的方法。該液浸法，是在投影光學(xué)系統(tǒng)的下面與基板表面之間填滿水或有機溶劑等液體以形成液浸區(qū)域，利用曝光用光在液體中的波長為空氣中的1/n(n為液體的折射率，通常為1.2-1.6左右)的現(xiàn)象來提高解析度，同時增大焦點深度約n倍。
專利文獻(xiàn)1國際公開第99/49504號公報此外，在液浸法中，為了要以高精度來透過液體施以曝光處理及測量處理，將液體維持在所要狀態(tài)乃重要的事。因而，在液體有不良狀況時，或是在透過液體所進(jìn)行的曝光處理及測量處理有不良狀況時，依照不良狀況迅速施以適當(dāng)處置是相當(dāng)重要的。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明有鑒于此，其目的在于提供曝光裝置及元件制造方法，根據(jù)液浸法而可高精度進(jìn)行曝光處理及測量處理。
為解決上述問題，本發(fā)明如圖1-圖9所示，采用以下的構(gòu)成。
本發(fā)明的曝光裝置(EX)，在投影光學(xué)系統(tǒng)(PL)的像面?zhèn)刃纬梢后w(LQ)的液浸區(qū)域(AR2)，透過投影光學(xué)系統(tǒng)(PL)與液浸區(qū)域(AR2)的液體(LQ)使基板(P)曝光，其特征在于具備測量裝置(60)，用以測量液浸區(qū)域(AR2)形成用的液體(LQ)的性質(zhì)和/或成分。
依此發(fā)明，因為以測量裝置來測量液體的性質(zhì)和/或成分，故可根據(jù)其測量結(jié)果，來判斷液體是否是所要狀態(tài)。又，當(dāng)液體有不良狀況時，可按照不良狀況而迅速施以適當(dāng)處置。因此，可透過液體高精度的進(jìn)行曝光處理及測量處理。
此處，作為測量裝置所測量的液體的性質(zhì)或成分，其項目可舉例如液體的比電阻值、液體中的全有機碳(TOCtotal organic carbon)、含于液體中的包含微粒子(particle)或氣泡(bubble)的異物、含溶存氧(DOdissolvedoxygen)及溶存氮(DNdissolved nitrogen)的溶存氣體、以及液體中的二氧化硅濃度、生菌等。
本發(fā)明的曝光裝置(EX)，在投影光學(xué)系統(tǒng)(PL)的像面?zhèn)刃纬梢后w(LQ)的液浸區(qū)域(AR2)，并透過投影光學(xué)系統(tǒng)(PL)與液浸區(qū)域(AR2)的液體(LQ)使基板(P)曝光，其特征在于具備功能液供應(yīng)裝置(120)，用以對與液體(LQ)接觸的既定構(gòu)件(2、13、23、33、51、70等)，供應(yīng)具有既定功能的功能液。
依此發(fā)明，藉由功能液供應(yīng)裝置，將功能液供應(yīng)至與液體接觸的既定構(gòu)件，可使既定構(gòu)件對液體成為所要狀態(tài)。因此，就算既定構(gòu)件或與既定構(gòu)件接觸的液體具有不良狀況，可按照不良狀況而供應(yīng)功能液，藉此可使與既定構(gòu)件接觸的液體維持或變換成所要狀態(tài)。因此，可透過液體高精度的進(jìn)行曝光處理及測量處理。
本發(fā)明的曝光裝置(EX)，在投影光學(xué)系統(tǒng)(PL)的像面?zhèn)刃纬梢后w(LQ)的液浸區(qū)域(AR2)，并透過投影光學(xué)系統(tǒng)(PL)與液浸區(qū)域(AR2)的液體(LQ)，使設(shè)定在基板(P)上的復(fù)數(shù)個照射(shot)區(qū)域(S1-S24)依序曝光，其特征在于具備液體供應(yīng)機構(gòu)(10)，用以供應(yīng)液體(LQ)；第1液體回收機構(gòu)(20)，用以回收液體(LQ)；第2液體回收機構(gòu)(30)，用以回收第1液體回收機構(gòu)(20)未能完全回收的液體(LQ)；檢測裝置(90)，用以檢測第2液體回收機構(gòu)(30)是否已回收液體(LQ)；及記憶裝置(MRY)，使檢測裝置(90)的檢測結(jié)果與照射區(qū)域(S1-S24)建立對應(yīng)關(guān)系而予以記憶。
依此發(fā)明，使用檢測裝置來檢測第2液體回收機構(gòu)是否已回收液體，將其檢測結(jié)果與基板上的照射區(qū)域建立對應(yīng)關(guān)系，而以記憶裝置加以記憶，藉此可使用記憶裝置的記憶資訊，來解析照射區(qū)域上所發(fā)生的不良狀況的發(fā)生原因。亦即，就第2液體回收機構(gòu)有回收液體時經(jīng)曝光的照射區(qū)域而言，照射區(qū)域的曝光精度有可能發(fā)生劣化等不良狀況，但在此狀況時，可使用記憶資訊來指定不良狀況的發(fā)生原因。因此，可按照所指定的不良狀況的發(fā)生原因，迅速施以適當(dāng)處置，而可透過液體高精度的進(jìn)行曝光處理及測量處理。
本發(fā)明的元件制造方法，其特征在于，使用上述的曝光裝置(EX)來制造元件。依此發(fā)明，能在維持良好曝光精度及測量精度的狀態(tài)下來制造元件，故能制得具有所要性能的元件。
本發(fā)明的曝光裝置(EX)的維護(hù)方法，該曝光裝置(EX)在投影光學(xué)系統(tǒng)(PL)的像面?zhèn)刃纬梢后w(LQ)的液浸區(qū)域(AR2)，并透過投影光學(xué)系統(tǒng)與液浸區(qū)域的液體來使基板(P)曝光；其特征在于具有以下階段將液浸區(qū)域形成用的液體與具備既定功能的功能液(LK)置換。依此發(fā)明，與形成液浸區(qū)域的液體接觸的部分，可根據(jù)功能液的既定功能而維持。
依此發(fā)明，可透過液體高精度的進(jìn)行曝光處理及測量處理。
上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實施例，并配合附圖，詳細(xì)說明如下。


圖1是本發(fā)明的曝光裝置的一實施形態(tài)的概略構(gòu)成圖。
圖2是圖1的重要部位放大圖。
圖3是液體供應(yīng)部的概略構(gòu)成圖。
圖4是由上方俯視基板載臺PST圖。
圖5是用以說明本發(fā)明的曝光方法的流程圖。
圖6A是用以說明第1及第2液體回收機構(gòu)的液體回收動作的示意圖。
圖6B是用以說明第1及第2液體回收機構(gòu)的液體回收動作的示意圖。
圖7是本發(fā)明的曝光裝置的另一實施形態(tài)的重要部位放大圖。
圖8是使用功能液的維護(hù)方法的一例的流程圖。
圖9是半導(dǎo)體元件的制程的一例的流程圖。
2光學(xué)元件 2A液體接觸面10液體供應(yīng)機構(gòu) 11液體供應(yīng)部12供應(yīng)口13供應(yīng)管(供應(yīng)流路、流路形成構(gòu)件)13T計時器 16純水制造裝置17調(diào)溫裝置 20第1液體回收機構(gòu)21第1液體回收部 22第1回收口23回收管(回收流路、流路形成構(gòu)件)30第2液體回收機構(gòu)31第2液體回收部 32第2回收口33回收管(回收流路、流路形成構(gòu)件)51上面60測量裝置 61-64測量器(測量裝置)61K-64K分歧管(分支流路) 70第1嘴構(gòu)件70A液體接觸面 80第2嘴構(gòu)件80A液體接觸面 90檢測裝置120功能液供應(yīng)裝置(洗凈裝置) 161純水制造器(調(diào)整裝置)162超純水制造器(調(diào)整裝置) 173脫氣裝置(調(diào)整裝置)174過濾器(調(diào)整裝置) 300測量構(gòu)件(基準(zhǔn)構(gòu)件)400、500、600光測量部 AR1投影區(qū)域AR2液浸區(qū)域 EX曝光裝置INE告知裝置 MRY記憶裝置LK功能液LQ液體P基板 PL投影光學(xué)系統(tǒng)PST基板載臺 S1-S24照射區(qū)域SB1-SB5步驟具體實施方式
為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的曝光裝置及元件制造方法其具體實施方式
、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細(xì)說明如后。
圖1是本發(fā)明的曝光裝置的一實施形態(tài)的概略構(gòu)成圖。
圖1中的曝光裝置EX包含光罩載臺MST，以可移動的方式保持光罩M而移動；基板載臺PST，以可移動的方式保持基板P而移動；照明光學(xué)系統(tǒng)IL，用以將曝光用光EL照明于光罩載臺MST所支持的光罩M；投影光學(xué)系統(tǒng)PL，用以將被曝光用光EL所照明的光罩M的圖案像，投影曝光于基板載臺PST所支持的基板P上；控制裝置CONT，用以綜合控制曝光裝置EX整體的動作?？刂蒲b置CONT，與用以告知曝光處理的相關(guān)資訊的告知裝置INF相連接。告知裝置INF包含顯示裝置(顯示器)、及使用聲音或光以發(fā)出警報(警告)的警報裝置等。又，控制裝置CONT，與用以記憶曝光處理相關(guān)資訊的記憶裝置MRY相連接。曝光裝置EX整體，由電力公司所供應(yīng)的商用電源(第1驅(qū)動源)100A的電力來驅(qū)動。
本實施形態(tài)的曝光裝置EX，適用實質(zhì)縮短曝光波長以提高解析度并擴大焦點深度的液浸法的液浸曝光裝置，其具備液體供應(yīng)機構(gòu)10，用以將液體LQ供應(yīng)至基板P上；以及第1液體回收機構(gòu)20與第2液體回收機構(gòu)30，用以回收液體LQ。曝光裝置EX，至少在將光罩M的圖案像轉(zhuǎn)印至基板P上的期間，由液體供應(yīng)機構(gòu)10所供應(yīng)的液體LQ，在基板P上至少一部分(包含投影光學(xué)系統(tǒng)PL的投影區(qū)域AR1)，局部形成較投影區(qū)域AR1為大但較基板P為小的液浸區(qū)域AR2。具體而言，曝光裝置EX所采用的液浸方式，局部性地將液體填滿投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)榷瞬康墓鈱W(xué)元件2、與配置在像面?zhèn)鹊幕錚表面之間，并透過投影光學(xué)系統(tǒng)PL與基板P兩者間的液體LQ及投影光學(xué)系統(tǒng)PL，使通過光罩M的曝光用光EL照射在基板P，藉以將光罩M的圖案投影曝光至基板P上?？刂蒲b置CONT使用液體供應(yīng)機構(gòu)10以將既定量的液體LQ供應(yīng)至基板P上，且使用第1液體回收機構(gòu)20以回收基板P上的既定量的液體LQ，藉以在基板P上局部形成液體LQ的液浸區(qū)域AR2。又，第2液體回收機構(gòu)30，用以回收由液體供應(yīng)機構(gòu)10所供應(yīng)、且未能被第1液體回收機構(gòu)20完全回收的液體LQ。
又，曝光裝置EX具備測量裝置60，用以測量液浸區(qū)域AR2形成用的液體LQ的性質(zhì)和/或成分。本實施形態(tài)中的測量裝置60，測量由液體供應(yīng)機構(gòu)10所供應(yīng)的液體LQ。液體供應(yīng)機構(gòu)10包含功能液供應(yīng)裝置120，其可供應(yīng)與液浸區(qū)域AR2形成用的液體LQ具有不同功能的功能液。又，曝光裝置EX具備檢測裝置90，用以檢測第2液體回收機構(gòu)30是否已回收液體LQ。
在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)雀浇?，具體而言是投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)榷瞬康墓鈱W(xué)元件2附近，配置有詳述于后的第1嘴構(gòu)件70。第1嘴構(gòu)件70是環(huán)狀構(gòu)件，以在基板P(基板載臺PST)的上方圍繞光學(xué)元件2的周緣的方式設(shè)置。又，在以投影光學(xué)系統(tǒng)PL的投影區(qū)域AR1為基準(zhǔn)第1嘴構(gòu)件70的外側(cè)，配置有不同于第1嘴構(gòu)件70的第2嘴構(gòu)件80。第2嘴構(gòu)件80是環(huán)狀構(gòu)件，以在基板P(基板載臺PST)的上方圍繞第1嘴構(gòu)件70的周緣的方式設(shè)置。本實施形態(tài)中的第1嘴構(gòu)件70，構(gòu)成各液體供應(yīng)機構(gòu)10及第1液體回收機構(gòu)20的一部分。另一方面，第2嘴構(gòu)件80構(gòu)成第2液體回收機構(gòu)30的一部分。
本實施形態(tài)的曝光裝置EX，以使用掃描型曝光裝置(即掃描步進(jìn)機)為例的情形來說明，其使光罩M與基板P于掃描方向彼此朝不同方向(逆向)進(jìn)行同步移動，并將光罩M所形成的圖案曝光于基板P上。在以下的說明中，與投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光軸AX一致的方向設(shè)為Z軸方向，在垂直于Z軸方向的平面內(nèi)的光罩M與基板P進(jìn)行同步移動的方向(掃描方向)設(shè)為X軸方向，與X軸方向及X軸方向垂直的方向設(shè)為Y軸方向(非掃描方向)。又，繞X軸、Y軸及Z軸旋轉(zhuǎn)(傾斜)的方向，分別設(shè)為θX、θY、及θZ方向。
曝光裝置EX具備設(shè)置在地面上的底座(base)BP、及設(shè)置在底座BP上的主柱架(main column)1。在主柱架1，形成有朝內(nèi)側(cè)突出的上側(cè)段部7及下側(cè)段部8。照明光學(xué)系統(tǒng)IL，用以將曝光用光EL照明于由光罩載臺MST所支持的光罩M，其被固定在主柱架1的上部的柱架3所支持。
照明光學(xué)系統(tǒng)IL具備曝光用光源、使曝光用光源射出的光束的照度均一化的光學(xué)積分器、使來自光學(xué)積分器的曝光用光EL會聚的聚光鏡、中繼透鏡系統(tǒng)、以及將曝光用光EL對光罩M上的照明區(qū)域設(shè)定成狹縫狀的可變視野光圈等。光罩M上的既定照明區(qū)域，由照明光學(xué)系統(tǒng)IL以照度均勻分布的曝光用光EL來照明。自照明光學(xué)系統(tǒng)IL射出的曝光用光EL，可舉例為，由水銀燈所射出的紫外域光(g線、h線、i線)及KrF準(zhǔn)分子激光(波長248nm)等遠(yuǎn)紫外光(DUV光)、或ArF準(zhǔn)分子激光(波長193nm)及F2激光(波長157nm)等真空紫外光(VUV光)。本實施形態(tài)使用ArF準(zhǔn)分子激光。
本實施形態(tài)的液體LQ使用純水。純水不僅可使ArF準(zhǔn)分子激光透過，例如水銀燈所射出的紫外域光線(g線、h線、i線)以及KrF準(zhǔn)分子激光(波長248nm)等遠(yuǎn)紫外光(DUV光)，亦可透過純水。
光罩載臺MST，以可移動的方式來保持光罩M而移動。光罩載臺MST，以真空吸附(或靜電吸附)方式來保持光罩M。在光罩載臺MST的下面，設(shè)有復(fù)數(shù)個作為非接觸式軸承的空氣軸承(air bearing)45。光罩載臺MST藉由空氣軸承45，以非接觸方式被支持于光罩定盤4的上面(導(dǎo)引面)。在光罩載臺MST及光罩定盤4的中央部，分別設(shè)有供光罩M的圖案像通過的開口部MK1、MK2。光罩定盤4透過防振裝置46而由主柱架1的上側(cè)段部7所支持。亦即，光罩載臺MST透過防振裝置46及光罩定盤4而由主柱架1(上側(cè)段部7)所支持。又，光罩定盤4與主柱架1藉防振裝置46來分隔振動，避免主柱架1的振動傳達(dá)至用來支持光罩載臺MST的定盤4。
光罩載臺MST，由控制裝置CONT所控制的包含線性馬達(dá)等的光罩載臺驅(qū)動裝置MSTD來驅(qū)動，以在保持光罩M的狀態(tài)下，在光罩定盤4上的與投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光軸AX垂直的平面內(nèi)，亦即是XY平面內(nèi)，進(jìn)行2維移動及繞θZ方向的微旋轉(zhuǎn)。光罩載臺MST能以指定的掃描速度朝X軸方向移動，光罩M的全面至少具有能僅橫切于投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光軸AX的X軸方向的移動行程(stroke)。
在光罩載臺MST上，設(shè)置有移動鏡41。又，在對向于移動鏡41的位置設(shè)有激光干涉計42。在光罩載臺MST上的光罩M，其在2維方向的位置以及θZ旋轉(zhuǎn)角(視情況而有包含θX、θY方向的旋轉(zhuǎn)角)，藉由激光干涉計42作即時測量。將激光干涉計42的測量結(jié)果輸出至控制裝置CONT。控制裝置CONT根據(jù)激光干涉計42的測量結(jié)果來驅(qū)動光罩載臺驅(qū)動裝置MSTD，以進(jìn)行光罩載臺MST所支持的光罩M的位置控制。
投影光學(xué)系統(tǒng)PL以既定投影倍率β將光罩M的圖案投影曝光至基板P上，其包含設(shè)置在基板P側(cè)的前端部的光學(xué)元件2的復(fù)數(shù)個光學(xué)元件，等光學(xué)元件以鏡筒PK支持。本實施形態(tài)中的投影光學(xué)系統(tǒng)PL，投影倍率β例如為1/4、1/5或1/8的縮小系統(tǒng)。再者，投影光學(xué)系統(tǒng)PL亦可為等倍系統(tǒng)或放大系統(tǒng)的任一種。又，本實施形態(tài)中的投影光學(xué)系統(tǒng)PL的前端部光學(xué)元件2，自鏡筒PK露出，液浸區(qū)域AR2的液體LQ接觸于光學(xué)元件2。
在保持投影光學(xué)系統(tǒng)PL的鏡筒PK的外周，設(shè)有凸緣PF，投影光學(xué)系統(tǒng)PL透過凸緣PF而由鏡筒定盤5所支持。鏡筒定盤5透過防振裝置47而由主柱架1的下側(cè)段部8所支持。亦即，投影光學(xué)系統(tǒng)PL透過防振裝置47及鏡筒定盤5而由主柱架1的下側(cè)段部8所支持。又，鏡筒定盤5與主柱架1藉由防振裝置47而分隔振動，避免主柱架1的振動傳達(dá)至用以支持投影光學(xué)系統(tǒng)PL的鏡筒定盤5。
基板載臺PST以可移動的方式，來支持供保持基板P的基板保持具PH?；灞３志逷H以例如真空吸附等的方式來保持基板P。在基板載臺PST下面，設(shè)有復(fù)數(shù)個作為非接觸式軸承的空氣軸承(airbearing)48。基板載臺PST藉由空氣軸承48，以非接觸方式被支持于基板定盤6的上面(導(dǎo)引面)。基板定盤6透過防振裝置49而被支持于底座BP上。又，基板定盤6與主柱架1及底座BP(地面)藉防振裝置49來分隔振動，避免底座BP(地面)或主柱架1的振動傳達(dá)至用以支持基板載臺PST的基板定盤6。
基板載臺PST，由控制裝置CONT所控制的包含線性馬達(dá)等的基板載臺驅(qū)動裝置PSTD來驅(qū)動，在透過基板保持具PH而保持著基板P的狀態(tài)下，在基板定盤6上方的XY平面內(nèi)進(jìn)行2維移動、及繞θZ方向的微旋轉(zhuǎn)。再者，基板載臺PST亦可朝Z軸方向、θX方向、及θY方向移動。
在基板載臺PST上設(shè)有移動鏡43。又，在與移動鏡43對向的位置設(shè)有激光干涉計44。藉由激光干涉計44，可即時測量基板載臺PST上的基板P在2維方向的位置及旋轉(zhuǎn)角。又，盡管未予圖示，在曝光裝置EX中，設(shè)有例如日本特開平8-37149號公報所揭示的斜入射方式的焦點調(diào)平(focusleveling)檢測系統(tǒng)，來檢測由基板載臺PST所支持的基板P的表面的位置資訊。再者，焦點調(diào)平檢測系統(tǒng)，亦可為采用靜電電容型感測器的方式。焦點調(diào)平檢測系統(tǒng)，可檢測基板P表面在Z軸方向的位置資訊，及基板P的θX方向及θY方向的傾斜資訊。
將激光干涉計44的測量結(jié)果輸出至控制裝置CONT。焦點調(diào)平檢測系統(tǒng)的檢測結(jié)果亦輸出至控制裝置CONT?？刂蒲b置CONT根據(jù)焦點調(diào)平檢測系統(tǒng)的檢測結(jié)果，來驅(qū)動基板載臺驅(qū)動裝置PSTD，以控制基板P的對焦位置及傾斜角，俾以自動對焦方式及自動調(diào)平方式將基板P表面對位于投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面，且根據(jù)激光干涉計44的測量結(jié)果，進(jìn)行基板P在X方向及Y軸方向的位置控制。
在基板載臺PST上設(shè)有凹部50，將用以保持基板P的基板保持具PH配置在凹部50。又，在基板載臺PST中的凹部50以外的上面51，乃是與被基板保持具PH所保持的基板P的表面大致等高(同一面)的平坦面(平坦部)。又，在本實施形態(tài)中，移動鏡43的上面亦與基板載臺PST的上面51為大致同一平面。
因在基板P的周圍設(shè)置有與基板P表面大致是同一平面的上面51，因此，就算對基板P的邊緣區(qū)域施以液浸曝光時，在基板P的邊緣部位的外側(cè)幾乎沒有段差部，故可使液體LQ保持在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)榷己玫匦纬梢航^(qū)域AR2。又，基板P的邊緣部，距設(shè)置在基板P周圍的平坦面(上面)51，其間雖有0.1-2mm左右的間隙，但是，因液體LQ的表面張力所致，液體LQ幾乎不會流入間隙，即使對基板P的周緣附近曝光時，亦可藉由上面51將液體LQ保持在投影光學(xué)系統(tǒng)PL之下。
液體供應(yīng)機構(gòu)10是用以將液體LQ供應(yīng)至投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)日?，其具備可送出液體LQ的液體供應(yīng)部11；及以其一端部連接液體供應(yīng)部11的供應(yīng)管13(13A、13B)。供應(yīng)管13的另一端部與第1嘴構(gòu)件70相連。
本實施形態(tài)中，液體供應(yīng)機構(gòu)10用以供應(yīng)純水，其具備液體供應(yīng)部11、純水制造裝置16、及用來對供應(yīng)的液體(純水)LQ調(diào)整溫度的調(diào)溫裝置17。再者，純水制造裝置亦可不設(shè)置在曝光裝置EX內(nèi)，而是使用配置有曝光裝置EX的工廠內(nèi)的純水制造裝置。為了在基板P上形成液浸區(qū)域AR2，液體供應(yīng)機構(gòu)10將既定量的液體LQ，供應(yīng)到配置于投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)鹊幕錚上。
在供應(yīng)管13途中，設(shè)有測量裝置60，以對于由液體供應(yīng)機構(gòu)10的液體供應(yīng)部11所送出、待供往投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)鹊囊后wLQ，測量其性質(zhì)及成分的至少一方。如上述，因液體供應(yīng)機構(gòu)10供應(yīng)水來作為液體LQ，故測量裝置60由可測量水質(zhì)的裝置所構(gòu)成。
第1液體回收機構(gòu)20，用以回收投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)鹊囊后wLQ，其具備可回收液體LQ的第1液體回收部21，及以其一端部與第1液體回收部21相連接的回收管23?；厥展?3的另一端部與第1嘴構(gòu)件70相連。第1液體回收部21具備例如真空泵等真空系統(tǒng)(吸引裝置)26、及用來將回收液體LQ與氣體分離的氣液分離器27。又，真空系統(tǒng)，亦可不在曝光裝置EX內(nèi)設(shè)置真空泵，而是使用設(shè)置有曝光裝置EX的工廠內(nèi)的真空系統(tǒng)。為了在基板P上形成液浸區(qū)域AR2，第1液體回收機構(gòu)20，將供應(yīng)自液體供應(yīng)機構(gòu)10的基板P上的液體LQ予以回收既定量。
第2液體回收機構(gòu)30，用以回收投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)鹊囊后wLQ，其具備可回收液體LQ的第2液體回收部31，及以其一端部與第2液體回收部31相連的回收管33。回收管33的另一端部與第2嘴構(gòu)件80相連。第2液體回收部31具備例如真空泵等真空系統(tǒng)(吸引裝置)36，及用來將回收液體LQ與氣體分離的氣液分離器37等。又，真空系統(tǒng)，亦可不在曝光裝置EX內(nèi)設(shè)置真空泵，而是使用設(shè)置有曝光裝置EX的工廠內(nèi)的真空系統(tǒng)。第2液體回收機構(gòu)30，可用來回收第1液體回收機構(gòu)20所未完全回收的液體LQ。
又，第2液體回收機構(gòu)30，具有不斷電電源(第2驅(qū)動源)100B，其與作為曝光裝置EX整體(包含第1液體回收機構(gòu)20)的驅(qū)動源的商用電源100A不同。不斷電電源100B是在例如商用電源100A停電時，對第2液體回收機構(gòu)30的驅(qū)動部供應(yīng)電力(驅(qū)動力)。例如，在商用電源100A停電的狀況，第2液體回收機構(gòu)30的第2液體回收部31，由不斷電電源100B所供應(yīng)的電力來驅(qū)動。此時，包含第2液體回收部31的第2液體回收機構(gòu)30的液體回收動作，并非由控制裝置CONT所控制，而是根據(jù)例如內(nèi)設(shè)于第2液體回收機構(gòu)30的另一控制裝置發(fā)出的指令信號來控制。
再者，在商用電源100A停電時，不斷電電源100B除了對第2液體回收機構(gòu)30供電，亦可將電力供應(yīng)至控制裝置CONT。在此情形，由不斷電電源100B的電力所驅(qū)動的控制裝置CONT，亦可控制第2液體回收機構(gòu)30的液體回收動作。又，第2液體回收機構(gòu)30亦可由不斷電電源100B來持續(xù)驅(qū)動。此時，第1液體回收機構(gòu)20與第2液體回收機構(gòu)30，各由不同的電源100A、100B來驅(qū)動。
本實施形態(tài)中，由第1液體回收機構(gòu)20及第2液體回收機構(gòu)30所回收的液體LQ，回到液體供應(yīng)機構(gòu)10的液體供應(yīng)部11。亦即，本實施形態(tài)的曝光裝置EX的構(gòu)成中，具有在液體供應(yīng)機構(gòu)10、第1液體回收機構(gòu)20、及第2液體回收機構(gòu)30之間循環(huán)液體LQ的循環(huán)系統(tǒng)?；氐揭后w供應(yīng)機構(gòu)10的液體供應(yīng)部11的液體LQ，經(jīng)由純水制造裝置16予以精制后，再度供應(yīng)至投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)?基板P上)。再者，由第1、第2液體回收機構(gòu)20、30所回收的液體LQ可全部回流到液體供應(yīng)機構(gòu)10，或使其中一部分回流亦可。或者，亦可使得由第1、第2液體回收機構(gòu)20、30所回收的液體LQ并未回到液體供應(yīng)機構(gòu)10，而是將另由其他供應(yīng)源所供應(yīng)的液體LQ、或是將自來水以純水制造裝置16予以精制后，供應(yīng)至投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)?。再者，亦可依照其必要性而切換于2種模式，即，對回收的液體LQ加以精制，使再度經(jīng)循環(huán)回到液體供應(yīng)部11的第1模式及廢棄已回收的液體LQ，由液體供應(yīng)部11另供應(yīng)新的液體LQ的第2模式。
供應(yīng)管13與回收管23透過連接管9而相連。連接管9的一端部，接至供應(yīng)管13途中的既定位置，其另一端部，接至回收管23途中的既定位置。又，在供應(yīng)管13途中設(shè)有第1閥13B，用以開閉供應(yīng)管13的流路；在回收管23途中設(shè)有第2閥23B，用以開閉回收管23的流路；在連接管9途中設(shè)有第3閥9B，用以開閉連接管9的流路。第1閥13B的設(shè)置處，在供應(yīng)管13中較其與連接管9的連接位置要近于第1嘴構(gòu)件70的側(cè)；第2閥23B的設(shè)置處，在回收管23中較其與連接管9的連接位置更近于第1嘴構(gòu)件70之側(cè)。各閥13B、23B、9B的動作由控制裝置CONT所控制。藉由其等的閥13B、23B、9B，使得由液體供應(yīng)部11所送出的液體LQ變更流路。
又，第1閥13B與計時器13T相連。計時器13T可用來測量第1閥13B的開啟時間及關(guān)閉時間。又，計時器13T，可用來測知第1閥13B是否有關(guān)閉供應(yīng)管13的流路。
在計時器13T測知第1閥13B已打開供應(yīng)管13的流路時，開始時間的測量。又，在計時器13T測知第1閥13B已關(guān)閉供應(yīng)管13的流路時，亦可開始時間的測量。
計時器13可用以測量，自第1閥13B開啟供應(yīng)管13的流路時算起所經(jīng)過的時間，亦即，測量自液體供應(yīng)機構(gòu)10開始供應(yīng)液體算起所經(jīng)過的時間。由計時器13T所測得的上述經(jīng)過時間的相關(guān)資訊，被輸出至控制裝置CONT。又，計時器13T在測知第1閥13B已關(guān)閉供應(yīng)管13的流路時，除了停止時間測量動作，亦重置測量的時間(歸零)。又，計時器13T可用來測量自第1閥13B關(guān)閉供應(yīng)管13的流路算起所經(jīng)過的時間，亦即，測量自液體供應(yīng)機構(gòu)10停止液體供應(yīng)算起所經(jīng)過的時間。由計時器13T所測得的上述經(jīng)過時間的相關(guān)資訊，被輸出至控制裝置CONT。又，計時器13T在測知第1閥13B已開啟供應(yīng)管13的流路時，除了停止時間測量動作，亦重置測量的時間(歸零)。
構(gòu)成液體供應(yīng)機構(gòu)10及第1液體回收機構(gòu)20的一部分的第1嘴構(gòu)件70，由第1嘴保持構(gòu)件52所保持，第1嘴保持構(gòu)件52與主柱架1的下側(cè)段部8相連。構(gòu)成第2液體回收構(gòu)件30的一部分的第2嘴構(gòu)件80，由第2嘴保持構(gòu)件53所保持，第2嘴保持構(gòu)件53與主柱架1的下側(cè)段部8相連。第1嘴構(gòu)件70與第2嘴構(gòu)件80乃是彼此獨立的構(gòu)件。
圖2是投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)雀浇囊糠糯髨D。圖2中的第1嘴構(gòu)件70，配置在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的前端部光學(xué)元件2附近，其環(huán)狀構(gòu)件，以在基板P(基板載臺PST)的上方圍繞光學(xué)元件2的周緣的方式設(shè)置。第1嘴構(gòu)件70的中央部，具有可配置投影光學(xué)系統(tǒng)PL(光學(xué)元件2)的孔部70H。又，第1嘴構(gòu)件70的下面70A的設(shè)置，與基板載臺PST所保持的基板P對向。又，由第1嘴保持構(gòu)件52(參照圖1)所保持的第1嘴構(gòu)件70，與投影光學(xué)系統(tǒng)PL(光學(xué)元件2)彼此分離。亦即，在本身為環(huán)狀構(gòu)件的第1嘴構(gòu)件70的內(nèi)側(cè)面，與投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光學(xué)元件2的外側(cè)面之間，有間隙的存在。間隙的設(shè)置目的，是用來分隔投影光學(xué)系統(tǒng)PL與第1嘴構(gòu)件70的振動。藉此，可防止由第1嘴構(gòu)件70所產(chǎn)生的振動傳達(dá)至投影光學(xué)系統(tǒng)PL之側(cè)。
第2嘴構(gòu)件80是環(huán)狀構(gòu)件，以在基板P(基板載臺PST)的上方圍繞第1嘴構(gòu)件70的外緣的方式設(shè)置。在第2嘴構(gòu)件80的中央部，具有可用來配置第1嘴構(gòu)件70的一部分的孔部80H。又，第2嘴構(gòu)件80的下面80A的設(shè)置，與基板載臺PST所保持的基板P對向。又，由第1嘴構(gòu)件52所保持的第1嘴構(gòu)件70，與第2嘴保持構(gòu)件53(參照圖1)所保持的第2嘴構(gòu)件80彼此分離。亦即，本身為環(huán)狀構(gòu)件的第2嘴構(gòu)件80的內(nèi)側(cè)面，與第1嘴構(gòu)件70的外側(cè)面之間存有間隙。間隙的設(shè)置目的，是為了分離第1嘴構(gòu)件70與第2嘴構(gòu)件80的振動。藉此，可防止由第2嘴構(gòu)件80產(chǎn)生的振動傳達(dá)至第1嘴構(gòu)件70之側(cè)。
又，透過第1、第2嘴保持構(gòu)件52、53來支持第1、第2嘴構(gòu)件70、80的主柱架1，與透過凸緣PF來支持投影光學(xué)系統(tǒng)PL的鏡筒PK的鏡筒定盤5，透過防振裝置47，以分隔振動。因此，可防止第1嘴構(gòu)件70及第2嘴構(gòu)件80所發(fā)生的振動傳達(dá)至投影光學(xué)系統(tǒng)PL。又，透過第1、第2嘴保持構(gòu)件而支持第1、第2嘴構(gòu)件70、80的主柱架1，與用來支持基板載臺PST的基板定盤6，透過防振裝置49，以分隔振動。因此，可防止第1嘴構(gòu)件70及第2嘴構(gòu)件80所發(fā)生的振動，透過主柱架1及底座BP而傳達(dá)至基板載臺PST。又，透過第1、第2嘴保持構(gòu)件52、53而支持第1、第2嘴構(gòu)件70、80的主柱架1，與用來支持光罩載臺MST的光罩定盤4，透過防振裝置46，以分隔振動。因此，可防止第1嘴構(gòu)件70及第2嘴構(gòu)件80所產(chǎn)生的振動，透過主柱架1而傳達(dá)至光罩載臺MST。
在第1嘴構(gòu)件70的下面70A，設(shè)有構(gòu)成液體供應(yīng)機構(gòu)10的一部分的供應(yīng)口12(12A、12B)。本實施形態(tài)中設(shè)有2個供應(yīng)口12(12A、12B)，隔著投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光學(xué)元件2(投影區(qū)域AR1)而設(shè)置在X軸方向兩側(cè)。本實施形態(tài)中的供應(yīng)口12A、12B雖形成為略圓形，但橢圓形、矩形、狹縫狀等任意的形狀亦可。又，供應(yīng)口12A、12B彼此約略等大亦可，彼此大小有異亦宜。
在第1嘴構(gòu)件70的下面70A，以投影光學(xué)系統(tǒng)PL的投影區(qū)域AR1作為基準(zhǔn)的供應(yīng)口12的外側(cè)，設(shè)有構(gòu)成第1液體回收機構(gòu)20的一部分的第1回收口22。第1回收口22為環(huán)狀，以在第1嘴構(gòu)件70的下面70A繞投影區(qū)域AR1、供應(yīng)口12A和12B的方式而設(shè)置。又，在第1回收口22設(shè)有多孔體22P。
供應(yīng)管13的另一端部，與形成在第1嘴構(gòu)件70的內(nèi)部的供應(yīng)流路14的一端部相連。另一方面，第1嘴構(gòu)件70的供應(yīng)流路14的另一端部，與形成于第1嘴構(gòu)件70的下面70A的供應(yīng)口12相連。此處，形成于第1嘴構(gòu)件70的內(nèi)部的供應(yīng)流路14，自途中開始分支，能各以其另一端部與復(fù)數(shù)個(2個)供應(yīng)口12(12A、12B)相連。
液體供應(yīng)部11的液體供應(yīng)動作由控制裝置CONT所控制。為了要形成液浸區(qū)域AR2，控制裝置CONT由液體供應(yīng)機構(gòu)10的液體供應(yīng)部11來送出液體LQ。由液體供應(yīng)部11所送出的液體LQ，流經(jīng)供應(yīng)管13后，流入形成于第1嘴構(gòu)件70的內(nèi)部的供應(yīng)流路14的一端部。又，流入供應(yīng)流路14的一端部的液體LQ，在途中分支之后，藉由形成于第1嘴構(gòu)件70的下面70A的復(fù)數(shù)個(2個)供應(yīng)口12A、12B，供應(yīng)至光學(xué)元件2與基板P間的空間。
回收管23的另一端部，與形成于第1嘴構(gòu)件70的內(nèi)部且構(gòu)成第1回收流路24的一部分的歧管(manifold)流路24M的一端部相連。另一方面，歧管流路24M的另一端部，形成與第1回收口22相對應(yīng)的俯視環(huán)狀，其與連接于第1回收口22的構(gòu)成第1回收流路24的一部分的環(huán)狀流路24K的一部分相連接。
第1液體回收部21的液體回收動作由控制裝置CONT所控制。控制裝置CONT為了回收液體LQ，而驅(qū)動第1液體回收機構(gòu)20的第1液體回收部21。借著具有真空系統(tǒng)26的第1液體回收部21的驅(qū)動，在基板P上的液體LQ，透過設(shè)置在基板P的上方的第1回收口22，鉛直的朝上(+Z方向)流入環(huán)狀流路24K。由+Z方向流入環(huán)狀流路24K的液體LQ，在歧管流路24M匯集后，流動于歧管流路24M。之后，液體LQ透過回收管23而被第1液體回收部21所吸引回收。
在第2嘴構(gòu)件80的下面80A，設(shè)有構(gòu)成第2液體回收機構(gòu)30的一部分的第2回收口32。第2回收口32形成于，第2嘴構(gòu)件80的中與基板P對向的下面80A。第2嘴構(gòu)件80設(shè)置在第1嘴構(gòu)件70的外側(cè)，設(shè)置于第2嘴構(gòu)件80的第2回收口32，其設(shè)置位置，相對于投影光學(xué)系統(tǒng)PL的投影區(qū)域AR1，在較設(shè)置于第1嘴構(gòu)件70的第1回收口22更居于外側(cè)的處。第2回收口32以圍繞第1回收口22的方式而形成為環(huán)狀。
回收管33的另一端部，與形成在第2嘴構(gòu)件80的內(nèi)部且構(gòu)成第2回收流路34的一部分的歧管流路34M的一端部相連。另一方面，歧管流路34M的另一端部，形成為與第2回收口32相對應(yīng)的俯視環(huán)狀，其與連接回收口32的構(gòu)成第2回收流路34的一部分的環(huán)狀流路34K的一部分相連。
第2液體回收部31的液體回收動作由控制裝置CONT所控制?？刂蒲b置CONT為了要回收液體LQ，而驅(qū)動第2液體回收機構(gòu)30的第2液體回收部31。藉由具有真空部36的第2液體回收部31的驅(qū)動，基板P上的液體LQ，透過設(shè)置在基板P的上方的第2回收口32，鉛直地向上(+Z方向)流入環(huán)狀流路34K。由+Z方向流入環(huán)狀流路34K的液體LQ，在歧管流路34M聚集后，流動于歧管流路34M。之后，液體LQ透過回收管33而被第2液體回收部31所吸引回收。又，本實施形態(tài)中，控制裝置CONT藉第2液體回收機構(gòu)30的液體回收動作(吸引動作)，持續(xù)在基板P的液浸曝光中及曝光前后進(jìn)行。
測量裝置60，用以對液體供應(yīng)機構(gòu)10所供應(yīng)的液體LQ測量其性質(zhì)或成分(水質(zhì))。由測量裝置60所測量的液體LQ的性質(zhì)或成分，在考慮對曝光裝置EX的曝光精度的影響或?qū)ζ毓庋b置EX本身的影響后而決定。表1是以一例來表示，液體LQ的性質(zhì)或成分、及其對曝光裝置EX的曝光精度或曝光裝置EX本身的影響。如同表1所示，液體LQ的性質(zhì)或成分，可舉例為比電阻、金屬離子、全有機碳(TOCtotal organic carbon)、微粒子與氣泡、生菌、溶存氧(DOdissolved oxygen)、溶存氮(DNdissolved nitrogen)等。另一方面，會對曝光裝置EX的曝光精度或?qū)ζ毓庋b置EX本身產(chǎn)生影響的項目，可舉例為透鏡(特別是光學(xué)元件2)的濁度；水痕(因液體LQ的蒸發(fā)，使液體中的雜質(zhì)固化后所殘留的附著物)的發(fā)生；因折射率變化或光的散亂而導(dǎo)致的光學(xué)性能的劣化；對光阻處理(光阻圖案的形成)的影響；以及各構(gòu)件所發(fā)生的銹蝕等。表1所示，對何種性質(zhì)或成分會對何種性能產(chǎn)生何種程度的影響，作一匯整陳示，對于被預(yù)測為有不可輕忽的影響者，賦與“○”的記號。藉測量裝置60的待測量的液體LQ的性質(zhì)或成分，根據(jù)對曝光裝置EX的曝光精度或曝光裝置EX本身帶來的影響，而由表1中按照必要性予以選擇。當(dāng)然，可對所有項目皆予測量，亦可測量未示于表1中的性質(zhì)或成分。
為了要測量基于上述觀點而選擇的項目，在測量裝置60具有復(fù)數(shù)個測量器。在測量裝置60中的測量器例如有用以測量比電阻值的比電阻計、用以測量全有機碳的TOC計、用以測量包含微粒子及氣泡的異物的微粒子測量計、用以測量溶存氧(溶存氧濃度)的DO計、用以測量溶存氮(溶存氮濃度)的DN計、用以測量二氧化硅濃度的二氧化硅計、及可分析生菌種類或數(shù)量的分析器等。本實施形態(tài)中的一例，選擇全有機碳、微粒子氣泡、溶存氧、及比電阻值作為測量項目，如圖2所示般，測量裝置60包含用以測量全有機碳的TOC計61、用以測量包含微粒子及氣泡的異物的微粒子測量計62、用以測量溶存氧的溶存氧計(DO計)63、及比電阻計64。
(表一)

如圖2所示，TOC計61連接于，自相連于供應(yīng)口12的供應(yīng)管(供應(yīng)流路)13的途中所分支出來的分歧管(分支流路)61K。由液體供應(yīng)部11所送出，流經(jīng)供應(yīng)管13的液體LQ中，一部分的液體LQ由第1嘴構(gòu)件70的供應(yīng)口12供應(yīng)至基板P上，其余的一部分，流向分歧管61K而流入TOC計61。TOC計61，對于流經(jīng)由分歧管61K所形成的分支流路的液體LQ，測量其中的全有機碳(TOC)。同樣的，微粒子測量計62、溶存氧計63、及比電阻計64，分別與自供應(yīng)管13的途中分支出來的分歧管62K、63K、64K相連，以對于流經(jīng)由等分歧管62K、63K、64K所形成的分支流路的液體LQ，測量其中的異物(微粒子或氣泡)、溶存氧、及比電阻值。再者，上述二氧化硅計或生菌分析器，亦可與分支自供應(yīng)管13途中的分歧管相連接。
本實施形態(tài)中，分歧管61K-64K形成為各自獨立的分支流路，各測量器61-64分別與上述彼此獨立的分支流路相連。亦即，復(fù)數(shù)個測量器61-64透過并聯(lián)方式透過分歧管61K-64K與供應(yīng)管13相連。再者，測量器的構(gòu)成，亦可透過串聯(lián)方式使復(fù)數(shù)個復(fù)數(shù)個測量器與供應(yīng)管13相連，例如，以第1的測量器來測量自供應(yīng)管13分支出來的液體LQ，以第2的測量器來測量已通過第1的測量器的液體LQ。再者，可能因分歧管(分支地點)的數(shù)目或位置相異而發(fā)生異物(微粒子)，因此，可考慮異物發(fā)生的可能性，來設(shè)定分歧管的數(shù)目或位置。又，亦可在沿供應(yīng)管13的復(fù)數(shù)個位置配置同一種類的測量器。藉由種配置，可以指定究竟在供應(yīng)管13的那一位置有液體LQ的性質(zhì)或成分的變化，而易于追究變化的原因。
本實施形態(tài)中的測量裝置60，對于流經(jīng)分支流路(由供應(yīng)管13所形成的供應(yīng)流路途中所分支出來)的液體LQ，以線內(nèi)(in-line)的方式測量其性質(zhì)或成分。藉由線內(nèi)方式的采用，由于在測量裝置60持續(xù)供應(yīng)液體LQ，故可在曝光中及曝光前后持續(xù)以測量裝置60來測量液體LQ的性質(zhì)或成分(水質(zhì))。亦即，測量裝置60的液體LQ測量，能與基板P的液浸曝光動作并行。將測量裝置60的測量結(jié)果輸出至控制裝置CONT?？刂蒲b置CONT可根據(jù)測量裝置60的測量結(jié)果，對于由液體供應(yīng)機構(gòu)10供應(yīng)至基板P上的液體LQ，予以持續(xù)監(jiān)測其性質(zhì)或成分(水質(zhì))。
再者，為了要指定含于液體LQ中的金屬離子的種類，可對液體LQ進(jìn)行取樣，使用與曝光裝置EX不同的另行設(shè)置的分析裝置，來指定金屬離子的種類。藉此，可按照所指定的金屬離子來施以適當(dāng)處置。又，亦可為了要測量含于液體LQ中的雜質(zhì)，而對液體LQ進(jìn)行取樣，使用與曝光裝置EX不同的另行設(shè)置的全蒸發(fā)殘渣計，以測量液體LQ中的全蒸發(fā)殘渣量。此時，亦可由分析裝置及全蒸發(fā)殘渣計定期的自動對液體LQ進(jìn)行取樣，將金屬離子的種類或全蒸發(fā)殘渣計等的測量結(jié)果，自動通知曝光裝置EX。曝光裝置EX將通知的測量結(jié)果，與預(yù)為記憶的基準(zhǔn)值作比較，在超過基準(zhǔn)值時，則發(fā)出警報。
檢測裝置90，用以檢測第2液體回收機構(gòu)30是否有回收液體LQ。本實施形態(tài)中的檢測裝置90，以光學(xué)方式來檢測液體LQ是否有流入第2液體回收機構(gòu)30的回收管33，藉以檢測出液體LQ是否透過第2液體回收機構(gòu)30的第2回收口32而回收。檢測裝置90具備用以射出檢測光La的投射部91，及用以接收檢測光La的受光部92。在回收管33途中，設(shè)有可透過檢測光La的透過窗93、94。檢測裝置90透過投射部91而對透過窗93照射檢測光La。通過透過窗93的檢測光La，在通過回收管33的內(nèi)側(cè)后，經(jīng)透過窗94而由受光部92所接收。將受光部92的受光結(jié)果輸出至控制裝置CONT。在回收管33的內(nèi)側(cè)(檢測光La的光路上)，在有液體LQ及無液體LQ時，受光部92的受光量會呈現(xiàn)不同數(shù)值。因此，控制裝置CONT可根據(jù)受光部92的受光結(jié)果，判斷回收管33有無液體LQ(是否流動)，亦即，可判斷第2回收機構(gòu)30是否有回收液體LQ。
又，所適用的檢測裝置90，只要可檢測出是否有透過第2回收口32而回收液體LQ即可，例如，亦可以是設(shè)置在回收管33內(nèi)側(cè)的液體感測器。又，液體感測器的設(shè)置位置，并不限于在回收管33途中，亦可在例如第2嘴構(gòu)件80的第2回收口32附近、或第2回收流路34的內(nèi)側(cè)。又，作為所使用的檢測裝置90，亦可是在例如回收管33途中預(yù)設(shè)流量控制器(流量檢測器)，以根據(jù)流量控制器的檢測結(jié)果，判斷是否有透過第2回收口32來回收液體LQ。
又，由包含投射部及受光部所構(gòu)成的上述檢測裝置90、或由流量控制器所構(gòu)成的檢測裝置，可檢測第2液體回收機構(gòu)30的每單位時間的液體回收量。
圖3是液體供應(yīng)部11的詳細(xì)構(gòu)成圖。液體供應(yīng)部11具備純水制造裝置16、及用以對純水制造裝置16所制造的液體LQ調(diào)整溫度的調(diào)溫裝置17。純水制造裝置16包含純水制造器161，用以對包含浮游物或雜質(zhì)等的水施以精制作業(yè)，以制得具既定純度的純水；及超純水制造器162，其由純水制造器161制造的純水中，進(jìn)一步去除其雜質(zhì)，以制得更高純度的純水(超純水)。純水制造器161(或超純水制造器162)，具備離子交換膜或微粒子過濾器等液體改質(zhì)構(gòu)件、及紫外光照射裝置(UV燈)等液體改質(zhì)裝置，藉由其等液體改質(zhì)構(gòu)件及液體改質(zhì)裝置，可將液體的比電阻值、異物(微粒子、氣泡)的量、全有機碳、及生菌數(shù)量等，調(diào)整為所要值。
又，如上述，由第1液體回收機構(gòu)20及第2液體回收機構(gòu)30所回收的液體LQ，回到液體供應(yīng)機構(gòu)10的液體供應(yīng)部11。具體而言，由第1液體回收機構(gòu)20及第2液體回收機構(gòu)30所回收的液體LQ，透過回注管18，供應(yīng)到液體供應(yīng)部11的純水制造裝置16(純水制造器161)?；刈⒐?8，設(shè)有用來開閉回注管18的流路的閥18B。純水制造裝置16，將透過回注管18而回來的液體經(jīng)使用上述液體改質(zhì)構(gòu)件及液體改質(zhì)裝置等予以精制后，供應(yīng)至調(diào)溫裝置17。又，在液體供應(yīng)部11的純水制造裝置16(純水制造器161)，透過供應(yīng)管19而與功能液供應(yīng)裝置120相連。功能液供應(yīng)裝置120可用以供應(yīng)，與形成液浸區(qū)域AR2的液體LQ不同、具有既定功能的功能液LK。本實施形態(tài)中的功能液供應(yīng)裝置120，乃供應(yīng)具殺菌作用的液體(功能液)LK。在供應(yīng)管19，設(shè)有用來開閉供應(yīng)管19的流路的閥19B?？刂蒲b置CONT在使閥18B動作而打開回注管18的流路以供應(yīng)液體LQ時，使閥19B動作而關(guān)閉供應(yīng)管19的流路，以停止功能液LK的供應(yīng)。另一方面，控制裝置CONT在使閥19B動作而開啟供應(yīng)管19的流路以供應(yīng)功能液LK時，使閥18B動作而關(guān)閉回注管18的流路，以停止液體LQ的供應(yīng)。
調(diào)溫裝置17，用來對由純水制造裝置16所制造、且供應(yīng)至供應(yīng)管13的液體(純水)調(diào)整溫度，使其一端部與純水制造裝置16(超純水制造器162)相連，使另一端部與供應(yīng)管13接連，在對純水制造裝置16制出的液體LQ施以調(diào)溫后，將業(yè)已調(diào)整溫度的液體LQ送至供應(yīng)管13。調(diào)溫裝置17中具備粗調(diào)溫器171，用以對來自純水制造裝置16的超純水制造器162的液體LQ，進(jìn)行粗調(diào)溫；流量控制器172，設(shè)置在粗調(diào)溫器171的流路下游側(cè)(近供應(yīng)管13的側(cè))，用以控制流向供應(yīng)管13的側(cè)的液體LQ的每單位時間流量；脫氣裝置173，用以降低通過流量控制器172的液體LQ中的溶存氣體濃度(溶存氧濃度、溶存氮濃度)；過濾器174，用以去除已由脫氣裝置173脫氣的液體LQ中的異物(微粒子、氣泡)；及微調(diào)溫器175，用以對通過過濾器174的液體LQ進(jìn)行溫度微調(diào)。
粗調(diào)溫器171，對于由超純水制造器162送出的液體LQ以粗略精度來調(diào)溫，使其溫度與目標(biāo)溫度(例如23℃)達(dá)到例如±0.1℃的粗略精度。流量控制器172配置在粗調(diào)溫器171與脫氣裝置173之間，以對于已由粗調(diào)溫器171而調(diào)溫的液體LQ，控制其對于脫氣裝置173側(cè)的每單位時間的流量。
脫氣裝置173配置在粗調(diào)溫器171與微調(diào)溫器175之間，具體而言是配置在流量控制器172與過濾器174之間，以使流量控制器172送出的液體LQ脫氣，降低液體LQ中的溶存氣體濃度。所使用的脫氣裝置173，可使用減壓裝置等周知的脫氣裝置，以利用對供應(yīng)的液體LQ減壓的方式來脫氣。又，亦可使用例如包含脫氣過濾器的裝置，以利用中空纖維膜過濾層等來使液體LQ氣液分離，并使用真空系統(tǒng)來去除分離出來的氣體成分；或者使用是包含脫氣泵的裝置，以利用離心力使液體LQ氣液分離，并使用真空系統(tǒng)來去除業(yè)已分離的氣體成分等。脫氣裝置173，利用包含上述脫氣過濾器的液體改質(zhì)構(gòu)件或包含上述脫氣泵的液體改質(zhì)裝置，將溶存氣體濃度調(diào)整成所要值。
過濾器174配置在粗調(diào)溫器171與微調(diào)溫器175之間，具體而言是在脫氣裝置173與微調(diào)溫器175之間，以對于由脫氣裝置173送出的液體LQ去除其中異物。在通過流量控制器172或脫氣裝置173時，亦有可能將微量異物(particle)混入液體LQ中，但藉由將過濾器174設(shè)置在流量控制器172或脫氣裝置173的下游側(cè)(供應(yīng)管13之側(cè))的作法，可利用過濾器174來去除異物。所使用的過濾器174，可為中空纖維膜過濾層或微粒子過濾器等周知的過濾器。包含上述微粒子過濾器等液體改質(zhì)構(gòu)件的過濾器174，將液體中的異物(微粒子、氣泡)調(diào)整為容許值以下。
微調(diào)溫器175配置在粗調(diào)溫器171與供應(yīng)管13之間，具體而言是在過濾器174與供應(yīng)管13之間，用以高精度的調(diào)整液體LQ的溫度。例如，微調(diào)溫器175對于過濾器174送出的液體LQ進(jìn)行溫度的微調(diào)，使其溫度(溫度穩(wěn)定性、溫度均一性)對目標(biāo)溫度達(dá)到±0.01℃-±0.001℃的高精度。本實施形態(tài)中，在構(gòu)成調(diào)溫裝置17的復(fù)數(shù)個機器中，微調(diào)溫器175配置在最靠近液體LQ的供應(yīng)對象、即基板P之處，因此，可將經(jīng)高精度調(diào)溫的液體LQ供應(yīng)至基板P上。
再者，過濾器174的配置，以在調(diào)溫裝置17內(nèi)的粗調(diào)溫器171與微調(diào)溫器175之間為較佳，然而，亦可配置在調(diào)溫裝置17內(nèi)的其他位置，亦可配置在調(diào)溫裝置17以外。
如上述，純水制造器161、超純水制造器162、脫氣裝置173、及過濾器174等，分別具備液體改質(zhì)構(gòu)件及液體改質(zhì)裝置，以構(gòu)成用來調(diào)整液體LQ的水質(zhì)(性質(zhì)或成分)的調(diào)整裝置。上揭各裝置161、162、173、174的構(gòu)成，分別設(shè)置在液體供應(yīng)機構(gòu)10的中的液體LQ的流經(jīng)流路內(nèi)的復(fù)數(shù)個既定位置。再者，于本實施形態(tài)中，雖對1臺的曝光裝置EX配置1臺液體供應(yīng)部11(參照圖1)，但其作法不在此限，亦可將1臺液體供應(yīng)部11共用在復(fù)數(shù)臺的曝光裝置EX。如此一來，液體供應(yīng)部11的占有面積(底面積)可以縮減。或者，亦可將構(gòu)成液體供應(yīng)部11的純水制造裝置16與調(diào)溫裝置17予以分割，使純水制造裝置16共用于復(fù)數(shù)臺的曝光裝置EX，且對每一曝光裝置EX配置有調(diào)溫裝置17。如此，可在縮減底面積的同時，亦能對各曝光裝置進(jìn)行溫度管理。又，在上述的狀況中，若將由復(fù)數(shù)臺曝光裝置EX所共用的液體供應(yīng)部11或純水制造裝置16，配置在異于曝光裝置EX所設(shè)置的地面(例如設(shè)在地板下)，則能進(jìn)一步有效利用設(shè)置有曝光裝置EX的潔凈室的空間。
接著，邊參照圖4及圖5的流程圖，以說明如何使用具上述構(gòu)成的曝光裝置EX將光罩M的圖案像曝光于基板P的方法。
圖4是由上方觀看基板載臺PST的俯視圖。圖4中，由未圖示的搬送系統(tǒng)(負(fù)載裝置)而被搬入(載置)于基板載臺PST上的基板，在其上面，設(shè)定有復(fù)數(shù)個照射區(qū)域S1-S24。在基板P上的復(fù)數(shù)個照射區(qū)域S1-S24，各自附隨有對準(zhǔn)標(biāo)記(alignment mark)AM。又，在基板載臺PST上的既定位置，配置有基準(zhǔn)構(gòu)件(測量構(gòu)件)300，其包含有，例如由日本特開平4-65603號公報所揭示的基板對準(zhǔn)系統(tǒng)來測量的基準(zhǔn)標(biāo)記PFM、及由特開平7-176468號公報所揭示的光罩對準(zhǔn)系統(tǒng)來測量的基準(zhǔn)標(biāo)記MFM。又，在基板載臺PST上的既定位置設(shè)有光測量部，例如特開昭57-117238號公報所揭示的照度不均感測器、特開2002-14005號公報所揭示的空間像測量感測器500、特開平11-16816號公報所揭示的照射量感測器(照度感測器)600。上揭的測量構(gòu)件300、光測量部400、500、600各自的上面，與基板載臺PST的上面51大致呈同一平面。
在開始基板P的曝光之前，控制裝置CONT使用基板對準(zhǔn)系統(tǒng)、光罩對準(zhǔn)系統(tǒng)、及基準(zhǔn)構(gòu)件300等，用以測量，上述基板對準(zhǔn)系統(tǒng)的檢測基準(zhǔn)位置與光罩M的圖案像的投影位置的位置關(guān)系[基線(base line)量]。在測量基準(zhǔn)構(gòu)件300上的基準(zhǔn)標(biāo)記MFM、PFM時的基板載臺PST的位置，以激光干涉計44來測量。又，在基板P的曝光開始之前，控制裝置CONT使用設(shè)置在基板載臺PST上的各光測量部400、500、600，以進(jìn)行測量處理，根據(jù)測量結(jié)果，進(jìn)行透鏡校正等各種修正處理(步驟SA1)。
例如，在使用光罩對準(zhǔn)系統(tǒng)以進(jìn)行測量處理時，控制裝置CONT進(jìn)行基板載臺PST的位置控制以使投影光學(xué)系統(tǒng)PL與基準(zhǔn)構(gòu)件300對向，由液體供應(yīng)機構(gòu)10及第1液體回收機構(gòu)20進(jìn)行液體供應(yīng)動作及液體回收動作，在基準(zhǔn)構(gòu)件300上形成有液體LQ的液浸區(qū)域AR2的狀態(tài)下，透過投影光學(xué)系統(tǒng)PL及液體LQ來測量基準(zhǔn)構(gòu)件300上的基準(zhǔn)標(biāo)記MFM。同樣的，在使用各光測量部400、500、600以進(jìn)行測量處理時，控制裝置CONT在光測量部400、500、600上形成有液體LQ的液浸區(qū)域AR2的狀態(tài)下，透過液體LQ進(jìn)行測量處理。在藉由液體供應(yīng)機構(gòu)10將液體LQ供應(yīng)至包含有測量構(gòu)件及光測量部的基板載臺PST上時，控制裝置CONT乃是在以第3閥9B來關(guān)閉連接管9的流路的狀態(tài)下，驅(qū)動第1閥13B以開啟供應(yīng)管13的流路。又，在形成液浸區(qū)域AR2時，控制裝置CONT驅(qū)動第2閥23B以開啟回收管23的流路。如所揭示者，在曝光前的測量動作中，透過液體LQ來進(jìn)行測量。又，在形成液浸區(qū)域AR2時，液浸區(qū)域AR2的液體LQ，與投影光學(xué)系統(tǒng)PL中最靠近像面?zhèn)鹊墓鈱W(xué)元件2的下面(液體接觸面)2A、或嘴構(gòu)件70、80的下面(液體接觸面)70A、80A接觸。再者，在包含測量構(gòu)件300、及光測量部400、500、600的基板載臺PST的上面51，亦與液體LQ接觸。
接著，控制裝置CONT為了要重迭于基板P以進(jìn)行曝光，使用基板對準(zhǔn)系統(tǒng)來測量，各自附隨于基板P上的復(fù)數(shù)個照射區(qū)域S1-S24而形成的對準(zhǔn)標(biāo)記AM?；鍖?zhǔn)系統(tǒng)在測量對準(zhǔn)標(biāo)記AM時的基板載臺PST的位置，由激光干涉計44來測量?？刂蒲b置CONT根據(jù)對準(zhǔn)標(biāo)記AM的檢測結(jié)果，藉以取得，在激光干涉計44所規(guī)定的座標(biāo)系內(nèi)，照射區(qū)域S1-S24相對于基板對準(zhǔn)系統(tǒng)的檢測基準(zhǔn)位置的位置資訊，按照位置資訊與先行測得的基線量，使基板載臺PST移動，以使光罩M的圖案像的投影位置與照射區(qū)域S1-S24位置重迭。此處，在本實施形態(tài)中，于測量對準(zhǔn)標(biāo)記AM或基準(zhǔn)標(biāo)記PFM時，并未在基板P上(基板載臺PST上)形成液浸區(qū)域AR2，于基板對準(zhǔn)系統(tǒng)的非液浸狀態(tài)(干狀態(tài))測量對準(zhǔn)標(biāo)記AM。當(dāng)并未于基板P上(基板載臺PST上)形成液浸區(qū)域AR2的狀況時，控制裝置CONT在使用第1閥13B以關(guān)閉供應(yīng)管13的流路的狀態(tài)下，驅(qū)動第3閥9B以開啟連接管9的流路。藉此，由包含調(diào)溫裝置17的液體供應(yīng)部11流入供應(yīng)管13的液體LQ，乃是透過連接管9而流向回收管23。
亦即，本實施形態(tài)中，包含調(diào)溫裝置17的液體供應(yīng)部11持續(xù)驅(qū)動，以朝投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)裙?yīng)液體時，控制裝置CONT驅(qū)動第1閥13B以開啟供應(yīng)管13的流路，且藉第3閥9B以關(guān)閉連接管9的流路，以將自液體供應(yīng)部11送出的液體LQ，供應(yīng)到投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)取Ａ硪环矫妫跓o須朝投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)裙?yīng)液體時，控制裝置CONT驅(qū)動第3閥9B以開啟連接管9的流路，且，藉第1閥13B來關(guān)閉供應(yīng)管13的流路，使得自液體供應(yīng)部11送出的液體LQ并未供應(yīng)到投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)龋峭高^回收管23而由液體回收部21所回收。
繼而，控制裝置CONT輸出開始液浸曝光的指令信號(步驟SA2)?？刂蒲b置CONT在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光學(xué)元件2與包含基板P的基板載臺PST上的既定區(qū)域?qū)ο虻臓顟B(tài)下，藉第3閥9B來關(guān)閉連接管9的流路，驅(qū)動第1閥13B以開啟供應(yīng)管13的流路，開始由液體供應(yīng)機構(gòu)10朝基板P上供應(yīng)液體LQ。又，控制裝置CONT在開始由液體供應(yīng)機構(gòu)10供應(yīng)液體LQ的大致同一時間，開始由第1液體回收機構(gòu)20進(jìn)行液體回收。此處，液體供應(yīng)機構(gòu)10的每單位時間液體供應(yīng)量、及第1液體回收機構(gòu)20的每單位時間液體回收量，大致為一定值。為對基板P施以液浸曝光而形成的液浸區(qū)域AR2的液體LQ，與光學(xué)元件2的下面2A或第1嘴構(gòu)件70的下面70A接觸。再者，第1液體回收機構(gòu)20的液體回收動作(吸引動作)，可在開始以液體供應(yīng)機構(gòu)10供應(yīng)液體之前(在停止液體供應(yīng)的狀態(tài)也算)進(jìn)行。又，如上述，第2液體回收機構(gòu)30持續(xù)驅(qū)動，由第2液體回收機構(gòu)30透過第2回收口32的吸引動作持續(xù)進(jìn)行。
接著，待第1閥13B的開放經(jīng)過既定時間，形成液浸區(qū)域AR2之后，控制裝置CONT在投影光學(xué)系統(tǒng)PL與基板P對向的狀態(tài)下，將曝光用光EL照射于基板P，使光罩M的圖案像透過投影光學(xué)系統(tǒng)PL與液體LQ而曝光于基板P上。此處，之所以在第1閥13B的開放未達(dá)既定時間前不進(jìn)行曝光，其原因在于，惟恐在甫開放閥時因閥的動作所生的氣泡殘存于液浸區(qū)域AR2內(nèi)。在進(jìn)行基板P的曝光時，與液體供應(yīng)機構(gòu)10的液體LQ的供應(yīng)并行，控制裝置CONT亦由第1液體回收機構(gòu)20來進(jìn)行液體LQ的回收，一邊使支持基板P的基板載臺PST朝X軸方向(掃描方向)移動，一邊將光罩M的圖案像透過投影光學(xué)系統(tǒng)PL與基板P間的液體LQ、及投影光學(xué)系統(tǒng)PL，投影曝光在基板P上。
本實施形態(tài)的曝光裝置EX，使光罩M與基板P邊朝X軸方向(掃描方向)移動邊使光罩M的圖案像投影曝光至基板P者，在掃描曝光時，將光罩M的一部份的圖案像透過液浸區(qū)域AR2的液體LQ及投影光學(xué)系統(tǒng)PL投影在投影區(qū)域AR1內(nèi)，光罩M以速度V朝-X方向(或+X方向)同步移動，基板P則以β×V(β為投影倍率)的速度相對于投影區(qū)域AR1朝+X方向(或-X方向)移動。在基板P上所設(shè)定的復(fù)數(shù)個照射區(qū)域S1-S24中，于結(jié)束對1個照射區(qū)域的曝光后，基板P以步進(jìn)方式移動至下一個照射區(qū)域的掃描開始位置，之后再以步進(jìn)掃描方式邊移動基板P邊依序?qū)Ω髡丈鋮^(qū)域S1-S24進(jìn)行掃描曝光處理。又，在對設(shè)定于基板P的周邊區(qū)域的照射區(qū)域(例如照射區(qū)域S1、S4、S21、S24等)進(jìn)行液浸曝光時，較投影區(qū)域AR1為大的液浸區(qū)域AR2的液體LQ與基板載臺PST的上面51接觸。
在液浸曝光中，由液體供應(yīng)機構(gòu)10朝基板P上供應(yīng)液體LQ時的液體LQ的性質(zhì)或成分(水質(zhì))，由測量裝置60來持續(xù)測量(監(jiān)測)。將測量裝置60的測量結(jié)果輸出至控制裝置CONT，控制裝置CONT將測量裝置60的測量結(jié)果(監(jiān)測資訊)記憶在記憶裝置MRY(步驟SA3)。
控制裝置CONT將測量裝置60的測量結(jié)果與經(jīng)過時間建立對應(yīng)關(guān)系，記憶于記憶裝置MRY?？刂蒲b置CONT可根據(jù)例如計時器13T的輸出，將第1閥13B開啟供應(yīng)管13的流路的時點，作為測量經(jīng)過時間的開始點(基準(zhǔn))，將測量裝置60的測量結(jié)果與經(jīng)過時間建立對應(yīng)關(guān)系而記憶在記憶裝置MRY。在以下的說明中，將測量裝置60的測量結(jié)果與經(jīng)過時間建立對應(yīng)關(guān)系后而予以記憶的資訊，稱為“第1登錄資訊”。
又，控制裝置CONT將測量裝置60的測量結(jié)果與有待曝光的照射區(qū)域S1-S24建立對應(yīng)關(guān)系，記憶于記憶裝置MRY?？刂蒲b置CONT，可根據(jù)例如進(jìn)行基板載臺PST的位置測量的激光干涉計44的輸出，求得由激光干涉計44所規(guī)定的座標(biāo)系的照射區(qū)域S1-S24的位置資訊，已求得位置資訊的照射區(qū)域被施以曝光時的測量裝置60的測量結(jié)果，與照射區(qū)域建立對應(yīng)關(guān)系，記憶于記憶裝置MRY。再者，在由測量裝置60來測量液體LQ的時點，以及上述的被測量液體LQ供應(yīng)至基板P上(照射區(qū)域上)的時點，隨著測量裝置60的取樣點(分歧管)與供應(yīng)口12的距離，而有時間方面的遲滯，因此，只要考慮上述距離來對記憶于記憶裝置MRY的資訊施以補償即可。在以下的說明中，將測量裝置60的測量結(jié)果與照射區(qū)域建立對應(yīng)關(guān)系后而記憶的資訊，稱為“第2登錄資訊”。
控制裝置CONT對測量裝置60的測量結(jié)果60判斷是否異常(步驟SA4)。又，控制裝置CONT根據(jù)上述判斷結(jié)果來控制曝光動作。
此處的測量裝置60的測量結(jié)果異常，其所指的狀況，是測量裝置60所測量的各項目(比電阻值、TOC、異物、溶存氣體濃度、二氧化硅濃度、生菌等)的測量值超過容許范圍外，透過液體LQ所進(jìn)行的曝光處理及測量處理無法在所要狀態(tài)下進(jìn)行。例如，當(dāng)液體LQ的比電阻值較容許值(舉一例而言25℃中的18.2MΩ□cm)為小的狀況(異常的狀況)，在液體LQ中可能含有較多的鈉離子等金屬離子。一旦以含過多種金屬離子的液體LQ在基板P上形成液浸區(qū)域AR2，液體LQ的金屬離子可能會滲透基板P上的感光材料，附著在業(yè)已形成在感光材料下方的元件圖案(配線圖案)，以致引發(fā)元件的動作不良等不良狀況。又，若個別針對液體LQ中的離子來觀之，金屬離子較容許值(一例而言為3ppt，更佳為1ppt)為多的狀況時、含硼較容許值(一例而言為3ppt，更佳為1ppt)為多的狀況時、含二氧化硅較容許值(一例而言為1ppt，更佳為0.75ppt)為多的狀況時、含陰離子較容許值(一例而言為400ppt)為多的狀況時，可能發(fā)生與上述相同的污染，致引發(fā)元件的動作不良等不良狀況。又，在液體LQ中的全有機碳的值較容許值(舉一例而言，如5.0ppb，更佳為1.0ppb)為大的狀況時(異常的狀況)，可能降低液體LQ的光透過率。此狀況，將劣化透過液體LQ的曝光精度、或由光測量部透過液體LQ的測量精度。具體而言，一旦液體LQ的光透過率下降而造成基板P上的曝光量變動，在基板P上所形成的曝光線寬會有不均一性。又，由于光透過率的下降，液體LQ會因光透過率的下降程度而多吸引光的能量，而使液體溫度上升。由于溫度上升，會造成投影光學(xué)系統(tǒng)PL的焦點位置的不均一性。如此，液體LQ的光透過率的下降會招致曝光精度的惡化。在此處，須考慮上述事項，對液體LQ要求有既定的光透過率，而限定相對應(yīng)的全有機碳(TOC)的值。舉一例而言，在液體LQ所要求的光透過率，為液體LQ的厚度每1mm達(dá)99％以上，與其相對應(yīng)的，液體LQ的TOC要在1.0ppb以下。又，當(dāng)液體LQ中包含微粒子或氣泡的異物量較容許值(舉一例而言，大小在0.1μm以上者，在1ml中為0.1個，更佳為0.02個)為多時(異常的狀況時)，透過液體LQ而轉(zhuǎn)印在基板P上的圖案發(fā)生缺陷的可能性提高。又，當(dāng)液體LQ中含溶存氧及溶存氮的溶存氣體(溶存氣體濃度)的值，較容許值(舉一例而言，在溶存氧的狀況為3ppb，較佳為1ppb。在溶存氮的狀況為3ppm)為大時(異常的狀況時)，例如，透過供應(yīng)口12朝基板P上供應(yīng)的液體LQ有朝著大氣開放時，較可能因液體LQ中的溶存氣體而在液體LQ中產(chǎn)生氣泡。一旦在液體LQ中產(chǎn)生氣泡，與上述相同的，轉(zhuǎn)印在基板P上的圖案發(fā)生缺陷的可能性升高。又，當(dāng)生菌的量較容許值(舉一例而言，如1.0cfu/L，更佳為0.1cfu/L)為大時(異常的狀況時)，液體LQ受到污染而劣化光透過率。再者，當(dāng)生菌的量過多時，會污染與液體LQ接觸的構(gòu)件(嘴構(gòu)件70、光學(xué)元件2、基板載臺PST、供應(yīng)管13、回收管23、33等。)又，當(dāng)由光阻所溶出的PAG(Photo Acid Generator光酸產(chǎn)生劑)較容許值(舉一例而言，如7.4×10-13mol/cm2)為多時、胺類較容許值(舉一例而言，如3.1×10-13mol/cm2)為多時，在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光學(xué)元件2會因附著水痕等而有濁度。
在液浸曝光中(液體LQ的供應(yīng)中)，當(dāng)判斷測量裝置60的測量結(jié)果并無異常時，控制裝置CONT乃繼續(xù)液浸曝光動作(步驟SA5)。另一方面，在液浸曝光中(液體LQ的供應(yīng)中)，當(dāng)判斷測量裝置60的測量結(jié)果有異常時，控制裝置CONT乃停止曝光動作(步驟SA6)。此時，控制裝置CONT可驅(qū)動第1閥13B以關(guān)閉供應(yīng)管13的流路，停止液體LQ的供應(yīng)。又，在停止曝光動作之后，亦可使用嘴構(gòu)件70、第1液體回收機構(gòu)20來回收基板P上的殘留液體LQ。此狀況時，亦可使回收的液體LQ不回到液體供應(yīng)部11而徑予廢棄，而將新的液體LQ注入液體供應(yīng)部11，以置換液體LQ整體。再者，在回收基板P上的殘留液體LQ后，可將基板P由基板載臺PST搬出(卸載)。藉此，可避免因為透過異常的液體LQ來持續(xù)進(jìn)行曝光處理而形成過多不良照射(不良基板)等非理想狀況。
又，控制裝置CONT將測量裝置60的測量結(jié)果(監(jiān)測資訊)由告知裝置INF來進(jìn)行告知(步驟SA7)。例如，可將液體LQ中所含有的TOC或是溶存氣體濃度隨時間經(jīng)過的變動量的相關(guān)資訊、或是對復(fù)數(shù)個照射區(qū)域S1-S24中某個照射區(qū)域(例如照射區(qū)域S15)施以曝光時，含于其液體LQ中的TOC或溶存氣體濃度的相關(guān)資訊，由構(gòu)成中有包含顯示裝置的告知裝置INF來顯示之。又，在判斷測量裝置60的測量結(jié)果有異常狀況時，控制裝置CONT可由告知裝置INF發(fā)出警報(警告)等，以藉由告知裝置INF來告知，測量結(jié)果發(fā)生異常的訊息。又，當(dāng)測量裝置60沿供應(yīng)管13而在復(fù)數(shù)個位置設(shè)有同一種類的測量器時，控制裝置CONT可根據(jù)等測量器的測量結(jié)果，從而指定在那一區(qū)間有發(fā)生異常狀況。又，可利用告知裝置INF來告知，在某一區(qū)間有發(fā)生異常的訊息，而能促使對區(qū)間進(jìn)行調(diào)查，以謀求不良狀況的盡早解決。
又，如上述，液體供應(yīng)部11分別具有液體改質(zhì)構(gòu)件及液體改質(zhì)裝置，具有復(fù)數(shù)個調(diào)整裝置(純水制造器161、超純水制造器、脫氣裝置173、過濾器174等)來調(diào)整液體LQ的水質(zhì)(性質(zhì)或成分)?？刂蒲b置CONT可根據(jù)測量裝置60的測量結(jié)果，從復(fù)數(shù)個調(diào)整裝置中指定至少一個調(diào)整裝置，由告知裝置INF來告知已指定的調(diào)整裝置的相關(guān)資訊。例如，根據(jù)測量裝置60中的DO計或DN計的測量結(jié)果，而判斷溶存氣體濃度有異常時，控制裝置CONT藉由告知裝置INF來顯示(告知)，在復(fù)數(shù)個調(diào)整裝置中須盡速維護(hù)(檢查、交換)例如脫氣裝置173的脫氣過濾器或脫氣泵。又，當(dāng)根據(jù)測量裝置60中的比電阻計的測量結(jié)果而判斷液體LQ的比電阻值有異常時，控制裝置CONT乃利用告知裝置INF來顯示(告知)，在復(fù)數(shù)個調(diào)整裝置中須盡速維護(hù)(檢查、交換)例如純水制造裝置的離子交換膜。又，當(dāng)根據(jù)測量裝置60中的TOC計的測量結(jié)果而判斷液體LQ的全有機碳有異常時，控制裝置CONT乃利用告知裝置INF來顯示(告知)，在復(fù)數(shù)個調(diào)整裝置中須盡速維護(hù)(檢查、交換)例如純水制造裝置16的UV燈。又，當(dāng)根據(jù)測量裝置60中的微粒子測量器的測量結(jié)果而判斷液體LQ中的異物(微粒子、氣泡)的量有異常時，控制裝置CONT乃利用告知裝置INF來顯示(告知)，在復(fù)數(shù)個調(diào)整裝置中須盡速維護(hù)(檢查、交換)例如過濾器174或純水制造裝置16的微粒子過濾器。又，當(dāng)根據(jù)測量裝置60中的生菌分析器的分析結(jié)果而判斷液體LQ中的生菌量有異常時，控制裝置CONT乃利用告知裝置INF來顯示(告知)，在復(fù)數(shù)個調(diào)整裝置中須盡速維護(hù)(檢查、交換)例如純水制造裝置16的UV燈。又，當(dāng)根據(jù)測量裝置60中的二氧化硅計的測量結(jié)果而判斷液體LQ中的二氧化硅濃度有異常時，控制裝置CONT乃利用告知裝置INF來顯示(告知)，在復(fù)數(shù)個調(diào)整裝置中須盡速維護(hù)(檢查、交換)例如純水制造裝置16的二氧化硅去除濾網(wǎng)。又，控制裝置CONT亦可根據(jù)液體LQ的水質(zhì)(性質(zhì)或成分)的狀態(tài)來控制閥18B，停止液體LQ的循環(huán)。此時，控制裝置CONT亦可將已受污染的液體LQ全數(shù)回收及廢棄，而將新的液體LQ注入液體供應(yīng)部11，以將系統(tǒng)內(nèi)的液體LQ換新。
又，控制裝置CONT就算在判斷液體LQ有異常狀況，亦可持續(xù)曝光動作。又，例如在對照射區(qū)域S15曝光時，測量裝置60的微粒子測量器的測量結(jié)果判定為異常，控制裝置CONT將與照射區(qū)域S15建立對應(yīng)關(guān)系的微粒子測量器的測量結(jié)果、即顯示異常的訊息，作為第2登錄資訊，記憶在記憶裝置MRY。接著，在對所有的照射區(qū)域S1-S24進(jìn)行曝光之后，根據(jù)記憶在記憶裝置MRY的第2登錄資訊，使控制裝置CONT采取措施，例如，將有可能因液體LQ的異常(存有異物)而發(fā)生圖案轉(zhuǎn)印不良的照射區(qū)域S15予以去除，或是在其后的重迭曝光時不予曝光等。又，經(jīng)檢查照射區(qū)域S15，所形成的圖案并無異常時，并不去除照射區(qū)域S15而是使用照射區(qū)域S15而繼續(xù)形成元件。或者，控制裝置CONT亦可利用告知裝置INF來告知，與照射區(qū)域S15建立對應(yīng)關(guān)系的微粒子測量器的測量結(jié)果有異常的訊息。如上述，控制裝置CONT除了能將測量裝置60的測量結(jié)果即時地由告知裝置INF來顯示以作為監(jiān)測資訊之用，亦可由告知裝置INF來顯示登錄資訊。
又，控制裝置CONT亦可根據(jù)測量裝置60的測量結(jié)果來控制曝光動作。例如，如上述，在基板P的曝光前，使用光測量部600來測量曝光用光EL的照射量(照度)(步驟SA1)，根據(jù)其測量結(jié)果將曝光用光EL的照射量(照度)作最佳設(shè)定(補償)后，開始曝光動作，但是，例如在基板P的曝光中，有可能因液體LQ中的TOC變動，而使液體LQ的光透過率改變。一旦液體LQ的光透過率改變，在基板P上的曝光量(積算曝光量)產(chǎn)生變動，其結(jié)果，形成于照射區(qū)域的元件圖案的曝光線寬有可能發(fā)生不均一性的狀況。此處，可預(yù)為取得液體LQ中的TOC與此時的液體LQ的光透過率的關(guān)系，記憶在記憶裝置MRY，由控制裝置CONT根據(jù)上述記憶資訊及測量裝置60(TOC計61)的測量結(jié)果來控制曝光量，以防止上述不良狀況。亦即，控制裝置CONT可根據(jù)上述記憶資訊來導(dǎo)出隨液體LQ的TOC變動的光透過率，施以控制，以使到達(dá)基板P的曝光量成為一定。按照TOC計61所測得的TOC的變化，來控制基板P上的曝光量，可使基板內(nèi)(照射區(qū)域間)、或基板間的曝光量成為一定，能防止曝光線寬的不均一性。
再者，TOC與液體LQ的光透過率的關(guān)系，可藉由以光測量部600透過液體LQ進(jìn)行的測量處理來取得。本實施形態(tài)中，使用激光來作為曝光用光EL的光源，故可使用控制每1脈沖的能量(光量)、或控制脈沖數(shù)等方法，來控制基板P上的曝光量?；蛘?，亦可借著控制基板P的掃描速度，來控制基板P上的曝光量。再者，使用光測量部600的測量動作(步驟SA1)，其進(jìn)行時間，在曝光程序中每隔既定的時間間隔、或每隔既定的處理基板片數(shù)，上述的曝光量的補償控制，在上述曝光程序中的測量動作之間進(jìn)行，對每次的測量動作實施重新設(shè)定。
如以上所揭示者，借著設(shè)置測量裝置60用以測量液體LQ的性質(zhì)及成分至少一方，可根據(jù)其測量結(jié)果，判斷用以形成液浸區(qū)域AR2的液體LQ是否在所要狀態(tài)(異常與否)。又，當(dāng)測量裝置60的測量結(jié)果有異常時，可迅速采取適當(dāng)處置以使液體LQ成為所要狀態(tài)，或控制曝光動作來防止曝光精度的劣化。又，可根據(jù)測量裝置60的測量結(jié)果來使液體LQ成為所要狀態(tài)，藉此，使用測量構(gòu)件及光測量部透過液體LQ進(jìn)行的測量處理，其精度得以維持。
例如，根據(jù)比電阻計64的測量結(jié)果而判斷液體LQ的比電阻值有異常時，可迅速施以適當(dāng)處置(離子交換膜的維護(hù)等)以使比電阻值成為所要值，以防止發(fā)生元件的動作不良等異狀。同樣的，根據(jù)TOC計的測量結(jié)果而判斷液體LQ的全有機碳的值有異常時，可迅速施以適當(dāng)處置(UV燈的維護(hù)等)以使全有機碳的值成為所要值，以維持良好的曝光精度及測量精度。又，根據(jù)微粒子測量器62的測量結(jié)果而判斷液體LQ中的異物量有異常時，可迅速施以適當(dāng)處置(微粒子過濾器的維護(hù)等)以使異物的量成為所要值，可防止在轉(zhuǎn)印圖案發(fā)生缺陷等不良狀況。又，根據(jù)DO計63(或DN計)的測量結(jié)果而判斷液體LQ中的溶存氧(溶存氮)的值有異常時，可迅速施以適當(dāng)處置(脫氣泵的維護(hù)等)以使溶存氧(溶存氮)的值成為所要值，而可防止氣泡的發(fā)生，避免在轉(zhuǎn)印圖案發(fā)生缺陷等不良狀況。同樣的，能根據(jù)生菌分析器的分析結(jié)果，迅速采取適當(dāng)處置以使生菌的量成為所要值；或是根據(jù)二氧化硅計的測量結(jié)果，迅速采取適當(dāng)處置以使二氧化硅濃度的值成為所要值，以維持液體(純水)的水質(zhì)，而使透過液體LQ的曝光精度及測量精度得以維持。
此外，在基板P的液浸曝光中，第1液體回收機構(gòu)20有可能未能徹底回收液體LQ，而使液體LQ流出至第1回收口22的外側(cè)。又，在第1液體回收機構(gòu)20發(fā)生某種異常而不能有液體回收動作之時、或是液體供應(yīng)機構(gòu)10因某方面異常而有誤動作，致供應(yīng)出大量的液體LQ，也有可能僅憑第1液體回收機構(gòu)20不能徹底回收液體LQ。在此狀況，第2液體回收機構(gòu)30透過第2回收口32，將第1液體回收機構(gòu)20回收不徹底而流向第1回收口22外側(cè)的液體LQ予以回收。如圖6A的示意圖所示般，在第1液體回收機構(gòu)20徹底回收液體LQ時，由第2嘴構(gòu)件80的第2回收口32并未回收液體LQ，而僅回收氣體(空氣)。另一方面，如圖6B的示意圖所示般，第1液體回收機構(gòu)20對液體LQ回收不徹底而有液體LQ流向第1回收口22外側(cè)時，由第2嘴構(gòu)件80的第2回收口32，將液體LQ連同其周圍的氣體一起(仿如咬入的動作般)回收。借著第2液體回收機構(gòu)30的設(shè)置，可防止液體LQ從基板P上(基板載臺PST上)流出。因此，可防止因流出液體LQ而導(dǎo)致機械零件(構(gòu)件)等有銹蝕或?qū)е买?qū)動系統(tǒng)(周邊機器)漏電的現(xiàn)象、或避免因流出液體LQ的氣化導(dǎo)致基板P的置放環(huán)境發(fā)生變化(濕度變動等)等，而能防止曝光精度及測量精度的劣化。又，可持續(xù)驅(qū)動第2液體回收機構(gòu)30而持續(xù)進(jìn)行回收動作(吸引動作)，以確實回收液體LQ。
本實施形態(tài)的第1液體回收機構(gòu)20的構(gòu)成，僅用來回收液體LQ，故在回收液體LQ時不會產(chǎn)生大的振動。另一方面，第2液體回收機構(gòu)30的構(gòu)成，將液體LQ連同其周圍的氣體一起回收，在從第2液體回收機構(gòu)30的第2回收口來回收液體LQ時，有一起回收液體LQ周圍的氣體(仿如咬入的動作般)的狀況時，可能因回收的液體LQ成為液滴狀而碰觸于回收流路或回收管的內(nèi)壁，而在第2嘴構(gòu)件80發(fā)生振動。一旦在第2嘴構(gòu)件80發(fā)生振動，振動可能會透過主柱架1的下側(cè)段部8而傳達(dá)至第1嘴構(gòu)件70，而使與第1嘴構(gòu)件70接觸的液體LQ的液浸區(qū)域AR2振動，進(jìn)而使與液浸區(qū)域AR2接觸的基板P或基板載臺PST振動。
又，盡管如以上所述，已利用防振裝置47來分隔第2嘴構(gòu)件80與投影光學(xué)系統(tǒng)PL的振動，但由第2嘴構(gòu)件80發(fā)生的振動仍可能使投影光學(xué)系統(tǒng)PL振動，而使得透過投影光學(xué)系統(tǒng)PL及液體LQ的成像特性受到劣化。又，亦可能因為第2嘴構(gòu)件80所發(fā)生的振動，使得液浸區(qū)域AR2的液體LQ振動，以致隨振動而劣化成像特性。
本實施形態(tài)，在液浸曝光中及透過液體LQ的測量動作中(步驟SA1)，第2液體回收機構(gòu)30是否已回收液體LQ，是由檢測裝置90來持續(xù)施以檢測(監(jiān)測)。將檢測裝置90的檢測結(jié)果輸至控制裝置CONT，控制裝置CONT將檢測裝置90的檢測結(jié)果(監(jiān)測資訊)記憶于記憶裝置MRY(步驟SA8)。
控制裝置CONT將檢測裝置90的檢測結(jié)果與經(jīng)過時間建立對應(yīng)關(guān)系，記憶在記憶裝置MRY?？刂蒲b置CONT可根據(jù)例如計時器13T的輸出，將第1閥13B開啟供應(yīng)管13的流路的時點，作為經(jīng)過時間的測量開始點(基準(zhǔn))，將檢測裝置90的檢測結(jié)果與經(jīng)過時間建立對應(yīng)關(guān)系，記憶在記憶裝置MRY。在以下的說明中，將檢測裝置90的檢測結(jié)果與經(jīng)過時間建立對應(yīng)關(guān)系后所記憶的資訊，稱為“第3登錄資訊”。
又，控制裝置CONT將檢測裝置90的測量結(jié)果與有待曝光的照射區(qū)域S1-S24建立對應(yīng)關(guān)系，記憶在記憶裝置MRY?？刂蒲b置CONT可根據(jù)于，例如對基板載臺PST進(jìn)行位置測量的激光干涉計44的輸出，求得由激光干涉計44所規(guī)定的座標(biāo)系內(nèi)的照射區(qū)域S1-S24的位置資訊，將已求得位置資訊的照射區(qū)域被施以曝光時的檢測裝置90的檢測結(jié)果，與照射區(qū)域建立對應(yīng)關(guān)系而記憶于記憶裝置MRY。再者，基板P上(照射區(qū)域上)的液體LQ透過第2回收口32而被回收的時點，與已回收液體LQ流經(jīng)回收管23而由檢測裝置90檢測的時點，隨著檢測裝置90的檢測區(qū)域(相當(dāng)于透過窗93、94的位置)與第2回收口32的距離，而有時間的遲滯，因此，只要考慮上述距離而對記憶于記憶裝置MRY的資訊予以補償即可。在以下的說明中，將檢測裝置90的檢測結(jié)果與照射區(qū)域建立對應(yīng)關(guān)系后而記憶的資訊，稱為“第4登錄資訊”。
又，檢測裝置90可檢測出第2液體回收機構(gòu)30的每單位時間的液體回收量?？刂蒲b置CONT將檢測裝置90所檢測出的上述每單位時間液體回收量的相關(guān)資訊，記憶在記憶裝置MRY。又，上述每單位時間液體回收量的相關(guān)資訊，亦可與經(jīng)過時間建立對應(yīng)關(guān)系而作為上述第3登錄資訊而記憶，亦可與照射區(qū)域建立對應(yīng)關(guān)系而作為上述第4登錄資訊而記憶。
借著設(shè)置檢測裝置90，以檢測第2液體回收機構(gòu)30是否已回收液體LQ，而能根據(jù)其測量結(jié)果來判斷，在進(jìn)行液浸曝光時的狀態(tài)是否在所要狀態(tài)。亦即，控制裝置CONT可根據(jù)檢測裝置90的檢測結(jié)果來判斷，在使基板P(照射區(qū)域)曝光時，是否有隨第2液體回收機構(gòu)30的液體回收動作而發(fā)生振動。在發(fā)生振動的狀態(tài)下將光罩M的圖案像曝光，其照射區(qū)域的圖案轉(zhuǎn)印精度頗有可能劣化。在此處，控制裝置CONT可根據(jù)檢測裝置90的檢測結(jié)果來施以適當(dāng)處置，以避免制造出不良的照射(不良基板)，或維持良好的曝光精度及測量精度。
控制裝置CONT根據(jù)檢測裝置90的檢測結(jié)果來判斷，第2液體回收機構(gòu)30是否有回收液體LQ(步驟SA9)。又，控制裝置CONT根據(jù)上述判斷結(jié)果來控制曝光動作。具體而言，在液浸曝光中(液體LQ的供應(yīng)中)，當(dāng)判斷第2液體回收機構(gòu)30并未回收液體LQ時，控制裝置CONT乃持續(xù)液浸曝光動作(步驟SA5)。另一方面，在液浸曝光中(液體LQ的供應(yīng)中)，當(dāng)判斷第2液體回收機構(gòu)30有回收液體LQ時，控制裝置CONT乃停止曝光動作(步驟SA6)。又，在停止曝光動作后，亦可由基板載臺PST搬出(卸載)基板P。藉此作法，并不會在隨第2液體回收機構(gòu)30的液體回收動作而發(fā)生振動的狀態(tài)下，仍持續(xù)曝光處理的進(jìn)行，而能避免形成大量不良照射(不良基板)等非所要狀態(tài)。
或者，控制裝置CONT在根據(jù)檢測裝置90的檢測結(jié)果判斷第2液體回收機構(gòu)30有回收液體LQ時，亦可停止來自液體供應(yīng)機構(gòu)10的液體供應(yīng)。當(dāng)?shù)?液體回收機構(gòu)30回收液體LQ時，液體LQ流出的可能性高，因此，在狀況時，借著停止來自液體供應(yīng)機構(gòu)10的液體供應(yīng)，可防止液體LQ的流出?；蛘?，當(dāng)判斷第2液體回收機構(gòu)30有回收液體LQ時，控制裝置CONT亦可對用來驅(qū)動基板載臺PST的致動器(線性馬達(dá))之類的電氣機器停止電力供應(yīng)。在第2液體回收機構(gòu)30有回收液體LQ時，液體LQ流出的可能性高，因此，在該狀況中，若停止對電氣機器的電力供應(yīng)，就算流出的液體LQ觸及電氣機器，仍可防止漏電的發(fā)生。
又，控制裝置CONT利用告知裝置INF來告知，檢測裝置90的檢測結(jié)果(監(jiān)測資訊)(步驟SA7)。例如，可將第2液體回收機構(gòu)30有回收液體LQ的訊息，由構(gòu)成中包含警報裝置的告知裝置INF來發(fā)出警報(警告)?；蛘撸瑢⒌?液體回收機構(gòu)30的每單位時間液體回收量的相關(guān)資訊、或是對復(fù)數(shù)個照射區(qū)域S1-S24中的某個區(qū)域(例如照射區(qū)域S15)施以曝光時第2液體回收機構(gòu)30是否已回收液體LQ的相關(guān)資訊，由構(gòu)成中包含顯示裝置的告知裝置INF來顯示的。
又，因檢測裝置90亦可檢測出第2液體回收機構(gòu)30的每單位時間的液體回收量，故告知裝置INF亦可顯示液體回收量。
又，控制裝置CONT就算判斷出第2液體回收機構(gòu)30有回收液體LQ，仍可持續(xù)曝光動作。又，例如在對照射區(qū)域S15進(jìn)行曝光時，經(jīng)判斷，第2液體回收機構(gòu)30有回收液體LQ，控制裝置CONT可將第2液體回收機構(gòu)30有回收液體LQ的訊息與照射區(qū)域S15建立對應(yīng)關(guān)系，作為第4登錄資訊，記憶在記憶裝置MRY。接著，對所有的照射區(qū)域S1-S24俱予曝光后，控制裝置CONT根據(jù)由記憶裝置MRY所記憶的第4登錄資訊而施以處置，例如，將有可能因第2液體回收機構(gòu)30的液體回收(振動的發(fā)生)而有圖案轉(zhuǎn)印不良狀況的照射區(qū)域S15予以去除、或者在其后的重迭曝光時不予曝光等。又，檢查照射區(qū)域S15，所形成的圖案并無異常的狀況時，并不去除照射區(qū)域S15，而使用照射區(qū)域S15以繼續(xù)形成元件?；蛘?，控制裝置CONT亦可利用告知裝置INF來告知，有與照射區(qū)域S15建立對應(yīng)關(guān)系，在對照射區(qū)域S15曝光時，第2液體回收機構(gòu)30有回收液體LQ的訊息。如所揭示者，控制裝置CONT除了可由告知裝置INF來即時地顯示檢測裝置90的檢測結(jié)果以作為監(jiān)測資訊，亦可由告知裝置INF來顯示登錄資訊。
又，在第2液體回收機構(gòu)30有回收液體LQ仍持續(xù)曝光動作的狀況中，在對設(shè)定于基板P上的復(fù)數(shù)個照射區(qū)域S1-S24中的第1照射區(qū)域(例如照射區(qū)域S15)的曝光中，當(dāng)已經(jīng)由檢測裝置90檢測出第2液體回收機構(gòu)30有液體回收之時，應(yīng)等候至檢測裝置90未檢測出液體LQ為止，方對接續(xù)于第1照射區(qū)域(S15)的第2照射區(qū)域(S16)施以曝光。相對于以曝光用光EL朝1個照射區(qū)域的照射時間(例如數(shù)百毫秒)，由第2液體回收機構(gòu)30來回收液體LQ的時間(亦即發(fā)生振動的時間)較長之時(例如數(shù)秒)，若對復(fù)數(shù)個照射區(qū)域連續(xù)的曝光，乃是在發(fā)生振動的狀態(tài)下使上述復(fù)數(shù)個照射區(qū)域接受曝光。此處乃設(shè)置有第1個照射區(qū)域曝光后的等候時間，等候至檢測裝置90不再測得第2液體回收機構(gòu)30有回收液體(等候至振動平息后)，方對照射區(qū)域再度開始曝光動作，藉此而可防止不良照射的發(fā)生。再者，亦可預(yù)在第2嘴構(gòu)件80設(shè)置加速度感測器(振動感測器)，在對第1照射區(qū)域曝光后，等候至振動感測器的檢測值降到容許值以下后，方對第2照射區(qū)域進(jìn)行曝光。
在結(jié)束基板P的液浸曝光后，控制裝置CONT乃停止由液體供應(yīng)機構(gòu)10透過供應(yīng)口12來供應(yīng)液體LQ的動作。接著，透過第1液體回收機構(gòu)20的第1回收口22、及第2液體回收機構(gòu)30的第2回收口32，來回收基板P上或基板載臺PST上的殘留液體LQ。又，在結(jié)束基板P上的液體LQ的回收動作后，將已結(jié)束曝光處理的基板P由基板載臺PST卸載(步驟SA10)。
在結(jié)束液浸曝光后，控制裝置CONT在使用第1閥13B以關(guān)閉供應(yīng)管13的流路的狀態(tài)下，驅(qū)動第3閥9B以開啟連接管9的流路。藉此作法，由包含調(diào)溫裝置17的液體供應(yīng)部11所流入供應(yīng)管13的液體LQ，透過連接管9而流向回收管23，在無須供應(yīng)液體時，由液體供應(yīng)部11送出的液體LQ并未供應(yīng)到基板P上，而是透過回收管23而由液體回收部21所回收。
又，在將業(yè)已曝光處理完畢的基板P由基板載臺PST卸載后，將有待曝光處理的新的基板P，載置于基板載臺PST。又，重復(fù)上述的曝光程序。在記憶裝置MRY，累積及保存有上述的第1-第4登錄資訊。
如以上所述，在記憶裝置MRY，記憶著與液體LQ的性質(zhì)或成分(水質(zhì))相關(guān)的第1、第2登錄資訊，以及與第2液體回收機構(gòu)30的液體回收動作(回收狀況)相關(guān)的第3、第4登錄資訊。使用等登錄資訊，可用于曝光不良(錯誤)的解析或曝光裝置EX的管理(步驟SA11)。
例如，可根據(jù)第1、第2登錄資訊，以最佳的時點，對于構(gòu)成液體供應(yīng)部11的各調(diào)整裝置(液體改質(zhì)構(gòu)件及液體改質(zhì)裝置)進(jìn)行維護(hù)(檢查、交換)。又，可根據(jù)第1、第2登錄資訊，設(shè)定各調(diào)整裝置的檢查、交換的最佳頻度。例如，由第1登錄資訊得知，微粒子測量器的測量值(異物的量)會隨時間經(jīng)過而惡化時，可根據(jù)測量值隨時間經(jīng)過的變化程度，來預(yù)測及設(shè)定微粒子過濾器的最佳交換時期(交換頻度)。又，可利用第1登錄資訊，將所使用的微粒子過濾器的性能設(shè)定為最佳化。例如，當(dāng)微粒子測量器的測量值隨時間經(jīng)過而急速惡化時，若是使用高性能的微粒子測量器而無大變動的狀況時，可使用較低性能(廉價)的微粒子過濾器以謀求降低成本。
如所揭示者，根據(jù)第1、第2登錄資訊來管理曝光裝置EX，可以防止因過度(非必要的)的維護(hù)進(jìn)行而降低曝光裝置的運轉(zhuǎn)率，反之，可防止因疏于維護(hù)而無法供應(yīng)所要狀態(tài)的液體LQ等不良情形。
又，第1登錄資訊與經(jīng)過時間建立對應(yīng)關(guān)系的水質(zhì)資訊，故可指定究竟在那一時點開始有水質(zhì)惡化現(xiàn)象。因此，能將曝光不良的發(fā)生原因與經(jīng)過時間建立對應(yīng)關(guān)系來加以解析。
又，使用第1、第2登錄資訊，可對曝光不良(圖案缺陷)等不良狀況(錯誤)的原因進(jìn)行解析。具體而言，在使基板P曝光后，在其后的步驟(檢查步驟)對基板P檢查時，借著將檢查結(jié)果與第1、第2登錄資訊作對照、解析，可解析不良狀況的原因及進(jìn)行指定。例如，在特定的批號或特定照射區(qū)域發(fā)生多次曝光不良(圖案缺陷)的狀況時，經(jīng)參照第2登錄資訊，當(dāng)對批號(或照射區(qū)域)進(jìn)行曝光時的微粒子測量器的測量值有顯示異常時，可解析得知，圖案缺陷的原因異物(微粒子、氣泡)所致。如上述，根據(jù)第1、第2登錄資訊，藉以解析圖案缺陷與異物的彼此關(guān)系，可指定不良狀況(圖案缺陷)的原因。又，可根據(jù)項解析結(jié)果，施以適當(dāng)?shù)奶幹?，例如交換微粒子過濾器或脫氣過濾器等，以避免發(fā)生圖案缺陷。同樣的，可參照登錄資訊，解析元件動作不良與比電阻值的彼此關(guān)系、由光測量部進(jìn)行的液體LQ的光透過率測量值和TOC的彼此關(guān)系等，藉以指定各種不良狀況的原因。
又，控制裝置CONT根據(jù)第1、第2登錄資訊以控制曝光動作及測量動作。例如，根據(jù)第1登錄資訊，判斷TOC的值隨時間經(jīng)過而漸漸惡化時，曝光裝置EX根據(jù)作為第1登錄資訊而記憶、隨時間經(jīng)過的TOC值(變化量)，按照時間經(jīng)過來控制曝光量，使得基板P間的曝光量一定，則可降低曝光線寬的不均一性。在控制曝光量時，與上述相同，可采用的方法例如有，控制每1脈沖的能量(光量)、控制脈沖數(shù)、控制基板P的掃描速度等方法。
又，使用第3、第4登錄資訊，亦可用來解析曝光不良(線寬不均一)等不良狀況(錯誤)的原因。一旦因第2液體回收機構(gòu)30的液體回收而伴隨有振動發(fā)生，易造成圖案的曝光線寬的不均一性(包含基板內(nèi)線寬的不均一性及照射區(qū)域內(nèi)線寬的不均一性)。此處，具體而言，在使基板P曝光后，在其后步驟的檢查步驟對基板P檢查時，可將檢查結(jié)果與第3、第4登錄資訊作對照、解析，來解析不良狀況的原因及進(jìn)行指定。例如，在特定批號或特定照射區(qū)域發(fā)生過多曝光不良(線寬不均一)的狀況時，經(jīng)參照第4登錄資訊，在對該批號(或照射區(qū)域)曝光時第2液體回收機構(gòu)30有回收液體LQ，即可對該狀況解析得知，圖案缺陷的原因，是因第2液體回收機構(gòu)30的液體回收所伴隨發(fā)生的振動所致。如所揭示者，借著解析作為第3、第4登錄資訊而記憶的檢測裝置90的檢測結(jié)果(第2液體回收機構(gòu)30的液體回收狀況)與線寬變化的彼此關(guān)系，可得知，第2液體回收機構(gòu)30的液體回收動作對曝光精度的影響，可指定不良狀況(線寬不均一)的原因。
又，一旦因第2液體回收機構(gòu)30的液體回收而伴隨振動的發(fā)生，將會劣化光罩M(光罩載臺MST)與基板P(基板載臺PST)的同步移動精度、或使透過投影光學(xué)系統(tǒng)PL的液體LQ的像面與基板P表面的對位精度(聚焦精度)遭劣化。因此，可將第2液體回收機構(gòu)30的液體回收動作(回收狀況)的相關(guān)資訊作為第3、第4登錄資訊，予以預(yù)為記憶，借著解析檢測裝置90的檢測結(jié)果(第2液體回收機構(gòu)30的液體回收狀況)與同步移動精度及聚焦精度的彼此關(guān)系，可以了解，第2液體回收機構(gòu)30的液體回收動作對曝光精度的影響，可指定不良狀況(同步移動精度及焦點精度的劣化)的原因。
又，可根據(jù)其解析結(jié)果來采取適當(dāng)處置，例如變更液體供應(yīng)機構(gòu)10的每單位時間的液體供應(yīng)量、變更第1液體回收機構(gòu)20的每單位時間的液體回收量、或變更基板P的移動速度(掃描速度)等，以避免發(fā)生線寬不均一等現(xiàn)象，具體而言乃是避免有以第2液體回收機構(gòu)30來回收液體LQ。
又，第3登錄資訊與經(jīng)過時間建立對應(yīng)關(guān)系的第2液體回收機構(gòu)30的液體回收動作相關(guān)資訊，因此，可指定究竟在那一時點有藉由第2液體回收機構(gòu)30來回收液體LQ。因此，可使曝光不良的發(fā)生原因與經(jīng)過時間建立對應(yīng)關(guān)系而加以解析。
又，如以上所述般，根據(jù)第2登錄資訊及第4登錄資訊，在對特定照射區(qū)域曝光中有液體LQ的異常、或判斷第2液體回收機構(gòu)30有進(jìn)行液體回收的狀況時，控制裝置CONT可施以適當(dāng)處置，例如，將特定照射區(qū)域予以去除、或在其后的重迭曝光時不予曝光等。或者，控制裝置CONT亦可對用來進(jìn)行檢查程序的檢查裝置發(fā)出指令，促其對特定照射區(qū)域的檢查進(jìn)行的較一般狀態(tài)時更為詳細(xì)。
又，如上述，借著解析第2液體回收機構(gòu)30的液體回收狀況與線寬變化的相互關(guān)系、或是與同步移動精度、對焦精度的相互關(guān)系，可得知第2液體回收機構(gòu)30的液體回收動作對曝光精度(圖案轉(zhuǎn)印精度)的影響。因而，可預(yù)先取得，第2液體回收機構(gòu)30有回收液體LQ時的基板P上的圖案轉(zhuǎn)印精度。再者，按照第2液體回收機構(gòu)30的每單位時間的液體回收量，使得圖案轉(zhuǎn)印精度的劣化程度有變動，因此，可依照液體回收量來預(yù)先取得圖案轉(zhuǎn)印精度。又，將第2液體回收機構(gòu)30有回收液體LQ時的圖案轉(zhuǎn)印精度的相關(guān)資訊，預(yù)為記憶在記憶裝置MRY內(nèi)，藉此，控制裝置CONT可根據(jù)檢測裝置90的檢測結(jié)果、與記憶在記憶裝置MRY的上述記憶資訊，來進(jìn)行預(yù)測，當(dāng)?shù)?液體回收機構(gòu)30有回收液體LQ時，于轉(zhuǎn)印有光罩M的圖案的基板P上，其照射區(qū)域的圖案轉(zhuǎn)印精度。又，控制裝置CONT可利用告知裝置INF來告知預(yù)測的結(jié)果。藉此，在基板P的曝光后，若有上述的預(yù)測圖案轉(zhuǎn)印精度落在容許值以上、而被預(yù)測為不良照射的狀況時，可以不經(jīng)過檢查程序，而對不良照射區(qū)域施以去除等處置。
再者，于上述實施形態(tài)中，例如欲測量液體LQ中的生菌成分時，可在既定的時點對所供應(yīng)的液體LQ施以取樣，使用與曝光裝置EX有別的另行設(shè)置的測量裝置(分析裝置)來測量(分析)液體LQ。又，在測量微粒子或氣泡、溶存氧等的時，亦同樣可不采用線內(nèi)的方式，而是在既定的時點對液體LQ取樣，交由與曝光裝置EX不同的另行設(shè)置的測量裝置來測量。或者，亦可如同圖2的實施形態(tài)中所示般，對例如分歧管61K-63K預(yù)設(shè)有閥件，借著對閥的操作，使得流經(jīng)供應(yīng)管13的液體LQ在既定的時點流入測量裝置60，俾以間歇性方式來測量液體LQ。另一方面，可將流經(jīng)供應(yīng)管13的液體LQ持續(xù)供應(yīng)至測量裝置60以連續(xù)測量，以謀求測量裝置60的測量的穩(wěn)定化。
再者，在上述實施形態(tài)中的構(gòu)成，分歧管61K、62K、63K、64K，與位在液體供應(yīng)部11及第1嘴構(gòu)件70間的供應(yīng)管13相連接，測量裝置60對分支自供應(yīng)管13的液體LQ施以測量，然而，在該狀況時，分歧管宜盡量的靠近嘴構(gòu)件70附近(供應(yīng)口12的附近)為佳。
再者，于上述實施形態(tài)中的分歧管61K、62K、63K、64K，具有取樣點(sampling port)的功能，用以對流經(jīng)供應(yīng)管13的液體LQ取樣，由測量裝置60所測量的液體LQ，其取樣點是調(diào)溫裝置17與第1嘴構(gòu)件70間的供應(yīng)管13途中所分支出來的分支流路，然而，亦可在第1嘴構(gòu)件70的供應(yīng)口12(例)附近安裝取樣點，由測量裝置60對流經(jīng)供應(yīng)口12附近的液體LQ施以測量。或者，取樣點的設(shè)置，亦可在純水制造裝置16與調(diào)溫裝置17之間、設(shè)在調(diào)溫裝置17的下游側(cè)正后方亦可?；蛘撸嗫蓪⑷狱c設(shè)置在連接管9，由測量裝置60對流經(jīng)連接管9的液體LQ施以測量。
再者，亦可如圖7所示般，由測量裝置60′對第1液體回收機構(gòu)20所回收的液體LQ施以測量。在圖7中，測量裝置60′的測量器65，其連接于，自第1液體回收機構(gòu)20的回收管23的途中所分支出來的分歧管65K。亦即，在圖7的例中，測量裝置60′的取樣點設(shè)置在回收管23。測量器65乃是對與基板P接觸的液體LQ施以測量。在與基板P接觸的液體LQ中，有可能含有來自設(shè)置在基板P上的光阻或被稱為上覆層的保護(hù)膜的析出物。測量器65可對于含有等析出物的液體LQ測量其性質(zhì)及成分。又，控制裝置CONT可將測量器65的測量結(jié)果，作為與經(jīng)過時間或照射區(qū)域建立對應(yīng)關(guān)系的登錄資訊，記憶在記憶裝置MRY。
例如，控制裝置CONT可根據(jù)上述登錄資訊，取得隨時間經(jīng)過的析出物的變動量。又，當(dāng)上述變動量隨時間經(jīng)過而有明顯增大時，可判斷光阻對液體LQ具有可溶性。又，控制裝置CONT可根據(jù)測量裝置60的測量結(jié)果(或登錄資訊)，取得所回收的液體LQ的酸性值。酸性值高的液體LQ，在回收管23等與液體LQ接觸的構(gòu)件會造成腐蝕(銹蝕)。此處，控制裝置CONT可將所回收的液體LQ的性質(zhì)或成分的測量結(jié)果(登錄資訊)，由例如告知裝置INF來告知，以迅速對所使用的光阻的種類采取再檢討(變更)等處置。
又，測量器65透過設(shè)置在第1回收口22的多孔體22P來測量液體LQ，因此，亦可測量附著于多孔體22P或回收管23的雜質(zhì)(生菌等)。在多孔體22P附著有雜質(zhì)的狀態(tài)下而進(jìn)行液浸曝光處理時，附著在多孔體22P的雜質(zhì)可能混入形成于基板P上的液浸區(qū)域AR2中，而發(fā)生劣化曝光精度的不良狀況。此處，控制裝置CONT將所回收液體LQ的性質(zhì)或成分的測量結(jié)果(登錄資訊)，由例如告知裝置INF來告知，以速采取多孔體22P的交換或洗凈等的處置。
又，亦可如圖7所示般，將測量裝置60″設(shè)置在基板載臺PST。在圖7中的測量裝置60″具備埋設(shè)在基板載臺PST的測量器66、及設(shè)置在基板載臺PST上面51的取樣點(孔)67。在以測量器66測量液體LQ時，在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)刃纬梢后wLQ的液浸區(qū)域AR2，使液浸區(qū)域AR2與基板載臺PST作相對移動，以將液浸區(qū)域AR2配置在取樣點67上，以使液體LQ流入取樣點67。測量器66，對透過取樣點67所取得的液體LQ予以測量。
此外，控制裝置CONT對于與形成液浸區(qū)域AR2的液體LQ有接觸的各構(gòu)件，能藉由液體供應(yīng)機構(gòu)10來供應(yīng)功能液LK，以洗凈等構(gòu)件。例如，若是在液體LQ中含有過量的生菌等，造成液體LQ受污染而未處于所要狀態(tài)，則有可能會污染到與液體LQ有接觸的各構(gòu)件，具體而言例如第1嘴構(gòu)件70的液體接觸面70A、第2嘴構(gòu)件80的液體接觸面80A、作為第1嘴構(gòu)件70的內(nèi)部流路的供應(yīng)流路14和第1回收流路24、作為第2嘴構(gòu)件80的內(nèi)部流路的第2回收流路34、相連于第1嘴構(gòu)件70的作為流路形成構(gòu)件的供應(yīng)管13和回收管23、相連于第2嘴構(gòu)件80的回收管33、光學(xué)元件2的液體接觸面2A、基板載臺PST的上面51、基板載臺PST上的測量構(gòu)件300及光測量部400、500、600等。又，一旦上列構(gòu)件受到污染，就算由液體供應(yīng)部11供應(yīng)清凈的液體LQ，液體LQ因與等構(gòu)件接觸而受污染，若以已遭受污染的液體LQ來形成液浸區(qū)域AR2，將會使透過液體LQ的曝光精度及測量精度遭劣化。
此處，控制裝置CONT可根據(jù)測量裝置60的測量結(jié)果，例如當(dāng)生菌的量較容許值為多時，由構(gòu)成液體供應(yīng)機構(gòu)10的一部分的功能液供應(yīng)裝置(洗凈裝置)120，將具有殺菌作用的功能液LK供應(yīng)至上述各構(gòu)件，藉以洗凈上述各構(gòu)件。
本實施形態(tài)中，為了要去除與液體接觸的構(gòu)件內(nèi)的生菌，功能液供應(yīng)裝置120乃供應(yīng)具殺菌作用的功能液LK。作為具有殺菌作用的功能液LK，例如為過氧化氫水或含臭氧的液體。
在此邊參照圖8邊說明使用功能液LK來維護(hù)的方法?？刂蒲b置CONT在洗凈上述構(gòu)件時，將設(shè)置在供應(yīng)管19(其連接著功能液供應(yīng)裝置120與液體供應(yīng)部11)的閥19B予以驅(qū)動，以開啟供應(yīng)管19的流路，且，藉閥18B以關(guān)閉回注管18的流路。藉此，由功能液供應(yīng)裝置120朝液體供應(yīng)部11供應(yīng)具有殺菌作用的功能液LK(步驟SB1)。由功能液供應(yīng)裝置120所供應(yīng)的功能液LK，在流經(jīng)包含純水制造裝置16及調(diào)溫裝置17的液體供應(yīng)部11后，流動于供應(yīng)管13，在流向第1嘴構(gòu)件70的供應(yīng)流路14后，由供應(yīng)口12供應(yīng)至投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)?。功能液供?yīng)裝置120將功能液LK供應(yīng)至、構(gòu)成液體供應(yīng)機構(gòu)10的液體LQ的流經(jīng)流路(供應(yīng)管13、供應(yīng)流路14)，藉此來洗凈該等流路。然而，若在流路中存在著不可有功能液LK流經(jīng)的構(gòu)件，必須要預(yù)為取出。具體而言，裝置在純水制造器161的離子交換膜，若有過氧化氫水的通過則受破壞，故應(yīng)預(yù)為去除?？刂蒲b置CONT在驅(qū)動閥19B之前，藉告知裝置INF來告知，使去除離子交換膜。
當(dāng)功能液供應(yīng)裝置120將功能液LK供應(yīng)至投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面測時，在基板載臺PST(基板保持具PH)上保持有虛設(shè)(dummy)基板。虛設(shè)基板與用來制造元件的基板P有相仿的大小及形狀。本實施形態(tài)中的虛設(shè)基板對功能液LK有撥液性。再者，虛設(shè)基板對功能液LK不具拔液性亦可。由功能液供應(yīng)裝置120所送出的功能液LK，由供應(yīng)口12來供應(yīng)在虛設(shè)基板上，以在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)刃纬梢航^(qū)域。又，當(dāng)以功能液供應(yīng)裝置120來供應(yīng)功能液LK時，與液浸曝光動作時相同，第1液體回收機構(gòu)20及第2液體回收機構(gòu)30進(jìn)行液體回收動作(吸引動作)。因此，形成于投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)鹊囊航^(qū)域的功能液LK，透過第1回收口22被回收，在流經(jīng)第1回收流路24及回收管23之后，回收至第1液體回收部21。又，控制裝置CONT在例如增大功能液供應(yīng)裝置120的每單位時間的功能液供應(yīng)量時，或是第1液體回收機構(gòu)20的每單位時間的功能液回收量減少、而使功能液LK的液浸區(qū)域加大時，乃透過第2液體回收機構(gòu)30的第2回收口32來回收液浸區(qū)域的功能液LK。藉此，透過第2回收口32而回收的功能液LK，在流經(jīng)第2回收流路34及回收管33后，回收到第2液體回收部31。如所揭示者，以功能液LK來流經(jīng)第1、第2液體回收機構(gòu)20、30的流路，藉此來洗凈該等流路。又，透過第1、第2回收口22、32而回收的功能液LK，亦可不回收至第1、第2液體回收部21、31，而是回收至與第1、第2液體回收部21、31不同的回收部。又，所回收的功能液LK，可使再回到液體供應(yīng)部11，亦可予以廢棄。如所揭示者，將液體LQ置換成功能液LK(步驟SB2)。
又，形成在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)鹊囊航^(qū)域的功能液LK，亦接觸于光學(xué)元件2的液體接觸面2A、或嘴構(gòu)件70、80的液體接觸面70A、80A，故能洗凈該等液體接觸面70A、80A。又，在形成功能液LK的液浸區(qū)域的狀態(tài)下，使基板載臺PST相對于液浸區(qū)域往XY方向作2維移動，藉此，可洗凈基板載臺PST的上面51、或是洗凈設(shè)置在基板載臺PST上的測量構(gòu)件300、光測量部400、500、600(步驟SB3)。
如所揭示者，以液浸曝光動作時的相同順序，進(jìn)行功能液LK的液浸區(qū)域形成動作，能同時且高效率的洗凈上述各構(gòu)件。
使用功能液LK來進(jìn)行洗凈處理時，其順序，是在以功能液供應(yīng)裝置120來供應(yīng)功能液LK后，以液浸曝光動作時的同樣順序使功能液LK的供應(yīng)及回收動作持續(xù)達(dá)既定時間，以在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)刃纬晒δ芤篖K的液浸區(qū)域。再者，亦可在將功能液LK加熱后，方使流向液體供應(yīng)機構(gòu)10及第1、第2液體回收機構(gòu)20、30的流路。又，在經(jīng)過既定時間后，停止功能液LK的供應(yīng)及回收動作。該狀態(tài)，是在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)缺３钟泄δ芤篖K，成為浸漬狀態(tài)。又，在使浸漬狀態(tài)維持既定時間后，控制裝置CONT再次操作閥19B、18B而切換配管的經(jīng)路，以由液體供應(yīng)部11將液體LQ供應(yīng)至供應(yīng)管13(步驟SB4)。接著，利用液體供應(yīng)機構(gòu)10及第1、第2液體回收機構(gòu)20、30來進(jìn)行既定時間的液體LQ(例如純水)的供應(yīng)及回收動作，以在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)刃纬梢后wLQ的液浸區(qū)域。藉此，可使液體LQ分別流于液體供應(yīng)機構(gòu)10、第1液體回收機構(gòu)20、及第2液體回收機構(gòu)30各自的流路，以利用液體LQ來沖掉殘留在上述流路的功能液LK(步驟SB5)。又，藉由純水的液浸區(qū)域，亦可洗凈光學(xué)元件2的液體接觸面2A，或第1、第2嘴構(gòu)件70、80的液體接觸面70A、80B。此時，在形成有液體LQ的液浸區(qū)域的狀態(tài)下移動基板載臺PST，可由液體LQ來沖掉與功能液LK有接觸的基板載臺PST的上面51、或測量構(gòu)件300、光測量部400、500、600上的殘留功能液LK。
又，在結(jié)束洗凈處理后，可使用測量裝置60來測量液體LQ，以確認(rèn)是否有良好的施以洗凈處理，也就是確認(rèn)液體LQ是否在所要狀態(tài)。
本實施形態(tài)中，為了要防止在液浸曝光中有液體LQ流出基板P外側(cè)(上面51的外側(cè))、或是為了在液浸曝光后能平順的回收液體LQ而避免液體LQ殘留于上面51，乃使基板載臺PST的上面51具有拔液性。上面51例如由四氟化乙烯(鐵氟龍登錄商標(biāo))等具有撥液性的材料所形成。再者，亦可對上面51涂布以例如四氟化乙烯等氟系樹脂材料、丙烯系樹脂材料、硅系樹脂材料等拔液性材料、或貼合由上述拔液性材料所形成的薄膜等，藉上揭的撥液化處理而使上面51具有拔液性。
又，光學(xué)元件2以螢石或石英形成，光學(xué)元件2的液體接觸面2A具有親液性。又，第1嘴構(gòu)件70的液體接觸面70A(依情況或亦包含第2嘴構(gòu)件80的液體接觸面80A)亦具有親液性。由于使等液體接觸面具有親液性，能使液體良好的保持在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)纫孕纬梢航^(qū)域。又，在對液體接觸面2A、70A等施以親液化處理使具有親液性時，例如，可使附著(涂布)有MGF2、Al2O3、SiO2等親液性材料。又，本實施形態(tài)中的液體LQ采用極性大的水，在親液化處理(親水化處理)時，例如，能以醇類等大極性的分子結(jié)構(gòu)物質(zhì)來形成薄膜，以賦予親水性。又，功能液LK的構(gòu)成，最好采用對等液體接觸面不會造成影響的材料。
又，功能液LK最好是由對基板載臺PST的上面51或液體接觸面2A、70A、80A不造成影響的材料所構(gòu)成。再者，若是基板載臺PST的上面51等，由對于具殺菌作用的功能液LK不具備耐性的材料所形成，此狀況，只要有覆于基板載臺PST的上面51全域的虛設(shè)基板，使其載置在基板載臺PST上，在狀態(tài)下于投影光學(xué)系統(tǒng)PL的像面?zhèn)刃纬晒δ芤篖K的液浸區(qū)域即可。
又，在上述實施形態(tài)中的說明例，根據(jù)測量裝置60的測量結(jié)果，控制包含功能液供應(yīng)裝置120的液體供應(yīng)機構(gòu)10的動作，以進(jìn)行洗凈處理，然而，當(dāng)然亦可不根據(jù)測量裝置60的測量結(jié)果，而是由每隔既定時間(例如每1月、每1年)來進(jìn)行洗凈處理。又，使得與液體LQ有接觸的上述構(gòu)件(嘴構(gòu)件70或光學(xué)元件2等)受到污染的污染源，并不僅限于已受到污染的液體LQ，例如，若是有浮游在空中的雜質(zhì)附著在上述構(gòu)件，亦可能使上述構(gòu)件受污染。在該類狀況時，亦可不依照測量裝置60的測量結(jié)果而是每隔既定時間來進(jìn)行洗凈處理，藉此，同樣可防止構(gòu)件的污染、或防止與該構(gòu)件接觸的液體LQ受污染。
再者，上述實施形態(tài)中所使用的功能液LK，供應(yīng)具有殺菌作用(殺菌功能)的洗凈液，然而，所使用的功能液LK，亦可藉由含氫水的流動，來去除附著在包含供應(yīng)管13或回收管23等構(gòu)件上的異物。以具有異物去除功能的功能液(含氫水)的流動，在洗凈處理時預(yù)為去除異物，則在液浸曝光時，可防止異物混入液浸區(qū)域AR2的不良狀況。又，使用的功能液，可借著碳酸氣水的流動，對于包含供應(yīng)管13或回收管23等的構(gòu)件，控制其導(dǎo)電度。借著使具備導(dǎo)電度控制功能的功能液(碳酸氣水)的流動，可防止自構(gòu)件的靜電發(fā)生，且，亦可對帶電構(gòu)件施以除電，因此，可防止靜電(電氣雜訊)的發(fā)生所伴隨的曝光動作不良、或放電導(dǎo)致圖案受靜電破壞。
再者，于上述實施形態(tài)中，使功能液LK流動的處理(洗凈處理)，與液浸曝光處理，乃是分別進(jìn)行，然而，若是功能液LK可作為液浸曝光用的液體來使用，亦可由功能液LK來形成用于液浸曝光的液浸區(qū)域AR2。此狀況中，洗凈處理與液浸曝光處理一起進(jìn)行。
又，在上述實施形態(tài)中的構(gòu)成，功能液供應(yīng)裝置120朝純水制造裝置16供應(yīng)功能液LK，然而，亦可將功能液供應(yīng)裝置120連接于純水制造裝置16與調(diào)溫裝置17之間，設(shè)置有閥件，以避免功能液LK逆流至純水制造裝置16，以將功能液LK供應(yīng)至較調(diào)溫裝置17更下游之例。如此，在供應(yīng)功能液LK時，無須去除純水制造裝置16的離子交換膜。
上述各實施形態(tài)中的構(gòu)成，以純水作為液體LQ。使用純水的優(yōu)點在于，在半導(dǎo)體制造工廠易大量取得，并且，對于基板P上的光阻或光學(xué)元件(透鏡)等無不良影響。又，純水不僅對環(huán)境無不良影響，其雜質(zhì)的含量亦極低，對于基板P的表面，以及設(shè)在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的前端面的光學(xué)元件表面，亦有洗凈作用。又，由工廠供應(yīng)的純水的純度過低時，此時可在曝光裝置設(shè)置超純水制造器。
又，純水(水)對于波長193nm的曝光用光EL的折射率n，大致為1.44左右，若使用ArF準(zhǔn)分子激光(波長193nm)作為曝光用光EL時，在基板P上，能短波長化為1/n、即134nm左右而獲得高解析度。再者，與空氣中相較，其焦點深度為n倍，亦即擴大為約1.44倍，因此，當(dāng)其焦點深度與空氣中使用的情形同程度即可時，可更增加投影光學(xué)系統(tǒng)PL的數(shù)值孔徑，此點亦可提高解析度。
再者，使用如上述般的液浸法時，投影光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔徑NA會有在0.9-1.3的情形。當(dāng)投影光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔徑NA如此大的情形，習(xí)知作為曝光用光的隨機偏光光源，會因偏光效應(yīng)而使成像特性惡化，因此，較佳為使用偏光照明。在此情形，可進(jìn)行對準(zhǔn)光罩(標(biāo)線片)的等間隔直線(lineand space)圖案的線圖案的長邊方向的直線偏光照明，以使光罩(標(biāo)線片)圖案射出較多的S偏光成分(TE偏光成分)，亦即，射出較多沿線圖案的長邊方向的偏光方向成分的繞射光。在投影光學(xué)系統(tǒng)PL與涂布于基板P表面的光阻間填滿液體時，相較于在投影光學(xué)系統(tǒng)PL與涂布于基板P表面的光阻間填滿空氣(氣體)時，由于有助于提高對比的S偏光成分(TE偏光成分)的繞射光在光阻表面具有高透過率，故即使投影光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔徑NA超過1.0，亦可得到高成像性能。又，若是適當(dāng)組合相移光罩或日本特開平6-188169號公報所揭示的沿著線圖案的長邊方向的斜入射照明法(特別是雙極照明法)等將更具效果。特別是，組合有直線偏光照明光與雙極照明法，對于線與空間的圖案被局限在既定的一個方向時、或沿既定的一方向有密集的孔形圖案(hole pattern)時，尤有效果。例如，使透過率6％的半色調(diào)型的相移光罩(半間距45mm的圖案)，與直線偏光照明法和雙極照明法并用于照明時，在照明系統(tǒng)的瞳面中，由形成雙極的二光束的外接圓所限定的照明σ為0.95，使該瞳面中的各光束的半徑為0.125σ，使投影光學(xué)系統(tǒng)PL的數(shù)值孔徑NA＝1.2，則相較于使用隨機偏光，焦點深度(DOF)可增加150nm左右。
又例如，以ArF準(zhǔn)分子激光作為曝光用光，使用縮小倍率1/4左右的投影光學(xué)系統(tǒng)PL，將微細(xì)的線與空間圖案(例如25-50nm左右的線與空間)曝光于基板P上的情形，因光罩M的構(gòu)造(例如圖案的微細(xì)度或鉻的厚度)的導(dǎo)波(Wave guide)效應(yīng)使光罩M具有偏光板作用，從光罩所射出的S偏光成分(TE偏光成分)的繞射光，多于會降低對比度的P偏光成分(TM偏光成分)。此時，雖說最好是使用前述的直線偏光照明，但就算以隨機偏光光源來照明光罩M，使用數(shù)值孔徑NA高達(dá)0.9-1.3的投影光學(xué)系統(tǒng)仍能獲得高解析度。
又，使光罩M上的極微細(xì)的線與空間圖案曝光于基板P上時，雖有因?qū)Рㄐ?yīng)而使P偏光成分(TM偏光成分)大于S偏光成分(TE偏光成分)的可能，但若以ArF準(zhǔn)分子激光為曝光用光，使用縮小倍率1/4左右的投影光學(xué)系統(tǒng)PL，將25nm以上的線與空間圖案曝光于基板P上，從光罩所射出的S偏光成分(TE偏光成分)的繞射光會多于P偏光成分(TM偏光成分)，故即使投影光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔徑NA高達(dá)0.9-1.3，仍可獲得高解析度。
再者，并不僅止于對準(zhǔn)光罩(標(biāo)線片)的線圖案的長邊方向的直線偏光照明(S偏光照明)，亦可組合日本特開平6-53120號公報所揭示般，朝以光軸為中心的圓的切線(圓周)方向直線偏光的偏光照明法與斜入射照明法，其效果亦佳。特別是，當(dāng)光罩(標(biāo)線片)的圖案并不僅朝既定的單方向延伸的線圖案，在混有朝復(fù)數(shù)個不同方向的延伸線圖案的情形(混有周期方向相異的線與空間圖案)，若同樣并用日本特開平6-53120號公報所揭示般，朝以光軸為中心的圓的接線方向直線偏光的偏光照明法與輪帶照明法，藉此，即使投影光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔徑NA較大的情形，仍能獲得高成像性能。例如，使透過率6％的半色調(diào)型的相移光罩(半間距63nm的圖案)，連同朝以光軸為中心的圓的接線方向直線偏光的偏光照明法與環(huán)帶照明法(輪帶比3/4)，并用于照明時，使照明σ為0.95，使投影光學(xué)系統(tǒng)PL的數(shù)值孔徑NA＝1.00，則相較于使用隨機偏光，焦點深度(DOF)可增加250nm左右，在半間距55nm的圖案，若投影光學(xué)系統(tǒng)的數(shù)值孔徑NA＝1.2，可增加焦點深度100nm左右。
上述實施形態(tài)中，在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的前端安裝光學(xué)元件(透鏡)2，藉由透鏡的調(diào)整，可調(diào)整投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光學(xué)特性，例如像差(球面像差、彗形像差等)。上述各實施形態(tài)中的構(gòu)成，以液體LQ填滿于投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光學(xué)元件2的射出側(cè)的光路空間，來使基板P曝光，然而，亦可如國際公開第2004/019128號所揭示般，使液體LQ填滿在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光學(xué)元件2的射入側(cè)的光路空間。此時，亦可使在上述實施形態(tài)中說明事項的一部或全部，亦適用在填滿于光學(xué)元件2的射入側(cè)的光路空間的液體LQ。例如，能對供應(yīng)至光學(xué)元件2的射入側(cè)的液體LQ的性質(zhì)或成分，施以與供應(yīng)至射出側(cè)的液體LQ同樣的管理?；蛘?，亦可考慮對曝光性能的影響的差異性，在光學(xué)元件2的射入側(cè)與射出側(cè)，對液體LQ的性質(zhì)或成分的管理值設(shè)有差值，俾個別施以管理。再者，亦可將功能液LK導(dǎo)入光學(xué)元件2的射入側(cè)，以進(jìn)行洗凈或除電。又，安裝在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的前端的光學(xué)元件，亦可使用用來調(diào)整投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光學(xué)特性的光學(xué)板?；蚴强墒蛊毓庥霉釫L透過的平行平面板亦佳。
再者，因液體LQ的流動而導(dǎo)致投影光學(xué)系統(tǒng)PL前端的光學(xué)元件與基板P間產(chǎn)生過大壓力時，光學(xué)元件亦可使用非替換式者，以避免受壓力移動的方式而牢固地固定。
又，上述實施形態(tài)的構(gòu)成，在投影光學(xué)系統(tǒng)PL與基板P表面間填滿液體LQ，然而，亦可在基板P的表面安裝有平行平面板所構(gòu)成的罩玻璃的狀態(tài)下填滿液體LQ。
再者，本實施形態(tài)中雖以水作為液體LQ，亦可使用水以外的液體，例如，當(dāng)曝光用光EL系F2激光時，因為F2激光未能透過于水，宜使用可使F2激光透過者來作為液體LQ，例如全氟聚醚(PFPE)或氟系油料等氟系的流體。此時，對于接觸液體LQ的部分，例如，以含氟的極性小的分子結(jié)構(gòu)物質(zhì)來形成薄膜，以實施親液化處理。又，液體LQ亦可使用其他對曝光用光EL具有透過性且折射率盡可能地高、并對投影光學(xué)系統(tǒng)PL或基板P表面所涂布的光阻具穩(wěn)定性者(例如洋杉油)。此時，亦按照使用的液體LQ的極性來進(jìn)行表面處理。
又，上述各實施形態(tài)的基板P，并不局限于半導(dǎo)體元件制造用的半導(dǎo)體晶圓，舉凡顯示元件用的玻璃基板、薄膜磁頭用的陶瓷晶圓、或曝光裝置所使用的光罩或標(biāo)線片的母盤(合成石英、硅晶圓)等皆可適用。
曝光裝置EX所適用的，除了同步移動光罩M與基板P以實施光罩M圖案的掃描曝光的步進(jìn)掃描方式的掃描型曝光裝置(掃描步進(jìn)機)，此外尚能適用于，在光罩M與基板P的靜止?fàn)顟B(tài)下使光罩M圖案整體曝光，進(jìn)而依序步進(jìn)移動基板P的步進(jìn)重復(fù)方式的投影曝光裝置(步進(jìn)機)。
又，本發(fā)明的曝光裝置EX亦適用于，在第1圖案與基板P大致靜止的狀態(tài)下，以投影光學(xué)系統(tǒng)(例如1/8縮小倍率的未含反射元件的折射型投影光學(xué)系統(tǒng))將第1圖案的縮小像整體曝光于基板P上的整體曝光方式。亦可適用于，在此的后，在第2圖案與基板P大致靜止的狀態(tài)下，以投影光學(xué)系統(tǒng)，將第2圖案的縮小像以部分重迭于第1圖案的方式整體曝光于基板P上的接合方式的整體曝光裝置。又，所適用的接合方式的曝光裝置，尚可舉例如，在基板P上將至少2個圖案局部迭合以進(jìn)行轉(zhuǎn)印，使基板P依序移動、即步進(jìn)接合(step and stitch)方式的曝光裝置。
又，本發(fā)明亦可適用的曝光裝置例如揭示于日本特開平10-163099號公報、特開平10-214783號公報、及特表2000-505958號公報等所揭示的雙載臺型的曝光裝置。
又，上述實施形態(tài)中所采用的曝光裝置，在投影光學(xué)系統(tǒng)PL與基板P間局部充滿液體，然而，本發(fā)明亦可應(yīng)用于，如日本特開平6-124873號公報所揭示般，使曝光對象(基板)的保持載臺于液槽中移動的液浸曝光裝置。
又，曝光裝置EX的種類，并不限于將半導(dǎo)體元件圖案曝光于基板P的半導(dǎo)體元件制造時所使用的曝光裝置，亦可廣泛用于制造液晶顯示元件或顯示器等的曝光裝置、或是用于制造薄膜磁頭、攝影元件(CCD)、標(biāo)線片或光罩等的曝光裝置。
又，基板載臺PST或光罩載臺MST使用線性馬達(dá)(參照USP第5,623,853或5,528,118號)的情形，可使用空氣軸承的氣浮型、或是使用洛倫茲(Lorentz)力或磁阻力的磁浮型。又，各載臺PST、MST，可以是沿著導(dǎo)軌移動的方式，或者是未設(shè)有導(dǎo)軌(無軌式)亦可。
各載臺PST、MST的驅(qū)動機構(gòu)可使用平面馬達(dá)，其使二維配置磁鐵而成的磁鐵單元與二維配置線圈而成的電樞單元對向，以電磁力來驅(qū)動各載臺PST、MST。此時，可使磁鐵單元或電樞單元的任一方連接于PST、MST，使磁鐵單元或電樞單元的另一方設(shè)于PST、MST的移動面?zhèn)取?br> 為了避免基板載臺PST因移動而形成的反作用力傳達(dá)至投影光學(xué)系統(tǒng)PL，可使用框架(frame)構(gòu)件以機械性地釋放至地板(大地)，例如日本特開平8-166475號公報(USP第5,528,118號)所載。
為了避免光罩載臺MST因移動而形成的反作用力傳達(dá)至投影光學(xué)系統(tǒng)PL，可使用框架構(gòu)件機械性地釋放至地面(大地)，例如日本特開平8-330224號公報(USS/N08/416,558)所載。
本案實施形態(tài)的曝光裝置EX，是將各種包含本案權(quán)利要求范圍所舉的各構(gòu)成要件的子系統(tǒng)以保持既定的機械精度、電氣精度、光學(xué)精度的方式予以組裝來制造。為了確保上述各種精度，在組裝前后，尚進(jìn)行各種調(diào)整，例如，對各種光學(xué)系統(tǒng)施以供達(dá)成光學(xué)精度的調(diào)整、對各種機械系統(tǒng)施以供達(dá)成機械精度的調(diào)整、對各種電氣系統(tǒng)施以供達(dá)成電氣精度的調(diào)整。
各種子系統(tǒng)對曝光裝置的組裝步驟，亦包含各種子系統(tǒng)彼此間的機械連接、電路的配線連接、及氣壓回路的配管連接等。各種子系統(tǒng)對曝光裝置的組裝步驟前，當(dāng)然有各子系統(tǒng)的組裝步驟。一旦完成各子系統(tǒng)對曝光裝置的組裝步驟，即進(jìn)行綜合調(diào)整，以確保曝光裝置整體的各種精度。再者，曝光裝置的制造，較佳是在溫度及潔凈度等經(jīng)管理的潔凈室內(nèi)進(jìn)行。
半導(dǎo)體元件等微元件的制造，如圖9所示般，經(jīng)由步驟201進(jìn)行微元件的功能、性能設(shè)計，接著根據(jù)該設(shè)計步驟以步驟202制作光罩(標(biāo)線片)，以步驟203制造作為元件基材的基板，以曝光處理步驟204利用上述實施形態(tài)的曝光裝置EX將光罩圖案曝光于基板，經(jīng)元件組裝步驟(含切割步驟、接合步驟、封裝步驟)205，以及檢查步驟206等來制造。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種曝光裝置，在投影光學(xué)系統(tǒng)的像面?zhèn)刃纬梢后w的液浸區(qū)域，并透過投影光學(xué)系統(tǒng)與液浸區(qū)域的液體使基板曝光，其特征在于具備測量裝置，用以測量液浸區(qū)域形成用的液體的性質(zhì)和/或成分。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的曝光裝置，其特征在于其具備用以供應(yīng)液體的液體供應(yīng)機構(gòu)；測量裝置，測量由液體供應(yīng)機構(gòu)所供應(yīng)的液體。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的曝光裝置，其特征在于其中所述的液體供應(yīng)機構(gòu)具備用來供應(yīng)液體的供應(yīng)口、與供應(yīng)口連接的供應(yīng)流路、以及自供應(yīng)流路途中分支的分支流路；測量裝置，測量流經(jīng)分支流路的液體。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的曝光裝置，其特征在于其具備用以回收液體的液體回收機構(gòu)；測量裝置，測量由液體回收機構(gòu)所回收的液體。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的曝光裝置，其特征在于其具備以可移動方式來保持基板的基板載臺；測量裝置，設(shè)置在基板載臺。
6.根據(jù)權(quán)利要求1的曝光裝置，其特征在于其中所述的測量裝置與曝光動作并行來測量液體。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項的曝光裝置，其特征在于其具備記憶裝置，使測量裝置的測量結(jié)果與經(jīng)過時間建立對應(yīng)關(guān)系而予以記憶。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項的曝光裝置，其特征在于其依序?qū)υO(shè)定在基板上的復(fù)數(shù)個照射區(qū)域予以曝光；且具備記憶裝置，使測量裝置的測量結(jié)果與照射區(qū)域建立對應(yīng)關(guān)系而予以記憶。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項的曝光裝置，其特征在于其具備第1液體回收機構(gòu)，用以回收液體；第2液體回收機構(gòu)，用以回收第1液體回收機構(gòu)未能完全回收的液體；檢測裝置，用以檢測出第2液體回收機構(gòu)是否已回收液體；及記憶裝置，使檢測裝置的檢測結(jié)果與經(jīng)過時間建立對應(yīng)關(guān)系而予以記憶。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項的曝光裝置，其特征在于其具備控制裝置，判斷測量裝置的測量結(jié)果是否異常，并根據(jù)判斷結(jié)果來控制曝光動作。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的曝光裝置，其特征在于其具備告知裝置，用以告知測量裝置的測量結(jié)果；控制裝置，在測量結(jié)果有異常時，以告知裝置來發(fā)出警告。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的曝光裝置，其特征在于其具備復(fù)數(shù)個調(diào)整裝置，分別設(shè)在液體所流經(jīng)的流路的復(fù)數(shù)個既定位置，以調(diào)整液體的性質(zhì)和/或成分；控制裝置，根據(jù)測量裝置的測量結(jié)果，從復(fù)數(shù)個調(diào)整裝置中指定至少一個調(diào)整裝置，并以告知裝置來告知經(jīng)指定的調(diào)整裝置的相關(guān)資訊。
13.根據(jù)權(quán)利要求1的曝光裝置，其特征在于其具備洗凈裝置，根據(jù)測量裝置的測量結(jié)果來洗凈與液體接觸的既定構(gòu)件。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的曝光裝置，其特征在于其中所述的洗凈裝置將具有既定功能的功能液供應(yīng)至既定構(gòu)件。
15.一種曝光裝置，在投影光學(xué)系統(tǒng)的像面?zhèn)刃纬梢后w的液浸區(qū)域，并透過投影光學(xué)系統(tǒng)與液浸區(qū)域的液體使基板曝光，其特征在于具備功能液供應(yīng)裝置，用以對與液體接觸的既定構(gòu)件供應(yīng)具有既定功能的功能液。
16.根據(jù)權(quán)利要求15的曝光裝置，其特征在于其中所述的功能液包含具有殺菌作用的液體。
17.根據(jù)權(quán)利要求15的曝光裝置，其特征在于其中所述的既定構(gòu)件包含下列至少其中一者具有用來供應(yīng)液體的供應(yīng)口及用來回收液體的回收口中至少其一的嘴構(gòu)件、與嘴構(gòu)件連接的流路形成構(gòu)件、在投影光學(xué)系統(tǒng)中最靠近像面?zhèn)鹊墓鈱W(xué)元件、以可移動方式保持基板的基板載臺、及設(shè)置在基板載臺上的光測量部。
18.根據(jù)權(quán)利要求15至17中任一項的曝光裝置，其特征在于其具備液體供應(yīng)機構(gòu)，具有用來供應(yīng)液浸區(qū)域形成用的液體的流路；及液體回收機構(gòu)，具有用來回收液浸區(qū)域的液體的流路；功能液供應(yīng)裝置，將功能液供應(yīng)至液體供應(yīng)機構(gòu)及液體回收機構(gòu)的各流路，并將功能液所構(gòu)成的液浸區(qū)域形成于投影光學(xué)系統(tǒng)的像面?zhèn)取?br> 19.一種曝光裝置，在投影光學(xué)系統(tǒng)的像面?zhèn)刃纬梢后w的液浸區(qū)域，并透過投影光學(xué)系統(tǒng)與液浸區(qū)域的液體，對設(shè)定在基板上的復(fù)數(shù)個照射區(qū)域依序曝光，其特征在于具備液體供應(yīng)機構(gòu)，用以供應(yīng)液體；第1液體回收機構(gòu)，用以回收液體；第2液體回收機構(gòu)，用以回收第1液體回收機構(gòu)未能完全回收的液體；檢測裝置，用以檢測出第2液體回收機構(gòu)是否已回收液體；及記憶裝置，使測量裝置的檢測結(jié)果與照射區(qū)域建立對應(yīng)關(guān)系而予以記憶。
20.根據(jù)權(quán)利要求19的曝光裝置，其特征在于其中所述的記憶裝置使檢測裝置的檢測結(jié)果與經(jīng)過時間建立對應(yīng)關(guān)系而予以記憶。
21.根據(jù)權(quán)利要求19的曝光裝置，其特征在于其中所述的第1液體回收機構(gòu)，具有與基板對向的第1回收口；第2液體回收機構(gòu)，具有以投影光學(xué)系統(tǒng)的投影區(qū)域為基準(zhǔn)設(shè)于較第1回收口更外側(cè)的第2回收口；第2液體回收機構(gòu)，將液體連同其周圍的氣體一起回收。
22.根據(jù)權(quán)利要求19的曝光裝置，其特征在于其中所述的檢測裝置，可檢測出第2液體回收機構(gòu)的每單位時間的液體回收量；記憶裝置，用以記憶與液體回收量相關(guān)的資訊。
23.根據(jù)權(quán)利要求19至22中任一項的曝光裝置，其特征在于其透過投影光學(xué)系統(tǒng)及液浸區(qū)域的液體，將既定圖案轉(zhuǎn)印于基板上；在記憶裝置中，預(yù)先記憶第2液體回收機構(gòu)已回收液體時的圖案轉(zhuǎn)印精度的相關(guān)資訊；且具備控制裝置，根據(jù)檢測裝置的檢測結(jié)果，來預(yù)測第2液體回收機構(gòu)已回收液體時，轉(zhuǎn)印有圖案的照射區(qū)域的圖案轉(zhuǎn)印精度；及告知裝置，用以告知控制裝置所預(yù)測的結(jié)果。
24.根據(jù)權(quán)利要求19至22中任一項的曝光裝置，其特征在于其在對設(shè)定于基板上的復(fù)數(shù)個照射區(qū)域中的第1照射區(qū)域施以曝光中，檢測裝置檢測出第2液體回收機構(gòu)進(jìn)行的液體回收時，乃等候至檢測裝置未檢測出液體后，方對接續(xù)于第1照射區(qū)域的第2照射區(qū)域施以曝光。
25.根據(jù)權(quán)利要求19的曝光裝置，其特征在于其具備測量裝置，用以測量液浸區(qū)域形成用的液體的性質(zhì)和/或成分；記憶裝置，亦記憶測量裝置的測量結(jié)果。
26.一種元件制造方法，其特征在于使用權(quán)利要求1至25中任一的曝光裝置來制造元件。
27.一種曝光裝置的維護(hù)方法，曝光裝置，于投影光學(xué)系統(tǒng)的像面?zhèn)刃纬梢后w的液浸區(qū)域，并透過投影光學(xué)系統(tǒng)與液浸區(qū)域的液體而使基板曝光；其特征在于具有以下階段將液浸區(qū)域形成用的液體與具有既定功能的功能液置換。
28.根據(jù)權(quán)利要求27的曝光裝置的維護(hù)方法，其特征在于其具備用以供應(yīng)液體的液體供應(yīng)機構(gòu)；功能液透過液體供應(yīng)機構(gòu)的至少一部分而供應(yīng)。
29.根據(jù)權(quán)利要求27的曝光裝置的維護(hù)方法，其特征在于其具備用以回收液體的液體回收機構(gòu)；功能液透過液體回收機構(gòu)的至少一部分而回收。
30.根據(jù)權(quán)利要求27的曝光裝置的維護(hù)方法，其特征在于其具有以下階段使在與投影光學(xué)系統(tǒng)的像面?zhèn)人渲梦矬w間形成的功能液的液浸區(qū)域，在物體上移動。
31.根據(jù)權(quán)利要求30的曝光裝置的維護(hù)方法，其特征在于其中所述的物體包含供載置基板并使其移動的基板載臺。
32.根據(jù)權(quán)利要求27至31中任一項的曝光裝置的維護(hù)方法，其特征在于其中所述的功能液包含具有殺菌作用的液體。
33.根據(jù)權(quán)利要求27至31中任一項的曝光裝置的維護(hù)方法，其特征在于其中所述的功能液包含具有導(dǎo)電性的液體。
全文摘要
本發(fā)明有關(guān)于一種曝光裝置及元件制造方法，一曝光裝置，根據(jù)液浸法而能高精度地進(jìn)行曝光處理及測量處理。曝光裝置(EX)，在投影光學(xué)系統(tǒng)(PL)的像面?zhèn)刃纬梢后w(LQ)的液浸區(qū)域(AR2)，透過投影光學(xué)系統(tǒng)(PL)與液浸區(qū)域(AR2)的液體(LQ)而使基板(P)曝光，其具備測量裝置(60)，用以測量液浸區(qū)域(AR2)形成用的液體(LQ)的性質(zhì)和/或成分。本發(fā)明還公開了元件制造方法及曝光裝置的維護(hù)方法。
文檔編號G03F7/20GK101095213SQ200580018359
公開日2007年12月26日 申請日期2005年6月7日 優(yōu)先權(quán)日2004年6月9日
發(fā)明者白石健一 申請人:尼康股份有限公司