專(zhuān)利名稱(chēng)：電光裝置及電子設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶裝置等的電光裝置及電子設(shè)備。
背景技術(shù)：
作為現(xiàn)有的電光裝置，公知的是具有，對(duì)以矩陣形狀配置的每個(gè)像素設(shè)置薄膜晶體管的液晶顯示面板的有源矩陣型液晶裝置。近年來(lái)，隨著這種液晶裝置的畫(huà)面的大畫(huà)面化、高密度化的進(jìn)展，分配給圖像信號(hào)寫(xiě)入各像素的時(shí)間越發(fā)縮短。另外，在移動(dòng)設(shè)備等之中利用液晶裝置日益普遍的現(xiàn)狀之中，液晶裝置的低功耗化已經(jīng)成為極為重要的問(wèn)題。
作為使圖像信號(hào)的寫(xiě)入變得容易的對(duì)策，公知的有在圖像信號(hào)的寫(xiě)入之前，使用開(kāi)關(guān)元件預(yù)先進(jìn)行數(shù)據(jù)線(xiàn)的充電的技術(shù)(比如，參照專(zhuān)利文獻(xiàn)1)。此現(xiàn)有技術(shù)的液晶顯示裝置，具有使圖像信號(hào)的極性按每個(gè)預(yù)定期間進(jìn)行反相的單元；和在圖像信號(hào)的非有效期間，從與將圖像信號(hào)供給第1信號(hào)線(xiàn)(數(shù)據(jù)線(xiàn))的線(xiàn)不同的線(xiàn)將第1信號(hào)線(xiàn)的電位預(yù)充電到圖像信號(hào)的任意的中間電位的單元。
另外，作為實(shí)現(xiàn)低功耗化的單元之一，公知的有進(jìn)行共用振蕩驅(qū)動(dòng)的液晶裝置(比如，參照專(zhuān)利文獻(xiàn)2)。此液晶裝置，可使夾著液晶與各像素的像素電極對(duì)向的共用電極(對(duì)向電極)的電位按每個(gè)場(chǎng)進(jìn)行反相。
這種共用振蕩驅(qū)動(dòng)，通過(guò)使圖像信號(hào)的黑電平和白電平為一定，使對(duì)向電極的電位按每個(gè)預(yù)定期間振蕩，可以按預(yù)定期間交替地將正極性的圖像信號(hào)和負(fù)極性的圖像信號(hào)寫(xiě)入各像素，而對(duì)液晶進(jìn)行交流驅(qū)動(dòng)。由此，可以將圖像信號(hào)的輸出電平抑制為很低，驅(qū)動(dòng)IC可使用低耐壓的器件，并且由于輸出放大器的功率可以降低，故具有可以實(shí)現(xiàn)低功耗等優(yōu)點(diǎn)。
專(zhuān)利文獻(xiàn)1日本特許第2830004號(hào)公報(bào)專(zhuān)利文獻(xiàn)2日本特開(kāi)平8-334741號(hào)公報(bào)但是，在進(jìn)行如上述專(zhuān)利文獻(xiàn)2中記載的現(xiàn)有技術(shù)這樣的共用振蕩驅(qū)動(dòng)的液晶裝置中，將圖像信號(hào)的電荷寫(xiě)入各像素的電容，在保持該電荷的狀態(tài)下使對(duì)向電極的電位反相。另外，所謂的“反相”，指的是以預(yù)定的電位(比如0)作為基準(zhǔn)從正電位側(cè)向負(fù)電位側(cè)切換(或反之)。
比如，在使對(duì)向電極的電位(共用電位)在低電位和高電位之間，按每1水平掃描期間反相的場(chǎng)合，在某一水平掃描期間內(nèi)，在使共用電位VCOM變成低電位的狀態(tài)下，將正極性的圖像信號(hào)寫(xiě)入與所選擇的一條掃描線(xiàn)相對(duì)應(yīng)的各像素中。
在結(jié)束該寫(xiě)入進(jìn)行到下一個(gè)水平掃描期間之前，在保持寫(xiě)入到各像素的像素電極的電荷原樣不變，而使共用電位VCOM反相成為高電位時(shí)，各像素電極的電位由于與共用線(xiàn)的電容耦合受到拉動(dòng)而上升，在共用線(xiàn)和各像素電極之間產(chǎn)生正極性的電位差。此時(shí)，由于各數(shù)據(jù)線(xiàn)的電位也與共用線(xiàn)發(fā)生電容耦合而與各像素電極的電位一起上升。另一方面，在某一水平掃描期間內(nèi)，在將負(fù)極性的圖像信號(hào)寫(xiě)入各像素之后，使共用電位從高電位反相成為低電位時(shí)，各像素電極的電位由于與共用線(xiàn)的電容耦合受到拉動(dòng)而下降，在共用線(xiàn)和各像素電極之間產(chǎn)生負(fù)極性的電位差。此時(shí)，由于各數(shù)據(jù)線(xiàn)的電位也與共用線(xiàn)發(fā)生電容耦合而與各像素電極的電位一起下降。
這樣，在利用共用振蕩驅(qū)動(dòng)使各數(shù)據(jù)線(xiàn)的電位改變時(shí)，因?yàn)榕c該改變量相應(yīng)地，應(yīng)該寫(xiě)入各像素的電壓電平高于與各像素的圖像信號(hào)的灰度等級(jí)值相應(yīng)的電壓電平，所以容易產(chǎn)生寫(xiě)入各像素的圖像信號(hào)的寫(xiě)入不足的情況。這種寫(xiě)入不足的問(wèn)題，在畫(huà)面的大畫(huà)面化、高密度化進(jìn)展的，分配給圖像信號(hào)寫(xiě)入各像素的時(shí)間越發(fā)縮短的液晶裝置中變得日益顯著。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明鑒于這一現(xiàn)有問(wèn)題而完成，其目的在于提供容易將圖像信號(hào)寫(xiě)入各像素的電光裝置及電子設(shè)備。
本發(fā)明的電光裝置，其構(gòu)成包括與多條掃描線(xiàn)和多條數(shù)據(jù)線(xiàn)的交叉處相應(yīng)地以矩陣形狀配置的多個(gè)第1電極，設(shè)置成為與上述第1電極對(duì)向的第2電極，夾在上述第1電極和上述第2電極之間的電光物質(zhì)以及控制上述第1電極的電位的開(kāi)關(guān)元件；使上述第2電極的電位按每個(gè)預(yù)定期間交替改變，介由上述電光物質(zhì)按預(yù)定期間將正極性的圖像信號(hào)和負(fù)極性的圖像信號(hào)交替寫(xiě)入各第1電極，其主要思想為，在將圖像信號(hào)分別供給上述各第1電極的上述多條數(shù)據(jù)線(xiàn)的各條之中的至少一部分中，設(shè)置有對(duì)在各數(shù)據(jù)線(xiàn)中蓄積的電荷放電的寫(xiě)入輔助電路。
其中，“預(yù)定期間”，比如，是1水平掃描期間或1幀期間等的期間。
據(jù)此，通過(guò)使第2電極的電位按每個(gè)預(yù)定期間交替改變，即通過(guò)所謂的共用振蕩驅(qū)動(dòng)使各數(shù)據(jù)線(xiàn)的電位改變時(shí)，利用寫(xiě)入輔助電路對(duì)在各數(shù)據(jù)線(xiàn)中蓄積的電荷放電而使各數(shù)據(jù)線(xiàn)的電位返回到改變前的電位。比如，在某一預(yù)定期間內(nèi)在對(duì)各第1電極寫(xiě)入正極性的圖像信號(hào)之后，使第2電極的電位從低電位反相到高電位時(shí)，各第1電極的電位由于與共用線(xiàn)的電容耦合受到拉動(dòng)而上升，在共用線(xiàn)和各第1電極之間產(chǎn)生正極性的電位差。此時(shí)，由于各數(shù)據(jù)線(xiàn)的電位也與共用線(xiàn)發(fā)生電容耦合，故與各第1電極的電位一起上升。另一方面，在某一預(yù)定期間內(nèi)，在將負(fù)極性的圖像信號(hào)寫(xiě)入各第1電極之后，第2電極的電位從高電位反相成為低電位時(shí)，各第1電極的電位由于與共用線(xiàn)的電容耦合受到拉動(dòng)而下降，在共用線(xiàn)和各第1電極之間產(chǎn)生負(fù)極性的電位差。此時(shí)，由于各數(shù)據(jù)線(xiàn)的電位也與共用線(xiàn)發(fā)生電容耦合，故與各第1電極的電位一起下降。
這樣，在利用共用振蕩驅(qū)動(dòng)使各數(shù)據(jù)線(xiàn)的電位改變時(shí)，因?yàn)槔脤?xiě)入輔助電路使各數(shù)據(jù)線(xiàn)的電位返回到改變前的電位，不需要將該改變量的電位寫(xiě)入各第1電極。因此，應(yīng)該寫(xiě)入各第1電極的電壓電平成為與各像素的圖像信號(hào)的灰度等級(jí)值相應(yīng)的電壓電平，可以很容易在下一個(gè)預(yù)定期間把圖像信號(hào)寫(xiě)入各像素。就是說(shuō)，產(chǎn)生對(duì)將額定的圖像信號(hào)寫(xiě)入各像素(各第1電極)進(jìn)行輔助的效果。特別是，因?yàn)榫退闶请S著大畫(huà)面化、高密度化的進(jìn)展，對(duì)各像素的圖像信號(hào)的寫(xiě)入也容易，故可以實(shí)現(xiàn)可進(jìn)行高清晰顯示的電光裝置。另外，此處所謂的“額定的圖像信號(hào)的寫(xiě)入”指的是在各像素的圖像信號(hào)是以n位的灰度等級(jí)值表現(xiàn)的圖像數(shù)據(jù)時(shí)，將把各像素的圖像信號(hào)的灰度等級(jí)值變換為模擬信號(hào)的電壓值的圖像信號(hào)寫(xiě)入各像素。
在此電光裝置中，其主要思想為，上述寫(xiě)入輔助電路是包括反向二極管和正向二極管兩者中的任何一方的放電電路。
據(jù)此，在利用共用振蕩驅(qū)動(dòng)改變各數(shù)據(jù)線(xiàn)的電位時(shí)，因?yàn)楦鲾?shù)據(jù)線(xiàn)的電位在變?yōu)轭A(yù)定的電位前，可通過(guò)反向二極管和正向二極管兩者中的一方迅速放電而使各數(shù)據(jù)線(xiàn)的電位返回到改變前的電位，所以可以很容易地在下一個(gè)預(yù)定期間將圖像信號(hào)寫(xiě)入各像素。
在此電光裝置中，其主要思想為，上述寫(xiě)入輔助電路是包括反向二極管和正向二極管雙方的放電電路。
據(jù)此，在利用共用振蕩驅(qū)動(dòng)使各數(shù)據(jù)線(xiàn)的電位受到拉動(dòng)而上升時(shí)，通過(guò)使電流迅速?gòu)母鲾?shù)據(jù)線(xiàn)側(cè)通過(guò)正向二極管流過(guò)，使各數(shù)據(jù)線(xiàn)的電位一直下降到改變前的電位。另一方面，在利用共用振蕩驅(qū)動(dòng)使各數(shù)據(jù)線(xiàn)的電位受到拉動(dòng)而下降時(shí)，通過(guò)使電流迅速通過(guò)反向二極管流向各數(shù)據(jù)線(xiàn)側(cè)，使各數(shù)據(jù)線(xiàn)的電位一直上升到改變前的電位。據(jù)此，在利用共用振蕩驅(qū)動(dòng)使各數(shù)據(jù)線(xiàn)的電位受到拉動(dòng)而上升和下降兩種場(chǎng)合中的任一種場(chǎng)合，都可以使各數(shù)據(jù)線(xiàn)的電位返回到改變前的電位，可以很容易地在下一個(gè)預(yù)定期間將圖像信號(hào)寫(xiě)入各像素。
在此電光裝置中，其主要思想為，上述反向二極管和正向二極管是MOS(金屬/氧化物/半導(dǎo)體)二極管。
據(jù)此，通過(guò)使在放電電路中使用的反向二極管和正向二極管為MOS二極管，可以不需要增加新的制造工藝而實(shí)現(xiàn)電路構(gòu)成。
在此電光裝置中，其主要思想為，上述反向二極管和正向二極管是PIN(P型摻雜區(qū)/本征區(qū)/N型摻雜區(qū))二極管。
此外，在此所謂的“PIN二極管”，是在P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體之間插入I層(本征半導(dǎo)體層)、進(jìn)行PIN接合的二極管的總稱(chēng)。
據(jù)此，因?yàn)镻IN二極管不像MOS二極管那樣需要柵電極，故即使是由于在制造中或制造后的處理所施加的靜電等使二極管受到破壞，也不會(huì)像MOS二極管那樣發(fā)生柵漏電流。
在此電光裝置中，其主要思想為，上述反向二極管和正向二極管是使用4端子薄膜晶體管的MOS二極管。
據(jù)此，通過(guò)使在放電電路中使用的反向二極管和正向二極管為使用4端子薄膜晶體管(TFT)的MOS二極管，可以獲得以下的效果。一般，在MOS二極管中，在柵電壓Vg超過(guò)閾值Vth時(shí)，成為導(dǎo)通狀態(tài)。所以，在Vg＝0時(shí)，不能認(rèn)為是導(dǎo)通狀態(tài)，通過(guò)施加大于等于Vth的柵電壓Vg，使MOS二極管成為導(dǎo)通狀態(tài)。與此相對(duì)，在使用4端子薄膜晶體管的MOS二極管的場(chǎng)合，因?yàn)橥ㄟ^(guò)控制該背柵(back-gate)電壓可以控制閾值Vth，故可以利用比一般的MOS二極管低的柵電壓Vg使其導(dǎo)通，將圖像信號(hào)寫(xiě)入各像素變得更為容易。
在此電光裝置中，其主要思想為，與上述反向二極管相連接的電源，是電源電壓的低電位側(cè)的電壓。
另外，此處所說(shuō)的“電源電壓的低電位側(cè)的電壓”，比如，是VSS(GND)。
據(jù)此，在利用共用振蕩驅(qū)動(dòng)使各數(shù)據(jù)線(xiàn)的電位受到拉動(dòng)而下降時(shí)，可以使各數(shù)據(jù)線(xiàn)的電位迅速一直上升到電源電壓的低電位側(cè)的電壓。另外，通過(guò)使與反向二極管相連接的電源為電源電壓的低電位側(cè)的電壓，可不需要增加新的電源而產(chǎn)生輔助上述圖像信號(hào)的寫(xiě)入的效果。
在此電光裝置中，其主要思想為，與上述正向二極管相連接的電源，大于等于上述圖像信號(hào)的振幅電平的高電位側(cè)的電壓值，而與上述反向二極管相連接的電源小于等于上述圖像信號(hào)的振幅電平的低電位側(cè)的電壓值。
據(jù)此，因?yàn)樵谙乱粋€(gè)預(yù)定期間在寫(xiě)入圖像信號(hào)的時(shí)刻，無(wú)論是在各數(shù)據(jù)線(xiàn)的電位變高的場(chǎng)合，還是在各數(shù)據(jù)線(xiàn)的電位變低的場(chǎng)合，都可以使各數(shù)據(jù)線(xiàn)的電位成為與圖像信號(hào)大致相同的電位，所以可以抑制產(chǎn)生圖像信號(hào)對(duì)各像素的寫(xiě)入不足的情況。所以，通過(guò)供給大于等于圖像信號(hào)的振幅電平的高電位側(cè)的電壓值(VideoH)的電源、小于等于其振幅電平的低電位側(cè)的電壓值(VideoL)的電源等單獨(dú)的電源，可以更進(jìn)一步發(fā)揮輔助上述圖像信號(hào)的寫(xiě)入的效果。
據(jù)此，在利用共用振蕩驅(qū)動(dòng)使各數(shù)據(jù)線(xiàn)的電位受到拉動(dòng)而下降時(shí)，可以使各數(shù)據(jù)線(xiàn)的電位迅速一直上升到電源電壓的低電位側(cè)的電壓。另外，通過(guò)使與反向二極管相連接的低電位側(cè)的電壓，比如，為VSS(GND)，可不需要增加新的電源而產(chǎn)生輔助上述圖像信號(hào)的寫(xiě)入的效果。
本發(fā)明的電子設(shè)備的主要思想為，具有上述電光裝置。
據(jù)此，因?yàn)榧词勾螽?huà)面化、高密度化進(jìn)展，對(duì)各像素的圖像信號(hào)的寫(xiě)入也容易，故可以實(shí)現(xiàn)可進(jìn)行高清晰顯示的電子設(shè)備。


圖1為示出實(shí)施方式1的液晶裝置的平面圖。
圖2為示出同一液晶裝置的液晶顯示面板的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖3為示出液晶裝置的電構(gòu)成的概略構(gòu)成圖。
圖4為示出同一驅(qū)動(dòng)電路的主要部分的電構(gòu)成的概略構(gòu)成圖。
圖5(a)為示出在同一液晶裝置中反向二極管與數(shù)據(jù)線(xiàn)相連接的電路圖，而圖5(b)為同一反向二極管的等效電路圖。
圖6為示出實(shí)施方式1的液晶裝置的工作的時(shí)序圖。
圖7為示出在實(shí)施方式2的液晶裝置中使用的PIN二極管的平面圖。
圖8為示出在實(shí)施方式3的液晶裝置中使用的4端子二極管的平面圖。
圖9為示出在實(shí)施方式4的液晶裝置中反向二極管和正向二極管兩者與數(shù)據(jù)線(xiàn)相連接的構(gòu)成的電路圖。
圖10(a)、(b)為表示同一液晶裝置的工作的時(shí)序圖。
圖11為表示電子設(shè)備的一例的立體圖。
圖12(a)、(b)為示出進(jìn)行共用振蕩驅(qū)動(dòng)的現(xiàn)有的液晶裝置的工作的時(shí)序圖。
附圖符號(hào)說(shuō)明X1～Xm...數(shù)據(jù)線(xiàn)；VDH、VDL...電源；VSS...電壓；VCOM...共用電位；Y1～Yn...掃描線(xiàn)；25...像素；29...像素電極；33...掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路；34...數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路；50、51、55、57...反向二極管；52...PIN二極管；53...MOS二極管；54、56...正向二極管；81、82...寫(xiě)入輔助電路具體實(shí)施方式
下面根據(jù)附圖對(duì)使本發(fā)明具體化的各實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。
圖1示出在本發(fā)明的實(shí)施方式1的液晶裝置之中除外部電路之外的液晶顯示面板，圖2為示出同一液晶面板剖面的部分剖面圖，并且，圖3概略示出作為電光裝置的液晶裝置的電構(gòu)成。
本實(shí)施方式的液晶裝置10為使用多晶硅薄膜晶體管、將外圍驅(qū)動(dòng)電路內(nèi)置的有源矩陣型液晶裝置。另外，此液晶裝置10構(gòu)成為，進(jìn)行，使夾著液晶與各像素的像素電極(第1電極)對(duì)向的作為第2電極的對(duì)向電極的電位(共用電位VCOM)在低電位和高電位之間按作為預(yù)定期間的每一個(gè)水平掃描期間發(fā)生反相的共用振蕩驅(qū)動(dòng)，將正極性的圖像信號(hào)和負(fù)極性的圖像信號(hào)交替寫(xiě)入到各像素中。
液晶裝置10具有液晶顯示面板21。此液晶顯示面板21，如圖1及圖2所示，具有元件基板22和對(duì)向基板23，在這兩個(gè)基板之間，比如，封入TN(扭曲向列)型的液晶24。元件基板22和對(duì)向基板23，由包括襯墊(圖示省略)的密封材料27保持一定的間隔，以互相的電極形成面對(duì)向的方式進(jìn)行粘合，在其間封入液晶24。密封材料27，沿著對(duì)向基板23的周緣形成，具有用于封入液晶24的開(kāi)口部27a。此開(kāi)口部27a，在封入液晶24后由密封件28進(jìn)行密封。
在元件基板22上，如圖2及圖3所示，形成在Y方向上排列的多條掃描線(xiàn)Y1～Yn、在X方向上排列的多條數(shù)據(jù)線(xiàn)X1～Xm及與掃描線(xiàn)Y1～Yn和數(shù)據(jù)線(xiàn)X1～Xm的交叉處相對(duì)應(yīng)地配置成為矩陣形狀的多個(gè)像素25。另外，在元件基板22上，形成作為對(duì)各像素25設(shè)置的開(kāi)關(guān)元件的多晶硅薄膜晶體管(薄膜晶體管下面稱(chēng)其為“TFT”)26。各TFT26的柵與掃描線(xiàn)Y1～Yn之一相連接，其源與數(shù)據(jù)線(xiàn)X1～Xm之一相連接，而其漏與相對(duì)應(yīng)的一個(gè)像素25的像素電極29相連接。圖像信號(hào)經(jīng)各TFT26寫(xiě)入各像素25。作為顯示區(qū)域的像素矩陣(參照?qǐng)D3)由多條掃描線(xiàn)Y1～Yn、多條數(shù)據(jù)線(xiàn)X1～Xm和多個(gè)像素25構(gòu)成。另外，在元件基板22上，形成作為與對(duì)向基板23側(cè)之間的連接端子的銀點(diǎn)38，輸入來(lái)自外部電路的各種信號(hào)的輸入端子39，X驅(qū)動(dòng)器用信號(hào)線(xiàn)40，圖像信號(hào)線(xiàn)41，Y驅(qū)動(dòng)器用信號(hào)線(xiàn)42及電源線(xiàn)43等。此電源線(xiàn)43是用來(lái)向后述的寫(xiě)入輔助電路82供給預(yù)定的電源電壓的布線(xiàn)。
各像素25的像素電極29，如圖2～圖4所示，分別夾著液晶24與設(shè)置在對(duì)向基板23側(cè)的作為對(duì)向電極的一個(gè)共用電極30相對(duì)向。另外，各像素25，具有由矩形形狀的像素電極29和共用電極30之間的液晶24構(gòu)成的液晶電容31和與此液晶電容31并聯(lián)的用來(lái)降低同一液晶電容的泄漏的存儲(chǔ)電容32。這樣，各像素25的像素電路由TFT26、像素電極29、共用電極30、液晶電容31及存儲(chǔ)電容32等構(gòu)成。于是，各像素25的像素電路，在TFT26處于ON(導(dǎo)通狀態(tài))時(shí)，變換為電壓信號(hào)的各像素的圖像信號(hào)經(jīng)TFT26寫(xiě)入液晶電容31和存儲(chǔ)電容32，TFT26為OFF(非導(dǎo)通狀態(tài))時(shí)，電荷保持在這些電容中。
液晶裝置10，如圖1及圖3所示，作為在元件基板22上形成的上述的外圍驅(qū)動(dòng)電路，具有用來(lái)驅(qū)動(dòng)掃描線(xiàn)Y1～Yn的掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路(Y驅(qū)動(dòng)器)33和用來(lái)驅(qū)動(dòng)數(shù)據(jù)線(xiàn)X1～Xm的數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路(X驅(qū)動(dòng)器)34。這些驅(qū)動(dòng)電路是在元件基板22上利用薄膜晶體管形成技術(shù)形成的。另外，液晶裝置10，作為外部電路，如圖3所示，具有定時(shí)發(fā)生電路11、圖像處理電路12及電源電路13。
定時(shí)發(fā)生電路11，向掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路33及數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路34供給同步信號(hào)及時(shí)鐘信號(hào)，控制這些電路的工作定時(shí)。從定時(shí)發(fā)生電路11向掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路33供給作為同步信號(hào)的傳輸開(kāi)始信號(hào)DY、時(shí)鐘信號(hào)YCK及反相時(shí)鐘信號(hào)YCKB。從定時(shí)發(fā)生電路11向數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路34供給作為同步信號(hào)的傳輸開(kāi)始信號(hào)DX、時(shí)鐘信號(hào)XCK及反相時(shí)鐘信號(hào)XCKB。另外，定時(shí)發(fā)生電路11，與上述同步信號(hào)及時(shí)鐘信號(hào)同步地對(duì)圖像處理電路12的工作定時(shí)進(jìn)行控制。于是，定時(shí)發(fā)生電路11，為了與上述同步信號(hào)及時(shí)鐘信號(hào)同步地進(jìn)行上述共用振蕩驅(qū)動(dòng)，將供給圖3所示的VCOM端子46的電壓(共用電位VCOM)，在每一個(gè)水平掃描期間在低電位和高電位之間進(jìn)行切換。
圖像處理電路12，處理輸入的視頻信號(hào)及電視信號(hào)等的圖像信號(hào)，以由定時(shí)發(fā)生電路11控制的工作定時(shí)向數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路34供給。在本實(shí)施方式中，從圖像處理電路12供給數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路34的圖像信號(hào)，包括各像素的圖像數(shù)據(jù)。各像素的圖像數(shù)據(jù)，比如，是以8位的2進(jìn)制數(shù)表示各像素的亮度的數(shù)字灰度等級(jí)數(shù)據(jù)，取0～255的256級(jí)的灰度等級(jí)值。
電源電路13，生成并輸出圖3所示的各種電源電壓。
掃描線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路33，利用在垂直掃描期間的最初(1幀的最初)供給的傳輸開(kāi)始信號(hào)DY、時(shí)鐘信號(hào)YCK及反相時(shí)鐘信號(hào)YCKB順序生成并輸出掃描信號(hào)G1～Gn(參照?qǐng)D6)，由此順序選擇掃描線(xiàn)Y1～Yn。其構(gòu)成為，在順序選擇掃描線(xiàn)Y1～Yn而向各掃描線(xiàn)供給掃描信號(hào)G1～Gn時(shí)，使與所選擇的各掃描線(xiàn)相連接的全部TFT26變成導(dǎo)通。另外，在本說(shuō)明書(shū)中，“1水平掃描期間”指的是通過(guò)向與順序選擇的掃描線(xiàn)Y1～Yn中的一個(gè)相連接的全部像素25的電容寫(xiě)入圖像信號(hào)來(lái)進(jìn)行1行的量的顯示的期間。
數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路34，如圖4所示，具有移位寄存器36、采樣電路35及省略圖示的數(shù)字/模擬變換器等。
移位寄存器36，利用在各水平掃描期間的最初供給的傳輸開(kāi)始信號(hào)DX、時(shí)鐘信號(hào)XCK及反相時(shí)鐘信號(hào)XCKB順序生成并輸出選擇信號(hào)S1～Sm(參照?qǐng)D6)。在本實(shí)施方式中，各選擇信號(hào)S1～Sm是H(高)電平的脈沖信號(hào)。
采樣電路35具有對(duì)每條數(shù)據(jù)線(xiàn)X1～Xm各設(shè)置一個(gè)的多個(gè)開(kāi)關(guān)SW1～SWm(參照?qǐng)D5)。另外，在圖5中，只示出對(duì)第m列的數(shù)據(jù)線(xiàn)Xm設(shè)置的開(kāi)關(guān)SWm，而將對(duì)其他數(shù)據(jù)線(xiàn)X1～Xm-1分別設(shè)置的開(kāi)關(guān)SW1～SWm-1的圖示省略。各開(kāi)關(guān)SW1～SWm，由在H電平的選擇信號(hào)S1～Sm輸入到門(mén)(gate)時(shí)分別開(kāi)放的傳輸門(mén)構(gòu)成。在本示例中，構(gòu)成各開(kāi)關(guān)SW1～SWm的傳輸門(mén)，也可以是由兩個(gè)N溝道型TFT或兩個(gè)P溝道型TFT構(gòu)成的單溝道型傳輸門(mén)。另外，構(gòu)成各開(kāi)關(guān)SW1～SWm的傳輸門(mén)，也可以是由P溝道型TFT和N溝道型TFT構(gòu)成，在L(低)電平的信號(hào)輸入到門(mén)時(shí)開(kāi)放的互補(bǔ)型的傳輸門(mén)構(gòu)成。
具有這種構(gòu)成的數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路34，在各水平掃描期間，在從第1列的數(shù)據(jù)線(xiàn)X1的開(kāi)關(guān)SW1開(kāi)始依次向分別設(shè)置在數(shù)據(jù)線(xiàn)X1～Xm上的各開(kāi)關(guān)SW1～SWm輸入H電平的選擇信號(hào)S1～Sm時(shí)，各開(kāi)關(guān)SW1～SWm順序開(kāi)放。由此，圖像信號(hào)經(jīng)各數(shù)據(jù)線(xiàn)X1～Xm及各像素25的TFT26寫(xiě)入各像素。
于是，液晶裝置10的特征，如圖1、圖3及圖4所示，在于，在將圖像信號(hào)分別供給各像素25的像素電極29的多條數(shù)據(jù)線(xiàn)X1～Xm的各個(gè)輸入端和輸出端兩者上，設(shè)置使蓄積于各數(shù)據(jù)線(xiàn)X1～Xm中的電荷放電的寫(xiě)入輔助電路81、82這一點(diǎn)。各寫(xiě)入輔助電路81、82，設(shè)置成為數(shù)據(jù)線(xiàn)驅(qū)動(dòng)電路34的內(nèi)部電路，通過(guò)使蓄積于各數(shù)據(jù)線(xiàn)X1～Xm中的電荷放電，可使由于上述的共用振蕩驅(qū)動(dòng)而改變的各數(shù)據(jù)線(xiàn)X1～Xm的電位返回到改變前的電位。此處所謂的“改變前的電位”指的不僅是與改變前的電位相同的電位，也包括接近改變前的電位的電位。另外，在以下的說(shuō)明中，將共用電極(第2電極)30的電位稱(chēng)為，與各像素的像素電極(第1電極)29夾著作為電光物質(zhì)的液晶24對(duì)向的對(duì)向電極的電位VCOM的“共用電位”。
寫(xiě)入輔助電路81，如圖5(a)所示，由包括與各數(shù)據(jù)線(xiàn)X1～Xm的輸入端和輸出端中的一方相連接的反向二極管51的放電電路構(gòu)成。另外，寫(xiě)入輔助電路82，由包括與各數(shù)據(jù)線(xiàn)X1～Xm的輸入端和輸出端中的另一方相連接的反向二極管50的放電電路構(gòu)成。反向二極管50、51中的任何一個(gè)都是MOS二極管。由此，通過(guò)使反向二極管50、51分別為MOS二極管，將這些反向二極管50、51，與上述的外圍驅(qū)動(dòng)電路一并，利用薄膜晶體管形成技術(shù)在元件基板22上形成。另外，與反向二極管50、51分別相連接的電源是電源電壓的低電位側(cè)的電壓。此低電位側(cè)的電壓為VSS(GND)。各反向二極管50、51的源與數(shù)據(jù)線(xiàn)Xm相連接，柵和漏與二極管連接，分別與作為低電位側(cè)的電壓的VSS(GND)相連接(參照?qǐng)D5(a)、5(b))。
寫(xiě)入輔助電路81的放電電路，由各數(shù)據(jù)線(xiàn)X1～Xm、與各數(shù)據(jù)線(xiàn)X1～Xm中的每一個(gè)各連接一個(gè)的反向二極管51及與各反向二極管51相連接的電壓VSS(GND)的電源構(gòu)成。對(duì)此放電電路的工作根據(jù)圖5(b)所示的等效電路圖進(jìn)行說(shuō)明。圖5(b)示出與多條數(shù)據(jù)線(xiàn)X1～Xm中的一個(gè)(數(shù)據(jù)線(xiàn)Xm)相連接的反向二極管51。此反向二極管51，與柵g二極管連接于漏d的N溝道型TFT等效，其源s與數(shù)據(jù)線(xiàn)Xm相連接。此反向二極管51，由于上述的共用振蕩驅(qū)動(dòng)使數(shù)據(jù)線(xiàn)Xm的電位下降變得小于電壓VSS(GND)，在柵和源間產(chǎn)生超過(guò)閾值Vth的電位差時(shí)成為導(dǎo)通狀態(tài)，漏電流從漏d一側(cè)流向源s一側(cè)。在由于此漏電流而使數(shù)據(jù)線(xiàn)Xm的電位上升到接近電壓VSS(GND)時(shí)(一直返回到改變前的電位)，反向二極管51成為截止?fàn)顟B(tài)。構(gòu)成寫(xiě)入輔助電路81的放電電路的其它反向二極管51也同樣工作。構(gòu)成寫(xiě)入輔助電路82的放電電路的與各數(shù)據(jù)線(xiàn)X1～Xm中的每一個(gè)各連接一個(gè)的反向二極管50也與上述的反向二極管51同樣工作。
下面對(duì)本實(shí)施方式的液晶裝置10的工作，與利用在上述專(zhuān)利文獻(xiàn)2中記載的現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)行共用振蕩驅(qū)動(dòng)的現(xiàn)有的液晶裝置的工作進(jìn)行比較說(shuō)明。
首先，根據(jù)圖12(a)、(b)對(duì)該現(xiàn)有的液晶裝置的工作進(jìn)行說(shuō)明。圖12(a)、(b)中，實(shí)線(xiàn)60、雙點(diǎn)劃線(xiàn)61和虛線(xiàn)62分別表示共用電位VCOM的電位變化、各像素的像素電極的電位變化(像素電位的變化)及各數(shù)據(jù)線(xiàn)的電位(源電位)的電位變化。
其中，是以常白模式的液晶顯示面板為前提進(jìn)行說(shuō)明。圖12(a)表示對(duì)于與在某一水平掃描期間中選擇的一條掃描線(xiàn)相對(duì)應(yīng)的各像素寫(xiě)入正極性的圖像信號(hào)(黑顯示的數(shù)據(jù)信號(hào))之后，在下一個(gè)水平掃描期間中寫(xiě)入負(fù)極性的圖像信號(hào)的場(chǎng)合。圖12(b)，與圖12(a)的場(chǎng)合相反，示出的是在對(duì)各像素寫(xiě)入負(fù)極性的圖像信號(hào)之后，在下一個(gè)水平掃描期間寫(xiě)入正極性的圖像信號(hào)的場(chǎng)合。
如圖12(a)的左側(cè)所示，在輸出H電平的掃描信號(hào)G1的第1行的水平掃描期間，在使共用電位VCOM處于低電位的狀態(tài)下，對(duì)各像素寫(xiě)入正極性的圖像信號(hào)。在用來(lái)將圖像信號(hào)寫(xiě)入第1行第m列的像素的選擇信號(hào)Sm成為低電平，掃描信號(hào)G1也成為低電平之后，在進(jìn)行到下一個(gè)水平掃描期間之前，在使共用電位VCOM反相成為高電位時(shí)，由雙點(diǎn)劃線(xiàn)61表示的像素電位由于與共用線(xiàn)的電容耦合受到拉動(dòng)而上升，在共用線(xiàn)和各像素電極之間產(chǎn)生正極性的電位差。此時(shí)，由于各數(shù)據(jù)線(xiàn)的電位也與共用線(xiàn)發(fā)生電容耦合，故和各像素電極的電位一并上升。
另一方面，如圖12(a)的右側(cè)所示，在輸出H電平的掃描信號(hào)G2的第2行的水平掃描期間，在使共用電位VCOM處于高電位的狀態(tài)下，對(duì)各像素寫(xiě)入負(fù)極性的圖像信號(hào)。在用來(lái)將圖像信號(hào)寫(xiě)入第2行第m列的像素的選擇信號(hào)Sm成為低電平，掃描信號(hào)G2也成為低電平之后，在進(jìn)行到下一個(gè)水平掃描期間之前，在使共用電位VCOM反相成為低電位時(shí)，由雙點(diǎn)劃線(xiàn)61表示的像素電位由于與共用線(xiàn)的電容耦合受到拉動(dòng)而下降，在共用線(xiàn)和各像素電極之間產(chǎn)生負(fù)極性的電位差。此時(shí)，由于各數(shù)據(jù)線(xiàn)的電位也與共用線(xiàn)發(fā)生電容耦合，故與各像素電極的電位一并下降。
所以，在下一個(gè)水平掃描期間在寫(xiě)入圖像信號(hào)時(shí)刻，各數(shù)據(jù)線(xiàn)的電位成為最低是在與圖12(a)的右側(cè)相同的圖12(b)的左側(cè)所示的場(chǎng)合。此時(shí)的數(shù)據(jù)線(xiàn)的電位由下式表示(低電位側(cè)的圖像信號(hào)電平)-(共用電位VCOM的振幅電平)在低電位側(cè)的圖像信號(hào)電平為1V，共用電位VCOM的振幅電平為4V時(shí)，變?yōu)樽畹偷母鲾?shù)據(jù)線(xiàn)的電位為-3V。
在此狀態(tài)下，在寫(xiě)入高電位側(cè)的圖像信號(hào)(正極性的圖像信號(hào))的場(chǎng)合，如圖12(b)的右側(cè)所示，高電位側(cè)的圖像信號(hào)電平為4V時(shí)，必須對(duì)各像素充電7V的電位差。這樣，在利用共用振蕩驅(qū)動(dòng)使各數(shù)據(jù)線(xiàn)的電位，比如，下降到-3V時(shí)，因?yàn)閼?yīng)該寫(xiě)入各像素的電壓電平比與各像素的圖像信號(hào)的灰度等級(jí)值相應(yīng)的電壓電平高的部分等于該改變量，所以容易產(chǎn)生圖像信號(hào)寫(xiě)入各像素不足的問(wèn)題。就是說(shuō)，在圖12(b)的右側(cè)，由以虛線(xiàn)的○表示處可知，在選擇信號(hào)Sm變成L電平，對(duì)第2行第m列的像素的圖像信號(hào)的寫(xiě)入結(jié)束的時(shí)刻，會(huì)產(chǎn)生以雙點(diǎn)劃線(xiàn)61表示的該像素的像素電極的電位不能達(dá)到高電位側(cè)的圖像信號(hào)電平的、所謂的圖像信號(hào)寫(xiě)入不足的情況。
與此相對(duì)，在實(shí)施方式1的液晶裝置10中，在使共用電位VCOM反相成為低電位時(shí)，與圖12(b)的左側(cè)所示的場(chǎng)合一樣，如圖6的左側(cè)所示，各數(shù)據(jù)線(xiàn)X1～Xm的電位，比如，下降到-3V。此時(shí)，寫(xiě)入輔助電路81的各反向二極管51及寫(xiě)入輔助電路82的各反向二極管50分別處于導(dǎo)通狀態(tài)，各反向二極管50、51中有漏電流流過(guò)。由此，各數(shù)據(jù)線(xiàn)X1～Xm的電位，在從圖6的tA時(shí)刻開(kāi)始上升接近電壓VSS(GND)時(shí)(在返回到改變前的電位時(shí))，各反向二極管50、51分別成為截止?fàn)顟B(tài)。就是說(shuō)，下降到-3V的各數(shù)據(jù)線(xiàn)X1～Xm的電位返回到接近電壓VSS(GND)。在此狀態(tài)下，在寫(xiě)入高電位側(cè)的圖像信號(hào)的場(chǎng)合，應(yīng)該寫(xiě)入到各像素25的電壓電平比上述現(xiàn)有的液晶裝置的場(chǎng)合的7V低，難以產(chǎn)生對(duì)各像素的圖像信號(hào)的寫(xiě)入不足的問(wèn)題。
根據(jù)以上述方式構(gòu)成的實(shí)施方式1，可以達(dá)到以下的作用效果。
○在利用共用振蕩驅(qū)動(dòng)使各數(shù)據(jù)線(xiàn)X1～Xm的電位下降的場(chǎng)合(改變了的場(chǎng)合)，因?yàn)槔脤?xiě)入輔助電路81、82使各數(shù)據(jù)線(xiàn)的電位返回到接近改變前的電位，就不需要將該改變量的電位寫(xiě)入各像素25。因此，應(yīng)該寫(xiě)入各像素的電壓電平成為與各像素的圖像信號(hào)的灰度等級(jí)值相應(yīng)的電壓電平，在下一個(gè)水平掃描期間可以很容易將圖像信號(hào)寫(xiě)入各像素25。就是說(shuō)，產(chǎn)生輔助額定的圖像信號(hào)寫(xiě)入各像素25的效果。
○因?yàn)榧词闺S著大畫(huà)面化、高密度化的進(jìn)展，對(duì)各像素25的圖像信號(hào)的寫(xiě)入也容易，所以可以實(shí)現(xiàn)可以進(jìn)行高清晰顯示的液晶裝置10。
○因?yàn)閷?xiě)入輔助電路81、82，是由包括與各數(shù)據(jù)線(xiàn)X1～Xm相連接的多個(gè)反向二極管51、50的放電電路構(gòu)成的，所以在利用共用振蕩驅(qū)動(dòng)使各數(shù)據(jù)線(xiàn)X1～Xm的電位下降的場(chǎng)合，各數(shù)據(jù)線(xiàn)的電位，可通過(guò)各反向二極管進(jìn)行放電而迅速上升，一直到各數(shù)據(jù)線(xiàn)的電位變成預(yù)定電位為止。由此，由于各數(shù)據(jù)線(xiàn)的電位返回到接近改變前的電位，故在下一個(gè)水平掃描期間可以容易地把圖像信號(hào)寫(xiě)入各像素25中。
○因?yàn)閷?xiě)入輔助電路81、82的各反向二極管50、51為MOS二極管，可以很容易利用薄膜晶體管形成技術(shù)在元件基板22上，與上述外圍驅(qū)動(dòng)電路一并形成各反向二極管50、51。所以，可以不需要增加新的制造工藝而實(shí)現(xiàn)寫(xiě)入輔助電路81、82。
下面根據(jù)圖7對(duì)實(shí)施方式2的液晶裝置10進(jìn)行說(shuō)明。在此液晶裝置10中，寫(xiě)入輔助電路81、82的各反向二極管50、51是由圖7所示的PIN二極管52構(gòu)成的。其他的構(gòu)成，與上述實(shí)施方式1相同。
根據(jù)以上述方式構(gòu)成的實(shí)施方式2，除了達(dá)到上述實(shí)施方式1的作用效果之外，還可以達(dá)到以下的作用效果。
○因?yàn)閳D7所示的PIN二極管52，不像MOS二極管那樣需要柵電極，故即使是由于制造中或制造后的處理而施加的靜電等使PIN二極管52受到破壞，也不會(huì)像使上述反向二極管51、50為MOS二極管場(chǎng)合那樣產(chǎn)生柵漏。
下面根據(jù)圖8對(duì)實(shí)施方式3的液晶裝置10進(jìn)行說(shuō)明。在此液晶裝置10中，寫(xiě)入輔助電路81、82的各反向二極管51、50是由圖8所示的使用4端子薄膜晶體管的MOS二極管53構(gòu)成的。其他的構(gòu)成，與上述實(shí)施方式1相同。
根據(jù)以上述方式構(gòu)成的實(shí)施方式3，除了達(dá)到上述實(shí)施方式1的作用效果之外，還可以達(dá)到以下的作用效果。
○因?yàn)閷?xiě)入輔助電路81、82的各反向二極管51、50，是由使用4端子薄膜晶體管(TFT)的MOS二極管53構(gòu)成的，所以通過(guò)對(duì)其背柵電壓進(jìn)行控制可以控制閾值Vth。因此，可以利用比一般的MOS二極管低的柵電壓Vg使其導(dǎo)通，更容易將圖像信號(hào)寫(xiě)入各像素25。
下面根據(jù)圖9對(duì)實(shí)施方式4的液晶裝置10進(jìn)行說(shuō)明。在此液晶裝置10中，寫(xiě)入輔助電路81是包括反向二極管57和正向二極管56兩者的放電電路，另外，寫(xiě)入輔助電路82，是包括反向二極管55和正向二極管54兩者的放電電路。
就是說(shuō)，寫(xiě)入輔助電路81，在各數(shù)據(jù)線(xiàn)X1～Xm每一個(gè)上分別連接有反向二極管57和正向二極管56。另外，寫(xiě)入輔助電路82，在各數(shù)據(jù)線(xiàn)X1～Xm每一個(gè)上分別連接有反向二極管55和正向二極管54。各反向二極管55、57是與上述實(shí)施方式1的反向二極管50、51一樣的MOS二極管。此外，各正向二極管54、56，是與上述反向二極管50、51同樣的MOS二極管。
與各正向二極管54、56相連接的電源VDH大于等于圖像信號(hào)的振幅電平的高電位側(cè)的電壓值VideoH。并且，與各反向二極管55、57相連接的電源VDL小于等于圖像信號(hào)的振幅電平的低電位側(cè)的電壓值VideoL。其他的構(gòu)成，與上述實(shí)施方式1相同。
下面通過(guò)與上述現(xiàn)有的液晶裝置的工作進(jìn)行比較，來(lái)對(duì)本實(shí)施方式的液晶裝置10的工作進(jìn)行說(shuō)明。
在上述現(xiàn)有的液晶裝置中，如根據(jù)圖12(a)、(b)所說(shuō)明的，在下一個(gè)水平掃描期間寫(xiě)入圖像信號(hào)的時(shí)刻，各數(shù)據(jù)線(xiàn)的電位成為最低是在圖12(b)的左側(cè)所示的場(chǎng)合。在此狀態(tài)下，在寫(xiě)入高電位側(cè)的圖像信號(hào)(正極性的圖像信號(hào))的場(chǎng)合，由于與因共用振蕩驅(qū)動(dòng)使各數(shù)據(jù)線(xiàn)的電位，比如，下降到-3V的量相應(yīng)(與該改變量相應(yīng)地)，應(yīng)該寫(xiě)入各像素的電壓電平比與各像素的圖像信號(hào)的灰度等級(jí)值相應(yīng)的電壓電平高，所以容易產(chǎn)生圖像信號(hào)寫(xiě)入各像素不足的問(wèn)題。
與此相反，在下一個(gè)水平掃描期間在寫(xiě)入圖像信號(hào)的時(shí)刻，各數(shù)據(jù)線(xiàn)的電位成最高是上述圖12(a)的左側(cè)所示的場(chǎng)合。此時(shí)的數(shù)據(jù)線(xiàn)的電位由下式表示(高電位側(cè)的圖像信號(hào)電平)+(共用電位VCOM的振幅電平)在高電位側(cè)的圖像信號(hào)電平為4V，共用電位VCOM的振幅電平為4V時(shí)，最高的各數(shù)據(jù)線(xiàn)的電位為8V。
在此狀態(tài)下，在寫(xiě)入低電位側(cè)的圖像信號(hào)(負(fù)極性的圖像信號(hào))的場(chǎng)合，由于與因共用振蕩驅(qū)動(dòng)使各數(shù)據(jù)線(xiàn)的電位，比如，上升到8V的量相應(yīng)地(與其改變量相應(yīng)地)，應(yīng)該寫(xiě)入各像素的電壓電平比與各像素的圖像信號(hào)的灰度等級(jí)值相應(yīng)的電壓電平高，所以容易產(chǎn)生圖像信號(hào)寫(xiě)入各像素不足的問(wèn)題。就是說(shuō)，在圖12(a)的右側(cè)，由以虛線(xiàn)的○表示處可知，在選擇信號(hào)Sm變成L電平，對(duì)第2行第m列的像素的圖像信號(hào)的寫(xiě)入結(jié)束的時(shí)刻，會(huì)產(chǎn)生以雙點(diǎn)劃線(xiàn)61表示的該像素的像素電極的電位不能達(dá)到低電位側(cè)的圖像信號(hào)電平的所謂的圖像信號(hào)寫(xiě)入不足的問(wèn)題。
與此相對(duì)，在實(shí)施方式4的液晶裝置10中，如圖10(a)的左側(cè)所示，在下一個(gè)水平掃描期間寫(xiě)入圖像信號(hào)的時(shí)刻，在各數(shù)據(jù)線(xiàn)的電位成為最高，各數(shù)據(jù)線(xiàn)X1～Xm的電位超過(guò)電源VDH的電壓時(shí)，正向二極管54、56成為導(dǎo)通狀態(tài)。由此，在正向二極管54、56中有漏電流流過(guò)，在各數(shù)據(jù)線(xiàn)X1～Xm的電位從圖10(a)的tC時(shí)刻開(kāi)始下降接近電源VDH的電壓時(shí)(在返回到改變前的電位時(shí))，各正向二極管54、56分別成為截止?fàn)顟B(tài)。就是說(shuō)，上升到8V的各數(shù)據(jù)線(xiàn)X1～Xm的電位返回到接近電源VDH。在此狀態(tài)下，在寫(xiě)入低電位側(cè)的圖像信號(hào)(負(fù)極性的圖像信號(hào))的場(chǎng)合，應(yīng)該寫(xiě)入到各像素25的電壓電平比上述現(xiàn)有的液晶裝置的場(chǎng)合的8V低，難以產(chǎn)生對(duì)各像素的圖像信號(hào)的寫(xiě)入不足的問(wèn)題。
另外，在實(shí)施方式4的液晶裝置10中，與根據(jù)圖6說(shuō)明的上述實(shí)施方式1的場(chǎng)合一樣，在各數(shù)據(jù)線(xiàn)的電位成為最低，各數(shù)據(jù)線(xiàn)X1～Xm的電位低于電源VDL的電壓時(shí)，反向二極管55、57成為導(dǎo)通狀態(tài)。由此，在各反向二極管55、57中有漏電流流過(guò)，各數(shù)據(jù)線(xiàn)X1～Xm的電位從圖10(b)的tD時(shí)刻開(kāi)始上升接近電源VDL的電壓時(shí)(在返回到改變前的電位時(shí))，各負(fù)向二極管55、57分別成為截止?fàn)顟B(tài)。在此狀態(tài)下，在寫(xiě)入高電位側(cè)的圖像信號(hào)的場(chǎng)合，應(yīng)該寫(xiě)入到各像素25的電壓電平比上述現(xiàn)有的液晶裝置的場(chǎng)合的7V低，難以產(chǎn)生對(duì)各像素的圖像信號(hào)的寫(xiě)入不足的問(wèn)題。
另外，圖10(b)的時(shí)刻tE，示出與圖10(a)的時(shí)刻tC同樣的定時(shí)。
根據(jù)以上述方式構(gòu)成的實(shí)施方式4，除了達(dá)到上述實(shí)施方式1的作用效果之外，還可以達(dá)到以下的作用效果。
○因?yàn)樵谙乱粋€(gè)水平掃描期間，在寫(xiě)入圖像信號(hào)的時(shí)刻，各數(shù)據(jù)線(xiàn)的電位成為最高的場(chǎng)合和各數(shù)據(jù)線(xiàn)的電位成為最低的場(chǎng)合中的任何一種場(chǎng)合，都可以使各數(shù)據(jù)線(xiàn)的電位成為與圖像信號(hào)大致相同的電位，所以可以抑制對(duì)各像素的圖像信號(hào)的寫(xiě)入不足的產(chǎn)生。
○通過(guò)供給大于等于圖像信號(hào)的振幅電平的高電位側(cè)的電壓值VideoH的電源或小于等于其振幅電平的低電位側(cè)的電壓值VideoL的電源等單獨(dú)的電源，可以進(jìn)一步發(fā)揮輔助上述圖像信號(hào)的寫(xiě)入的效果。
下面對(duì)使用在上述各實(shí)施方式中說(shuō)明的液晶裝置10的液晶顯示面板21的電子設(shè)備進(jìn)行說(shuō)明。液晶裝置10，可以應(yīng)用于圖11所示的移動(dòng)型個(gè)人計(jì)算機(jī)。圖11所示的移動(dòng)型個(gè)人計(jì)算機(jī)70的構(gòu)成包括具有鍵盤(pán)71的主體部分72以及使用液晶顯示面板21的顯示單元73。
利用此個(gè)人計(jì)算機(jī)70可以進(jìn)行顯示品質(zhì)高的顯示。
另外，本發(fā)明也可以通過(guò)以下的改變進(jìn)行具體化。
·在上述實(shí)施方式1中，是以按每個(gè)水平掃描期間進(jìn)行使共用電位VCOM反相的共用振蕩驅(qū)動(dòng)的液晶裝置10作為示例進(jìn)行說(shuō)明的，但本發(fā)明也可以運(yùn)用在按作為預(yù)定期間的每一幀期間進(jìn)行使共用電位VCOM反相的共用振蕩驅(qū)動(dòng)的液晶裝置10。此處“一幀期間”指的是通過(guò)順序選擇掃描線(xiàn)Y1～Yn對(duì)全部像素25的電容(液晶電容31及存儲(chǔ)電容32)寫(xiě)入圖像信號(hào)而進(jìn)行一個(gè)畫(huà)面的顯示的期間。
·在上述實(shí)施方式1中，是在各數(shù)據(jù)線(xiàn)X1～Xm的輸入端和輸出端兩者上設(shè)置寫(xiě)入輔助電路81、82，但本發(fā)明也可采用在各數(shù)據(jù)線(xiàn)X1～Xm的輸入端子和輸出端任何一方上或在各數(shù)據(jù)線(xiàn)X1～Xm的一部分上設(shè)置有寫(xiě)入輔助電路的構(gòu)成。
·圖9所示的上述實(shí)施方式4中的正向二極管54、56和反向二極管55、57也可以分別由使用圖7所示的實(shí)施方式2的PIN二極管52或圖8所示的上述實(shí)施方式3的4端子薄膜晶體管的MOS二極管53構(gòu)成。
·在上述一實(shí)施方式中，說(shuō)明的是對(duì)作為電光裝置的一例的液晶裝置將本發(fā)明具體化的構(gòu)成，但也可以應(yīng)用于有機(jī)發(fā)光二極管裝置、利用放電的熒光型電光裝置(比如等離子顯示器)等各種電光裝置。
·在圖11中，說(shuō)明的是作為具有液晶裝置10的電子設(shè)備的一例的個(gè)人計(jì)算機(jī)，但在上述各實(shí)施方式中說(shuō)明的液晶裝置10的應(yīng)用，并不限定于個(gè)人計(jì)算機(jī)，也可以應(yīng)用于便攜式電話(huà)機(jī)、數(shù)碼相機(jī)等各種電子設(shè)備。
權(quán)利要求
1.一種電光裝置，其具備與多條掃描線(xiàn)和多條數(shù)據(jù)線(xiàn)的交叉處相應(yīng)地以矩陣狀配置的多個(gè)第1電極，設(shè)置為與上述第1電極對(duì)向的第2電極，夾持在上述第1電極和上述第2電極之間的電光物質(zhì)以及控制上述第1電極的電位的開(kāi)關(guān)元件；其中，使上述第2電極的電位按每個(gè)預(yù)定期間交替改變，經(jīng)上述電光物質(zhì)按每個(gè)預(yù)定期間將正極性的圖像信號(hào)和負(fù)極性的圖像信號(hào)交替寫(xiě)入各第1電極，其特征在于，對(duì)于將圖像信號(hào)分別供給上述各第1電極的上述多條數(shù)據(jù)線(xiàn)的各條的至少一部分，設(shè)置有對(duì)在各數(shù)據(jù)線(xiàn)中所蓄積的電荷進(jìn)行放電的寫(xiě)入輔助電路。
2.如權(quán)利要求1所述的電光裝置，其特征在于，上述寫(xiě)入輔助電路是包括反向二極管和正向二極管中的任何一方的放電電路。
3.如權(quán)利要求1所述的電光裝置，其特征在于，上述寫(xiě)入輔助電路是包括反向二極管和正向二極管雙方的放電電路。
4.如權(quán)利要求2或3所述的電光裝置，其特征在于，上述反向二極管和正向二極管是MOS二極管。
5.如權(quán)利要求2或3所述的電光裝置，其特征在于，上述反向二極管和正向二極管是PIN二極管。
6.如權(quán)利要求2或3所述的電光裝置，其特征在于，上述反向二極管和正向二極管是使用有4端子薄膜晶體管的MOS二極管。
7.如權(quán)利要求3至6中任何一項(xiàng)所述的電光裝置，其特征在于，與上述正向二極管相連接的電源，大于等于上述圖像信號(hào)的振幅電平的高電位側(cè)的電壓值；與上述反向二極管相連接的電源，小于等于上述圖像信號(hào)的振幅電平的低電位側(cè)的電壓值。
8.一種電子設(shè)備，其特征在于，具有如權(quán)利要求1至7中任何一項(xiàng)所述的電光裝置。
全文摘要
本發(fā)明在于提供容易將圖像信號(hào)寫(xiě)入各像素的電光裝置及電子設(shè)備。液晶裝置(10)中，在分別向各像素(25)的像素電極(29)供給圖像信號(hào)的各數(shù)據(jù)線(xiàn)的輸入端和輸出端雙方中，設(shè)置對(duì)蓄積于各數(shù)據(jù)線(xiàn)的電荷放電的寫(xiě)入輔助電路(81、82)。各寫(xiě)入輔助電路(81、82)，通過(guò)對(duì)蓄積于各數(shù)據(jù)線(xiàn)的電荷放電，可使因共用振蕩驅(qū)動(dòng)而改變的各數(shù)據(jù)線(xiàn)的電位回到改變前的電位。各寫(xiě)入輔助電路，由包括與各數(shù)據(jù)線(xiàn)每條連接的反向二極管的放電電路構(gòu)成。各反向二極管是MOS二極管。在因共用振蕩驅(qū)動(dòng)使各數(shù)據(jù)線(xiàn)電位下降時(shí)，各數(shù)據(jù)線(xiàn)的電位通過(guò)各反向二極管放電迅速上升，直到成為預(yù)定電位。在下一個(gè)水平掃描期間圖像信號(hào)可以很容易寫(xiě)入各像素(25)。
文檔編號(hào)G02F1/136GK1786802SQ20051013030
公開(kāi)日2006年6月14日 申請(qǐng)日期2005年12月7日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月10日
發(fā)明者藤田伸 申請(qǐng)人:精工愛(ài)普生株式會(huì)社