專(zhuān)利名稱(chēng)：液晶顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示器。
背景技術(shù)：
液晶顯示器(LCD)是應(yīng)用最廣泛的平板顯示裝置之一。LCD包括一對(duì)包含像素電極的面板(例如，下面板和上面板)、公共電極和置于這兩個(gè)面板之間的液晶(LC)層。在一個(gè)實(shí)施例中，LC層具有介電各向異性。LCD通過(guò)對(duì)電極施加電壓來(lái)在LC層中產(chǎn)生電場(chǎng)，并通過(guò)經(jīng)施加的電壓來(lái)控制電場(chǎng)的強(qiáng)度以改變?nèi)肷湓贚C層上的光的透過(guò)率，從而獲得期望的圖像。
LCD還包括與像素電極和信號(hào)線連接的開(kāi)關(guān)元件，所述信號(hào)線如柵極線和數(shù)據(jù)線，用于對(duì)開(kāi)關(guān)元件施加信號(hào)，從而對(duì)像素電極施加電壓。
在LCD中，垂直取向(VA)模式LCD以這樣一種方式排列LC分子，即在沒(méi)有電場(chǎng)存在的情況下，LC分子的長(zhǎng)軸垂直于面板。由于采用VA模式LCD獲得了高對(duì)比度和寬基準(zhǔn)視角，所以VA模式LCD受到關(guān)注。
VA模式LCD的寬視角可通過(guò)在場(chǎng)發(fā)生電極上的突出和/或場(chǎng)發(fā)生電極中的切口來(lái)實(shí)現(xiàn)。由于切口和突出可確定LC分子的傾斜方向，所以?xún)A斜方向可通過(guò)利用切口和/或突出分布到幾個(gè)方向上，從而使基準(zhǔn)視角變寬。
然而，VA模式LCD的側(cè)可見(jiàn)度比前可見(jiàn)度差。例如，側(cè)伽馬曲線與前伽馬曲線不同。
為了提高側(cè)可見(jiàn)度，傳統(tǒng)的方法包括將像素分成兩個(gè)子像素，所述兩個(gè)子像素相互電容耦合。兩個(gè)子像素之一被直接供給電壓，而另一個(gè)通過(guò)電容耦合具有壓降，從而兩個(gè)子像素具有不同的電壓，由此致使入射到LC層上的光的透過(guò)率不同。
然而，傳統(tǒng)方法不可以控制兩個(gè)子像素的透過(guò)率。具體地講，由于透過(guò)率根據(jù)光的顏色而改變，所以?xún)?yōu)選地用于不同顏色的電壓不同，然而，這也是不可能的。另外，由于添加了用于電容耦合的導(dǎo)體使得開(kāi)口率降低，由電容耦合導(dǎo)致的壓降使得透過(guò)率降低。
同時(shí)，為了防止由長(zhǎng)時(shí)間應(yīng)用單向電場(chǎng)而導(dǎo)致的包括老化的缺點(diǎn)，對(duì)于每一幀、各預(yù)定數(shù)量的行或列、或每個(gè)像素，數(shù)據(jù)電壓的極性相對(duì)于公共電壓被反相。在數(shù)據(jù)電壓的反相機(jī)制中，列反相對(duì)于各預(yù)定數(shù)量的像素列使數(shù)據(jù)線的極性反相，列反相使施加到數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)電壓的極性保持預(yù)定的時(shí)間，以降低數(shù)據(jù)線的信號(hào)延遲并減小功耗。
然而，列反相可導(dǎo)致降低LCD的圖像品質(zhì)的垂直閃爍和垂直串?dāng)_。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的液晶顯示器包括基底；像素電極，置于基底上并包括第一子像素電極和第二子像素電極。第一子像素電極包括具有至少兩個(gè)基本為平行四邊形形狀的電極件的第一電極，所述電極件具有不同的傾斜方向。第二子像素電極包括第二電極，第二電極布置在不同于第一電極的縱向位置并包括至少兩個(gè)基本為平行四邊形形狀的電極件，所述電極件具有不同的傾斜方向。
第一電極和第二電極可彼此相鄰。
第一電極和第二電極可具有不同的高度。
第二子像素電極可包括第三電極，第三電極包括至少兩個(gè)基本為平行四邊形形狀的電極件，所述電極件具有不同的傾斜方向，第三電極可橫向上鄰近于第一電極并與第二電極連接。
第一電極和第二電極可排列在邊緣上。
第一電極和第二電極可在彼此相對(duì)的對(duì)角方向上排列。
第一電極和第二電極可在限定兩個(gè)基本上為平行四邊形形狀的電極件之間的接合處的中心排列。
第一電極和第二電極可具有不同的寬度。
第一電極的高度可大于第二電極的高度并且等于或小于第二電極的高度的兩倍。
第一子像素電極和第二子像素電極可具有不同的面積。
第二子像素電極的面積可為第一子像素電極的面積的大約1.1倍至大約3倍。
液晶顯示器還可包括面向像素電極并具有切口的公共電極，其中，每個(gè)電極件具有一對(duì)基本上相互平行的傾斜邊緣，切口穿過(guò)第一子像素電極和第二子像素電極并包括基本上平行于電極件的傾斜邊緣延伸的傾斜部分。
第一子像素電極和第二子像素電極可具有不同的電壓。
第一子像素電極和第二子像素電極的電壓可源于單一的圖像信息。
液晶顯示器還可包括第一薄膜晶體管，與第一子像素電極結(jié)合；第二薄膜晶體管，與第二子像素電極結(jié)合；第一和第二信號(hào)線，與第一薄膜晶體管結(jié)合；第三和第四信號(hào)線，與第二薄膜晶體管結(jié)合。
液晶顯示器還可包括第一薄膜晶體管，與第一子像素電極結(jié)合；第二薄膜晶體管，與第二子像素電極結(jié)合；第一信號(hào)線，與第一薄膜晶體管結(jié)合；第二信號(hào)線，與第二薄膜晶體管結(jié)合；第三信號(hào)線，與第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管結(jié)合并與第一信號(hào)線和第二信號(hào)線交叉。
第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管可分別根據(jù)來(lái)自第一信號(hào)線和第二信號(hào)線的信號(hào)導(dǎo)通，以傳輸來(lái)自第三信號(hào)線的信號(hào)。
第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管可分別根據(jù)來(lái)自第三信號(hào)線的信號(hào)導(dǎo)通，以傳輸來(lái)自第一信號(hào)線和第二信號(hào)線的信號(hào)。
液晶顯示器還可包括沿第一電極和第二電極的邊界延伸的第四信號(hào)線。
第一薄膜晶體管可包括與第四信號(hào)信疊置的第一漏極，第二薄膜晶體管可包括與第四信號(hào)信疊置的第二漏極。
液晶顯示器還可包括第四信號(hào)線，穿過(guò)第一電極的中心；第五信號(hào)線，穿過(guò)第二電極的中心；其中，中心由兩個(gè)基本上為平行四邊形形狀的電極件之間的接合處限定。
第一薄膜晶體管可包括與第四信號(hào)線疊置的第一漏極，第二薄膜晶體管可包括與第五信號(hào)線疊置的第二漏極。
第一子像素電極和第二子像素電極可彼此電容耦合。
液晶顯示器還可包括與第一子像素電極連接并與第二子像素電極疊置的耦合電極。
液晶顯示器還可包括第一薄膜晶體管，與第一子像素電極結(jié)合；第二薄膜晶體管，與第二子像素電極結(jié)合；柵極線，與第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管結(jié)合；數(shù)據(jù)線，與第一薄膜晶體管和第二薄膜晶體管結(jié)合；第一存儲(chǔ)電極線，與第一子像素電極疊置；第二存儲(chǔ)電極線，與第二子像素電極疊置。
第一存儲(chǔ)電極線的第一電壓具有與第二存儲(chǔ)電極線的第二電壓的相位相反的相位。
柵極線可穿過(guò)第一子像素電極和第二子像素電極之間的邊界。
第二子像素電極可具有切口。
液晶顯示器還可包括面向像素電極的公共電極和置于像素電極和公共電極之間的液晶層。
公共電極可具有切口。
液晶顯示器還可包括形成在公共電極上的突出。
根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)示例性實(shí)施例的液晶顯示器包括基底；和形成在基底上的多個(gè)像素電極組。每個(gè)像素電極組包括多個(gè)像素電極。每個(gè)像素電極包括第一子像素電極和與第一子像素電極分離的第二子像素電極。第一子像素電極和第二子像素電極中的每個(gè)包括至少兩個(gè)基本為平行四邊形形狀的電極件，所述電極件具有不同的傾斜方向，每個(gè)像素電極組中的像素電極中的至少一個(gè)具有與其他像素電極不同的形狀。
像素電極組可在行方向和列方向上周期性布置。
每個(gè)像素電極組中的像素電極可具有相同的面積。
每個(gè)像素電極組中的像素電極可具有不同的面積。
每個(gè)像素電極組中的像素電極可在邊緣上排列。
第二子像素電極的面積是第一子像素電極的面積的大約1.1倍至大約3倍。
第一子像素電極和第二子像素電極可具有不同的電壓。


通過(guò)參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例，本發(fā)明將變的更加清楚，其中圖1是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的LCD的方框圖；圖2是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的圖1中的LCD的像素的示意性等效電路圖；
圖3至圖8是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的LC面板組件中的像素電極和公共電極的平面布局圖；圖9A至9C是形成圖3至圖8中示出的子像素電極的電極件和基極的平面圖；圖10A和10B是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的信號(hào)線和像素PX′的示意性等效電路圖；圖11是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的下面板(TFT面板)的平面布局圖；圖12是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的上面板(公共電極面板)的平面布局圖；圖13是包括圖11中示出的TFT陣列面板和圖12中示出的公共電極面板的LC面板組件的平面布局圖；圖14是沿線XIV-XIV截取的圖13中示出的LC面板組件的剖視圖；圖15是根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的TFT陣列面板的平面布局圖；圖16是根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的公共電極面板的平面布局圖；圖17是包括圖15中示出的TFT陣列面板和圖16中示出的公共電極面板的LC面板組件的平面布局圖；圖18是沿著線XVIII-XVIII截取的圖17中示出的LC面板組件的剖視圖；圖19、圖21、圖22、圖23和圖24是根據(jù)本發(fā)明其它示例性實(shí)施例的LC面板組件的平面布局圖；圖20是沿著線XX-XX截取的圖19中示出的LC面板組件的剖視圖；圖25示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的信號(hào)線的示意性等效電路圖；圖26是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的圖25的LC面板組件的平面布局圖；圖27是沿著線XXII-XXII截取的圖26中示出的LC面板組件的剖視圖；圖28示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的信號(hào)線和像素PX的示意性等效電路圖；圖29、圖31、圖32和圖33是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的LC面板組件的平面布局圖；圖30是沿著線XXX-XXX截取的圖29中示出的LC面板組件的剖視圖；圖34示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的信號(hào)線和像素PX的示意性等效電路圖；
圖35、圖36、圖37和圖38是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的LC面板組件的平面布局圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在，將參照附圖來(lái)更加充分地描述本發(fā)明，其中，示出了本發(fā)明的示例性實(shí)施例。本發(fā)明的示例性實(shí)施例可以以許多不同形式實(shí)施，然而，本發(fā)明不應(yīng)理解為限于這里提到的示例性實(shí)施例。
應(yīng)該理解，當(dāng)元件例如層、膜、區(qū)域或者基底被表示為在其它元件“上”時(shí)，該元件可直接在該其它元件上，或者也可存在中間元件。相反，當(dāng)元件被表示為“直接在其它元件上”時(shí)，不存在中間元件。例如，如果提到層、膜、區(qū)域或者板位于不同的元件上，則包括層、膜、區(qū)域或者板直接位于該不同元件上的情況，也包括其它元件位于其間的情況。相反地，例如，如果提到一個(gè)元件直接位于其它元件上，則意味著其間沒(méi)有元件。
在圖中，為了清晰地示出層和區(qū)域的目的，夸大了厚度。另外，相同的元件在說(shuō)明書(shū)中用相同的標(biāo)號(hào)表示。如這里使用的，術(shù)語(yǔ)“和/或”包括一個(gè)或者多個(gè)相關(guān)列出項(xiàng)的任一和全部組合。
應(yīng)該理解，盡管可在這里使用術(shù)語(yǔ)第一、第二、第三等來(lái)描述各種元件、組件、區(qū)域、層和/或部件，但是，這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部件不應(yīng)由這些術(shù)語(yǔ)限定。這些術(shù)語(yǔ)僅用來(lái)將一個(gè)元件、組件、區(qū)域、層或者部件與其它區(qū)域、層或者部件區(qū)別開(kāi)。因此，下面討論的第一元件、組件、區(qū)域、層或者部件能被稱(chēng)作第二元件、組件、區(qū)域、層或者部件，而不脫離本發(fā)明的教導(dǎo)。
這里使用的技術(shù)術(shù)語(yǔ)僅為了描述具體實(shí)施例的目的，并不意圖限制本發(fā)明。如這里使用的，除非上下文清楚地指出，單數(shù)形式意圖地包括復(fù)數(shù)形式。還應(yīng)該理解，當(dāng)在說(shuō)明書(shū)中使用術(shù)語(yǔ)“包含”或“包括”時(shí)，說(shuō)明存在描述的零件、區(qū)域、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但是不排除一個(gè)或者多個(gè)其它零件、區(qū)域、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組的存在或附加。
另外，關(guān)系術(shù)語(yǔ)，例如“下面”或“底”和“上面”或“頂”可在這里使用來(lái)描述與如圖中示出的一個(gè)元件與其它元件的關(guān)系。應(yīng)該理解，關(guān)系術(shù)語(yǔ)意圖包含除了圖中描述的方向之外的裝置的不同方向。例如，如果在一個(gè)圖中的裝置被翻轉(zhuǎn)，被描述為在其它元件“下面”的元件則位于所述其它元件“上面”。因此，根據(jù)圖的具體方向，示例性術(shù)語(yǔ)“下面”層包括“下面”和“上面”兩個(gè)方向。
除非另外限定，這里使用的所有術(shù)語(yǔ)(包括技術(shù)術(shù)語(yǔ)和學(xué)術(shù)術(shù)語(yǔ))與本發(fā)明所屬領(lǐng)域內(nèi)的普通技術(shù)人員所通常理解的意義相同。還應(yīng)該理解，除非這里作特定限定，術(shù)語(yǔ)例如在通常使用的字典中限定的術(shù)語(yǔ)等應(yīng)該被解釋為與它們?cè)谙嚓P(guān)領(lǐng)域和本公開(kāi)的上下文中的意義一致，而不應(yīng)該理想地或者過(guò)度正式地解釋這些術(shù)語(yǔ)。
這里，參照本發(fā)明理想實(shí)施例的示意圖的剖視圖來(lái)描述本發(fā)明的實(shí)施例。這樣，可以預(yù)料到例如制造技術(shù)和/或公差帶來(lái)的對(duì)所示的形狀的改變。因此，本發(fā)明的實(shí)施例不應(yīng)理解為限于這里示出的區(qū)域的具體形狀，而應(yīng)包括例如制造所帶來(lái)的形狀上的差異。例如，被示出或描述為平坦的區(qū)域通常可具有粗糙和/或非線性的特征。而且，所示的銳角可為倒圓的。因此，在圖中示出的區(qū)域?qū)嶋H上是示意性的，它們的形狀不意圖表示為區(qū)域的精確形狀，并且不意圖限制本發(fā)明的范圍。
將參照?qǐng)D1和圖2來(lái)詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的LCD。
圖1是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的LCD的框圖。圖2是圖1的LCD的像素的等效電路圖。
參照?qǐng)D1，根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的LCD包括LC面板組件300；柵極驅(qū)動(dòng)器400和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器500，與面板組件300連接；灰度電壓發(fā)生器800，與數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器500連接；信號(hào)控制器600，控制上面列舉的元件。
參照?qǐng)D1，面板組件300包括多條信號(hào)線(未示出)；多個(gè)像素PX，與信號(hào)線連接，并且基本上布置成矩陣。在圖2中示出的結(jié)構(gòu)視圖中，面板組件300包括下面板100、上面板200和位于它們之間的LC層3。
設(shè)置在下面板100上的信號(hào)線包括多條柵極線(未示出)，傳輸柵極信號(hào)(也稱(chēng)作“掃描信號(hào)”)；多條數(shù)據(jù)線(未示出)，傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)。相對(duì)于圖1和圖2所示，柵極線基本上在行或者水平方向上延伸并且基本上彼此平行，而數(shù)據(jù)線基本上在列或者垂直方向上(例如，基本上與柵極線正交并且在同一平面上)延伸并且基本上彼此平行。
參照?qǐng)D2，每個(gè)像素PX包括一對(duì)子像素，每個(gè)子像素包括液晶(LC)電容器(Clc1/Clc2)。兩個(gè)子像素中的至少一個(gè)還包括與柵極線、數(shù)據(jù)線和LC電容器Clc1/Clc2連接的開(kāi)關(guān)元件(未示出)。
LC電容器Clc1/Clc2包括作為兩個(gè)端部的子像素電極PE1/PE2和設(shè)置在上面板200上的公共電極CE。位于電極PE1/PE2和公共電極CE之間的LC層3作為L(zhǎng)C電容器Clc1/Clc2的電介質(zhì)。像素電極PE1和PE2彼此分離并且形成像素電極PE。公共電極CE被供給公共電壓Vcom，并且覆蓋上面板200的整個(gè)表面。LC層3具有負(fù)介電各向異性，在沒(méi)有電場(chǎng)的情況下，LC層3中的LC分子由可垂直于面板100和200的表面取向的長(zhǎng)軸限定。
對(duì)于彩色顯示，每個(gè)像素PX單獨(dú)地表示多個(gè)原色之一(即，空分)或者每個(gè)像素PX按順序表示原色(即，時(shí)分)，從而原色的空分或者時(shí)分之和表示期望的顏色。一組原色的例子包括紅色、綠色和藍(lán)色。圖2示出了空分的例子，其中，每個(gè)像素PX包括在面向像素電極PE的上面板200的區(qū)域中表示原色之一的濾色器CF。可選地，濾色器CF設(shè)置在位于下面板100上的子像素電極PE1或PE2上或者子像素電極PE1或PE2下面。
一對(duì)偏振器(未示出)附于面板100和200中的至少一個(gè)。兩個(gè)偏振器的偏振軸可交叉，從而交叉的偏振器阻擋光入射到LC層3上的光。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，可省略偏振器之一。
將參照?qǐng)D3、圖4、圖5、圖6、圖7、圖8、圖9A、圖9B和圖9C來(lái)詳細(xì)描述LC面板組件中的像素電極和公共電極的詳細(xì)結(jié)構(gòu)。
圖3至圖8是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的LC面板組件中的像素電極和公共電極的平面布局圖。圖9A至圖9C是形成圖3至圖8中示出的子像素電極的電極件和基極的平面圖。
參照?qǐng)D3至圖8，根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的LC面板組件的每個(gè)像素電極PE包括彼此分離的一對(duì)子像素電極PE1和PE2，或者PEij和PE(i+1)j(i＝1，3，5，j＝1-9)。子像素PEij和PE(i+1)j的一些具有切口90U和90L。公共電極CE(圖2中所示)具有面向子像素電極PE1、PE2、PEij和PE(i+1)j的多個(gè)突出280或者切口60U和60L(圖8)。
形成像素電極PE的子像素電極PE1和PE2或者PEij和PE(i+1)j可與各自的開(kāi)關(guān)元件(未示出)結(jié)合。可選地，子像素電極PE1和PE2或者PEij和PE(i+1)j中的一個(gè)可與開(kāi)關(guān)元件(未示出)結(jié)合，而子像素電極PE1和PE2或PEij和PE(i+1)j中的其它電極與子像素電極PE1和PE2或者PEij和PE(i+1)j電容結(jié)合。
子像素電極PE1、PE2、PEij和PE(i+1)j的每個(gè)包括圖9A中示出的至少一個(gè)電極件196和圖9B中示出的至少一個(gè)電極件197。圖9A和圖9B中示出的電極件196和197在其縱向端部的端部垂直連接，以形成圖9C中示出的基極198，這是子像素電極PE1、PE2、PEij和PE(i+1)j的每個(gè)的基本結(jié)構(gòu)。
如圖9A和圖9B中所示，每個(gè)電極件196和197基本上分別為具有一對(duì)斜邊196o和197o以及一對(duì)橫邊196t和197t的平行四邊形的形狀。斜邊196o和197o的每個(gè)分別與橫邊196t和197t形成傾斜角，根據(jù)哪一對(duì)平行的斜邊與各橫邊對(duì)比，該傾斜角的范圍從大約45度至大約135度。為了便于描述，根據(jù)相對(duì)于底邊196t和197t的正交的傾斜方向，電極件196和197被分為兩種類(lèi)型。圖9A中示出的電極件196由于其向右傾斜被表示為“右傾”，而圖9B中示出的電極件197由于其向左傾斜被表示為“左傾”。
被限定為橫邊196t和197t的長(zhǎng)度的電極件196和197的寬度W以及被限定為橫邊196t和197t之間的距離的高度H可根據(jù)面板組件300的尺寸確定。每個(gè)電極件196和197的橫邊196t和197t可被變形為在與其它部分連接的過(guò)程中彎曲或者突起，說(shuō)明書(shū)中使用的術(shù)語(yǔ)“平行四邊形”包括這種變形。
公共電極CE具有面向電極件196和197的切口61和62，每個(gè)電極件196和197被切口61和62分為兩個(gè)子區(qū)S1和S2。切口61和62的每個(gè)包括傾斜部分61o和62o以及各對(duì)橫向部分61t和62t，其中，傾斜部分61o和62o基本上分別與電極件196和197的斜邊196o和197o平行，各對(duì)橫向部分61t和62t限定關(guān)于傾斜部分61o和62o的鈍角并且與電極件196和197的橫邊196t和197t疊置。
每個(gè)子區(qū)S1和S2具有由傾斜部分61o和62o(分別為切口61和62的)以及斜邊196o和197o(分別為切口61和62的)限定的一對(duì)初始的邊緣。初始的邊緣之間的距離即子區(qū)S1和S2的寬度優(yōu)選地為大約25微米至大約40微米。
通過(guò)使右傾電極件196和左傾電極件197的各自的橫邊結(jié)合來(lái)形成圖9C中示出的基極198。通過(guò)使右傾電極件196和左傾電極件197結(jié)合而形成的角優(yōu)選地大約等于直角，電極件196和197在其間的連接包括各橫邊196t和197t的僅僅部分的連接。沒(méi)有彼此連接的電極件196和197的近似彼此面對(duì)的橫邊部分形成位于凹陷處的切口90。然而，當(dāng)在限定電極件196和197的鄰近橫邊196t和197t的所有部分都存在連接時(shí)，可不形成切口90。
電極件196和197的向外的或者外部的橫邊196t和197t形成基極198的橫邊198t。與電極件196和197對(duì)應(yīng)的斜邊196o和197o彼此連接，形成基極198的對(duì)應(yīng)的彎曲邊緣198o1和198o2。
彎曲邊緣198o1和198o2包括凸邊198o1和凹邊198o2，其中，凸邊198o1以鈍角例如大約135度接觸相對(duì)的橫邊198t，凹邊198o2以銳角例如大約45度接觸相對(duì)的橫邊198t。彎曲邊緣198o1和198o2通過(guò)斜邊196o和197o的接觸各限定基本為90度的角。
切口90從凹邊198o2上的凹頂點(diǎn)CV向凸邊198o1的凸頂點(diǎn)VV延伸，并且到達(dá)通過(guò)橫邊196t和197t之間的結(jié)合處限定的基極198的中心附近。
公共電極CE的切口61和62彼此連接，形成切口。此時(shí)，彼此疊置的切口61和62的橫向部分61t和62t結(jié)合在一起形成橫向部分60t1。新形成的切口60可如下所述。
切口60包括彎曲部分60o，具有彎曲點(diǎn)CP；中心橫向部分60t1，與彎曲部分60o的彎曲點(diǎn)CP連接；一對(duì)端部橫向部分60t2，與彎曲部分60o的端部連接。切口60的彎曲部分60o包括一對(duì)傾斜部分，該傾斜部分在基本上限定為大約直角的基極198的中心處接觸。切口60的彎曲部分60o基本上與基極198的彎曲邊緣198o1和198o2平行延伸，并且將基極198平分為左半部和右半部。切口60的中間橫向部分60t1與彎曲部分60o形成鈍角例如大約135度，并且向著基極198的凸頂點(diǎn)VV延伸。外端部橫向部分60t2基本上與基極198的橫邊198t對(duì)齊，并且與彎曲部分60o形成鈍角例如大約135度。
基極198和切口60相對(duì)于連接基極198的凹頂點(diǎn)VV和凸頂點(diǎn)CV的假想的直線(稱(chēng)作中間橫線)反對(duì)稱(chēng)。
在圖3至圖8中，基極布置成兩行?；鶚O具有相同的寬度，但是它們可如圖3至圖8所示具有不同的寬度。
在圖3至圖7所示的結(jié)構(gòu)中，位于上行中的基極的高度H0等于位于下行中的基極的高度H0。
在如圖3所示的結(jié)構(gòu)中，每行中的三個(gè)基極(一共六個(gè)基極)形成被表示為點(diǎn)的基本單元。子像素電極PE1和PE2的每個(gè)包括一個(gè)基極。
在如圖4和圖7所示的每種結(jié)構(gòu)中，每行中的五個(gè)基極(一共十個(gè)基極)形成點(diǎn)。
如圖4中示出的子像素電極PE11、PE21、PE12和PE22的每個(gè)包括一行中的兩個(gè)相鄰的基極，子像素電極PE13和PE23的每個(gè)包括一個(gè)基極。一行中相鄰基極之間在基極的上角和下角處存在連接，從而基極之間的間隙形成切口90U或90L。
圖7中所示的子像素電極PE31、PE41、PE32和PE42的每個(gè)包括一列中的兩個(gè)相鄰的基極，子像素電極PE33和PE43的每個(gè)包括一個(gè)基極。
在圖5和圖6中示出的每種結(jié)構(gòu)中，每行中的四個(gè)基極(一共八個(gè)基極)形成點(diǎn)。
圖5中示出的子像素電極PE15和PE24的每個(gè)包括一行中的兩個(gè)相鄰的基極，子像素電極PE14、PE25、PE16和PE26的每個(gè)包括一個(gè)基極。
圖6中示出的子像素電極PE17和PE28的每個(gè)包括一行中的兩個(gè)相鄰的基極，子像素電極PE18、PE27、PE19和PE29的每個(gè)包括一個(gè)基極。
提出的是，與圖3至圖5以及圖7中示出的子像素電極不同，形成圖6中所示的像素電極的子像素電極PE17和PE27或者PE18和PE28彼此對(duì)角地設(shè)置。
在圖8中示出的結(jié)構(gòu)中，位于上行中的基極的高度H1大于位于下行中的基極的高度H2。在示例性實(shí)施例中，優(yōu)選地，高度H1為高度H2的大約1.1倍至高度H2的大約兩倍。
仍參照?qǐng)D8，點(diǎn)包括每行中的五個(gè)基極，一共為十個(gè)基極。子像素電極PE51、PE52和PE53包括僅僅一個(gè)基極，子像素電極PE61和PE63的每個(gè)包括位于不同行中的一對(duì)基極198U1和198L1，或者198U3和198L3，子像素電極PE62包括位于下行中的三個(gè)相鄰的基極。
形成子像素電極PE61或者PE63的基極198U1和198L1或者198U3和198L3連接到連接處，該連接處連接基極198U3和198L3的相鄰角。
通過(guò)移動(dòng)具有反對(duì)稱(chēng)的像素電極或者通過(guò)旋轉(zhuǎn)像素電極可改變圖3至圖8中示出的子像素電極的位置和彎曲方向以及圖3至圖8中示出的結(jié)構(gòu)。
再參照?qǐng)D1，灰度電壓發(fā)生器800產(chǎn)生與像素PX的透光率有關(guān)的多個(gè)灰度電壓。然而，灰度電壓發(fā)生器800可僅僅產(chǎn)生一部分或者給定數(shù)目的灰度電壓(被稱(chēng)作基準(zhǔn)灰度電壓)，而不是產(chǎn)生所有的灰度電壓。
柵極驅(qū)動(dòng)器400與面板組件300的柵極線連接并且合成來(lái)自外部裝置的柵極導(dǎo)通電壓Von和柵極截止電壓Voff，以產(chǎn)生向柵極線施加的柵極信號(hào)Vg。
數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器500與面板組件300的數(shù)據(jù)線連接，并且向數(shù)據(jù)線施加從灰度電壓發(fā)生器800供給的灰度電壓中選擇的數(shù)據(jù)電壓Vd。然而，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器500可通過(guò)劃分基準(zhǔn)灰度電壓產(chǎn)生用于所有灰度的灰度電壓，并且當(dāng)灰度電壓發(fā)生器800產(chǎn)生基準(zhǔn)灰度電壓時(shí)從產(chǎn)生的灰度電壓中選擇數(shù)據(jù)電壓Vd。
信號(hào)控制器600控制柵極驅(qū)動(dòng)器400和數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器500等。
驅(qū)動(dòng)單元400、500、600、700和800的每個(gè)可包括安裝在LC面板組件300上或者以帶載封裝(TCP)方式安裝在附于面板組件300的柔性印刷電路(FPC)膜上的至少一個(gè)集成電路(IC)芯片。可選地，處理單元400、500、600、700和800的至少一個(gè)可與信號(hào)線以及開(kāi)關(guān)元件Qa和Qb一起集成到面板組件300中?？蛇x地，所有的處理單元400、500、600、700和800可集成到單獨(dú)IC芯片中，但是至少一個(gè)處理單元400、500、600、700和800或者至少一個(gè)處理單元400、500、600、700和800中的至少一個(gè)電路元件可位于單獨(dú)IC芯片的外部。
現(xiàn)在，將詳細(xì)描述上述LCD的操作。
信號(hào)控制器600被供給輸入圖像信號(hào)R、G和B以及來(lái)自外部圖形控制器(未示出)的控制其顯示的輸入控制信號(hào)。輸入圖像信號(hào)R、G和B包含每個(gè)像素PX的亮度信息，該亮度具有預(yù)定的數(shù)目例如1024(＝210)，256(＝28)或者64(＝26)的灰度。輸入控制信號(hào)包括豎直同步信號(hào)Vsync、水平同步信號(hào)Hsync、主時(shí)鐘MCLK和數(shù)據(jù)使能信號(hào)DE等。
在根據(jù)輸入控制信號(hào)和輸入圖像信號(hào)R、G和B產(chǎn)生柵極控制信號(hào)CONT1、數(shù)據(jù)控制信號(hào)CONT2并且將輸入圖像信號(hào)R、G和B處理為適于面板組件300的操作之后，信號(hào)控制器600向柵極驅(qū)動(dòng)器400傳輸柵極控制信號(hào)CONT1，向數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器500傳輸已處理的圖像信號(hào)DAT和數(shù)據(jù)控制信號(hào)CONT2。向數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器500傳輸?shù)妮敵鰣D像信號(hào)DAT為具有預(yù)定數(shù)目的值(或灰度)的數(shù)字信號(hào)。
柵極控制信號(hào)CONT1包括掃描起始信號(hào)STV，用于指示開(kāi)始掃描；至少一個(gè)時(shí)鐘信號(hào)，用于控制柵極導(dǎo)通電壓Von的輸出時(shí)間。柵極控制信號(hào)CONT1還可包括輸出使能信號(hào)OE，用于限定柵極導(dǎo)通電壓Von的持續(xù)時(shí)間。
數(shù)據(jù)控制信號(hào)CONT2包括水平同步起始信號(hào)STH，用于通知對(duì)一組子像素的數(shù)據(jù)傳輸?shù)钠鹗迹回?fù)載信號(hào)LOAD，用于指示數(shù)據(jù)電壓被施加到面板組件300；數(shù)據(jù)時(shí)鐘信號(hào)HCLK。數(shù)據(jù)控制信號(hào)CONT2還可包括反相信號(hào)RVS，用于使數(shù)據(jù)電壓的極性(關(guān)于公共電壓Vcom)反相。
響應(yīng)來(lái)自信號(hào)掃描器600的數(shù)據(jù)控制信號(hào)CONT2，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器500從信號(hào)控制器600接收用于該組子像素的一數(shù)據(jù)包的圖象數(shù)據(jù)DAT。數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器500將圖像數(shù)據(jù)DAT轉(zhuǎn)變成選自由灰度電壓發(fā)生器800提供的灰度電壓的模擬數(shù)據(jù)電壓，并將該數(shù)據(jù)電壓施加到數(shù)據(jù)線。
柵極驅(qū)動(dòng)器400響應(yīng)來(lái)自信號(hào)控制器600的柵極控制信號(hào)CONT1將柵極導(dǎo)通電壓Von施加到柵極線，從而導(dǎo)通與柵極驅(qū)動(dòng)器400連接的開(kāi)關(guān)元件。通過(guò)激活的開(kāi)關(guān)元件將施加到數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)電壓提供給子像素。
參照?qǐng)D3至圖8，當(dāng)形成像素電極的兩個(gè)子像素電極PE1和PE2，或者PEij和PE(i+1)j與各自的開(kāi)關(guān)元件結(jié)合時(shí)，即，當(dāng)每個(gè)子像素均包括其自身的開(kāi)關(guān)元件時(shí)，可在不同的時(shí)間通過(guò)同一數(shù)據(jù)線或在同一時(shí)間通過(guò)不同的數(shù)據(jù)線向這兩個(gè)子像素提供各自的數(shù)據(jù)電壓。然而，當(dāng)子像素電極PE1和PE2中的一個(gè)或者PEij和PE(i+1)j中的一個(gè)與開(kāi)關(guān)元件(未示出)結(jié)合時(shí)，子像素電極PE1和PE2中的另一個(gè)或者PEij和PE(i+1)j中的另一個(gè)與這個(gè)子像素電極電容耦合，而另一個(gè)子像素可具有根據(jù)該數(shù)據(jù)電壓而變化的電壓，可向包括開(kāi)關(guān)元件的子像素直接提供數(shù)據(jù)電壓。此時(shí)，子像素電極PE1和PE2或者PEij和PE(i+1)j中較小的一個(gè)優(yōu)選地具有大于子像素電極PE1和PE2或者PEij和PE(i+1)j中較大的一個(gè)的電壓(相對(duì)于公共電壓)。
相反，在對(duì)兩個(gè)子像素電極PE1和PE2或者PEij和PE(i+1)j用相同的電壓充電后，子像素電極PE1和PE2或者PEij和PE(i+1)j可通過(guò)使用存儲(chǔ)電容器(未示出)等來(lái)區(qū)分彼此。
參照?qǐng)D1和圖2，當(dāng)在LC電容器Clc1/Clc2的兩個(gè)端子之間產(chǎn)生壓差時(shí)，由于像素電極PE和公共電極CE均被稱(chēng)作場(chǎng)發(fā)生電極，所以在LC層3內(nèi)產(chǎn)生與面板100和200的表面基本垂直的初始電場(chǎng)(primary electric field)。LC電容器Clc1/Clc2內(nèi)的LC分子響應(yīng)電場(chǎng)趨于改變它們的取向，使得LC分子的長(zhǎng)軸可垂直于場(chǎng)的方向。分子取向確定穿過(guò)LC層3的光的偏振。偏振器將光的偏振轉(zhuǎn)變成透光率，從而像素PX顯示由圖像數(shù)據(jù)DAT代表的亮度。
LC分子的傾斜角度取決于電場(chǎng)的強(qiáng)度。由于LC電容器Clc1和Clc2的電壓互不相同，所以子像素內(nèi)的LC分子的傾斜角度互不相同，從而這兩個(gè)子像素的亮度不同。因此，可調(diào)整這兩個(gè)子像素的電壓，使得從側(cè)面看到的的圖像與從前面看到的圖像相似。即，側(cè)面伽瑪曲線相似于或接近于前面伽瑪曲線，從而提高了側(cè)面可見(jiàn)度。
此外，電壓高于像素的另一子像素電極的(相對(duì)于公共電壓Vcom)的子像素電極PE1、PE2、PEij、PE(i+1)j可具有比另一子像素電極更小的面積，從而使得側(cè)面伽瑪曲線進(jìn)一步接近于前面伽瑪曲線。具體地講，當(dāng)這兩個(gè)子像素電極PE1和PE2或者PEij和PE(i+1)j的面積比為大約1∶2至大約1∶3時(shí)，側(cè)面伽瑪曲線進(jìn)一步接近于前面伽瑪曲線，從而進(jìn)一步提高了側(cè)面可見(jiàn)度。由于本發(fā)明的示例性實(shí)施例可容易地調(diào)整各組像素電極PE內(nèi)的子像素電極PE1和PE2或者PEij和PE(i+1)j的寬度和高度，所以可易于調(diào)整這兩個(gè)子像素電極PE1和PE2或者PEij和PE(i+1)j的面積比。
LC分子的傾斜方向首先由水平的場(chǎng)分量來(lái)確定。水平的場(chǎng)分量由突出280，場(chǎng)發(fā)生電極PE和CE的切口90U、90L、60U和60L以及像素電極PE的邊緣產(chǎn)生，所有這些均使初始電場(chǎng)變形。水平的場(chǎng)分量基本垂直于突出280，切口90U、90L、60U和60L以及子像素電極PE1和PE2或者PEij和PE(i+1)j的邊緣的延伸方向。
參照?qǐng)D3至圖9C，由于通過(guò)一組突出280與切口90U、90L、60U和60L劃分的子區(qū)域的每個(gè)上的LC分子與子區(qū)域的主邊緣垂直傾斜，所以?xún)A斜方向的方位角分布位于四個(gè)方向。從而，LCD的基準(zhǔn)視角增大。
同時(shí)，由于子像素電極PE1和PE2之間或者PEij和PE(i+1)j之間的壓差而造成的次級(jí)電場(chǎng)(secondary electric field)的方向垂直于子區(qū)域的主邊緣。因此，次級(jí)電場(chǎng)的場(chǎng)的方向與初始電場(chǎng)的水平分量的方向相符合。從而，子像素電極PE1和PE2之間或者PEij和PE(i+1)j之間的次級(jí)電場(chǎng)增進(jìn)了cfLC分子的傾斜方向的確定。
通過(guò)重復(fù)這個(gè)過(guò)程一個(gè)單位的一個(gè)水平周期(用“1H”表示，等于水平同步信號(hào)Hsync或數(shù)據(jù)使能信號(hào)DE的一個(gè)周期)，所有的像素PX都提供有數(shù)據(jù)電壓。
當(dāng)一幀完成后下一幀起始時(shí)，控制施加到數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器500的反相控制信號(hào)RVS，使得數(shù)據(jù)電壓的極性反相(稱(chēng)作“幀反相”)。也可控制反相控制信號(hào)RVS，使得在數(shù)據(jù)線內(nèi)流動(dòng)的圖像數(shù)據(jù)信號(hào)的極性在一幀期間周期性地反相(例如，行反相和點(diǎn)反相)，或者在一數(shù)據(jù)包內(nèi)的圖像數(shù)據(jù)信號(hào)的極性反相(例如，列反相和點(diǎn)反相)。
現(xiàn)在，結(jié)合參照?qǐng)D1和圖2，將參照?qǐng)D10A、圖10B、圖11、圖12、圖13、圖14、圖15、圖16、圖17和圖18來(lái)詳細(xì)描述LC面板組件的結(jié)構(gòu)。
圖10A和圖10B示出了信號(hào)線和像素PX的示意性等效電路圖。
圖10A和圖10B中示出的LC面板組件包括多條信號(hào)線和與所述多條信號(hào)線連接的多個(gè)像素PX。信號(hào)線包括多條柵極線GLa、GLb和多條數(shù)據(jù)線DL、DL1和DL2。圖10A中示出的信號(hào)線還包括基本平行于成對(duì)的柵極線GLa和GLb延伸的多條存儲(chǔ)電極線SL。
每個(gè)像素PX包括一對(duì)子像素PXa和PXb。每個(gè)子像素PXa/PXb包括開(kāi)關(guān)元件Qa/Qb，分別與柵極線GLa和GLb之一及數(shù)據(jù)線DL、DL1和DL2之一連接；各自的LC電容器Clca/Clcb，與開(kāi)關(guān)元件Qa/Qb結(jié)合。圖10A中示出的每個(gè)像素PXa/PXb還包括對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)電容器Csta/Cstb，存儲(chǔ)電容器連接在各自的開(kāi)關(guān)元件Qa/Qb和存儲(chǔ)電極線SL之間。指出的是，圖10A中示出的兩個(gè)子像素PXa和PXb與同一數(shù)據(jù)線DL連接，而圖10B中示出的兩個(gè)子像素PXa和PXb與不同的數(shù)據(jù)線DL1和DL2連接。
參照?qǐng)D2、圖10A和圖10B，開(kāi)關(guān)元件Qa/Qb，例如薄膜晶體管(TFT)，設(shè)置在下面板100上，并具有三個(gè)端子(1)控制端，與柵極線GLa/GLb連接；(2)輸入端，與數(shù)據(jù)線DL/DL1/DL2連接；(3)輸出端，與LC電容器Clca/Clcb連接。
存儲(chǔ)電容器Csta/Cstb分別是用于LC電容器Clca/Clcb的輔助電容器。存儲(chǔ)電容器Csta/Cstb包括子像素電極和單獨(dú)的信號(hào)線，信號(hào)線設(shè)置在下面板100上，經(jīng)由絕緣體與子像素電極疊置并提供有預(yù)定的電壓例如公共電壓Vcom。作為選擇，存儲(chǔ)電容器Csta/Cstb包括子像素電極和稱(chēng)為先前柵極線的相鄰的柵極線，該柵極線經(jīng)由絕緣體與像素電極疊置。
由于上面參照?qǐng)D2描述了LC電容器Clca/Clcb和其它相關(guān)元件，所以將省略對(duì)其的詳細(xì)描述。
參照?qǐng)D1，在圖10A和圖10B中示出的LCD中，信號(hào)控制器600接收輸入圖像數(shù)據(jù)R、G和B，并將用于各像素的各輸入圖像數(shù)據(jù)R、G和B轉(zhuǎn)換成將提供給數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器的用于兩個(gè)子像素PXa和PXb的多個(gè)輸出圖像數(shù)據(jù)DAT。另外，灰度電壓發(fā)生器800產(chǎn)生用于兩個(gè)子像素PXa和PXb的各組灰度電壓。兩組灰度電壓可選擇地由灰度電壓發(fā)生器800提供給數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器500或可選擇地由數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器500選擇。在另一種情形下，兩個(gè)子像素PXa和PXb提供有不同的電壓。
優(yōu)選地確定每組中的轉(zhuǎn)換的輸出圖像信號(hào)的值和灰度電壓的值，使得在正視圖上，用于兩個(gè)子像素PXa和PXb的伽瑪曲線的合成接近于基準(zhǔn)伽瑪曲線。例如，正視圖上的合成的伽瑪曲線與正視圖上的最適合的基準(zhǔn)伽瑪曲線相符合，側(cè)視圖上的合成的伽瑪曲線與前視圖上的基準(zhǔn)伽瑪曲線最相似。
現(xiàn)在，將參照?qǐng)D11至圖14和圖8來(lái)詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的圖10A中示出的LC面板組件的例子。
圖11是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的下面板(TFT陣列面板)的平面布局圖。圖12是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的上面板(公共電極面板)的平面布局圖。圖12是包括圖11中示出的TFT陣列面板和圖12中示出的公共電極面板的LC面板組件的平面布局圖。圖14是沿XIV-XIV線截取的圖13中示出的LC面板組件的剖視圖。
參照?qǐng)D14，根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的LC面板組件包括TFT陣列面板100、面對(duì)TFT陣列面板100的公共電極面板200、置于面板100和200之間的液晶層3。
首先，將參照?qǐng)D11、圖13和圖14來(lái)描述TFT陣列面板100。
分別包括多對(duì)第一柵極線121a和第二柵極線121b的多個(gè)柵極導(dǎo)體及多條存儲(chǔ)電極線131形成在絕緣基底110上，例如形成在透明玻璃或塑料上。
柵極線121a和121b傳輸柵極信號(hào)，基本在橫向方向上延伸，并分別位于相對(duì)的較上位置和較下位置處。
每條第一柵極線121a包括多個(gè)第一柵極124a，向下突起；端部129a，具有用來(lái)與另一層或外部驅(qū)動(dòng)電路接觸的大面積。每條第二柵極線121b包括多個(gè)第二柵極124b，向上突起；端部129b，具有用來(lái)與另一層或外部驅(qū)動(dòng)電路接觸的大面積。柵極線121a和121b可延伸至與柵極驅(qū)動(dòng)器400連接，柵極驅(qū)動(dòng)器400可集成在基底110上。
存儲(chǔ)電極線131提供有預(yù)定的電壓例如公共電壓Vcom，并基本平行于柵極線121a和121b延伸。每條存儲(chǔ)電極線131位于第一柵極線121a和第二柵極線121b之間，并且距離第一柵極線121a比距離第二柵極線121b更近。每條存儲(chǔ)電極線131包括向上和向下擴(kuò)展的多個(gè)存儲(chǔ)電極137(見(jiàn)圖11和圖13)。然而，存儲(chǔ)電極線131可具有各種形狀和布置。
柵極導(dǎo)體121a、121b和131優(yōu)選地由諸如Al和Al合金的含Al金屬、Ag和Ag合金的含Ag金屬、諸如Cu和Cu合金的含Cu金屬、諸如Mo和Mo合金的含Mo金屬、Cr、Ta或Ti制成。然而，柵極導(dǎo)體可具有包括兩種不同物理性質(zhì)的導(dǎo)電膜(未示出)的多層結(jié)構(gòu)。這兩種膜之一優(yōu)選地由包括含Al金屬、含Ag金屬和含Cu金屬的低電阻金屬制成，用來(lái)減少信號(hào)延遲或壓降。另一種膜優(yōu)選地由具有良好的物理性質(zhì)、化學(xué)性質(zhì)、與其它材料諸如氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)的電接觸性質(zhì)的材料例如含Mo金屬、Cr、Ta或Ti制成。這兩種膜的結(jié)合的適合的例子包括下Cr膜和上Al(合金)膜以及下Al(合金)膜和上Mo(合金)膜。然而，柵極導(dǎo)體121a、121b和131可由當(dāng)前公知的或以后將會(huì)變成公知的各種金屬或?qū)w制成。
柵極導(dǎo)體121a、121b和131的側(cè)面相對(duì)于基底的表面傾斜，其傾斜角度的范圍為大約30度至大約80度。
優(yōu)選地由硅氮化物(SiNx)或硅氧化物(SiOx)制成的柵極絕緣層140形成在柵極導(dǎo)體121a、121b和131上。
優(yōu)選地由氫化非晶硅(簡(jiǎn)寫(xiě)為“α-Si”)或多晶硅制成的多個(gè)第一半導(dǎo)體島154a和第二半導(dǎo)體島154b形成在柵極絕緣層140上。第一/第二半導(dǎo)體島154a/154b分別位于第一/第二柵極124a/124b上。
多對(duì)歐姆接觸島163b和165b形成在半導(dǎo)體島154b上，多對(duì)歐姆接觸島(未示出)形成在半導(dǎo)體島154a上。歐姆接觸島163a和165b優(yōu)選地由用n型雜質(zhì)例如磷重?fù)诫s的n+氫化α-Si制成，或者它們可由硅化物制成。
半導(dǎo)體島154a和154b與歐姆接觸163b和165b的側(cè)面相對(duì)于基底110的表面傾斜，其傾斜角度優(yōu)選地在大約30度至大約80度的范圍內(nèi)。
包括多條數(shù)據(jù)線171的多個(gè)數(shù)據(jù)導(dǎo)體及多對(duì)第一漏極175a和第二漏極175b形成在歐姆接觸163b和165b及柵極絕緣層140上。
數(shù)據(jù)線171傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)，并基本在縱向方向上延伸以與柵極線121a和121b及存儲(chǔ)電極線131交叉。每條數(shù)據(jù)線171包括分別朝著第一柵極124a和第二柵極124b突起的多個(gè)第一源極173a和第二源極173b，第一源極173a和第二源極173b象字母“C”一樣彎曲。數(shù)據(jù)線171可延伸至與數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器500連接，數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器500可集成在基底110上。
第一漏極175a和第二漏極175b彼此分開(kāi)，并與數(shù)據(jù)線171分開(kāi)。第一/第二漏極175a/175b分別相對(duì)于第一/第二柵極124a/124b與第一/第二源極173a/173b相對(duì)地設(shè)置。第一/第二漏極175a/175b的每個(gè)分別包括寬端部177a/177b和窄端部。寬端部177a/177b與存儲(chǔ)電極137疊置，窄端部局部被第一/第二源極173a/173b包圍。
第一/第二柵極124a/124b、第一/第二源極173a/173b和第一/第二漏極175a/175b與第一/第二半導(dǎo)體島154a/154b一起分別形成具有通道的第一/第二TFT Qa/Qb，所述通道形成在位于第一/第二源極173a/173b和第一/第二漏極175a/175b之間的第一半導(dǎo)體島154a/154b內(nèi)。第一/第二TFT Qa/Qb位于其間的數(shù)據(jù)線171的左側(cè)/右側(cè)。
數(shù)據(jù)導(dǎo)體171、175a和175b優(yōu)選地由難熔金屬例如Cr、Mo、Ta、Ti或它們的合金制成。然而，它們可具有包括難熔金屬膜(未示出)和低電阻率膜(未示出)的多層結(jié)構(gòu)。多層結(jié)構(gòu)的適合的例子為包括下Cr/Mo(合金)膜和上Al(合金)膜的雙層結(jié)構(gòu)，以及下Mo(合金)膜、中間Al(合金)膜和上Mo(合金)膜的三層結(jié)構(gòu)。然而，數(shù)據(jù)導(dǎo)體171和175a和175b可由當(dāng)前公知的或以后將會(huì)變成公知的各種金屬或?qū)w制成。
數(shù)據(jù)導(dǎo)體171、175a和175b具有傾斜的邊緣輪廓，其傾斜角度的范圍為大約30度至大約80度。
歐姆接觸163b和165b僅設(shè)置在下覆半導(dǎo)體島154a和154b與其上的上伏數(shù)據(jù)導(dǎo)體171、175a和175b之間，并減小了它們之間的接觸電阻。半導(dǎo)體島154a和154b包括沒(méi)有用數(shù)據(jù)導(dǎo)體171、175a和175b覆蓋的一些暴露部分，例如位于源極173與漏極175a和175b之間的部分。
鈍化層180形成在數(shù)據(jù)導(dǎo)體171、175a和175b以及半導(dǎo)體島154a和154b的暴露部分上。鈍化層180優(yōu)選地由無(wú)機(jī)或有機(jī)絕緣體制成，并且它可具有平坦的頂表面。無(wú)機(jī)絕緣體的例子包括硅氮化物和硅氧化物，但并不局限于此。有機(jī)絕緣體可具有光敏性和小于4.0的介電常數(shù)。鈍化層180可包括無(wú)機(jī)絕緣體的下膜和有機(jī)絕緣體的上膜，從而鈍化層180在防止半導(dǎo)體島154a和154b的暴露部分受到有機(jī)絕緣體的損害的同時(shí)，還具有有機(jī)絕緣體的優(yōu)良的絕緣性質(zhì)。
鈍化層180具有分別暴露數(shù)據(jù)線171的端部179以及第一漏極175a和第二漏極175b的多個(gè)接觸孔182、185a和185b。鈍化層180和柵極絕緣層140具有暴露柵極線121a和121b的端部129a和129b的多個(gè)接觸孔181a和181b。
多個(gè)像素電極191R、191G和191B和多個(gè)接觸輔助件81a、81b和82形成在鈍化層180上。它們優(yōu)選地由透明導(dǎo)體比如ITO或IZO或者由反射性導(dǎo)體比如Ag、Al、Cr及其合金制成。
像素電極191R、191G和191B具有圖8中示出的結(jié)構(gòu)，各像素電極191R/191G/191B包括一對(duì)子像素191Ra和191Rb/191Ga和191Gb/191Ba和191Bb。子像素電極191Ra、191Rb、191Ga、191Gb、191Ba、191Bb包括切口91a和91b，子像素電極191b具有一對(duì)切口92。
第二子像素電極191Rb/191Bb包括通過(guò)連接件192R/192B連接的第一單元電極和第二單元電極191Rb1和191Rb2/191Bb1和191Bb2。優(yōu)選地，第一單元電極191Rb1/191Bb1的高度大于第二單元電極191Rb2/191Bb2的高度，優(yōu)選地，第一單元電極191Rb1/191Bb1的高度是第二單元電極191Rb2/191Bb2的高度的大約1.1倍至兩倍。當(dāng)?shù)谝幌袼仉姌O191Ra/191Ba的高度等于第一單元電極191Rb1/191Bb1的高度時(shí)，第一子像素電極191Ra/191Ba和第二子像素電極191Rb/191Bb的面積比為大約1∶1.5至大約1∶1.2。可通過(guò)調(diào)節(jié)第一子像素電極191Ra/191Ba和第二子像素電極的第一單元電極和第二單元電極191Rb1、191Rb2、191Bb1和191Bb2的寬度和高度來(lái)得到期望的面積比，面積比優(yōu)選地等于大約1∶1.1至大約1∶3。
第二子像素電極191RG包括三個(gè)單元電極。一對(duì)切口92將第二子像素電極191Gb三等分。切口92的每個(gè)包括彎曲的部分，基本上與第二子像素電極191Gb的彎曲的邊緣平行；橫向的部分，與彎曲的部分連接。第二子像素電極191Gb的寬度大于第一子像素電極191Ga的寬度，例如，大約為第一子像素電極191Ga的寬度的三倍。優(yōu)選地，第二子像素電極191Gb的高度大約為第一子像素電極191Ga的高度的1/2至大約與第一子像素電極191Ga的高度相同?？赏ㄟ^(guò)調(diào)節(jié)第一子像素電極191Ga和第二子像素電極191Gb的寬度和高度來(lái)控制面積比，該面積比優(yōu)選地等于大約1∶1.1至大約1∶1.3。
通過(guò)調(diào)節(jié)子像素電極191Ra、191Rb、191Ga、191Gb、191Ba、191Bb的寬度和高度，可使像素電極191R、191G和191B的面積均勻。
代表三原色比如紅色、綠色和藍(lán)色的三個(gè)像素電極191R、191G和191B形成一組像素電極或點(diǎn)。在本示例性實(shí)施例中的子像素電極191Ra、191Rb、191Ga、191Gb、191Ba和191Bb的構(gòu)造形成了基本相同的像素電極191R、191G和191B的形狀，每個(gè)像素電極191R、191G和191B代表相同的顏色并屬于相鄰的點(diǎn)。此外，點(diǎn)的形狀基本上相同。因此，根據(jù)本示例性實(shí)施例的構(gòu)造提高了縱向行的顯示品質(zhì)。
此外，由于子像素電極191Ra、191Rb、191Ga、191Gb、191Ba、191Bb容易以點(diǎn)改變，所以像素電極191R、191G和191B的面積容易改變。
本示例性實(shí)施例增大了大顯示裝置比如尺寸大于32英寸或更大的顯示裝置的開(kāi)口率和透光率。
第一子像素電極191Ra、191Ga和191Ba通過(guò)接觸孔185a物理地并電連接到第一漏極175a，從而子像素電極191Ra、191Ga和191Ba從第一漏極175a接收數(shù)據(jù)電壓。第二子像素電極191b通過(guò)接觸孔185b物理地并電連接到第二漏極175b，從而子像素電極191b從第二漏極175b接收數(shù)據(jù)電壓。
子像素電極191Ra、191Rb、191Ga、191Gb、191Ba、191Bb和公共電極270(圖14)形成LC電容器Clca或Clcb，LC電容器Clca或Clcb在TFT截止后存儲(chǔ)所施加的電壓。
通過(guò)將第一/第二子像素電極191Ra、191Ga和191Ba/191Rb、191Gb和191Bb以及漏極175a/175b與存儲(chǔ)電極137等疊置，來(lái)形成用于增大充電存儲(chǔ)容量的存儲(chǔ)電容器Csta/Cstb。
存儲(chǔ)電極線131、第一漏電極175a和第二漏電極175b的寬端部分177a和177b、接觸孔185a和185b以及第二柵極線121b位于單元電極的相鄰的行的邊界附近。這種構(gòu)造覆蓋了由于分子取向的無(wú)序而導(dǎo)致的出現(xiàn)在單元電極的相鄰行的邊界附近的結(jié)構(gòu)，并增大了開(kāi)口率。
接觸輔助件81a、81b和82分別通過(guò)接觸孔181a、181b和182分別連接到柵極線121a和121b的端部129a和129b以及數(shù)據(jù)線171的端部179。接觸輔助件81a、81b和82保護(hù)端部129a、129b和179，并增強(qiáng)了端部129a、129b和179與外部裝置之間的粘附。
以下是參照?qǐng)D12至14對(duì)公共電極面板200的描述。
被稱(chēng)為用于防止光泄漏的黑矩陣的阻光構(gòu)件220形成在絕緣基底210比如透明玻璃或塑料上。阻光構(gòu)件220包括多個(gè)彎曲的部分(見(jiàn)圖12)，面對(duì)TFT陣列面板100上的數(shù)據(jù)線171(見(jiàn)圖13)；多個(gè)加寬的部分，面對(duì)TFT陣列面板100上的TFT Qa和Qb。然而，阻光構(gòu)件220可具有用于阻擋在像素電極191R、191G和191B以及TFT Qa和Qb附近的光泄漏的各種形狀。
多個(gè)濾色器230R和230G也形成在基底210和阻光構(gòu)件220上，并且多個(gè)濾色器230R和230G基本上位于被阻光構(gòu)件220包圍的區(qū)域中。濾色器230R和230G可沿著像素電極191R、191G和191B基本上在縱向方向上延伸。濾色器230R代表紅色，濾色器230G代表綠色，而其它的濾色器(未示出)可表示藍(lán)色。
覆蓋層250形成在濾色器230R、230G和阻光構(gòu)件220上。覆蓋層250優(yōu)選地由(有機(jī))絕緣體制成，覆蓋層250防止濾色器230R和230G被暴露并提供了平坦的表面。然而，應(yīng)該認(rèn)識(shí)到可省略該覆蓋層250。
公共電極270形成在覆蓋層250上(見(jiàn)圖14)。公共電極270優(yōu)選地由透明導(dǎo)電材料比如ITO和IZO制成，并具有以上參照?qǐng)D8描述的多組切口71Ra、71Rb1、71Rb2、71Ga、71Gb、71Ba、71Bb1和71Bb2。
切口71Ra、71Rb1、71Rb2、71Ga、71Gb、71Ba、71Bb1和71Bb2的數(shù)目根據(jù)設(shè)計(jì)因素而不同，阻光構(gòu)件220也可與切口71Ra、71Rb1、71Rb2、71Ga、71Gb、71Ba、71Bb1和71Bb2疊置，以通過(guò)切口71Ra、71Rb1、71Rb2、71Ga、71Gb、71Ba、71Bb1和71Bb2來(lái)阻擋光的泄漏。
可垂直的取向?qū)?1和21涂覆在面板100和200的內(nèi)表面上。
偏振器12和22被設(shè)置在面板100和200的外表面上，它們的偏振軸可交叉或橫向于另一個(gè)，并且為了提高光效率偏振軸可與子像素電極191Ra、191Rb、191Ga、191Gb、191Ba、191Bb的彎曲的邊緣成大約45度角。應(yīng)該認(rèn)識(shí)到，當(dāng)LCD為反射式LCD時(shí)，可省略偏振器12和22中的一個(gè)。
LCD還可包括至少一個(gè)用于補(bǔ)償LC層3延遲的延遲膜(未示出)。LCD還可包括通過(guò)偏振器12和22、延遲膜以及面板100和200將光提供到LC層3的背光單元(未示出)。
優(yōu)選地，LC層3具有負(fù)介電各向異性并被垂直取向。
如相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)人員所認(rèn)識(shí)到的，可更改切口71Ra、71Rb1、71Rb2、71Ga、71Gb、71Ba、71Bb1、71Bb2、91a、91b和92的形狀和布置。
切口71Ra、71Rb1、71Rb2、71Ga、71Gb、71Ba、71Bb1、71Bb2、91a、91b和92中的至少一個(gè)可被突出(未示出)或凹陷(未示出)替代。優(yōu)選地，突出由有機(jī)材料或無(wú)機(jī)材料制成并位于場(chǎng)發(fā)生電極191R、191G、191B或270之上或之下。
將參照?qǐng)D15至18來(lái)詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)示例性實(shí)施例的圖10A中示出的LC面板組件的另一個(gè)示例。
圖15是根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)示例性實(shí)施例的TFT陣列面板的平面布局圖。圖16是根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)示例性實(shí)施例的公共電極面板的平面布局圖。圖17是包括圖15中示出的TFT陣列面板和圖16中示出的公共電極面板的LC面板組件的平面布局圖。圖18是沿著線XVIII-XVIII截取的圖17中示出的LC面板組件的剖視圖。
根據(jù)圖15至18中示出的示例性實(shí)施例的LC面板組件包括TFT陣列面板100、面對(duì)TFT陣列面板100的公共電極面板200、液晶層3和一對(duì)偏振器12和22。
根據(jù)本示例性實(shí)施例的LC面板組件的層狀結(jié)構(gòu)與圖11至14中示出的層狀結(jié)構(gòu)幾乎相同。
關(guān)于TFT陣列面板100，包括多個(gè)第一柵極線121a和第二柵極線121b以及多個(gè)第一存儲(chǔ)電極線131a和第二存儲(chǔ)電極線131b的柵極導(dǎo)體形成在基底110上。第一柵極線121a和第二柵極線121b分別包括第一柵極124a和第二柵極124b以及端部129a和129b。第一存儲(chǔ)電極線131a和第二存儲(chǔ)電極線131b包括第一存儲(chǔ)電極137a和第二存儲(chǔ)電極137b。第二存儲(chǔ)電極線131b還包括第三存儲(chǔ)電極136b。柵極絕緣層140、多個(gè)半導(dǎo)體構(gòu)件154a和154b以及多個(gè)歐姆接觸163a和165a順序地形成在柵極導(dǎo)體121a、121b、131a和131b上。包括多條數(shù)據(jù)線171和多個(gè)第一漏電極175a和第二漏電極175b的數(shù)據(jù)導(dǎo)體形成在歐姆接觸163a和165a上。數(shù)據(jù)線171包括第一源極173a和173b以及端部179。漏極175a和175b分別包括與第一存儲(chǔ)電極137a和第二存儲(chǔ)電極137b疊置的寬的端部177a和177b。鈍化層180形成在數(shù)據(jù)導(dǎo)體171、175a、175b和柵極絕緣層140以及半導(dǎo)體構(gòu)件154a、154b的暴露部分上。多個(gè)接觸孔181a、181b、182、185a和185b設(shè)置在鈍化層180和柵極絕緣層140上。多個(gè)像素電極191R、191G和191B和多個(gè)接觸輔助件81a、81b和82形成在鈍化層上，其中，多個(gè)像素電極191R、191G和191B包括具有切口91a、91b和92的子像素電極191Ra、191Rb、191Ga、191Gb、191Ba、191Bb。取向?qū)?1隨后涂覆在其上。
關(guān)于公共電極面板200，阻光構(gòu)件220、覆蓋層250、具有多個(gè)切口71Ra、71Rb1、71Rb2、71Ga、71Gb、71Ba、71Bb1、71Bb2的公共電極270以及取向?qū)?1形成在絕緣基底210上。
與圖11至14中示出的LC面板組件不同，第一柵極線121a位于單元電極的相鄰行的邊界附近。
第一存儲(chǔ)電極線131a和131b、第一漏極175a和第二漏極175b的寬端部177a和177b以及接觸孔185a和185b位于單元電極的相鄰行的邊界附近。該構(gòu)造覆蓋了由于分子取向的無(wú)次序而造成的出現(xiàn)在邊界附近的結(jié)構(gòu)，并增大了開(kāi)口率。
此外，存儲(chǔ)電容器Csta和Cstb以及接觸孔185a和185b位于切口71Ra、71Rb2、71Ga、71Gb、71Ba、71Bb2下方，以覆蓋切口71Ra、71Rb2、71Ga、71Gb、71Ba、71Bb2附近的結(jié)構(gòu)。
第一漏極175a還包括沿著第一存儲(chǔ)電極線131a從寬的端部分177a延伸的突起176a。第二漏極175b還包括連接到寬的端部分177b并與第三存儲(chǔ)電極136b疊置的擴(kuò)大的部分176b。
這種構(gòu)造有利于控制存儲(chǔ)電極137a、137b和136a與漏極175a和175b之間的疊置區(qū)域以及存儲(chǔ)電容器Csta和Cstb的電容。
第一TFT Qa和Qb直接位于數(shù)據(jù)線171上，以減小由于排列錯(cuò)誤而導(dǎo)致的缺陷?？扇菀椎卣{(diào)節(jié)數(shù)據(jù)線171之間的距離以及數(shù)據(jù)線和像素電極191R、191G和191B之間的疊置區(qū)域。數(shù)據(jù)線171和像素電極191R、191G和191B之間的寄生電容也可被調(diào)整。
公共電極270的切口71Ra、71Rb1、71Rb2、71Ga、71Gb、71Ba、71Bb1、71Bb2的各傾斜部分具有至少一個(gè)凹槽。
此外，在圖15至18中示出的TFT陣列面板100包括位于鈍化層180下方的多個(gè)濾色器230R，而公共電極面板200不具有濾色器和覆蓋層。濾色器230R沿著縱向方向延伸并周期性地彎曲，并且濾色器230R不設(shè)置在柵極線121和數(shù)據(jù)線171的端部分129和179所處的外圍區(qū)域中。濾色器230R具有比接觸孔更大的通孔235，從而接觸孔185a可穿過(guò)通孔235。
相鄰的濾色器230R在數(shù)據(jù)線171上彼此疊置，從而象阻光構(gòu)件220那樣，阻擋像素電極191R、191G和191B之間的光泄漏。在這種情況下，可省略位于公共電極面板200上的阻光構(gòu)件220，從而簡(jiǎn)化制造工藝。
另一個(gè)鈍化層(未示出)可形成在濾色器230R的下方。
本示例性實(shí)施例增加了入射光的透射區(qū)域，從而增大了開(kāi)口率和透光率。
在圖11至14中示出的LC面板組件的上面描述的很多特點(diǎn)可適用于圖15～18中示出的LC面板組件。
現(xiàn)在將參照?qǐng)D19至24來(lái)詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的其它示例性實(shí)施例的在圖10A和圖10B中示出的LC面板組件的其它示例。
圖19、21、22、23和24是根據(jù)本發(fā)明的其它示例性實(shí)施例的LC面板組件的平面圖布局。圖20是沿著線XX-XX截取的圖19中示出的LC面板組件的剖視圖。
在圖19、21、22、23和24中示出的LC面板組件分別具有圖3、4、5、6和7中的像素電極構(gòu)造。
LC面板組件包括TFT陣列面板100、面對(duì)TFT陣列面板100的公共電極面板200，以及液晶層3。
根據(jù)這些示例性實(shí)施例的LC面板組件的層狀結(jié)構(gòu)與圖11至14中示出的層狀結(jié)構(gòu)幾乎相同。
關(guān)于TFT陣列面板100，多條第一和第二柵極線121a和121b分別形成在基底110上。第一柵極線121a和第二柵極線121b分別包括第一柵極124a和第二柵極124b。柵極絕緣層140形成在柵極線121a和121b上，多個(gè)半導(dǎo)體構(gòu)件154a和154b形成在柵極絕緣層140上。多對(duì)歐姆接觸163a和165a形成在半導(dǎo)體構(gòu)件154a上。多對(duì)歐姆接觸(未示出)形成在半導(dǎo)體構(gòu)件154b上。包括多條數(shù)據(jù)線171以及多個(gè)漏極175a和175b的數(shù)據(jù)導(dǎo)體形成在歐姆接觸163a和165a上。數(shù)據(jù)線171包括源電極173a和173b。鈍化層180形成在數(shù)據(jù)導(dǎo)體171、175a、175b和柵極絕緣層140以及半導(dǎo)體構(gòu)件154a和154b的暴露部分上。多個(gè)接觸孔185a和185b設(shè)置在鈍化層180上。多個(gè)像素電極191、191R、191G和191B形成在鈍化層180上，像素電極191、191R、191G和191B包括具有切口93a和93b的子像素電極191a、191b、191Ra、191Rb、191Ga、191Gb、191Ba、191Bb。
關(guān)于公共電極面板200，阻光構(gòu)件220、多個(gè)濾色器230和公共電極270形成在絕緣基底210上。
與圖11至14中示出的LC面板組件不同，多個(gè)突出280形成在公共電極270上，然而公共電極270不具有切口。突出280由電介質(zhì)制成并具有鋸齒形。突出280將濾色器230二等分。
像素的一部分或全部的子像素電極191a、191b、191Ra、191Rb、191Ga、191Gb、191Ba、191Bb連接到不同的數(shù)據(jù)線171，因此，數(shù)據(jù)線171的源極173a和173b位于數(shù)據(jù)線171的左側(cè)和右側(cè)。
在這種構(gòu)造中，出現(xiàn)在面板組件的像素上的明顯的反相類(lèi)型可被構(gòu)造成點(diǎn)反相。相反地，由數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器500通過(guò)數(shù)據(jù)線171驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)器反相類(lèi)型可被構(gòu)造成列反相。因此，可利用列反相和點(diǎn)反相的優(yōu)點(diǎn)。即，驅(qū)動(dòng)器列反相減小了數(shù)據(jù)線171的信號(hào)延遲并降低了功耗，而明顯的點(diǎn)反相防止了閃爍被顯著地識(shí)別。
在圖21至24中示出的面板組件中，紅色像素和綠色像素的像素電極191R和191G的區(qū)域分別大于藍(lán)色像素的像素電極191B的區(qū)域。在這種方式下，當(dāng)為了改善液晶的響應(yīng)時(shí)間而調(diào)節(jié)被切口93a和93b以及突出280分隔的子區(qū)域的寬度時(shí)，優(yōu)選地，由于與紅色和綠色相比人眼對(duì)藍(lán)色更不敏感，所以減小了藍(lán)色像素的區(qū)域。在示例性的實(shí)施例中，子區(qū)域的寬度優(yōu)選地從大約14微米至大約25微米。
當(dāng)像素電極191R、191G和191B具有不同的區(qū)域時(shí)，數(shù)據(jù)線171之間的距離根據(jù)子像素電極191Ra、191Rb、191Ga、191Gb、191Ba、191Bb的排列可以是均勻的或可以是不均勻的。在圖22的情況下，像素的具有不同尺寸的上像素電極和下像素電極191Ra、191Rb、191Ga和191Gb排列在對(duì)角的方向上，以保持?jǐn)?shù)據(jù)線171之間的均勻距離。
在圖11至14中示出的LC面板組件的上述特點(diǎn)的一些可適用于圖19至24中示出的LC面板組件。
現(xiàn)在，將參照?qǐng)D25、26和27結(jié)合圖1和圖2來(lái)詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)示例性實(shí)施例的LC面板組件的結(jié)構(gòu)。
圖25示出了信號(hào)線和像素PX的等效電路圖。
圖25中所示的LC面板組件包括多條信號(hào)線和連接到所述信號(hào)線上的多個(gè)像素PX。信號(hào)線包括多條柵極線GL、多對(duì)數(shù)據(jù)線DLc和DLd、以及多條存儲(chǔ)電極線SL。
每個(gè)像素PX包括一對(duì)子像素PXc和PXd。每個(gè)子像素PXc/PXd包括開(kāi)關(guān)元件Qc/Qd，分別連接到柵極線GL中的一條上以及數(shù)據(jù)線DLc和DLd之一上；LC電容器CLcc/CLcd，結(jié)合到開(kāi)關(guān)元件Qc/Qd上；存儲(chǔ)電容器Cstc/Cstd連接在開(kāi)關(guān)元件Qc/Qd和存儲(chǔ)電極線SL之間。
如薄膜晶體管(TFT)的開(kāi)關(guān)元件Qc/Qd設(shè)置在下面板100上，并具有三個(gè)端子(1)控制端，連接到柵極線GL；(2)輸入端，連接到數(shù)據(jù)線DLc/DLd；(3)輸出端，連接到LC電容器CLcc/CLcd。
由于圖25中所示的LC電容器CLcc/CLcd、存儲(chǔ)電容器Cstc和Cstd以及包括該面板組件的LCD的操作等基本上和上面所描述的那些相同，因此將省略對(duì)它們的詳細(xì)描述。
然而，應(yīng)該注意的是，與圖10A和圖10B中所示的不同，圖25中示出的形成像素PX的兩個(gè)像素PXc和PXd被同時(shí)提供數(shù)據(jù)電壓。
現(xiàn)在，將參照?qǐng)D26和27詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的圖25中示出的LC面板組件的例子。
圖26是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的LC面板組件的布局圖。圖27是沿線XXVII-XXVII截取的圖26中示出的LC面板組件的剖視圖。
參照?qǐng)D26和圖27，LC面板組件包括TFT陣列面板100、與TFT陣列面板100面對(duì)的公共電極面板200、液晶層3和一對(duì)偏振器12和22。
根據(jù)本實(shí)施例的LC面板組件的層結(jié)構(gòu)與圖11至圖14中所示的層結(jié)構(gòu)相似。
關(guān)于TFT陣列面板100，包括多條柵極線121和多條存儲(chǔ)電極線131的柵極導(dǎo)體形成在基底110上。柵極線121的每條包括第一和第二柵極124c和124d以及端部129。存儲(chǔ)電極線131包括存儲(chǔ)電極137。柵極絕緣層140形成在柵極導(dǎo)線121和131上，包括第一突起154c和154d的多條半導(dǎo)體帶形成在柵極絕緣層140上。包括突起163c和多個(gè)歐姆接觸165c的多條歐姆接觸帶161形成在半導(dǎo)體帶151上。分別包括多對(duì)第一和第二數(shù)據(jù)線171c和171d并分別包括多個(gè)第一和第二漏極175c和175d的數(shù)據(jù)導(dǎo)體形成在歐姆接觸161和165a上。第一和第二數(shù)據(jù)線171c和171d分別包括第一和第二源極173c和173d以及端部179c和179d，漏極175c和175d包括寬端部177c和177d。鈍化層180形成在數(shù)據(jù)導(dǎo)體171c、171d、175c和175d、柵極絕緣層140以及半導(dǎo)體帶151的暴露的端部上。多個(gè)接觸孔181、182a、182b、185a和185b設(shè)置在鈍化層180和柵極絕緣層140上。多個(gè)接觸輔助件81、82c和82d，以及包括子像素電極191Rc、191Rd、191Gc、191Bc和191Bd的多個(gè)像素電極191R、191G和191B形成在鈍化層180上。第二子像素電極191Rd包括第一和第二單元電極191Rd1和191Rd2，第二子像素電極191Bd包括第一和第二單元電極191Bd1和191Bd2。子像素電極191Rc、191Rd、191Gc、191Gd、191Bc和191Bd具有切口91c和91d，子像素電極191Gd具有切口92。取向?qū)?1涂覆在像素電極191R、191G和191B以及鈍化層180上。
關(guān)于公共電極面板200，阻光構(gòu)件200、多個(gè)濾色器230R、覆蓋層250、具有多個(gè)切口71Rc、71Rd1、71Rd2、71Gc、71Gd、71Bc、71Bd1和71Bd2的公共電極270、以及取向?qū)?1形成在絕緣基底210上。
然而，圖26和圖27中示出的LC面板組件中的柵極線121的數(shù)目是圖11至14中示出的LC面板組件中的柵極線的數(shù)目的一半，圖26和27中示出的LC面板組件中的數(shù)據(jù)線171c和171d的數(shù)目是圖11至14中示出的LC面板組件的數(shù)據(jù)線的數(shù)目的兩倍。此外，第一和第二TFT Qc和Qd連接到同一柵極線121上以及不同的數(shù)據(jù)線171c和171d上，所述的第一和第二TFT Qc和Qd結(jié)合到形成像素電極191R、191G或191B的第一和第二子像素電極191Rc、191Rd、191Gc、191Gd、191Bc和191Bd上。
如圖26所示，第一和第二TFT Qc和Qd分別置于第一和第二數(shù)據(jù)線171c和171d的左側(cè)。
半導(dǎo)體154c和154d分別沿著數(shù)據(jù)線171c和171d以及漏極175c和175d延伸，以形成半導(dǎo)體帶151。半導(dǎo)體帶151具有與數(shù)據(jù)導(dǎo)體171c、171d、175c和175d以及下覆歐姆接觸161和165相同的平面形狀(見(jiàn)圖27)。
根據(jù)示例性實(shí)施例的TFT陣列面板的制造方法使用光刻處理同時(shí)形成數(shù)據(jù)導(dǎo)體171c、171d、175c和175d、以及半導(dǎo)體帶151和歐姆接觸161和165c。
用于光刻處理的光致抗蝕劑圖案具有依賴(lài)于位置的厚度，詳細(xì)地，光致抗蝕劑圖案具有厚度減小的第一和第二位置。第一位置位于將被數(shù)據(jù)導(dǎo)體171c、171d、175c和175d占據(jù)的布線區(qū)域，第二位置位于TFT的溝道區(qū)域。
通過(guò)幾種技術(shù)，例如，通過(guò)在曝光掩膜上設(shè)置半透明區(qū)域以及透明區(qū)域和阻光的不透明區(qū)域來(lái)獲得光致抗蝕劑的依賴(lài)于位置的厚度。半透明區(qū)域可具有裂縫圖案、格柵圖案、具有中等透光率和中等厚度的薄膜(一個(gè)或多個(gè))。當(dāng)使用裂縫圖案時(shí)，最好是，裂縫的寬度或裂縫之間的距離小于光刻使用的曝光機(jī)的分辨率。另一個(gè)例子是使用可再流動(dòng)的光致抗蝕劑。一旦通過(guò)使用僅具有透明區(qū)域和不透明區(qū)域的普通曝光掩膜來(lái)形成由可再流動(dòng)的材料制成的光致抗蝕劑圖案，通過(guò)再流動(dòng)處理來(lái)流入沒(méi)有光致抗蝕劑的區(qū)域中，從而形成薄的部分。
結(jié)果，通過(guò)省略光刻步驟來(lái)簡(jiǎn)化制造工藝。
圖11至14中示出的LC面板組件的很多上述特點(diǎn)可適用于圖26和27中示出的LC面板組件。
現(xiàn)在，將參照附圖28、29、30、31、32、和33并結(jié)合圖1和圖2來(lái)詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的其他示例性實(shí)施例的LC面板組件的結(jié)構(gòu)。
圖28示出了信號(hào)線和像素PX的等效電路圖。
圖28中所示的LC面板組件包括多條信號(hào)線和連接到多條信號(hào)線上的多個(gè)像素。信號(hào)線包括多條柵極線GL和多條數(shù)據(jù)線DL。
每個(gè)像素PX包括第一和第二子像素PXe和Pxf對(duì)以及連接在第一子像素PXe和第二子像素PXf之間的耦合電容器Ccp。
第一子像素PXe包括開(kāi)關(guān)元件Q，連接到數(shù)據(jù)線GL之一以及數(shù)據(jù)線DL之一上；第一LC電容器CLce，結(jié)合到開(kāi)關(guān)元件Q上；存儲(chǔ)電容器Cste，連接到開(kāi)關(guān)元件Q上。第二子像素PXf包括連接到耦合電容器Ccp上的第二LC電容器Clcb。
如薄膜晶體管(TFT)的開(kāi)關(guān)元件Q設(shè)置在下面板100上，并具有三個(gè)端子(1)控制端，連接到柵極線GL；(2)輸入端，連接到數(shù)據(jù)線DL；(3)輸出端，連接到LC電容器Clce、存儲(chǔ)電容器Cste和耦合電容器Ccp上。
開(kāi)關(guān)元件Q響應(yīng)于來(lái)自柵極線GL的柵極信號(hào)，將數(shù)據(jù)電壓從數(shù)據(jù)線DL傳輸?shù)降谝籐C電容器Clce和耦合電容器Ccp。耦合電容器Ccp轉(zhuǎn)換數(shù)據(jù)電壓的幅值并將其提供到第二LC電容器Clcf。
假設(shè)公共電壓Vcom被施加到存儲(chǔ)電容器Cste，并且電容器Clce、Cste、Clcf或Ccp以及它們的電容量由相同的標(biāo)號(hào)表示，則存儲(chǔ)在第一LC電容器Clce中的電壓Ve和存儲(chǔ)在第二LC電容器Clcf中的電壓Vf滿足Vf＝Ve×[Ccp/(Ccp+Clcf)]由于Ccp/(Ccp+Clcf)小于1，所以存儲(chǔ)在第二LC電容器Clcf中的電壓Vf小于存儲(chǔ)在第一點(diǎn)容器LC電容器Clce中的電壓Ve。即使施加到存儲(chǔ)電容器Cste的電壓不是公共電壓Vcom，也滿足這個(gè)關(guān)系。
通過(guò)調(diào)整耦合電容器Ccp的電容可獲得電壓Ve和Vf的期望的比率。
將參照?qǐng)D29至33來(lái)詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的圖28中所示的LC面板組件的例子。
圖29、31、32和33是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的LC面板組件的平面布局圖。圖30是沿線XXX-XXX所截取的圖29中示出的LC面板組件的剖視圖。
圖29、31、32和33中示出的LC面板組件分別具有圖3、4、5和6中示出的像素電極構(gòu)造。
LC面板組件包括TFT陣列面板100、面向TFT陣列面板100的公共電極面板200、以及液晶層3。
根據(jù)這些示例性實(shí)施例的LC面板組件的層狀結(jié)構(gòu)與圖19至23中示出的那些結(jié)構(gòu)相似。
關(guān)于TFT陣列面板100，多條柵極線121形成在基底110上。柵極線121包括柵極124。柵極絕緣層140、多個(gè)半導(dǎo)體構(gòu)件154和多對(duì)歐姆接觸163和165順次形成在柵極線121上。包括多條數(shù)據(jù)線171和多個(gè)漏極175的數(shù)據(jù)導(dǎo)體形成在歐姆接觸163和165以及柵極絕緣層140上。數(shù)據(jù)線171包括源極173。鈍化層180形成在數(shù)據(jù)導(dǎo)體171和175、柵極絕緣層140以及半導(dǎo)體構(gòu)件154的暴露的部分上。多個(gè)接觸孔185設(shè)置在鈍化層180上。多個(gè)像素電極191、191R、191D和191B形成在鈍化層180上，所述的多個(gè)像素電極191、191R、191D和191B包括具有切口93a和93b的子像素電極191e、191f、191Re、191Rf、191Ge、191Gf、191Be和191Bf。
關(guān)于公共電極面板200，阻光構(gòu)件220、多個(gè)濾色器230、公共電極270和多個(gè)突出280形成在絕緣基底210上。
與圖19至23中示出的LC面板組件不同，第二子像素電極191f、191Rf、191Gf和191Bf電懸浮(electrically floating)，而第一子像素電極191e、191Re、191Ge和191Be連接到漏極175。
漏極175的每個(gè)包括延伸到像素電極191、191R、191G和191B的傾斜邊緣的耦合電極176。耦合電極176沿著第二子像素191f、191Rf、191Gf和191Bf下面的突出280延伸，以與第二子像素電極191f、191Rf、191Gf和191Bf疊置。因此，第一子像素電極191e、191Re、191Ge和191Be和第二子像素191f、191Rf、191Gf和191Bf彼此電容耦合，以形成耦合電容器Ccp。
圖19至23中示出的LC面板組件的上述很多特點(diǎn)可應(yīng)用到圖29至33中示出的LC面板組件中。
現(xiàn)在，將參好圖34、35、36、37和38并結(jié)合圖1和圖2來(lái)詳細(xì)描述LC面板組件的結(jié)構(gòu)。
圖34示出了信號(hào)線和像素PX的示意性等效電路圖。
圖34中示出的LC面板組件包括多條信號(hào)線和連接到多條信號(hào)線上的多個(gè)像素PX。信號(hào)線包括多條柵極線GL、多條數(shù)據(jù)線DL和基本上平行于柵極線GL延伸的多對(duì)存儲(chǔ)電極線SLg和SLh。
每個(gè)像素PX包括一對(duì)子像素PXg和PXh。每個(gè)子像素PXg/PXh包括開(kāi)關(guān)元件Qg/Qh，分別連接到柵極線GL之一和數(shù)據(jù)線DL之一上；LC電容器Clcg/Clch，結(jié)合到開(kāi)關(guān)元件Qg/Qh；存儲(chǔ)電容器Cstg/Csth，連接在開(kāi)關(guān)元件Qg/Qh以及存儲(chǔ)電極線SLg/SLh之一之間。
如TFT的開(kāi)關(guān)元件Qg/Qh設(shè)置在下面板100上，并具有三個(gè)端(1)控制端，連接到柵極線GL；(2)輸入端，連接到數(shù)據(jù)線DL；(3)輸出端，連接到LC電容器Clcg/Clch和存儲(chǔ)電容器Cstg/Csth。
存儲(chǔ)電容器Cstg/Csth是用于LC電容器Clcg/Clch的輔助電容器。存儲(chǔ)電容器Cstg/Csth包括子像素電極和存儲(chǔ)電極線SLg/SLh，存儲(chǔ)電極線SLg/SLh設(shè)置在下面板100上并經(jīng)絕緣層與子像素電極疊置。兩個(gè)存儲(chǔ)電極線SLg和SLh被提供具有反相或相反極性的周期電壓。
由于上面已經(jīng)參照?qǐng)D2描述了LC電容器Clcg/Clch以及其他相關(guān)元件，因此將省略它們的描述。
在圖34中所示的LCD中，在LC電容器Clca和Clcb以及存儲(chǔ)電容器Cstg和Csth被充電并且開(kāi)關(guān)元件Qg和Qh被截止之后，施加到存儲(chǔ)電極線SLg和SLh的電壓反向移動(dòng)，以使得LC電容器Clcg和Clch的電壓不同。
將參照?qǐng)D35至38詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的圖34中示出的LC面板組件的例子。
圖35、36、37和38是根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的LC面板組件的平面布局圖。
圖35、36、37和38中示出的LC面板組件分別具有圖3、4、5和6中示出的像素電極構(gòu)造。
LC面板組件包括TFT陣列面板100、與TFT陣列面板100面對(duì)的公共電極面板200、以及液晶層3。
根據(jù)這些示例性實(shí)施例的LC面板組件的層狀結(jié)構(gòu)與圖19至23中示出的那些相似，因此，省略它們的剖視圖。
關(guān)于TFT陣列面板100，多條柵極線121形成在基板110上。柵極線121的每個(gè)分別包括第一和第二柵極124g和124h。柵極絕緣層140、多個(gè)半導(dǎo)體構(gòu)件154和多對(duì)歐姆接觸(未顯示)順次形成在柵極線121上。包括多條數(shù)據(jù)線171和多個(gè)漏極175g和175h的數(shù)據(jù)導(dǎo)體形成在歐姆接觸和柵極絕緣層140上。數(shù)據(jù)線171包括源極173g和173h。鈍化層180形成在數(shù)據(jù)導(dǎo)體171、175g和175h、柵極絕緣層140和半導(dǎo)體構(gòu)件154的暴露的部分上。多個(gè)接觸孔185g和185h設(shè)置在鈍化層180上。多個(gè)像素電極191、191R、191G和191B形成在鈍化層180上，所述的多個(gè)像素電極191、191R、191G和191B包括具有切口93a和93b的子像素電極191g、191h、191Rg、191Rh、191Gg、191Gh、191Bg和191Bh。
關(guān)于公共電極面板200，阻光構(gòu)件220、多個(gè)濾色器230、公共電極270和多個(gè)突出280形成在絕緣基底210上。
與圖19至23中所示的LC面板組件不同，只有一個(gè)柵極線121被分配給一個(gè)像素行，并且柵極線121穿過(guò)子像素電極191g、191h、191Rg、191Rh、191Gg、191Gh、191Bg和191Bh的邊界。一對(duì)柵極124g和124h彼此連接，置于該對(duì)柵極124g和124h上一對(duì)源極173g和173h連接到相同數(shù)據(jù)線171上。
多對(duì)存儲(chǔ)電極線131g和131h形成在基底110上。每對(duì)存儲(chǔ)電極線131g和131h相對(duì)于柵極線121彼此相對(duì)放置，并被提供反相的周期電壓。
形成像素電極191、191R、191G和191B的兩個(gè)子像素電極191g、191h、191Rg、191Rh、191Gg、191Gh、191Bg和191Bh與形成各個(gè)存儲(chǔ)電容器Cstg和Csth的每個(gè)存儲(chǔ)電極線131g和131h疊置。
圖19至23中所示的LC面板組件的上述很多特點(diǎn)可以應(yīng)用到圖35至38所示的LC面板組件。
以這種方式，增加開(kāi)口率和透光率以改善側(cè)面可見(jiàn)度?？扇菀椎乜刂拼鎯?chǔ)電極的電容、像素電極的面積、數(shù)據(jù)線之間的距離以及數(shù)據(jù)線和像素電極之間的疊置面積等。
雖然已經(jīng)參照示例性實(shí)施例詳細(xì)描述了本發(fā)明，但是，本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解，在不脫離由權(quán)利要求所限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可對(duì)這些實(shí)施例作出修改和替換。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示器，包括基底；像素電極，置于所述基底上，所述像素電極包括第一子像素電極和第二子像素電極，其中，所述第一子像素電極包括第一電極，所述第一電極包括至少兩個(gè)基本為平行四邊形形狀的電極件，所述電極件具有不同的傾斜方向，所述第二子電極包括第二電極，所述第二電極布置在不同于第一電極的縱向位置，所述第二電極包括至少兩個(gè)基本為平行四邊形形狀的電極件，所述電極件具有不同的傾斜方向。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中，所述第一電極和所述第二電極彼此相鄰。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中，所述第一電極和所述第二電極在彼此相對(duì)的對(duì)角方向上排列。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中，所述第一電極和所述第二電極在限定所述第一電極和所述第二電極的邊緣排列。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中，所述第一電極和所述第二電極在限定所述兩個(gè)基本上為平行四邊形形狀的電極件之間的接合處的中心排列。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中，所述第一電極和所述第二電極具有不同的寬度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中，所述第一電極和所述第二電極具有不同的高度。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的液晶顯示器，其中，所述第一電極的高度大于所述第二電極的高度并等于或小于所述第二電極的高度的兩倍。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中，所述第二子像素電極包括第三電極，所述第三電極包括至少兩個(gè)基本上為平行四邊形形狀的電極件，所述至少兩個(gè)電極件具有不同的傾斜方向，所述第三電極橫向上鄰近于所述第一電極并與所述第二電極連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中，所述第一子像素電極和所述第二子像素電極具有不同的面積。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的液晶顯示器，其中，所述第二子像素電極的面積是所述第一子像素電極的面積的大約1.1倍至大約3倍。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，還包括面向所述像素電極的公共電極，所述公共電極具有切口，其中，每個(gè)所述電極件均具有一對(duì)基本上相互平行的傾斜邊緣，所述切口穿過(guò)所述第一子像素電極和所述第二子像素電極，并包括基本上平行于所述電極件的所述傾斜邊緣延伸的傾斜部分。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中，所述第一子像素電極和所述第二子像素電極具有不同的電壓。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的液晶顯示器，其中，所述第一子像素電極和所述第二子像素電極的電壓源于單一的圖像信息。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的液晶顯示器，還包括第一薄膜晶體管，與所述第一子像素電極結(jié)合；第二薄膜晶體管，與所述第二子像素電極結(jié)合；第一和第二信號(hào)線，與所述第一薄膜晶體管結(jié)合；第三和第四信號(hào)線，與所述第二薄膜晶體管結(jié)合。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的液晶顯示器，還包括第一薄膜晶體管，與所述第一子像素電極結(jié)合；第二薄膜晶體管，與所述第二子像素電極結(jié)合；第一信號(hào)線，與所述第一薄膜晶體管結(jié)合；第二信號(hào)線，與所述第二薄膜晶體管結(jié)合；第三信號(hào)線，與所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管結(jié)合，所述第三信號(hào)線與所述第一信號(hào)線和所述第二信號(hào)線交叉。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的液晶顯示器，其中，所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管分別根據(jù)來(lái)自所述第一信號(hào)線和所述第二信號(hào)線的信號(hào)導(dǎo)通，以傳輸來(lái)自所述第三信號(hào)線的信號(hào)。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的液晶顯示器，其中，所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管分別根據(jù)來(lái)自所述第三信號(hào)線的信號(hào)導(dǎo)通，以傳輸來(lái)自所述第一信號(hào)線和所述第二信號(hào)線的信號(hào)。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的液晶顯示器，還包括沿所述第一電極和所述第二電極的邊界延伸的第四信號(hào)線。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的液晶顯示器，其中，所述第一薄膜晶體管包括與所述第四信號(hào)線疊置的第一漏極，所述第二薄膜晶體管包括與所述第四信號(hào)線疊置的第二漏極。
21.根據(jù)權(quán)利要求16所述的液晶顯示器，還包括第四信號(hào)線，穿過(guò)所述第一電極的中心；第五信號(hào)線，穿過(guò)所述第二電極的中心；其中，所述中心被限定為所述各個(gè)兩個(gè)基本上為平行四邊形形狀的電極件之間的接合處。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的液晶顯示器，其中，所述第一薄膜晶體管包括與所述第四信號(hào)線疊置的第一漏極，所述第二薄膜晶體管包括與所述第五信號(hào)線疊置的第二漏極。
23.根據(jù)權(quán)利要求14所述的液晶顯示器，其中，所述第一子像素電極和所述第二子像素電極彼此電容耦合。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的液晶顯示器，還包括與所述第一子像素電極耦合并與所述第二子像素電極疊置的耦合電極。
25.根據(jù)權(quán)利要求14所述的液晶顯示器，還包括第一薄膜晶體管，與所述第一子像素電極結(jié)合；第二薄膜晶體管，與所述第二子像素電極結(jié)合；柵極線，與所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管結(jié)合；數(shù)據(jù)線，與所述第一薄膜晶體管和所述第二薄膜晶體管結(jié)合；第一存儲(chǔ)電極線，與所述第一子像素電極疊置；第二存儲(chǔ)電極線，與所述第二子像素電極疊置。
26.根據(jù)權(quán)利要求25所述的液晶顯示器，其中，所述第一存儲(chǔ)電極線的第一電壓具有與所述第二存儲(chǔ)電極線的第二電壓的相位相反的相位。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的液晶顯示器，其中，所述柵極線穿過(guò)所述第一子像素電極和所述第二子像素電極之間的邊界。
28.根據(jù)權(quán)利要求1所述的液晶顯示器，其中，所述第二子像素電極具有切口。
29.根據(jù)權(quán)利要求28所述的液晶顯示器，還包括公共電極，面向所述像素電極；液晶層，置于所述像素電極和所述公共電極之間。
30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的液晶顯示器，其中，所述公共電極具有切口。
31.根據(jù)權(quán)利要求29所述的液晶顯示器，還包括形成在所述公共電極上的突出。
32.一種液晶顯示器，包括基底；多個(gè)像素電極組，形成在所述基底上，其中，每個(gè)所述像素電極組包括多個(gè)像素電極，每個(gè)像素電極包括第一子像素電極和與所述第一子像素電極分離的第二子像素電極，所述第一子像素電極和所述第二子像素電極中的每個(gè)包括至少兩個(gè)基本為平行四邊形形狀的電極件，所述電極件具有不同的傾斜方向，每個(gè)所述像素電極組中的所述像素電極中的至少一個(gè)具有與其他像素電極不同的形狀。
33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的液晶顯示器，其中，所述像素電極組在行方向和列方向上周期性布置。
34.根據(jù)權(quán)利要求32所述的液晶顯示器，其中，每個(gè)所述像素電極組中的所述像素電極具有相同的面積。
35.根據(jù)權(quán)利要求32所述的液晶顯示器，其中，每個(gè)所述像素電極組中的所述像素電極具有不同的面積。
36.根據(jù)權(quán)利要求32所述的液晶顯示器，其中，每個(gè)所述像素電極組中的所述像素電極在邊緣上排列。
37.根據(jù)權(quán)利要求32所述的液晶顯示器，其中，所述第二子像素電極的面積是所述第一子像素電極的面積的大約1.1倍至大約3倍。
38.根據(jù)權(quán)利要求31所述的液晶顯示器，其中，所述第一子像素電極和所述第二子像素電極具有不同的電壓。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種液晶顯示器，根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的液晶顯示器包括基底和置于基底上的像素電極。像素電極包括第一子像素電極和第二子像素電極，其中，第一子像素電極包括第一電極，第一電極包括至少兩個(gè)基本為平行四邊形形狀的電極件，所述電極件具有不同的傾斜方向。第二子像素電極包括以不同于第一電極的縱向位置布置的第二電極，第二電極包括至少兩個(gè)基本為平行四邊形形狀的電極件，所述電極件具有不同的傾斜方向。
文檔編號(hào)G02F1/1343GK1797081SQ20051000357
公開(kāi)日2006年7月5日 申請(qǐng)日期2005年12月27日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月27日
發(fā)明者金東奎, 田尚益, 文盛載 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社