專利名稱：液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具備在一個像素區(qū)域內(nèi)分割液晶的配向方向的配向控制部的液晶顯示裝置。
背景技術(shù)：
液晶顯示裝置(以下稱為“LCD，Liquid Crystal Display”)具有薄型化且消耗電力低的特征，目前乃廣泛采用于計算機顯示器、可攜式信息機器等顯示器。如此的LCD，是在一對基板之間密封液晶，并通過形成在各個基板的電極，來控制位于基板之間的液晶的配向，并借此而進行顯示。
關(guān)于如此的LCD的液晶，為人所知的有TN(Twisted Nematic，扭轉(zhuǎn)向列)液晶。在采用此TN液晶的LCD當中，是在一對基板的與液晶接觸面?zhèn)壬?，分別形成施加摩擦(Rubbing)處理后的配向膜，在未施加電壓的狀況下，具備正的介電常數(shù)異向性的TN液晶的分子的長軸，被以沿著此配向膜的摩擦方向的方式作初期配向。此液晶的初期配向并非完全沿著基板平面，較多的情況為，分子的長軸被預(yù)先以預(yù)定的角度從基板平面方向站立，也就是具備所謂的預(yù)傾斜(Pretilt)。
以一邊的基板上的配向膜的摩擦方向，以及另一邊的對向基板上的配向膜的摩擦方向，互呈90°的扭轉(zhuǎn)方向而配置，而使位于一對基板之間的液晶，呈90°的扭轉(zhuǎn)而配向。之后，通過各自形成在一對基板的對向面?zhèn)鹊碾姌O，而對位于基板之間的液晶施加電壓，借此使液晶分子的長軸朝向基板平面的法線方向，而解除扭轉(zhuǎn)配向的狀態(tài)。
在一對的基板上，分別設(shè)置具備互為直角的偏光軸的直線偏光板，此外，配向膜的摩擦方向，被設(shè)定為沿著所對應(yīng)的基板的偏光板的偏光軸的方向。因此，在未施加電壓的狀態(tài)下，從配置在光源側(cè)的基板側(cè)的偏光板入射在液晶層的直線偏光是在以90°扭轉(zhuǎn)配向的液晶層當中，成為偏光軸剛好呈90°不同的直線偏光，而穿透設(shè)置在另一邊的基板上、僅僅讓與上述入射側(cè)的偏光板呈90°不同的方向的偏光軸的直線偏光穿透的偏光板，使來自于光源的光線穿過LCD，形成“白”顯示。相對于此，若在電極之間施加電壓而完全解除液晶的扭轉(zhuǎn)配向，使液晶分子朝向基板平面的法線方向，則從光源側(cè)入射于液晶層的直線偏光的偏光光線于液晶層當中不會變化，而到達設(shè)置于另一邊的基板的偏光板，因此與射出側(cè)的此偏光板的直線偏光的偏光軸不一致，因此無法穿透射出側(cè)的偏光板。因而形成“黑”顯示。關(guān)于中間色調(diào)，則可對該液晶施加不會完全解除液晶層中的扭轉(zhuǎn)配向的電壓，將入射于液晶層的直線偏光當中的一部分設(shè)為呈90°相反的偏光軸的直線偏光，而調(diào)整能夠通過射出側(cè)的偏光板的光量。
此外，除了上述TN液晶之外，在垂直配向(Vertically Aligned)型液晶(以下稱為“VA液晶”)當中，例如具備負的介電常數(shù)異向性，并采用垂直配向膜，而使未施加電壓的狀態(tài)下的液晶分子的長軸朝向垂直方向(基板平面的法線方向)。在采用此VA液晶的LCD當中，于一對基板上，設(shè)置偏光軸互呈90°不同的偏光板。在未施加電壓的狀態(tài)下，由于液晶呈垂直配向，因此從配置于光源側(cè)的基板側(cè)的偏光板入射在液晶層的直線偏光在液晶層當中不會引起復(fù)折射，而直接在該偏光狀態(tài)下到達觀察側(cè)的基板的偏光板，因此無法穿透此觀察側(cè)的偏光板，因而形成“黑”顯示。一旦在電極之間施加電壓，則VA液晶的分子的長軸往基板平面方向傾倒。在此，VA液晶具備負的光學(xué)異向性(折射率異向性)，液晶分子的短軸朝向基板平面的法線方向，從光源側(cè)入射在液晶層的直線偏光在液晶層當中受到復(fù)折射，隨著直線偏光進入液晶層，乃逐漸成為橢圓偏光，又變化成為圓偏光，之后為橢圓偏光或是直線偏光(任一個的偏光均具備與入射的直線偏光呈90°不同的偏光軸)。因此，若入射后的直線偏光的全部，因依據(jù)液晶層的復(fù)折射而成為呈90°相反的直線偏光，則此偏光會穿透觀察側(cè)的基板的偏光板，而形成“白(最大亮度)”顯示。復(fù)折射量是由液晶分子的傾倒方式而決定。因此，由于復(fù)折射量的不同，入射直線偏光變成偏光軸相同的橢圓偏光、圓偏光，或是偏光軸呈90°不同的橢圓偏光，射出側(cè)偏光板的穿透率由該偏光狀態(tài)而決定，因此可獲得中間色調(diào)的顯示。
在上述的TN液晶的LCD當中，是控制使液晶分子的長軸方向?qū)迤矫娣较虺识嗌俚念A(yù)傾角而站立，如圖1A所示，從圖中的右上方觀察TNLCD時的對觀察者的液晶分子的斜率，以及從圖中的左上方觀察時的斜率有極大的不同。因此，在TN液晶當中，對視覺的依存性較大，而容易引起色差及顯示的反轉(zhuǎn)等。即，可觀察出正常顯示的視角變窄。
因此，為了擴大視角，例如在日本特開平7-311303號公報當中所揭示的，其提出了分割液晶的配向方向，換言之，在一個像素內(nèi)形成配向分割手段，而在一個像素區(qū)域內(nèi)分割液晶分子的長軸方向(液晶直向)的方位角。
另一方面，如圖1B所示，VA液晶的初期配向朝向基板100的法線方向，無論在觀察方向為從圖中的右上方的情況，或是在觀察方向為從圖中的左上方的情況，對該方向的液晶分子的斜率角度的差均極小。因此，對視覺的依存性理論上較上述的TN液晶的情況還小。即，具備廣視角的特征。然而，在VA液晶當中，在施加電壓時，無法決定液晶分子從垂直方向傾倒的方位角(配向向量)為一致，因而產(chǎn)生在一個像素區(qū)域內(nèi)，配向方位角為不同的區(qū)域的邊界(向錯線，Disclination Line)無法固定的問題。此種向錯線的位置依據(jù)像素或是經(jīng)常性地不同的話，則產(chǎn)生顯示上的變動，而導(dǎo)致顯示質(zhì)量的降低。
因此，例如在日本特開平7-311303號公報當中，也提出在VA液晶當中，在一個像素內(nèi)設(shè)置配向分割手段，而將向錯線固定在此配向分割部，而達到視角的更進一步的擴大以及顯示質(zhì)量的提升。
圖2以VA-LCD為例，顯示了作為以往的配向分割手段而采用的依據(jù)突起部及無電極部的配向分割的情況的附圖。
在第一基板100上形成第一電極(例如像素電極)200，并包覆該第一電極200而形成配向膜260。此外，在與第一基板100對向配置的第二基板上，形成第二電極(例如共通電極)320。在此第二電極320上，形成朝向液晶層400而突出的突起部560，在包覆此突起部560及第二電極320的基板全體上，形成與第一基板側(cè)相同的配向膜260。在第二基板300側(cè)上，在配向膜260的與液晶層400接觸的面的一側(cè)上，形成因應(yīng)下層的突起部560的傾斜的斜面，并且在采用垂直配向膜來作為配向膜260的情況下，將液晶指向(director)410相對于此配向膜的斜面作配向控制。因此，以此突起部560為邊界，將液晶指向410的配向方位角(配向向量)分割為圖中的左右。此外，形成在第一基板側(cè)且與互為鄰接的第一電極200之間的間隙，則成為無電極部530。在如此的無電極部530當中，當開始對互為對向的第一電極200及第二電極320施加電壓時，產(chǎn)生圖中的虛線所示的斜向的弱電場。之后，具有負的介電常數(shù)異向性的液晶分子的短軸方向，對此電場的電力線(虛線)呈直角而配向。因此，在如此的無電極部530當中，也以此無電極部530為邊界，而分割液晶指向410的配向方位角。
如上所述，可通過突起部560及無電極部530，而在一個像素區(qū)域內(nèi)形成配向方向互為不同(配向向量不同)的區(qū)域。然而，為了提高通過這些突起部560及無電極部530對液晶的配向方向的分割性能，在突起部560的情況下，必須增加該斜面的面積，增大傾斜角，也就是增加突起部560的高度。此外，關(guān)于無電極部530，則要求增加無電極距離。
然而，在突起部560及無電極部530的形成區(qū)域當中，在上述VA液晶的情況下，即使施加電壓，液晶的配向方向也難以產(chǎn)生變化，而使穿透率降低。此外，關(guān)于突起部560，在該斜面上的液晶配向方向，是從垂直于基板平面的方向上稍微傾斜，也就是在所謂的常時暗態(tài)模式(normally black)的情況下，光線會在該斜面形成區(qū)域穿透過去。因此，突起部560越大，則以白顯示的亮度/黑顯示的亮度所表示的對比會越低。如此，若為了提升配向分割性能而增加突起部560的高度，或是增加無電極距離，則導(dǎo)致顯示區(qū)域的縮小，LCD的穿透率或是反射率的降低，或是對比下降的問題。
此外，為了實現(xiàn)高度精細的LCD，必須盡可能的縮小像素區(qū)域間的距離，因而具備無法過度增加像素間的無電極部530的距離(寬度)的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，可實現(xiàn)廣視角，且為高穿透率或是高反射率，并且具備高對比的LCD。
本發(fā)明可實現(xiàn)上述的LCD，對向配置具有第一電極的第一基板及具有第二電極的第二基板，并在兩基板之間包夾液晶層而構(gòu)成LCD，其特征為，用于在一個像素區(qū)域內(nèi)將液晶的配向分割為多個區(qū)域的配向控制部，設(shè)置在各個像素區(qū)域內(nèi)；該配向控制部至少具備無電極部，以及具有朝上述液晶層突出的斜面的突起部是在上述第一基板側(cè)或是上述第二基板側(cè)的至少一邊上于相同位置上重迭而形成的區(qū)域。
此外，在無電極部當中，產(chǎn)生對基板平面的法線方向傾斜的電場，液晶的配向方位角則以該無電極部為邊界而被分割。此外，在突起部當中，相對于該斜面的平面方向而控制液晶的初期配向，液晶的配向方位角則以該突起部為邊界而被分割。
在本發(fā)明當中，通過在相同位置上重迭如此的無電極部及突起部而形成，即使縮短無電極部的寬度，并且縮短突起部的寬度以及高度，也可通過相互的相乘效果，而充分的進行配向分割控制。即，雖然無電極部的寬度變窄會使在無電極部的端部所產(chǎn)生的電場的斜率變小，但在相同位置上，可通過突起部的斜面，而使配向在該斜面的引力作用于液晶，因此即使電場的斜率較小，也可確實的以此配向控制部為邊界，而分割液晶的配向方位角。相反的，若突起部較低且寬度較窄，也就是若突起部變小，則由突起部的斜面所控制的液晶的配向角度的與其它區(qū)域的差即變小，而且所控制的面積也變小，但是，由于無電極部的斜向電場所形成的液晶的配向控制力施加于此，因此可確實的進行配向的分割控制。因此，可縮小配向控制部的面積，而實現(xiàn)高對比，廣視角，以及高穿透率或是高反射率。
本發(fā)明的其它實施方式為，除了TN液晶之外，可采用上述液晶層的初期配向為對基板的平面方向為垂直的方向的VA液晶，來作為上述LCD的液晶。
在任何模式的液晶當中，均可在一個像素區(qū)域內(nèi)，在相同位置上重迭而形成無電極部及突起部，來作為配向控制部，而可實現(xiàn)確實的配向分割，以及高對比，及高穿透率或是高反射率。
本發(fā)明的其它實施方式為，在上述LCD當中，在一個像素區(qū)域內(nèi)，也可在形成有上述無電極部及上述突起部的重迭部的上述第一基板側(cè)或是上述第二基板側(cè)上，以及在相同的基板側(cè)或是不同的基板側(cè)上，又具備上述無電極部及上述突起部當中之一或兩者，來作為上述配向控制部。
如此，不僅通過無電極部及突起部的重迭來進行配向控制，并可根據(jù)不同狀況，僅僅通過無電極部或是僅僅通過突起部來進行配向控制，而可確實的進行配向的分割控制，此外，也可對應(yīng)于例如像素的布局上等情況，以及設(shè)計上和制造上的限制及要求。
本發(fā)明的其它實施方式為，在上述LCD當中，形成于上述第一基板側(cè)的上述第一電極，是在每個像素中具備個別的圖案，且在第一基板側(cè)上形成多個，并且在該多個第一電極上各自連接開關(guān)組件；形成于上述第二基板側(cè)的上述第二電極，被形成為各個像素共通的共通電極；上述配向控制部形成在上述像素電極的形成區(qū)域內(nèi)，或是形成在上述共通電極的一個像素區(qū)域內(nèi)。
本發(fā)明的其它實施方式為，在上述LCD當中，形成于上述第一基板側(cè)的上述第一電極，是在每個像素中形成個別的圖案，且在第一基板側(cè)上形成多個，并且在該多個第一電極上各自連接開關(guān)組件；形成于上述第二基板側(cè)的上述第二電極，被形成為各個像素共通的共通電極；上述像素電極，是在上述第一基板側(cè)上形成多個而成為矩陣狀；在互相鄰接的像素電極之間，又形成，重迭有上述無電極部及上述突起部而形成的配向控制部，或是僅由上述無電極部所組成的配向控制部。
上述LCD可適用于，例如在上述第一基板或是上述第二基板內(nèi)，與位于觀察側(cè)的基板對向的基板側(cè)上，形成用于反射從觀察側(cè)所入射的光線的反射層的所謂的反射型LCD。
此外，上述LCD可適用于，例如上述第一電極及上述第二電極設(shè)為透明電極，在上述第一基板或是上述第二基板內(nèi)，讓來自于設(shè)置在對觀察側(cè)而言為背面?zhèn)鹊墓庠吹墓饩€穿透，而進行顯示的所謂的穿透型LCD。
此外，上述LCD可適用于，在上述一個像素區(qū)域內(nèi)，設(shè)置反射外部光線的反射區(qū)域，以及讓光源光線穿透的穿透區(qū)域的所謂的半穿透型LCD。通過設(shè)置如此的反射區(qū)域及穿透區(qū)域，即使在外部光線較強的屋外，以及較暗的地方，也可進行高對比及廣視角的顯示。通過在反射區(qū)域內(nèi)及穿透區(qū)域內(nèi)各自設(shè)置上述配向控制部，在反射模式及穿透模式中的任一種模式當中，均可更進一步的提升顯示質(zhì)量。
如以上所說明的，在本發(fā)明當中，可實現(xiàn)防止向錯線的產(chǎn)生，可擴大視角，且具備高對比以及高穿透率或是高反射率，此外并具備極為優(yōu)良的配向控制性的LCD。


圖1A和1B顯示了用于說明TN液晶及VA液晶的視角的不同的附圖；圖2顯示了依據(jù)以往的配向控制部的液晶的配向分割的情況的附圖；圖3顯示了本發(fā)明的實施方式的LCD的概略剖面構(gòu)成的附圖；圖4A至4C顯示了本發(fā)明的實施方式的配向控制部的圖案的例子的附圖；圖5顯示了本發(fā)明的實施方式的LCD的概略剖面構(gòu)成的附圖；圖6顯示了本發(fā)明的實施方式的半穿透型LCD的概略平面構(gòu)成的附圖；圖7顯示了沿著圖6的A-A’線的剖面構(gòu)造的附圖；圖8顯示了本發(fā)明的實施方式的有源矩陣型LCD像素部的概略剖面構(gòu)成的附圖。
主要組件符號說明20 有源層20c 道區(qū)域20d 漏極區(qū)域 20s 源極區(qū)域30 柵極絕緣膜32柵極34 層間絕緣膜36漏極38 平坦化絕緣膜 40源極42 連接用金屬層 44反射層50、200第一電極 100 第一基板110 TFT 210 穿透區(qū)域220 反射區(qū)域 260 配向膜300 第二基板 320 第二電極340 間隙調(diào)整層400 液晶層
410 液晶指向500、510、510r、520配向控制部512、512r、512t、522、530 無電極部514、514r、514t、524、560 突起部516、526、536電場(電力線)、斜向電場d、dr、dt液晶單元間距具體實施方式
以下采用附圖來說明本發(fā)明的較佳的實施方式(以下稱為實施方式)。
圖3顯示了本實施方式的LCD的概略剖面構(gòu)成的附圖。在圖3的例子當中，LCD為讓來自于光源的光線穿透的穿透型LCD，在均為透明的第一基板100及第二基板300之間，密封有液晶層400，在各基板100、300與液晶層400對向的面的一側(cè)上，分別形成由ITO(Indium TinOxide，氧化銦錫)、IZO(Indium Zinc Oxide，氧化銦鋅)等透明導(dǎo)電性材料所構(gòu)成的第一電極200及第二電極320。
在此，液晶層400采用具備負的介電常數(shù)異向性的垂直配向型的液晶，并且分別在第二基板300及第一基板100側(cè)，設(shè)置用于將一個像素區(qū)域內(nèi)分割為多個配向區(qū)域的配向控制部500(配向分割部)。在此配向控制部500當中，在第一基板100側(cè)，形成以第一電極200的間隙所構(gòu)成的無電極部530。之后，在包覆此無電極部530及第一電極200的基板全面上，形成由聚亞酰胺(Polyimide)等所組成的配向膜260。
在第二基板300側(cè)，于第二電極320上形成無電極部512，并且在此無電極部512上形成朝液晶層400突出的突起部514。此外，在包覆無電極部512而形成的突起部514，以及包覆第二電極320的全面上，形成與第一基板100側(cè)相同的配向膜260。第一基板100側(cè)及第二基板側(cè)的配向膜260，均為垂直配向膜，并可采用無摩擦類型的。
在以上的構(gòu)成當中，在第二基板300側(cè)的配向控制部510當中，在第一電極200及第二電極320之間完全未施加電壓的狀態(tài)下，液晶指向410被垂直配向在由剖面形狀為三角形的突起部514的斜面所形成的配向膜260的斜面。
在開始施加電壓于第一電極200及第二電極320之間，而在兩電極之間產(chǎn)生弱電場時，在位于突起部514的下方的無電極部512的端部(第二電極320的端部)，如圖中的虛線所示的電力線，是以從該電極320的端部朝向無電極部512的中央擴展的方式而斜向傾斜。具有負的介電常數(shù)異向性的液晶的短軸，被沿著此斜向電力線而配向。因此，隨著對液晶的施加電壓的上升，液晶分子從初期的垂直配向狀態(tài)所傾倒的方位角，由此斜向電場而決定。因此，在配向控制部510當中，通過突起部514及無電極部512的作用，使液晶的配向以配向控制部510為邊界，朝向至少互為不同的配向方位的方式被分割。
另外，在形成于第一基板側(cè)的第一電極200的間隙的無電極部530中，也可通過相同的斜向電場而控制液晶的配向方位角(配向方位)，并以無電極部530邊界，將液晶的配向方位角分割成互為不同的方向。
如此，在配向控制部510以及在無電極部530當中，均能以該形成區(qū)域為邊界而進行配向的分割，而如圖3所示，相較于僅由無電極部530所組成的配向控制部500中的該無電極部的寬度，由重迭突起部514及無電極部512而構(gòu)成的配向控制部510中的無電極部512的寬度可以設(shè)定成更窄。也就是說，由于在相同位置上重迭無電極部512及突起部514而形成，因此即使無電極部的寬度變窄，也可依靠通過突起部的配向分割的控制效果，而充分進行配向分割控制。
若縮小無電極部512的寬度，則在無電極部512的端部所產(chǎn)生的電場(電力線)516的斜率，比無電極部530的端部所產(chǎn)生的電場(電力線)536的斜率還小。斜率較小時，配向在與此電力線516直角的方向上的液晶分子對基板平面的法線的斜率變小，而與配向控制部以外的區(qū)域的垂直配向后的液晶分子之間的差即變小。即，依據(jù)此斜向電場的配向分割性能隨之降低。然而，在此斜向電場的產(chǎn)生位置上，與由無電極部512所產(chǎn)生的電力線516相同，突起部514形成有從無電極部512的端部朝向該中央而傾斜于液晶層方向的斜面。因此，由于采用垂直配向膜260，在此液晶指向410接收引力而使其朝向相對于突起部514的斜面的直角方向。因此，即使斜向電場516的斜率較低，也可確實的以配向控制部510為邊界，而分割液晶的配向方位角。
此外，如上所述，若突起部514的高度較低且寬度較窄，也就是突起部514越小，則對基板平面的突起的斜面角也越小，因此，與在配向控制部510的形成區(qū)域外、配向為朝向基板平面的法線方向的液晶分子的配向角度的差即變小。因此，若僅僅具備較小的突起部514，則液晶的配向控制性會降低。然而，在此當中，由于施加無電極部512的斜向電場516所形成的液晶的配向控制力，因此可確實進行配向分割。如此，通過重迭突起部514及無電極部512而形成配向控制部510，可通過較小的突起部514及寬度較窄的無電極部512，確實進行配向的分割，此外，可對應(yīng)無電極部512的寬度所可以減少的量，而提高像素的穿透率或是反射率，此外，同樣地突起部514也可縮短寬度(相當于三角形的面的底邊)并降低高度，而防止對比的降低。
在此，關(guān)于無電極部512的寬度及突起部514的寬度，在圖3的例子當中，設(shè)定突起部514的寬度比無電極部512的寬度稍大，而使突起部514完全包覆至無電極部512的端部為止。然而，此大小關(guān)系并無特別限定，也可為相同大小，此外，也可設(shè)定突起部514的寬度較小。大約相同的寬度以及稍微的窄為適宜。其中，如果與液晶的接觸側(cè)上具有不需要的斜面的話，可能導(dǎo)致配向的紊亂，因此就防止配向紊亂的點來看，如圖3所示在無電極部512上重迭突起部514的情況下，突起部514的寬度較理想為，設(shè)定為在該寬度方向上足以完全包覆無電極部512的寬度。
接下來參照圖4A至C，來說明如上述圖3所示的由無電極部512及突起部514的重迭所構(gòu)成的配向控制部510的圖案的例子。在此，首先說明LCD的各個像素區(qū)域與第一電極200的圖案相等的情況。首先，如圖4A所示，以將一個像素區(qū)域內(nèi)(200)的中央附近左右(水平掃描方向)分隔外部區(qū)域的方式，使配向控制部510的圖案是由往垂直掃描方向(圖中的上下方向)延伸的線，以及朝向此線的上下的端部，分別從像素的4個角落延伸的線而構(gòu)成。此圖案具備，在Y字形的在線連接反Y字形的線的形狀。通過采用如此的配向控制部510的圖案，可將一個像素區(qū)域內(nèi)分割為上下左右的配向方向各為不同的4個區(qū)域。
此外，如圖4B所示，也可采用在四角形的一個像素區(qū)域內(nèi)(200)，具備在斜邊的位置上延伸的兩條線的略X字形的配向控制部510，此與圖4A相同，可將一個像素區(qū)域內(nèi)分割為上下左右的配向方向各為不同的4個區(qū)域。
再者，如圖4C所示，配向控制部510也可在一個像素區(qū)域內(nèi)(200)形成斜向橫切兩次方式的略呈“不等于”符號的形狀的圖案，并在一個像素區(qū)域內(nèi)設(shè)置多個。通過如此的圖案也可將一個像素區(qū)域內(nèi)分割為配向方向各為不同的多個區(qū)域。
圖5顯示本實施方式的LCD的與上述圖3不同的型態(tài)的附圖。就在相同位置上重迭無電極部及突起部而構(gòu)成配向控制部500的點而言，是與上述圖3相同，但是在圖5的型態(tài)當中，在突起部上形成無電極部的點，則有所不同。也就是，例如在第二基板300上，形成剖面形狀為大致三角形的、且朝液晶層400突出的突起部524，并在此突起部524上形成第二電極320。此外，在此突起部524的頂端附近，于第二電極320中形成無電極部(開口或是裂縫)522。另外，包覆突起部524而形成的第二電極320，是去除無電極部522的形成區(qū)域，并在與該液晶層為對向的面的一側(cè)上，形成沿著突起部524的傾斜的斜面。以包覆第二電極320和在無電極部522上所暴露出的突起部524的方式，來形成配向膜260。如圖5所示，在配向控制部520當中，液晶直向410被垂直配向在由突起部524所造成的斜面，并通過形成在無電極部522的端部的斜向電場526，而控制液晶配向。因此，與圖3的配向控制部510相同，可通過較小的突起部524及寬度較窄的無電極部522，確實進行配向的分割，并實現(xiàn)具備高對比及廣視角，且為高穿透率或是高反射率的LCD。
此外，在圖5所示的例子當中，于第一基板100側(cè)，也形成重迭突起部524及第一電極200的無電極部522的配向控制部520。如此，若在第二基板300側(cè)以及在第一基板100側(cè)當中，均采用重迭突起部524及無電極部522而形成的配向控制部520，則可縮短像素間的距離為最大限度，因此在高度精細的LCD當中極為有效。另外，如圖3所示，若在第一基板側(cè)以及在第二基板側(cè)當中，均采用在無電極部512上重迭突起部514而形成的配向控制部510，則也同樣可縮短像素間的距離為最大限度，在高度精細的LCD當中，達成具備高對比及廣視角，且為高穿透率或是高反射率。另外，在圖5的第一基板100側(cè)，也可與圖3的第一基板100側(cè)相同，不設(shè)置突起部而僅由第一電極200的無電極部而構(gòu)成配向控制部。
另外，在圖3當中，例如第二電極320的厚度為數(shù)十nm(例如10nm至50nm)下，可設(shè)定形成配向控制部510的無電極部512的寬度大約為3μm，突起部514的高度大約為0.5μm至2μm，突起部514的寬度(底面的寬度)大約為5至7μm。雖然數(shù)值并不限定于此，但相對于僅以無電極部進行配向分割的情況下，就通常要求無電極部的寬度為上述的10μm左右而言，可設(shè)定為3μm的極窄的寬度。關(guān)于突起部514的斜面，由于只要具備電極則可進行顯示，因此，可縮小未進行顯示的無電極部的寬度，就提升LCD的穿透率或是反射率的點而言，是極為有利。
在本實施型態(tài)的LCD當中，不論是無源矩陣型LCD或是有源矩陣型LCD，均可如圖3或是圖5所示，在一個像素區(qū)域內(nèi)，配置重迭突起部及無電極部的配向控制部500，而實現(xiàn)廣視角及高對比，且為高穿透率或是高反射率。
在圖3及圖5的例子當中，無源矩陣型LCD是在第一基板100及第二基板300上，以互為直角的方式分別形成長條狀的第一電極200及第二電極320，第一電極200及第二電極320包夾液晶層而交叉的區(qū)域，則成為一個像素區(qū)域。
在圖3及圖5的例子當中，在有源矩陣型LCD中，在各個像素內(nèi)設(shè)置開關(guān)組件，每個像素當中具有個別圖案的像素電極，且連接在此開關(guān)組件，并以包夾液晶層而與像素電極對向的方式，在各個像素中形成共通的共通電極。在圖3及圖5所示的構(gòu)成當中，可考慮第一電極200是在每個像素當中形成個別圖案的像素電極，此外可考慮第二電極320是共通電極(當然也可考慮第二電極320為個別的像素電極，第一電極200為共通電極)。關(guān)于此有源矩陣型LCD中，作為像素電極的第一電極200以及連接在此第一電極而作為開關(guān)組件而連接的薄膜晶體管(TFT)的概略構(gòu)成及制造方法，之后將詳細敘述。
以上，作為液晶，是以具備負的介電常數(shù)異向性的垂直配向液晶(VA液晶)為例子而說明，但是在采用TN液晶的LCD當中，當然可在各個像素區(qū)域內(nèi)設(shè)置上述配向控制部510及520，借此，即使在采用TN液晶的LCD當中，不僅可實現(xiàn)高對比以及高穿透率或是高反射率，并且可大幅提升視角。此外，由于是以突起部的斜面來控制液晶的配向，因此是以突起部為邊界，而分割液晶的配向方向(配向方位)，此外，在無電極部當中，液晶的配向不會從沿著基板的平面方向的方向改變，且控制液晶分子的長軸為沿著在無電極部的端部所產(chǎn)生的弱電場的斜率(電力線)的方向，因此，同樣是以此無電極部為邊界，而形成液晶的配向方向(配向方位)是不同的區(qū)域。
上述本實施方式的配向控制部510及520，均可用在反射型LCD及穿透型LCD，以及之后所述的半穿透型LCD。圖3及圖5所示的第一電極200及第二電極320，是分別以上述ITO、IZO的透明電極所構(gòu)成，第一基板100及第二基板300均采用玻璃等透明基板，例如，如之后所述的圖8所示，通過施加在液晶層的電壓，來控制從配置在第一基板側(cè)的光源600入射在液晶層400，且從第二基板側(cè)所射出的光量，借此可獲得穿透型LCD。
此外，在第一基板及第二基板當中的一上設(shè)置反射層，并響應(yīng)施加在液晶的電壓，來控制在此反射層上反射入射在液晶層的外部光線，然后再穿透液晶層而從觀察側(cè)的基板射出至外部的光量，借此可獲得反射型LCD。另外，在反射型LCD的情況下，例如在圖3及圖5當中，可采用Al及Ag等反射電極材料來作為第一電極(或是圖4A至C的像素電極)200?；蛘呤窃诘谝浑姌O200的下層，例如可在第一基板100的背面?zhèn)鹊谋砻嫔显O(shè)置反射板。
在形成為半穿透型LCD的情況下，可在一個像素區(qū)域內(nèi)，設(shè)置形成反射層的反射區(qū)域，以及穿透區(qū)域。另外，在反射區(qū)域及穿透區(qū)域中的任一區(qū)域，可在一部分至少采用上述構(gòu)成的配向控制部510或是520，而在反射模式及穿透模式當中，均可提升視角，而獲得高對比的顯示。另外，如之后所述的圖8所示，在半穿透型LCD中的有源矩陣型當中，是在作為形成在第一基板100側(cè)的像素電極的第一電極200以及基板100之間，形成此TFT。此外，在一個像素區(qū)域內(nèi)，盡可能有效率的配置穿透區(qū)域210及反射區(qū)域220，尤其是在不會降低穿透區(qū)域210的穿透率的目之下，在穿透型LCD當中也形成在一般遮光區(qū)域的TFT，可配置即使設(shè)如此置也不會影響穿透率的反射區(qū)域220。
圖6顯示了本實施方式的具備配向控制部的半穿透型LCD的概略平面構(gòu)成的附圖。圖7顯示了沿著圖6的A-A’線的概略剖面構(gòu)造的附圖。另外，沿著圖6的B-B’線的概略剖面構(gòu)造，是與上述圖3或圖5所示的概略剖面構(gòu)造相同。在此，是以第一電極200按照每個像素形成的個別的像素電極并連接在圖中未顯示的TFT，以及第二電極320為共通電極構(gòu)成的有源矩陣型LCD為例而進行說明，但也可為無源矩陣型LCD。
在圖6的例子當中，像素電極200各具備四角形(長方形)的形狀，在該形成區(qū)域內(nèi)，各設(shè)置四角形的穿透區(qū)域210及反射區(qū)域220。在穿透區(qū)域210及反射區(qū)域220的各個區(qū)域內(nèi)，如圖3所示的重迭無電極部512及突起部514而構(gòu)成的配向控制部510(也可采用圖5的構(gòu)成的配向控制部520)是在相當于四角形的斜邊的位置上，各形成為略呈X字形的圖案。因此，在圖6當中，在一個像素區(qū)域內(nèi)，設(shè)置至少具有2個X字形的圖案的配向控制部510，由于可縮小該寬度為最低限度且可降低突起部514，因此不會損及穿透率或是反射率，可防止對比的降低，并在反射模式及穿透模式中，在各個區(qū)域上各形成4個配向區(qū)域，因此可達成極廣的視角。
此外，如圖7所示，在此半穿透型LCD當中，為了在穿透區(qū)域210及反射區(qū)域220當中分別達成最適宜的穿透率及反射率，而設(shè)置可使各個區(qū)域的光路徑長成為最適值的由透明的(例如丙烯酸系列樹脂等所組成)絕緣性間隙調(diào)整部340。在此例當中，尤其是考慮到液晶層400的折射率異向性An，及液晶層400的厚度(液晶單元間距)d，在最少通過2次的外部光線的反射區(qū)域220當中，以該液晶單元間距dr成為期望的值的方式(至少比穿透區(qū)域210的液晶單元間距dt還小)，在反射區(qū)域220內(nèi)將此間隙調(diào)整部340形成在第二基板300及液晶層400之間。在圖7的例子當中，此間隙調(diào)整部340形成在共通電極320上。在共通電極320的反射區(qū)域220內(nèi)，形成成為配向控制部510r的縫隙狀的無電極部(窗)512r，在此無電極部512及共通電極320上的反射區(qū)域的位置上，形成上述間隙調(diào)整部340。此外，在間隙調(diào)整部340上的與無電極部512r重迭的位置上，設(shè)置朝液晶層突出的突起部514r。
在圖7的例子中，在穿透區(qū)域210中未設(shè)置間隙調(diào)整部340，而包覆形成在共通電極320的縫隙狀的無電極部512t，而形成突起部514t。在包覆這些共通電極320、間隙調(diào)整部340、突起部514t、514r的基板全面上，形成配向膜260。間隙調(diào)整部340的一個像素區(qū)域內(nèi)的端部位于反射區(qū)域220及穿透區(qū)域210的邊界，在此間隙調(diào)整部340的端部上至少設(shè)置傾斜面，依循此傾斜的配向膜260的斜面也與依據(jù)突起部514的斜面相同，通過控制液晶分子的配向朝向此斜面平面，而具備作為一種配向控制部500的功能。
此外，在此半穿透型LCD當中，也在像素電極200側(cè)的反射區(qū)域220及穿透區(qū)域210的邊界上，形成無電極部530來作為配向控制部，并通過弱電場下的斜向電場而控制配向。因此，在穿透區(qū)域210及反射區(qū)域220的邊界區(qū)域上，在第二電極側(cè)當中，通過間隙調(diào)整部340的斜面550，而控制液晶的初期配向在垂直于該斜面的方向上，并且在第一基板側(cè)，通過無電極部530的弱電場的斜率，以該無電極部530為邊界，而控制液晶的配向為不同的方位角。因此，更可確實的進行在穿透區(qū)域210及反射區(qū)域220的邊界區(qū)域附近的液晶的配向分割。此外，也可進一步在此無電極部530當中，如第二基板側(cè)所示，重迭突起部而形成配向控制部，并可配向液晶在包覆這些結(jié)構(gòu)而形成的配向膜260的斜面上，借此可提高配向分割功能。若設(shè)置如此的突起部，則更可縮小無電極部530的寬度，而有益于穿透率或是反射率的提升。
此外，也在像素電極200以及與此鄰接的像素電極200的間的間隙上，構(gòu)成由無電極部530所組成的配向控制部。若在此間隙當中重迭突起部而構(gòu)成配向控制部，則有益于達成LCD的高精細化等。
雖然在圖7當中未顯示，但是在進行彩色顯示的情況下，在第二基板側(cè)的例如共通電極320及基板300之間設(shè)置彩色濾光片，并在依R、G、B的每個波長的電壓穿透率特性等具有極大不同的情況下，可在每個R、G、B上改變間隙調(diào)整部340及彩色濾光片的厚度，而調(diào)整液晶層的厚度d，借此可緩和LCD的對波長的依存性。
在圖7的例子當中，是在共通電極320上形成間隙調(diào)整部340，但也可在第二基板300上形成間隙調(diào)整部340之后，以包覆基板全面的方式形成共通電極320，此外，也可形成無電極部512(512r、512t)。
構(gòu)成以上所說明的本實施方式的配向控制部510(或是520)、并與無電極部512(或是522)重迭而形成的突起部514(524)，可采用透明材料，而為了防止白漏光，也可采用遮旋光性(例如黑色濾光材料)的材料，但在任何情況下，均必須具備絕緣性。此外，也必須具備，朝液晶層突出而用于配向液晶的錐狀斜面。此錐狀物例如可采用正型光阻材料來作為此突起部的材料，并可通過采用遮蔽突起部形成區(qū)域的掩膜進行曝光，而在曝光時使光線繞射而加以實現(xiàn)。
接下來參照圖8，說明可適用于有源矩陣型LCD(尤其是，在此為如上述圖6所示的半穿透型LCD)的像素電極的第一電極200，以及與此鄰接的TFT的構(gòu)成及制造方法。此外若僅以透明電極材料為像素電極(第一電極200)的材料，則可獲得穿透型LCD，而若使用Al等反射材料，則可獲得反射型LCD。
關(guān)于TFT，采用頂柵極型，此外，采用對非晶硅(a-Si)進行激光退火以達到多結(jié)晶化而獲得的多晶硅(p-Si)，來作為有源層20。當然，TFT并不限定于頂柵極型p-Si，也可為底柵極型，并采用a-Si來作為有源層20。摻雜在TFT的有源層20的源極、漏極區(qū)域20s、20d的雜質(zhì)可為n導(dǎo)電型或是p導(dǎo)電型，在本實施方式當中，是摻雜磷等n導(dǎo)電型雜質(zhì)，采用n溝道型的TFT。
TFT的有源層20由柵極絕緣膜30所包覆，并在柵極絕緣膜30上形成由Cr及Mo等高熔點金屬材料所組成且兼用為柵極線的柵極電極32。在形成此柵極電極32之后，以此柵極電極32為掩膜，在有源層20上摻雜上述雜質(zhì)，而形成源極、漏極區(qū)域20s、20d，以及未摻雜雜質(zhì)的溝道區(qū)域20c。接下來，包覆此TFT110全體而形成層間絕緣膜34，在此層間絕緣膜34上形成接觸孔之后，形成電極材料，并通過此接觸孔，分別在上述p-Si有源層20的源極區(qū)域20s連接源極40，以及在漏極區(qū)域20d連接漏極36。在本實施方式當中，漏極36也兼具有將對應(yīng)顯示內(nèi)容的數(shù)據(jù)信號提供至各個TFT110的數(shù)據(jù)線的功能。另一方面，源極電極40連接在之后所述的作為像素電極的第一電極50。漏極電極36及源極電極40均采用高導(dǎo)電性的例如Al等。
在形成源極電極40及漏極電極36之后，包覆基板全面而形成由丙烯酸樹脂等樹脂材料所組成的平坦化絕緣膜38。接下來，在此平坦化絕緣膜38的源極電極40的形成區(qū)域中形成接觸孔，在此接觸孔中形成連接用金屬層42，而連接源極電極40及連接用金屬層42。在采用Al等來作為源極電極40的情況下，可采用Mo等金屬材料來作為金屬層42，借此可使源極電極40及連接用金屬層42的連接達到良好的歐姆接觸。此外，也可省略源極電極40，在此情況下，金屬層42接觸在TFT110的硅有源層20，而Mo等金屬可確立與此半導(dǎo)體材料之間的歐姆接觸。
在連接用金屬層42的迭層及圖形化之后，首先在基板全面，通過蒸鍍或是濺鍍來迭層反射層用的Al-Nd合金、及Al等反射特性優(yōu)良的反射材料層。迭層后的反射材料層，是以不妨礙金屬層42與之后所形成的像素電極200及TFT的接觸的方式，通過蝕刻而從TFT的源極區(qū)域附近(金屬層42的形成區(qū)域)當中去除，并且同時使其不殘存在穿透區(qū)域210的方式蝕刻去除，并如上述圖6所示，在各個像素的反射區(qū)域220上，形成外形呈矩形的反射層44。為了防止光線照射在TFT(尤其是信道區(qū)域20c)上而產(chǎn)生漏電流，并且盡可能擴大可反射的區(qū)域(即，顯示區(qū)域)，在本實施方式當中，如圖8所示，反射層44也積極形成在TFT110的溝道上方區(qū)域上。
在如此的反射層44的圖形化時，由上述Mo等金屬所組成的金屬層42，具備充分的膜厚(例如0.2μm)，并具備充分的耐蝕刻液的性質(zhì)。因此，在蝕刻去除金屬層42上的反射層44之后，也不會完全去除此金屬層42，而可在接觸孔內(nèi)殘存。此外，較多的情況是，由于以與反射層44相同的材料(Al等)來構(gòu)成源極電極40等，因此，若不存在上述金屬層42，則源極電極40會被反射層44的蝕刻液所腐蝕，而產(chǎn)生斷線等。然而，在本實施方式當中，通過設(shè)置如此的金屬層42，可承受反射層44的圖形化，而維持與源極電極40的良好的電性連接。
在反射層44的圖形化之后，以包覆包含反射層44的基板全面的方式，通過濺鍍法來迭層透明導(dǎo)電層。在此，如上述的由Al等所組成的反射層44的表面，此時是以絕緣性的自然氧化膜所包覆，然而Mo等高熔點金屬即使暴露于濺鍍的環(huán)境下，表面也不會氧化。因此，在接觸區(qū)域中暴露出的金屬層42，可與迭層在此金屬層42上的像素電極用的透明導(dǎo)電層之間形成歐姆接觸。透明導(dǎo)電層在成膜之后，被布線為在每個像素中是獨立的，且在一個像素區(qū)域內(nèi)與反射區(qū)域及穿透區(qū)域為共通，并且形成為例如上述圖6所示的長方形，而借此獲得像素電極200。此外，在圖形化形成此像素電極200之后，以包覆基板全面的方式而形成由聚亞酰胺等所組成的配向膜260，而完成第一基板側(cè)。之后，將已經(jīng)形成有如圖1所示的R、G、B的彩色濾光片、圖7所示的共通電極320及其無電極部512(512r、512t)、間隙調(diào)整部340及突起部514(514r、514t)、以及包覆這些構(gòu)成的配向膜260的第二基板300，以一定的間隔與該第一基板100在基板的周邊部分貼合，并在基板之間密封液晶，而獲得LCD。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示裝置，通過對向配置具有第一電極的第一基板以及具有第二電極的第二基板，并在兩基板之間包夾液晶層而構(gòu)成，其特征為用于在一個像素區(qū)域內(nèi)將液晶的配向分割為多個區(qū)域的配向控制部被設(shè)置在各個像素區(qū)域內(nèi)，該配向控制部至少具備，將無電極部以及具有朝上述液晶層突出的斜面的突起部在上述第一基板側(cè)或是上述第二基板側(cè)的至少一方重迭在相同位置而形成的區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中上述液晶層的初期配向相對基板的平面方向為垂直的方向。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中形成在上述第一基板側(cè)的上述第一電極被形成多個，且在每個像素中具備個別的圖案，并且在該多個第一電極分別連接有開關(guān)組件；形成在上述第二基板側(cè)的上述第二電極被形成為各個像素共通的共通電極；上述配向控制部被形成在上述像素電極的形成區(qū)域內(nèi)，或是形成在上述共通電極的一個像素區(qū)域內(nèi)。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中形成在上述第一基板側(cè)的上述第一電極被形成多個，且在每個像素中具備個別的圖案，并且在該多個第一電極分別連接有開關(guān)組件；形成在上述第二基板側(cè)的上述第二電極被形成為各個像素共通的共通電極；上述像素電極在上述第一基板側(cè)上以矩陣狀被形成多個；在互相鄰接的像素電極彼此間，又形成有將上述無電極部及上述突起部重迭形成的配向控制部。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的液晶顯示裝置，其中在上述第一基板或是上述第二基板內(nèi)，與位于觀察側(cè)的基板對向的基板側(cè)，形成有用于反射從觀察側(cè)所入射的光線的反射層。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的液晶顯示裝置，其中上述第一電極及上述第二電極為透明電極；在上述第一基板或是上述第二基板內(nèi)，讓來自于設(shè)置在相對觀察側(cè)為背面?zhèn)鹊墓庠吹墓饩€穿透而進行顯示。
7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的液晶顯示裝置，其中在上述一個像素區(qū)域內(nèi)，設(shè)置有反射外部光線的反射區(qū)域，以及讓光源光線穿透的穿透區(qū)域。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中形成在上述第一基板側(cè)的上述第一電極被形成多個，且在每個像素中具備個別的圖案，并且在該多個第一電極分別連接有開關(guān)組件；形成在上述第二基板側(cè)的上述第二電極被形成為各個像素共通的共通電極；上述像素電極在上述第一基板側(cè)以矩陣狀被形成有多個；在互相鄰接的像素電極彼此間，又形成有僅由上述無電極部所構(gòu)成的配向控制部。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的液晶顯示裝置，其中在上述第一基板或是上述第二基板內(nèi)，與位于觀察側(cè)的基板對向的基板側(cè)，形成有用于反射從觀察側(cè)所入射的光線的反射層。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的液晶顯示裝置，其中上述第一電極及上述第二電極為透明電極；在上述第一基板或是上述第二基板內(nèi)，讓來自于設(shè)置在相對觀察側(cè)為背面?zhèn)鹊墓庠吹墓饩€穿透而進行顯示。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的液晶顯示裝置，其中在上述一個像素區(qū)域內(nèi)，設(shè)置有反射外部光線的反射區(qū)域，以及讓光源光線穿透的穿透區(qū)域。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中在上述第一基板或是上述第二基板內(nèi)，與位于觀察側(cè)的基板對向的基板側(cè)，形成有用于反射從觀察側(cè)所入射的光線的反射層。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中上述第一電極及上述第二電極為透明電極；在上述第一基板或是上述第二基板內(nèi)，讓來自于設(shè)置在相對觀察側(cè)為背面?zhèn)鹊墓庠吹墓饩€穿透而進行顯示。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其中在上述一個像素區(qū)域內(nèi)，設(shè)置有反射外部光線的反射區(qū)域，以及讓光源光線穿透的穿透區(qū)域。
15.一種液晶顯示裝置，通過對向配置具有第一電極的第一基板及具有第二電極的第二基板，并在兩基板之間包夾液晶層而構(gòu)成，其特征為用于在一個像素區(qū)域內(nèi)將液晶的配向分割為多個區(qū)域的配向控制部被設(shè)置在各個像素區(qū)域內(nèi)，該配向控制部至少具備，將無電極部以及具有朝上述液晶層突出的斜面的突起部在上述第一基板側(cè)或是上述第二基板側(cè)的至少一方重迭于相同位置而形成的區(qū)域；在上述一個像素區(qū)域內(nèi)，在形成有上述無電極部及上述突起部的重迭部的上述第一基板側(cè)或是上述第二基板側(cè)，以及在相同的基板側(cè)或是不同的基板側(cè)，又具備上述無電極部及上述突起部當中任一或是兩者，來作為上述配向控制部。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的液晶顯示裝置，其中上述液晶層的初期配向相對基板的平面方向為垂直的方向。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的液晶顯示裝置，其中形成在上述第一基板側(cè)的上述第一電極被形成多個，且在每個像素中具備個別的圖案，并且在該多個第一電極分別連接有開關(guān)組件；形成在上述第二基板側(cè)的上述第二電極被形成為各個像素共通的共通電極；上述配向控制部被形成在上述像素電極的形成區(qū)域內(nèi)，或是形成在上述共通電極的一個像素區(qū)域內(nèi)。
18.根據(jù)權(quán)利要求15所述的液晶顯示裝置，其中形成在上述第一基板側(cè)的上述第一電極被形成多個，且在每個像素中具備個別的圖案，并且在該多個第一電極分別連接有開關(guān)組件；形成在上述第二基板側(cè)的上述第二電極被形成為各個像素共通的共通電極；上述像素電極在上述第一基板側(cè)以矩陣狀被形成有多個；在互相鄰接的像素電極彼此間，又形成有將上述無電極部及上述突起部重迭形成的配向控制部。
19.根據(jù)權(quán)利要求15所述的液晶顯示裝置，其中形成在上述第一基板側(cè)的上述第一電極被形成多個，且在每個像素中具備個別的圖案，并且在該多個第一電極分別連接有開關(guān)組件；形成在上述第二基板側(cè)的上述第二電極被形成為各個像素共通的共通電極；上述像素電極在上述第一基板側(cè)以矩陣狀被形成有多個；在互相鄰接的像素電極彼此間，又形成有僅由上述無電極部所構(gòu)成的配向控制部。
20.根據(jù)權(quán)利要求15所述的液晶顯示裝置，其中在上述第一基板或是上述第二基板內(nèi)，與位于觀察側(cè)的基板對向的基板側(cè)，形成有用于反射從觀察側(cè)所入射的光線的反射層。
21.根據(jù)權(quán)利要求15所述的液晶顯示裝置，其中上述第一電極和上述第二電極為透明電極；在上述第一基板或是上述第二基板內(nèi)，讓來自于設(shè)置在相對觀察側(cè)為背面?zhèn)鹊墓庠吹墓饩€穿透而進行顯示。
22.根據(jù)權(quán)利要求15所述的液晶顯示裝置，其中在上述一個像素區(qū)域內(nèi)，設(shè)置有反射外部光線的反射區(qū)域，以及讓光源光線穿透的穿透區(qū)域。
全文摘要
本發(fā)明為一種液晶顯示裝置，在具有第一電極(200)的第一基板(100)及具有第二電極(320)的第二基板(300)之間，密封有液晶層(400)，其特征為，用于在一個像素區(qū)域內(nèi)分割液晶的配向為多個區(qū)域的配向控制部(500)被設(shè)置在各個像素區(qū)域內(nèi)。此配向控制部(500)至少具備，將無電極部(512)以及具有朝液晶層(400)突出的斜面的突起部(514)在上述第一或第二基板(100、300)的至少一方重迭在相同位置上而形成的配向控制部(510)。如此，可通過以無電極部(512)的電場控制對液晶所進行的配向控制，以及對突起部(514)的斜面的液晶的配向控制兩者，確實地且以較小面積配向分割液晶。
文檔編號G02F1/1333GK1700076SQ20051007221
公開日2005年11月23日 申請日期2005年5月23日 優(yōu)先權(quán)日2004年5月21日
發(fā)明者小間德夫 申請人:三洋電機株式會社