專利名稱：元件配置基板及其制備方法
技術(shù)領域：
本發(fā)明涉及包含形成在基板上的形成圖案的布線、電極、絕緣層、功能膜等的元件配置基板，該元件配置基板的制備方法，以及使用該元件配置基板的顯示裝置。更具體地說，本發(fā)明涉及含有形成在基板上的元件(器件)比如布線、電極、絕緣層、功能膜、半導體、電阻器、濾光器等的元件配置基板，該元件配置基板的制備方法，以及包含該元件配置基板的適用于液晶顯示裝置的顯示裝置，在所述元件配置基板上的元件的全部或部分是采用噴墨(釋放出液滴)裝置形成的。
背景技術(shù)：
作為布線形成的方法，涂敷液體材料的方法比如噴墨法在最近幾年受到了人們的關注。例如，在通過噴墨法形成布線的情況下，它通常是這樣進行的通過噴墨裝置將材料例如含有金屬微粒的金屬膠體溶液釋放在沿著布線圖案形成的導槽(也稱作圍堰)內(nèi)以形成布線，然后烘焙該用于形成金屬布線圖案的材料。采用噴墨裝置的這種金屬布線形成在布線的生產(chǎn)效率和基本性質(zhì)上是有優(yōu)勢的。即，通過這種噴墨法形成布線的優(yōu)點是該方法不需要濺射、蝕刻等的裝置，可有效節(jié)約成本；減少廢材料上獲得改善，并且與在真空氣氛中的膜形成法相比，通過增厚布線膜更易于低電阻布線的形成。對于以這種方式制備的布線基板，已經(jīng)在研究將其應用于各種電子設備中，例如廣泛研究將其應用于顯示裝置的基板。
作為除涂敷液體材料的方法之外的其它形成布線的現(xiàn)有方法，可以舉例的是

圖12所示的金屬層的濺射沉積法、光刻和蝕刻金屬層的方法，然而，這些方法在布線的生產(chǎn)效率和基本性質(zhì)上都不具有噴墨法的這些優(yōu)勢。此外，在布線的這種形成中，錐形形狀根據(jù)蝕刻條件進行控制，但是在膜厚度變厚的情況下，錐形形狀變得難于控制，而在逆向錐形形狀的情況下，在上層形成的膜例如CVD(化學氣相沉積)膜具有裂紋。
至于通過噴墨法形成布線的方法，公開了一種將被形成在基板上的導槽圍繞的區(qū)域形成圖案，然后通過噴墨法用材料填充以形成布線的方法(例如，參考專利二次公布WO99/48339(第1和2頁))。在這種現(xiàn)有的導槽和噴墨的方法中，如圖13所示，形成導槽13，之后再將金屬膠體溶液選擇性涂敷在導槽13之間，并進行熱處理以形成布線4。然而，在由樹脂材料構(gòu)成的導槽13和金屬布線4之間形成裂紋，并且如果為防止裂紋而除去導槽13，則布線的橫截面形狀傾向于形成逆向的錐形形狀。即，導槽13的錐形形狀改變，使得布線的橫截面形狀形成逆向的錐形形狀。此外，通常地，導槽13的厚度為1μm(＝10,000)或更大，因此，除去非常困難。
而且，作為形成布線的另一種方法，公開了一種包括如下步驟的方法采用具有自組裝特性的有機分子膜在基板表面上以預定圖案方式形成親液部分和疏液部分；選擇性地將其中分散有導電微粒的液體涂敷在親液部分；并通過熱處理將微粒轉(zhuǎn)變成導電膜，從而只在親液部分形成導電膜(例如，參考日本專利申請公開2002-164635(第1和2頁))。在這種現(xiàn)有的自組裝膜形成圖案和噴墨的方法中，例如，如圖14所示，在以自組裝膜(單分子膜)14形成圖案之后，將形成布線的材料例如上述金屬膠體溶液選擇性涂敷并進行熱處理，以形成布線4。然而，自組裝膜(單分子膜)14難于形成圖案，因而生產(chǎn)率較大地變低。因此，在采用噴墨裝置的布線形成中，仍然存在通過充分利用噴墨的優(yōu)點改善生產(chǎn)率和獲得裂紋等缺陷被抑制的元件配置基板的改善空間。這種改善空間存在于所有涂敷液體材料的方法。
發(fā)明概述鑒于本領域的上述狀態(tài)，本發(fā)明的目的是提供能夠易于制備且在基板的圖案膜上形成的薄膜內(nèi)的裂紋被抑制的元件配置基板、該元件配置基板的制備方法以及包含該元件配置基板的顯示裝置。
基于對在基板上含有圖案膜比如布線圖案的元件配置基板的各種研究，本發(fā)明人首次注意到，在圖案膜的膜厚度增大的情況下，由于橫截面形狀，會導致在圖案膜上形成的薄膜層內(nèi)易于產(chǎn)生裂紋。因此，發(fā)明人已經(jīng)注意到，當圖案膜的橫截面形狀由半橢圓形狀上部和正或幾乎垂直的錐形形狀下部構(gòu)成并且正或幾乎垂直的錐形形狀下部的平均厚度被控制為大于等于50并且小于等于3,000時，上述問題可以被解決，從而完成了本發(fā)明。此外，本發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，當通過采用光刻膠的疏水薄膜在基板上形成用于圖案膜的導槽并且通過噴墨法等將液體材料涂敷到圖案膜的導槽上以形成圖案膜時，可以以高生產(chǎn)率制備具有這種橫截面形狀的圖案膜，因此在元件配置基板的生產(chǎn)效率和圖案膜的基本性質(zhì)上是有優(yōu)點的。即，在本發(fā)明中，例如，在形成金屬布線的情況下，根據(jù)圖11所示的將超薄薄膜樹脂(疏水薄膜)形成圖案以及噴墨法，在將超薄薄膜樹脂2形成圖案之后，將金屬膠體溶液3選擇性涂敷并且進行熱處理，以形成布線4。在這種方式中，(1)由于采用光刻膠作為超薄薄膜樹脂，易于形成圖案(布線圖案的形成)，可以增加生產(chǎn)率；(2)采用光刻膠形成的超薄薄膜樹脂膜(疏水薄膜)可以薄至約1,500并且至少膜表面具有疏水性，因而金屬殘留物幾乎不留在光刻膠上，因此在形成布線之后的除去(剝離)易于進行；(3)由于所形成布線的橫截面形狀為如圖11C所示的向上凸的略平的凸透鏡狀的形狀，因此，即使布線的高度為幾千或更大(例如5,000)，也可以防止在布線上形成的薄膜比如CVD膜內(nèi)的裂紋。根據(jù)本發(fā)明，尤其是在布線的膜厚度變大的情況下，可以提供用于解決現(xiàn)有技術(shù)將遇到的所有可能問題的布線結(jié)構(gòu)及其制備方法。
即，本發(fā)明是在基板上提供有一種或多種圖案膜的元件配置基板，其中至少一個圖案膜具有由半橢圓形狀上部與正錐形形狀下部和幾乎垂直的錐形形狀下部這兩者中的一種構(gòu)成的橫截面形狀，并且下部的平均厚度為大于等于50并且小于等于3,000。
附圖簡述圖1A所示為在采用本發(fā)明形成布線(圖案膜)的方法形成柵極布線的情況下，布線形成流程的一個實例的示意性橫截面圖(在形成感光性樹脂膜時)。
圖1B所示為在采用本發(fā)明形成布線(圖案膜)的方法形成柵極布線的情況下，布線形成流程的一個實例的示意性橫截面圖(在將感光性樹脂形成為圖案時)。
圖1C所示為在采用本發(fā)明形成布線(圖案膜)的方法形成柵極布線的情況下，布線形成流程的一個實例的示意性橫截面圖(在充填膠體溶液時)。
圖1D所示為在采用本發(fā)明形成布線(圖案膜)的方法形成柵極布線的情況下，布線形成流程的一個實例的示意性橫截面圖(在加工薄膜晶體管的通道部分時)。
圖2A示出在如圖1所示形成的柵極布線上膜形成柵極絕緣體/半導體層/接觸層的情況的示意性橫截面圖。
圖2B是具有TFT元件的像素部分的示意性平面圖，所述TFT元件采用了如圖1所示形成的柵極布線。
圖2C是沿圖2B中的A-A′線切割部分的示意性橫截面圖。
圖3A所示為在采用本發(fā)明形成布線(圖案膜)的方法形成源極-漏極布線的情況下，布線形成流程的一個實例的示意性橫截面圖(形成感光性樹脂膜時)。
圖3B所示為在采用本發(fā)明形成布線(圖案膜)的方法形成源極-漏極布線的情況下，布線形成流程的一個實例的示意性橫截面圖(在將感光性樹脂形成圖案時)。
圖3C所示為在采用本發(fā)明形成布線(圖案膜)的方法形成源極-漏極布線的情況下，布線形成流程的一個實例的示意性橫截面圖(在充填膠體溶液時)。
圖3D所示為在采用本發(fā)明形成布線(圖案膜)的方法形成源極-漏極布線的情況下，布線形成流程的一個實例的示意性橫截面圖(在形成金屬布線時)。
圖3E所示為在采用本發(fā)明形成布線(圖案膜)的方法形成源極-漏極布線的情況下，布線形成流程的一個實例的示意性橫截面圖(在加工薄膜晶體管的通道部分時)。
圖4A是具有TFT元件的像素部分的示意性平面圖，所述TFT元件采用了如圖3所示形成的源極-漏極布線。
圖4B是沿圖4A中的B-B′線切割部分的示意性橫截面圖。
圖5A所示為在采用現(xiàn)有濺射方法形成柵極布線的情況下，布線形成流程的一個實例的示意性橫截面圖(在形成金屬膜時)。
圖5B所示為在采用現(xiàn)有濺射法形成柵極布線的情況下，布線形成流程的一個實例的示意性橫截面圖(在形成感光性樹脂圖案時)。
圖5C所示為在采用現(xiàn)有濺射法形成柵極布線的情況下，布線形成流程的一個實例的示意性橫截面圖(在蝕刻金屬布線時)。
圖5D所示為在采用現(xiàn)有濺射法形成柵極布線的情況下，布線形成流程的一個實例的示意性橫截面圖(在除去感光性樹脂時)。
圖6A是在通過現(xiàn)有濺射法形成柵極布線的情況下的示意性橫截面圖(比較例1)。
圖6B是解釋在采用現(xiàn)有濺射法形成柵極布線的情況下，在柵極布線上層內(nèi)出現(xiàn)裂紋這一狀態(tài)的示意性橫截面圖(比較例1)。
圖7A所示為在采用使用導槽材料的現(xiàn)有噴墨法形成柵極布線的情況下，布線形成流程的一個實例的示意性橫截面圖(在形成導槽材料圖案時)。
圖7B所示為在采用使用導槽材料的現(xiàn)有噴墨法形成柵極布線的情況下，布線形成流程的一個實例的示意性橫截面圖(在充填膠體溶液時)。
圖7C所示為在采用使用導槽材料的現(xiàn)有噴墨法形成柵極布線的情況下，布線形成流程的一個實例的示意性橫截面圖(在形成金屬布線時)。
圖8A是在采用使用導槽材料的現(xiàn)有噴墨法形成柵極布線的情況下的示意性橫截面圖(比較例2)。
圖8B是在采用使用導槽材料并除去導槽材料的現(xiàn)有噴墨法形成柵極布線的情況下的示意性橫截面圖(比較例2)。
圖8C是解釋在通過使用導槽材料的現(xiàn)有噴墨法形成柵極布線并除去導槽材料的情況下在柵極布線的上層內(nèi)形成裂紋這一狀態(tài)的示意性橫截面圖(比較例2)。
圖9A是在采用使用導槽材料并且不除去導槽材料的現(xiàn)有噴墨法形成柵極布線的情況下的示意性橫截面圖(比較例2)。
圖9B是解釋在通過使用導槽材料并且不除去導槽材料的現(xiàn)有噴墨法形成柵極布線的情況下，在柵極布線的上層內(nèi)形成裂紋這一狀態(tài)的示意性橫截面圖(比較例2)。
圖10A所示為在采用使用單分子膜的現(xiàn)有噴墨法形成柵極布線的情況下，布線形成流程的一個實例的示意性橫截面圖(在形成單分子膜時)。
圖10B所示為在采用使用單分子膜的現(xiàn)有噴墨法形成柵極布線的情況下，布線形成流程的一個實例的示意性橫截面圖(在將單分子膜形成圖案時)。
圖10C所示為在采用使用單分子膜的現(xiàn)有噴墨法形成柵極布線的情況下，布線形成流程的一個實例的示意性橫截面圖(在充填膠體溶液時)。
圖10D所示為在采用使用單分子膜的現(xiàn)有噴墨法形成柵極布線的情況下，布線形成流程的一個實例的示意性橫截面圖(在形成金屬布線時)。
圖11A是關于本發(fā)明元件配置基板的生產(chǎn)方法的一個實施方案，示出一部分布線圖案的示意性橫截面圖(將超薄薄膜樹脂膜形成圖案的步驟)。
圖11B是相對于本發(fā)明元件配置基板的生產(chǎn)方法的一個實施方案，示出一部分布線圖案的示意性橫截面圖(金屬膠體溶液的選擇性涂敷和熱處理的步驟)。
圖11C是相對于本發(fā)明元件配置基板的生產(chǎn)方法的一個實施方案，示出一部分布線圖案的示意性橫截面圖(在形成布線時)。
圖12A是相對于現(xiàn)有的濺射和光刻方法的一個實例，示出一部分布線圖案的示意性橫截面圖(在形成感光性樹脂圖案時)。
圖12B是相對于現(xiàn)有的濺射和光刻方法的一個實例，示出一部分布線圖案的示意性橫截面圖(在蝕刻金屬布線時)。
圖13A是相對于現(xiàn)有的導槽和噴墨方法的一個實例，示出一部分布線圖案的示意性橫截面圖(在形成導槽材料圖案時)。
圖13B是相對于現(xiàn)有的導槽和噴墨方法的一個實例，示出一部分布線圖案的示意性橫截面圖(在形成金屬布線時)。
圖14A是相對于現(xiàn)有的自組裝膜形成圖案和噴墨方法的一個實例，示出一部分布線圖案的示意性橫截面圖(在形成單分子膜圖案時)。
圖13B是相對于現(xiàn)有的自組裝膜形成圖案和噴墨方法的一個實例，示出一部分布線圖案的示意性橫截面圖(在形成金屬布線時)。
符號的說明1透明基板2感光性樹脂(超薄薄膜樹脂膜，疏水薄膜)3金屬膠體溶液(烘焙之前)4柵極布線(金屬布線)5柵極絕緣體6半導體層7接觸層8源極/布線(金屬布線)9漏極/布線(金屬布線)10像素電極11鈍化膜12金屬膜13導槽材料(圍堰材料)14單分子膜發(fā)明詳述下文中，將詳細描述本發(fā)明。在本說明書中，“不小于”和“不大于”包括對應的數(shù)值。
本發(fā)明的元件配置基板是在基板上具有形成圖案的膜(圖案膜)。本發(fā)明的元件配置基板可以包括兩種或更多種不同類型的圖案膜。上述圖案膜沒有特別限制，并優(yōu)選構(gòu)成元件，更優(yōu)選構(gòu)成選自由布線、電極、絕緣層和功能膜組成的組中的至少一種元件，其中，還更優(yōu)選構(gòu)成布線。上述功能膜沒有特別限制，只要其可以表現(xiàn)出基于電、光、機械、熱、化學、生物性質(zhì)的任意功能即可，例如可以包括有機EL(電致發(fā)光)設備中的有機層比如光發(fā)射層以及正空穴注入層等。圖案膜的長度和平面形狀沒有特別限制。
只要本發(fā)明的元件配置基板作為必須的構(gòu)成要素包含基板以及圖案膜，其構(gòu)成就可以包含或不包含其它構(gòu)成要素，因此，它并沒有特別的限制。如果所述元件配置基板具有作為元件(設備)的布線，則其可以被稱作布線基板。
上述圖案膜的至少一種具有由半橢圓形狀上部與正錐形形狀下部和幾乎垂直的錐形形狀的下部這兩者中的一種構(gòu)成的橫截面形狀，并且下部的平均厚度為大于等于50并且小于等于3,000。通常地，半橢圓形狀部分和正或幾乎垂直的錐形形狀部分在形成圖案膜時是一體形成的，并且在形成圖案膜時將成為基底的基板側(cè)作為下部，并只基于它們的形狀加以區(qū)別。在這種本發(fā)明中，圖案膜的橫截面上部被制備成半橢圓狀部分，并且橫截面下部的正或幾乎垂直的錐形形狀部分被制備成薄的，即圖案膜的橫截面形狀被制備成向上凸的略平的凸透鏡狀的形狀，因而即使圖案膜被制備成厚的，也可以抑制在圖案膜上形成的薄膜比如CVD膜內(nèi)的裂紋。正或幾乎垂直的錐形形狀部分通常優(yōu)選具有盡可能小的平均厚度，但是如果它小于50，則在形成圖案膜的情況下需要導槽材料厚度小于50，因此光刻膠膜不能用作導槽材料，從而導致元件配置基板的生產(chǎn)效率的降低。另一方面，如果超過3,000，則不能充分顯示抑制裂紋的本發(fā)明效果。優(yōu)選下限為500，并且優(yōu)選上限為2,000。雖然，它取決于光刻膠的材料特性比如耐熱性，但是光刻膠薄膜可以在形成布線之后被除去或可以不被除去，并優(yōu)選被除去。在本發(fā)明中，半橢圓形狀部分可以具有基本上被認為是半橢圓狀形狀的橫截面形狀，只要提供本發(fā)明的效果即可，尤其是，優(yōu)選半橢圓狀部分具有其中中心部分相應于頂點部分并且其它部分從頂點部分向下傾斜到兩個末端部分的橫截面形狀。正或幾乎垂直的錐形形狀部分是具有其中圖案寬度向上變窄的所謂正錐形形狀的橫截面形狀，或具有其中圖案寬度幾乎恒定向上的所謂幾乎垂直的錐形形狀的橫截面形狀，而幾乎垂直的錐形形狀部分可以是具有其中圖案寬度向上變寬的所謂逆向錐形形狀的橫截面形狀，只要提供本發(fā)明的效果即可。
至少一種圖案膜優(yōu)選具有2,000或更大的平均膜厚度。因此，可以獲得具有優(yōu)異基本性質(zhì)的圖案膜(布線的結(jié)構(gòu))，并且可以充分表現(xiàn)在圖案膜內(nèi)沒有形成裂紋的本發(fā)明效果。更優(yōu)選，下限和上限分別為3,000和6,000。所述平均膜厚度是在圖案的橫截面形狀厚度變成最大的位置的平均值。
至少一種圖案膜優(yōu)選通過將液體材料涂敷到由光刻膠薄膜構(gòu)成的導槽圖案的內(nèi)部形成。因此，圖案膜的形成以及在形成之后構(gòu)成導槽圖案的光刻膠薄膜的除去(剝離)都可容易進行，因而可以獲得在元件配置基板的生產(chǎn)效率方面的優(yōu)異效果。作為光刻膠，通常要使用含有感光性樹脂的樹脂組合物，例如可以使用能夠被涂敷在基板上形成膜并且通過光刻法將其形成所需圖案的組合物。光刻膠薄膜優(yōu)選為具有疏水性質(zhì)的疏水薄膜，并且實際上，在形成布線圖案的光刻膠(導槽材料)的薄膜情況下，優(yōu)選該膜對金屬膠體溶液具有50°或更大的接觸角。作為金屬膠體溶液用的溶劑(分散劑)，具體地，在通過噴墨法形成布線的情況下可以使用醇類和卡必醇類的溶劑(分散劑)，而且在通過浸漬(DIP)法、旋涂法、模涂法等形成布線的情況下，除上述溶劑(分散劑)之外還可以使用其它水基溶劑(分散劑)。上述溶劑(分散劑)還可以用作形成氧化物導體比如氧化銦錫(ITO)和絕緣層圖案的材料用的溶劑(分散劑)，而并不是限定于形成布線的材料，因此，在其用于形成電極圖案和絕緣層圖案的情況下，也優(yōu)選光刻膠的薄膜對含有上述溶劑(分散劑)的溶液具有50°或更大的接觸角。在上述溶劑(分散劑)用作溶劑(分散劑)的情況下，作為光刻膠的疏水薄膜，優(yōu)選(1)采用具有疏水性的疏水光刻膠形成的薄膜以及(2)采用沒有疏液性的光刻膠形成并且通過使用氟基氣體的等離子體處理提供疏液性的薄膜。在使用圖案膜的這種形成方法的情況下，圖案膜的橫截面下部形狀是構(gòu)成導槽圖案的光刻膠薄膜的逆向(反轉(zhuǎn))形狀，并且具有與光刻膠薄膜厚度幾乎相同的厚度。光刻膠薄膜優(yōu)選具有3,000或更小的平均膜厚度。如果該厚度超過3,000，則本發(fā)明用于抑制裂紋的效果不能被充分表現(xiàn)。更優(yōu)選的下限為500，并且更優(yōu)選的上限為2,000。作為將圖案膜的液體材料涂敷到導槽圖案內(nèi)部的方法，可以舉例的有噴墨法、旋涂法和刮刀法等，其中，優(yōu)選使用噴墨法。
上述圖案膜的至少一種優(yōu)選被無機材料薄膜覆蓋。通過用無機材料涂敷圖案膜將形成有圖案膜的部分制備成多層結(jié)構(gòu)，能夠充分表現(xiàn)出本發(fā)明防止在圖案膜上層的薄膜內(nèi)出現(xiàn)裂紋的效果，并且還能夠通過安裝薄膜晶體管(TFT)等將本發(fā)明的元件配置基板用作液晶顯示裝置的有源矩陣基板等。作為無機材料的薄膜，優(yōu)選通過真空蒸鍍法或化學氣相沉積法形成的薄膜。在這種情況下，可以充分表現(xiàn)本發(fā)明的效果。更具體地，例如，可以例舉的有構(gòu)成薄膜晶體管，比如柵極絕緣體的層、半導體層(α-Si)、接觸層(n+類型α-Si)、絕緣保護層(鈍化膜)等。無機薄膜的平均厚度通常在3,000到5,000范圍內(nèi)。
本發(fā)明還提供在基板上包含一種或多種圖案膜的元件配置基板的制備方法，該方法包括通過光刻膠的疏水薄膜形成一個或多個導槽圖案的步驟，所述導槽圖案是為形成圖案膜而配置的；以及通過將液體材料涂敷到導槽圖案內(nèi)部而形成圖案膜的步驟。上述圖案膜并沒有特別限制，優(yōu)選選自由布線、電極、絕緣層和功能膜組成的組中的至少一種，其中，所述圖案膜更優(yōu)選布線。因此，在制備元件配置基板時，諸如布線、電極、絕緣層和功能膜之類的圖案膜的形成以及形成之后除去(剝離)光刻膠的疏水薄膜都可以容易進行，從而導致在元件配置基板的生產(chǎn)效率方面的優(yōu)異效果，而且，即使圖案膜被制備成厚的，也能夠通過使光刻膠的疏水薄膜足夠薄來抑制在布線上所形成的薄膜比如CVD膜內(nèi)的裂紋。
在本發(fā)明中，作為上述光刻膠的疏水薄膜，從生產(chǎn)率考慮，優(yōu)選通過采用氟基氣體的等離子體處理使光刻膠薄膜(沒有疏水性)具有疏水性而形成的薄膜或者通過采用具有疏水性的光刻膠(疏水光刻膠)而形成的薄膜，并且在使用光刻膠薄膜(導槽材料)形成布線圖案的情況下，所述光刻膠薄膜(導槽材料)優(yōu)選對金屬膠體溶液具有50°或更高的接觸角。而且，不限于用于形成布線圖案的光刻膠薄膜(導槽材料)，至于其它光刻膠薄膜(導槽材料)，它們優(yōu)選對含有類似溶劑(分散劑)的溶液具有50°或更高的接觸角。作為被用于等離子體處理的氟基氣體，任何氣體都可以使用，并沒有任何特殊限制，只要該氣體包含氟原子即可，但是優(yōu)選使用諸如CF4、SF6之類的氣體以及用N2、He等稀釋的這些氣體。
光刻膠優(yōu)選包含10重量％或更大比例的樹脂固體物質(zhì)。如果該樹脂固體物質(zhì)小于10重量％的比例，則在形成的疏水薄膜中可能會導致諸如針孔之類的缺陷。而且，光刻膠優(yōu)選包含30重量％或更小比例的樹脂固體物質(zhì)。如果該樹脂固體物質(zhì)超過30重量％的比例，則光刻膠的粘性增加，從而可能使得不能夠形成在更厚側(cè)具有約3,000的適宜厚度的疏水薄膜。優(yōu)選使用樹脂固體物質(zhì)為大于等于10重量％并且小于等于30重量％的比例的光刻膠形成厚度為大于等于50并且小于等于3,000的疏水薄膜。具有疏水性的光刻膠的樹脂固體物質(zhì)的更優(yōu)選下限為15重量％的比例，更優(yōu)選上限為25重量％的比例。
上述光刻膠的疏水薄膜優(yōu)選具有大于等于50并且小于等于3,000的平均膜厚度。因此，可以充分表現(xiàn)出本發(fā)明抑制裂紋的效果等。更優(yōu)選下限和更優(yōu)選上限分別為500和2,000。上述形成圖案膜的步驟優(yōu)選通過噴墨法進行。因此，可以實現(xiàn)在元件配置基板的生產(chǎn)效率和圖案膜的基本性質(zhì)上的有利效果。
至于本發(fā)明元件配置基板的制備方法的一個實施方案，圖11示出了一部分布線圖案的示意性橫截面圖。圖11示出通過如下步驟形成具有向上凸的略平的凸透鏡狀的橫截面形狀的布線4(參考圖11C)將超薄薄膜樹脂膜(光刻膠的疏水薄膜)2形成圖案(參考圖11A)；隨后選擇性將金屬膠體溶液3涂敷在被樹脂膜2包圍的空間內(nèi)；然后使溶液進行熱處理(參考11B)。
在上述制備方法中，作為用于制備在液晶顯示裝置中的TFT陣列布線基板的加工流程的概括，通常地，進行下列相應的步驟(1)加工之前洗滌基板；(2)形成柵極布線；(3)在柵極布線上沉積柵極絕緣體，然后形成半導體層；(4)形成源極/漏極布線；(5)沉積保護膜(鈍化膜)，然后配置感光性樹脂層；(6)形成像素電極；以及(7)最后檢查基板。在這種加工流程的形成柵極布線和源極/漏極布線的步驟中，布線是采用上述用于形成布線的方法形成的。在這種情況下，可以采用在本發(fā)明中的光刻膠疏水薄膜作為用于形成布線圖案的導槽材料。
作為描述這種加工流程的一個實例，在形成柵極布線的步驟(2)中，在已在加工之前洗滌基板的步驟中經(jīng)過洗滌的基板上形成光刻膠的疏水薄膜，通過采用光刻法形成導槽圖案，隨后通過涂敷法比如噴墨法用液體布線材料填充導槽圖案，再烘焙該布線材料，來形成門電極和布線。此時，同時形成用于存儲電容器的布線(Cs布線)。形成布線之后，除去(剝離)光刻膠的疏水薄膜(導槽圖案)。在上述將柵極絕緣體沉積在柵極布線上然后形成半導體層的步驟(3)中，順序形成諸如SiNx的柵極絕緣體、諸如α-Si的半導體層以及諸如n+-類型α-Si的接觸層，此外，將半導體層和接觸層形成為所需的圖案。在上述形成源極/漏極布線的步驟(4)中，通過與在形成柵極布線的步驟中所使用方法類似的方法，在接觸層上形成源極與布線以及漏極與布線。在上述沉積保護膜(鈍化膜)然后沉積感光性樹脂層的步驟(5)中，在非顯示區(qū)域內(nèi)形成諸如SiNx的膜。在上述形成像素電極的步驟(6)中，在顯示區(qū)域內(nèi)形成諸如氧化銦錫(ITO)的像素電極。在上述最終檢查基板的步驟(7)中，檢查布線圖案缺陷的存在。
本發(fā)明還提供含有本發(fā)明的元件配置基板或者由本發(fā)明元件配置基板的制備方法所制備的元件配置基板的顯示裝置。該顯示裝置沒有特別限制，只要其能夠通過諸如將電信號供給元件配置基板的布線的方法控制顯示即可。作為這種顯示裝置，可以例舉的有液晶顯示裝置和有機電致發(fā)光(EL)顯示裝置，其中，優(yōu)選液晶顯示裝置。因此，可以實現(xiàn)在生產(chǎn)效率、產(chǎn)率和可靠性方面的有利效果。
接著，將描述構(gòu)成元件配置基板的基板、被涂敷于導槽圖案的液體材料以及涂敷條件。
作為基板，例如，可以使用硅(Si)片、石英玻璃、玻璃、塑料膜、金屬板等，而且，可以將半導體膜、金屬膜、介電膜、有機膜等形成在基板表面上，作為布線用的底層。
在液體材料中，作為布線和電極材料，可用實例是通過將銀、銅、金、鈀、鎳或它們的合金分散在溶劑(分散劑)中獲得的液體材料；通過將諸如氧化銦錫(ITO)的導電微粒分散在溶劑(分散劑)獲得的液體材料；能夠在涂敷之后通過化學反應比如還原反應制備金屬的液體材料，導電聚合物以及通過將導電聚合物分散在溶劑(分散劑)中獲得的液體材料。而且，作為絕緣層材料，可用實例為溶膠-凝膠材料以及通過將金屬微粒、氧化物微粒分散在溶膠-凝膠材料中獲得的液體材料。此外，作為用于功能膜的材料，可用實例為有機半導電材料比如有機EL材料和被用于將載流子注入到有機EL層的PEDOT(聚(亞乙二氧基噻酚))。其中，優(yōu)選具有適用于通過噴墨法涂敷的特性的材料。
涂敷條件可以根據(jù)所需圖案膜的膜厚度、液體材料的組成和特性、基板材料等進行適當調(diào)節(jié)，并沒有特別的限制。
本發(fā)明的元件配置基板具有上述構(gòu)成，并且由于圖案膜的橫截面形狀是由半橢圓形狀上部和正或幾乎垂直的錐形形狀下部構(gòu)成，因此即使形成厚的圖案膜，也可以通過形成薄的正或幾乎垂直的錐形部分來抑制在圖案膜上形成的薄膜諸如CVD膜內(nèi)的裂紋。本發(fā)明的這種元件配置基板可以適用于在顯示裝置比如液晶顯示裝置內(nèi)的TFT陣列布線基板，并且提供在生產(chǎn)效率、產(chǎn)率和可靠性方面的有利效果。
實施本發(fā)明的最佳方式下文中，將更詳細地描述本發(fā)明，但是，并不是要將本發(fā)明限制于所說明的實施方案。
(實施例1)圖1所示為在采用本發(fā)明形成布線(圖案膜)的方法形成柵極布線的情況下的布線形成流程的一個實例的示意性橫截面圖。圖2A是示出在如圖1所示形成的柵極布線上膜形成柵極絕緣體/半導體層/接觸層的情況的示意性橫截面圖。圖2B是具有TFT元件的像素部分的示意性平面圖，所述TFT元件采用了如圖1所示形成的柵極布線。圖2C是沿圖2B中的A-A′線切割部分的示意性橫截面圖。
在根據(jù)本發(fā)明的布線形成方法的柵極布線形成流程中，首先在透明基板1上形成平均膜厚度為大于等于700并且小于等于1,500的具有疏水性的負性類感光性樹脂(光刻膠)2(樹脂固體物質(zhì)的比例為25重量％)(參考圖1A)，然后將該感光性樹脂2通過光刻法形成所需圖案(樹脂寬度為30μm，并且孔徑寬度為30μm)(參考圖1B)。其次，通過噴墨法、旋涂法或浸涂法將含有銀(Ag)、銅(Cu)或它們的合金的膠體溶液3沉積在沒有形成感光性樹脂2的區(qū)域內(nèi)(參考圖1C)。之后，將該溶液在300℃下烘焙約1小時以形成平均膜厚度為3,000的金屬布線4，然后將感光性樹脂2除去，以完成柵極布線4的形成(參考圖1D)。由這個實施例形成的柵極布線4具有由半橢圓形狀上部和正或幾乎垂直的錐形形狀下部構(gòu)成的橫截面形狀，并且該正或幾乎垂直的錐形形狀下部具有大于等于700并且小于等于1,500的平均厚度。
接著，在所得柵極布線4上依次形成柵極絕緣體5(平均膜厚度為3,500)、半導體層6(平均膜厚度為1,500)和接觸層7(平均膜厚度為1,000)(參考圖2A)，此外將半導體層6和接觸層7形成所需圖案(參考圖2B和2C)。如圖2A所示，此時，在本實施方案中，可以形成具有良好階梯覆蓋(階梯覆蓋性質(zhì))的膜。之后，可以形成源極-布線8、漏極-布線9、通道部分、像素電極10和鈍化膜11等，以制備TFT元件(參考圖2B和2C)。
(實施例2)圖3所示為在采用本發(fā)明布線(圖案膜)的形成方法形成源極-漏極布線的情況下，布線形成流程的一個實例的示意性橫截面圖。圖4A是具有TFT元件的像素部分的示意性平面圖，所述TFT元件采用了如圖3所示形成的源極-漏極布線。圖4B是沿圖4B中的B-B′線切割部分的示意性橫截面圖。
在本實施例中，首先在透明基板1上形成柵極布線4，隨后形成柵極絕緣體5、半導體層6和接觸層7，再通過光刻法將半導體層6和接觸層7形成所需圖案，以形成在源極-漏極布線形成之前的基板。接著，在采用本發(fā)明布線形成方法的源極-漏極布線的形成流程中，在接觸層7上形成平均膜厚度為大于等于700并且小于等于1,500的具有疏水性的負性類感光性樹脂(光刻膠)2(樹脂固體物質(zhì)的比例為25重量％)(參考圖3A)，然后通過光刻法將該感光性樹脂2形成所需的圖案(樹脂寬度為10μm，并且孔徑寬度為10μm)(參考圖3B)。接著，通過噴墨法、旋涂法或浸涂法將含有銀(Ag)、銅(Cu)或它們的合金的膠體溶液3涂敷在沒有形成感光性樹脂2的區(qū)域內(nèi)(參考圖3C)。之后，將溶液在300℃下烘焙約1小時，以形成平均膜厚度為3,000的金屬布線8和9(參考圖3D)，然后將感光性樹脂2和在樹脂下的接觸層7除去，以完成源電極與布線8以及漏電極與布線9的形成(參考圖3E)。之后，形成通道部分、像素電極10、鈍化膜11等，以制備出TFT元件(參考圖4A和4B)。由本實施例形成的源電極與布線8以及漏電極與布線9具有由半橢圓形狀上部和正或幾乎垂直的錐形形狀的下部構(gòu)成的橫截面形狀，并且正或幾乎垂直的錐形形狀的下部具有大于等于700并且小于等于1,500的平均厚度。
在實施例1和2中，雖然采用負性類感光材料作為感光性樹脂2的材料，但是也可以采用正性感光樹脂材料。而且，雖然采用具有疏水性的感光材料作為感光性樹脂2的材料，但是可以通過使用沒有疏水性的感光材料形成膜并且再采用氟基氣體(CF4、SF6以及被N2、He等稀釋的這些氣體)對所形成的薄膜進行等離子體處理來形成具有疏水性的感光性樹脂2。等離子體處理可以通過如下的方法進行采用真空蒸發(fā)類干蝕刻裝置的方法(被引入的氣體流量CF4/H2＝(150～300)/(0～500)sccm；處理壓力50～150mTorr；處理功率200～300W；處理時間60～120sec；溫度40℃)以及采用大氣等離子體裝置的方法(被引入的氣體流量CF4/N2＝(5.0～15slm)/(20～50slm)；處理功率300～800W；基板輸送速度0.5～3m/min；溫度25～35℃)。
另外，在通過使用正性類感光性樹脂2和通過使用氟基氣體的等離子體處理使形成圖案的薄膜具有疏水性的情況下，可以實現(xiàn)與實施例1和2相同的效果。
(試驗1)本試驗是為證實感光性樹脂(光刻膠)的平均膜厚度(布線下部的高度)和布線(圖案膜)上的薄膜內(nèi)出現(xiàn)裂紋狀態(tài)之間的關系進行的。
在本試驗中，在形成于基板上并具有各種膜厚度的感光性樹脂薄膜(薄膜光刻膠)之間形成平均膜厚度為3,000的布線，隨后在該布線上形成平均膜厚度為3,000～3,500的無機材料膜，并且評價在無機材料薄膜(上層的無機膜)內(nèi)裂紋出現(xiàn)的狀態(tài)。下文中，將詳細描述本試驗。
首先，通過旋涂法，將具有疏水性的負性類感光性樹脂(樹脂固體物質(zhì)的比例為10～30重量％)涂敷在透明基板上，然后通過光刻法形成圖案。作為用于本試驗的樣品，通過改變感光性樹脂薄膜(薄膜光刻膠)的厚度和形成圖案以制備多個樣品。
在這種情況下，通過調(diào)節(jié)溶劑對涂敷溶液的稀釋和/或調(diào)節(jié)螺旋旋轉(zhuǎn)的速度，以調(diào)節(jié)感光性樹脂薄膜(薄膜光刻膠)的平均厚度，從而獲得如下表1所示的各種平均厚度值。至于薄膜光刻膠的形成圖案，在薄膜光刻膠之間的間隙S(相應于布線的形成寬度)和薄膜光刻膠的寬度L被調(diào)節(jié)為L/S等于10/10、20/20、30/30、50/50和100/100(單位μm)時，制備出相應類型的樣品。
接著，通過噴墨法，將含銀(Ag)的膠體溶液(采用卡必醇類為溶劑)填充在透明基板上的薄膜光刻膠之間的間隙，然后在300℃下進行烘焙約1小時，以在薄膜光刻膠之間形成平均厚度為3,000的布線。接著，鄰近布線的薄膜光刻膠與透明基板及布線分開。殘留布線具有由半橢圓形狀上部和正或幾乎垂直的錐形形狀的下部構(gòu)成的橫截面形狀，并且正或幾乎垂直的錐形形狀的下部的高度幾乎與分離的薄膜光刻膠的厚度相同。布線的寬度也幾乎與在形成圖案的薄膜光刻膠之間的間隙相同。
最后，在布線上形成平均厚度為3,000～3,500的無機材料SiNx薄膜，并研究在該薄膜內(nèi)裂紋出現(xiàn)的狀態(tài)。
結(jié)果在下列表1示出。
表1

如表1所示，在薄膜光刻膠的膜厚度(布線下部的高度)被設定為小于50的情況下，難于形成具有這種薄厚度的薄膜光刻膠。因此，難于形成布線，因而評價在該無機材料薄膜內(nèi)的裂紋出現(xiàn)是沒有意義的。而且，在設定膜厚度為大于等于50并且小于等于3,000的情況下，在無機材料薄膜內(nèi)沒有形成裂紋，薄膜光刻膠的形成和分離過程中沒有出現(xiàn)任何特殊問題。此外，在將膜厚度設定為3,500或更大的情況下，從透明基板上剝離薄膜光刻膠變得困難，并在無機材料薄膜內(nèi)發(fā)現(xiàn)裂紋。
這些結(jié)果都是根據(jù)薄膜光刻膠的膜厚度發(fā)現(xiàn)的，與薄膜光刻膠之間的間隙(布線的寬度)無關。
(試驗2)本試驗是為證實在布線(圖案膜)的平均膜厚度與在布線上的薄膜內(nèi)裂紋出現(xiàn)的狀態(tài)以及布線的形成狀態(tài)之間的關系而進行的。
在本試驗中，在基板上的平均膜厚度為1,500或3,000的薄膜光刻膠之間形成平均膜厚度具有各種變化的(1,500～10,000)布線，然后在該布線上形成平均膜厚度為3,000～3,500的無機材料SiNx膜，并且評價在無機材料薄膜內(nèi)裂紋出現(xiàn)的狀態(tài)。結(jié)果在下表2所示。
此外，以與實施例1相同的方式進行薄膜光刻膠和布線的形成等。
表2

如表2所示，在感光性樹脂的平均膜厚度被恒定保持為1,500的情況下，如果布線的平均膜厚度被設定為1,500，則在無機材料薄膜內(nèi)沒有觀察到裂紋出現(xiàn)，但是布線電阻高。如果布線的平均膜厚度被設定為大于等于2,000并且小于等于6,000，則在無機材料薄膜內(nèi)沒有觀察到裂紋出現(xiàn)，而且布線電阻足夠低。此外，如果布線的平均膜厚度被設定為8,000或更大，則金屬膠體溶液鋪展在感光性樹脂上，使布線不能形成。因此，不能評價無機材料薄膜內(nèi)的裂紋出現(xiàn)。
這些結(jié)果也是根據(jù)感光性樹脂的膜厚度發(fā)現(xiàn)的，與感光性樹脂之間的間隙(布線的寬度)無關。
此外，如表2所示，如果感光性樹脂的平均膜厚度被固定為3,000，則獲得類似的結(jié)果。
(比較例1)圖5所示為在采用現(xiàn)有的濺射法形成柵極布線的情況下，布線形成流程的一個實例的示意性橫截面圖。
在通過現(xiàn)有的濺射法的柵極布線形成流程中，首先在透明基板1上通過濺射法形成平均膜厚度為5,000的金屬膜12之后(參考圖5A)，通過光刻法使感光性樹脂2形成所需的圖案(參考圖5B)。接著，將金屬膜12蝕刻成感光性樹脂2的圖案形狀，以形成金屬布線4(參考圖5C)。之后，將感光性樹脂2除去，以完成柵極布線4的形成(參考圖5D)。
然而，在比較例1的布線形成流程中，如圖6A所示，尤其是如果布線的膜厚度變大，則變得難以控制布線的錐形形狀，并且柵極布線4的橫截面形狀趨向于為逆向的錐形形狀，在這種柵極布線4上形成柵極絕緣體5/半導體層6/接觸層7的情況下，階梯覆蓋退化，并且如圖6B所示，在柵極絕緣體5/半導體層6/接觸層7內(nèi)趨向于出現(xiàn)裂紋。相反，在實施例1和2中，即使布線的膜厚度大，也由于布線上部的形狀為向上凸的略平的凸透鏡狀的形狀，因此上層膜的階梯覆蓋良好。
(比較例2)圖7所示為在采用使用導槽材料的現(xiàn)有噴墨法形成柵極布線的情況下，布線形成流程的一個實例的示意性橫截面圖。
在采用使用導槽材料的現(xiàn)有噴墨法的柵極布線形成流程中，首先通過光刻法在透明基板1上以所需圖案的形式形成感光性樹脂的導槽材料13，隨后在通過采用氟基氣體的等離子體處理使導槽材料13具有疏水性(參考圖7A)，并且通過噴墨法、旋涂法或浸涂法，使沒有形成導槽材料13的區(qū)域被含銀(Ag)，銅(Cu)或它們的合金的膠體溶液3填充(參考圖7B)。之后，溶液在300℃下烘焙約1小時，以形成平均膜厚度為3,000的金屬布線4(參考圖7C)，然后將導槽材料13除去，從而完成柵極布線4的形成。
然而，在比較例2的布線形成流程中，如圖8A所示，由于導槽材料13的橫截面形狀為正的錐形形狀，因此，如圖8B所示，柵極布線4的橫截面形狀趨向于為逆向的錐形形狀，并且在導槽材料13被去除的情況下，當在柵極布線4上形成柵極絕緣體5/半導體層6/接觸層7時，階梯覆蓋退化，并且如圖8C所示，在柵極絕緣體5/半導體層6/接觸層7內(nèi)傾向于形成裂紋。此外，導槽材料13通常具有1μm或更大的平均膜厚度，因此難于被除去。相反，在實施例1和2中，即使將感光性樹脂2的薄膜除去，階梯部分的膜厚度也是薄的，因此，階梯覆蓋良好，而且因為平均膜厚度薄至1,500或更薄，因此感光性樹脂薄膜能夠易于被除去。
另一方面，在導槽材料13不被除去的情況下，如圖9A所示，由于烘焙之后，傾向于在柵極布線4和導槽材料13之間形成間隙，因此，當在柵極布線4上形成柵極絕緣體5/半導體層6/接觸層7時，階梯覆蓋退化，并且如圖9B所示，傾向于在柵極絕緣體5/半導體層6/接觸層7內(nèi)形成裂紋。此外，在采用有機樹脂作為導槽材料13的情況下，在柵極絕緣體5/半導體層6/接觸層7的膜形成時放出氣體，使膜質(zhì)量變差。相反，在實施例1和2中，由于感光性樹脂2的薄膜被除去，因此當形成柵極絕緣體5/半導體層6/接觸層7作為上層時，不易出現(xiàn)裂紋，并且在柵極絕緣體5/半導體層6/接觸層7的膜形成時沒有氣體放出。
(比較例3)圖10所示為在采用使用單分子膜的現(xiàn)有噴墨法形成柵極布線的情況下，布線形成流程的一個實例的示意性橫截面圖。
在采用使用單分子膜的現(xiàn)有噴墨法情況下的布線形成流程中，首先，在透明基板1上形成單分子膜14(參考圖10A)，然后通過光能將單分子膜14形成所需的圖案(參考圖10B)。接著，通過噴墨法、旋涂法或浸涂法，使沒有形成單分子膜14的區(qū)域被含銀(Ag)、銅(Cu)或它們的合金的膠體溶液3填充(參考圖10C)。之后，溶液在300℃下烘焙約1小時，以形成平均膜厚度為3,000的金屬布線4(參考圖10D)，然后除去單分子膜14，從而完成柵極布線4的形成。
然而，單分子膜14難于形成圖案，通常它需要通過準分子激光器等以幾十個mJ/cm2的能量劑量輻射出波長為170～254nm的UV射線，因而生產(chǎn)率顯著變差。相反，在實施例1和2中，由于使用感光性樹脂2的薄膜，因此能夠易于通過接近藍色波長范圍的光形成圖案，從而產(chǎn)生高的生產(chǎn)率。
根據(jù)35U.S.C.ξ119(a)，這個非臨時申請要求在2004年4月30日在日本提交的專利申請2004-136173和在2004年12月13日在日本提交的2004-360399的優(yōu)先權(quán)，這些申請的全部內(nèi)容都通過引用結(jié)合在此。
權(quán)利要求
1.一種在基板上提供有一種或多種圖案膜的元件配置基板，其中至少一種圖案膜具有如下的橫截面形狀，該橫截面形狀由半橢圓形狀上部與正的錐形形狀下部和幾乎垂直的錐形形狀下部這兩種中的一種構(gòu)成，并且所述下部的平均厚度為大于等于50并且小于等于3,000。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的元件配置基板，其中所述圖案膜是選自由布線、電極、絕緣層和功能膜組成的組中的至少一種膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的元件配置基板，其中至少一種所述圖案膜具有2,000或更大的平均膜厚度。
4.根據(jù)權(quán)利要求1的元件配置基板，其中至少一種所述圖案膜是通過將液體材料涂敷到由光刻膠薄膜構(gòu)成的導槽圖案內(nèi)部形成的。
5.根據(jù)權(quán)利要求1的元件配置基板，其中至少一種所述圖案膜被無機材料薄膜覆蓋。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的元件配置基板，其中所述無機材料薄膜是通過真空蒸鍍法或化學氣相沉積法形成的。
7.一種制備在基板上含有一種或多種圖案膜的元件配置基板的方法，所述方法包括如下步驟通過光刻膠的疏水薄膜形成一種或多種導槽圖案的步驟，所述導槽圖案是為形成所述圖案膜配置的；以及通過將液體材料涂敷到所述導槽圖案內(nèi)部形成圖案膜的步驟。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的元件配置基板的制備方法，其中所述圖案膜是選自由布線、電極、絕緣層和功能膜組成的組中的至少一種膜。
9.根據(jù)權(quán)利要求7的元件配置基板的制備方法，其中所述光刻膠的疏水薄膜是通過采用氟基氣體的等離子體處理使光刻膠薄膜具有疏水性而形成的。
10.根據(jù)權(quán)利要求7的元件配置基板的制備方法，其中所述光刻膠的疏水薄膜是采用具有疏水性的光刻膠形成的。
11.根據(jù)權(quán)利要求7的元件配置基板的制備方法，其中所述光刻膠包含10重量％或更大比例的樹脂固體物質(zhì)。
12.根據(jù)權(quán)利要求7的元件配置基板的制備方法，其中所述光刻膠包含30重量％或更小比例的樹脂固體物質(zhì)。
13.根據(jù)權(quán)利要求7的元件配置基板的制備方法，其中所述光刻膠的疏水薄膜具有大于等于50并且小于等于3,000的平均膜厚度。
14.根據(jù)權(quán)利要求7的元件配置基板的制備方法，其中所述形成圖案膜的步驟是通過噴墨法進行的。
15.一種顯示裝置，其包含根據(jù)權(quán)利要求1到6中任一項所述的元件配置基板或者由根據(jù)權(quán)利要求7到14中任一項所述的元件配置基板的制備方法所制備的元件配置基板。
16.根據(jù)權(quán)利要求15的顯示裝置，其為液晶顯示裝置。
全文摘要
本發(fā)明能夠易于制備在基板的圖案膜上所形成薄膜內(nèi)的裂紋被抑制的元件配置基板。本發(fā)明提供在基板上具有一種或多種圖案膜的元件配置基板，其中至少一種圖案膜具有由半橢圓形狀上部與正的錐形形狀下部和幾乎垂直的錐形形狀的下部這兩種中的一種構(gòu)成的橫截面形狀，并且下部的平均厚度為大于等于50并且小于等于3,000。
文檔編號G02F1/1362GK1951162SQ20058001376
公開日2007年4月18日 申請日期2005年2月21日 優(yōu)先權(quán)日2004年4月30日
發(fā)明者村井淳人, 藤井曉義 申請人:夏普株式會社