專(zhuān)利名稱(chēng)：液晶顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)具有彩色圖像顯示功能的液晶顯示裝置，特別是有關(guān)有源型的液晶顯示裝置。
背景技術(shù)：
近年來(lái)，由于微細(xì)加工技術(shù)、液晶材料技術(shù)以及高密度裝配技術(shù)等的進(jìn)步，5~50cm對(duì)角的液晶顯示裝置，以符合商用標(biāo)準(zhǔn)，大量使用在電視圖像或各種圖像顯示機(jī)器上。此外，在構(gòu)成液晶面板的2片玻璃電路板中的一面，事先形成RGB的著色層，即可輕松顯色。尤其是每一像素內(nèi)建開(kāi)關(guān)組件，亦即有源型液晶面板，既可以減輕低階失真、加速響應(yīng)速度，又能保證圖像達(dá)到高度對(duì)比。
上述的液晶顯示裝置(液晶面板)，一般是由200~1200條的掃描線(xiàn)與300~1600條的信號(hào)線(xiàn)，組成矩陣形。最近，因應(yīng)顯示電容的擴(kuò)增，同時(shí)進(jìn)行大畫(huà)面化以及高精細(xì)化。
圖9表示液晶面板的裝配狀態(tài)，采用導(dǎo)電性黏著劑，將供應(yīng)驅(qū)動(dòng)信號(hào)的半導(dǎo)體集成電路芯片3，連接至構(gòu)成液晶面板1的一面透明性絕緣基板上，例如在玻璃基板2上所形成的掃描線(xiàn)電極端子群5的COG(Chip-On-Glass)方式，或是以聚酰亞胺類(lèi)樹(shù)脂薄膜為基礎(chǔ)，使用含有導(dǎo)電性媒體的適當(dāng)黏著劑，將具有金屬或焊錫電鍍的銅箔端子的TCP薄膜4，加壓焊接至信號(hào)線(xiàn)的電極端子群6并且固定的TCP(Tape-Carrier-Package)等裝配方式，以便將電信號(hào)供應(yīng)至圖像顯示部。為了便于說(shuō)明，同時(shí)以圖表說(shuō)明上述2種裝配方式，實(shí)際上可采用其中任一種方式。
大致位于液晶面板1的中央，連接顯示部?jī)?nèi)的像素、掃描線(xiàn)以及信號(hào)線(xiàn)的電極端子5、6之間的配線(xiàn)路7、8，其結(jié)構(gòu)未必要與電極端子群5，6為相同的導(dǎo)電材。9是所有液晶胞共通，在對(duì)置面上具有透明導(dǎo)電性對(duì)置電極的另1片透明性絕緣基板，或是對(duì)置的玻璃電路板或彩色濾光片。


圖10表示依每一像素配置絕緣柵極型晶體管10，作為開(kāi)關(guān)組件的有源型液晶顯示裝置的等效電路圖，11(在圖9則是7)是掃描線(xiàn)、12(在圖9則是8)是信號(hào)線(xiàn)、13是液晶胞，將液晶胞13作為電性方面的電容組件使用。以實(shí)線(xiàn)描繪的組件類(lèi)，是在構(gòu)成液晶面板的一面的玻璃基板2上形成，以虛線(xiàn)描繪所有液晶胞13共通的對(duì)置電極14，是在另一面玻璃電路板9對(duì)置的主平面上形成。當(dāng)絕緣柵極型晶體管10的OFF電阻，或是液晶胞13的電阻變低時(shí)，或是重視顯示圖像的灰階性時(shí)，可在液晶胞13并排施加輔助性的積累電容15等，在電路上略施巧思，以擴(kuò)大作為負(fù)荷的液晶胞13的時(shí)間常數(shù)，16是積累電容15的共通母線(xiàn)所構(gòu)成的積累電容。
圖11表示液晶顯示裝置的圖像顯示重要部位剖面圖，構(gòu)成液晶面板1的2片玻璃基板2、9，是以樹(shù)脂性纖維、空心顆粒或彩色濾光片9上所形成的柱狀間隔物等間隔材(圖中未標(biāo)示)，依照規(guī)定的數(shù)μm間距，間隔開(kāi)后形成，在玻璃電路板9的周邊，使用有機(jī)性樹(shù)脂所構(gòu)成的密封材與封口材(未以任何圖表說(shuō)明)封住其中的間隙(Gap)而形成密閉空間，并在該密閉空間填充液晶17。
實(shí)現(xiàn)彩色顯示時(shí)，使用稱(chēng)為著色層18的染料或顏料中任一種或是兩者并用，以厚度約1~2μm的有機(jī)薄膜包覆在玻璃電路板9的密閉空間，如此便具有顯色功能，具有顯色功能的玻璃電路板9，就是俗稱(chēng)的彩色濾光片(Color Filter，簡(jiǎn)稱(chēng)CF)。根據(jù)液晶材料17的性質(zhì)，在玻璃電路板9的上方或玻璃基板2的下方中的任一面，或是在兩面上貼上偏光板19之后，液晶面板1即可發(fā)揮電氣光學(xué)組件的功能。目前，市面上絕大多數(shù)的液晶面板都是采用TN(Twist Nematic)類(lèi)的液晶材料，通常偏光板19需要2片，圖中雖未標(biāo)示，但透射型液晶面板配置背面光源作為光源，并從下方照射白光。
在連接液晶17的2片玻璃基板2、9上，會(huì)形成厚度約0.1μm左右的聚酰亞胺類(lèi)樹(shù)脂薄膜20，這是決定液晶分子方向的定向膜。21是連接絕緣柵極型晶體管10的漏極，以及透明導(dǎo)電性像素電極22的漏極(配線(xiàn))，大部份是與信號(hào)線(xiàn)(源極線(xiàn))12同時(shí)形成。位于信號(hào)線(xiàn)12與漏極21之間的是半導(dǎo)體層23，細(xì)節(jié)敘述如后。在彩色濾光片9上，相接的著色層18的邊界，會(huì)形成厚度約0.1μm的Cr薄膜層24，這是防止外界光源照射至半導(dǎo)體層23、掃描線(xiàn)11以及信號(hào)線(xiàn)12的遮光組件，亦即俗稱(chēng)的黑色矩陣框(Black Matrix簡(jiǎn)稱(chēng)BM)，這是目前常用的技術(shù)。
以下將說(shuō)明作為開(kāi)關(guān)組件的絕緣柵極型晶體管構(gòu)造以及相關(guān)制造方法。目前，一般所使用的絕緣柵極型晶體管有2種，其中之一稱(chēng)為蝕刻中止層型，相關(guān)內(nèi)容將于以往范例中詳細(xì)說(shuō)明。圖12是以往構(gòu)成液晶面板的有源電路板(顯示裝置用半導(dǎo)體裝置)的單位像素平面圖，圖12(e)的A-A’、B-B’以及C-C’線(xiàn)上的剖面圖如圖13所示，以下將簡(jiǎn)單說(shuō)明其制造工程。
首先，兼具優(yōu)異耐熱性、耐藥品性與透明性，作為絕緣性電路板，厚度約為0.5~1.1mm的玻璃基板2，例如在CORNING公司制/商品名稱(chēng)1737的一個(gè)主平面上，使用SPT(濺鍍)等真空制膜裝置，包覆薄膜厚度約0.1~0.3μm的第1金屬層，如圖12(a)與圖13(a)所示，透過(guò)微細(xì)加工技術(shù)，使用感光性樹(shù)脂圖形，選擇性形成兼具柵極11A的掃描線(xiàn)11以及積累電容線(xiàn)16。經(jīng)整體考量后，掃描線(xiàn)的材質(zhì)選用兼具耐熱性、耐藥品性、耐氟酸性以及具有導(dǎo)電性，一般使用Cr，Ta，MoW合金等具有優(yōu)異耐熱性的金屬或合金。
為因應(yīng)液晶面板的大畫(huà)面化與高精細(xì)化，使用AL(鋁)做為掃描線(xiàn)的材料，以降低掃描線(xiàn)的電阻値是非常合理的，但AL的耐熱性很低，所以目前一般所使用的技術(shù)是，與上述耐熱金屬Cr，Ta，Mo或是與其硅化物層疊，亦或是在AL的表面以陽(yáng)極氧化施加氧化層(AL2O3)。即，掃描線(xiàn)11是由一層以上的金屬層所構(gòu)成。
其次是在整體玻璃基板2，使用PCVD(等離子體)裝置，例如以約0.3-0.05-0.1μm的薄膜厚度，依序包覆在構(gòu)成柵極絕緣層的第1SiNx(硅膠氮化)層30，以及幾乎不含雜質(zhì)，由絕緣柵極型晶體管的信道構(gòu)成第1非晶質(zhì)硅膠(A-Si)層31，還有由保護(hù)信道的絕緣層構(gòu)成第2SiNx層32與三種薄膜層，如圖12(b)與圖13(b)所示，透過(guò)微細(xì)加工技術(shù)，使用感光性樹(shù)脂圖形，選擇性保留寬度較柵極11A更為狹窄的柵極11A上的第2SiNx層，以作為保護(hù)絕緣層32D，并露出第1非晶質(zhì)硅膠層31。
接著，同樣使用PCVD裝置，全面以約0.05μm的薄膜厚度包覆雜質(zhì)，如含磷的第2非晶質(zhì)硅膠層33，使用SPT等真空制膜裝置，依序包覆薄膜厚度約0.1μm的耐熱金屬層，例如Ti、Cr、Mo等薄膜層34，以及低電阻配線(xiàn)層，薄膜厚度約0.3μm的AL薄膜層35，以及薄膜厚度約0.1μm，作為中間導(dǎo)電層的Ti薄膜層36，如圖12(c)與圖13(c)所示。透過(guò)微細(xì)加工技術(shù)，使用感光性樹(shù)脂圖形，屬于源極/漏極配線(xiàn)材的這三種薄膜層34A，35A以及36A，經(jīng)層疊后選擇性形成絕緣柵極型晶體管的漏極21以及兼具源極的信號(hào)線(xiàn)12。以形成源極/漏極配線(xiàn)所使用的感光性樹(shù)脂圖形為光刻板，依序蝕刻Ti薄膜層36、AL薄膜層35、Ti薄膜層34后，去除源極/漏極12、21之間的第2非晶質(zhì)硅膠層33后，露出保護(hù)絕緣層32D，同時(shí)在其它區(qū)域，也去除第1非晶質(zhì)硅膠層31，露出柵極絕緣層30后，即可形成上述的選擇性圖形。如此一來(lái)，便構(gòu)成信道保護(hù)層的第2SiNx層32D，第2非晶質(zhì)硅膠層33的蝕刻將自動(dòng)結(jié)束，這個(gè)制造方法就稱(chēng)為蝕刻中止層型。
源極/漏極12、21與保護(hù)絕緣層32D的一部份(數(shù)μm)會(huì)形成平面式重疊，以避免絕緣柵極型晶體管的構(gòu)造偏移。這個(gè)重疊會(huì)以寄生電容產(chǎn)生電性作用，雖然越小越好，但仍需根據(jù)曝光機(jī)的調(diào)整精度、光刻板的精度、玻璃電路板的膨脹系數(shù)以及曝光時(shí)的玻璃電路板溫度決定重疊厚度，實(shí)用性數(shù)值約為2μm左右。
去除上述感光性樹(shù)脂圖形后，在整體玻璃基板2上，作為透明性絕緣層的柵極絕緣層也同樣使用PCVD裝置，包覆約0.3μm薄膜厚度的SiNx層作為鈍化絕緣層37，如圖12(D)與圖13(D)所示，透過(guò)微細(xì)加工技術(shù)，使用感光性樹(shù)脂圖形，選擇性去除鈍化絕緣層37，在漏極21上形成開(kāi)口部62，以及在圖像顯示部以外的區(qū)域、掃描線(xiàn)11與信號(hào)線(xiàn)12的電極端子形成的區(qū)域，分別形成開(kāi)口部64，露出掃描線(xiàn)11的一部份5以及信號(hào)線(xiàn)12的一部份6。同樣的，在積累電容線(xiàn)16(平行束起的電極圖形)上形成開(kāi)口部65，露出積累電容線(xiàn)16的一部份。
最后，使用SPT等真空制膜裝置，以薄膜厚度約0.1~0.2μm的透明導(dǎo)電層，例如包覆ITO(Indium-Tin-Oxide)或是IZO(Indium-Zine-Oxide)，如圖12(e)與圖13(e)所示。透過(guò)微細(xì)加工技術(shù)，使用感光性樹(shù)脂圖形，在含有開(kāi)口部62的鈍化絕緣層37上，選擇性形成像素電極22，即完成有源基板2。以開(kāi)口部63內(nèi)所露出的一部份掃描線(xiàn)11作為電極端子5，也可以開(kāi)口部64內(nèi)所露出的一部份信號(hào)線(xiàn)12作為電極端子6，如圖中所示，雖然也可以在包含開(kāi)口部63、64的鈍化絕緣層37上，選擇性形成由ITO所構(gòu)成的電極端子5A、6A，通常也同時(shí)形成連接電極端子5A、6A之間的透明導(dǎo)電性的短路線(xiàn)40。其中的理由，圖中雖未標(biāo)示，但電極端子5A、6A與短路線(xiàn)40之間形成細(xì)長(zhǎng)線(xiàn)條狀而變成高電阻化，因此可作為因應(yīng)靜電措施的高電阻。雖未制定編號(hào)，但同樣對(duì)包含開(kāi)口部65的積累電容線(xiàn)16會(huì)形成電極端子。
信號(hào)線(xiàn)12的配線(xiàn)電阻不會(huì)造成問(wèn)題時(shí)，不一定要有由AL構(gòu)成的低電阻配線(xiàn)層35，此時(shí)，只要選用Cr、Ta、MoW等耐熱金屬材料，源極/漏極配線(xiàn)12、21即可簡(jiǎn)化成單層。如此一來(lái)，最重要的是源極/漏極配線(xiàn)使用耐熱金屬層，并確保電性連接第2非晶質(zhì)硅膠層，關(guān)于絕緣柵極型晶體管的耐熱性，先行范例的特開(kāi)平7-74368號(hào)公報(bào)已有詳細(xì)記載。此外，在圖12(c)當(dāng)中，積累電容線(xiàn)16與漏極21透過(guò)柵極絕緣層30，由平面重疊的區(qū)域50(朝右下方斜線(xiàn)部)形成積累電容15，于此省略詳細(xì)說(shuō)明。
專(zhuān)利文獻(xiàn)1特開(kāi)平7-74368號(hào)公報(bào)以上簡(jiǎn)略說(shuō)明5片光刻板的制程經(jīng)過(guò)，但因半導(dǎo)體層條紋化工程的合理化及減少一次接觸點(diǎn)形成工程的結(jié)果，所以原本需要7~8片左右的光刻板，經(jīng)導(dǎo)入干法蝕刻技術(shù)后，現(xiàn)在已減少至5片，可望大幅降低制程成本。為降低液晶顯示裝置的生產(chǎn)成本，首先必須在有源電路板的制作工程上降低制程成本，其次必須在面板組裝工程與模塊裝配工程上降低零件成本，這也是一般所熟悉的開(kāi)發(fā)目標(biāo)。降低制程成本的方法包括縮短制程的刪減工程、開(kāi)發(fā)低廉的制程或是更換制程，以下說(shuō)明使用4片光刻板即可制成有源電路板，亦即使用4片光刻板制程以刪減工程的范例。4片光刻板制程，是以導(dǎo)入半色調(diào)圖像曝光技術(shù)，并刪減照相蝕刻工程，圖14是支持4片光刻板制程的有源電路板的單位像素平面圖，圖15表示圖14(e)的A-A’、B-B’以及C-C’線(xiàn)上的剖面圖。如上所述，目前大多采用的絕緣柵極型晶體管有二種，此處采用的是信道蝕刻型的絕緣柵極型晶體管。
首先與5片光刻板制程一樣，在玻璃基板2的一個(gè)主平面上，使用SPT等真空制膜裝置，包覆薄膜厚度約0.1~0.3μm的第1金屬層，如圖14(a)與圖15(a)所示，經(jīng)過(guò)微細(xì)加工技術(shù)，使用感光性樹(shù)脂圖形，選擇性形成兼具柵極11A的掃描線(xiàn)11以及蓄積電容線(xiàn)16。
接著，在整體玻璃基板2上使用PCVD裝置，例如以約0.3-0.2-0.05μm薄膜厚度，依序包覆構(gòu)成柵極絕緣層的SiNx層30，以及幾乎不含雜質(zhì)，由絕緣柵極型晶體管的信道構(gòu)成第1非晶質(zhì)硅膠層31，以及含有雜質(zhì)，由絕緣柵極型晶體管的源極/漏極構(gòu)成第2非晶質(zhì)硅膠層33以及三種薄膜層。接著，使用SPT等真空制膜裝置，例如以Ti薄膜層34作為薄膜厚度約0.1μm的耐熱金屬層，以AL薄膜層35作為薄膜厚度約0.3μm的低電阻配線(xiàn)層，以及以Ti薄膜層36作為薄膜厚度約0.1μm的中間導(dǎo)電層，依序包覆源極/漏極配線(xiàn)材，選擇性形成絕緣柵極型晶體管的漏極21，以及兼具源極的信號(hào)線(xiàn)12，形成這個(gè)選擇性圖形時(shí)，透過(guò)半色調(diào)圖像曝光技術(shù)，如圖14(b)與圖15(b)所示，例如源極/漏極的間的信道形成區(qū)域80B(斜線(xiàn)部)的薄膜厚度為1.5μm，而合理化形成比源極/漏極配線(xiàn)形成區(qū)域80A(12)、80A(21)的薄膜厚度3μm薄的感光性樹(shù)脂圖形80A、80B，正是4片光刻板的最大特征。
在這種情形下，制造液晶顯示裝置用電路板時(shí)，感光性樹(shù)脂圖形80A，80B通常是使用一般正光阻型的感光性樹(shù)脂，源極/漏極配線(xiàn)形成區(qū)域80A為黑色，亦即形成Cr薄膜，信道區(qū)域80B則是灰色，例如寬度約0.5~1μm的Line And Space的Cr圖形，其它區(qū)域則是白色，即可以使用去除Cr薄膜的光刻板?；疑珔^(qū)域因?yàn)槠毓鈾C(jī)的分辨率不佳，無(wú)法解析出微細(xì)的Line And Space，可從顯示器光源透射一半左右的光刻板照射光，配合正光阻型感光性樹(shù)脂剩余薄膜的特性，如圖15(b)所示，即可取得具有凹形、剖面形狀的感光性樹(shù)脂圖形80A、80B。
以上述感光性樹(shù)脂圖形80A、80B作為光刻板，如圖15(b)所示，依序蝕刻Ti薄膜層36、AL薄膜層35、Ti薄膜層34、第2非晶質(zhì)硅膠層33以及第1非晶質(zhì)硅膠層31，并露出柵極絕緣層30之后，如圖14(c)與圖15(c)所示，以氧等離子體等煅燒方式，當(dāng)感光性樹(shù)脂圖形80A、80B的薄膜厚度減少1.5μm以上，感光性樹(shù)脂圖形80B便會(huì)消失并露出信道區(qū)域，同時(shí)，只有80C(12)、80C(21)可以直接留在源極/漏極配線(xiàn)形成區(qū)域。再以減少薄膜厚度的感光性樹(shù)脂圖形80C(12)、80C(21)作為光刻板，依序蝕刻源極/漏極配線(xiàn)間(信道形成區(qū)域)的Ti薄膜層、AL薄膜層、Ti薄膜層、第2非晶質(zhì)硅膠層33A以及第1非晶質(zhì)硅膠層31A，第1非晶質(zhì)硅膠層31A保留約0.05~0.1μm進(jìn)行蝕刻。在金屬層蝕刻后，第1非晶質(zhì)硅膠層31A保留約0.05~0.1μm進(jìn)行蝕刻后構(gòu)成源極/漏極配線(xiàn)，以這種制造方法所取得的絕緣柵極型晶體管，通稱(chēng)為信道蝕刻型。經(jīng)由上述氧等離子體處理，由于光阻圖形80A變成80C，最好是加強(qiáng)異向性，才能有效抑制圖形尺寸的變化，具體而言，其中以RIE(Reactive IonEtching Plasama)方式、具有高密度離子源的ICP(Inductive CoupledPlasama)方式或是TCP(Transfer Coupled Plasama)方式的氧等離子體處理最為理想。
去除上述感光性樹(shù)脂圖形80C(12)、80C(21)，則與5片光刻板制程相同，在整體玻璃基板2上，包覆透明性絕緣層薄膜厚度約0.3μm的第2SiNx層，作為鈍化絕緣層37，如圖14(D)與圖15(D)所示，透過(guò)微細(xì)加工技術(shù)，使用感光性樹(shù)脂圖形，在漏極21上以及圖像顯示部外區(qū)域的掃描線(xiàn)11上，以及由信號(hào)線(xiàn)12的電極端子形成的區(qū)域，分別形成開(kāi)口部62、63、64，去除開(kāi)口部63內(nèi)的鈍化絕緣層37以與門(mén)極絕緣層30之后，在開(kāi)口部63內(nèi)露出一部份掃描線(xiàn)，同時(shí)，去除開(kāi)口部62、64內(nèi)的鈍化絕緣層37，分別在開(kāi)口部62內(nèi)露出一部份漏極21以及在開(kāi)口部64內(nèi)露出一部份信號(hào)線(xiàn)。同樣的，在積累電容線(xiàn)16上形成開(kāi)口部65之后，露出積累電容線(xiàn)16的一部份。
最后，使用SPT等真空制膜裝置，包覆薄膜厚度約0.1~0.2μm的透明導(dǎo)電層，例如ITO或是IZO，如圖14(e)與圖15(e)所示，透過(guò)微細(xì)加工技術(shù)，使用感光性樹(shù)脂圖形，在鈍化絕緣層37上選擇性形成包含開(kāi)口部62的透明導(dǎo)電性像素電極22后，即可完成有源基板2。關(guān)于電極端子，在這個(gè)階段同樣也是包含開(kāi)口部63、64，在鈍化絕緣層37上形成由ITO所構(gòu)成的透明導(dǎo)電性電極端子5A、6A。

發(fā)明內(nèi)容
在這一類(lèi)5片光刻板制程或4片光刻板制程上，均同時(shí)進(jìn)行漏極21和掃描線(xiàn)11的接觸點(diǎn)形成工程。因此，因應(yīng)該制程的開(kāi)口部62、63內(nèi)的絕緣層厚度與種類(lèi)也不相同。相較于柵極絕緣層30，鈍化絕緣層37的制膜不但溫度低而且品質(zhì)差，使用氟酸類(lèi)蝕刻液蝕刻時(shí)，蝕刻速度分別差距在數(shù)1000/分、數(shù)100/分以及一位數(shù)，加上漏極21上的開(kāi)口部62的剖面形狀上方，因過(guò)度蝕刻而無(wú)法控制孔徑，因此采用氟類(lèi)氣體的干法蝕刻。
即使采用干法蝕刻，漏極21上的開(kāi)口部62也只有鈍化絕緣層37，所以相較于掃描線(xiàn)11上的開(kāi)口部63，仍難以避免過(guò)度蝕刻。加上材質(zhì)的關(guān)系，中間導(dǎo)電層36A會(huì)因?yàn)槲g刻氣體而減少薄膜厚度。此外，結(jié)束蝕刻后去除感光性樹(shù)脂圖形時(shí)，首先因?yàn)槿コ鼗谋砻婢酆衔?，而?huì)以氧等離子體煅燒，刪減感光性樹(shù)脂圖形的表面約0.1~0.3μm左右，之后再使用有機(jī)剝離液，例如東京應(yīng)化(TOK)制的剝離液106等施以藥液處理，這是最常見(jiàn)的處理方式。但是，當(dāng)中間導(dǎo)電層36A的厚度減少，在露出底層的鋁層35A的狀態(tài)下，經(jīng)氧等離子體煅燒處理后，鋁層35A的表面形成絕緣體的AL2O3之后，與像素電極22之間將無(wú)法取得良好的電阻性接觸點(diǎn)。因此，為使中間導(dǎo)電層36A的薄膜厚度減少也不受影響，先將薄膜厚度設(shè)定在0.2μm，即可避免發(fā)生上述問(wèn)題?；蚴窃陂_(kāi)口部62~65形成時(shí)，采取去除鋁層35A露出底層耐熱金屬層的薄膜層34A，然后形成像素電極22之類(lèi)的預(yù)防措施，其優(yōu)點(diǎn)在于一開(kāi)始便不需要中間導(dǎo)電層36A。
不過(guò)，薄膜厚度的面內(nèi)如果沒(méi)有良好的均等性，前項(xiàng)的因應(yīng)措施未必能夠發(fā)揮有效的作用，除此之外，如果蝕刻速度的面內(nèi)均等性不夠良好也是一樣。雖然后者的因應(yīng)措施不需要中間導(dǎo)電層36A，但當(dāng)增加鋁層35A的去除工程或是開(kāi)口部62的剖面控制不足，仍可能造成像素電極22分段。
除此之外，信道蝕刻型的絕緣柵極型晶體管，如果無(wú)法加厚信道蝕刻型通常是在0.2μm以上)包覆其信道區(qū)域的不含雜質(zhì)第1非晶質(zhì)硅膠層31(，將嚴(yán)重影響玻璃電路板的面內(nèi)均一性，造成薄膜晶體管特性，尤其OFF電流分歧，進(jìn)而嚴(yán)重影響PCVD的運(yùn)轉(zhuǎn)率與微粒子產(chǎn)生狀況，從生產(chǎn)成本的觀點(diǎn)來(lái)看，這是非常重要的事項(xiàng)。
4片光刻板制程所適用的信道形成工程，因?yàn)槭沁x擇性去除源極/漏極配線(xiàn)12、21之間的源極/漏極配線(xiàn)材以及半導(dǎo)體層，因此這也是大幅影響絕緣柵極型晶體管的ON特性，以決定信道長(zhǎng)度(目前的量產(chǎn)品是4~6μm)的工程。此一信道長(zhǎng)度的變動(dòng)，會(huì)造成絕緣柵極型晶體管的ON電流値也跟著大幅改變，通常雖要求嚴(yán)格的制造管理，信道長(zhǎng)度，亦即半色調(diào)圖像曝光區(qū)域的圖形尺寸，會(huì)明顯影響曝光量(光源強(qiáng)度與光刻板的圖形精度，尤其是Line And Space尺寸)感光性樹(shù)脂的涂抹厚度、感光性樹(shù)脂的顯像處理以及該蝕刻工程上的感光性樹(shù)脂薄膜減少等多種參數(shù)，加上上述各數(shù)量的面內(nèi)均等性，彼此未必保持最佳良品率穩(wěn)定生產(chǎn)，所以必須比過(guò)去的制造管理更加嚴(yán)格。以現(xiàn)況來(lái)看，完成的水準(zhǔn)仍不夠理想。特別是信道長(zhǎng)度6μm以下的傾向最明顯，因?yàn)槿羰垢泄庑詷?shù)脂圖形80A、80B的薄膜厚度減少1.5μm，感光性樹(shù)脂圖形80A、80B的薄膜厚度等向性減少時(shí)，感光性樹(shù)脂圖形80A、80B之間的尺寸當(dāng)然也會(huì)增大到3μm，所以會(huì)形成信道長(zhǎng)度較設(shè)定値長(zhǎng)3μm。
有鑒于上述相關(guān)現(xiàn)狀，本發(fā)明除了可以避免過(guò)去5片光刻板制程或4片光刻板制程同樣在接觸點(diǎn)形成時(shí)的缺失，本發(fā)明所提供的4片光刻板制程，更不需要制程狹窄的半色調(diào)圖像曝光技術(shù)。
解決課題的方法首先，本發(fā)明將先行技術(shù)的特愿平5-268726號(hào)公報(bào)所公開(kāi)的像素電極的合理化形成工程用于本發(fā)明，刪減像素電極形成工程后，進(jìn)而刪減照相蝕刻工程。接著，在信道上采用具有保護(hù)絕緣層的絕緣柵極型晶體管，為了只使源極/漏極配線(xiàn)有效鈍化，使用先行技術(shù)的特開(kāi)平2-275925號(hào)公報(bào)所公開(kāi)的內(nèi)容，也就是采用感光性有機(jī)絕緣層，形成源極/漏極配線(xiàn)，直接保留感光性有機(jī)絕緣層，在源極/漏極配線(xiàn)的表面上形成絕緣層，便不需要形成鈍化絕緣層。
技術(shù)方案1所記載的液晶顯示裝置是在一個(gè)主平面上，至少具有由絕緣柵極型晶體管，以及兼具上述絕緣柵極型晶體管柵極的掃描線(xiàn)，與兼具源極配線(xiàn)的信號(hào)線(xiàn)，以及連接漏極配線(xiàn)的像素電極所構(gòu)成的單位像素排列成二維矩陣的第1透明性絕緣基板(有源電路板)，與上述第1透明性絕緣基板相對(duì)的第2透明性絕緣基板或彩色濾光片之間，填充液晶后構(gòu)成液晶顯示裝置，其特征至少包括在第1透明性絕緣基板的一個(gè)主平面上，形成透明導(dǎo)電層與第1金屬層層疊成掃描線(xiàn)、透明導(dǎo)電性的像素電極以及同樣是透明導(dǎo)電性的信號(hào)線(xiàn)電極端子，透過(guò)等離子體保護(hù)層、柵極絕緣層以及不含雜質(zhì)的第1半導(dǎo)體層，在柵極上形成較柵極寬度窄的保護(hù)絕緣層，在像素電極上、圖像顯示部以外區(qū)域的一部份掃描線(xiàn)上、信號(hào)線(xiàn)的電極端子上的等離子體保護(hù)層、柵極絕緣層以及第1半導(dǎo)體層，分別形成開(kāi)口部，在各開(kāi)口部?jī)?nèi)，露出透明導(dǎo)電性的像素電極、掃描線(xiàn)的電極端子以及信號(hào)線(xiàn)的電極端子，在與上述保護(hù)絕緣層部份重疊成的上述第1半導(dǎo)體層上，在含有雜質(zhì)的第1半導(dǎo)體層與含有一層以上耐熱金屬層的第1金屬層層疊成源極(信號(hào)線(xiàn))配線(xiàn)，以及與上述保護(hù)絕緣層的一部份重疊成上述第1半導(dǎo)體層上，同樣會(huì)形成漏極配線(xiàn)，第2金屬層所構(gòu)成的上述信號(hào)線(xiàn)的一部份和信號(hào)線(xiàn)電極端子的一部份，同樣都是上述漏極配線(xiàn)的一部份在上述開(kāi)口部?jī)?nèi)的部份像素電極上形成，除了上述源極/漏極配線(xiàn)區(qū)域之外，在去除第1半導(dǎo)體層之后，會(huì)在第1透明性絕緣基板上露出柵極絕緣層，其特征是在上述源極/漏極配線(xiàn)上，形成感光性有機(jī)絕緣層。
由此結(jié)構(gòu)，由于透明導(dǎo)電性的像素電極是與掃描線(xiàn)是同時(shí)形成，因此會(huì)在玻璃電路板上形成。于是，在源極/漏極間的信道上會(huì)形成保護(hù)絕緣層，以保護(hù)信道，同時(shí)，在源極配線(xiàn)(信號(hào)線(xiàn))以及漏極配線(xiàn)的表面會(huì)形成感光性有機(jī)絕緣層，對(duì)蝕刻中止層型的絕緣柵極型晶體管施加鈍化機(jī)能。因此，不需要在整體玻璃電路板上包覆鈍化絕緣層，解決絕緣柵極型晶體管的耐熱性問(wèn)題后，限定電極端子為透明導(dǎo)電層后，即可取得TN型的液晶顯示裝置。
技術(shù)方案2所記載的液晶顯示裝置，其特征同樣是在第1透明性絕緣基板的一個(gè)主平面上，形成透明導(dǎo)電層與第1金屬層層疊成掃描線(xiàn)，以及透明導(dǎo)電性的像素電極(以及同樣是透明導(dǎo)電性的信號(hào)線(xiàn)電極端子)，透過(guò)等離子體保護(hù)層、柵極絕緣層以及不含雜質(zhì)的第1半導(dǎo)體層，會(huì)在柵極上形成較柵極寬度窄的保護(hù)絕緣層，在上述像素電極上及圖像顯示部以外區(qū)域的部份掃描線(xiàn)上(或是在掃描線(xiàn)的電極端子上與信號(hào)線(xiàn)的電極端子上)的等離子體保護(hù)層、柵極絕緣層以及第1半導(dǎo)體層，會(huì)分別形成開(kāi)口部，各開(kāi)口部?jī)?nèi)露出透明導(dǎo)電性的像素電極、透明導(dǎo)電性的部份掃描線(xiàn)(或是透明導(dǎo)電性的掃描線(xiàn)電極端子與信號(hào)線(xiàn)的電極端子)，在與上述保護(hù)絕緣層部份重疊成的第1半導(dǎo)體層上，含有雜質(zhì)的第1半導(dǎo)體層與含有一層以上耐熱金屬層的第1金屬層層疊成源極(信號(hào)線(xiàn))配線(xiàn)，與上述保護(hù)絕緣層的一部份重疊成上述第1半導(dǎo)體層，形成漏極配線(xiàn)，第1金屬層所構(gòu)成的上述漏極配線(xiàn)的一部份，是在上述開(kāi)口部?jī)?nèi)的像素電極的一部份上形成，包括上述掃描線(xiàn)的一部份在內(nèi)，第1金屬層所構(gòu)成的掃描線(xiàn)的電極端子及上述信號(hào)線(xiàn)的一部份，會(huì)形成第1金屬層所構(gòu)成的信號(hào)線(xiàn)的電極端子(或是第1金屬層所構(gòu)成的上述信號(hào)線(xiàn)的一部份，會(huì)在透明導(dǎo)電性的信號(hào)線(xiàn)電極端子的一部份上形成)，除了上述源極/漏極配線(xiàn)區(qū)域之外，在去除第1半導(dǎo)體層后，會(huì)在第1透明性絕緣基板上露出柵極絕緣層，其特征是除了上述信號(hào)線(xiàn)的電極端子之外，在信號(hào)線(xiàn)上會(huì)形成感光性有機(jī)絕緣層。
此結(jié)構(gòu)，由于透明導(dǎo)電性的像素電極是與掃描線(xiàn)是同時(shí)形成，因此會(huì)在玻璃電路板上形成。于是，在源極/漏極間的信道上會(huì)形成保護(hù)絕緣層，以保護(hù)信道，同時(shí)，在源極配線(xiàn)(信號(hào)線(xiàn))及漏極配線(xiàn)的表面會(huì)形成感光性有機(jī)絕緣層，對(duì)蝕刻中止層型的絕緣柵極型晶體管施加最低限度的鈍化機(jī)能后，即可解決絕緣柵極型晶體管的耐熱性問(wèn)題，電極端子選用透明導(dǎo)電層或金屬層中的任一種，即可取得TN型的液晶顯示裝置。
技術(shù)方案3所記載的液晶顯示裝置，其特征同樣是在第1透明性絕緣基板的一個(gè)主平面上，形成透明導(dǎo)電層與第1金屬層層疊成掃描線(xiàn)、透明導(dǎo)電性的像素電極以及同樣是透明導(dǎo)電性的信號(hào)線(xiàn)電極端子，透過(guò)等離子體保護(hù)層、柵極絕緣層以及不含雜質(zhì)的第1半導(dǎo)體層，在柵極上形成較柵極寬度窄的保護(hù)絕緣層，在像素電極上、圖像顯示部以外區(qū)域的一部份掃描線(xiàn)上、信號(hào)線(xiàn)的電極端子上的等離子體保護(hù)層、柵極絕緣層以及第1半導(dǎo)體層，分別形成開(kāi)口部，在各開(kāi)口部?jī)?nèi)，露出透明導(dǎo)電性的像素電極、掃描線(xiàn)的電極端子以及信號(hào)線(xiàn)的電極端子，在與上述保護(hù)絕緣層的一部份重疊成信號(hào)線(xiàn)的部份電極端子上及上述第1半導(dǎo)體層上，包括含有雜質(zhì)的第1半導(dǎo)體層與含有一層以上耐熱金屬層的第1金屬層層疊成源極(信號(hào)線(xiàn))配線(xiàn)，以及與上述保護(hù)絕緣層的部份重疊成上述開(kāi)口部?jī)?nèi)的像素電極一部份，還有上述第1半導(dǎo)體層上，同樣會(huì)形成漏極配線(xiàn)，除了上述源極/漏極配線(xiàn)區(qū)域之外，在去除第1半導(dǎo)體層后，會(huì)在第1透明性絕緣基板上露出柵極絕緣層，其特征是在上述源極/漏極配線(xiàn)上會(huì)形成感光性有機(jī)絕緣層。
由此結(jié)構(gòu)，即可取得類(lèi)似技術(shù)方案1所記載的液晶顯示裝置。與技術(shù)方案1所記載的液晶顯示裝置之間，其差異在于漏極配線(xiàn)與像素電極，以及信號(hào)線(xiàn)與信號(hào)線(xiàn)的電極端子之間，填充第1非晶質(zhì)硅膠層。
技術(shù)方案4所記載的液晶顯示裝置，其特征同樣是在第1透明性絕緣基板的一個(gè)主平面上，形成透明導(dǎo)電層與第1金屬層層疊成掃描線(xiàn)、及透明導(dǎo)電性的像素電極(以及同樣是透明導(dǎo)電性的信號(hào)線(xiàn)電極端子)，透過(guò)等離子體保護(hù)層、柵極絕緣層以及不含雜質(zhì)的第1半導(dǎo)體層，在柵極上形成較柵極寬度窄的保護(hù)絕緣層，在上述像素電極上及圖像顯示部外區(qū)域的部份掃描線(xiàn)上(或是在掃描線(xiàn)的電極端子上與信號(hào)線(xiàn)的電極端子上)的等離子體保護(hù)層、柵極絕緣層以及第1半導(dǎo)體層，分別形成開(kāi)口部，各開(kāi)口部?jī)?nèi)露出透明導(dǎo)電性的像素電極、透明導(dǎo)電性的一部份掃描線(xiàn)(或是透明導(dǎo)電性的掃描線(xiàn)電極端子與信號(hào)線(xiàn)的電極端子)，在與上述保護(hù)絕緣層的一部份重疊成的上述第1半導(dǎo)體層上(與信號(hào)線(xiàn)的一部份電極端子上)，在含有雜質(zhì)的第1半導(dǎo)體層與含有一層以上耐熱金屬層的第1金屬層層疊成源極(信號(hào)線(xiàn))配線(xiàn)，以及與上述保護(hù)絕緣層的一部份重疊成上述第1半導(dǎo)體層上，還有在上述開(kāi)口部?jī)?nèi)的部份像素電極上，同樣會(huì)包含漏極配線(xiàn)與一部份掃描線(xiàn)，形成掃描線(xiàn)的電極端子(或是透明導(dǎo)電性的掃描線(xiàn)電極端子)，由部份信號(hào)線(xiàn)所構(gòu)成的信號(hào)線(xiàn)電極端子(或是透明導(dǎo)電性的信號(hào)線(xiàn)電極端子)，除了上述源極/漏極配線(xiàn)區(qū)域之外，在去除第1半導(dǎo)體層后，會(huì)在第1透明性絕緣基板上露出柵極絕緣層，其特征是除了上述信號(hào)線(xiàn)的電極端子之外，在信號(hào)線(xiàn)上會(huì)形成感光性有機(jī)絕緣層。
以上結(jié)構(gòu)，即可取得類(lèi)似技術(shù)方案2所記載的液晶顯示裝置。與技術(shù)方案2所記載的液晶顯示裝置之間的差異，在于漏極配線(xiàn)與像素電極之間，以及信號(hào)線(xiàn)與信號(hào)線(xiàn)的電極端子之間，配置的是第1非晶質(zhì)硅膠層。
技術(shù)方案5是技術(shù)方案1所記載的液晶顯示裝置的制造方法，其工程至少包括在第1透明性絕緣基板的一個(gè)主平面上，形成透明導(dǎo)電層與第1金屬層層疊成的掃描線(xiàn)、信號(hào)線(xiàn)的模擬電極端子，以及模擬像素電極的工程，依序包覆等離子體保護(hù)層、柵極絕緣層、不含雜質(zhì)的第1非晶質(zhì)硅膠層以及保護(hù)絕緣層的工程，以及在柵極上，包括較柵極窄細(xì)的上述保護(hù)絕緣層，并露出第1非晶質(zhì)硅膠層的工程，以及包覆含有雜質(zhì)的第2非晶質(zhì)硅膠層的工程，還有在掃描線(xiàn)、信號(hào)線(xiàn)的模擬電極端子上以及模擬像素電極上會(huì)形成開(kāi)口部，去除上述開(kāi)口部?jī)?nèi)的第1非晶質(zhì)硅膠層、第1非晶質(zhì)硅膠層、柵極絕緣層、等離子體保護(hù)層以及第1金屬層，露出透明導(dǎo)電性的掃描線(xiàn)、信號(hào)線(xiàn)的電極端子以及同樣是透明導(dǎo)電性的像素電極，以及包覆含有一層以上耐熱金屬層的第1金屬層后，第2金屬層會(huì)與第2非晶質(zhì)硅膠層層疊，形成與上述保護(hù)絕緣層部份重疊成包含一部份信號(hào)線(xiàn)的電極端子、表面具有感光性有機(jī)絕緣層的源極配線(xiàn)(信號(hào)線(xiàn))，以及同樣含有一部分的像素電極，其表面具有感光性有機(jī)絕緣層的漏極配線(xiàn)工程。
此結(jié)構(gòu)，使用1片光刻板即可處理像素電極與掃描線(xiàn)，達(dá)到刪減照相蝕刻工程數(shù)的目的。除此之外，可以直接保留源極/漏極配線(xiàn)形成時(shí)所使用的感光性有機(jī)絕緣層，刪減不需要形成鈍化絕緣層的制造工程，所以可以不并用半色調(diào)顯像曝光技術(shù)，即可用4片光刻板制造TN型的液晶顯示裝置。
技術(shù)方案6是技術(shù)方案2所記載的液晶顯示裝置的制造方法，其工程至少包括在第1透明性絕緣基板的一個(gè)主平面上，形成透明導(dǎo)電層與第1金屬層層疊成的掃描線(xiàn)、信號(hào)線(xiàn)的模擬電極端子，以及模擬像素電極的工程，依序包覆等離子體保護(hù)層、柵極絕緣層、不含雜質(zhì)的第1非晶質(zhì)硅膠層以及保護(hù)絕緣層的工程，并在柵極上包括較柵極窄細(xì)的上述保護(hù)絕緣層，露出第1非晶質(zhì)硅膠層的工程，以及包覆含有雜質(zhì)的第2非晶質(zhì)硅膠層的工程，還有在掃描線(xiàn)、信號(hào)線(xiàn)的模擬電極端子上及模擬像素電極上形成開(kāi)口部，去除上述開(kāi)口部?jī)?nèi)的第1非晶質(zhì)硅膠層、第1非晶質(zhì)硅膠層、柵極絕緣層、等離子體保護(hù)層以及第1金屬層，露出透明導(dǎo)電性的掃描線(xiàn)、信號(hào)線(xiàn)的電極端子以及同樣是透明導(dǎo)電性的像素電極，以及包覆含有一層以上耐熱金屬層的第1金屬層后，透過(guò)半色調(diào)顯像曝光技術(shù)，在信號(hào)線(xiàn)上只保留感光性有機(jī)絕緣層，形成源極/漏極配線(xiàn)的工程。
此結(jié)構(gòu)，使用1片光刻板即可處理像素電極與掃描線(xiàn)，達(dá)到刪減照相蝕刻工程數(shù)的目的。除此之外，源極/漏極配線(xiàn)形成時(shí)使用半色調(diào)顯像曝光技術(shù)，在信號(hào)線(xiàn)上只選擇性保留感光性有機(jī)絕緣層，不需要形成鈍化絕緣層，即可刪減制造工程，所以使用4片光刻板就能制造TN型的液晶顯示裝置。
技術(shù)方案7是技術(shù)方案3所記載的液晶顯示裝置的制造方法，其工程至少包括在第1透明性絕緣基板的一個(gè)主平面上，形成透明導(dǎo)電層與第1金屬層層疊成的掃描線(xiàn)、信號(hào)線(xiàn)的模擬電極端子，以及模擬像素電極的工程，并依序包覆等離子體保護(hù)層、柵極絕緣層、不含雜質(zhì)的第1非晶質(zhì)硅膠層以及保護(hù)絕緣層的工程，以及在掃描線(xiàn)、信號(hào)線(xiàn)的模擬電極端子上及模擬像素電極上形成開(kāi)口部后，去除上述開(kāi)口部?jī)?nèi)的保護(hù)絕緣層、第1非晶質(zhì)硅膠層、柵極絕緣層、等離子體保護(hù)層以及第1金屬層，露出透明導(dǎo)電性的掃描線(xiàn)、信號(hào)線(xiàn)的電極端子以及同樣露出透明導(dǎo)電性的像素電極的工程，以及在柵極上保留較柵極窄細(xì)的保護(hù)絕緣層，并露出上述第1非晶質(zhì)硅膠層的工程、包覆含有雜質(zhì)第1非晶質(zhì)硅膠層的工程，以及包覆含有耐熱金屬層一層以上的第1金屬層后，第2金屬層與第2非晶質(zhì)硅膠層層疊，形成與上述保護(hù)絕緣層部份重疊成包含一部份的信號(hào)線(xiàn)電極端子，表面具有感光性有機(jī)絕緣層的源極配線(xiàn)(信號(hào)線(xiàn))，以及同樣含有一部份像素電極，其表面具有感光性有機(jī)絕緣層的漏極配線(xiàn)的工程。
此結(jié)構(gòu)，使用1片光刻板即可處理像素電極與掃描線(xiàn)，達(dá)到刪減照相蝕刻工程數(shù)的目的。除此之外，可直接保留源極/漏極配線(xiàn)形成時(shí)所使用的感光性有機(jī)絕緣層，刪減不需要形成鈍化絕緣層的制造工程，所以無(wú)需并用半色調(diào)顯像曝光技術(shù)，即可使用4片光刻板制造TN型的液晶顯示裝置。
技術(shù)方案8是技術(shù)方案4所記載的液晶顯示裝置的制造方法，其工程至少包括在第1透明性絕緣基板的一個(gè)主平面上，形成透明導(dǎo)電層與第1金屬層層疊成的掃描線(xiàn)、信號(hào)線(xiàn)的模擬電極端子，以及模擬像素電極的工程，還有依序包覆等離子體保護(hù)層、柵極絕緣層、不含雜質(zhì)的第1非晶質(zhì)硅膠層以及保護(hù)絕緣層的工程，并在掃描線(xiàn)、信號(hào)線(xiàn)的模擬電極端子上及模擬像素電極上形成開(kāi)口部之后，去除上述開(kāi)口部?jī)?nèi)的保護(hù)絕緣層、第1非晶質(zhì)硅膠層、柵極絕緣層、等離子體保護(hù)層以及第1金屬層，并露出透明導(dǎo)電性的掃描線(xiàn)、信號(hào)線(xiàn)的電極端子以及同樣露出透明導(dǎo)電性的像素電極的工程，以及在柵極上保留較柵極窄細(xì)的保護(hù)絕緣層，露出上述第1非晶質(zhì)硅膠層的工程，以及包覆含有雜質(zhì)的第1非晶質(zhì)硅膠層工程，以及包覆含有一層以上耐熱金屬層的第1金屬層后，透過(guò)半色調(diào)顯像曝光技術(shù)，在信號(hào)線(xiàn)上只保留感光性有機(jī)絕緣層，形成源極/漏極配線(xiàn)的工程。
此結(jié)構(gòu)，使用1片光刻板即可處理像素電極與掃描線(xiàn)，達(dá)到刪減照相蝕刻工程數(shù)的目的。除此之外，源極/漏極配線(xiàn)形成時(shí)使用半色調(diào)顯像曝光技術(shù)，在信號(hào)線(xiàn)上只選擇性保留感光性有機(jī)絕緣層，刪減不需要形成鈍化絕緣層的制造工程，所以使用4片光刻板即可制造TN型的液晶顯示裝置。
發(fā)明的效果如上所述，本發(fā)明所記載的液晶顯示裝置，其絕緣柵極型晶體管是在信道上配置保護(hù)絕緣層，在圖像顯示部?jī)?nèi)的源極/漏極配線(xiàn)上或是在信號(hào)線(xiàn)上，只選擇性形成感光性有機(jī)絕緣層，以施加鈍化機(jī)能。因此，不須具有高耐熱性。也就是說(shuō)，利用鈍化形成即可達(dá)到防止電力性能受損的附加功效。
除此之外，形成透明導(dǎo)電層與第1金屬層層疊成的掃描線(xiàn)與模擬像素電極，在對(duì)模擬像素電極的接觸點(diǎn)形成時(shí)，去除模擬像素電極上的第1金屬層，取得透明導(dǎo)電性的像素電極，像素電極的形成工程即可合理化。結(jié)果，不同于過(guò)去并用半色調(diào)顯像曝光技術(shù)的4片光刻板制程，不但能實(shí)現(xiàn)無(wú)須并用半色調(diào)顯像曝光技術(shù)的4片光刻板制程，更易管理信道長(zhǎng)度。再者，上述工程對(duì)圖形精度的要求并不高，能由金屬層得到掃描線(xiàn)和信號(hào)線(xiàn)的電極端子，可實(shí)現(xiàn)裝置的多樣性。
根據(jù)上述的說(shuō)明可以清楚了解本發(fā)明的要件，其中的重點(diǎn)在于采用蝕刻中止層型的絕緣柵極型晶體管，形成透明導(dǎo)電層與第1金屬層層疊成的掃描線(xiàn)與模擬像素電極，在對(duì)模擬像素電極的接觸點(diǎn)形成時(shí)，去除模擬像素電極上的第1金屬層后，即可取得透明導(dǎo)電性的像素電極的工程，以及在源極/漏極配線(xiàn)形成時(shí)，在源極/漏極配線(xiàn)上或是信號(hào)線(xiàn)上，只選擇性保留感光性有機(jī)絕緣層，不再需要形成鈍化絕緣層。除此之外的其它結(jié)構(gòu)，包括掃描線(xiàn)、信號(hào)線(xiàn)、柵極絕緣層等的材質(zhì)或薄膜厚度等各個(gè)不同的顯示裝置用半導(dǎo)體裝置，或其制造方法上的差異性，不難了解這些都是本發(fā)明的范疇，即使在垂直配置型的液晶顯示裝置，本發(fā)明仍具有效用，此外，更可以確定的是絕緣柵極型晶體管的半導(dǎo)體層，并非僅限于非晶質(zhì)硅膠。
圖面的簡(jiǎn)單說(shuō)明圖1是有關(guān)本發(fā)明之實(shí)施范例1的有源電路板平面2是有關(guān)本發(fā)明之實(shí)施范例1的有源電路板制造工程剖面3是有關(guān)本發(fā)明之實(shí)施范例2的有源電路板平面4是有關(guān)本發(fā)明之實(shí)施范例2的有源電路板制造工程剖面5是有關(guān)本發(fā)明之實(shí)施范例3的有源電路板平面6是有關(guān)本發(fā)明之實(shí)施范例3的有源電路板制造工程剖面7是有關(guān)本發(fā)明之實(shí)施范例4的有源電路板平面8是有關(guān)本發(fā)明之實(shí)施范例4的有源電路板制造工程剖面9是顯示液晶面板裝配狀態(tài)的斜視10是液面板的等效電路11是以往的液晶面板剖面12是以往范例的有源電路板平面13是以往范例的有源電路板制造工程剖面14是理化后的有源電路板平面15是合理化后的有源電路板制造工程剖面圖符號(hào)説明1液晶面板2有源電路板(玻璃電路板)3半導(dǎo)體集成電路芯片、驅(qū)動(dòng)IC4TCP薄膜5金屬性?huà)呙杈€(xiàn)電極端子5A透明導(dǎo)電性的掃描線(xiàn)一部份或電極端子6金屬性信號(hào)線(xiàn)電極端子6A透明導(dǎo)電性的信號(hào)線(xiàn)一部份或電極端子
9彩色濾光片(對(duì)置玻璃電路板)10絕緣柵極型晶體管11掃描線(xiàn)(柵極配線(xiàn)、柵極)12信號(hào)線(xiàn)(源極配線(xiàn)、源極)16積累電容線(xiàn)17液晶19偏光板20定向膜21漏極配線(xiàn)、漏極22(透明導(dǎo)電性的)像素電極30柵極絕緣層31不含雜質(zhì)(第1)的非晶質(zhì)硅膠層32D保護(hù)絕緣層(蝕刻中止層或信道保護(hù)層)33含有雜質(zhì)(第1)的非晶質(zhì)硅膠層34耐熱金屬層35低電阻金屬層(AL)36中間導(dǎo)電層37鈍化絕緣層50、52積累電容形成區(qū)域62(漏極上的)開(kāi)口部63、63A(掃描線(xiàn)上的)開(kāi)口部64、64A(信號(hào)線(xiàn)上的)開(kāi)口部65、65A(對(duì)置電極上的)開(kāi)口部71等離子體保護(hù)層72積累電極85A、85B感光性有機(jī)絕緣層圖形86A、86B半色調(diào)顯像曝光所形成的感光性有機(jī)絕緣層圖形
91透明導(dǎo)電層92第1金屬層發(fā)明的具體實(shí)施方式
以下根據(jù)圖1~圖8，說(shuō)明本發(fā)明的實(shí)施范例。圖1表示有關(guān)實(shí)施范例1的有源電路板平面圖，圖2表示圖1的A-A’線(xiàn)上、B-B’線(xiàn)上以及C-C’線(xiàn)上的制造工程剖面圖。同樣的，實(shí)施范例2的圖3與圖4、實(shí)施范例3的圖5與圖6分別表示有源電路板平面圖以及制造工程剖面圖。對(duì)于與過(guò)去范例相同的部位，會(huì)附加相同符號(hào)并省略詳細(xì)說(shuō)明。
實(shí)施例1在實(shí)施范例1，首先是在玻璃基板2的一個(gè)主平面上，采用SPT等真空制膜裝置，包覆薄膜厚度約0.1~0.2μm的透明導(dǎo)電層91，如ITO，以及包覆薄膜厚度約0.1~0.3μm的第1金屬層92，如圖1(A)與圖2(A)所示，透過(guò)微細(xì)加工技術(shù)，采用感光性樹(shù)脂圖形，選擇性形成透明導(dǎo)電層91A與第1金屬層92A層疊成兼具柵極11A的掃描線(xiàn)11以及掃描線(xiàn)的模擬電極端子94，以及形成透明導(dǎo)電層91B與第1金屬層92B層疊成的模擬像素電極93，以及形成透明導(dǎo)電層91C與第1金屬層92C層疊成的信號(hào)線(xiàn)模擬電極端子95。第1金屬層可選用例如Cr、Ta、Mo等高熔點(diǎn)金屬或上述物質(zhì)的合金或硅化物。由于掃描線(xiàn)的低電阻化，為了避免ITO與堿性顯像液或光阻剝離液會(huì)引起電池反應(yīng)，耐熱金屬層也可以采用層疊后的鋁或是含有ND的鋁合金。透過(guò)柵極絕緣層，改善掃描線(xiàn)與信號(hào)線(xiàn)之間的絕緣耐壓，為了提高良品率，這些電極最好是采用干法蝕刻抑制剖面形狀的錐度，不過(guò)ITO的干法蝕刻技術(shù)是，開(kāi)發(fā)使用碘化氫或溴化氫作為蝕刻氣體的排氣系統(tǒng)，因氣體排放的反應(yīng)衍生物會(huì)大量的堆積，所以至今仍無(wú)法實(shí)際運(yùn)用，目前最好是采用如Ar(氣體)的濺鍍蝕刻。
接著，在整體玻璃基板2上，以約0.1μm的薄膜厚度，將TaOx或是SiO2等透明絕緣層包覆成等離子體保護(hù)層71。此一等離子體保護(hù)層71將透過(guò)后續(xù)的PCVD裝置，在柵極絕緣層的SiNx制膜時(shí)，必須防止掃描線(xiàn)11以及模擬像素電極93的邊緣所露出的透明導(dǎo)電層91A、91B還原后影響到SiNx的膜質(zhì)，相關(guān)細(xì)節(jié)請(qǐng)參考先行例特開(kāi)昭59-9962號(hào)公報(bào)。
包覆等離子體保護(hù)層71后，與過(guò)去范例一樣，使用PCVD裝置，例如以約0.2-0.05-0.1μm的薄膜厚度依序包覆柵極絕緣層構(gòu)成的第1SiNx層30、幾乎不含雜質(zhì)并由絕緣柵極型晶體管的信道構(gòu)成的第1非晶質(zhì)硅膠層31、保護(hù)信道并構(gòu)成絕緣層的第2SiNx層32以及三種薄膜層，如圖1(b)與圖2(b)所示，透過(guò)微細(xì)加工技術(shù)，使用感光性樹(shù)脂圖形，選擇性蝕刻第1SiNx層32，構(gòu)成較柵極11A的圖形寬度還要細(xì)的第1SiNx層32D(保護(hù)絕緣層)，同時(shí)，露出第1非晶質(zhì)硅膠層31。在這里，柵極絕緣層、等離子體保護(hù)層71及第1SiNx層30因?yàn)閷盈B的關(guān)系，所以第1SiNx層30的形成厚度較以往薄，這是它的第二優(yōu)點(diǎn)。
于是，使用PCVD裝置之后，在整體玻璃基板2上，以約0.05μm的薄膜厚度包覆雜質(zhì)，如含磷的第2非晶質(zhì)硅膠層33，如圖1(c)與圖2(c)所示，透過(guò)微細(xì)加工技術(shù)，使用感光性樹(shù)脂圖形，分別在模擬像素電極93上、開(kāi)口部74與圖像顯示部外區(qū)域的模擬電極端子94上、開(kāi)口部63A以及模擬電極端子95上形成開(kāi)口部64A，包括上述開(kāi)口部?jī)?nèi)的第1非晶質(zhì)硅膠層33、第1非晶質(zhì)硅膠層31、柵極絕緣層30以及等離子體保護(hù)層71，依序蝕刻第1金屬層92A~92C，并露出掃描線(xiàn)11一部份(模擬電極端子94)的透明導(dǎo)電層91A，作為掃描線(xiàn)的電極端子5A，同樣也露出模擬電極端子95的透明導(dǎo)電層91C，作為信號(hào)線(xiàn)的電極端子6A，接著露出模擬像素電極93的透明導(dǎo)電層91B作為像素電極22。此外，在圖像顯示部外的區(qū)域，為防止靜電產(chǎn)生，形成開(kāi)口部63B后，作為防止靜電的短路回路40。
接著使用SPT等真空制膜裝置，依序包覆薄膜厚度約0.1μm的耐熱金屬層，例如Ti、Ta等薄膜層34，以及薄膜厚度約0.3μm、低電阻配線(xiàn)層的AL薄膜層35。接著，如圖1(d)與圖2(d)所示，透過(guò)微細(xì)加工技術(shù)，采用感光性樹(shù)脂圖形85，依序蝕刻上述2層薄膜層構(gòu)成的源極/漏極配線(xiàn)材，及第1非晶質(zhì)硅膠層33B與第1非晶質(zhì)硅膠層31B，露出保護(hù)絕緣層32D與柵極絕緣層30A，選擇性形成包括像素電極22的一部份在內(nèi)的34A，與35A層疊成的絕緣柵極型晶體管的漏極21，以及包括信號(hào)線(xiàn)電極端子6A一部份也兼具源極的信號(hào)線(xiàn)12。如此一來(lái)，不需要去除感光性樹(shù)脂圖形85，即可完成有源基板2的制造工程。從中不難了解掃描線(xiàn)的電極端子5A以及信號(hào)線(xiàn)的電極端子6A是在結(jié)束源極/漏極配線(xiàn)12、21的蝕刻之后，露出在玻璃基板2上。此外，在源極/漏極配線(xiàn)12、21的結(jié)構(gòu)方面，只要放寬電阻値的限制，Ta、Cr、MoW等也可以簡(jiǎn)化成單層。
依據(jù)上述步驟所制成的有源基板2貼上彩色濾光片9之后，即成為液晶面板，也完成本專(zhuān)利的實(shí)施范例1。根據(jù)實(shí)施范例1，感光性有機(jī)絕緣層圖形85因?yàn)榻佑|液晶的關(guān)系，感光性樹(shù)脂圖形85是以熱塑性酚酸樹(shù)脂為主要成分，而非一般的感光性樹(shù)脂，不但純度高，主要成分更含有丙烯樹(shù)脂或聚酰亞胺樹(shù)脂，最重要的是使用耐熱性高的感光性有機(jī)絕緣層，依材質(zhì)加熱，使其流動(dòng)后，構(gòu)成包覆源極/漏極配線(xiàn)12、21的側(cè)面。此時(shí)，勢(shì)必能大幅提升液晶面板的穩(wěn)定度。關(guān)于積累電容15的結(jié)構(gòu)，如圖1(d)所示，圖中雖然是說(shuō)明與源極/漏極配線(xiàn)12、21同時(shí)形成含有一部份像素電極22的蓄積電極72，以及在前段的掃描線(xiàn)11設(shè)置突起部，透過(guò)等離子體保護(hù)層71A、柵極絕緣層30A、第1非晶質(zhì)硅膠層31E以及第1非晶質(zhì)硅膠層33E(圖中均未標(biāo)示)，平面式重疊的結(jié)構(gòu)范例(朝右下方的斜線(xiàn)部52)，但不表示積累電容15的結(jié)構(gòu)因此而受限，一如以往范圍做過(guò)的說(shuō)明，在與掃描線(xiàn)11同時(shí)形成的積累電容線(xiàn)16與漏極21(像素電極22)之間，也可以透過(guò)含有柵極絕緣層30A的絕緣層或是其它結(jié)構(gòu)，于此省略詳細(xì)說(shuō)明。
根據(jù)實(shí)施范例1，掃描線(xiàn)的電極端子及信號(hào)線(xiàn)的電極端子，雖然同樣都對(duì)透明導(dǎo)電層所構(gòu)成的裝置產(chǎn)生限制，但也可以采取解除相關(guān)限制的裝置制程，以下便以此制程作為實(shí)施范例2進(jìn)行說(shuō)明。
實(shí)施例2根據(jù)實(shí)施范例2，如圖3(c)與圖4(c)所示，接觸點(diǎn)形成工程之前的制程大致與實(shí)施范例1相同。但，基于后述的理由，不一定需要信號(hào)線(xiàn)的模擬電極端子95。在源極/漏極配線(xiàn)的形成工程，使用SPT等真空制膜裝置，依序包覆薄膜厚度約0.1μm的耐熱金屬層，例如Ti、Ta等薄膜層34，以及薄膜厚度約0.3μm、低電阻配線(xiàn)層的AL薄膜層35。接著，如圖3(d)與圖4(d)所示，透過(guò)微細(xì)加工技術(shù)，采用感光性樹(shù)脂圖形86A、86B，依序蝕刻上述2層薄膜層構(gòu)成的源極/漏極配線(xiàn)材，以及第1非晶質(zhì)硅膠層33B與第1非晶質(zhì)硅膠層31B，露出保護(hù)絕緣層32D與柵極絕緣層30A，選擇性形成包括像素電極22的一部份在內(nèi)的34A，與35A層疊成的絕緣柵極型晶體管的漏極21，以及兼具源極配線(xiàn)的信號(hào)線(xiàn)12，在源極/漏極配線(xiàn)12、21形成的同時(shí)，包括露出的部份掃描線(xiàn)5A，也同時(shí)形成掃描線(xiàn)的電極端子5及部份信號(hào)線(xiàn)構(gòu)成的電極端子6。也就是說(shuō)，未必要有實(shí)施范例1的模擬電極端子95。
此時(shí)，假設(shè)信號(hào)線(xiàn)12上的86A薄膜厚度為3μm，透過(guò)半色調(diào)圖像曝光技術(shù)，事先形成的感光性有機(jī)絕緣層圖形86A、86B，較漏極21上、電極端子5、6上的86B的薄膜厚度1.5μm還要厚，這也是實(shí)施范例2最重要的特征。配合電極端子5、6的86B的最小尺寸增大至數(shù)10μm，雖然光刻板的制作甚至完成尺寸的管理并不困難，但相較于支持信號(hào)線(xiàn)12的區(qū)域86A的最小尺寸為4~8μm，尺寸精度比較高，因此，黑色區(qū)域的圖形必需比較精細(xì)。不過(guò)，誠(chéng)如以往范例的說(shuō)明，相較于以1次曝光處理加上2次蝕刻處理后所形成的源極/漏極配線(xiàn)12、21，本發(fā)明的源極/漏極配線(xiàn)12、21僅需1次曝光處理和1次蝕刻處理即可形成，影響圖形寬度變動(dòng)的因素較少，無(wú)論是源極/漏極配線(xiàn)12、21的尺寸管理，或是源極/漏極配線(xiàn)12、21之間，也就是信道長(zhǎng)度的尺寸管理，圖形精度的管理都較過(guò)去的半色調(diào)圖像曝光技術(shù)簡(jiǎn)單。再者，相較于信道蝕刻型的絕緣柵極型晶體管，決定蝕刻中止層型的絕緣柵極型晶體管的ON電流，是保護(hù)信道的保護(hù)絕緣層32D的尺寸，而不是源極/漏極配線(xiàn)12、21之間的尺寸，由此可以確定制程管理將更容易。
源極/漏極配線(xiàn)12、21形成之后，透過(guò)氧等離子體等煅燒方式，上述感光性有機(jī)絕緣層圖形86A、86B會(huì)減少1.5μm以上的薄膜厚度，感光性有機(jī)絕緣層圖形86B消失后，如圖3(e)與圖4(e)所示，會(huì)露出漏極21、電極端子5、6及積累電極72。同時(shí)，雖然只有在信號(hào)線(xiàn)12上，可以直接保留減去薄膜厚度的感光性有機(jī)絕緣層圖形86C，但經(jīng)過(guò)上述氧等離子體處理后，一旦感光性有機(jī)絕緣層圖形86C(12)的圖形寬度變細(xì)，露出信號(hào)線(xiàn)12的上方，就會(huì)降低穩(wěn)定性。因此，最好是加強(qiáng)異向性，才能有效抑制圖形尺寸的變化，而且不需要去除感光性有機(jī)絕緣層圖形86C，即可完成有源基板2的制造工程。此外，在源極/漏極配線(xiàn)12、21的結(jié)構(gòu)方面，只要放寬電阻値的限制，Ta、Cr、MoW等也可以簡(jiǎn)化成單層。
在上述實(shí)施形態(tài)下所制成的有源基板2貼上彩色濾光片9之后，即成為液晶面板，也完成本發(fā)明的實(shí)施范例2。根據(jù)實(shí)施范例2，感光性有機(jī)絕緣層圖形86C因?yàn)榻佑|液晶的關(guān)系，感光性有機(jī)絕緣層86C是以熱塑性酚酸樹(shù)脂為主要成分，而并非一般的感光性樹(shù)脂，不但純度高，最重要的是主要成分采用含有丙烯樹(shù)脂或聚酰亞胺樹(shù)脂的耐熱性高的感光性有機(jī)絕緣層，將材質(zhì)以加熱的方式使其流動(dòng)后，可以覆蓋在信號(hào)線(xiàn)12的側(cè)面，此時(shí)可進(jìn)一步提升液晶面板的穩(wěn)定性。關(guān)于積累電容15的結(jié)構(gòu)，則與實(shí)施范例1相同。連接掃描線(xiàn)的一部份5A，以及在信號(hào)線(xiàn)12下形成的透明導(dǎo)電性的圖形6A，以及配置在有源基板2外圍的短路線(xiàn)路40的透明導(dǎo)電層圖形，其形狀若是細(xì)長(zhǎng)線(xiàn)狀，就可以作為防靜電措施的高電阻配線(xiàn)，除此之外，當(dāng)然也可以采取使用其它導(dǎo)電性零件的防靜電措施。
如圖3(f)與圖4(f)所示，不需要在透明導(dǎo)電性的掃描線(xiàn)電極端子5A上形成金屬性的電極端子5，包括透明導(dǎo)電性的信號(hào)線(xiàn)12的電極端子6A的一部份在內(nèi)，變更信號(hào)線(xiàn)12的形成圖形設(shè)計(jì)后，在金屬層變更為源極/漏極配線(xiàn)材所構(gòu)成的電極端子5、6，即可獲得與實(shí)施范例1一樣，由透明導(dǎo)電層構(gòu)成的電極端子5A、6A，圖像顯示部?jī)?nèi)的裝置結(jié)構(gòu)則不變。
以上說(shuō)明的液晶顯示裝置，會(huì)依序形成掃描線(xiàn)與模擬像素電極，蝕刻中止層、接觸點(diǎn)以及源極/漏極配線(xiàn)，即形成有源基板2。不過(guò)，即使更換蝕刻中止層以及接觸點(diǎn)層的形成順序，仍可取得大致相同的有源基板2，以下將說(shuō)明其實(shí)施范例。
實(shí)施例3實(shí)施范例3，使用PCVD裝置，例如以約0.2-0.05-0.1μm的薄膜厚度依序包覆柵極絕緣層構(gòu)成的第1SiNx層30，幾乎不含雜質(zhì)并由絕緣柵極型晶體管的信道構(gòu)成的第1非晶質(zhì)硅膠層31、保護(hù)信道并構(gòu)成絕緣層的第2SiNx層32以及三種薄膜層，制造工程大致與實(shí)施范例1相同。在這里，柵極絕緣層、等離子體保護(hù)層71及第1SiNx層30，會(huì)因?yàn)閷盈B的關(guān)系，使第1SiNx層30的形成厚度較以往薄。
接著，如圖5(b)與圖6(b)所示，透過(guò)微細(xì)微細(xì)加工技術(shù)，使用感光性樹(shù)脂圖形，分別在模擬像素電極93上、開(kāi)口部74與圖像顯示部以外區(qū)域的模擬電極端子94上、開(kāi)口部63A以及模擬電極端子95上形成開(kāi)口部64A，包括各開(kāi)口部?jī)?nèi)的第2SiNx層32、第1非晶質(zhì)硅膠層31、柵極絕緣層30以及等離子體保護(hù)層71在內(nèi)，依序蝕刻第1金屬層92A~92C，露出掃描線(xiàn)11一部份(模擬電極端子94)的透明導(dǎo)電層91A，作為掃描線(xiàn)的電極端子5A，同樣露出模擬電極端子95的透明導(dǎo)電層91C，作為信號(hào)線(xiàn)的電極端子6A，接著露出模擬像素電極93的透明導(dǎo)電層91B，作為像素電極22。
接著如圖5(c)與圖6(c)所示，透過(guò)微細(xì)加工技術(shù)，使用感光性樹(shù)脂圖形，選擇性蝕刻第1SiNx層32A，作為圖形寬度較柵極11A窄細(xì)的第1SiNx層32D(保護(hù)絕緣層)，同時(shí)露出第1非晶質(zhì)硅膠層31B。
使用PCVD裝置，在整體玻璃基板2上，以約0.05μm的薄膜厚度包覆雜質(zhì)，如含磷的第2非晶質(zhì)硅膠層33，繼續(xù)使用SPT等真空制膜裝置，依序包覆薄膜厚度約0.1μm的耐熱金屬層，例如Ti、Ta等薄膜層34，以及薄膜厚度約0.3μm，作為低電阻配線(xiàn)層的AL薄膜層35，如圖5(d)與圖6(d)所示，透過(guò)微細(xì)加工技術(shù)，使用感光性樹(shù)脂圖形，依序蝕刻由2層薄膜層構(gòu)成的源極/漏極配線(xiàn)材、第2非晶質(zhì)硅膠層33以及第1非晶質(zhì)硅膠層31B，露出保護(hù)絕緣層32D、柵極絕緣層30A，選擇性形成由含有像素電極22一部份的34A與35A層疊成的絕緣柵極型晶體管的漏極21、含有信號(hào)線(xiàn)電極端子6A一部份，以及兼具源極的信號(hào)線(xiàn)12。于是，不需要去除感光性有機(jī)絕緣層圖形86C，即可完成有源基板2的制造工程。此外，在源極/漏極配線(xiàn)12、21的結(jié)構(gòu)方面，只要放寬電阻値的限制，Ta、Cr、MoW等也可以簡(jiǎn)化成單層。
在上述實(shí)施形態(tài)下所制成的有源基板2貼上彩色濾光片9之后，即成為液晶面板，也完成本發(fā)明的實(shí)施范例3。根據(jù)實(shí)施范例3，感光性樹(shù)脂圖形85是以熱塑性酚酸樹(shù)脂為主要成分，而并非一般的感光性樹(shù)脂，不但純度高，主要成分更含有丙烯樹(shù)脂或聚酰亞胺樹(shù)脂，最重要的是使用耐熱性高的感光性有機(jī)絕緣層。關(guān)于積累電容15的結(jié)構(gòu)，如圖5(d)所示，圖中說(shuō)明的是與源極/漏極配線(xiàn)12、21同時(shí)形成含有一部份像素電極22的積累電極72，以及在前段的掃描線(xiàn)11設(shè)置突起部，透過(guò)等離子體保護(hù)層71A、柵極絕緣層30A、第1非晶質(zhì)硅膠層31E以及第1非晶質(zhì)硅膠層33E(圖中均未標(biāo)示)，平面式重疊的結(jié)構(gòu)范例(朝右下方的斜線(xiàn)部52)。
根據(jù)實(shí)施范例3，掃描線(xiàn)的電極端子及信號(hào)線(xiàn)的電極端子，雖然同樣都在透明導(dǎo)電層的裝置結(jié)構(gòu)上衍生限制性，但與實(shí)施范例2一樣，也可以采取解除其限制的裝置制程，以實(shí)施范例4為例，說(shuō)明如下。
根據(jù)實(shí)施范例4的圖7(c)與圖8(c)所示，保護(hù)絕緣層32D的形成工程之前的制程，大致與實(shí)施范例1相同。但，基于下述理由，不一定需要信號(hào)線(xiàn)的模擬電極端子95。在源極/漏極配線(xiàn)的形成工程，使用SPT等真空制膜裝置，依序包覆薄膜厚度約0.1μm的耐熱金屬層，例如Ti、Ta等薄膜層34，以及薄膜厚度約0.3μm的低電阻配線(xiàn)層的AL薄膜層35。接著，如圖7(d)與圖8(d)所示，透過(guò)微細(xì)加工技術(shù)，采用感光性樹(shù)脂圖形86A、86B，依序蝕刻上述2層薄膜層構(gòu)成的源極/漏極配線(xiàn)材，以及第1非晶質(zhì)硅膠層33B與第1非晶質(zhì)硅膠層31B，露出保護(hù)絕緣層32D與柵極絕緣層30A，選擇性形成包括部份像素電極22在內(nèi)的34A，與35A層疊成的絕緣柵極型晶體管的漏極21，以及兼具源極配線(xiàn)的信號(hào)線(xiàn)12，在源極/漏極配線(xiàn)12、21形成的同時(shí)，包括露出的掃描線(xiàn)的一部份5A，也會(huì)同時(shí)形成掃描線(xiàn)的電極端子5及信號(hào)線(xiàn)的一部份構(gòu)成電極端子6。
此時(shí)，與實(shí)施范例2一樣，假設(shè)信號(hào)線(xiàn)12上的86A的薄膜厚度為3μm，透過(guò)半色調(diào)圖像曝光技術(shù)，事先形成的感光性有機(jī)絕緣層圖形86A、86B，會(huì)較漏極21上、電極端子5、6上的86B的薄膜厚度1.5μm要厚，這也是實(shí)施范例4最重要的特征。
源極/漏極配線(xiàn)12、21形成之后，透過(guò)氧等離子體等煅燒方式，上述感光性有機(jī)絕緣層圖形86A、86B減少1.5μm以上的薄膜厚度，感光性有機(jī)絕緣層圖形86B消失后，如圖7(e)與圖8(e)所示，會(huì)露出漏極21、電極端子5、6以及積累電極72。同時(shí)，只有在信號(hào)線(xiàn)12上，可以直接保留減去薄膜厚度的感光性有機(jī)絕緣層圖形86C。于是，無(wú)須去除感光性樹(shù)脂圖形86C，即可完成有源基板2的制造工程。
在上述實(shí)施形態(tài)下所制成的有源基板2貼上彩色濾光片9之后，即成為液晶面板，也完成本發(fā)明的實(shí)施范例4。根據(jù)實(shí)施范例4，感光性有機(jī)絕緣層圖形86C因?yàn)榻佑|液晶的關(guān)系，感光性樹(shù)脂圖形85是以熱塑性酚酸樹(shù)脂為主要成分，而并非一般的感光性樹(shù)脂，不但純度高，主要成分更含有丙烯樹(shù)脂或聚酰亞胺樹(shù)脂，最重要的是使用耐熱性高的感光性有機(jī)絕緣層。關(guān)于積累電容15的結(jié)構(gòu)，與實(shí)施范例3相同。
如圖7(f)與圖8(f)所示，不需要在透明導(dǎo)電性的掃描線(xiàn)電極端子5A上，形成金屬性的電極端子5，包括透明導(dǎo)電性的信號(hào)線(xiàn)12的電極端子6A的一部份在內(nèi)，變更信號(hào)線(xiàn)12的形成圖形設(shè)計(jì)，在金屬層變更為源極/漏極配線(xiàn)材所構(gòu)成電極端子5、6，即可與實(shí)施范例3一樣，獲得由透明導(dǎo)電層構(gòu)成的電極端子5A、6A。此時(shí)，即使變更電極端子的結(jié)構(gòu)，圖像顯示部?jī)?nèi)的裝置結(jié)構(gòu)仍然不變。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示裝置，其是通過(guò)在一個(gè)主平面上至少具有絕緣柵極型晶體管、兼具上述絕緣柵極型晶體管柵極的掃描線(xiàn)和兼具源極配線(xiàn)的信號(hào)線(xiàn)、以及被連接到漏極配線(xiàn)的像素電極的單位像素被排列成二維矩陣的第1透明性絕緣基板；與上述第1透明性絕緣基板對(duì)置的第2透明性絕緣基板或彩色濾光片之間填充液晶而構(gòu)成的，其特征在于至少，在第1透明性絕緣基板的一個(gè)主平面上，形成有透明導(dǎo)電層與第1金屬層層疊成的掃描線(xiàn)、透明導(dǎo)電性的像素電極以及相同透明導(dǎo)電性信號(hào)線(xiàn)電極端子；通過(guò)等離子體保護(hù)層、柵極絕緣層以及不含雜質(zhì)的第1半導(dǎo)體層，在柵極上形成較該柵極寬度窄的保護(hù)絕緣層；在像素電極和圖像顯示部以外區(qū)域的該掃描線(xiàn)的一部份上的等離子體保護(hù)層、柵極絕緣層以及第1半導(dǎo)體層上，分別形成開(kāi)口部，在各開(kāi)口部?jī)?nèi)，露出透明導(dǎo)電性的像素電極、掃描線(xiàn)的電極端子以及信號(hào)線(xiàn)的電極端子；在與上述保護(hù)絕緣層的一部份重疊的上述第1半導(dǎo)體層上，形成由含雜質(zhì)的第2半導(dǎo)體層和至少包括一層耐熱金屬層的第2金屬層層疊構(gòu)成的源極配線(xiàn)(信號(hào)線(xiàn))，是在與上述保護(hù)絕緣層的一部份重疊的上述第1半導(dǎo)體層上同樣形成漏極配線(xiàn)；在信號(hào)線(xiàn)電極端子的一部分上，形成由第二金屬層所組成的該信號(hào)線(xiàn)的一部分，以及在上述開(kāi)口部中像素電極的一部分上，同樣形成漏極配線(xiàn)的一部分；除了上述源極/漏極配線(xiàn)區(qū)域外，去除第1半導(dǎo)體層以在第1透明性絕緣基板上露出柵極絕緣層；在上述源極/漏極配線(xiàn)上形成感光性有機(jī)絕緣層。
2.一種液晶顯示裝置，其是通過(guò)在一個(gè)主平面上至少具有絕緣柵極型晶體管、兼具上述絕緣柵極型晶體管柵極的掃描線(xiàn)和兼具源極配線(xiàn)的信號(hào)線(xiàn)、以及被連接到漏極配線(xiàn)的像素電極的單位像素被排列成二維矩陣的第1透明性絕緣基板；與上述第1透明性絕緣基板對(duì)置的第2透明性絕緣基板或彩色濾光片之間填充液晶而構(gòu)成的，其特征在于至少，在第1透明性絕緣基板的一個(gè)主平面上，形成透明導(dǎo)電層與第1金屬層層疊成的掃描線(xiàn)、透明導(dǎo)電性的像素電極(以及透明導(dǎo)電性信號(hào)線(xiàn)電極端子)；通過(guò)等離子體保護(hù)層、柵極絕緣層以及不含雜質(zhì)的第1半導(dǎo)體層，在柵極上形成較該柵極寬度窄的保護(hù)絕緣層；在像素電極上和圖像顯示部以外區(qū)域的掃描線(xiàn)的一部份上(或者是信號(hào)線(xiàn)和信號(hào)線(xiàn)的電極端子上)的等離子體保護(hù)層、柵極絕緣層以及第1半導(dǎo)體層上分別形成開(kāi)口部，并且在各開(kāi)口部?jī)?nèi)，露出透明導(dǎo)電性的像素電極和該掃描線(xiàn)的透明導(dǎo)電部分(或者掃描線(xiàn)的電極端子以及信號(hào)線(xiàn)的電極端子)；與上述保護(hù)絕緣層的一部份重疊的上述第1半導(dǎo)體層上，形成源極配線(xiàn)(信號(hào)線(xiàn))和漏極配線(xiàn)，源極配線(xiàn)(信號(hào)線(xiàn))和漏極配線(xiàn)是由含雜質(zhì)的第2半導(dǎo)體層和至少包括一層耐熱金屬層的第2金屬層層疊形成的；在上述開(kāi)口部?jī)?nèi)的像素電極的一部份上，形成由第2金屬層所組成的上述漏極配線(xiàn)的一部份；用包含上述掃描線(xiàn)的一部分而由第2金屬層構(gòu)成的上述掃描線(xiàn)的電極端子、和上述信號(hào)線(xiàn)的一部分形成由第2金屬層構(gòu)成的信號(hào)線(xiàn)的電極端子；(或者在透明導(dǎo)電性的信號(hào)線(xiàn)的電極端子的一部分上形成由第二金屬層所組成的上述信號(hào)線(xiàn)的一部分；)除了上述源極/漏極配線(xiàn)區(qū)域外，去除第1半導(dǎo)體層，在第1透明性絕緣基板上露出柵極絕緣層；除了上述信號(hào)線(xiàn)的電極端子而在信號(hào)線(xiàn)上，形成感光性有機(jī)絕緣層。
3.一種液晶顯示裝置，其是通過(guò)在一個(gè)主平面上至少具有絕緣柵極型晶體管、兼具上述絕緣柵極型晶體管柵極的掃描線(xiàn)和兼具源極配線(xiàn)的信號(hào)線(xiàn)、以及被連接到漏極配線(xiàn)的像素電極的單位像素被排列成二維矩陣的第1透明性絕緣基板；與上述第1透明性絕緣基板對(duì)置的第2透明性絕緣基板或彩色濾光片之間填充液晶而構(gòu)成的，其特征在于至少在第1透明性絕緣基板的一個(gè)主平面上，形成有透明導(dǎo)電層與第1金屬層層疊成的掃描線(xiàn)、透明導(dǎo)電性的像素電極以及相同透明導(dǎo)電性信號(hào)線(xiàn)電極端子；通過(guò)等離子體保護(hù)層、柵極絕緣層以及不含雜質(zhì)的第1半導(dǎo)體層，在柵極上形成較該柵極寬度窄的保護(hù)絕緣層；在像素電極和圖像顯示部以外區(qū)域的該掃描線(xiàn)的一部份上的等離子體保護(hù)層、柵極絕緣層以及第1半導(dǎo)體層上，分別形成開(kāi)口部，在各開(kāi)口部?jī)?nèi)，露出透明導(dǎo)電性的像素電極、掃描線(xiàn)的電極端子以及信號(hào)線(xiàn)的電極端子；在與上述保護(hù)絕緣層的一部份重疊的信號(hào)線(xiàn)的電極端子的一部分上和上述第1半導(dǎo)體層上，由含雜質(zhì)的第2半導(dǎo)體層與至少包括一層耐熱金屬層的第2金屬層層疊形成源極配線(xiàn)(信號(hào)線(xiàn))，在與上述保護(hù)絕緣層的一部份重疊的上述開(kāi)口部?jī)?nèi)的像素電極的一部份上和上述第1半導(dǎo)體層上，同樣形成漏極配線(xiàn)(信號(hào)線(xiàn))；除了上述源極/漏極配線(xiàn)區(qū)域外，去除第1半導(dǎo)體層，在第1透明性絕緣基板上露出柵極絕緣層；在上述源極/漏極配線(xiàn)上，形成感光性有機(jī)絕緣層。
4.一種液晶顯示裝置，其是通過(guò)在一個(gè)主平面上至少具有絕緣柵極型晶體管、兼具上述絕緣柵極型晶體管柵極的掃描線(xiàn)和兼具源極配線(xiàn)的信號(hào)線(xiàn)、以及被連接到漏極配線(xiàn)的像素電極的單位像素被排列成二維矩陣的第1透明性絕緣基板；與上述第1透明性絕緣基板對(duì)置的第2透明性絕緣基板或彩色濾光片之間填充液晶而構(gòu)成的，其特征在于至少在第1透明性絕緣基板的一個(gè)主平面上，形成透明導(dǎo)電層與第1金屬層層疊成的掃描線(xiàn)、透明導(dǎo)電性的像素電極(以及透明導(dǎo)電性的信號(hào)線(xiàn)電極端子)；通過(guò)等離子體保護(hù)層、柵極絕緣層以及不含雜質(zhì)的第1半導(dǎo)體層，在柵極上形成較該柵極寬度窄的保護(hù)絕緣層；在上述像素電極上和圖像顯示部以外區(qū)域的掃描線(xiàn)的一部份上(或者該掃描線(xiàn)的電極端子上和信號(hào)線(xiàn)的電極端子上)的等離子體保護(hù)層、柵極絕緣層以及第1半導(dǎo)體層分別形成開(kāi)口部，并且在各開(kāi)口部?jī)?nèi)，露出透明導(dǎo)電性的像素電極和透明導(dǎo)電性的掃描線(xiàn)的一部分(或者透明導(dǎo)電性的掃描線(xiàn)的電極端子和信號(hào)線(xiàn)的電極端子)；在與上述保護(hù)絕緣層的一部份重疊的在上述第1半導(dǎo)體層上(和在該信號(hào)線(xiàn)的電極端子的一部分上)，由含雜質(zhì)的第2半導(dǎo)體層與至少包括一層耐熱金屬層的第2金屬層層疊形成源極配線(xiàn)(信號(hào)線(xiàn))，在與上述保護(hù)絕緣層的一部份上重疊的上述第1半導(dǎo)體層上和在上述開(kāi)口部?jī)?nèi)的像素電極的一部份上，同樣形成漏極配線(xiàn)，包含掃描線(xiàn)的一部分，同樣形成掃描線(xiàn)的電極端子(透明導(dǎo)電性?huà)呙杈€(xiàn)的電極端子)，形成由信號(hào)線(xiàn)的一部分所構(gòu)成的信號(hào)線(xiàn)電極端子(或者透明導(dǎo)電性的信號(hào)線(xiàn)的電極端子)；除了上述源極/漏極配線(xiàn)區(qū)域外，去除該第1半導(dǎo)體層，在第1透明性絕緣基板上露出柵極絕緣層；在除了上述信號(hào)線(xiàn)電極端子以外的信號(hào)線(xiàn)上，形成感光性有機(jī)絕緣層。
5.一種液晶顯示裝置的制造方法，其液晶顯示裝置是通過(guò)在一個(gè)主平面上至少具有絕緣柵極型晶體管、兼具上述絕緣柵極型晶體管柵極的掃描線(xiàn)和兼具源極配線(xiàn)的信號(hào)線(xiàn)、以及被連接到漏極配線(xiàn)的像素電極的單位像素被排列成二維矩陣的第1透明性絕緣基板；與上述第1透明性絕緣基板對(duì)置的第2透明性絕緣基板或彩色濾光片之間填充液晶而構(gòu)成的，其制造方法至少包括在第1透明性絕緣基板的一個(gè)主平面上，形成由透明導(dǎo)電層與第1金屬層層疊而成的掃描線(xiàn)、作為掃描線(xiàn)一部份的掃描線(xiàn)的模擬電極端子、信號(hào)線(xiàn)的模擬電極端子和模擬像素電極，依序包覆等離子體保護(hù)層、柵極絕緣層、不含雜質(zhì)的第1非晶硅層以及保護(hù)絕緣層，在柵極上保留較該柵極寬度窄的該保護(hù)絕緣層，來(lái)露出該第1非晶硅層，包覆含有雜質(zhì)的第2非晶硅層，并在掃描線(xiàn)、信號(hào)線(xiàn)的模擬電極端子上和模擬像素電極上形成開(kāi)口部，去除上述開(kāi)口部?jī)?nèi)的第2非晶硅層、第1非晶硅層、柵極絕緣層、等離子體保護(hù)層以及第1金屬層，露出透明導(dǎo)電性的掃描線(xiàn)、信號(hào)線(xiàn)的電極端子以及同樣是透明導(dǎo)電性的像素電極，以及包覆至少包含一層耐熱金屬層的第2金屬層后，通過(guò)層疊第2金屬層和第2非晶硅層形成源極配線(xiàn)(信號(hào)線(xiàn))，使其與上述保護(hù)絕緣層重疊一部分，并包含信號(hào)線(xiàn)的電極端子的一部分，在其表面具有感光性有機(jī)絕緣層，同樣形成漏極配線(xiàn)，包含像素電極的一部分，在其表面具有感旋光有機(jī)絕緣層。
6.一種液晶顯示裝置的制造方法，該液晶顯示裝置是通過(guò)在一個(gè)主平面上至少具有絕緣柵極型晶體管、兼具上述絕緣柵極型晶體管柵極的掃描線(xiàn)和兼具源極配線(xiàn)的信號(hào)線(xiàn)、以及被連接到漏極配線(xiàn)的像素電極的單位像素被排列成二維矩陣的第1透明性絕緣基板；與上述第1透明性絕緣基板對(duì)置的第2透明性絕緣基板或彩色濾光片之間填充液晶而構(gòu)成的，其制造方法至少包括在第1透明性絕緣基板的一個(gè)主平面上，形成由透明導(dǎo)電層與一種第1金屬層層疊而成的掃描線(xiàn)、作為掃描線(xiàn)一部份的掃描線(xiàn)模擬電極端子(信號(hào)線(xiàn)類(lèi)電極端子)、和模擬像素電極，依序包覆等離子體保護(hù)層、柵極絕緣層、不含雜質(zhì)的第1非晶硅層以及保護(hù)絕緣層，在柵極上保留較該柵極狹窄的該保護(hù)絕緣層，來(lái)露出該第1非晶硅層，包覆含有雜質(zhì)的第2非晶硅層，在掃描線(xiàn)的一部分上(或者掃描線(xiàn)和信號(hào)線(xiàn)的模擬電極端子上)和模擬像素電極上形成開(kāi)口部，去除上述開(kāi)口部?jī)?nèi)的第2非晶硅層、第1非晶硅層、柵極絕緣層、等離子體保護(hù)層以及第1金屬層，來(lái)露出透明導(dǎo)電性的掃描線(xiàn)的一部分(或者透明導(dǎo)電性的掃描線(xiàn)和信號(hào)線(xiàn)的電極端子)，同樣露出透明導(dǎo)電性的像素電極，包覆至少包含一層耐熱金屬層的該第2金屬層后，對(duì)應(yīng)于與上述保護(hù)絕緣層部份重疊的源極配線(xiàn)(信號(hào)線(xiàn))、同樣包含像素電極一部份的漏極配線(xiàn)、包含上述掃描線(xiàn)的一部分的掃描線(xiàn)端子、以及由信號(hào)線(xiàn)一部份構(gòu)成的信號(hào)線(xiàn)端子，形成在信號(hào)線(xiàn)上的薄膜厚度較其它區(qū)域厚的感光性有機(jī)絕緣層圖形(或者對(duì)應(yīng)于與上述保護(hù)絕緣層一部份重疊，包含透明導(dǎo)電性信號(hào)線(xiàn)的電極端子的一部分的源極配線(xiàn)，以及同樣包含像素電極一部份的漏極配線(xiàn)，形成在信號(hào)線(xiàn)上的薄膜厚度較其它區(qū)域厚的感光性有機(jī)絕緣層圖形)，將上述感光性有機(jī)絕緣層圖形作為光刻板，選擇性去除該第2金屬層、該第2非晶硅層以及第1非晶硅層，形成由第2金屬層(或是透明導(dǎo)電層)構(gòu)成的掃描線(xiàn)、信號(hào)線(xiàn)的電極端子、以及源極/漏極配線(xiàn)，減少上述感光性有機(jī)絕緣層圖形的薄膜厚度，露出由第2金屬層(或是透明導(dǎo)電層)構(gòu)成的掃描線(xiàn)、信號(hào)線(xiàn)的電極端子以及漏極配線(xiàn)。
7.一種液晶顯示裝置的制造方法，該液晶顯示裝置是通過(guò)在一個(gè)主平面上至少具有絕緣柵極型晶體管、兼具上述絕緣柵極型晶體管柵極的掃描線(xiàn)和兼具源極配線(xiàn)的信號(hào)線(xiàn)、以及被連接到漏極配線(xiàn)的像素電極的單位像素被排列成二維矩陣的第1透明性絕緣基板；與上述第1透明性絕緣基板對(duì)置的第2透明性絕緣基板或彩色濾光片之間填充液晶而構(gòu)成的，其制造方法至少包括在第1透明性絕緣基板的一個(gè)主平面上，形成由透明導(dǎo)電層與一種第1金屬層層疊而成的掃描線(xiàn)、作為掃描線(xiàn)一部份的掃描線(xiàn)模擬電極端子、信號(hào)線(xiàn)模擬電極端子、與模擬像素電極，依序包覆等離子體保護(hù)層、柵極絕緣層、不含雜質(zhì)的第1非晶硅層以及保護(hù)絕緣層，在掃描線(xiàn)、信號(hào)線(xiàn)的模擬電極端子上和模擬像素電極上形成開(kāi)口部，去除上述開(kāi)口部?jī)?nèi)的保護(hù)絕緣層，第1非晶硅層，柵極絕緣層、等離子體保護(hù)層以及第1金屬層，露出透明導(dǎo)電性的掃描線(xiàn)和信號(hào)線(xiàn)的電極端子，同樣露出透明導(dǎo)電性的像素電極，在柵極上保留較柵極狹窄的該保護(hù)絕緣層，露出第1非晶硅層，以及包覆含有雜質(zhì)的第2非晶硅層和含有至少一層耐熱金屬層的第2金屬層，由第2金屬層與第2非晶硅層的層疊形成源極配線(xiàn)(信號(hào)線(xiàn))，為使該源極配線(xiàn)與上述保護(hù)絕緣層重疊，使其包含信號(hào)線(xiàn)的電極端子一部分，在其表面具有感光性有機(jī)絕緣層，同樣形成漏極配線(xiàn)，包含像素電極的一部分，且其表面具有感光性有機(jī)絕緣層。
8.一種液晶顯示裝置的制造方法，該液晶顯示裝置是通過(guò)在一個(gè)主平面上至少具有絕緣柵極型晶體管、兼具上述絕緣柵極型晶體管柵極的掃描線(xiàn)和兼具源極配線(xiàn)的信號(hào)線(xiàn)、以及被連接到漏極配線(xiàn)的像素電極的單位像素被排列成二維矩陣的第1透明性絕緣基板；與上述第1透明性絕緣基板對(duì)置的第2透明性絕緣基板或彩色濾光片之間填充液晶而構(gòu)成的，其制造方法至少包括在第1透明性絕緣基板的一個(gè)主平面上，形成由透明導(dǎo)電層與第1金屬層層疊而成的掃描線(xiàn)、作為掃描線(xiàn)一部份的掃描線(xiàn)類(lèi)電極端子，信號(hào)線(xiàn)類(lèi)電極端子、與模擬像素電極、依序包覆等離子體保護(hù)層、柵極絕緣層、不含雜質(zhì)的第1非晶硅層以及保護(hù)絕緣層，在掃描線(xiàn)的一部份上(或是掃描線(xiàn)和信號(hào)線(xiàn)的模擬電極端子上)和模擬像素電極上形成開(kāi)口部，并且去除上述開(kāi)口部?jī)?nèi)的保護(hù)絕緣層、第1非晶硅層、柵極絕緣層、等離子體保護(hù)層和第1金屬層，露出透明導(dǎo)電性?huà)呙杈€(xiàn)的一部份(或者掃描線(xiàn)與信號(hào)線(xiàn)的電極端子)，同樣露出透明導(dǎo)電性的像素電極，在柵極上保留較柵極狹窄的該保護(hù)絕緣層，露出第1非晶硅層，包覆含有雜質(zhì)的第2非晶硅層；包覆至少包含一層耐熱金屬層的該第2金屬層后，對(duì)應(yīng)于與上述保護(hù)絕緣層部份重疊的源極配線(xiàn)(信號(hào)線(xiàn))、同樣包含像素電極一部份的漏極配線(xiàn)、包含掃描線(xiàn)的一部分的掃描線(xiàn)的電極端子、由信號(hào)線(xiàn)的一部分構(gòu)成的信號(hào)線(xiàn)的電極端子，形成在信號(hào)線(xiàn)上的膜厚較其它區(qū)域厚的感光性有機(jī)絕緣層圖形(或者對(duì)應(yīng)于與上述保護(hù)絕緣層一部份重疊，并包含信號(hào)線(xiàn)的電極端子的一部分的源極配線(xiàn)，同樣包含像素電極一部份的漏極配線(xiàn)，形成在信號(hào)線(xiàn)上的薄膜厚度較其它區(qū)域厚的感光性有機(jī)絕緣層圖形)，利用上述感光性有機(jī)絕緣層圖形為光刻板，選擇性去除第2金屬層、第2非晶硅層以及第1非晶硅層，形成由第2金屬層(或者透明導(dǎo)電層)構(gòu)成的和掃描線(xiàn)和信號(hào)線(xiàn)的電極端子，以及源極/漏極配線(xiàn)，減少上述感光性有機(jī)絕緣層圖形的薄膜厚度，露出由第2金屬層(或是透明導(dǎo)電層)構(gòu)成的掃描線(xiàn)和信號(hào)線(xiàn)的電極端子、以及漏極配線(xiàn)。
全文摘要
液晶顯示裝置及其制造方法，采用半色調(diào)圖像曝光技術(shù)，在1次的照相蝕刻工程上，形成信道蝕刻型的絕緣柵極型晶體管的半導(dǎo)體層以及源極/漏極配線(xiàn)，以往的制造方法企圖刪減制造工程數(shù)，結(jié)果，不但逐漸縮小制造上的容許度，源極/漏極配線(xiàn)間的距離也變短，最后，良品率、性能也跟著下降。同時(shí)形成透明導(dǎo)電層與金屬層層疊成的掃描線(xiàn)以及模擬像素電極，并在對(duì)柵極絕緣層形成開(kāi)口部時(shí)，將模擬像素電極上的金屬層去除后，再加上將透明導(dǎo)電性的像素電極形成的合理化，采用感光性有機(jī)絕緣層，形成蝕刻中止層型的絕緣柵極型晶體管的源極/漏極配線(xiàn)，以將感光性有機(jī)絕緣層直接保留的方法，建構(gòu)出不需要半色調(diào)顯像曝光技術(shù)的4片光刻板制程方案。
文檔編號(hào)G02F1/133GK1677210SQ200510060170
公開(kāi)日2005年10月5日 申請(qǐng)日期2005年3月29日 優(yōu)先權(quán)日2004年3月29日
發(fā)明者川崎清弘 申請(qǐng)人:廣輝電子日本株式會(huì)社, 廣輝電子股份有限公司